Нерiвнеоважнi процессы в кремнии и германии при импульсном электронном опромiнюваннi тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Р Г Б ОД

• г ■ " V "

НАЦИОНАЛЬНА АКАДЕМ!Я НАУК УКРА1НИ 1НСТИТУТ Ф13ИКИ

На правах рукопису

КРАИЧИНСЬКШ АНАТОЛ1Й МИКОЛАИОВИЧ

ЕР1ВНОВАЖН1 ПРОЦЕСИ В КРЕМШ1 1 ГЕРМАН! 1 т 1МПУЛЬСНОМУ ЕЛЕКТРОННОМУ ОПРОМ1НЮВАНШ

( 01.04.07 - ф!зика твердого т!ла )

АВТОРЕФЕРАТ дисертацИ на здобуття наукового ступеня доктора ф!зико - математичних наук

1{и1в - 1994

Робота виконана в 1нститут1 ф!зики АН Укра1ни

0ф1ц1йн1 опоненти: доктор ф!зико - математичних наук,

професор Баранський ПЛ.: доктор ф!зико - математичних наук, професор Третяк О.В.; доктор ф!зико - математичних наук Данильченко Б.О.

Пров!дна орган1зац1я - !нститут ядерних досл1даень

АН Укра!ни

Автореферат роз (слано У/ - ¿О 1994 р.

в /3 годин на зас1данн! Спвц1ал!зовано1 Вчено! Ради О 016.04.01 при 1нститут1 ф1зики АН Укра!ни ( 252650, МСП, Ки1в - 22, пр. Науки, 46 )

1з дисертаЩею мохна ознайомитись в б!бл1отец1 1нституту ф!зики АН Укра1ни

Вчений секретар Спещал1эовано1 Ради

Захист дисертацП в!дбудеться

кандидат ф1з. - мат. наук

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Акту альт сть теми. Застосування нап!впров!дникових

прилад!в в полях !он!зуючого випром!нювання та упровадкення

метод!в рад1ац!йно! ф1зики в технологт виробшщтва

нап1впров1дникових прилад1в та ЮТегральних схем т1сно

пов'язан! з доелIдзкеннями механ!зм1в утворення та стаб!льност1

рэд1ац!йних дефект1в в нап!впров1дникових криствлах. В якост!

дефектоутворюючого 1он!зуючого випром!нювання використовуються

гама-кванти, прискорен1 електрони, а-частки, 1они,

випром!нювання в реактор!. Найб 1льи шИдним з точки зору

вивчення ф1зики процес!в утворення та в1даалу рад1ац1йних

дефект!в е опром!нввакня кристал!в прискореними електронами не

дуке високих енерг!й, коли наЯпрост!а! рад!ац!йн! дефекта -

пари Френкеля утворюються в пом!тн!й к1лькост! за зручний чао

опром!нювання, а для утворення розупорядаованих областей

енврг!я g малою. Це енергИ електрон1в в!д ~ 0,5 МеВ до

декиькох МеВ. Сиди . можна в!днести 1 опром1нввакня fif)

гака-квантами Со ( серэдая енерПя комптоновських электрон 1в ~ 0,7 МеВ ), аде електронне опром!нювання б1льш зручне в використанп1, дозволяе вживати простioy кр!огеняу апаратуру, а в деяких випадках ! проводит вкм!рюваняя характеристик кристал!в при опром!нюванн1. Введения т1льки найпрост!ших рад!ац!йних дефект!в мохе дозволити проел1дкувнти !х подальшу долю: м!грац!ю, взаемод!ю з атомами домIшок, утворення 1 зникиення вторинних рвд!вц1йних дефект!в, тобто, комплекс!в ваканс1й або м!жвузловкх атом 1 в з атомами домЮюк,

трансформации одних точкових дефект!в в 1нш!.

В цъому напрямку - ыгечвнн 1 процес I в утЕорешш та трансформацП точкових рад!ац1Шшх дофокт!в - страшно ьелику к!льк!сть ексиеримеиталышх 1 теорьтичних результат 1ь, аначна частина яких опрацьоваиа та опуСл1кована в монограф1ях.

Зокрвма, досл1джено ироцоси взаемоди високоенвргеткчцих електрон1в з кристалами, знайдоно основа! типи рад1ац!йШ1Х дефект 1в в кремл 1! та деяких 1нших ьыПвпровЩшках, електроян1 р1вн! цих дефект!в в заборонен!й зон1 пристала, встаноакено температуры! д1апазо1ш 1снування основш1х хшрвиштх та вторишшх дефект 1в, побудоваш теор!! кШетичних реакцШ взаемоди первшшях дефект 1в з атомами доы1шох та м1ж собою, встановлено параметра терм!чного в1дгшлу осноишх дефект1в, вквчоно вплив багатьох тип!в дефект1в на Ф1зичн1 характеристики кристал!в.

В той ке час, двяк! принципов 1 моменти Сули недостатньо вивчен 1 1 проанап1зован! або лишилися поза увагою досл!дник1в. Кр1и того, з розватком досл!даень 1 накопиченням !х результата з* явились нов« питания, для в1дпов1д! иа як! потрЮШ Сули зусилля 1 час. Сюда мокна в1днести проблему м1грац!1 первкнних рад1ац!йнмх дефект!в - вакапсШ та м1каузлових атом!в, осоОливо остшдпх, як1 характеризуются надзвичайною рухжлIстю нав!ть при температур! р!дкого гел!ю; залежнЮть процес!в утворения дэфокт1в в!д уков при опром1нюванн! ( температура зразюв, 1нтенсивн1сть опромпшвашш ); вплив 1он!зац!1 кристала на ста01льн1сть рад)ац!йних дефект1в та взасмод!ю н8р1вноБакпих носИв заряду 1 рад1ацШшх дефект 1 в та !шю.

Бажання отримати в!дпов!д1 на ц! та деяк! (пш1 проблемнI питания ябо хоча б наблизитися до розум1ння сут! процес1в I визначило мету роботи. Зокрема, проведения системвтичних досл1дкень процес1в утвореиня рад1ац!йних дефект!в в широкому температурному д!апазон1 - в(д температури р!дкого гел!и до к1мнати при опром1нюванн1 електронними потоками р!зних 1нтенсивност<эй - в1д 5*1013 до 1.5*1018 ол./см2с дозволило б створити базу вкспорименталышх двних I на II основ! побудувати модел! процес1в. Кр1м того, при проведешП досл!дкень необх1дао врахувати, що опром1нювання нап1виров1д1шк1в приводить як до утворекня дефэкт!в кристально! гратки, так 1 до збудження электронно! та фононно! п!дсистем кристала. Використання при цьому 1мпульсного опром!нювання дозволяв розд!дити в чао1 процвся, як1 пов'язан! з! збудженням кристала, та процеси ралаксацИ

збудкень, а в деяких випадках розд!лити такоя процеси

ервинного

даЗяктоутворения { взаемод1я прискореких елэктрои1в з атомами кристал1чно! гратки та утворения пар Аренкеля, ) I вторинного С м1грац1я вакансШ та м1квузлових атом!в I взаемод!я 1х з атомами дом1шок ). Тобто,' проввдання доел! день при 1мпульсному опром1нвванн! в принцип! дозволяв отримати м!грац1йн) параметри вакансШ та м1жвузлових атом!в в умовах збудаених елвктронно! та фононно! п!дсистем кристала.

Найкращв для досл1дження утворення та трансформацП дефект!в вибрати найб1лып вивчен1 нап!впров!дкики - гермая!й та кремнШ, для яких 1снув достатньо дов!дково! л1таратури i д"я яких чожпив! типи рад1-эц1Йних дефектгв е я 1домим'.г. ■ При цьому дефект и досгнджент лише в кремн 11, так ' що

можна говорити лише про кремнШ, тому що в герман 11 природа дефект!в над!йно не встановлена.

НАУКОВА НОВИЗНА РОБОТИ.

1. Розроблено метод визначення часу життя вакансШ та м!жвузлових атом! в 1з вим!рювання рекомб1нац!йних характеристик кристал!в при опром1ншанн1 и поодинокими 1мпульсами прискороних електрон1в. При цьому встановлено, що коефЩ1енти дифузП ваканЫЙ та м!жвузлових атом!в при к!мнатн18 температур! а умовах высокого р!вня 1он1зац)1 кристал!в кремн!» не мена! в)д Ю-6 см^/с.

2. Вперше отримано експериментальн1 залежност! ефективностей утворення дефект! в в кремни та герман и при температур! р!дкого азоту та к!мнатн!й для випадку опром1нювання зразк1в електромами високих енерПй в широкому д!апазон! 1нтенсивностов опром1шовання. Встановлено, що при зсмльоенн) 1нтенсивност! опром1нювання ефективнЮть утворення дефект!в спочатку спадав, а пот 1м зростае. При цьому перепад ефективностей мохе досягати двох порядк!в.

3. Вперше отримано експериментальну залежнЮть ефективност! утворення дефект!в в!д температури зразк!в при електронному опром!июванн1 в широкому д1апазон| температур ( 10-300К ). Встановлено, цо ефективн1сть е немонотонною функц!ею температури з максимумом в п-Б1 при 60К I м!н1мумом в п- 1 р-Б1 при ~ 120К. Встановлено також, що для всього температурного д!апазону мае м1сце р!вн!сть концентрац!й дефект1в ваканс(Иного та м1жвузлового тип!в.

4. Вперше показано, цо в д!апазон1 10-300К м1жвузлов1

-Г. -

а томи кремн!ю взаемоДЮТь э атомами домЮюк заведи в зарядовому с,тан> "+".

5. Запропонована модель наддалеко! м!грац11 власних мшвузлових атомIв в кремнП при низьК1й температур!. Показано, що при гальмуванн! в кристал1чн!й гратц! "гарячих" атом!в мокливий перех)д 1х в солСгонний стан, в якому вони рухаються до моменту розс!юваиня на атомах дом(шок.

6. Запропонована методика визначення ФуккцИ розпод1лу генетичних ( утворених !з одного вузла гратки ) пар «рвнкеля по в!дстанях м!к вакансию та м1жвузловим атомом I отримано И анэл1тичний вид.

7. Побудована термодинам!чна теор!я прискорення в1дпалу рад!ац!йних дефект! в в нап!впров1дниках п!д вшшвом зовн1шнього !он!зуючого в1тром!шовання.

8. Розроблена теор!я захошганкл дефект!в фононним потоком, який спричинений град1ентом температуря в нап!впро-в|дниках.

ПОЛОЖЕНИЯ, ЯК1 ВИНОСЯТЬСЯ НА ЗАХИСТ.

1. Запропонований та апробоваиий метод визяачвяня часу життя вэканс1й та м!жвузлових атом!в 1з к1нетики нер(вноважно1 пров!дност1 нап1вггров!дник1в при опром!шэванн1 Гх пооданокими 1мпульсами електрон1в високих енерг!й. Визначен1 з допомогою методу м!н!мальн! воличини коеф1ц1ент1в дафузП ваканс!й та м 1 жвузлових атом!в при к>мнатн!й температур! в умовах високого р!вня !он!зацИ кристала.

2. Експериментвльна залежи 1сть ефективност! утворення

дефект1в в п-Се 1 п-81 в!д Штенсивност! елоктрошюго

то (О О

опром!нювання в д!апазон 1 5»10 - I ,Ь*10 ел./см с при температурI р1дкого азоту та к1мнатн!й, де встановлено, що при зб1лыаенн1 Штенсивност 1 опром!нювання ефективнють утворешя дефакт1в спочатку зменшуеться, а иот1м з01льшуеться. При цъому перепад ефективностей в п-Се при температур1 р)дкого азоту досягае двох порядк!в.

3. Експериментальна залекн1сть ефективност! утворешя дефект1в в!д температура в д1апазон1 Ю-ЗСХЖ. яка е немонотонно» функц!ею температури з максимумом в п-Б1 при 60К 1 з м 1н Шумом в п- 1 р-Б1 при ~ 120К.

4. Експериментально {¡становлений факт температурного з01гу максимуму ефоктивност! утворешя дефект!в в 1 максимального часу запинания нерШювазкних носив заряду.

5. Експериментально встановлэна р!вн1сть концентрац!й дефекИв ваканс!йного та м!жвузлового тип1в для всього досл|джуваного температурного д1апазону.

е.. Ккспериментально вствновлоний факт, що м1жвузловкй атом.кромнио взаемод1е з атомами домШок в д!апазон1 10-300К завади в зарядовому стан1 "+н.

V. Модель наддалзко! мИ-рац! I власних м1жвузлових атом 1в в кремаII при низьк!й температур), яка Оазуеться на тому, що при гальмуванн1 в кристал!чн1й гратц! "горячих" атом!в моклиьий перех1д останн!х в сол 1 тошшй стан.

8. Мзтодака визначення функцП розпод!лу генетичнях нар Френкеля по Ыдстанях м!» ваканс1ею та м!жвузловим атомом I знайдений анал 1 тичиий вид ц!е! функцН

- а -

*(гут) = -§~ ехр(- ),

41 0

дэ В I г0 - стал!.

9. Термодинам1чна теор1я прнскорення в!дпалу рад!ац!йних дефект 1н в пап!впров1дниках п!д вшивом зоиЛшнього 1ои1зуючого випром1нювання.

10. Теор)я захоплення дефокПв фононнкм потоком, яккй спричинений град!ентом температуря в нап1впров!данках.

Достов1рн1сть результата. наведегаа в дасвртац11, забезпечусться !х в!дтворюван!стп I п!дтвврд«уеться в ряд! випадк!в отршанням подЮтос експврхментальних результатов в роботах !ншях автор (в та визнанням ниш запропонованих I розроблених нами моделей процео!в дефехтоутворения.

Нзукоаа тз практична ц!нн!сть робота полягав в тему, що ряд експериментальних та теоретичних результат1в отримано вперше 1 вони можуть бути використан!, при подальших досл1дженнях процес!в утворення та в!дггалу дефект!в 1 вшпгау на переб!г цих процес!в зовн1шн!м эбудженняы електронно! та фононноI п!дсистем кристал!чних нал!впров1дник!в, а також при розробц1 метод1в керування властивостями нап!впров1дник1в 1 прилад!в на 1х основ!.

Так, результата, наведен! в розд!л! I, дозволяють б!льи коректно отримувати рокомб1нац1йн! параметр« 1 бэзпосередньо в ггроцес! опром1нювання.

Запропонований метод визначення часу хиття вакансШ та м!хьузлових атом!в (розд1л 2 ) моке дозволити розкрити природу надзвичайно! рухливостI ваканс!й та м!жвузлових атом!в при ЮШзуючому опром1шоваш11 нап1ьпров!даик1в, модель сол1тонного стану м1хвузлових атом!в - по новому глянути на природу дифузИ атом i в в кристалах.

Результата !з залехност! ефективностI утворення дефект!в в!д 1нтенсивност! опром!нювання та температуры зразк!в при опромпшванн! ( розд!ли 3 14) дозволили в!дмовитись в!д моде л! неконтрольовшшх сток! в для ваканс!й та м!хвузлових атом1в. Запропонована х модель ефективност! дефектоутворения, яка основана на анал!з1 процес!в ан1г!ляц!1 та дисоЩацИ пар Френкеля, поясни» ун!кальн! експерименти по опромПшванню крешпю в електронному м1кроскоп! при температур!, вищ!й IÛQOK, а тако* мохе дозволити прогнозувати эм!ну властивостей нал!впров|дш1К1в в залежност! в!д умов опром1шовання ( енерг1я частой, !нтенсиэн1сть, температура ) та властивостей матер!ал!в ( тип ! концентрац!я легуючих дом!шок ).

Захоплення атом1в фононним потоком при наявмост! град1ента температури { розд!л 6 ) мохе бути викорастане для анал!зу багатьох експериментальних результат(в ! технолог!чних процес|в, в яких мае м!сце збудження фононног Шдсистеми неметалевих кристал!в ( !онна 1мшюнтац!я, в!дпал аморфних шар1в, вирощування кристал!в та 1нше ).

АпроОащя робота. Матер1ели дисертацИ допов!дались на Шхнародша конференщях : Damage and defects ln eemlconductors, London (1973), Energy puise modification

semiconductors and relative materials, Drezden (1984), КонфереиЩя s рад1ац!йного матер 1алоэнавства, Алунта (1990), Всесоюзних конференц!ях з питань рад1ац1йша дефект!в в неметалевих кристалах: М1нськ (1972), Ки!в (1974), Севастополь (1976), Баку (1980), Звенигород <1981), Харк1в (1982), Ташкент (1984), 1-й М1яроспубл)канськ1й конференцН республ!к Середнъо! АэП та Казахстану, Самарканд (1991), 1-Я НацГонаяыПй конференцП "Дефекта в нал 1 впров 1 днихах", Санкт-Петербург (1992), на б1льшост1 вор1чних робочих сем1нар!в в Новосиб1рську (1974-1992) та в Киев! (1975-1992).

Авторськ! ориПнальн! результата, як! буди викорастанI при написанн1 дисертоцИ, пови!ств м!стяться в 24 публ1кац1ях, список яких наведено в к!нц1 автореферату.

Структура 1 об» ем робота.ДксертацIя складаеться 1з вступу, вести розд!л1в, еисновк!в I списку л!тератури. Бона викладена на 182 стор!иках машинописного тексту, до якого включено 35 малшк!в, б1б<л1ограф!я 1з 165 наймзновань.

КОРОТКИМ SM1CT РОБОТИ

Вступ включав загалъну характеристику робота, обгрунтування актуальностI теми, визиачення головно! задач1 та ц!лей досл1джвння, сформулювання положень,. як1 внносяться на захист, коротко описана структура робота.

Розд1л I. Нер!вноважн1 нос И заряду при опром1нюванн( кристал!в потужними електронниш (мпульсами.

Наведен! досл!дження особливостей к!нетики нер1вноважних

нос Ив заряду в n-Sl, збуджених потуюшми поодилокими 1мпульсами електроШв ( еиорПя електрон!в 2 МеВ, довжина 1мнульс>в 3,7 мкс, амшПтуда 1мпульс!в < 7*Ю18ел./см2с). Зразки n-Sl а концентрацию р!вноваиних елвктрон1в при к1мыатн'1й температур! ~ Ю14 см"3 1 товщиною I мм використовувались в якост1 Оази дифуз!йного р-п - переходу. До такого переходу п1д час опром!нювання Сула прикладена обернена напруга. Вим!рювалась зм!нна частина напруги, яка вид!лялась на навантакувальному опор!, включеному поел!давно з! зризком. Крив! спаду нер1вновахно! иров|дност1 показують, що при З01дьшв1ш! дози опромИшвшшя зменшуеться часовий Пггорвал Юнуьання додатково! пров!дност! 1 зб1льшуеться кут нахилу прямих InAn = f(t) до ос! часу.Анал!з показуе, що 1з можливих механ!зм!в спаду нер!вноважно1 пров1дност! ( концентрац!! нер1вноважних носМв ) сл!д залишити т1льки рекомб1нац!ю електрон!в ! д!рок в 0<5>ем1 Оази. При цьому маоть ы!сце як л1н!йна рекомб1нац1я, так ! Ожа - рекомО!нац!я. Часова залехш1сть концентрац!I нершюважних носПв заряду An н!сля зак1пч0ння елехтронного !мпульсу описуеться формулою

An. ^-t/a)-т7г_, (1)

[ 1 + 7niAr^[ 1 - ехр(- 2t/a)]]

де йп.51 - концентрац!я електрон1в в баз1 на момент зак1нчення елактронного !мпульсу, а ! 7П- стал! л!н!йно! та Оже -рикомб1нац!й. ЗмШаючи умоьи опром1нювання ( 1нтенсивн!сть ! дозу ) можна отркмуватм або стаиу л!н1йно1 ракомб1нац1I, або стелу Ожа - рексмбШецН для електрон!в, або 1он1зац!йн1 втрати ( через визначення Ai^ ), або ефективнЮть утворення

дефект!в. Так, стала Ока - рвкомб1нвц!1 для елэктроя1в, отримана запропонованим методом, 7П з4*10_32 ск6/с, що не про тар Нить в1домим результатам, як! бу.-я отриман 1 Лшими методами. Таким чином, запропоновано метод вивчення дэкких властивостей нап1впров1днин1в в процес! спрои!кшаиня, який було за: осовано в яаступних досл!дканнях.

Розд1л 2. Нер1вновакн! дефекта.

В § 2.1 подано стислий огляд л1тературних даиих, в якому головну увагу прид1лено характеристикам основних рад1ац!йнкх дефект1в в досл!дауваних матер!алах. Дал! ( § 2.2 ) йда ояис зэггропонованого в робот! методу визначення часу життя первшших рад1ац!йних дефект 1 в з!д мсмвнту зак!нчення электронного !мпульсу до утворения вториннкх рад!ац!йних дефект!в. Суть методу наступив. При опром1ню®шш! за час электронного (мпульсу утворшться як вшс&нсП та м!хвузлов! атоми, так ! вер(вноваш1 шсП. Бакане!! та м!2вузлов! зтомп мояуть рухатась в об'см! кристала ! взаз?лод!яти з атомпмн дсм1иок, утворшчи вторшш1 дефекта. При цьому тзст л1н!Зно! рекомб!нац!1 нэрИжозаигах нос Ив випначкоться як концентрацию, так ! ткпем утзорювашх Д5фэк?!в. Летел!э кривих спаду пер!внсв8кно1 концентрацИ носИв ко>::э вказати час, коли утзорэння вторинних дефект 1в в«:е зак!кчано. Методично эксперимент проводгшея так : спочатну зразск опроаШшзався одним !мпульсом пор!вняно иевэлшко! сшШтудп, так щоб умова високого р!вкя 1он1з8ц!1 кристала виконувэлась { Дп, Ар » п0,р0 ), але щоб доза опром !нювання за час д!! одного ! нав!ть десятка Иотульс!в булз незначною, тобто, щоб мезкна було говорим про сталу л!н!йко! рекомб!нзцП для вих!дяого зргззка

( тест - 1мпульс ); пот!м йшов дефектоутворюючий 1мпульс на порядки б1льшо! аыпл1туди; наступним знову був тест - (мпульс. Використовувалисъ зразки n-Sl двох тип!в з концентрац)ею фосфору ~ 1Q14 см-3, вуглецю ~ 1016см~3 I кисшо 8»1017 см-3 та ~ 1016 см"3. Такий виб1р зразк!в дозволяв керувати спектром основних рекомб!нац1Яиих дефект 1в, утворюваних при опром1нюваин1. В першому випадку ( збагачен1 киснем кристали ) це буди А-центри ( ваканс1я + атом кисшо ), в другому -А-центри та дефекта CjC8 ( утворенI за схемою : Si^ + С0 ■»CjiC^+Cg ^ CjC8 ). Пор1вняльний анал1з кривих спаду нвр1вноважно! пров!дност1 показав, що вторшш1 рад!ац1йн! дефекта, як вакансШного, так 1 мИшузлового тип!в при «1мнатн!й температур! утворюються за час, що не (Ильший 20 мкс п!сля зак!нчення електронного (мпульсу. За цей часовий (нтервал концентрац!я нер1вноважних носив заливалась високою в пор!внянн! з р|вноважною. Тобто, рух вакансШ та м1квузлових атом!в Ыдбувався в умовах високого р1вня ЮШзацИ кристала. При в!дом1й концентрац!J атом1в доы!шки, яка захоплюе ваканс11 або мишузлов! а томи, можна оц!нити нижню межу коеф|ц!ент1в дифузи первинних дефект 1в в цих умовах. Виявилось, що Dy, D^ 2 10~6см?/с. Це на порядки б!льше, н!ж дуло в!домо дня р!висважних по електрош! й Шдсистем] умов ( С.Н.Срщов, 1977 р. ).

В § 2.5 наведено результата доопдкень одного (з найзагадков!ших ефект!в рад!ац!йно! ф!зики - наддалеко! М1грац11 власних м1жвузлових атом 1 в в кремни при температур! р|дкого гел1ю. Коротко описан! приклада основних моделей цього ефекту. Це звичайний активований рух, але ч- .¡усь з аномально

- М -

малою енерИею активац! Г руху ( Л.С.Смирнов, 1977 р. ), рух гантельно! конф!гурац!1, коли дза атоми креки1ю знаходяться в одному вузл1 гратки ( А.В.Герасимов, 1979 р. ), велетенське рад|ац1йне прискорення квантово! дафузП ( М.1.Кл1нгар, 1977 р. ), 1он1зац1йний механ1зм м1грац|1, який грунтуеться на 1нверс!1 потенц 1ального рельефу при зм!н! зарядового стану м1жвузлового атома ( Б.Л.Оксенгендлер, 1971 p., J.C.Bourgoln, J.W.Corbett, 1972 p. ), квазIмолокулярнз модель м!грац11 атома, вбудованого в ланцикок вузяових атом!в гратки ( В.Л.В!нецышй, Л.П.Годенко, 1986 р. ). Шдставою для вс1х вищеназваних моделей було припуцвння, цо атом вха знаходиться в теплов!й р1вноваз1 з кристал1чною граткою в досить глибок1й потенц1альн1й ям], 1 тому потр!бно було т!льки знайти причини його надзвичайних м>грац1йних властивостей в цьому став!.

В1домо, що атом, вибитий !з вузла крпстал!чяо1 гратки,

М8в к!нетичну енергШ, яка значно перевщув тешюву. Нами

зроблено 8нал1з переходу м!хвузлового атома, що охолодхуаться,

в стан з в!д'емноп потенц!альною енерПею. Показано, що ягацо

мае м1сце HeplBHlcTb

d . 1 [И 11/2

1Г < ТТ 1-Я—J » 12 >

де d - в!дстань м1ж найблихчимн м!жвузловими тазгц!ями, R -

рад1ус пружного включения, в центр! якого знаходиться

м1жвузловий атом масои М, С - евидк!сть звуку, тоОто, якщо

8том проходить в)деталь d швидиа, His завершиться процес

формування потенц!ально! ями, то рух м1жвуадового атома мохе

бути описаний нел1н1йним р!внянням Щред!нгера. В одном!рному

наближе!ш! його розв'язком буде сол1тон. В сол1 тонному стан!

атом мохе рухатись без втрат енергП до розс!юваняя на атомах

Д0Ы1ШШ.

Розд1л 3. ЗалекнЮть ефективност! у творения рад1ац!Йних дефект!в в1д штенсивност! електронного опроШнювання.

При температур! р1дкого азоту 1 к!мнатн1й вим!рювалась ефективнють у творения компенсуючих або рексм01нац!йних дефект!в, тобто, концентраШя дефект1в, утворених одним високоенергетичним електроном, в п-Б1 1 п-Се в широкому д1шазон1 емпл!туд електронних 1мпульс1в - в!д 6*1013 до 1,5*1018ел./смгс. Встановлено, що з! зб!льшенням Штенсивност! опроыШетання ефективн!сть утворвння дефект!в спочатку спадав, а пот 1м зростав. При цьому перепад ефективностей моха досягати двох порядк1в. Наприклад, в п-Се ( 87К ) при зб!лывенн1 1нтенсивност1 в!д 1,1*!015 до 4,1*1017ел./см^с ефективн1сть утворення дефект1в зростае в!д 0,013 до 1.3 см"1.

Запропоновано модель утворення дефект!в. В умовах оксперкненту ф1кеуються т!льки вторшш! рад1ац1йн! дефекти, тобто, комплекса вакансШ або м1жвузловшс атом!в з атомами дом Шок. ЗроОлано припущэння, яке було Шдтвердкене результатами неступного розд!лу, що ефоктивнЮть утворення дефехт!в виэначазться ймов1рн!стю дисоц1ец1! пар Френкеля. Пари ан(Плакать тод1, коли 1х компонент ( ваканс!я та м!квузловиЗ атам ) знаходяться в протилеишх зарядових станах, а вIдстень м1к компонентами в ывншою за рад1ус захоплення г3, якиё виэначазться 1з р!вност! електростатично! енергИ компонент!в та теплово! енерг!1. При цьому треба

- Г6 -

враховувати мокливЮть екранування взаемод!I компонент!в пар. Френкеля нос1ями заряду. Вперше звернув на це увагу В.М.КошЮн ( 1979 р. ).

При виконанн! ызденазваних умов ефективн!сть утворения дефект 1в мохе бути визначена настушюю формулою

гз ю

= »■[ Я1 - WJ^KDdr + J-^KDdr], (3)

о гз

до ?■. - число пар Френкеля! утворених одним электроном на одшшчн1й доекин 1 floro npoOlry, ИА - ймов1рн!сть знаходнення компонент 1 в пари Френкеля в протилежних зарядових станах, í(r) - функЩя розпод|лу пар Френкеля по в!дстанях Mía вакансию та м1жвузловим атомом. Зм1нюючи г3 зб!льшенням або зменшенням концентратI носПв заряду, мокна змтювати 1 величину вн/дф. Таким чином, 1з результата експеримент!в 1э залехност! ефективност! утворення дефект!в в!д (нтенсивкост! опром1нювання ( м1няеться концентрац!я нер!вноважних носПв заряду ) або концентрацИ легуючо! дом!шки ( м!нявться plBHOBasaia концентрат я нос Ив ) отримуемо можлив1сть анайти Г(г). Д1йсно, якщо знехтувати залекн!стю Ид в1д г3 I взяти пох!дну в!д (3) по г3, отримаемо

-^(-i-) --.4rtAXl|f(P3). (4)

Так! експериментальнI дан1 ( власн1 та з л!тературних дкерел ) були опрацьован1 1 отриыано грвф1ки фунцкц1й í(r) для кремн!» 1 герман1ю. Кр1м того, виявилось, що можна витримати умови оксперименту так!, щоб мати мокливЮть знайти анал 1 тичний вигляд фушсци. Було встановлено, що в д!апазон!

(нтенсивностей опром1нювання поодинокими електронними

17 ТЯ ?

1мпульсами 10 - 10 ел./см с ефективн!сть утворення

дефектIв л!н1йно заложить в1д (нтенсивност! Ле. Якщо в цьому

ж д!апазон1 рад!ус захоплення апроксим'увати функц1ею г3 а а +

Ып(Ап), де Ап ~ <7е, то знаходимо

Нг) = ехр(- -Ц, (5)

де В 1 г0 - стал). Така функц!я, як одна з модельних, Сула використана В.Л.В!нецьким ! I.I.Ясковцем ( 1972 р. ) при о0ч)!"люванн1 швидкост 1 ан1Пляц11 ваканс!й та м!жвузлових

8ТОМ1В.

Розд1л 4. Температурна. залежн!сть ефективност! утворення дефект1в. Наведено експериментальн1 результата 1з температурно! залежност! ефэктивностей утворення дефект!в в кремнМ при електронному ( I МеВ ) опром!нвванн! в д!апазон! 10 - 300К. Встановлено, що ефективнЮть утворення дефект 1 в е немонотонною функц!ею температури з максимумом при 60К в п-Б1 I м!н1мумом при ~ 120К в п- 1 р-ве. Визначен! основн! типи вторинних рад!ац!йних дефект!в, як! утворпоться при опром!нюванн1, та втановлено, що для всього досл!джуваного температурного д1апазону мае м!сце р1вн1сть концентратй вторинних дефект!в ваканс1йного та м!жвузлового тип!в. Це можливо т!льки за умови, якщо 1х ефективн1сть утворення визначавться процесом дасощацП пар Френкеля.

Досл1джено сп1вв1дноаення концентратй дефект1в м!жвузлового типу - атом!в Сору в м!жвузловому стан! та атом!в вуглецю в м!жвузловому стан!.Враховуючи той факт, що для 1х

утворення м!жвузлов! атоми кремнио взаемодИоть з вузловиш атомами бору, як1 знаходяться у в!д'емному зарядовому стан!, ! вузловими атомами вуглецю, як! е нейтральными, показано, що власний м!жвузловий атом в кремнII заводи знаходиться в позитивному зарядовому стан!.

Температурив залехнЮть нер|вноважно! пров!дност1 при 1мпульсному опромПюванн! та залеюПсть ефективност1 утворення дефвкт!в в1д Штенсивност! опром!нювання показують, що процеси аШПляцП та дисоц!ац11 пар Френкеля визначаються станом збудаення електронно! п!дсистеми кристала. При цьому зауважено, що сп1владають температурн! положения максимума ефективност! утворення дефект 1в в п-БГ ( 6Ш ) та максимального затягування нер!вноважно1 пров1дност!, спричинено! ефектом "залипання" нер1вноважних носив заряду.

На основ! модел! ! функц!! розпод!лу пар Френкеля Г (г), описаних в третьому роздШ, отримано формулу для температурю! залежност! ефективност! утворення дефект (в при Т > 120К :

дМ , е1Р(" то/т) 4 ехРИ0/тт)

(6)

1 - ехр(- Т^у де Т0 1 Тш- стал!, як! залежать в1д умов проведения експерименту ( енерпя електрон!в, 1нтенсивн!сть опром1нювання, концентратя легуючо! дом!шки ). Анал!з (6) показу е, що при варИованн! Тт за рахунок енерг1! дефектоутворюючих електрон!вможе виникнути ситуаЩя, коли Тш буде дор!внювати температур! зразк!в Т при опромШюванн!. При цьому аи/вФ простуе до нуля, а результат експерименту може пояснюватись як знаходження порогово1 енерг1! утворення

дефектIв при дан!й температур!. Тому сл1д, мабуть, зробити повторний анал!а експеримент1в по визначению порогово! енерШ утворения рад!ац1йних дефект1в.

Розд1л 5. Взаемод1я иер1вновгшшх иосИв заряду 1 вторинних рад1ац!йних дефект!в.

Наведено результата досл!даень процесу в1дпалу дефект!в в герман!!, опромшеному електронами ( I МеВ ), в д!апазон! температур 85 - ЗБОК. Використовувалясь зразки п-Се, легованого сурмою ( вих!дн1 концентрацИ р!вноважних електрон!в ~ 1012, 1014 1 1,б*1015 см-3 ), та р-Ое з концентрац1ею гал1ю 4,4«1014 см-3, ОпромШювання зразк1в 1 виьЧрювання ефекту Гола проводилось в азотному кр1остат(. При

1 (л

велик1Й доз! опром!нюва1Шя ( 2,25*10 вл./см ) пров!дн!сть п-йе була кошенсована, так що оп1р зразк!в при температур! проведения вим|р!в ( 85К ) став значно б!льший, н!н максимально моюшвий для вим1р»ва!шя використовуваним диферекщальнш методом на змитому струм1. Одаак, п 1 сля короткочасно1 ( ~ 2 хвилин ) 1он1зац11 кристала електронами допорогово! енергП ( 0,25 МеВ ) з'являлась незначиа пров!дн!сть р-типу. Ця нер!вноважна пров!дн1сть при 85К трималась протягом багатьох годин.

В р-Се концентрешя р!вноважних д1рок п!сля опром1нювання не набагато в!др!знялась в'1д II ешПдного значеиня, так що снладалось вражэння, що ефективн ] сть у творения рад!ац)йша дефект1в в р-Се набагато менша, н!к в п-Ое.

1зохроннкй в!дпад дефект 1в проводився в даох режимах : темновий 1 з одночасним опромЬюоашяы зразк1в допороговими електронами. При в1дяал1 аразк1в р-Се до Т и 1Б0К концоитрац1я

носив заряду р1зко зменшилась, що св!дчить про введения опром1нюванням значноТ концентрацИ дефект!в. Оц1нка показус, що ефективност! утворення дефект!в в р- 1 n-Ge приСлизно однаков!.

Г1ор1вняння кривих в|дпалу темнового 1 в умовах !он!зацИ дозволило встановнти, що при темновому В1дпал! в д!апазон! температур 160 - 200К, а в умовах 1он!зац11 в д1апазон1 100 -Ioùit Ыдналюються влаен! дефекта кристал 1чно1 гратки. Це випливае з того, що назван! стад11 в!дпалу однаков! як в кристалах n-Ge з р!зними концентрац!ями легуючо! дом!шки, так ! в р-Се. Вс) 1нш! стадл в1дпалу можна лише характеризувати як утворення ! трансформащя вторинних рад!ац1йних дефект 1в. Кр1м того, в найб!лъш легованих кристалах n-Ge мае м!сце повернешя до електронно! пров!дност! п!сля в1дпалу при Т > ЗООК.

Досл1джено ефект залишково! фотопров1дност!, який мае м!сце в д!апазон! 100 - 270К як в компенсованих опромШвванням зразках n-Ge, так ! в опромЖених зразквх p-Ge. Ын полягае в тому, що п!сля темпового в1дпалу зразк!в 1х пров!дн!сть зменшуеться, а внасл!док опромШювання при- 85К допороговими електронами ( або св1тлом з енерПею, яка б!льша в!д ширини заборонено! зони кристала ) пров1дн1сть н!двищуеться. Максимолышй перепад концентрацИ нос Ив заряду в p-Ge зростае з1 зб1льшенням дози опром!нювання. В д!апазон! 100 - I50K процеси зменшення концентрацИ д!рок внасл!док темпового в!дпалу та повернення 11 до вих1дного значения мокна повторювати Оагаторазово. Теиер в!домо, що такий ефект моке мати мюце при наявност! б1стаб!льних дефект!в, для яких

- ?! -

перех1д м1ж р|зними конф!гурац|ями утруднений енергетичним бартером.

Загалышй ефект, який найб1льш ч!тко ггроявляеться для

стади темпового в!дпалу 160 - 200К, це прискороння в!дпалу в

умовах !он Iзац11 кристала. Розглянута термодинам1ка такого

прискорення в1дпалу. Показано, що зниження або п!двищоння

температурн в!дпалу дефект!в при 1он1зацП кристала Т1 в

т

пор!вня1ш1 з температурою темнового в!дпалу Т молша записати наступною формулою :

Т1 _ , , ^е an

СП

ТТ - ' ' ц0 -ТЩ

де це 1 - х1мпотенц!али носПв заряду I дефект 1 в, дп/дЩ-прир|ст концентрец!I носПв заряду при в1дпал! одного дефекту. Знак пох1дно! визначае напрямок температурного зсуву в!дпалу.

В § 5.3 наведено результата вивчення рекомб1нац1йншс властивостей б1стаб1льного дефекту С^С8 в умовах опром!нювання зразк1в п-Б1 поодинокими 1мпульсами електрон!в ( енерПя 3 МеВ, довжина 1мпульс1в 3.7 мкс ) велико! ампл1туди. Показано, що при амшПтуд! електронних 1мпульс!в < Ю*5 ел./см2с дефект знаходиться в одн!й конф1гурац11 1 не впливае на темп рекомб1нацМ носив заряду, а при ампл1туд! 1мпульс1в, б!льш!й в!д Ю16 ел./см2с, - дефект знаходиться в 1нш1й конф1гурацП ( акцепторний р!вень Бс-0,17 еВ ) 1 в ефективним рекомб!нац1йним центром.

Розд!л 6. Град1ент температури при опром1нюванн1 зразк!в та його вплив на дифуз!ю дефект1в. Анал1з розпод!лу температури в зразках при 1х

опром!нюванн1 показуе, що, коли електронний пот(к падав по

- ?? -

нормал! до широко! гран! зразка, вздовк тоыцшш зразка виникав твмпвратурний град!ент, сервдня величина якого

<_с1х"> " " ~2Т » (В>

де 1К - енерг)я, яка поглинаеться в одиниц1 об»ему зразка за

одиницю часу, й - нап!втовщина зразка, \ - теплопров1дн!сть

кристала. При цьому виникав пот1к нер!вноважних фонон)в В1д

центру до широких граней, який може захоплшати атоми дом 1 шок

або 1нш! дефекта кристал1чно! гратки. В наближенн1 незначного

в!дхилення функцН розпод!лу фонон!в по частот! ( хвильовому

вектору ) в!д р!вноважно1, так що можна скористатись

планк!вським р!вноважним розпод!лом, та (зотропност! спектру

фонон1в, а також в наближенн! часу релаксацК для р|зних

механ!зм!в розЫювання фонон!в при температур!, яка не нижча

температури Дебая, отримуемо, що пот!к дефект!в, захоплених

фоноиним потоком, дор!внюз

с с!Т з о Ли,и/кТ „8 рх 1 = - СМ -д:- 2 У-Л* г ^ —р— йх,

и я •> о (ех - 1Г

де С - стала, яка заложить в!д багатьох параметр!в кристала ! дефвкт1в, д - коеф!Щеит дифуэП дефекту, 1 у^-

дебатвська частота дисперс1йно! г!лки 3 та групова ивидк!сть фонон!в вздовж напрямку 1х руху, а - число дисиерс1й1шх г!лок фононного спектру.

Оц!нка ефективност! термодифузП показуе, що пот!к дефект!в в реальних умовах моке бути пом1тним. Так, для концыгграцИ атом!в зал!за в кремнИ 3*1015 см-3 при 930°С I град!ент1 температури 1°С/мм J и Ю10 - Ю11 см~2с-1.

- ЯЗ.-

0СН0ВН1 РЕЗУЛЬТАТА 1 висновки

1. Запропоновано I розроОлено метод визначення часу життя первишшх рад1ац!Яних дефект1в в нал1впров1дниках при опром1нюванн! 1х поодинокими 1мпульсами прискорених електрон|в. За допомогою цього методу встановлено, що коефЩ1енти дифузИ ваканс!й та власних м!жвузлових атом!в в кремнМ при к!мнатн!й температур! в умовах високого р!вня |он1зац!1 кристала не менш1 в1д Ю-6 см2/с.

2. Показано, що при гальмуванн! в кристзл1чн!й гратц1 вибитих 1з вузл!в гратки високоенергетичними частками "гарячих" атсм)в останн! мохуть переходити в сол!тонний стан, в якому вони знаходяться до моменту розс!ювання на атомах домIшок. Цим мохе пояснюватись наддалека м!грац1я м1жвузлових атом1в при низькШ температур 1.

3. Досл1джено залехн!сть ефективност1 утворення дефект 1 в в п-Б1 1 п-Се в1Д 1нтенсивност1 електронного опром1нювання при температур! р!дкого азоту 1 к)мнатн!й в широкому д!апазон1

< о о р

(ктенсивностей в1д 5*10 ° до 1,5*10,оел./см с. Встановлено, що при зб!льшенн1 1нтенсивностI опром!нюзання ефоктивн!сть утворення дефект 1в спочатку падае, а поим зростае. Перепад ефективностей мохе дорягати двох порядк!в, як це видно на приклад! п-ве при 87К.

4. Досл1дхено температурну залекн!сть ефективпост1 утворення дефект 1 в в кремни при електроююму опром1нюванн1 в д!апазон1 температур 10 - 300К. Встановлено, що ефективн!сть е немонотонною функц1ею температури, яка мае максимум в п-Б1 при

- Р4 -

60К I м!н!мум в п- 1 р-В1 при ~ 120К. Встановлено також, що для всього температурного д!апазону мае м1сце р1вн!сть концентрац1й вгориняих дефект!в ваканОйного та м/жвузлового типIв. Це мокливо лише за умови, що ефективнЮть утворення вторинних дефект1в визначаеться в першу чергу процесом дисоц!ац1! пар Френкеля.

5. Встановлено, що в д1апазон1 10 - ЗООК власн! мютузлов! атоми в кремни при взавмодП з атомами дом Шок знаходяться в зарядовому стан! "+".

б.Запропонована методика визначення !з результат!в експерименту функцП розпод1лу( генетичних ( утворених 1з одного вузла гратки ) пар Френкеля по в!дствнях м1ж ваканс!ею та м!жвузловим атомом I отримано анал1тичний вид ц!е! функцП.

7. Досл!дкено вплив !он1зац1! кристала на в1дпал рад!ац!йних дефект!в в герман!!, опром!неному при 85К. Побудована термодинам!чна теор!я прискорення в!дпалу дефект1в в нап1впров!дниках п!д впливом зовШшнього 1он1зуючого опром!нюва1шя.'

8. Побудована теор1я захоплення- дефект!в фононним потоком, коли цей пот!к спричинений град1ентом температури в нап!впров1дниках.

Основн! результата дисертацП мЮтяться в наступних публ!кац1ях :

1. Войцеховский А.И., КрайчинскиЯ А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Переходные процессы в п-Б1 при облучении мощными электронными импульсами//ФТП. - 1981. - т.15, N5. -с.938 -942.

-г 25 -

2. Крайчинский А.H., Осташко Н.И. О времени жизни первичных радиационных дефектов в кремнии//В сб.: Труда международной конференции по радиационному материаловедению. Харьков. ХОТИ АН Укр. -1990. -т.4 -с.149-155.

3. Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии//Журнал технической физики. -1988. -т.58, N6. -c.II8Q-II8I.

4. Крайчинський A.M., М1зрухин Л.В.. Шаховцов B.I. Сол Iтонний стан м!жвузлового атома//Допов!д! АН УРСР. -1984. -Сер.А, N5. - с.63-67.

5. Войцеховский А.И., Крайчинский А.Н. Зависимость образования и отжига дефектов в n-Ge от интенсивности электронного облучения//В сб.: Тезисы докладов Всесоюзного семинара "Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах", Баку. -1980. -с.33.

6. Войцеховский А.И., Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Образование дефектов в n-Ge при облучении мощными электронными импульсами//Письма в ЖТФ. -I98I. -т.7, N17. -с.1029-1032.

7. Войцеховский А.И., Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Влияние интенсивности гамма- и электронного облучения на кинетику накопления радиационных дефектов в п-Се//Письма в ЖТФ. -I98I. -т.7, N17. -с.1054-1057.ъ

8. Войцеховский А.И., Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Переходные процессы и образование дефектов в n-Si 1 n-Ge при облучении мощными электронными импульсами//Вопросы атомной науки и техники. Серия : Физика

радиационных повреждений и радиационное материаловедение. -1982. -N2(21). -с.86-88.

9. Крайчинский А.И., Мизрухин Л.В., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Эффективность образования дефектов в n-Sl при облучении электронами с энергией I МэВ//ФТП. -1985. -т.19, N12. -с.2202-2204.

10. Kraltchlnakli A.N., Mlzrukhln L.V., Shakhovtsov V.I. Electron pulse lrradlation oí slllcon and germanium//In : Proc. of the Coníerence ón energy pulse modlflcatlon oí semiconductora and relatlye raaterlals. Dresden. -1984. -p. 208-212.

11. Крайчинский A.H., Мизрухин Л.В., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Sl при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности//®!'!!. -1988. -Т.22, N2. -с.215-218.

12. Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученном кремнии И германии//ФТП. -1983. -т.17, N3. -с.437-440.

13. Жалко-Титаренко И.В., Крайчинский А.Н., Осташко Н.И., Рогуцкий И.С. Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии в диапазоне температур 40 - 200К//Письма в ЖГФ. -1991. -Т.17, N14. -с.74-77.

14. Крайчинский А.Н., Осташко Н.И., Рогуцкий И.О. О температурной зависимости эффективности образования радиационных дефектов в кремнии и германии//МЧ1. -1990. -т.24, N8. -с.I487-1490.

15. Крайчинский А.Н., Неймаш В.Б., Саган Т.Р., Сирвцкий В.М., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Радиационное

дефектообразование в кремнии, термообработанном при 1050°С//У(М. -1989. -т.34, N7. -C.I07I-I074.

16. Жалко-Титаренко И.В., Крайчинский А.Н., Осташко Н.И., Рогуцкий и.С. Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10 - 300К//ФГП. -1993. -т.27, N10. -с.1693-1701.

17. Kraltchlnskll A.N., Rzewuskl Н., Suski J., Werner Z. Annealing processes In Ge converted Into p-type by 1 MeV electrons//Nukleonlka. -1972. -V.XVII, N7-8. -p.399-405.

18. Kraltchlnskll A.N., Rzewuskl H., Suskl J., Werner Z. Defects In Ge Irradiated with 1 MeV electrons at 85K//Phys. Stat. Sol. -1972. -V.13, N2. -p.661-668.

19. Kraltchlnskll A.N., RzewusklH., Suskl J., Werner Z.t Kozaneckl A. Study of defects trasformatlon in n- and p-type Ge irradiated with electrons at 85K//In : Damage and delects in semiconductors. London, Institute of Physics. -1973. -p.322-327.

21. Крайчинский A.H., Шаховцов В.И., Ясковец И.И. О механизме длинновременного захвата носителей тока в германии, облученном при температуре жидкого азота//В сб. : Радиационные повреждения в твердых телах. Киев, Институт физики АН УССР. -1974. -T.I. -с.67-68.

22. Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Отжиг дефектов в германии, ускоренный "подсветкой"//УФЖ. -1982. -Т.29, N7. -с.1060-1066.

23. Крайчинский А.Н., Осташко Н.И. Бистабильность дефектов в кремнии при импульсном электронном облучении//В сб. : Первая национальная конференция "Дефекты в полупроводниках". Санкт-Петербург : Science-Impex. -1992. -с.122.

24. Крайчинский А.Н.. Мизрухин Л.В., Швховцов В.И. Атомная термодиффузия в полупроводнихах/ДФЯ. -1986. -т.33, N3. -с.411-418.

КРАЙЧИНСЬКИЙ АНАТ0Л1Й МИКОЛАЙОВИЧ

HepÍBHOBa»ii процеси в кремнп i германН при 1Ипульсному електронноцу опроыхиювалпi

Пгдписано до друку 25.04.1994. Формат паперу 60x84/16. ÍTanip офсетний 72гр/м^. Офсетний друк. Ум.-друк. аркушв 1.82. Об.-вид. аркушв 1.21.Тираж 100. Зам. 25. Безкоштовно.

1нститут фгзики ПАН Украхни, BHTI. 252022, Ки!в-22, проспект Науки, 46.