Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Овчинников, Олег Владимирович АВТОР
доктора физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Воронеж МЕСТО ЗАЩИТЫ
2009 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.05 КОД ВАК РФ
Диссертация по физике на тему «Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием»
 
Автореферат диссертации на тему "Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием"

□03464ЭЭБ

На правах рукописи

Овчинников Олег Владимирович

Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием

Специальность 01.04.05 - оптика

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

-> ^ мдр 23В9

Воронеж-2009

003464996

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Безрядин Николай Николаевич

доктор физико-математических наук, доцент Лейман Валерий Иванович

доктор химических наук, профессор Шапиро Борис Исаакович

Ведущая организация: Санкт-Петербургский государственный

университет информационных технологий, механики и оптики, г.Санкт-Петербург

Защита диссертации состоится2009 года в 15 час. на заседании диссертационного совета Д212.038.06 при Воронежском государственном университете по адресу: 394006, г. Воронеж, Университетская пл.,1, ауд.428

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Воронежского государственного университета

Автореферат разослан 2009 года

Ученый секретарь диссертационного совета

Дрождин С.Н.

Общая характеристика работы Актуальность темы диссертации

Уникальность оптических свойств металлических наночастиц делает их объектами многочисленных исследований, актуальных в научном и прикладном отношении. Фундаментальной проблемой в этой области является установление закономерностей взаимодействия света с наночастицами, в том числе детальных механизмов гигантских эффектов, регистрируемых в поглощении, рассеянии, люминесценции. Следует отметить, что в большинстве случаев исследуются оптические свойства и эффекты усиления амплитуды световой волны, взаимодействующей непосредственно с наночастицами, размещаемыми в пористых инертных матрицах [1]. Это обусловлено особенностями существующих методов синтеза и возможностями применяемых для исследований стандартных методов оптической спектроскопии.

Отдельной крупной задачей данного раздела оптики, необходимость решения которой неоднократно отмечалась в монографиях и обзорных статьях [2-7], является исследование фотостимулированных явлений в наноразмерных частицах металлической, а также металлорганической природы, находящихся во взаимодействии с поверхностью ионно-ковалентных кристаллов. Здесь важное значение приобретают вопросы природы возбужденных состояний гетерогенных систем типа "адсорбированный кластер - кристалл" и процессов распада электронных возбуждений в них, в том числе имеющих безызлучательный характер. При этом для процессов взаимодействия света с адсорбированными нанокластерами характерен ряд принципиальных отличий от аналогичных процессов в изолированных наночастицах, существенно усложняющих их исследование. Во-первых, электронное возбуждение адсорбированного центра может инициировать: а) возникновение люминесценции и вспышки люминесценции в кристалле; б) фотодиффузию адатомов, молекул и кластеров по поверхности и возникновение ансамблей наночастиц; в) процессы нелинейного примесного поглощения слабых световых потоков и т.п. Во-вторых, при фотовозбуждении кристалла на примесных уровнях адсорбированных кластеров происходит рекомбинация, имеющая как излучательный, так и безызлучательный характер. Ее следствиями являются фотодиффузия адатомов, фотодесорбция, а также возникновение новых дефектов за счет распада, перестройки и укрупнения кластеров, а также фотолиза кристалла. Далее, взаимодействие между адсорбированными кластерами и молекулами красителей, сопровождающееся возникновением наноструктур, изменяет характер и вероятности оптических переходов, определяющих спектры примесного поглощения. Это проявляется как в спектральной сенсибилизации полупроводников, так и в формировании центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции. Однако механизмы большинства из перечисленных фотостимулированных процессов до сих пор остаются невыясненными, что связано с отсутствием данных об оптических свойствах участвующих в них адсорбированных нанокластеров металлической и металлорганической природы.

В свою очередь, данные подобного рода важны при исследовании

фотохимических реакций в светочувствительных кристаллах, сопровождающихся возникновением кластеров, и обосновании детальных механизмов формирования центров скрытого фотографического изображения. Кроме того, они позволяют подойти к решению проблемы управления процессами деградации люминесцентных и других свойств ионно-ковалентных кристаллов и устройств на их основе. Необходимость рассмотрения отмеченных фотостимулированных явлений с участием адсорбированных нанокластеров обусловлена также перспективами применения их уникальных оптических свойств в различных областях техники, в том числе при разработке: а) способов контролируемой фотостимулированной сборки из атомов монодисперсных наночастиц с заданными свойствами; б) систем регистрации информации, в том числе, элементов ЗО-оптической памяти; в) элементов и устройств оптоэлектроники, в частности, преобразователей частоты, оптических переключателей, ограничителей и т.п.; г) зондов для ближнепольной микроскопии субнанометрового разрешения; д) новых фотокатализаторов.

Формирование подхода к решению поставленной проблемы предполагает всестороннее исследование оптических свойств адсорбированных нанокластеров. Среди них принципиальное значение имеют:

-данные об электронных состояниях адсорбированных атомов и малоатомных монодисперсных кластеров, а также механизмах распада электронных возбуждений на уровнях этих центров;

-данные о двухквантовых межзонных оптических переходах с участием энергетических уровней адсорбированных наноструктур металлической, а также металлорганической природы;

-результаты исследований механизмов и стадий фотостимулированного формирования отдельных адатомов, кластеров, их диффузии по поверхности.

Однако к началу выполнения данной работы были осуществлены только отдельные исследования (например, [7-13]), не дающие объективных представлений обо всех процессах фотоники адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов, малоатомных кластеров и наноструктур. Значительная доля работ, выполненных для кристаллов галогенидов серебра, халькогенидов цинка и кадмия и др., посвящена фотопроцессам с участием объемных дефектов [3]. Но даже в этих случаях окончательно не выяснены механизмы люминесценции и безызлучательной рекомбинации, фотостимулированного дефектообразования. Основная трудность - в подборе экспериментальных методов исследований с чувствительностью, необходимой для получения оптических свойств невзаимодействующих друг с другом адсорбированных атомов и монодисперсных кластеров, а также данных о механизмах их преобразований. В ряде работ показаны особые возможности люминесцентной спектроскопии и, в частности, метода фотостимулированной вспышки люминесценции, концентрационная чувствительность которого превосходит стандартные абсорбционные методы на 6-7 порядков [6,10]. Техника измерения вспышки люминесценции позволяет сочетать ее с масс-спектрометрическим напылением в высоком вакууме и другими способами нанесения на поверхность исследуемого образца атомов и кластеров металлов

заданного размера. Однако оптические свойства адсорбированных нанокластеров до настоящего времени этим методом не исследовались. В свою очередь, спектры возбуждения антистоксовой люминесценции, возникающей за счет двухквантовых межзонных оптических переходов в кристаллах с участием энергетических уровней указанных центров, дают более глубокое представление об оптических свойствах субмонослойных концентраций адсорбированных атомов, кластеров, молекул красителей и наноструктур.

Сказанное определяет актуальность исследований оптических свойств атомов, малоатомных кластеров и наноструктур, находящихся во взаимодействии с поверхностью ионно-ковалентных кристаллов, а также фотостимулированных процессов с их участием. А использование ряда приемов люминесцентной спектроскопии открывает новые возможности в решении сформулированной научной проблемы.

Актуальность и значимость исследований, выполненных по теме диссертации обусловили их поддержку в рамках Единого заказ-наряда Министерства образования РФ (№01.999.0006642), грантов научно-исследовательской фирмы "Хальдор Топсе А/О" (Дания) (№34163), Минобразования РФ (№РБ02-1.2-310), СЯОР и Минобразования РФ в рамках проекта ЯЕС-Ю (№У1-Р-10-07), программы "Университеты России" (№УР.06.01.018, №УР.01.01.012), Минобразования РФ (№Е02-3.3-211), РФФИ (№05-02-96402-р-цчр_а„ №06-02-96312р-центр_а), ФЦП "Индустрия наносистем и материалов" (№02.513.11.359).

Цель работы

Целью работы является исследование оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров металлической, а также металлорганической природы и установление закономерностей фотостимулированных процессов с их участием.

Достижение поставленной цели предполагало решение следующих основных задач:

- разработка методов исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров металлической, а также металлорганической природы;

разработка методов установления механизмов излучательной и безызлучательной рекомбинации на уровнях дефектов ионно-ковалентных кристаллов различной природы, в том числе связанных с адсорбированными нанокластерами металла;

установление закономерностей процессов фотостимулированного формирования из адсорбированных атомов серебра малоатомных кластеров (на примере кристаллов А§С1,2п8);

- исследование механизмов двухквантовых межзонных оптических переходов и возникающей при этом антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах с участием адсорбированных нанокластеров металлической, а также металлорганической природы;

- исследование эффекта сенсибилизации адсорбированными кластерами

металла антистоксовой люминесценции гетерогенных систем типа "ионно-ковалентный кристалл - адсорбированные молекулы красителя";

- исследование возможностей применения фостимулированных явлений в кристаллах с адсорбированными нанокластерами, в том числе для низкопорогового ограничения мощности оптического излучения.

Основными объектами исследований являлись moho-, микрокристаллы AgCl, ZnS, а также твердые растворы составов: AgClo.95b.05. Zno6oCtlo40S с адсорбированными нанокластерами серебра, золота и молекулами органических красителей метиленового голубого, соли 1,1'-диэтил-2,2'-хиноцианинаЗ,3'-ди-(у-сульфопропил)-9этил-4,5-бензо4',5'-[4"5"-диметилено (2"3")]-тиатиазолокарбо-цианинбетаина, малахитового зеленого. Выбранные кристаллические системы являются типичными представителями двух групп ионно-ковалентных кристаллов: галогенидов серебра, обладающих уникальной светочувствительностью, и гораздо менее светочувствительных, но хорошо люминесцирующих халькогенидов цинка и кадмия, для которых также известна способность к фотостимулированным преобразованиям под действием возбуждающего излучения. Они обладают люминесцентными свойствами, позволяющими использовать для исследования оптических свойств адсорбированных атомов и малоатомных кластеров высокочувствительный метод фотостимулированной вспышки люминесценции. Выбор красителей обусловлен наличием необходимых полос поглощения в области 600-700 нм и способностью к образованию при адсорбции, наряду с мономерной формой, Н- и J-агрегатов.

Научная новизна работы

1. Разработан метод установления механизмов люминесценции кристаллофосфоров, основанный на сканировании распределения светосуммы вспышки люминесценции вдоль постоянного электрического поля, накладываемого на кристалл в момент его фотовозбуждения. Установлено, что низкотемпературная (77 К) фотолюминесценция кристаллов AgCl и твердых растворов составов AgCl0.95I0.05, AgBr0.95I0.05, AgBr06oClo.4o в полосах с максимумами при Х„,ах=480 нм, ^,<=515 нм, Хтах=540 нм и Хт^бОО нм, соответственно, возникает по механизму Шёна-Класенса. Свечение в полосах с А™к=630 нм в AgBro.95lo.05 и AgBr0.6oClo4o возникает по механизму Ламбэ-Клика.

2. Установлены механизмы рекомбинационных процессов на уровнях примесных центров ионно-ковалентных кристаллов, в том числе адсорбированных нанокластеров металла. Показано, Что эффект темновой убыли светосумм на уровнях адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl и ZnS атомов и малоатомных кластеров металла определяется преимущественно процессами безызлучательной рекомбинации локализованных на них электронов с дырками, термически освобождаемыми с мелких уровней захвата.

3. Предложен метод исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, основанный на масс-спектрометрическом способе напыления в вакууме пучков ионов плотностью потока 108 см"2-с"' для

создания адсорбированных центров определенного размера и метода фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации таких центров. Установлены энергетические состояния адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS монодисперсных малоатомных кластеров серебра Ag„, где п=1,2.... Определены спектры фотоионизации и оптические глубины соответствующих электронных ловушек в запрещенной зоне кристаллов AgCl и ZnS.

4. Обнаружено, что эффективность низкотемпературного (77 К) фотостимулированного процесса формирования на поверхности кристаллов AgCl и ZnS металлических нанокластеров определяется наличием на их поверхности отдельных адатомов металла. Показано, что процесс фотостимулированной сборки нанокластеров серебра из адатомов под действием УФ излучения происходит последовательно через стадии ди- и тримеризации, за счет процесса фотодиффузии последних, которая происходит по механизмам последовательной перезарядки и прыжковых перемещений.

5. Исследованы термические свойства адсорбированных на поверхности поли- и монокристаллов AgCl атомов серебра и показано, что при температурах выше 150 К имеет место их термическая десорбция. Получено, что при комнатной температуре величина времени существования адатома серебра на поверхности AgCl составляет 10"7-10"6 с.

6. Для микрокристаллов AgClo.osIoos, подвергнутых низкотемпературному УФ облучению и Zno.75Cdo.25S, отожженных на воздухе, показано, что образующиеся при этом на их поверхности кластеры различной природы, являются центрами двухквантовых межзонных оптических переходов. Указанные переходы приводят к возникновению антистоксовой люминесценции под действием излучения с длинами волн 620-670 нм и плотностью потока 1013-10|5квант/см2-с.

7. Показано, что в микрокристаллах твердых растворов состава Znfl60Cd04()S с адсорбированными молекулами красителей метиленового голубого, соль 1,1'-диэтил-2,2'-хиноцианинаЗ,3'-ди-(у-сульфопропил)-9этил-4,5-бензо-4',5'-[4"5"-ди-метилено(2"3")]-тиатиазолокарбоцианинбетаина и малахитового зеленого при температурах 77-300 К возникает сенсибилизированная антистоксова люминесценция, возбуждаемая излучением из области поглощения света адсорбатами по кооперативному механизму.

8. Обнаружен и исследован эффект низкотемпературного (77 К) фотостимулированного формирования центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05 и AgCl с адсорбированными молекулами указанных красителей и их агрегатами.

9. Обнаружен и исследован эффект сенсибилизации к антистоксовой люминесценции микрокристаллов твердых растворов состава Zno.60Cdo.40S, за счет создания на их поверхности, наряду с адсорбированными молекулами красителей, кластеров серебра.

10. Установлена структура центров, возникающих при сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl0.95I0.05, AgCl, Zn06oCdo.4oS, содержащих на своей поверхности молекулы красителей. Показано, что они являются сложными и представляют

собой металлорганические наноструктуры типа "молекула красителя - кластер серебра", связь между компонентами которых является слабой. Двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции с помощью этих наноструктур реализуется путем последовательного переноса энергии электронного возбуждения от молекулы красителя малоатомному кластеру серебра и его фотоионизации.

11. Показана возможность низкопорогового ограничения мощности оптического излучения с >.=660 нм в обладающих сенсибилизированной антистоксовой люминесценцией ионно-ковалентных кристаллах с адсорбированными металлорганическими нанокластерами.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Метод исследования оптических свойств атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов с концентрационной чувствительностью 108-109 см'2, основанный на использовании техники масс-спектрометрического напыления на поверхность кристалла ионов металла определенного размера и метода фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации адсорбатов.

2. Данные о спектрах фотоионизации адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS атомов и монодисперсных кластеров Ag2, Ag3 и размерный эффект в расположении локальных уровней указанных центров, оптическая глубина которых, отсчитываемая от дна зоны проводимости, заключена в интервале от 1.05 эВ до 1.90 эВ.

3. Методы установления механизмов люминесценции и безызлучательной рекомбинации в кристаллофосфорах, основанные на исследовании распределения светосуммы фотостимулированной вспышки люминесценции вдоль постоянного электрического поля, накладываемого на кристалл в момент его фотовозбуждения и затухания люминесценции. Для группы кристаллов галогенидов серебра (AgCl, AgClo.95Io.05? AgBr06oClo4o, AgBro95I005) установлены механизмы основных полос низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции.

4. Закономерности процесса фотостимулированной сборки нанокластеров серебра на поверхности кристаллов AgCl и ZnS, реализующегося за счет фотодиффузии адсорбированных атомов.

5. Свойство термической неустойчивости адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl атомов серебра, которые десорбируются при температурах выше 150 К с энергией активации 0.34-0.40 эВ.

6. Условия формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции и механизмы ее двухквантового возбуждения излучением с длинами волн 620-700 нм и плотностью потока 1014-1015 квант/см2-с. Образование кластеров серебра на поверхности кристаллов AgCl0.95I0.05 приводит к возникновению вблизи середины запрещенной зоны локальных уровней, через которые происходит каскадное двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции. Для кристаллов AgClo.95lo.055 AgCl, Zn0.6oCd04oS с адсорбированными молекулами красителей и их

агрегатами реализуется кооперативный механизм возбуждения антистоксова свечения.

7.Эффект сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCloss'oos, AgCl, Zno.60Cdo.40S, содержащих на своей поверхности молекулы красителей, обусловленный формированием металлорганических наноструктур типа "молекула красителя -кластер серебра". Компоненты этих наноструктур связаны друг с другом слабыми взаимодействиями, а двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции реализуется в них последовательно путем переноса энергии электронного возбуждения от молекул красителя к адсорбированному кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации.

Практическая ценность работы

Разработанные в диссертации методы исследований механизмов рекомбинационных процессов в кристаллах галогенидов серебра, сульфида цинка, а также оптических свойств адсорбированных на их поверхности нанокластеров металлической и металлорганической природы могут быть распространены на решения аналогичных задач для других люминесцирующих ионно-ковалентных кристаллов. Результаты фундаментальных исследований оптических свойств гетерогенных систем на основе ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными нанокластерами и фотостимулированных явлений в них открывают возможности:

- разработки нового поколения низкопороговых преобразователей частоты и интенсивности оптического излучения видимого и ближнего ИК-диапазона;

- разработки новых элементов 3D оптической памяти с люминесцентным считыванием информации;

- создания зондов для микроскопии ближнего поля субнанометрового разрешения, позволяющих изучать отдельные адсорбированные на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомы и кластеры.

- разработки новых систем фотокаталитического получения водорода.

Фундаментальные результаты исследований, представленных в данной

диссертационной работе, являются основой серии прикладных разработок, осуществляемых в интересах ФГУП "НТЦ" Минобороны России (хоз. дог. №81/02 от 30.11.02 г, гос. контр. № 975-C3/3/05 от 29.04.05 г., №101-С4/5/06 от 30.06.06 г.).

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на II Межд. конф. "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии" (С.-Петербург, 1998 г.), VIII, IX, X Межд. конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах", (Кемерово, 2001 г., 2004 г., 2007 г.), Межд. симп. "Photo-Exited Processes & Aplications ("3- ICPEPA") (Strasbourg, France, 1999 г.), Межд. конф. "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000 г.), Межд. конф. по люминесценции, поев. 110-летию со дня рождения акад. С.И. Вавилова (Москва, 2001 г.), '-Intern. Congress of Imaging Science" ÍCIS'-2002,

Tokyo, трех Межд. конф. "Оптика, оптоэлектроника" (Ульяновск, 2003,2005,2006 г.г.), "21 Intern. Conference on Relaxation phenomena in solids" (Воронеж, 2004 г.), Межд. конф. "Фундаментальные проблемы физики" (Казань, 2005 г.), Межд. конф. "Beijing Intern. Conf. Of Imaging: Technology & Application for 21 st Centure". (China, 2005 г.), четырех Всеросс. конф. "Физ.-хим. процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" (Воронеж, 2002, 2004, 2006, 2008 гг..), Межд. симп. "Фотография в XXI веке" (Санкт-Петербург, 2002 г., 2006 г.), 12-й и 13-й Межд. конф. "Радиационная физика и химия в неорганических материалах" (Томск, 2003, 2006 г.г.), 6 Всеросс. Школа-конф. "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2007 г.), Всерос. симп. "Нанофотоника" (Черноголовка, 2007 г.).

Публикации и личный вклад автора

По результатам диссертации опубликовано 65 работ. В их числе 23 работы в научных журналах перечня ВАК ведущих изданий, в которых должны быть опубликованы результаты докторских диссертаций.

В настоящей диссертационной работе обобщены результаты исследований, выполненных автором лично или совместно с преподавателями и аспирантами кафедры оптики и спектроскопии Воронежского госуниверситета. Участие автора диссертационной работы в исследованиях, положенных в ее основу, состояло в личном планировании и непосредственном участии в большинстве из них, а также осмыслении полученных результатов и подготовке их к публикации. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, позволившие сформулировать в дальнейшем основные выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 331 страницу машинописного текста, включая 121 рисунок, 6 таблиц, а также список использованной литературы из 490 наименований.

Основное содержание работы

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель и задачи диссертации, научная новизна и практическая значимость, а также положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит обоснование возможности применения фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ) в качестве высокочувствительного метода исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров и фотостимулированных процессов с их участием.

В разделе 1 приведен краткий анализ основных методов исследования оптических свойств адсорбированных нанокластеров, находящихся во взаимодействии с кристаллическими поверхностями. Отмечены ограниченные возможности стандартных методов оптической спектроскопии в исследованиях

оптических свойств адсорбированных монодисперсных нанокластеров. Сделан вывод о перспективности использования для исследования оптических свойств адатомов и малоатомных кластеров - метода ФСВЛ, наблюдаемой после затухания стационарной люминесценции.

В разделе 2 проведено кинетическое обоснование метода получения спектров фотоионизации адсорбированных атомов и монодисперсных кластеров металла. Он заключается в измерении параметров ФСВЛ в предварительно фотовозбужденном кристалле (рис.1, этап 0-0), возникающей вследствие ионизации глубоких ловушек, обусловленных адсорбированными кластерами, длинноволновым стимулирующим излучением (рис.1, этап ¡¡-¡з) [6,10,14]. ФСВЛ регистрируется в полосе рекомбинационной люминесценции. Решение системы кинетических уравнений ФСВЛ показало, что данные об оптических свойствах адсорбированных кластеров могут быть получены в случае, когда стимуляция и измерение параметров вспышки происходит преимущественно с уровней одного типа. Это условие может достигаться в результате предварительной очистки поверхности от биографических центров и наличия методики получения отдельных монодисперсных адсорбированных кластеров. Кроме того, однозначная интерпретация результатов, полученных по ФСВЛ возможна только в случае знания механизма свечения полосы, в которой регистрируется вспышка.

Для случая, когда люминесценция возникает по механизму Шена-Класенса, интенсивность ИК стимулированной после темновой паузы вспышки имеет вид:

1ф<:нл(0 = ю/%х>-ехр[-ш/'*']>

где <у/'А' =(Тр-1х - вероятность поглощения, обусловленного фотоионизацией локального уровня ], (^-эффективное сечение поглощения излучения длины волны X, стимулирующего оптический переход "локальный уровень - зона проводимости"; Ь - интенсивность монохроматического стимулирующего излучения); пконцентрация электронов на уровнях у (рис.2).

I, птн. ед.

люминесценция

зона проводимости

уровень А СИ

<1 1,с

период Уф

штгужденхя

кристалла

период

типмоков

гшу1ы

Рис.1. Временные зависимости для интенсивности люминесценции кристалла и ее ФСВЛ (пунктиром показана ФСВЛ при наличии возбуждения антистоксовой люминесценции). Рис.2. Схема уровней примесных центров кристалла, участвующих в ФСВЛ, а также рекомбинационных процессов, объясняющих эффект темновой убыли 5л (процессы 1-3).

Тогда амплитуда вспышки: = / (0) = (Тд'Ь'^/О.

В свою очередь, в заключена величина коэффициента поглощения центров одного типа - у (обусловленного фотоионизацией): а/(?^)==о](?.)-пу0

Спектральная зависимость 8„(Х) для ловушек у, при условии постоянства на каждой длине волны действующего светового потока /;, есть спектр фотоионизации центров, с которыми связаны эти ловушки. А их оптическая глубина, отсчитываемая от дна зоны проводимости, определяется по красной границе в спектре фотоионизации адсорбированного кластера.

Следующим важным параметром вспышки является полная светосумма -площадь под кривой на рис.1,б (этап

00

| 1(0 Л = п,о о

В рамках рассматриваемой модели 8ц пропорциональна только концентрации электронов, локализованных на ловушках, и определяет концентрацию центров, участвующих в ФСВЛ (при условии достаточно полного заполнения этих уровней электронами). Кроме того, в экспериментах может быть измерен коэффициент кинетики вспышки - связанный с размером примесного центра и

позволяет контролировать процессы преобразования одних центров в другие [6,10].

Для получения спектров фотоионизации монодисперсных адсорбированных кластеров принципиален подбор условий измерения ФСВЛ и времени регистрации ее параметров. Величина Б0 не может быть измерена мгновенно и в ее качестве регистрируется светосумма за время, в течение которого концентрация электронов на уровнях вспышки уменьшается незначительно [14]. За Бо выбиралась светосумма, измеренная за 0.1-1.0 с, а 5/7 регистрировалась до полного затухания за время ~ 10-100 с, значительно большего времени темновой паузы /то. Кроме того, при измерении и 5/7 принципиален учет вклада в ФСВЛ дополнительного свечения некоторого постоянного уровня - антистоксовой люминесценции. Она может возникать в результате двухквантовых межзонных оптических переходов с участием уровней адсорбированных нанокластеров под действием квантов походящей энергии (рис.1, пунктир). Спектр ее возбуждения в таком случае дает ценную информацию об оптических свойствах адсорбированных центров, которая используется в настоящей работе.

Далее приведено описание использованного в работе полностью автоматического спектрального комплекса на базе дифракционного монохроматора МДР-23. Детектирование слабых потоков люминесценции осуществлялось с помощью высокочувствительного фотометра на основе охлаждаемого ФЭУ-79, работающего в режиме счёта отдельных фотонов.

В разделе 3 рассмотрены особенности применения метода ФСВЛ для исследования оптических свойств адсорбированных центров, с которыми связаны глубокие ловушки ионно-ковалентных кристаллов. На примере кристалла AgCl показано, что разрешающая способность метода ФСВЛ составляет 0.2 эВ. Обоснованы условия регистрации ФСВЛ и исследованы рекомбинационные процессы с участием электронов, локализованных на уровнях вспышки, в том числе обусловленных адсорбированными кластерами металла.

Рассмотрена природа эффекта темновой убыли за время /777 (называемого также эффектом релаксации) светосумм, запасенных на глубоких ловушках.

Исследование осуществлено для кристаллов А§С1 и с адсорбированными нанокластерами серебра. Сначала показана противоречивость литературных данных относительно природы этого эффекта. Затем приведены результаты исследований закономерностей кинетики темновой убыли Бп^тп) при 77 К, регистрируемой в полосах люминесценции указанных кристаллов, соответственно, с Хтаах=480 нм и /члах=520 нм, возникающих по механизму Шена-Класенса (доказательство механизма люминесценции рассмотрено отдельно в главе 2). Для кристаллов AgCl установлено, что:

- скорости темновой убыли для уровней различной глубины и природы отличаются (рис.3, 1-3), что подтверждает связь рассматриваемого эффекта с рекомбинационными процессами на уровнях адсорбированных кластеров (рис.2, процессы 1 и 5);

- действие ИК-излучения с энергиями квантов 0.1-0.4 эВ в течение интервалов и ¡гЬ (рис.2) увеличивает скорости убыли Sп (рис.3, 1'-3'), что подтверждает участие в рекомбинационных процессах носителей, освобождаемых с мелких уровней (процессы 1 к 3, рис.2) и низкой вероятности процесса 2 (рис.2).

- значения светосумм, стимулируемых ИК квантами с энергией 0.1-Ю.4 эВ и обусловленных процессом 2 (рис.2), составляют 3-5 % от величины теряемой 5;

- исследования действия постоянного электрического поля напряженностью 15-18 кВ/см, накладываемого на предварительно фотовозбужденный монокристалл А£С1 в течение времени ¡тгг (схема ячейки - на рис.4), показали, что наибольший спад 5я наблюдается, когда в области измерения ФСВЛ-7 (рис.4) остаются дырки (рис.5,3).

Сделан вывод о том, что эффект темновой убыли 5л в AgCl преимущественно обусловлен процессом 1 (рис.2). А отсутствие люминесценции при 77 К в спектральных областях, соответствующих оптическим переходами при такой рекомбинации свидетельствует о безызлучательном ее характере.

Рис.3. Кинетика темновой убыли Я/г монокристалла AgCI для уровней с энергиями фотоионизации 1.80 эВ -1, 1.50 эВ -2, 1.20 эВ -3 и аналогичные зависимости, но при использовании ИК подсветки квантами 0.1-0.4 эВ в период 1тп и стимуляции вспышки (/'- 3'). Рис.4. Блок-схема измерительной ячейки, использованной для установления механизмов убыли 5 в кристаллофосфорах. а - высоковольтные электроды, б -слюдяные прокладки, в -кристалл. Рис.5. Кинетика темновой убыли монокристалла Л§С1 (для уровней с энергией фотоионизации 1.80 эВ) без воздействия постоянного электрического поля (/), в случае вытягивания полем из области сканирования ФСВЛ дырок (2) и электронов (3).

Для неактивированных примесью монокристаллов на поверхность

которых нанесены ионы серебра (10~б м.д.) показано, что эффект темновой убыли

светосуммы обусловлен, как процессом / (рис.2), так и процессом 2 (рис.2).

Во второй главе рассмотрены механизмы низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции кристаллов галогенидов серебра, знание которых устраняет неоднозначность в интерпретации результатов, получаемых с помощью ФСВЛ, и имеет принципиальное значение при исследовании этим методом оптических свойств адсорбированных нанокластеров.

В разделе 1 обсуждаются основные подходы в исследованиях механизмов фотолюминесценции кристаллофосфоров.

В разделе 2 сделан краткий обзор проблемы установления механизмов фотолюминесценции в кристаллах галогенидов серебра. Обнаружено, что механизмы люминесценции сине-зеленых полос AgHal-кpиcтaллoв достоверно установлены только при 2.0-4.2 К методом оптически детектируемого магнитного резонанса [15-17]. В большинстве случаев считается, что люминесценция в этой области происходит по механизму Вильямса-Пренера, вследствие донорно-акцепторной рекомбинации. При этом принято, что донорами выступают мелкие ловушки электронов глубиной ~20-30 мэВ, обусловленные межузельными ионами серебра Однако оценка времен жизни электронов в столь мелких ловушках при 77 К, осуществленная по формуле: т =1Мехр(Е/кТ), при значениях у~1012 с'1 показала, что г составляют Ю'10-10"" с. Поэтому механизм Вильямса-Пренера, принятый при 2.0-4.2 К, на случай люминесценции при 77 К перенесен быть не может. Сделан вывод об актуальности разработки метода и установления механизмов основных полос рекомбинационной люминесценции А§На1-кристаллов при 77 К.

В разделе 3 описан такой метод. Он основан на сканировании распределения 5я ФСВЛ вдоль постоянного электрического поля напряженностью 15-18 кВ/см, накладываемого на кристалл в момент его фотовозбуждения. На основании данных о временах жизни и подвижностях неравновесных носителей заряда в AgHal-кpиcтaллax [18] при указанных напряженностях, оценено, что свободные электроны за время их жизни смещаются на расстояния, существенно превышающие толщину кристалла (2.5 мм), а дырки - на значительно меньшие, но сопоставимые с указанным параметром. Эксперименты осуществлялись с помощью измерительной ячейки, представленной рис.6. Вспышка регистрировалась в торце образца для участков, выделяемых диафрагмой в положениях 1, 2, 3, а УФ возбуждение кристалла осуществлялось только в положении 1 (рис.6). Кроме того, дополнительно исследовались спектры оптического гашения люминесценции в исследуемой полосе, осуществляемого длинноволновым ИК излучением во время действия УФ возбуждения кристалла. Сравнение энергии красной границы спектра оптического гашения с разностью значения величины ширины запрещённой зоны ЕК, энергии квантов люминесценции Е^""1 позволяло разделить механизмы Шена-Класенса и Вильямса-Пренера. Апробация осуществлена на примере полосы люминесценции с ).тах=520 нм самоактивированого монокристалла /пБ, для которой подтвержден обоснованный ранее механизм Шена-Класенса [19].

Затем представлены результаты, позволившие установить механизмы возникновения основных полос низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции

для образцов монокристаллов AgCl, AgBr высокой чистоты, выращенных по методу Бриджмена, а также плавленых слоев твердых растворов составов: AgBf0.95I0.05, AgCl0.95l0.05 и AgBr060Cl040, выращенных по методу Чохральского. Исследования проведены для коротковолновых полос люминесценции AgCl, AgBr0.95I0.05, AgCl0.95I0.05 и AgBr0.60Cl0 40 С МйКСИМуМЭМИ ПрИ А^ах 480 НМ, Х^ах-* 540 им, >чпах=515 нм и /-тах=500 нм, соответственно. Кроме того, исследован механизм возникновения оранжевых полос люминесценции с максимумами при 620-630 нм в монокристаллах AgBr и плавленых слоях составов: AgBr0.95I0.05, и AgBr0 6оС1оло-ФСВЛ регистрировалась для энергии стимуляции 1.90 эВ, соответствующей максимуму спектра стимуляции для AgCl и AgCl0.95I0.05, AgBr0.éoClo.4o (в полосах с максимумами при 480 им, 515 нм и 500 нм) и 1.70 эВ для AgBro.95I0.05, (в полосе с ^ах=540 нм) (рис.7, 1-4). В полосах люминесценции плавленых слоев состава AgBr0.95I0.05 и AgBr0.60Cl0. 40 с максимумом при ^тах~630 нм впервые обнаружена ФСВЛ при стимуляции квантами 0.7-1.0 эВ (рис.7, 4,5). Указанные энергии стимуляции использованы далее в экспериментах по определению механизмов люминесценции.

Рис.6. Принципиальная схема измерительной ячейки: а - высоковольтные электроды, б -слюдяные прокладки, в - исследуемый образец.

Рис.7. Спектры стимуляции ФСВЛ (77 К) монокристалла AgCl, регистрируемой в полосе люминесценции с Хтах=480 нм -1 и плавленых слоев составов: AgClo.95Io 05 " С Хтзх 515 нм 2, AgBro.60Clo.40 - с >.„,„=500 нм - 3, AgBro.95b.05 - с Хтоах=540 нм - 4, а также с ^тах=630 нм для AgBr0.60CI0.4o -5 и AgBro.9jIo.05 -б.

Распределение £/7 для четырех из исследованных коротковолновых полос свечения для случаев отсутствия поля (рис.8, диаграмма а) и воздействия его в противоположных направлениях (диаграммы бив) имели качественно одинаковый вид (на рис.8 представлен результат для AgCl0.95I0.05)- Наложение электрического поля в случае, когда неравновесные дырки смещаются к области 3, приводило к уменьшению в области 1 и ее увеличению в области 2 и 3 (диагр. б). Изменение направления электрического поля на противоположное (см. диагр. в) дает несущественные изменения 8П в области 1, некоторое уменьшение в области 2 и отсутствие изменений в области 3. Таким образом, оказалось, что свободные электроны, имеющие большую подвижность, рекомбинируют в местах первоначального расположения дырок, которые не успевают после снятия поля сместиться, так как оказываются локализованными на центрах люминесценции. Эта зависимость соответствует случаю, когда на центре свечения локализована дырка. Сопоставление красных границ спектров оптического гашения Е

стш

УФ-1

люминесценция

0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 Е,,в

подтвердило,

каждой из полос люминесценции (рис.9) со значениями -что фотолюминесценция в коротковолновых полосах спектров кристаллов Л§С1 с >^„=480 нм, AgClo.95Io.05 с >.тах=515 нм, AgBro.eoClo.4o с ^=500 нм, для AgBr0.95I0.05 с /чпах=540 нм при 77 К возникает в результате рекомбинации по механизму Шёна-Класенса, а не Вильямса-Пренера, как это показано ранее при 2.0-4.2 К [15-17].

Исследование распределения Бп в полосах с ^ах=630 нм для AgBro.6oClo.4o и AgBro.95Io.05 в зависимости от направления действия поля выявило отличное от предыдущего случая поведение (рис.8, а'-в'). Оно отнесено к случаю, когда на центрах люминесценции локализованы электроны, а низкотемпературная (77 К) фотолюминесценция твердых растворов составов: AgBr0.60Cl0.40, AgBro.95Ioo5 в полосе с Х„,ах=630 нм возникает в результате рекомбинации локализованного на центре свечения электрона со свободной дыркой (механизм Ламбэ-Клика).

г 1.0 + 08 0« 0.4 i 01 _1 i 2 & 10 — — oe 0« 0.4 » el

i' < n «' ' 1 " < l 1 к

в < 4 i + С Л í 0.6 -101 i — — o.a ot ■Ti "

i- 4'

Оъ

0.6 0.7 0.Я Е,эВ Рис.8. Диаграммы распределения 57; в ПОЛОСАХ С Хщах 515 нм - для AgClo.95lo.05 ("-е) и с Хтах=630 нм AgBT0.95l0.05 (я'-в'), в торце образца: а-а' - без поля; 6-6'- дырки смещают к области 3; е-е'- дырки смещают к области 1.

Рис.9. Спектры оптического гашения люминесценции полос монокристалла AgCl с Х,„ах=480 нм - / и плавленых слоев составов: AgCI0.95I0.05 с Хп1ах=515 нм - 2, AgBr0 60CI0.40 с )^,ах=500 нм - 3, AgBro.95Io.05 с >.„,»=540 нм - 4. Температура измерения 77 К.

В третьей главе приведены результаты исследований оптических свойств нанокластеров металла и фотостимулированных процессов их преобразований с помощью метода, основанного на ФСВЛ и подробно описанного в главе 1.

В разделе 1 сделан краткий обзор результатов люминесцентных и других исследований процессов фотостимулированного формирования и преобразования дефектов кристаллов AgHal, ZnS, CdS. Рассмотрены основные механизмы фотодиффузии адатомов металла по поверхности кристаллов, как основного пути контролируемого формирования кластеров при низкой температуре [3,6,7,13,20].

В разделе 2 приведено описание метода формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов монодисперсных нанокластеров серебра и получения спектров их фотоионизации в относительных единицах с помощью ФСВЛ. Предложенный метод основан на использовании принципа масс-сепарирования пучка молекулярных ионов металла Ме+„ (п=1,2..) в постоянном поперечном магнитном поле с напряженностью 0.3 Тл и возможности их адсорбции на поверхность ионно-ковалентного монокристалла в вакууме (10'7-5-10"8 мм.рт.ст.), достигаемом с помощью турбомолекулярного насоса ТМН-500. Особенностями являются: использование пучков ионов сверхмалой плотности (107 см"2-с"'), обладающих тепловыми скоростями вблизи поверхности кристалла;

создание условий для нейтрализации напыляемых ионов. Используемый в данной работе масс-спектрометр был специально рассчитан с помощью программного пакета Simion 7.0 и сконструирован, исходя из требований возможности его размещения в вакуумном оптическом криостате. Реальное распределение величин ионного тока, детектируемого с помощью цилиндра Фарадея и вольтметра В7-30, показало хорошее пространственное разрешение для пучков ионов Ag/, Ag2+, Ag3+, Ag4+.

В разделе 3 приведены результаты исследований оптических свойств атомов и монодисперсных кластеров серебра, адсорбированных на поверхности (110) монокристалла AgCl с помощью разработанного устройства. В экспериментах производилось сравнение спектров стимуляции ФСВЛ после напыления определенных кластеров со спектрами до напыления, полученными для образцов, предварительно обработанных атомарным хлором. Следует отметить, что в этих экспериментах в качестве амплитуды ФСВЛ S0 регистрировалась светосумма, измеренная за первые 0.5 с вспышки.

Обнаружено, что спектры фотоионизации адатомов серебра на поверхности монокристалла AgCl возможно регистрировать после нанесения Agi+ в концентрации 2-Ю8 см"2 (рис.10, 1). При этом спектр фотоионизации адатомов серебра имел максимум при Х1тих=652±5 нм, полуширину около 60±5 нм и красную границу вблизи 715±12 нм. Таким образом, оказалось, что адатомам серебра на поверхности AgCl соответствуют электронные ловушки с оптической глубиной 1,73±0.03 эВ, отсчитываемой от дна зоны проводимости. С увеличением концентрации наносимых ионов спектр стимуляции ФСВЛ размывается в длинноволновую сторону, уменьшается по интенсивности. Он приближается по форме к спектрам ФСВЛ для экспонированных УФ излучением при 77 К образцов, что связывается с формированием нанокластеров серебра [6].

Данные об энергетических состояниях адатомов серебра на поверхности кристаллов AgCl позволили исследовать их термические свойства (рис.11). Для монокристаллов AgCl показано, что при температурах выше 150-160 К концентрация адатомов серебра начинает снижаться (рис.11, 1 и 4). По отсутствию новых полос в спектре стимуляции ФСВЛ и неизменным значениям эффективных сечений, регистрируемых для уровней адатомов серебра (рис.11, 3) сделан вывод об их термической неустойчивости, обусловленной термодесорбцией. Экспериментальные кривые термодесорбции анализировались с помощью уравнения Поляни-Вигнера, в котором порядок кинетики ¿=1 взят для случая неассоциативной, мономолекулярной термодесорбции [21]:

= и его решения Sn = S°n-ехрЬВ-Г .ехр(--^)},

С учетом того, что Sn~ Пая. (Здесь плх - концентрация адатомов серебра, В -предэкспоненциапьный множитель, определяющий характер изменения движения частиц при переходе из адсорбированного состояния в свободное; ^-энергия активации термодесорбции, Т - температура поверхности, S°n - светосумма, регистрируемая при отсутствии процесса десорбции).

Аппроксимация экспериментальной кр./ этой зависимостью при стандартном значении величины B*t =1013 и q =0.33 эВ (рис.11, 2), свидетельствует о том, что

значение q для адатома серебра составляет 0.34-0.40 эВ. Полученные значения q и оптической глубины уровня адатома í/7= 1.73 эВ анализировались с помощью цикла Борна-Габера, представляющего собой в данной ситуации энергетику двух способов получения свободного иона Ag+ и электрона:

U, +U2+ U3=q+I

При учете, что ширина зоны проводимости для AgCl - U2=3.55 эВ, а потенциал ионизации свободного атома серебра - /=7.57 эВ [22] значение энергии связи адсорбированного иона Ag+ составило {/¡=2.69 эВ. Сравнение экспериментальных значений U¡, q и U¡ с соответствующими теоретическими, полученными в результате расчетов R.C. Baetzold [22], показали, что полученные в эксперименте величины наиболее близки к теоретическим для адатома на свободной поверхности кристалла AgCl. Превышение теоретических значений í/7=2.30 эВ, ç=0.55 эВ и í/j=3.47 эВ [22] над экспериментальными на -25 %, по-видимому, связано с не точным учетом в расчетах поляризационных эффектов при адсорбции.

Для экспериментального значения q показано, что время жизни адатомов серебра при 300 К составляет 10"6-10'7 с. Отмечается, что в случае микрокристаллов (МК) реальные кривые термодесорбции искажены реадсорбцией (рис.11, 5). Этот эффект, по-видимому, объясняет обнаруженные ранее M. Kawasaki, H. Hada [23] зависимости времени жизни предцентров скрытого изображения (атомов серебра) от среды, в которой находятся МК AgHal.

атомов, димеров и тримеров серебра.

Рис.11. Температурные зависимости концентрации адатомов серебра для монокристаллов AgCl с напыленными Ag+ -1. Теоретическая кривая десорбции адатомов для Bt=1013 и <7=0.33 эВ -2 и кривые десорбции для атомов серебра с поверхности моно - 4 и микрокристаллов AgCl - 5 , осажденных из раствора AgNO? (10'8моль/л). Температурная зависимость К ФСВЛ -3.

Далее, представлены результаты исследований оптических свойств адсорбированных на поверхности монокристалла AgCl монодисперсных кластеров Ag2 и Ag3. Для них спектры фотоионизации выделялись путем разложения сложных контуров на составляющие (рис.10). Спектры получены для концентраций напыляемых ионов Ag2+ и Ag3+, составляющих 108-109 см"2. Поскольку было обнаружено, что часть из напыляемых ионов Ag2 и Ag3 распадается при ударе о поверхность монокристалла, то дополнительные усложнения искомых спектров в виде дополнительных полос устранялись путем вычитания спектров фотоионизации осколков. В итоге спектр димеров имел максимум вблизи нм полушириной 70±5 нм и красную границу вблизи

805±14 нм. Таким образом, при адсорбции на поверхность монокристалла AgCl

кластеров Ag2 в запрещенной зоне кристалла AgCl появляются локальные состояния с оптической глубиной 1.54±0.03 эВ. Сопоставление этого значения с рассчитанными теоретически для Ag2 показали, что оно попадает в интервал от 0.79 эВ до 2.82 эВ, полученный с использований двух различных методов Хартри-Фока и СЫЭО [22]. Спектр фотоионизации для Agз оказался наиболее сложным и представляющим собой систему полос с максимумами вблизи 689±5 им, 775±5 нм, 886±5 им и 1033±5 нм и красными границами при 765±11 нм, 892±13 им, 985±12 нм и 1170±16 нм (рис.10). Предположено, что образование четырех типов ловушек с оптической глубиной 1.62±0.02 эВ, 1.39±0.02 эВ, 1.2б±0.02 эВ и 1,06±0.02 эВ связано с адсорбированными тримерами серебра разной формы и в разных положениях адсорбции.

В разделе 4 показано, что при адсорбции на поверхности монокристаллов AgCl атомов и кластеров золота возникают ловушки с энергиями фотоионизации 1.50-1.90 эВ и 0.90-1.40 эВ. Эти группы интерпретированы как уровни, адсорбированных нанокластеров Аи„ и комплексов (AuAg)n, образующихся за счет взаимодействия с биографическими серебряными центрами.

В разделе 5 представлены результаты исследований оптических свойств Agl и Ag2, адсорбированных на поверхности (110) монокристалла Главной

особенностью полученного результата оказалось присутствие двух максимумов в спектрах фотоионизации адатомов (при ^тах=690±5 нм и )ц11аХ=775±5 нм) и димеров (при X™ 652±5 нм и ^тах—729±5 нм) серебра. Спектры получены для концентраций напыляемых ионов 6-108-5-109 см"2. В случае адатомов спектры фотоионизации имели полуширину около 70±5 нм и красные границы, соответственно, при 752±9 нм и 855±11 нм. А оптическая глубина этих ловушек составила 1.65±0.02 эВ и 1.45±0.02 эВ. Полуширина полос фотоионизации Ag2 оказалась 60±5 нм, а их красные границы располагались при 685±9 нм и 770±10 нм. Откуда найдено, что оптическая глубина уровней димеров составляет 1.81±0.02 эВ и 1.61±0.02 эВ. Наличие уровней двух типов в каждом случае предположительно связывалось с двумя различными положениями адсорбции. Это предположение подтверждено с помощью оценок, проведенных для энергетических состояний адатома в рамках полуэмпирического метода [24]. Оказалось, что оптические глубины уровней для адатома серебра над катионом и анионом решетки 7пБ отличаются на 0.17 эВ, тогда как в эксперименте - 0.20 эВ.

В разделе 6 на основании данных об оптических свойствах нанокластеров серебра на поверхности монокристаллов AgCl и методом ФСВЛ исследованы стадии низкотемпературной (77 К) фотостимулированной сборки адатомов в кластеры. Под действием УФ облучения световыми потоками плотностью 10151016 квант/с-см2 при 77 К для монокристаллов AgCl обнаружено уменьшение концентрации ловушек, связанных с адатомами серебра. При этом полоса стимуляции ФСВЛ расширяется в длинноволновую сторону и растет концентрация уровней с энергиями стимуляции 1.20-1.80 эВ (рис.12). Для еще больших экспозиций спектр стимуляции ФСВЛ терял структуру и становился похожим на аналогичные спектры для микрокристаллических образцов с развитой поверхностью и биографическими серебряными центрами разной дисперсности [6]. Полученные с помощью УФ засветок кривые (рис.12, 1)

представлялись как суперпозиция спектров фотоионизации Agb Ag2 и Ag3

Рис.12. Спектр стимуляции ФСВЛ монокристалла AgCl с адатомами серебра, после УФ засветки потоком 1015 кв/см"2с в течение 30 мин. при 77 К-(7), представленный как суперпозиция спектров фотоионизации для Agi - (2), Ag2 - (3) и Ag3 -(4). На врезке 1- зависимость Su в максимуме полосы димеров от времени УФ-засветки. На врезке 2 - темновой убыли 5 для уровней атомов и димеров серебра.

Рис.13. Разностные спектры стимуляции ФСВЛ монокристалла ZnS с адатомами серебра в концентрации 4><109 см-2 до (/) и после УФ облучения потоком 1013 кв/см"2 с в течение 30 мин. при Т=77 К (2); (3) - для монокристалла ZnS с адатомами серебра, подвергнутого температурному отогреву до 110 К. Штриховыми линиями указаны спектры фотоионизации адатомов и димеров серебра.

(рис.12, 2-4). Зависимость значений Se в максимуме полосы димеров от времени экспонирования образцов показала, что по мере облучения, сначала растет концентрация созданных фотостимулированным путем кластеров Ag2, а затем уменьшается в пользу роста концентрации Ag3 и более крупных кластеров серебра (см врезка1 к рис.12).

Для монокристаллов ZnS обнаружены аналогичные закономерности процесса низкотемпературного (77 К) фотостимулированного формирования под действием УФ из адатомов серебра димеров и более крупных кластеров (рис.13). После УФ засветок в спектре стимуляции ФСВЛ возникала четко выраженная структура с максимумами при 1.50 эВ, 1.60 эВ, 1.70 эВ, 1.90 эВ (рис.13, 2), из которых два последних интерпретированы как уровни кластеров Ag2, возникающие вследствие фотодиффузии адатомов. Центры в области 1.50 эВ объясняются формированием более крупных кластеров. Используя данные о механизмах рекомбинационных процессов в ZnS на уровнях адатомов серебра и результаты перестройки системы уровней адсорбированных центров в результате температурного отогрева предварительно фотовозбужденных образцов (рис.13, 3), подтверждено, что процесс фотостимулированного формирования на поверхности ZnS адсорбированных димеров серебра и более крупных кластеров обусловлен электрон-дырочной рекомбинацией. Для кристаллов AgCl результаты исследований эффекта темновой убыли светосумм на уровнях Agi и Ag2, также подтверждают факт безызлучательной рекомбинации на них неравновесных носителей заряда (рис.12, врезка 2).

В разделе 7 проанализированы возможные механизмы фотостимулированных преобразований в кристаллах с участием адатомов металла. Сделан вывод о том, что основной причиной наблюдаемого фостимулированного роста на поверхности

кристаллов AgCl и 2п8 димеров и тримеров серебра является процесс их фотодиффузии. Наряду с фотодиффузией по механизму последовательной перезарядки, обоснована возможность прыжковой фотодиффузии адатомов серебра, за счет преобразования энергии, выделяющейся при безызлучательной рекомбинации на их уровнях в энергию движения по поверхности кристаллов.

В четвертой главе рассмотрены закономерности возникновения антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах, с адсорбированными нанокластерами металлической и металлорганической природы.

В разделе 1 сделан краткий обзор литературных данных об антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах с участием примесных центров. Рассмотрены особенности двухквантового возбуждения этого свечения в галогенидах серебра, ртути, таллия с адсорбированными молекулами красителей, под действием слабых световых потоков. Выделен ряд проблем, касающихся причин и механизмов возникновения этого свечения, а также критериев ее существования в других, менее светочувствительных кристаллах и при температурах, близких к комнатной.

В разделе 2 приводятся результаты исследований впервые обнаруженного эффекта низкотемпературного (77 К) фотостимулированного формирования центров антистоксовой люминесценции в несенсибилизированных красителями МК AgCl0.95i0.05* Спектры возбуждения такого свечения потоками плотностью 1014-Ю'5 квант/см2с, детектируемого в основной полосе собственной люминесценции кристалла с >.тах=515 нм, располагались в области 610-750 нм (рис.14). Исходный спектр возбуждения, расположенный в области 630-680 нм (1) по мере экспонирования образцов при 77 К УФ излучением (1015 квант/см2с), в течение 10-1000 с изменялся по форме и интенсивности (рис.14, 2-5). Данные, полученные по ФСВЛ (врезка к рис.14), позволили предположить формирование под действием УФ-излучения при 77 К на поверхности кристаллов кластеров серебра, локальные уровни которых соответствуют условиям двухквантового возбуждения антистоксова свечения.

В разделе 3 исследована обнаруженная впервые при температурах 77-300 К антистоксова люминесценция в МК твердых растворов состава Zno.75Cdo.25S высокой чистоты (выращенных в ИФТТ РАН, г. Черноголовка), подвергнутых отжигу в присутствии кислорода воздуха при температуре 800° С в течение 1 часа. Плотность возбуждающих это свечение потоков составляла 1015-1016 квант/см2 с, а максимум спектра его возбуждения располагался при >.тах=670 нм. Результаты, полученные по спектрам возбуждения антистоксова свечения и стимуляции ФСВЛ с использованием методики протравливания исследуемых образцов в СН3СООН (20%) в течение 24-480 часов подтвердили факт участия уровней адсорбированных кластеров (2пО)„ и (СсЮ)„ в двухквантовом возбуждении обнаруженного свечения.

В разделе 4 данной главы приведены результаты исследований сенсибилизированной антистоксовой люминесценции (САСЛ) в МК А§С1, твердых растворов составов: AgCl0.95I0.05 и Zn0.60Cd0.40S с адсорбированными молекулами красителей (Кр) различных классов: метиленового голубого (Кр1);

соли 1,Г-диэтил-2,2'-хиноцианинаЗ,3'-ди-(у-сульфопропил)-9этил-4,5-беизо-4', 5' -[4"5"-диметилено(2"3")]-тиатиазолокарбоцианинбетаина (Кр2); малахитового зеленого (КрЗ), структурные формулы которых представлены рис.15. Адсорбция осуществлялась путем обработки поверхности МК этанольными растворами Кр1 - КрЗ концентраций 10"2-10"8 мольКр./мольКрист. (далее, м.д.). Выбранный диапазон позволял отслеживать корреляцию вида спектра возбуждения САСЛ с концентрацией наносимого на поверхность кристалла Кр, а также с типом образующихся при адсорбции молекулярных агрегатов. Во всех из указанных системах САСЛ возбуждалась излучением из области 620-720 нм и плотностях потока рабочего излучения 1014-1015квант/ссм2.

1вгЯ.

Ар/

-нр

(CH^jN^

lO 6"

co^co

600 650 700 ' 7S0 ' #00 SSO 900

Рис.14. Спектры возбуждения антистоксовой люминесценции МК AgO0.95I0.05: до -I и после УФ облучения в течение 10 с - 2, 100 с - 3, 1000 с -4, 3000 с -5. На врезке спектры стимуляции ФСВЛ этих образцов до -1 и после указанных засветок 2-5. Рис.15. Структурные формулы молекул Кр1-КрЗ.

Для МК твердых растворов состава AgCl0.95I0.05 с адсорбированными молекулами Кр1 и Кр2 показано совпадение спектров возбуждения САСЛ с видом и положением спектра поглощения адсорбатов. Продемонстрирована возможность гипсохромного смещения положения максимума спектра возбуждения САСЛ путем создания Н-агрегатов красителей, в то время как его батохромный сдвиг наблюдается при создании .1-агрегатов. Аналогичные зависимости обнаружены и в МК AgCl. Для твердых растворов 7пхСс1|.х8 с адсорбированными молекулами Кр1-КрЗ исследованы условия возбуждения САСЛ. Обнаружено, что решающее значение при этом имеют: а) соответствие энергии оптического перехода в адсорбированных молекулах красителей ширине запрещенной зоны кристалла (2Е„ьх >Еу); б) максимально возможный квантовый выход собственной люминесценции кристаллов; в) подбор оптимальной концентрации адсорбируемых молекул красителей, учитывающий способность к агрегации молекул красителей; г) минимизация фильтр-эффектов, обеспечивающих снижение реальной интенсивности САСЛ, как за счет поглощения возбуждающего ее излучения слоем адсорбированных молекул, так и поглощения квантов люминесценции этим же слоем. Показано, что состав МК твердого раствора 7п0 боСс104о^ является оптимальным, с точки зрения возбуждения САСЛ слабыми световыми потоками, спектральный состав которых совпадает с полосами поглощения адсорбированных молекул Кр1-КрЗ.

В разделе 5 представлены данные о впервые обнаруженном эффекте

низкотемпературного (77 К) фотостимулированного формирования центров САСЛ в МК AgCl0.95I0.05 и AgCl с адсорбированными молекулами Кр1 и Кр2. Он проявлялся в усилении более чем на порядок исходной интегральной интенсивности САСЛ, обусловленной в основном только присутствием на поверхности молекул Кр1 и Кр2, вследствие инициации в системе низкотемпературного фотостимулированного процесса (НТФСП) формирования адсорбированных кластеров серебра. В МК AgCl0.95I0.05 с адсорбированными мономерами молекул Кр1 и Кр2 под действием УФ облучения потоком 1015 квант/см2-с при 77 К и значениях экспозиций от 1 до 100 с интенсивность САСЛ возрастала в 8-10 раз. Этот рост в случае мономеров молекул Кр2 и Н-агрегатов молекул Кр1 сопровождался изменением положения максимума спектра возбуждения САСЛ и увеличением его полуширины (рис.16, 2,3 и рис.17, 2-4). Увеличение времени УФ засветки до 100 с приводило к снижению интенсивности САСЛ на 7-10 % (рис.17, 4). Рассматриваемый эффект в МК AgCl0.95l0.05 с адсорбированными Н-агрегатами молекул Кр1 и } - агрегатами молекул Кр2 происходят аналогично случаю адсорбированных мономеров красителей, но в меньшей степени (рис.17). Зависимость интенсивности САСЛ 1сасл от интенсивности возбуждения 1ет6 оказалась сверхлинейной и аппроксимировалась функцией вида 1сАсл=а'1тл , где у-1.55-1.70. "^Й'2.0,

„Г'20 1.9 1.» 1.7 1.6 Е,зВ

tl.IT Н-агрегат

4/ / чх^"-2

650 700 Х-

600 650 700 750

600 625 650 675 700 725 750 775 1-5

Я.,»

Рис.16. Спектры возбуждения САСЛ МК А§С10 Ч510 оз+Кр2 (10 м.д.) до - 1 и после УФ облучения при 77 К в течение 1 с -2, 100 с -3; МК АсС1„951оо5+Кр2 (1(Г5 м.д.)+AgNOз (10"5 м.д.) -4, (10"7 м.д.) -5. На вр. - нормированный спектр поглощения адсорбированного Кр2 (10"5 м.д.). Рис.17. Спектры возбуждения САСЛ МК АдСЬ.мЬда+Кр! (10"3 м.д.) до-/ и после УФ облучения в течение 10 с - 2, 100 с -3, 1000 с -4; МК АвС1о.<«1о.о5+Кр1 (10"3 м.д.)+АеЫ03 (10"6 м.д.)-5. На вр. - нормированные спектры поглощения адсорбированных молекул Кр1 (10"3 м.д.).

С помощью ФСВЛ показано, что под действием аналогичных низкотемпературных УФ засветок спектр глубоких ловушек изменялся. Уже при экспозициях 1-10 с он увеличивался по интенсивности на 30-40 % и смещался от 1.90-1.95 эВ в область 1.80-1.85 эВ. Увеличение УФ экспозиций вплоть до 1000 с снижало концентрацию уровней в области 1.80-2.00 эВ и появлялся максимум вблизи 1.55-1.65 эВ. Оказалось, что значения энергетических характеристик возникающих ловушек хорошо совпадают с энергиями квантов света, соответствующих положениям максимумов спектров возбуждения САСЛ для всех из рассмотренных образцов: 630 нм (1.97 эВ), 653 нм (1.90 эВ), 675 нм (1.84 эВ), 690 нм (1.80 эВ). Эти результаты позволили объяснить обнаруженный эффект возникновением на их поверхности продуктов НТФСП - нанокластеров серебра и образованием новых центров САСЛ. Причем молекулы красителей, обладая

сильным поглощением в области возбуждения САСЛ, входят в состав центров этого свечения. В пользу этого свидетельствует факт расположения полос возбуждения САСЛ, возникающих в результате НТФСП, непосредственно вблизи области поглощения адсорбированного красителя и некоторых типов нанокластеров серебра. Предположено, что часть возникающих кластеров серебра, располагаясь вблизи адсорбированных молекул красителей, изменяют строение центров САСЛ, а также вероятности и энергии электронных переходов, приводящих к ее возникновению. При этом обнаруженные смещения максимумов спектров возбуждения являются следствием проявления размерного эффекта расположения уровней серебряных кластеров в запрещенной зоне.

Далее рассмотрен эффект сенсибилизации к антистоксовой люминесценции МК твердых растворов состава Zn0.60Cd0.40S, за счет создания на их поверхности, наряду с адсорбированными молекулами Кр, нанокластеров серебра. В наибольшей степени этот эффект проявлялся в самоактивированных МК Zno.6oCdo.4oS, поверхность которых обработана растворами молекул Кр1-КрЗ (10~5 м.д.) и АцЫОз в сверхмалых концентрациях (10"6-10"8 м.д.) (рис.18, 2-4). В этом случае САСЛ регистрировалась как при температуре 77 К, так и при 300 К. Следует отметить, что активация объема 7п060С^04о5 серебром для улучшения люминесцентных свойств приводила к тушению САСЛ, по сравнению с самоактивированными МК, а максимумы спектров ее возбуждения всегда располагались при 650 нм (рис.18, 5). Методом ФСВЛ, как и в случае А§С1(1), А£С1, показано возникновение наиболее заметной концентрации ловушек с энергиями фотоионизации 1.80-2.00 эВ только для МК Zno.6oCdo.4oS с адсорбированными молекулами Кр1-КрЗ и нанокластерами серебра (10"7 - 10"6 м.д.), соответствующих максимальному уровню САСЛ (рис.18,5,6).

1500

1200

600

2.0 1.9 1.8 1.7 *г \ * { Х2т \ * /л^я v хО.6 1-6 Е, зВ 1-агр<гат моначер л

// %0.4 1

11/ V

Ш 650 700

// у^ч 11

Рис.18. Спектры возбуждения СЛСЛ самоактированных МК 2п06оС11о4оЗ+Кр2 (Ю-5 м.д.) - 1; и ионами серебра из растворов AgNOз (108 м.д.) - 2; (10"7 м.д.) -3; (Ю-6 м.д.) -4, а также актированных серебром (Ю-5 м.д.) МК Zno.6oCdo.4oS с адсорбированными молекулами Кр2 (Ю-5 м.д.)-5. На вр.-спектр поглощения адсорбированных на МК Zno.60Cdo.40S молекул Кр2 (10"5 м.д).

600 650 700 750 Мм

Сделан вывод о том, что состав центров, ответственных за САСЛ входят, как молекулы красителей, так и кластеры серебра.

Пятая глава посвящена рассмотрению проблемы строения центров и механизмов возбуждения антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах с адсорбированными нанокластерами металлической и металлорганической природы.

В разделе 1 анализируется эффект низкотемпературной (77К) фотостимулированной сенсибилизации антистоксовой люминесценции в чистых МК твердых растворов состава А§С10951оо5 под действием УФ-излучения. Обнаружено, что энергии квантов излучения, возбуждающего антистоксово

свечение, совпадают с энергиями фотоионизации (1.80-2.00 эВ) центров, возникающих в результате НТФСП, которые, как показано в главе 3, обусловлены формирующимися при этом адсорбированными нанокластерами серебра. Предположение, что центрами возбуждения являются адсорбированные кластеры Agi и Ag2 подтверждено результатами модельных экспериментов по исследованию энергетических состояний этих центров на поверхности плавленого слоя AgCl(I) с помощью разработанной техники напыления соответствующих масс-сепарированных ионов. Обнаружено образование в запрещенной зоне AgCJ(I) электронных ловушек на оптической глубине, отсчитываемой от дна зоны проводимости, на 1.67±0.05 эВ и 1.88±0.04 эВ для адатомов серебра, а также еще двух на - 1.72±0.04 эВ и 1.82±0.03 эВ - для димеров серебра. Рассмотрение кинетики антистоксовой люминесценции, возникающей по каскадному механизму последовательных переходов "валентная зона - глубокий уровень- зона проводимости" (рис.19) и проведенные оценки свидетельствуют о принципиальной возможности его реализации. Получен следующий вид для интенсивности антистоксовой люминесценции, при условии учета существования канала безызлучательной рекомбинации через квантовый выход возбуждения люминесценции tj, а также в приближении мономолекулярности процессов с вероятностью Pj и ojj (рис. 19) и пренебрежении высвечивающим действием возбуждающего излучения на центры люминесценции:

Т -п ^2-0-23-A'J-Pj-BJ-NJ

J ОСЛ - 'Г J , Г , /Э

crI2 -J + а23 • J + Pj+CÛJ

Здесь on и о2з - эффективные сечения поглощения излучения для оптических переходов "валентная зона - глубокий уровень" и "глубокий уровень- зона проводимости", iOj -вероятность захвата электронов из зоны проводимости на уровни j, Л,- концентрация центров возбуждения антистоксовой люминесценции, J- интенсивность возбуждения.

Из представленного выражения видно, что регистрируемые спектры возбуждения антистоксова свечения могут не совпадать со спектрами фотоионизации адсорбированных нанокластеров серебра (процесс с сечением а2з), и определяются еще спектрами, обусловленными переходами "валентная зона -глубокий уровень" (процесс с сечением an). Кроме того, проанализированы экспериментальные зависимости интенсивности антистоксовой люминесценции от интенсивности возбуждающего потока, которые оказались близкими к линейным и аппроксимировались зависимостью 1сАсл~Рвозб, где jM.00-l.25. Предполагается их связь с низкой вероятностью процесса Pj, которая не превышает значения — Ю'МО"4 с"', что в свою очередь не противоречит данным о высокой эффективности захвата свободных дырок в хлориде и хлоройодиде серебра на катионные вакансии и йодные центры [16,18].

Для МК Zn0.75CCI025S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода воздуха, отмечается также возможность каскадных переходов через глубокие уровни, обусловленные образующимися адсорбированными кластерами (ZnO)„ и (CdO)n.

В разделе 2 обоснован механизм возбуждения CACJ1 в МК AgCl, AgClo.95I0 05 Zn0 6oCd04oS с адсорбированными молекулами красителей. Показано, что спектры

возбуждения антистоксова свечения, как и в работе [25], совпадают по положению со спектрами поглощения адсорбированных молекул красителей. Кроме того, для адсорбированных молекул Кр1, Кр2 обнаружен факт изменения положения максимумов обоих спектров, за счет Н- и ^агрегации. При этом концентрационные зависимости пиковых интенсивностей САСЛ, с учетом процессов агрегации адсорбированных молекул Кр1-3 оказались нелинейными (рис.20). На начальном участке возрастания САСЛ они были резкими и начинались в случае мономеров Кр1-3 с тех концентраций, при которых оценка расстояний геометрических центров адсорбированных молекул (при условии равномерного заполнения поверхности) давала величину 50-150 А, достаточную для переноса энергии электронного возбуждения в случае кооперативного механизма ее возбуждения (рис.20,1,3,5,6). С уменьшением этих значений до 4515 А, когда вероятность агрегации сильно возрастает, отмечалась аналогичная пороговая зависимость интенсивности САСЛ в максимуме спектра, возбуждаемого из области поглощения адсорбированных агрегатов (рис.30, 2,4). Замедление роста и последующий спад всех кривых при максимальных из использованных концентраций объяснено возникновением фильтр-эффектов разного типа, экспериментальные проявления которых рассмотрены в главе 4 (рис.30,1-6).

Рис.19. Диаграмма локальных уровней, участвующих в каскадных процессах двухквантового возбуждения антистоксовой люминесценции в МК А§С1(1).

Рис.20. Зависимости пиковой интенсивности САСЛ, возбуждаемой в полосе поглощения адсорбированных на МК А§С1(1) мономеров Кр1 (£„„,6=1.85 эВ - /); Н-агрегатов Кр1 (£ю,в=2.00эВ - 2)\ мономеров Кр2 (£„„,,;= 1.95 эВ - 5); .1- агрегатов Кр2 (£„„„¡=1.80 эВ - 4): на МК Zno.60Cdo.40S молекул КрЗ (£„,«=1.85 эВ - 5)\ на МК А§С1 мономеров Кр1 (£,„5=1.80 эВ - б). Рис.21. Диаграмма для кооперативного механизма возбуждения САСЛ.

Далее, проанализирован характер взаимодействия молекул красителей с поверхностью кристалла. Для этого разработана специальная методика исследования по ИК спектрам поглощения. Сравнение этих спектров для молекул Кр1 в газовой фазе, в виде кристаллогидратов, а также адсорбированных на поверхности МК AgCl0.95Io.o5i показало слабый характер возникающих взаимодействий в такой системе. Сделан вывод об образовании водородных связей между анионами решетки кристалла и ненасыщенными диметиламиногруппами, а также атомом серы гетероцикла Кр1 через О-Н группы.

Разработка подхода к определению величин времен жизни адсорбированных

молекул красителя в возбужденном состоянии подтвердила точку зрения о том, что связь их с поверхностью кристалла является слабой не только в основном (по ИК спектрам), но и в возбужденном состоянии. Впервые получены электронные спектры поглощения в абсолютных значениях молекул Кр1 и КрЗ, адсорбированных на поверхности нанокристаллов (НК) AgCl(I) размером 50-70 нм. Такие объекты размещались в желатиновой матрице, были оптически однородными и сохраняли все свойства САСЛ, которые имелись для МК. Показано, что времена жизни в возбужденном состоянии для адсорбированных мономеров Кр1 и КрЗ превышают аналогичные величины для растворов этих молекул не более чем на порядок. Используя параметры полученных спектров, проведена оценка для эффективности возбуждения САСЛ непосредственно через возбужденные состояния молекул, аналогично схеме на рис.19 показали, что такой процесс не может давать вклада в формирование САСЛ в имеющихся экспериментальных условиях. Поэтому рассматривалась модель кооперативного механизма возбуждения САСЛ, реализующаяся по схеме:

(K:p+Kp+AgHal)+2hv„^/íi,-►Kp*+Kp*+AgHal-^Kp+Kp**+AgHal-> -»Кр+КрЧ^На^-^Кр+Кр+АеНаН-Ьк,,,,.,,

Результаты рассмотрения кинетики возбуждения САСЛ по такой схеме (рис.21) показали следующий вид выражения для интенсивности:

иасл ~ Ч 1

(-+г)

Здесь /V- концентрация адсорбированных молекул Кр, J - интенсивность возбуждения САСЛ, р - коэффициент переноса, энергии электронного возбуждения в системе возбужденных молекул красителей, у - константа скорости переноса энергии электронного возбуждения от возбужденной молекулярной системы кристаллу.

Полученная зависимость подтверждает экспериментально регистрируемое совпадение по положению спектра поглощения адсорбированных молекул со спектром возбуждения САСЛ, а также нелинейную зависимость интенсивности этого свечения от концентрации. Используя значения полуширины спектров поглощения адсорбированных молекул Кр, полученных в абсолютных единицах и интегральной интенсивности, проведены оценки коэффициента переноса в системе двух тождественных одновременно возбужденных молекул красителей -р и величины тув12. Показано, что ожидаемые максимально достижимые значения интенсивности САСЛ, составляющие в числе квантов ~ 102-106 с"'-см"2 в пределах резкого роста кривой 1 на рис.20 сопоставимы с экспериментальными значениями, составляющими ~

102-104 с'

•см". Указанные экспериментальные факты и результаты оценок показали, что кооперативный механизм возбуждения САСЛ в кристаллах, содержащих на своей поверхности молекулы органических красителей и их агрегатов, является наиболее вероятным.

В разделе 3 исследуются центры антистоксовой люминесценции, сформированные в кристаллах AgCl, AgCl0.95I0.05 с адсорбированными молекулами красителей в результате НТФСП. Прежде всего, проанализированы спектры возбуждения САСЛ, полученные в результате НТФСП; данные по ФСВЛ о

перестройке спектра глубоких электронных состояний; а также спектры фотоионизации атомов, димеров и тримеров серебра, адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl и AgCl(I). Обнаружены спектральные закономерности, подтверждающие, что в результате НТФСП формируются металлорганические наноразмерные комплексы, состоящие из молекул красителей и кластеров серебра. Показано что, для получения максимального эффекта фотостимулированной сенсибилизации САСЛ требуется близость энергетических характеристик как адсорбированных молекул Кр, так и кластеров серебра.

Кроме того, для обоснования модели механизма возбуждения САСЛ установлен характер взаимодействия молекул Кр с адсорбированными кластерами серебра. Для этого проведены модельные эксперименты, в которых осуществлялось пространственное отделение кристаллов с адсорбированными кластерами серебра от молекул органических красителей. Исследовалась САСЛ и эффект ее низкотемпературной (77 К) фотостимулированной сенсибилизации для желатинового слоя НК AgCl(I), AgCl и составных систем типа "желатиновый слой НК AgCl(I) - желатиновый слой молекул Кр", размещаемых в стандартном оптическом разъеме, соединяющем два кварцевых оптические волокна фирмы Lucent Technologies с диаметром ядра 125 ц. В этих экспериментах изолирующей прокладкой минимальной толщины -50 А с каждой стороны служила желатиновая матрица, в которую помещались отдельно молекулы Кр и НК AgCl, AgCl(I). Показано, что интенсивность САСЛ, регистрируемой в случае составного слоя оказалась выше, чем для случая только несенсибилизированного красителем слоя. Но наиболее важно, что эффект дополнительной сенсибилизации антистоксова свечения в результате НТФСП за счет мощного возбуждающего излучения начинается раньше и проходит более эффективно, чем для образцов, представляющих собой только пленки НК AgCl(I). Этот факт доказывает участие отделенных от поверхности кристалла молекул Кр в сенсибилизации антистоксовой люминесценции. Сделан вывод, что центр возбуждения САСЛ является составным, представляющим металлорганический наноразмерный комплекс, состоящий из молекул красителя и адсорбированных нанокластеров серебра. А связь между компонентами такого центра является слабой, но все же достаточной для переноса энергии электронного возбуждения от одного компонента центра САСЛ к другому. При этом роль сильно поглощающих свет в области возбуждения САСЛ адсорбированных молекул красителей заключается в повышении эффективности переходов "валентная зона - уровни адсорбированных кластеров серебра", за счет переноса энергии электронного возбуждения. А оптические переходы "уровни адсорбированных кластеров серебра - зона проводимости" имеют место при длительном действии длинноволнового излучения, что фиксируется в ФСВЛ. Важно, что время жизни локализованных на уровнях адсорбированных кластеров электронов значительно превышает время жизни молекулы Кр в возбужденном состоянии. На основании полученных данных предложен двухквантовый последовательный механизм возбуждения сенсибилизированной в результате НТФСП антистоксовой люминесценции (рис.22):

(AgHaI+(Ag)I1++Kp)+2hv—♦(AgHal+(Ag)n++Kp*)+hv—+(AgHaI*+(Ag)nl,+Kp)+

+Ьу-^А8На1**+(А8)/+Кр^АёНа1+(Аё)пЧКр+11к1Ю.н

В результате рассмотрения системы кинетических уравнений, описывающих возникновение САСЛ в рамках этой схемы, получено выражение для интенсивности САСЛ:

Здесь Л^р и N - концентрации, соответственно, адсорбированных кластеров металла и молекул красителей, ц - константа скорости переноса энергии электронного возбуждения от молекулы красителя адсорбированному кластеру серебра, /?; - вероятность рекомбинации электронов на уровнях) с дырками в валентной зоне.

Это выражение подтверждает экспериментально обнаруженный факт, что спектр возбуждения САСЛ в рассматриваемом случае не совпадает со спектром поглощения адсорбированных молекул красителя (рисЛ6-18, 2,3) и является сложным, зависящим, кроме того, от положения спектра фотоионизации адсорбированных нанокластеров серебра. Кроме того, существенную роль в увеличении интенсивности САСЛ по мере формирования кластеров серебра в результате НТФСП играет рост их концентрации (уровни Л^). Отмечается, что перенос энергии электронного возбуждения от молекулы красителя серебряному центру принципиально может стимулировать как переход электрона из валентной зоны на локальный уровень, так и переход электрона с локального уровня в зону проводимости (рис.22). Однако отсутствие значительных изменений амплитуды ФСВЛ в МК А§С1(1) с адсорбированными молекулами красителей по мере образования заметной концентрации малоатомных кластеров серебра в результате НТФСП, указывает на малую вероятность реализации процесса 2 в схеме на рис.22.

Рис.22. Модель возникновения САСЛ с последовательной передачей энергии электронного возбуждения от молекулы красителя примесному центру.

Рис.23. Кривые ограничения мощности для НК AgCI(I) в поливиниловом спирте с адсорбированными молекулами КрЗ (5-10"3 м.д.) до -(/) и после УФ облучения в течение 20 с -(2). Прямая линия соответствует линейному пропусканию в 24 % (3). На врезке - спектры возбуждения САСЛ этого образца: до -/ и после УФ засветки при 77 К в течение 10 с. -2,20 с -3, 500 с -4.

Шестая глава посвящена обоснованию ряда аспектов прикладного применения результатов исследований оптических свойств адсорбированных на

г,

поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров, а также фотостимулированных процессов с их участием. В их основу положены закономерности двухквантовых процессов, происходящих под действием световых потоков низкой интенсивности с длинами волн, попадающими в область поглощения указанных адсорбированных примесных центров, создаваемых, как с помощью химических обработок поверхности, так и за счет фотостимулированных реакций.

В разделе 1 показана принципиальная возможность построения на основе гетерогенных систем, обладающих САСЛ, низкопороговых ограничителей мощности, создание которых актуально с точки зрения решения задач защиты глаз человека и фотоприемных устройств от разрушения, а также формирования систем передачи и обработки информации оптическими методами и т.п.. В ее основе лежит факт возбуждения CACJI, за счет нелинейного примесного поглощения световых потоков низкой плотности ~ 1013-1015 квант/с-см2. Для оптически однородных слоев нанокристаллов AgCl(I) размером 50-100 нм, с адсорбированными молекулами КрЗ (5-Ю"3 м.д.), размещаемых в матрице из поливинилового спирта (или желатины) впервые обнаружено ограничение мощности для непрерывного излучения с Х=660 нм (рис.23,1). Порог наблюдения эффекта составлял около 35 мВт. Кривые ограничения получены для непрерывных световых потоков, длина волны которых близка к положению максимума спектра возбуждения САСЛ (рис.23, вр.). Важно, что эффект ограничения синхронно усиливался в результате инициирования в образце НТФСП (рис.23, 2), когда изменяются вероятности оптических переходов, приводящих к возникновению CACJ1 (рис.23, вр., 2-4). Этот факт свидетельствует о единой природе центров, приводящих к указанным эффектам. В результате переходов с участием уровней примесных поверхностных центров, при определенных условиях принципиально возможно как возникновение эффекта обратного насыщения поглощения света в многоуровневых системах (reverse saturable absoption), так и самофокусировки.

В разделе 2 предложен способ реализации элементов ЗО-оптической памяти с недеструктивным считыванием информации с помощью антистоксовой люминесценции. Он основан на применении в качестве основы оптически однородных слоев нанокристаллов с адсорбированными нанокластерами металлорганической природы, являющихся центрами возбуждения САСЛ. Это свечение может возникать под действием слабых световых потоков с длинами волн, лежащими в видимой и ближней ИК области, для которых кристаллы широкозонных полупроводников прозрачны. Отмечается, что использование двухчастотного принципа возбуждения САСЛ может дать более высокую эффективность этого способа считывания информации. Слабые световые потоки возбуждения антистоксова свечения могут решить проблему нежелательного стирания информации при ее люминесцентном считывании.

В разделе 3 представлена принципиальная схема реализации зонда для люминесцентного микроскопа ближнего поля, позволяющего получать оптические изображения отдельных адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и малоатомных кластеров металла. При этом

регистрация сигнала осуществляется по антистоксовой люминесценции подложки. А в качестве иглы для этой цели служат заостренные кварцевые оптические волокна (покрытые защитным слоем), на кончике которых осаждаются мономеры молекул красителей или их агрегаты. Тогда при приближении такой иглы на расстояние порядка радиуса Ферстера (5-15 нм) к поверхности кристалла возможно возникновение CACJ1 от единичных адатомов и кластеров по механизму, схема которого представлена на рис.22.

В разделе 4 обсуждается возможность применения для создания систем фотокаталитического получения водорода обнаруженных путей увеличения вероятностей двухквантовых межзонных оптических переходов в широкозонных кристаллах полупроводников с адсорбированными нанокластерами, возбуждаемых световыми потоками по плотности близкими к солнечному свету.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

Совокупность сформулированных положений, исследованных процессов и обнаруженных закономерностей закладывает основы нового научного направления - методы и результаты исследований оптических свойств наноразмерных частиц металлической, а также металлорганической природы, находящихся во взаимодействии с ионно-ковалентными кристаллами. Сформулирован подход к исследованию оптических свойств адсорбированных нанокластеров и фотостимулированных процессов с их участием, основанный на использовании методов люминесцентной спектроскопии кристаллов, на поверхности которых они адсорбированы. Получены следующие наиболее важные результаты:

1. Разработан новый метод исследования оптических свойств атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов с концентрационной чувствительностью 108-109 см"2. Он сочетает в себе использование техники масс-спектрометрического напыления на поверхность кристалла ионов металла определенного размера и метода фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации адсорбатов. Отработана техника получения адсорбированных монодисперсных кластеров серебра Ag„(n=l,2..) на поверхности монокристаллов AgCl и ZnS и их спектров фотоионизации.

2. Получены новые данные об энергетических состояниях адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS монодисперсных малоатомных кластеров серебра (Agn, где п=1,2...). Определены спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS атомов и монодисперсных димеров и тримеров серебра. Обнаружен размерный эффект в расположении локальных уровней указанных центров, оптическая глубина которых, отсчитываемая от дна зоны проводимости, заключена в интервале от 1.05 эВ до 1.90 эВ.

3. Разработаны методы установления механизмов люминесценции, а также безызлучательной рекомбинации в кристаллофосфорах. Для группы кристаллов AgCl AgClo.95Io.os, AgBr0.9sI0.05, AgBr06oCloао доказано, что низкотемпературная

фотолюминесценция (77 К) в полосах с максимумами при Х1Т1ах=480 нм, }ч„ах=515 нм, >.тш=540 нм, >-тах=500 нм, соответственно, возникает в результате рекомбинации свободных электронов с локализованными на центрах свечения дырками (т.е. по механизму Шёна-Класенса). Полосы с максимумами при ^=630 нм для кристаллов AgBr095I005 и AgBr0.60Cl0.40 возникают в результате рекомбинации свободных дырок с локализованными на центрах свечения электронами (т.е. по механизму Ламбэ-Клика). Показано, что эффект темновой убыли светосумм, запасенных на глубоких уровнях адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl и ZnS нанокластеров обусловлен безызлучательной рекомбинацией локализованных на них электронов с дырками, термически освобождаемыми с мелких уровней захвата.

4. Установлены закономерности процесса фотостимулированного формирования при 77 К на поверхности кристаллов AgCl и ZnS нанокластеров серебра. Доказан факт участия адатомов в фотостимулированной сборке кластеров, которая реализуется последовательно через стадии ди- и тримеризации. Обнаруженный впервые процесс безызлучательной рекомбинации локализованных на уровнях адатомов электронов со свободными дырками подтвердил, что основным механизмом формирования кластеров является фотостимулированная диффузия адатомов по поверхности кристалла, которая может происходить по механизмам последовательной перезарядки и прыжковых перемещений.

5. Показана термическая неустойчивость адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl атомов серебра, которые десорбируются при температурах выше 150 К. Энергия активации этого процесса составляет 0.34-0.40 эВ.

6. Выявлены условия формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции и механизмы ее двухквантого возбуждения излучением с длинами волн 620-700 нм и плотностью потока 10,4-101S квант/см2-с. Установлено, что образование нанокластеров серебра на поверхности AgCl0.95I0.05 приводит к возникновению вблизи середины запрещенной зоны локальных уровней, участвующих в каскадных двухквантовых переходах "валентная зона - глубокий уровень- зона проводимости". В случае адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl0.95l0.05, AgCl, Zn06oCdo4oS молекул красителей и их агрегатов обоснован кооперативный механизм возбуждения антистоксова свечения.

7. Впервые установлено, что эффект сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl0.95I0.05, AgCl, Zno.60Cdo.40S, содержащих на своей поверхности молекулы красителей, обусловлен формированием металлорганических наноструктур типа "молекула красителя - кластер серебра". Показано, что компоненты этих наноструктур связаны друг с другом слабыми взаимодействиями, а двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции реализуется в них последовательно путем переноса энергии электронного возбуждения от молекул красителя к адсорбированному кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации.

8. Обоснована возможность применения полученных фундаметнальных результатов для: а) разработки низкопороговых ограничителей мощности; б)

элементов 3D- оптической памяти с люминесцентным считыванием информации; в) систем ближнепольной микроскопии атомов и малоатомных кластеров, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов; г) новых фотокатализаторов к процессам получения водорода. Показана возможность низкопорогового ограничения мощности оптического излучения с Х-660 нм в обладающих сенсибилизированной антистоксовой люминесценцией ионно-ковалентных кристаллах с адсорбированными металлорганическими нанокластерами.

Список цитированной литературы

1. A short survey of optical properties of metal nanostructures : in Functional properties of nanostructured materials / U. Kreibig [etc.] // Springer, 2006. - P.75-110.

2. Акимов И.А. Сенсибилизированный фотоэффект / И.А. Акимов, Ю.А.Черкасов, М.И. Черкашин. - М.: Наука, 1980. - 384с.

3. Физика соединений А2В6 / под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. - М.: Мир, 1989. - 320с.

4. Belous V.M. Review of luminescence of mechanisms of spectral sensitization and supersensitization: chemically sensitized emulsions / V.M. Belous // J Imag. Sci. & Techn.- 1999.-V.43.-P. 1-14.

5. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса / Б.И. Шапиро.

- М.: Эдиториал УРСС, 2000. - 288 с.

6. Латышев А.Н. Адсорбция атомно-молекулярных частиц и фотографический процесс / А.Н. Латышев // ЖНиПФ. - 2001. - Т.46, №5. - С.3-12.

7. Оптические методы создания, исследования и модификации металлических наноструктур на поверхности прозрачных диэлектриков / А.М.Бонч-Бруевич [и др.] // Опт. журн. - 2005. -Т.72, №12. - С.3-12.

8. Meikljar P.V. On the role of two-photon processes in spectral sensitization of photographic layers / P.V. Meikljar // J Imag. Sci. & Techn. - 1995. - V.39. - P. 113119.

9. Marchetti A.P. Formation and spectroscopy manifestation of silver clusters on silver bromide surfaces/ A.P. Marchetti, A.A.Maunter, R.C.Baetzold // J. Phys. Chem. - 1998.

- V.102. - P.5287-5297.

10.Klyuev V.G. Identical Properties of the Surface Process Proceeding under UV-Radiation for AgHal, ZnS and CdS / V.G. Klyuev, A.N. Latyshev // J. Inf. Record. Mat.

- 1996. - V.23. - P.295-300.

П.Клюев В.Г. Фотохимическая сенсибилизация антистоксовой люминесценции бромоиодосеребряных эмульсий / В.Г. Клюев, М.А. Кушнир, А.Н. Латышев // ЖНиПФ. - 2001. - Т.46, №5. - С. 49-53.

12.Механизм антистоксовой люминесценции галогенсеребряной эмульсии, сенсибилизированной красителем / А.В. Тюрин [и др.] // Оптика и спектроскопия.

- 2008. - Т. 104, № 2. - С.237-244.

13.Brune Н. Surface diffusion: shifting strings / H. Brune // Nature. - 2003. - V.2. -P.778-779.

14.Фок M.B. Оценка параметров центров локализации дырок и электронов по тушащему и вспышечному действию ИК-света / М.В. Фок // ФТП. - 1970. - Т.4,

№4. - С.1009-1014.

15.Marchetti А.Р. Indirect optical absorption and radiative recombination in silver bromoiodide / A.P. Marchetti, M.S. Burberry // Phys. Rev. B. - 1988. - V.31. -P.10862-10866.

16.Spoonhower J.P. Trapped holes in silver halides / J.P. Spoonhower, A.P. Marchetti // J. Phys. Chem. Sol. - 1990. - V.51. - P.793-804.

17.Yamaga M. Optical detection of magnetic resonance in AgCl,.xBrx / M. Yamaga, W.Hayes //J. Phys. C: Sol. St. Phys. - 1982. - V.15. - L75-L79.

18.Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения / П.В. Мейкляр. - М.: Наука, 1972. - 400с.

19.Вознесенская Т.Н. О природе красной люминесценции в фосфорах ZnS-Cu / Т.И. Вознесенская, В.М. Фок // Оптика и спектроскопия. - 1965. -Т.18. - С. 656659.

20.Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. - М.: Наука, 1987. -431с.

21.Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности / В.П. Жданов .- Новосибирск : Наука, 1988.- 320 с.

22.Baetzold R.C. Calculated properties of Ag clusters on silver halide cubic surface site / R.C. Baetzold // J. Phys.Chem. B. - 1997. - V. 101. - P.8180-8190.

23.Kawasaki M. Lifetime of the photolytic silver atom in silver halide photographic emulsion / M. Kawasaki, H. Hada // J. Imag. Sci. - 1985. - V.29, №4. P.132.

24.Молоцкий М.И. Квазимолекулярная модель хемосорбции на поверхности ионного кристалла / М.И. Молоцкий, А.Н. Латышев // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1971. - Т. 35, № 2. - С. 359-360.

25.0всянкин В.В. Кооперативные процессы в люминесцирующих системах / В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // Изв. АН СССР. сер. физ. - 1973. - Т. 37, №2. - С.262-272.

Основные результаты работы опубликованы в работах:

1. Образование адсорбированных на поверхности кристаллов с ионно-ковалентной связью малоатомных металлических кластеров / В.Г. Клюев, А.И. Кустов, А.Н. Латышев, Л.Я. Малая, О.В. Овчинников // 2-ая Межд. конф.: "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологий": тез. докл. -СПб, 1998.-С.180.

2. Photo-induced formation and destruction of clusters adsorbed on ionic-covalent crystal surface / A.N. Latyshev, V.G. Klyev, A.I. Kustov, L.Yu. Leonova, A.G. Nevezhina, O.V. Ovchinnikov, T.V. Voloshina // Int. Symposium A - Photo-Exited Processes & Applications ("3- ICPEPA"): final book of abstracts. - Strasbourg (France), 1999, A-V I P48.

3. Термические свойства атомов серебра, адсорбированных на микрокристаллах хлористого серебра / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, А.И.Кустов, О.В. Овчинников // Журн. научн. и прикл. фотогр. - 1999. - Т.44, №6. - С.22-25.

4. Люминесцентное исследование десорбции адсорбированных атомов серебра с поверхности монокристаллов AgCl / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, А.И. Кустов, О.В. Овчинников [и др.] // Межд. конф.: "Оптика полупроводников". OS - 2000: тез.

докл. - Ульяновск, 2000. - С.174.

5. Овчинников О.В. Устойчивость атомов серебра, адсорбированных на кристаллах хлористого серебра / О.В. Овчинников [и др.] // Журн. научн. и прикл. фотогр. - 2001. - Т.46, №5. - С.26-29.

6. Процессы релаксации возбуждения кристалла хлорида серебра / Н.И. Коробкина, С.С. Охотников, О.В. Овчинников [и др.] // Журн. научн. и прикл. фотогр. - 2001. - Т.46, №5. - С.35-37.

7. Термическая десорбция атомов серебра с поверхности монокристаллов AgCl / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, А.И. Кустов, О.В. Овчинников [и др.] // Поверхность. - 2001. - №11. - С.76-81.

8. Овчинников О.В. Метод масс-спектрометрического напыления кластерных ионов серебра на поверхность монокристаллов AgCl / О.В. Овчинников, С.С. Охотников // Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл.- Кемерово, 2001. - С.144.

9. Люминесцентные исследования адсорбции и десорбции атомов серебра на монокристаллах AgCl / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, О.В. Овчинников [и др.] //Межд. конф. по люминесценции, поев. 110-летию со дня рожд. академика С.И. Вавилова": тез. докл.- Москва, 2001. - С.220.

Ю.Латышев А.Н. Оптические и термические свойства атомов и малоатомных кластеров, адсорбированных на кристаллах хлористого серебра, адсорбированных на монокристаллах хлористого серебра / А.Н.Латышев, О.В Овчинников [и др.]// Физическая Мысль России. - 2002. - №1. - С.77-83.

11 .Свойства атомов серебра, адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.]// Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": материалы конф. - Воронеж, 2002. - С. 209-210.

12.The Ionization and Desorption Energies of Silver Adsorbed on Silver Chloride Crystals. / A.N. Latyshev, V.G. Klyuev, O.V. Ovchinnikov [etc.] // ICIS'02: Intern. Congr. of Imag. Sei. - Tokyo, 2002. - P. 238-239.

13.Устойчивость первичных центров в начальной стадии фотографического процесса / О.В. Овчинников [и др.] // Межд. симпозиум: "Фотография в XX веке ": тез. докл. - М„ 2002. - С. 31-33.

14. Свойства атома серебра, адсорбированного на поверхности монокристалла хлористого серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Журн. научн. и прикл. фотогр. - 2003. - Т.48, №4. - С.25-30.

15.Латышев А.Н. Механизм люминесценции кристаллов хлористого серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов // Журн. научн. и прикл. фотогр. -2003. - Т.48, №5. - С.47-50.

16. Латышев А.Н. Спектры поглощения атомов металлов, адсорбированных на поверхности монокристаллов / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С. Охотников // ЖПС. - 2003. -Т.70, №6. - С.721-724.

17Латышев А.Н. Метод определения механизма люминесценции ионно-ковалентных кристаллов / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С. Охотников // 5 Межд. конф.: "Оптика, оптоэлектроника : тез. докл. - Ульяновск, 2003. - С. 131. 18.Латышев А.Н. Участие адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl

атомов серебра в низкотемпературном фотостимулированном образовании малоатомных кластеров. / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С. Охотников // Труды 12-й Межд. конф. "Радиационная физика и химия в неорганических материалах". - Томск, 2003. - С.320-324.

19.0вчинников О.В. Механизы люминесценции кристаллов галогенидов серебра / О.В.Овчинников, М.С. Смирнов // Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах" : тез. докл. - Кемерово, 2004. - Т.2. - С.450-453.

20.Смирнов М.С. Механизм релаксации запасённых светосумм в хлориде серебра / М.С. Смирнов, О.В. Овчинников, Ю.В.Герасименко // Мевд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. - Кемерово, 2004. - Т.2.- С.471-473.

21.Фотохимическая сенсибилизация антистоксовой люминесценции твёрдых растворов AgCl0.95I0.05 / А.НЛатышев, О.В. Овчинников [и др.] // II Всерос. конф. "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. - Воронеж, 2004. - Т.1. - С.261-263.

22.Relaxations mechanism of stored totality of lightsum in silver chloride / A.N. Latyshev, O.V.Ovchinnikov, [etc.] // The XXI Intern, conf. on RELAXATION PHENOMENA IN SOLIDS (RPS-21). - Voronezh, 2004. - C.58.

23.Метод определения спектров ионизации монодисперсных адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов кластеров благородных металлов/ А.Н. Латышев, О.В.Овчинников [и др.] // ПТЭ. - 2004. - №6. - С.119-124.

24.Исследование фотолиза хлорида серебра методами микроволновой фотопроводимости и фотостимулированной вспышки люминесценции / Е.П. Татьянина, Г.Ф. Новиков, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Химия высоких энергий. - 2004. - Т. 38, № 4. - С.299-303.

25.Латышев А.Н. Механизм люминесценции кристаллофосфоров / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов //ЖПС. - 2004. - №2. - С.223-226.

26.Латышев А.Н. О механизме люминесценции в хлористом и бромистом серебре с примесью йода / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов II Конд. среды и межф. гран. - 2004. - Т.6, №1. - С.70-74.

27. Образование димеров адсорбированных атомов серебра / А.Н. Латышев, О.В.Овчинников [и др.] // Конд. среды и межф. гран. - 2004. - Т.6, №3. - С.256-259.

28.Механизм релаксации запасённых светосумм в хлористом серебре /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Изв. РАН. сер. физ. - 2005. - Т.69, № 8. -С. 1200-1204.

29.Механизм фотонной активации твердофазных процессов / В.М. Иевлев, А.Н. Латышев, Ю.К. Ковнеристый, Т.Л. Тураева, В.В. Вавилова, О.В. Овчинников [и др.] // Химия высоких энергий. - 2005. - Т.39, №6. - С.455-461.

30.Механизм рекомбинации неравновесных носителей заряда, локализованных на глубоких ловушках в хлористом серебре / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2005. - Т.72, № 2. - С. 213-217.

31.Антистоксова люминесценция твердых растворов AgCl0.95I0.05 / О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2005. - Т.72, №6. - С.738-742.

32.Energy Characteristics of a Silver Atom Adsorbed on the Surface of a Silver Chloride Single Crystal / A.N. Latyshev, O.V. Ovchinnikov [etc.] // Eurasian phys.

techn. journ. - 2005. - V.2, №1(3). - P.6-15.

33.Спектральные свойства энергетических состояний атомов и димеров металла, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов / О.В. Овчинников [и др.] // 3 Межд. конф.: "Фундаментальные проблемы физики": тез. докл. - Казань, 2005. - С. 64.

34.Фотостимулированное образование центров нелинейного поглощения света в ионно-ковалентных кристаллах / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, [и др.] // 3 Межд. конф.: "Фундаментальные проблемы физики": тез. докл. - Казань, 2005. -С. 65.

35.Possibility of digital photography using luminescent materials / A.N. Latyshev, V.G. Klyuev, O.V.Ovchinnikov, [ect.] // Proc. Beijing intern, conf. of imag.: Techn.& Application for 21 st Century. - China, 2005,- P.318-319.

36.Энергетические состояния адсорбированных частиц золота атомно-молекулярной дисперсности / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Конд. ср. и межф. гран. - 2005. - Т.7, №1. - С.52-55.

37.Овчинников О.В. Механизмы люминесценции зелёной и оранжевой полос кристаллов сульфида цинка / О.В. Овчинников, А.Н. Латышев, М.С. Смирнов // Конд. ср. и межф. гран. - 2005. - Т.7, № 4,- С.413-416.

38.Фотостимулированное формирование центров антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах / В.М. Иевлев, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Докл.РАН. - 2006. - Т.409, №6. - С.756-758.

39.Спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности монокристалла ZnS атомов серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, Д.А. Минаков [и др.] // ЖПС. -2006. - Т.73, №3. - С.335-338.

40.Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов AgCl0.95I0.05 с адсорбированными молекулами органических красителей / О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2006. - Т.73, №5. - С.592-596.

41.Photostimulated anti-Stokes luminescence caused by metalorganic nanostructures adsorbed on the surface of ionic-covalent crystals / A.N. Latyshev, O.V. Ovchinnikov, A.B. Evlev [and etc.] // Изв. Вузов. Физика, приложение. - 2006. - T. 49, №10. -С.258-261.

42.Овчинников О.В. Сенсибилизированная антистоксова люминесценция ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными молекулами органических красителей и малоатомными кластерами серебра / О.В. Овчинников // Журнал Вестник ВГУ. Сер. Физика, Математика. - 2006. - №2. - С.101-109.

43.Спектр фотоионизации монодисперсных кластеров Ag2, адсорбированных на поверхности монокристалла AgCl / Латышев А.Н., Овчинников О.В. [и др.] // Конд. ср. и межф. гр. - 2006. Т.8. №3 - С.23-25.

44.Фотохимическая сенсибилизация антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl(I) с адсорбированными молекулами красителей / О.В. Овчинников [и др.] // Межд. симп.: "Фотография в XXI веке: традиционные и цифровые процессы": тез. докл., - СПб, 2006. - С. 59-61.

45.Метод формирования кластеров металлов заданной дисперсности на поверхности ионно-ковалентных кристаллов за счет фотостимулированной диффузии адсорбированных атомов" /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, [и др.] //

Межд. конф.: "Опта-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы": тез. докл., - Ульяновск, 2006.-С.79.

46.Нелинейное примесное поглощение света и ограничение мощности оптического излучения в кристаллах широкозонных полупроводников с адсорбированными малоатомными кластерами и молекулами органических красителей / М.С. Смирнов, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // VIII межд. конф.: "Опто- наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы": труды конф., - Ульяновск, 2006. - С. 147.

47. Фотостимулированное формирование на поверхности ионно-ковалентных кристаллов адсорбированных малоатомных кластеров серебра заданной дисперсности / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // III Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. - Воронеж: "Научная Книга", 2006. - С. 565-568.

48. Фотостимулированное образование центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в хлоройодосеребряных микрокристаллах с адсорбированными молекулами органических красителей / О.В. Овчинников, [и др.] // III Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф - Воронеж: "Научная Книга", 2006. - С. 582-585.

49.Фотостимулированное формирование центров сенсибиизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl(I) / О.В.Овчинников [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т.103, №3.-С. 497-504.

50.Спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности монокристалла ZnS димеров серебра / О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2007. - Т.74, № 4. - С.545-547.

51.Антистоксова люминесценция твердых растворов Zn06Cdo4S с адсорбированными молекулами красителей и малоатомными кластерами серебра / О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2007. - Т.74, №5. - С.617-620.

52.Анализ взаимодействия органического красителя метиленового голубого с поверхностью микрокристаллов AgCl(I) / О.В. Овчинников [и др.] // ЖПС. - 2007. -Т. 74,№6.-С. 731-737.

53.Фотостимулированное формирование малоатомных кластеров серебра заданной дисперсности на поверхности монокристаллов AgCl и ZnS / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Рос. нанотехнологии. - 2007. - Т.2, № 11-12. -С. 75-77.

54. Косякова Е.А. Антистоксова люминесценция микрокристаллов твёрдых растворов Zno.75Cdo.25S / Е.А. Косякова, О.В. Овчинников, [и др.] // 10 Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. -Т. 2. - Кемерово, 2007. - С. 105-108.

55.Латышев А.Н. Фотофизические процессы в кристаллах галогенидов серебра, сульфидов цинка и кадмия с участием адсорбированных атомов, малоатомных кластеров, молекул органических красителей и наноструктур на их основе / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников // 10 Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. - Т.1. - Кемерово, 2007. - С. 77-79.

56.Латышев А.Н. Фотостимулированное формирование адсорбированных

кластеров серебра на поверхности кристаллов AgCl и ZnS / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, Д.А. Минаков, М.С. Смирнов, П.В. Новиков // 10 Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. - Т. 2. -Кемерово, 2007. - С. 327-330.

57.Латышев А.Н. Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах сульфида цинка /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, [и др.] // 10 Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. - Т. 2. -Кемерово, 2007. - С. 110-114.

58.Нелинейные наноматериалы с антистоксовой люминесценцией / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // 6 Всерос. щкола-конф.: "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)": матер, конф. - Научная книга, 2007. -С.142-143.

59.Оптически однородные наноматериалы с антистоксовой люминесценцией / О.В. Овчинников [и др.] // Нанофотоника: Сб. тез. докл. - Черноголовка, 2007. -С.138.

60.Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах твердых растворов Zn06Cd04S с адсорбированными молекулами красителя и малоатомными кластерами серебра / О.В. Овчинников [и др.] // Изв. Вузов. Физика. - 2008. - Т.51, №3. - С.21-26.

61.Твердотельные наноструктуры для электронной и оптической техники нового поколения / А.С. Сидоркин, Б.М. Даринский, С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, О.В. Рогазинская, С.А. Запрягаев, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // Рос. нанотехнологии. - 2008. - Т.З, №5-6. - С.27-30

62.Эффект уменьшения высвеченной светосуммы вспышки люминесценции в монокристаллах ZnS / П.В. Новиков, А.Н. Латышев, О.В.Овчинников [и др.] // Журн. Вестн. ВорГУ. Сер. Физика, Математика - 2008. - №1. - С.65-69.

63.Спектральные свойства молекул красителей, адсорбированных на поверхности нанокристаплов AgCl(I) / Н.В. Квашнина, О.В. Овчинников, [и др.] // IV Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. - Воронеж: "Научная Книга", 2008. - С. 395398.

64.Природа центров фотохимически сенсибилизированной антистоксовой люминесценции кристаллов AgCl(I) с адсорбированными молекулами органических красителей / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников [и др.] // IV Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. - Воронеж: "Научная Книга", 2008. - С. 417420.

65.Антистоксова люминесценция нанокристаплов AgCl / А.М.Смирнова, О.В. Овчинников [и др.] // IV Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. -Воронеж: "Научная Книга", 2008. - С. 502-504.

Из них работы [3,5-7,14-16,23-25,28-31,38-42,49,53,60,61] опубликованы в журналах, входящих в установленный ВАК перечень ведущих изданий, в которых должны быть опубликованы научные результаты докторских диссертаций.

Подписано в печать 17.02.09 Формат 60*84 '/к. Усл. печ. л. 2.3. Тираж 100 экз. Заказ 260

Отпечатано с готоього оригинала-макета в типографии Иэдательско-полш рафического центра Воронежского государственного университета. 394000, Воронеж, ул. Пушкинская. 3.

 
Содержание диссертации автор исследовательской работы: доктора физико-математических наук, Овчинников, Олег Владимирович

Введение.

Глава 1. Фотостимулированная вспышка люминесценции, как высокочувствительный метод исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров и фотостимулированных процессов с их участием.

1.1 Роль люминесцентных методов в исследованиях оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и кластеров.

1.2 Метод фотостимулированной вспышки люминесценции.

1.2.1 Кинетика фотостимулированной вспышки люминесценции и физический смысл измеряемых параметров.

1.2.2 Экспериментальная аппаратура для исследования люминесцентных свойств кристаллов с адсорбированными примесными центрами.

1.3 Особенности применения метода фотостимулированной вспышки люминесценции для исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалептпых кристаллов нанокластеров.

1.3.1 Разрешающая способность метода фотостимулированной вспышки люминесценции.

1.3.2 О выборе условий измерения параметров фотостимулированной вспышки люминесценции.

1.3.3 Природа и механизмы эффекта темновой убыли светосумм, запасенных на глубоких ловушках в кристаллах AgCl и ZnS.

1.3.3.1 Механизм убыли светосумм, запасенных на глубоких ловушках в кристаллах AgCl.

1.3.3.2 Механизм убыли светосумм, запасенных на глубоких ловушках в монокристаллах ZnS.

Глава 2. Механизмы низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции кристаллов галогенидов серебра.

2.1 Основные пути исследования механизмов фотолюминесценции кристаллофосфоров.

2.2 Проблема установления механизмов фотолюминесценции в кристаллах галогенидов серебра.

2.3 Исследование механизмов люминесценции кристаллов галогенидов серебра при температуре 77 К.

2.3.1 Метод установления механизма рекомбинационной фотолюминесценции ионно-ковалентных кристаллов.

2.3.2 Апробация метода установления механизмов люминесценции на примере зеленой полосы свечения кристаллов ZnS.

2.3.3 Механизмы возникновения основных полос фотолюминесценции в кристаллах AgCl, AgBr и твердых растворах составов: AgBr0.95I0.05, AgCl0.95I0.05, AgBr0.6oCl0.4o при температуре 77 К.

Глава 3. Оптические свойства адсорбированных нанокластеров металла и фотостимулированные процессы их преобразования.

3.1 Люминесцентные исследования процессов фотостимулированного формирования и преобразования дефектов ионно-ковалентных кристаллов.

3.1.1 Поверхностный фотостимулированный процесс и эффект усталости люминесценции.

3.1.2 Фотостимулированная диффузия адсорбированных атомов по поверхности твердого тела.

3.2 Метод формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и монодисперсных малоатомных кластеров серебра.

3.3 Оптические свойства кластеров серебра, адсорбированных па поверхности кристаллов AgCl.Ill

3.3.1 Спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl атомов серебра.

3.3.2 Термические свойства атомов серебра, адсорбированных на поверхности микро- и монокристаллов хлористого ссребра.

3.3.3 Оптические свойства адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов монодисперсных кластеров серебра.

3.3.3.1 Спектр фотоионизации адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl димеров серебра.

3.3.3.2 Глубокие электронные состояния, кластеров Ag3 адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl.

3.4 Энергетические состояния адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl частиц золота атомно-молекулярной дисперсности.

3.5 Оптические свойства атомов и димеров серебра, адсорбированных на поверхности монокристаллов ZnS.

3.5.1 Спектры фотоионизации атомов серебра, адсорбированных на поверхности монокристаллов ZnS.

3.5.2 Спектры фотоионизации димеров серебра, адсорбированных на поверхности монокристаллов ZnS.

3.6 Поверхностный фотостимулированный процесс формирования на поверхности кристаллов AgCl и ZnS адсорбированных нанокластеров серебра.

3.6.1 Низкотемпературная фотостимулированная сборка нанокластеров из атомов серебра, адсорбированных на поверхности кристалла AgCl.

3.6.2 Стадии эволюции нанокластеров серебра в низкотемпературном поверхностном фотостимулированном процессе.

3.6.3 Поатомная фотостимулированная сборка кластеров серебра на поверхности монокристаллов ZnS.

3.7 Механизмы фотостимулированных преобразований нанокластеров металла на поверхности ионно-ковалентньтх кристаллов.

Глава 4. Антистоксова люминесценция ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными металлическими и металлорганическими нанокластерами.160.

4.1 Краткий обзор литературных данных об " антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах.

4.2 Фотостимулированное формирование центров антистоксовой люминесценции в несенсибилизированных красителями микрокристаллах твердых растворов состава AgCl0.95I0.05.

4.3 Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов состава Zno.75Cdo.25S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода.

4.4 Сенсибилизированная антистоксова люминесценция микрокристаллов AgCl, AgCl0.95I0.05 и Zn0.6oCd0.4oS с адсорбированными молекулами органических красителей и их агрегатами.

4.5 Сенсибилизация антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05, AgCl, Zno.60Cdo.40S с адсорбированными нанокластерами металл органической природы.

4.5.1 Фотостимулированное формирование центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05 с адсорбированными мономерами молекул органических красителей.

4.5.2 Фотостимулированное формирование центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05 с адсорбированными агрегатами молекул органических красителей.

4.5.3 Фотостимулированное формирование центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl с адсорбированными молекулами органических красителей.

4.5.4 Сенсибилизация антистоксовой люминесценции микрокристаллов Zno.60Cdo.40S адсорбированными металлорганическими нанокластерами.

Глава 5. Природа и механизмы антистоксовой люминесценции в гетерогенных системах на основе ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными нанокластерами.

5.1 Природа и механизмы работы центров' антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05 и Zno.75Cdo.25S с адсорбированными кластерами собственного металла и их окислами.

5.1.1 Центры антистоксовой люминесценции микрокристаллов AgCl0.95I0.055 полученные в результате ее низкотемпературной фотостимулированной сенсибилизации.

5.1.2 Центры антистоксовой люминесценции микрокристаллов твердых растворов состава Zno.75Cdo.25S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода.

5.2 Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции микро- и нанокристаллов AgCl, AgCI0.95I0.05, Zno.6oCdo.,toS с адсорбированными молекулами красителей.

5.2.1 Модели механизмов сенсибилизированной адсорбированными молекулами красителей антистоксовой люминесценции.

5.2.2 Анализ взаимодействия органического красителя метиленового голубого с поверхностью микрокристаллов AgCl(I).

5.2.3 Связь спектральных свойств адсорбированных молекул красителей, их агрегатов с параметрами антистоксовой люминесценции.

5.3 Центры антистоксовой люминесценции, сформированные из адсорбированных нанокластеров металла и молекул красителей.

5.3.1 Роль нанокластеров серебра в возбуждении антистоксовой люминесценции кристаллов AgCl0.95I0.055 AgCl и Zno.60Cdo.40S с адсорбированными молекулами красителей.

5.3.2 Структура центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции, сформированных в результате низкотемпературного фотостимулированного процесса.

5.3.3 Модели механизмов возбуждения антистоксовой люминесценции в кристаллах с адсорбированными металлорганическими нанокластерами.

Глава 6 Некоторые аспекты прикладного применения фотофизики гетерогенных систем на основе ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными наноразмерными центрами.

6.1 Эффект низкопорогового ограничения мощности в гетерогенных системах, обладающих сенсибилизированной антистоксовой люминесценцией.'.

6.2 Способ реализации ЗБ-оптической памяти со считыванием информации с помощью антистоксовой люминесценции.

6.3 Люминесцентный микроскоп ближнего поля с субнанометровым разрешением.

6.4 Некоторые особенности сенсибилизации широкозонных полупроводников к фотокаталитическим процессам получения водорода.

Основные результаты диссертации.

 
Введение диссертация по физике, на тему "Оптические свойства адсорбированных металлических и металлорганических нанокластеров и фотостимулированные процессы с их участием"

Уникальность оптических свойств металлических наночастиц делает их объектами многочисленных исследований, актуальных в научном и прикладном отношении [1-4]. Фундаментальной проблемой в этой области является установление закономерностей взаимодействия света с наночастицами, в том числе детальных механизмов гигантских эффектов, регистрируемых в поглощении, рассеянии, люмииесценции [1,3]. Следует отметить, что в большинстве случаев исследуются оптические свойства и эффекты усиления амплитуды световой волны, взаимодействующей непосредственно с наночастицами, размещаемыми в пористых инертных матрицах [2,3]. Это обусловлено особенностями существующих методов синтеза и возможностями применяемых для исследований стандартных методов оптической спектроскопии.

Отдельной крупной задачей данного раздела оптики, необходимость решения которой неоднократно отмечалась в монографиях, обзорных статьях и отдельных исследованиях [5-43], является исследование фотостимулированных явлений в наноразмерных частицах металлической, а также металлорганической природы, находящихся во взаимодействии с поверхностью ионно-ковалентных кристаллов. Здесь важное значение приобретают вопросы природы возбужденных состояний гетерогенных систем типа "адсорбированный кластер - кристалл" и процессов распада электронных возбуждений в них, в том числе имеющих безызлучательный характер [6,8-13,34-43]. При этом для процессов взаимодействия света с адсорбированными нанокластерами характерен ряд принципиальных отличий от аналогичных процессов в изолированных наночастицах, существенно усложняющих их исследование. Во-первых, электронное возбуждение адсорбированного центра может инициировать: а) возникновение люминесценции и вспышки люминесценции в кристалле; б) фотодиффузию адатомов, молекул и кластеров по поверхности и возникновение ансамблей наночастиц; в) процессы нелинейного примесного поглощения слабых световых потоков и т.п. Во-вторых, при фотовозбуждении кристалла на примесных уровнях адсорбированных кластеров происходит рекомбинация, имеющая как излучательный, так и безызлучательный характер. Ее следствиями являются фотодиффузия адатомов, фотодесорбция, а также возникновение новых дефектов за счет "распада, перестройки и укрупнения кластеров, а также фотолиза кристалла [5-15,42-48]. Далее, взаимодействие между адсорбированными кластерами и молекулами красителей, сопровождающееся возникновением наноструктур, изменяет характер и вероятности оптических переходов, определяющих спектры примесного поглощения [18,22,49-64]. Это проявляется как в спектральной сенсибилизации полупроводников [16,18,20,21,65-71], так и в формировании центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции [54-64]. Однако механизмы большинства из перечисленных фотостимулированных процессов до сих пор остаются невыясненными, что связано с отсутствием данных об оптических свойствах участвующих в них адсорбированных нанокластеров металлической и металлорганической природы.

В свою очередь, данные подобного рода важны при исследовании фотохимических реакций в светочувствительных кристаллах, сопровождающихся возникновением кластеров, и обосновании детальных механизмов формирования центров скрытого фотографического изображения [16,18,20,21]. Кроме того, они позволяют подойти к решению проблемы управления процессами деградации люминесцентных и других свойств ионно-ковалентных кристаллов и устройств на их основе [6,9-13,34,45-48,72-76]. Необходимость рассмотрения отмеченных фотостимулированных явлений с участием адсорбированных нанокластеров обусловлена также перспективами применения их уникальных оптических свойств в различных областях техники, в том числе при разработке: а) способов контролируемой фотостимулированной сборки из атомов моподисперсных наночастиц с заданными свойствами [13,33,37-43]; б) систем регистрации информации, в том числе, элементов ЗО-оптической памяти [76-79]; в) элементов и устройств оптоэлектроники, в частности, преобразователей частоты, оптических переключателей, ограничителей и т.п. [80-83]; г) зондов для ближнепольной микроскопии субнанометрового разрешения [84-88]; д) новых фотокатализаторов [89-92].

Формирование подхода к решению поставленной проблемы предполагает всестороннее исследование оптических свойств адсорбированных нанокластеров. Среди них принципиальное значение имеют:

-данные об электронных состояниях адсорбированных атомов и малоатомных монодисперсных кластеров, а также механизмах распада электронных возбуждений на уровнях этих центров;

-данные о двухквантовых межзонных оптических переходах с участием энергетических уровней адсорбированных наноструктур металлической, а также металлорганической природы;

-результаты исследований механизмов и стадий фотостимулированного формирования отдельных адатомов, кластеров, их диффузии по поверхности.

Однако к началу выполнения данной работы были осуществлены только отдельные исследования (например, [12,25-27,34-43,48,72-75,93-96]), не дающие объективных представлений обо всех процессах фотоники адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов, малоатомных кластеров и наноструктур. Значительная доля работ, выполненных для кристаллов галогенидов серебра, халькогенидов цинка и кадмия и др., посвящена фотопроцессам с участием объемных дефектов [68,17-19,29-31,44-47]. Но даже в этих случаях окончательно не выяснены механизмы люминесценции и безызлучательной рекомбинации, фотостимулированного дефектообразования [6-8,17-19,29-31]. Основная трудность - в подборе экспериментальных методов исследований с чувствительностью, необходимой для получения оптических свойств невзаимодействующих друг с другом адсорбированных атомов и монодисперсных кластеров, а также данных о механизмах их преобразований. Исследование оптических свойств адсорбированных на поверхности кристаллов атомов, малоатомных кластеров и механизмов их преобразований проводятся в основном путем сравнения теоретических расчетов соответствующих энергетических состояний [32,97-108] с экспериментальными данными, получаемыми из анализа кинетики электрон-ионных процессов [109-115]. Экспериментальные исследования энергетических состояний примесных поверхностных центров кристаллов, как правило, носят качественный характер и демонстрируют лишь факт изменения концентрации локальных состояний в запрещенной зоне кристалла. А выделить уровни монодисперсных кластеров практически не удается.

В ряде работ показаны особые возможности люминесцентной спектроскопии и, в частности, метода фотостимулированной вспышки люминесценции, концентрационная чувствительность которого превосходит стандартные абсорбционные методы на 6-7 порядков [9-11,39,116-118].

Техника измерения вспышки люминесценции позволяет сочетать ее с масс-спектрометрическим напылением в высоком вакууме и другими способами нанесения на поверхность исследуемого образца атомов и кластеров металлов заданного размера [118]. Однако оптические свойства адсорбированных нанокластеров до настоящего времени этим методом не исследовались. В свою очередь, спектры возбуждения антистоксовой люминесценции, возникающей за счет двухквантовых межзонных оптических переходов в кристаллах с участием энергетических уровней указанных центров, дают более глубокое представление об оптических свойствах субмонослойных концентраций адсорбированных атомов, кластеров, молекул красителей и наноструктур [54-63,119,120].

Сказанное определяет актуальность исследований оптических свойств атомов, малоатомных кластеров и наноструктур, находящихся во взаимодействии с поверхностью ионно-ковалентных кристаллов, а также фотостимулированных процессов с их участием. А использование ряда приемов люминесцентной спектроскопии открывает новые возможности в решении сформулированной научной проблемы.

Актуальность и значимость исследований, выполненных по теме диссертации обусловили их поддержку в рамках Единого заказ-наряда Министерства образования РФ (№01.999.0006642), грантов научно-исследовательской фирмы "Хальдор Топсе А/О" (Дания) (№34163), Минобразования РФ (№PD02-1.2-310), CRDF и Минобразования РФ в рамках проекта REC-10 (№Y1-P-10-07), программы "Университеты России" (№УР.06.01.018, №УР.01.01.012), Минобразования РФ (№Е02-3.3-211), РФФИ (№05-02-96402-р-цчра., №06-02-96312р-центра), ФЦП "Индустрия наносистем и материалов" (№02.513.11.359).

Цель работы

Целью работы является исследование оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров металлической, а также металлорганической природы и установление закономерностей фотостимулированных процессов с их участием.

Достижение поставленной цели предполагало решение следующих основных задач:

- разработка методов исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов нанокластеров металлической, а также металлорганической природы;

- разработка методов установления механизмов излучательной и безызлучательной рекомбинации на уровнях дефектов ионно-ковалентных кристаллов различной природы, в том числе связанных с адсорбированными нанокластерами металла;

- установление закономерностей процессов фотостимулированного формирования из адсорбированных атомов серебра малоатомных кластеров (на примере кристаллов AgCl, ZnS);

- исследование механизмов двухквантовых межзонных оптических переходов и возникающей при этом антистоксовой люминесценции в ионно-ковалентных кристаллах с участием адсорбированных нанокластеров металлической, а также металлорганической природы;

- исследование эффекта сенсибилизации адсорбированными кластерами металла антистоксовой люминесценции гетерогенных систем типа "ионно-ковалентный кристалл - адсорбированные молекулы красителя";

- исследование возможностей применения фостимулированных явлений в кристаллах с адсорбированными нанокластерами, в том числе для низкопорогового ограничения мощности оптического излучения.

Основными объектами исследований являлись моно-, микрокристаллы AgCl, ZnS, а также твердые растворы составов: AgClo.95b.055 Zn0.6oCd0.4oS с адсорбированными нанокластерами серебра, золота и молекулами органических красителей метиленового голубого, соли 1,1'-диэтил-2,2'-хиноцианинаЗ,3'-ди-(у-сульфопропил)-9этил-4,5-бепзо4',5'-[4"5"-диметилено (2"3")]-тиатиазолокарбоцианинбетаина, малахитового зеленого. Выбранные кристаллические системы являются типичными представителями двух групп ионно-ковалентных кристаллов: галогенидов серебра, обладающих уникальной светочувствительностью, и гораздо менее светочувствительных, но хорошо люминесцирующих халькогенидов цинка и кадмия, для которых также известна способность к фотостимулированным преобразованиям под действием возбуждающего излучения. Они обладают люминесцентными свойствами, позволяющими использовать для исследования оптических свойств адсорбированных атомов и малоатомных кластеров высокочувствительный метод фотостимулированной вспышки люминесценции. Выбор красителей обусловлен наличием необходимых полос поглощения в области 600-700 нм и способностью к образованию при адсорбции, наряду с мономерной формой, Н- и J-агрегатов.

Научная новизна работы

1. Разработан метод установления механизмов люминесценции кристаллофосфоров, основанный на сканировании распределения светосуммы вспышки люминесценции вдоль постоянного электрического поля, накладываемого на кристалл в момент его фотовозбуждения. Установлено, что низкотемпературная (77 К) фотолюминесценция кристаллов AgCl и твердых растворов составов AgCl0.95I0.05, AgBr0.95I0.05, AgBro.60Clo.40 в полосах с максимумами при хщах^во нм, xma.4^515 нм, X1Tlax=540 нм и ?Чшх=500 нм, соответственно, возникает по механизму Шёна-Класенса. Свечение в полосах с Атах=630 нм в AgBr0.95I0.05 и AgBr0.6oClo.4o возникает по механизму Ламбэ-Клика.

2. Установлены механизмы рекомбинационных процессов на уровнях примесных центров ионно-ковалентных кристаллов, в том числе адсорбированных нанокластеров металла. Показано, что эффект темновой убыли светосумм на уровнях адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl и ZnS атомов и малоатомных кластеров металла определяется преимущественно процессами безызлучательной рекомбинации локализованных на них электронов с дырками, термически освобождаемыми с мелких уровней захвата.

3. Предложен метод исследования оптических свойств адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, основанный на масс-спектрометрическом

8 2 1 способе напыления в вакууме пучков ионов плотностью потока 10 см' -с" для создания адсорбированных центров определенного размера и метода фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации таких центров. Установлены энергетические состояния адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS монодисперсных малоатомных кластеров серебра Agn, где п=1,2.

Определены спектры фотоионизации и оптические глубины соответствующих электронных ловушек в запрещенной зоне кристаллов AgCl и ZnS.

4. Обнаружено, что эффективность низкотемпературного (77 К) фотостимулированного процесса формирования на поверхности кристаллов AgCl и ZnS металлических нанокластеров определяется наличием на их поверхности отдельных адатомов металла. Показано, что процесс фотостимулированной сборки нанокластеров серебра из адатомов под действием УФ излучения происходит последовательно через стадии ди- и тримеризации, за счет процесса фотодиффузии последних, которая происходит по механизмам последовательной перезарядки и прыжковых перемещений.

5. Исследованы термические свойства адсорбированных на поверхности поли- и монокристаллов AgCl атомов серебра и показано, что при температурах выше 150 К имеет место их термическая десорбция. Получено, что при комнатной температуре величина времени существования адатома серебра на поверхности AgCl составляет

6. Для микрокристаллов AgCl0.95I0.05j подвергнутых низкотемпературному УФ облучению и Zno.75Cdo.25S, отожженных на воздухе, показано, что образующиеся при этом на их поверхности кластеры различной природы, являются центрами двухквантовых межзонных оптических переходов. Указанные переходы приводят к возникновению антистоксовой люминесценции под действием излучения с длинами волн 620-670 нм и

13 15 2 плотностью потока

10'40" квант/см-с.

7. Показано, что в микрокристаллах твердых растворов состава Zno.60Cdo.40S с адсорбированными молекулами красителей метиленового голубого, соль 1,Г-диэтил-2,2'-хиноцианина333,-ди-(у-сульфопропил)-9этил-4,5-бензо-4',5'-[4"5"-ди-метилено(2"3")]-тиатиазолокарбоцианинбетаина и малахитового зеленого при температурах 77-300 К возникает сенсибилизированная антистоксова люминесценция, возбуждаемая излучением из области поглощения света адсорбатами по кооперативному механизму.

8. Обнаружен и исследован эффект низкотемпературного (77 К) фотостимулированного формирования центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl0.95I0.05 и AgCl с адсорбированными молекулами указанных красителей и их агрегатами.

9. Обнаружен и исследован эффект сенсибилизации к антистоксовой люминесценции микрокристаллов твердых растворов состава Zrio.60Cdo.40S, за счет создания на их поверхности, наряду с адсорбированными молекулами красителей, кластеров серебра,

10. Установлена структура центров, возникающих при сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgClo.gsIo 05> AgCl, Zn0.60Cd0.40S, содержащих на своей поверхности молекулы красителей. Показано, что они являются сложными и представляют собой металлорганические наноструктуры типа "молекула красителя — кластер серебра", связь между компонентами которых является слабой. Двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции с помощью этих наноструктур реализуется путем последовательного переноса энергии электронного возбуждения от молекулы красителя малоатомному кластеру серебра и его фотоионизации.

11. Показана возможность низкопорогового ограничения мощности оптического излучения с Х=660 нм в обладающих сенсибилизированной антистоксовой люминесценцией ионно-ковалентных кристаллах с адсорбированными металлорганическими нанокластерами.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Метод исследования оптических свойств атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, адсорбированных на поверхности ионно

8 9 2 ковалентных кристаллов с концентрационной чувствительностью 10-10 см" , основанный на использовании техники масс-спектрометрического напыления на поверхность кристалла ионов металла определенного размера и метода * фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации адсорбатов.

2. Данные о спектрах фотоионизации адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS атомов и монодисперсных кластеров Ag2, Ag3 и размерный эффект в расположении локальных уровней указанных центров, оптическая глубина которых, отсчитываемая от дна зоны проводимости, заключена в интервале от 1.05 эВ до 1.90 эВ.

3. Методы установления механизмов люминесценции и безызлучательной рекомбинации в кристаллофосфорах, основанные на исследовании распределения светосуммы фотостимулированной вспышки люминесценции вдоль постоянного электрического поля, накладываемого на кристалл в момент его фотовозбуждения и затухания люминесценции. Для группы кристаллов галогенидов серебра (AgCl, AgCl0.95I0.05, AgBr0.6oCl0.40, AgBr0.95I0.05) установлены механизмы основных полос низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции.

4. Закономерности процесса фотостимулированной сборки нанокластеров серебра на поверхности кристаллов AgCl и ZnS, реализующегося за счет фотодиффузии адсорбированных атомов.

5. Свойство термической неустойчивости адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl атомов серебра, которые десорбируются при температурах выше 150 К с энергией активации 0.34-0.40 эВ.

6. Условия формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции и механизмы ее двухквантового возбуждения излучением с длинами волн 620-700 нм и плотностью потока 1014-1015 квант/см2-с. Образование кластеров серебра на поверхности кристаллов AgCl0.95I0.05 приводит к возникновению вблизи середины запрещенной зоны локальных уровней, через которые происходит каскадное двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции. Для кристаллов AgCl0.95I0.05, AgCl, Zn0.6oCd0.4oS с адсорбированными молекулами красителей и их агрегатами реализуется кооперативный механизм возбуждения антистоксова свечения.

7.Эффект сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl0.95I0.05, AgCl, Zn0.6oCd0.4oS, содержащих на своей поверхности молекулы красителей, обусловленный формированием металлорганических наноструктур типа "молекула красителя - кластер серебра". Компоненты этих наноструктур связаны друг с другом слабыми взаимодействиями, а двухквантовое возбуждение антистоксовой люминесценции реализуется в них последовательно путем переноса энергии электронного возбуждения от молекул красителя к адсорбированному кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации.

Практическая ценность работы

Разработанные в диссертации методы исследований механизмов рекомбинационных процессов в кристаллах галогенидов серебра, сульфида цинка, а также оптических свойств адсорбированных на их поверхности нанокластеров металлической и металлорганической природы могут быть распространены на решения аналогичных задач для других люминесцирующих ионно-ковалентных кристаллов. Результаты фундаментальных исследований оптических свойств гетерогенных систем на основе ионно-ковалентных кристаллов с адсорбированными нанокластерами и фотостимулированных явлений в них открывают возможности:

- разработки нового поколения низкопороговых преобразователей частоты и интенсивности оптического излучения видимого и ближнего ИК-диапазона;

- разработки новых элементов 3D оптической памяти с люминесцентным считыванием информации;

- создания зондов для микроскопии ближнего поля субнанометрового разрешения, позволяющих изучать отдельные адсорбированные на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомы и кластеры.

- разработки новых систем фотокаталитического получения водорода.

Фундаментальные результаты исследований, представленных в данной диссертационной работе, являются основой серии прикладных разработок, осуществляемых в интересах ФГУП "НТЦ" Минобороны России (хоз. дог. №81/02 от 30.11.02 г., гос. контр. № 975-C3/3/05 от 29.04.05 г., №101-С4/5/06 от 30.06.06 г.).

Личный вклад автора

В настоящей диссертационной работе обобщены результаты работ, выполненных на кафедре оптики и спектроскопии Воронежского госуниверситета лично автором или совместно с преподавателями и аспирантами кафедры. Участие автора диссертационной работы в исследованиях, положенных в ее основу, состояло в личном планировании и непосредственном участии большинства из них, а также осмыслении полученных результатов и подготовке их к публикации. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, позволившие сформулировать в дальнейшем основные выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Автор выражает глубокую благодарность заведующему кафедрой оптики и спектроскопии физического факультета Воронежского госуниверситета, Заслуженному деятелю науки РФ, доктору физ.-мат. наук, профессору А.Н. Латышеву за неоценимую поддержку при подготовке данной работы и обсуждение ее результатов. Автор признателен профессору

B.Г.Клюеву, доценту Р.П. Воробьевой, кандидатам физ.-мат. наук М.С. Смирнову, Е.П. Татьяниной, С. С. Охотникову, М.А. Ефимовой, совместно с которыми проводились исследования, а также аспирантам Д.А. Минакову,

C.В. Черных, П.В. Новикову, Ю.В. Востриковой, Е.А. Косяковой за помощь при проведении ряда экспериментов и обсуждении результатов работы. Автор выражает особую благодарность проф. Д.И. Стаселько за интерес и критическое обсуждение большинства научных результатов диссертации.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на II Межд. конф. "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии" (С.-Петербург, 1998 г.), VIII, IX, X Межд. конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах", (Кемерово, 2001 г., 2004 г., 2007 г.), Межд. симп. "Photo-Exited Processes & Aplications ("3- ICPEPA") (Strasbourg, France, 1999 г.), Межд. конф. "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000 г.), Межд. конф. по люминесценции, поев. 110-летию со дня рождения акад. С.И. Вавилова (Москва, 2001 г.), "Intern. Congress of Imaging Science" ICIS'-2002, Tokyo, трех Межд. конф. "Оптика, оптоэлектроника" (Ульяновск, 2003, 2005, 2006 г.г.), "21 Intern. Conference on Relaxation phenomena in solids" (Воронеж, 2004 г.), Межд. конф. "Фундаментальные проблемы физики" (Казань, 2005 г.), Межд. конф. "Beijing Intern. Conf. Of Imaging: Technology & Application for 21 st Centure". (China, 2005 г.), четырех Всеросс. конф. "Физ.-хим. процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" (Воронеж, 2002, 2004, 2006, 2008 гг.), Межд. симп. "Фотография в XXI веке" (Санкт-Петербург, 2002 г., 2006 г.), 12-й и 13-й Межд. конф. "Радиационная физика и химия в неорганических материалах" (Томск, 2003, 2006 г.г.), 6 Всеросс. Школа-конф. "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2007 г.), Всерос. симп. "Нанофотоника" (Черноголовка, 2007 г.).

Публикации

По результатам диссертации опубликовано 65 работ. В их числе 23 работы в научных журналах перечня ВАК ведущих изданий, в которых должны быть опубликованы результаты докторских диссертаций. Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 331 страницу машинописного текста, включая 6 таблиц и 121 рисунок, а также список использованной литературы из 490 наименований.

 
Заключение диссертации по теме "Оптика"

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

Совокупность сформулированных положений, исследованных процессов и обнаруженных закономерностей закладывает основы нового научного направления — методы и результаты исследований оптических свойств наноразмерных частиц металлической, а также металлорганической природы, находящихся во взаимодействии с ионно-ковалентными кристаллами. Сформулирован подход к исследованию оптических свойств адсорбированных нанокластеров и фотостимулированных процессов с их участием, основанный на использовании методов люминесцентной спектроскопии кристаллов, на поверхности которых они адсорбированы. Получены следующие наиболее важные результаты:

1. Разработан новый метод исследования оптических свойств атомов и монодисперсных малоатомных кластеров металла, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов с концентрационной чувствительностью 108-109 см"2. Он сочетает в себе использование техники масс-спектрометрического напыления на поверхность кристалла ионов металла определенного размера и метода фотостимулированной вспышки люминесценции для получения спектров фотоионизации адсорбатов. Отработана техника получения адсорбированных монодисперсных кластеров серебра Agn(n=l,2.) на поверхности монокристаллов AgCl и ZnS и их спектров фотоионизации.

2. Получены новые данные об энергетических состояниях адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS монодисперсных малоатомных кластеров серебра (Agn, где п=1,2.). Определены спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности (110) монокристаллов AgCl и ZnS атомов и монодисперсных димеров и тримеров серебра. Обнаружен размерный эффект в расположении локальных уровней указанных центров, оптическая глубина которых, отсчитываемая от дна зоны проводимости, заключена в интервале от 1.05 эВ до 1.90 эВ.

3. Разработаны методы установления механизмов люминесценции, а также безызлучательной рекомбинации в кристаллофосфорах. Для группы кристаллов AgCl AgCl0.95I0.05, AgBr0.95I0.05, AgBr0.6oCl0.4o доказано, что низкотемпературная фотолюминесценция (77 К) в полосах с максимумами при ^тах=480 нм, ^max^S 15 нм, ^тах=540 нм, Ята^бОО нм, соответственно, возникает в результате рекомбинации свободных электронов с локализованными на центрах свечения дырками (т.е. по механизму Шёна-Класенса). Полосы с максимумами при Хта^бЗО нм для кристаллов AgBr0.95I0.05 и AgBr0.6oClo.4o возникают в результате рекомбинации свободных дырок с локализованными на центрах свечения электронами (т.е. по механизму Ламбэ-Клика). Показано, что эффект темновой убыли светосумм, запасенных на глубоких уровнях адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl и ZnS нанокластеров обусловлен безызлучателыюй рекомбинацией локализованных на них электронов с дырками, термически освобождаемыми с мелких уровней захвата.

4. Установлены закономерности процесса фотостимулированного формирования при 77 К на поверхности кристаллов AgCl и ZnS нанокластеров серебра. Доказан факт участия адатомов в фотостимулированной сборке кластеров, которая реализуется последовательно через стадии ди- и тримеризации. Обнаруженный впервые процесс безызлучательной рекомбинации локализованных на уровнях адатомов электронов со свободными дырками подтвердил, что основным механизмом формирования кластеров является фотостимулированная диффузия адатомов по поверхности кристалла, которая может происходить по механизмам последовательной перезарядки и прыжковых перемещений.

5. Показана термическая неустойчивость адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl атомов серебра, которые десорбируются при температурах выше 150 К. Энергия активации этого процесса составляет 0.34-0.40 эВ.

6. Выявлены условия формирования на поверхности ионно-ковалентных кристаллов центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции и механизмы ее двухквантого возбуждения излучением с длинами волн 620-700 нм и плотностью потока 1014-1015 квант/см2-с. Установлено, что образование нанокластеров серебра на поверхности AgCl0.95I0.05 приводит к возникновению вблизи середины запрещенной зоны локальных уровней, участвующих в каскадных двухквантовых переходах "валентная зона - глубокий уровень-зона проводимости". В случае адсорбированных на поверхности кристаллов AgCl0.95I0.055 AgCl, Zno.60Cdo.40S молекул красителей и их агрегатов обоснован кооперативный механизм возбуждения антистоксова свечения.

7. Впервые установлено, что эффект сенсибилизации адсорбированными кластерами серебра антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl0.95I0.05j

290

AgCl, Zno.6oCdo.4oS, содержащих на своей поверхности молекулы красителей, обусловлен формированием металлорганических наноструктур типа "молекула красителя - кластер серебра", компоненты которых связаны друг с другом слабыми взаимодействиями, а двухквантовое возбуждение в них реализуется последовательно путем переноса энергии электронного возбуждения от молекул красителя адсорбированному кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации.

8. Обоснована возможность применения полученных фундаметнальных результатов для: а) разработки низкопороговых ограничителей мощности; б) элементов 3D- оптической памяти с люминесцентным считыванием информации; в) систем ближнепольной микроскопии атомов и малоатомных кластеров, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов; г) новых фотокатализаторов к процессам получения водорода. Обнаружен эффект низкопорогового ограничения мощности непрерывного излучения с Х=660 нм в кристаллах, обладающих сенсибилизированной антистоксовой люминесценцией.

 
Список источников диссертации и автореферата по физике, доктора физико-математических наук, Овчинников, Олег Владимирович, Воронеж

1. A short survey of optical properties of metal nanostructures : in Functional properties of nanostructured materials / U. Kreibig etc. // Springer, 2006. P.75-110.

2. Оптика наноструктур / С.В. Гапоненко и др.// СПб: «Недра», 2005. 326с.

3. Surface and interface interface effects in optical properties of silver nanoparticles / A. Hilger etc. // Eur. Phys. J. D 2000. - V. 10. - P. 115-118.

4. Синтез и свойства наночастиц серебра: достижения и перспективы /Крутяков Ю.А. и др.// Успехи химии. 2008.-Т.77. №3.- С.242-269.

5. Ebert Ph. Nano-scale properties of defects in compound semiconductor surfaces/ Ph. Ebert // Surf. Sci. Rep. 1999.-V.33. - P.121-303.

6. Физика соединений А2Вб / под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. -М.: Мир, 1989. -320с.

7. Adsorption and diffusion of Ga and N adatoms on GaN surfaces: comparing the effects of Ga coverage and electronic excitation / N. Takeuchi etc. // Phys. Rev. B. -2005.-V.72.-P.115307.1-5.

8. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т.Д. Джафаров. -М: Энергоатомиздат, 1984. 134с.

9. LatyshevA.N. Photostimulated instability of adsorbed clusters and the initial stage of the photographic process in silver halide grains / A.N. Latyshev // J. Inform. Record. Mat. 1996.-V.22. - P.339-345.

10. Фотостимулированное образование кластеров серебра на поверхности микрокристаллов сульфида кадмия / В.Г.Клюев и др. // ЖПС. 1990. - Т.53. -С.503-506.

11. Бару В.Г. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников / В.Г. Бару, Ф.Ф. Волькенштейн М.: Наука, - 1978. - 228с.

12. Акимов И. А. Сенсибилизированный фотоэффект / И. А. Акимов, Ю.А.Черкасов, М.И. Черкашин. М.: Наука, 1980. - 384с.

13. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ / В.В. Свиридов. Минск: Высшая школа, 1964. - 366с.

14. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения / П.В. Мейкляр. М.: Наука, 1972. - 400с.

15. Вавилов B.C. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / B.C. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова — М.: Наука, 1981. -368 с.

16. Джеймс Т. Теория фотографического процесса / Т. Джеймс. — Л.: Химия. Ленинградское отделение, 1980. 672 с.

17. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса / Б.И. Шапиро. -М.: Эдиториал УРСС, 2000.-288 с.

18. Механизм антистоксовой люминесценции галогенсеребряной эмульсии, сенсибилизированной красителем / А.В. Тюрин и др. // Оптика и спектроскопия. 2008. - Т. 104, № 2. - С.237-244.

19. Belous Y.M. Review of luminescence of mechanisms of spectral sensitization and supersensitization: chemically sensitized emulsions / V.M. Belous // J Imag. Sci. & Techn. 1999. - Y.43. - P. 1-14.

20. Belous Y.M. On difference in photoluminescent and photographic characteristics of AgBr(100) & AgBr(lll) microcrystals I: Unsensitized and reduction sensitized emulsion / V.M. Belous, I.I. Kustovsky // J Imag. Sci. & Techn. 2007. - Y.51. -P. 1-10.

21. Belous V.M. Review of luminescence studies on latent image formation in silver halide emulsions / V.M. Belous // J Imag. Sci. & Techn. 1997. - V.41. - P. 85-98.

22. Люминесцентные исследования электропно-дырочных процессов в галогенсеребряных микрокристаллах с адсорбированными красителями / В.М. Белоус и др. //ЖНиПФ. 1998. - Т.43, №1. - С.3-10.

23. Влияние продуктов фотохимического разложения галогенидов серебра накинетику их люминесценции: механизм усталости люминесценции / В.М. Белоус и др. //ЖНиПФ. 2001. - Т.46, №2. - С. 19-25.

24. Чукова Ю.П. Антистоксова люминесценция и новые возможности ее применения / Ю.П. Чукова. М.: Советское Радио, 1980. — 193с.

25. Verma Narendra К. Laser-light excitation for ZnS phosphor studies / K.V.Narendra, K.Sunil, S.Bh.Harbhajan //Atti. Fond. G. Ronchi. 2002. - V. 57, № 3.-P. 347-357.

26. Милославский А. Г. Дефектная структура и центры свечения цинко-сульфидных люминофоров / А.Г. Милославский, Н.В. Сунцов // Физика и техника высоких давлений. — 1997. — Т. 7, № 2. — С. 94-103.

27. Przybylinska Н. Three-center Auger-type nonradiative recombination mechanism in ZnS lattice / H. Przybylinska, M. Goodlewski // Phys. Rev. B. -1987. -V.36, №3.-P. 1677-1682.

28. Marchetti A.P. Formation and spectroscopy manifestation of silver clusters on silver bromide surfaces/ A.P. Marchetti, A.A.Maunter, R.C.Baetzold // J. Phys. Chem. 1998. - V.102. - P.5287-5297.

29. Кудрявцев И.К. Некоторые аспекты возникновения упорядоченности при взаимодействии света с атомами и веществом / И.К. Кудрявцев // Вестник МГУ. Сер.2. Химия. 2004. - Т. 45, № 5. - С. 275-296.

30. Латышев А. Н. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимического процесса в галогенидах серебра: автореф. дис.докт. физ.-мат. наук / А. Н. Латышев. — Воронеж, 1983. 313с.

31. Латышев А.Н. Механизм начальной стадии поверхностного фотохимического процесса микрокристаллов малочувствительных фотографических слоев / А.Н. Латышев, К.В. Чибисов // ЖНиПФиК. 1983. -Т. 28, №3. - С.209 - 212.

32. Латышев А.Н. Фотостимулированное преобразование поверхности ионно-ковалентных кристалллов / А.Н. Латышев // Конд. среды и межф. гран. — 1999. — Т. 1, № 1. — С. 80-86.

33. Effect of optical radiation of sodium atoms adsorbed by sapphire / A.M. Bonch-Bruevich etc. // Opt. and Acoust. Rev. 1990. - V. 1. - P. 17-21.

34. Бонч-Бруевич A.M. Атомные взаимодействия в полях оптического излучения / A.M. Бонч-Бруевич, С.Г. Пржибельский, В.В. Хромов // Опт. журн. 1993. -№11.-С.31-38.

35. Бонч-Бруевич A.M. Изменение спектра поглощения атомов натрия при ихадсорбции на поверхности сапфира / A.M. Бонч-Бруевич, Ю.Н. Максимов,

36. B.В. Хромов//Опт. и спектр. 1985.-Т. 58. -Вып.6. - С. 1392-1395. 40.Фотостимулированная диффузия атомов адсорбированных на поверхности твердого тела / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Опт. и спектр. — 2003. —Т. 95, № 5. - С. 830-837.

37. Экспериментальное определение характеристик темновой и фотостимулированной диффузии атомов цезия на поверхности прозрачных диэлектриков / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Опт. журн.—-2004.—Т.71, № 6.1. C.38-41.

38. Оптические методы создания, исследования и модификации металлических наноструктур на поверхности прозрачных диэлектрических материалов / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Опт. журн. 2005. - Т.72, №12. - С.3-12.

39. Вартанян Т.А. Фотовозбуждение и фоторегистрация атомных движений на поверхности твердых тел / Т.А. Вартанян и др. // Опт. журн. 2006. - Т.73, №6. - С.30-38.

40. Гурвич A.M. Исследования сорбционных и фотохимических процессов на поверхности цинксульфидных фосфоров / A.M. Гурвич, А.А. Шаманов, Т.Л. Бирман //Изв. АН СССР Сер. физ. 1974. - Т.38, №6. - С. 1320-1324.

41. Шейнкман Л.К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар / Л.К. Шейнкман // Письма в ЖЭТФ. 1972. - Т. 15, №11. - С.673-676.

42. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легироанных медью / Н.Е. Корсунская и др. // ФТП. 1973. - Т.7. - С.275-278.

43. Sheinkman М.К. The recharge-enhanced transformation of donor-acceptor pairs and clusters in CdS / M.K. Sheinkman, M.E. Korsunskaya, I.V. Markevich // J.Phys.Chem. 1982. - .V43, №5. -P.475-479.

44. Клюев В. Г. Фотостимулированные процессы на поверхностных дефек тах широкозонных полупроводников: автореф. дис.докт. физ.-мат. наук / В.Г. Клюев. Воронеж, 1998. - 48с.

45. Латышев А.Н. Спектры поглощения атомов металлов, адсорбированных на поверхности монокристаллов / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С.

46. Охотников // ЖПС. 2003. - №6. - С.721-724.

47. Спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности монокристалла ZnS атомов серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2006. -Т.73, №3. - С.335-338.

48. Спектр фотоионизации монодисперсных кластеров Ag2, адсорбированных на поверхности монокристалла AgCl / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // Конд. среды и межф. гран. 2006. - Т.8, №3 - С.23-25.

49. Овчинников О.В. Спектры фотоионизации адсорбированных на поверхности монокристалла ZnS димеров серебра / О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2007. - Т.74, № 4. - С.545-547.

50. Hediger Н. Dye sensitized photoluminescence in silver halides / H. Hediger, P. Junod, R. Steiger// J. Luminescence. 1981. - .V24/25. -P.881-884.

51. Wang C. Anti-Stokes photoluminescence in Ti02 nano-particle films at room temperature // J of Mat. Sci. 2004. - V.39. - P.5581-5582.

52. Photostimulated anti-Stokes luminescence caused by metalorganic nanostructures adsorbed on the surface of ionic-covalent crystals / A.N. Latyshev, O.V. Ovchinnikov and etc. // Изв. Вузов. Физика. Прил. 2006. - Т. 49, №10. -С.258-261.

53. Фотостимулированное формирование центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах AgCl(I) / О.В.Овчинников и др. // Опт. и спектр. 2007. - Т. 103, № 3. - С. 497-504.

54. Антистоксова люминесценция твердых растворов Zno.6Cdo.4S с адсорбированными молекулами красителей и малоатомными кластерами серебра / О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2007. - Т.74, №5. - С.617-620.

55. Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции микрокристаллов твердых растворов Zno.6Cdo.4S/O.B. Овчинников и др. // Изв. Вузов. Сер.Физика. 2008. - Т.51. №3. - С.21- 26.

56. Теренин А.Н. Фотоника молекул красителей и родственных органических соединений / А.Н. Теренин. Д.: Наука (Лен. Отд-е), 1967 - 616 с.

57. Шапиро Б.И. Окислительно-восстановительные реакции в процессах спектральной сенсибилизации / Б.И. Шапиро // ЖНиПФиК. 1981. - Т.26, №3.- С.208-219.

58. Meikljar P.V. On the role of two-photon processes in spectral sensitization of photographic layers / P.V. Meikljar // J Imag. Sci. & Techn. 1995. - V.39. - P. 113-119.

59. Шапиро Б.И. Процессы спектральной и химической сенсибилизации и их взаимосвязи /Б.И. Шапиро //ЖНиПФиК. 1992. - Т.36, №2. - С.139-153.

60. Акимов И.А. Фотопроцессы в полупроводниках с адсорбированным красителем / И.А. Акимов, М.А. Горяев // Журн. физ. химии. 1984. - Т.58, №5. - С.1104-1107.

61. Акимов И.А. Создание условий для спектральной сенсибилизации фотопроцессов в твердых телах красителями / И.А. Акимов // Докл. АН СССР.- 1980. Т.251, №1. - С.135-138.

62. Tani Т. Photographic sensitivity /Т. Tani// Oxford University Press, 1995.-254 p.

63. Кушнир М.А. Люминесценция кристаллов хлорида серебра, засвеченных при низких температурах / М.А. Кушнир, А.Н. Латышев, Я.А. Угай // ЖНиПФиК. 1977. - Т.22, №5. - С.380-382.

64. Latyshev A.N. The luminescence e of silver chloride emulsions / A.N. Latyshev, M.A. Kushnir, L.B. Antacanova // Photo. Sci. Eng. 1979. - V.23, №6. -P.338-340.

65. Клюев В.Г. Исследование усталости люминесценции AgCl при низких температурах / В.Г. Клюев и др. // Журн. прикл. спектр. 1984. - Т.41, №3. -С.425 -429.

66. Денисова А.В. Механизм эффекта усталости люминесценции микрокристаллов бромосеребряных фотографических эмульсий / А.В. Денисова, В.М. Белоус, И.Г. Денисов //ЖНиПФиК. 1989. - Т.34, №3. - С.221-224.

67. Люминесцентные исследования фотостимулированных процессов и их использование для записи и люминесцентного считывания оптической информации / В.Г.Клюев и др. // ЖПС. 1995. - Т.62. - С.232-234.

68. Шапиро Б.И. Галогенидосеребряный регистрирующий материал с люминесцентным считыванием информации / Б.И. Шапиро // ХВЭ. 2007. -Т. 41, №1. - С.47-51.

69. Горяев М.А. Регистрирующие процессы на несеребряных фотохимически чувствительных материалах/ М.А. Горяев // ЖНиПФ. 1994. - Т.39, №3. -С.55-66.

70. Parthenopoulos D.A. Three-dimensional optical storage memory / D.A. Parthenopoulos, P.M. Rentzepis // Science. 1989. - V.245. - P.843.

71. Bunimovich D. The visible and infrared luminescence of activated silver bromide crystals/ D. Buminovich, L. Nagli, A. Katzir // Opt. Mater. 1997. -V. 8. -P. 21-25.

72. Лазерные кабели на основе кристаллических ИК-световодов / В.Г. Артюшенко и др. // Изв АН СССР. Сер. Физ. 1990. - Т. 54, №8. - С. 15741580.

73. Optical limiting with semiconductors / E.W. Van et al. // J. Opt. Soc. Am.B.-1988.-V.5, N9. P.1980-1988.

74. Михеева О.П. Ограничение излучения с длиной волны 0.65мкм в примесном селениде цинка / О.П. Михеева, А.И. Сидоров // Опт. журн.-2001.~ Т.68, №12.- С.115-116.

75. Секацкий С.К. Сканирующая оптическая микроскопия нанометрового разрешения с резонансным возбуждением образцов от одноатомного возбужденного центра / С.К. Секацкий, B.C. Летохов // Письма в ЖЭТФ. -1996. Т.6. - Вып.5. - С.311-315.

76. Летохов B.C. Проблемы нанооптики /B.C. Летохов // УФН. 1999. Т. 169. №3. С.345 - 346.

77. Мальцева Н.С. Туннельная спектроскопия локализованных состояний примесных атомов на поверхности полупроводников / Н.С. Мальцева, В.И.Панов, С.В. Савинов // УФН. 2000. - Т. 170, №5. - С. 575-578.

78. Секацкий С.К. Наблюдение одиночного лазерно-возбужденного центра на острие кристаллической иглы / С.К. Секацкий, B.C. Летохов // Письма в ЖЭТФ. 1997. - Т.65. - Вып.6. - С.441-444.

79. Miyazaki Н. Near-field images of a monolayer of periodically arrayed dielectric spheres / H.Miyazaki, K.Ohtaka // Phys. Rev.B. 1998. - V.58, №11. - P. 69216936.

80. Артемьев В.Ю. Введение в гетерогенный фотокатализ / В.Ю. Артемьев, В.К. Рябчук. СПб: С-Петерб. Ун-т, 1999. -304с.

81. Сенсибилизация сульфида кадмия цианиновыми красителями в фотокаталитических процессах получения водорода / С.Я. Кучмий и др. // Теор. и эксп. химия. 1995. - Т. 31, № 6. - С. 370-374.

82. Капинус Е.И. Фотокаталитическая активность наночастиц сульфидов металлов в реакциях деструкции органических красителей/ Е.И. Капинус, Т.И. Викторова, Т.А. Халявка // Теор. и эксп. химия. 2006. - Т. 42, № 5. - С. 276280.

83. Kamat P.V. Nanoscience opportunities in environmental remediation / P.V. Kamat, D. Meisel // Compt. Rend. Chimie. 2003. - V.6, - P. 999-1007.

84. Клюев В.Г. Люминесцентные исследования фотохимических процессов в галогенидах серебра, сульфидах цинка и кадмия и фотоматериалов на их основе: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / В.Г. Клюев. Ленинград, 1986. -20 с.

85. Образование глубоких электронных ловушек при адсорбции серебра на поверхность хлорсеребряных кристаллов / М.А. Кушнир и др. // Докп.АН СССР. 1982. - Т.263, №2. - С.364-366.

86. Окисление поверхностных центров локализации электронов хлорсеребряных микрокристаллов / А.Н. Латышев и др. // ЖНиПФиК. -1982. Т.27, №6. - С.445-447.

87. Мейкляр П.В. Об адсорбции ионов серебра на поверхности микрокристаллов фотографической эмульсии при ее созревании/ П.В.Мейкляр // ЖНиПФ. — 1998 Т.43, №4. - С.8-11.

88. Молоцкий М.И. Квазимолекулярная модель атомов, адсорбированных на поверхности ионного кристалла / М.И. Молоцкий, А.Н. Латышев, К.В. Чибисов // Докл. АН СССР. 1970. - Т. 190, № 2.- С. 383-386.

89. Молоцкий М.И. Квазимолекулярная модель хемосорбции на поверхности ионного кристалла / М.И. Молоцкий, А.Н. Латышев // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1971. - Т. 35, № 2. - С. 359-360.

90. Molotskiy M.I. Silver atoms in the vicinity of dislocation in a silver halidc / M.I Molotskiy, A.N. Latyshev, K.V. Chibisov // J. Phot.Sci. 1972. - V. 20, № 5. - P. 201-204.

91. Baetzold R.C. Molecular orbital description of the metal- semiconductor interface of Ag-AgBr / R.C. Baetzold // J. Sol. St. Chem. 1973. - V. 6, № 2. -P.352-364.

92. Hamilton J.F. The Paradox of Ag2 Centers on AgBr: Reduction Sensitization vs. Photolysic / J.F. Hamilton, R.C. Baetzold // Photo. Sci. Eng. 1981. - V. 25, № 5.-P. 189-197.

93. Baetzold R.C. Properties of silver clusters on AgBr surface sites / R.C. Baetzold//J. Photogr. Sci. Eng. 1975. - V. 19, № l.-P. 11-16.

94. Тимошенко Ю.К. О локальных уровнях, возникающих при адсорбции атома серебра на поверхностном катионе AgCl. / Ю.К. Тимошенко, А.Н. Латышев, Э.П. Домашевская // ЖНиПФиК. 1987. - Т.32, №1.- С.61-62.

95. Calzaferri G. Silver chloride clusters and surface states / G. Calzaferri, S. Glaus // J. Phys. Chem. B. 1999. -V. 103. - P. 5622.

96. Flad J. Quantum chemical investigation of the latent image formation II Adsorption of Ag+ and Ag on (100) silver bromide surface / J. Flad, H. Stoll, H. Preuss // Z. Phys. D- Atoms, Molecules and Clusters. 1987. - V. 6. - P. 287-292.

97. Quantum chemical investigation of the latent image formation III: Adsorption of Agn+, Agn and Agn" (n<2) on a (100) silver bromide surface / J. Flad, N.A. Stoll, H. Preuss//Z. Phys.D. 1990.-V.15. - №1.-P.79-86.

98. Baetzold R.C. Calculated properties of Ag clusters on silver halide cubic surface site / R.C. Baetzold // J.Phys.Chem. B. 1997. - V.101. - P.8180-8190.

99. Baetzold R.C. Computational studies of silver clusters adsorbed on AgBr cubic surfaces / R.C. Baetzold // J. of Imag. Sci. and Techn. 1999. - V.43. - P.30-37.

100. Михайлов B.H. Освобождение и захват носителей зарядов при возбуждении микрокристаллов галоидосеребряных эмульсий импульсами актиничного излучения / В.Н. Михайлов, Д.И. Стаселько // Опт.и спектр. -1993. Т.75, №5. - С.1001-1008.

101. Бугаев A.A. Оптическое детектирование пикосекундных процессов образования свободных носителей и первичных продуктов фотолиза в нанокристаллах AgBr(I) / A.A. Бугаев, В.Н. Михайлов, Д.И. Стаселько // Опт. и спектр. 2005. - Т.98, №2. - С.280-287.

102. Михайлов В.Н. Фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при импульсном лазерном возбуждении: автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук / В.Н. Михайлов. СПб, 2006. - 23 с.

103. Новиков Г.Ф. Изучение электрон-ионных процессов в напыленных слоях и порошках бромида серебра методом двухлазерной микроволновой фотопроводимости / Г.Ф. Новиков и др. // ЖНиПФ.- 1997. Т.42, №4. - С. 1-7.

104. Новиков Г.Ф. Электрон-ионные процессы в микродисперсных галогенидах серебра. Противоречивость литературных данных / Г.Ф.Новиков // ЖНиПФ. 1997. - Т.42, №6. - С. 1-11.

105. Фок М.В. Оценка параметров центров локализации дырок и электронов по тушащему и вспышечному действию ИК-света / М.В. Фок // ФТП. 1970. -Т.4, №4. - С.1009-1014.

106. Латышев А.Н. Спектр фотостимуляции вспышки люминесценции хлорида серебра / А.Н. Латышев, М.А. Кушнир, В.В. Бокарев // Опт. и спектр.- 1982. Т.53, №2. - С.364-366.

107. Метод определения спектров ионизации монодисперсных адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов кластеров благородных металлов / А.Н. Латышев, О.В.Овчинников и др. // ПТЭ. 2004.- №6. С.119-124.

108. Антистоксова люминесценция твердых растворов AgCl0.95I0.05 / О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2005. - Т.72, №6.- С.738-742.

109. Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов AgCl0.95I0.05 с адсорбированными молекулами органических красителей / О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2006. - Т.73, №5. - С.592-596.

110. Горяев М.А. Люминесценция красителей, адсорбированных на гидриде алюминия, и ее изменения при фотолизе адсорбента / М.А. Горяев, И.А. Акимов // Опт. и спектр. 1979. - Т.47, №2. - С.409-411.

111. Ашкалунин A.JI. Влияние фотолиза на люминесценцию AgCl при комнатных температурах / А.Л. Ашкалунин, П.М. Валов, В.И. Лейман // ЖТФ. 1985. - Т. 55, № 7. - С. 1454-1457.

112. Лущик Ч.Б. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах / Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. М.: Наука, - 1989. - 265 с.

113. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров / М.В. Фок. М.: Наука, 1964. - 283с.

114. Винокуров Л.А. Определение глубины электронных ловушек в фосфорах на основе ZnS по вспышке под действием ИК-света / Л.А. Винокуров, М.В. Фок // Опт. и спектр. 1961. - Т.10, №3. - С.374-378.

115. By Куанг О соотношении между оптическими и термическими глубинами электронных ловушек / By Куанг, М.В. Фок // Труды ФИАН. 1974. - Т.79.— С.39-63.

116. Георгобиани A.IT. Инфракрасная фотолюминесценция сульфида цинка /

117. A.Н. Георгобиани // Труды ФИАН. 1987. - Т. 182. - С.3-68.

118. Спектры возбуждения термостимулированной люминесценции хлорида серебра / Л.А. Козяк и др. // ЖНиПФ. 2002. - Т. 47, № 5. - С. 11-13.

119. Исследование энергетического спектра электронных ловушек методом фракционного термовысвечивания / В. Г. Булла и др. // ЖПС. 1975. - Т. XXIII, №4.-С. 648-653.

120. Белоус В.М. О влиянии инфракрасного света на люминесцению хлористого серебра / В.М. Белоус, Н.Г. Дьяченко // Опт. и спектр. 1961.-Т.10, №5. - С.649-653.

121. Белоус В.М. О действии инфракрасного света на люминесценцию чистых и смешанных серебряно-галоидных фосфоров / В.М. Белоус, С.И. Голуб // Опт. и спектр. 1962. - Т.11, №2. - С.852-854.

122. Туницкая В.Ф. Чувствительность к ИК свету самоактивированных монокристаллов сульфида цинка / В.Ф. Туницкая // ЖПС. 1970. - Т. 12, №4. -С.722-725.

123. Туницкая В.Ф. Чувствительность самоактивированных ZnS к ИК-свету /

124. B.Ф. Туницкая, Л.С. Лепнев // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. - Т. 40, №9.1. C.1984-1988.

125. Туницкая В.Ф. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ИК-светом / В.Ф. Туницкая, Л.С. Лепнев // ЖПС. 1977. - Т.26,№4. - С.706-711.

126. Дякин В.В. Низкотемпературная стимулированная ИК-светом вспышка зеленой краевой люминесценции сульфида кадмия / В.В. Дякин, Е.А. Сальников, В.Л. Хвостов // ФТП. 1976. - Т.10, №12. - С.2283-2289.

127. Ребане К. С. К. О глубоких уровнях захвата в ZnS фосфорах / К.С.К. Ре-бане // Опт. и спектр.—1958,—T.IV,№2.—С. 211-216.

128. Ребане К. С. К. Влияние активатора на спектры ИК стимуляции и тушения фосфоров ZnS / К. С. К. Ребане, В.И. Рутас // ЖПС. — 1965. — Т. II, №4. С. 350-355.

129. Латышев А.Н. Вспышка люминесценции центров скрытого изображения хлорсеребряной фотографической эмульсии / А.Н. Латышев, М.А. Кушнир, В.В. Бокарев //ЖНиПФиК. 1981. - Т.26,№5. - С.377-379.

130. Чибисов К.В. Природа фотографической чувствительности / К.В. Чибисов. М.: Наука, - 1980. - 403с.

131. Чибисов К.В. Химия фотографических эмульсий / К.В. Чибисов. М.: Наука, - 1980.-241с.

132. Кирилов Е.А. Тонкая структура в спектре поглощения фотохимически окрашенного галоидного серебра / Е.А. Кирилов. — М.: Изд-во АН СССР, -1954.-80 с.

133. Латышев А.Н. Влияние старения серебряных слоев на тонкую структуру спектра поглощения / А.Н. Латышев // ЖНиПФиК. 1964. - Т. 9. - Вып. 1. - С. 18-21.

134. Латышев А.Н. К вопросу о природе центров тонкой структуры спектров поглощения тонких металлических слоев и фотохимически окрашен ного галоидного серебра: автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук / А.Н. Латышев. -Воронеж, 1964. 11 с.

135. Латышев А.Н. К теории тонкой структуры спектров поглощения фотохимически окрашенного галогенида серебра / А.Н. Латышев, М.И. Молоцкий // ЖНиПФиК. 1969. - Т. 14. - Вып. 4. - С. 264 - 267.

136. Brandt R.C. Induced infrared absorption due to bound charge in silver halides / R.C. Brandt, F.C. Brown//Phys. Rev. 1969. - V.181. - P. 1241-1250.

137. Sakuragi S. Identification of shallow electron centers in silver halide / S. Sakuragi, H. Kanzaki // Phys. Rev. Lett. 1977. - V.38. - P. 1302-1305.

138. Kanzaki H. Spectroscopic identification of localized electron and holes in silver halide / H. Kanzaki // J. Photogr. Sci. 1984. - V.32. - P. 117-123.

139. Kanzaki H. Excitonic processes in solids / M.Ueta etc.. Springer-Verlag,

140. Berlin, 1986. Chap.6. - 56 p.

141. Буймистров B.M. Континуальная модель F-центра в AgBr / В.М.Буймистров // ФТТ. 1963. - Т.5, №11.- С.3264.

142. Tani Т. On the Adsorption of 2.2'-Quinocyanine Halides to Various Silver Halides / T. Tani, S. Kikushi // J. Photo. Sci. 1969. - V. 17. - P. 33-40.

143. Cataliotti R. Behaviour of the C-0 stretching vibration of merocyanines in mixed solvents / R. Cataliotti, A. Poletti, A. Foffani // Spectr. Acta. 1969. -V.25A.-P. 543-552.

144. Применение ИК-спектроскопии для изучения адсорбции полиметиновых красителей на галогенидах серебра / Л.О. Леонтьева и др. // Усп. научн. фотогр. 1976. - Т. 27. - С. 90-98.

145. Анализ взаимодействия органического красителя метиленового голубого с поверхностью микрокристаллов AgCl(I) / О.В. Овчинников и др. // ЖПС. -2007. Т.74, №6. -С.731-737.

146. Котов Е.И. Об искажениях в спектре поглощения адсорбированных веществ при измерениях в диффузно отраженном свете / Е.И. Котов // Опт. и спектр. 1957. - Т.З, №4. - С.368-371.

147. Кортюм Г. Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения / Г. Кортюм, В. Брауг, Г. Герцог // УФН. 1965. -Т.85.-С. 223-236.

148. Excited electronic states and optical spectra of ZnS and CdS crystallires in the 15 to 50 A size range: Evolution from molecular to bulk semiconducting properties / R. Rossetti etc. // J. Chem. Phys. 1985. - V.82(l). - P.553-559.

149. Акимов И.А. Нанокристаллы полупроводников в полимерной матрице -новые оптические среды / И.А. Акимов, И.Ю. Денисюк, A.M. Мешков // Опт. и спектр. 1992. - Т.72.- С. 1026-1032.

150. Денисюк И.Ю. Наноструктурирование способ создания оптических и полупроводниковых сред / И.Ю. Денисюк, A.M. Мешков // Опт. журн. - 2001. - Т.68. - С.58-66,

151. Гигантское комбинационное рассеяние / под ред. Р.Ганга, Т. Фуртака. -М.: Мир, 1984.-408с.

152. Емельянов В.И. Эффект гигантского комбинационного рассеяния света молекулами, адсорбированными на поверхности / В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев // УФН. 1981. - Т. 135, №2. - С.345-361.

153. Burstein Е. Raman scattering by optically absorbing molecules on "Smooth"

154. Ag and Au surfaces: crystal violet / E. Burstein, G.Burns, F.H. Dacol // Sol. St. Comm. 1983. - У.46. - P.595-607.

155. Возбуждение атомов при фотоатомной эмиссии из металлических наночастиц / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Изв. РАН Сер. Физ. 2005. - Т.69, №8. - С.1116-1117.

156. Previte M.J.R. Metal enhanced surface plasmon-coupled phosphorescence /M.J.R. Previte, K. Asian, Y. Zhang, C.D. Geddes // J. Phys. Chem. 2007. -V.l 11. — P.6051-6059.

157. Rapid growth of evanescent wave by a silver superlens / Z.-W. Liu etc. // Appl. Phys. Lett. 2003.-V.83, №25. - P.5184-5186.

158. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел / P. Бьюб. M.: Ин. лит-ра, 1962. -558с.9 1

159. Физика и химия соединений группы А В / Под ред. Медведева В.В. М.: «Мир», 1970.-432 с.

160. Буке Е.Е. Определение знака носителей фотопроводимости в фосфорах на основе ZnS / Е.Е. Буке // Опт. и спектр. 1957. - Т.З. - Вып.4. - С.334-337.

161. Wiegand D.A. Low-temperature luminescence and photoconductivity of AgCl/ Donald A. Wiegand // Phys. Rev. 1959. - V. 113, № 1. - P. 52-62.

162. Smith G.C. Luminescence and photoconductivity in silver halides / G.C. Smith//Phys. Rev. 1965,- V. 140, № l.-P. 221-226.

163. Е.Б. Козырева. Температурная зависимость люминесценции и фотопрофодимости галогенидов серебра / Е.Б. Козырева, В.Г. Власов, П.В. Мейкляр // Опт. и спектр. 1969. - Т. 26. - Вып. 5. - С. 843-844.

164. Баранов Э.В. Фотопроводимость фотографических слоев на частоте Ю10 Гц / Э.В.Баранов, И.А. Акимов // Докл АН СССР. 1963. - Т. 154, №1. - С. 184187.

165. Новиков Г.Ф. Константа скорости рекомбинации свободных электронов и дырок в AgCl при 295 К / Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, Н.А. Тихонина // Изв РАН. Сер. хим. 1996. - №9. - С.2234-2235.

166. СВЧ-фотопроводимость и фото диэлектрический эффект в тонких пленках CdxZnbxS / Ю.В. Метелева и др. // Хим. физ. 2001. - Т.20, №7. -С.30-32.

167. Исследование фотолиза хлорида серебра методами микроволновой фотопроводимости и фотостимулированной вспышки люминесценции / Е.П. Татьянина, Г.Ф. Новиков, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов // ХВЭ. 2004. - Т. 38, № 4. - С. 299-303.

168. Alcimov LA. Overall Spectrum of Local Electronic Levels in ZnO and AgHal Sensitized Layers / LA. Akimov, K.B. Demidov // Papers Intern. Congr. of Phot. Sci. Rochester. -1978. - P.59-60.

169. Фридкин В.М. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс. / В.М. Фридкин, И.С. Желудев -М.: Высшая школа, 1960. 190с.

170. Бугриеико В.И. Спектральное распределение фотоэлектретного состояния в хлористом серебре / В.И. Бугриенко // ФТТ. 1964. - Т. 6, № 5. - С. 13141319.

171. Горяев М.А. Энергетический спектр локальных состояний и его изменение при фотолизе и термолизе гидрида алюминия / М.А. Горяев // ЖНиПФ. 1977. - Т.17, №4. - С. 1035-1039.

172. Демидов К.Б. Полный спектр локальных состояний и фоточувствительность гидрида алюминия / К.Б. Демидов, М.А. Горяев // Опт. и спектр. 1978. - Т.45, №5. - С.1012-1013.

173. Люминесцентные исследования гетерогенных процессов в эмульсионных микрокристаллах /А.Ю. Ахмеров и др. // ЖНиПФ. 1989. Т.34, №2. - С. 139142.

174. Белоус В.М. Люминесцентные исследования механизма спектральной сенсибилизации 1,1'-диэтил- 2,2'-цианином галогенид серебряных эмульсий / В.М. Белоус, В.И. Толстобров, Б.И. Шапиро // Опт. и спектр. 1980. - Т.49. -Вып.З. - С.532-537.

175. Белоус В.М. Люминесцентные исследования взаимодействия спектральных сенсибилизаторов с примесными центрами галогенсеребряных эмульсий / В.М. Белоус, В.И. Толстобров, Б.И. Шапиро // Усп. науч. фотогр. -1984. -Т.22. С. 125-132.

176. Meyer R. Lumineszenzversuche an Photographischen hendelsschichten / R. Meyer // Z. Wiss. Phot. 1959. - V.53, №7-9. - P.141-156.

177. Mumaw C.T. Luminescence effects of iodide addition to silver bromide emulsions / C.T. Mumaw // Photogr. Sci. Eng. 1970. - V.14, № 4. - P.262 - 268.

178. Infrared light stimulation and queching in ZnS Phosphors / K. Luchner etc. // Phys. Rev. 1963. - V.129. - P.593.

179. Гросс Е.Ф. Длинноволновое возбуждение полосатой краевой люминесценции в кристаллах GaP / Е.Ф. Гросс, Д.С. Нездевецкий // Докл АН СССР.- 1963.-Т. 152.-С. 1335, №6.-С. 1294-1298.

180. Гайворон В.Г. Люминесценция фосфида галлия, индуцируемаяинфракрасным светом / В.Г. Гайворон, В.И. Сидоров // Письма ЖЭТФ. — 1968.-Т.8, №10.-С. 534.

181. Коган Ш.М. Рекомбинационное излучение в кремнии, стимулированное длинноволновым ИК-излучением / Ш.М. Коган, Т.М. Лифшиц, В.И. Сидоров // Письма ЖЭТФ. 1965. - Т.2, №10. - С. 365.

182. Кронгауз В.Г. Фотостимулированная люминесценция кристаллофосфоров / В.Г. Кронгауз, И.А. Парфианович // Изв АН СССР. Сер. физ. 1973. - Т.37, №4. - С.725-731.

183. Белоус В.М. О влиянии термической обработки на формирование уровней захвата у хлористого серебра / В.М. Белоус // Опт. и спектр. — 1962. — Т. 13, №3.-С. 412-415.

184. Schon М. Zum lenchtmechanismus der kristallphosphore / M. Schon // Z.Physik. 1942. - V. 119. - P. 463-471.

185. Klasens H.A. Transfer of energy between centres in zinc sulphide phosphores / H.A. Klasens //Nature. 1946. -V. 158. - P. 306-308.

186. Lambe J. Model for luminescence and Photoconductivity in the sulfides / J. Lambe, C. Klick // Phys. Rev. 1955. -V. 98, № 4. - P. 909-914.

187. Фотостимулированная вспышка люминесценции и механизм люминесценции в галогенидах серебра / А.Н. Латышев и др. // ЖНиПФ. -2001.-Т. 46, №5.-С. 13-17.

188. Антонов-Романовский В.В. Кинетика люминесценции кристаллофосфоров / В.В. Антонов-Романовский. М.: Наука, 1966. - 323с.

189. Prener J.S. Associated donor-acceptor luminescent centers / J.S. Prener, F.E. Williams//Phys. Rev. 1956. - V. 101.-P. 1427.

190. Tomas D.G. Kinetics of radiative recombination at randomly distributed donor and acceptor/ D.G. Tomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak // Phys. Rev. 1965. -V. 140, № l.-P. 202-220.

191. Riehl N. Tunnel luminescence and infrared stimulation / N. Riehl // J. Luminescence. 1970. - V. 1 -2. - P. 1 -16.

192. Nelson D.F. Time decay characteristics of a deep donor — shallow - acceptor pair band in gallium phosphide / D.F. Nelson // Phys. Rev. - 1965. - V.140, № 5A. -P.A1667- A1671.

193. Закс E. Энергетический сдвиг излучения донорно-акцепторных пар / Е. Закс, А.Гальперин//Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. - №3. - С. 551-555.

194. Латышев А.Н. Механизм люминесценции кристаллофосфоров / А.Н.

195. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов // ЖПС. 2004. - №2. - С.223-226.

196. Латышев А.Н. Механизм люминесценции кристаллов хлористого серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов // ЖНиПФ. 2003. - Т.48, №5. - С.47-50.

197. Латышев А.Н. О механизме люминесценции в хлористом и бромистом серебре с примесью йода / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов // Конд. ср. и межф. границы. 2004. - Т.6, №1. - С.70-74.

198. Латышев А.Н. Механизм зеленой и оранжевой полос люминесценции кристаллов сульфида цинка / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов //Конд. ср. и межф. границы. -2005. Т.7, № 4. - С.413-416.

199. Киреев П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев. М.: Высшая школа, 1969.-290с.

200. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники /А.Н. Пихтин. -М.: Высшая школа, 1983. -304 с.

201. Dexter D.L. Absorption of light by atoms in solids / D.L. Dexter // Phys. Rev. 1956.-V. 101, № l.-P. 897-902.

202. Кушнир M.A. Расчет кинетики затухания фотостимулированной вспышки люминесценции хлорида серебра / М.А. Кушнир, А.Н. Латышев, В.А. Шунина. М., 1983. - 36 с. - Деп. в ВИНИТИ № 1848-82.

203. Белоус В.М. Исследование ионных процессов в серебряногалоидных фосфорах люминесцентным методом / В.М. Белоус, С.И. Голуб, Н.А. Орловская // Изв. АН СССР. Сер.физ.- 1967. Т. 31, № 12. - С. 1946-1948.

204. Попов Ю.М. Влияние безызлучательной рекомбинации на насыщение при катодолюминесценции / Ю.М. Попов, В.П. Шабанский // Опт. и спектр. -1959. Т.6, №6. - С.769-775.

205. Попов Ю.М. Зависимость запасаемой светосуммы на уровнях разной глубины от плотности возбуждения / Ю.М. Попов // Опт. и спектр. 1959. -Т.6, №6. - С.764-768.

206. Садыкова А.А. О вспышечных свойствах эмульсионных кристаллов /

207. A.А. Садыкова, Л.Н. Ицкович // ЖНиПФиК. 1970. - Т. 15, № 5. - С. 367-369.

208. Белоус В.М. К вопросу о механизме люминесценции хлористого серебра /

209. B.М. Белоус // Оптика и спектроскопия. Люминесценция. 1963. - Т. 1. - С. 193-198.

210. Толстой Н.А. Вспышечное разгорание люминесценции. I. Фосфоры ZnS-Ni / Н.А. Толстой, A.M. Ткачук, Н.Н. Ткачук // Опт. и спектр. 1957.- Т. 2,3086. С. 759-769.

211. Вспышечное разгорание люминесценции. II. Фосфоры ZnS-Co, ZnS-Ag, Со / Н.А. Толстой и др. // Опт. и спектр. 1961. - Т. 10, № 2. - С. 177-181.

212. Толстой Н.А. Вспышечное разгорание люминесценции. III. Влияние интенсивности возбуждающего и высвечивающего света / Н.А. Толстой, A.M. Ткачук, А.И. Рыскин // Опт. и спектр. 1961. - Т. 10, № 2. - С. 220-225.

213. Механизм вспышки красной люминесценции в облученных монокристаллах CdS / Н.С. Богданюк и др. // ФТТ. 1984. - Т. 18, № 2. - С. 305-311.

214. Орлов Б.М. Механизм освобождения электронов из ловушек в ZnS-фосфорах под действием инфракрасного света / Б.М. Орлов // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1965. - Т. 29, № 3. - С. 516-518.

215. Shionoya S. Behavor of excited electrons and holes in zinc sulfide phosphors / S. Shionoya, H.P. Kallman, B.Kramer // Phys. Rev. 1961. - V. 121, №6. - P. 1607-1619.

216. Шейнкман M.K. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6 / М.К. Шейнкман // Изв.АН СССР. Сер.физ. 1973. -Т. 37, № 2. - С. 400-404.

217. Коробкина Н.И. Процессы релаксации возбуждения кристалла хлорида серебра / Н.И. Коробкина, С.С. Охотников, О.В. Овчинников и др. // ЖНиПФ. 2001. - Т.46, №5. - С.35-37.

218. Клюев В.Г. Кинетика релаксации запасенных светосумм в хлориде серебра / В.Г. Клюев, Н.И. Коробкина, Ю.В. Герасименко // ЖПС. 2004. - Т. 71, №6.-С. 631-634.

219. Механизм рекомбинации неравновесных носителей заряда, локализованных на глубоких ловушках в хлористом серебре / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // ЖПС. 2005. - Т.72, № 2. - С. 213-217.

220. Механизм релаксации запасённых светосумм в хлористом серебре /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // Изв. РАН. Сер. физ.- 2005. Т. 69, № 8. -С. 1200-1204.

221. Relaxation mechanism of stored totality of lightsum in silver chloride / A.N. Latyshev, M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov etc. //21 International Conf. on Relaxation phenomena in solids. October 5-8, 2004. - Voronezh. -P. 58.

222. Механизм релаксации запасённых светосумм в хлориде серебра / М.С. Смирнов, О.В. Овчинников и др.// ФХП-9: Междунар. Конф. Физико-хим.309

223. Проц. в неорг. Матер., 9-12 октября 2004. Кемерово,- 2004. Т.2.-С.471-473.

224. Эффект уменьшения высвеченной светосуммы вспышки люминесценции в монокристаллах ZnS / П.В. Новиков, А.Н. Латышев, О.В.Овчинников и др. // Журн. Вестник ВорГУ. Сер. Физика, Математика.-2008. -№1.-С.65-69.

225. Латышев А.Н. Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах сульфида цинка /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, и др. // 10 Межд. конф.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах": тез. докл. Т.2.-Кемерово, 2007. С. 110-114.

226. Гурвич A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинк-сульфидных люминофоров / A.M. Гурвич // Усп. хим. 1966. -Т.35. - С.1495-1526.

227. Калеева З.П. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата в самоактивированных кристаллах ZnS / З.П. Калеева, Е.И. Панасюк, Туницкая В.Ф //ЖПС. 1969. - Т. 10, №5. - С.819-824.

228. Кюри Д. Люминесценция кристаллов / Д. Кюри. -М.: Изд. ин. лит., 1961. 199с

229. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов /

230. И. Адирович. -М.: Наука, 1956. 351с.

231. Антипова-Каратаева И.И. Спектральные исследования центров люминесценции с помощью обобщенного метода Аленцева / И.И. Антипова-Каратаева, Н.П. Голубева, М.В. Фок // Изв АН СССР. сер. физ. 1973. - Т.37, №2.-С. 410-413.

232. Kasai Р.Н. Paramagnetic resonance detection of luminescent centers and traps in self activated ZnS/ P.H. Kasai, Y. Otomoto // Phys. Rev. Lett. 1961. - V.7. -P.17-19.

233. Goldweski M. ODMR investigation of IR photoluminescence in ZnS:Cu / M. Goldweski, W.E. Lamb, B.C. Cavenet // J. Phys.C.: Sol. St. Phys. 1982. - V.15. -P.3925-3942.

234. Баранов П.Г. Регистрация электронных и дырочных центров по туннельному рекомбинационному свечению облученных кристаллов / П.Г.Баранов, Ю.П. Вещунов, Н.Г. Романов // ФТТ. 1980. - Т. 22, № 12. - С. 3732-3736.

235. Marchetti А.Р. The optically detected magnetic resonance of pure and doped silver bromide /А.Р. Marchetti //J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1981. - V.14. - P.961

236. Marchetti A.P. Optical and optically detected magnetic resonance studies of AgBr:I / A.P. Marchetti, M.S. Burberry // Phys. Rev. B. 1983. -V.28. - P.2130-2134.

237. Marchetti A.P. Indirect optical absorption and radiative recombination in silver bromoiodide / A.P. Marchetti, M.S. Burberry // Phys. Rev. B. 1988. - V.31. -P.10862-10866.

238. Marchetti A.P. Optical detected magnetic resonance of crystalline AgCl / A.P. Marchetti, R.S. Eachus // Phys. Lett. 1978. - V.65A. - P.363-365.

239. Marchetti A.P. Low-temperature photophysics bsorption and radiative recombination of crystalline AgCl / A.P. Marchetti, D.S. Tinti // Phys. Rev. B. -1981.- V.24.-P.7361- 7370.

240. Moser F. Optical absorption and luminescent emission of the I'center in AgCl/ F. Moser, R.K. Ahrenkiel, S.L. Lyu//Phys. Rev.- 1967. V.161.-P. 897-902.

241. W. von der Osten Localized exciton states in silver halide / W. von der Osten andH. Stolz // J. Phys. Chem. Sol. 1990. - V.51.-P.765-791.

242. Spoonhower J.P. Trapped holes in silver halides / J.P. Spoonhower, A.P. Marchetti //J. Phys. Chem. Sol. 1990. - V.51. -P.793-804.

243. Spoonhower J.P. Recombination photophysics in AgCl / J.P. Spoonhower // J. Phys.: Condens. Mater. 1990. - V.2. - P. 3021-3030.

244. Yamaga M. Optical detection of magnetic resonance in AgClixBrx / M. Yamaga, W.Hayes //J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1982. - V.15. - L75-L79.

245. ESP investigation of self-trapped holes in mixed crystals AgBrixClx / M. Yamaga etc. // J. Phys. Soc. 1977. - V.42. - P. 1067-1068.

246. Jahn-Teller and reorientation effects in the ESP spectrum of the self-trapped holes in mixed crystals AgBrixClx/ M. Yamaga etc. // J. Phys. Soc. J. 1978. -V.44. - P. 154-161.

247. The formation of self-trapped holes in mixed crystals AgBri„xClx /М. Yamaga etc. //J. Phys. Soc. J. 1978. - V.44. - P. 471-474.

248. Yamaga M. Optically detected magnetic resonance of self-trapped excitons in AgBrixClx. Transition from self-trapped to free exiton / M. Yamaga, N. Sugimoto, H. Yoshioka // Phys. Soc. J. 1983. - V.52. - P. 3637-3645.

249. Yamaga M. Dynamic of the Jahn-Teller in the ODMR spectrum of the self-trapped exciton in AgCl crystals / M. Yamaga, N. Sugimoto, H. Yoshioka // J. Phys. Soc. Japan. 1985. - V.54. - P. 4340-4344.

250. Yamaga M. ODMR investigations of the structure and dynamic of the exciton trapped in isolated bromine sites AgCl!xBrx / M. Yamaga, W.Hayes // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1982.-V.15.-P. L1215-L1219.

251. Гурвич A.M. Центры свечения и особенности разделения дефектов в ZnS фосфорах, активированных иновалентными примесями / A.M. Гурвич // Изв АН СССР. сер. физ. 1973. - Т.37, №2. - С.419-422.

252. Lepper J. Connection between electronic emission and luminescence in excited crystals / J. Lepper // Zs.f.Naturfosch. 1955. - V.lOa. - 47-55.

253. Механизы люминесценции кристаллов галогенидов серебра / О.В.Овчинников, М.С. Смирнов // Тез. докл. Межд. Конфер.: "Физико-химические процессы в неорганических материалах". Кемерово,- 2004. т.2. С.450-453.

254. Латышев А.Н. Метод определения механизма люминесценции ионно-ковалентных кристаллов / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С. Охотников // 5 Межд. конф. "Оптика, оптоэлектроника -2003". Ульяновск, 2003. С. 131.

255. Вознесенская Т.И. О природе красной люминесценции в фосфорах ZnS-Cu / Т.И. Вознесенская, В.М. Фок // Оптика и спектроскопия. 1965. -Т.18. -С. 656-659.

256. Александров Е.Б. Лазерная магнитная спектроскопия / Е.Б.Александров,

257. B.C. Запасский. М.: Наука, - 1986. - 280 с.

258. Шалимова К.В. О природе фотолюминесценции серебряно-галоидных сублимат-фосфоров, активированных серебром / К.В. Шалимова, А.В. Белкина//ЖЭТФ. 1951. - Т. 21. - Вып. 2. - С. 326-337.

259. Голуб С.И. Люминесценция галоидных солей серебра / С.И. Голуб // Докл. АН СССР. 1948. - Т. 60, № 7. - С. 1153-1155.

260. Архангельская В.А. Кинетика люминесценции серебряно-галоидных солей / В.А. Архангельская, П.Г1. Феофилов // Докл. АН СССР. 1953. - Т.91, №5.-С. 1055-1058.

261. Пешкин А.Ф. Люминесценция кристаллов бромйодсеребряных эмульсий /А.Ф. Пешкин, В.В. Жуков, В.В. Суворин // Докл. АН СССР. 1989. - Т. 310, № 1.-С. 141-145.

262. Козырева Е.Б. Некоторые зависимости спектров излучения бромида серебра при Т=4.2 К / Е.Б. Козырева // ЖНиПФиК. 1974. - Т. 19. - Вып.2.1. C. 132-138.

263. Ицкович Л.Н. Люминесценция кристаллов галоидного серебра в312зависимости от наличия в них дефектов / JI.H. Ицкович, Е.Б. Козырева, П.В. Мейкляр // Изв. АН. СССР Сер. Физ. 1967. - Т. 31, № 12. - С. 1955-1957.

264. Moser F. Optical adsorption and luminescence emission of the I" center in AgCl / F. Moser, R.K. Ahrenkiel, S.L. Lyu // Phys. Rev. B. 1967. - V. 161, № 3. -P. 897-902.

265. Moser F. Luminescence of silver bromoiodide crystals / F. Moser, F. Urbach // Phys. Rev. 1957. - V. 106, №5. - P. 852-858.

266. Белоус B.M. Влияние инфракрасного света на люминесценцию хлористого серебра / В.М. Белоус, Н.Г. Дьяченко // Изв. АН. СССР. Сер. Физ. -1961.-Т. 25, №4.-С. 547-548.

267. Белоус В.М. Сравнительное исследование люминесцентных свойств галогенидосеребряных кристаллофосфоров и фотографических эмульсий /

268. B.М. Белоус, С.И. Голуб, Н.А. Орловская // ЖНиПФиК. 1969. - Т. 14, № 1.1. C. 39-41.

269. Садыкова А.А. О вспышечных свойствах эмульсионных кристаллов /

270. A.А. Садыкова, Л.Н. Ицкович // ЖНиПФиК. 1970. - Т. 15, № 5. - С. 367-369.

271. Белоус В.М. К вопросу о механизме люминесценции хлористого серебра /

272. B.М. Белоус // сб. статей. Оптика и спектроскопия. Люминесценция. 1963. -Т. 1.-С. 193-198.

273. Белоус В.М. О механизме образования скрытого фотографического изображения в бромо- и йодобромосеребряной эмульсиях / В.М. Белоус // ЖНиПФиК. 1967. - Т.12, № 4. - С. 297-299.

274. Белоус В.М. Механизм вспышечного разгорания люминесценции галогенидов серебра / В.М. Белоус, Н.А. Орловская, В.К. Маринчик // Опт. и спектр. 1970. - Т.28. - Вып. 5. - С. 955-960.

275. Садыкова А.А. Вспышка люминесценции галогенидов серебра под действием инфракрасного излучения / А.А. Садыкова, Л.Н. Ицкович, П.В. Мейкляр // Опт. и спектр. 1971. - Т. 30, № 1. - С. 103-106.

276. Белоус В.М. Фотоэмиссия с серебряных центров и явление вспышки люминесценции хлорида серебра / В.М. Белоус // ЖНиПФиК. 1964. - Т. 9, № 5.-С. 363-368.

277. Белоус В.М. О природе уровней захвата электронов в кристаллах хлористого серебра / В.М. Белоус // Опт. и спектр. 1962. - Т. 13, № 6. - С. 852-853.

278. Белоус В.М. Некоторые особенности люминесценции фосфоров AgCl-Mn

279. В.М. Белоус, С.И. Голуб // Опт. и спектр. 1963. - Т. 14. - С. 516-520.

280. Белоус В.М. Люминесцентные исследования хлорсеребряных и хлоройодосеребряных фотографических эмульсий / В.М. Белоус, К.В. Чибисов//Докл. АН СССР. 1969. - Т.187, №3. - С.593-596.

281. Спектральные характеристики люминесценции галогенидов серебра / В.М. Белоус и др. // Вопросы физики твёрдого тела. 1976. - С. 52-60.

282. Белоус В.М. О некоторых люминесцентных и фотоэлектрических свойствах бромистого серебра / В.М. Белоус, В.И. Бугриенко, С.И. Голуб // Опт. и спектр. 1964. - Т. 17. - С. 406-411.

283. Степанов А.Л. Люминесценция хлорбромсеребряных микрокристаллов фотографических эмульсий / А.Л. Степанов, А.В. Бурда // ЖНиПФиК. 1991. -Т. 36, №2.-С. 163-165.

284. Активаторная люминесценция кристаллов AgBr-J / Е.Д. Авдонина и др. // Опт. и спектр. 1978. - Т. 44, № 5. - С. 947-951.

285. Czaja W. Evidence for Bose-Einstein condensation of free excitons in AgBr / W. Czaja, C.F. Schwerdtfeger // Sol. Stat. Comm. 1974. - V. 15. - P. 87-95.

286. Люминесценция монокристаллов бромида серебра / Т.Э. Кехва и др. // Изв. АН. СССР Сер. Физ. 1974. - Т. 38, № 6. - С. 1294-1298.

287. Садыкова А.А. Влияние красителей на люминесценцию бромойодосеребряных фотографических слоёв / А.А. Садыкова, М.З. Пескова, П.В. Мейкляр // Опт. и спектр. 1967. - Т. 23, № 2. - С. 250-253.

288. Czaja W. The isoelectronic trap iodine in AgBr / W. Czaja, A. Baldereschi // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1979. -V. 12. - P. 405-423.

289. Kanzaki H. Electron-phonon interaction on alkali and silver halides / H. Kanzaki // Semicond. and Insul. 1978. - V.3. - P. 285-297.

290. Kanzaki H. Spectroscopic identification of localized electron and holes in silver halide / H. Kanzaki // J. Photogr. Sci. 1984. - V.32. - P. 117-123.

291. Мотт H. Электронные процессы в ионных кристаллах / Н. Мотт, Р. Герни. М.: Ин. лит-ра, 1950. - 304с.

292. Hayes W. Optically-detected EPR of excitons in AgCl, AgCl:Br and AgBr / W. Hayes, J.B. Owen, P.J. Walker//J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1977. - V.10. - P.408.

293. Kanzaki H. Optical absorption and luminescence of excitons in silver halides containing isoelectronic impurities P. 1. AgBr.T / H. Kanzaki, S. Sakuragi // J. Phys. Soc. Jpn. 1969. - V.27. - P. 109-125.

294. Kanzaki H. Optical absorption and luminescence of excitons in silver halidescontaining isoelectronic impurities P.2. AgBr:Cl" and AgBr / H. Kanzaki, S. Sakuragi // J. Phys. Soc. Jpn. 1970. - V.29. - P. 924-935.

295. Kanzaki H. Optical absorption and luminescence of excitons in silver halides containing isoelectronic impurities P.3. AgBr:Na , AgBr:Li+ / H. Kanzaki, S. Sakuragi // J. Phys. Soc. Jpn. 1970. - V.29. - P. 936-945.

296. Козырева Е.Б. Температурная зависимость спектров люминесценции кристаллов бромистого серебра / Е.Б. Козырева // Опт. и спектр. — 1968. — Т.25, № 4. С. 526-529.

297. Excitonic Processes in Solids / M. Ueta etc.. Springer-Verlag. Berlin, 1986.- Chap.4.

298. Toyozawa Y. Exciton-phonon bound state: A new quasiparticle / Y. Toyozawa, J. Hermanson//Phys. Rev. Lett. 1968. - V.21.-P. 1637-1641.

299. Theory of the Photographic Process / C.R. Berry etc.. 3 rd. ed. 1966. - P. 13.

300. Moser F. Luminescence in pure and I-doped AgBr crystals / F. Moser, S. Lyu // J Luminescence. 1971. - V.3. - P.447-455.

301. Riesenfeld J. The red luminescence of silver bromide at 77 К / J. Riesenfeld // Photogr. Sci. Eng. 1973. - V. 17, № 2. -P. 213-216.

302. Белоус В.М. Люминесценция галогенидов серебра в видимой и ближней ИК областях / В.М. Белоус, Н.А. Орловская, В.И. Толстобров // ЖНиПФиК. -1979. Т. 24. - Вып. 5. - С. 368 - 370.

303. Люминесценция галогенидов серебра в видимой и ближней ИК областях / В.М. Белоус и др. // ЖНиПФиК. 1992. - Т. 37, №2. - С. 99-108.

304. Malinovski J. Formation, stability and initiation of development by small silver clusters / J. Malinovski // in Grows and properties of metal clusters. 1980 — P.303-320.

305. Григорьев B.A. О механизме тушения люминесценции щелочно-галоидных кристаллофосфоров внешним электрическим полем / В. А. Григорьев, В.К. Ляпидевский, И.М. Ободовский // ФТТ. 1969 - Т. 11, №10.- С. 2996-2999.

306. Ребане К.С. О стимуляции фосфоров ZnS при низких температурах / К.С. Ребане, В.И. Рутгас // ЖПС. 1967. - Т.5. - С.426-430.

307. Исследование энергетического спектра электронных ловушек в самоактивнрованных кристаллах сульфида цинка методом фракционного термовысвечивання / В.Г. Булла и др. // ЖПС. 1975,- Т.23, №4. - С.648-653.

308. Фотостимулированное формирование малоатомных кластеров серебразаданной дисперсности на поверхности монокристаллов AgCl и ZnS/A.H. Латышев, О.В. Овчинников и др.//Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. № 11-12. С. 75-77.

309. Образование димеров адсорбированных атомов серебра /А.Н. Латышев, О.В.Овчинников и др. //Конд. среды и межф. гран. 2004. Т.6. №3. С.256-259.

310. Photo-induced formation and destruction of clusters adsorbed on ionic-covalent crystal surface / A.N. Latyshev ect.// Symposium A — Photo-Exited Processes & Applications ("3- ICPEPA"), Final book of abstracts, Strasbourg (France), 1999, A-V | P48.

311. Абдулов Г.Ф. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах / Г.Ф. Абдулов, Т.Д. Джафаров. М: Атомиздат, 1980. - 280с.

312. Полякова В.И. Кинетика поверхностных явлений при фотоиндуцированном латеральном взаимодействии между частицами / В. И. Полякова, Г. Г. Телегин // Хим. физ. 1991. - Т. 10, № 2. - С. 273-280.

313. Фотопроцессы на поверхности нанопористого кварца при резонансном воздействии / Ю.А. Быковский и др. // ЖЭТФ, 1998. Т.114. - Вып. 1(7). -С.114-124.

314. Real-space observation of molecular motion induced by femtosecond laser pulses / L. Bartels etc. // Science. 2004. - V.305. - P.648-651.

315. Brune H. Surface diffusion: shifting strings / H. Brune // Nature. 2003. - V.2. -P.778-779.

316. Wang S.C. Diffusion of large surface clusters: direct observation on Ir(III) / S.C. Wang, G. Ehrlich // Phys Rev. Lett. 1997. - V.79. - P.4234-4237.

317. Kawasaki M. Oscillation of the photoionization thresholds of small photolytic silver clusters on silver bromide grain surface / M. Kawasaki, Y.Tsujimura, H. Hada // Phys. Rev. Lett. 1986. - V.57, №22. P.2706-2799.

318. Прямое наблюдение островков AgCl методом сканирующей туннельной микроскопии в реакции хлорирования Ag(lll) / Б.В. Анрюшечкин и др. // Поверхность.- 1999. №7. - С.23-29.

319. Шейнкман М.К. Новое объяснение рекомбинационно-стимулированных явлений в полупроводниках / М.К. Шейнкман // Письма в ЖЭТФ. 1983. -Т.38. - Вып.6. - С.278-280.

320. Корсунская Н.Е. Исследование природы центра рекомбинации, ответственного за полосу люминесценции в области 0.95мкм, в кристаллах CdS(Li) / Н.В. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торженская // ФТП. 1977. -Т.11, №1. - С. 128-131.

321. Sheinkman М.К. The recharge-enhanced transformation of donor-axceptor pairs and clusters in CdS / M.K. Sheinkman, N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich //J. Phys. Chem. 1982. - V.43, N5. - P.475-479.

322. Bierlein I. D. Photocondactivity and luminescence in AgBr(J) microcrystals / I. D. Bierlein // Photogr. Sci. Eng. 1977. - V.21, № 5. - P.241-255.

323. Baraff G.A. Theory of enhanced migration of interstitial aluminium in silicon / G.A. Baraff, M.Schluter, G. Allan // Phys. Rev.Lett. 1983. - V.50. - P.739-742.

324. Елисеев П.Г. О механизме смешения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации / П.Г. Елисеев, И.Н. Завестовская, И.А. Полуэктов // Кв.электр. 1978. - Т.5, №11. - С.203-206.

325. Фотодесорбция химически адсорбированных атомов натрия с поверхности сапфира / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Поверхность. 1992. - №5. -С. 102-107.

326. Фотодесорбция с диэлектрических поверхностей: от нетеплового к псевдотепловому режиму / A.M. Бонч-Бруевич и др. // Изв. РАН Сер. Физ. -1999. Т.63, №4. - С.801-809.

327. Бонч-Бруевич A.M. Адсорбция атомов цезия на структурных дефектах поверхности сапфира / A.M. Бонч-Бруевич и др. // ЖЭТФ. 1997. - Т. 112.3171. Вып.1(7). С.362 - 370.

328. Термическая десорбция атомов серебра с поверхности монокристаллов AgCl / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, А.И. Кустов, О.В. Овчинников и др. // Поверхность. 2001. - №11. - С.76-81.

329. Термические свойства атомов серебра, адсорбированных на микрокристаллах хлористого серебра / А.Н. Латышев, В.Г. Клюев, А.И. Кустов, О.В. Овчинников // ЖНиПФ. 1999. - Т.44, №6. - С.22-25.

330. Овчинников О.В. Устойчивость атомов серебра, адсорбированных на кристаллах хлористого серебра / О.В. Овчинников и др. // ЖНиПФ. 2001. -Т.46, №5. - С.26-29.

331. Устойчивость первичных центров в начальной стадии фотографического процесса /О.В. Овчинников и др. // Межд. симпозиум, Фотография в XXI веке Санкт-Петербург, Тез. докл. М., 2002. С. 31-33.

332. Овчинников О.В. Фотостимулироваиные процессы и адсорбция атомов серебра на поверхности кристаллов хлористого серебра: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / О.В. Овчинников. Воронеж: ВГУ, 2001. - 14с.

333. Свойства атома серебра, адсорбированного на поверхности монокристалла хлористого серебра / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // ЖНиПФ. 2003. - Т.48, №4. - С.25-30.

334. Latyshev A.N. Energy Characteristics of a Silver Atom Adsorbed on the Surface of a Silver Chloride Single Crystal / A.N. Latyshev, O.V. Ovchinnikov, S.S. Okhotnikov etc.// Eurasian phys. techn. journ. 2005. - V.2, №1(3). - P.6-15.

335. Спектральные свойства энергетических состояний атомов и димеров металла, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов / О.В. Овчинников и др. // 3 Межд. конф.: "Фундаментальные проблемы физики": тез. докл. -Казань, 2005. С. 64.

336. Люминесцентное исследование десорбции адсорбированных атомов серебра с поверхности монокристаллов AgCl / А.Н. Латышев и др.// Межд. конф.: "Оптика полупроводников". OS 2000, Тез. докл.- Ульяновск, 2000. С.174.

337. Свойства атомов серебра, адсорбированных на поверхностимонокристаллов AgCl / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // Веер. конф. "Физ.-хим. проц. в конденсированном состоянии и на межфазных границах"-2002, Воронеж: Материалы конф. С. 209-210.

338. Метод масс-спектрометрического напыления кластерных ионов серебра на поверхность монокристаллов AgCl / О.В. Овчинников, С.С. Охотников // Межд. конф.: "Физ.-хим. проц. в неорг. мат.". Тез. докл.- Кемерово, 2001. С.144.

339. Латышев А.Н. Об особенностях взаимодействия напыленных в вакууме малых серебряных кластеров с галогенсеребряной подложкой / А.Н. Латышев // ЖНиПФиК. 1988. - Т.32, № 5. - С.383-385.

340. The role of small silver clusters in photographic / P. Fayet etc. // Z.Phys.D -Atoms, Molecules and Clusters. 1986. - V.3 -P.299-302.

341. Latent-Image Generation by Deposition of Monodisperse Silver Clusters / P. Fayet etc. // Phys. Rev. Lett. 1985. - V. 55, № 27. - P. 3002-3004.

342. Fayet P. Experiment on size-selected metal cluster ions in a triple quadrupole arrangement / P. Fayet, L. Woste // Z.Phys.D Atoms, Molecules and Clusters. -1986.-V.3 - P. 177-182.

343. Браун Я. Физика и технология источников ионов / Я. Браун. М.: Мир, 1998.-295с.

344. Источник ионов для исследования процессов перезарядки на атомах металлов / Р. Н. Галль и др. // ПТЭ. — 1979. — № 5. — С. 177-179.

345. Searcy A.W. Polyatomic species in silver vapor / A.W. Searcy, R.D. Freeman, M.C. Michel // J. Amer. Chem. 1954. - V.76.- P.4050.

346. Френкель Я.И. К теории явлений аккомодации и конденсации / Я.И. Френкель//УФН. 1938. -№1,- С.84-120.

347. Tan Y.T. Model for surface diffusion in AgBr/ Y.T. Tan // J. Appl. Phys. -1975. V.46, №1. - P.469-470.

348. Mitchel J. Elementary processes in the concentration theory of latent ivage formation / J. Mitchel // J. Imag. Sci. 1987. - V.31, № 1. - P. 1 -7.

349. Frieser H. Grundlagen der photographischen prozesse mit silberhalogeniden. Band 3. Die photograp hische empflndlichkeit / von H.Frieser, G.Haase, E.Klein. -Akademische Verlagsgesellschaft. Frankfurt am Main, 1968. - S. 1021-1480.

350. Мейкляр П.В. О форме изоопаки фотографического слоя / П.В. Мейкляр // ДАН СССР. 1952. - Т.85. - С.1255-1258.

351. Hada Н. Measurement of the lifetime of silver atoms on silver bromide grain surfaces in photographic emulsion by the multiflash method / H. Hada, M. Kawasaki // J. Appl. Phys. 1983. V.54, №3. - P. 1644.

352. Kawasaki M. Lifetime of the photolytic silver atom in silver halide photographic emulsion / M. Kawasaki, H. Hada // J. Imag. Sci. 1985. - V.29, №4. P.132.

353. Новиков Г.Ф. Изучение вторичных электрон-ионных процессов в напыленных слоях и порошках бромида серебра методом двухлазерной микроволновой фотопроводимости / Г.Ф. Новиков и др. // ЖНиПФ.- 1997. -Т.42, №4.-С. 1-7.

354. Агеев В.Н. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела / В.Н. Агеев // Поверхность. 1984. - №3. - С.5.

355. Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности / В.П. Жданов .- Новосибирск : Наука, 1988.- 320 с.

356. Levine I.D. Theory and Observation of Intrinsic Surface on Ionic Crystals / L.D. Levine, P. Mark // Phys. Rev. 1966. - V. 144, № 2. - P. 751-763.

357. Физические величины. Справочник. / под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мелихова Москва : Энергоатомиздат, 1991.- 1232 с.

358. Энергетические состояния адсорбированных частиц золота атомно-молекулярной дисперсности /А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // Конд. среды и межфазные границы. 2005. Т.7. №1. С.52-55.

359. Механизм фотонной активации твердофазных процессов /В.М. Иевлев, А.Н. Латышев, Ю.К. Ковнеристый, Т.Л. Тураева, В.В. Вавилова, О.В. Овчинников и др. //Химия высоких энергий. 2005. Т.39. №6. С.455-461.

360. Ernst H.-J. Interband electronic excitation assisted atomic scale restructuring of metal surfaces by nanosecond pulsed laser light / H.-J. Ernst, F. Charra, L. Douillar//Science. 1998. V. 279. № 5351. P. 679-681.

361. Мосс Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М.: Мир, 1976.-431 с.

362. Tutt L.W. A review of optical limiting mechanisms and devices using organics fullerenes, semiconductors and other materials / L.W. Tutt, T.F. Boggess // Prog. Quant. Electr. 1993. - V.17. - P.299-338.

363. Potasek M. All-optical power limiting / M. Potaselc, S. Kim, D. Melaughlin // J. Nonline Opt. Phys. & Mater. 2000. - V.9, №3. - P.343-364.

364. Two photon absorption, nonline refraction and optical limiting in seniconductors / E.W. Van Stryland etc. // Opt. Eng. 1985. - V.24, №4. - P.613-623.

365. Сидоров А.И. Нелинейно-оптическое ограничение инфракрасного лазерного излучения в полупроводниках: автореф. дисс.докт. физ-мат. наук /

366. A.И.Сидоров. СПб.: ФГУП НИИ Лазерной физики, 2004. - 38с.

367. Stokes and anti-Stokes excited visible emission in cadmium sulphide: silver / M.R. Brown etc. // J. of Luminescence. 1970. - V. 1,2.-P. 78-81.

368. Овсянкин В.В. Кооперативная сенсибилизация люминесценции галоидосеребрянных солей и спектральная сенсибилизация фотографических эмульсий / В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // Докл. АН СССР. 1967. - Т.174, №4. - С.787-790.

369. Овсянкин В.В. Кооперативная люминесценция конденсированных сред /

370. B.В. Овсянкин, П.П. Феофилов //ЖПС. 1967. - Т.7, №4. - С.498-505.

371. Ицкович Л.Н. Сенсибилизированная люминесценция фотографических слоев / Л.Н. Ицкович, П.В. Мейкляр // ЖНиПФиК. 1969. - Т. 14, №2. - С. 132135.

372. Ицкович Л.Н. Зависимость кооперативной сенсибилизированнойлюминесценции от концентрации ионов галогена па поверхности эмульсионных кристаллов / JI.H. Ицкович // Опт. и спектр. 1970. - Т.28, №6. -С.1216-1217.

373. Овсянкин В.В. Двухквантовое кооперативное преобразование частоты слабых световых потоков / В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // Письма в ЖЭТФ.- 1971. Т.14. - С.548-551.

374. Овсянкин В.В. Кооперативная сенсибилизация люминесценции кристаллах, активированных редкоземельными ионами /В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // Письма в ЖЭТФ. 1966. - Т.4. - С.471-474.

375. Овсянкин В.В. Кооперативные процессы в люминесцирующих системах / В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // Изв. АН СССР. сер. физ. 1973. - Т. 37, №2.- С.262-272.

376. Auzel F. Compteur quantique par transfer d'energie entre deux ions de terres rares dans un tundstate mixte et dans un verre / F. Auzel // C.r. Acad. Sci. B. 1966.- V.262.-P.1016-1019.

377. Auzel F. Compteur quantique par transfer d'energie de Yb , Tm dans un tundstate mixte et dans un verre germinate / F. Auzel // C.r. Acad. Sci. B. 1966. -V.263. - P.819-821.

378. Казарян A.K. Антистоксово преобразование излучения в люминофорах с редкоземельными ионами / А.К. Казарян, Ю.П. Тимофеев, М.В. Фок // Труды ФИАН. 1986.- Т. 175. - С.4-65.

379. Овсянкин В.В. Об эффективности кумуляции энергии возбуждения в кристаллах BaF2-Er / В.В. Овсянкин // Опт. и спектр. 1970. - Т.28.- Вып.1. -С.206-208.

380. Акимов И.А. Оптическая сенсибилизация внутреннего фотоэффекта в бромиде серебра органическими красителями / И.А. Акимов, А.Н. Теренин // ЖНиПФиК. 1961. - Т.6, №2. - С. 108-116.

381. Ицкович JI.H. Влияние химического созревания и концентрации красителя на сенсибилизированную люминесценцию эмульсионных слоев / Л.Н. Ицкович, П.В. Мейкляр // ЖНиПФиК. 1969. - Т.14, №4. - С.288-289.

382. Ицкович Л.Н. Влияние кислорода на сенсибилизированную люминесценцию бромойодосеребряных слоев / Л.Н. Ицкович // ЖНиПФиК. -1970.-Т. 15, №3. С.217-218.

383. Ицкович Л.Н. Антистоксова люминесценция спектрально сенсибилизированных фотографических слоев: автореф. дисс.канд. физ.мат. наук / JI.H. Ицкович. Казань: КГУ, 1971. - 20с.

384. Овсянкин В.В. Двухквантовый механизм сенсибилизированного фотолиза галоидных солей серебра / В.В. Овсянкин, П.П. Феофилов // ФТТ. -1975. Т.17. - Вып.4. - С.1075-1079.

385. Белоус В.М. Сенсибилизированная 1,Г-диэтил- 2,2'-цианином люминесценция бромсеребряных эмульсий, содержащих сернисто-серебряные кластеры / В.М. Белоус, В.И.Толстобров, Б.И. Шапиро // ЖНиПФиК. 1980. -Т.25, №2. - С. 135-137.

386. Садыкова А.А. Антистоксова люминесценция фотослоев / А.А. Садыкова, И.С. Логинова, П.В. Мейкляр // Опт. и спектр. 1983. - Т.55, №1. -С.74-77.

387. Мейкляр П.В. Физические процессы при спектральной сенсибилизации фотографических слоев / П.В. Мейкляр // ЖНиПФиК. 1990. - Т.35, №6. -С.483-491.

388. Мейкляр П.В. О механизме спектральной сенсибилизации фотографических слоев / П.В. Мейкляр // ЖНиПФиК. 1992. - С.467-472.

389. Антистоксова люминесценция нанокристаллов AgCl / А.М.Смирнова, О.В. Овчинников и др. // IV Всерос. конф.: "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах": матер, конф. -Воронеж: "Научная Книга", 2008. С. 502-504.

390. Ivanov V.Yu. Anti-Stokes luminescence in chromium-doped ZnSe / V.Yu. Ivanov, etc. // Phys. Rev. B. 1996. - V.56. - P.4696-4701.

391. Anti-Stokes photoluminescence of InP self-assembled quantum dots in the presence of electric current / I.V. Ignatiev etc. // Phys. Rev. B. 1999. - V.60 - P. R14001-R14004.

392. Photoluminescence upconversion in colloidal CdTe quantum dots /X.Wang etc. //Phys. Rev.B. 2003. - V.68. - P. 125318-1-125324-6.

393. Chen W. Up-conversion luminescence of Mn in

394. ZnS:Mn /W. Chen, A.G. Joly, J.Z. Zhang//Phys. Rev. B. 2001. V.64. P.041202-1-041202-4.

395. Iterface-induced conversion of infrared to visible light at semiconductor interfaces /F.A.J.M. Driessen, etc. // Phys. Rev. B. 2001. - V.64. - P.R5263-R5266.

396. Branstein R. Optical double-photon absorption in CdS / R. Branstein, N. Ockhman // Phys. Rev. 1964. - V.134, №2A - P. 499-507.

397. Беликова Т.П. Особенности двухфотонного возбуждениялюмиенсценции ZnS-Cu / Т.П. Беликова, Э.А. Свириденков // ФТП. — 1967. — Т.1,№4.-С. 606-608.

398. Ашкииадзе Б.М. Экспериментальное наблюдение процесса трехквантового поглощения в сульфиде кадмия / Б.М. Ашкинадзе, С.М. Рыбкин, И.Д. Ярошецкий // ФТП. 1968. - Т.2, №10- С. 1540-1542.

399. Бекманн Е. Антистоксова экситонная люминесценция кристаллов CdS / Е. Бекман, И. Брозер, Р.Брозер // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. - Т. 37, №2.- С.329-333.

400. Halsted R.E. Two-stage optical excitation in sulfide phosphors / R.E. Halsted, E.F. Apple, J.S. Prener//Phys. Rev. Letts. 1959. - V.2. - P. 420-421.

401. Halsted R.E. Two-step optical excitation in CdS and ZnS / R.E. Halsted, E.F. Apple, J.S. Prener // Proc. Intern. Conf. Semiconductor Physics. Prague. 1960, 1961.-P. 776-778.

402. Оптические свойства сульфида кадмия с двухступенчатым возбуждением / Б.М. Гугель и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969. - Т.ЗЗ, №6. - С. 955-957.

403. Apple E.F. Anti-Stokes luminescence / E.F. Apple // J. Electrochem.Soc. -1969.-V. 116,-P. 120.

404. Carlone C. On the anti-Stokes fluorescence in CdixZnxS crystals / C.Carlone, A.Beliveau, N.L.Rowell.// J. of Luminescence. 1991. - V.47. -P.303.

405. Беликова Т.П. Особенности двухфотонного возбуждения люмиенсценции ZnS-Cu / Т.П. Беликова, А.Н. Савченко, Э.А. Свириденков // Изв. АН СССР, сер.физ. 1971. - Т.35, № 7. - С. 1454-1457.

406. Heimbrodt W. Giant anti stokes photoluminescence from semimagnetic heterostructures / W. Heimbrodt, M. Happ, F. Henneberget // Phys. Rev. B. - 1999.- V.60, № 24 R 16326-16329.

407. Band alignment and photoluminescence up-conversion at the GaAs (fordered) GaInP2 heferojunction / J. Zeman etc. // Phys. Rev. 1997. - V.55, №20. - P. 13428-13431.

408. Dinamics of anti-Stokes photoluminescence in type II AlxGajxAs-As-GaInP2 the impotent role of long-lived carries near the interface / Y.H. Cho etc. // Phys. Rev.B. 1997. - V.56, №8. - P.R4375-R4778.

409. Photoluminescence up-conversion in GaAs/AlxGaixAs heterostructure / H.M. Cheong etc. // Phys. Rev.B. 1998. - V.58, №8. - P.R4254-R4257.

410. High-efficiently energy up-conversion by an "Augel -Fountain" at in InP

411. AlInAs type II heterijunction /W. Seidel etc. // Phys. Rev.Lett. 1994. - V.73, №17. - P.2356-2359.

412. Зегря Г.Г. Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах / Г.Г. Зегря, В.А. Харченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1992. -Т.101, №1. - С.327-343.

413. Мейкляр П.В. К теории оптической сенсибилизации фотографической эмульсии / П.В. Мейкляр, Б.И. Степанов // Докл. АН СССР. 1946. - Т.54, №9. - С. 799-802.

414. Frank J. Migration and Photochemical Action of Excitation Energy in Crystals / J. Frank, E. Teller // J. Chem. Phys. 1938. - V. 6., I. 12. - P. 861-872.

415. Rousseau D.L. Two-Photon Induced Chemical Reaction in AgCl / D.L.Rousseau, G.E. Leroi, G.L. Link // J. Chem. Phys. 1965. - V. 42., I. 11. - P. 4048-4049.

416. Фотохимическая сенсибилизация антистоксовой люминесценции твёрдых растворов AgCl0.95I0.05 / А.Н.Латышев, О.В. Овчинников и др.// II Веер. Конф. "Физ.-хим.проц. в конд. сост. и на межф. границах". "ФАГРАН-2004": Мат. конф. Воронеж-2004. т.1. С.261-263.

417. Неорганические люминофоры / О.Н. Казанкин и др.. Л.: «Химия», 1975.-85с.

418. Справочник химика. Основные свойства неорганических и органических соединений / под ред. Б.П. Никольского. Л.: Химия, 1971 - 1168с.

419. Фотостимулированное образование центров нелинейного поглощения света в ионно-ковалентных кристаллах / А.Н. Латышев, О.В. Овчинников и др. // Фунд. Пробл. физики, Казань, 13-18 июня 2005 г.: Тез. 3-й Межд. конф.- Казань. 2005. - С. 65.

420. Егоров Е.Е. Теория J полосы от экситонов Френкеля к переносу заряда /Е.Е. Егоров, М.В. Алфимов //УФН. - 2007. - Т. 177, № 10. - С. 1033 - 1081.

421. Феофилов П.П. Кооперативные оптические явления в кристаллах / П.П.Феофилов // Материалы IV зимней школы по физике полупроводников. -1970. С.441-470.

422. О влиянии переходов через глубокие примесные центры на процесс нелинейного поглощения света в полупроводниках / Д.П. Дворников и др. // ФТП. 1976. - Т. 10, № 5. - С.2316 — 2320.

423. Koffyberg F.P. Thermoreflectance spectra of CdO: Band gaps and band-population effect /F.P. Koffyberg// Phys. Rev. B. 1976. - V.13, №10. - P.4470-4476.

424. Zou B.S. Optical properties of amorphous ZnO, CdO, and PbO nanoclusters in solution / B.S. Zou, V.V. Volkov, Z.L. Wang // Chem. Mater. 1999. - V.ll. -P.3037-3043.

425. Лазерные фосфатные стекла / H.E. Алексеев и др.. М:Наука, 1980. -352с.

426. Forster Th. Zwischenmole kulare energiewanderungnud fluoreeczens / Th. Forster // Ann.Phys. 1948. - Bd.2, №1-2. - S.55-75.

427. Галанин М.Д. Тушение флуоресценции средой, поглощающей свет / М.Д. Галанин, И.М. Франк // ЖЭТФ. 1951. - Т.21. - Вып.2. - С. 114-120.

428. Dexter D.L. A theory of sensitized luminescence in solider / D.L. Dexter // J. Chem. Phys. 1953. - V.21. - P.835-850.

429. Davydov A.S. The radiationless transfer of energy of electronic excitation between impurity molecules in crystals / A.S. Davydov // Phys.Stat.Sol. 1968. -V.30. - P.357-366.

430. Dexter D.L. Effect of slow vibrational relaxation on anomalous Stokes-shifted luminescence and energy transfer in solids / D.L. Dexter // Phys.Stat.Sol.(b) — 1972. V.51.-P.571-578.

431. Кожушнер M.A. Теория индуктивно-резонансного переноса энергии в твердых телах / М.А. Кожушнер // ФТТ. 1971. - Т. 13. - Вып.9. - С.2601-2609.

432. Агатскян А.С. О критериях применимости теории резонансной передачи энергии / А.С. Агатскян, А.О. Меликян // Опт. и спектр. — 1972. — Т.32. — Вып.2. -С.288-295.

433. Толстой М.Н. Безызлунательная передача энергии между редкоземельными ионами в кристаллах и стеклах / М.Н. Толстой // Спектроскопия кристаллов. М.: Наука, 1970. - С.124-135.

434. Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения / B.JI. Ермолаев и др.. JI: Наука, 1977. - 311с.

435. Агранович В.М. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах / В.М. Агранович, М.Д. Галанин. М: Наука, 1978. -384с.

436. Химия: Энциклопедия / под ред. И.П. Кнуянца. М.: Большая российская энциклопедия, 2003. - С. 130-131.

437. Киселев А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ / А.В. Киселев, В.И. Лыгин. М.: Наука, 1972. -459с.

438. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул / Л. Литтл. -М.: Мир, 1969.-514с.

439. Взаимодействие тиакарбоцианиновых красителей с поверхностью золей бромида серебра / А.Ф. Гузенко и др. // ХВЭ. 2005. - Т. 39, № 5. - С. 367372.

440. Вартанян А.Т. Спектры поглощения возогнанных слоев красителей /

441. А.Т. Вартапян // Журн. физ. хим. 1956. - Т. XXX. - Вып. 5. - С. 1028 - 1043.

442. Накаииси К. Инфракрасные спектры и строение органических соединений /К. Наканиси. М.: Мир, 1965. — 216с.

443. Беллами JI. Инфракрасные спектры сложных молекул / JI. Беллами. — М.: Иностр. лит-ра, 1963. — 590с.

444. Гордон А. Спутник химика: физико-химические свойства, методики, библиография / А. Гордон, Р. Форд. М.: Мир, 1976. - 541с.

445. Беллами J1. Новые данные по инфракрасным спектрам сложных молекул /Л. Беллами. -М.: Мир, 1971.-318с.

446. Большаков Г. Ф. Инфракрасные спектры и рентгенограммы гетероорганических соединений / Г.Ф. Большаков, Е.А. Глебовская, З.Г. Каплан. Л.: Ленинградское отделение. Химия, 1967. - 168с.

447. Бранд Дж. Применение спектроскопии в органической химии / Дж. Бранд, Г. Эглинтон. М.: Мир, 1967. - 279с.

448. Плиев Т. Н. Молекулярная спектроскопия: в 5-ти т. / Т.Н. Плиев. -Владикавказ: Иристон, Т. 2. 2001. - 543 с.

449. ИК и УФ спектры комплексов N винилазолов с органил галогенстаннанами / Н.Н. Чипанина и др. // Химия гетероц. соед. - 1973. -№12. -С. 1676-1681.

450. Гришина А. Д. Инфракрасные спектры продуктов фотодиссоциации комплексов с переносом заряда между ароматическими аминами и бромсодержащими акцепторами / А.Д. Гришина, М.Г. 'Гедорадзе, А.В. Ванников // ЖНиПФиК. 1992. - Т. 37, № 1. - С. 54-61.

451. Nonlinear optical energy regulation by nonlinear refraction and absorption in silicon / T.F. Boggess et al. // Opt. Lett.-1984.-V.9, N7. - P.2407-2413.

452. Optical limiting in GaAs / T.F. Boggess et al. // IEEE J. Quant. Electron.-1985.-V.21, N5. -P.488-494.

453. Багров И.В. Ограничение лазерных импульсов нано- и микросекундного диапазона в компенсированном арсениде галлия / И.В. Багров, А.П. Желваков,

454. A.И. Сидоров //Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27. - Вып. 10. - С.26-28.

455. Ultrafast response of nonlinear refractive index of silver nanocrystals embedded in glass / Y.Hamanaka et al. //. Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75, N12. -P.1712-1714.

456. Kyoung M. Nonlinear absorption and refractive index measurements of silver nanorods by Z-scan technique / M. Kyoung, M.Lee // Opt. Comm. 1999. - V.171. - P.145-148.

457. Михеева О.П. Ограничение излучения видимого и ближнего ИК диапазонов наночастицами фторида кальция / О.П. Михеева, А.И. Сидоров // Опт. журн. 2003. - Т.70, №12. - С.91-93.

458. Study of Z-scan charachteristics of cascaded nonlinear media / W.P. Zang et al. // Appl. Phys.B. 2003. - V.77. - P.529-533.

459. Оптически однородные наноматериалы с антистоксовой люминесценцией / О.В. Овчинников и др. // Нанофотоника: Сборник тезисов докладов. Симпозиум 18-22 сентября 2007 г. Черноголовка. С. 138.

460. Нелинейно-оптический материал и способ его получения /Латышев А.Н., Овчинников О.В и др.//Пат. РФ Заявка №2007138062 от 16.10.2007 г (в печ.).

461. Барачевский В.А. Органические регистрирующие среды с фотоиндуцированной флуоресценцией / В.А. Барачевский, М.В. Алфимов,

462. B.Б. Назаров // ЖНиПФ. 1999. - Т. 44, №3. - С.66-73.

463. Tsujioka T. High-Density Optical Memory using Photochromic Diarylethenes / T. Tsujioka // Mol. Cryst. and Liquid Cryst. 2000. - V.344. - P.51.

464. Барачевский В.А. Прикладные направления органической фотохимии /

465. B.А. Барачевский // ХВЭ. 2003. - Т. 37, №1. - С. 8-19.

466. Акимов Д.А. Оптимизация двухчастотной оптической записи информации в фотохромных материалах на основе поляризационной зависимости сечения двухфотонного поглощения / Д.А. Акимов // Квант, электр. 1996. - Т.23, №10. - С.871-875.

467. Считывание информации с помощью однофотонной и двухфотонной люминесценции в устройствах трехмерной оптической памяти на основе фотохромных материалов / Д.А. Акимов и др. // Квант, электр. 1998. - Т.25, №6. - С.563-570.

468. Mizuno Т. Three-Dimensional Optical Memory in a Photoacid-Induced Recording Medium / T. Mizuno, K. Yamasaki, H. Misawa // Jap. J. Appl. Phys., Pt 1.-2005.- V.44.-P.6593.

469. Чибисов К.В. Очерки об истории фотографии / К.В. Чибисов. М.: Наука, 1987.-212с.

470. Люминесцентный фотографический процесс на основе фотоактивации сульфидов цинка и кадмия / А.Н. Латышев и др. // ЖНиПФ. 1986. - Т. 31.1. C.379.

471. Possibility of digital photography using luminescent materials / A.N. Latyshev, V.G. Klyuev, O.V.Ovchinnikov etc. // Proc. Beijing Intern. Conf. of Imaging: Technology & Application for 21st Century. China. May 23-26. 2005. -P.318- 319.

472. Г.С. Жданов, M.H. Либенсон, Г.А. Марциновский. Оптика внутри дифракционного предела: принципы, результаты, проблемы // УФН. 1998. Т. 168. №7. С.801 - 804.

473. С.К. Секацкий, Б.Н. Миронов, В.О.Компанеец и др. Невозмущающая визуализация света в ближнем поле с помощью фемтосекундных импульсов// Изв РАН. сер. физ. 2004. Т.68. №1. С.134 - 136.

474. Ю.Н. Воронин Принципиальные схемы и основные элементыближнепольных растровых оптических микроскопов // Оптический журнал. — 1995.-№6.-С. 4- 13.

475. Kopelman R. Optical Microscopy, Spectroscopy, and Chemical Sensors R. /Kopelman, W. Tan // Appl.Spectr. Rev. 1994.- V.29.- № 1,- p. 39 - 66.

476. P.Pantano, D. R. Walt Toward a near-field optical array // Rev. Sci. Instrum. 1997,- V. 68,- № 3. - P. 1357 - 1359.

477. Замараев К.И. Химические методы преобразования солнечной энергии / К.И. Замараев, В.Н. Пармон // В кн. Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии. Новосибирск: Наука, 1985. — С.2-42.

478. Пармон В.Н. Предельно возможные к.п.д. преобразования солнечной энергии в химическую / В.Н. Пармон // В кн. Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии. Новосибирск: Наука, 1985. - С.42-58.

479. Meissner D. Light-induced generation of hydrogen of CdS-monograin membranes / D. Meissner, R. Memmig, B. Rastening // Chem. Phys. Lett. 1983. -V.96, N1. - P.34-37.

480. Крюков А.И. Наноструктурные композитные фотокатализаторы на основе поликристаллического сульфида кадмия / А.И. Крюков, С.Я. Кучмий, В.Д. Походенко // Теор. и эксперим. химия. 1997. - Т.33, №5. - С.306-321.