Оптические и диэлектрические свойства негеликоидальных сегнетоэлектрических жидких кристаллов в электрическом поле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Сегнетоэлектрическое состояние жидких кристаллов. Полимерно-дисперсные сегнетоэлектрические жидкокристаллические пленки. Эффект управляемого внешним электрическим полем двулучепреломления в геликоидальных сегнетоэлектрических жидких кристаллах. Обзор литературы.

1.1. Сегнетоэлектрические жидкие кристаллы.

1.2. Феноменологическая теория сегнетоэлектрических жидких кристаллов.

1.3. Электрооптические эффекты в сегнетоэлектрических жидких кристаллах.

1.4. Полимерно-дисперсные сегнетоэлектрические жидкокристаллические пленки.

1.5. Эффект управляемого внешним электрическим полем двулучепреломления в геликоидальных сегнетоэлектрических жидких кристаллах.

Глава 2. Методики измерения диэлектрической восприимчивости, спонтанной поляризации, времени переориентации директора и электрооптического отклика мономерных и полимерно-дисперсных сегнетоэлектрических жидких кристаллов.

2.1. Методики диэлектрических и оптических измерений.

2.2. Анализ света, прошедшего через электрооптическую СЖК ячейку.

2.3. Химическая структура сегнетоэлектрических жидкокристаллических материалов.

Глава 3. Напряжение насыщения и упругая энергия полимерно-дисперсных сегнетоэлектрических жидких кристаллов.

3.1. Напряжение насыщения и упругая энергия мономерных СЖК.

3.2. Напряжение насыщения и упругая энергия полимерно-дисперсных СЖК.

3.3. Динамика электрооптического отклика полимерно-дисперсных сегнетоэлектрических жидких кристаллов.

Глава 4. Эффект управляемого электрическим полем двулучепреломления в СЖК с компенсированным геликоидом.

Введение.

4.1. Частотная зависимость времени переориентации директора СЖК с компенсированным геликоидом. Модель, описывающая периодические деформации смектических слоев СЖК в отсутствие внешнего электрического поля.

4.2. Процесс выпрямления смектических слоев негеликоидальных СЖК под действием внешнего электрического поля. Температурные зависимости времени переориентации директора.

4.3. Эффект управляемого внешним электрическим полем двулучепреломления в СЖК с компенсированным геликоидом.

4.4. Частотные зависимости напряжения насыщения, времени электрооптического отклика и контрастного отношения полимерно-дисперсных СЖК и СЖК с компенсированным геликоидом.

Глава 5. Управляемое внешним электрическим полем двулучепреломление в негеликоидальных СЖК за счет флексоэлектрического эффекта.

5.1. Последовательность жидкокристаллических фаз. Величина спонтанной поляризации.

5.2. Управляемое электрическим полем двулучепреломление за счет флексоэлектрического эффекта.

Жидкие кристаллы используются в электронике как электрооптические материалы для создания устройств отображения и обработки информации благодаря низким управляющим напряжениям и технологичности создания приборов на их основе.

Наиболее широко используемые в настоящее время нематические жидкие кристаллы обеспечивают частоту модуляции света не более нескольких сотен герц. На порядок быстрее сегнетоэлектрические жидкие кристаллы (СЖК). Они были синтезированы в 1975 году. Тогда было показано, что молекулярный порядок в смектических (слоистых) жидких кристаллах, состоящих из хиральных (оптически активных) молекул, обеспечивает новое свойство - спонтанную поляризацию, возникающую как следствие наклона молекул в смектических слоях [1]. Линейный электрооптический эффект, управляемое внешним электрическим полем двулучепреломление, бистабильность, мультистабильность и другие свойства СЖК сделали возможным создание на их основе разнообразных устройств отображения и обработки информации с быстродействием порядка нескольких микросекунд.

Если СЖК состоит из хиральных (не обладающих зеркальной симметрией) молекул, то в наклонной смектической (С*) фазе существует единственный элемент симметрии -полярная ось второго порядка. Вдоль этой оси возможно спонтанной поляризации смектического слоя, если молекулы обладают дипольными моментами, перпендикулярными их длинным осям [1]. В отсутствие внешних воздействий полярные оси различных смектических слоев развернуты друг относительно друга - геликоидальная закрутка директора (преимущественного направления длинных осей молекул). Известны три основных электрооптических эффекта в СЖК: линейный электрооптический эффект (эффект Кларка-Лагервола) и бистабильность при поверхностной стабилизации (подавлении) геликоидальной структуры хиральной смектической С* фазы [2]; электроклинный эффект - модуляция угла наклона директора в смектических слоях под действием электрического поля вблизи перехода из сегнетоэлектрической С* фазы в параэлектрическую А* фазу [3]; эффект управляемого внешним электрическим полем двулучепреломления в геликоидальной структуре хиральной смектической С* фазы [4]. Каждому электрооптическому эффекту в СЖК соответствует своя надмолекулярная структура - особый тип упаковки молекул с определенной симметрией. Поиск новых электрооптических эффектов связан с поиском новых типов надмолекулярных структур.

К настоящему времени разработаны новые классы сегнетоэлектрических жидких кристаллов и новые электрооптические материалы на основе СЖК.

1). Негеликоидальные (с компенсированным геликоидом) СЖК, обладающие объемной (собственной) бистабильностью [5]. До их появления считалось, что бистабильность в СЖК возможна только при поверхностной стабилизации (подавлении) геликоидальной структуры, то есть это чисто поверхностное явление.

2). Мультистабильные СЖК - негеликоидальные СЖК с большой величиной спонтанной о поляризацией (свыше 100 нКл/см ), способные запоминать не только состояния с максимальным и минимальным светопропусканием (оптическая бистабильность), но и промежуточные оптические состояния (градации серого) [5, б].

3). Сегнетоэлектрические жидкие кристаллы, стабилизированные полимером [7]. Полимер, процентное содержание которого составляет порядка 2%, растворяется в СЖК, образуя полимерную сетку, которая стабилизирует надмолекулярную структуру, препятствуя возникновению ориентационных неустойчивостей. Электрооптические устройства на основе таких материалов обладают высоким оптическим качеством и устойчивой бистабильностью.

4). Капсулированные полимером или полимерно-дисперсные сегнетоэлектрические жидкие кристаллы (ПДСЖК), представляющие собой полимерные пленки, в которых СЖК диспергирован в виде капель (дроплетов) [8, 9]. Такие композитные материалы обладают достоинствами мономерных СЖК (высокое быстродействие и большие углы обзора) и гибкостью полимера. Благодаря ПДСЖК стало возможным создание электрооптических устройств без стеклянных подложек с одним поляризатором или вообще без поляризаторов, что существенно увеличивает светопропускание [8, 10].

Основная задача при капсулировании СЖК - уменьшение напряжения насыщения, то есть минимального напряжения, при котором светопропускание пленки максимально. Уменьшение напряжения насыщения до, нескольких вольт и оптимизация электрооптических характеристик сделали бы возможным использование ПДСЖК пленок в промышленных устройствах.

Считалось, что эффект управляемого внешним электрическим полем двулучепреломления существует только в СЖК с геликоидальной закруткой директора в хиральной смектической С* фазе как следствие слабой деформации геликоидальной структуры за счет взаимодействия электрического поля со спонтанной поляризацией. При напряженности электрического поля меньше критического поля раскрутки геликоида изменяется азимутальный угол ориентации директора, и, как следствие этого, изменяется положение эллипсоида показателей преломления в каждом смектическом слое, что приводит к изменению эффективного показателя двулучепреломления [4]. Однако электрооптические устройства на основе геликоидальных СЖК не позволяют получить чисто фазовую модуляцию света.

Основная задача диссертационной работы состоит в поиске новых надмолекулярных структур в СЖК, обеспечивающих управляемое электрическим полем двулучепреломление и чисто фазовую модуляцию света в электрооптических устройствах, а также уменьшение напряжения насыщения и оптимизация электрооптических параметров (увеличение светопропускания и уменьшение времени электрооптического отклика) полимерно-дисперсных СЖК.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и списка литературы.

Основные результаты и выводы

1. Напряжение насыщения полимерно-дисперсных сегнетоэлектрических жидких кристаллов определяется упругой энергией системы полимер-СЖК. Как следствие этого, любое изменение упругой энергии приводит к изменению напряжения насыщения. Минимизируя упругую энергию, удалось уменьшить напряжение насыщения ПДСЖК до 5+8 Вольт в интервале температур 15+60°С.

2. Размер и форма (эллиптичность) дроплетов СЖК в полимерной матрице определяют характер температурной зависимости напряжения насыщения и времени электрооптического отклика ПДСЖК.

3. Напряжение насыщения и светопропускание ПДСЖК зависят от частоты управляющего напряжения. Увеличение частоты приводит к уменьшению напряжения насыщения и росту светопропускания.

4. В отсутствие внешнего электрического поля смектические слой негеликоидальных СЖК, нехиральная смектическая матрица которых состоит в основном из молекул фенил- и бифенилпиримидинов, волнообразно деформированы относительно направления, ортогонального подложкам. Электрическое поле, взаимодействуя со спонтанной поляризацией, выпрямляет смектические слои. Этот процесс можно описать движением двухпараметрического солитона, причем скорость его движения возрастает с увеличением напряженности электрического поля, а характерное время выпрямления смектических слоев обратно пропорционально напряженности поля.

5. Изменение канала диссипации энергии в процессе переориентации директора, связанное с выпрямлением смектических слоев, является причиной частотной зависимости времени переориентации tr негеликоидальных СЖК. Если электрическое поле, взаимодействуя со спонтанной поляризацией, изменяет азимутальный угол ориентации директора <р, то время tr определяется вращательной вязкостью у^ и не зависит от частоты изменения электрического поля. Увеличение частоты приводит к возбуждению моды, связанной с выпрямлением смектических слоев, а время tr определяется вязкостью у у и уменьшается при увеличении частоты. В некотором промежуточном диапазоне частот одновременно существуют две моды, вследствие чего время tr возрастает.

6. Возникновение моды, связанной с выпрямлением смектических слоев, является причиной ослабления температурной зависимости времени переориентации директора негеликоидальных СЖК. При этом наблюдается двойной пик тока переполяризации, что говорит о существовании двух процессов переориентации директора: выпрямление смектических слоев и изменение азимутального угла ориентации директора ф. С увеличением температуры соотношение между пиками тока переполяризации изменяется, но длительность импульса тока переполяризации остается неизменной. Как следствие этого, время переориентации директора практически не зависит от температуры.

7. Электрическое поле, выпрямляя волнообразно деформированные смектические слои, изменяет направление директора, и, как следствие этого, положение эллипсоида показателей преломления вдоль смектического слоя, что приводит к изменению эффективного показателя двулучепреломления негеликоидальных СЖК в 1,5-2 раза. Увеличение толщины электрооптической ячейки приводит к более сильной деформации смектических слоев и расширяет диапазон изменения показателя двулучепреломления.

8. Изменяя длительность знакопеременных импульсов управляющего напряжения, приложенного к электрооптической ячейке с мультистабильным негеликоидальным СЖК в качестве модулирующей среды, можно получать различные заданные значения показателя двулучепреломления и светопропускания и фиксировать их после выключения внешнего электрического поля.

9. Для бинарного соединения оптически активной добавки ментона 60PhBM (молярная концентрация меньше 15 %) и салицилиденанилина 06SA6 в температурном интервале между кристаллической и смектической С* фазами существует наклонная сегнетоэлектрическая X* фаза, в которой наблюдалось управляемое электрическим полем двулучепреломление в отсутствие геликоидальной закрутки директора.

10. Нехиральная наклонная X фаза существует и в чистом салицилиденанилине 06SA6, причем в отсутствие спонтанной поляризации в салицилиденанилине наблюдается линейный электрооптический эффект (времена переключения не превышают 200 мкс), связанный с возникновением флексоэлектрической поляризации. Порог образования флексоэлектрической структуры порядка 2 В/мкм.

11. Введение в нехиральную матрицу (салицилиденанилин 06SA6) ОАД (ментона бОРЬВМ) снижает порог появления электрооптического отклика до 0,3 В/мкм и увеличивает светопропускание структуры на порядок.

12. Причиной управляемого электрическим полем двулучепреломления в X* фазе являются ориентационные искажения директора вследствие деформации продольного изгиба под действием электрического поля - флексоэлектрический эффект. Выше порога возникновения флексоэффекта, когда электрическое поле индуцирует флексоэлектрическую поляризацию, директор отклоняется на дополнительный полярный угол относительно направления натирания, что приводит к изменению положения эллипсоида показателей преломления в каждом смектическом слое и является причиной изменения показателя двулучепреломления. При этом имеет место чисто фазовая модуляция света, прошедшего через электрооптическую ячейку.

Выражаю глубокую благодарность своим научным руководителям доктору физико-математических наук, профессору И.Н. Компанцу и кандидату физико-математических наук A.JI. Андрееву за помощь в работе и многочисленные ценные обсуждения.

Приношу благодарность кандидату физико-математических наук Е.П. Пожидаеву за многочисленные ценные обсуждения.

Глубоко признательна доктору химических наук JI.A. Кутуле за предоставленные жидкокристаллические материалы, кандидату физико-математических наук В.Я. Зырянову и C.J1. Сморгону за полимерно-дисперные жидкокристаллические материалы, исследуемые в данной работе.

Искренне благодарю кандидата технических наук В.М. Шошина и Ю.П. Бобылева за технологическую поддержку работы.

Глубоко признательна заведующему кафедрой № 25 «Физика конденсированного состояния» МИФИ (ГУ) кандидату физико-математических наук А.А. Маркилову за всестороннюю поддержку и внимание к данной работе.

Приношу свою искреннюю благодарность доктору физико-математических наук, профессору О.Б. Ананьину за внимание к данной работе и позитивную критику.

1. Meyer R.B., Libert L., Strzelenski L., Keller P., J. de Phus. Lett., 1975, v. 36, pp. L69-71.

2. Clark N.A., Lagerwall S.T., Appl. Phys. Lett., 1980, v. 36, pp. 899-903.

3. GarrofS., Meyer R.B., Phys. Rev. (A.), 1979, v. 19, № l,pp. 338-347.

4. Beresnev L.A., Chigrinov V.G., Dergachev D.I., Pozhidaev E.P., Funfschilling J., Schadt M., Liq. Cryst., 1989, v. 5, p. 1171.

5. Pozhidaev E.P., Andreev A.L., Kompanets I.N., Proc. SPIE, 1996, v. 2731, pp. 100-106.

6. Andreev A.L., Kompanets I.N., Pozhidaev E.P., Proc. SPIE, 1996, v. 2771.

7. Pirs J., Blinc R., Marin B, Pirs S. and Doane J.W., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1995, v. 264, pp. 155-163.

8. Zyryanov V.Ya., Smorgon S.L., Shabanov V.F., 4-th Int. Meet, on Optics of LC, Abstracts, 1991, p. 70.

9. Zyryanov V.Ya., Smorgon S.L., Shabanov V.F., SID 92 Digest, 1992, 23, pp. 776-777.

10. Leader C.M., Zheng W., Tipping J. and Coles H.J., Liq. Cryst., 1995, v. 19, № 4, pp. 415-419.

11. Пикин С.А., Инденбом B.A., Успехи физических наук, 1978, т. 25, с. 251-277.

12. Струков Б.А., Леванюк А.П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах., М., Наука, 1983, с. 240-245.

13. Blink R., Levstik A., 4-th Int.Liq. Cristals Cof.,Tbilisi, 1981, v. 1, p. 143.

14. Пожидаев Е.П., Береснев JI.А., Блинов Л.М., Пикин С.А., Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 37, вып. 2, с. 73-76.

15. Пикин С.А., Структурные превращения в жидких кристаллах., М., Наука, 1981, с.126-133.

16. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М., Статистическая физика., М., Наука, 1964.

17. Пикин С.А., Структурные превращения в жидких кристаллах., М., Наука, 1981, с.157-169.

18. Струков Б.А., Леванюк А.П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах., М., Наука, 1983, с. 274-277.

19. Островский Б.И., Пикин С.А., Чигринов В.Г., ЖЭТФ, 1979, т. 77, с. 1631.

20. Urbane В., Zeks В., Carlson Т., Ferroelectrics, 1991, v. 113, pp. 219-230.

21. Handschy M.A., Clark N.A., Ferroelectrics, 1984, v.59, p. 69.

22. Чигринов В.Г., Пожидаев Е.П., Байкалов В.А., Барник М.И., Кристаллография, 1989, т. 34, с. 406-412.

23. Garrof S., Meyer R.B., Phys. Rev. Lett., 1977, v: 38, pp. 461-469.

24. Ostrovski B.I., Rabinovich A.Z., Chigrinov V.G., Advances in Liquid Crystal Research and Applications. Ed. By Bata (Pergamon Press, Academiai Kiado), 1980, pp. 469-475.

25. Beresnev L.A., Blinov L.M., Dergachev D.I., Ferroelectrics, 1988, v. 84, pp. 173-175.

26. Clark N.A., Handschy M.A., Lagerwall S.T., Molec. Crystals Liquid Crystals, 1983, v. 94, p. 213.

27. Мустель E.P., Парыгин B.H., Методы модуляции и сканирования света., М., Наука, 1970, с. 11-18.

28. GoudaF., Skarp К., Lagerwall S.Т., Ferroelectrics, 1991, v. 113, pp. 165-206.

29. Armitage D„ Mol. Cryst. Liquid Crystals, 1991, v. 199, pp. 97-110.

30. Ostrovski B.I., Rabinovich A.Z., Sonin A.S., Ferroelectrics, 1987, v. 20, pp. 189-191.

31. Andersson G., Dahl I., Keller P., Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, pp. 640-647.

32. Пожидаев Е.П., Осипов M.A., Чигринов В.Г., Байкалов В.А., Блинов Л.М., Береснев Л.А., ЖЭТФ, 1988, 94, 2, с. 125-132.

33. Andreev A., Chernova N., Kompanets I., Loseva M., Parfenov A., Pavluchenko A., Pozhidaev E., Proc. SPIE, 1993, v. 2051, pp. 212-218.

34. Kitzerov H.S., Molsen S., Heppke G„ Appl. Phys. Lett., 1992, 60(25), pp. 3093-3095.

35. Patel P., Clu D„ West J.L., Kumar S„ SID 94 Digest, 1994, 25, pp. 845-847.

36. Жуйков В.А., Зырянов В.Я., Сморгон C.JL, Шабанов В.Ф., Российский патент, РСТ SU 91/00195, 1991.

37. Molsen Н., Kitzerov H.S., J. Appl. Phys., 1994, 75 (1), p. 317.

38. Margerum J.D., Tacher A.M., Ramos E., Liquid Crystals, 1989, 5, p. 1477.

39. Zyryanov V.Ya., Smorgon S.L., Shabanov V.F., Pozhidaev E.P., Mol. Materials, 1998, v. 9, pp. 139-145.

40. Зырянов В.Я., Сморгон С.Л., Шабанов В.Ф., Письма в ЖЭТФ, т. 57, вып. 1, с. 17-20.

41. Zyryanov V.Ya., Smorgon S.L., Shabanov V.F., Pozhidaev E.P., Andreev A.L., Kompanets I.N., Shin S.T., Asia Display'98, Proceedings SID, 1998.

42. Bouteiller L., Barny P.Li., Liquid Crystals, 1996, v. 21, № 2, pp. 157-174.

43. Erdmann J.H., Doane J.W., Zumer S. And Chidichimo G., SPIE Liq. Cryst. Chemistry, Physics and Applic., 1989, v. 1080, p. 32.

44. Pozhidaev E.P., Smorgon S.L., Andreev A.L., Kompanets I.N., Zyryanov V.Ya., Shin S.T.,. OSA TOPS, 1997, v. 14, pp. 94-101.

45. Pozhidaev E.P., Smorgon S.L., Andreev A.L., Kompanets I.N., Zyryanov V.Ya., Kompanets S.I., Ferroelectrics, 1998, v. 212, pp. 153-160.

46. Bach J.De., Capon J., Rycke I.De., Smet H.De., Doutreloigue J., Van Calster A., Vanfleteren J., Fujisawa Т., Ogawa H„ Takatsu H„ Journal of the SID, 1993, '/2, pp. 189-193.

47. Glogarova M., Pavel J., J. Phys., 1984, Paris, 45, p. 143.

48. Abdulhalim I., Moddel G„ Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1991, v. 200, pp. 79-101.

49. Островский Б.И., Чигринов В.Г., Кристаллография, 1980, 25, № 2, с.560-566.

50. Чигринов В.Г., Байкалов В.А., Пожидаев Е.П., Блинов Л.М., Береснев Л.А. и Аллагулов А.И., ЖЭТФ, 1985, 61, с. 1193.

51. V.G. Chigrinov, Liquid Crystal Devices. Physics and Applications, 1999, Artech House, Boston, London.

52. Андреев A.JI., Валериен С.В., Парфенов А.В., Пожидаев Е.П. и Чигринов В.Г., Краткие сообщения по физике, 1992, № 1, с. 10-14.

53. Блинов Л.М., Электро- и магнитооптика жидких кристаллов, 1979, М., Наука.

54. Funfschilling J., Schadt М., J. Appl. Phys., 1989, 66, p. 3877.

55. Diamant H., Dreuck K., Perinsky R., Rev. Scient. Instrum., 1957, v. 28, pp. 30-32.

56. Sawyer C.B., Tower C.H., Phys. Rev., 1930, v.35, p. 269.

57. Горшков Б.И., Радиоэлектронные устройства, М., Радио и связь, 1984.

58. Vaksman V.M., Panarin Yu.P., Mol. Mat., 1992, v. 1, p. 147.

59. Rieker T.P., Clark N.A., Smith G.S., Phys. Rev. Lett., 1978, v. 59, p. 2658.

60. Mochizuki A., Hirose H., Nakatsura M., Ferroelectrics, 1991, v. 113, pp. 353-359.

61. Rabinovich A., Loseva M., Chemova N., Pozhidaev E., Petrashevich O., Narkevich J., Liq. Crystals, 1989, v. 6, pp. 533-543.

62. Loseva M., Chernova N., Rabinovich A., Pozhidaev E., Narkevich J., Petrashevich O.; Kasachkov E., Korotkova N., Shadt M., Buchecker R., Ferroelectrics, 1991, v. 114, pp. 357377.

63. Neubert M.E., Wildman P.I., Zavaski M.J., Ibid, 1987, v. 145, pp. 111-157.

64. Smectic Liq. Crystal Mixture. Пат. № 0293763 A2, МКИ, C09K 19/34, Chisso Corp. № 88108416.4.

65. Demus H., Zachke H., Flussige Kristalle in Tabelen. 1 Auflage, Leipzig: VEB 1974, v. 83.

66. Pozhidaev E.P., Blinov L.M., Beresnev L.A., Belyaev V.V., Mol. Cryst. And Liquid Cryst., 1985, v. 124, p. 359.

67. Yu.P. Panarin, E.P. Pozhidaev, M.I. Barnik, Mol. Mat., 1992, v. 1, pp. 29-42.

68. Попова E.B., Федоряко А.П., Ващенко В.В., Кутуля Л.А., Журнал физической химии (в печати).

69. Andreev A., Kompanets I., Pozhidaev Е., Photonics and Optoelectronics, 1994, v. 2, № 4, pp. 181-184.

70. Береснев JI.A., Лосева М.В., Чернова Н.И., Кононов С.Г., Адоменас П.В. и Пожидаев Е.П., Письма в ЖЭТФ, 1990, 51, с. 457.

71. Funfschillihg I. and Schadt М„ SID-90 Digest, 1990, p. 106.

72. Vorflusev V.P., Panarin Yu.P., Pikin S.A. and Chigrinov V.G., Liquid Crystals, 1993, v. 14, № 4, pp. 1055-1060.

73. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M., Теория упругости., М., Наука, 1987.

74. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М., Гидродинамика., М., Наука, 1986.

75. Лосева М.В., Пожидаев Е.П., Рабинович А.З., Чернова Н.И., Иващенко А.В., Итоги науки и техники, М., 1990, т. 3, с. 27-28.

76. Косевич A.M., Ковалев А.С., Введение в нелинейную физическую механику., Киев, Наукова Думка, 1988.

77. П. де Жен, Физика жидких кристаллов., М., Мир, 1977, с. 341-349.

78. Kompanets S.I., Pozhidaev Е.Р., Ferroelectrics, 1998, v. 214, pp. 93-100.

79. Pavel J. and Glogarova M., Ferroelectrics, 1991, v. 114, pp. 131-136.

80. Beresnev L.A., Schumacher E., Pikin S.A., Fan Z., Ostrovsky B.I., Hiller S., Onokhov A.P. and Haase W., Jpn. J. Appl. Phys., 1995, v. 34, № 5A, pp. 2404-2410.

81. Coates D„ Gray G.W., The Microscope, 1975, v. 24, № 2, pp. 117-149.

82. Пикин С.А., Структурные превращения в жидких кристаллах., 1981, М., Наука, с. 133155.

83. Бобылев Ю.П., Пикин С.А., ЖЭТФ, 1977, т. 72, с. 369.

84. Nakamura К., Orihara Н., Ishibashi Y. and Yamada Y., Jpn. J. Appl. Phys., 1988, v. 27, № 5, pp. 705-709.

85. V.P. Vorflusev, Yu.P. Panarin, S.A. Pikin and V.G. Chigrinov, Liquid Crystals, 1993, v. 14, № 4, pp. 1055-1060.

86. РОССИЙСКАЯ ГОСУДАРИ IIHAfJ1. БИБЛИОТЕКА- & OS