Низкоэнергетичные электронные переходы и оптические фононы в полупроводниковых фазах La2 CuO4+x и фуллерите C60 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Структура и оптические свойства La2CuC>4.

1.1.1. Кристаллическая структура Ьа2Си04.

1.1.2. Электронная структура La2CuO4.

1.1.3. Магнитная структура La2Cu04.

1.1.4. Спектры оптических фононов.

1.1.5. Электронные переходы.

Сообщение К.А.Мюллера и Й.Г.Беднорца [1] о переходе в сверхпроводящее состояние системы La-Sr-Cu-О при температуре ТС~40К явилось мощным стимулом для дальнейшего развития фундаментального научного направления - физики сверхпроводимости, и послужило основой для создания принципиально иного по сравнению с известными ранее типа материалов, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), - купратов. Оно также способствовало появлению и развитию множества самых разных теоретических моделей для объяснения механизма высокотемпературной сверхпроводимости. Сильное отличие ВТСП от обычных сверхпроводников породило мнение, что фононный механизм, хорошо объясняющий в рамках теории Бардина, Купера, Шрифера (БКШ) [2] сверхпроводимость в стандартных сверхпроводниках, в случае ВТСП уже недостаточен. Особенно яркое выражение это получило на конференции M2HTSC III в 1991 году [3]. Более того, выдвигались возражения против применимости к ВТСП самой теории БКШ даже с учетом сильной связи и любого механизма взаимодействия между электронами проводимости. Были предложены другие возможные механизмы сверхпроводимости: экситонный [4,5], механизм Шафрота [6] (образование пар при Т>ТС с последующей их бозе-эйнштейновской конденсацией), спиновый [7,8] (спаривание за счет обмена спиновыми волнами или, как иногда говорят, за счет спиновых флуктуаций), биполяронный [9] и другие. В ряде работ высказывалось утверждение, что в рамках теории БКШ принципиально нельзя получить высокие значения критической температуры ТС>10К. Однако теоретический анализ, проведенный в работе [10], показал, что существуют серьезные причины, способствующие проявлению в ВТСП купратах сильного электрон-фононного взаимодействия и связанных с ним высоких значений Тс.

Одной из причин многообразия предложенных механизмов сверхпроводимости было то, что первоначально для этого нового класса соединений была непонятна электронная структура даже их нормального состояния. Через несколько лет после открытия ВТСП стало ясно, что для выяснения применимости той или иной модели для объяснения возможных механизмов ВТСП необходимо располагать экспериментальными данными об электронных и колебательных свойствах, как сверхпроводящей фазы, так и соответствующих ей нормального металлического состояния и полупроводниковой антиферромагнитной несверхпроводящей фазы.

Еще одним важным шагом в области физики сверхпроводимости стало открытие в середине 80-х годов молекулы фуллерена, синтез твердого фуллерита Сбо и сенсационное обнаружение перехода фуллерита в сверхпроводящее состояние при его легировании щелочными металлами. Таким образом, появился новый класс сверхпроводников с относительно высокой температурой сверхпроводящего перехода ТС»40К, сравнимой с Тс купратных сверхпроводников. Было обнаружено, что Тс возрастает с увеличением параметра решетки допированного металлами фуллерита. Стремление получить как можно более высокие Тс стимулировало синтез новых соединений Сбо, со сложными органическими молекулами.

Для исследования свойств такого типа материалов используется обширный арсенал экспериментальных методов. Среди них одно из важных мест занимает инфракрасная (ИК) спектроскопия. Изучение ИК-спектров отражения монокристаллов полупроводниковых фаз ВТСП и анализ изменения этих спектров при варьировании температуры и концентрации свободных носителей позволяет получить обширную информацию о дипольно-активных фононах и электронных переходах. Интерес к исследованию фононов и низкоэнергетичных электронных переходов обусловлен тем, что эти возбуждения могут служить медиаторами спаривания свободных носителей в сверхпроводнике.

Главной целыо настоящей работы являлось получение именно таких экспериментальных данных применительно к двум типам соединений, La2Cu04+x и фуллерит Сб0, на базе которых были получены сверхпроводящие фазы с высокими Тс.

Работа состоит из введения, пяти глав и выводов.

В первой главе представлен литературный обзор, в котором проанализированы экспериментальные и теоретические результаты исследований спектров дипольно-активных оптических фононов и электронных переходов в материалах на базе La2Cu04+x и фуллерита Сбо

Показана необходимость исследования диэлектрической фазы монокристаллических образцов стехиометрического La2Cu04 и влияния степени отклонения от стехиометрии кислорода на изменение оптических свойств. В связи с этим одной из целей данной работы было исследование ИК спектров отражения монокристаллов La2Cu04+x для разных поляризаций света относительно кристаллографических направлений в зависимости от уровня легирования и температуры. Результаты этих исследований представлены во второй и третьей главах, посвященных, соответственно, спектрам дипольно-активных фононов и низкоэнергетичных электронных переходов.

В связи с тем, что фуллерен Сбо обладает выраженными электронно-акцепторными свойствами, он может образовывать донорно-акцепторные комплексы с донорными молекулами. Среди возможных доноров электрона представляют интерес третичные амины, способные выступать в качестве доноров электрона. Известно, например, что третичные амины с низким потенциалом окисления образуют с Сбо ион-радикальные соли и проявляют ферромагнитные свойства, как это показано в случае тетракисдиэтиламина. Перенос электрона между фотовозбужденным триплетным состоянием молекулы Сбо и донором электрона подробно изучался в растворах, однако свойства КПЗ между Qo и третичными аминами в кристаллах изучены мало.

В связи с этим другой задачей работы было экспериментальное исследование спектра оптических фононов и электронных переходов в монокристаллах соединений Сбо с двумя представителями ряда третичных аминов: N,N,N',N'-тетраметил-пара-фенилендиамином (ТМПД) и трифениламином (ТФА). Результаты исследований изложены в четвертой главе.

Анализ литературы показывает, что фуллериты, также как и полупроводниковые фазы купратных ВТСП, следует относить к сильно коррелированным системам. Не исключено, что в них может проявиться наблюдаемый в купратах эффект радикальной перестройки спектра электронных состояний при фотоинжекции неравновесных носителей. В купратах фотоинжекция носителей приводит к такому же изменению спектра электронных состояний, что и легирование. В фуллерите не удается проследить за изменением электронного спектра при малом уровне легирования примесью вследствие фазового расслоения. В этом случае представляется перспективным применение метода фотоиндуцированного поглощения. В период начала наших исследований не было устоявшегося мнения относительно природы фотовозбуждений в фуллерите Сбо- Для прояснения этого вопроса в данной работе были исследованы спектры фотоиндуцированного поглощения и его кинетика в пленках Сбо Результатам этих экспериментальных исследований посвящена пятая глава.

ВЫВОДЫ

1. Исследованы ИК спектры отражения света монокристаллами ЬагСиО^х в спектральном диапазоне 50+5500 см"1 для полупроводниковых фаз с различным содержанием кислорода.

2. Впервые получен полный спектр дипольно-активных оптических фононов стехиометрических монокристаллов La2Cu04 в поляризации ELc. Установлено, что спектр фононов не удается интерпретировать в рамках тетрагонального приближения при Т<300К. Показано, что при Т<300К его необходимо интерпретировать в соответствии с орторомбической структурой кристалла. Произведено отнесение фононных мод орторомбической фазы.

3. Установлено, что при легировании кристаллов La2Cu04 кислородом в спектре оптических фононов появляются дополнительные линии. В результате исследования температурной зависимости отражения эти линии интерпретируются как колебательные моды, активные в спектре комбинационного рассеяния света и проявляющиеся в ИК спектре вследствие локальной потери центра инверсии и взаимодействия с автолокализованными дырками.

4. Установлено, что легирование диэлектрических монокристаллов La2Cu04 кислородом приводит к появлению в среднем ИК диапазоне серии электронных переходов, активных в поляризации ELc. Для объяснения прыжкового механизма проводимости по постоянному току, электронного континуума в дальней ИК области и серии переходов в среднем ИК-диапазоне в полупроводниковых фазах La2Cu04+x привлекается модель спин-поляронов и их многочастичных комплексов.

5. Получены устойчивые в аэробных условиях при Т=300К монокристаллы Сбо/ТФА, С60/ТМПД, в которых молекулы ТФА и ТМПД могли играть роль доноров электронов, и измерены спектры их оптического пропускания в спектральном диапазоне 600^-16000 см"1. Обнаружен частичный перенос электрона с ТМПД на молекулу Сбо- Показано, что введение в фуллерит третичных аминов не приводит к появлению свободных носителей, в отличие от щелочных металлов.

6. Обнаружено расщепление линии внутримолекулярного колебания Сбо 1428 см"1, связываемое с замораживанием вращения молекул Сбо в результате их взаимодействия с молекулами ТФА или ТМПД.

7. Установлено, что монокристаллы С60/ТМПД отличаются от Сбо/ТФА смягчением частоты внутримолекулярного колебания Сбо 1428 см"1, частоты колебаний связей С-С молекулы ТМПД и перераспределением интенсивностей линий, определяемых колебаниями ее связей, а также наличием электронного поглощения около 1,2 эВ. Эти результаты объясняются частичным переносом электрона с ТМПД на Сбо, а электронный

116 переход 1,2 эВ интерпретируется как переход с переносом заряда с молекулы ТМПД на Сб0.

8. Показана необходимость учета эффекта кристаллического поля для описания фотоиндуцированного поглощения пленок фуллерита в развитие предложенной в литературе модели оптических переходов в системе фотовозбужденных синглетных экситонов для короткоживущих фотовозбуждений и переходов в системе триплетных экситонов и поляронов для долгоживущих возбуждений.

9. Обнаружено, что фотоиндуцированное поглощение в области энергий 0,6+2,1 эВ в пленках фуллерита Сбо увеличивается в 100 раз по мере их старения. При этом время релаксации фотовозбуждений возрастает в 10б раз.

10. В результате исследования кинетики фотоиндуцированного поглощения впервые установлено, что в свежеприготовленных и частично состарившихся пленках фуллерита Сбо фотовозбуждения (триплетные экситоны и поляроны) рекомбинируют в соответствии с бимолекулярным механизмом, а в состарившихся - путем термоактивированного туннелирования локализованных фотовозбуждений по ближайшим дефектам.

5.4. Заключение.

Предложенная в [132] модель фотоиндуцированного поглощения (ФИП) пленок фуллерита Сбо, объясняющая ФИП оптическими переходами в системе фотовозбужденных синглетных экситонов в случае короткоживущих фотовозбуждений и переходами в системе триплетных экситонов и поляронов для долгоживущих возбуждений, несомненно, применима. Однако необходимо принять во внимание и другой, дополнительный механизм, а именно, фотоиндуцированное увеличение коэффициента поглощения для запрещенных в дипольном приближении в молекуле Сбо оптических переходов из основного состояния фуллерита (HOMO-LUMO) вследствие эффекта кристаллического поля.

Исследование кинетики фотоиндуцированного поглощения при низком уровне возбуждения позволило выяснить механизм релаксации ФИП. Было установлено, что в свежеприготовленных пленках фуллерита Сбо триплетные экситоны и поляроны рекомбинируют в соответствии с бимолекулярным механизмом. По мере старения пленок ФИП возрастает до 10 раз. Кинетические измерения показали, что постепенное возрастание ФИП происходит вследствие уменьшения скорости рекомбинации фотовозбуждений, в результате чего характерные времена их релаксации возрастают в 10б раз. Для объяснения полученных данных привлекается модель, в соответствии с которой пленки фуллерита относятся к классу разупорядоченных систем, в которых фотовозбуждения локализованы на дефектах структуры, формирующих хвост плотности состояний.

В частично состарившихся пленках, в которых времена релаксации фотовозбуждений в

10-104 раз оольше, чем в свежеприготовленных пленках, сохраняется механизм рекомбинации, близкий к бимолекулярному. Анализ изменения спектров поглощения пленок указывает на то, что возрастание времени релаксации в этом случае обусловлено уменьшением концентрации дефектов, формирующих мелкие состояния.

В состарившихся пленках рекомбинация фотовозбуждений происходит иным образом, а именно, путем термоактивированного, туннелирования фотовозбуждений, локализованных на глубоких состояниях дефектов.

Фотоинжекция электронно-дырочных пар в фуллерите Сбо приводит, в частности, к формированию поляронов, как и в полупроводниковых фазах купратных ВТСП. Основное отличие спектров ФИП фуллерита от купратов заключается в отсутствии дополнительных электронных переходов, проявляющих свойства многочастичных комплексов в купратах. Возможно, это является результатом отсутствия подрешетки спинов в фуллерите. В купратах взаимодействие спина дырки с антиферромагнитной подрешеткой меди может приводить к формированию спин-полярона и его многочастичных комплексов. Таким образом, отсутствие дополнительных поляронных переходов в фуллерите можно рассматривать как дополнительный аргумент в пользу существования спин-поляронов в купратах.

1. J.G. Bednorz and К.A. Miiller. Z. Phys. В 64, 189 (1986).

2. J. Bardin, L.N. Cooper, J.R. Schriffer. Phys. Rev. 108, 1175 (1957).

3. Proc.Intern.Conf.on Materials and mechanisms of Superconductivity. High Temperature Superconductors III. Physica С 185-189, (1991).

4. W.A. Little. Phys. Rev. A 134, 1416 (1964).

5. В.Л. Гинзбург. ЖЭТФ 47, 2318 (1964).

6. M.R. Schafroth. Phys. Rev. 96, 1149,1442 (1954); 100, 463 (1955).

7. А.И. Ахиезер. И.Я.Померанчук, ЖЭТФ 36, 859 (1959).

8. Ю.А. Изюмов. УФН, 169, 225 (1999).

9. A. Alexandrov, J. Ranniger. Phys. Rev. В 24, 1164 (1981).

10. В.Л. Гинзбург, Е.К. Максимов. Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 5, 1543 (1992).

11. J.D. Jorgenson et al. Phys.Rev.Lett. 58, 1024 (1987).

12. J.D. Jorgensen, B.Dabrowski, Shiyou Pei, D.G.Hinks, L.Soderholm, B.Morosin, J.E.Schirber, E.L.Venturini, D.S.Ginley. Phys.Rev.B 38, 11337 (1988).

13. B. Dabrowski, J.D. Jorgensen, D.G. Hinks, S. Pei, D.R. Richards, H.B. Vanfleet, and D.L.Decker. Physica С 162-164, 99 (1989).

14. A.V. Bazhenov, C.B. Rezchikov, I.S. Smirnova, Physica С 273, 9 (1996).

15. Т. Kajitani, Т. Onozuka, Y. Yamaguchi, M. Hirabayashi, Y. Syono. Jap. J.Appl. Phys. 26, L1877 (1987).

16. D. Vaknin, S. K. Sinha, D. E. Moncton, D.C. Johnston, J.M. Newsam, C. R. Safinga, H.E. King. Phys. Rev. Lett, 58, 2802 (1987).

17. R.D. Shannon. ActaCryst. A. 32, 751 (1976).

18. M. Zhang, R. Tao, S. Zhow, Chinese. Phys. Lett. 5, 149 (1988).

19. W.E. Pickett. Rev. Mod. Phys., 61,433 (1989).

20. E.F. Skelton, W.T. Elam, D.V. Gubser, V. Letournean, M.S. Osofsky, S.B. Qadri, L.E. Toth, S.A. Wolf. Phys. Rev. В 36, 5713 (1987).

21. N. Nuker, H. Romberg, M. Alexander, J. Fink to appear in Stadies of High Temperature Superconductors, ed. By A. Narlikar, Nova Science Publishers.

22. L.F. Mattheiss. Phys. Rev. Lett., 58, 1028 (1987)

23. J.C. Fuggle, J. Fink, N. Niicker. Int. J. Mod. Phys. В 1, 1185 (1988)

24. J. Orenstein, G. A. Thomas, D.H. Bapkine, C.G. Bethea, B.F. Zevine, R. J. Cava, A.S. Cooper, D.W. Jr. Johnson, J.P. Remeika, E.A. Rietman. Proceedings of the International Workshop on Novel Superconductivity. Berkeley, 693, (1987).

25. V.I. Anisimov, M.A. Korotin, I.V. Afanasyev. Ibidem. 159, 412 (1989).

26. J. Saylor, L. Takacs, C. Hohenemser, I.I. Budnik, B. Chamberland. Phys. Rev. В 40, 6854 (1989).

27. D.C. Johnson, S.K. Sinha, A.J. Jacobson, J.M. Newsam. Physica С 153-155, 572 (1988).

28. R.J. Birgeneau, G. Shirane. Physical Properties of High Temperature Superconductors/ Ed. D.M. Ginsberg. Singapore: World Scientific, (1989).

29. M.A. Kastner, R.J. Birgeneau, T.R. Thurston, H.P. Jenssen, D.R. Gabbe, M. Sato, K. Fukuda, S. Shanuto, Y. Endoh, K. Yamada, G. Shirane. Phys. Rev. B. 38, 6636 (1988).

30. A.C. Боровик-Романов, А.И. Буздин, H.M. Крейнес, С.С. Кротов. Письма ЖЭТФ, 47, 600 (1988).

31. D.A. Bonn, J.E. Greedan. C.V. Stager, and Т. Timusk. Solid State Commun. 62,383 (1987)

32. Z. Schlesinger, R.L. Green, J.G. Bednorz, and K.A. Muller. Phys. Rev. В 35, 5334 (1987).

33. P.E. Sulewski, A.J. Sievers, R.A. Buhrman, J.M. Tarascon, and L.H. Greene. Phys. Rev. В 35, 5334(1987).

34. D.A. Bonn, J.E. Greedan. C.V. Stager, T. Timusk, M.G. Doss, S.L. Herr, K. Kamaras, C.D. Porter, D.B. Tanner, J.M. Tarascon, W.R. McKinnon, and L.H. Greene. Phys. Rev. В 35, 8843 (1987).

35. N. Ogita, M.U dagawa, K. Kojima, K. Ohbayashi. J.of Phys.Society of Japan 57, 3932 (1988).

36. G.L. Doll, J.T. Nichols, M.S. Dresselhaus, A.M. Rao, J.M. Zhang, G.W. Lehman, P.C. Eklund, G. Dresselhaus, A.J. Strauss. Phys. Rev. В 38, 88501988).

37. S.L Herr, K. Kamaras, C.D. Porter, M.G. Doss, D.B. Tanner, D.A. Bonn, J.E. Greedan, C.V. Stager, T. Timusk. Phys. Rev. В 36, 733 (1987).

38. G.A. Thomas, A.J. Millis, R.N. Bhatt, R.J Cava, E.A. Rietman. Phys. Rev В 36, 736(1987).

39. J. Orenstein, G.A. Thomas, D.H. Rapkine, C.G. Bethea, B.F. Levine, R.J. Cava, E.A. Rietman, D.W. Johnson. Phys. Rev. В 36, 729 (1987).

40. Z. Schlesinger, R.T. Collins, V.W. Shafer, Phys. Rev. В 35, 7232 (1987).

41. S. Sugai. Jap.J.of Appl.Phys. 26, L1517 (1987).

42. G.L. Doll, J. Steinbeck, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, A.J. Strauss, H.J. Zeiger. Phys. Rev. В 36, 8884 (1987).

43. P.E. Sulewski, T.W. Noh, J.T.Mc Whirter, A.J. Sievers. Phys. Rev. В 36 5735 (1987).

44. P.C. Eklund, A.M. Rao, G.M. Lehman, G.L. Doll, M.S. Dresselhaus, P.J. Picone, D.R. Gabbe, H.P. Jenssen, G. Dresselhaus. J.Opt.Soc.Am.B 6, 3891989).

45. M. Bassat, P. Odier and F. Gervais. Phys. Rev. В 35, 7126 (1987).

46. Z. Schlesinger, R.T. Collins, M.F. Shafer, E.M. Engler. Phys. Rev. В 36, 5275 (1987).

47. Т. Brun, V. Grimsditch, K.E. Gray, R. Bhadra, V. Maroni, C.-K. Loong. Phys. Rev. В 35, 8837 (1987).

48. G. Burns, F.H. Dacol, G. Kliche, W. Konig, M.W. Shafer. Phys. Rev. В 37, 3381 (1988).

49. F. Gervais, P. Echegut, J.M. Bassat, P. Odier. Phys. Rev. В 37, 9364 (1988).

50. F. Gervais, P. Echegut, J.M. Bassat, P. Odier. Physika С 153-155, 637 (1988).

51. S. Tajima, S. Uchida, S. Knabe, K. Kitazawa, K. Fueki, S. Tanaka. JpnJ.Appl.Phys. 26, L432 (1987).

52. A.C. Nichol, F.L. Pratt, W. Hayes, C. Chen, B.E. Watts, B.M. Wanklyn. J.Opt.Soc.Am.B 6, 403 (1989).

53. R.T. Collins, Z. Schlesinger, G.V. Chandrashekar, M.F. Shafer. Phys. Rev. В 39, 2251 (1988).

54. S. Tajiama, T.I do, S. Ishibashi, T. Itoh, H. Eisaki, Y. Mizuo, T. Arima, H. Takagi, S. Ushida. Phys. Rev. В 43, 10496 (1991).

55. M. Shimada, M. Shimizu, J. Tanaka, H. Kojima. Physica С 193, 277 (1992).

56. S.M. Varma, S. Schmitt-Rink and E. Abrahams. Solid State Commiin. 62, 681 (1987).

57. J. Orenstein, G.A. Thomas, D.H. Rapkine, C.G. Bethea, B.F. Levine, B. Batlogg, R.J. Cava, D.W. Jonson, Jr., and E.A.Rietman. Phys. Rev. В 36, 88921987).

58. J. Orenstein, D.H. Rapkine. Phys. Rev. Lett. 60, 968 (1988).

59. K. Kamaras, C.D. Porter, M.G. Doss, S.L. Herr, D.B. Tanner, D.A. Bonn, J.E. Greedan, A.H. O'Reilly, C.V. Stager, T. Timusk. Phys. Rev. Lett.60, 9691988).

60. G.A. Thomas, D.H .Rapkine, S.L. Cooper, S-W. Gheong, A.S. Cooper, L.F. Schneemeyer, and J.V. Waszczak. Phys. Rev. В 45, 2474 (1992).

61. S. Uchida, T. Ido, H. Takagi, T. Arima, Y. Tokura and S. Tajima. Phys. Rev. В 43, 7942(1991).

62. A.B. Баженов, В.Б. Тимофеев. Сверхпроводимость 3, 1174 (1990).

63. G.A. Thomas, D.H. Rapkine, S.L. Cooper, S-W. Cheong and A.S. Cooper. Phys. Rev. Lett. 67, 2906 (1991).

64. T. Koyama and M. Tachiki. Physica С 162-164, 1509 (1989).

65. H.J. Ye, R.P. McCall, W.E. Farneth, E.M. McCarron and A.J. Epstein, Phys. Rev. В 43, 10574(1991).

66. D. Mihailovic, C.M. Foster, K. Voss and A.J. Heeger. Phys. Rev. В 42, 7989 (1990).

67. W. Stephan and P. Horsch. Phys. Rev. В 42, 8736 (1990).

68. J. Orenstein, G. A. Thomas, A.J. Millis, .S.L. Cooper, D.H. Rapkine, T. Timusk, L.F. Schneemeyer, and J.W. Waszczak. Phys. Rev. В 42, 6342 (1990).

69. H.W. Kroto J.R. Heath, S.C. O'Brien, R.F. Curl, R.E. Smalley. Nature 318, 162(1985).

70. Д.А. Бочвар, Д.Е. Гальперн. ДАН, сер. хим. 209, 610 (1973).

71. R.C. Haddon, A.F. Hebard, M.J. Rosseinsky, D.W. Murphy, S.J. Duclos, K.B. Lyons, B. Miller et al. Nature 350, 320 (1991).

72. A.F. Hebard, M.J. Rosseinsky, R.C. Haddon, D.W. Murphy, S.H. Glarum, T.T.M. Paistra, A.P. Ramirez, A.R. Kortan. Nature 350,600 (1991).

73. N.B. Hannay et al. Phys. Rev. Lett. 14, 225 (1965).

74. J.H. Schon, Ch. Kloc, B. Batlog. Nature 408, 549 (2000).

75. K. Hedberg et al. Science 254, 410 (1991).

76. J.M. Havkins et al. Science 252, 312 (1991).

77. W. Kratschmer, L.D. Lamb, K. Fostiropoulos, D.R. Haffman Nature 347, 354 (1990).

78. Y. Saito, H. Shinohara, A. Ohshita. Jap.J.Appl.Phys. A30, L1068 (1991).

79. W.I.F. David, R.M. Ibberson, J.C. Matthewman et al. Nature 353, 147 (1991).

80. P.A. Heiney, J.E. Fisher, A.R. McGhie, W.J. Romanov et al. Phys. Rev. Lett. 66,2911 (1991).

81. F. Gugenberger, R. Heid, C. Meingast, P. Adelmann, M. Braun, H. Wiihl, M. Haluska, H. Kuzmany. Phys. Rev. Lett. 69, 3774 (1992).

82. R.E. Stanton, M.D. Newton. J.Phys.Chem. 92, 2141 (1988).

83. F. Negri, G. Orlandi, F. Zerbertto. Chem. Phys. Lett. 144, 31 (1988).

84. K. Raghavachari, C.McM. Rohlfmg Newton. J.Phys.Chem. 95, 5768 (1991).

85. R. Jones, C.D. Latham, M.I. Heggie, V.J.B. Torres, S. Oberg, S.K. Estreicher. Philos. Mag. Lett. 65, 291 (1992).

86. Y.H. Kim, F. Li, F. Diederich. Phys. Rev. В 45, 10169 (1992).

87. L.R. Narashimhan, D.N. Stoneback, A.F. Hebard, R.C. Haddon, C.A.K. Patel. Phys. Rev. В 46, 2591 (1992).

88. R.J. Nemanich, S.A. Solin, and D. Guerard. Phys. Rev. В 16, 2965 (1977).

89. Т. Pichler, R. Winkler and H. Kuzmany. Phys. Rev. В 49, 15879 (1994).

90. D. Dubois, К. M. Kadish, S. Flagan, R. E. Haufler, L. P. F. Chobante, L. J. Wilson. J. Am. Chem. Soc. 113, 4364 (1991).

91. D. Dubois, K.M. Kadish, S. Flagan, L.J. Wilson,.J. Am. Chem. Soc. 113, 7773 (1991).

92. Y. Wang. J. Chem. Phys. 96, 764 (1992).

93. L.Biczok, H. Linschitz, R.I. Walter. Chem. Phys. Lett. 195, 339 (1992).

94. P.V. Kamat. J. Am. Chem. Soc. 13, 9705 (1991).

95. J.W. Arbogast, C.S. Foote, M.Kao. J. Am. Chem. Soc. 114, 2277 (1992).

96. P.M. Allemand, K.C. Khemani, A.Koch, P. Wudl, K. Holczer, S. Donovan, G. Guner and J.D. Thompson. Science 253, 301 (1991).

97. H. Klos, Rystau, W. Schultz, B. Gotschy, A. Skiebe, A. Hirsch. Chem. Phys. Lett., 224, 333 (1994).

98. S. Saito, A. Oshiiyama. Phys. Rev. Lett.66,2637 (1991).

99. H. Ajie et al. J.Phys. Chem. 94, 8630 (1990).

100. W.Y. Ching, M.-Z. Huang, Y.-N. Xu, W.G. Harter, F.T. Chan Phys. Rev. Lett. 67, 2045 (1991).

101. S. Narita, K. Ohashi, H. Kobayashi, T. Shibuya. Fullerene Science&Technology 1, 291 (1993).

102. I. Laszlo, L. Udvardi Chem. Phys .Lett. 136, 418 (1987).

103. K. Yabana, G.F. Bertsch. Chem. Phys. Lett. 197, 32 (1992).

104. F. Negri, G. Orlandi, F. Zerbetto. J.Chem. Phys. 97, 6496 (1992).

105. S. Leach, M. Vervloet, A. Despres, E. Breheret, J.P. Hare, T.J. Dennis, H.W. Kroto, R. Taylor, and D.R.M. Walton. Chern. Phys. 160, 451 (1992).

106. C. Reber, L. Yee, J.Mc Kiernan, J.I. Zink, R.S Williams, W.M. Tong, D.A.A. Ohlberg, R.L. Whetten, F.Diederich. Chem. Phys. Lett. 95, 21271991).

107. Z. Gasyna, P.N. Schatz, J.P. Hare, T.J. Dennis, H.W. Kroto, R. Taylor, D.R.M. Walton. Chem. Phys. Lett. 183, 283 (1991).

108. S.P. Sibley, S.M. Argentine, A.H. Francis. Chem. Phys. Lett. 188, 1871992).

109. Y. Wang, J.M. Holden, A.M. Rao, W.-T. Lee, X.X. Bi, S.L. Ren, G.W. Lehman, G.T. Hager, P.C. Eclund. Phys. Rev. В 45, 14396 (1992).

110. M. Matus, H. Kuzmany, E. Sohmen. Phys. Rev. Lett. 68, 2822 (1992).

111. W. Guss, J. Feldmann, E.O. Gobel, C. Taliani, H. Mohn, W. Mtiller, P. Haussler, H.-U.ter Meer. Phys.Rev.Lett. 72, 2644 (1994).

112. C. Hartmann, M. Zigone, G. Martinez, E.L. Shirley, L.X. Benedict, S.G. Louie, M.S. Fuhrer, A. Zettl. Phys. Rev. В 52, R5550 (1995).

113. S. Kazaoui, R. Ross, N. Minami. Phys. Rev. В 52, R11665 (1995).

114. Y. Wang, J.M. Holden, A.M. Rao, P.C. Eklund, U.D. Venkateswaran, D. Eastwood, R.L. Lidberg, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus.Phys. Rev. В 51, 4547 (1995).

115. A.B. Баженов, A.B. Горбунов, К.Г. Волкодав. Письма в ЖЭТФ 60, 326 (1994).

116. R. W.Lof, M.A. van Veenedaal, В. Koopmans, H.T. Jonkman, G.A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett. 68, 3924 (1992).

117. G. Gensterblum, J.J. Pireaux, P.A. Thiry, R. Caudano, J.P. Vigneron, Ph. Lambin, and A.A. Lucas. Phys. Rev. Lett. 67, 2171 (1991).

118. J.M. Ginder, M.G. Roe, Y. Song, R.P. McCall, J.R. Gaines, and E. Ehrenfreund. Phys. Rev. В 37, 7506 (1988).

119. A.V. Bazhenov, A.V. Gorbunov, K.B. Rezchikov, T.N. Fursova, A.A. Zakharov, and M.B. Tsetlin, Physica С 208, 197 (1993).

120. Y.H. Kim, S-W. Cheong, Z. Fisk. Phys. Rev. Lett. 67, 2227 (1991).

121. A.B. Баженов, A.B. Горбунов, В.Б. Тимофеев. ЖЭТФ 104, 3193 (1993).

122. A.C. Давыдов. Теория молекулярных экситонов, Наука, М., (1968).

123. J. Mort, R. Ziolo, М. Machonkin et al. Chem. Phys. Lett. 186, 281 (1991).

124. C.H. Lee, G. Yu, D. Moses et al. Phys. Rev. В 48, 8506 (1993).

125. M. Hosoya, K. Ichimura, Z.H. Wang, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus,and P.C.Eklund. Phys. Rev. В 49, 4981 (1994).

126. A. Hamed, H. Rasmussen, and P.H. Hor. Phys. Rev. В 48, 14760 (1993).

127. H. Yonehara and С. Рас. Appl.Phys.Lett. 61, 575 (1992).

128. J. Mort, M. Machonkin, R. Ziolo, and I. Chen. Appl.Phys.Lett. 61,1829 (1992).

129. D. Dick, X. Wei, S. Jeglinski, R.E. Benner, Z.V. Vardeny, D. Moses,V.I. Srdanov, and F. Wudl. Phys. Rev. Lett. 73, 2760 (1994).

130. A.V. Bazhenov, A.V. Gorbunov, V.B. Timofeev In: Proc. of"Anharmonic Properties of High-T Cuprates", Slovenija, Bled, September 1994, Ed. by D.Mihailovic, G.Ruani, E.Kaldis, andK.A.Muller, World Scientific, 267 (1994).

131. R.A. Cheville, N.J. Halas. Phys. Rev. В 45, 4548 (1992).

132. С. R. Bock, J. A. Conner, T. J. Meyer, D. C. Whitten, B. P. Sullivan, J. K. Nagle. J. Am. Chem. Soc. 101, 4815 (1979).

133. C.H. Барило, А.П. Гель, С.А. Турецкий, Д.И. Жигунов, А.А. Игнатенко, И.Д. Ломако, A.M. Лугинец, В.Н. Шамбалев. СФХТ, 2, 138. (1989),

134. G. Shirane. Int. Conference on HTC Superconductors. Santa—Barbara, USA, (1987).

135. S. Tanaka. Int. Conference on HTC Superconductors. Singapure, (1988).

136. K. Yamada, E. Kudo, Y. Endoh, Y. Hidaka, M. Oda, M. Suzuki, T. Murakami. Sol. St. Comm. 64, 753 (1987).

137. A.V. Bazhenov, V.K. Vlasko-Vlasov, and M.V. Indenbom. Sov. Phys.Solid State 31, 4 (1989).

138. X. Wang, T. Namba, M. kesawa, et al. Jpn. J.Appl. Phys. Part 2 26, L2023 (1987).

139. Z. Schlesinger, R. T. Collins, D. L. Kaiser, F. Holtzberg, G. V. Chandrashekhar, M. W. Shafer, T.M. Plaskett. Physica С 153-155, 1734 (1988).

140. R.E. Cohen, W.E. Picket, H. Krakauer, L.L. Boyer. Physica В 150, 61 (1988).

141. A.V. Bazhenov and V.B. Timofeev. Physica С 162-164, 1247 (1989).

142. H.B. Абросимов, A.B. Баженов. ФТТ 33, 452 (1991).

143. N.W. Preyer, R.J. Birgeneau, C.Y. Chen, D.R. Gabbe, H.P. Jenssen, M.A. Kastner, P.J. Picone, Tineke Thio, Phys. Rev. В 39, 11563 (1989).

144. K.F. McCarty, J.E. Schirber, SW. Cheong, Z. Fisk. Phys.Rev.B 43, 78831991).

145. S .Sugai. Phys. Rev. В 39, 4306 (1989).

146. S. Sugai, S Shamoto, M. Sato, T. Ido, H. Takagi and S. Uchida. Solid State Comm. 76,371 (1990).

147. C. Chaillout, S.W. Cheong, Z. Fisk, M.S. Lehmann, M. Marezio, B. Morosin, J.E. Schirber. Physica С 158, 183 (1989).

148. С. Chaillout, J. Chenavas, S.W. Cheong, Z. Fisk, M. Marezio, B. Morosin, J.E. Schirber. Physica С 170, 87 (1990).

149. U. Fano. Phys. Rev. 124, 1866 (1961).

150. P. Zolliker, D.E. Cox, J.B. Parise, E.M. McCarron III and W.E.Farneth, Phys. Rev. В 42, 6332 (1990).

151. J.-С. Grenier, N. Lagueyte, A. Wattiaux, J.-P. Doumerc, P. Dordor, J. Etourneau, M. Pouchard, J.B. Goodenough and J.S. Zhou. Physica С 202, 2091992)

152. H. Takagi, T. Ido, S-lshibashi, M. Uota. S. Ushida, and Y. Tokura, Phys. Rev. В 40, 2254 (1989).

153. R.F. Wood and J.F. Cooke. Phys. Rev. В 45, 5585 (1992).

154. E. Нагаев. УФН 117, 437 (1975).

155. V. Hizhnyakov and E. Sigmund. Physica С 156, 655 (1988).

156. V. Hizhnyakov, N. Kristoffel, and .E. Sigmund. Physica С 160, 119 (1989).

157. G.Y. Chen, R.J. Birgeneau, D.R. Gabbe, H.P.Jenssen, M.A. Kastner, P.J. Picone, N.W. Preyer, andT. Thio. Physica С 160-164, 1031 (1989).

158. Б.И.Шкловский. А.Л.Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. "Наука", Москва (1979).

159. Ю.А. Изюмов, Н.М. Плакида, Ю.Н. Скрябин. УФН 159, 621 (1989).

160. М. Вайсбергер, Е. Прокауер, Дж. Риддик, Е. Тупс. Органические растворители. "Иностранная литература", Москва (1958).

161. Л. М. Свердлов, М. А. Ковнер, Е. П. Крайнов. Колебательные спектры многоатомных молекул. "Наука", Москва (1970).

162. Л. Беллами. Инфракрасные спектры молекул. "Иностранная литература", Москва (1957).

163. L.R. Narasimhan, D.N. Stoneback, A.F. Hebard, R.C. Haddon, and C.K.N. Patel. Phys. Rev. В 46, 2591 (1992).

164. V.A. Nadtochenko, A.P. Moravskiy, V.V. Gritsenko, G.V. Shilov, O.A. Dyachenko, in Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, International workshop "Fullerenes and Atomic Clusters, June 19-24, St.-Petersburg, Russia, 53, 1995.

165. T. Pichler, M. Matus, J. Kurti, and S. Koda. Solid State Commun. 81, 859 (1992).

166. Y. Iwasa, K. Tanaka, T. Yasuda, T. Koda and S. Koda. Phys. Rev. Lett. 69, 2284(1992).

167. A.B. Ванников, А.Д. Гришина. Успехи химии LVIII, 2056 (1989)

168. Y. Kajii, Т. Nakagawa, S. Suzuki, Y. Achiba, Chem. Phys. Lett., 181, 100 (1991).

169. R.C. Yu, N. Tea, M.B. Salamon, et al. Phys. Rev. Lett. 68, 2050 (1992).

170. T. Atake, T. Tanaka, H. Kawaji et al. Physica С 185-189, 427 (1991).

171. А.В.Баженов, А.В.Горбунов, К.Б.Резчиков, ФТТ 37, 760 (1995).

172. С.М. Рыбкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Москва (1963).127

173. J. Kakalios, R.A. Street, and W.B. Jackson. Phys. Rev. Lett. 59, 1037 (1987).

174. J. Orenstein and M.A. Kastner. Solid State Commun. 40, 85 (1981)

175. A.M. Rao, K-A. Wang, J.M. Holden, Y. Wang, P. Zhou, P.C. Eklund, C.C Eloi, and J.D. Robertson, J. Mater.Res. 8, 2277 (1993).