Оптические и динамические свойства анизотропных молекулярных сред тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ
|
Подопригора, Владимир Георгиевич
АВТОР
|
||||
|
доктора физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Красноярск
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
1993
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.05
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ВЫСШЕМУ ОБРАЗОВАНИЮ КРАСНОЯРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
РГб од
п , ...<<о, На правах рукописи.
ЛОДОЛРИГОРА Владимир Георгиевич
ОПТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
шгаотропшх молекулярных сред
От. 04. 05. - оптика
АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Красноярск -1993
Рабевыполнена в Институте физики км.Л.В.Киренского СО РАН
и специальном конструкторско-технологическом бюро "Наука" СО РАН, /
[кучный консультант! доктор фиэ.-мат. ниуч, член-корреспондент РАН ШАБАНОВ В.Ф.
Официальные оппонентыг доктор фиэ.-мат. наук, профессор
ГОРЕЛИК B.C.
доктор физ.-ыат. наук, члсн-корреспон-дант РИА ШАПАРЕВ Н.Я.
доктор физ.-ыат. ноуч, член-корреспондент РАН МАЙЕР Г.В.
Ведутцал организация: Институт спектроскопии РАН.
Защита состоится 1994 г. на заседании специали-
зированного совет... Красноярского государственного
университета по адресу: 66С062, Красноя^к, пр.Свободный, 79.
G диссертацией нелно ознакомиться в библиотеки Красноярского госуниверсигего.
Автореферат разослан ноября 1993 г.
Ученый секретирь ^
специализированного совета, j
к.фиэ.-мат. наук J^ ^ j ЛОГИНОВ Ю,11).
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность проблем». В настоящог время наблюдается возрастпкхдий интерес исследователей к идее ооэданио устройств функциональной электроники с использованием молекулярных срод. Однако в связи с известными трудностями применения отдолы'х молжул как алиментов этих устройств, едва ли но основным подходом к донной проблеме является запараллоливанио молекул в ансамбли (молекулярные и жидкие кристаллы, тонкие пленки, твердые раствори и композита).
Особенность упорядочениях молекулярных сред заключается п сочетании обособленности молекул, связанных друг с другом слабыми вандерваальсошми силами, с анизотропией как самих молоку.., так i образованного ими кристалла. Это сочетание определяет уника..ышо оптические свойства молекулярных сред: высокие нелинейные восприимчивости наряду со стойкостью к излучению молекулярных кристаллов, гигантское усиление оптических процессов на поверхности, большую ориент^циошую подвижность молекул -гадких кристаллов (ЖК) на поджжках И в капсулах, легко управляемую внешними полями и т.д.
Существовавшие теоретически© модели (такие, например, как схема ориентированного газа) игнорировали анизотпопию мекмолекулярных сил и отличие дей лвуичего на молекулу ¿.экального поля от макроскопического. Это приводило к большим расхождениям меаду вычисленными и экспериментальными характеристиками. Так, рассчитанные показатели преломления и восприимчивости молекулярных кристаллов отличались от измеренных экспериментально, не поддавались интерпретации спектры комбинационного рассеяния света (КРС) сложных молекулярных решеток, их Поверхностей й тонких пленок, слабо изучено влияние границ раздела на свойства молекулярных и ясидких кристаллов.
Цель работ» • - создание методов определения оптических характеристик реальных анизотропных молекулярных сред. Для этого было необходимо:
- разработать экспериментальные методики и теоретические модели для описания их свойств;
-су этом действующего не молекулы в ансамбле локального поля установить связь между микро- и макропараметрами с целью правильной интерпретации оптического эксперимента, поиска и контроля новых лерспективньк сред для молекулярной электроники. Оснс ;ше положения. выносимые на защиту.
1. Схема атом-агомньж гютенциа~ов удовлетворительно описывает статические и статические свойства трех- и двумерных кристаллических молекулярных решеток ^энергия сублимации, чгстоты ,:алых колеианий, упругие постоянные, тензора средних амплитуд).Но при переходе к довврхтстя:: и сильно анизотропным кристаллсм, образе "¡энным молекулами со значительными м„\льтшолььши моментами у • поляризуемостями необходимо учиты-вать мультипольные и неадда-иьлые взаимодействий. Из-за анизотропии межмолекулярных взаимодействуй формы этих колебаний имеют сложный ориентационно-чрансляционный вид, что сказывается на интенсивнастях линий HPG.
2. Рассматривая поляризацию молекулярного кристалла в рамках те~рии -шдумрованны.; диполей, можно установить основные уравнения описывающие оптические процессы (в линейной кристаллооптика, опонгаклом КРС, ИК-поглицении, генерации второй гармоники излучения). Макроскопическую диэлектрическук восприимчивость кристалла, характеризующую взаимодействие света с веществом, можно найти, исходя лишь из электронных характеристик молекул (поляризуемости, гиперполяризуемости), если известии структ;-?а и тпзор локального поля.
3. Анизотропное взаимодействие в молекулярном кристалле изменявi тензор поляригуемостг молекулы f по сравнению.с ее поляризуемость* в свободном состоянии ( при этом эффективная поляризуемость . i становится зависящей от расстояний между молекулами). В спектра? КРС это проявляется в том, что вклад в интенсивность линий от трансляционных ко;.эбан:Л нэ равен нулю, как это считалосо ранее. I некоторых случаях этот вклад больше, чем вклад от ориентационннз колебаний.
Локальное поле зависит ог 7 и расстояни.". между атомаш
исходной молекулы и всеми другими атомами решетки. В такой модели локальное поле изменяется при колебании молекул, а в выргж01гг' для интенсивности линий »СРС появляются новые члеьы, пропорциональные производным от тензора локального ноля по нормальным координатам.
4. Измеряя абсолютные интенсивности поляризованных спектров КРС, полученных в разных компонентах тензора КР, л вычисляя тензоры локального поля и эффс .стивной поляризуемости, мокко определить электрооптические пс ;тояшше, нелинейные восприимчиво ~ти в ИК-диапазоне, а такке собственные вектора колебании молекул как целых.
5. Поверхностные мода в молекулярных кристаллах локализуется в 2 -3 слоях. Увеличение анизотропии межмолекулг.рных сил на поверхности приводит к смешиванию трансляционных и ориентационглх колебли^*, увеличению анизотропии тензоров средних амплитуд, локального пол* и эффективной поляризуемости, что приводит к изменению интенсивносгей оптических спекгров.
Атомное потенциальное представление позволяет вычислить динамику адсорбирован'их монослоев на поверхности. Колебание структурных единиц подложек влияет на частоты мод адслоя, поляризованных перпендикулярно поверхности. Рассчитанная для адслоев-плотность фононных состояний: в двумерной зоне Бри-люэна' позволяет идентифицировать пик., на экспериментальной кривой однофононного сечения неупругого рассеяния нейтронов. Если адслои образуют несоразмерную структуру с подложкой, это приводах к нарушению правил отбора в оптических спектрах. В частности, в эксперименте могут появляться частота, отвечающие поиврхностннм модам подложки, которые в отсутствие сверхструктуры принадлежат границе зоны Бриллюэна.
6. Параметры шероховатости поверхности диэлектрических кристаллов (средняя высота неровностей и среднее «расстояние между ними), а также диэлектрические постоянные приповерхностной области определяются на сконструированном поляризованном автоматизированном рефлектометре с помощью оригинального метода, основанного на измерении угловой зависимоет рассеянного поверхностью света. В спектрах КТО, г\лученных методом отражения
от сильно шорсгоиатой поверхности монокристаллов полупроводника, избирательно проявляются j.íikkh поверхностных фононон, что сляпано с резонансным характером усиления локального поля в0лизи норовности.
7. Измерение порогового магнитного поля, переориентирующего директор ЖК, позволяет определить энергию сцонлвнии w КК с подложкой. Теоретически полярная энергия сцепления может быть определои-п путем расчета разностей между значениями поверхностного натякэнич и энергии адгезии в гомеотрошом и плаиариом состояниях.
План а р н at. ориентация полярных ЖК па кристаллических поверхностях определяется дисперсионными силами, а гомеотропная диполь-дилольнкми и диполь-зарядовыми. На доменах рамного знака монокристалла триглицинсульфата (ТГС) ориентация и эноргин сцвплония КК различаются, причем значение w очонь мало (0,02эрг/ем2) для любого расположения структурных групп ТГС на поверхности (001) кристалла.
8. Измерение индола трис рассеянного поляризованного света диспергированными в полимере ЖК позволяет определить их структурные пвоаметры и конфигурацию ЖН в капсулах.
Н-учная новизна. Ь раОоТи вгтервыо!
1. Разработав! :.игода расчета с помощью ЭВМ фоногашх спектров, влектрооптических,структурных и динамических параметров сложных мол кулярннх кристаллов, их поверхностей и адсорбировашшх слоев.
2. В pí-мках феноменологической модели получены общие выражения для поляризации, позволяющие описать оптические процессы в молекулярных кристаллах. Разработаны методы расчета локального поля, эффективной . молекулярной поляризуемости, линейной и нелинейной восприимчмвостой, абсолютных интенсивностей линий КРС. Используя акспэриментальные значения последних, определены электрооптичэские параметр в нецентросиммэтричных кристаллах, а также собственные вектора колебаний молекул.
3. Создан способ и прибор для определения параметров ше[юховатоствР поверхностей диэлектрических кристаллов.
4. Определена энергия сцепления Ж с кристаллическими поверхностями в сильном магнитном поле и вклады взаюг действий разных типов в эту анэргию и ориентацию молекул на ьристалличг окой поверхности.
Разработана модель рассеяния поляризованного света на вытянутых пленках диспергированных в пс шмерьой гчтрице жиднчх кристаллов.
Достоверность результатов работы обеспечивается:
удовлетворительным согласием мен. у рассчитанными к экспериментальными данными, полученными независимыми методами в разных научных лабораториях;
- квантово-механическим обоснованием используемы. в работе феноменологических моделей локального поля и поляризуемости молекул в кристалле;
- применением этих результатов при расчетах физических свойств молекулярных сред в других институтах, а также работой соответствующих устройств и приборов, "сконструированных с участием автора.
Практическая значимость работы заключается в следующем.
- Созданные методы расчета и пакеты вычислительных программ позволяют интерпретировать результаты оптического эксперимента и извлекать из него нужную информацию. Модель динамики и электрооптики поверхности мокэт быть использована при исследовании и конструировании плоскостных интегральных схем и устройств отображения информации.
- Разработанная модель локального поля позволяет установить связь мевду микро- и макроскопическими характеристиками моле, .улярннх кристаллов и адслоев, определять их вакнейшэ параметры, не проводя дорогостоящих и трудоемких экспериментов. Гак, из данных по измеренным абсолютным интенсивностям КРС нчлинейных кристаллов, применяемых на практике, можно найти электрооптуческие постоянные, характеризующие степень их нелинейности.
- Метод определения иероховатостей поверхности, диэлектрических
пласта исиользуотся на входном контроле и позволяет уке сейчас реаль.ю уменьшить брак 1фи производство поверхностных схом, оптичоокнх диско!), солнечных батарей. (Созданный для этого антоматизироиатий прибор выпущен' малой сорной). Метод KFG испо:ьзуется для контроля свойств полупроводниковых пленок, применяемых в функциональной электроники.
Усслодс.аанио взаимодействия Ж с раэнши подложками с использованием мото,,ов переориентации в магнитном поле и расчета орионтации и энергии сцепления позволяет предсказать характер поведения М в агоктрооптических ячейках.
- Найдена и исследованы оптпескип методами новые материалы для элоктроншш: органические полупроводнкли - комплексы с подо родной снягъю; нелинейные кристаллы нитрозамещенных бензола, обладающий хорошиги характеристиками; композиты на их основе. Исследованные нами капсулировакныв в полимерной матрице ЖК успешно применяются в различных устройствах, сконструированных в лабораторш молекулярной спектроскопии ИФ и СК.ТБ "Наука" СО РАН (табло, экранах отоОракония информации, модуляторах, ограничителях мощности лазерного изл.-чешш и т.п.).
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на симпозиума по лазерной спектроскопии (Красноярск, 1973), Всесоюзном совевг.ми по органическим полупроводникам (Киев, 1971), 9-м Сибирском совещании по спокгрогчоти (Томск, 1974), Всесоюзной конференции по фйзйкв кидкого состояния вещества (Самарканд, 197^), 2 - 5 Всесоюзных сеишарах и конференциях "Использование ?ПМ d спектроскопии молекул" (Новосибирск, 1973. 1975, 1977, 1980) 6 Всесоюзной конференции по автоматизация научных иоследоваьлй (Иошсмбирск, 197В), 11,20 Всесошных съездах по спектроскопии (Минск, 1971; Киев 1988), 1-4 Всесоюзных конференциях ;;о опоктроскопи:: КРС (Москва 1978; Красноярск, 1983; Душанбе, 1986; Ужгород, 19Э9), 6 м Всесоюзном симпозиуме по конформацинм молекул и мпжмолекуарному взаямодийствию (Вильнюс, 1982), 11 Всесоюзном совещании "Применение колебательных спектров к исследованию неорганических и Координационных соединений (Красноярск, 1987), П
- Ü -
Всесоюзной школе по физике И ХИМИИ piiXJlUX и слоистых структур (Харьков, 19В8), 6 Всосоюзиой конференции "И и их прпчтическоо использование" (Чорьлгоп. 1 gfm). конференции ерциалшпичеоких стран но жидким кристаллам (Пардубяце, ЧССР, 1fjB7), ?-м Всесоюзном семинара по оптико КК (Красноярск. 1 9<K¡1, Европейском конгрессе по спектроскопии (Лейпциг, 19Я9), 1, 2 Мояд.народных симпозиумах по молекулярной электронике и биокомпьютэрам (Будапешт, 19В9; Москва. 1939), 2,3 Всесоюзных совещаниях "Физические основа нос-роения устройств обработки информации на молекулярном урошю (Москва, 1990, 1991 ), 1 Европейской конфоронции по жидким кристаллам (Вильнюс, 1991).
Публикации. Содерканке диссертации опублжойано монографии. "Комбинационное рассеянно света а молекулярных кристаллах" (Новосибирск, Наука * 1989), в 37 журнальных статьях, а теккэ и npenpifflTax ИФ СО АН СССР, тезисах и трудах Всесоюзных и Международных конференций- всего loo.
Структура и объем диссертация. Диссертация СОСТОИТ ИЗ С01.М Глав (первая из которых - введение), за:итчвшт и двух прилотний. Ра-бога изложена на 376 страница! ыаетнсппсиого текста и содержа* 80 рисунков. Список литературу состоят1 из 295 пвш.шновзштй.
Оскоштсз содер'-аш'.е работ».
Во введении (порвея глава) р.чссмэтркпапгся Boo>.:or-3iuo принципы использования молвкуляриых сред, а такяэ тдмя, примеияешя б настоящее время для списания сьойств молекуляргшх йрйсталлов к их
ПОВОр1ЕОСТОЙ, ЯН на ГГОВер*НООТЙ ГЗОрДНХ тая Й В ГГОЛИШрНМХ
матрицах. ООсуздается созрокениоо состошшэ зкепержонтальных и теоретических исслэдошнн& ЕИйзотрошоа упорллочэюшх молекулярных сред. В заключительном разделе глава сформулирован)/ цель работы i ео основные результата и ггологшяйя, зшюашв на защиту.
второя глава посвящена рассмотрений яолэкулярйых кристаллов в поле световой волтш. В модэлй шщуцированшх диполей впервые получены общие выражения для поляризация а диэлоктриче'-кой
воспрюя швости, позволяквде описать линейную кристаллооптику, КPC, КХ-поглощение, генерацию второй оптической гармоники. Из этих сощих формул, как частные случал, выво-ятся все основные уравнения, ранэл применявшиеся для описания оптических свойств кристгллов: Лоренц-Лоренгца, Клауз^уса-Масотти,' Вукса. Предложены модели вычисления тензоров Лорентца структурной анизотропии, эффективной молькулярнсй поляризуемости, локального поля. В них учтено то обстоя^ел: зтво, что в молекулярных кристаллах размеры молекул .сравнимы с постоянными решетки, а распределение электронной плотности на них/существенно анизотропно. Поэтому для учета реальных ^азмерог и орие:тпции молекул при расчете решеточшх сумм кристалл разбивался на -.томные подрешетки с последующим усреднением на молекулу. Эффектигная поляризуемость молекулы 1 рэссчитыва-асъ по Сэрмуле:
vij = axj + I <al ^./^>/<1 - «С^.Л^.НЭХц^ - б13), (1) 1' .. _ где ai;j - поляризуемость свободной молекулы, а^ - поляризуемости атомов, г - расстояние медду ниш, л^ - направляющие косинусы между системой координат, связанной с парой атомов 1-1', и кристаллофигическо«.
Рассчитав эффективную поляриз. эмость 7» решеточные суммы L и тензор коэффициентов локального поля i, можно связать эти микропараметры с такой макроскопической характеристикой, как показатель преломления п:
п2(и) = 1 + (4i/V ) Т W> fi<n)(u)), (2)
О ft
где vQ - объем элементарней ячейки.
i(m) = У [3^. - Uic/V,) i,mn,7m')-1 . (3)
Л*
!
В таблице 1 представлю показатели преломления ряда кристаллов за-вщенних бензола, рассчитанные по формуле (2) и измеренные экспериментально..
Таблица 1
Рассчитанные и измеренные экспориментально показателе преломления кристаллов замещенных бензола.
Соединение Метод экснерим. Показатели преломления
сюно эксперимент i ,91е» 1 J?? 1 ,5." 5
расчет 1,951 1 ,713 1,567
С14Н10 эксперимент 2,220 1 ,016 1,557
paci.ríT Р.МО 1,7lf» 1 ,606
п-С6Н4В-л2 эксперимент 1 ,75? 1,679 1 ,5?0
расчет 1 ,7U 1,653 1 ,539
ш-С6Н4(МОг)2 эксперимент 1 ,746 1,041 1 ,402
расчет 1 ,731 1.В43 1,576
т-С6Н4СШ02 эксперимент 1 ,656 1.663 1 ,624
расчет 1,67« 1,756 • 1,660
m-C6H4BrW02 эксперимент 1 ,683 1,705 1,656
расчет 1 ,741 1,005 1,705
Следует отметить, что если при расчете использовать приближение "молекула-точка", то в ряде случаев получаются вообще нефизичные результаты. Правильность предложенной Нами модели вычисления локального поля подтверждается и согласием между значениями квадратичной нелинейной восприимчивости, полученными экспериментально и рассчитанными по фцжуди:
Xljk(2w,w,w) = 1/V0 | С20J) p^j.^w.u.w) Г(Ш) Г(Ы) (4)
в которой р1"'- нелинейная поляризуемость m'-fl молекулы кристалла.
В третьей главе рассматривается техника спектроскопии KPG малых частот молекулярных кристаллов, в том числе ароматизированная установка но измерению абсолютной интенсивности линий. Применение лазеров в качестве йс/очников излучения и монокристаллов позволило получать поляризованные спектры KFC и использовать теорию групп для нахождения числа колебаний, разрешенных симметрией кристалла. Описаны решен-м динамической задачи для кестких молекул, введение координат симметрии, <>*
уи|хщ;)ицих, Ii также мота дики иримононин схимы мтом-атомних потенциалов (»ЛП) для нахождения силовых постоянных. Ü качестве примера результатов расчета на рисунке 1 представлен спектр К PC кристалла 1,3.j - трихлорбвнэола (пространственная грутга сигмотрии Р212121 с 4 молекулэ;.ц в элементарней ячейке). Правилами отбора при к = О а К FC разрешено 21 продельное колебание, разделение по типам симметрии, как 6А + 5В, + 5В2 + Вортикалыгами отрезками показаны частоты, рассчитанные с потенциалом Букингвма: V в вху(-аг) (А,В,а
полуэмпорические параметры).
ЧУ А
I'
I 1
• ( i \
г '■ Ц ' 1 •«, 1 .
4- V Ч(
iii. ■■ 1 ■
ЛУ Д
1 1
( М \l
1 \ 1
t JL 1 \
л Л \\
Jäi ч \ 1 ■»
XX.
»\/х
Mi
£
yi г
.j
.-та
-г-
го
П
л I» 11
Со Ю 10 ho СО 10
XI
fI
11 I Iii
f\ ( I
. J.
■Ж
го f«> io
OJ.i
mc. 1 Обработанные на ЭВМ спектрограммы KPC малых' частот 1.3- трихлор<3«мяпля.
Для некоторых классов соединений потенциальные кривые птом-атом теряют свою универсальность. Причины заключаются в с до л «шли х допущениях: аддитивности, неучете химического окружения птомон. вкладах членов в потенциале с другой стеленной зависимостью от расстояний г и т.д. Вследствие этого АЛП носят не истинный, я элективный характер. Полыней степени универсальности
\
i
и точности метода мокно достичь путем введения » потенциальную функции мультипольных и шаддитивних членов. Это Оын-чот необходимо сделать при рассмотрении кристаллов, обпазовашпчс молекулами со зна ителышмя мультипольными моментами и поляризуемостями.
Заключительный раздел главы посвящен установлению взаимосвязи между микро- и макроскопическими параметрами молекулярных кристаллов. Так, из сравнения уравнений движения упругих и фононных волн, найдены упругие константы, о ели мзвоотны силовые постоянные. Рассчитав полный спектр кристалла при Всех разрешенных значениях волнового вектора» определены тензоры средних амплитуд колебаний молекул как ЦелнЖ, температурные факторы Добая-Валлора для атомных смещений.
Однако наиболее чувствительными к анизотропии мойМолеку;.ярных сил и локального поля являются вэличтш интенсивностой линий КРС. Этой теме посвящена четвартая Глава диссертаций. В формуле для интенсивности КРС I
16 Лапа</
I *(«_> I. Г 1Г
(5)
о - скорость света, кв- постоянная ьольцмана, яа~степонь вырождения а-го колебания - известны» а показатели нреломлония падающего л^ и рассеянного пв свата, частота стоксовой компоненты й собственный вектор 1а фовояв найдены в двух предыдущих главах. Остается определять величину *(«)•
В работе впервые получено выражение для тензора КРС '• наиболее полно оййсыващеа рассеяние света в молекулярш» кристалла^
г (ш) ( > - 1/vo l <fiV> {-^7<пт— fi„
' inm'
Здесь ф - несингулярная часть решеточных сумм, учитывающая эффекты запаздывания, *|> - ое лроигэодиаг по нормальной координате Qa, р и т]-дипольный момент молекулы и его производная по Q.
Были рассмотрены дво группы кристаллов: цонтросиммотричиые дигалсчдбензолы, для которых р = о и г (6) остаются только первые два члена, и Аолярныо метанитрозамещенные бензола с р, отличном от нуля. В таблице 2 нредстввлоин абсолютные сочения КРС на решеточных колобанипх парадихлор- пврадибромбонзола, рассчитанные и измеренные экспоримонтально. Сравнение последних показывает нтлне удовлэувориталиое согласие во всех компонентах тензора ИР.
Таблица 2
Сечечие КРС п-дихлор и п-д.Оро^бензола, рассчитанные и измеренные экспериментально, см2>ю~28.
Тип п-дихлорбензол п-дибромбензол
симметрии и,см"1
4S 55 93 37 40 93
* X 26/32 2/1,8 01 /0.1 21/26 V.1 1,18/0.?
У Y 7,5/9.1 6,1/5.6 40/34,7 6,а/7,2 5,6/4,7 37/33.5
т. т. 4<5/3.U '•«/t.í 4,Й/ЭЛ "6/?8.7
X 39'8/4б,8 1'°/0,8 2,5/1,9 4Э/50
- М -
Для полярных кристаллов тензор КРС содержит члени, отвечпщно за нелинейный электрооптичоский эффект. Випишем их отдельно:
4 а'ап'(ш]
г^'м.
(7)
Поле Е^П) в (7) на частоте фонона О возникает н результате полярных колебаний кристаллической решетки и зависит от взаимной ориентации нолнопого вектора фонона к и воктора поли.
Учет запаздывании ириьодит к тому, что н{юдолышо и гюпир*31чннв волны и полярном кристалле дают разный вклад в абсолютную интенсивность линий. Па рнпунко г нрипедоны спектр.] полярных колебания тина А, кристалла Митахло[ 1итробон:>ола, полученные в раз)шх гооиетрнях съемки;
2(у у)2 " 10 ~ ф0,гон И х]У ~ то-фонои.
и
1 \ 1 1 1 1 --1(уу)*Г\ ----Х(У!/)Х-1 \
ч п /1 / » ' 1 1 • II /Т \ // « \ \ 1 1 \ л 4 V/ \ * \ ( \ 1 \ » \ « ■ /' д
_____________1___________I,..........1, • ■ •/'Л./' <.....1, .... .1 .....J__________1 ..._:>
0,5
ПО
1С
по
40
Л>
Рис. 2. Спектр КРС решеточных колебать кркп/тля м-хлорнитробензола (Мода А1)
различии в абсолютных иитенсишостях для каждого колебании определяется только пелг'иной нелинейжл-о ¡»лектрооптического Iзаимодейстиия, которое дается внряжымом (V). Это позволило найти из эксперимента по КРС злоктрооптические постоянные и нелинейную восприимчивость кристалла в ИК-диапазоне. Ь таблице 3 приведены значения х(<1'. Для м-хлорнитробензола, вычисленные для каждой из честот колебаний решетки в компоненте А.,. Видно, что нелинейная восприимчивость г И.;-диапазонэ оказывается выше, чем в области прозвпчности кристалла.
Таблица 3
Значения нелинейной восприимчивости м-хлориитробензола, найденные для каждой частоты типа А. из эксперимента по КРС, xir)(u t П.ы.О) Ю,?. m/v
Q, см"1 1 *
3,5 3,0 . г>,5
45 3,3 . 2,8 5,1
59 4,1 3,5 6.5
94 5,4 4,7 В,С,
103 0,3 4,4 7,9
SHU ЛВ 2,5 о.з
ЦЯратшш задача решена и
В отношении С>6СТВСННШ. НСКТОрТЙ
колебаний молекул 1 , входящих в формулу (5) для интенсивности линий. Для этого для какдого колес шя необходимо измерить частоты
И ПОСОЛИТИУ» И11Т0НСИЫ101Т1. СООТКеТОТНуНЦНЙ ЛИНИИ ППОКТрП ВО МОП*
разрошенныг компонентах теьзорв КР, а затем, рассчитав решеточные сумм», поляризуемости й их производные, найти вектора поляризации. В качестве примера в работе рассмотрен кристалл р-парвдмлорбонзола с одкс1 молекулой В элементарной ячейке, в спектре КРС которого разрешены 3 врлщатепышх кячпния типов а и П^ ст.ч/г>грии, нроявднмаихся в компонентах ху, у.-, у.у, тензора КР. Г'.начетп собственных векторов фононо» этого кристалла, найденных из решения опрятной задачи, хорошо согласуются с формами колебаний молекул, которые были получены при решении прямой динамической задачи (таблица 4).
Таблица 4
Ш,СМ
»и r;8 41
CoocThoniiHu ликтора колебаний молкнул ¡Нпрадидлорбен наПд'нишо на примой и обратной задач (очи [^фракции
| (><"ip;rni:]il задлчя
lli'HM'iH зад.тп
-1
0,14
0..
(1,1)1 -0,39 0,91
о, ей -0,37
ш,см
<>6 44
Г1Г
)ла,
О
х
11 ,'.)! > О,')? -0,3')
в.
е..
и, 14 0,34 0.93
-О, 4 I -U, (У)
-о,го
Таким образом, корректный учет анизот|юпии локгш.чого ноля, эЭДяктигшой поляризуемости, а такие iiiuv,«rrjxmmi амнлит"д нормальных колебаний позволил объяснить распад. -кз.:ио интенсипностей н сгтектре КРС молекулярных кристаллов, и нейти иг-эксперимента элоктроонтические параметры к собственные вектора колебаний молекул.
Пятдя глава посвящена исследованию оптических и динамических свойств поверхности моаекуляриых кристаллов й тонких молекулярных шюнок. В перлом параграф глапн изучена динамика адсорбированных монослоев этана на графите, структура И плотьjCTb фононов двух упорядоченных фаз s1 и S^ которого известны из эксперимента. При рлгчетлх исполыюплллпь схема АЛИ с потонциялышми функциями в форме (6 - ехр) и (6 - 8 - ехр), а также модель пластины, в которой силовые постоянные инвариантны только относительно трансляций, параллельных свободной поверхности и зависят от номера 1 в слое. Элементарная, ячейка системы содержит 61л степеней свободы, где г - число неэквивалентных молекул в слое.
Анализ частот И собственных векторов показал сильную локализацию поверхностных Колебаний (особенно орйентациочных), а также смешивание трансляционных и вращательных Мод в Монослое из-за взаимодействия с подложкой. Указано на необходимость учета силового взаимодействия аДслоя с подложкой при расчете- спектра колебаний, особенно для Монослоев с плпнпрным расположением
молркул. Для фазы s, этана с потенциалами С> -вычислены плотность фонондах '"осточний и
>'*!■) и oi - в -р*|>) спектр imyrtpyroi'o
r'K'O'HIIt.il Ц(>'», ICO'mpuH СрМННИЬМ'•'!'''M '• И''МПП',Н!1НМ
экспериментально и работе американских awojxiu. Адсорбционный ытенциал (б-о-ехр) лучи;о описывает зксиеримгнтальную кривую, а добпплинио к :>•.-)му и< »тимцимлу трпхчштгших члоппп прииодит к сдвигу спектра впраьо, улучшая это согласие. Этот факт свидетельствует о большей роли непарных сил на поверхности, чем в объеме кристаллов. Вичислиа дисперсионные зависимости частот и плотность фонолой i> дчумерной зоне Бриллюзна ОБ), получены тензора средних аплитуд колебаний молекул, адсорбированных на поверхности. Диагоиализация этих тензоров дали средние значения
0, f 8 и 0° для трамсля; ,.юнюх смещений и вращательных качаний соответственно, что примерно б 2 раза больше, чем в оОгоми. Отчечона сущестшнэя анизотропия колебаний яя поверхности, причем амплитуды смещений, папаллельннх пог.эрхности, гораздо больше амплитуд порпечдикулярных мод.
При исполкюпянии той же динамической модели пластины были исследованы поверхностные фононы вблизи граней анизотропных кристаллов антрацена и парада.хлорбензола. Получено, что частоты
JIOKIJIHllUliailllHX lUiltiiJIXHOiVJ'HIJX (¡«.IlliIlKlIl умпш.шяшч »1 им |(Н.1!ИЧИ11У ИТ .'U
до от объемных. Рассчитанные сдвиги частот сравниваются с экспериментальными, получинными для кристалла антрацена.
Многочи:ленные эксперименты показывают, что на поверхности кристалла и для адслоев нарушавтся правила отбора обнчного КРС (но говоря уже об эффектах гигатнсксго 'Т), VJK-гюглошения, ГШ\ изменяются параметры спектров. В работе проанализированы причины этого, свнзань.ш как с нарушением симметрии системы, так и с изменением внутреннего поля ни поверхности. Так, при адсорбции в оптических спектрах могут проявляться колебания_подложки, которые в отсутствии адслоя были неактивны. Это вызвано уменьшением зоны F'1'ИЛЛМ. НЯ при у40ЛИ40!.IIи элементарной ячейки системы, ЧТО [Гриподи t к ппяшюнив iicmiii граней эБ и расщ-лишии») дисперсионных, ьиткей поверхностных мод подложки. I) результате иояерхностые моды,
1.МЧПЦЦ() КПГШШМПУЛЬС, ОТЛИЧНЫЙ ОТ нуля, 1ЫИЯДНИГГ ня границу ЗОНЫ и 1 п;я HimiiiiivMH h еиектргн. Ня тчн'рхи! н-ти ужшгжвлмтпя
пни:ч1 Гранин t и;ю[юв L, 'f VI Г молекул. Ншгримнр, разность
m
сомпононт оф1иктипной полирипуомости 7Х~7У дихлорбеизода на юнорхности ипмомилась и 2 ря.-ш по сравнению с объемом, а шизотрония коэффициентов г -г^упвличинпотся при этом в 20 ¿аз. 1оскол!,ку интенсивность КРО пропорциональна квадрату изменения юляризуомости и чотпортоЛ стыюни изменения ноля, это приводит к гвеличонию интенсивности ■ссютиотстпукмуго колобания на несколько юрядкоь (и расчете на одну рассниваюцуо моли кулу).
Показано, что при вычислении эффективной поляризуемости 1 и 2 юрлдка и тензора коэффициентов г для аолпнул, адсорбированных па говорхности и расположенных на ной, необходимо учитывать градиент токалыюго поля, что приводит к изменению правил отбора оптических :пектров и ГВГ. Предложено в случае ?.и>рфных подложек использовать «ш расчета локального поля модель диполей изображения, п которой адсорбированные молекулы эффективно взаимодействуют с последним".
В заключении главы рассмотрены вопроси количественного эпредвлония неровностей поверхности й их влияние на параметры спектров КРС. Актуальность проо.чемы следует Из гкенаримвнтальных ц:лтих, показывающие, что . отклонение поверхности от идеальной значительно сказывается на характере протекающих На ней процессов. Измерение параметров шероховатости -среднеквадратичного отклонения высот неровностей о и корреляционной длины т - осуществлено с помощь» метода упругого рассеяний света и с использованием векторной теории, учитывающей электроситическио свойства поверхностного слоя. Интенсивность рассвпчного поверхность*) свота пропорциональна произведении оптического фактора зависящего от углов падения ф, рассеяния 0 и диэлектрической
Л|юницявмости е, и спектральной плотности шероховатостей
00
Г (к) = -4- Г(р) ехр (~Иср )р цр (Ч)
^ о
р = {х,у}, Г(р> - корреляционная функция (КФ) поверхности.
выл рнзр;)ботя11 оригинальный мотод оиредилонин пмрамотрои о и Т. реализованный на экспериментальной установил, которая япнлгкч. прототпом выпущенных малой сириой приборов контроле кпчопт гюппрхиости.
Поскольку результат об;аботк.. .'жснериментп зависит от гипотезы отнитолыю корреляционной функции Г(р>- то существу*/!' дна подхода: первый состоит в подборе аналитического выражения для КФ из сравнения теоретической припой J( о) с '.жс.нериментяльной; второй заключаемся в вычислении Г(р) как преобразования, обратного (И). Однако при этом нужно знать индикатрису рассеянии но псей полусфере, тогда инк в большинстве гжспориментон излучение анализируется в плоскости падения, и данных эксперимента но хватает для определения КФ из обратного Фурье-преобразования ПИ.
В настоящой работе влорвие предложен метод определения КФ и параметров шероховатостей, основанный на разложении Г(р) в ряд по системе ортогональных функций Лягерра с последующим нахождением коэффициентов разложения непосредственно из измерений индикатрисы рассеяния света. Тогда среднее квадратичное отклонение высот неровностей h определяется из условия нормировки КФ:
ог = h2(x,y) = Г(0,0).
Поскольку интенсивность рассеянного света i „- Qr „(ф.б.Е)«
~ РI в Р , н
. Г(р), то из отношения ютенсивностей р- и в- поляризованного света Jp/iB = Qp/QB в каадой точке поверхности при одних и тех же углах ф и 0 определена и величина диэлектрической проницаемости поверхности е, которая сравнивается с расчетной.
Влияние неровностей поверхности коистолпов на параметры спектров КРС рассмотрено на примере монокристаллических пленок СаАв. В спектрах КРС на поверхности грани (001) плеНки со средними высотами неровностей 205 нм обйарукои дополнительный пик, отнесенный к поверхностному колебанию. Избирательность отклика пленки на пвдащее излуче&ие объясняется усилением локального поля вблизи полусферических неровнестей с данным радиусом, возникавшем при резонансе рассеянного света с поверхностными плазмонами полусфер GaAs.
В шестой главе рассматривается поведение нематических жидких кристаллов вблизи поверхности твердого тела (на подложках и в матрицах). Впервые измерена энергия сцепления JKK с подложкой в сильном магнитном поле путем переориентации его директора из пленарного в гомеотропное состояние (s-эффект). Эта переориентация
происходит при иикогором пороговом напряжении поля нп, чтобы ЗарПГ1(гт[1и[кки'1ТЬ Которой ИЗМИрЯЛЯСЬ интоноинность ПрОИШДШОГО чор<зг обрнпои енота, ¡'(л'истпяцин «-уфректа производилась га уникальной экспериментальной установке, собранной 1'умшсовым П.Ф..и Перинным А.П.. Ириминян метод пробник функций, т.о. записывая угол ориентации в ьидо 0 -- ßmOoa тУ.гдо m - волновое число, 0m-мяксималышй угол поворота ЖК, и подставляя мго в выражение для свободной оноррип ЖК-пленки п мапгаткоч иола, найдена связь между энергией ецпплонин w и пороговим полом:
И"
Ч к ' Гг1
■ ■»« ( f ] ri
ел
Ff ijKjpMyjm изгиба, (I
Ci)
упруги» поотогнпял
толщина нематикв, К..
11'
непорочного ([ пороговое напряженно, соответствующее бесконечно сильной связи }ХК с подложкой: ™= (it/d) (к j/дх)1гдо &% - анизотропия диамагнитной
восприимчивости кристалла.
Нл рисунке J показана зависимость порогом« полей :КК 5ШЗ от толвднн ti слоя ЖК, которая варьировалась от 1 до 20 ,лсм. Измерения проводились как из ячейках, содержащих одни и то жо подложки, нп с раиной толщиной, так И на .бразцах одной толщины, ко с подложками, по разному ггодготовлпнннми. Из рисунка видно, что только на ячейках с подлоикямм,. , обработанными олмазннм
С М «И
II Я.КГС
40
H
Нп, кГС
{"i
il l
<L,- Г
inc. 3. Паниоимость M"p"i-opwx п"Л"(1 ЯК '-IM' <-г rt\w>»4 <\ч>»« V.
субмикроиорошсом ФСМ-0,5 и толщинами нкк, меньшими з мкм, удалось экспериментально обнаружить отличу;» магнитного порога н от порога н™, соотнотствукэдего бесконечно сильной связи (прямая линия). Для больших толщин планарнмх НК-слоен разность можду нп и Н™ оказалась сравнимой с точностью определения самих пороговых полой для всех ячеок. Найденное по формуле (у) значение энергии сцеплония равно У? = (2 ♦ 0,1) Ю~4 Дк/м'1 для ячеек с толщиной от 1,3 до 2,6 мкм. Таким образом, в пределах указанной точности измерений V» толацппюй зависимости ии) в этом диапазоне й но обнаружено, в отличии от экспериментов в электрическом поле. Это связано, по-видимому, с отсутствием эффжтов поверхностной электрической поляризации и движением зарядов в образце, искажающих величину критического поля. Представляется, что именно ввиду того, что количество зарядов в образце КК пропорционально толщине слоя, в электрическом поло величина порога зависит эффективно от а, что отсутствует в эксперименте с магнитным полем.
На том же рисунке э представлена впервые обнаруженная температурная зависимость пороговых полей перехода Фредврикса для
ЖК 5ЦБ ТОЛЩИНОЙ Л = 1,54 МКМ.
Чтобы определить, какие силы отвечают за установление той или иной ориентации молекул Ш на границе раздела, а какие обеспечивают слабой сцепление с ггодлоккой, в работе рассмотрена модель, в которой область ЖК, граничащая с твердым телом, моделировалась смэктоттодобнсй молекулярной решеткой, разупорядочявавдейся по мере удаления от ее поверхности. Потенциальная функция задавалась суммой дисперсионных, короткодействующие, даполь-дешоЛышх, а при взаимодействии с подложкой - и диполь-зарядовых членов. Расчеты произведены для следувдих систем: 1) сильно полярных ЙК цианобифенила-7 и феггалпиргадана-т на кристаллическом а-кварце; г) 5-цианобифинила и МББА на поверхности (010) скола монокристалла триглицинсульфата (ТГС). Для первой группы ЖК выгодной оказалась гомеотропная ориентация с аптипараллэльной упаковкой молекул как на свободной поверхности, так м на кварцевой подложке. Определяющий вклад в энергию связи с последней дали мультипольные
заимодействия. И случае же плаппрной ориентации ЖК ультипольнне силы взаимно компенсируются, и основной вклад в норгию дапт дисгюрсиошгоо взаимодействие. Результаты расчета Сменяют гжоперименталышо дашшо оптической микроскопии л»я этих истом.
ТГС, используемый ¡caic гюдлокка для второй группы КК, является эгнетоэлектричосскм кристаллом с полярной осью, направленной ортндикулярно поверхности (ою). -В его элементарной ячейке одерхится з глициновых группы CH3NH?C00H, дво из которых плоские, одна нет. Поэтому при расчетах допускались три типа ькола ТГС, огда поверхность проходит соответственно через I, IT и III руипн. Оказалось, что на гранях II к III выгодна гомеотрошья >рионтяция ЫШ, а на I - планпрняя, прячем энергетическая разница ¡ежду двумя нолоконинш на какдой поверхности очень мала. Один из юкальных мютмумоя энергетической поверхности соответствует склонному положению директора 5ЦБ. Вса эти вывода подтверждаются (лохим оптическим контрастом, нвблвдаемнн на ячо&сах "5ЦБ - ТГС".
Для ЖК МББА, молекула которого имеет дипольныГ- момент, тправлешшй перпендикулярно длинной оси, для всех трех ч/поп юверхностой(ою) наиболее шгодьой оказалась пленарная >рйонтация, что обеспечивается совместным денствиом дисперсионных I дштоль-диполышх сил. На противоположной стороне демона ) jeKTop поляризации направлен в противоположную сторону. Такую ко центрическую структуру имеет поверхность кристалла Тг ип зоседном домен«» (-). Мультшолыюа взаимодействие Hit г, тгчой товерхностью меняет величину и знак для всох свойств глицинов, по приводит уже к гомеотрогаюй ориентации МБВА нв домене (-).
То .обстоятельство, что Ш МВВА ориентируется на ТГС планарно, гозволило экспериментально определить ого энергию сцепления с тодлокной (без всякой ео обработки и применения орионтпнтоп) из в-эффокта в магнитном поле. Эта энергия оказалась равной
3,1-10 Дк/м", что более чем на порядок меньше w 5HI3 на кпарн".
- :.ч -
Расчет этой энергии проводился но формуле
w = ~ = 4Ei-. " *Ai-. + Ah'taiVoDlj., . (Ю)
sT 4
где 7 - поверхностное натяжение границы раздела твердой и жидко! фаз. Е - поверхностная анергия, Л - энергия адгезии. Температурка* зависимость У'СГ) ЖК измерялась опытным путем, а остальтд величины рассчитаны с помощью описанной выше модели. Вычисления) но формул^ (Ю) ¡энергии сцыммнии мы;Л с ТГС составила о,Ь -ю"4 0,2 «Ю-,4 и 0,7 •ю-4 Дж/м2 соответствешю для I, II и III типо: поверхности (ОЮ), удовлотпоритольно согласуясь по порядк: ьчличини с аксиериментнльпим пнячининм ониргии сцоплинил для aroi системы.
Заключительный раздел шестой главы посвящен , иссладовани оптических свойств новых композитных материалов-диспергированных полимере ЖК (ДПЖК). С помощь» измерения угловой зависимост упругого рассеянии света установлена связь между интегральным характеристиками анализируемого излучения и внутренним микроскопическими параметрами отдельных капсул. Экспериментальн индикатрисы рассеяния поляризованного света пленки 5 ЦБ поливюшлацетатв (ИВА) измерялись на установке, являщейс модофпсацией используемой для определения шероховатостей Теоретический расчет интенсивности. рассеяния на одной капсул производился с помощью известных приближений Релея-Ганса-Деба (для малых прозрачных частиц) и аномальной дифракции (Для больви и "мягких* капсул). Обе модели дают одинаковые результаты вплот до размеров капсул r = 5 мкм (при X = 0,628 мкм). Для учет полидисперсности использовалась гвмма-функция распределения капе} по размерам. Для толстых образцов с высокой концентрацией т] Я оказался необходимым учет эффектов перерассеяния между частицам! что пргчело к уменьшению эффективного сечения рассеяния nj увеличении т). Это дает возможность, варьируя размеры капсул концентрацию ГО, влиять на степени однородности системы положение полосы пропускания пленки. Изучено влияние поверхнос раздела "ЖК-.голшер" на свойства молекул в капсуле.
Исследованы также композитные структуры, полученные пут(
- 2А -
ютягиияния полимерной пленки с ДПЖК. Они могут быть использованы сак оптические датчики механических деформаций, поляризаторы олучония, индикаторы электромагнитного поля и т.д. )сесиммотричнне капсулы Ж 5ЦВ п результате пытягивания эриинтирумтся в одном направлении в плоскости пленки, поэтому сорошей моделью рассеяния явилось представление ее в виде ансамбля вытянутых эллипсоидов. Представляя лытянутуп капсулу в виде овухслойного сфероида, оболочка и ядро которого имею»' разные этносительние показатели преломления, получена зависимость коэффициентов экстинкции и рассеяния поляризованного излучения эг относительного удлинения ЙК -пленки.
Рис. 4. Зависимость коэффициентов окстинкци» енота п Гчггянутнх пленках КПЖК от относительного удлшнчт.ч пленки
(ЭКС11РрИМ<,НТ.г1.1|1.ПЫ(? Д.'ШНЫ'? ПО.ПУ'ИЧ!» п.я. мирл!к11ч)м 1'
С.Л.Сморгоном ).
Как ни дно ця рисунка 4, теоретические кривые удовлетворительно согласуются с экспериментальными зависимостями з| и э . Анализируя ^прму индикатрисы раесоншш г нотя вытянутыми ПЛйНКИМ! Д11ЖК, „ценена асфзричность капсул.
Седьмая глава посвящена вопросам применения оптически: методов для поиска, изучения и контроля нових сред дл) мик}>оэлвктроники. Излагаются результаты исследования физически: свойств органических полу1гроводликоп - комплексов с водородно! связью. Замена атомов в кольцах аминов и фенолов в этих- комплекса: приводит к изменению типа мвкмолекулярного взаимодействия и сига водородной связи и, как слодствие, и изменению электропроводност! на 8 - Ю порядков. ООсуадавтся применение в оптоэлектротке ] радиотехнике изученных в работе нелинейных - кристалло; метаиитробензолов и их аналогов, о такие тонк«х молокулярны пленок. Рассматривается, как (нгисанние и ряботе методы упругого леупругого рассеяния света использовались для контрол диэлектрических и полупроводниковых пластин и пленок, применяемы при приизнодстпи издп.лий ыикрошижтроники. П зягслпчпние глав излокенг способы оптической диагностики устройств сконструированных на основе диспергированных в полимере жидки кристаллов.
В заключзшш сформулирована основные результаты дасс&ртаци и вывода.
В приложения вынесены громоздкие промежуточные выкладкиг
ОСНОВНОЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДШ1Щ РАБОТАХ.
1. Ботвич А.Н., Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф. Комбинационис рссеяние света в молекулярных кристаллах. - Новосибирск: Наука, 1989. - 2Г.0с.
л _
2. Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф.» Спиридонов В.П. Спектр мал* частот монокристалла 1,3.5-трихлорбинзолп. // Оптики спектроскопия. - 1975. - т.39. - с.196-199.
Я. Подопригорв В.Г., Шаб§нов В.Ф. Динамические и структурш
арактеристики 1,3,5,-трихлорбензола. // Кристаллография. - 1975. т.20, в.6. - с.1109-1112.
4. Шабанов В.Ф., Подопригора В.Г. Предельные решеточные колебания ,3,5- тригалоидбензолов. // Оптика и спектроскопия. - 1975. Т.39. -с.1089-1092.
5. Шабанов В.Ф., Подопригора В.Г. Определение ингенсивностей иний в спектрах КРС решеточных колебаний 1,3,5-трихлорбензола. // аттика и спектроскопия. - 1976. - т.4Т, в.с. - с.1069-1072.
6. Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф. Автоматизация расшифровки яектров КРС малых частот с помощью ЭВМ. // Сборник программ для галокулярпой спектроскопии. 1Го|и>с:ибирен: !ыукн. 1977. п.7Б-г'0.
7. Шабанов Ф.Ф., Подопригора В.Г. Определение интенсивностей в шектрах КРС (..алых частот кристалла 1,3,5-трибромбензола. // Штика и спектроскопии".- 1978. - в.З. - с.493-496.
8. Шабанов В.Ф., Подопригора В.Г., Ботвич А.П. Определение [нтенсивностей линий КРС решеточных колебаний молекулярных ¡ристаллов. // В сб. Спектроскопия комбинационного рассеяния ;вета. М.: Изд-во АН СССР. 1973. - с.288-389.
9. Подопригора Е.Г., Шабанов В.Ф., Ботвич Л.Н., Шестако Н.П. 1пектр предельных частот - реиеточных колебаний кристалла 1-динитробензола. // Спектроскопические метода в анализе и ¡сслвдовании свойств вещества в конденсированном состоянии. Срасноярск. Изд-во ИФ АН СССР. - 1979. - сЛ24-134.
СО.Шабанов В.Ф., Подопригора В.Г., Еотврч А.Н. и др. Локальное юле и оптические свойства молекулярных кристаллов. - Красноярск. - 1980. - 24 с. (Припринт № СО АН СССР № 130Ф). [I. Шабанов В.Ф., Подопригора Ь.Р., Ботвич А.Н., Шестаков Н.П. Интенсивность линий КР фононяых спекаров и электрооптическкэ параметры молекулярных кристаллов. // Оптика и спекчроскопия. -1981. - т.50, В.2. - с."07-312.
12. Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф., Ботвич А.Н., Ермаков В.П.' Э возможности вычисления локальных полей и восприимчивогтей молекулярных кристаллов. // Кристаллография. - 1981. т.26, #4. -с.677-681.
13.Ремизов И.А., Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф. Роль непарных сил
п динамике решетки молокулярних кристаллик. Кппнюяргк. - T98I. - 40 с. (Препринт ИФ СО АН СССР - № 104Ф).
14. Подопригора В.Г., Мальбин М.Г, Автоматизация спектралышз иселпдс.иамиО. // Фипика тичрдпи» тиля. Пиг»1и:»ик;|. Красноярск Изд-во ИФ СО АЛ СССР. - 1982. - с.95-97.
15. Ботвич А.Н., Подопригора В.Г., Шестаков Н.П., Шабанов В.Ф Абсолютная интенсивность линий КР фпнонних спектров м-хлорнитро-бензола.//Оптика и спектроскопия. - I9B3.- т.55, в.4. C.G39-694.
16. Подопригора В.Г., Ботвич А.Н., Шестаков Н.П., Шабанов В.Ф Определение абсолютной интенсивности НРС и электрооптически параметров кристаллов дигалоидбензолов. // Журнал прикл. спектр. 1983. - т.38, в.2.
17. Подопригора В.Г., Ремизов 11.А., Шабанов В.Ф. Динамика решетк парадигалоидОензолоь 6 учетом непарных сил. // Журнал прикл спектр. - 1983. - т.38, в.6. - с.993-997.
ТВ.Ремизов И.А., Подопригора В.Г., Вотвич А.К., Шабанов В.Ф. возможности нахождения собственных векторов реветочкых колебали молекулярных кристаллов. // Журнал приклад, спектр. - 1983. т.39. 1).1. - с.651-654.
19. Podoprigora V.Q., Botvioh A.N., Shabanov V.P. Optica Properties of Moleoular Crystals. // Physioa Status Solidi (b). 1983. v.120, N 2. - p.491-502.
20. Подопригора В.Г.» Ботвич А.К. t Харитонова Т.Д., Шабанов В.<3 Исследование энергии и динамики решетки кристал.) м-бромнитробензола с использованием мультпполей и точачкь зарядов. // Кристаллография. - 1984. - т.29, В.З. - с.595-597.
21. Подопригора В.Г.. Ботвич А.К. Динамика решетки «олэкулярш кристаллов. // Нелинейная оптика и спектроскопия молекулярж сред. Красноярск, Изд-во ИФ СО АН СССР. - 1984. - с.3-40.
22. Ремизов И.А., Подопригора В.Г. Роль многочастичных эффектов злектроотимчеоких параметрах молекулярных кристаллов. Нелинейная оптика и спектроскопия молекулярных сред. Кресцояра Изд-во ИФ СО АН СССР. - 1984. - С.176-182.
7,3. Гимигюн И.Л., Подопри го] >п П.Г., Шяб.шюп В.Ф. Роиеточп
да.ламика тонких пластинок и поверхности молекулярных кристаллов.
« •
)т:1И»цц:к. ИЯМ. - г. (Щх'НрИПТ СП ЛИ ШН* Я 307Ф). ,. Ботнич Л.Н., Подопригора В.Г., Харитонова Т.А., Ремизов И.А. I учете взаимодействия мультиполей при расчете фонок:шх спектров 'С молекулярных кристаллов. // Журнал ггрикл» спектр. - 1985. -43, в.2. - с.3IO-3I2.
>. Ремизов И.Л., Подопригора В.Г. и др. Внутреннее поле в ■астинках и на поверхности молекулярных кристаллов. - Красноярск. 1985. - 42 с. (Препринт ИФ СО АН СССР № 354Ф)
|. Podoprigora V.C., Reni:',ov I.A., Botvioh A.M., Shabanov V.F. feet of Nonoontral Interaotion on Energy and Lattice Dynamics of lecular Cryotala. // Chem. Phys. - 1935. - v.92, n 1 1б>1бв.
rodoprigora V.G., Remiaov 1.А., Shabanov V.F.. Botvioh N. Purfase Phonona* in Molecular Crystals. // Physioa Status 1 idi (b). - 1907. - v.110. •• p.109-115.
i. I'uiloprlgura V.O., oIihI'iiiov V.I1'., Vtyurlrl A.M., I'olvioh A.N. ectrooptio Characteristics of Thin lioleoular Filmu and Surfaces. J. Molec. Eluoti-onieu. - 1937. - v.}, Hi, - p. 47-49. . Vtyurin A/.M., Podoprigora V.O. , Eliabanov V.P., Botvioh /.M. tloal Properliea of Molecular Crystals - Relationship Betwoen ого- and Macroparameters. // J. Moleo. Electronics. - 1987. N 1. p.54-56.
Podoprigora B.C., Shabano" V.F., et. al. Eleotrooptioal araoteriatice of Thin Molecular Filrr.3 and Surfaoes. // Abstr. of mpobitiin on Molecular Electronics and BiooomputerB. - 1907. -ngary (Budapest). - p. 17.
. Vtuyrin A.N., Podoprigora V.C., tit. al. Optical proportion оГ leoular Crutii.ale - Rulation of МЫги- and Maoroj>ar;unotern. // str. SumpoB^uin on Molecular Electronica and Btocompulero. 1907. Hungary (Budapest). - p. 1?i.
. Подопригора В.Г., Ремизов И.А., Шабанон В.^. Вычисление ергии взаимодействия И ориентации молпкул ФПМ-7 на исталлической подложке. // Журнал физич. химии. - 19ПЯ. - т.я?,.6 11. - с.3097-3099.
. Podoprigora V.O. , RfrnU'.nv Т.Д., r,)i;ib;«nov V.P. f!-i Irnl'lt. i"M <>!'
• ::«.) -
Interaction Energy and IfoleciPaOri&ntation of liquid Crystal oi Quartz Substrate. // Material eoien-je.- 1988.- v.44, b.3.-p.83-90
34. Vtyurin A.M. , Podoprigora V.O., Botvioli A.N., Shg.banov_V.F Eleotrooptio Effect and Raman Intensiii in Molecular Crustals. / Materia Scienoe. - 1983. - v.14, Ъ.1 . - p.87-90.
35. Ремизов И.А., Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф. и др Поверхностные фононы в моносдоях углеводородов, адсорбированных н графите.- Красноярск.- 1988.- 31 с, (Препринт ИФ СО АН СССР 515Ф).
36. Шмелева Л.В., Ремизов H.A., Подопригора В.Г. Динамические элекгроопгическиэ параметры упорядоченных адсорбирована монослоев. - Красноярск. - ГЯЯ8. - Т5 о. (Препринт ИФ СО АН СС(
37. Кабанов К.С., Подопригора В.Г., Сургутанов И.В. Исследоваш шероховатостей с^ерхгйадких поверхностей с помощью рассеян] света. - Красноярск. - 1968. - 43 е.. (Препринт ИФ СО АН' СС< Je 456Ф).
38. Кабанов И.С., Подопригора В.Г., Сургутанов И.В. Устройство д. иомерения шероховатости поверхности изделий. Авт. св-во ССС J& 168427. ка. C0I В 11/30. 2S.I2.88.
39. Подопригора В.Г., Шабанов В.Ф., Вгюрин Ф.Н. Спектроскопия К поверхности и ультратонких молекулярных пленок. // Известия СССР (сер. физ.). - 1989. - т.53, в.9. - C.I807-I8I2.
40. Vtyurin A.N., Podoprigora V.G., Botvioh A.N, et г Electrooptic Effect and Raman Intensity in Molecular Crystals. J. Molecular Eleotronios. - 19B9.- v.5. -p.93-98.
41. Podoprigora V.G., Shabanov V.F. Surface Phonons in Molecu] OrynUlr, япг1 Thin Film«. J J Abr.t.i-. .>Г 19 t.h Енгори nnOongreBR Molecular Spectroscopy. - 19Э?. - Germany (Dresden). - p. 215.
42. Botvioh A.N., Podoprigora V.G., Vtyurin A.N. Raman Soatter Intensities in Polar Molecular Crystals - Numerical Caloulati and Eoeperiment. // Abetr. of 19th European Congress on tioleou Spectroscopy. - 1909. - ^ermany (Dresden). - p. 229.
43. Podoprigora V.G., Vtyurin A.N., Zhuikov V.A., Shabanov—V Optical Properties of Thin Molecular Films. // Abstr. of later-national Conferenoe "Noleoular eleotronios and Biooomputer
isoow, 1989. p. 102.
1. Shabanov V.F., Podoprigora V.O., Vtyurin A.N., Botvioh A.N. brational epeotroaoopy study of charge transfer and nonli.iear it'oal properties of molecular oryBtala. // Abatr. of 2d iternatlonal Conferenoo "(iolsoular eleotronios and .ocomputern". liosoow, 1989. - p. 117.
>. Подопригора В.Г., Ремизов И.А., Неелова Л.J. Колебательный юктр адсорбированного монослоя этанг. // йурнал прикл. спектр. ten.) - 1989. - т.51, в.6. - с.1035-1039.
>. Podoprigora V.O., Remisov I.A., Shabanov V.P., Shmtleva L.V. mamio and Eleotrooptio Par3ir.aters oi Monolayers in Ethana loorbed on Graphite. // Phyaloa Status Solid! (b). - 1989. -155. - p.117-125.
\ Pi dopriyora V.G., Cunyafcov V.A. ot. al. Interaction Energy ind jC Moleoular Ali&nraont on the Single Crystal Substrates. // >etr. of 8th Liquid Crystal of socialist contr'.ea. Krakov »oland). - 1989. - р. МО.
Подопригора В.Р., Ремизов И.А., Шабанов В.Ф., Шмелева Л.В. ¡всрхностные фононн а монослоях этана, вдеорб'фовенного на )афите. Поверхность: физ., хим., мех. - 1990. - в.8.- с.62-66.
Podoprigora V.O., Poioprlgora Yu.V., Shabanov V.F., Zhuikov .A. Light Scattering and Transmission in Liquid Crystals icap3ulated in Polymer (iatrloes. Tho Intern. LC Confer. - 1990. -uicouver (Canada). ItiT-21 -Г-М0К. - v.11. - 17'p. ). Гуняков В.А., Паршин &.M., Подопригора В.Г. и др. Определение leprtra сцепления из в-зффекта на тонких нематиюских пленках в иьном магнитном поле. - Красноярск. - 1990. - 24 о. (Препринт ИФ ) РАН » 629Ф).
[. Gunyakov V.A., IodoprigoraV.G. et. al. Liquid Cryotala on the >lid State Surfaoe. // Abstr. of 13th International Conf. on LR. mcouver (Canada). - 1990. - v.2. - p.195.
2. Podoprigora V.O., Podoprigora Yu.V., Shabanov V.P. Correlation ffeota in Optioal Proportiea of Polymer Dioporüoil I,ii|uid Oryntala ?DLC). // Abntraota оГ 4th International Confer, on Option of I.e.
Florida (USA) - 1991. - P- 17.
53. Podoprigora V.G., Zhullcov V.A., Podoprigora Yu.V. Optica] Properties or the PDLC. // Abstr. of Suicmu European 1С oonferenoe.
- Yilm.ua. - 1991. - v.1. -p.87.
54. Podoprigora V.O., Cunyakov V.&., Parshin A.P., Remizov I.A, The Effeot of the Solid Stats Surfaoe Interfaoe on 10 Properties // Abotr. of Summer European LC conference. Vilnius. - 1991- v.1
- p.88.
55. Podoprigora V.O., Gunyakov V.A., et al. Liquid Oryetale on th Solid. State Surfaoe. - The Datennination of Anohoring Energy Unde: an Applied Magnetic Pield. // J. Moleo. Cryet. and. Liquid Cryct. 1991. - V.209. - p.117-121.
56. Гуняков B.A., Подопригора В.Г. и др. Измерение энерги сцепления кидкого кристалла с поверхностью нодлокки в сильно магнитном поло. // Поверхность: физ., хим., мэх. - 1992. -Л 2« с.69-72.
57. Подопригора В.Г., Кабанов И.С., Сургутанов И.В. Измерени параметров шероховатостей прозрачных диэлектрических пластин. / Мигрологяя.- 1992.- JS3 - с.23-27.
Подписано к печати...ti\.......
Тираж 65. ..................
Объем ус.п.л. 2
ббиОЗб, Красноярск, Академгородок, Ш
