Отклик диэлектрика на излучение усилителя света тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ



МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ | РСФСР

КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ОРДЕНА ДРУ2Ш НАРОДОВ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

Савикцев Алексей Петрович

УДК 539.21:678.077:543.А

ОТКЛИК ДИЭЛЕКТРИКА НА ИЗЛУЧЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ СВЕТА

01.04.07 - физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нальчик - 1990

Работа выполнэна на кафедре теоретической физики Кабардино-Балкарского государственного университета.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор Теироков А.И.

Официальные оппоненты: доктор физико-математичвскиз наук, ■

профессор КУЧИН В.Д,., кандидат физико-математических наук ЗИЛЬБЕРМАН ПЖ

Ведущая организация! Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники

Защита состоится "22" 1990 г. в /.Ь часов на засе-

дании специализированного совета К-063.88.02 при Кабардино-Балкарском ордена Друкбы народов государственном университете по адресу: 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173..

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КБГУ, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173.

I

Автореферат разослан " «.¿¿.¿¿л. 1990 г. .'

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат

физико-математических наук

/Р^фт?^ А.А.Ахкубеков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В настоящее время в работы по физике твердого тела все активнее проникают новые методы. К таким методам с полным правом можно отнести и оптические исследования, использующие квантовые усилители света (УС) Крайне перспективными здесь являются УС на базе активных сред на парах меди' (АСПМ).

За последние годы наметились два основных направления развития таких УС. Во-первых, происходит дальнейшее изучение свойств самого УС и, во-вторых, его использование в чисто прикладных задачах; например, - включение в технологические комплексы обработки материалов для задач микроэлектроники.

Что касается внедрения квантовых УС в научную работу, то да этой, третьем направлении пока сделано-немного, хотя условия для отого ость.

Опираясь на достоинства УС, мы использовали их в научных ^следованиях физики, механики и поверхности твердотельных органических диэлектриков (ОД).

В последнее время область совизстного использования уникаль-шх свойств ОД и квантовых источников света становится псе шире, ю продуктивная проработка фактического материала идэт не всег-ia быстро.

Цель работы - исследование диэлектриков на микропрсзкторэ усилителем света и анализ воздействия излучения УС различной нтеноивности на эти материалы. В рамках работы изучались сле-ующие вопроси:

каковы условия и. особлиюсти видимого разрушения подчрхности и нрипоэархностного обьзт диэлектриков излучоим«.;« АС!М; ка-

ч

ков характер поведения ОД вблизи и на порога лучевого разру-. шения;

- к чему приводит слабоинтенсивнйя засветка поверхности диэлектрика светом УС (в частности, при работе на микропроекторе с усилителем света); какие параметры вещества изменяются при атом, насколько сильно, обратимым образом или н$т; каковы причины этих явлений; . - ■ ."

- .какие характеристики диэлектриков моино оценить при наразруща-ющом анализе материалов на микропроекторе с усилителем света (с учетом когерентных свойств излучения АСГШ)«

Методическая новизна. Успешно опробовано использование си- . стен с УС на базе АСШ в научно-исследовательской работе. Для твердотельных диэлектриков получен ряд результатов, важны* в научном и практическом плана. • ,

Научная новизна. , »

1. Исследовано поведение ОД в поле излучения АСПМ. \

2. Выявлена условия видимого разрушения поверхности и приповерхностного обьэиа оргстекла излучением АСПМ, за счет термоэффектов и лучевого пробоя. Изучено поведение области локальной термодеструкции при опускании ее в объем. ,

3. Обнаружено, что под действием малоинтенсивной кратковременной засветки излучением УС у диэлектриков начинает проявляться элйктретные свойства; кроме того, световые потоки микропроектора с УС увеличивает скорость химического стравливания поверх-

I

ности эпоксидов концентрированной кислотой в несколько раз.

Качественно усшновлена связь между износостойкостью .! * -покрытия гибкого информационного диска и размером когерентных

. спекл-пятен, наблодавм^х на его поверхности. .

:5. Найдено, что п) результатам анализа поверхности ударного

5 '

разрушения аморфных ОД мокно дать оценку локальным напряжениям разрушения, степени пластичности и другим механическим свойствам материала.

" Практическая ценность работы. Определены пороговые интенсивности света для разрусения оргстекла излучением АС ГО! в раз. личных условиях,.

. с учетом результатов налоинтзчсивного кратковременного лазерного облучения диэлектриков, на базе этих материалов возможно создание новых видов маркеров и индикаторов.

Предложен простой экспресс-метод проверки качества покрытий гибких информационных дисков.

На основания анализа поверхности разруиения аморфных ОД оценивается механические свойства материалов.

Созданная установка и разработанные методики находят применение, в учебном процессе.

Основные полокения, выносимые на защиту.

Под действие» излучения усилителя света в'органических диэлектриках могут возникать стационарные тепловые линзы, происходить лучевой пробой среды, проявляться электретные свойства и осуцзствляться модификация приповерхностного объема.

По сигналу усилителя света, отраженному поверхностью, мокно судить о механических свойствах материала, механизмах разрушения и износостойкости поверхности.

Апробация работы. Основные полокения.н результаты работы докладывались на Всесоюзном семинаре "Лазеры на парях металлов и их применение" (1985, Новороссийск), 5 Всесоюзном совещании по уравнениям состояния (1986, п. Эльбрус), Всесоюзном совещании "Инверсная заселенность и генерация на переходах в атомах и молекулах" (1986, Томск), 5 Всесоюзно;'! конференции "Оптика лазеров"

(1987, Ленинград), Всесоюзном совещании по биологически актив-н м полимерам (1988, Нальчик), б Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (1988, Томск), Международной конференции "Новые методы в физике и механике деформируемого твердого тела" (1990, Чэгег).

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано 12 работ.

Обьзм и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов, списка цитированной литературы и приложения. Диссертация изложена на 148 страницах машинописного текста, содержит 51 рисунок и 12 таблиц. Список ^ использованной литературы включает 189 наименований. Приложение излокено на 18 страницах машинописного текста.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении раскрыта актуальность темы диссертации, сформулирована цзль работы, ее методическая и научная новизна, практическая ценность и основные положения, выносимые на защиту.'

, В первой гладе сделан литературный обзор по диссертационной темэ. Рассмотрены свойства ОД, которые затрагиваются в хода исследований с УС. Представлены некоторые общие понятия и принципы работы УС. Отмечены преимущества АСГМ в качестве' УС и основные свойства этих активных сред.

На осно~ании и5л¡¡ного материала сформулировэки зв^^^и исследования.

; Во второй главе рассмотрена работа УС на базе активного элемента на парах меди (АУПМ).

Лля исследование го теме диссертации был собран комплекс чппч-ятуры, вклвчамций различные ва]панты проекторов с усилите-

лем света J, элементы оптических резонаторов, схемы управления параметрами излучения и объектов исследования, системы регистрации и контроля. Впервые в качестве УС использовался АЭПМ ГЛ-202 [3 J. Диаметр разрядного канала элемента ( ) равен 12 мм, а длина - 102 см.

В АСПМ генерация света осуществляется на длинах ролн 510,6 ни (главным образом) и 578,2 нм ]. Световые импульсы длительностью 20 не ( *Со) высвечивались АЭПМ ГЛ-202 с частотой (-{!) до 11,5 кГц.

Выполнено исследование данного УС. Определялись параметры инверсии ГЛ-202, усилительные и энергетические характеристики этого элемента в режимах усилителя яркости изображения £ I J и усилителя мощности, для системы с одной трубкой и в резонаторе. Изучено поведение контраста и усиления в различных ситуациях. Найдены оптимальные режимы работы, предельные и возможные параметры данного УС.

Выяснилось, что наилучшие характеристики контраста, усиления и энергетики для УС достигается при одних и тех же (оптимальных) параметрах АСПМ,

Чем больше скорость разогрева АСПЧ, тем выше и острее максимум контраста; малая скорость разогрева дает для больного интервала температур почти нэизмзшшС! контраст.

Время существования инверсии ( tTufíS ) s АСПМ трубки ГЛ- . 202 не превышает 47 не.

Проанализированы различные известные оптические схемы о УС. Предложен ряд нестандартных вариантов обкапринято!* оптической схемы микропрозкгора с усилителем яркости изображения (ПУЛ) J . Пгог.элани расчеты оптической части установки. Рассмотрена работа ЧУЯ с михрообьочтилами, объ ;ктаэами большого пиастра и

кинопроекционными. Расчеты подтверждены экспериментальными данными.

Для нашего АЭГМ число элементов, разрешаемых на линейном поле зрения в схэыэ МУЯ, нокет доходить до 275. Реально мы достали числа 175.

Определены размеры пятен и уровни засветки на поверхности объектов в различных схемах обработки материалов излучением УС с одновременным чизуапьньм контролем.

Для '!УЯ справедлива касткая минимизация облучения.

Диаметр пятна обработки излучение« УС поверхности объекта С сО) для АЭПМ в плоско-парадлельном резонаторе хорошо описывается следующим выражением;

^ I и I ^ £(х ,

сг [' х

'С = ( 2сСо — гСи<н&) сс*е , 0 - скорость света, - фокусное расстояние объектива, ОС* - расстояние от обьзктива до плоскости промежуточного изобракекия, Н - расстояние от объектива до зеркала подсветки.

Перетяжка излучения располагается от объзктива дальшэ, чам исследуемая поверхность и имеет размера Л - Гс/ /с* .

В третьей главе .рассмотрено влияние на ОД больших и малых плотностей излучения УС на базе АСПМ.

В первом параграфе глелан теоретический анализ тепловых явлений в оптически прозрачных средах при облучении материалов концентрированными потоками света, Провацака оценка распределения темг.зратуры для модели движущегося в образца пятна сфокусированного излучения (где происходит основное тепдовыделзниз).

Исследовалась ситуация стационарного (квазистационарного) теплового рекима D модельном стержне, когда подводимое тепло выводится из тела за счет внутренней теплопроводности и теплоотдачи в окрукавиуп среду по законам Фурье и Ньютона.

В первом приближении изучена задача, когда все теплб из образца выводится в окружающую среду (за счет лучеиспускания) лшгь через концы стержня. Аля более точной оценки температурных распределений затем сделан учат явлений теплоотдачи в ок[ :а>з-щуп среду с боковой поверхности тела.

Получено обцзе решение задачи, из которого при необходимых допущениях получаптся формулы первого приближения.

Найденные температурные распределения были проверены на ЭШ. Расчеты даст хорошие результаты.

• Во второн параграфе обсуждастся результаты экспериментальных исследований тепловых явлений в ОД под действием излучения АСПМ. Изучались тепловые явления на поверхности и в объема диэлектриков при облучении их концентрированными потоками света, ксгда средняя мощность излучения достигает достаточно большой плотности ( jH ), и вещество находится вблизи и на пороге видимого разрупэния.

Выяснилось, что видимое разрушение излучением УС поверхности поли..зтилуетякрилата (ПМЧА) за счет т^рмодвструкции (при больиих АСПМ) начинается, когда "jj^ достигает ве-

личины 10^ Зт/см''. Е этьм случая на поверхности дизлзктрика возникает прозрачное линэопидобное образование, за которым в объеме начинается локзлы.ая тг-рмодзструкцич вэкэства. Дальней-озе погыззннз , ft приынит к ешэ большему разогреву этой части образца, в на поверхности набллд'пто,! область расплав-лемг-ого мат*ткала, 'инзз, ьчдунц;мая здесь, нэпрсзр". un и nos-

тому начинает интенсивно поглощать падающее излучение; локальной области видимого разрушения за ней уже нет.

Под поверхностью ота же картина наблюдается при меньших плотностях энергии падающего света.

Сканирование сфокусированного излучения по объему ПММА дает канал деструкции почти неизменного сечения, размерами порядка . Протяженность канала определяется величиной , толциной и геометрией образца, а также теплофизическими параметрами материала.

За счет большой -р АСПМ в объеме ГОФ1А могла возникать устойчивая тепловая линза, картина которой наблюдалась и после снятия облучения. Размеры линз внутри материала (I 1^5 мм) в несколько раз больше диаметра аналогичных образований на поверхности.

Причиной появления стационарных линзоподобных образований являются тепловые деформации ОД (при облучении его мощными импульсами света), которые, среди стеклообразных ОД, максимальны именно в ММ А Поскольку время рассасывания тепловой линзы в ГШ А порядка 0,05 с, а в наших опытах ~ 120 мкс, то процесс формирования линэоподобного образования за счет термооптических воздействий становится у нас стационарным,

В третьем параграфа исследованы условия, особенности и пороги видимого разрушения ПММА за счет лучевого пробоя ^ в схеме МУЯ. Диэлектрик облучался регулярными световыми импульсами АСПМ и находился под действием средней мощности излучения значительной плотности.

| Использовалась грирезонаторная обработка вещества с одновременным визуальном контролем изучаемой области на МУЯ.

Схемы МУЗ довольнс критичны, если вопрос касается созда-

/

ния и наблодения лучевого пробоя. Но в определенных случаях такую задачу решить можно, и тогда на экране МУЯ появляется характерная картинка лучевого пробоя среды.

Пороговые условия пробоя приповерхностного объема ПММА в случае тепловой деформации поверхности зависят и от значений поверхностного натяжения на размягченной поверхности диэлектрика.

Когда тепловая деформация поверхности ПММА отсутствует, для пятна обработки 40 * 10 мкм в приповерхностном объеме набло-дается многоимпульсный пробой при плотности сватовой энергии в. пучке 2,7 - 0,5 Д«^см~. Пробой происходит по каналу диаметром порядка сО и длиной 0,5 мм, окрукэнному веществом, видоизмененным за счет расклинивающих нагрузок, возникающих под действием ударных волн. В канале протекает химическая реакция и на стенках осаждается углерод.

Если канал пробоя выходит на поверхность, то регистрируемся и звуковой импульс. Длина пробойного канала снижается по мере опускания пробоя вглубь материала.

Картинка пробоя регистрировалась в области фокуса визуализированной тепловой линзы в объеме ПММА.

Проведена оценка порога стационарной и тепловой' самофокусировки в ПММА излучения АСПМ. Даже в самом благоприятном случае этот порог (9-10^ Вг) по крайней мере в 25 раз выаге, чем та мощность света, что падает на образец.

В четвертом параграфе затрагивалось влияние облучения УС ' относительно небольаой интенсивности (вплоть до интенсивности в схеме МУЛ), приводящего только к скрытен изменениям в ди'»лак- .. триках, на последующее химическое стравливание поверхности кон- -центрированной кислотой, а также на диэлэктрическув прсницаа-

иость ( 5 ) и тангенс диэлектрических потерь ( ) среди

Установлено, что даже кратковременная засветка на МУЯ влия ет на стойкость эпоксидных полимеров к воздействию концентрированной кислоты; скорость химического стравливания поверхности увеличивается в несколько раз. Облучение модифицирует, главным образом, приповерхностный слой оптически непрозрачных диэлектриков.

Излучение АСПМ способствует образованно дефектов в приповерхностном слое вещества, разрывает цепи макромолекул и значительно снижает их среднюю массу. Образовавшиеся .химические связи в местах разрыва молекул занимает кислород из окружающей среды; дальнейшие реакции приводят к образований соединен» со сравнительно небольшой массой. Кислотное травление расширяет микротрещины,и значительно легче растворяет соединения с неболь пой массой. Поэтому засвеченное вещество гораздо лэгчо раствора ется, растравливается.

Облучение светом УС ПММА, а также полимеров на основе поли этилена (ПЭ) и поливинилхлорида (ПВЛ) большим пятном в течение 3-5 секунд, когда .плотность световой мощности в импульсе С ^ варьируется от 0,6 до 6,6 кВт/см^, а плотность средней моинос ти облучения лежит в интервале от 0,02 до I Вт/см-, приводит к заметным изменениям £ .и материалов спустя 2-6 часов

после засветки. Эти изменения сугубо индивидуальны для каждого, вещества, зависят от и •Е-|;я нааих интенсивностей являете

обратимыми. Порой происходит выход характеристик материала н< несколько инее, но долговременно-стабильное значение. (Ьсв измерения проводились при комнатной температуре).

Видимо, под действием облучения УС у диэлектриков начина?;1 проявляться элзкт{отние свойства 1, поскольку ре.'^ксацня

пектрических параметров (ЭЛ) происходит за десятки-сотни часов, после релаксации наблюдается большой, но не долгий рост тока мщения.

Времена релаксации С 0 ) ЭП большинства изученных диэлект-.жов превышают 100 часов.

Максимально» значение снииения £, (в 1,8 ^ 0,2 раза) об-1рукено у ПЭ, для = 3,3 кВт/см^; а наибольший роог £

а 1,6 ^ 0,2 раза) был у ПЗХ, для ^ » 6,6 кВт/см?.

Для 'ебольшой максимальное сниаэние ~Ь^ ° (в 1,7

0,2 раза) найдено у ПВХ, для [J2 = 1,7 кВт/см^; а наиболь-лй рост & (в 2,5'- 0,3 раза) бил у ПЭ, для t=» 0,6

Вт/смг.

Возможно, при воздействии световых импульсов не длительнос-и в полимерах наблюдаются термоупругиэ явления ^ J» которые риводят к деформации надмолекулярных структур. Малая длитвль-эсть импульсов способствует хорошей фиксации наведенных элактри-зских свойств

Однако такие состояния являются неустойчивыми, и со време-эм происходит релаксация упругого напряжения, что приводит к эсстановлению начальных ?анных ЭП полшмзроз.

Для небольших оптически-прозрачный FlbC-lA иаимэнее чув-

гвителен к облучению. С другой стороны, излучение значительно

эныаей .7? » но большой -Д производит здесь значитель-о ' '

о большие изменения ЭП. ' ....

Если 0 дипол^но-групповых диэлектрических потерь в !'1МА при наших температурах попадает в наносекундный диапазон рамен, то 0 дипольно-евгментальных потерь здесь порядка а Ц больше ^7 J. Таким образом, если последняя величина будет . -w i/I ю импульсное воздействие на диполи переходит в вазинзпрерыЕное, а это может существенно менять ЗЛ ПМ!1А.

По данным Измерений, при температуре 25 * 3 °С у ПММА ~ 80 ^ 10 часов - примерно постоянно для асах ЭП и условий нашего облучения. Эта цифра хорошо соответствует О электретного состояния ПММА, когда процессы терморелаксации осуществляют возврат характеристик оргстекла к исходным данным при температуре 50 °С за время порядка 20 часов

Как показали последующие измерения, облучение не влияло существенным образом на процессы естественного старения органических диэлектриков.

Четвертая глава посвящена исследованию ОД lia МУЯ по сигналу, ограиенному поверхностью. В этом случае использовались неразрушающие методы контроля образцов.

В первом параграфе -опробован визуальный экспресс-метод проверки качества покрытий гибких информационных дисков по наблюдаемым на поверхности спекл-пягнам когерентной подсветки

Для наблюдения спекл-картин анализируемых поверхностей использовался НУД на базе АЗГШ. ' В-литературе нет данных о такой методике. Большим, преимуществом метода является скорость и простота получения результатов, поскольку на МУЯ несложно численно определить размер спекл-структуры.

■ Наблюдения показали, что существует связь между размером спекл-структуры и износостойкостью полимерного покрытия.'

Во втором параграфе рассмотрены вопросы оценки леханичэских сеойств некоторых материалов на МУЛ.

В рэжиме Небольшой подсвэтки, в схеме, МУЯ проведено изучение сигнала, отракзшого от поверхности ударного разрушения ряда аморфных органических' диэлектриков. Хорошие картинки получены и для таких образцов, наблюдений которых крайне затруднено при использовании обычных *<етэдяк.

Найдено, что особенности картин на скола ударного разруве-ния зависят от конкретного материала, его прочностных . свойств и характера разруивния. При этом ударное разрушение аморфных ОД для определенных температур происходит с образованием крейзов (по релаксационному локальному механизму)

У данного образца и, в некоторых случаях, у материалов, близких по составу, имеет место простая связь между усредненной плотностью характерных кривых на сколе и локальным напряжением разрушения ( <3"): отношение значений этих параметров является константой ( С ) да данного вещества (класса веществ). Это позволяет определять лекальные напряжения в образце, то есть по результатам анализа скола моино, в иных случаях, дать оценку некоторым механическим свойствам аморфного материала.

По нашим измерениям, у ПММА £ = ?.,5 - 0,5 у серосодержащих эпоксидов = 4.3 - 0,5 РГ*; у материалов из класса поли(арилат-сульфонов) (Г1А) 0, = 60.- 10 Н"*.

В общем случае & пропорционально параметру ^ , который отражает релаксационные свойства вещества. По нашим данным, в пластическом материале из класса ПА ^ = 1/15. По мера отжига (термостарения) "этот параметр .растет и приближается к I, когда полимзр становится хрупким ,

СГ = СГор

А Г

о

где <Эо ~ усредненное значение напряжения разрушения данного вещества; ^ - угол между нормалью к фронту движения магистральной трэпины и нормалью к боковой грани образца; ¿г - протяженность области крзйзообразовакия; €¡3 - некоторая функция пересчета.

"'■''...'■'. ' ' '' ' ... 16, -

; • Как выяснилось» вид фокуса кривой на поверхности удар-

ного разрушения сохраняется практически неизменным на всем .■■сколе и не зависит от (5** > а определяется характером разрушения и релаксационными процессами в веществе.

; ' . В приложении' 'разобраны некоторые вопросы усилительных и,. .'энергетических свойств активных сред.. Проведенный анализ закономерностей и режимов усиления света позволил определить круг понятий» формул н пороговых условий, которыми и окно пользоваться в работе с УС» Рассмотрены особенности усиления света в АСПМ. ■ . ' ; 4

' . ' ' В И В О д И

1. Когда средняя мощность излучения УС достигает плотности 10^ Вт/см^, на поверхности ПММА начинается видимая деформация и разрушение вещества за счет тепловых явлений (плотность

световой энергии в импульсе здесь порядка 1,2 Дк^см^). этом термоупругиз напряжения вздувают на поверхности диэлектрика стационарное линзоподобиое образование.

Под'поверхностьа наблюдается та ке картина при меньших . средних мощностях излучения.

2. Если сечение' световых пучков в- системах о УС снижаются до десятков микрон близ поверхности ПММА, там моает проис-

. ходить лучевой пробой среды.

Когда тепловая деформация поверхности ПММА отсутствует, для пятна обработки '¡0 - 10 нкк в приповерхностном объеме наблюдается многоимпульсный пробой при плотности свэтоеой энер-

Л

гни ъ пучке 2,7 0,5 -Лиг/с и , в случае тепловой деформации поверхности пробой регистрируется, когда плотность световой экэргии в полтора раза меньиз. Это сопряж-зно с тем, что на порог пробоя оказывают влияние и значения поверхностного натя-

жэния на размягченной поверхности диэлектрика,

3. Лаке -кратковременная засветка на, микропроекторз с 'УС модифицирует приповерхностный олой эпоксидных диэлектриков, за счет чего скорость химичеокого стравливания поверхнооти вещества ' концентрированной ' кислотой увеличивается в несколько раз.

Облучение ПММА, а такке диэлектриков! на cohobo по- ' лиэтилена и поливинилхлорида в течение 3-5 секунд ' излучением УС малой интенсивности изменяет диэлектрическую проницаемость и тангенс диэлектрических потерь среды в насколько раз. Плотность средней мощности излучения варьировалась -на'поверхности от 0,02 до I Вт/см^, а плотность сватовой мощности в импульсе' - от 0,6 до 6,6 кВт/см^.

Под дейотвибм облучения у диэлектриков начинают проявляться электретные свойства. ■'

Время релаксации электрических параметров ПММА при температуре 25 - 3 °С составляет 80 ¿ 10 часоа.

5. Ударное разруиение аморфных органических диэлектриков для определенных температур происходит по релаксационному ло^ кальному механизму. - .

У данного образца и у материалов, близких по составу, отношение значения локального напряжения раэрутния « неличное усредненной плотности характерных кривых ла поверхности ударного разрушения есть константа для данного вещества (класса врществ), что дает возможность оценить локальные напряжении в образце.

Между размерами фокуса характерной,кривой и прочность«) .существует прямая зависимость., .

6. Существует связь между износостойкостью покрытия rué-

кого информационного диска и размерами когерентных спекл-пятен на его поверхности, что напрямую отображают высоту рельефа покрытия. Износостойкость максимальна при самых малых размерах этих пятен.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Савинцев А.П. Тепловые явления на ме^азных границах// Физи-ко-химия межфазных явлений. - Нальчик, 1986. - С.224-231.

2. Савинцев А.П. Некоторые структурные вопросы поликонденсационных аморфных полимэров //Поликонденсационные процессы и полимеры.' - Нальчик, 1986. - С. 165-168.

3. Савинцев А.П. Определение параметров инверсии в активных средах' на парах меди // Инверсная заселенность и генерация на переходах в атомах и молекулах: Тез. докл. Бсесоюз. совет. 9-11 сентября 1986 г. - 4.1. - Томск, 1986. - С. 131 - -132.

Савинцев АЛ1. Поверхность хрупкого разрыва полимеров о внутренним дефектом большого размера //Научно-технич. конф. по высокомолекулярным соединениям:Тез.докл. - Нальчик,1986. - С.32-33.

5. Савинцев А.П., Микитаев А.К. Сколы хрупкого'разрушения тер-мосостаренных полимеров //Научно-техн. конф. по высокомолекулярным соединениям: Тез.докл.- Нальчик, 1986.- С.33-?34.

6. Савинцев А.П. Травление эпоксидных полимэров //Поликондзнса-ционные процессы и полимеры. - Кальчик,1У37. - С. 105-107.

7. Савинцев А.П., Микитаэв А.К. Некоторые прочностные свойства лоли(арилат-сульфонов)// I конф. "Химики Северного Кавказа -народному хозяйству": Тез.докл. - Махачкала, 1987. - С.

8. Савинцев Д. П. Влияние фототрав пения на свойства подиг.орнах материалов //Бсесоюз.совас,. по биологически активным полимерам: Тез. докл. - Нальчик, 1538. - С. 106.

9. Савинцев* Л.П. Микропроектор о усилителем яркости в исследованиях физики и механики органических диэлектриков // Молодежь'- народному хозяйству: Тез.докл. научно-практ. конф. 27 октября 1988 г. - Нальчик, 1988. - С. П5-П6.

10. Савинцев А.П. Блочные органические диэлектрики при больших плотностях излучения лазера на парах меди // Диэлектрики в экстремальных условиях: Тез, докл. б Всесоюз. конференции по физике диэлектриков 23-25 ноября 1988 г. -Томск, 1988. - С.

11. Савинцев А.П. Усилители света на парах меди а исследованиях твэрдотельнах органических диэлектриков. - М., 1989. - 7 с. - Деп. в ВИНИТИ 20.12.89, IS 7558-В 89.

12. Савинцев А.П.» Темроков А.П., Кунижев Б.И. Влияние излучения активной среды на электрические параметры полимеров// Новые методы в физике и механике деформируемого твердого тела: Тр. Международной конф. - Томск, 1990. - С.20-22.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА •

1. Петраш Г.Г. Усилители яркости для оптических приборов // Вестник АН СССР. - 1987. - »' 2. - С. 66-75. .

2. Земсков К.И., Казарян И.А. Малогабаритная проекционная система с усилителем яркости //Приборы и техника эксперимента. - 1978. - * 6..- С. 207.

3. Беляев В.П., Зубов В,В., Лесной М.А., Лябин H.A., Чурсин А.Д., Воробьев О.В. Применение активных элементов импульс' ных лазеров на парах меди в технологическом оборудовании"

для контроля изделий электронной техники //Электронная промышленность. - IS8I. - Вып. 5-6. С. 82-83.

i». Бондар М.В.; Пржонская O.B., Тихонов Е.А. Обратимые и необратимые термооптические явления в полимерных средах // Оптика лазеров: Тзз, докл. 5 Есесоюз. конф. - Д., 1986. -

С. 252. »

5. Дюмаев К.И., Иананков A.A., Маслюков А.П., Матюшин Г.А., Нечитайло B.C., flpoxoppB A.M.-Механизм оптического про. боя и разрушение прозрачных полимеров //Известия АН СССР,

серия Физическая. - 1985. - № 6. - С. 1085-1095.

6. Бартенев Г.И., Зеленев Ю.В. Физика и механика полимеров. -И.: Высшая школа, 1983. - 391 с.

7. Тагер A.A. $изикохимия полимеров, - М.: Химия, 1978. -54k с.

8. Франсом И. Оптика спеклов. - М.: Мир, 1980. - 171 с.

В печать 10.05.?0 Ч 01007

Формат 60x84 I/I6 0,9 п.л. Пеяать офсетная

Тира» 100 экз. Заказ № 144

Ротапринт КБ 17 360004, г.Нальчик, ул.Чернниевского, I?;?

Ч Ч