Оптическая спектроскопия диэлектрических и полупроводниковых наночастиц тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Щ- Список сокращений.

Введение.

Глава 1. Нанокристаллические объекты

1.1. Основные способы получения нанообъектов.

1.2. Оптические спектры наночастиц и нанокристаллов.

Резюме.

Глава 2. Объекты исследования и методика эксперимента

2.1. Выбор объектов для исследования.

2.2. Применяемая экспериментальная техника.

Резюме.

Глава 3. Оптическая спектроскопия частиц с алмазоподобной структурой

3.1. Комбинационное рассеяние света в порошках алмаза субмикронных разф меров.

3.2. Особенности регистрации спектров комбинационного рассеяния света в нанокристаллических образцах.

3.3. Двухфотонно возбуждаемая люминесценция как метод исследования микрокристаллов. щ 3.3.1. Модели примесной люминесценции в люминофорах на основе

ZnS.Cu.

3.3.2. Двухфотонно возбуждаемая люминесценция в микропорошках ZnS.Cu.

3.4. Спектры КР нанокристаллических частиц с алмазоподобной решеткой.

3.4.1. Размерные эффекты в спектрах КР кристаллов со структурой алмаза.

3.4.2. Спектры комбинационного рассеяния наночастиц алмаза взрывного синтеза.

3.4.3. О моделировании спектров комбинационного рассеяния нанокри-сталлов.

3.4.4. Исследование кремния и германия, подвергнутых сильным пластическим деформациям. ф 3.4.5. К теории комбинационного рассеяния света в нанокристаллах.

3.5. Спектры фотолюминесценции ультрадисперсных алмазов.

3.5.1. Светоиндуцированные изменения в спектрах ФЛ и КР света в ультрадисперсных алмазах.

3.5.2. Спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции алмазных наночастиц.

3.6. Исследование карбонизированного пористого кремния.

3.6.1. Исследование гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si методом щ отражательной ИК спектроскопии.

3.6.2. Особенности спектров фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния.

Резюме

Глава 4. Наночастицы некоторых оксидов металлов

4.J. Оптические спектры А1203.

4.1.1. Характеризация структуры нанокристаллического оксида алюминия с помощью ИК спектроскопии.

4.1.2. Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции нанокристаллического А120^.

4.1.3. Расчет формы /?-линии спектра ФЛ иона Сг + в нанокристал-лическом Л/2<9?.

4.2. Оптические спектры различных модификаций Si02.

4.2.1. Исследование диоксида кремния методами ИК и КР спектроскопии

4.2.2. Особенности фотолюминесценция модификаций Si02.

Резюме.

Глава 5. Оптические спектры фуллеренсодержащих полимеров.

5.1. Спектры фотолюминесценции пленок звездообразных фуллеренсодержащих полистиролов.

5.2. Оптические спектры фуллеренсодержащих свободных пленок полиди-метилфениленоксида.

5.3. Структура и оптические спектры пленок С60 на подложках из термостойких полимеров.

Резюме.

Актуальность работы. В последнее десятилетие внимание многих исследователей привлекают физические и химические свойства микро- и нанокри-сталлических объектов, характерный размер которых составляет от нескольких единиц до нескольких десятков нанометров. Термодинамические, механические и оптические свойства таких объектов зависят от их размера (см., например, 112]). В частности, для планарных электронных устройств, большую роль играют нанокристаллические (НК) слои, формируемые в процессе роста кристаллов твердых растворов при нанесении пленок и покрытий, а также при проведении процессов ионной имплантации.

Показано, что малые НК частицы могут обладать физическими и химическими свойствами, существенно отличающимися от свойств соответствующих объемных кристаллов. Сообщалось, в частности, что ограничение («конфайн-мент») экситона является причиной возникновения высокой нелинейной оптической восприимчивости для легированных стекол [3], температура плавления металлических наночастиц может опускаться до комнатной температуры [4], для НК частиц можно получать особую структуру кристалла, отличающуюся от структуры объемного образца [5].

Примером практического использования квантоворазмерного эффекта являются периодические полупроводниковые гетероструктуры, в которых длина пробега основных носителей заряда превосходит период этой структуры. Уже созданы и работают высокоэффективные светоизлучающие приборы и имеются хорошие перспективы создания приемников излучения и других оптико-электронных устройств на основе наноструктур [6].

Наряду с двухмерными системами и гетероструктурами [6], в последнее время важными объектами исследований становятся одномерные структуры (квантовые проволоки) и нульмерные (квантовые точки) [7]. Нульмерные образования в виде кластеров кристаллической фазы имеют место, например, в абсорбционных светофильтрах, керамиках, минералах и других объектах.

Получение искусственных НК систем стало возможным благодаря современным достижениям как традиционной технологии (метод тонко регулируемой конденсации из газовой фазы, золь-гельная технология и другие), так и благодаря новым технологическим приемам. В частности, разработаны такие методы как: 1) направленное электрохимическое травление кремния и других полупроводниковых материалов для получения пористых образцов; 2) воздействие на металлы и полупроводники сдвиговыми деформациями в условиях квазигидростатического сжатия; 3) получение ультрадисперсных алмазных порошков методами детонационного синтеза взрывчатых веществ и другие.

Имеются две основные физические причины, приводящие к чувствительности физико-химических свойств НК объектов к размеру образующих их частиц:

1) локализация элементарных возбуждений в малом объеме;

2) влияние поверхности и интерфейса в гетерогенных системах.

Из-за локализации квазичастиц в нанокристалле может сильно измениться структура энергетических состояний, что, например, наблюдается в спектрах электронного оптического поглощения в виде размерной зависимости положения энергетических уровней [7-9]. Другим примером может служить значительное возрастание нелинейной оптической восприимчивости в системах, представляющих собой стеклянную матрицу с внедренными в нее нанокристаллами полупроводников [10]. Исследования пористого кремния, получаемого из объемного монокристалла в результате электрохимического травления, привели к обнаружению заметной фотолюминесценции в видимом диапазоне [11-12]. Поскольку использование пористого кремния и устройств на его основе представляется перспективным в практическом отношении, работы в этом направлении ведутся достаточно активно.

Для успешного исследования и применения НК объектов необходимо иметь достоверные данные о структурных особенностях таких систем. При переходе от объемного кристалла к нанокристаллам структура кристаллической решетки может измениться коренным образом. В некоторых случаях наблюдается реконструкция кристаллической решетки в приповерхностной области малой кристаллической частицы. Кроме того, возможна также перестройка структуры всего нанокристалла, вплоть до полной аморфизации вещества. Последнее обстоятельство накладывает определенные ограничения на выбор круга НК объектов, пригодных для исследования и практического применения. Наиболее подходящими в этом плане являются кристаллы, образованные за счет ковалентных связей, поэтому такие вещества в первую очередь были изучены различными исследователями и в настоящей работе.

Прогрессу в изучении физических свойств НК объектов, несомненно, способствует развитие экспериментальной техники. Это касается и методов оптической спектроскопии, используемых в данной работе. К ним относятся также методы исследования микрокристаллов на основе анализа их вторичного излучения при возбуждении лазерными источниками света (комбинационное рассеяние света - КР, однофотонно и двухфотонно возбуждаемая люминесценция).

В целом, было установлено, что различные внешние воздействия на нанок-ристаллические объекты могут вызывать в них достаточно сложные процессы, которые не проявляются в крупных кристаллах этих же веществ. Использование методов оптической спектроскопии, включая лазерные, для более полного изучения этих явлений и процессов в сочетании с современными методами интерпретации результатов представляется весьма актуальным.

В связи с этим цели и задачи работы были сформулированы следующим образом.

Цель и задачи работы.

Цель работы заключалась в исследовании оптических спектров (комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции, ИК поглощения) ряда новых материалов, физические свойства которых определяются входящими в их состав наночастицами, и установлении связи спектральных характеристик этих объектов с особенностями их структуры и происходящими в них физическими процессами.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- существенно модернизировать экспериментальные установки с подключением компьютерного управления для обеспечения регистрации оптических спектров нанообъектов при низком уровне шумов и контролируемых внешних воздействиях;

- отработать методики получения колебательных и электронных спектров нанокристаллических объектов с учетом их повышенной чувствительности к внешним воздействиям и возможности деградации, а также проанализировать возможности применения новых методик для исследования микро- и нанокристаллических материалов;

- провести анализ изменений спектральных параметров для исследуемых нанообъектов, связанных с размерными эффектами и спецификой получения, а также интерпретировать изменения в оптических спектрах по сравнению с аналогичными крупнокристаллическими объектами;

- исследовать особенности взаимодействия света с колебаниями решетки и электронными состояниями в ограниченном кристалле и провести модельные расчеты, позволяющие описывать изменения, происходящие в колебательных и электронных спектрах изучаемых нанокристаллических объектов;

- провести изучение оптических спектров нанокристаллических систем (на-нокристаллические кремний и германий, полученные в результате больших одновременных деформаций сжатия и сдвига; карбонизированный пористый кремний, фуллеренсодержащие полимеры), сформированных в результате направленного воздействия для придания определенных свойств материалам.

Научная новизиа.

1. Разработана оригинальная методика регистрации спектров комбинационного рассеяния света ультрадисперсных алмазов, полученных при взрывном синтезе. Для устранения влияния локального неоднородного нагрева образца в области фокусировки лазерного излучения была использована методика матричной изоляции наночастиц. На основании моделирования спектров показано, что ультрадисперсные порошки состоят из кристаллических частиц с размерами 4-6 нм.

2. Впервые экспериментально получены спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции нанокристаллов алмаза. Анализ спектров показывает, что они в основном согласуются с данными по примесной люминесценции азотных центров для крупнокристаллических алмазов. В то же время обнаружились определенные отличия в положении и ширине спектральных линий, которые были объяснены как следствие изменений в электрон-фононном взаимодействии внутри наночастиц.

3. Впервые обнаружено долговременное «разгорание» фотолюминесценции (ФЛ) ультрадисперсных частиц алмаза (УДА), помещенных в матрицу из КВг. При этом после непрерывного возбуждения фотолюминесценции лазерным излучением в течение нескольких часов интенсивность люминесценции увеличивалась в несколько раз. Одновременно с этим в спектре КР обнаруживалась линия алмаза; с увеличением времени лазерного облучения интенсивность этой линии возрастала. Такого рода эффект объяснен фотостимулированным фазовым переходом неалмазной фазы углерода в алмаз на поверхности наночастиц, помещенных в диэлектрическую матрицу.

4. Зарегистрированы спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции

ДВЛ) ZnS:Cu в коротковолновой области спектра при различных интенсивно} стях возбуждения. При этом двухфотонные переходы в исследуемых образцах наблюдались даже при достаточно низком уровне накачки непрерывным лазером (500 Вт/см2). Сравнительный анализ спектров ФЛ, ДВЛ и спектров возбуждения показал, что при двухфотонном поглощении имеет место активация в основном центров голубого свечения, тогда как дг-я активации центров зеленого свечения необходимо однофотонное возбуждение. Анализ всей совокупности спектральных данных, включая литературные данные, позволили дать объяснение наблюдаемым эффектам, представляя исследуемые объекты в виде гетерогенной двухфазной системы, состоящей из крупнокристаллических частиц сульфида цинка внутри образца и наночастиц сульфида меди вблизи их поверхности.

5. Обнаружено, что в результате карбонизации спектр фотолюминесценции пористого кремния (ПК) значительно модифицируется - присутствует два четких максимума при 1.9 и 2.4 эВ, а исходная для ПК низкочастотная полоса вблизи 1.7 эВ исчезает. Показано, что наблюдаемые изменения в оптических спектрах связаны с тем, что в процессе высокотемпературной карбонизации на поверхности ПК образуется слой карбида кремния. Согласно оценкам, сделанным из анализа спектров комбинационного рассеяния света, размер микрокристаллов SiC составляет ~5 нм, что подтверждается данными рентгеновской дифракции.

6. Обнаружено при исследовании кинетики фотолюминесценции, что образцы карбонизированного ПК, легированные бором, имеют аномально большое время затухания ФЛ (т~ 500 мс) в сине-зеленой области (-2.4 эВ) спектра. При этом кинетика спада интенсивности люминесценции после отключения лазерного облучения носит немонотонный характер, что объясняется образованием в процессе карбонизации и легирования значительного количества центров прилипания.

7. Исследованы спектры фотолюминесценции нанокристаллического (НК) А1203 при различных типах лазерного возбуждения. Обнаружен значительный сдвиг полосы, связанной с наличием ионов при возбуждении в различные полосы поглощения. Переход от возбуждения непрерывным лазерным излучением (А. = 532 нм) к импульсному лазерному излучению (X =337 нм) приводит к преобразованию асимметричного контура спектральной полосы в форму, близкую к гауссовой. Измерено время затухания примесной люминесценции Сг3+ для НК А/20?, которое составило 250 мкс. Результаты численного моделирования спектров НК А120з показывают изменение параметра Хуанга-Рис, характеризующего величину электрон-фононного взаимо/кйствия, при различном лазерном возбуждении.

8. Изучены оптические спектры нового киасса материалов - фуллеренсо-держащих полимеров. Основная задача состояла в получении и исследовании структуры и оптических свойств пленок Сво на подложках из различных полимеров. Определены тип и характер взаимодействия фуллеренов с полимерной подложкой.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем.

Результаты исследований могут быть использованы при создании и применении соответствующих микро- и нанокристаллических материалов.

Конкретные практически важные результаты:

1. Установлено, что интенсивность полосы может быть наиболее чувствительным параметром для контроля дисперсности частиц по спектрам КР для алмазов субмикронных размеров.

2. Показано, что использование метода матричной изоляции в бромистом калии частиц алмаза субмикронных и нанометровых размеров позволяет устранить неоднородный нагрев таких частиц и получить истинные оптические спектры. Предложенная методика открывает возможности для обнаружения алмазов ультрамалых размеров в гетерогенных системах в небольших количествах. Она может быть успешно применена и при изучении других ультрадисперсных порошков для устранения нежелательных процессов, возникающих при воздействии лазерного излучения.

3. На примере исследования люминофорной системы ZnS. Cu показана применимость двухфотонно возбуждаемой люминесценции к микро- и нанокри-сталлическим объектам. Важным для практики является то, что результаты этих исследований позволяют судить о пространственной локализации центров зеленой и синей люминесценции.

4. Стабильная фотолюминесценция карбонизированного пористого кремния может служить основой для создания светоизлучающих приборов в видимом диапазоне спектра на базе этого материа а, в которых, в частности, может быть использовано аномально высокое время затухания ФЛ, присущее карбонизированному пористому кремнию, легированному бором.

5. Фотоиндуцированные явления, связанные с модификацией поверхности под действием света (ультрадисперсный алмаз) и особенностями взаимодействия лазерного излучения с нанокристаллический системой (карбонизированный пористый кремний, нанокристаллический A12Oj), предоставляют новую информацию о свойствах нанообъектов. Эти явления следует учитывать при анализе и практическом использовании подобных материалов: в частности, при проектировании приборов на основе наноструктур.

6. Полученные для фуллеренсодержащих полимеров результаты могут служить отправной точкой для создания гетероструктур типа С60 - полимер и более сложных многослойных композиций на их основе.

Публикации и апробация работы. В ходе выполнения исследований по теме диссертации опубликованы 86 научных работ, из которых 24 статьи в центральных отечественных и зарубежных журналах.

Результаты диссертации докладывались на следующих научных конференциях:

V Всероссийской научно-технической конференции "Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства контроля качества материалов, изделий и окружающей среды" (Ульяновск, 1993); Biennial International Workshop in Russia «Fullerenes and atomic clusters»: IWFAC'95, IWFAC'99, IWFAC'2001, IWFAC'2003 (St.-Petersburg, 1995; 1999; 2001; 2003), International Workshop "Fullerenes and Atomic Clusters": IWFAC-95 (St.-Petersburg, 1995); XXI Съезде no спектроскопии (Звенигород, 1995); 2-ой Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996); Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (Новгород, 1997); Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1997); Международных конференциях «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998; 1999; 2000); Fourth International Conference on Nanostructured Materials: NANO-98 (Sweden, Stockholm, 1998); Всероссийских симпозиумах «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (С.Петербург, 1998; 2000); 5-ой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1998): 8-ом Межнациональном совещании «Радиационная физика твердого тела» (Севг.стополь, 1998); Международной конференции «Комбинационное рассеяние» (Москва, 1998); Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника-98» (Звенигород, 1998); 4-й Всероссийской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1999); Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния: «Кремний-2000» (Москва, 2000); II Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (С.-Петербург, 2000); II Всероссийском семинаре «Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии» (Саратов, 2001); Международных конференциях «Оптика, оптоэлектро-ника и технологии» (Ульяновск, 2001; 2002; 2003); Международной конференции по люминесценции, посвященной 110-летию со дня рождения акад. С.И.Вавилова (Москва, 2001); Symposium and Summer School on: Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia (Moscow, 2002); Международном симпозиуме «Детонационные наноалмазы: получение, свойства и применения»: NanoDiamond'2003 (С.-Петербург, 2003).

Результаты работы использованы при выполнении 3 грантов РФФИ, часть работы выполнена в рамках межотраслевой научно-технической программы России "Фуллерены и атомные кластеры".

Личный вклад. Автору принадлежит постановка целей и задач исследований, обоснование способов их решения, непосредственное выполнение значительной части экспериментов, расчетов, систематизация и анализ результатов. Подавляющая часть оптических экспериментов была осуществлена на кафедре оптики и спектроскопии твердого тела УлГУ. Некоторые оптики и спектроскопии твердого тела Ул ГУ. Некоторые эксперименты по изучению спектров фотолюминесценции были проведены совместно на оборудовании Оптической лаборатории им. Г.С.Ландсберга в Физическом институте им. П.Л.Лебедева РАН (г. Москва). Образцы для исследований и данные по структурным исследованиям (рентгеновской дифрактометрии, электронной микроскопии) предоставлялись сторонним л организациями или были получены коллегами при проведении совместных исследований. Ряд результатов, вошедших в диссертацию, получен в соавторстве с аспирантами (Иго А.В., Пузов И.П., Ко-жевин А.В., Орлов С.Е.) и научным консультантом Гореликом B.C., с сотрудниками других научных групп: кафедры ФиТИМ Ульяновского госуниверситета В.В. (Орлов A.M., Костишко Б.М.), Самарского госуниверситета (Атажанов Ш.Р.), Уфимского авиационного технического университета (Валиев Р.З., Ис-ламгалиев Р.К.), Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе (Бирюлин Ю.Ф.) и другими коллегами, которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Нанокристаллические материалы обладают повышенной чувствительностью к воздействию лазерного излучения, что необходимо учитывать при их исследовании и интерпретации оптических спектров. Даже для субмикронных порошков алмазов, занимающих промежуточное положение между крупными кристаллами и нанокристаллами, из-за существенного снижения теплопроводности и возрастания процессов рассеяния возникает локальный неоднородный нагрев, достигающий нескольких сотен градусов при плотностях мощности 3 кВт/см . Применение матричной изоляции наночастиц позволяет избежать нагрева и разрушения исследуемых веществ.

2. Ультрадисперсные порошки алмаза, полученные методом взрывного синтеза, состоят из кристаллических частиц алмаза, размеры которых лежат в нанометровом (4-6 нм) диапазоне. Изменения в спектрах комбинационного рассеяния могут быть интерпретированм с применением моделей, учитывающих пространственное ограничение для фононов в нанокристалле. ц 3. Наблюдение двухфотонно возбуждаемой люминесценции для образцов ультрадисперсного алмаза и люминофора на основе ZnS.Cu свидетельствует об увеличении нелинейно-оптической восприимчивости нанокристаллических образцов, обусловленной особенное ями структуры и наличием поверхностной фа

Ф зы. В спектрах двухфотонно возб: ждаемой люминесценции для ZnS. Cu двухфотонные переходы наблюдались даже при достаточно низком уровне возбуждения непрерывным лазером (500 Вт/см"), что обусловлено наличием гетерогенной двухфазной системы (крупнокристаллического сульфида цинка внутри частицы порошка и нанокристаллического сульфида меди - на поверхности) и участием в переходах уровней сульфида меди.

4. Обнаруженное долговременное (в течение нескольких часов) заметное (в несколько раз) увеличение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) частиц ультрадисперсного алмаза (УДА) в матрице из КВг при непрерывном возбуждении лазерным излучением сопровождается одновременным появлением линии

КР алмаза и ростом ее интенсивности. Предполагается, что процессом, приводящим к наблюдаемым эффектам, является фотостимулированный фазовый переход неалмазной фазы углерода в алмаз на поверхности наночастиц.

5. Спектр фотолюминесценции нового наноматериала (карбонизированного пористого кремния), полученного в результате высокотемпературной карбонизации, значительно модифицируется - присутствуют два четких максимума при 1.9 и 2.4 эВ, а исходная для ПК низкочастотная полоса вблизи 1.7 эВ исчезает. Показано, что наблюдаемые изменения в оптических спектрах связаны с образованием слоя карбида кремния на поверхности ПК. Согласно оценкам, сделанным из анализа спектров комбинационного рассеяния света и данных рентгеновской дифракции, размер микрокристаллов SiC составляет ~5 нм.

Обнаружено, что образцы карбонизированного ПК, легированные бором, имеют аномально большое время затухания ФЛ (г~ 500 мс) в сине-зеленой области (-2.4 эВ) спектра. При этом кинетика спада интенсивности люминесцен ции после отключения лазерного облучения носит немонотонный характер, что объясняется образованием в процессе карбонизации и легирования значительного количества центров прилипания.

6. Наблюдаются значительные изменения в характеристиках полосы фотолюминесценции для нанокристаллического (НК) А12Оз , связанной с наличием ионов C/'i+, при различных вида/, лазерного возбуждения. Переход от возбуждения непрерывным лазерным излучением (А, = 532 нм) к импульсному лазерному излучению (А, =337 нм) приводит к преобразованию асимметричного контура спектральной полосы в форму, близкую к гауссовой. На основании результатов численного моделирования показано, что это обусловлено изменением параметров электрон-фононного взаимодействия. Измеренное время затухания примесной люминесценции Сг3+ для НК А120з составило около 250 мкс.

7. По спектру ФЛ пленок фуллеренсодержащих полимеров определен тип и характер связи между С60 и полимером. Показано, что в большинстве случаев взаимодействие фуллерена с полимером осуществляется через взаимодействие электронных тг-систем С60 и полимера, приводящее к образованию переходного слоя в виде молекулярного комплекса фуллерен - полимер с характерной полосой ФЛ около 1.78 эВ. Это позволило объяснить хорошую адгезию пленок фуллерена на полимерных подложках. Установлено, что для специально синтезированного фуллерена с полимерными лучами (фуллеренсодержащие полистиро-лы), в отличие от механической смеси компонентов, образуются звездообразные соединения, в которых полимерные цепи ковалентно присоединены к молекуле фуллерена. Это позволило объяснить сдвиг максимума спектра ФЛ для С^о в область больших энергий с возрастанием числа присоединенных цепей полимера.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Детально исследованы особенности регистрации оптических спектров материалов, содержащих нанокристаллические частицы. На примере алмазных микропорошков, а затем и применительно к ультрадисперсному алмазу показано, что методика матричной изоляции позволяет избежать нежелательного нагрева и разрушения исследуемого вещества в пятне зондирующего лазерного пучка.

2. Зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния нанокристал-лического алмаза, синтезированного с помощью взрывного синтеза, являются новыми и хорошо согласуются с данными, полученными другими независимыми группами исследователей. На основе моделирования спектров показано, что ультрадисперсные порошки состоят из кристаллических частиц с размерами (4060 А).

3. Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции ультрадисперсного алмаза. Впервые обнаружено долговременное разгорание фотолюминесценции ультрадисперсных частиц алмаза, помещенных в матрицу из КВг. При непрерывном возбуждении лазерным излучением в течение нескольких часов интенсивность люминесценции заметно увеличивается. Одновременно с этим появляется линия КР алмаза и растет ее интенсивность. Данные изменения в оптических спектрах объясняются трансформацией поверхности частиц ультрадисперсных алмазов.

4. Проанализированы особенности спектральных характеристик пористого кремния, подвергнутого высокотемпературной карбонизации. Показано, что в результате карбонизации спектр фотолюминесценции пористого кремния значительно изменяется - появляются два четких максимума при 1.9 и 2.4 эВ, а низкочастотная полоса вблизи 1.7 эВ исчезает. Обнаружено, что карбонизация существенно уменьшает, по сравнению с исходными образцами, скорость деградации ФЛ пористого кремния под действием непрерывного лазерного облучения.

5. Проведен анализ кинетических кривых затухания фотолюминесценции образцов карбонизированного пористого кремния, легированного различными примесями. Показано, что образцы, легированные бором, имеют аномально большое время фотолюминесценции в сине-зеленой области (2.4 эВ) спектра. Обнаружен немонотонный характер кинетики спада интенсивности люминесценции после отключения лазерного облучения, который объясняется тем, что во время карбонизации и легирования пористого кремния образуется значительное количество центров прилипания и встроенный р-п-переход. Наличие осцил-ляций и их период объясняются резонансным туннелированием между локализованными центрами прилипания и величиной потенциала взаимодействия.

6. Впервые зарегистрированы спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции ZnS. Cu в коротковолновой области спектра при различных интенсив-ностях возбуждения и различной температуре. Двухфотонные переходы для исследуемых образцов наблюдались даже при относительно низком уровне накачки непрерывным лазером (500 Вт/см2). Установлено, что при однофотонном поглощении имеет место возбуждение в основном зеленых центров свечения, тогда как для возбуждения голубых центров свечения необходимо двухфотонное возбуждение. На основании сравнительного анализа ФЛ. ДВЛ и спектров возбуждения сделан вывод о пространственном распределении центров свечения и предложена модель переходов, объясняющая наблюдаемые явления и основанная на том, что фазовый состав поверхности микрочастицы люминофора отличается от объема и содержит в своем составе наноразмерный сульфид меди.

7. Впервые получены в эксперименте спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции (ДВЛ) для нанокристаллов алмаза. Анализ спектров показывает, что они согласуются с данными по примесной люминесценции для крупных алмазов. однако имеются и определенные отличия в положении и ширине спектральных линий, которые можно отнести к изменениям в электрон-фононном взаимодействии в наночастицах.

8. Исследованы спектры фотолюминесценции нанокристаллического оксида алюминия при различных типах лазерного возбуждения. Впервые обнаружен значительный сдвиг полосы, связанной с наличием ионов Сг?+, при возбуждении в различные полосы поглощения. При этом происходит изменение формы асимметричной полосы в гауссову форму. Измерено время затухания люминесценции нанокристаллического A12Oj, значение которого равно 250 мкс. Результаты численного моделирования спектров нанокристаллического А1203 показывают изменение параметра Хуанга-Рис при различном лазерном возбуждении. При возбуждении лазером на парах азота (к = 337 нм) отмечено уменьшение интенсивности этой полосы, связанное с воздействием лазерного излучения на вещество. Получены и проанализированы спектры комбинационного рассеяния нанокристаллического А120з, а также ИК спектры пропускания указанных образцов. Исходя из этого сделаны выводы о структуре данного материала.

9. Экспериментально исследован тип связи между фуллереном См и полимерами в пленках фуллеренсодержащих полимеров. На основании оптических спектров с привлечением данных структурного анализа показано, что чаще всего взаимодействие фуллерена с полимером осуществляется через взаимодействие электронных л-систем См и полимера. Это приводит к образованию переходного слоя в виде молекулярного комплекса фуллерен/полимер с характерной полосой ФЛ и объясняет хорошую адгезию пленок фуллерена на полимерных подложках. Для специально синтезированного фуллерена с полимерными лучами (фулле-ренсодержащие полистнролы). при образовании звездообразных соединений цепи полимера ковалентно связаны с молекулой фуллерена, что проявляется в спектрах ФЛ для См как монотонное смещение максимума спектра в высокочастотную область.

Основные публикации автора по теме диссертации

1. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Комбинационное рассеяние света в микропорошках алмаза // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1994. №7/8, С.15-17.

2. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C., Красильников Н.А., Исламгалиев Р.К. Люминесценция в кремнии, подвергнутом сильной деформации // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1994. №7/8. С.12-14.

3. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Комбинационное рассеяние света на алмазных квантовых точках в бромистом калии // Физика твердого тела. 1995. Т.37. №10. С.3033-3038.

4. Горелик B.C., Миков С.Н. Иго А.В. Комбинационное рассеяние света малыми частицами алмазов в бромистом калии // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1995. №11-12. С.20-25.

5. Костишко Б.М., Орлов A.M., Миков С.Н., Емельянова Т.Г. Изучение типа водородных групп и их расположения в пористом кремнии методом ЭОС // Неорганические материалы. 1995. Т.31. №4. С.444-446.

6. Миков С.Н. Иго А.В. Горелик B.C., Исламгалиев Р.К., Валиев Р.З. Комбинационное рассеяние света в кремнии, подвергнутом сильной деформации // Физика твердого тела. 1996. Т.38. Ха5. С. 1635-1637.

7. Горелик B.C. Иго А.В. Миков С.Н. Комбинационное рассеяние света в ограниченных кристаллах // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1996. Т.109. Вып.6. С.2141-2149.

8. Миков С.Н. Иго А.В. Проявление размерного эффекта в спектрах комбинационного рассеяния света в ультрадисперсном алмазе // Теоретическая и экспериментальная физика: Ученые записки Ульяновского государственного университета. 1996. Вып.2. С.116-121.

9. Ананичев А.В., Миков С.Н. Соколовский В.Р. Колебательные спектры и структура .микропорошков оксида алюминия, а также материалов на их основе //

Теоретическая и экспериментальная физика: Ученые записки Ульяновского государственного университета. 1996. Вып.2. С.130-142.

10. Ворона А.А., Комлев А.В., Миков С.Н. Расширение возможностей ИК-спектрометра Specord 75IR для исследования твердотельных материалов при его сопряжении с персональным компьютером /7 Теоретическая и экспериментальная физика: Ученые записки Ульяновского государственного университета. 1996. Вып.2. С.143-144.

11. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Примесная люминесценция в ианокристаллах алмаза при двухфотонном возбуждении // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1997. Ульяновск. УлГУ. Вып.1(3). С.31-34.

12. Миков С.Н., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК-спектроскопии // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1997. Ульяновск. УлГУ. Вып. 1(3), С.35-39.

13. Миков С.Н. Пузов И.П. Вызванные лазерным облучением временные изменения в спектрах фотолюминесценции ультрадисперсных алмазов // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1997. Ульяновск. УлГУ. Вып. 1(3). С.40-43.

14. Костишко Б.М. Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Фотолюминесценция и де-градационные свойства карбонизированного пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. \о16. С.24-30.

15. Ворона А.А., Комлев А.В., Миков С.Н. Измерительный комплекс на основе инфракрасного спектрофотометра Specord 75 IR и персонального компьютера для исследования оптических свойств материалов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 1998. Т.64. №6. С.45-46.

16. Миков С.Н. Пузов И.П. Горелик B.C. Исследование фотолюминесценции ZnS-Cu при двухфотонном возбуждении // Сб. докладов «Комбинационное рассеяние - 70 лет исследований», представленных на Международную конференцию «Комбинационное рассеяние», Москва, 16-19 ноября 1998 г. Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН. С.330-334.

17. Миков С.Н., Пузов И.П. Об определении характеристик нанокристаллов по спектрам комбинационного рассеяния света // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1998. Вып.2(5). С.30-34.

18. Миков С.Н., Пузов И.П., Горелик B.C. Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света для ультрадисперсных алмазов // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1999. №1. С.14-19.

19. Kostishko В.М., Atazhanov Sh.R., Mikov S.N. Koltsova L.V., Puzov I.P. Photoluminescence and degradation properties of carbonized porous silicon // Physics of Low-Dimensional Structures. 1999. 7/8. P. 155-161.

20. Islamgaliev R.K., Kuzel R„ Mikov S.N., Igo A.V., Burianek J., Chmelik F„ Valiev R.Z. Structure of silicon processed by severe plastic deformation // Materials Science and Engineering. A. 1999. V.266. P.205-210.

21. Islamgaliev R.K., Kuzel R. Mikov S.N., Obraztsova E.D., Chmelik F. Structure and optical properties of nanostructured germanium and silicon processed by severe plastic deformation // Nanostructured Materials. 1999. V.12. P.919-922.

22. Костишко Б.М., Атажанов 111.P., Миков C.H., Пузов И.П., Гордецкий К.А. Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. .\°6. С. 13-20.

23. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Спектры двухфотонно-возбуждаемой люминесценции в нанокристаллах алмаза // Физика твердого тела. 1999. Т.41. Вып.6. С.1110-1112.

24. Костишко Б.М., Миков С.Н., Нагорнов С.Ю., Атажанов Ш.Р. Электронно-стимулированная модификация состава карбонизированного пористого кремния // Известия вузов. Электроника. 1999. №6. С.5-12.

25. Миков С.Н., Кожевин А.Е. Спектры фотолюминесценции нанокристал-лического оксида алюминия // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. физическая. Ульяновск. 2000. Вып. 1(8). С.70-73.

26. Bulyarskii S.V., Kozhevin A.T., Mikov S.N., Prikhcxlko V.V. Anomalous R-line behaviour in nanocrystalline Al203:Cr3+ // Physica Status Solidi. A. 2000. V.180. P.555-560.

27. Миков C.H., Кожевин A.E., Горелик B.C., Храмов A.H. Спектры комбинационного рассеяния света микрокристаллического SiO? // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. физическая. Ульяновск. 2000. Вып.2(9). С.101-104.

28. Бирюлин Ю.Ф., Лебедев В.М., Миков С.Н., Орлов С.Е., Сыкманов Д.А., Шаронова Л.В., Згонник В.Н. Некоторые физические свойства и элементный состав пленок звездообразных фуллеренсодержащих полистиролов // Физика твердого тела. 2000. Т.42. №10. С.1904-1910.

29. Орлов A.M., Костишко Б.М., Синдяев А.В., Миков С.Н., Литвиненко О.В. Пузов И.П. Фотолюминесценция пористого кремния с адсорбированными молекулами С2Н5ОН If Поверхность. 2000. №10. С.60-64.

30. Кокин С.М., Миков С.Н., Пузов И.П. Распределение центров голубого и зелёного свечения в барьерных областях зёрен цинксульфндных электролюминофоров // Журнал прикладной спектроскопии. 2001. Т.68. №6. С.730-733.

31. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации. легированного галлием // Письма в Журнал технической физики. 2002. Т.28. Вып. 17. С.74-81.

32. Миков С.Н., Бирюлин Ю.Ф., Орлов С.Е. Поведение спектра фотолюминесценции См , связанного с полистиролом // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 2002. Вып.1(12). С.53-57.

33. Бирюлин Ю.Ф. Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Орлов С.Е., Петриков

B.Д., Сыкманов Д.А., Згонник В.Н. Оптические свойства фуллеренсодержащих свободных пленок полидиметилфениленоксида // Физика и техника полупроводников. 2003. Т.37. вып. 1. С.110-113.

34. Бирюлин Ю.Ф., Згонник В.Н., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Моливер

C.С. Орлов С.Е. Новоселова А.В., Петриков В.Д., Розанов В.В., Сыкманов Д.А.,

Яговкина М.А. Структура и оптические свойства пленок Сw на полимерных подложках // Физика и техника полупроводников. 2003. Т.37. вып.З. С.365-371.

35. Biryulin Yu.F., Syckmanov D.A., Moliver S.S., Orlov S.E., Mikov S.N., No-voselova A.V., Yagovkina M.A. Investigation of C6o fullerene films on polymer substrates // Microelectronic Engineering. 2003. V.69. No.2-4. P.505-510.

1. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Лаповок В.Н. Физические явления в ультрадисперсных средах. М.: Энергоатомиздат. 1984. 224 С.

2. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука. 1986. 368 С.

3. Jain R.K., Lind R.C. Degenerate four-wave mixing in semiconductor-doped glass // J. Opt. Soc. Am. 1983. V.73. P.647-653.

4. Buffat Ph., Borel J.-P. Size effect on the melting temperature of gold particles // Phys. Rev. A. 1976. V.13. P.2287-2298.

5. Romanowski W., Engels S. Hochdisperse Metalle. Berlin: Akad.-Verl. 1982. 172 S.

6. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32,№1. С.3-18.

7. Екимов А.И., Онущенко А.А. Квантовый размерный эффект в оптических спектрах полупроводниковых микрокристаллов // ФТП. 1982. Т. 16. №7.1. С.1215-1219.

8. Эфрос Ал.А., Эфрос А.А. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // ФТП. 1982. Т.16, №7. С.1209-1214.

9. Brus L.E. Electronic and optical properties of semiconductor nanocrystals: from molecules to bulk cry stals // Nanophase Materials. 1994. P.433-448.

10. Вандышев Ю.В. Днепровский B.C. Климов В.И. Динамика нелинейного пропускания и нелинейные восприимчивости полупроводниковых микрокристаллов (квантовых точек) // ЖЭТФ. 1992. Т.101. №1. С.270-283.

11. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. №10. P.1046-1048.

12. Силин А.П. Полупроводниковые сверхрешетки // УФН. 1985. Т.147. №3. С.485-521.

13. Gleiter Н. Nanostructured materials: state of the art and perspectives // Z. Metallkd. 1995. V.86. No.2. P.78-83.

14. Гусев А.И., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. М.: Физ-матлит. 2000. 224 С.• 15. Sasaki Y., Horie С. Resonant Raman study of phonon states in gas-evaporated Ge small particles // Phys. Rev. B. 1993. V.47. P.3811-3818.

15. Maeda Y„ Tsukamoto N., Yazawa Y., Kanemitsu Y., Masumoto Y. Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in Si02 glassy matrices // Appl.ф Phys. Lett. 1991. V.59. No.24. P.3168-3170.

16. Fujii M., Hayashi S., Yamamoto K. Growth of Ge microcrystals in Si02 thin film matrices: a Raman and electron microscopic study // Japan. J. Appl. Phys. 1991. V.30, No.4. P.687-694.

17. Карлов H.B., Кириченко M.A., Лукьянчук Б.С. Макроскопическая кинетика термохимических процессов при лазерном нагреве: состояние и перспективы / Успехи химии. 1993. Т.62. №3. С.223-248.

18. Kroto H.W., Heath J.R., O'Brien S.C., Curl R.F. Smalley R.E. Ceo buckmin-sterfullerene //Nature. 1985. V.318. No.6042. P.162-163.

19. Heath J.R., Shiang J.J., Alivisatos A.P. Germanium quantum dots: Opticalproperties and synthesis // J. Chem. Phys. 1994. V.101. No.2. P.1607-1615.

20. Сайфуллин P.С. Физическая химия неорганических, полимерных и композитных материалов. М.: Химия. 1990. 240 С.

21. Барнаков Ю.А. Поборчий В.В. Щукарев А.В. Кластеры селена в микрополостях кристалла шабазита/ ФТТ. 1995. Т.37. №5. С. 1559-1561.

22. Littau К.А., Szajowski P.J., Muller A.J., Kortan A.R. Brus L.E. A luminescent silicon nanocrystal colloid via a high-temperature aerosol reaction // Appl. Phys. Lett. 1993. V.97. P.1224-1230.

23. Демишев С.В., Косичкин Ю.В., Ляпин А.Г. и др. Комбинационное рассеяние света в аморфном антимониде галлия // ЖЭТФ. 1993. Т. 104. Вып.2(8).ф С.2881-2893.

24. Волков К.В., Даниленко В.В., Един В.И. Синтез алмаза из углерода продуктов детонации ВВ // Физика горения и взрыва. 1990. Т.26. №3. С. 123-125.

25. Трефилов В.И., Саввакин Г.И., Скороход В.В. Особенности структуры улырадисперсных алмазов, полученных высокотемпературным синтезом в условиях взрыва//ДАН СССР. 1978. Т.239. №4. С.838-841.

26. Ставер A.M., Губарева Н.В., Лямкин А.И., Петров Е.А. Ультрадисперсные алмазные порошки, полученные с использованием энергии взрыва // Физика горения и взрыва. 1984. Т.20. №5. С. 100-103.

27. Лямкин А.И., Петров Е.А., Ершов А.П. и др. Получение алмазов из взрывчатых веществ. //ДАН СССР. 1988. Т.302. №3. С.611-613.

28. Сакович Г.В., Брыляков П.М., Верещагин А.Л. и др. Получение алмазных кластеров взрывом и их практическое применение // Журн. ВХО им. Д.И.Менделеева. 1990. Т.35. №5. С.600-602.

29. Greiner N.R., Phillips D.S., Johnson F.J.D. Diamonds in detonation soot // Nature. 1988. V.333. P.440-442.

30. Гущина H.B., Днепровский B.C., Довиденко Е.Ю., Караванский В.A., Окороков Д.К. Оптические нелинейности и эффекты размерного квантования в пористом кремнии // ЖЭТФ. 1994. Т. 106, №6. С. 1830-1838.

31. Степанов В.И. Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции пористого кремния // Известия АН., сер. физ. 1994. Т.58. N27. С.71-77.

32. Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Иванов М.Г., Эфрос Ал.Л. Фотолюминесценция квазинульмерных полупроводниковых структур // ФТТ. 1989. Т.31. №8. С. 192-207.

33. Yoffe A.D. Low-dimensional systems: quantum size effects and electronic properties of semiconductor microcrystallites (zero-dimensional systems) and some quasi-two-dimensional systems // Adv. Phys. 1993. V.42. No.2. P. 173-266.

34. Гапоненко С.Б. Оптические процессы в полупроводниковых нанокри-сталлитах (квантовых точках) // ФТП. 1996. Т.30. №4. С.577-619.

35. Banyai L. Ни Y.Z. Lindberg М., Koch S.W. Third-order optical nonlineari-ties in semiconductor microstructures // Phys. Rev. B. 1988. V.38. No.12. P.8142-8153.

36. Бугаев А.А., Станкевич A.JI. Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ограничением // ФТТ. 1992. Т.34. №5. С.1613-1619.

37. Акципетров О.А., Елютин П.В., Никулин А.А., Островская Е.А. Генерация оптической второй гармоники наноструктурами: размерные эффекты и роль квантового хаоса // ЖЭТФ. 1995. Т.107. №1. C.9G-110.

38. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon //J. Appl. Phys. 1997. V.82. No.3. P.909-965.

39. Горячев Д.Н., Сресели O.M. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия //ФТП. 1997. Т.31. №11. С. 1383-1386.

40. Зотеев А.В., Кашкаров П.К., Образцов А.Н. Тимошенко В.Ю. Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия // ФТП. 1996. Т.30. №8. С.1473-1478.

41. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC. выращенных на кремниевых подложках // ФТП. 1997. Т.31. №4. С.420-424.

42. Бобович Я.С. Классические размерные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния высокоднсперсных частиц. Экспериментальные исследования (обзор)//ЖПС. 1988. Т.49. №3. С.359-382.

43. Richter Н., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman spectrum in micro-crystalline silicon // Solid State Commun. 1981. V.39. No.5. P.625-629.

44. Campbell I.H., Fauchet P.M. The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors // Solid State Commun. 1986. V.58. No.10. P.739-741.

45. Kanelis G., Morhange J.F., Balkanski M. Effect of dimensions on the vibrational frequencies of thin slabs of silicon // Phys. Rev. 1980. V.21. No.4. P.1543-1548.

46. Каплянский А.А., Феофилов С.П., Захарченя Р.И. Оптическое исследование долгоживущих размерно-квантованных колебательных возбуждений в пористом оксиде алюминия // Оптика и спектроскопия. 1995. Т.79. №5. С.709-717.

47. Yang Y., Chen Y.-F., Lee Y.-Y., Liu L.-C. Photothermal deflection and photoluminescence studies of CdS and CdSe quantum dots // J. Appl. Phys. 1994. V.76. No.5. P.3041-3044.

48. Suemune I., Noguchi N., Yammanishi M. Photoirradiation effect on photo-luminescence from anodized porous silicons and luminescence mechanism / Japan. J. Appl. Phys. 1992. V.31. Part.2. No.4B. P.L494-L497.

49. Teschke O., Galembeck F., Goncalves M., Davanzo C. Photoluminescence spectrum redshifting of porous silicon by a polymeric carbon layer // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64, No.26. P.3590-3592.

50. Образцов A.H., Караванский В.А., Окуши X., Ватанабе X. Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния // ФТП. 1998. Т.32. №8. С.1001-1003.

51. Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т.63. №2. С.106-111.

52. Долматов В.Ю. Ультрадисперсные алмазы детонационного синтеза. Получение, свойства, применение. СПб.: Изд-во СПбГПУ. 2003. 344 С.

53. Горелик B.C., Сущинский М.М., Хашимов Р.Н. Резонансное комбинационное рассеяние света вблизи поверхности кристаллов // Труды физического института им. П.Н.Лебедева. Т.180. М.: Наука. С.127-179.

54. Горелик B.C. Комбинационное рассеяние света как метод исследования квазичастиц // В кн.: Современные проблемы спектроскопии комбинационного рассеяния света. М.: Наука. 1978. С.28-47.

55. Cowley R.A. Raman scattering from crystals of the diamond structure 11 Le Journal de Physique (Paris). 1965. V.26. No.ll. P.659-667.

56. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик В.С Комбинационное рассеяние света в микрокристаллах алмаза // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1994. №7-8. С.15-19.

57. Горелик B.C., Миков С.Н., Иго А.В. Комбинационное рассеяние света малыми частицами алмазов в бромистом калии // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1995. №11-12. С.20-25.

58. Андреев В.Д., Начальная Т.А., Гарбусенок Е.В. Особенности комбинационного рассеяния света в микропорошках алмаза // Сверхтвердые материалы. 1993. №2. С. 11-16.

59. Yoshikawa М., Mori Y., Maegawa М. Katagiri G.? Ishida H., Ishitani A. Raman scattering from diamond particles // Appl. Phys. Lett. 1993. V.62. No.24. P.3114-3116.

60. Вечерин П.П., Журавлев В.В., Квасков В.Б. Клюев Ю.А., Красильников

61. A.В. Самойлович М.И., Суходольская О.В. Природные алмазы России / Под ред.

62. B.Б.Кваскова. М.: Полярон. 1997. 304 С.

63. Пуле А., Матье Ж.-П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов. М.: Мир. 1973. 438 С.

64. Zouboulis E.S., Grimsditch М. Raman scattering in diamond up to 1900K // Phys. Rev. B. 1991. V.43. No. 15. P. 12490-12493.

65. Непша В.И., Решетников Н.Ф., Клюев Ю.А., Бокий Г.Б., Павлов Ю.А. Влияние граничного рассеяния фононов на теплопроводность природных алмазов при температурах 300-600К / Доклады АН СССР. 1985. Т.283. №2. С.374-376.

66. Sato.Y. Characterization of vapor-deposited diamond // Japan Reviews in New Diamond. 1988. P.30-35.

67. Liu M.S., Bursill L.A., Prawer S., Besenaan R. Temperature dependence of the first-order Raman phonon line of diamond // Phys. Rev. B. 2000. V.61. No.5.1. P.3391-3395.

68. Klemens P.G. Anharmonic decay of optical phonons // Phys. Rev. 1966. V.148. P.845-848.

69. Шен И.P. Принципы нелинейной оптики. М.: Наука. 1989. 560 С.

70. Басов Н.Г., Грасюк А.З., Зубарев И.Г. и др. Полупроводниковый квантовый генератор с двухфотонным оптическим возбуждением // ЖЭТФ. 1966. Т.50. Вып.З. С.551-559.

71. Catalano I.M., Cingolani A., Minafra A. Transmittance, luminescence, and photocurrent in CdS under two photon excitation // Phys. Rev. B. 1974. V.9. No.2. P.707-710.

72. Горелик B.C., Соколовская А.И., Чернега H.B., Щеглов В.А. О вынужденной двухфотонно возбуждаемой люминесценции в кристаллах стильбена // Квантовая электроника. 1992. №6. С.586-588.

73. Горелик B.C. Жаботинский Е.В. Двухфотонно возбуждаемая люминес-ф ценция в твердотельных сцинтнлляторах // Квантовая электроника. 1992. №11.1. С.1084-1085.

74. Бродин М.С., Резниченко В.Я. Взаимодействие интенсивного лазерного излучения с полупроводниками AHBV1 // В сб. «Физика соединений AUBVI». Под ред. Георгобиани А.Н. и Шейнкмана М.К. 1986. С.184-199.

75. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко J1.A., Кокин С.М. Электролюминесцентные источники света. М.: Энергоатомиздат. 1990. 168 С.

76. Бурлаков А.В. О спектрах свечения люминофоров ZnS:Cu, Al под действием разных видов возбуждения //Оптика и спектр. 1963. Т.1. С.308-312.

77. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М.: Изд-во иностр. лит-ры. 1961.107 С.

78. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов, М.: Наука. 1974. 258 С.

79. Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Введение в оптоэлектро-нику. М.: Высшая школа. 1991. 192 С. • 81. Kroger F.A., Hellingman J.E., Smith N.W. The fluorescence of zinc sulphideactivated with copper // Physica. 1949. V.15. P.990-1018.

80. Peka P., Schulz H.-J. Empirical one-electron model of optical transitions in Cu-doped ZnS and CdS // Physica B. 1994. V.193. No.l. P.57-65.

81. Георгобиани A.H., Котляревский М.Б. Люминесценция ZnS с собственно дефектной и примесной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1982. Т.46. С.259-265.

82. Shionoya S., Urabe К., Koda Т., Era К., Fujiwara Н. Nature of the red-cooper luminescence centre in ZnS crystals as elucidated by polarization measurementф II J. Phys. Chem. Solids. 1966. V.27. No.5. P.865-869.

83. Bol A.A., Ferwerda J., Jaap A., Meijerink A. Luminescence of nanocrystal-line ZnS:Cu2+ II J. Luminescence. 2002. V.99. P.325-334.

84. Khosravi A., Kundu M., Jatwa L., Deshpande S.K., Bhagwat U.A., Sastry M., Kulkarni S.K. Green luminescence from copper doped zinc sulphide quantum particle//Appl. Phys. Lett. 1995. V.67. No. 18. P.2702-2704.

85. Миков C.H., Пузов И.П. О голубой и зеленой фотолюминесценции микрокристаллического ZnS-Cu II Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». 1998. С.-Петербург. С.136.

86. Кокин С.М., Миков С.Н., Пузов И.П. Распределение центров голубого и зелёного свечения в барьерных областях зёрен цинксульфидных электролюминофоров // Журнал прикладной спектроскопии. 2001. Т.68. №6. С.730-733.

87. Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Куценко В.И. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. Киев: TexHi-ка. 1986. 152 С.

88. Юмашев К.В., Маляревич A.M., Прокошин П.В. Артемьев М.В., Гурин B.C. Михайлов В.П. Нелинейно-оптические свойства оксидированных нанокристаллов CuS II Квантовая электроника. 1997. Т.24. №8. С.741-745.

89. Уилкинсон Г.Р. Спектры комбинационного рассеяния ионных, кова-лентных и металлических кристаллов // В кн.: Применение спектров комбинационного рассеяния света. / Под ред. А.Андерсона. М.: Мир. 1977. С.408-578.

90. Kalish R., Reznik A., Prawer S., Saada D., Adier J. Ion-implantation-induced defects in diamond and their annealing: experiment and simulation // Phys. Stat. Sol. A. 1999. V.174. P.83-99.

91. Morhange J.F., Kanelis G., Balkanski M. Raman study of laser annealed of silicon // Solid State Commun. 1979. V.31. No.ll. P.805-808.

92. Tsu R., Izu M., Ovshinsky S.R., Pollak F.H. Electroreflectante and Raman scattering investigation of glow-discharge amorphous Si:F:H II Solid State Commun.1980. V.36. No.9. P.817-822.i

93. Авакянц Л.П., Горелик B.C., Ефимов А.Д. Комбинационное рассеяние света в имплантированном арсениде галлия // Препринт ФИАН им. П.Н.Лебедева. 1990. №36. 39 С.

94. Дигонск.'й В.В., Дигонский С.В. Закономерности образования «.'■маза. С.-Пб. Недра. 199?. 223 С.

95. Горелик B.C. Спектроскопия рассеяния света в твердотельных фазах пленок и покрытий // Известия АН СССР. Сер. физ. 1989. Т.53. №9, С. 1791-1794.

96. Huang P.V. Structural studies of diamond films and ultrahard materials by Raman and micro-Raman spectroscopies // Diam. Rel. Materials. 1991. No.l. P.33-41.

97. Бродский M.X. Комбинационное рассеяние света в аморфных полупроводниках // В кн.: Рассеяние света в твердых телах. М.: Мир. 1979. С.239-286.

98. Коршунов А.В., Сечкарев А.В. Спектры комбинационного рассеяния света малых частот кристаллов // В кн.: Современные проблемы спектроскопии комбинационного рассеяния света. М.: Наука. 1978. С. 170-186.

99. Сечкарев А.В. Спектры малых частот и дефектность кристалла // В кн.: Спектроскопия и ее применение в геофизике и в химии. Новосибирск. Наука. 1975. С.159.

100. Yoshikawa М., Mori Y., Obata Н., Maegawa М., Katagiri G., Ishida H., Ishitani A. Raman scattering from nanometer-sized diamond // Appl. Phys. Lett. 1995. V.67. No.5. P.694-696.

101. Obraztsova E.D., Korotushenko K.G., Pimenov S.M., Ralchenko V.G., Smolin A.A., Konov V.I., Loubnin E.N. Raman and photoluminescence investigations of nanograined diamond films // Nanostructured Materials. 1995. V.6. P.827-830.

102. Миков C.H., Иго А.В., Горелик B.C. Комбинационное рассеяние света на алмазных квантовых точках в матрице бромистого калия // ФТТ. 1995. Т.37. №10. С.3033-3038.

103. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В., Валиуллова З.Х. Исследование ультрадисперсных алмазосодержащих паст // Известия РАН. Сер. физ. 1994. Т.58. №1. С.191-194.

104. Губаревич Т.М., Кулагина Ю.Е., Полева Л.И. Окисление ультрадисперсных алмазов в жидких средах // Сверхтвердые материалы. 1993. №3. С.35-38.

105. Borer W.J., Mitra S.S., Namjoshi K.V. Line shape and temperature dependence of the first order Raman spectrum of diamond // Solid State Commun. 1971. V.9. P.1377-1381.

106. Klein C.A., Harnett T.M., Robinson C.J. Critical-point phonon frequencies of diamond // Phys. Rev. B. 1992. V.45. No.22. P. 12854-12863.

107. Marcus В., Fayette L., Mermoux M., Abello L., Lucazeau G. Analysis of structure of multi-component carbon films by resonant Raman scattering // J. Appl. Phys. 1994. V.76. No.6. P.3463-3468.

108. Knigth D.S., White W.B. Characterization of diamond films by Raman spectroscopy // J. Mater. Res. 1989. V.4. P.385-393.

109. Миков C.H., Пузов И.П. Об определении характеристик нанокристаллов по спектрам комбинационного рассеяния света // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1998. Вып.2(5). С.30-34.

110. Ager III J.W., Veirs D., Rosenblat G. Spatially resolved Raman studies of diamond films grown by chemical vapor deposition // Phys. Rev. B. 1991. V.43. P.6491-6499.

111. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука. 1978. 616 С.

112. Лифшиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ. 1958. Т.35. №2(8). С.479-492.

113. Islamgaliev R.K., Chmelik F., Gibadullin I.F. et al. The nanocrystalline structure formation in germanium subjected to severe plastic deformation // Nanostruc-tured Materials. 1994. V.4. No.4. P.387-394.

114. Islamgaliev R.K., Kuzel R., Mikov S.N., Igo A.V., Burianek J., Chmelik F„ Valiev R.Z. Structure of silicon processed by severe plastic deformation // Mater. Sci. Eng. A. 1999. V.266. P.205-210.

115. Миков C.H., Иго А.В., Горелик B.C., Исламгалиев P.K., Валиев Р.З. Комбинационное рассеяние света в кремнии, подвергнутом сильной деформации // Физика твердого тела. 1996. Т.38. №5. С.1635-1637.

116. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C., Красильш.ков Н.А., Исламгалиев Р.К. Люминесценция в кремнии, подвергнутом сильной деформации // Краткиесообщения по физике ФИАН. 1994. № 7/8. С. 12-14.

117. Duckenauer C.J., Cerdeira F., Cardona M. Light Scattering in Solids // Ed. Balkanski, Paris. Flammarion. 1971. P.280.

118. Patel C., Sherman W.F., Wilkinson G.R. Reinvestigation of the lattice dynamics of diamond on basis of Born von Karman model // J. Phys. C. Solid State. 1984. V.17. P.6063-6069.

119. Islamgaliev R.K., Kuzel R., Mikov S.N., Obraztsova E.D., Chmelik F. Structure and optical properties of nanostructured germanium and silicon processed by severe plastic deformation // Nanostructured Materials. 1999. V.12. P.919-922.

120. Горелик B.C., Иго А.В., Миков C.H. Комбинационное рассеяние света в ограниченных кристаллах //ЖЭТФ. 1996. Т.109. Вып.6. С.2141-2149.

121. Горелик B.C. Идеализированные модели кристаллических решеток и спектры реальных кристаллов // Труды ФИАН им. П.Н.Лебедева. 1987. Т. 180. С.87-126.

122. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т.З. Квантовая механика. 1974. М. Наука. 752 С.

123. Кардона М. Резонансные явления // В кн.: Рассеяние света в твердых телах. Вып.2. /Под ред. М.Кардоны и Г.Гюнтеродта. М.: Мир. 1984. С.35-237.

124. Компан М.Е., Теруков Е.И., Гордеев С.К., Жуков С.Г., Николаев Ю.А. Спектры люминесценции ультрадисперстных алмазов // ФТТ. 1997. Т.39. №12. С. 2156-2158.

125. Миков С.Н., Пузов И.П., Горелик B.C. Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света для ультрадисперсных алмазов // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1999. №1.1. С.14-19.

126. Михайлов С.Г., Соломонов В.И. Импульсная катодолюминесценция алмазов // Оптика и спектроскопия. 1996. Т.80. №5. С.781-784.ь

127. Davies G. The Jan-Teller effect and vibronic coupling at deep levels in diamond // Rep. Prog. Phys. 1981. V.44. P.788-830.

128. Алексенский A.E., Байдакова M.B., Вуль А.Я., Давыдов В.Ю., Певцова Ю.А. Фазовый переход алмаз-графит в кластерах ультрадисперсного алмаза // ФТТ. 1997. Т. 39. №6. С.1125-1134.

129. Алексенский А.Е., Байдакова М.В., Вуль А.Я., Сиклицкий В.И. Структура алмазного нанокластера// ФТТ. 1999. Т.41. №4. С.740-743.

130. Gamamik М. Energetical preference of diamond nanoparticals // Phys. Rev.

131. B. 1996. V.54. P.2150-2156.

132. Roca E., Trallero-Giner and Cardona M. Polar optical vibrational modes ii* quantum dots // Phys. Rev. B. 1994. V.49. No.19. P. 13704-137011.

133. Klein M.C., Hache F., Ricard D., Flytzanis C. Size dependence of electron-phonon coupling in semiconductors nanospheres: The case of CdSe II Phys. Rev. B. 1990. V.42. No.17. P.11123-11131.

134. Ипатова И.П., Маслов А.Ю. Прошина О.В. Многофононные процессы при оптических переходах в квантовых наноструктурах // ФТТ. 1995. Т.37. №6.1. C.1819-1825.

135. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Примесная люминесценция в на-нокристаллах алмаза при двухфотонном возбуждении // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. Ульяновск. УлГУ. 1997. Вып.1(3). С.31-34.

136. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик B.C. Спектры двухфотонно-возбуждаемой люминесценции в нанокристаллах алмаза // Физика твердого тела. 1999. Т.41. Вып.6. С.1110-1112.

137. Агальцов A.M., Горелик B.C., Рахматуллаев И.А. Двухфотонно-возбуждаемая флуоресценция в ультрадисперсных алмазных порошках // ЖТФ. 1997. Т.67. №11. С.113-115.

138. Glinka Yu.D., Lin K.-W., Lin S.H. Multiphoton-excited luminescence from diamond nanoparticles and an evolution to emission accompanying the laser vaporization process//Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. No.2. P.236-238.

139. Dav'.es G. // Proc. Roy. Soc. A. 1974. V.336. P.507-523.

140. Da 'ies G., Nazare M.H. Optical study of the secondary absorption edge in type la diamonds // Proc. Roy. Soc. A. 1979. V.365. No. 1720. P.75-94.

141. Grivickas V., Kolenda J., Bernussi A. et al. Luminescence degradation and fatique effects in porous silicon // Brazilian Journal of Physics. 1994. V.24. No.l. P.349-358.

142. Tsai C., Li K.-H., Sarathz J. et al. Thermal treatment studies of the photo-luminescence intensity of porouse silicon // Appl. Phys. Lett. 1991. V.59. P.2814-2816.

143. Chang I.M., Chuo G.S., Chang D.C., Chen V.F. Evolution of photolumi-nescence of porous silicon under light exposition // J. Appl. Phys. 1995. V.77. No. 10. P.5365-5368.

144. Migazaki S., Shiba K., Sakomoto K., Hirose M. Structural characterization and luminescence of porous Si // Optoelectron.: Devices and Technol. 1992. V.7. No.l. P.95-102.

145. Орлов A.M., Костишко Б.М., Емельянова Т.Г. Кинетика фотолюминесценции химически обработанного пористого кремния при непрерывном лазерном облучении // Неорган, материалы. 1996.Т.32. №12. С.1432-1435.

146. Mimura Н., Futagi Т., Matsumoto Т. et al. Blue light emission from an oxygen-containing Si fine structure // Japan. J. Appl. Phys. 1994. V.33. P.586-589.

147. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Петрова С.А., Тимошенко В.Ю., Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // ФТП. 1997. Т.31. №6. С.745-748.

148. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Фотолюминесценция и деградационные свойства карбонизированного пористого кремния // Письма в

149. ЖТФ. 1998. Т.24. №16. С.24-30.

150. Patryk L. High electron mobility of cubic SiC II J. Appl. Phys. 1966. V.37. P.4911-4913.

151. Ferry D.K. High-field transport in wide-band-gap semiconductors // Phys. Rev. Bl. 1975. V.12. P.2361-2369.

152. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1977. 368 С.

153. Addamiano A., Klein Р.Н. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals Hi. Cryst. Growth. 1984. V.70. P.291-294.

154. Миков C.H., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П. Исследование гетероэпитак-сиальных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК-спектроскопии // Ученые записки Ульяновского гос. ун-та, сер. физ. 1997. Вып.1(3). С.35-39.

155. Tishler М.А., Collins R.T., Stathis J.H., Tsang J.C. Luminescence degradation in porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. P.639-641.

156. Компан E.M., Шабанов И.Ю., Беклемышин В.И., Гонтарь В.М., Махо-нин И.И. О первичной люминесценции пористого кремния // ФТП. 1996. Т.30. №6. С. 1095-1103.

157. Костишко Б.М., Орлов A.M., Миков С.Н., Емельянова Т.Г. Изучение типа водородных групп и их расположения в пористом кремнии методом ЭОС // Неорганические материалы. 1995. Т.31. №4. С.444-446.

158. Орлов A.M., Костишко Б.М., Синдяев А.В., Миков С.Н., Литвиненко О.В., Пузов И.П. Фотолюминесценция пористого кремния с адсорбированными молекулами С2Н5ОН И Поверхность. 2000. №10. С.60-64.

159. Пирятинский Ю.П., Семонович В.А., Клюй Н.И., Рожин А.Г. Особенности разрешенной во времени фотолюминесценции систем пористый кремний алмазоподобная пленка углерода // ЖТФ. 1998. Т.68. №4. С.83-87.

160. Агекян В.Ф., Лебедев А.А., Рудь Ю.В., Степанов Ю.А. Фотолюминесценция анодизированного карбида кремния // ФТП. 1997. Т.31. №2. С.251-253.

161. Данишевский A.M., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC II ФТП. 1997. Т.31. №11. с.1387-1391.

162. Kostishko В.М., Atazhanov Sh.R., Mikov S.N. Koltsova L.V., Puzov I.P. Photoluminescence and degradation properties of carbonized porous silicon // Physics of Low-Dimensional Structures. 1999. No.7/8. P.155-161.

163. Дудченко Г.Н. Красильников H.A. Рентгеноструктурный анализ и электронная микроскопия. Ульяновск. 1994. 92 С.

164. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М. 1972. 246 С.

165. Hofmann М., Zywietz A., Karch К. et al. Lattice dynamics of SiC polytypes within the bond-charge model // Phys. Rev. B. 1994. V.50. №18. P. 1340113411.

166. Sanders G.D., Chang Y.-C. Theory of optical properties of quantum wires in porouse silicon //Phys. Rev. B. 1992. V.45. №16. P.9202-9213.

167. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии // ФТП. 1996. Т.ЗО. №8. С. 1479-1489.

168. Костишко Б.М., Орлов A.M., Емельянова Т.Г. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при одновременном термическом и лазерном воздействии // Письма в ЖТФ. 1996. Т.22. С.68-73.

169. Костишко Б.М., Гончар Л.И. Аномальная эволюция фотолюминесценции пористого кремния в электрическом поле // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т.66. С.357-362.

170. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., Пузов И.П., Гордецкий К.А. Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. №6. С. 13-20.

171. Takazava A., Tamuro Т. Yamada М. Photoluminescence mechanisms of porous Si oxidized by dry oxiden II J. Appl. Phys. 1994. V.75. No.5. P.2489-2494.

172. Федоренко Л.Л., Сардарлы А.Д., Каганович Э.Б. и др. Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния // ФТТ. 1997. Т.31. №10. С.6-10.

173. Matsumoto Т., Daimon М., Futagi Т. et al. Picosecond luminescence decay in porous silicon //Japan. Appl. Phys. Pt.2 1992. V.31. P.L619-L621.

174. Sulston K.W., Amos A.T., Davison S.G. Many-electron theory of charge transfer in ion-surface scattering // Phys. Rev. B. 1988. V.31. P.9121-9128.

175. Костишко Б.М. Нагорнов Ю.С., Атажанов Ш.Р. Миков С.Н. Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации, легированного галлием // Письма в Журнал технической физики. 2002. Т.28. Вып.17. С.74-81.

176. Костишко Б.М., Миков С.Н., Нагориов С.Ю., Атажанов Ш.Р. Электронно-стимулированная модификация состава карбонизированного пористого кремния // Известия вузов. Электроника. 1999. №6. С.5-12.

177. Соколовский В.Р. Способ получения композиционного порошка// Патент № 1650245. МКИ В 01 J 13/02. 23 февраля 1993.

178. Мо С., Yuan Z., Zhang L., Xie С. Infrared absorption spectra of nano-aluminia // Nanostruct. Mater. 1993. V.2. No.l. P.47-54.

179. Adams D.M. Vibrational spectra of small symmetric species and of single crystals // Spectrosc. prop, inorg. and organometal. compounds. 1980. V.12. P.205-206.

180. Золотарев B.M., Морозов В.Н. Смирнова Е.В. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник. J1.: Химия. 1984. 215 С.

181. Рябцев Н.Г. Материалы квантовой электроники. М.: Сов. Радио. 1972. 384 С.

182. Bulyarskii S.V., Kozhevin А.Е., Mikov S.N., Prikhodko V.V. Anomalous /Mine behaviour in nanocrystalline А1203:Сгъ+ II Phys. Stat. Sol. A. 2000. V.180. P.555-560.

183. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. J1. Химия. 1976. 352 С.

184. Yamaga М., Henderson В., O'Donnell К. P. Line shape of the Cr3+ luminescence in garnet crystals // Phys. Rev. B. 1992. V.46. No.6. P.3273-3282.

185. Берсукер И.Б., Полингер В.З. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах. М.: Наука. 1983. 336 С.

186. Auzel F. // Luminescence of Inorganic Solids, ed. B. Di Bartolo. Plenum Press. New York. 1978. P.67-113.

187. Bartram R.H., Stoneham A.M. On the luminescence and absence of luminescence of F-centers // Solid State Commun. 1975. V.17. No.12. P.1593-1598.

188. Yamaga M., Henderson В., O'Donnell K.P. Polarization spectroscopy of Cr+ ions in laser host crystals. II. The broadband transitions // J. Lumin. 1990. V.46. No.6. P.397-418.

189. Pryce M.H.L. // Phonon in Perfect Lattices and in Lattices with Point Imperfections, ed. R.W. Stevenson. Oliver&Boyd, Edinburgh. 1966. P.403-448.

190. Кристофель H.H. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М. Наука. 1974. 336 С.

191. Верлань А.Ф., Сизкков B.C. Методы решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ. Киев. Наукова думка. 1978. 292 С.

192. Pasquarello A., Car R. Identification of Raman defect lines as signatures of ring structures in vitreous silica // Phys. Rev. Lett. 1998. V.80. No.23. P.5145-5147.

193. Uchino Т., Tokuda Y., Yoko T. Vibrational dynamics of defect modes in vitreous silica//Phys. Rev. 1998. V.58. No.9. P.5322-5328.

194. Yoshikawa. M., Iwagami K., Morita N., Matsunobe Т., Ishida H. Characterization of fluorine-doped silicon dioxide film by Raman spectroscopy // Thin Solid Films. 1997. V.310. P. 167-170.

195. Миков C.H., Кожевин A.E., Горелик B.C., Храмов A.H. Спектры комбинационного рассеяния света микрокристаллического Si02 П Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. физическая. Ульяновск. 2000. Вып.2(9). С.101-104.

196. Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига. Зинатне. 1985. 244 С.

197. Galeener F.L, Mikkelsen J.C. Vibrational dynamics in 180 substituted vitreous Si02 // Phys. Rev. B. 1981. V.23. P.5527-5533.

198. Малиновский В.К., Новиков В.Н., Суровцев Н.В., Шебанин А.П. Изучение аморфных состояний 5/0? методом комбинационного рассеяния света // ФТТ. 2000. Т.42. Вып.1. С.62-68.

199. Hehlen В., Courtens E., Vacher R., Yamanaka A. Kataoka M., Inoue K. Hyper-Raman scattering observation of the boson peak in vitreous silica // Phys. Rev. Lett. 2000. V.84. No.23. P.5355-5358.

200. Skuja L., Silin A.R. Optical properties and energetic structure of non-bridging oxygen centers in vitreous Si02 II Phys. Status. Solidi. A. 1979. V.5. P.K11-K13.

201. Амосов A.B., Халилов B.X., Хотимченко B.C. Природа центров собственной люминесценции в кварцевых стеклах // Журн. прикл. спектр. 1976. Т.25. С.817-822.

202. Jones С.Е., Embree D. Correlation of the 4.77-4.28 eV luminescence ban'i in silicon dioxide with the oxygen vacancy // J. Appl. Phys. 1976. V.47. No. 12. P.5365-5371.

203. Силинь A.P., Скуя Jl.H., Лапенас А.А. Влияние нейтронного облучения на люминесценцию стеклообразного кремнезема // В кн.: Физика и химия стеклообразующих систем. Рига. 1977. С.8-9.

204. Санаев Б., Икра.мов Г.И., Усманова С.Х. О природе люминесценции облученных нейтронами кварцевых стекол // Физика и химия стекла. 1977. Т.З. №4. С.376-379.

205. Huntley D.J., Short М.А., Dunphy К. Deep traps in quartz and their use for optical dating // Can. J. Phys. 1996. V.74. P.81-91.

206. Osawa E. (на японском языке) // Kagaku (Kyoto). 1970. V.25. P.854.

207. Бочвар Д.А, Гальперн Е.Г. О гипотетических системах: карбододека-эдре, s-икосаэдране и карбон-икосаэдре // ДАН СССР. 1973. Т.209. №3. С.610-612.

208. Kraetschmer W., Lamb L.D., Fostiropoulos К., Huffman D.R. A new form of carbon//Nature. 1990. V.347. P.354-358.

209. Вольпин M.E. Фуллерены новая форма углерода // Вестник РАН. 1993. №10. С.25-32.

210. Samulsky N.T., DeSimone J.M., Hunt M.O., Mencelogly Y.Z., Jarnagin R.C., York G.A., Labat K.B., Wang H. Flagellenes: naifophase-separated, polymersubstituted fullerenes // Chem. Mater. 1992. V.4, No.6. P.l 153-1157.

211. Бирюлин Ю.Ф., Лебедев B.M., Миков C.H., Орлов С.Е., Сыкманов Д.А., Шаронова Л.В., Згонник В.Н. Некоторые физические свойства и элементный состав пленок звездообразных фуллеренсодержащих полистиролов // ФТТ.

212. V 2000. Т.42. №10. С. 1904-1910.

213. Згонник В.Н., Меленевская Е.Ю., Литвинова Л.С., Кевер Е.Е., Виноградова Л.В., Терентьева И.В. Синтез и хроматографическое исследование фуллеренсодержащих полистиролов // Высокомолек. соединения. Сер.А. 1996. Т.38. №2. С.203-209.

214. Миков С.Н., Бирюлин Ю.Ф., Орлов С.Е. Поведение спектра фотолюминесценции С^о , связанного с полистиролом // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физ. 2002. Вып.1(12). С.53-57.

215. Matus М., Kuzmany Н., Sohmen Е. Self-trapped polaron exciton in neutral fullerene C60ll Phys. Rev. Lett. 1992. V.68. P.2822-2825.

216. Friedman В., Harigaya K. Quantum lattice fluctuations and luminescence in C60H Phys. Rev. B. 1993. V.47. P.3975-3978.

217. Heeger A.J., Kivelson S., Schrieffer G.R., Su W.-P. Solitons in conducting polymers // Rev. Mod. Phys. 1988. V.60. P.781-850.

218. Бирюлин Ю.Ф., Меленевская Е.Ю., Миков C.H., Орлов С.Е., Петриков В.Д., Сыкманов Д.А., Згонник В.Н. Оптические свойства фуллеренсодержащихсвободных пленок полидиметилфениленоксида // ФТП. 2003. Т.37. вып.1. С.110113.

219. Бирюлин Ю.Ф., Згонник В.Н., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Моли-вер С.С., Орлов С.Е., Новоселова А.В., Петриков В.Д., Розанов В.В., СыкмановА

220. Д.А., Яговкина М.А. Структура и оптические своьства пленок Сво на полимерных подложках // ФТП. 2003. Т.37. вып.З. С.365-371.

221. Biryulin Yu.F., Syckmanov D.A., Moliver S.S., Orlov S.E., Mikov S.N., Novoselova A.V., Yagovkina M.A. Investigation of C60 fullerene films on polymer substrates // Microelectronic Engineering. 2003. V.69. No.2-4. P.505-510.

222. Rao A.M., Eklund P.C., Hodeau J.-L., Marques L., Nunez-Regueiro M. Infrared and Raman studies of pressure-polymerized C60 // Phys. Rev. B. 1997. V.55. No.7. P.4766-4773.

223. Capozzi V., Celentano G., Perna G., Lorusso G.F., Minafra A. Photoluminescence properties of C60 films deposited on silicon substrate // J. Luminesc. 2000. V.86, No.2. P.129-135.

224. Venkateswaran U.D. Sanzi D., Rao A.M., Eklund P.C., Marques L. Hodeau J.-L., Nunez-Regueiro M )nperature dependence of the photoluminescence in polymeric solid C60//Phys. Rev. B. 1998. V.51. No.6. P.R3193-R3196.