Модифицированные фототепловые методы для определения электронных и тепловых параметров полупроводниковых материалов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА

ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОТЕПЛОВЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ (Литературный обзор).стр.

1.1. Сравнительные характеристики различных фототепловых методов, используемых для определения тепловых и электронных параметров образцов.стр.

1.2. Теоретическое обоснование применения метода "мираж" - эффект к анализу тепловых и электронных свойств полупроводников.стр.

1.3. Исследование зависимости параметров образцов от температуры и давления.стр.

ГЛАВА

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФОТОТЕПЛОВЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРО

2.1. Расчет температурной зависимости тепловых параметров кремниевых образцов и погрешностей их определения, а также формы фототеплового сигнала, снятого с использованием импульсного метода

2.2. Расчетная модель обработки экспериментальных результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающая влияние рекомбинационных процессов на поверхности

ВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ мираж» - эффект, образца

2.3. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом «мираж» - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча.стр.

2.4. Исследование тонкопленочных образцов фоторефлекционным методом с применением созданных биений между пробным и возбуждающим излучениями.стр.

ГЛАВА

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ.стр.

3.1. Низкотемпературные исследования тепловых и электронных параметров образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением.стр.

3.2. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча.стр.

3.3. Исследование высокочастотных модуляционных колебаний, наблюдаемых в начале фототеплового сигнала, снимаемого при исследовании образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением.стр.

3.4. Исследование тонкопленочных образцов фоторефлекционным методом с применением созданных биений между пробным и возбуждающим излучениями.стр.

ГЛАВА

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.стр.

4.1. Исследование влияния на форму фототеплового сигнала пространственной и временной неоднородностей тепловой волны, проходящей через зону пробного луча.стр.

4.2. Измерение распределения энергии по сечению пробного луча, используемого при измерении параметров образцов импульсным методом «мираж» - эффект.стр.

4.3. Исследование высокочастотной модуляции, наблюдаемой в начале фототеплового сигнала, снимаемого методом «мираж» - эффект с импульсным возбуждением.стр.

4.4. Исследование тепловой составляющей фототеплового сигнала и определение коэффициента температуропроводности образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением в температурном диапазоне (77-300) К.стр.

4.5. Определение скорости поверхностной рекомбинации образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением.стр.

4.6. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча.стр

4.7. Исследования тонкопленочных образцов фоторефлекционным методом с применением созданных биений между пробным и возбуждающим излучениями.стр.

Технический прогресс на рубеже 21-го века выдвинул высокие требования к качеству полупроводниковых материалов, в первую очередь к точности и экспрессности определения их тепловых и электронных параметров.

Контактные методы исследования имеют отрицательные характеристики из-за большой погрешности измерений и ограничений для образцов полупроводниковых материалов, обладающих высокой теплопроводностью, малыми временами жизни носителей заряда, а также для тонкопленочных образцов.

Потребности производства ставят перед исследователями задачи, связанные с разработкой моделей и методик локального, дистанционного, неразрушающего контроля материалов путем определения их тепловых и электронных параметров в широком температурном диапазоне. Решать эти задачи возможно благодаря использованию бесконтактных, неразрушающих, безэталонных фототепловых методов.

Впервые физическая основа и теоретическое обоснование одного из наиболее популярных фототепловых методов - метода «мираж» -эффекта были рассмотрены в работе Fournier D., Boccara A.C., Badoz J. [1]. Фоторефлекционный метод, как правило, применяется в тех случаях, когда применение метода «мираж» - эффекта из-за особенностей геометрии образца становится затруднительным.

К данному времени различные группы исследователей показали возможность измерения тепловых и электронных параметров образцов с применением вышеупомянутых методов, однако, так и не было создано экспресс - методов определения параметров образцов в реальном времени. Не проводились измерения тепловых и электронных параметров образцов в различных температурных диапазонах, которые могли бы раскрыть процессы распространения тепла в образце и определить механизм формирования погрешностей определяемых физических параметров образцов. Точность измерения параметров образцов, определяемых методом «мираж» - эффекта с импульсным возбуждением, была невысока (до 30%). При определении параметров образцов не учитывалось влияние скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда. Измерения тепловых и электронных параметров широко применяемых в промышленности тонкопленочных материалов (которые невозможно достоверно провести с использованием традиционных контактных методов) бесконтактными методами в России вообще не проводились из-за отсутствия технической базы для существовавшей методики.

Цель работы:

Цель данной работы состояла в модернизации фототепловых методов, позволяющей улучшить их характеристику, учесть скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда при обработке экспериментальных результатов, добиться понижения погрешности определения тепловых и электронных параметров полупроводниковых материалов, а также проводить измерения тепловых параметров тонкопленочных образцов.

Для достижения цели данной работы решались следующие задачи:

- по созданию фототеплового экспресс - метода, позволяющего определять параметры образцов с меньшей погрешностью и в режиме реального времени;

- по разработке и реализации методики измерения коэффициента температуропроводности тонких пленок, в том числе с высокими коэффициентами тепло- и температуропроводности;

- по созданию расчетной модели обработки экспериментальных результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающей влияние рекомбинационных процессов на поверхности образца;

- по проведению измерений температуропроводности полупроводниковых образцов в диапазоне (77-300) К.

Научная новизна:

1. Создан экспресс - метод на основе фоторефракционного явления, который благодаря впервые примененному разделению пробного луча позволяет в режиме реального времени проводить более корректные измерения параметров образцов (коэффициентов диффузии, тепло- и температуропроводности, времени жизни носителей заряда) по сравнению с традиционным методом «мираж» - эффекта.

2. Разработана и экспериментально реализована оригинальная методика на базе фоторефлекционного эффекта с использованием искусственно созданных биений между пробным и возбуждающим излучениями, позволяющая проводить измерения коэффициента температуропроводности и геометрических размеров тонкопленочных образцов.

3. Впервые обнаружен эффект пространственного раздвоения пробного луча при прохождении фронта температурной волны через полупроводник.

4. Предложена расчетная модель обработки экспериментальных результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающая влияние рекомбинационных процессов на поверхности образца.

5. Впервые проведены измерения скорости поверхностной рекомбинации кремниевых образцов методом «мираж» - эффект.

6. Впервые проведены измерения коэффициентов температуропроводности кремниевых образцов в диапазоне (77-300) К импульсным методом «мираж» - эффект, позволившие понять механизм распространения тепла в образцах и характер методической погрешности эксперимента.

Практическая ценность работы:

Предложенные в работе новые фототепловые методики, использующие разделение пробного луча, специально созданные биения между пробным и возбуждающим излучениями, а также расчетную схему, учитывающую скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда, позволяют:

- более корректно, по сравнению с традиционными методиками, определять параметры полупроводников (коэффициент температуропроводности, время жизни носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации, коэффициент диффузии носителей) в режиме реального времени;

- определять скорость поверхностной рекомбинации образцов с использованием импульсного метода «мираж» - эффект;

- определять коэффициент температуропроводности и геометрические размеры тонкопленочных материалов, измерение которых другими методами не представляется возможным;

- снизить погрешность определения тепловых (коэффициент температуропроводности) и электронных (коэффициента диффузии фотоиндуцированных носителей заряда, времени жизни носителей заряда) параметров полупроводников;

- измерять параметры полупроводниковых образцов (коэффициенты тепло- и температуропроводности) в диапазоне (77-300)К.

Основные положения, выносимые на защиту, учитывают научную новизну и практическую ценность работы и состоят в следующем:

1. Впервые предложен, обоснован и экспериментально реализован экспресс - метод на базе фоторефракционного явления, основанный на оригинальной идее использования разделенного пробного луча, что позволило измерять физические параметры образцов (коэффициенты диффузии, тепло- и температуропроводности, время жизни носителей заряда) в режиме реального времени, а также значительно снизить погрешность их измерений - на (10-25)%.

2. Разработана и экспериментально реализована новая методика измерения коэффициента температуропроводности тонких пленок фоторефлекционным методом, использующая специально созданные биения между пробным и возбуждающим излучениями.

3. Впервые экспериментально обнаружен эффект пространственного расщепления пробного луча при прохождении фронта температурной волны через полупроводник и дана его интерпретация, позволившая понять механизм формирования фототеплового сигнала на малых глубинах зондирования.

4. Создана новая расчетная модель обработки результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающая влияние рекомбинационных процессов на поверхности образца, а также позволяющая определить скорость поверхностной рекомбинации и понизить погрешность определения параметров (коэффициента диффузии, времени жизни носителей заряда) образца.

5. Впервые импульсным методом «мираж» - эффект проведены измерения коэффициентов температуропроводности кремниевых образцов в диапазоне (77-300) К, подтвердившие эффективность физической модели метода и выявившие характер методической погрешности эксперимента.

Вклад автора:

Изложенные в работе результаты получены автором лично или в соавторстве при его непосредственном участии.

Апробация работы:

Основные результаты докладывались на:

1. 8-ой Международной Конференции по Фотоакустическим и Фототепловым явлением (Гваделупа, Франция, 1994 г.).

2. Международном Семинаре по Современной акустике (Нанкин, Китай, 1994 г.).

3. 4-м Семинаре по Фотоакустике и Фототепловым Явлениям (Гливиц, Польша, 1999 г.).

4. Научной Сессии МИФИ-99 (Москва, 1999 г.).

5. Научной Сессии МИФИ-2000 (Москва, 2000 г.).

Основные результаты диссертации опубликованы в 10 печатных работах:

1. Лапшин К.В., Петровский А.Н., Сальник А.О. Применение метода фотодефлекционной спектроскопии для измерения температуропроводности кремния при низких температурах. Письма в ЖТФ. М, 1993, том 9, вып. 1, сс. 24-28.

2. Лапшин К.В., Петровский А.Н., Сальник А.О., Зуев В.В. Применение метода фотодефлекционной спектроскопии для измерения скорости поверхностной рекомбинации кремния в диапазоне температур (77 - 300) К. Письма в ЖТФ, М., 1994, том 20, вып. 21, сс. 60-64.

3. Lapshin К.V., Salnick А.О., Petrovsky A.N. Low Temperature Si Thermal Properties Characterisation Using the Photothermal Beam Deflection 8-th Topical International Meeting on Photoacoustic and Photothermal Phenomena. Guadeloupe, France, 1994, pp. 135-136.

4. Petrovsky A.N., Lapshin K.V., Zuev V.V. and Salnick A.O. Low temperatures Si thermal and electron measurements using the mirage technique. International Workshop on Modern Acoustics. Nanjing, China, 1994, p. 72.

5. Петровский A.H., Лапшин K.B., Зуев B.B. Измерение тепловых и электронных параметров полупроводников методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением и раздвоением пробного луча. Письма в ЖТФ, М., 1998, том. 24, вып. 17, сс. 63-67.

6. Лапшин К.В., Петровский А.Н., Зуев В.В., Лабузов Д.О. Исследование тепловых параметров тонких пленок методом "мираж" -эффект с гармоническим возбуждением с применением гетеродинирования возбуждающего и пробного излучений. Научная сессия МИФИ-99. М., 1999, том 3, сс. 168-169.

7. Петровский А.Н., Лапшин К.В., Зуев В.В. Измерение тепловых и электронных параметров полупроводников методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча. Научная сессия МИФИ-99. М., 1999, том 3, сс. 170-171.

8. Anatoly N. Petrovsky, Konstantin VI. Lapshin, Vyacheslav V. Zuev. The definition of the electron and thermal properties of Si samples using pulse "mirage" effect with probe beam have been separated. 4rd Workshop on Photoacoustics & Photothermics. Gliwitce, Poland, 1999, p. 94.

9. Петровский A.H., Лапшин K.B., Зуев В.В., Явление раздвоения пробного луча на малых глубинах зондирования образца в импульсном фотодефлекционном методе. Научная сессия МИФИ-2000. М., 2000, том 4, сс. 146-147.

10. К.В. Лапшин, А.Н. Петровский, В.В. Зуев, А. Д. Кирюхин, Д.В. Лабузов. Исследование образцов с тонкими пленками методом фототеплового отражения с гармоническим возбуждением с применением гетеродинирования возбуждающего и пробного излучений. Письма в ЖТФ. М., 2000, том 26, вып. 2, сс. 35-40.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате решения задач по модификации фототепловых методов для определения электронных и тепловых параметров полупроводников получены следующие основные результаты.

1. Создан экспресс-метод на базе фоторефракционного эффекта, который впервые - благодаря примененному разделению пробного луча - позволяет в режиме реального времени «безконтактно», безэталонно определять значения параметров образцов (коэффициенты диффузии, тепло- и температуропроводности, время жизни носителей заряда), в том числе понизить погрешность их измерения.

2. С помощью предложенного экспресс-метода на созданной оригинальной установке определены значения коэффициентов температуропроводности (погрешность измерения которых была - по сравнению с классическим методом - снижена с 25% до 15%) и скоростей распространения максимумов градиентов тепловых волн кремниевых образцов.

3. Впервые разработана и экспериментально реализована методика измерения коэффициента температуропроводности тонких пленок на основе фоторефлекционного явления путем использования специально созданных биений между пробным и возбуждающим излучениями.

4. Впервые обнаружен эффект пространственного расщепления пробного луча при прохождении фронта температурной волны через полупроводник. Дана интерпретация данного явления, позволившая более точно понять особенности формирования фототеплового сигнала, наблюдаемого при исследованиях образцов с использованием метода «мираж» - эффект.

5. Предложена расчетная модель обработки результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающая влияние рекомбинационных процессов на поверхности образца. Данная модель позволяет определять скорость поверхностной рекомбинации образцов, а также снизить погрешности определения коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда исследуемых образцов.

6. Благодаря использованию предложенной расчетной модели обработки результатов, впервые фототепловыми методами определены значения скоростей поверхностной рекомбинации носителей заряда в исследуемых материалов.

7. Впервые проведены измерения коэффициентов температуропроводности кремниевых образцов в диапазоне (77-300) К импульсным методом «мираж» - эффект. По полученным экспериментальным значениям коэффициентов температуропроводности сделаны выводы о тепловых процессах, протекающих в исследуемом образце после воздействия на него возбуждающего излучения (а следовательно о достоверности используемой физической модели), и о характере формирования погрешностей определения параметров полупроводниковых образцов.

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю А.Н. Петровскому за постоянное внимание и помощь в работе, В.В. Зуеву за ценные обсуждения и помощь в работе, а также И.Г. Гончарову за помощь в редактировании автореферата к данной работе.

1. Boccara А.С., Founder D., Badoz J., Thermo-optical spectroscopy: Detection by the «mirage» effect. Appl. Phys. Lett., 1980, Vol. 36 (2), pp. 130- 132.

2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М., Высш. шк., 1987.

3. Батавян Л.П., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М., Радио и связь, 1987.

4. A. Rosencwaig, Photoacoustics and photoacoustics spectroscopy. John Wiley & Sons, USA, 1980.

5. Жаров В.П., Летохов B.C. Лазерная оптико акустическая спектроскопия. М., Наука, 1984.

6. Н. G. Walther, W. Karpen. Characterization of interfaces by photothermal methods, Analytica Chimica Acta, 1994, Vol.297, pp.87 96.

7. Под ред. Д. Клайджера. Сверхчувствительная лазерная спектроскопия. М., Мир, 1986.

8. A. Rozencwaig. Photo Acoustic Spectroscopy of Solids, Rev. Sci. Instrum., 1977, Vol. 48 (9), pp. 1133 -1137.

9. A. Zegadi, M. A. Slifkin, and R. D. Tomlinson. A photoacoustic spectrometer for measuring subgap absorption spectra of semiconductors, Rev. Sci. Instrum., 1994, Vol. 65 (7), pp. 2238 2243.

10. A. Mandelis, Y. С. Teng, and В. S. H. Royce. Phase measurements in the frequency domain photoacoustic spectroscopy solids, J. Appl. Phys., 1979, Vol. 50 (11), pp. 7138 7146.

11. С.Б. Гуревич, K.JI. Муратиков. К теории образования фотоакустического сигнала при экспериментах с твердыми телами, Письма в ЖТФ, 1984, Том 10 (3), сс. 129 132.

12. С. А. Винокуров. Оптико-акустическое определение теплофизических характеристик. II, Инженерно-физический журнал, 1985, Том 49(1), сс. 72-77.

13. I.A. Vitkin, B.C. Wilson, R.R. Anderson & S.A Prahl. Pulsed photothermal radiometry in optically transparent media containing discrete optical absorbers , Phys. Med. Biol., 1994, Vol. 39, pp. 1721-1744.

14. A. Othonos, A. Mandelis, M. Nestoros. Laser photothermal diagnostic of genuine and counterfeit British and United States banknotes, C. Christofides, Opt. Eng., Vol. 36 (2), 1997, pp. 400-407.

15. M. Reichling, Radiation Effects and Deffects in Solid. 1994, Vol. 128, pp. 55-66.

16. Z. L. Wu, M. Thomson, P. K. Kuo, Yuesheng Lu, C. Stolz, M. Kozlowski. Photothermal characterization of optical thin film, Opt. Eng., 1997, Vol. 36(1), pp. 251-262.

17. F.W. Cross, R.K. Al-Dhahir, P.E. Dyer & A.L. MacRobert. Time-resolved photoacoustic studies of vascular tissue ablation at three laser wavelengths, J. Appl. Phys. Lett., 1987, Vol. 50 (15), pp.1019-1021.

18. К. Нага, M.-K. Bae, H. Okabe, T. Horiuchi, K. Matsushige and Y. Ishibashi. AFM observations of TGS crystal surface in microscopic and semi-microscopic levels, Ferroelectrics, 1985, Vol. 170, pp. 101-109.

19. Rosencwaig A., Gersho A. Theory of the photoacoustic effect with solids, J. Appl. Phys., 1976, vol. 47 (1), pp. 64-69.

20. Dewhurst R.J., Hutchins D.A., Palmer S.B., Scruby C.B. Quantitative measurements of laser generated acoustic waveforms, J. Appl. Phys., 1982, vol. 53 (6), pp. 4064-4071.

21. A.A. Karabutov, M.P. Matrosov, and N.B. Podymova, Pulsed ultrasonic spectroscopy based on laser thermooptical generation, 1992, Photoacoustic and photothermal phenomena III, Springer Series in Optical Sciences, Vol. 69, pp. 309-312.

22. Подымова Н.Б. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико математических наук, М., МГУ, 1994.

23. Joan F. Power and Andreas Mandelis. Frequency modulated impulse response photothermal detection through optical reflectance. 2: Experimental, Applied Optics, 1988, Vol. 27 (16), pp. 3408-3417.

24. C.D. Tan. Photoacoustic and photothermal phenomena III, Springer Series in Optical Sciences, 1992, Vol. 69, pp. 463-473.

25. A. Mandelis. Photoacoustic and photothermal phenomena III, Springer Series in Optical Sciences, 1992, Vol. 69, pp. 294-297.

26. Fournier D., Boccara A.C., Skumanich A., Amer N.M. Photothermal investigation of transport in semiconductors: theory and experiment. J. Appl. Phys., 1986, Vol. 59 (3), pp. 787-795.

27. B.B. Зуева, A.H. Петровского, A.O. Сальника. Анализ свойств полупроводников методом объемной фотодефлекционной спектроскопии, Препринт МИФИ 046-87, М., 1987.

28. В.В. Зуев, М.М. Мехтиев, Д.О. Мухин, А.Н. Петровский, А.О. Сальник. Импульсная фотодефлекционная спектроскопияполупроводников: теория и эксперимент, Препринт МИФИ 031-90, М., 1990.

29. А.О. Сальник. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, М., МИФИ, 1991.

30. Зуев В.В., Петровский А.Н., Сальник А.О. Измерение времени жизни носителей заряда в кремнии методом объемной фотодефлекционной спектроскопии, Высокочистые вещества, 1988, Том. 2, сс. 213-216.

31. Зуев В.В., Петровский А.Н., Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия бесконтактный метод анализа полупроводников. Тезисы докладов XX Всесоюзного съезда по спектроскопии, Киев, 1988, ч. 2. с. 42.

32. Petrovsky A.N., Salnick А.О., Zuev V.V. Photothermal beam deflection spectroscopy of doped Si. 6-th international topical meeting on photoacoustic and photothermal phenomena, Baltimore (USA), 1989, p. 228.

33. Petrovsky A.N., Salnick A.O., Zuev V.V., Khirukhin A.D. Some features of high temperature doped Si thermal and electronic properties, 6-th international topical meeting on photoacoustic and photothermal phenomena, Baltimore (USA), 1989, p. 210.

34. Petrovsky A.N., Lapshin K.V., Zuev V.V. and Salnick A.O. Low temperatures Si thermal and electron measurements using the mirage technique. International Workshop on Modern Acoustics, Nanjing, China, 1994, p. 72.

35. A.L. Glazov, K. L. Muratikov. Measurement of thermal parameters of solids by a modified photodeflection method, Opt. Eng. , 1997, Vol. 36 (2), pp. 358 362.

36. Mario Berlotti, G. Liakhou, R. Li Voti, A. Matera, Concita Sibilia, M. Valentino. Optical losses characterization in waveguides through the photodeflection method, Opt. Eng., 1997, Vol. 36 (2), pp. 515 520.

37. A.C.Boccara, D. Fournier, W. Jackson & N.M. Amerr. Sensitive photothermal deflection technique for measuring absorption in optically thin media, Optics Letters, 1980, Vol.5 (9), pp. 377 379.

38. I.Umezu & K. Maeda. Analysis of joule heat in a-Si:H film by photothermal deflection spectroscopy, Jpn. J. Appl. Phys. , 1994, Vol. 33, pp. 5647-5651.

39. R. M. Gilgenbach, C.H. Ching, J.S. Lash & R.A. Lindley. Laser diagnostic experiments on KrF laser ablation plasma-plume dynamics relevant to manufacturing applications, Phys. Plasma, 1994, Vol. 1 (5), pp. 1619- 1625.

40. B. Bohnert, W. Faubel & H. J. Ache. Remote photothermal deflection spectroscopy for trace analysis of pesticides in aqueous solutions, Photoacoustic and photothermal phenomena III, Springer Series in Optical Sciences, 1992, Vol. 69, pp. 46 49.

41. A. Sanches-Lavega & A. Salazar. Photothermal measurements near a 90° edge. I. Mirage deflection by a free edge, J. Appl. Phys. , 1993, Vol. 74 (1), pp.536-547.

42. М. Reichling, J. Siegel, Е. Matthias, Н. Lauth, Е. Hacker. Photoacoustic studies of laser damage in oxide thin films, Thin Solid Films, 1994, Vol. 253, pp. 333-338.

43. К. Friedrich, К. Haupt, U. Seidel & H.G. Walther. Definition resolution, and contract in photohermal imaging, J. Appl. Phys., 1992, Vol. 72 (8), pp.3759-3764.

44. T.R. Anthony, W.F. Banholzer, J. F. Fleischer, L. Wei, P.K. Kuo, R.L. Thomas & R.W. Pryor. Thermal diffusivity of isotropically enriched 12C diamond, Phys. Review B, 1990, Vol.42 (2), pp. 1104-1111.

45. A.Petrovsky, A. Salnick, D. Mukhin & B. Spitsyn. Thermal conductivity measurements of synthetic diamond films using the photothermal beam deflection technique. Mat. Scien. & Eng., 1992, B11, pp. 353-354.

46. Augusto Garcia-Valenzuela, Rufino Diaz-Uribe. Approach to improve the angle sensitivity and resolution of the optical beam deflection method using a passive interferometer and a Ronchi grating, Opt. Eng., 1997, Vol. 36 (6), pp. 1770-1778.

47. Joan F. Power, M.A. Schweitzer Diffraction theory of the impulse mirage effect, Opt. Eng., 1997, Vol. 36 (2), pp. 521-534.

48. Глазов A. JI., Муратиков К. Л. О фотодефлекционном и интерферометрическом методах регистрации сигнала в термоволновой микроскопии и спектроскопии, Письма в ЖТФ, 1990, том 16 (18), сс. 81-87.

49. Skumanich A.,Fournier D., Boccara A.C., Amer N.M. In situ investigation of transport in semiconductors: A contactless approach, J. Appl. Phys. Lett., 1985, Vol. 47 (4), pp. 402 404.

50. A. Mandelis, Absolute optical absorption coefficient measurements using transverse photothermal deflection spectroscopy, J. Appl. Phys., 1983, Vol. 54, pp. 3404 3409.

51. Мехтиев M.M., Зуев В.В., Петровский А.Н. Влияние немонотонного распределения температуры на форму и величину сигнала в методеимпульсной фотодефлекционной спектроскопии, М., Препринт МИФИ № 014 96, 1996.

52. Pelzl J., Fournier D., Boccara A.C. Time and spatially resolved investigation of transport in semiconductors by the mirage effect, Photoacoustic and Photothermal Phenomena, Springer Series in Optical Science, 1987, vol. 58, pp. 241-244.

53. N. Moore, J.D. Spear, J.B. Benziger and B.S. Royce. 4 -th international top. meeting on photoacoustic and photothermal phenomena Digest,, Quebes, 1985, 8.1.

54. Y. K. Kuo and M. J. Skove, D. T. Verebelyi, H. Li, R. Mackay and S.-J. Hwu, M. - H. Whangbo, J. W. Brill. Unusual physical properties of KCu7xS4 at diffusive one - dimensional ordering transitions, Physical Review, B, 1998, Vol. 57 (6), pp. 3315-3325.

55. A. Martinez, L. A. Zenteno, J. С. K. Kuo. Optical and spectroscopic characterization of Nd doped aluminosilicate fiber performs made by the MCVD method using chelate delivery, Apply Phys. B, 1998, Vol. 67 (1), pp. 17-21.

56. Лапшин K.B., Петровский A.H., Сальник A.O. Применение метода фотодефлекционной спектроскопии для измерения температуропроводности кремния при низких температурах. М., Письма в ЖТФ, 1993, том 9 (1), сс. 24-28.

57. Петровский А.Н., Лапшин К.В., Зуев В.В. Измерение тепловых и электронных параметров полупроводников методом "мираж" эффект с импульсным возбуждением и раздвоением пробного луча. М., Письма в ЖТФ, 1998, том 24 (17), сс. 63-67.

58. Петровский А.Н., Лапшин К.В., Зуев В.В. Измерение тепловых и электронных параметров полупроводников методом "мираж" эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча. М., Научная сессия МИФИ-99, том 3, сс. 170-171.

59. Петровский A.H., Лапшин K.B., Зуев В.В. Явление раздвоения пробного луча на малых глубинах зондирования образца в импульсном фотодефлекционном методе, М., Научная сессия МИФИ-2000, том 4, сс. 146-147.

60. Акустические кристаллы. Справочник под ред. Шаскольского М.П. М., ГИФМЛ, 1982.

61. Шалимова К.В. Физика полупроводников: Учебник для вузов. М., Энергоатомиздат, 1985.

62. Теплопроводность твердых тел. Справочник под ред. Охотина А.С. М., Энергоиздат, 1984.

63. В.В. Светозаров. Основы статистической обработки результатов измерений, М., МИФИ, 1983.

64. Шенк X. Теория инженерного эксперимента, М., Мир, 1972.

65. Смит Р. Полупроводники, М., Мир, 1982.

66. Sze, S.M., "Physics of Semiconductor Devices". Wiley Interscience Publ., J. Wiley & Sons, USA, 1981.

67. Дьяконов В.П. Справочник по микрокалькуляторам, М., Наука, ГИФМЛ, 1986.

68. Ахматов С. А., Никитин С. Ю. Физическая оптика, М., Изд. МГУ, 1998.

69. Yablonovich Е., Allary D. L., Chang С. С., Gmiher Т., Bright Т. В. Unusually low surface recombination velocity of silicon and germanium surface, Phys. Rev. Lett., 1986, Vol. 57 (2), pp. 240-252.

70. Звелто О. Принципы лазеров. М., Мир, 1990.

71. Мухин Д.О. Дипломная работа, М., МИФИ, 1990.

72. Joan F. Power and Andreas Mandelis. Frequency modulated impulse response photothermal detection through optical reflectance. 2: Experimental, Applied Optics, 1988, Vol. 27 (16), pp. 3408 - 3417.

73. Физическая энциклопедия. Гл. ред. Прохоров А. М. М., Сов. энцикл., 1988, том 1.