Новые аллотропные формы кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ.

1.1. Особенности структуры ближнего порядка аморфного кремния.

1.2. Структурные особенности и мультисвязи кремния.

1.2.1.Кремниевые мультисвязи в сложных химических соединениях.

1.2.2.Влияние междоузельных атомов на формирование новых структурных модификаций в кристаллическом кремнии.

1.2.3.Гексагональный кремний.

1.2.4.Цепочечная структура поверхности >S7(100).

1.2.5.71- связанные состояния атомов кремния на поверхности «SV(1 11). 60 1.2.6.Особенности структуры и дефекты на границе раздела кристаллический - аморфный кремний.

1,2.7.Полиморфные превращения кремния при высоком давлении.

1.3. Постановка задачи исследований.

ГЛАВА 2.ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ АМОРФНОГО

ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ КАК МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ЛИНЕЙНОЙ АЛЛОТРОПНОЙ ФОРМЫ КРЕМНИЯ.

2.1. Постановка задачи и методика получения образцов.

2.2. Влияние отжига на структуру ближнего порядка аморфного гидрогенизированного кремния.

2.3. Использование метода оптимизации информационного функционала для уменьшения ошибок при расчете параметров ближнего порядка аморфного материала.

2.4. Влияние отжига на плотность состояний в валентной зоне аморфного кремния.

2.5. Квантово - механические расчеты линейных цепочек из кремниевых атомов.

2.5.1.Методы расчета.

2.5.2.Структура линейных кремниевых цепочек атомов.

2.5.3.Энергетические и термодинамические характеристики

Si - цепочек.

2.5.4.Зонная структура.

Актуальность темы. Хорошо известно, что в Периодической таблице Д.И. Менделеева кремний и углерод расположены в одной группе и имеют похожую электронную конфигурацию внешних электронных оболочек. Поэтому, казалось бы, их свойства должны быть похожими. Однако к настоящему времени известны 5 только основных аллотропных форм углерода: алмаз, графит, карбин, лонсдейлит и фуллерен [1]. Алмаз и графит являются природными минералами, но могут быть получены и искусственным путем. Карбин, лонсдейлит и фуллерен были сначала синтезированы в лабораториях, а затем в очень малых количествах обнаружены в природе. Карбин и лонсдейлит входят в состав метеоритов, а фуллерены в концентрации ~ 10"3 % присутствуют в углеродном минерале - шунгите (свое название этот минерал получил от названия поселка Шуньга в Карелии).

На рис. 1 изображена кристаллическая структура всех аллотропных форм углерода.

В алмазе и лонсдейлите каждый атом углерода находится в тетраэдри-ческом окружении. Пространственный каркас из тетраэдрически координированных атомов углерода, связанных между собой яр гибридизированными орбиталями, может реализоваться двумя способами (а) и (г).

Графит имеет слоистую структуру (б). Слои образованы рядом плоских параллельных сеток, состоящих из правильных шестигранников, в вершинах которых расположены атомы углерода. В плоскости каждый атом углерода имеет трех ближайших соседей, связанных прочными ковалентными связями, образованными за счет перекрывания Бр гибридизированных орбиталей. Эти гексагональные сетки связаны между собой достаточно слабыми силами Ван-дер-Ваальса.

Определенная аналогия с графитом наблюдается в структуре фуллере-на. В молекулах фуллерена (например, С во), атомы углерода расположены на сферической поверхности в вершинах пятиугольников и шестиугольников (д). Каждый атом углерода имеет трех ближайших соседей,

Рис. 1. Кристаллическая структура различных аллотропных форм углерода: а - алмаз; б - графит; в - карбин; г - лонсдейлит; д - фуллерен (показана только молекула С60). связанных ковалентными связями. Такие молекулы могут кристаллизоваться, образуя кубическую решетку. В кристалле фуллерена молекулы связаны между собой силами Ван-дер-Ваальса.

Карбин состоит из прямолинейных цепочек, в которых каждый атом углерода связан с двумя соседними атомами яр гибридными связями (в). Углеродные цепочки связываются в кристаллы в основном за счет сил Ван-дер-Ваальса. Кроме этого, в реальных образцах карбина имеет место переход некоторых атомов углерода в хр2 и яр3 гибридное электронное состояние, что приводит к формированию с той или иной частотой ковалентных связей между цепочками.

Кремний, в отличие от углерода, в чистом виде в природе не встречается. В тоже время, по распространенности он является вторым элементом после кислорода, а в земной коре его содержится около 30%. В виде различных соединений кремний входит в большинство горных пород и минералов. Песок и глина, образующие минеральную часть почвы, также представляют собой соединения кремния. Несмотря на то, что в элементарном виде кремний был получен еще в 1811 году, широкое применение он нашел лишь во второй половине текущего столетия как материал полупроводниковой технологии. До этого времени считалось, что кремний является металлом. Так, известный исследователь в области физики полупроводников Б. Гудден в своем обширном обзоре "Электропроводность электронных полупроводников" в 1935 году писал "металлы, как например, графит, КРЕМНИИ, титан, цирконий и т.д. ни в коем случае не следует смешивать с электронными полупроводниками.". И только после того, как научились получать монокристаллический кремний с очень малым содержанием примеси, стало ясно, что он проявляет полупроводниковые свойства. В свободном виде кремний представляет собой кристаллическое вещество со структурой алмаза. Его можно получить также в аморфном состоянии со структурой ближнего порядка, аналогичной структуре кристаллического кремния. Какие-либо другие аллотропные формы кремния не были известны.

В отличие от углерода, атомы кремния во всех соединениях проявляют валентность, равную четырем. Валентные электроны в этих атомах находятся в sp3- гибридном состоянии. До недавнего времени считалось, что не может у существовать соединений, в которых атомы кремния имели бы sp и (или) sp гибридизацию.

В Периодической таблице Д.И. Менделеева кремний и углерод расположены в одной группе и являются ближайшими соседями. Казалось бы, что их свойства должны быть похожими. Как же объяснить такое различие в способностях атомов кремния и углерода образовывать химические связи?

Как уже отмечалось выше, атом кремния и атом углерода, имеют по четыре валентных электрона и электронную конфигурацию внешних элек

2 2 2 2 тронной оболочки 3s р и 2s р , соответственно. Однако, в атомах кремния Зр- орбитали являются более вытянутыми, чем 2р орбитали в атомах углерода. В силу этого в обычных условиях при образовании молекул перекрытие Зр- орбиталей в кремнии мало, п- связь слабая и, следовательно, низка вероятность образования кратных связей типа Si=Si или Si^Si [2]. Несмотря на это, в 80-х годах сначала были теоретически предсказаны, а затем получены устойчивые при некоторых специальных условиях кремнийсодержащие соединения, такие как тетрамезитилдисилен, дисилен и дисилин с двойными кремний-кремний связями [3, 4]. Указанные соединения были синтезированы из полисиланов путем замены в них части атомов водорода фенильными, ви-нильными или алкильными заместителями. При этом главным фактором, способствующим стабилизации двойных кремниевых связей, является большой объем таких заместителей у кремния. Изменяя конфигурацию электронного облака атомов кремния, они способствуют возникновению между атомами 71- составляющей химической связи. Однако получить элементарный кремний, как кристаллический, так и аморфный, имеющий атомы, находяо щиеся не только в sp -гибридном состоянии, не удавалось [5].

Изучая влияние внешних воздействий на структуру и свойства аморфных полупроводников, в частности аморфный кремний и сплавы на его основе, мы обнаружили ряд экспериментальных фактов, которые нельзя было объяснить даже в рамках квазитетраэдрической структуры ближнего порядка аморфного кремния. Таких экспериментальных фактов за 20 - 25 лет накопилось достаточно много, поэтому перед нами встала задача более детально и всесторонне изучить структуру ближнего порядка и свойства аморфного кремния, изменение их под действием внешних воздействий, таких как высокотемпературный отжиг и облучение ионами, метода и условий получения. А также ответить на вопрос может ли кремний подобно углероду иметь несколько аллотропных форм.

Научная новизна. Выполняя комплексное изучение свойств аморфного кремния, полученного различными методами мы обнаружили, что отжиг пленок аморфного гидрогенизированного кремния при 500 °С ведет к уменьшению первого координационного числа к\ почти до 2 и увеличение валентного угла до 180°. Это означает, что, в среднем, каждый атом кремния имеет теперь не четыре, а только два соседних атома кремния, расположенных на одной прямой, то есть случайная сетка формируется из линейных цепочек атомов. В пользу цепного строения кремния говорило и уменьшение второго координационного числа почти вдвое. Поскольку атом кремния является четырехвалентным, он должен иметь при этом кратные кремний-кремний связи, связи типа Si-H, либо оборванные связи. В ходе наших исследований мы показали, что более вероятным является образование линейных кумуленовых (^Si Si=Si=Si=)n или полииновых (-Si=Si-Siz£i-)n кремниевых цепочек. Значение к\, несколько большее 2, свидетельствует о том, что часть атомов кремния в случайной сетке имеет трех соседей. Эти атомы, как мостики, соединяют линейные цепочки в случайную единую сетку.

Мы показали также, что отжиг безводородного аморфного кремния при определенных условиях тоже приводит к снижению первого координационного числа и росту валентного утла. Однако изменения параметров ближнего порядка в этом случае значительно слабее и полученная новая структура ближнего порядка элементарного кремния отличается как от тетраэдрической, так и от линейной структуры. Как показали результаты проведенных нами экспериментов и теоретических расчетов, атомы кремния в данном случае имели Бр2- гибридизированные орбитали.

Изучая закономерности изменения распределения плотности электронных состояний в валентной зоне аморфного кремния при внешних воздействиях, мы получили также необходимые подтверждения изменения электронного строения химической связи кремниевых атомов при описанных выше структурных модификациях исследуемого материала.

Расширив круг используемых методов получения исходных пленок аморфного кремния, используя методы, позволяющие контролируемо изменять их свойства, например метод ионной имплантации, и привлекая самые современные методы исследования свойств материалов, мы установили условия, необходимые для того, чтобы при отжиге аморфного кремния получались новые аллотропные формы элементарного кремния.

Проведенные нами неэмпирические квантово-химические расчеты кремниевых кластеров впервые показали, что с теоретической точки зрения также допустимо существование устойчивых линейных и цепочечных структур из кремниевых атомов. Примечательно, что полученные из этих расчетов данные хорошо совпадают с обнаруженными нами экспериментально. Это позволило нам не только объяснить полученные нами экспериментальные факты, но и впервые предложить возможные структуры новых аллотропных форм элементарного кремния.

Таким образом, исходя из проведенных нами расчетов, хорошо согласующихся с экспериментами, в данной работе мы впервые показали, что в природе не существует принципиальных ограничений для существования форм кремния с отличной от алмаза структурой. Нами впервые, также, были получены некоторые аллотропные формы элементарного кремния в виде тонких аморфных пленок и изучены некоторые их физические, электрофизические и оптические свойства.

Научная и практическая ценность. Полученные в работе результаты имеют большое значение в научном и прикладном плане. Так установление того факта, что кремний может иметь не только известную структуру алмаза, но и другие новые аллотропные формы имеет большое значение для фундаментальной науки, указывая на неполноту наших знаний, казалось бы, о таком простом и изученном веществе как кремний. К сожалению, в настоящее время новые формы кремния получены только в виде тонких аморфных пленок, и поэтому еще рано говорить о возможных их практических применениях. Однако если удастся получить микрокристаллы таких материалов, то уже сейчас можно с большой уверенностью сказать, что они будут обладать уникальными свойствами. В частности, ожидается, что новый материал должен обладать высокой подвижностью носителей заряда и механической прочностью.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Элементарный кремний подобно углероду имеет несколько аллотропных форм, отличающихся типом гибридизации орбиталей валентных электронов атомов кремния;

2. В термодинамически равновесных условиях вырастить слои кремния с не-тетраэдрической атомной структурой не представляется возможным. Поэтому чтобы получить кремний в новой аллотропной форме необходимо сначала приготовить кремниевые слои, имеющие тетраэдрическую структуру, а затем, используя внешние воздействия, например, высокотемпературный отжиг или метод ионной имплантации, осуществить необходимые структурные преобразования. В качестве исходных пленок могут использоваться как пленки аморфного гидрогенизированного кремния, так и безводородного кремния;

3. Отжиг при »500 °С аморфного гидрогенизированного кремния приводит к образованию новой аллотропной формы кремния - силицин, который состоит из линейных цепочек кремниевых атомов в яр- гибридном состоял нии. Часть атомов кремния имеет зр - гибридизированные орбитали валентных электронов и обеспечивает формирование объемной непрерывной сетки нового вещества;

4. Облучение кристаллического кремния сверхбольшими дозами ионов инертного газа или отжиг при «500 °С безводородного аморфного кремния ведут к формированию новой аллотропной формы кремния, состоящей из атомов кремния с sp2- гибридизированными орбиталями валентных электронов. При этом в первом случае возникает объемная непрерывная сетка, а во втором - из-за высокой концентрации атомов неона в облученном слое образуется структура, состоящая из чередующихся слоев кремния и неона;

5. В аморфном состоянии все обнаруженные нами новые аллотропные формы кремния ведут себя как полупроводники с шириной запрещенной зоны немного меньшей, чем у аморфной пленки кремния, из которой они получены;

6. Высокая (>210 см") концентрация неспаренных спинов электронов, локализованных на оборванных связях sp2- гибридизированных атомов кремния, ответственна за магнитное упорядочение ферромагнитного типа в кремнии, облученном сверхбольшой дозой неона;

7. Реструктуризация аморфного кремния с тетраэдрической структурой ближнего порядка в новую аллотропную форму при отжиге и облучении ионами происходит лишь в присутствии высокой концентрации оборванных связей. При этом исходная пленка должна иметь наноразмерные структурные неоднородности, а концентрация кислорода в них не должна превышать 0.2 ат.%.

Подтверждением новизны и значимости результатов проведенных исследований, наряду с большим количеством публикаций в центральной печати и докладов на всероссийских и международных конференциях, является также опубликование Американским институтом физики (American Institute of Physics) в сентябре 1998 года бюллетеня [6] с сообщением об открытии учеными-физиками Нижегородского университета силицина - новой алло

14 тропной формы кремния, а также признание научно-исследовательской работы "Силиции", выполняемой учеными из ННГУ, полуфиналистом в конкурсе th •

10 Annual Discover Magazine Awards for Technological Innovation", проводимом в 1999 году американским фондом "Christopher Columbus Foundation".

Результаты исследований, полученные в данной работе, использовались при чтении лекций и проведении лабораторных работ для студентов физического факультета Нижегородского госуниверситета при подготовке бакалавров и магистров по специальностям "Физика", "Микроэлектроника", "Физика и технология материалов и компонент электронной техники". В частности, часть изложенного в диссертации материала вошла в курсы лекций: "Физика твердого тела", "Кристаллография", "Физика аморфных полупроводников", "Физико-химические основы технологии интегральных схем" и "Физические принципы оптической обработки и передачи информации". Некоторые полученные нами научные достижения были использованы при написании учебника для студентов физических факультетов высших учебных заведений "Кристаллография" (авторы Е.В. Чупрунов, А.Ф. Хохлов и М.А. Фаддеев), который планируется издать в 2000 году.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

Представленные выше результаты экспериментов и теоретических расчетов свидетельствуют о том, что в целом поставленные задачи нами решены и на основании результатов всей проделанной работы можно сделать следующие основные выводы:

1. Элементарный кремний подобно углероду имеет несколько аллотропных форм. В частности нами установлено, что отжиг при «500 °С аморфного гидрогенизированного кремния, сильно насыщенного водородом, ведет к формированию нового материала, случайная сетка которого формируется не из тетраэдров, а из линейных цепочек атомов. Такой материал является кремниевым аналогом карбина - линейной аллотропной формы углерода, и назван нами силицином. С другой стороны отжиг безводородного аморфного кремния при «500 °С или облучение кристаллического кремния сверхбольшой дозой ионов инертного газа ведут к образованию аморфных слоев кремния с атомами в Бр - гибридном состоянии. Все полученные на сегодняшний день новые аллотропные формы кремния имеют аморфную структуру;

2. С энергетической точки зрения обнаруженные нами новые аллотропные формы кремния не могут быть выращены в термодинамически равновесных условиях. В наших случаях формирование кремниевых мультисвязей происходило лишь при отжиге при температурах, близких к температуре рекристаллизации, или облучении сверхбольшими дозами ионов инертного газа уже напыленных пленок аморфного кремния, отвечающих определенным требованиям;

3. В качестве исходных пленок для получения аллотропных форм кремния могут использоваться как пленки аморфного гидрогенизированного кремния, так и безводородного кремния. При этом, на момент формирования новой структуры кремния исходные пленки должны иметь высокую (>

18 3

10 см") концентрацию оборванных связей, наноразмерные структурные неоднородности и не должны содержать посторонние примеси. Так независимо от метода получения исходных пленок кремния наличие кислорода в них является основным препятствующим фактором для формирования кремниевых мультисвязей. Предельно допустимая концентрация кислорода в исходных пленках составляет величину ~ 0.2 ат.%. Другие параметры исходных пленок аморфного кремния изменяют параметры или вид необходимых внешних воздействий или немного корректируют параметры структуры ближнего порядка новой аллотропной формы кремния;

4. Силицин является новой аллотропной формой кремния, состоящей из линейных цепочек атомов. Он имеет кратные кремний-кремниевые связи, образованные за счет перекрывания $р гибридизированных (а- связь) и р негибридизированных (тс- связь) орбиталей. При этом возможно образование линейных кумуленовых (=57 -57 =57 =57=)п или полииновых (-57=57-57=б7-)п кремниевых цепочек. Согласно теоретическим расчетам полииновые цепочки являются предпочтительными. Часть атомов в

2 3 полученном нами аморфном материале находится в $р - или ьр -гибридном состоянии. В силу этого либо линейные цепочки атомов испытывают изломы примерно через 5-10 атомов. Эти изломы носят более или менее регулярный характер. Атомы кремния, находящиеся на таких изломах имеют одну или две лишние связи, которые они могут использовать для формирования объемной непрерывной неупорядоченной сетки. Либо атомы кремния, находящиеся в яр- гибридном состоянии, образуют отдельные включения в виде нанокристаллитов, которые находятся в матрице аморфного кремния с тетраэдрическим расположением атомов. Размеры нанокристаллов должны быть небольшими (-15-20 А), их концентрация - высокой (они должны занимать « 80% объема пленки), а ориентация - произвольной;

5. Аморфный силицин является полупроводником с шириной запрещенной зоны « 1.6 эВ. Механизм проводимости вблизи комнатной температуры -прыжковый, а а3оо~ Ю"8 Ом"1 см"1. Плотность делокализованных состояний вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны в таком материале линейно зависит от энергии. А дефекты создают в запрещенной зоне локализованные состояния, расположенные на расстоянии « 0.25 эВ от уровня Ферми.

Плотность аморфного силицина составляет величину ~ 2.14 г/см3. Его микротвердость выше, чем микротвердость аморфного гидрогенизиро-ванного кремния, имеющего тетраэдрическую структуру, и кристаллического кремния. Значение коэффициента трения сравнимо с коэффициентом трения аморфного кремния и примерно на 1 % ниже, чем у кристаллического кремния;

6. В результате отжига при »500 °С безводородного аморфного кремния 2 формируется новая аллотропная форма кремния с атомами в яр - гибридном состоянии. Новый материал является аморфным и представляет собой объемную непрерывную сетку из атомов кремния. Малая часть атомов находится в другом гибридном состоянии. В тоже время материал, полученный путем облучения монокристаллического кремния сверхвысокой дозой ионов неона, представляет собой клатратное соединение кремний-неон. Это плоскостная структура наподобие графитовых интеркалатов, в которых атомы инертного газа заполняют пустоты между плоскостями кремния. Атомы кремния имеют яр - тип гибридизации валентных электронов. Внутри плоскостей существует только ближний порядок в расположении кремниевых атомов, а между плоскостями действуют силы Ван-дер-Ваальса;

7. Часть облученного слоя кремния, состоящая из чередующихся слоев кремния и неона, проявляет свойства полупроводника с шириной запрещенной зоны «1.3 эВ. Уровень Ферми расположен вблизи середины запрещенной зоны. Независимо от типа проводимости исходного материала и энергии ионов слоистая структура облученного материала при комнатной температуре имеет дырочный механизм проводимости и осуществляется носителями, возбужденными в нелокализованные состояния. Проводимость вблизи комнатной температуры составляет величину ~ 10"2 Ом"

1 1 21 3 см" . Кремниевые слои имеют высокую ~ 10 см" концентрацию оборванных связей и при температурах ниже 140 К наблюдается ферромагнитное упорядочение спинов локализованных на них электронов; 8. Аморфный материал, полученный после отжига аморфного кремния, напыленного методом сублимации в вакууме, также является полупроводником. Согласно электрофизическим и оптическим измерениям ширина запрещенной зоны составляет величину ~ 1.15 эВ. Проводимость вблизи комнатной температуры осуществляется носителями по локализованным состояниям в хвостах зон и носит прыжковый характер. Величина прово

7 11 димости - ~ 10"' Ом" см" . Электроны, локализованные на оборванных связях атомов кремния в sp2- гибридном состоянии, дают линию поглощения ЭПР с g- фактором 2.0047 и отвечают за пик плотности состояний шириной » 0.05 эВ вблизи середины запрещенной зоны полупроводника;

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному консультанту действительному члену РАЕН профессору Хохлову А.Ф. за постоянный интерес к работе, полезные дискуссии и другую помощь в работе; доцентам Ершову A.B. и Павлову Д.А., профессору A.A. Ежевскому, зав. лаб. НИФТИ Шенгурову В.Г., а также другим сотрудникам кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, физического факультета и НИФТИ за помощь в проведении ряда экспериментов и плодотворные дискуссии при обсуждении результатов работы; с.н.с. НИИХ Разуваеву А.Г. и ст. преподавателю кафедры спектроскопии Игнатову С.К. за помощь в проведении квантово-химических расчетов.

1. Физическая энциклопедия, М., Научное издание "Большая Российская энциклопедия" / (1988-1998).- Т. 1-5.

2. Albright Т.А., Burdett G.K., Whangbo М.Н. Orbital interaction in chemistry / NY: Wiley-Intersince, 1984,- 447 P.

3. Разуваев Г.А., Бревнова Т.Н., Семенов В.В. Реакции окислительного расщепления связи кремний-кремний // Успехи химии.- 1986.- Т. LV.- С. 10961123.

4. West R., Fink М.J., Michl J. Tetramesityldisilene, a stable compound containing a silicon-silicon double bond // Science.- 1981.- V. 214, № 4527,- P. 1343-1344.

5. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел / М.: Высшая школа.- 1980.- 328 С.

6. Phillip F. Schewe and Ben Stein. Silicyne, a new form of silicon, Physics News Update, The American Institute of Physics Bulletin of Physics News, Number 388 (Story #3), September 3 (1998)

7. Аппен A.A. Химия стекла. / Л.: Химия,- 1974.- 351 С.

8. Uhlmann D.R. Microstructure of glasses: does it really matter? // J. Non-Cryst. Sol.- 1982.- V. 49.-P. 439-480.

9. Займан Дж. Модели беспорядка: Пер. с англ. / М.: Мир.- 1982,- 592 С.

10. Аморфные полупроводники и их применение: Пер. с англ. / Под ред. Й. Хамакавы.- М: Металлургия.- 1986.- 376 С.

11. Попов А.И. Различные уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников. // Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 1998.- С. 14.

12. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / Под ред., Дж. Джо-унопулоса и Дж. Люковски.- Пер. с англ. М: Мир.- 1988.- Вып. 2.- 448 С.

13. Moss S.C., Graczyk J.F. // Proc. 10th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Cambridge, Mass. (ed. S. P. Keller, J.C. Hensel, F. Stern), United States Atomic Energy Commission, Washington, D.C., 1970.- P. 658.

14. Turnbull D., Polk D.E. // J. Non-Cryst. Solids.- 1972.- V. 8-10.- P. 19.

15. Cargill III G.S. // Sol. St. Phys.- 1975.- V. 30.- P. 227.

16. Wright A.C., Leadbetter A.J. // Phys. Chem. Glasses.- 1976.- V. 17,- P. 122.

17. Аморфные полупроводники: Пер. с англ. / Под ред. М. Бродски.- М.: Мир.- 1982.- 420 С.

18. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах / В 2-х томах.- Пер. с англ. М.: Мир.- 1982.- 663 С.

19. Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под. ред. Джоунопу-лоса Дж., Люковски Дж,- Пер. с англ. М.: Мир.- 1988.- выпуск 1.- 363 С.

20. Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. X. Фрицше.-Пер. с англ. М.: Мир.- 1991,- 542 С.

21. Kugler S., Pusztai L., Rosta L. et al. Structure of evaporated pure amorphous silicon: Neutron-diffraction and reverse Monte Carlo investigations // Phys. Rev. В.- 1993.- V. 48.- P. 7685-7688.

22. Allen F.H., Kennard O., Taylor R. // Acc. Chem. Res.- 1983.- V. 16,- P. 146.

23. Madan A., Lecomber P.G., Spear W.E. Investigation of the Density of Localized States in a-Si Using the Field Effect Technique. // J. Non-Cryst. Solids.-1976.-V. 20.-P. 239-257.

24. Brodsky M.H., Kaplan D. Hydrogenation and the Density of Defect States in Amorphous Silicon. //J. Non-Cryst. Solids.- 1979.- V. 32.- P. 431 435.

25. Hasegawa S., Yazaki S., Shimizu T. Effect of Annealing on Gap States in Amorphous Si Films. // Sol. St. Commun.- 1978.- V. 26.- P. 407 410.

26. Postol T.A., Falco Charles M., Kampwirth R.T. et al. Structure of Amorphous Silicon and Silicon Hybrides. // Phys. Rev. Let.- 1980.- V. 45.- P. 648 652.

27. Brodsky M.H. Plasma Preparations of Amorphous Silicon Films. // Thin Solid Films.- 1978.- V. 50.-P. 57-67.

28. Lucovsky G., Nemanich R.J., Knights J.C. Structural interpretation of the vibrational spectra of a-Si:H alloys // Phys. Rev. В.- 1979.- V. 19.- P. 20642073.

29. Spear W.E., Lecomber P.G. Investigation of localized state distribution in amorphous Si films // J. Non-Cryst. Solids.- 1972.- V. 8-10.- P. 727-738.

30. Spear W.E. Doped Amorphous Semiconductors. // Adv. Phys.- 1977.- V. 26.-P. 811 -845.

31. Lecomber P.G. //J. Non-Cryst. Solids.- 1986.- V. 77 78.-P. 1081.

32. Hamakawa Y. Technical Digets of PVSEC-II. / Beijing.- 1986.- 347 P.

33. Snell A.J., MacKenzie K.D., Spear W.E., Lecomber P.G. // Appl. Phys.- 1981.-V. 24.- P. 357.

34. Graczyk J.F. Structure of glow discharge amorphous silicon // Phys. Stat. Sol.a).- 1979.-V. 55.-C. 231-242.

35. Barna A., Barna P.B., Rednoczi G., Toth L., Thomas P. A comparative study of the structure of evaporated and glow discharge silicon // Phys. Stat. Sol. (a).-1977. V.41.-P. 81-84.

36. Mosseri R., Sella C., Dixmier J. X-ray diffraction study of the effect of hydrogen atoms on the Si-Si atomic short-range order in amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1979.- V. 52.- P. 475-479.

37. Polk D.E. Structural model for amorphous silicon and germanium // J. Non-Cryst. Solids.- 1971.- V. 5.- P. 365-376.

38. Street R.A., Kakalios J., Tsai C.C., Hayes T.M. Thermal-equilibrium processes in amorphous silicon //Phys. Rev.- 1987.- V. B35.- P. 1316-1333.

39. Petrich M.A., Gleason K.K., Reimer J.A. Structure and properties of amorphous hydrogenated silicon carbide // Phys. Rev.- 1987.- V. B36.- P. 97229731.

40. Tsuji K., Minomura S. // J. de Physique.- 1981.- V. 42.- Suppl. 10.- P. C4-233.

41. Меден А., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. / М: Мир.- 1991.- 670 С.

42. Barna A., Barna P.B., Radnoczi G. et al. A comparative study of the structure of evaporated and glow discharge silicon // Phys. St. Sol.- 1977.- V. 41.- P. 8184.

43. Mosserei R., Sella C., Dixmier J. X-ray diffraction study of the effect of hydrogen atoms on the Si-Si atomic short-range order in amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1979.- V. 52.- P. 475-479.

44. Dixmier J., Derouet P., Essamet M., Laridjani M. Structural, optical and transport properties of sputtered hydrogenated amorphous silicon films in relation to Si-Hbonding configurations. // Phil. Mag. B.- 1985.- V. 52.- P. 943-954.

45. Derouet P., Laridjiani M., Essamet M. et al. // J. Non-Cryst. Sol.- 1983.- V. 5960.- P. 189.

46. Liu Z.Q., McKenzie D.R., Cockayne D.J.H., Dwarte D.M. Electron diffraction study of the structure of boron- and phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon. //Phil. Mag. B.- 1988.- V. 57.- P. 753-761.

47. Sproul A., McKenzie D.R., Cockayne D.J.H. // Phil. Mag. B.- 1986,- V. 54,- P. 113.

48. Minomura S., Tsuji K., Oyanagi H., Fujii Y. // J. Non-Cryst. Sol.- 1980,- V. 35-36.-P. 513.

49. Brodsky M.H., Title R.S., Weiser K., Pettit G.D. Structural, Opnical, and Electrical Properties of Amorphous Silicon Films. // Phys. Rev. B.- 1970.- V. 1.- P. 2632-2641.

50. Heya A., Masuda A., Matsumura H. Low-temperature cristallization of amorphous silicon using atomic hydrogen generated by cataliyic reaction on heated tungsten. // Appl. Phys. Lett.- 1999.- V. 74.- P. 2143-2145.

51. Izumi A., Matsumura H. // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V. 71.- P. 1371.

52. Matsumura H. Formation of silicon-based thin films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-V. 37.-P. 3175-3187.

53. Williamson D.L., Roorda S., Chicoine M. et al. On the nanostructure of pure amorphous silicon. // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V. 67.- P. 226-228.

54. Volkert C.A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon // J. Appl. Phys.- 1993.- V. 74.- P. 7107-7113.

55. Custer J.S. et al. Density of amorphous Si // Appl. Phys. Lett.- 1994,- V. 64.- P. 437-439.

56. Laaziri K. et al. Density of amorphous SixGej.x alloys prepared by high-energyion implantation//J. Non-Cryst. Solids.- 1995.-V. 191.-P. 193-199.

57. Laaziri K., Kycia S., Chicoine M. et al. High Resolution Radial Distribution Function of Pure Amorphous Silicon. // Phys. Rev. Letters.- 1999.- V. 82.- P. 3460-3463.

58. Хохлов А.Ф., Байер В., Павлов Д.А., Вагнер Г. Новая структура ближнего порядка аморфного гидрогенизированного кремния // Высокочистые вещества,- 1991.- № 3.- С. 79-82.

59. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Павлов Д.А., Хохлов Д.А. Возникновение двойных связей кремний-кремний в пленках a-Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. - С. 1750-1754.

60. Mott N.F. Electrons in desordered structures // Adv. Phys.- 1967.- V. 16.- N. 61.-P. 49-144.

61. Mott N.F., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors. // Phil. Mag.- 1975.- V. 32.- P. 961-996.

62. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors. // Phys. Rev. Letters.- 1975.- V. 34,- P. 963-965.

63. Карпов В.Г., Клингер М.И., Игнатьев Ф.Н. Теория низкотемпературных аномалий тепловых свойств аморфных структур. // ЖЭТФ.- 1983,- Т. 84.-С. 760-775.

64. Клингер М.И., Карпов В.Г. Автолокализация электронных пар в неупорядоченных системах. //ЖЭТФ.- 1982.- Т. 82.- С. 1681-1703.

65. Klinger M.I. Atomic quantum diffusion, tunneling states and some related phenomena in condensed systems. // Phys. Rep.- 1983.- V. 94.- P. 184-312.

66. Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем. / Под ред. В. Хейванга,- М: Мир,- 1987.- 160 С.

67. Temkin R.J., Paul W., Connell G.A.N. // Adv. Phys.- 1973,- V. 22,- P. 581.

68. Shevchik N.J., Paul W. The structure of amorphous Ge II J. Non-Cryst. Solids.-1972.- V. 8-10,- P. 381-387.

69. Shevchik N.J., Paul W. // J. Non-Cryst. Solids.- 1974.- V. 16.- P. 55.

70. Paesler M.A. et al. // Yorktown Heights.- 1974.- P. 37.

71. Mossier R., Ross R.C. Evolution of microstructure in amorphous hydrogenated silicon // J. Appl. Phys.- 1982.- V. 53.- P. 6220-6225.

72. Knights J.C., Lujan R.A. Microstructure of plasma-deposited a-Si : H films // Appl. Phys. Lett.- 1979,- V. 35.- P. 244-246.

73. Chenevas-Paule A. / In: Semiconductors and Semometals.- V. 21А/ Ed. J.I. Pankove.- Orlando: Academic Press, 1984.

74. Wiesendanger R., Rosenthaler L., Hidber H.R. et al. Hydrogenated amorphous silicon studied by scanning tunneling microscopy // J. Appl. Phys.- 1988.- V. 63.-P. 4515-4517.

75. Knights J.C. //Non-Cryst. Solids.- 1980.- V. 35-36.- P. 159.

76. Knights J.C., Lujan R.A., Rosenblum M.P. et al. Effects of inert gas dilution of silane on plasma-deposited a-Si:H films // Appl. Phys. Lett.- 1981.- V. 38.- P. 331-333.

77. Sadoc J.F., Mosseri R. //J. Physique.- 1981,- V. 42,- P. 189.1 29

78. Zumbulyadis N. 'HTSi cross-polarization dynamics in amorphous hydrogenated silicon // J. Chem. Phys.- 1987,- V. 86.- P. 1162-1166.

79. Gusel'nikov L.E., Nametkin N.S. // Chem. Rev.- 1979.- V. 79,- P. 529.

80. Bertrand G., Trinquier G., Mazerolles P.J. // Organomet. Chem. Libr.- 1981.-V. 12,-P. 1.

81. Coleman В., Jones M. // Jr. Rev. Chem. Intermed.- 1981.- V. 4.- P. 297.

82. Brook A.G., Abdesaken F., Gutekunst B. et al. // J. Chem. Soc., Chem. Commun.// 1981,- P. 191.

83. Raabe G., Michl J. Multiple Bonding to Silicon. // Chem. Rev.- 1985.- V. 85.-P. 419-509.

84. West R. // Pure Appl. Chtm.- 1982.- V. 54,- P. 1041.

85. Ishikawa M., Kumada M. // Adv. Organometal. Chem.- 1981 V. 9.- P. 51.

86. West R., Fink M.J. // VI Intern. Symp. on Organosilicon Chemistry. Abstracts. Budapest.- 1981.-P. 122.

87. Roark D.N., Peddle G.J.D. // J. Amer. Chem. Soc.- 1972.- V. 94,- P. 5837.

88. Gusel'nikov L.E., Nametkin N.S. // Chem. Rev.- 1979,- V. 79,- P. 529.

89. Nacadaira Y., Kobayashi T., Otsuka T., Sakurai H. // J. Amer. Chem. Soc.-1979.-V. 101,-P. 486.

90. Sakurai H., Nakadaira Y., Sakabe H. // Organometallics.- 1983.- V. 2.- P. 1484.

91. Marchand A., Gerval P., Duboudin F. et al. Mise en evidence de la formation de R2M=MR2 a partir de disila-1,2 et digerma-1,2 cyclohexenes-4. // J. Or-ganometallic Chem.- 1984.- V. 267.- P. 93-106.

92. West R. Chemie der Silicium-Silicium-Doppelbindung. // Angew. Chem.-1987.- V. 99.-P. 1231-1336.

93. Janoschek R. Kohlenstoff und Silicium wie verschieden können homologe Elemente sein? // Chem. Zeit.- 1988.- P. 128-138.

94. Masamune S., Murakami S., Snow J.T. et al. // Organometallics.- 1983.- V. 2.-P. 1464.

95. Fink M.J., Michalczyk M.J., Haller K.J. et al. // Chem. Communs.- 1983.- P. 1010.

96. Fink M.J., Michalczyr M.J., Haller K.J., West R., Michl J. // Organometallics.-1984.-V. 3.-P. 793.

97. Zilm K.W., Grant D.M., Michl J. et al. // Organometallics.- 1983.- V. 2.- P. 193.

98. Snyder L.C., Wasserman Z.R., Moskowitz J.W. // Int. J. Quantum Chem.-1982.-V. 21.- P. 565-579.

99. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. / A.JT. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, X. Барч.- Новосибирск: Наука. Сибирское отделение.- 1991.- 149 С.

100. Bicknell R.W. The distribution of condensed defect structures formed in annealed boron-implanted silicon // Proc. Roy. Soc. A.- 1969.- V. 311.- P. 7578.

101. Nes E., Washburn J. Radiation-induced precipitation in silicon during highvoltage electron microscope observation // J. Appl. Phys.- 1971.- V. 42.- P. 3559-3561.

102. Madden P.K., Davidson S.M. The nature of rod-like defects observed in boron irradiated silicon // Rad. Eff.- 1972.- V. 14,- P. 271-273.

103. Wu W.K., Washburn J. Rod-like defects in ion implanted silicon // Cryst. Latt. Defects.- 1977,- V. 7.- P. 39-43.

104. Aseev A.L., Astakhov V.M., Pchelyakov O.P. et al. Electron beam induced changes of the real structure of semiconductors // Cryst. Res. Technol.- 1979.-V. 14.- P. 1405-1411.

105. Астахов B.M., Асеев А.Л., Пчеляков О.П. и др. Дефекты в полупроводниковых кристаллах при облучении высокоэнергетическими электронами // Изв. АН СССР. Сер. физ,- 1980.- Т. 44.- С. 1242-1246.

106. Komarov F.F., Kuryazov V.D., Solovev V.S., Shiryaev S.Yu. Investigation of defect formation in boron ion-implanted silicon during annealing // Phys. Stat. Sol. (a).- 1981,- V. 68.- P. 519-529.

107. Хорнстра Дж. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников.- М: Мир.- 1969.- С. 15-37.

108. Salisbury L.G., Loretto М.Н. {113}- loops in electron-irradiated silicon // Phil. Mag. A.- 1979,- V. 39.- P. 317-323.

109. Salisbury L.G. The nature and origin of {113} faults in irradiated silicon and germanium // J. Microscopy.- 1980.- V. 118.- P. 75-81.

110. Nandedkar A.S., Narayan J. Atomic structure of dislocation and dipoles in silicon // Phil. Mag. A.- 1987,- V. 56.- P. 625-639.

111. Lee Y.H. Silicon di-interstitial in ion-implanted silicon // Appl. Phys. Lett.-1998,-V. 73.-P. 1119-1121.

112. Ishimura M., Harada S., Motooka T. Transmission electron microscopy studies of crystal-to-amorphous transition in ion implanted silicon // J. Appl. Phys.- 1997.-V. 81.-Issue 3,- P. 1126-1130.

113. Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.Y. Ion-induced defects in semiconductors // Nucl. Instr. Methods.- 1981,- V. 182/183.- P. 457-476.

114. Tan T.Y. Dislocation nucleation models from point defect condensations in silicon and germanium // Defects in Semicond.- N.Y., 1981.- P. 163-172.

115. Bartsch H., Hoechl D., Kastner G. Radiation-induced rod-like defects in silicon and germanium // Phys. Stat. Sol. (a).- 1984,- V. 83.- P. 543-551.

116. Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early stage of oxygen segregation and precipitation in silicon // J. Appl. Phys.- 1984.- V. 55.- P. 825-836.

117. Bender H. Investigation of the oxygen-related lattice defects in Czochralski silicon by means of electron microscopy techniques // Phys. Stat. Sol. (a).-1984,-V. 86.-P. 245-261.

118. Bourret A. Defect induced by oxygen precipitation in silicon: A new hypothesis involving hexagonal silicon // Proc. 5-th Oxford Conf. Microscopy of Semicond.- L., 1987.- V. 87,- P. 39-48.

119. Pasemann M., Hoehl D., Aseev A.L., Pchelyakov O.P. Analysis of rod-like defects in silicon and germanium by means of high-resolution electron microscopy // Phys. Stat. Sol. (a).- 1983.- V. 80.- P. 135-139.

120. Bender H., Vanhellemont J. Rod-like defects in silicon: Coesite or hexagonal silicon? // Phys. Stat. Sol. (a).- 1988,- V. 107,- P. 851-866.

121. Stolk P.A., Gossmann H.-J., Eaglesham D.J., Poate J.M. Trap-limited interstitial diffusion and enhanced boron clustering in silicon // Appl. Phys. Lett.-1995.- V. 66,- Issue 5.- P. 568-570.

122. Stolk P.A., Gossmann H.-J., Eaglesham D.J., Poate J.M. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Sect. B.- 1995.- V. 96.- P. 187.

123. Kim J., Wilkins J.W., Khan F.S., Canning A. Extended Si {311} defects // Phys. Rev. B.- 1997.- V. 55.- P. 16186-16197.

124. Takeda S., Kohyama M., Ibe K. // Philos. Mag. A.- 1994,- V. 70.- P. 287.

125. Kohyama M., Takeda S. Tight-binding study of the {113} planar interstitial defects in Si//Phys. Rev. B.- 1995.-V. 51.-P. 13111-13116.

126. Eaglesham D.J., Stork P.A., Gossmann H.J., Poate J.M. Implantation and transient B diffusion in Si: The source of the interstitials // Appl. Phys. Lett.-1994,- V. 65.- Issue 18,- P. 2305-2307.

127. Agarawl A., Haynes T.E., Eaglesham D.J. et al. Interstitial defects in silicon from 1-5 keV Si+ ion implantation // Appl. Phys. Lett.- 1997,- V. 70.- Issue 25.-P. 3332-3334.

128. Li J., Jones K.S. {311} defects in silicon: The source of the loops // Appl. Phys. Lett.- 1998,- V. 73,- P. 3748-3750.

129. Raman R., Law M.E., Krishnamoorthy V. and Jones K.S. Effect of the end-of-range loop layer depth on the evolution of {311} defects // Appl. Phys. Lett.- 1999,- V. 74,- P. 700-702.

130. Galvani E., Onida G., Serra S. et al. First Principles Study of a New Large-Gap Nanoporous Silicon Crystal: Hex-Si4o // Phys. Rev. Letters.- 1996.- V. 77,-P. 3573-3576.

131. Benedek G., Galvani E., Sanguinetti S. Serra S. // Chem. Phys. Lett.- 1995.-V. 244.- P. 339.

132. StumpfR., Scheffler M. // Comput. Phys. Commun.- 1994,- V. 79,- P. 447.

133. Saito S., Oshiyama A. Electronic structure of Si46 and Na2Ba6Si46 // Phys. Rev. B.- 1995.- V. 51.- P. 2628-2631.

134. Adams G.B., Keefe O., Demkov A.A. et al. Wide-band-gap Si in open fourfold-coordinated clathrate structures // Phys. Rev. B.- 1994.- V. 49.- P. 80488053.

135. Cardillo M.J., Becker G.E. Difraction of He at the reconsructed Si (100) sur-fase//Phys. Rev. B.- 1980.-V. 21.-P. 1497-1510.

136. Poppendieck T.D., Gnoc T.C., Webb M.B. // Surf. Sei.- 1978.- V. 75.- P. 287.

137. Schlier R.E., Farnsworth H.E., in Semiconductor Surface Physics, edited by R.H. Kingston, Univ. of Pennsylvania Press, Philadelphia.- 1957

138. Green M., Seiwatz R. Model for the (100) surfaces of silicon and germanium //J. Chem. Phys.- 1962.- V. 37.- P. 458-459.

139. Levine J.D. // Surf. Sei.- 1973.- V. 34.- P. 473.

140. Phillips J.C. // Surf. Sei.- 1973.- V. 40.- P. 459.

141. Chadi D.J. // J. Vac. Sei. Technol.- 1979.- V. 16,- P. 1290.

142. Hitosugi Taro, Heike S., Onogi T. et al. Jahn-Teller Distortion in DanglingBond Linear Chains Fabricated on a Hydrogen-Terminated £z(100)- 2*1 Surface // Phys. Rev. Lett.- 1999,- V. 82,- P. 4034-4037.

143. Harrison W.A. Surface reconsruction on semiconducters // Surf. Sei.- 1976.-V. 55,-P. 1-19.

144. Northrup J. Dimer-plus-Chain Structure for the Si (100) c(4*2) Surface // Phys. Rev. Lett.- 1985.- V. 54.- P. 815-818.

145. Schlier R.E., Farnsworth H.E. // J. Chem. Phys.- 1959.- V. 30.- P. 917.

146. Chadi D.J. Atomic and Electronic Structures of Reconstructed 5/(100) Surfaces // Phys. Rev. Lett.- 1979,- V. 43.- P. 43-47.

147. Appelbaum J.A., Hamman D.R. Theory of reconstruction induced subsurface strain-application to Si (100) H Surf. Sei.- 1978.- V. 74.- P. 21-33.

148. Tromp R.M., Hamers R.J., Demuth J.E. Si(011) Dimer Structure Observed with Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. Lett.- 1985.- V. 55.- P. 1303-1306.

149. Boland J.J. Evidence of pairing and its role in the recombinative desorption of hydrogen from the Si(100)-2 x 1 surface // Phys. Rev. Lett.- 1991.- V. 67.- P. 1539-1542.

150. Hitosugi T. et al. Scanning Tunneling Spectroscopy of Dangling-Bond Wires Fabricated on the Si(100)-2 x l-H Surface // Jpn. Appl. Phys.- 1997.- V. 36.-P. L361-L364.

151. Pandey K.C. // in Proc. of the Seventeenth Int. Conf. On the Phys. Of Semicond., edited by D.J. Chadi and W.A. Harrison (Springer-Verlag, New-York, 1985).-P. 55.

152. Stafstrom S., Chao K.A. // Phys. Rev. B.- 1984.- V. 29.- P. 7010.

153. Langer J.J., Gobeli G.W., Morrison J. // J. Appl. Phys.- 1963.- V. 34.- P. 2298.

154. Pandey K.C. New n- Bonded Chain Model for Si(l ll)-(2xl) Surface // Phys. Rev. Lett.- 1981.- V. 47.- P. 1913-1917.

155. Pandey K.C. // Phys. Rev. Lett.- 1982.- V. 49.- P. 223.

156. Pashley M.D, Haberern K.W., Friday W. // J. Vac. Sci. Technol. A.- 1988.-V. 6.-P. 488.

157. Kulakov M.A. // Surf. Sci.- 1997.- V. 372.- P. L266.

158. Koike M., Einaga Y., Hirayama H. et al. Scanning tunneling microscope study of the c(lxl) ordering in the "lxl" phase on the quenched Si( 111) surface // Phys. Rev. B.- 1997.- V. 55.- P. 15444-15447.

159. Hoshino T., Kokubun K., Kumamoto K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1995.- V. 34.-P. 3346.

160. Yang Y.-N., Williams E.D. High atom density in the "1 x 1" phase and origin of the metastable reconstructions on Si(l 11) // Phys Rev. Lett.- 1994.- V. 72.-P. 1862-1865.

161. Yang Y.-N., Williams E.D. // Scanning Microsc.- 1994.- V. 8.- P. 781.

162. Yokoyama T., Tanaka H., Itoh M. et al. Scanning-tunneling-microscope observation of 2 x 1 structure on a homoepitaxially grown Si(lll) surface // Phys. Rev. B.- 1994.- V. 49.- P. 5703-5705.

163. Shigeta Y., Endo J., Maki K. Scanning-tunneling-microscopy study of surface morphology at the initial growth stage of Si on a 7 x 7 superlattice surface of Si(l 11)// Phys. Rev. B.- 1995.-V. 51.-P. 2021-2024.

164. Yang Y.-N., Williams E.D. Domain-boundary-induced metastable reconstructions during epitaxial growth of Si/Si(lll)// Phys. Rev. B.- 1995.- V. 51.- P. 13238-13243.

165. Becker R.S., Higashi G.S., Chabal Y.J. et al. Atomic-scale conversion of clean Si(lll):H-l x 1 to Si(lll)-2 x 1 by electron-stimulated desorption // Phys Rev. Lett.- 1990.- V. 65.- P. 1917-1920.

166. Becker R.S., Kiltsner T., Vickers J.S. Anomalous surface reconstruction: Observation of Si(l 11) 2 x 1 on sputtered and annealed Si(l 11) surfaces // Phys. Rev. B.- 1988.- V. 38.- P. 3537-3540.

167. Hoshino T., Kokubun K., Kumamoto K. et al. Dynamic growth steps of n x n dimer—adatom—stacking-fault domains on the quenched Si(lll) surface // Phys. Rev. B.- 1996.-V. 53.- P. 12907-12911.

168. Wentorf R.H., Kasper J.S. Two new forms of silicon // Science.- 1963.- V. 139.-P. 338-339.

169. Northrup J.E., Cohen M.L. // J. Vac. Sci. Technol.- 1982,- V. 1982,- P. 333.

170. Uhrberg R.I.G., Hansson G.V., Nicholls J.M., Flodstrom S.A. // Phys Rev. Lett.- 1982.-V. 48.- P. 1032.

171. Chadi D.J. 7i-bonded molecular and chain models for the Sz'(lll) surface // Phys. Rev. B.- 1982.- V. 26.- P. 4762-4765.

172. Ortega J., Flores F., Yeyati A.L. Electron correlation effects in the Si( 111)-7x7 surface // Phys. Rev. B.- 1998.- V. 58,- P. 4584-4588.

173. Fukuda T. Formation of ic-bond chains on solid-phase homoepitaxially grown 5/(111) surfaces // Phys. Rev. B.- 1999.- V. 59.- P. 9752-9755.

174. Ishimari M., Munetoh S., Motooka T. Molecular-dynamics studies on defect-formation processes during crystal growth of silicon from melt // Phys. Rev. В.- 1998.- V. 58.- P. 12583-12586.

175. Bernstein N., Aziz J. Amorphous-crystal interface in silicon: A tight-binding simulation // Phys. Rev. В.- 1998.- V. 58.- P. 4579-4583.

176. Luedtke W.D., Landman U. Preparation and melting of amorphous silicon by molecular-dynamics simulations // Phys. Rev. В.- 1988.- V. 37.- P. 46564663.

177. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. / М: Наука.- 1979.- 174 С.

178. Бюргер М.Дж. Фазовые переходы // Кристаллография.- 1971.- Т. 16.- С. 1084-1096.

179. Jamieson J.C. Crystal structures at high pressures of metallic modifications of silicon and germanium // Science.- 1963.- V. 139.- P. 762-764.

180. Cannon J.F. // J. Phys. Chem. Ref. Data.- 1974.- V. 3.- P. 781.

181. Машин А.И., Тетельбаум Д.И., Хохлов А.Ф. Об электропроводности кремния, аморфизованного путем ионной бомбардировки при сверхбольших дозах // ФТП. 1978. - Т. 12. - Вып. 3. - С. 438-441.

182. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Машин А.И., Хохлов А.Ф. Неоднородность аморфного слоя, полученного ионной бомбардировкой полупроводника // ФТП. 1977. - Т. 11. - Вып. 1. - С. 190-192.

183. Хохлов А.Ф., Ежевский А.А., Машин А.И., Хохлов Д.А. Новое клатрат-ное соединение SixNey// ДАН. 1994. - Т. 339. - Вып. 3. - С. 370-373.

184. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Павлов Д.А., Хохлов Д.А. Аморфный кремний с двойными ковалентными Si = Si -связями // I Российская конференция по физике полупроводников Н. Новгород, 1993. - С. 359.

185. Терехов В.А., Хохлов А.Ф., Ковалева Н.С. и др. Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего прядка в аморфных пленках гидрированного кремния // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. -Вып. 2. - С. 243-245.

186. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Хохлов Д.А. Новая аллотропная форма кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т. 67,- № 9.- С. 646-649.

187. Khokhlov A.F., Mashin A.I., Khokhlov D.A. Silicyne, a new form of silicon // Edit. Phillip F., Schewe and Ben Stein.- Physics News Update, The American Institute of Physics Bulletin of Physics News.- 3 September 1998.-Number 388 (Story #3).- P. 1.

188. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Линейная аллотропная форма аморфного кремния // Вестник ННГУ. Сер. Физика твердого тела. Н. Новгород: ННГУ, 1998.-Вып. 1.-С. 5-10.

189. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Хохлов Д.А. Силицин новая аллотропная форма кремния // Вестник Нижегородского отделения Российской академии естественных наук, Вып. 2. М.: Н. Новгород.- 1998.- С. 191-195.

190. Татаринова Л.И. Электронография аморфных веществ / М.: Наука.-1972,- 102 С.

191. Хохлов А.Ф., В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Структурная модификация в аморфном гидрогенизированном кремнии и его сплавах с германием и углеродом при отжиге // Высокочистые вещества. 1991. - № 4. - С. 183-192.

192. Beyer W. Hydrogen incorporation in amorphous silicon and processes of its release // In: Tetrahedrally Bonded Amorphous Semiconductors / Ed. Adler D. and Fritzche H., New York: Plenum Press. - 1985. - P. 129-156.

193. Гордеев B.H., Попов А.И., Филиков В.И. Структура аморфного кремния, полученного высокочастотным ионно-плазменным распылением // Неорганические материалы. 1980. - Т. 16. - Вып. 10. - С. 1733-1736.

194. Брусенцев Ф.А. Математические методы решения некоторых задач физики твердого тела и структурной химии с использованием ЭЦВМ. Киев: Наукова думка. 1973. - 239 С.

195. Солдатов Е.А., Овсецин С.И. Теоретико-информационные методы в структурном анализе кристаллов // Нижний Новгород: Изд. ННГУ. -1997.- 102 С.

196. Шеннон К.Е. Работы по теории информации и кибернетике // М.: ИЛ. -1963. 950 С.

197. Касандрова О.Н., Лебедев В.В. Обработка результатов наблюдений // М.: Наука. 1970. - 104 С.

198. Шварц К.К. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках / Рига: Зинатне.- 1986.- 232 С.

199. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников / М.-Л.: Изд-во АН СССР.- 1963.- 250 С.

200. Мотт Н.Ф. Переходы метал изолятор / Пер. с англ. М.: Мир.- 1979.-343С.

201. Мотт Н.Ф. Электроны в неупорядоченных структурах / Пер. с англ. М.: Мир.- 1969.- 172 С.

202. Joannopoulos J.D., Pollard W. Electrons and phonons in amorphous pyramidally bonded solids // Sol. St. Commun.- 1976.- V. 20.- P. 947-950.

203. Weaire D. Existence of a gap in the electronic density of states of a tetrahe-drally bonded solids of arbitrary structure. // Phys. Rev. Letters.- 1971,- V. 26.-P. 1541-1543.

204. Lloyd P. Wave propagation through an assembly of spheres. 2. The density of single-particle eigenstates. // Proc. Phys. Soc.- 1967.- V. 90.- P. 207-216.

205. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер P. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. /М.: Наука.- 1981.- 384 С.

206. Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Введение в теорию неупорядоченных систем. / М.: Наука.- 1982.- 358 С.

207. Klinger M.I. Model of electronic processes in glassy semiconductors: Correlation with structural factors. // Sol. St. Commun.- 1983.- V. 45.- P. 949-953.

208. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Линейный кремний новая аллотропная форма кремния. // Всероссийский симпозиум с участием ученых из стран СНГ "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 1998, тезисы докладов.- 1998,- С. 16.

209. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Чучмай И.А. Свойства силицина. Использование F/S- спектроскопии для измерения микротвердости. // Всероссийское совещание "Зондовая микроскопия 99", Нижний Новгород, 10-13 марта 1999, материалы совещания.- 1999.- С. 272-275.

210. Машин А.И., Хохлов А.Ф., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Разуваев

211. A.Г., Машин Н.И., Кольчугин И.В. Рентгеновская спектроскопия муль-тисвязей в аморфном кремнии и силицине. // научная конференция «Структура и свойства твердых тел», 27 28 сентября 1999, Нижний Новгород, тезисы докладов.- 1999.- С. 47-48.

212. Simunek A., Polcik M., Wiech G. Si К, Si L, and Cr К x-ray valence-band studies of bonding in chromium silicides: Experiment and theory // Phys. Rev.

213. B.- 1995.- V. 52,-P. 11865- 11871.

214. Блохин M.А. Физика рентгеновских лучей / M.: изд-во технико-теоретической литературы.- 1953.- 455 С.

215. Joannopoulos J.D. // J. Non-Cryst. Solids.- 1979.- V. 32,- P. 241.

216. Домашевская Э.П., Миттова И.Я., Пономарева Н.И. и др. Особенности термического окисления кремния в присутствии тетрахлорида германия // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1985.- № 6.- С. 138-140.

217. Ley L., Pollak R.A., Kowalczyk S.P. et al. Evidence for Covalent Bonding in Crystalline and Amorphous As, Sb, and Bi from Valence-Band Photoelectron Spectra//Phys. Rev. В.- 1973,- V. 8,- P. 641-646.

218. Терехов В.А. Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках. / докт. Дис., 1994.- Воронеж.- 278 С.

219. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. / Киев: Наукова Думка.- 1974,- 382 С.

220. Рентгеновские спектры и химическая связь. / Майзель А., Леонхард Г., Сарган Р. // / Киев: Наукова Думка,- 1980,- 420 С.

221. Рентгеновские спектры молекул. / Николаев А.В. // Новосибирск: Наука,-1977.- 331 С.

222. Мазалов Л.Н., Юматов В.Д., Мурахтанов В.В. и др. Рентгеновские спектры молекул / Новосибирск: Наука,- 1977,- 331 С.

223. Васильев Д.М. Физическая кристаллография / М.: Металлургия,- 1981,256 С.

224. Сладков А. М. Полисопряженные полимеры. М.: Наука.- 1989.- 253 С.

225. Lischka Н., Kohler H.-J. // J. Am. Chem. Soc.- 1983.- V. 105, № 22.- P. 6646-6649.

226. Fournier R., Sinnott S. В., DePristo A. E. Density functional study of the bonding in small silicon clusters // J. Chem. Phys.- 1992.- V. 97, № 6.- P. 4149-4161.

227. Rittby C.M.L. An ab initio study of the structure and infrared spectrum of Si2C3 // J. Chem. Phys.- 1994.- V. 100, № 1.- P. 175-180.

228. Froudakis G., Zdetsis A., Miihlhauser M., Engels В., Peyerimhoff S.D. A comparative ab initio study of the Si2C4, Si3C3, and Si4C2 clusters // J. Chem. Phys.- 1994.- V. 101, № 8,- P. 6790-6799.

229. Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A., Elbert S.T., Gordon M.S., Jensen J.H., Koseki S., Matsunaga N., Nguyen K.A., Su S.J., Windus T.L., together with Dupuis M., Montgomery J.A. // J. Comput. Chem.- 1993,- V. 14, № 8.-P. 1347-1348.

230. Эварестов P. A. Квантово-химические методы в теории твердого тела / Ленинград: ЛГУ.- 1982,- 279 С.

231. Кубо Р. Статистическая механика / М.: Мир.- 1967.- 452 С.

232. Удод И.А., Булычев Б.М., Бабаев В.Г. Модели строения карбина (линейной модификации углерода) и его интеркалированных соединений // Журнал неорганической химии.- 1997.- Т. 42.- С. 521-528.

233. Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В., Хохлов А.Ф. // ФТП,-1995.- Т. 29.- С. 286.

234. Хохлов Д.А., Павлов Д.А., Машин А.И. Структурные изменения в безводородном аморфном кремнии при отжиге // Тез. докл. Всерос. конф. "XVI научные чтения им. Н.В. Белова", 15-16 декабря 1997 г., Н. Новгород.- 1997.- С. 136-138.

235. Машин А.И., Хохлов А.Ф. Мультисвязи в безводородном аморфном кремнии // ФТП.- 1999,- Т. 33,- С. 1001-1004.

236. Nobuhiko Ishii, Minoru Kumeda and Tatsuo Shimizu. The g-Values of Defects in Amorphous C, Si and Ge // Jap. Journ. Appl. Phys.- 1981.- V. 20.- № 9.- L673 L676.

237. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A. // Radiation Effects.- 1980,- V. 46, № 1-2.-P. 129.

238. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном большими дозами ионов инертных газов // Тез. докл. Всесоюзной конф. "Радиационные дефекты в твердых телах", Ашхабад.-1977,-С. 154.

239. Горшков О.Н. Исследование радиационного повреждения полупроводников и диэлектриков в процессе ионного внедрения с использованиемхарактеристического рентгеновского излучения / Дис. на соискан. учен, ст. кандидата физ.-мат. наук, Горький, 1980.-168 С.

240. Панеш A.M. // тезисы докл. "Конкурс научных работ памяти академика Г.А. Разуваева", Н.Новгород, 1994.

241. Хохлов А.Ф., Ежевский A.A., Машин А.И., Хохлов Д.А. Магнитное упорядочение спинов оборванных связей при сверхбольших дозах облучения кремния неоном // Высокочистые вещества, 1995.- № 2.- С. 67-70.

242. Хаган М. Клатратные соединения включения / пер. с англ., М.- 1966.

243. Brodsky M.N., Kaplan D., Zeigler J.F. // Appl. Phys. Lett.- 1972.- V. 21.- P. 305.

244. Хохлов А.Ф., Сидоров В.А., Машин А.И. О чистоте легирования кремния при ионной имплантации // Труды II отрас. научно-техн. конф. молодых ученых и специалистов, М., 1980.- С. 125.

245. Muhlhauser М., Froudakis G., Zdetsis А. et al. Ab initio investigation of the stability of S13C3 clusters and their structural and bonding features // Z. Phys. D.- 1994.-V. 32,-P. 113-123.

246. Машин А.И., Хохлов А.Ф., Разуваев А.Г., Игнатов С.К., Щепалов A.A. О роли примесей в формировании силицина цепочечного кремния: теория и эксперимент//ФТП.- 1999.- Т. 33.- Вып. 10.-С. 1253-1259.

247. Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов J1.C. Исследование де-фектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР // ФТП.-1971.- Т. 5,- С. 1700-1705.

248. Карзанов В.В., Марков К.А., Зубков С.Ю. и др. Морфология поверхности кремния, облученного сверхбольшими дозами ионов аргона // Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 99", 10-13 марта Нижний Новгород.- 1999.-С. 185-189.

249. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Ионная модификация структуры и свойств аморфных полупроводников // Материалы XIV Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью 99 (ВИП-99)" , 30 августа - 3 сентября 1999, Москва.- 1999.- Т. 2, С. 10-13.

250. Кныш E.H., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров В.Г. Нанокристалли-ческий кремний, полученный методом молекулярно-лучевого осаждения. // Материалы конференции "Структура и свойства твердых тел", 27 28 сентября 1999, Нижний Новгород.- 1999.- С. 65-66.

251. Машин А.И., Хохлов А.Ф., Кольчугин И.В., Машин Н.И. Влияние ионного облучения на процесс формирования и свойства линейного аморфного кремния. // Всероссийский симпозиум с участием ученых из стран

252. СНГ "Аморфные h микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 1998, тезисы докладов,- 1998.- С. 28.

253. Машин А.И., Хохлов А.Ф. Проводимость и край поглощения аморфного силицина // ФТП.- 1999.- Т. 33.- в печати

254. Taue J., Grigorovici R., Vancu A. // Phys. Stat. Sol.- 1966.- V. 15.- P. 627.

255. Klazes R.H., Brock van der M.H.L.M., Bezemer J., Radelaar S. // Phil. Mag.-1982,- V. B25.-P. 377.

256. Быков B.A. Новые приборы и разработки в сканирующей зондовой микроскопии. Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 98" 2 - 5 марта 1998 г.- Н. Новгород: ИФМ РАН,- 1998,- С. 110.

257. Чучмай И.А., Машин А.И., Хохлов А.Ф. Морфология поверхности, микротвердость и коэффициент трения силицина. // научная конференция «Структура и свойства твердых т:ел», ,27 28 сентября 1999, Нижний Новгород, тезисы докладов.- 1999.- С. 73-75.

258. Chittick R.C., Alexander J.H., Sterling H.F. The Preparation and Properties of Amorphous Silicon//J. Electrochem. Soc.- 1969.- V. 116.- P. 77-81.

259. Walley P.A. Electrical Conduction in Amorphous Silicon and Germanium // Thin. Sol. Films.- 1968,- V. 2,- P. 327-336.

260. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Ионная модификация структуры и свойств аморфных полупроводников. // XIV Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью -99 (ВИП-99)" , 30 августа 3 сентября 1999, Москва.- 1999.- Т. 2, С. 10-13.

261. Anderson P.W. Absence of Diffusion in Certain Random Lattices // Phys. Rev.- 1958,- V. 109.-P. 1492-1505.

262. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. / М.: Наука.- 1979.- 416 С.

263. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов JI.C. О парамагнитных центрах, образующихся при облучении кремния ионами // ФТП.- 1972.Т. 6,- С. 1111-1114.

264. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Поляков С.М. О магнитном упорядочении в кремнии, аморфизованном ионной имплантацией. // ФТП.- 1978,- Т. 12.-С. 930-933.

265. Khokhlov A.F., Mashin A.I., Satanin A.M. The Dependence of Magnetic Ordering Temperature in Amorphous Semiconductors on Paramagnetic Centre Concentration. //Phys. Stat. Sol. (b).- 1981.- V. 105.- P. 129-136.

266. Хохлов А.Ф., Павлов П.В. Ферромагнетизм кремния, обусловленный радиационными дефектами // Письма ЖЭТФ.- 1976.- Т. 24.- С. 238-240.

267. Двуреченский А.В., Рязанцев И.А. Температурная зависимость сигнала ЭПР в кремнии, облученном большими дозами ионов // ФТП.- 1978,- Т. 12.-С. 1451-1452.

268. Хохлов А.Ф., Ежевский А.А., Машин А.И., Хохлов Д.А. О роли неона в образовании магнитно-упорядоченных слоев в кремнии при сверхбольших дозах облучения. //ФТП.- 1995.- Т. 29. С. 2113-2121.

269. Ершов А.В., Хохлов А.Ф., Машин А.И. Ионное легирование аморфных пленок Si\.xGex // Известия РАН. Сер. Физическая, 1999. Т. 63, N 2. - С. 278-281.

270. Ershov A.V., Khokhlov A.F., Mashin A.I. The optical properties of amorphous silicon doped with isovalent germanium impurity // Abstr. of the 14th Int. Vacuum Congress 31 Aug. 4 Sept. 1998, Birmingham UK, TFPTu. 152, P. 6.

271. Ершов A.B., Хохлов А.Ф., Машин А.И. Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe II ФТП, 1998. Т. 32, N 10.-С. 1260-1262.

272. Ершов A.B., Машин А.И., Хохлов А.Ф. Влияние ионной иплантации германия в аморфный кремний на свойства и эффективность его легирования электрически активными примесями // Высокочистые вещества.-1995.-Т. 2.-С. 35-44.

273. Валеев A.C. Определение оптических постоянных тонких слабопогло-щающих слоев // Оптика и спектроскопия.- 1963.- Т. 15.- С. 500-511.

274. Penn D.R. // Phys. Rev.- 1962.- V. 128.- P. 2093.

275. Philips J.C. Electronic structure and optical spectra of amorphous semiconductors // Phys. Stat. Sol. В.- 1971.- V. 44.- P. K1-K4.

276. Машин А.И., Хохлов А.Ф. Поведение имплантированных в аморфный кремний примесей при отжиге // IV Всесоюз. конф. по физ.-хим. основам легир. полупровод, материалов, Москва, 1979.- С. 196.

277. Машин А.И., Ершов A.B., Хохлов А.Ф. Ионно-лучевое легирование аморфных кремния и германия, полученных различными способами // Междунар. конф. "Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах", Вильнюс, 1983, тез. докл.- 1983.- С.209.

278. Машин А.И., Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Легирование аморфного кремния имплантацией фосфора// ФТП.- 1982.- Т. 16.- Вып. 3.- С. 558-559.

279. Машин А.И., Павлов П.В., Савинова E.H., Хохлов А.Ф. Влияние ионной имплантации на параметры прыжковой проводимости аморфного кремния//ФТП.- 1981.-Т. 15.-Вып. 8.- С. 1611-1613.

280. Павлов Д.А., Машин А.И., Хохлов А.Ф., Мордвинова Ю.А. Изовалент-ное легирование аморфного кремния углеродом // ФТП.- 1987.- Т. 21.-Вып. 3.-С. 531-534.303

281. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов A.B., Машин Н.И., Ларина Е. Влияние состава аморфных сплавов кремний-германий на их электрические и оптические свойства // ФТП.- 1985,- Т. 19.- Вып. 12.- С. 2204-2206.

282. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов A.B., Мордвинова Ю.А., Машин Н.И. Электрические и оптические свойства полупроводников a-Si1 Gex // ФТП.- 1986,- Т. 20.- Вып. 7.- С. 1288-1291.

283. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов A.B., Мордвинова Ю.А. Свойства аморфного кремния, легированного изовалентной примесью германия // Phys. Stat. Sol.(а).- 1986.- V. 94.- P. 379-384.

284. Хохлов А.Ф., Ершов A.B., Машин А.И., Мордвинова Ю.А. Фоточувствительность и проводимость аморфного кремния, легированного изовалентной примесью германия // ФТП.- 1987.- Т. 21.- Вып. 10.- С. 19071909.

285. Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов A.B. Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия // ФТП. 1988. - Т. 22. - Вып. 8,- С. 1511-1514.