Особенности электропроводности и магнитной восприимчивости в многокомпонентных окислах и халькогенидах с малой подвижностью носителей тока тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

J — I у V

- . > |россиПС1Ш1 ЛКЛДЕШЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ им.Л.В.КИРЕНСКОГО

На правах рукописи УЖ 538.221:537.311.33

Иванова Наталья Борисовна

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕГСТГОПРОВОДРЮСТИ И МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ОКИСЛАХ И ХАЛЪКОГЕНИДАХ С МАЛОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ТОМ

01.04.11 - физика магпитпых явлений

Автореферат диссертации па соискаште ученой степени кандидата физико-математических наук

Красноярск- 199?

1!аОита вьшлница в лаборатории физики магшшшх явлений Института физики им.Л.В.Киренского СО РАН.

и.чучиио руководители: доктор физико-математических наук, профессор Овчинников С.Г.,

кандидат физико-математических наук, доцент Чернов В.К.

официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Кузьмин Е.В. кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Патрин Г.С.

Ведущая организация: Сибирский физико-технический

институт /г.Томск/

Защита состоится Л993 г. в час.

на заседании специализированного совета Д002.67.02 по защитам диссертаций при Институте физики им.Л.В.Киренского СО РАН.

Адрес: 660036, г.Красноярск, Академгородок, Институт физики.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики им.Л.В.Киренского СО РАН.

Автореферат разослан " . 1992г.

Учений секретарь специализированного совета доктор физико-математических паук

Вальков В.В.

гос^я 7 /

БИБЛ.Ю^Й'ЛЛ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. Для многокомпонентных окислов и халь-когенидов переходных металлов, у которых кроме з - электронов, валентными являются также ий-, электроны, характерно наличие двух груш взаимодействующих между собой электронов. Межэлектронное взаимодействие для Б-системы электронов оказывается всегда малым. Для (1- же системы внутриатомное кулоновское взаимодействие является основным по величине и должно учитываться уже в нулевом приближении. В силу этого обстоятельства систему (1-электронов следует описывать на языке атомоподобных мноЛээ-лектронных конфигураций, а з-систему - "в рамках одноэлектронно-го зонного подхода. Получаемые в таком многоэлектронном зонном подходе модели энергетической структуры позволяют с единой точки зрения описать экспериментальные температурные зависимости коэффициента поглощения света, проводимости и намагниченности многих материалов, например, магнитных полупроводников на основе сасг2зе4.

В настоящее время достаточно убедительно показано, что особенности электрических и магнитных свойств окислов и халько-генидов переходных металлов, имеющих в окрестности полупроводниковой щели Зй-электронные состояния, обусловлены в основном б -а обменным взаимодействием и гибридизацией атомных и зонных состояний. Однако точность расчетов многоэлектронного зонного спектра еще не высока, некоторые параметры могут быть получепы только при сравнении с экспериментом.

Поэтому комплексные экспериментальные исследования, например, электропроводности и намагниченности таких материалов особенно актуальны.

Целью работы является комплексное исследование электрических и магнитных свойств окислов и халькогенидов металлов, имеющих в окрестности уровня Ферми з-с1 гибридизованную зону, для получения информации о взаимном влиянии электронной и магнитной подсистем. В качестве материалов для исследования выбраны магнитные полупроводники на основе НёСгг5е4, а также медь содержащие окислы Ьа2Си04, УВа^Сиг 07.х и Т12Ва2Са2Си30А, в которых Зс1-электроны меди участвуют в образовании хими- • ческих связей. Кроме того эти материалы представляют интерес в связи с тем, что они при определенных условиях являются сверхпроводниками с высокими критическими температурами. Для достижения цели были поставлены задачи: 1) изучить температурное поведение проводимости и намагниченности на одних и тех же ферромагнитных образцах Н5Сг28е4 и установить между ними соответствие; 2) исследовать температурное поведение магнитной восприимчивости медь содержащих У- и Т1 керамик, выделить вклад от кристаллитов; 3) изучить температурное и магнитополевое поведение проводимости и намагниченности в антиферромагнитных образцах 1а2сио4.

Новизна результатов. Из . комплексных измерений электрических и магнитных характеристик, выполненных на одних и тех же монокристаллических образцах вырожденных магнитных полупроводников Н^*Сг25е4 п-типа, впервые экспериментально установлено

соответствие между температурными зависимостями проводимости и намагниченности. Проведен анализ экспериментальных результатов в рамках модельного представления о спиновом расщеплении электронных энергий с учетом гибридизации, получены оценки параметров э-й обмена, гибридизации, глубины залегания примесных уровней.

Изучены температурные зависимости проводимости, намагниченности и магнетосопротивления в антиферромагнитных полупро-. водниках Га2Си04, впервые экспериментально установлено соответствие мевду температурными зависимостями проводимости и намагниченности. Проведен анализ результатов с учетом перемешивания атомных и зонных состояний, формирующих потолок валентной зоны.

Исследованаы действительная и мнимая компоненты динамической магнитной восприимчивости ряда сверхпроводящих керамик У и Т1- групп. Показано, что в области перехода в сверхпроводящее состояние магнитная восприимчивость определяется негомогенной гранулярной структурой и в основном несет информацию о слабых связях.

На защиту выносятся:

1. Результаты исследования температурных зависимостей намагниченности монокристаллов Н£Сг25е4 и интерпретация в рамках термодинамики ферромагнетиков с промежуточной валентностью.

2. Результаты исследования температурных зависимостей проводимости монокристаллов Н^г25е4, их объяснение с учетом

перемешивания атомных и зонных, состояний.

3. Результаты исследования магнитной восприимчивости в сверхпроводящих керамиках У- и Т1-групп.

4. Экспериментальные доказательства корреляции электронных и магнитных свойств в монокристаллах 1агСиС>4.

Практическая ценность. Результаты комплексного исследования электрических и магнитных свойств монокристаллов Н@Сг25б4 позволяют глубже понять природу взаимосвязи локализованных и свободных электронов, что необходимо для создания устройств с принципиально новым способом управления их характеристиками. Исследованные ферромагнитные полупроводники представляют инте-•рес в . качестве основы для магнитоуправляемых диодов Шоттки и диодов Ганна.

Обнаруженная в работе корреляция электронных и магнитных свойств 1а2Си04 может быть использована при объяснении явления высокотемпературной сверхпроводимости.

Полученные в диссертации результаты явились следствием работы по плану исследований, проводимых в Институте физики им. Л.В.Киренского по теме "Физические основы создания твердотельных устройств" № 2.3.9155 и "Высокотемпературная сверхпроводимость" № 1.1 Г

Апробация работы. Основные результаты диссертации опубликованы в семи статьях и докладывались на Всесоюзном совещании по химической связи, электронной структуре и физико-химическим

свойствам полупроводников и полуметаллов (Калшин-1985), Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (Кишипев-1989), Всесоюзном совещании по проблемам высокотемпературной сверхпроводимости (Свердловск-1987), Всесоюзной конференции молодых ученых (Харьков-1989), Второй Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости (Ки-ев-1989).

Структура и объем работы. Диссертация "состоит из введения, шести глав и заключения, изложенных на 114 страницах машинописного текста, содержит 28 рисунков и 1 таблицу. Список цитированной литературы включает 92 названия.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении кратко рассмотрено научное значение комплексного исследования электрических и магнитных свойств материалов, содержащих вблизи краев зон узких гибридизованных квази-локализованных электронных состояний, сформулирована цель работы, приведены основные положения, которые выносятся на защиту.

Первая глава представляет собой обзор литературы, в которой изложены вопросы магнитного упорядочения и структура магнитных полупроводников - халькогенидных шпинелей хрома, являющихся ферромагнетиками и тетраоксидокупрата дилантана La2Си04, являющегося антиферромагпетиком. Обсуждаются кинетические свойства этих соединений, их связь с магнитным упорядочением, особенности зонного спектра, связанные с s-d обменным взаимо-

действием, а также магнитные фазовые переходы в состояние со слабым ферромагнетизмом в Ьа2Си04.

Во второй главе приведено описание объектов исследования, технология их приготовления, методы изготовления электрических контактов, методика измерения температурной зависимости электропроводности, двух компонент динамической магнитной восприимчивости а также бесконтактный способ измерения полных потерь - джоулевых и потерь, связанных с магнитным гистерезисом. Для изучения проводимости образцы изготовлялись в виде брусков с отношением максимального линейного размера к минимальному не менее 10:1. Хотя анизотропия проводимости в выровденных монокристаллах НёСг2Зе4 мала, все измерения выполнены для измерительного тока, протекающего вдоль направления [110], совпадающего с длиной бруска.. Магнитное поле при измерениях намагниченности также было направлено вдоль направления [110]. При измерениях проводимости и намагниченности в Ьа2Си04 ток и магнитное поле совпадали с осью [с] кристаллов. Описаны оригинальные конструкции низкотемпературных вставок в транспортный гелиевый дьюар для измерения проводимости и магнитной восприимчивости.

Проводимость, как правило, измерялась четырехзондовым методом, магнитная восприимчивость - с помощью специально сконструированного моста взаимоиндукции, фазовращатели которого выполнены на полупроводниковых операционных усилителях.' Конструкция моста позволяла одновременно с помощью двух синхронных детекторов регистрировать как магнитные потери, так и дисперсию.

Намагниченность измерялась на вибрационном магнитометре со сверхпроводящим соленоидом, калибровка которого производилась по никелевому эталону. Измерялись изотермы М(Н) в области полей от долей до 7 Тесла для различных температур от 4,2К до комнатной. Намагниченность насыщения при Т -> 0 и коэффициенты в спин-волновом разложении М(Т) определялись на ЭВМ методом наименьших квадратов с несколькими выборками до сотни экспериментальных значений из различных температурных областей. Намагниченность насыщения определялась экстраполяцией линейного участка зависимостей М(Н) в области истинного намагничивания к значению при Н 0.

Мзгнетосопротивлеяие и эдс Холла измерялись в магнитном поле до 10 Тл, которое создавалось соленоидом Биттера.

Бесконтактное измерение полных потерь производилось с помощью изготовлепдого устройства, основой которого является зависимость тока сетки автогенератора от потерь в контуре, включенном в анодную цепь лампы.

В третьей главе изложены результаты измерения температурных зависимостей намагниченности в монокристаллах НбСг2Бе4. Анализ зависимостей М(Н,Т) проведен в рамках теории ферромагнетиков с промежуточной валентностью( Вальков В.В., Овчинников С.Г. Спин-волновая теория ферромагнетиков с промежуточной валентностью.-Препринт № 169Ф.-Красноярск: Институт физики СОАН СССР.- 1981,19с.), которая предсказывает появление линейного по температуре вклада в М(Т):

г/г

М(Т) = М(0) [1-аТ-рТ Z3/2(H,T)],

(1)

где третье слагаемое - блоловский вклад в намагниченность, втсн рое - вклад Валькова-Овчинникова. С целью выделения линейного вклада в М(Т) была проведена аппроксимация экспериментальных данных выражением (1) по методу наименьших квадратов на ЭВМ. Параметры М(0), а, р являлись подгоночными. Значения этих параметров для поля Н = 0,8 Тл равны, соответственно, 76,70 Гс-см3/г, 2,54И0~3 К1 , 3,96-10'*" К."2/г . Насколько удовлетворительна такая аппроксимация видно из рис.1, где наклон кривых пропорционален (3, а отсекаемый отрезок на оси ординат равен а.

Физическая причина появления линейного вклада Валькова-Овчинникова заключается в перераспределении электронов между атомными и зонными состояниями, а его величина определяется конкретным^ значениями параметров зонного спектра.

Четвертая глава посвящена изучению влияния перемешивания атомных и зонных состояний на электропроводность HgCr2Se4. Температурные зависимости проводимости выровдешшх образцов, когда концентрация носителей заряда слабо зависит от температуры, обусловлены поведением подвижности носителей. В случае перемешивания атомных и зонных состояний на уровне Ферми подвижность наиболее просто представить в виде:

1 _ и/ Чг

с* ~ cs * с** ' (2)

где (U¿,(U,d- подвижности s- и d-электронов соответственно,

U?- , (/"г - вероятности нахоэдения электронов в s- и а- состоянии, зависящие от температуры через величину среднего значения спина па узле S(T), а такие от величины интеграла s-d обменного взаимодействия J, параметра гибридизации V и глубины залегания примесного уровня D:

^-Хгу D-ÎSCT) -

~ СС2>-SSCr^ + lkCnV*]™ J' о) (Г2- - £ - tCz.

Аппроксимация экспериментальных данных по подвижности выражением (2) позволила оценить параметры J = 0,60 зВ, V = 0,40 эВ, D « 0,25 эВ. Результаты согласования представлены на рис.2, откуда следует хорошее согласие с формулой (2) при низких температурах, когда 5(T)/S(0) > 0,5. Таким образом показано, что темпе ратурный ход подвижности носителей заряда определяется нз какими-либо механизмами рассеяния, а трансформацией зонного спектра из-за s-d обменного взаимодействия и гибридизации.

В данной главе представлены тшс:се зависимости температуры Кюри и проводимости монокристаллов lîgCr2Se4 с разной степенью замещения ртути кадмием. Существоннкм является то обнаруженное обстоятельство, что даке незначительное замещение Hg на Cd, не оказывающее заметного влияния па температуру Кюри, при • водит к кардинальным изменениям в проводимости. Это объясняется модификацией энергии дефектных комплексов хрома, связанных с примесью кадмия.

Материалы, в которых имеет место перераспределении электронов между s и и состояниями, можно использовать для >гл

готошшшш гетероструктур с уникальными свойствами, что иллюстрируется в работе на примере диода Шоттки на основе контакта вольфрам - Н£Сг25е4. N - образные вольт-амперные характеристики полученного устройства объясняются тем, что сильное электрическое иоле в области точечного контакта приводит к смещению (1-состояний полупроводника до энергии Ферми металла. Носители заряда при этом в приконтактной области Н^сг25е4 оказываются и состояниях с меньшей подвижностью, чем и обуславливается отрицательная дифференциальная проводимость.

В пятой главе приведены результаты исследования магнитной восприимчивости керамических высокотемпературных сверхпроводников УВа^СизОЛ и Т1гВа^Са^Си^Од. Причины включения этих,стоящих несколько обособленно на первый взгляд,результатов в диссертацию связаны со следующим. Представляется правдоподобным, что учет перемешивания атомных и зонных состояний является необходимым при объяснении транспортных свойств нетолько магнитных полупроводников, как это показано в третьей и четвертой главах, но и любых материалов, имеющих в окрестности полупроводниковой щели относительно узкую гибридизованную зону.

Такой подход будет полезен для объяснения открытых недавно сверхпроводников с высокими критическими температурами, содержащих медь в качестве необходимого компонента. Известно, что в благородных металлах энергии термов типа 3(1(10) 4 з(1 ) и ЗА(9)4з(2) близки, поэтому й-электронц меди могут формировать потолок валентной зоны, следовательно эффекты гибридизации могут бить существенны для кинетических явлений.

Из-за отсутствия монокристаллов необходимого размера были выполнены только измерения магпитной восприимчивости керамических Ч- и Т1- сверхп|юводшпшв. Из-за большого разброса критических полей межзерешшх грзшщ не удается наложением магнитного поля в чистом виде выделить эффекты, связащше со сверхпроводящей матрицей. Электрические измерения поэтому были выполнены на монокристаллах £а2Си04, это соединение является родоначальником семейства высокотемпературных сверхпроводников. Тем не менее описанная в главе II методика измерения магнитной восприимчивости бала применена изми при отработке технологии создания новых сверхпроводящих оксидов ртути.

Итак, в шестой главе приведены результаты измерений проводимости и намагниченности 1ягСи04 в зависимости от температуры и магнитного поля. Сопротивление образцов от температуры, когда измерительный ток течет вдоль оси [с] кристалла, имеет характер, показанный на рис.3, откуда видно, что по мере уменьшения температуры от комнатной в окрестности температуры Нееля Т(№) имеет место примерно двукратное увеличение сопротивления а при Т<20К резкий рост, который указывает на диэлектри-зацию электронного спектра. Изменения вблизи 'Г(Г!) объясняются ростом доли ¿-состояний на уровне Ферми в результате сужения зоны при магнитном упорядочении. Однозначно объяснить рост сопротивления при Т<20К в настоящее время не представляется возможным.

Другим проявлением корреляции электрических и магнитных свойств 1агСи04 являются магготшолевие зависимости сонротип ления и намагниченности, представленные на рис.4, откуда следу-

1Л -

103с Mí 0}-мс Т)) /М( 0)т, К"1

10 3/2 20 3/2

izo/г),к

80

40

о

-L

Рис.1. Температурные зависимости намагниченности Н^Сг25е4 в полях 1--0,2;2-6,0;3-8,0 Тл. Точки - . эксперимент, сплошные линии -расчет.

О 0.5 1- О

за)/5(о)

Рис.2.Зависимость подвижности Н£Сг25е4 от намагниченности. Сплошные линии - расчет по формулам (2) и (3), точки -эксперимент.

1.0

0.5 М/НС0У 1.0

0.5

0.0

Т-Ш

0 125 250 Т,к

Рис.3. Зависимость электросопротивления 1я2Си04 от температуры.

0 а 4 6 Н, Тл

Рис.4. Зависимость сопротивления (а) и намагниченности (в) 1а2сио4 от магнитного поля.

ет, что гистерезис в сопротивлении связан с гистерезисом в намагниченности. ОбсуадаютСя причины возникновения гистерезиса, даются доказательства о наличии магнитного фазового перехода первого рода в 1а2Си04.

В заключении сформулированы основные результаты диссертации.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

1. Проведены комплексные измерения температурных зависимостей проводимости и намагниченности на одних и тех же образцах вырожденных магнитных полупроводников НэСг2Зе4 п-тша. Показана возможность адекватного описания магнитных и электрических свойств с единых позиций, учитывающих перераспределение з- и й-подобных электронных состояний.

2. Обнаружен линейный по температуре вклад в температурную зависимость намагниченности Н£Сг25е4, являющийся опреде-лявдим в спин-волновой области температур ¡1 при 10К примерно в 5 раз превышающий блоховский. Предложено объяснение неблоховс-кого поведения намагниченности на основе спин-волновой теории ферромагнетиков с промежуточной валентностью.

3. Показано, что температурная зависимость подвижности НЗСТрБед п-типа определяется в основном ие механизмами рассеяния, а модификацией зонной структуры благодаря з-с! обмену и гибридизации. При этом носителями заряда в гибридизованпой зоне являются миксоны - квазичастшда, сочетащие свойства как б-, так и (1-электронов.

4. С использованием многоэлектронной з-й модели и экспе-

риментальных данных но температурной зависимости подвижности определены параметры зонной структуры НбСГг2е< ' обменный ин-терал Л = 0,80 эВ, параметр гибридизации V = 0,40 эВ, глубина залегания одноэлектронного примесного уровня В = 0,25 эВ.

5. Исследована действительная и мнимая компоненты динамической магнитной восприимчивости ряда сверхпроводящих керамик У- и Т1- групп в широком интервале температур. Показано, что в области перехода в сверхпроводящее состояние магнитная восприимчивость керамических образцов определяется негомогенной гранулярной структурой и в основном несет информацию о слабых связях между кристаллитами.

6. Проведены комплексные измерения температурной зависимости электросопротивления, магнитополевых зависимостей намагниченности и магнетосопротивления антиферромагнитно упорядоченных монокристаллов 1я2Си04 . Показано, что учет только моттовского механизма проводимости не достаточен для адекватного описания поведения сопротивления в широкой области температур. Учет перемешивания ¡з- и ¿-подобных состояний на потолке валентной зоны позволил объяснить поведение электросопротивления в температурном интервале 80 - 300 К, включая особенность, проявляющуюся при температуре Нееля.

Т. Обнаружена корреляция мэгнитополевого поведения намагниченности и магнетосопротивления 1а2Си04 в области магнитного фазового перехода из антиферромагнитной фазы в состояние со слабым ферромагнетизмом. Взаимосвязь электрических и магнитных свойств при фазовом переходе объясняется с учетом модификации зонного спектра при магнитном упорядочении.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Чернов В.К., Гавричков В.А., Иванова Н.Б1, Вейсиг Г.С., Бо-ярашнов Ю.В. Температурная зависимость подвижности в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. //ФТТ.-1986.-Т.28, вшт.1.- С.289-291.

2. Иванова Н.Б., ЧерновВ.К. Температурная зависимость намагниченности в магнитном полупроводнике £lgCrzSe4. //ФТТ.-1986.-Т.28, вып.6.- С.1941--1943.

3. Иванова Н.Б., Чернов В.К. Влияние перемешивания зонных и атомных состояний на физические свойства халькогенидных шпинелей хрома // Физика магнитных полупроводников.-Красноярск: Институт физики.-1987.- С. 15-30.

4. Гавричков В.А., Гавричков С.А., Дрокш H.A., Иванова Н.Б., Кононов В.П., Чернов В.К., Эдельман И.С. Эффекты образования связи в магнитных полупроводниках - халькогепидных шпинелях хрома // Тезисы Всесоюзного совещания "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов". Калинин. 1985.-С.80.

5. Иванова Н.Б., Чернов В.К. Никсоны и связанные с ними эффекты в HgCr2Se4 // Тезисы Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение".- Кишинев: Штиинца.- 1989.-С.54.

6. Иванова Н.Б., Чернов В.К. Нелинейный отклик на НЧ-возбувде-ние в ВТСП-керамике YBa Си 0 Препринт N 530Ф. Красноярск: ИФ СО АН СССР.- 1988.-21 с.

7.Дудников В.А., Иванова Н.Б., Исаева Т.И., Клтаценко E.H., Овчинников С.Г., Теремов С.Г., Чернов В.К. Исследование системы Y-Ba-Cu-О ультразвуковым методом в области температур 20-950 С // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости".- Свердловск: УрО АН СССР.-1907.-

!,.2. С.201-202.

». Ч-!}щоп В.К., Ива-ювэ Н.Б., Бауманов Л.Е. Проводимость кон-tüK'ui ийтаяд-магнитпий полупроводник ilgcrgSe4 // Тезисы III семинара но функциональной мпгнитоэдектрснкке. Красноярск; И5> СО АН СССР.- 1988.-С.69-70.

9. Иванова Н.Б., Пискунов О.Н., Чернов В.К. Особенности магнитной восприимчивости монокристаллов, керамики и порошков У-Ва-Си -О // Тезисы докладов XX Харьковской областной научно-технической конференции молодых исследователей.- Харьков: ФТИНТ ЛИ СССР.-1989.- С.32-33.

10. Бидман Т.А., Волков В.Е., Данилов И.Ю., Иванова Н.Б., Овчинников С.Г., Чернов В.К. Синтез и физические свойства таллие-вых керамик, модифицированных металлами Pt- группы // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости.- Киев: ИМ АН УССР.-1989.-Т.11, С.43.

11. Бидман Т.А., Волков В.Е., Вершинина Л.И., Иванова Н.Б., Леонтьев A.D., Овчинников С.Г., Чернов В.К. Особенности микроструктуры и физических свойств таллиевых керамик, модифицированных платиной // СФХТ.-1990, Т.З, N1.- С.73-77.

12. Иванова Н.Б., Чернов В.К., Пискунов О.Н. Критическое состояние в ВТСП-керамиках.- Препринт N 621Ф. Красноярск: ИФ СО АН СССР.- 1990.-21 с.

13. Бадаев А.Д., Быков А.Б., Демышец Л.Н., Иванова Н.Б., Овчинников С.Г., Хрусталев Б.П., Чернов В.К. Корреляция электронных и магнитных свойств ta2Cu04 // ЙЭТФ.-1991, Т.100, вып. 4(10).- С.1365-1369.