Оптические свойства дислокаций в полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава 1.Обзор

1.1 Системы скольжения,структура и морфология дислокаций в ковалентных полупроводниках.

1.2 Дислокационные состояния в запрещенной зоне.

1.3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии. '

1.4 Дислокационная люминесценция в кремнии и германии.

1.5 Влияние примесей

1.6 Ориентационное вырождение центров

1-7 Модели

1.8 Рекомбинационные свойства дислокаций4 б

Работа посвящена исследованию свойств дислокаций, связанных с излучательной рекомбинацией через дислокационные состояния. В качестве основного исследуемого материала был выбран кремний ковалентный полупроводник с максимально изученными собственными свойствами и доступный в виде совершенных монокристаллов с известным содержанием примеси. Ряд свойств дислокаций, связанный с прямолинейными дислокационными сегментами исследовался параллельно на германии и кремнии. Некоторые интересные особенности дислокаций, связанные с упругими полями напряжений вокруг дислокаций бьши исследованы на монокристаллах фуллерита СеоА занимающего промежуточное положение между полупроводниковыми и молекулярными кристаллами.

Основная задача - определение природы центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. В прикладном аспекте исследовалась эффективность дислокационной люминесценции с точки зрения ее использования для создания светоизлучаюш?1Х диодов на основе кремния.

Актуальность работы. Полупроводниковый кремний продолжает оставаться основным материалом в электронной промьш1 ленности. Несмотря на то, что технология получения чистого совершенного материала достигла огромных успехов: на сегодняшний день монокристаллы кремния являются самыми чистыми искусственно получаемыми материалами, а степень их кристаллического совершенства близка к идеальной, необходимость исследования дефектов в полупроводниковом кремнии остается по-прежнему актуальной.

• Большинство существующих технологий изготовления приборов приводят к генерации дефектов. В частности, это относится к дислокациям, которые генерируются при релаксации упругих полей вокруг преципитатов, возникаюшзхЕх в процессе таких технологических процессов как легирование, гетерирование и термообработки.

• Дислокации представляются весьма интересным объектом исследования в силу своих специфических свойств. Так, в отличие от большинства полупроводников, в которых дислокации гасят рекомбинационное излучение, оказывая тем самым нежелательное воздействие на их оптические свойства, в элементарных полупроводниках германии и кремнии реализуется противоположная ситуация- Собственное излучение в них также гасится при введении дислокаций, но одновременно возникают новые линии дислокационной фотолюминесценции (ДФЛ) , которые отличаются большой интенсивностью и температурной стойкостью.

• Дислокации являются «природным» нанообъектом с уникальными свойствами и поэтому представляют интерес для бурно развивающейся сейчас физики наноструктур

• Изучение люминесцентных свойств дислокаций в полупроводниках, установление связи между энергией и интенсивностью линий ДФЛ и конкретной морфологией и структурой дислокаций привело к появлению удобного неразрушающего метода экспресс диагностики образцов, прошедших ту или иную технологическую обработку. к началу выполнения этой работы была известна ДФЛ в германии и были получены первые сообщения о ДФЛ в кремнии. Эксперименты по этой тематике были сосредоточены в единичных лабораториях Германии, Японии и Соединенных штатов. Не бьша известна природа излучающих центров, не изучено взаимное влияние дислокаций и точечных дефектов.

Целью работы бьши изучение связи линий ДФЛ с конкретной структурой дислокаций в германии и кремнии, исследования влияния условий деформации и термической обработки на модификацию дислокационных центров, изучение особенностей дислокационных состояний, связанных с одномерной природой дислокаций.

Научная новизна работы. Впервые определена природа некоторых линий ДФЛ. Обнаружена температурная стойкость длинноволновых дислокационных центров излучательной рекомбинации, развита модель излучательной рекомбинации на дислокациях и найдены условия повьш1ения ее эффективности. Логическим продолжением этих исследований явилось изготовление светоизлучаюшлх диодов на 'основе деформированного кремния и первое получение электролюминесценция при комнатной температуре.

Обнаружено, что дислокации активно образуют комплексы с кислородом, что приводит к сильно]угу изменению спектра в области линии Д1 в кремнии. Показано, что в результате собирания дислокациями межузельного кислорода и образования повьшхенной концентрации кислорода вокруг дислокация даже в кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки (низкое содержание кислорода) возможно образование термодоноров в окрестности дислокаций. Это явление приводит к возникновению новых излучающих центров на основе дислокационных состояний и уровней термодоноров. Экспериментально обнаружено явление зависимости электрон- фононного взаимодействия от протяженности волновой функции глубоких дислокационных состояний, связанное с одномерной природой дислокации. Это явление представляет не только теоретический интерес. С практической точки зрения оно открывает принципиальную возможность повьщ1ения квантового выхода дислокационного излучения за счет ограничения многофононной диссипации энергии.

Практическая значимость работы определяется созданием методики неразрушающего контроля и диагностики кристаллов креьшия, позволяющего быстро определить особенности структуры и ориентировочную плотность дислокаций, возникших в результате обработки образцов или релаксации напряжений в квантовых структурах, например, в гетеросруктурах типа 316е/3±. Проведена большая работа на пути практического применения дислокационного излучения. На основе выполненных фундаментальных исследований предложено на уровне изобретения устройство для повьшзения интенсивности дислокационного излучения (Авторское свидетельство №1307912 «Способ обработки полупроводниковых кристаллов со структурой алмаза для полупроводниковых излучателей дислокационного излучения» 1 9 8 5г. ) .

Впервые создан светоизлучаюш?< [й диод на основе кремния с дислокациями, работающий до комнатной температуры

Phys. Rev. В 51 Nol 6 1052 0-10 52 6 (1 9 9 5)). Это позволяет надеяться на создание оптоэлектронных приборов на основе кремния.

1. Обзор.

Задача исследования дислокационных состояний в полупроводниках насчитывает уже без малого пол века. Первая волна исследований связывалась, главным образом, с возможностью обнаружения новых явлений, обусловленных трансляционной симметрией вдоль дислокаций и возможностью транспорта носителей вдоль дислокационных линий. На рисунке 1-1а показана атомная модель 60° ди слокации.

Начиная с работы Шокли [ 1 ] , где была предложена модель о разорванных связях в ядре нерасщепленной 60° дислокации и статистике заполнения дислокационных акцепторов, разработанной Ридом в полуклассическом приближении [2,3] число работ росло экспоненциально .

К середине семидесятых . годов число работ, посвященных дислокациям было огромно. Был открыт целый ряд новых явлений. В частности, было показано, что в элементарных полупроводниках большинство 60° дислокаций расщеплены (Рис.1-16, т.е. в ядре дислокации должно быть больше оборванных связей, чем это следовало из простой модели. В то же время, явственно обозначилась 1

Рисунок 1-1, 1- Полная 60° Диссоциированная 60° glide-set дефекта упаковки соединяет дислокации Шокли - слева 30°

90°- частичная. По данным ТЕМ, равновесная ширина дефекта упаковки дислокация . 2-дислокация. Лента две частичные частичная, справа реальная d в S i порядка 15 - 17 постоянных решетки 2 тенденция противоречивости экспериментальных данных, полученных в разных лабораториях. Это, естественно, наводило на мысль, что многие свойства дислокаций не столько связаны с самими дислокациями, сколько с некоторыми особенностями структуры дислокаций и их взаимодействием с примесями. Действительно, к настоящему времени большинство исследователей [4-9] уверены, что дислокации в ковалентных полупроводниках реконструированы, т.е. практически все оборванные связи замыкаются попарно (Рис. 1-2) . Это означает, что в запрещенной зоне не должно быть глубоких уровней, по крайней мере их

Рисунок 1-2. Вид атомной плоскости [11Г содержащей ядра 30° и 90° частичных дислокации Шокли [10]. А) -нереконструированные ядра. В) - реконструированные. APD - дефект реконструкции -топологический солитон, содержащий оборванную в ^ ™ ■ и. связь. Солитон имеет спин

1/2 и нулевой электрический заряд.

30 - градусная 90 • градусная часгичная дислокация частичная дислокация концентрация должна быть существенно меньше, чем число мест в ядре дислокаций. Следовательно, естественно предположить, что экспериментально наблюдаемые глубокие состояния связаны либо с какими-то сложными конфигурациями в структуре собственно дислокаций, либо это некие комплексы примесных атомов с дислокацией. Таким образом, предмет исследования оказался значительно сложнее, чем это казалось из простых геометрических соображений. Актуальность изучения дислокаций при этом возросла, т.к. было установлено, что дислокации играют значительную роль в формировании свойств полупроводников.

Вторая волна интенсивного исследования дислокаций была связана с развитием полупроводниковой электроники. Учитывая, что 99% электроники связано с кремниевыми технологиями, основное внимание было уделено кремнию. К этому времени накопилась информация о вредном влиянии дислокаций. В частности, было обнаружено, что дислокации, как одномерные дефекты, обладают проводимостью. Это приводило к элементарному закорачиванию схем. Поэтому дислокации стали изучаться по принципу, чтобы с врагом успешно бороться его надо знать. Одновременно успешно развивались ростовые технологии, что позволило получать практически бездислокационные кристаллы. Это, кстати, послужило основой для утверждения, что дислокационная наука исчерпала себя: нет необходимости изучать дефекты, которые можно просто устранить. Однако, этот период продолжался недолго, развитие технологий вновь поставило вопрос о дислокациях. С одной стороны уменьшение размеров приборов и уплотнение схем увеличивает влияние отдельных дислокаций. С другой стороны шла постоянная работа по увеличению диаметра слитка, чтобы за один технологический процесс получать большее количество приборов, что усложнило технологию получения бездислок'ационных слитков. Кроме того многие технологические процессы, как например легирование или метод диффузионной очистки материалов приводят к генерации большого количества вакансий и междоузлий, которые, в свою очередь, могут конденсироваться в дефекты ограниченные дислокациями. Развитие наноструктурных технологий на основе кремния германия также возвращают нас к дислокациям, так как за счет напряжения несоответствия кристаллических решеток в этих структурах практически всегда генерируются дислокации.

Но не только вредными влияниями известны дислокации. Хорошо известно, что дислокации являются стоком для собственных дефектов и примесей, поэтому они применяются для гетерирования.

Наконец, в последнее время обсуждается еще один, на первый взгляд неожиданный, аспект полезного применения дислокаций: это задачи оптоэлектроники и, прежде всего, создание эффективных источников излучения на основе кремниевых технологий. В условиях, когда практически вся полупроводниковая промышленность основана на кремнии, задачи оптоэлектроники решаются на основе А3В5 соединений, что, конечно, значительно удорожает процесс производства. Поэтому с конца семидесятых годов идут интенсивные попытки создания излучательных диодов на основе кремния. Хорошо известно, что эффективность излучения в кремнии довольно незначительна в силу его непрямозонной структуры. Поэтому задача заключается в том, как обойти правила отбора. Сюда можно отнести и работы по пористому кремнию и, вообще, создание наноструктур. Внедрение специальных примесей, в которых высока эффективность внутренних переходов, в частности, Ег и так далее. В настоящее время появились предпосылки, что дислокации могут оказаться многообещающим объектом для изготовления кремниевых светоизлучающих диодов. В частности еще в 1995

РОДУ нами была опубликована статья об

13готовлении дислокационного светоизлучающего 5иода, работающего при комнатной температуре. 1римерно через год после этого этот результат Зыл повторен немецкой группой на дислокациях зозникающих при лазерной рекристаллизации 31. Наконец, совсем недавно в марте 2001 года в А1АТиКЕ была опубликована статья о получении электролюминесценции при комнатной температуре ла дислокациях, возникающих в результате конденсации собственных дефектов.

Таким образом, с прикладной точки зрения цислокации представляют интерес как

• активные центры рекомбинации электронов и дырок

• линейные проводящие цепочки

• эффективные гетеры примесей и собственных дефектов

• источники эффективного излучения.

С фундаментальной точки зрения дислокации интересны как одномерные электронные системы, являясь «природным» объектом для физики низко размерных систем. В частности, в настоящей работе будет обсуждаться фононное взаимодействие в такой системе.

1,1 Системы скольжения, структура и морфология дислокаций в ковалентных полупроводниках.

Результаты различных методов исследования показывают, что в кристаллах с гранецентрированной (гцк) решеткой, к которым относятся германий и кремний, система скольжения { 111}<110> является основной. Это означает, что при пластической деформации кристаллов подавляющее большинство дислокаций имеют вектор сдвига, или как его принято называть вектор Бюргерса (Ь) , типа <110 > и движутся в плоскостях {111}. Фактически в общем случае могут одновременно действовать 12 систем скольжения: в каждой из четырех плоскостей типа {111} активны три вектора Бюргерса. Поскольку энергия полной дислокации пропорциональна ЬА, стабильной является дислокация с наименьшим возможным вектором Ь =1/2<110>. Отсюда следует важный вывод о возможности расщепления полных дислокаций. Действительно, если выполняется условие,

ЫЛ >ь 2л + Ьзл (1.1) где bi вектор Бюргерса полной дислокации, а Ьг и Ьз векторы Бюргерса расщепленных дислокаций. Поскольку bi наименьший возможный вектор Бюргерса в совершенной решетке, Ьг и Ьз соответствуют

Рисунок 1-3. 1- Атомы в плоскости (111) . Показаны юлная дислокация с вектором Бюргерся Ч [-101] и ее расщепленные частичные дислокации Шокли. 2 [Диссоциация полной дислокации на частичные дислокации Покли. (Дж.Хирт и И.Лоте, Теория дислокаций, Москва, \томиздат, 1972) искаженной решетке, или, как принято говорить, структуре с дефектом упаковки. Рисунок 1-3 иллюстрирует эту ситуацию. В модели твердых шаров движение атома непосредственно из а в с должно приводить к большим расширениям решетки, нормальным к плоскости скольжения, и, следовательно, к большой энергии несовпадения, чем движение из а в Ь, затем из Ь в с. Поэтому с энергетической точки зрения последний путь является предпочтительнее. Но в промежуточной позиции Ь положение атомов (по вертикали перпендикулярно плоскости скольжения) совпадает с композицией дефекта упаковки вычитания, т.е. отсутствие одной плоскости в стандартной последовательности плоскостей в гцк структуре. Таким образом, дефект упаковки вычитания является результатом движения частичной дислокации Шокли (Рис.1-3) 1/6 [ 2 11]. Важно отметить, что дефект перемещается, восстанавливая правильное положение атомов, соответствующее идеальной решетке, при скольжении второй частичной дислокации 1/6 [ 1 1 2 ] . Применение критерия (1.1) показывает, что упругая энергия деформации в кристалле уменьшается при диссоциации полной дислокации на частичные. Согласно теории упругости частичные дислокации в расщепленной дислокации отталкиваются друг от друга с силой, пропорциональной 1/г, где г расстояние между частичными дислокациями. С другой стороны, образование дефекта упаковки увеличивает энергию у на единицу длины дислокации и сопровождается появлением силы притягивания между частичными дислокациями. Ситуация, когда эти две силы раны, называется равновесной, а соответствующее расщепление равновесным. В кремнии величина равновесного расщепление равна примерно б нм, что составляет около 17 элементарных шагов, равных 0.333 нм. Здесь важно отметить, что величина расщепления может меняться дискретным образом.

АРасщепление полных дислокаций на частичные приводит к интересным динамическим эффектам в структуре и морфологии дислокаций. Поскольку сила, действующая на дислокацию, равна

Г = хЬ (1.2)

Силы, действующие на частичные дислокации оказываются разными, что приводит к увеличению или к уменьшению равновесного расщепления, в зависимости от порядка следования частичных дислокаций (Рис.1-4)

При снятии внешней нагрузки дислокации релаксируют к равновесному расщеплению. Однако,

Рисунок 1-4. Схема дислокационной петли, расширяющейся под действием внешней силы. Динамическое расщепление зависит от последователности частичных дислокаций по отношению к направлению сдвигового напряжения.

Рисунок 1-5. Схема изменения величины расщепления, полученная при измерении петли, приведенной в статье (Ray and Cockayne 1971) . Рисунок взят из ст. K.Wessel and H.Alexander, Phyl.Mag. 1977, 55 , 1523. учиа?ывая, что движение дислокаций термоактивируемо, можно снять нагрузку при температуре ниже предела, необходимого для движения дислокаций. Это приведет к замораживанию» неравновесной дислокационной структуры. На рис, 1-5 показана соответствующая ситуация. Разумеется термин «равновесная» можно применять по отношению к дислокациям, как условный, поскольку сами дислокации ни в коем случае не являются равновесными дефектами в отличие от собственных дефектов типа вакансий, междоузлий или их комбинаций,

Основные результаты и выводы работы,

1, Проведены систематические исследования

ДФЛ в пластически деформированных образцах, имеющих разную структуру и морфологию дислокаций. Найдены условия деформации, позволяющие достигнуть однородного распределения дислокаций по объему образца. Это позволило выделить вклад от изолированных дислокаций, и объяснить имеющиеся в литературе противоречивые данные по форме и интенсивности линий ДФЛ.

2 . Принимая во внимание температурную зависимость подвижности дислокаций, позволяющую в значительных пределах менять структуру дислокаций, изменяя температуру деформации, были проведены систематические исследования аномально расщепленных дислокаций, что позволило впервые сформулировать модель для объяснения природы линии Д 4 .

3, Проведены пьезоспектроскопические исследования отдельных линий ДФЛ, которые подтвердили одномерную природу линии Д4 и позволили сформулировать основные симметрийные свойства центров, ответственных за линии Д1 и Д 2 ,

Впервые проведены ы исследования поляризации излучения в полосах Д1 - Д4, которые в совокупности с пьезоспектроскопиче скими резуль тат ами однозначно определяют принадлежность центров свечения Д1-Д4 к дислокациям.

Проведены исследования влияния кислорода на линии ДФЛ . Показано, что кислород собираясь вблизи дислокаций, приводит к спектральному уширению линий ДФЛ, а при больших концентрациях снижает эффективность дислокационного излучения. В образцах с малым содержанием кислорода удалось наблюдать образование сложных излучающих центров, состоящих из дислокационных дефектов Д1 и кислородных комплексов, предположительно термодоноров.

Исследовано влияние гидрирования на ДФЛ. Показано, что основное действие водорода заключается в пассивации безызлучательных центров рекомбинации и повышении эффективности дислокационного излучения. В случае образования дислокационно- кислородных комплексов водород пассивирует в основном кислородные центры, восстанавливая рекомбинационный поток через дислокационные со стояния.

7. Исследованы спектры ДФЛ дислокаций, возникающих в результате релаксации гетероструктур 31Се/31. Методом послойного стравливания структур выявлен вклад в спектры фотолюминесценции от проникающих дислокаций в слое 5±6е, от сетки дислокаций несоответствия и от дислокационных петель выдавленных в подложку 31 . Эти эксперименты позволили уточнить природу центров Д1 , которые оказались связанными с продуктами реакций дислокаций из разных систем скольжения, пересекающимися в сетке дислокаций несоответствия.

8. Выполнены исследования спектров ФЛ и поглощения кристаллов фуллерита Сео- Определены линии в спектре ФЛ, связанные с рекомбинацией свободных и связанных экситонов. На основании уникальных измерений на свободных монокристаллических пленках СбО уточнена классивикация линий ФЛ.

9. Обнаружено образование специфических дефектов, связанных с полимеризацией в ядре дислокации. Показано, что основными дефектами структуры фуллеритов СбО являются дефекты деформационной природы.

Апроба1:(ия работы. Работа докладывалась на многих международных и Российских конференциях: lProperties and Structure of Dislocations in Semiconductors" (1983 March 7-11, Aussois, France);

2 . на международной конференции « Свойства и структура дислокаций в полупроводниках» (1986 Москва, Звенигород 17-22 марта) :

3. на международной конференции "Defects in Crystals" (198 8 Szczyrk, Poland, 22-27 May) ;

4. на международной конференции "Science and Technology of Defect control in Semiconductors" (198 9 Yokogama, Japan, September 17-22) ;

5. на 17ой международной конференции "Defects in Semiconductors" (1993 Gmunden, Austria July 18-23);

6. на международной конференции "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (1993 Chossewitz, Frankfurt (Oder), Germany, October 914) ;

7. на международной конференции "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (1995 Parkhotel Shclop Wulkow, Berlin, Germany September 2-7);

8. на международной конференции "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (1997 Spa, Belgium October 5-10) ;

9. на международной конференции "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (1999 Hoor, Sweden, September 2 5-2 8) , приглашенный доклад,

10. на 5й Российской конференции по физике полупроводников (2001г. сентябрь. Нижний Новгород)

Основное содержание диссертаи;!А опубликовано в следующих работах:

1. ю. ' а. Осипьян . э. А.Штейнман. "Механизм рекомбинации на дислокациях". ФТТ 22 389 (1 9 8 0).

2. E-A.Steinman "Dislocation luminescence in Ge", Crystal Research and Technology, 14 255 (1981).

3. Ю.А.Осипьян. А.М.Ртищев. Э.А.Штейнман. " Исследование спектров дислокационной фотолюминесценции при отжиге деформированных образцов Si", ФТТ 26 вб 1772 (1 9 8 4).

4.Yu.A.Ossipyan,A.M.Rtishchev, Е.А.S t e i nman, "The effect of hydrogen on dislocation photol^linescence in sylicon". Journal de Physque 44 c4-255 (1983).

5. Ю.А.Осипьян. А.И.Колюбакин. С.А.Шевченко. Э.А.Штейнман. "Дислокационная люминесценция в Ge". ФТТ 26 677 (1984).

6. Ю.А.Осипьян. А.М.Ртищев. Э.А.Штейнман. Е.Б.Якимов. Н.А.Ярыкин. «Взаимодействие дислокаций с кислородом и водородом

1982) .

7. А.Н.Изотов.Э.А.Штейнман." дислокационной люминесценции 1015 (1 9 8 6) .

8. А.Н.Изотов.Ю.А.Осипьян.Э.А.Штейнман. " Влияние закалки на дислокационные спектры фотолюминесценции в кремнии " ФТТ 28 в4 1172 (1 98 6) .

9. Е.А.Steinman, "The Dependence of Luminescence spectra on the dislocation structure in Si"Acta Phys . P01.A69 403 (1 98 6) .

10 . A. I.Kolyubakin, Yu . A . Ossipyan , the energy

Ge". Acta в креьшии».ЖЭТФ 82 509 Поляризация в кремнии

ФТТ линий 2 8 в 4

On i n

E.A.Steinman, dislocations (1986) .

11. F.G.Kirscht, E .A. Steinman, and o f preannealed crystals". Phys.Stat.Sol. (a

12. A. H.Изотов.Э.А.Штейнман.

S.A.Shevchenko, spectrum of

Phys.Pol.A69 409

V.I.Nikitenko , H.Richter,

E.B.Yakimov, "Photoluminescence plastically deformed silicon

93 K143 (1 9 8 6) .

Перестройка дислокационных оптических спектров под влиянием касательных напряжений" ФТТ 29 вЗ 87 9 (1987).

13. А.Н.Изотов.Э.А.Штейнман. "Систематика линий дислокационной фотолюминесценции в кремнии" ФТТ 30 в10 (1988)

14.Izotov A.N.,Kolubakin A.I.,Shevchenko S.A.,Steinman E.A. " P e c u l a r i t i e s of dislocation luminescence of covalent semiconductors"Solid State

Phenomena, 1991, 19-20, 335-340.

15 . A.N.Izotov, A.I. Kolyubakin, S.A.Shevchenko,

E.A.Steinman, " Pho t o l umi ne s cen ce and splitting of dislocations in Ge". P h y s . S t a t . S o l . (a) 130 193-198 (1992) .

16. A. Н.Изотов .A.И. Колюбакин . С . A. Шевченко . Э . A. Штейнман . "Определение параметров дислокационной структуры в германии по спектрам фотолюминесценции" ФТТ, 19 93, 35 Norn.10, 2635-2639.

17 . V.V.Kveder,E.A.Steinman, "The influence of microvave heating on the dislocation photoluminescence in plastically deformed germanium". Phys.St.Sol. (a) 138 625 1993.

18 . А.Н.Изотов. A.И.Колюбакин. С.А.Шевченко. Э^.^Штейнман. "Определение структурных характеристик дислокаций в германии." ФТТ. т.35. 2 635. (1 9 93) .

19 . V.V.Kveder, E.A.Steinman, S .А. Shevchenko. H.G.Grimmeiss "Dislocation related electroluminescence at room temperature in plastically deformed silicon." Phys. Rev. В 51 Nol6 10520-10526 (1995)

20 . V.V.Kveder, E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss, J.Appl.Phys. 78 Nol, 446 (1995). "Photoluminescence studies of relaxation processes in strained Sii-xGex/Si epilayers".

21. В.В.Кведер. А.И.Шалынин. Э.A.Штейнман. А.И.Изотов. ЖЭТФ 110. 1-8. (1996) "Влияние расщепления дислокаций на величину д-фактора дырок в одномерной дислокационной зоне"

22. Е.А.Steinman, V.V.Kveder, H.G.Grimmeiss, Solid State Phenomena, 47-4 8 pp . 2 1 7 - 2 2 2 (1 9 9 6 ) " The Mechanisms and Application of Dislocation Related Radiation for Silicon Based Light Sources"

23. E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss, "Magnesium-Related Luminescence in Silicon". Semicond. Sci.Technol. 13 p.1-5 (1998)

24. E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss "Dislocation related luminescence properties of silicon" Semicond. Sci.Technol. 13 p.124-129 (1998)

25. E.A.Steinman, V. I . Vdovin, T.G.Yugova, V.S. Avrutin, and N . F . I zyums kaya . "Dislocation structure and photoluininescence of partially relaxed SiGe layers on Si(001) substrates".

Semicond.Sci.Techno!. 14 (1999) no 6 pp582-586.

26. E.A.Steinman, V.V.Kveder, V. I.Vdovin, and H.G.Grimmeiss, "The origin and efficiency of dislocation luminescence in Si and its possible application in optoelectronics"Solid State

Phenomena, vols. 6 9 - 7 0 , p.23 (1999)

27- Bashkin I.O., Izotov A.N., Moravsky A.P.,

Negrii V.D., Nikolaev R.K., Ossipian Yu.A., Ponyatovsky E.G., and Steinman E.A.,

Photoluminescence of solid Ceo polymerized under high pressure" Chem.Phys.Lett. v272 p.32 (1997).

28. D.V.Dyachenko - Dekov, Yu.L.Iunin, A.N.Izotov,

V.V.Kveder, R.K.Nikolaev, V.I.Orlov, Yu.A.Ossipian, N.S.Sidorov, E.A.Steinman, "ON THE POSSIBILITY OF POLYMERISATION OF Ceo NEAR THE DISLOCATION CORE».Phys.St.Sol., (b) 2000, 222, No. 1, 111-119 в заключение мне хотелось бы поблагодарить Юрия

Андреевича Осипьяна за инициацию этой работы и постоянное внимание и поддержку, Виталия

Владимировича Кведера за плодотворное обсуждение и помощь, весь коллектив ЛСДС и особенно моих ближайщих помощников и соавторов:

Изотова А.Н.

Колюбакина А.И.

Шевченко С .А.

Якимова Е . Б.

Сальникова Е.К.

Елсукова Н . С

1.9 Заключение

Суммируя перечисленные факты можно сказать, что дислокации, несмотря на длительное изучение, и сегодня не открыли все свои загадки. Это связано прежде всего с протяженностью этого дефекта. другими словами, дислокация является коллективной системой со многими уровнями, концентрация и распределение которых зависят от типа дислокации, ее морфологии и, наконец, от примеси, которая неизбежно собирается на дислокациях в реальных кристаллах. С точки зрения взаимодействия с электронами для идеальных «чистых» дислокаций можно выделить вклад дальнодействующих потенциалов, возникающих из-за упругих деформаций решетки вокруг дислокации и линейного электростатического заряда на дислокации, и короткодействующих потенциалов в ядре дислокации. Первые должны приводить к отщеплению мелких состояний или зон от края зоны проводимости и валентной зоны, вторые к появлению глубоких уровней на дислокации. Вопрос о существовании одномерных зон, связанных с ядром дислокации остается пока открытым. Для Се существует небольшое количество экспериментальных данных, подтверждающих существование одномерной наполовину заполненной зоны [12,16] . Для 31 таких данных нет и это согласуется с теоретическими представлениями о том, что ядра 30° и 90° частичных дислокаций должны быть реконструированы и, как следствие, не имеют глубоких одномерных состояний. Поэтому проявление 1-В свойств на дислокациях в 51 можно ожидать лишь как следствие отщепления мелких зон от зоны проводимости и валентной зоны дальнодействующими упругими полями. Красивым подтверждением этой гипотезы служит наблюдение сигнала электро- дипольного спинового резонанса (ЭДСР) [101-103] . Весьма вероятно, что линии ДЗ и Д4, обнаруженные в спектрах ДФЛ также имеют отношение к мелким дислокационным зонам. Природа глубоких дислокационных состояний изучена гораздо меньше. Это могут быть как дефекты реконструкции в ядре дислокаций, так и нерегулярность дислокационной линии, связанная со ступенькой в плоскости скольжения, т.н. перегибы, или ступеньки при переходе части дислокации в параллельную плоскость скольжения, стяжки на дислокационной линии, т.е. сегменты нерасщепленных дислокаций, или, наконец, продукты реакции пересекающихся дислокаций, т.н. дислокационные узлы. Сюда же нужно отнести всевозможные комбинации перечисленных дефектов с приме сями.

Глава 2. Постановка экспериментов, структурные особенности дислокаций и методы их генерации.

Для измерения оптических спектров была создана специальная установка, которая позволяла производить как измерение стационарных характеристик ФЛ, так и временные зависимости. Схема установки показана на Рис.2-1.

Образец помещался в гелиевый оптический криостат с возможностью варьирования температуры от 2К до 290К. Люминесценция возбуждалась с помощью лазерного излучения; с различной энергией фотона и регистрировалась либо ФЭУ-62, либо германиевым фотосопротивлением, охлажденным до температуры 90К. Для измерения зависимости спектров от одноосного сжатия была сконструирована специальная вставка в криостат, которая позволяла прикладывать к , образцу нагрузки до 500Мпа. Узел нагружения был сконструирован таким образом, чтобы компенсировать изменение нагрузки, вызываемое температурной зависимостью линейных размеров вставки.

Основным условием для успешного решения задачи было соблюдение определенных требований к структуре дислокаций. Дислокации, являясь сложными многоэлектронными дефектами, фактически

Рисунок 2-1. Схема измерительной установки. 1 - Лазер для возбуждения ФЛ, 2- блок запускающего импульса, 3- оптическая система, 4- набор фильтров, 5- образец, 6- гелиевый криостат с регулируемой температурой, 7- монохроматор МДР-2, 8- фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62, или Ое охлаждаемый приемник, 9- фазочувствительный усилитель ишрап-232, 10- интегратор сигнала РАЯ-160, 11- компьютерная управляющая система, 12- блок регулировки температуры.

Ад ктфк

Рисунок 2-2. Зависимость распределения интенсивности в спектре ДФЛ от условий деформации. Верхний и нижний спектры получены после деформации при 1000°С и 700°С. Промежуточные спектры -двухстадийная деформация. /у яЮс У включают в себя набор протяженных и точечных дефектов, связанный с разными кристаллографическими типами дислокаций и дефектами идеальных дислокаций, возникающими при нарушении регулярности дислокационной линии. Концентрация разных дефектов зависит от условий генерации дислокаций и примесного состава материала. Это, по-видимому, и было главной причиной появления противоречивых экспериментальных данных о свойствах дислокаций. На Рис.2-2 показаны спектры ФЛ, полученные на образцах, продеформированных в разных условиях. Хорошо видно, что спектральное распределение интенсивности радикально зависит как от температуры деформации, так и от режима охлаждения. Поэтому первой предварительной задачей данной работы было выявление связи между структурой и морфологией дислокаций и особенностями оптических свойств. Вторая задача состояла в определении методов генерации дислокаций, позволяющих получать воспроизводимые результаты. Поскольку основным методом генерации дислокаций был метод пластической деформации сжатием в режиме динамического нагружения или ползучести, главными варьируемыми параметрами были скорость нагружения, температура деформации и направление оси сжатия, позволяющее варьировать величину сдвигового напряжения для различных систем скольжения. Важным требованием к структуре дислокаций было однородное распределение дислокаций по объему, позволяющее минимизировать эффект взаимного влияния соседних дислокаций через упругие поля напряжений и определить свойства индивидуальных дислокаций. Была определена оптимальная скорость и температура деформации. На Рис.2-3 показана геометрия деформации, позволяющая реализовать одну (слева) и четыре (справа) системы скольжения, и основные типы полных дислокаций, возникающие при такой деформации (снизу) .

Для наблюдения ЭДСР использовался ЭПР спектрометр с рабочей частотой 9300 МГц с прямоугольным резонатором. Образец помещался в максимум электрического СВЧ поля Ео, резонатора. Использование модуляции внещнего магнитного поля Но с амплитудой 10 Э и частотой 130 Гц позволяло регистрировать производную поглощения ds ' '/^о при помощи 1оек-1п усилителя. Измерения проводились при температуре 6.5К. Для подсветки образца использовалась миниатюрная лампа накаливания, укрепленная на резонаторе, который помещался вместе с образцом в проточный гелиевый крио стат.

Г123]

111)

60° [ПО]

111)

60° [Olli

Рисунок 2-3. Геометрия образцов для генерации дислокаций одной системы скольжения: (1 1 1 ] для оси деформации [12 3] и четырех систем скольжения ( 1 11)[10 !];( 111)[0 10]; (1 11)[10 1]; (1 11)[0111 для оси деформации [1 10]. Внизу показаны типы и направления основных типов полных дислокаций для первого случая.

Ь={1011

Рисунок 2-4. Схема установки для измерения зависимости поглощения при структурном переходе. 1-галгенная лампа, 2- конденсор, 3-монохроматор, 4- оптический криостат, 5- микроскоп с видеокамерой, 6-компьютер, 7- изображение.

Измерения на фуллеритах СбО были сделаны на монокристаллах, выращенных в ИФТТ РАН методом физического парового транспорта (сублимации) в вакуумированной ампуле при температуре порядка 500°С. Исходный материал Сео/ после очистки методом хроматографии и удаления следов растворителя многократной пере сублимацией в вакууме, имел чистоту не хуже 9 9.95%.

Спектры фотолюминисценции (ФЛ) кристаллов регистрировались при помощи охлаждаемого фотоумножителя ФЭУ-62 или охлаждаемого германиевого фотосопротивления. Сквозная спектральная чувствительность установки была прокалибрована путем записи спектра вольфрамовой лампы накаливания. Спектры ФЛ затем нормировались с помощью калибровочной кривой. Таким образом, приведенные в работе спектры соответствуют плотности излучения в энергетической щкале : с1Крь (Е) / (1Е, где Ырь (Е) число излучаемых фотонов с энергией Е.

Для возбуждения ФЛ использовался Не-Ые лазер (Еехс =1.95 9эВ) мощностью 3 мВт, который ослаблялся до нужной мощности взаимным поворотом скрещенных поляризаторов.

Измерения ФЛ проводились при температуре 5К. Для того, чтобы избежать нежелательных эффектов, связанных с фотостимулированной полимеризацией (димеризацией) и другими необратимыми фотостимулированными процессами в исследуемых образцах, все измерения проводились при плотности лазерного возбуждения не более 2.5 мВт/ммА. При этом спектры ФЛ образцов не изменялись в процессе измерений и хорошо воспроизводились от измерения к измерению.

Для измерений спектров поглош;ения отбирались монокристаллы в виде тонких плоскопараллельных пластинок с естественной огранкой. Плоскости огранки соответствовали плоскостям типа (111) . В отличие от пленок, напыленных на подложки разных типов и имеющих, соответственно, поликристаллическую структуру с большой плотностью структурных дефектов, наши монокристаллические пленки позволяли получить качественные спектры поглощения в области края поглощения. Толщина образцов составляла 0.01 0.3 мм, остальные два размера обычно были порядка 1-2 мм.

Поскольку коэффициент диффузии кислорода в кристалле С бо при комнатной температуре порядка 10"АА смАсек"""- [10 4] выдержка образца на воздухе в течение суток может привести к насыщению кислородом поверхностного слоя порядка 10""а мм, и может (в принципе) повлиять на корректность измерений- Поэтому, образцы после вскрытия ростовой ампулы достаточно быстро загружались в оптический криостат для измерений и в дальнейшем основную часть времени находились в вакууме.

Оптический криостат, специально изготовленный для этих экспериментов (Рис.2-4) , представляет собой плоскую цилиндрическую вакуумную камеру с кварцевыми окнами (сверху и снизу) в которой находится медный теплообменник, охлаждаемый проходящим через него потоком холодного гелия (или азота) . Исследуемый образец кладется на горизонтально расположенную плоскопараллельную сапфировую пластинку, находящуюся в хорошем тепловом контакте с теплообменником. Температура сапфировой подложки измеряется термопарой. Для улучшения теплового контакта термопары с подложкой, спай сверху обжат кусочком алюминиевой фольги, приклеенной к подложке. Скорость сканирования температуры при измерениях обычно составляла 0.7 - 1.5 К/мин. Поскольку толщина образцов мала (порядка 0.2 мм) и они хорошо прилегали к подложке, разница между температурой образца и подложки, по нашим оценкам, не превышала 0.5К даже без приклеивания образца к сапфировой подложке. Тем не менее в ряде измерений для улучшения теплового контакта образца с подложкой образец помешался на капельку силиконового масла ГКЖ. Поскольку это масло остается жидким при температуре измерении, оно не создает дополнительных упругих напряжений в образце. Схема измерений показана на Рис.2-4.

Для измерений локальных спектров пропускания образца свет от галогенной лампы проходил через монохроматор МДР-12 и через поворотное зеркало пропускался через образец. Изображение образца в проходящем монохроматическом свете при помощи микроскопа МБС-4 фокусировалось на кремниевую CCD камеру (SAMSUNG СМ120Р или PIN7 5 6 LILIN) , обладающую достаточно высокой чувствительностью в диапазоне энергий 1.2 - 2.7 эВ. Видеосигнал с CCD камеры через соответствующую интерфейсную карту поступал в компьютер где регистрировался и обрабатывался при помощи специально написанных программ. Данные с термопары также регистрировались компьютером. Данная система позволяла не только получать серию фотографий образца в проходящем монохроматическом свете, но и путем обработки изображений вычислять зависимость локального коэффициента поглощения образца от энергии фотонов и температуры. Поскольку CCD камера имела автоматическую регулировку чувствительности, коэффициент поглощения К вычислялся путем сравнения величины видеосигнала V от данной области образца с величиной сигнала Уд от области вне образца на том же видеокадре по простой формуле:

К= - 1од (У/Уок) /& (2-1) где с? - толщина образца, а ¥ок=¥о/(1-К) А, где К коэффициент отражения образца, который

2 2 оценивался по стандартной формуле К=(п-1) / (п+1) в предположении что показатель преломления образца п порядка 2.1 [104] . Данная формула не учитывает многократных отражений света от граней образца и зависимость коэффициента отражения от энергии. Поскольку мы работали в области достаточно большого поглощения (малого пропускания образца), поправки связанные с отражением света не могли существенно сказаться на измеряемой величине К и не было необходимости в более тщательном учете эффектов, связанных с отражением. К тому же, нас интересовало, в основном, изменение коэффициента поглощения, а не его абсолютная величина. Для измерения спектров поглощения в области больших коэффициентов поглощения вместо ССП-камеры для регистрации света использовался охлаждаемый фотоумножитель ФЭУ-62. При этом, для защиты от рассеянного света к образцу плотно прижималась большая непрозрачная маска с небольшим

62 отверстием, существенно меньшим размеров образца в плоскости маски. Для более точного измерения величины поглощения во всем исследуемом диапазоне использовались образцы разной толщины, выращенные в одной партии. Толщина образцов контролировалась по интерференционной картине в области прозрачности.

Глава 3. Пьезоспектроскопические и поляризационные исследования дислокаций

Дислокационные линии в кремнии и германии могут рассматриваться, как центры низкой симметрии, внедренные в решетку кубического кристалла, имеющего высокую симметрию. Это же самое относиться к дефектам структуры самих дислокаций, которые, по-видимому, и определяют многие свойства дислокаций. Таким образом все многообразие дефектов дислокационной природы может быть V классифицировано на основе симметрийных соображений. Учитывая сказанное, основную задачу исследований, изложенных в настоящей главе, можно сформулировать как определение принадлежности к дислокациям всех или некоторых центров излучатель ной рекомбинации в пластически деформированных кристаллах кремния .

Характерной особенностью таких центров является существование в решетке нескольких групп центров, отличающихся ориентацией, т.н. ориентационное вырождение- В [72,105-107] был предложен метод исследования некубических центров, ориентированных вдоль направлений

100>, <110 > и <111>, путем исследования влияния одноосной упругой деформации на спектры центров. Сущность этого метода состоит в разном смещении энергетических уровней у центров, по разному ориентированных по отнощению к оси сжатия. В общем случае однородной деформации напряженное состояние кристалла описывается шестью компонентами тензора напряжений аи< : нормальные напряжения - ± = к, и касательные напряжения - ±члк. В линейном приближении для смещения уровней центров можно написать

А = Ахх*Лкх -ЛУУЛУУ кггкгг -лх^ху лкглкг

АуАауг ( 3-1) , где постоянные коэффициенты, определяемые структурой рассматриваемого центра и его взаимодействием с решеткой. В [107] показано, что в системе координат, совпадающей с кубическими осями кристалла, для ориентации оси центра N вдоль одной из осей симметрии {С4, С3 или С2) можно упростить выражение 3-1:

1. N С4 , АЛ'Л = Аг' ' 'ал, + АгллЧалх + ОуЛ»,

3-1а)

2. N II Сз , А*'л = Ах'лЧ алх + СУуу + ахг) + Агл'ЧсТху + Оул + ахг) (3-16)

3. N С2 , А'2Л = Ахлл'стхг + Агл'Махх + сУуу) + Аз'А'оху ( 3 -1 а) .

Группы центров одинаковой симметрии, по разному ориентированных к оси деформации, будут испытывать разное смещение. Таким образом, общая картина расщепления может быть получена при расчете смещения для каждой из этих групп. Ниже приведена таблица, взятая из работы [10 7] . Таким образом, по числу и интенсивности компонент расщепления можно определить характер симметрии простых центров.

Ограничение этого метода в применении к дислокациям связано с отсутствием однородного распределения центров по возможным кристаллографическим направления; м. Этот факт не был учтен в работе [70]. С другой стороны, именно отсутствие однородного распределения центров по возможным ориентациям может использоваться как одно из оснований для отличия центров, принадлежащих дислокациям, от точечных центров в объеме кристалла, возникающих при движении дислокаций.

Для проведения этих измерений была сконструирована специальная вставка для оптического гелиевого криостата, которая позволяла создать однородную упругую деформацию в образце, величина которой не менялась при изменении температуры. Характерные размеры образцов составляли 1.5x1.5x8 ммЛ . Для приготовления образцов использовались образцы больших размеров (10x10x40 ммА) , вырезанных согласно схеме Рис.2-3 для активации одной системы скольжения. После пластической деформации из этих образцов вырезались тонкие длинные бруски с ориентацией длинной оси вдоль направления упругой деформации.

1.W.Shockley, Phys. Rev. 91, 228 (1953).

2. W. T.Read, Phil. Mag. 4 5 , 7 7 5 (1 9 5 4); 45, 1119 (1954) .

3. W.T.Read, Phil. Mag. 46, 111 (1955).

4. S. Marklund, phys. stat. sol. (b) 92, 83 (1979)

5. R. Jones, J. de Phys. £0, C 6-3 3 (1 97 9)

6. P. B. Hirsch, J. de Physique, 40 (1 97 9) C6-27 .

7. J. R. CHelikowsky, Phys. Rev. Lett, 49 1569 (1982) .

8. A. Lapiccirella, К W. Lodge, Inst. Phys. Conf. Series No. 60 5 1 (1 98 1) .

9. H. Teichler: I n s t . P h y s . C o n f . S e r . 104, 57 (1989)

10. Т.Судзуки, Х.Есинага,. С.Такеучи: "Динамика дислокаций и пластичность", Москва, "Мир" 1989

11. S . Т. Pantelides , Phys. Rev. Lett. Ъ1, 2979 (1986)

12. W. Schröter, phys. stat. sol. 21, 2 1 1 (1 9 67)

13. Yu. A. Ossipyan and S. A. Shevchenko, Sov. Phys . -JETP 38 3 4 5 ( 1 97 4 )

14. R. Labusch and R. Schettler, phys. stat. sol. (a) 9 , 455 (1 97 2)

15. R. Wagner and P. Haasen, Inst. Phys. Conf. Ser. 23, 387 (1975)

16. D. Mergel and R. Labusch, phys. stat. sol. (a) 4 £, 431 (1977); (a) 42, 1 65 (1 97 7)

17. H. Weber, W. Schröter, and P. Haasen, Helv. Phys. Acta 41, 12 5 5 (1 9 68)

18. W. Schröter and R. Labusch, phys. stat. sol . 36, 539 (1969)

19. R. Labusch and W. Schröter, Inst. Phys. Conf. Ser. 23, 5 6 (1 97 5)

20. W. Schröter, E. Scheibe, and H. Schoen, J. Microscopy 118 , 2 3 (1 98 0)

21. V. A. Grazhulis, V. V. Kveder, and V. Yu. Mukhina, phys. stat. sol. (a) 43, 4 0 7 (1 9 7 7)

22. V. V. Kveder, Yu. A. Ossipyan, W. Schröter, and G. Zoth, phys stat. sol. (a) 7A, 7 0 1 (1 9 8 2)

23. H. One and K. Sumino, Japanese J. Appl. Phys. 19, L 6 2 9 (1980)

24. H. Ono and K. Sumino, J. Appl. Phys. 54, 4426 (1983)

25. D. Mergel and R. Labusch, phys. stat. sol. (a) 69, 151 (1982)

26. E. B. Yakimov, V. G. Eremenko, and V. I. Nikitenko, Soviet Phys. Semicond. 10, 2 3 1 (1 97 6)

27. D. Lepine , V. A. Grazhulis, and D. Kaplan, Proc. Phys. Semicond., ed. F. G. Fumi, North Holland Publ. (1976)

28. H.-J. Kos and D. Neubert, phys. stat. sol. (a) 44, 2 5 9 (1 97 7)

29. T. Figielski, phys. stat. sol. (a) 121, 187 (1990)

30. L. C. Kimerling and J. Patel, Appl . Phys. Lett. 34, 73 (1 97 9)

31. P. Omling, E. R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, and J. Michel. Phys. Rev. B 32, 65 7 11985)

32. J. R. Patel and L. C. Kimerling, J. Physique 40, 06-67 (1979)

33. L. C. Kimerling, J. R. Patel, J. L. Benton, and P. E. Freeland, Inst. Phys. Conf. Ser. 5 9, 401 (1981)

34. J. R. Patel and L. C. Kimerling, MRS Symposia Proc. 2, 273 (1981)35. 0. V. Kononchuk, V. V. Nikitenko, V. I. Orlov, and E. B. Yakimow, phys. stat. sol. (a) 143, K5 (1994)

35. L. F. Mattheiss and J. R. Patel, Phys. Rev. B2 3 , 5384 ( 1 9 8 1 )

36. S. Marklund, phys. stat. sol. (b) 108, 97 (1981)

37. H. Ono and K. Sumino, J. Appl . Phys. 287 (1985)

38. H. Alexander, R. Labusch, and W. Sander, Solid State Comm. 357 (1965)

39. F. D. Wdhler, H. Alexander, and W. Sander, J. Phys. Chem . Solids 31, 1 3 8 1 (1 97 0)

40. V. A. Grazhulis and Yu. A. Osip'yan, Sov. Phys. JETP 31, 67 7 (1 97 0)

41. U. Schmidt, E. Weber, H. Alexander, and W. Sander, Sol. State Comm. 1±, 7 3 5 (1 974)

42. E. Weber and H. Alexander, Inst. Phys. Conf. Ser. 23, 4 33 (1 97 7)

43. L. Bartelsen, phys. stat. sol. (b) 8J\ 471 (1977)

44. E. Weber and H. Alexander, J. Physique 4 0, C6-101 (1979)

45. R. Erdmann and H. Alexander, phys. stat. sol. (a) 55, 251 (1979)

46. M. Suezawa, K. Sumino, and M Iwaisumi, Inst. Phys. Conf. Ser. 59, 4 07 (1 9 8 1 )

47. V. A. Grazhulis, V. V. Kveder, and Yu. A. Ossipyan, phys. stat. sol. (b) 10 3 , 5 1 9 (1 9 8 1)

48. Y. A. Osipyan, Sov. Sclent. Rev., Sect. 4a, ed. J. M. Khalatnikov, p. 219

49. C. K i s i e l o w k i K e mm e r i c h , J. Czaschke, and H. Alexander, Electronic Mat. 14a, 387 (1 9 8 5)

50. С. Kisielowski-Kemmerich, phys stat. sol. (b) 161, 11 (1990)

51. R.Newman, Phys.Rev., 105, 1715, (1957).

52. Н.А.Дроздов, А.А.Патрин,В.Д.Ткачев, Письма в ЖЭТФ, 23, 597, (1976)

53. K.Wessel, H.Alexander, Philos.Mag., 35, 1523, (1977)

54. N. A- Drozdov, A. A. Patrin, and V. D. Tkachev, Phys . Stat . S o l . (b) , 83, K1 3 7 , 9 , (1 9 7 7)

55. H. Alexander, C. Kisielowski-Kemmerich, and E. R. Weber, Physica 1163, 583 (1983)

56. R. H. Uebbing , P. Wagner, H. Baumgart, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 32л IQlA1986)

57. M. Suezawa and K. Sumino, phys. stat. sol. (a) 78 , 63 9 (1 9 8 3)

58. M. Suezawa, Y. Sasaki, Y. Nishina. and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys. 20, L537 (1981)

59. N.A.Drozdov, A.A.Patrin, V.D.Tkachev, Phys. Stat.Sol. (a), 64, K63, (1981)

60. V. Higgs, E. C. Lightowlers, G. Davies, F. Schaffler, and E. Kasper, Semicond. Sei. Technol. i, 5 93 (1989)

61. V. Higgs, E.G. Lightowlers, and P. Kightley, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 163, 57 (1990)

62. W.Wijaranaku l a , J.Appl. Phys. 7 0 3 0 1 8 (1 9 9 1)

63. V.Higgs, M.Goulding, A.Brinklow, and P . Kightley, Appl . Phys . Lett . , 60, 1369 (1992)

64. V.Hlggs, E . С . L i gh t owl e r s , S.Tajbakhsh, P.J.Wright, Appl.Phys Lett., 61, 1087 (1 9 92)

65. S.J.Peartn, J.W.Corbett, M.Stavola, Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1992)

66. Ю . А . Осипьян,A.M.Ртищев , Э.A.Штейнман, E . B .Якимов, H ^.Ярыкин,

67. ЖЭТФ, 82, 5 0 9 ,(1 9 8 2) (Sov . Phys . JETP, 55,294, (1982))

68. Yu.A.Ossipyan , A . M . Rtishchev, E.A.Steinman, J.Phys. (Paris) , 44, C4 -2 5 5 , (1 9 8 3)

69. D.Gwinner, J . Ph y s . ( P a ris ) , 44, C 4 1 4 1 , (1 9 8 3)

70. R.Sauer, J.Weber, J.Stolz, E.R.Weber, K.H.Kurster,H.Alexander, Appl.Phys . , A3 6, 1,1985)

71. K.Weronek, J.Weber, and H.J.Queisser, Phys . St . Sol. (a) , 137, 5 4 3 , (1 9 93)

72. A.A.Каплянский, Оптика и Спектроскопия, 16, 6 0 2 , (1 9 6 4) ;73. .M.Suesawa, Y.Sasaki, Y.Nishina, K.Sumino, Jpn. J.Appl . Phys . , 20, 5 37 ,1981)

73. M.Suesawa, K.Sumino, Y.Nishina, Jpn . J . Appl . Phys . , 21, L 5 1 8 , (1 9 8 2)

74. R.Sauer, Ch.Kisielowski-Kemmerich, H.Alexander, Phys . Rev.Le 1 1 . , 57, 1 4 7 2 , (1 9 8 6)

75. Yu.S. Lelikov, Yu.T. Rebane, and Yu. G. Shreter, Inst. Phys . Conf. Ser. 104 , 1 1 9 (1 9 8 9)

76. Yu.T. Rebane and Yu.G. Shreter, Polycryst. Semicond. II, ed. J.H. Werner amd H.P. Strunk, Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg/New York, 19 9 0, p.28

77. Yu.S. Lelikov, Yu.T. Rebane, S. Ruvimov, A.A. Sitnikova, D.V. Tarhin, and Yu.G. Shreter, phys. Stat. sol. (b) 172, 5 3 (1 9 9 2)

78. Т.В.Кленова, М.И.Молоцкий ФТП, т.2 0 , 4 7 2 (1986)

79. М.И.Молоцкий ФТП, т.21, 342 (1987)

80. А.Н.Изотов, А.И.Колюбакин, С.А.Шевченко, Э.А.Штейнман, ДАН СССР,!5,11О4, (1989) .

81. Ya.Kravchenko, Proc. Intern. Conf. of Plicrystalline Semiconductors 11, Ed. J.H.Werner, H.P.Strunk, 54 , 5 6 ,(1 9 9 1)

82. В.Я.Кравченко, ЖЭТФ, 107, 1, (1995) .

83. R. Jones, B. J. Coomer, , J. P. Goss, S. Oberg, and P. R. Briddon, phys. stat. sol. (b) 222, 133 (2000)85. S .86. T. (1978)1. R. Morrison, Figielski,

84. Phys. Rev 104, 61 9 (1 95 6) Solid-State Electron. 2 1,1403 212

85. W. Schröter, phys. stat. sol. (a) 19, 15 9 (1973)

86. V. B. Shikin and N. I. Shikina, phys. stat. sol. (a) 108, 669 ( 198 8 )

87. V. Kveder, M. Kittler, and W. Schröter, Phys. Rev. B 63, 115208 (2001)

88. P. R. Wilshaw and G. R. Booker, Inst. Phys. Conf. Ser. 76, 329 (1985)

89. E.B. Sokolova, Sov. Phys. Solid State 3' 1266 (1970)

90. Yu.V. Gulyaev, Sov. Phys. Solid State ±, 941 (1962)

91. M. Kittler, C. U l h a q B o u i l l e t , and V. Higgs, J. Appl. Phys. 78, 4573 ( 1995)

92. V. Higgs and M. Kittler, Appl. Phys. Lett. 6 5 , 2 8 0 4 (1 9 9 4 )

93. M. Kittler and W. Seifert, Scanning 15, 316 (1993)

94. M. Kittler and W. Seifert, Mat. Sei. Engin. B42, 8 (1996)97. 0. Krüger, W. Seifert, M. Kittler, A. Gutjahr, M. Konuma, K. Said, and J. Poortmans, Solid State Phenomena 6 3-64, 105 (1998)

95. S. Kunanagi, T. Sekiguchi, B. Shen, and K. Sumino, Mater. Sei. Technol. 1A, 685 (1 9 95)

96. B. Shen, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 3301 (1996)

97. М. Kittler and W. Seifert, Mat. Sei. Engin. В2ЛГ 7 8 (19 9 4)

98. М.Wa11enbach, С.Kisielowsi-Kemmerich , H.Alexander, V.V.Kveder, М . R . Mche dl i d z e , Yu . A. Ossipyan, Phys .Stat.Sol. , 158(b) K4 9 ( 1 9 9 0)

99. В.В.Кведер, Т. Р.Мчедлидзе, ЖЭТФ, 102, 174 (1992)

100. V.V.Kveder, T.Sekiguchi, K.Sumino, Phys .Rev. , B 5 1 , 1 67 2 1 (1 9 95)104. . B.Pevzner, A.F.Hebard, M.S . Dresselhaus, Phys.Rev. В 55(24), 16439 (1997)

101. А.А.Каплянский, Опт. и спектр., 7, 677 (1959)

102. А.А.Каплянский, Опт. и спектр.,10, 165 (1961)

103. А.А.Каплянский, Изв. АН СССР, сер.физ . , 25, 2 0 (1 9 6 1 ) 5 3 7 , (1 9 8 1)

104. Borgesi et a l . , J.Appl.Phys . , 7 7 4 1 8 0 (1995)

105. B.Ya.Farber and V . I . Nik l tenko , Phys .Stat.Sol. ( a ) ,73, k l 4 1 , (1 9 8 2 )

106. W.Kaiser, H.L.Frisch, H.Reiss, Phys.Rev. 112, 1546 (1958)

107. В.Г.Еременко, В.И.Никитенко, Е.Б.Якимов, Н.А.Ярыкин, Физ. Техн. Полупроводников, 12, 2 7 3, (1978)

108. I . Е.Bondarenko, V.G . Eremenko, V.I.Nikitenko, E.B.Yakimov, P h y s . S t a t . S o l . (a), 60,341, (1980)

109. M.Tajima, U.Gosel, J.Weber, and R.Sauer, Appl . Phys.Lett. , 43, 7 0 ,1980)

110. M.Tajima, T.Matsui, T.Abe, T.Iizuka, in Semiconductor Silicon 1981,

111. Ed. H.R.Hutt, R.J. Kriegler, and

112. Y.Takeishi, The Electrochem.

113. Soc, Pennington (N.J.) ,p72 , (1981)

114. S.J.Pearton, MRS Proc.59, 457, (1986)

115. F.Williams, P h y s . S t a t . S o l . , 25, 4 9 3 , (1 9 68)

116. K.Colbow, Phys.Rev.A, 139, 274, (1965)

117. D.G.Thomas, J . J . Hopfie l d , and W.M.Agustyniak, Phys.Rev.A, 40,2 02, (1965)

118. Ю.А.Осипьян, А.М.Ртищев, Э.A.Штейнман, Е.Б.Якимов, Н.А.Ярыкин, ЖЭТФ, 82, 509, (1982)

119. Е . А.Steinman , H.G.Grimmeis s, Semicond. Sci.Technol . , 13 12 4 (1 9 9 8)

120. B.Pohoryles, P h y s . S t a t . S o l . ( a ) , 67, K75, (1981)

121. H. Gottschalk, J. Physique 40, Сб 127 (1979) .

122. Дж.Хирт, И.Лоте. Теория дислокаций. М.:Атомиздат, 1972

123. Е.А.Steinman, Solid State Phenomena, 32-33, 3 0 3-, (1 9 9 3)

124. Ya.Kravchenko, Proc. Intern. Conf. of Plicrystalline Semiconductors 11,

125. Ed. J.H.Werner, H.P.Strunk, 54 , 5 6 ,(1 9 9 1)

126. В.В.Кведер, T.P.Мчедлидзе, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин: ЖЭТФ, 94 (4 ), 14 7 0 (1 98 7)

127. А.Е.Кошелев, В.Я.Кравченко, Д.Е.Хмельницкий: ФТТ, 30(2), 433 (1988)

128. В.В.Кведер, А.Е.Кошелев, Т.Р.Мчедлидзе, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин: ЖЭТФ 95 (1), 1 8 3 (1 9 8 9)

129. E.I.Rashba, V.I.Sheka: "Electric-Dipole Spin Resonances" in "Landau Level Spectroscopy"

130. Edited by G.Landwehr, E.I.Rashba), Elsevier Science Publishers B.V., 1991

131. T. Sekiguchi and K.Sumino, Z.J.Radzimski, G.F.Rozgoni, Material Science and Engineering1. B42, 141-145 (1996)

132. T. Sekiguchi and K.Sumino, J.Appl . Phys . 7 9(6), 3253 (1996)

133. A.T.Blumenau, R.Jones, S.Oberg, P.R.Briddon, T.Frauenheim, Phys.Rev.Lett., 87, Nol8, (2001)

134. I.R.Patel, L. C.Kimerling, Crystal Res.Tech. 16, 187 (1981)

135. K.Wuenstel, Solid St.Comm. 4 0 , 7 9 7 (1 9 8 1)

136. A.Rohatgi et a l . , Solid St. Electron. 23, 118 5 (1 9 8 0)

137. G.Zoth, Simens AG, Priv. comm.

138. J.W. Walker et al . , Phys .Rev. 8 7 , 4 5 8 7 (1973)

139. M.Suezawa, Y.Sasaki, K.Sumino, Phys.Stat.Sol. (a) 7 9 , 17 3 (1 9 8 3 ) .

140. V.V.Kveder, E . A . Steinman, S .A.Shevchenko. H.G.Gri mme iss, Phys. Rev. B 51 Nol 6 1 0 5 2 0 -10526 ( 1 995 )

141. S . Fukatsu, Y.Mera, M.Inoue, and K.Maeda, H.Akiyama and H. Sakaki, Appl . Phys. Lett.,68 (14),18 8 9(1996)

142. J.D.Axe, S-C.Moss, and D.A.Nweman i n Solid State Physics, v48, ed. H.Ehrenreich and F.Spaeren (Academic, New York, 1994) p.150

143. C.S.Yannoni, R.D.Johnson, G.Meijer, D.S.Bethune, J.R.Salem, J.Phys.Chem. 95, 91991)

144. P.A.Heiney, P h y s . C h e m . S o l i d s , 53, 13 331992)

145. Min Gu, Tong B Tang, J. Phys.: Condens.Matter, 7, 7475 (1995)

146. T.Atake, T.Tanaka, H.Kawaji, K.Kikuchi, K. Salto, S.Suzuki, I. Ikemoto, Y.Achiba,

147. Physica С 185-189, 427 (1991)

148. P.A.Heiney, J.E.Fischer, A.R.McGhie, W.J.Romanow, A . M . D e n e n s t e i n , J . P . M c C a u l e y , Jr.A.B. Smith III, D.E.Cox, P h y s . R e v . L e 11 . 66, 2911 (1991)

149. W. I.F.David, R . M . Ibbers on, T. J.S.Dennis , J.P.Hare, K.Prassides, Europhys.Lett. 18, 2191992)

150. R.Moret, P.Launois, S.Ravy, Fullerene Sci . ScTechnology, 4(6), 1287 (1996)1 4 9 9. W. I.F.David, R . M.Ibberson, T.Matsuo,

151. Proc.Roy.Soc. London A 442, 129 (1993)

152. С.В.Лубенец, В.Д.Нацик, Л.С.Фоменко, А.П.Исакина, А.И.Прохватилов,

153. М.А.Стржемечный, Н.А.Аксенова, ФНТ 23(3), 338 (1997)

154. N.Minami, S.Kazaoui, R.Ross, Synthetic Metals 70, 13 97 (1 9 95)

155. B.M.Vaughan, Y.Chabre, D.Dubois, Europhysics Lett. 3 1(9), 525 (1 9 95)

156. S.Matsuura, T. Ishiguro, K . Ki kuchi , Y.Achiba, Phys.Rev. B, 51, 10217 (1995)

157. F.Negri, G.Orlandi, F.Zerbetto, J.Chem.Phys . 97 , 6 4 9 6 (1 9 92)

158. R.D.Bendale, J.F.Stanton, M.C. Zerner, Chem . Phys .Lett. 194 , 4 67 (1 9 92)

159. K.Yabana, G. F.Bertsch, Chem. Phys .Lett . 197, 32 (1992)

160. M. Diehl, J.Degen, H.-H. Schmidtke, J.Phys.Chem., 99, 10092 (1995)

161. R.D.Bendale, J.F.Stanton, M.C. Zerner, Chem.Phys.Lett . , 194 , 4 67 (1 9 92)

162. F.Negri,G.Orlandi, and F.Zerbetto, Chem.Phys.Lett. 144, 31 (1988)

163. Y.Wang et al . Phys.Rev.B 51, 4547 (1995)

164. A. Sassara, G. Zerra and M.Chergui, J.Phys.B: At.Mol. Opt-Phys . 29, 4 997 (1 9 9 6)

165. W.Guss, J.Feldmann, E.O.Goebel, C.Taliani, H.Mohn, W.Muller, P.Haussier,

166. H. -U. ter Meer, P h y s . R e v . L e 1 1 . , 72(1 6), 2 64 4 (1994)

167. V. D.Negrli , V.V.Kveder, Yu.A.Ossipyan,

168. N . Kr emens kaya , R . K . N i k o l a e v , Phys .Stat.Sol. (b) , 199, 587 (1 9 9 7)

169. D.J. van den Heuvel et al . J.Phys.Chem. 99, 11644 (1995)

170. M.R.Wasilewski , M.P.O'Neil, K.R.Lykke, M.J.Rellin, and D.M.Gruen,

171. J.Am.Chem.Soc. 113, 2774 (1991)

172. J.M.Arbogast et al . , J.Phys.Chem. 95, 11 (1991)

173. Y.Wang, J.Phys.Chem. 96, 764 (1992)

174. D.J. van den Heuvel, I.Y.Chan, E.J.J.Groenen, J.Schmidt, G.Meijer,

175. Chem. Phys. Lett., 231, 111 (1 9 9 4)

176. B.Pevzner, A.F.Hebard, M . S . Dr e s s e l ha u s , Phys.Rev. B 55(24), 16439 (1997)

177. B.B.KBegep, B.fl.HerpwM, 3-A.DTeMHMaH, A.H.HSOTOB, ffi.A.OoHnb3H,

178. P.K.HMRQ^aeB, ^3T0 113(2), 1 (1998)

179. D.J. van den Heuvel, I.Y.Chan

180. E.J.J.Groenen, M.Matsushita, J.Schmidt

181. G. Meijer, Chem . Phys . Lett . 233, 2 84 (1 9 95)172. ; F . Negri, G.Orlandi,

182. J. Chem.Phys . 97 , 64 9 6 (1 9 9 2)1. F.Zerbetto

183. B.Renker, F.Gompf, R.Held, P.Adelmann

184. A.Helming, W.Reichardt, G.Roth, H.Schober

185. H. Rietschel, Z.Phys. B 90 , 3 2 5 (1 9 9 3)

186. L.Pintschovus, B.Benker, F.Gompf, R.Heid, S.L.Chaplot, M.Haluska, and H.Kuzmany,

187. Phys . Rev. Lett . 6 9 , 2 6 62 ( 1 9 92)

188. L.Pintschovus, S.L.Chaplot, Z.Phys., B98, 527 (1995)176. M.R.Philpott, (1971)1. J.Chem.Physv . 5 4 , 111

189. M.R.Philpott, In: Advances in Chemical Physics, Eds. I.Prigogine, S.A.Rice. Chichester, Wiley, 1 9 7 3 , V. 2 3, p.2 2 7 3 4 1.

190. K.Yabana, G.F.Bertsch, Chem.Phys,Lett. 197,32 (1992)

191. M.Diehl, J.Degen, H.-H. Schmidtke, J. Phys.Chem. , 99, 100 92 (1 9 9 5)

192. R. D.Bendale, J.F.Stanton, M.C. Zerner, Chem. Phys.Lett. , 194, 4 67 (1 9 9 2)

193. M. Patrini, F.Marabelli, G.Guizzetti, M.Manfredlni, C.Castoldl, and P.Mllani, Proc. ECS, Eds. K.M.Kadish and R.S.Ruoff, v. 9 4 2 4 , p. 63 2 .

194. B.B.KBegep, B.fl.Herpww, Э. A. ffla?eMHMaH,

195. A.H. msotob , ffi.A.0oHnb3H, P.K.HMKonaeB. ^T® 113,b . 2 c t p. 1-13(1998)

196. Bashkin T.O., Izotov A.N., Moravsky A.P., Negri! V.D., Nikolaev R.K., Ossiplan Yu.A., Ponyatovsky E.G., and Steinman E.A., Chem.Phys.Lett. v2 7 2 p.32 (1 9 9 7).

197. D.V.Dyachenko Dekov, Yu.L.Iunin, A.N. Izotov, V.V.Kveder, R.K . Ni kolaev, V.I.Orlov, Yu.A.Ossipian, N.S.Sidorov, E.A.Stein man, Phys . St. Sol. , (b) 222, No. 1, p. 111-119,2 0 0 0) .