Оптические свойства и энергетический спектр локальных центров в кристаллах силленитов германия, кремния и титана тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Оглавление.т

Основные сокращения

Введение

Глава I. Силленит и его физико-химические свойства

Литературный обзор).•

1.1 Кристаллическая структура.

1.2 Оптические и фотоэлектрические свойства силлени-тов германия и кремния.

1.3 Процессы фото- и термостимулированной люминесценции

1.4 Влияние отжига в.вакууме на оптические и фотоэлектрические свойства.

1.5 Применение монокристаллов германата и силиката висмута.

Кислородосодержащие соединения - силлениты германия и кремния весьма активно исследуются в последнее десятилетие. Повышенный интерес к этим соединениям связан с использованием их в приборостроении, прежде всего, в устройствах пространственно-временной модуляции света (ИВМС) в качестве активного элемента. Реверсивные ПВМС представляют собой важный класс оптоэлектронных элементов, нашедших широкое применение в таких областях, как: I) телевидение; 2) обработка, запись и воспроизведение информации, устройства оптическом памяти, автоматика; 3) звуко-, радио-, термовидение . .

Одними из наиболее перспективных конструкций ПВМС являются устройства типа ПРОМ, ПРИЗ, представляющие собой многослойные структуры, использующие электрооптические материалы, в которых для управления электрическим полем в объеме кристалла используется фотопроводник. Модуляторы ПРОМ и ПРИЗ применяются для записи, хранения и обработки оптической информации -223. Известно, что для этих устройств пригодны кристаллы Btj2 St02Q , BLI2Ge02Q, BtLI2Tt.020, Zn.S, Zn. Кристаллы германата и силиката висмута выделяются тем, что обладают высоким электрооптическим коэффициентом С^З] , а также большой фотопроводимостью .

Силлениты имеют и другое применение. Они являются наиболее эффективной средой для записи объемных голограмм и построения систем реверсивной памяти объемного типа £25]. Малая величина акустических потерь позволяет использовать эти монокристаллы в качестве линий задержки £.26 ,2?3 • В Bi.j£ R,02q ( fL = - S>L , Ge , Тс ) и тонких пленках B£.j2Ge02Q обнаружен фотогальванический эффект [2.8-50] , эффект Фарадея [з1] , кристаллы обладают оптической активностью и являются пьезоэлектриками

31]. Эти свойства силленитов германия и кремния несомненно указывают на их большую практическую и научную ценность. Однако, некоторые физические свойства этих материалов до сих пор слабо изучены, что не позволяет целенаправленно улучшать параметры конкретных устройств (ПРОМ, ПРИЗ), используемых при обработке оптической информации.

К моменту проведения этой работы не была окончательно выяснена природа центров фоточувствительности в силленитах германия и кремния, обуславливающих широкую безструктурную полосу поглощения, именуемую "плечом". Не исследовались процессы рекомбинации носителей заряда после возбуждения. Вопрос о природе центров захвата и влиянии их на процесс переноса заряда мало рассматривался в литературе. Не было ясности в понимании механизма формирования пространственного заряда при записи оптической информации в устройствах, использующих кристаллы силле-нита германия и кремния.

Учитывая выше изложенное, следует признать актуальным проведение комплекса экспериментальных исследований оптических и фотоэлектрических свойств силленитов германия, кремния и титана с различной стехиометрией по BL , Ge 0 в широком температурном диапазоне от 4,2 К до 500 К при облучении их оптическим и рентгеновским излучением. Это исследование имело следующие конкретные цели:

1) изучение энергетического спектра центров фоточувствительности и. захвата в запрещенной зоне и их природы в силленитах германия, кремния и титана;

2) исследование процессов излучательной рекомбинации в кристаллах;

3) исследование влияния оптического и рентгеновского излучения на оптические и фотоэлектрические свойства силленитов при Т = 80 - 500 К.

Перечислим вкратце основные вопросы, изложенные в последующих главах.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ г

1) Установлено, что центрами фоточувствительности в кристаллах типа силленита в видимой области спектра ("плечо") являются комплексные ионы висмута (• ВсО^ ), связанные с вакансиями германия (кремния) и вакансии кислорода ( F+ и Fj?"1"- центры) в BlOy . Показано, что структурные дефекты типа классического F+ и F^* - центра реализуются в элементарной ячейке силленитов на вакансиях мостикового кислорода между атомами висмутами. Обнаружено, что концентрация F+ - центров сильно зависит от условий выращивания кристаллов и изменяется в широких пределах от 10-до 10"^ см5 . Предложен механизм образования F+ - центров в кристаллах.

2) Отжиг стехиометричных кристаллов Blj2Ge02Q, Blj-g Si OgQ как в кислороде, так и в вакууме приводит к обеднению их висмутом. Показано, что обеднение кристаллов висмутом происходит вследствие его диффузии из объема и последующего испарения. При этом фоточувствительность кристаллов и коэффициент поглощения в видимой области спектра уменьшаются. Фоточувствительность силленитов германия и кремния, выращенных из расплава методом Чохральского в виде слитков больших размеров, уменьшается от зоны затравки к зоне отрыва. Это связано с обеднением состава шихты висмутом. Определены условия выращивания кристаллов с оптимальной фоточувствительностыо.

3) Установлено, что легирование силленитов оловом методом диффузии приводит к увеличению фоточувствительности кристаллов о в области "плеча" с Л тох= 415 нм более?чем в 10 раз. На этих кристаллах изготовлены ПВМС типа ПРОМ, ПРИЗ, обладающие повышенной фоточувствительностью (в 60 - 80 раз).

4) Установлено, что центры захвата в силленитах германия и кремния обусловлены их структурными несовершенствами. ЦЗ с

Ет = 1,2 - 0,5 эВ имеют объемный характер, а ЦЗ с Ет = 0,32; 0,18 эВ обусловлены поверхностными состояниями кристалла связанными с вакансиями кислорода. Концентрация ЦЗ с Ет = 0,56 эВ определяется содержанием в кристаллах ионов висмута. Показано, что процесс переноса заряда по этим энергетическим состояниям (ЦЗ) связан с одним типом носителей - электронами. Определены параметры этих центров и показано, что вероятность повторного захвата электронов на центры значительно превышает вероятность их рекомбинации ( А3» Ар ). Установлено, что энергии оптической и термической активации носителей заряда с центров с Е = = 1,2 - 0,5 эВ совпадают с точностью до 0,1 эВ ( Еоп — Ет ).

5) В кристаллах, отожженных в вакууме, обнаружен новый центр излучательной рекомбинации с максимумом полосы 580 нм

Т = 298 К). Показано, что этот центр связан с вакансиями кислорода. Облучение кристаллов рентгеновским и гамма излучением приводит к появлению центров рекомбинации с *Л.те,х= 630 нм и увеличению концентрации ЦЗ с Ет = 0,18 эВ. Установлено, что излучательная рекомбинация осуществляется из состояний расположенных у дна зоны проводимости на расстоянии не более 0,05эВ. Предложена модель температурного гашения излучательной рекомбинации в силленитах.

6) Показано, что изменение фоточувствительности силленитов при облучении как видимым, так и ближним ИК светом, а также после отжига в вакууме имеет объемный характер и обусловлено изменением времени жизни носителей заряда в зоне проводимости. Изменение времени жизни носителей заряда происходит вследствие изменения заселенности группы уровней с энергией Е = 1,2

- 0,7 эВ (Т = 298 К), являющихся эффективными центрами рекомбинации.

7) Впервые обнаружен и исследован эффект фотоиндуцирован-ного изменения оптического поглощения силленитов германия, кремния и титана при Т = 80 - 298 К. Исследована зависимость наблюдаемого эффекта от стехиометрии кристаллов по висмуту, германию (кремнию) и кислороду. Показано, что эффект связан с фотоионизацией связей BL - 0 в комплексном ионе висмута,связанном с вакансиями германия, кремния,и локализацией возбужденных электронов на ЦЗ. Величина фотоиндуцированных изменений оптического поглощения определяется, в основном, концентрацией ЦЗ в кристаллах.

8) Показано, что при записи оптической информации в кристаллах и устройствах на их основе при экспонировании светом с

Л.< 540 нм пространственный заряд создается в результате фотоионизации связей Вс - 0 в комплексном ионе висмута (возникновение центров с Е = 3,0 - 1,3 эВ,обуславливающих эффективный положительный заряд) и локализации возбужденных электронов на центрах захвата (отрицательный заряд). Объяснена причина разрушения записанной информации при ее считывании.

9) Построена зонная диаграмма энергетических состояний в кристаллах силленита германия, кремния и титана.

10) На основании полученных в'работе данных о природе центров фоточувствительности и захвата сформулированы рекомендации и изготовлены кристаллы с повышенной фоточувствительностью в видимой (на два порядка) и ближней ИК (на порядок) области спектра. На основе этих кристаллов изготовлены приборы типа ПРОМ и ПРИЗ, обладающие повышенной фоточувствительностью (в 60 - 80 раз) в видимой области спектра с улучшением разрешением (в >у 10 раз). Осуществлена визуализация записанной в

ИК диапазоне (1,0 - 2,0 мкм) информации в видимой области спектра.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основная цель работы заключалась в исследовании уровней энергии в запрещенной зоне силленитов германия, кремния и титана, их природы и процессов .излучательной рекомбинации, постро-• ении зонной диаграммы энергетических состояний в силленитах и изучении процесса создания объемного заряда при облучении кристаллов светом из видимой области спектра.

Задача является актуальной, так как многие авторы отмечают исключительные возможности силленитов германия и кремния для целей оптоэлектроники, в частности, использование их в устройствах ПВМС типа ПРОМ, ПРИЗ для записи и обработки оптической информации. С другой стороны, к настоящему времени известны самые общие сведения об их свойствах: полоса пропускания, электрооптические свойства, область фоточувствительности. Вопрос о природе центров, обуславливающих фоточувствительность силленитов, рассматривался рядом авторов, но окончательно не выяснен, так как мнения очень противоречивы. Процессам рекомбинации и захвата носителей заряда на ловушки (ЦЗ) в литературе вообще уделялось мало внимания. Не был выяснен механизм создания пространственного заряда в устройствах ПВМС типа ПРОМ и ПРИЗ. Все это затрудняет процесс улучшения существующих параметров этих приборов и, следовательно, сужает область их применения.

В результате исследований, проведенных в данной работе на силленитах германия и кремния с измененной стехиометрией по кислороду и висмуту, было установлено, что фоточувствительность кристаллов обусловлена содержанием в них висмута. Увеличение содержания висмута в кристаллах повышает коэффициент поглощения и величину фоточувствительности в видимой и ближней ИК области. Уменьшение висмута соответственно снижает эти параметры. Изменение содержания висмута происходит не только при выращивании кристаллов, но и при отжиге силленитов в вакууме и кислороде, вследствие его диффузии из объема и испарения. Обеднение состава шихты висмутом, вызванное его испарением f-inj ^приводит к уменьшению фоточувствительности выращенных кристаллов. Данные, полученные при исследовании зависимости фоточувствительности образцов по длине слитка кристалла и от номера слитка,выращенного из одного расплава,позволили нам (совместно с сотрудниками Красноярского завода цветных металлов) сформулировать требования для получения кристаллов с однородными фотопроводящими свойствами по длине слитка.

В работе показано, что комплексные ионы висмута (BiOy), являясь одним из основных структурных элементов соединения,поглощают за краем основного поглощения в видимой области спектра вследствие того, что они связаны с вакансиями германия (кремния). Легирование кристаллов в расплаве элементами третьей группы Периодической системы элементов приводит к заполнению вакансий германия (кремния) и образованию с ионами висмута соединений, отличающихся от силленитов германия и кремния. Олово, введенное методом диффузии при Т > 500 К, занимает, по всей вероятности, места комплексного иона висмута, который при данных температурах уходит из кристаллов. Фоточувствительность

ВSi (Ge) 020 : Sn в области 400 - 500 нм ( А тах~ 415 нм) р увеличивается более,чем в 10 раз. На основе этих кристаллов изготовлены ПВМС типа ПРОМ и ПРИЗ. Пороговая фоточувствительность приборов возросла в 60 - 80 раз. Для ПВМС типа ПРИЗ фото

О о (1 р чувствительность равна 8 • 10 Дж/см (в исходных 2 • 10 Дж/см ) разрешающая способность составляет более 50 лин. /мм и максимальный контраст контура 360 / Iй . Данные получены Деменко С.И.

Изучение свойств силленитов германия и кремния при изменении их стехиометрии по кислороду в процессе отжига в вакууме, а также исследование исходных кристаллов методами ЭПР и оптической спектроскопии позволило нам обнаружить в них структурные дефекты - F+ и F^*"- центры, связанные с вакансиями кислорода. Эти структурные дефекты реализуются в элементарной ячейке [н>5"] на вакансиях мостикового кислорода, расположенных между атомами висмута и захватывающих по электрону. F+ и Fj?4"-- центры поглощают в полосе с максимумом на Е = 2,45 эВ на краю "плеча" поглощения силленитов.

Вакансии кислорода, отличные от вакансий,наблюдаемых в ЭПР исследованиях, создаются в кристаллах при отжиге их в вакууме. Отжиг кристаллов в вакууме приводит к образованию в них нового центра излучательной рекомбинации с максимумом полосы излучения на А = 580 нм ( 298 К ). Интенсивность излучательной рекомбинации через этот центр растет с увеличением времени и температуры отжига образца в вакууме. При отжиге кристаллов в вакууме наблюдается также увеличение концентрации мелких центров (с Ет «$: 0,18 и Ет = 0,2 - 0,35 эВ) и рост фотопроводимости кристаллов. Из анализа оптических и фотоэлектрических свойств этих кристаллов видно, что разрыв связей BL - 0 приводит к изменению энергии валентных электронов Bi и возникновению широкого спектра локальных состояний в запрещенной зоне силленитов. Увеличение концентрации мелких уровней и собственной проводимости кристаллов приводит к заполнению уровней энергии 1,2 - 0,7 эВ, являющихся эффективными центрами рекомбинации в силленитах и, следовательно, увеличению времени жизни носителей заряда в зоне проводимости и росту фототока. При отжиге этих кристаллов в кислороде центры Vq,возникшие при отжиге в вакууме,исчезают, но концентрация F* и Fцентров, не изменяется. Это указывает на то, что вакансии кислорода, присутствующие в исходных кристаллах, стабилизированы основной решеткой. В работе предложена модель для объяснения наблюдаемого эффекта.

Таким образом, центрами фоточувствительности в силленитах являются комплексные ионы висмута, связанные с вакансиями германия (кремния) и вакансии кислорода в BL Or,.

Результаты, полученные при исследовании природы центров фоточувствительности в силленитах, имеют бесспорно важное практическое значение. В дополнение к вышесказанному следует отметить, что отжигом кристаллов в вакууме можно изменять область спектральной чувствительности силленитов, увеличивая её в видимой области или смещая в более длинноволновый диапазон. Изменяя темновую проводимость силленитов при отжиге их в вакууме. можно более точно подбирать условия согласования сопротивлений кристалла и диэлектрика в устройствах ПВМС.

Обнаруженные нами эффекты фото- и термоиндуцированного изменения оптического поглощения силленитов германия, кремния и титана имеют важное практическое и научное значение. Эти явления позволяют более подробно изучить процесс взаимодействия света с кристаллами типа силленита. Результаты, полученные при исследовании воздействия света из видимого диапазона спектра на кристаллы с измененной стехиометрией по В с , Ge {Si ) и О при Т = 300 - 80 К , показывают, что фотоиндуцированное изменение их поглощения обусловлено ионизацией связей Bl - 0 в комплексном ионе висмута, связанном с вакансиями германия, кремния и зависит как от концентрации ВЮг, (соответственно, концентрации V ))» тэк и от его структурного совершенства (содержания вакансий кислорода Vo ). С другой стороны, было показано, что величина фотоиндуцированного изменения оптического поглощения (Лоб ) зависит от концентрации в этих кристаллах центров захвата. Наблюдаемое оптическое (свет с Л > 550 нм) просветление кристаллов, потемневших в результате облучения светом с Л < 550 нм при Т = 240 - 80 К, имеет важное практическое значение. Оно позволяет на предварительно экспонированном светом А = 400 - 500 нм кристалле (устройство ПВМС типа ПРОМ) записывать оптическую информацию (амплитудную) в области от 600 до 1400 нм, а воспроизводить её в видимом диапазоне.

Облучение кристаллов как видимым, так и ближним ИК светом изменяет их фоточувствительность во всей области спектральной чувствительности (Т = 80 - 300 К). Это явление обусловлено изменением времени жизни носителей заряда в зоне проводимости вследствие изменения заселенности группы уровней с Е = 1,2 -- 0,5 эВ , являющихся эффективными центрами рекомбинации. Облучение светом А 540 нм увеличивает фотопроводимость кристаллов и заселенность уровней с Е = 1,2 - 0,5 эВ, а свет сА>540нм сильно ее уменьшает. Наиболее ярко эффект выражен при Т = 80 К, где наблюдается увеличение фоточувствительности в ближней ИК области (Атг»х= 1200 нм) на два-три порядка. Это позволяет использовать силлениты как ИК приемник или как ИК преобразователь изображения. Нами осуществлена визуализация ИК информации, записанной в диапазоне 800 - 1400 нм (Т = 298 К0), в видимой области спектра. Чувствительность приборов типа ПРОМ, предварительно экспонированных синим светом в ближней ИК области была ~ 10"^ Дж/см^. Предварительное облучение устройств красным светом увеличивает их разрешение в два раза.

Комплексное исследование оптическими и термоактивационны-ми методами процесса создания пространственного заряда при записи оптической информации в структурах Me (Bij2&l(Ge) 020)Ме (устройства типа ПРОМ, ПРИЗ) показывают, что видимый свет, проникающий в кристаллы на глубину 50 * 100 мкм, уменьшает пропускание устройств в целом (Т = 298 К ). Это обусловлено ионизацией связей BL - 0 в комплексном ионе висмута, связанном с вакансиями германия (кремния)? и образованием системы уровней с Е = 3,0 - 1,3 эВ (ФХЭ). Экспонирование устройств светом А. = = 500 нм увеличивает их пропускание, что обусловлено ионизацией вакансий кислорода (Г+ - центров). Фоточувствительные носители заряда при толщине кристалла 300 - 500 мкм дрейфует в поле и захватываются обычными ЦЗ. При уменьшении толщины кристалла до cL- 100 - 150 мкм электроны локализуются и на поверхностных центрах на границе раздела диэлектрик-полупроводник. При комнатной температуре носители заряда наиболее эффективно захватываются на ЦЗ с Е = 1,2 - 0,7 эВ, поэтому с этими центрами связано длительное хранение записанной информации. Таким образом, при записи информации светом с Л = 400

- 500 нм пространственный заряд обусловлен возникновением глубоких центров с Е = 3,0 - 1,3 эВ, имеющих эффективный положительный заряд,и электронами, локализованными на ЦЗ с Е = 1,2 - 0,7 эВ (Т = 298 К). Пространственный заряд, обусловленный ионизацией F+ - центров и захватом электронов на ЦЗ с Е = = 0,28. эВ?существует очень малое время (десятки миллим-секунд).

Для повышения разрешения устройств необходима локализация отрицательного заряда в узкой пространственной области. С этой целью были изготовлены ПВМС на кристаллах толщиной • oL-100 мкм, что обеспечивает запасание электронов на поверхностных центрах, на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Предварительные результаты показывают, что уменьшение толщины кристаллов с 500 мкм до 100 мкм повышает разрешение ПВМС типа ПРОМ с б

- 10 лин/мм до 60 - 70 лин/мм . Увеличение времени хранения записанной информации (в десятки раз) достигается охлаждением, устройств до температуры Т = 200 К. Это связано с увеличением времени жизни электронов на ЦЗ с Ет = 1,2 - 0,7 эВ, вследствие уменьшения вероятности их теплового освобождения.

Считывание записанной информации в устройствах на основе кристаллов типа силленита производится красным светом (Л > > 550 нм), однако, красный свет опустошает ЦЗ с Е = 1,2 -- 0,7 эВ и, следовательно, приводит к стиранию записанного изображения. Поэтому считывание оптической информации в структуре Me {Bi.-j-2Se020^ Ме ПРИЗ) является разрушающим.

Проведенный нами комплекс исследований оптических, фотоэлектрических и термоактивационных свойств позволил построить зонную диаграмму энергетических состояний в силленитах германия, кремния и титана. Это дает возможность объяснить наблюдаемые в них эффекты и проводить теоретические расчеты.

В заключение автор считает своим долгом выразить глубокую признательность научному руководителю Малиновскому В.К. за постоянный интерес к работе и плодотворное обсуждение, Елисееву А.П., Надолинному В.А., Гудаеву О.А., Детиненко В.А., Де-менко С.И. за помощь в проведении ряда экспериментов и полезные дискуссии, а также всему коллективу лаборатории голографи-ческих методов исследования за повседневную помощь и поддержку в работе. Автор благодарен Греховой Т.И. за предоставление необходимых образцов кристаллов.

1. Гуревич С.Б. Пространственные модуляторы света. - В кн.: Пространственные модуляторы света / Под ред. С.Б.Гуревича -Л. Наука, 1977, с. 1..

2. Oliver D.S., Buchan W.R. Optical image storage and proces-sung device using electrooptic ZnS IEEE, Trans, on Electr. Devices, 1971, ED - 18, No 9, p.769-773.

3. Hou S.L., Oliver D.S. Pockels readout optical memory ising Bi12Si02Q Appl.Phys. Lett, 1971, V.18, No 8, p.325-328.

4. Feinleib I., Oliver D.S. Reusable optical image storage and processing device. Appl. Phys., 1972, V.11, No 12, p.2752-2759.

5. Nisenson P., Jutaca S. Real time optical processing with Bi12Si02Q PROMi Appl. Phys., 1972 , V.11, No 12,p.2760-2767.

6. Roach V/.R. Resolution of Electrooptic Light Valves. IEEE.

7. Trans on Electron Devices, 1974, ED 21, No 8, p.453 -

8. Lipson S.L., Nisenson P. Jmaging characteristic of the Itclc PROM. Appl. Opt., 197^, v. 13, No 9, P. 2052- 2060т

9. Nisenson P., Sprague R.A. Real time optical correlation.- Appl. Opt., 1975, v.4, No 11, p.2602-2606.

10. Бережной А.А., Гуревич Б.З., Морозов С.В., Попов Ю.В. Запись оптической информации в кристаллах силиката висмута.- Письма в ЖТФ, 1976, т.2, № 5, с. 198-200.

11. Грехов Ю.Н., Котляр П.Е., Нежевенко Е.С., Фельдбуш В.И., Шздеев Н.И. Пространственно-временной модулятор света на монокристалле BL-j-2Ge020 ' ~ Письма Б 1976, т.2, № 10, с. 457-461.

12. Хоменко А.В., Ковалев Н.Н., Петров М.11. Оптическая запись информации в PROM- структуре на основе Bij2 St02Q.- Письма в КТФ, 1976, т.2, № 23, с.1095-1098.

13. Клипко А.Т., Котляр 11.Е., Нежевенко E.G., Фельдбуш В.И., Шибанов B.C. Пространственно-временные модуляторы света на монокристаллах Bi-£2Ge02Q. Автометрия, 1976, Й2 4,с. 34-43.

14. Петров М.П., Хоменко А.В., Березкин В.И., Красильникова М.В. Предельная разрешающая способность транспоранта на основе

15. Bi.St02Q. Микроэлектроника, 1979, т.8, № I, с. 20-23.

16. Петров М.П., Хоменко А.В., Мзрахонов В.И., Шлягин М.Г. Нестационарные явления в пространственно-временном модуляторе света. Письма в ЕТФ, 1980, т.6, № 7, с.385-388.

17. Петров М.П., Марзхонов В.И., Шлягин М.Г., Хоменко А.В., Красильникова М.В. Применение пространственного модулятора ПРИЗ для обработки информации. КТФ, 1980, т.50, № 6, с. I3II-I3I4.

18. Фельдбуш В.И. Управляемый транспарант для оконтуривания изображений. Автометрия, 1980, № 6, с. I08-II0.

19. Хоменко А.В., Мзрахонов В.И., Шлягин М.Г. Фурье анализ изображений с помощью модулятора ПРИЗ. - В кн.: Применение методов оптической обработки информации и голографии /Под ред. С.Б.Гуревичэ и В.К.Соколова - Л. ЛИЯФ, 1980, с.238-242.

20. Петров М.П. Обработка информации с помощью модуляторов света на основе электриоптических кристаллов. В кн.: Применение методов оптической обработки информации и голографии. / Под. ред. С.Б.Гуревича и В.К.Соколова - Л. ЛИЯФ, 1980, с. 223-236.

21. Астратов В.Н., Ильинский А.В., Резников С.Н., Рысаков О.М. Формирование изображения на пластинах из ^20 и Bc.j2Ge020 ^ 001 ^ и ( ^ среза при их разрядке электронным пучком. Письма в 1ТФ, 1982, т.8, №17, с. 1056-1059.

22. Casasent D., Caimv F., Petrov M.P., Khomenko A. A. Applications of the Priz bight modulator. Appl. Opt., 1982, v.21, No 27, p. 3846 - 3852.

23. Peltier M., Micheron F. Volume hologram recoding and charge transfer process in Bi^SiC^Q g^ Bi^GeC^Q. I. Appl. Phys. 1977, v.48, No 9, p. 3683 - 3690.

24. Кобаяси Дж., Уезу Ю. Оптическая память, принципы записи и исследуемые материалы. Автометрия, 1978, № I, с. 4-15.

25. Huignard I.P., Hicheron F. High sensitivity read-write volume holographic storage in Bi^SiC^O ^^ crystals. - Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 591- 593.

26. Venturine E.L., Spencer E.G., Ballman A.A. Elasto-Optic Properties of Bi^GeO^, Bi^SiO^, and ^Og. -I. Appl.Phys., 1969,vol.40, N 4, p. 1622 1624.

27. Лямов В.Е., Маматова Т.А., Крышнева Г.В. Анкустические свойства кристаллов германата висмута. М. МГУ, 1974.

28. Петров М.П., Грачев А.И. Фотогальванический эффект в силикате висмута ( Bij2 S£02q ). Письма в 1ТФ. 1979, т.З ,1. I, с. 18-21.

29. Барсукова M.JI., Каримов Б.Х., Кузнецов В.А., Магометов P.M., Фрадкин В.М. Фотовольтаический эффект в пьезоэлектрике BtI2TC02O. ФТТ, 1980, т.22, № 9, с. 2870-2871.

30. Багликов В.Б., Корнетов В.Я., Огнев А.Н., Попов Б.Н. Фотогальванический эффект в тонких пленках Bi j2Se02Q. Письма в Ж5ТФ, 1983, т.37, г/Л. с. 3-5.

31. Сафонов Г.М., Батог В.Н., Красилов Ю.И., Пахомов В.И., Федоров П.М., Бурков В.И., Скориков В.М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силле-нит типа. - Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1970, т.6, № 2, с. 284-288.

32. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции. Изв. АН СССР. Сер. ушз., 1946, т.10, № 5-6, с. 477-487.

33. Lauer Е.В. Electron effective mass and conduction Jand effective density of states in Bi^SiOgQ. Appl. Phys. 1974, vol.45, N 4, p. 1794 - 1797.

34. Березкин В.И. Оптические и термические переходы в силикатевисмута. ФТТ, 1983, т.25, л/2., с. 490-494.1.L.

35. Abrachams S.C., Jamieson Р.В. Bernstein Crystal structure of pieroelectric vismuth germanium oxi^e Bi^GeC^Q.1. chem. Phys. 1967, Vol.47, N 10, p. 4034 4041.

36. Ермаков М.Г., Хомич А.В., Петров П.И., Горн И.А., Куча В.В. Локальные центры в кристаллах силиката висмута. Микроэлектроника, 1982, т.II, № 5, с. 424-429.

37. Таиворон В.Г., Перов П.И., Соболев А.Т. Фотопроводимость в Blj2 и влияние на нее лазерного излучения. В кн.: Тезисы 1У Всесоюзной конференции по физическим основам передачи информации лазерным излучением. Киев, 1976, с. 34.

38. L.G.Sillen. ксkiv kemi. Min. Geol. 1937 12 A (18), 1,

39. Сперанская Е.П., Аршакуни А.А. Система окись висмута- двуокись германия. Журнал неорганической химии, 1964, т.9, № 2, с. 414-421.

40. Сперанская Е.П., Рез И.С., Козлова Л.В., Скориков В.id., Славов В.И. Система окись висмута двуокись титана.- Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1965, т.1, № 2, с. 232-235.

41. Сперанская Е.П., Скориков В.М. О титанатах и ферритах висмута. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т.З, № 2, с. 341-344.

42. Сперанская Е.П., Скориков В.М. К вопросу о силленит -фазе. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т.З, № 2, с. 345-350.

43. Сперанская Е.П., Скориков В.М., Сафронов Г.М., Миткина Г.Д. Система Ы^ Si 02. - Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1968, т.4, № S , с. 1374-1375.

44. Литвин Б.Н., Шалдин Ю.В., Питовранова И.Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si силленита. - Кристаллография, 1968, № 13, с. IIQ6-II08.

45. Сафонов А.Н., Барышев С.А., Никифорова Т.И., Антонов Г.Н., Федулов С.А. Выращивание и оптические свойства монокрис-. таллов Blj2 StO^Q • Кристаллография, 1968, № 13, с. 914-915.

46. Завьялова А.А., Имамов P.M. К вопросу о кубической структуре t Вс^Оз- - Кристаллография, 1969, т.14, № 2,с. 231-233.

47. Кузминов К).С., Лифшиц М.Г., Сальников В.Д. Выращивание и физико-химические свойства соединений Btj-^GeO^g к

48. ВЦ( GeO^ Кристаллография, 1969, т.12, №"2, е. 363-365.

49. Ивлевз Л.И., Кузьминов Ю.С., Получение монокристаллических пластин С«.( VO^ и Bt-^ScO^Q из расплава способом Степанова. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1983, т.47, № 2, с. 395-398.

50. Levin Е.М., Roth R.S., Polumorphysm of Vismuth sesguioxide. I. Pure Ъ±20у I. Research Nat. Bur. Stan, 1964, Vol.68 A, N 2, p. 189 - 195.

51. Levin E.M., Roth R.S. Polumorphysm of vismuth sesguioxide II Effect of oxide addition on the polumorphysm of- I. Research Nat. Rur. Stan, 1964, Vol. 68 A, N 2, p.197- 206.

52. Ballman A. A. The growth and properties of pieroelectric vismuth germanium oxide Bi^GeC^Q. I. of Crystal. Growth, 1967, vol. 1, N 3, p. 37 40.

53. Bernstein I.L. The anit cell, and space group of piezoelectric vismuth germanium oxitle (В1^2^еО20). I. of Crystal. Growth. 1967, vol. 1, N 3, p. 4-5 - 46.

54. Копылов Т.JL, Кравченко'В.Б., Куча В.В., Соболев А.Т. Исследование оптической однородности монокристаллов диэлектриков для опто электронных устройств. Микроэлектроника, 1978, т.7, № 5, с. 412-420.

55. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric d-74. coefficient in laevorotatory Bi^SiOgQ. I. Chen. Phys., 1979, vol.71, N 2, p. 788 - 792.

56. Altirich. R.E., Hou S.L., Harvill M.L. Electrical and optical properties of Bi^SiC^Q. ~ -1-* ДРР1» Phys., 1971, vol.42, N 1, p. 493 494.

57. Hou S.L., Lauer R.B., Altrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bi^SiO^Q. I. Appl. Phys., 1973, vol. 44, N 6, p. 2657 - 2658.

58. Lenzo P.V. Ligth and Electric - Field - Dependent Oscillation of space - charge - limited current in Bi^GeO^Q.- I. Appl. Phys., 1973 , vol. 43 , N 3 , P. 110 - 1112.

59. Реза А.А., Сенуленко Д.Б., Беляев В.А., Леонов Е.И. Оптические свойства монокристаллов BL-j^ SI^q. Письма в ЕТФ, 1979, т.5, № 8, с. 465-469.

60. Efendiev S . М., Bagiev V.E., Zeinally А. С ., Skorikov V.M. Optical transitron in Bi^SiC^o' Phys. Stat Sol., 1978 , V (a) 50 , p. К 141 - 1С 143.

61. Futro А.Т., Lukasiewicz Т., Zmija J. Circular birefringence in bismuth germanium oxitle (Bi^GeO^). ~ Phys. Stat. Sol., 1976, V (a) 37, p. К 75 К 7961. Беляев В.А., Бирюлин Ю.Ф.Бондарев А.Д., Леонов Е.М.,

62. Douglas G.G., Zitler R.N. Transport procesess of photoiudu-ced carroers in bismuth germanium oxitle (В:Ц2

63. Appl. Phys., 1968, Vol.39, N 4, p.2133 2135.

64. Байрамов Б.X., Захарченя Б.П., Хашхожев 3.U. Исследование самофокусировки излучения в BLj2®e02Q с помощью комбинационного рассеяния. ФТТ, 1972, т.14, № 5, с. 1374- 1383.

65. Бабонос Г.А., Бондарев А.Д., Леонов Е.И., Реза А.А., Сену-лене Д.Б. Пространственная неоднородность поглощения в кристаллах BcI2 Si020. ЖГФ, 1981, т.51, № 8, с. I7QI--1702.

66. Панченко Т.В., Трусеева Н.А., Резницкая Н.Я. Оптическое поглощение легированных кристаллов силикосилленита в видимой и инфракрасной области спектра. В кн.: Кристаллы активных диэлектриков. Днепропетровск, ДГУ, 1982, с. 113-123.

67. Костюк В.Х., Панченко Т.В., Трусеева Н.А. Влияние нестехиометрии состава монокристаллов на свойства силикосилленита. В кн.: Кристаллы активных диэлектриков. Днепропетровск, ДГУ, 1982, с. 130-138.

68. Wardzynski W., lukasiewiez Т., Zmija I. Reversible photo-chromic effects in dopec single cristals of bismuth germanium (Bi^2 Ge02Q ) and bismuth silicon oxide (Bi,j2 Si020> Opt.Comm. 1970, Vol.30, N 2, p.203 - 205.

69. Александров К.С., Анистратов А.Т., Грехов Ю.Н., Малышев Н.Г., Сизых А.Г. Оптические свойства монокристаллов Б^2®е020 легированных алюминием и бором. Автометрия, 1980, № I, с. 99-101.

70. RehwalcL W., Prick К., Lang G.K., Meier Е. Dopin effects uppon the ultrasonie aiienuotion of Bi,^ SiC^Q. I. Appl. Phys., 1976, Vol.47, N 4, p.1292 - 1294.

71. Кухарский А.А., Панченко Т.В. Влияние некоторых примесей на спектры комбинационного рассеяния света в силикате висмута. ФТТ, 1979, т.21, № II, с. 3477-3479.

72. Гудаев О.А. 0 типе основных носителей в кристаллах германата висмута. Автометрия. 1980, № I, с. 106-108.

73. Быковский Ю.А., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Скориков В.М., Чмырев В.И. Фотоэлектрические свойства Bij2@e020' ФТП, 1978, т.12, № 10, с. 2004-2006.

74. Захаров И.С., Акинфиев П.П., Петухов П.А., Скориков В.М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута. Изв. ВУЗов "Физика", № 3, 1978,с. I2I-I24.

75. Захаров М.С., Петухов Г.А., Скориков В.М. Импульсная фотопроводимость в кристаллах германата висмута. Изв. ВУЗов "Физика", 1978, № 5, с. 132-144.

76. Авроменко В.П., Клименко А.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Прыжковая проводимость монокристаллов германата висмута.- ФТТ, 1977, т.19, № 4, с. I20I-I204.

77. Камшилин А.А., Петров М.П. Инфракрасное гашение фотопроводимости и голографическая запись в силикате висмута. -ФТТ, 1981, т.23, № 10, с. 3II0-3II6.

78. Гудаев О.А., Малиновский В.К. Эксклюзия в широкозонных полупроводниках. ФТП, 1981, т.15, № 5, с. 868-872.

79. Анцыгин В.Д., Гудаве О.А., Малиновский В.К. Нелинейный фотоотклик в структурах М ( Bi.j-2G7e02Q ) М . Автометрия, 1980, № I, с. I09-II3.

80. Гудаев О.А., Косцов Э.Г., Малиновский В.К. Инжекционный контакт к широкозонным диэлектрикам. Автометрия, 1978, № I, с. 92-96.

81. Гудаев О.А., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута. ФТТ, 1981, т.23, № I, с. 195-201.

82. Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Стимулированная проводимость монокристаллов BLj29e02Q. Ш, 1976, т.21, № 5, с. 866-867.

83. Анистрзтов А.Т., Воробьев А.В., Грехов Ю.Н., Малышевский Н.Г Темновая проводимость и фотопроводимость кристаллов (германата висмута) германосилленита легированных алюминием и бором. ФТТ, 1980, т.22, № 6, с. 1865-1876.

84. Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский-Г.Х.Фотоперенос в монокристаллах BLI2S;020 и BlI2Se02Cj. ФТТ, 1980, т.22, № 8, с. 2454- 2А57.

85. Лебедева Н.Н., Мордуханов А.Р., Зейналлы А.Х. Осциляции фототока при возбуждении германата висмута коротким импульсом света. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 17, с. 1082-1086.

86. HayakowaH., Xoshisato Y, Mikoshiba N. Carrier transport and current oscillation in Bi^2 Ge02Q in the ""relaxation semiconductor regime" I. Appl. Phys., 1973, Vol. 44,1. N 6, p.2897 2899.

87. Lenzo P.V., Spenser E. G., Ballman A.A. Photoactivity in bismut germanium oxi&e. Phys. Rev., Lett., 1967, Vol.19, N 11, p.641 - 644.

88. Orlowski K., Kratzig H., Holographie method for the detev-' mination of photoinduced eleetron and hole transport inelectrooptic crystale. Sol. Stat. Comm., 1978, Vol.27,1. N 12, p.1354 1357.

89. Пенчива Т.Г., Степанов O.K. 0 знаке подвижных носителейтока в кубических фоторефрактивных кристаллах ВС-^ ( St, Ge, TL ) 02Q. ФТТ, 1982, т.24, № 4, с. I2I4-I2I6.

90. Lauct R.B. Photoluminescense in Bi^2 and Bi^2 QeO^Q-- Appl.Phys.Lett. 1970, Vol.17, N 4, p.178 179.

91. Панченко Т.В., Кудзин А.Ю., Трусеева Н.А. Термостимулиро-ванные токи в монокристаллах Вс-^Si02Q. ФТТ, 1980, т.22, К» 6, с. I85I-I854.

92. Эфендиев Ш.М., Юсифов Ф.К., Багиев В.Э., Доан Ван Ро. Уровни прилипания в кристаллах типа силленита. В кн.: Тезисы докладов "Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников", Баку, БГУ, 1978, с.69.

93. Миридонов С.В., Петров М.П., Степанов С.И. Дифракция света на объемных голограммах в оптически активных фоторефрактивных кристаллах/ Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 16, с. 976-980.

94. Камшилин А.А., Петров М.П. Голографический преобразователь изображений на монокристалле Bij2 Sl02q . Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 6, с. 337-341.

95. Пенчева Т.Г., Степанов С.И., Миридонов С.В. О тонкой структуре максимума дифракции света на объемной голограмме в BlI2St020. ЖТФ, 1983, т.53, № I, с. 114-117.

96. Проверка приборов для температурных и тепловых измерений.- Сб. инструкций, методических указаний, гос. стандартов. Изд. Стандартов. М., 1965.

97. Hennessey P., Vedam К. Piezo- and thermooptical properties of Bi^g GeO go • ~ Optical rotatory dispersion. I Optical. Socicty of America, 1975, Vol. 65, N 4, p.436- 441.

98. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. Наука, 1977, с. 65.

99. Принсгейм П. Флуоресценция и фосфоресценция. ИЛ, М, 1967.

100. Паркер С. Фотолюминесценция растворов. Мир, М, 1972.

101. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоид-ных кристаллофосфорах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1955, № 3,

102. Соломин С.С."ДАН СССР, 1941, № 31, с. 741.

103. Анцыгин В.Д., Гусев В.А., Елисеев А.П., Котляр П.Е., Расторгуев А.А. Фото- и термолюминесценция Btj2Ge02Q . -Автометрия, 1980, № I, с. 102-106.

104. Гудаев О.А., Гусев В.А., Детиненко В.А., Елисеев В.А., Малиновский В.К. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bij20eO2Q , BlI2St02Q. Автометрия, 1981, № 5,с. 38-47.

105. Елисеев А.П., Гусев В.А. Люминесценция монокристаллов в Blj23 02q ( Э = Ge, Si , Тс ). В кн.: Тезисы докладов ХХУП Совещания по люминесценции (кристаллофосфоры), Эзер-ниеки, Латв. ССР, 13-16 мая 1980, с. 153.

106. Гусев В.А., Елисеев А.II. Фотолюминесценция монокристаллов

107. BLI2Ge02Q. Автометрия, 1981, № 5, с. 47-52.

108. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Н.Е. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах л/лЬг . -Труды ИФА АН ЭССР, 1975, т.44, с. 3-10.

109. Hoogenstraaten W, Electron traps in 2>ns phosphorus. -Phillips.Hes.Rep.,1958, Vol.13, N 6, p.515 693.

110. Gobrecht H., Hofmann D. Erhohtes Ejvergi Auflosungswer-mogen bei der ttaftstellenspektroskopie durch Anwendurg der "FraJrtionierten glow Tehnik". Phys. Kondens. Mate-rie. 1966, Bd.5, H 1, S.39 - 47.

111. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции крис-таллофосфоров. М. Наука, 1966.

112. Елисеев А.П., Надолинный В.А., Гусев В.А. Влияние облучения на свойства монокристаллов В^Э 02q ( Э = Ge, Sc , Тс ). В кн.: Тезисы докладов X Уральского совещания по спектроскопии. (Свердловск, 26-28 ноября, 1980), 1980,с. 45.

113. Yolisseyev А.P., Hacoliny V.A., Gusev V.A. Vacancy centers in Bi^ R02q (E=Si^ Ti$e) single crystaln. In: Rroc. Int.Cont. "Defects in insulating crystals". - Riga, Zintnane. 1981, p.345 - 346.

114. Елисеев А.П., Надолинный В.А., Гусев В.А. Вакансионные центры в монокристаллах Bi.j2R 02q ( К. = Sc , Тс , Se ). Журнал структурной химии, 1982, т.23, № 3, с. I8I-I82.

115. Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М. Недра, 1975, с. 263-264.

116. Детиненко Б.А. Исследование диффузинных процессов в мно -гослойных структурах методом анодного потенциала. Автометрия, 1976, М, с. 57-62.

117. Выращивание и исследование свойств кристаллов титаносил -ленита и его аналогов для систем оптической обработки информации. Отчет по НИР МХТИ им. Д.И.Менделеева, М.,1982, Гос. per. JS У 62472.

118. Жданов В.Г., Малиновский В.К., Соколов А.П. Фотоиидуциров-ванные изменения структуры пленок холькогенидных стеклообразных полупроводников. Автометрия, 1981, 1&5,с. 3-13.

119. Любин В.М. Фотостимулированные структурные превращения в аморфных полупроводниках. В кн.: Сборник докладов кон -ференции "Аморфные полупроводники"- 82" "Р". Бухарест, 1982, с.19-24.

120. Камшилин А.А. Нелинейные явления при голографической записи в фоторефрактивных кристаллах LitJ&O^ Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук. Л., ЛФТИ, 1982, с.10.