Особенности структуро и фазообразования в лазерно-осажденных слоях силицидов металлов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Зенкевич, Андрей Владимирович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1997 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Особенности структуро и фазообразования в лазерно-осажденных слоях силицидов металлов»
 
Автореферат диссертации на тему "Особенности структуро и фазообразования в лазерно-осажденных слоях силицидов металлов"

а;,-/од,-: ■

...... . . . На нравах рукописи

ЗЕНКЕВИЧ Андрей Владимирович

ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРО- И ФАЗООБРАЗОВАНИЯ В ЛАЗЕРНО-ОСАЖДЕННЫХ СЛОЯХ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ

01.04.07-фичика трердот тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой стснсни кандидата фишко-математчсских на)*

Москва-1997

Работа выполнена в Московском Государственном инженерно-физическом нистиуп (техническом университете)

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор, В.Н. Исполин

Оффициальные оппоненты: доктор физико-математических наук.

профессор Е.А. Протасов.

доктор технических наук. А.А. Орликовский. .

Ведущая организации: НИИЯФ МГУ

Зашита состоится: "1" октября 1997 г. в 15 час. 30 мин. на зассдаш диссертационного совета К-053.03.01 в МИФИ (ТУ) по адресу: 115409, Москва, Каширское шоссе, д.31, тел. 323 91 67.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИФИ.,

Автореферат разослан

Просим принять участие в работе совета или прислать отзыв в одном экземпляр заверенный печатью организации.

Ученый секретарь диссертационного совета

кандидат физико-математических наук, доцент: __' И.А. Руднев.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

актуальность работы. В современной экспериментальной фишке твердою тела одной из аиболее интенсивно развивающихся областей является физика топких пленок и ювсрхпости. Тонкоплспочцые структуры обладают, необычными электрическими, игннтпыми и механическими свойствами. Состояние поверхности и Гранины раздела шенка /подложка и фа ют важнейшую роль ив определении объемных механических свойств материалов, таких как пластичность и твердость. В последнее десятилетне шагодаря использованию различных методов роста к модификации приповерхностных слоев шенно в тонких пленках удалось синтезировать большое колическтво новых материалов с лшкальиой структурой и свойствами, и. таким образом, сформировалась самостоятельная прасль материаловедения. Всестороннее изучение физических свойств топкоадсночных материалов является важной задачей с фундаментальной точки зрения. С другой стороны, поверхность и приповерхностные области твердою тела играют важнейшую роль в »временной техполопги. Достаточно упомянуть технологию микроэлсктронных приборов (СБИС), которая целиком базируется на тоикопленочных структурах. Дальнейший иро1ресс невозможен без поиска новых материалов и глубокого понимания процессов в приповерхностных слоях.

Один из таких классов материалов представляют собой силициды металлов, формирующиеся при тонкопленочных реакциях в результате отжига пленок металлов, осажденных па подложку кремния, а также при со-оеаждешш металлов и кремния. Силициды металлов, формирующиеся, в тонконленочных слоях, являются обьсктом детальною изучения в последние два десятилетия. Причиной такою интереса с точки зрения фундаментальной науки является многообразие фаз с различной структурой и электронными свойствами, необходимость выяснения термодинамических особенностей, электрических и механических свойств, и кинетики реакций формирования силицидов. С другой стороны, интерес к силннидам в последние годы объясняется потребностями в шшмх Мтериалах для создания тсхнолопш производства "ультрабольишх инзшральних схем" (иЬЭ!) в микроэлектронике. В частности, следующий шаг в рашлнш тсхнолопш свжы/ыри

с поиском полупроводниковых материалов на Gaie кремнии, в том число силицидов, прямым излучающим переходом, для создания оиюилекзронпых приборов, иитсфировашш в современную кремниевую тсхнолошю. .

В настоящее время наиболее подробно (пучены тонкие ( £ 1 мкм) пленки силипиди металлов, формирующиеся в рстультатс нанесения пленки металла па ноперхшхп подложки кремния е последующим отжиюм нервопачаимюй структуры при различно температуре. Деталь по изучены кинетика реакций, последовательность образования фаз, и кристаллическая структура, температурная стабильность, для большинства фа1 силицид« исследованы электрические свойства | Силициды для СБИС. "Мир", Москва, <1986) с. 151. 1 целом, фазы, образующиеся при термическом отжше структур пленка металла / нодложк; совпадают с теми, которые укатаны на равновесной фазовой диа1рамме счхнвстстуюшн элементов. При этом кинетика реакции силшшдообразования записи г от характер процессов диффуши компонешов через слой формирующеюся силицида зародышеобразования различных фаз. Важным лимитирующим фактором при формированп конечной фаты силицида при отжше структуры пленка металла / подложка кремни яннястся ограниченное количество металла (в пленке) при нео1ра1П1ченном количеств кремния (подложки), что предопределяет формирование обоишеннон кремнием фаты качестве конечной. Особый интерес в святи с этим нредетанляет вопрос о факюбраювапи! в пленках силицидов, полученных совместным осаждением металлов и кремния. В это! случае можно предположить, что набор фат в сформированном при со-осаждсшш ело может существенно отличаться от предсказанною равновесной фаювой диа|раммой зависимости от тот, насколько неравновесным является процесс осаждения. Важпук> роль фазообразовании силицидов при совместном осаждении металла и кремния может такж сьирать и структура подложки: недавно была продемонстрирована возможное!! стабилизировать при эпитокеиалыюм роете новые фазы силицидов со структурой, рапсе н< наблюдавшейся в объемных материалах | Appl.Surf.Sei. 52 196-205 (1991): Phys.Rcv._Bi 13807-11 (1992)].

1>1Я ОСаЖДСИИЯ МНОГОКОМНОНСИТПЫХ покрьггий С Контролируемым ЭЛСМС11ТНЫМ СОСТаТММ до последнего времени в основном исткшьчовались методы, основанные на термическом испарении. В послЬдтше несколько лет начал лавинообрачно расти интерес к методу импульсного литерного осаждспия (ИЛО), именуемому также лачерпо-нлачметшым каждением, как мсгоду формирования гонких пленок металлов и их сплавов | Веет пик ВУЗов, серия [Электроника, №2 , 3 (1997) и ссылки в нем). Причиной такого тиры па активносчи является возможность осаждения практически любою материала, начиная с чистых элементов и кончая многокомпонентными соединениями, при лом стехиометрия материала мишени непосредственно тюсироичводитея в пленке. При этом важно отмочить, что параметры осаждения при . ненольчования метода ИЛО окачиваются существенно отличными от других - методов. основанных на испарении:, кинетические энергии эмиттнруемых частиц составляют 10-100 эВ и окачиваются на 1-2 порядка величины большими но сравнению с термическим испарением, а распределение по скороетям-намного шире идеального максвелловского распределения: Эти свойства лачерной платы свячапы е высокими скоростями испарения с поверхности мишени и вчанмодействием лачерною ичлученИя с парами металла. В то же время, специфика процесса вчаимодсйствия лачерною ичлучения с веществом определяет (мромные (до 10"" см'2) мшовениые скорости осаждения на подложках. Такие неравновесные условия при формировании тонкопленочных слоен мотуг приводить к обрачовашпо фа), "тараненных" равновесной фачовой диаграммой. Импул1>сный характер процесса осаждения определяет конденсацию Н)"-1015 частиц / см" та импульс, что. п принципе, ночволясч упратшяп. толщиной или составом осаждаемого слоя с точностью до ~0.1 монослоя или 0,1%, соответственно. Вышеначваппые особенности метода импульсного лачерною осаждения делают его уникальным инструментом для синчсча чопкоиленочпых материалов. в чаетпоетн, еилииидов металлов со строго чаданным элементным составом и фачовым составом. который может противоречить равновесной фа голой дна|рамме состояний.

Таким обраюм, настоящая рабо1а носвяшена актуальной фи отческой проблеме: вшсичшм особенностей структур*)- и фачообратовапия в гонконленочпих слоях си.чпшиов мет а. I. в л;.

формирующихся ii неравновесных условиях при совместном осаждснии мсгодом импульсного лазерного осаждения.

Цель работы. Целью настоящей раГнггы было изучение фа »образования в' еовмсстно-осаждсшшх пленках силицидов металлов, пол ученных методом импульсного лазерного осаждения, и их эволюция в процессе термического отжига сформированных елосв; исследование влияния отклонения элементного сосгака от стсхиомсзричеекого на структуру и фазообразоиалис со-осаждснных силицидов металлов; исследование первичных процессов, происходящих на' поверхности подложки при импульсном лазерном осаждении металла и кремния; исследование особенностей формирования структуры в слоях лазерно-соосажденных силицидов металлов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые детально исследованы особенности формирования структуры и фазообразовапис в тонкрнленочных слоях силицидов металлов, полученных методом ИЛО. -

2. При росте тонкопленочных слоев силицидов обнаружен ряд ранее не наблюдавшихся эффектов, обусловленных специфическими параметрами осаждения.' характерными для метода ИЛО.

3. Впервые детально исследован участок на дишрамме состояний Fe-Si в yiKoii области концетраций FexSi|.x { 0.56 < х < 0.60). • . ,

4. Экспериментально определен знак 1раджшта электрического ноли на ядре Fe в фазе силицида e-FcSi.

Практическая неиность работы. С использованием автоматизированной установки импульсного лазерного осаждения определены ' оптимальные режимы для осаждения различных металлов и кремния при испарении лазерным излучением ИК диапазона. Подбор геометрии расположения мишеней и подложек, плотности мощности лазерного излучения, учет эффектов распыления при конденсации лазсрно-иснарсиных частиц позволил создать основы технологии формирования сверхтонких, многослойных и сплавных слоев при

использовании элементны*, мишеней и минимизировать количество капель па подложке, возникающих в процессе лазерной) испарения. Разработаны основы технологии формирования етехйомстричееких соединений металлов и силицидов методом импульсного лазерного осаждения путем последовательной» (каждения сверхтонких слоев из элементных мишеней. Показано, что при. использовании автоматизированной установки импульсной) лазерного осаждсння и. предварительной калибровки возможно получение соединений с точностью по составу не; хуже 1 'к. воспроизводимой от образна к образцу. Данная технология и сочетании с термическим отжигом in silu в сверхвысоком вакууме позволяет формировать тонконлсночные слон е заданным структурным и фазовым составом.

1. Методика формирования слоев силицидов металлов путем последовательного оеаждепия сверхтонких слоев металла и кремния методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) из элементарных мишеней металла и кремния, позволяющая синтезировать соединения строю стсхномстричсското состава с точностью до 0.1 ат.'/К

2. Экспериментальные данные по формированию кластеров силицидов на стадии совместного осаждения металла (Та, Ni) и кремния методом ИЛО из элементарных мишеней при комнатной температуре: формированию криегаллического силицида при комнатной температуре при совместном осаждении металла (Ni) и кремния в точном егехиометричееком соотношении.

3. Экспериментальные данные, подтверждающие наблюдаемый при определенных условиях процесс травления слоя металла за счет пучка атомарного кремния, лазерпо-осаждаемого на поверхность металлических слоен (Та. Fe), в условиях формирования на поверхности слабо связанных с подложкой силицидов металла, а также эффект спонтанной модуляции состава в аморфных сдоях силицидов металлов (Та, Fe), сформированных при комнатной температуре путем ИЛО из элементарных мишеней металла и кремния

4. Данные но фазообразованию в системе Fe-Si в области копнет раций Fc\S¡i., < 0.5t> < ,\ < 0.60), а также особенности электронной структуры фаты £-FcSi.

Часть результатов работы докладывалась на III Международной конференции ш модификации материалов импульсами viic-ршн и пучками час-шн (Дрезден. 1989 I.) Всесоюзной конференции "Взаимодействие Попове поверхностью" (Москва. 1991 г.). 14-f Международной конференции но физике поверхности (European Conference On Surfacv Science, ECOSS-14, Лейпциг, 1994 г.), на 4-м Международном, Совещании ш Мсссбауэровской спектроскопии (Fourth Scchcim Workshop on Mossbauer Spectroscopy Sceheim, Germany, 1994), на международном Симпозиуме но силицидам (MRS Fall Meeting Boston, USA, 1995). -

Пиликании

Полученные в работе результаты изложены в 7 опубликованных статьях.

Диссертация содержит введение, 5 1лав, заключение, 30 рисунков, 7 таблиц. Общий обьем-№7 страниц. Список использованных источникон литературы содержит 89 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

В начале диссертации дается краткая характеристика работы и обзор лтературы. Анализ литературных данных позволяет сделать вывод о том, что в зависимости от степени перавновесности условий формирования пленок силицидов металлов их структура и фазовый состав может существенно варьироваться. В основном, работы посвяшепк силицидам, сформированным при отжшс структур пленка металла / подложка кремния, и также совместно осажденным слоям, полученным с использованием методов, основанных на термическом испарении.

В диссертации для исследования тонкоплспочпых ссхкажденных силицидов металлов, полученных с иснодыованнсм метода импульсного лазерного осаждения. была ратработапа методика их приготовлении, описанная в ратделе '•Особенности экспериментальной методики...*'. Пленки формировались в сверхвысоком «акуумс нугем лазерного испарения элем еш'нш мишеней кремни» и металла и последовательного осаждения слоев монослойнон толщины. Стехиометрия пленок менялась путем итменения числа латерпмх импульсов по мишени. Таким обратом, с иснодыованнсм предварительной калибровки уда:ик'ь стлать Методику формирования топкоиленочных слоек силицидов металлов с таданиым асхиометричсским составом с точностью до 0.1 'к.

Было покатано, чго для систем Та-51, Рс-5|. N¡-51 на стадии осаждения при комнатной температуре формируются силициды с мелкодисперсной или кристаллической с1р)К1)ро1<. при лом набор фат в слое таниент от средней» элементном* состава слоя, но может сильно отличаться от равновесного. Локальные минимумы на [рафиках удельного сопротивлении р в пленках Та-Я| как функции их состава укатывают на формирование кластеров фат силицидов. В регулыате июхронноп) отжша сформированных топких пленок расчу|. по-видимому, -те фа!Ы. тародыши которых сформировались на стадии (каждения. Общее чиео фат в тонко!шеночном обрате Та-8| после отжига при Т=1100°С может доходить до четырех, что "противоречит" равиовсеной днафамме состояний Та-51. В то же время, для со-осажденных пленок Ре-методом рсипеновской фотоэлектронной спектроскопии также установлено формирование химической святи силицидов уже па стадии осаждения при комнатной температуре. В случае со-осаждсния N1 и и точном стсхнометричсском оютношешш фаты N¡51; методом просвечивающей электронной мнкр<кк(>нии поперечного сечения наблюдается формирование ноликристалличсского слоя. Ратумно предположить, что формирование кристаллической структуры происходит при ншрегс осаждающихся слоек та счет тепла, выделяющегося при образовании химической святи и дальнейшей кристаллитации формирующихся чародышей. При отклонении состава от счсхиомстрического (N¡51;) в слое N1^ формирусгся аморфная структура.

Специфические параметры конденсирующеюся потока'.: атомов при ИЛО (кинетическая энершя частиц -КК) эВ, мпювеиная скорость (каждения до И) м ем*2 с"1, наличие ионной компоненты) влияют на формирование макроструктуры н лазерно-осаждснных слоях силицидов. В частности, при некоторых соотношениях концентраций Me/Si в системе Ta-Si, (а также, менее выраженный,, в системе Fe-Si)наГшюДастея формирование строи) периодических слоистых структур, модулированных но ссхтаау с периодом порядка 5 им. В попытке выяснения элементарных процессов, происходящих па поверхности растущей пленки силицида при соосаждснии методом ИЛО проводились in situ измерения эффективной скорости осаждения при начале конденсации кремния па металл (Si/Me) и иаоСюрот. На рис. 1 представлена кривая эффективной скорости осаждения Si/Ta, измеренная кварцевым датчиком, для плотности мощности лазерного излучения на мишепи Si Р=5- 1(У Вт см ". ?

40 00 80.00 120 00 16000

Число лакриых имну/сьсов. к4(Ю

Ход кривой, а также анализ химическою состояния тантала и кремния на поверхности указывают на то, что конденсирующийся кремний вступает в реакцию на поверхности слоя тантала, и формирующийся силицид эффективно уносится с поверхности налетающим

ípcMimcM. что в результате приводит к полному страиштаннм слоя тантала. При небольшом уменьшении плоиюсти мощности излучения па мишепи кремния (Р < .110* Втсм"2). кремний монотонно pacici на подложке тантала. Комбинация процессов травлении и осаждения при со-осаждспнн кремния н тантала может обьсиять формирование периодических, модулированных по составу структур в лазерпочкажденных слоях силицидов.

В диссертации детально исследован фазовый состав силицидов в системе Fe-Si в области концентраты Fe»S¡|., ( 0.5 < х < 0.6). В частости, впервые установлено, что при кошкш ранни х > 0.5f» после тжш а при Т=250 °С лазсрно-осажденпих слоев Fe-Si растет фаза FeSi со структурой O.CI независимо <п структуры подложки. Ранее утверждалось, что |акая структура в chcicmc Fe-Si может стабилизироваться монокристалличсской подложкой при лип аксиальном росте. Дополнительными мсссбауэровскими измерениями в мапштном ноле установлено. что тбшочные атомы Fe в сформированной фазе CsCl-FcSi занимают мееза и утлах решетки Si, где, имея в качестве ближайших соседей 8 атомов Fe, они становятся маинпнммн.

Возможность формирования силицидов заданной стехиометрии при со-<к-ажлсшш Fe и Si методом ИЛ О позволило выяснить особенности электронной структуры фазя e-FeSi, а именно, трвднент электрическою поля па ядре Fe. При мсссбауэровских измерениях для этою обычно используют угловые зависимости относительной интенсивности линий в спектре

I, _ 3(1 -HCOS'Q)

I, ~ 5- 3cos*0 ' •

1де 1„ 1„- переходы 3/2 ->1/2, 1/2 ->1/2, в- угол между направлением эмиссии у-кванта и направлением V,,, -традиент электрическою ноля на ядре Fe. Однако, особенность структуры фазы c-FcSi заключается в том, что компоненты V,, нужно суммировать но четырем направлениям в решетке, и сумма

i, = 1;,з(1+с<»ч),)

¿.(з-зсск'е,)

о'

скорость, им/с

Рис.2. Мсссбауэровскнс спектры конверсионных электронов, снятые для тонкопленочиого нолнхристаилического обрата e-FeSi при 6=ic/4 и а=тс/2: а)- в отсутствие маиштною ноля; б)- в магнитном поле Н=1.3 Т. Сплошные линни-компьютерный обсчет экспериментальных спектров- для наглядности сдвинут.

при любом yuic 0. Во внешнем машипюм иоле Н линии ж и а расщепляются по-разному, и при определенных значениях Н=1.3 Т (см. рис.2) становится возможной идентификация линий, а следовательно, и знак |раднента электрическою поля на ядре Fc, который окан.таегся положительным.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. С иенолыоваиисм авгомаппнрованной установки импульсного лазерного (каждения определены оптимальные режимы дчя (каждения различных металлов и кремния при испарении лазерным излучением ИК диапазона. Подбор icoMeipiiii расположения мишеней и подложек, шншюсти мошносш ли яършч о ншучения. учет эффектов распыленна при конденсации лазсрпо-испарсппых части позволил создать основы тсхнолоши формирования сверхтонких. многослойных и сплавных слоен при использовании элементных мишеней к минимизировать колнческтво капель на подложке, возникающих в процессе лазерного испарения.

2. Рафаботаны основы техноложи формирования стехиомегрических соединений металлов и силицидов методом импульсного лазерной) осаждения путем последовательного осаждения сверхтонких слоев из элементных мишеней. Показано, что при использовании автоматизированной установки импульсного лазерного (каждения и предварительной калибровки возможно получение соединений с точностью по составу не хуже воспроизводимой or образна к образцу. Данная техполошя в сочетании с термическим отжигом in situ в сверхвысоком вакууме позволяет формировать тонконленочные слои с заданным структурным и фазовым составом.

3. Экспериментально установлено, что характер структурообразовапия в ео-осажденных из лазерной плазмы металлов и кремния слоях силицидов зависит от термодинамических свойств бинарных систем элементов. Для систем с относительно низкой температурой реакции силинидообразоваиия (Ni-Si) возможно образование кристаллических акдинений

на стадии осаждения при комнатной температуре, в то время как для тугоплавких силицидов формируются ультрамслкодиснсрсиые кластеры

4. Экспериментально исследовало фазообразование в лазерцо-осаждсшшх слоях силицидов тантала и железа. Показано, что на стадии осаждения при комнатной температуре формируются кластеры силицидов, при этом фазовый состав силицидов (тантала) зависит от элементного состава сформированного слоя, резко отличается от равновесною и сохраняется после термического отжига.

5. При совместном осаждении никеля и кремния методом импульсного лазерного осаждения из .элементарных мишеней в точном стехиометричсском соотношении формируется кристаллический силицид при комнатной температуре. При отклонении состава от стсхиомстричсского формируется аморфная структура.

6. Импульсное лазерное осаждение кремния на поверхность металла может приводить к его эффективному травлению. Экспериментально доказано, что при определенных параметрах потока конденсирующегося кремния на поверхность металлических слоев (Та. Fe) формируется сверхтонкий слой слабо связанного с подложкой силицида металла. Последующее осаждение кремния приводит к "химическому" распылению сформированных кластеров конденсирующимися атомами кремния.

7. Установлено, что в со-осаждснных пленках Ta-Si и Fe-Si. сформированных при комнатной температуре путем импульсного лазерного осаждения из элементарных мишеней металла и кремния, при определенных соотношениях концентраций Me/Si формируются строго периодические, модулированные по составу аморфные слои силицидов металлов.

~ 8. Спонтанно модулированные но составу слои силицидов Ta-Si Moiyr быть использованы i качестве рентгеновских зеркал. При скользящем падении рентгеновского пучка (9 S 2.1o] наблюдается, эффективное отражение от сформированной сверхрешетки, обогащенной танталом.

9. В со-осаждснных пленках Fe-Si, полученных импульсным лазерным осаждением, в узкот области концетраций Fe,Si|., ( 0.56 < х < 0.60), формируется фаза со структурой CsCI

Ранее данная фача не наблюдалась в обьемннх материалах и была синтетнрована только путем анитаксиальной стабилизации па мопокристаллических подложках. 10. Ич-ча отсутствия кубической симметрии в локальном окружении атомов желеча в фате силицида e-FcSi вочникает квадрунольное расщепление уровней Fe. Ичмсрсниями во внешнем машитном ноле на тонконленочпых обрачцах e-57FeSi, приготовленных импульсным лачерным осаждением, установлено, что чнак фадиента электрической» ноля на ядре Fe является положительным.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. I. Khabclashvili, V. Kulikauskas, V. Nevolin, V. Prokopenko, A. Zenkevich, Phase Formation in Laser Deposited TaxSij.x Films, Proe."Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials (EPM'89)", cds. K. Holmulh, E. Richtcr, 255 (1989).

2. A.B. Зенкевич, B.H. Нсволин, О.Б. Уваров и И.Д. Хабелашвили. Вчрывная кристаллизация в лачсрио-осажденных пленках, Ичпсстня РАН, Сер. Фит., 56 (6), 150-156 (1992).

3. I. Khabclashvili, V. Nevolin, A. Zenkevich, F. Komarov, О. Uvarov, Explosive Crystallisation in Laser-Deposited Films, Vacuum, 44, 879-81 (1993).

4. V. Nevolin, E. Chubunova, I. Khabclashvili, Yu. Lchedinskii, A. Zenkevich, O. Uvarov, Spontaneous Modulation of Composition in Ta-Si Films Produced by Pulsed Laser Deposition. Appl. Phys. Lett., 64(26), 3623-5 (1994).

5. M. Fanciulli, C. Rosenblad, G. Weyer. H. von Kane). N. Onda, V. Nevolin, A.Zcnkeviteh, Phase Formation in Fc-Si Layered Structures, Mat.Rcs.Soc.Proc., 41)2, 319-24 (1996).

6. M. Fanciulli, A. Zenkevich. I. Wenneker, A. Svane, N.E. Christensen, and G. Wcycr, Electric-field Gradient at the Fc nucleus in E-FeSi. Phys.Rev.B, 54 (22) (1996).

7. A.B. Зенкевич, И.Д. ХабслашвилИ, B.H. Нсволин, Импульсное лазерное осаждение металлов (обзор), Вестник ВУЗов, серия Электроника, №2 , 3 (1997).

Подписано в печать .'< if ^} Заказ ¿- Ot: Тирах (£

йшография ШЭД, Каширское шоссе, 31 ,

с*