Пиннинг и динамика вихрей в высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Г*. МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М.В. ЛОМОНОСОВА ст.

Физический факультет

со

На правах рукописи

СЧ1 УДК 537.312.62

ЖУКОВ Александр Александрович

ПППНИНГ И ДИНАМИКА ВИХРЕЙ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ

специальность 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.

Москва- 1997.

Работа выполнена на физическом факультете

Московского государственного университета им.М.В. Ломоносова

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор

A.С.Илюшин,

доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Е.З.Мейлихов,

доктор физико-математических наук, профессор

B.М.Пан.

Ведущая организация: Институт физики твердого тела РАН.

Защита состоится 9 октября 1997 г. в 15 час. 30 мин. на заседании Диссертационного Совета Д.053.05.40 Отделения физики твердого тела физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899, ГСП, Москва, Воробьевы горы, МГУ, Физический факультет, криогенный корпус, ауд. 2-05.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

^ Ученый секретарь

Диссертационного Совета Д.053.05.40

Отделения физики твердого тела физического факультета МГУ профессор, д.ф.-м.н.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Открытие высокотемпературной сверхпроводимости [1] является одним из выдающихся событий этого столетия. Оно привело к многократному увеличению температуры сверхпроводящего перехода по сравнению с традиционными сверхпроводниками и представлялось открывающим немедленные возможности для многочисленных практических применений. Среди областей возможного использования высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), неоднократно обсуждаемых в литературе, назывались энергетика, транспорт, медицина, приборостроение и другие.

Однако довольно скоро стали понятны и препятствия, возникающие на этом пути. Основным среди них является необходимость увеличения плотности критического тока Jc при азотной температуре и уменьшения ее деградации в магнитном поле (подавление зависимости JC(H)). Сегодня решению этой задачи в той или иной степени посвящены работы более половины исследователей и технологов, занимающихся проблемой ВТСП.

С точки зрения физики сверхпроводимости эта проблема сводится к задаче увеличения силы пинниига вихрей Абрикосова, движение которых под действием силы Лоренца и вызывает диссипацию, ограничивая величину J0. Для решения такой задачи очень важное значение имеет изучение природы вихревого состояния и процессов взаимодействия вихрей с различными типами дефектов. Большую роль в развитии этой области сыграл тот важный факт, что теория Гинзбурга-Ландау-Абрикосова оказалась применима для описания вихревых состояний в ВТСП. Это исключило необходимость разработки новой фундаментальной теории и позволило использовать уже развитые подходы.

Вихревые состояния в ВТСП вследствие особенностей этих материалов оказались очень сложными и интересными. Результаты их исследований обогатили физику сверхпроводимости. Высокая анизотропия эффективных масс, большое значение параметра Гинзбурга-Ландау и маленькая длина когерентности обусловливают возникновение большого числа физических явлений, не наблюдавшихся ранее в низкотемпературных сверхпроводниках (НТСП), таких как: гигантский крип магнитного потока, плавление вихревой решетки, изменение размерности вихревой системы, локализация (lock-in) вихрей плоскими и линейными

дефектами и целый ряд других. В частности, гигантский крип магнитного потока приводит к тому, что влияние динамических эффектов на пиннинг вихрей в ВТСИ оказывается определяющим. По этой причине для изучения динамики вихревой системы новые сверхпроводники оказываются намного предпочтительней традиционных, где влияние динамических эффектов незначительно и, соответственно, затруднительно для исследований.

Для понимания процессов пиннинга вихрей в ВТСП-материлах прежде всего следует детально щучить влияние различных центров пиннинга, установить соответствующие универсальные закономерности для пиннинга и динамических свойств вихрей. В первую очередь это касается дефектов малого размера: примесей, вакансий, внедрений и их кластеров. Вследствие малой длины когерентности ВТСП ожидается значительное усиление влияния дефектов такого типа, которые принято называть точечными или некоррелированными. Наибольший интерес в этом ряду, конечно же, вызывают "естественные" дефекты - вакансии кислорода.

Специфические особенности ВТСП обусловливают необходимость изучения и ряда других центров пиннинга, ранее практически неизвестных для НТСП, таких как: колоннообразные радиационные дефекты, двойниковые границы, СиО-плоскости и другие, которые в отличие от точечных принято называть коррелированными. Для таких дефектов важное значение имеет изучение явления локализации вихрей. Оно родственно эффекту пиннинга вихрей, но проявляется в ограничении вращательного, а не поступательного движения вихрей. Кроме того, значительный интерес представляют осцилляции соизмеримости межвихревого расстояния и периода кристаллической структуры, определяемого СиО-плоскостями.

Наряду с разработкой новых направлений исследований в ВТСП также есть необходимость работ над некоторыми старыми проблемами, не решенными в традиционных сверхпроводниках. К их числу прежде всего следует отнести изучение пик-эффекта, соответствующего аномальному возрастанию величины с магнитным полем, приводящему к появлению пика на полевой зависимости критического тока.

Новые ВТСП-материалы могут обладать такими особенностями технологической структуры, как гранулированность и пластинчатая форма монокристаллов. Их кристаллографическая структура характеризуется слоистостью, приводящей к значительной анизотропии собственных параметров. К тому же для ВТСП характерны вольтамперные характеристики с относительно малой крутизной и

сильной зависимостью от магнитного поля и температуры. Такие особенности обуславливают необходимость разработки специальных моделей для адекватного описания соответствующих критических состояний, транспортных и магнитных свойств.

Цель работы состояла в экспериментальном исследовании механизмов пиннинга и динамики вихрей в ВТСП. Для этих исследований использовались ВТСП-монокристаллы КВа2Си,Ох (К-У, Тт) и В1'28г2Са1Си2Ох, а также керамические образцы УВа2Си3Ох, ВЬ8г2Са2Си3Ох и В^г^СиА. Были поставлены задачи'.

1. Изучить зависимости критического тока и крипа магнитного потока от температуры и магнитного поля.

2. Исследовать влияние вакансий кислорода, двойниковых границ и радиационных дефектов на эти характеристики.

3. Изучить поведение пик-эффекта при варьировании концентрации различных дефектов.

4. Показать и изучить эффект локализации вихрей на двойниковых границах, плоскостях СиО и колоннообразных дефектах. Исследовать осцилляции соизмеримости, индуцированные плоскостями СиО.

5. Развить новые экспериментальные методы исследования пиннинга и динамики вихрей. Изучить соответствие магнитных и электрических характеристик.

6. Исследовать пиннинг и динамику вихрей в гранулированных ВТСП- керамиках.

Научная значимость и новизна работы. В диссертации были впервые получены и выносятся на защиту следующие результаты:

1. Установлены универсальные скешшнговые закономерности в поведении статических и динамических параметров вихревой системы в монокристаллах 11еВа2Си3Ох. Детально изучен пик-эффект.

2. Исследовано влияние концентрации кислорода на статические и динамические характеристики вихревой системы и пик-эффект в монокристаллах ЯеВа2Си3Ох.

3. С помощью одноосного раздвойникования изучено влияние двойниковых границ на пиннинг и пик-эффект в монокристаллах УВа2Си3Ох. Установлено наличие трех различных режимов пинннинга.

4. Изучены процессы взаимодействия вихрей с плоскими (двойниковые границы и плоскости СиО) и линейными (радиационные треки) центрами пиннинга в монокристаллах УВа2Си3Ох. Показано существование эффекта локализации вихрей. Предложенный экспериментальный подход на базе векторного магнитометра открывает повое направление исследований - экспериментальное изучение локализованных вихревых состояний.

5. В монокристаллах УВа^С^О* изучено осциллирующее поведение намагниченности, соответствующее соизмеримости межвихревого расстояния с периодом межкристаллической структуры, определяемой плоскостями СиО. Установлены угловые и температурные области существования этих осцилляций.

6. Изучены ВАХ монокристаллов ВъвггСа^игО, и, в области низких температур (Т<15К) установлены универсальные скейлинговые закономерности в их поведении.

7. Обнаружено резкое изменение в поведении экранирующих токов и ВАХ монокристаллов В128г1Са1Си205 при Т*~20К. Показано, что при высоких температурах Т>Т* их магнитные свойства определяются влиянием поверхностного барьера.

8. При облучении монокристаллов ВЬ5г2Са1Си2Оу ионами высокой энергии получено большое увеличение поля необратимости и критических токов. Установлено наличие трех различных режимов пиннинга.

9. Обнаружена релаксация транспортного тока в керамических образцах. Установлена и объяснена зависимость критического тока от сечения.

10. Измерены ВАХ керамических образцов в широком диапазоне 10"и-10"' В/см, установлено, что они имеют 8-образный вид. Показано хорошее согласие электрических и магнитных методов.

И. Для описания критического состояния в сверхпроводниках предложен ряд модификаций модели Бина, расширяющих область ее применимости при анализе магнитных свойств ВТСП.

12. Для решения поставленных задач было развито несколько новых экспериментальных методов.

Практическая значимость результатов работы определяется широкими перспективами использования ВТСП в энергетике, транспорте, медицине, приборостроении и других областях. Как уже отмечалось ранее, ключевым фактором для этих применений является увеличение плотности критического тока ^ (силы

пиняинга) при азотной температуре и уменьшение ее деградации в магнитном поле (повышение поля необратимости Нот).

Полученные в диссертации результаты позволили изучить различные механизмы пиннинга в Системе RBa2Cu3Ox. Они создают научную базу для улучшения технологических параметров в этих ВТСП. Результаты исследований пик-эфекта могут быть использованы для повышения токонесущей способности ВТСП в сильных магнитных полях. Полученные при изучении гранулированных материалов результаты могут быть использованы для разработки магнитных сенсоров и экранов.

Новые методики и модели, развитые в процессе данной работы, используются другими исследователями. Результаты автора диссертации часто цитируются в нашей стране и за рубежом.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на: Всесоюзном совещании "Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости", Свердловск, 1987; XXV Всесоюзном совещании по физике низких температур, Ленинград, 1988; Всесоюзном совещании по проблемам диагностики материалов ВТСП, Черноголовка, 1989; Международном семинаре по ВТСП, Дубна, СССР, 1989; Международной конференции M2S-HTSC II, Стэнфорд, США, 1989; III Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния", Новосибирск, 1989; Международной конференции йо Высокотемпературной сверхпроводимости, Пекин, Китай, 1989; 2-й Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости, Киев, 1990; Международной конференции ICMC'90, Гармиш-Партенкирхен, ФРГ, 1990; Международной конференции "Материаловедение для Технологий - MASHTEC90", Дрезден, ГДР, 1990; Международной конференции LT-19, Брайтон, Великобритания, 1990; XXV Международной конференции по магнитным фазовым переходам, Осака, Япония, 1990; VIII Международной конференции по чеггверным и многокомпонентным соединениям, Кишинев, 1990; Всесоюзной конференции НТ-26, Донецк, 1990; 3-еи Всесоюзном совещании по высокотемпературной сверхпроводимости, Харьков, 1991; Международной конференции по сверхпроводимости и локализационным явлениям, Москва, 1991 г; Международной конференции M2S-HTSC III, Каназава, Япония, 1991; Международном семинаре MSU-HTSC II, Москва, 1991; Международной конференции по критическим токам в ВТСП, Вена, Австрия, 1992; Конференции ЕМО

"Высокотемпературные сверхпроводники", Страсбург, Франция, 1992; XXIX Всесоюзном совещании по физике низких температур, Казань, 1992; Международной конференции по физике низких температур LT20, Юджин, Орегон, США, 1993; Европейской конференции по прикладной сверхпроводимости, Геттинген, ФРГ, 1993; Седьмой международной конференции по критическим токам в сверхпроводниках, Альпбах, Австрия, 1994; Международной конференции M"S-HTSC IV, Гренобль, Франция, 1994; XXX Совещании по физике низких температур, Дубна, 1994; Европейской конференции по прикладной сверхпроводимости, Эдинбург, Великобритания, 1995; конференции Британского физического общества, Ливерпуль, 1995; Четвертой конференции Европейского керамического общества, Римини, Италия, 1995; Восьмой международной конференции по критическим токам в сверхпроводниках, Китаюошу, Япония, 1996; Международной конференции по физике и химии молекулярных и оксидных сверхпроводников, Карлсруэ, ФРГ, 1996; Международной конференции по физике низких температур LT21, Прага, Чехия, 1996; Международной конференции M2S-HTSC V, Пекин, Китай, 1997.

Публикации. По теме диссертации опубликована 131 печатная работа, для защиты диссертации представляется совокупность из 74 публикаций, список которых приводится в конце автореферата.

Структура диссертации и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, девяти глав, выводов и содержит 230 страниц текста, 118 рисунков 4 таблицы и список литературы из 318 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы исследования; сформулированы цели и задачи работы; показана ее научная и практическая значимость; приведены основные результаты, полученные впервые и выносимые на защиту; дано краткое описание структуры диссертации.

В первой главе дан краткий обзор кристаллической структуры соединений YBa2Cu3Ox, BijS^CaiCibOx и BijSbCaiCi^O» рассмотрены основные свойства вихревого состояния в сверхпроводниках и пишшнг вихрей дефектами. Далее обсуждена модель критического состояния и ряд ее модификаций. Последний раздел

посвящен проблемам динамики вихревой системы, крипа магнитного потока и некоторым свойствам ВАХ сверхпроводников.

Во второй главе приведена информация о методах получения и структурных характеристиках исследованных образцов, описываются использованные экспериментальные методы, включая оригинально разработанные методики.

При проведении данной работы были проведены измерения более 200 образцов ВТСП. Дня 43 монокристаллов было проведено детальное исследование полевых и температурных зависимостей силы пишшнга и динамических характеристик.

Монокристаллы ReBa2Cu307_5 (Re=Y,Tm) синтезировались кристаллизацией из раствора в расплаве в псевдотройной системе Re03C-Ba0-Cu0(Cu02) в различных тиглях : XrO;, Sn02 и Л1203. Изученные образцы были приготовленны В.И.Воронковой (МГУ), Т.Вольфом (ИЦК, Германия), А.Эрбом, М.Клэзер (Университет г.Карлсруэ, Германия) и С. Абелем (Университет Г.Бирмингема, Великобритания). Варьированием условий отжига были получены образцы с различным дефицитом кислорода 5 в диапазон? О < 5 < 0.55. Монокристаллы Bi2J „Sri^Ca¡ пСи20,, выращенные раствор-расплавнмм методом в тиглях из оксида циркония, были получены от В.А.Мурашова, А.А.Буша (МИРЭА), С.В.Моппшна (С-ПГУ) и Л.И.Леонюк (МГУ). Для измерений использовались также керамические образцы составов YBa2Cu3Ox, Bi2Sr2Ca2Cu3Ox и Bi2Sr2CaICu20„, синтезированные в группах В.П.Шабатина (МГУ) и А.А.Буша (МИРЭА) с помощью криохимической и керамической технологий.

Экспериментальные методики, использованные в работе, включали в себя:

а) установку для измерения транспортных вольт-амперных характеристик (ВАХ) четырехконтактным методом при температуре жидкого азота в магнитных полях;

б) установку на основе холловских датчиков с малой чувствительной зоной для измерения локального магнитного поля вблизи поверхности образца. Такая методика при измерениях на образцах малого объема обладает чувствительностью, превышающей чувствительность вибрационного магнетометра;

в) пять установок на базе вибрационного магнитометра. Одна из них (МГУ) была собрана иа базе магнитометра PARC-153. Кроме того, измерения проводились на коммерческих магнитометрах "Oxford Instruments" модели 301, с продольной ориентацией поля, и модели 5Н, с поперечной ориентацией поля, в лабораториях Д.Каплина (ИК, Великобритания) и Х.Кюрфера (ИЦК, Германия);

г) специальную методику для бесконтактных измерений межзеренных вольт-амперных характеристик в интервале Е~10"13-=-10"5 В/см, а также измерений релаксации межзеренного экранирующего тока с временным разрешением 1мсек при Т=77К во внешних магнитных полях. Основными элементами установки являются: два датчика Холла, питаемые переменным током с частотой 1кГц, фазочувствительный вольтметр и быстродействующий цифро-аналоговый преобразователь. Измерения по данной методике проводились на образце в виде кольца, при этом экранирующие токи индуцировались с помощью линейно изменяющегося во времени магнитного потока через кольцо, который создавался тонкостенным длинным соленоидом, помещаемым внутрь кольца. Развертка потока с разными скоростями соответствует разным значениям напряжения, а величина поля, измеряемого разностным сигналом холловских датчиков, определяется значением экранирующего тока в кольце. Таким образом были измерены ВАХ в диапазоне Е ~10"13 -Й0'5 В/см. Измерения релаксации экранирующих токов позволили расширить интервал по Е до 10"13 В/см. В совокупности с транспортными измерениями, при которых Е>10^ В/см, реально достигнутый диапазон составил Е~10""*10"1 В/см.

Большая часть измерений была автоматизирована на базе персонального компьютера.

Третья глава посвящена исследованию полевых и температурных зависимостей экранирующего тока и крипа магнитного потока в монокристаллах ЯеВа2Сиз07^ (Ке=У,Тт), насыщенных кислородом (5<0.1), рассмотрено влияние границ двойников на пиннинг вихрей.

Для всех образцов в широком температурном интервале ширина петли гистерезиса имеет ярко выраженных максимум, характерный для пик-эффекта. С понижением температуры, а также с ростом скорости развертки магнитного поля <1Н/А положение максимума функции ]5(Н) смещается в сторону больших значений Н и Для монодоменных кристаллов ЯеВа^СизО,^ в широкой области температур (от 0.2 до 0,9'Г£) обнаружено скейлинговое поведение плотности экранирующего тока (см. рис.1)

]3(Н,ТЙ5(Пмах,Т)-ГДНЛ-1жх] (1)

1.0 <►

Е^о.а

J

^io.c

р D ■tp*

н

Д 0.4

0.2-

0.0

&

'АР

ов

□

О-20К о-ЗОК д-40К 0-50К *-60К +-70К о-77К а-82К

о -1*

2

н/н шис

Рис.1. Зависимость приведенной плотности экранирующего тока ^(Н,Т)/.ЦНШХД') от Н/Н^ для монодоменного кристалла ТшВагСиз07^(6<0.1) при различных

температурах.

10.0

8.0

| 6.0 О

■1^4.0

С/1

2.0

0.

3.0

1

I II у III

-----1 _

1.0 2.0 h=H/Hu

3.0

4.0

Рис.2. Зависимость S/T от приведенного магнитного поля Н/Ншх для монокристалла TmBa2Cuj06.9 при различных температурах в интервале от 40 до 77К. Стрелкой показано направление возрастания температуры. Пунктирными линиями разделены области 1-Ш с различной динамикой магнитного потока.

3

1

для полей Н>0.7Нмах, где - поде, соответствующее положению максимума Для полидоменных образцов такой скейлинг обычно вьшолняется в более узком температурном интервале, что может быть объяснено влиянием двойниковых границ. Поле Нмах коррелирует с полем необратимости а отношение Нш/Нмг1Х=2ч-4 практически не зависит от температуры.

Измерения релаксации экранирующих токов проводились преимущественно с помощью динамического метода 8=с11одЭД11/(11о§и на основе зависимости ширины гистерезиса М,п от скорости развертки магнитного поля и=(ШУ&. Его достоинства заключались в возможности получать квазинепрерывные полевые зависимости скорости релаксации вплоть до точки необратимости, использовать фиксированное значение электрического поля и существенно сократить время эксперимента.

Как для монодоменного, так и для полидоменных кристаллов получено скейлинговое поведение нормированной скорости релаксации экранирующих токов (см. рис.2)

8/Т=£[Н/Ншх.], (2)

для которого можно выделить три области с различной динамикой магнитного потока.

В области I слабая зависимость Б от поля и температуры сопровождается одновременным возрастанием (ф5/с1Н>0) с увеличением поля. Величина 8 имеет значения 0.024-0.04. Такое поведение качественно согласуется с эластической теорией коллективного крипа [1] для случая малых вихревых связок.

Во II области Э практически линейно увеличивается с ростом Н и Т, а вольтамперные характеристики (ВАХ) монокристаллов с хорошей точностью могут быть аппроксимированы степенной зависимостью Е-^" (п«1/3 для крутых ВАХ) в широком интервале по Е (Ю '^.Ю^В/м. При этом в полях Н>Н„ах также наблюдается уменьшение величины ^ с ростом Н. Такое поведение не может быть описано в рамках существующей теории коллективного крипа. Оно может быть связано [2] с возникновением пластических деформаций в вихревой решетке.

Сильное возрастание скорости крипа с увеличением магнитного шля в области Ш, по видимому, свидетельствует о возникновении вихревой жидкости. Для всех исследованных монокристаллов, отличающихся условиями их получения, такое

поведение начинается при достаточно хорошо определенном значении S=0.2-s-0.3 (п=3-^5), соответствующем точке плавления.

С помощью одноосного раздвойникования изучено влияние двойниковых границ на пиннинг и пик-эффект в монокристаллах YBajCivsOx. Процедура раздвойникования была квазиобратима, И при последующем нагреве без одноосной деформации два образца были возвращены в двойникованное состояние, но с несколько измененной структурой двойников. Затем один Рис.3. Кривые намагничивания, полевые зависимости из них был раздвойникован скорости релаксации S монокристалла YBa2Cuj06 97 в повторно. Сопоставляя поведе-двойникованном и раздвойникованном состоянии. На ния образца в двойникованном вставке сплошными и открытыми символами показаны и раздвойникованном состоя-Нтах и Hin в раздвоникованном и двойникованном сос- нии, были идентифицированы тояниях соответственно. изменения, которые двойники

индуцируют в форме пик-эффекта, полевой зависимости скорости релаксации и в величинах поля необратимости и экранирующего тока (рис.3). Установлено, что при высоких температурах двойники пик-эффект существенно не изменяют. Однако при понижении температуры (Т<604-70К, рис.3) двойниковые границы приводят к радикальным изменениям в полевой зависимости критического тока: появлению плато или двух пиков при промежуточных температурах (20К <Т< 60К * 70К) и к монотонному убыванию тока при низких температурах (Т<20К). В полностью раздвойникованных монокристаллах

40 60 80 100 120

Н(кЭ)

пик-эффект наблюдался во всем диапазоне температур, что позволяет связать его с шшнингом на точечных дефектах. Двойники вызывают некоторые изменения полевой зависимости скорости релаксации Б и индуцируют "зеркальность" в поведении ти Б (рис.Зб).

Раздвойнихование приводит к значительному уменьшению поля необратимости Нт. Изменения силы тока при раздвойниковании свидетельствуют, что при высоких температурах двойниковые границы являются более сильными центрами пиннинга, чем точечные дефекты. Однако при низких температурах соотношение меняется и двойники становятся каналами облегченного проникновения потока внутрь сверхпроводника.

В четвертой главе анализируется влияние варьирования содержания кислорода на плотность экранирующего тока и крип магнитного потока в монокристаллах КеВа2Си307-5 (Ке=У,Тш).

Были тщательно отобраны образцы с практически одинаковыми исходными свойствами (То-90-.-9! К, ДТ0»1К и .¡8(0)«105 А/см2 при Т=50К). Варьирование условий отжига позволило получить кристаллы с различным дефицитом кислорода 5. Уменьшение 5 от 0.1 до 0.55 приводит к понижению критической температуры до 56.5К и уширению перехода до ~4К.

Установлено, что с уменьшением содержания кислорода вид полевых зависимостей не меняется и аналогичен виду ^(Н) для монокристаллов с малым дефицитом кислорода 5<0.1. Значения и поля Ншх, характеризующие положение максимума зависимости _ЦН), а также поля необратимости Н^ при фиксированной относительной температуре Т/Тс монотонно уменьшаются с ростом Е, а при постоянной величине Е убывают с повышением Т/Тс. Зависимости .¡¡¡^(Т) приблизительно аппроксимируются функцией (1 -Т/Х)" с не зависящим от дефицита кислорода 8 показателем степени а»2. Показатели степени, характеризующие аналогичные температурные зависимости полей Нуах и Нш> составляют р=1.7*2 и у=1.5-й.6 соответственно. Значения .¡¡^ихИ Нмх при Т/То=0.5 и 5«0.1 составляют 3.9-105 А/см2 и 5.9Т соответственно. С увеличением 5 до 0.55 значения 1,„ях и Нми уменьшаются почти на порядок. Отношение Нщ/Нмах=2-н4 практически не зависит от содержания кислорода и температу ры.

Скейлинговое поведение нормированной скорости релаксации экранирующих токов, обнаруженное в монокристаллах с 5<0.1 и описываемое соотношением (2), практически не изменяется при варьировании дефицита кислорода 0.1<3<0.55. Характерные значения Б, определяющие переход из одной области динамики магнитного потока в другую, остаются неизменными.

Показано, что с увеличением дефицита кислорода 5 до 0.55, приводящим к уменьшению концентрации носителей заряда, длина когерентности (0) и лоидоновская глубина проникновения Я,ь(0) возрастают почти в два раза, до 33 и и 250 нм соответственно. Такое изменение сверхпроводящих параметров должно приводить к резкому падению энергии конденсации и в результате к уменьшению силы пшпшнга, что и объясняет монотонное убывание плотности экранирующего тока.

Для двух монокристаллов УВа;Сиз07_|- (с существенно разной силой пиннинга в исходном состоянии) было проведено сравнительное изучение влияния содержания кислорода, используя одновременный отжиг в кислороде (1бар) при различных температурах. Для образца с большей силой пиннига величина тока монотонно падает при увеличении 5 в соответствии с уменьшением элементарной силы пиннинга на примесях в кристалле. Для более чистого образца с меньшей величиной тока при малых 5<0.14 наблюдается рост тока, который указывает на доминирование пиннинга на вакансиях кислорода или их кластерах.

В последнем разделе главы анализируются возможные механизмы пиннинга в различных монокристаллах ЛеВагСизО?^, связанные с кислородными вакансиями, примесными атомами и двойниковыми границами.

Пятая глава посвящена анализу пик-эффекта в монокристаллах КеВагСизСЬ^; (Ле=У,Тт).

Подобие зависимостей Д5(Н) для монокристаллов с различным содержанием кислорода (0.1<8<0.55) и наблюдение пик-эффекта вплоть до температур на 2ч4К ниже Тс позволяет отклонить связь пик-эффекта с возможным наличием кислороддефицитиой или какой-либо другой примесной фазы. В исследованных монокристаллах не обнаружено гранулярности, что отвергает ее связь с пик-эффектом. Зависимость положения максимума функции .ЦН) от температуры свидетельствует против модели синхронизации, объясняющей пик Л8 соразмерностью периодов вихревой решетки и системы центров пиннинга. В то же время положение

дополнительного пика, индуцированного двойниками не имеет заметной зависимости от Т и 8, что указывает на его возможную связь с данным механизмом. Отсутствие зеркальности полевых зависимостей скорости крипа и экранирующего тока отклоняет релаксационное объяснение, предполагающее совпадение полей минимума зависимости Б(Н) и максимума функции ЦН). Механизм пик-эффекта, по-видимому, связан с коллективным ниннингом, который определяется балансом энергий межвихревого и пиннингующего взаимодействий, в присутствии пластических деформаций. Угловые зависимости намагниченности свидетельствуют о связи этого механизма с изотропными центрами шшнинга - точечными дефектами или их кластерами.

В шестой главе представлены результаты исследования эффектов локализации вихрей и магнитного момента в монокристаллах УВа2Сиз07 5. В этой главе получено решение для модели критического состояния в наклонном магнитном поле и произведена его экспериментальная проверка. Для исследования явления локализации вихрей разработан новый экспериментальный подход с использованием векторной магнитометрии. Он позволил достоверно установить и изучить это явление для границ двош гиков, колоннообразных дефектов и плоскостей СиО в монокристаллах УВа2Си,07,з и по-существу открыл новое направление исследований-Экспериментальное изучение локализованных вихревых состояний. В конце этой главы приведены результаты исследования осцилляций соизмеримости межвихревого расстояния и кристаллического периода, определяемого плоскостям СиО.

Магнитный моменг сверхпроводника может быть разделен на обратимую и необратимую компоненты. Основным источником необратимого магнитного момента являются экранирующие токи в сверхпроводнике. Причиной обратимого магнитного момента служат процессы взаимодейтвия вихрей между собой. Кроме этого, как показано в этой главе, обратимый магнитный момент возникает при локализации вихрей плоскостями СиО, а также линейными и плоскими дефектами в высокотемпературных сверхпроводниках.

Модель критического состояния Бияа [3] является основой анализа магнитных измерений. Она связывает необратимый магнитный момент с экранирующими токами в сверхпроводнике. До последнего времени известные решения этой модели позволяли анализировать только измерения с направлением магнитного поля, параллельным осям

Рис.4. Геометрия образца.

1лъ , ,

симметрии. В этой главе получено решение для модели критического состояния Бина в наклонном магнитном поле. На рис.4 показана рассмотренная геометрия образца и использованные обозначения углов. Важным параметром модели является который для типичных ВТСП-монокристаллоа составляет Ю'-Ю2. Для тонкой длинной пластины при <р£<рс

(=аг^к) решение имеет вид

и3

(3)

где - критическая плотность тока. Угол а между направлением магнитного момента т и главной нормалью к плоскости п определяется выражением:

18а = ~

(4)

3/С* - '

которое для к» 1 и tg<p « к приводит к локализации необратимого магнитного момента, индуцированного экранирующими токами. В этом случае при увеличении угла наклона направление магнитного момента т остается близким к направлению нормали сверхпроводящей пластины п до тех пор, пока направление И станет почти перпендикулярным п. Затем т быстро изменяет направление па противоположное. При ср£(рс направление магнитного момента описывается выражением

1кгс1£(р

с/£а =

3-х: с^ (

(5)

Учет конечной длины и реальной ВАХ приводит только к небольшим поправкам в этом решении [4]. Экспериментальное исследование монокристаллов (рис.5) и эпитаксиальных пленок УВа2Си3Оу, а также пластинок из классических сверхпроводников с использованием векторной магнитометрии оказывается в полном соответствии с модельными расчетами.

Следствием описанной геометрической локализации магнитного момента является малость необратимой компоненты магнитного момента в направлении параллельном плоскости пластинки. Именно в этом направлении возникает магнитный

момент при локализации вихрей на границах двойников (ГД) или колоннообразных дефектах.

Явления локализации вихрей проявляется в сохранении вихрями направления дефектов лри отклонении на-

правления магнитного поля до

угла локализации [1, 5, 6].

После превышении этого угла Рис.5. Зависимость утла а направления вектора

возникает ступенчатая вих-

необратимого магнитного момента от направления

ревая структура, которая раз-

приложенного магнитного поля в монокристалле

рушается, когда отклонение

УВазСизО^ (02). Сплошные линии соответствуют

магнитного поля превысит

формулам 4 и 5, при использовании поперечного

угол захвата фт. Для изучения

отношения образца к = 17.7; стрелками отмечено

этого явления важно измерять

положение критического утла <рс.

магнитный момент поперечный дефекту. Однако стандартные магнитометры измеряют только компоненту пт параллельную магнитному полю, а крутильные магнитометры - поперечную полю. В данной работе для исследования эффектов локализации впервые использован векторный магнитометр, имеющий две ортогональные чувствительные системы. Это позволяет измерять как полный вектор магнитного момента, так и любую его компоненту. Рис.6 демонстрирует сильную необратимость магнитного момента шс, связанного с экранирующими токами соотношениями (3), и практически обратимое поведение магнитного момента тл, который индуцирован локализацией вихрей на границах двойников (ГД). Вследствие этого эффекта возникает разориентация направлений магнитного поля II и направления вихря, определяющего вектор В. В больших магнитных полях, существенно превышающих собственное поле, и при малых углах разориентации (рв}) поперечная намагниченность Маь й Нсрвн-

Как видно из рис.7, в соответствии с теорией [1, 6) угол разориентации растет до достижения утла локализаци фи затем падает и исчезает при достижении утла захвата

200 160 о~100

а 50 0

» 1 1 1 1 1 1 1 ог • | 1 III

О 0.1 Т 88 К

1.0 Т 88 К

= 4.0 Т 60 К 4 :

■ | 4>е

80

85

90

9 (°)

95

5 ■

5 <

Ъ О

Е

-5

0.15

0.10

0.05

0.00'

б) . .. Г.--V—

82К

0.17°

•

0,15

0.10

0.05

0.00

0 2 4 ц0Н(Т)

Рис.6. Полевая зависимость компонент магнитного момента тс (а) и тл (б,в) монокристалле Ог при Т=82К для двух малых углов между Я и плоскостью ГД. Поле проникновения при Н // с составляет ~ 20 мТ.

п (Я

о

-10-

60 к

10

0

< X * X—

0.5 Т 02

з.о т ог

0.5Т МК

-10

о

10

Рис.7. Обратимая намагниченность Маь в кристалле ОI при отклонении магнитного поля от оси с. Для сравнения показаны также данные для раздвойникованного образца МК.

0.0

t-

¿"0-5

а та

-1.0

о

Фт- В раздвойнико-ванном образце намагниченность Маь не наблюдается. В слабых полях наклон МаЬ(НаЬ) соответствует полному экранированию поперечной компоненты магнитного поля НаЬ, которое

(*0Н

Рис.8. Зависимость намагниченности в плоскости ab перпендику- показано на рис.8, лярно направлению ГД от соответствующей компоненты маг- пунктирной линией, нитного поля НаЬ при Т = 82К. Штриховая линия соответствует В комбинации с об-идеальному экранированию. На вставке представлена угловая за- ратимым поведени-висимостьобратного поля максимумаНт(Ж', полученная изт-Н ем ЭТ0 соответству-петель типа представленных на рис.6б,в при направлении плос- поперечному эф-кости вращения магнитного поля перпендикулярно доминирую- фекту Мейсснера и щему направлению ГД. подтверждает суще-

ствование полностью локализованной фазы. Как видно из вставки к рис.8 поведение утла локализации оказывается в соответствии с теоретической зависимостью (pi,~l/H." Угол захвата характеризуется поведением близким к (p-[—logH [6].

В образцах с колоннообразными радиационными дефектами также наблюдалась сильная необратимость т~ и практически обратимое поведение магнитного момента mab, Однако в отличие от локализации на двойниках максимум тс и обращение в нуль mah происходило при направлении Н отличном от оси с. Это было связано с наклоном радиационных треков, который составляет 1-2°.

Была также исследована локализация вихрей плоскостями СиО. В этом случае направление локализации ортогонально предыдущим и, в соответствии с этим, необратимым оказывается магнитный момент т„ь, а обратимое поведение наблюдается у поперечного магнитного момента тс (рис.9). Совпадение с участком первоначального

ввода поля /н£.(Н) гарантирует полное экранирование поперечной компоненты магнитного поля, которое характерно для локализованного состояния. Оно соответствует Вс=*0 и полной локализации вихрей между плоскостями СиО. В больших магнитных полях возникает значительная необратимость у поперечного магнитного момента. Такое поведение отличается от случаев локализации, описанных ранее, и может быть связано с процессами обрыва вихревых нитей, или резким индуцированием поперечных

экранирующих токов вследствие эффекта геометрической локализации. Рис.9. Полевые зависимости магнитных Периодическая кристаллическая

моментов тс и Шаь для образца \Ю. структура в сочетании с собственным

пиннингом должна приводить к осцилляциям соизмеримости. Они должны возникать, когда межвихревое расстояние кратно кристаллическому периоду, соответствующему расстоянию между плоскостями СиО (рис.10). Наличие такого эффекта было теоретически предсказано в работе Булаевского и Клема [7] и через некоторое время, действительно, наблюдалось в эксперименте Уссенной и др. [8], Этот эффект проявлялся в осцилляциях магнитного момента. Однако длительное время никому не удавалось воспроизвести эти результаты. Только в работах автора диссертации [9,10] это явление было надежно подтверждено и было установлено, что существуют жесткие ограничения на возможность возникновения осцилляции магнитного момента. При Т<70К в узком диапазоне углов < 0.2° вблизи плоскости аЬ наблюдаются осцилляции, амплитуда которых быстро возрастает при увеличеиии магнитного поля. Положение экстремумов осцилляций, как

И0Н ("Л

ас

Рис.10. Соизмеримость межвихревого расстояния ас и расстояния между сверхпроводящими плоскостями с1.

видно из вставки к рис.11 (здесь экстремумы восприимчивости пронумерованы в порядке убывания поля от 50 кЭ и период осцилляций соответствует изменению номера п на две единицы),

1 2 3 ИоН(Т)

Рис.11. Осциллирующее поведение дифференциальной восприимчивости х^Ат^дЯ. На вставках показаны угловая зависимость оказывается периодическим в максимальной амплитуды и зависимость зависимости от 1Л|н. Именно такая обратного поля экстремума от его номера. ситуация и должна осуществляться при

наличии эффекта соизмеримости, т.к. межвихревое расстояние изменяется пропорционально 1/^Н. Кроме границ областей существования осцилляций, их период остается неизменным (ДВШ = (6,7±0,5)хЮ~2 Т' 1/2), что также следует ожидать для эффекта соизмеримости.

Используя значения кристаллического периода й = \\,6А и экспериментальное значение АКШ, можно рассчитать величину параметра анизотропии из соотношения

л/3 ,ДВГ

-)2. Соответствующее экспериментальное значение составляет Г2 =

Г = ТФ„(- ,

32±4.

Аналогичные осцилляции магнитного момента наблюдались у шести исследованных образцов, как в монодоменных, так и со значительной концентрацией

двойниковых границ. В образцах с кодоннобразными дефектами осциллирующее поведение не наблюдалось. Основной сложностью для наблюдения осцилляции является необходимость очень точной ориентации магнитного поля параллельно плоскостям СиО. Даже незначительное отклонение >0.2° приводит к их подавлению. Также оказалось, что амплитуда осцилляции сильно и не монотонным образом зависит от температуры. Эти обстоятельства и затрудняют возможности наблюдения осцилляций соизмеримости.

В седьмой главе приведены результаты исследований вольтамперных характеристик, экранирующих токов и их зависимостей от температуры и магнитного поля в монокристаллах Вь+^Эгг+уСан^С^О,.

В первом разделе описано приближение однородного тока, с помощью которого извлекались ВАХ из результатов магнитных измерений. Для этих целей использовались зависимости ширины петли гистерезиса магнитного момента образца от скорости развертки внешнего магнитного поля, а также релаксационные зависимости магнитного момента.

Установлено, что в интервале Т<15К ВАХ описываются степенным законом Е/ЕС=(ШС(Т,Н))" с не зависящими от температуры ,ГС и Е„ причем параметр п"1 линейно возрастает с увеличением температуры и магнитного поля. Показано, что наблюдаемое поведение может быть связано с 2П) возбуждениями типа вихрь-антивихрь в вихревой решетке. В области температур Т<15^20 К обнаружено скейлинговое поведение полевых зависимостей экранирующих токов 1Ь(Н,Т>Л3(0,Т )=ДНЩ0,Т)1 с универсальной функцией £ не зависящей от температуры и скорости изменения магнитного поля. В больших магнитных полях полевая зависимость тока близка к экспоненциальной .ЦВ)ехр(-В/В„).

Зависимость плотности экранирующих токов от температуры имеет характерный излом при температуре Т*~20К. Его положение зависит от значения электрического поля Е. Ниже Т* поведение .ЦТ) близко к экспоненциальному ЦТН8(0)ехр(-Т/То) со значениями параметров Д0)=(4-6)10б А'см2, Т„=3.8-4.1К. При высоких температурах Т>Т* обнаружены резкие изменения в поведении экранирующих токов и ВАХ, а также возникновение сильной ассимметрии скорости релаксации при вводе и выводе магнитного поля. Это поведение связывается с влиянием поверхностного барьера.

Последний раздел главы посвящен изучению воздействия облучения высокоэнергегичными ионами криптона (Е=210МэВ) монокристаллов В^Б^Са^шОу. При этом было получено большое увеличение поля необратимости и критических токов. Установлено, что при высоких температурах значения экранирующих токов, поля необратимости и скорости релаксации перестают зависеть от дозы облучения у. Это свидетельствует о том, что динамическое и статическое поведение вихрей определяется взаимодействием одиночных вихрей с одиночными треками. При промежуточных температурах поле необратимости превышает поле ВчгФ,д(/, и пишшнг связки вихрей на одном треке становится доминирующим. Поведение вихревой решетки при низких температурах и больших магнитных полях, по-видимому, определяется пластическими деформациями. Это приводит к подавлению зависимости поля необратимости и скорости релаксации от дозы облучения.

В восьмой главе приводятся данные по транспортным измерениям критического тока в гранулированных образцах ВТСП-керамики, влиянию на него внешнего собственного и захваченного магнитных полей.

1. Отмечается, что для керамических ВТСП характерны низкие значения (на два-1ри порядка меньше внутризеренной), а также сильная зависимость в слабых магнитных полях. Эти свойства являются естественным следствием гранулярной структуры при малой длине когерентности, приводящей к джозефсоновскому характеру межзеренных связей. Для полевой зависимости ]С(Н) характерен двухступенчатый вид: слабое изменение в очень малых полях (Н~1Э), резкое (до двух порядков) падение в полях Н~10Э, затем ослабление зависимости и, наконец, следующий спад в полях Н~103-И04 Э. В безгистерезисной области (Н<Н01и) зависимость .ЦН) хорошо описывается выражением

Ш

]С(Н) =------------------(6)

1+(Н/НоГ

при а^(2±0.5), где величина Но лежит в интервале (З-гЗО)Э для всех исследованных образцов (для которых ]с(0)=(1-=-750)Асм-2) и тем меньше, чем меньшего).

2. Сильная полевая зависимость межзереиного крит ического тока )С(Н) приводит к тому, что ток, даже в отсутствие внешнего магнитного поля, распределен неравномерно по объему образца вследствие влияния собственного поля. В работе

были проведены измерения критического тока на трех образцах керамики УВадСизС^ при последовательном уменьшении площади поперечного сечения Б. Было обнаружено, что полный критический ток ^ возрастает при увеличении сечения Э медленнее, чем по линейному закону, и средняя КПТ оказывается убывающей фукцией Б.

Поведение .¡С(Н) качественно не изменяется, но параметр Но медленно убывает при уменьшении Э.

В приближении однородного образца получены ассимптотические зависимости .¡с от радиуса г образца для ряда зависимостей локхтьной КПТ ]сл"" от магнитного поля. В частности, для (6) имеет место

.¡с- 1-(г/8К0)2 , г«Ио,

(7)

.¡с- (г/Я0)"2/3 , г»ги>,

где Яо=(Н^с(0)).

Установлено, что данные для исследованных образцов наилучшим образом спрямляются в координатах ^ от 8.

Приводятся результаты эксперимента по частичной компенсации собственного поля тока внешним магнитным полем, которые подтверждают гипотезу о его влиянии на измеряемую величину

3. Исследован гистерезис зависимости .ЦН), возникающий при Н>Нс, . Его характерными чертами являются меньшие значения ]с для возрастающего поля, а также появление локального максимума при выводе поля. Обнаружено, что величина ^ при Н=0 после циклирования магнитного поля не остается постоянной во времени, а медленно возрастает. Характер этого аномального возрастания близок к логарифмическому ^^(Т). Изучена зависимость скорости релаксации^ от магнитной предыстории.

Предложена модель, связывающая внутризеренную намагниченность с эффективным межзеренным полем. На основе зависимостей т(Н) рассчитаны значения поля Н,,^, соответствующего максимуму ^ на выводе шля. Получено удовлетворительное согласие с экспериментом.

Рис.12. ВАХ керамического образца В128г2Са2СизОх, полученные транспортным методом (верхние точки) и методом переменного потока спомощыо развертки поля (средние точки) и из релаксации тока (нижние точки).

Девятая глава посвящена анализу межзеренных вольтамперных характеристик (ВАХ), измеренных транспортным методом и бесконтактным методом переменного потока, в широком интервале напряжений Е~Ю"'3-И0"' В/см.

Характерной особенностью полученных кривых (рис. 12) является их Б-образньш вид, причем в достаточно широком диапазоне Е они близки к степенным. Это согласуется с установленным в ряде работ степенным поведением ВАХ и указывает на то, что такая зависимость является лишь приближением более сложного поведения Е([). Аналогично, в некотором интервале Е ВАХ может быть приближенно описана как Однако во всем исследованном диапазоне Е ни одна из этих зависимостей не обнаруживает полного соответствия экспериментальным данным.

Наблюдаемое поведение качественно воспроизводится расчетом ВАХ для одиночного джозефсоновского контакта с малой емкостью при наличии термических

флуктуации. Наьслон линейного участка зависимости 1§Е-1д связан с величиной критического тока 1С через джозефсоновский переход.

Было обнаружено, что полевые зависимости определенные по различным уровням Е, соответствуют одной универсальной кривой в масштабе ХН)/](0) от 11/|(0) вплоть до некоторого поля Н*, которое может быть связано с первым критическим полем зерен керамики Н„10.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Изучены температурные и полевые зависимости плотности экранирующих токов I, в монокристаллах КеВа2Сиз07^ (Я.е=У, Тт) с 0<8<0.55 в широком интервале температур и полей. Для всех исследованных образцов независимо от содержания кислорода и концентрации двойниковых границ зависимость 13(Н) имеет ярко выраженный максимум, характерный для пик-эффекта.

2. Для монодоменных кристаллов КеВа2Си307^ обнаружено скейлинговое поведение плотности экранирующего тока 18(Н,Т)/15(НШХ,Т)=Т:[Н/НМ0Х] в области полей Н>0.7Нмах, где Нм;„ - поле, соответствующее положению максимума .18. Полидоменные образцы обычно удовлетворяют этому соотношению только приближенно, что можно связать с влиянием двойниковых границ.

3. Установлено скейлинговое поведение нормированной скорости релаксации экранирующих токов 5/Т=С,[ИЛТм.„], определяющее три области с различной динамикой магнитного потока. По мере увеличения магнитного поля в вихревой системе, по-видимому, реализуются эластические деформации, проявляющиеся в крипе малых вихревых связок (область I с практически постоянным значением 8=0.02-М).04), пластические деформации (область II с линейной зависимостью 8(Н)) и вязкое течение вихревой жидкости (область III с быстрым ростом Э(Н) после точки плавления при 8=0.2+0.3).

4. Варьирование содержания кислорода практически не влияет на скейлинговое поведение нормированной скорости релаксации экранирующих токов 8/Т=/5[Н/Нм„х]. Характерные значения Э, определяющие переход из одной области динамики магнитного потока в другую, остаются неизменными.

5. Показано, что с уменьшением содержания кислорода вид зависимости 18(Н) не меняется. Значения поля Нмах, а также поля необратимости Нщ. монотонно

уменьшаются с ростом 8. Величина отношения практически не зависит от

температуры и содержания кислорода.

6. Проанализированы возможные причины пик-эффекта в монокристаллах КеВа^СизО«; (Яе^У.Тгп). Подобие зависимостей для монокристаллов с различным содержанием кислорода (0.1<5<0.55) и наблюдение пик-эффекта вплоть до температур на 2-г4К ниже Тс позволяет отклонить связь пик-эффекта с возможным наличием кислороддефицитной или какой-либо другой примесной фазы. В исследованных монокристаллах не обнаружено гранулярности, что отвергает ее связь с лик-эффектом. Зависимость пояожения максимума функции 18(Н) от температуры свидетельствует против модели синхронизации, объясняющей пик соразмерностью периодов вихревой решетки и системы центров пиннинга. Отсутствие зеркальности полевых зависимостей скорости крипа и экранирующего тока отклоняет релаксационное объяснение, предполагающее совпадение полей минимума зависимости 5(11) и максимума функции ЦН). Механизм пик-эффекта, по-видимому, связан с коллективным пиннингом, который определяется балансом энергий межвихревого и пиниингующего взаимодействий, в присутствии пластических деформаций. Угловые зависимости намагниченности свидетельствуют о связи этого механизма с изотропными центрами пиннинга - точечными дефектами или их кластерами.

7. С помощью одноосного раздвойникования изучено влияние двойниковых границ на пиннинг и пик-эффект в монокристаллах УВа2Си3Ох. Установлено, что при высоких температурах двойники пик-эффект существенно не изменяют. Однако при понижении температуры (Т<60-ь70К) двойниковые границы приводят к радикальным изменениям в полевой зависимости критического тока: появлению плато или двух пиков при промежуточных температурах (20К<Т<60К :-70К) и к монотонному убыванию тока при низких температурах (Т<20К). В полностью раздвойнккованных монокристаллах пик-эффект наблюдался во всем диапазоне температур, что позволяет связать его с пиннингом на точечных дефектах. Изменения силы тока при раздвойниковании свидетельствуют, что при высоких температурах двойниковые границы являются более сильными центрами пиннинга, чем точечные дефекты. Однако при низких температурах соотношение меняется и двойники становятся каналами облегченного проникновения потока внутрь сверхпроводника.

8. Изучены процессы локализации вихрей плоскими (двойниковые границы и поскости СиО) и линейными (радиационные треки) центрами пиннинга. Для этих исследований использован специальный, двухкомпонентный векторный магнитометр. Это впервые позволило получить информацию о направлении вихрей и экспериментально подтвердить существование эффекта локализации. Были также разработаны и реализованы методы определения критических углов локализации и захвата. Предложенный экспериментальный подход оказался очень эффективным и, по-существу, открывает новое направление исследований - экспериментальное изучение локализованных вихревых состояний.

Установлено, что критический угол локализации соответствует зависимости Ф- ~1/'Н. Граница области взаимодействия определяется критическим углом захвата

Намагниченность образца определяется необратимой продольной и обратимой поперечной компонентами. Такое адиабатическое поведение компонент, ранее никогда не наблюдавшееся, определяется отсутствием интерференции у процессов пиннинга и процессов формирования неколдинеарных вихревых структур.

9. В монокристаллах УВа2Си307^ изучено осциллирующее поведение намагниченности, соответствующее соизмеримости межвихревого расстояния с периодом кристаллической структуры, определяемой плоскостями СиО. Установлено, что эти осцилляции существуют только в пределах угла 0.2° вблизи плоскостей СиО. Амплитуда осцилляции имеет немонотонную зависимость от температуры и угла. Подавление осцилляции связывается с влиянием структурных и температурных флуктуаций.

10. Для сильноанизотропных ВТСП, монокристаллов В!25г;Са|Си2Оу, изучены ВАХ в области низких температур на основе магнитных измерений. Установлено, что в интервале Т<] 5К они описываются степенным законом Е/ЕС=(1ЛС(Т,Н))П с не зависящими от температуры и Ес, причем параметр п"1 линейно возрастает с увеличением температуры и магнитного поля. Показано, что наблюдаемое поведение может быть связано с 2Э возбуждениями типа вихрь-антавихрь в вихревой решетке. В области температур Т< 15^-20 К обнаружено скейлинговое поведегще полевых зависимостей экранирующих токов Л5(Н,Т)/Л5(0,Т)=Г[Н/Л5(0,Т)] с универсальной функцией С не зависящей от температуры и скорости изменения магнитного поля.

11. У монокристаллов В125г2Са,Си2Оу при высоких температурах Т>20К обнаружены резкие изменения в поведении экранирующих токов и ВАХ, а также возникновение сильной асимметрии скорости релаксации при вводе и выводе магнитного поля. Это поведение связывается с влиянием поверхностного барьера.

12. При облучении монокристаллов Вь8г2Са,(льОу ионами высокой энергии получено большое увеличение поля необратимости и критических токов. Установлено, что при высоких температурах динамическое и статическое поведение вихрей определяется взаимодействием одиночных вихрей с одиночными треками. При промежуточных температурах пиннинг связки вихрей на одном треке становится доминирующим. Поведение вихревой решетки при низких температурах и больших магнитных полях, по-видимому, определяется пластическими деформациями.

13. В керамических образцах обнаружена временнная релаксация транспортного тока. Установлена и объяснена зависимость критического тока от сечения. Установлено, что в области слабых полей (НсЦ-ю) зависимость от внешнего магнитного поля может быть описана выражением .1С"~(1+(Н/Н0)к)~', к=2.

14. Из анализа межзерснных ВАХ, измеренных в диапазоне Е ~10"и-^10"1 В/см, установлено, что они имеют в-образный вид, но в широком интервале К близки к степенным Е~.Г, где показатель п сильно зависит от микроструктуры образца и уменьшается с полем. Характер ВАХ керамических образцов качественно соответствует поведению одиночного джозефсоновского ко?гтакта при наличии термических флуктуации.

15. Для описания критического состояния в сверхпроводниках предложен ряд модификаций модели Бина, расширяющих область ее применения при анализе магнитных свойств ВТСП:

а) получено решение в наклонном магнитном поле, что позволяет изучать угловые зависимости экранирующих токов;

б) получены решения для реальных ВАХ с конечным наклоном, развита модель однородного тока, что дает возможность извлекать ВАХ из магнитных измерений и достигать Е~10"14В/см;

в) получено решение модели Бина в анизотропных сверхпроводниках, что позволяет определять анизотропные компоненты экранирующего тока [11];

г) развита модель критического состояния, позволяющая описать эффект Мейсснера в сверхпроводниках с сильным пиннингом, а также ее модификация, учитывающая нелинейные эффекты вихревой диффузии [12,13].

16. Для решения поставленных задач было развито несколько новых экспериментальных методов:

а) Разработана методика бесконтактных измерений ПАХ и релаксации экранирующего тока, позволяющая проводить измерения в очень широком диапазоне напряжений (до 10 порядков величины) и обладающая очень малым порогом по электрическому полю (порядка 10"'3 В/см) и высоким быстродействием (до 1 мсек).

б) Разработан новый метод измерения скорости релаксации на основе зависимости гистерезиса намагниченности М(Н) от скорости развертки магнитного поля. Этот метод позволяет получить квазинепрерывные полевые зависимости скорости релаксации, намного увеличивает скорость измерений и позволяет зафиксировать эффективное значение Е.

в) Разработан новый метод измерения анизотропных компонент проводимости. При высокой анизотропии сверхпроводника этот метод имеет более высокую точность, чем традиционные методы Монтгомери и Буша [14].

ЦИТИРОВАНПАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. G.Blatter, M.V.Feigel'man, V.B.Geshkenbein, A.I.Larkin, V.M. Vinokur. //Rev.Mod.Phys., 1994, v.66. p. 1125.

2. A.A.Zhukov, H.Kupfer, G.K.Perkins, L.F.Cohen, A.D.Caplin, S.A.KIestov, H.Claus, V.I.Vorortkova, T.Wolf, H.Wuhl. /,' Phys.Rev.B. -1995. -V.51. -P. 12704.

3. C.P.Bean. //Phys. Rev. Lett, 1962, v.8. p.25Q.

4. A.A.Zhukov, G.K.Perkins, Yu.V.Bugoslavsky, A.D.Caplin. // Phys.Rev. B. -1997. -V.56. -P.2809.

5. D.Feinberg, C.Villard. // Phys.Rev.Lett, -1990. -V.65. -P.919.

6. E.B.Sonin. // Phys. Rev. В. -1993. -V.48. -P.10487.

7. L.N.Bulaevskii, J.R.Clem. //Phys.Rev.B.-1991. -V.44. -P.10234.

8. M.Oussena et al. //Phys.Rev.Lett. -1994. -V.72. -P.3606.

9. H.Kupfer, AAZhukov, A.Will, WJahn, R.Meier-Hirmer, Th.Wolf, V.LVoronkova, M.Klaser, K.Saito. // Phys.Rev.B. -1996. -V.54. -P.644.

10. AAJZhukov, Yu.Bugoslavsky.G.K-Perkins, J.V.Thomas, A.D.Caplin, H.Kiipfer, T.Wolf. // Proc.M2S-HTSC V, Beiging, China. -1997.

11. Мощалков ВВ.,Жуков А.А., Кузнецов В.Д., Метлушко B.B., Леонюк Л.И. // СФХТ. -1989. -Т.2. -В. 12. -С. 84.

12. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, V.D.Kuznetsov, V.V.Metlushko, V.I.Voronkova, V.K.Yanovskii. //Solid StCommun. -1990. -V.74. -N.12. -P.1295.

13. AAZhukov, AV.Volkozuband P.A.J.dc Groot. //Phys.Rev.B. -1995. -V.52. -P. 13013.

14. A.A.Zhukov, S.N.Gordeev, L.A.Ponomarenko, V.N.Truhan, A.A.Bush, A.VXebedev. // Pbysica B. -1994. -V.194-196. -P.1529.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ:

1. А.А.Буш, С.Н.Гордеев, И.С.Дубенко, А.А.Жуков, В.М.Ионов, С.Э.Мроет, АЕ.Проворовский, Ю.В.Титов. Структурные, электрические и магнитные свойства монокристаллов УВа;СизОу. // Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. Информационные материалы.Свердловск, -1987. -Ч. 1 .-С.76-77

2. А.А.Буш, И.В.Гладышев, С.Н.Гордеев, И.С.Дубенко, А.А.Жуков. Свойства монокристаллов системы Bi-Ca-Sr-Cu-O. // Труды XXV Всесоюзного совещания по физике низких температур. Тезисы докладов. Ленинград, -1988.-Ч.1. -С. 12-13.

3. А.А.Гиппиус, А.А.Жуков, В.В.Мощалков, В.И.Воронкова, В.И.Яновский. Релаксация намагниченности однодоменного монокристалла ТшВа2Сиз07_г. // П Всесоюзная конференция по высокотемпературной сверхпроводимости, Киев, 25-29 сентября, -1989, Тезисы докладов. -Т.2.- С. 17-18.

4. Zhukov А.А., Komatkav D.A., Moshchalkov V.V., Shabatin V.P., Bush A.A., Gordeev S.N., Shelomov D.V. Magnetic field dependence of the critical current density in YBa2Cuj07y ceramics. //Physica C. -1989. -v.162-164.-P.1623-1624.

5. Zhukov A.A., Moshchalkov V.V., Bush A.A., Gladyshev I.V., Gordeev S.N., Mrost S.E., Sigov A.S., Titov Yu.V. Studies of single crystals in the Bi-Sr-Ca-Cu-O system by the diamagnetic shielding method. // Physica С.-1989.-V. 162-164 -P. 1631 -1632.

6. Moshchalkov V. V., Gippius A. A., Voronkova V.I., Zhukov A. A., Time relaxation of the untwinned ТтВа2Си3Оу single crystal remanent magnetization. // Physica C. -1989. -V.l62-164 -P.1193-1194.

7. Буш А.А., Гордеев C H., Евдокимов А.А., Жуков А.А., Лазерь М.И., Шеломов Д.В. Влияние слабого магнитного поля на критический ток керамики УВа2Сиз07_у. // ЖТФ. -1989. -Т.59. -В.П. -С.138-141.

8. Мощалков В.В., Жуков А.А., Кузнецов В.Д., Метлушко В.В., Леонюк Л.И. Особенности релаксации намагниченности на начальном временном интервале и влияние магнитного поля на крип потока в монокристалле Bi2Sr2Ca1Cu2Oy. // Письма вЖЭТФ. -1989. -Т.50. -В.2. -С.81-85.

9. Мощалков В.В., Жуков А.А., Кузнецов В.Д., Метлушко В.В., Леонюк Л.И. Магнитные свойства монокристалла Bi2Sr2CaiCu:Oy в сверхпроводящем и нормальном состоянии. // СФХТ. -1989. -Т.2. -В.12. -С.84-103.

10. V.V.Moshchalkov, A.A.Gippius, A.A.Zhukov, H.H.Nyan, V.I.Voronkova, V.K.Yanovsky The relaxation of the monodomain TmBa2Cu3Ox single crystal magnetization in the superconducting state. //Physica C. -1990. -V.165. -P.62-66.

11. A.A.Zhukov, A.A.Bush, l.V.Gladyshev, S.N.Gordeev, V.V.Moshchalkov, Studies of single cristais in the Bi-Ca-Sr-Cu-O system by the diamagnetic shielding method. Z. fur Physics В-1990.-V.78. -P.195-198.

12. А.А.Жуков, В.В.Мощалков, И.Г.Кржижановский, О.В.Пегренко, В.А.Рыбачук, В.И.Воронкова, В,К.Яновский, Температурные и угловые зависимости первого критического поля в бездвойниковых монокристаллах TmBa2Cu307 у // Письма в ЖЭТФ.-1990. -Т.51. -В.2. -С. 103-106.

13. V.V.Moshchalkov, A. A.Zhukov, V.A.Rybachuk, A.A.Bush, V.I.Voronkova, V.K.Yanovsky. The critical current and magnetization anisotropy in TmBa2Cu3Ox and Bi2Sr2CaCu20, single crystals. // Physica В -1991. -V. 169. -P.651 -652.

14. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, G.T.Karapetrov, V.D.Kusnetsov, V.V.Metlushko, V.I.Voronkova, V.K.Yanovsky. The anomalous magnetization of TmBa2Cu3Ox superconducting single crystals. // Physica В -1991. -V. 169. -P.653-654.

15. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, V.D.Kusnetsov, V.V.Metlushko, V.I.Voronkova, V.K.Yanovsky. Magnetic properties of untwinned TmBa2Cu3Ox crystals. // Physica B. -1991.-V.169. -P.607-608.

16. A.A.Zhukov, V.V.Moshchalkov, D.A-Komarkov. The magnetic field hysteresis and the relaxation of the transport critical current in YBa2Cu3Ox ceramics. 1! Physica B. -1991 -V.169. -P.611-612.

17. А.А.Жуков, В.В.Мощалков, В.А.Рыбачук, В.АМурашов, И.Н.Гончаров. Два механизма пиннинга в монокристаллах фазы Bi24xSr2+)CanvCu2Ot, // Письма в ЖЭТФ. -1991. -Т. 53. -С.466-469.

18. V.V.Moshchalkov, A.A-Zhukov, V.D.Kusnetsov, V.V.Metlushko, L.I.Leonyuk. The BbSr2CaCu2Ox single crystals magnetic properties. // PhysicaB -1991, -V. 169. -P.609-610.

19. V.V.Moshchalkov, A_A.Zhukov. The Meissner effect in superconductors with strong vortex pinning. // Physica В. -1.991. -V. 16.9, -P.601 -602.

20.1.V.Gladyshev, S.N.Gordeev, A.A.Zhukov, V.V.Moshchalkov, V.A.Murashov,

V.I.Voronkova. The twin walls influence on superconducting parameters of YBa2Cu30x and TmBa2CujOssingle crystals. //PhysicaB. -1991. -V.I 69. -P.613-614. 21.I.V.Gladyshev, S.N.Gordeev, I.S.Dubenko, A.A.Zhukov, A.Yu.Martynkin,

V.V.Moshchalkov, V.A.Murashov, Yu.V.Trofimov. Crytical parameters of phase Bi2+xSrI+jCai^Cu2Os.w(2212) single crystals. // PhysicaB. -1991. -V.169. -P.689-690.

22. A.A.Zhukov, D.A.Komarkov, G.T.Kampetrov. Magnetic field and temperature dependence of crytical current and magnetiztion in УВа2Сиз07у. // Physica В. -1991. -V.169. -P.661-662.

23. В.В.Мощалков, А.А.Жуков, В.И.Воронкова, В.К.Яновский, В.Д.Кузнецов,

B.В.Метлушко. Полный эффект Мейсснера в бездвойниковом монокристалле TmBa2CujOx. // СФХТ. -1990. -Т.З. -N4. -С.603-607.

24. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, V.D.Kuznetsov, V.V.Metlushko, V.I.Voronkova, V.K.Yanovskii. The full Meissner effect in the untwinned TmBa;Cu3Os single crystal. // Solid StCommun. -1990. -V.74. -N.12. -P.1295-1297.

25. А.А.Жуков, Д.А.Комарков, В.В.Мощалков, В.П.Шабатин, Р.И.Антонов,

C.Н.Гордеев, А.А.Буш. Влияние собственного и захваченного магнитного поля па критический ток керамики УВа2Сц307-у. //СФХТ. -1990. -Т.З. -N6. -4.2. С. 1234-1243.

26. A.A.Zhukov, V.V.Moshchalkov, D.A.Komarkov, V.P.Shabatin, A.A.Bush, S.N.Gordeev,

D. V.Shelomov. The effect of magnetic field on the critical current of YBa2Cu3Ox ceramics. // Jpn.J.Appl.Phys., -1990. -V.29. -N5. -P. L760-L762.

27. А.А.Жуков, В.В.Мощалков. Критическая плотность тока в высокотемпературных сверхпроводниках (обзор). //СФХТ. -1991. -Т.4. -С.850-887.

28. В.В.Мощалков, А.А.Жуков, ЛИ.Леонюк, В.Д.Кузнецов, В.В.Метлушко. Срывы магнитного потока у монокристаллов Bi2Sr2CaCu2Ox. // СФХТ. -1990. -Т.З. -С.2023-2025.

29. В.В.Мощалков, А.А.Жуков, В.В.МетлушкоДД.Кузнецов, И.В.Тимашев,

E.В.Печень. Неоднородное "парамагнитное" состояние сверхпроводящих пленок YBa2Cu,Ox. // СФХТ. -1990. -Т.З. -С.2762-2766.

30. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, I.V.GIadyshev, S.N.Gordeev, G.T.Karapetrov, V.D.Kusnetzov, V.V.Metlushko, V.A.Murashov, V.I.Voronkova, V.K.Yanovskii. First critical fields, critical currents and flux creep of YBa2Cu3Ox and TmBa2Cu3Ox superconducting single crystals. // JMMM. -1990. -V.90&91. -P.611-614.

31. A.A.Zhukov, D.A.Komarkov, V.V.Moshchalkov, G.T.Karapetrov. Magnetic field dependence of ceramics critical current and magnetization in YBa2Cu507.x. // JMMM. -1990. -V.90&91. -P.644-646.

32. V.V.Moshchalkov, A.A.Zhukov, V.D.Kuznetaov, V.V.Metlushko, L.LLeonyuk, The magnetization relaxation in Bi2Sr2CaiCu2Ox single crystals. // JMMM. -1990. -V.90&91. -P.647-648.

33. А.А.Жуков, И.В.Гладышев, С.Н.Гордеев, В.А.Муратов, Влияние двойниковых границ на критический ток монокристаллов УВа2Си307.х.//СФХТ.-1991.-Т.4. -N7. -С. 1268-1270.

34. А.А.Жуков, В.В.Мощалков, В.Д.Кузнецов, В.В.Метлушко, Г.Т Карапетров, Е.В.Печень, И.В.Тимагаев, Магнитные свойства эпитаксиалып>гх пленок YBa2Cu3Ox. //ЖЭТФ. -1990. -Т.З. -В.2(8). -С.605-624.

35. А.А.Жуков. Нижнее критическое поле и Лондоновская глубина проникновения (обзор) // в кн."Физические свойства ВТСП", Гиперокс, Москва, -1991. -4.2. -С.225-247.

36. А.А.Жуков. Критическая илотность тока (обзор), //в кн."Физические свойства ВТСП",Гиперокс, Москва, -1991. -Ч..2. -С.225-247.

37. A.A.Zhukov. The relaxation of shielding currents for the second kind superconductors. // Solid State Comm. -1992. -V.82. -P.983-985.

38. А.А.Жуков. Релаксация магнитного момента сверхпроводника второго рода, // СФХТ. -1992. -Т.5 (2). -С.257-259.

39. A.A.Zhukov, V.V.Moshchalkov, V.A.Rybachuk, V.I.Voronkova, P.N.Goncharov. The critical current anisotropy in TmBa2Cu5Ox and Bi2Sr2CaCu2Oy single crystals. // Low Temperature Physics. -1991. - V.I7(10). -P. 1398-1401.

40. A.A.Zhukov, D.A.Komarkov, G.Karapetrov, S.N.Gordeev and R.I.Antonov. Critical currents of granular YBa2Cu307.y superconductors. // Supercond. Sci. Technol. -1992. -V.5. -P.338-345.

41. A.A.Zhukov, W.Jahn, В Runtsch, H.Kupfer, Y.Yamada, R Flukiger, Transport currents and magnetic properties of textured Bi(2223) tape. Supercond. Sci. Technol. -1992. -V.5. -P.262-268.

42. A.A.Zhukov, H.Kupfer, S.A.Klestov, V.I.Voronkova, V.K.Yanovsky. Peak-effect, scaling behavior voltage-current characteristics for ТтВа2Сиз07.х single ciystal. // Journal of Alloys and Compaunds. -1993. -V.I95 -P.479-482.

43. А.А.Жуков, Д.А.Комарков, В.П.Шабатии, В.В.Папачев. Вольтамперные характеристики керамического сверхпроводника BhSbCa^^O,-^. // СФХТ. -1993. -Т.6, -С.743-749.

44. AA.Zhukov, D.AKomarkov and J.Mirkovic. Critical current and relaxation in Bi-based ceramic superconductors. //Cryogenics-1.992. -V.32. -P.1056-1060.

45. A.A.Zhukov, J.P.Strobel, P.Kummeth, M.Kraus, S.Peehs, W.Shindler, I.Khasanow,H.-W.Neumuller, G.Saemann-Ischenko, A.A.Yarygin and S.T.Krasnosvobodtzev. Comparative study of magnetic and transport properties and E-J characteristics analysis of epitaxial YBa2Cu307.x thin films. // Cryogenics. -1993. -V.33. -P.142-146.

46. A.A.Zhukov., S.N.Gordeev,L.A.Ponomarenko, V.N.Truhan, A.A.Bush, A.V.I-ebedev, Anisotropic conductivity ofBi2Sr2CaiCu208+J single crystals near Tc. //Physica В. -1994. -V.194-196. -P.1529-1530.

47. A.AZhukov, H.Kupfer, V.A.Rybachuk, L.A.Ponomarenko, V.A.Murashov, A.Yu.Martynkin. Current voltade characteristics of Bi2Sr2CaiCu2Os^. single crystals -possible plastic deformations of the vortex lattice. // Physica В.-1994.-V. 194-196.-P. 1609-1610.

48. S.N.Gordeev, H.Kupfer, A.AZhukov, L.A.Ponomarenko, T.Wolf, V.I.Voronkova. Influence of thermal and structural fluctuations on anisotropic resistivity and nonlinear transport properties of ReBa2Cu307.y (Re=Y,Tm) single crystals. //Physica B. -1994. -V.194-196.-P. 1655-1656.

49. A.A.Zhukov, L.F.Cohen, G.Perkins, A.D.Caplin, S.A.Klestov, V.I.Voronkova, A.Marshal, S.Abell. Correlation between magnetization and flux creep in ReBa2Cu,07_y (Re=Y,Tm). U Physica B. -1994. -V.194-196. -P. 1921-1922.

50. S.N.Gordeev, W.Jahn, A.A.Zhukov, H.Kupfer, A.A.Bush. Interference between shielding and transport currents in Bi2Sr2CaICujO); single crystals. // Physica C. -1994. -V.235-240. -P.3107-3108.

51. A.A.Zhukov, H.Kupfer, V.A.Rybachuk, A.Will, A.V.Kalinov, V.A.Murashov, I.N.Goncharov. Flux creep, shielding currents and irreversibility fields in Bi2Sr2CaiCu2Ox single crystals with columnar defects. // Physica C. -1994. -V.235-240. -P.3107-3108.

52. A.A.Zhukov, H.Kupfer, S.N.Gordeev, W.Jahn, H.Wuhl. The fishtail effect in ReBa2Cu3Oy system. //Physica C. -1994. -V.235-240. -P.2835-2836.

53. A.AZhukov, L.F, Cohen, G.Perkins, H.Kupfer, A.D.Caplin, S.A. Klestov, H.Klaus, V.I.Voronkova, H.Wuhl. The influence of oxygen stochiometry on the intrinsic parameters and vortex pinning in ReBa2Cu307y (0<y<0.55) single crystals. // Physica C. -1994. -V.235-240. -P.2837-2838.

54. A.A Zhukov, A.V.Volkozub, P.de Groot, Ravi Kumar, AChowdhury. Field-cooled magnetization of high-Tc single crystals. // Physica C. -1994. -V.235-240. -P.2911-2912.

55. A.D.Caplin, L.F.Cohen, G.K.Perkins, A.A.Zbukov. Vortex motion and E-j-B surface in YBa2Cu307. //Physica C. -1994. -V.235-240. -P.2887-2888.

56. G.K.Perkins, L.F.Cohen, A.AZhukov, S.A.Klestov, V.I.Voronkova, A.D.Caplin, Magnetisation and ffux dynamics of oxygen deficient TmBa2Cu307.x, // 1EE Trans.Appl.Supercond. -1995. -V.5. -P. 1367-1370,

57. A.AZhukov, H.Kupfer, V.A.Rybachuk, L.A.Ponomarenko, V.A.Murashov, A.Yu.Martynkin. Shielding current and current-voltage charactereristics of Bi2Sr2CaiCu208+y single crystals. // Physica C. -1994. -V.219. -P.99-108.

58. D.A.Komarkov, A,A.Zhukov, J.Mirkovic. Current-voltage characteristics of BbSr2CaiCu208+) ceramic superconductor.//Solid State Comm. -1994. -V.89. -P.751-754.

59. L.F.Cohen, A.AZhukov, G.Percins, H.J.Jensen, S.A.Klestov, V.I. Voronkova, S.Abel!, H.Kupfer. T.Wolf, A.D.Caplin. Detailed magnetic-relaxation measurements of (У>Тт)Ва2Сиз07.у crystals. Implications for the H-T diagram. // Physica C. -1994. -V.230. -P. 1-8.

60. А.А.Жуков, В.А.Рыбачук, В.А.Мурашов и Х.Купфер. Двумерный характер крипа магнитного потока в монокристаллах Bi24xSr2+sCai^,Cu2Ot. // СФХТ. -1994. -Т.7. -С.475-481.

61. С.А.Клестов, А.А.Жуков, В.И.Воронкова, С.Н.Гордеев, Х.Купфер и Т.Вольф. Зависимость экранирующих токов и критической температуры от толщины монокристалла YBa2Cu307.x//СФХТ. -1994. -Т.7. -С.814-819.

62. A.D.Caplin, L.F.Cohen, G.K.Perkins and A.AZhukov. The electric field within high-temperature superconductors: mapping the E-J-B surface. // Supercond. Sci. Technol. -1994, -V.7. -P.412-422.

63. S.N.Gordeev, W.Jahn, A.A.Zhukov, H.Kupfer and T.Wolf. Comparative study of the peak effect in YBa2Cu307-y single crystals by transport and magnetic measurements. // Phys. Rev. В -1994. -V.49. -P. 15420-15423.

64. H.Kupfer, S.N.Gordeev, W.Jahn, R.Cressc, R.Meier-Hirmer, T.Wolf, A.A.Zhukov, K.SaJama, D.Lee. Phase diagram of flux creep in melt-textured and single-crystalline YBa2Cu307-y. // Phys. Rev. B -1994. -V.50. -P.7016-7030.

65. G.K.Petkins, L.F.Cohen, A.A.Zhukov, A.D.Caplin. Implications of magnetic hysteresis loop scaling in high temperature superconductors.//Phys.Rev.B. -1995. -V.51. -P.8513-8520.

66. A.A.Zhukov, H.Kupfer, G.K.Perkins, L.F.Cohen, A.D.Caplin, S.A.Klestov, H.Claus, V.I.Voronkova, T.Wolf, H.Wuhl. Influence of oxygen stoichiometry on the irreversible magnetization and flux creep in ReBa:Cu307.j, (Re=Y,Tm) single crystals. // Phys.Rev.B. -1995. -V.51. -P.12704-12714.

67. H.Kupfer, A.A.Zhukov, RKresse, R.Meier-Hirmer, W.Jahn, T.Wolf, T.Matsushita, K.Kimura, K.Salama. Comparison of pinning parameters between low Tc superconductors and YBa2Cu3Oy. //Phys.Rev.B. -1995. -V.52. -P.7689-7703.

68. AA.Zhukov, H.Kupfer, H.Claus, M.Klaser, G.Muller-Vogt. Influence of twins on the peak effect in YBa2Cu3Oy single crystals. // Phys.Rev.B. -1995. -V.52. -P.9871-9874.

69. A.A.Zhukov, A.V. Volkozub and P.A.J.de Groot. Flux diffusion induced anomalies in the field-cooled magnetization of high-temperature superconductors. // Phys.Rev.B. -1995. -V.52. -P.13013-13020.

70. H.Kupfer, A.A.Zhukov, A.Will, W.Jahn, R.Meier-Hirmer, Th.Wolf, V.I.Voronkova, M.Klaser, K.Saito. Anisotropy in the irreversible behavior of pointlike defects and twins in YBa2Cu3Oy single crystals with a peak-effect. //Phys.Rev.B. -1996. -V.54. -P.644-655.

71. G.K.Perkins, L.F.Cohen, A.A.Zhukov, A.D.Caplin, Effect of the deoxygenation on the vortex dynamics in RBa2Cu307^ high-temperature superconductors. // Phys.Rev. B -1997. -V.55. -P.8110-8113.

72. A.A.Zhukov, G.K.Perkins, Yu.V.Bugoslavsky, A.D.Caplin, Geometrical locking of the irreversible magnetic moment to the normal of a thin-plate superconductor. // Phys.Rev. B. -1997. -V.56. -P.2809-2819.

73. A.A.Zhukov, G.K.Perkins, J.V.Thomas, AD.Caplin, H.Kpfer, T.Wolf, Direct observation of tilted vortex structures induced by twin boundaries in YBa2Cu30j single crystals. // Phys.Rev. B. -1997. -V.56. -P.3481-3487.

74. Yu.V.Bugoslavsky, A.A.Zhukov, G.K.Perkins, A.D.Caplin, H.Kojima, I.Tanaka, Flux line lock-in to CuO planes in a Lai 9Sr0.1 Cu04 single crystal. // Phys.Rev. B. -1997. -V.56. 1 September, code BB6644.

¿aii ji-'c?, nwpax