Получение и исследование свойств тонкопленочных люминесцентных структур на основе Y2O3, Y2O2S и In2O2S тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

hîhictepctbo coi ta икра1ни

лм.'зськки äspsaskhh vhib£fcktzt la. l.W AURA

РГБ ОД

<;■: - !■ Ha правах рухопису

Мм росл смл Пронопич

ОДЕРЖАННАЯ ТА ЯОСЛ1Я2СЕННЯ BJIACTHBOCTEH ТОНКО ПЛ1ВКОВИХ

JMJMIHECUEHTHWX CTPHUTUP НА ОСНОВ ï V2O2S TA

01.Oí.CT - твердого Tija

автореферат сисэртацИ иа здобуття иеуяойого ступеня Еэялидатп ■Яэико-яатзпатнчния Mart

ib a In - 10Э4

РоОоту вжонано у Льв1вському державному ушвврситэт! 1иэн1 1вана Франка. Дисартац1я в рукописен.

Науков! кар1вники: доктор ф1зихо-математични1 наук,

црофесор Лисхонич 0лакс1й Борисович кандидат фхзико-матвматичних наук, старший науковий сшвроб1тник Бовдар Вячеслав Дмитрович

0ф1ц1Ен1 опонанти: доктор фхзико-математичних наук,

професор Носенко Анатглй ерофвйовнч кандидат ф1зико-матвматичних наук, старший науковий сшвробхтник Котлярчук Богдан Костянтиновзгч

Пров1дна орган!зац1я: Одаський пол!техн1чний унтверситет

Захист дасартацП в1д0удвться " 30*. . 19ЭЬ року

о. 15.1Т.год. ез зас1данн1 спец1ал13овано1 Ради Д 068.26.05 при Льв1воькоиу дараавному унгвврсгтат! 1«. I. Франка (290005 Льв1в, вул. Кирила 1 Иэфод1я, 8, Велика ф!зична аудйтор!я).

3 дасертац1вв могна ознайскнтись в ваужшй ОЮлютещ Льв1зського ув1версат0ту (вул.Драгоманова,5).

В1дгуки ва автореферат у двох пршй1рниках, зав1рен! печаткою, просто надсилати за адресов: 290005, м.Льв!в, вул.Кирпда 1 Ыефод1я,8, ф!зичний факультет, вчвнону секретаре.

Автореферат роаЮлано ш23.щ____1994 року.

Вчанка сакретар спэц1ал1зоваво1 Рада 068.26.05 доктор ф1з.-мат.наун, ирсфасор

НОСЕНКО А.6.

ЫГШИ X^lKXti-KJlilA К-ъЪП

4K7ySJIlKi'Cll Töra. РОЗБЗТОХ СГЧЭСНО! «tKpSIiJ.iEICOEOl электрон isos та 1шаа галузеа ново! твхшка потреби розробки Ф:л-и:ам-}нтелъних основ технолоп! вш"отсвлэнкя плЛвковах матерз ссоблкзши фхзичыика властивостями. Вир1швння щи задач зов'язанв з вивченням фгзкчяих властивостэЯ тонких коядяясср.зних napib, в основному, в залежное?! В1Д xiMiiaoro

t ЦдНЗиЬыдЧ/ г 1 -üi«» «•• ил ji »u " '-'J ■' -'f * •

досхонзлост:.

Ушкалыпсть ф?з;ппзтх вдастазостей сполук за учьстп лантгноШв обумовлэнэ спэцй81чнсо будовоа ехоктропнях оболонок РЗЕ. В салу д!1 розм1рккх EHjBKTiB, mq проявляться у тонких шйвках 1 частниках мшит розм1р1в, а такоя

спэцифхки умов формуваная в toeszx гоядансовзнзхх азрах

спосторхгзоться цэ бхлыпа р1зяоман1тн1стъ струхтурних осоОлгзостей t ф1н2ГПБ?х Еластлвостей у пергкнянн! з масгвнЕД! зрезкзлз [IJ. В таких шивках, нецриклад, мсг ть ста та сп51хьн23£и фззг, як1 в нэст12хпма ябо зсвс:1м не 1С;гу»ть в "масстких" зразках в 1двнтичних умовах.

Тому взвчвяня механизму фзрмування тонких iliiegk cito../к PS2 та вничэння !х структура та зластпвостеЯ нэобх!дно проводит при хэнтрел! та врахувашп Егишзу ф1з:п'.й-■пзхволопчяих параметра осадакення: складу шшвш, шнндкос»! осадкэння, температура та катэр1алу Шдаладкл, складу молекулярного пучка, що коядэнсувться, складу ззхкпп'ових та робо'-их resiB.

Irrrsrcnrrt /рся1дгзгия, rrrrt прскодяться а обяест!

тзтис каяжж t пзешшх, сбо й^лторгзх врглуогв. Току

дан! Д0СЛ1Дження мш. ь як наукову так I практичну Шипеть.

Мета дано! робота полягвла у досл1д*энн1 фхзико-технолог1чних умов створення дхелектричних та люмтесцентнкх' шар!в на осеов1 оксиду 1тр1ю та оксисульф1д!Е гтр:а тз лантаау методом 1снно-плазмового напилення [2], аиЕченнх структурних, електроф1зичних, оптичних та лгмшесцант;;^ властнвостей иар1в та тонкош11вковкх структур I в резробт оптоелэктронних елаиент1в воображения хнформацм.

У процес! вжонанкя робота розв"язувзлися так: основн! завдаяня:

- нападения тонкошпвкових похрить «этоднуп РЧ дюдного та БЧ кагнетронного розпклвння в шертнхй ~г к^лтртлъавашй атмосфер! реактивного газу;

- вивчзаня. умов гфиотал1зац1! при виссхэтекпературн:й оОробхЦ в контральоведгх газових середокгдах;

- дссл1яюяня елактроф1зичнпх, кгаатичнкх, вольт-а.тг.-трних, д1еле:сгричних характеристик ЫДМ-структур;

- вивчення оптико-лшгеэсцэнтнкх характеристик чистих та ахтивоЕЕНих р 1 дк 1 спозэкэлъники юнгми плхвкевях систем; визкачення оптичних пост1йнкх.

- розребка та створення дзохкол:ряих кетодолгмгцзецгптких екршпв високого роздХлення з енергвппнкм каруаз.-шкм кплору сБ1чеитя; . досл1двення 1х ея&ргетйчккх, ягмпкецеитккх та сз!тлг'техн1чяях характеристик;

-■ стг.орзння т2!1коплIнкоглх ел8ктрслгм1несп;татнкх структур КГ.-^-тг.г/ та етачевня 1х волът-гьрядпих та гояьт-ягкраз I ыгсомтк -

Hsy-toB". новтойо. ?*з?яьч&уя ре&этя да® wxssaeícTb i вперао Бстаконити наступавï

- рфзкткнш сть БЧ д!одного г_'згоду сгээреннл ñlvzsirspivsniz Kßptij оксгду irpîn в п1двищенимг в 3-4 рази елэ^трачними та акту.дифу n i Rmwj периметрами;

£С1.чяов2тя особяшзост! К9хзн1зму розпилення при реактивному (гетод! ВЧ-кагнетронного шишлоеня;

- псгянопята оссблизост! фзрмуЕВДпа кр7;:тая1чш1Х В- та G-HtijÄ» úivZ^r ÍT?f" " J»*y«««»t eitiKS lülcíy • реахтивн1й атаосфзр! пспелокня;

- EÎIB'-ПТТЗ ОСОбЛПВОСТ t фэрмупвння шнокл trasoí В-форж оксзду íTpíD при високотокпвратураШ 5фоттал1зац11;

- розроблта способа отрянаяая лшг1шсцвнташс ексаоульФ1даих шИвок 1онЕо-Ш18змовкм нэтодся та опта^аувата технологи ÎX

Еиготоапеная э вккорпстгкшяя аадапая nopa.»Tpts Ktsœsî, • зтхоа'ори рсзсзяенкя та уттаз теретоСрсбя:!:

- вшзчЕтя jaaxsaisa tsssraií! ejastpoatB з ;сонте:-:ту а д1едэктрзчЕя2 в;р Ygôj» ззрззлсн*! raxastsmsa EsttkI та згзлз-nrr- згипп ptsRts ггшзгкэкня па грз^ду!

- встакогати вззетогл'ягах у:ton отртиЕпя, крзстагЛ^пгз! î елактрэняог струк-гур pizxtczGzczsja&vc ! 0:1 In a .lint.jm папро?гижввяш« в стпзптргг jsKîsMîwntt а шНехоззх сястэнах

YgOgtai3'".

Практггезз ц1яп1сть. Нз cchosí розроблэтак технолог!» та

сантегсв-нгт. тсл-си^ько—гг, структур сгаарзкз:

- Aieettttjwtti мккх/ ÍTpls s гзр^г-гр'-'а в 5-'. Г'--

23p-"?."j5p»a zçoTïf&sn илнжсп "i^irX'.iC^cr.: '■

(Ecïcnia),. ISO "Пггт-п"' к.Сргсггл

(Рос1я), 1пститут1 ызики нал1впров1дник1в АН Украпш);

експериментальн! зрззки тонкошпвковмх

ел8Ктролш1нэсцантнйх екранхв з робочою напругов в \ 2 рази вахчов у шр1Енянн1 з структурами даного типу;

експерзкантальн! зразки тонкошпвкота. екрашв з просторовов густинов запису в 4 рази видов, Н1к Iснует: тз з локаШзованям спахтром вицрсшгазвання з метою и викоркстазня в корвляторах зображення;

експвргк8нтальн1 зразки шИвково-монокристалгших двокол1рних катодолш1н9сцвнтни1 вкран:в з енергетичним квруванням кольору св!чення.

На захист виносяться наступи: основш положения:

1. Найб1льш ефективнов технологIев отркмання виеоко-йзпсеих д!влоктричних та лш1несцентних иар1в оксиду ¿трхю е ВЧ д1одн8 1оЕно-Ш!азмсв0- розшиюння, що зумовлено високос ензрПев боибардуших 1он1в.

2. Махаи1зм 1онно-штзмового реактивного розпилення полягаа в двох судутнИ механ!зм1в розпилвння: вибиваюй товархцавкх атом{в у результат! прямо! передач! 1мпульсу енаргИ в!д вдаряшого 1ону 1, у виладку в!дносно еисоко! кснцектрац! 1 кисни, у робочому газ1, випускаккя поверхневкх аток!в внасл1док вид!лення енаргИ у повархнев1й зон1 к1иен1. 4

3. Кристал1зац1я мшокл1нно1 В-фэркн ПРЯ веских теюэратурах зумовланг залоЕПэнняи киснввих' вакапс1й, характерных для ку01чно! С-форми оксиду 1тр1в.

4. Кз261лье ефект.пзнж^ жтсдои отрицания лта1к0сцент:а:х ит.!гсх сксисульСШв б гнзсоркстаянл Шсэн! гл.-ц^г.-^лэ гггхэсфзрн газу роз:г/лоизя та крксталхзацгя

тгри взкуумшЯ тзрмсобробц!.

Ь. Ввличгнз рогачах заирути гснкогиггикових олактро-лтшгжслентних структур визначавться влектричноп м1цн!стз втвлйктркчного шару I при никористаши одного. дгелектрика у л Сути эменивнэ в ^ 2 рази.

б. Э^ктттсть Л!нь1 випрошлввання :сн:в Еи3+ в ьизмачзйться симетр1ев центр!в лкмлнэсцанцг! 1 залезать в1д атмосфори розпилэнал та умов кркетал!зац! I.

АлрсОзцгя робота. Зз кзтар1алз;«1~ дасертвцП ояублзкояаяо 16 наукових ро5!т. II ссяозн! рэзульгати дапов!далксь та обговорпзаласъ на 2-й, 3-й, 4-й 1сонфорэиц1ях колодах вчешк ф!зичного факультету Льз!всш)го дерхун1версгтату (1966, 1988, 1990 рр.), не 1-Й ВсзсопззШ школ!-сем¿нар! по теркодкммгц! та тэякыюг*! нал!впро-вхдшмових христояхв та шИвок (м.1вано-Ораж1вськ,1Эеб), Ресяублхкапському сомгяар! "Топкспд!вкоа! св1тлоЕКлром!нгш! структур! та !х застосуввння" (м.0доса,1Э87), VI Всесоюзному гагат! у*! •Ллянэсаэнтв! пртйдэч! та горэтасрггаи 1он!зусчого 1отром!штазнкя"(м.Льв1в,1988),ВсвсоЕЗн!11 нзрзд! "Ел«ЖТ$»ЯКК1113едЗНТЗ! пристро! в1до0р2ташгя хпфэрмец' ("я.1991), хш Укря1ш:ьк12 ковВорэнцП з нэорган!ЧЕо! хшп (м.Ужгород, 1932), 1-2 Шгяэродн!й парад! "Ф!зекл, х!м!я t технолог1я люм!нофор!в* (м.Ставрополь,1392), XV Н!жнэрода!й конференц!! я01зика 1 технолог!я тонких ххл!еок" (м.1Еаяо-Фр8Ш{1вськ,15ЭЗ), 0в!леЯн1й наукоз!й' конфчрдщт{, до ■Ю-рхтхя ф!зичшго факультету Лъвхвського Дбраун1варсат9ту !м.Льз!в,1933), М1гасродя!3 тк-л!-ковфврвнцИ Чйрадаах даадлза«; г9.-.яолэг11" (мЛьзгв,19^4) та ягр^азах вауковлх гссЕфзренц!ях Льв1еськ&го унХирситзту

-а-

{«.Львт, I£35-1994, .

Оурукгург робота. Длсортац1Пна робота складазться хг вступу, ппятв розд!д1в, васновк!в та бхблюграфп. Бона Езкладопа на 188 сгор!нках, в тому числх мхстить 117 стор1Еок иааазопасяого тексту, 65 рисутапв, 18 таблиць, 112 б!йя1сГр£ф1ЧЕ2Х ПОСЗШЯП}.

КОРОТКИЙ 3511СТ РОБОТЙ

У готуобгруетоваяо ектуальшсть темп дасартоцП, . сфоргуя^оззш коту робота, основн! завдання, назову ЕОЕЕпну, прахтюту ц!ш1сть результат!в 1 положения, що ееносятъся па заглот, коротко викладено зм!ст робота по розд!лах.

У 'пэрпо:лу роздШ розглянуто кристал!чя! структури оксиду 1тр!а та оксисульфШв ирхю та лантану. Проанал!зоввко особливост! сшймэрфяих поретеорань в У^о^. Итг.тшдаН!' оптлчк! споктрт, електронна енергетична структура та деяк! елактроф1Екчн1 иластавост! оксиду 1тр!ю. Проеяая1зовш1 охгпгш! характеристики оксисульф1дт 1тр1ю та лантану. Приводен! • лз.*.!кэсцантн! та спектроскошча! властизост! оксиду !тр!ю та оксисульф!д1в хтр1ю 1 лантану, активованих р1дк1снозвыельнюш елементачи. Описано основнХ iснуючI котоди отркмання досл1дауЕаннх матерХалхв.

У другому роздШ описан! технолоПчлХ уствнсвки для отрнмання пл!вок методами високочастотного хошю-плазмового розпллоння. Приведен! схвуи дходно! та мзгнетронно! систем, розпод!л меппткого по Г" в таких системах, схекх нагрхЕу та рлгмгрввання температуря пХдкладок, напуску рабочего газу та ь:'-\т!рЕ£акня таску в розпклввалыий кауэрх. Приведена установки для вксокотекгаратурного в!дла::у ал! во к у , Х.чорткому та х!к1чно скткзному сэре до ,

матодяха атрямакяя, атготгаг то квйтрал1зацМ с!рководня. Пртаедвна каталвкг розрахунну толщина та оптхяшх констант шинок. Описана блок-схема комплексно! автоматизовано! установка оптясо-лга1нэсцентних'доел1д*внь на öant "Speoord-Й40 та СО-46 3 IEM AT,тс.

?гот1й роздгл присзячоняЛ розробц! технологи отркхшшя гонких гилзок оксиду гтргп та оксисульфгд'в iipis та лантану t лтаннасцзнтша структур на 1х оснг.з|. У процасх lexüwxai-l чвстутпи офакти;

- осадхон! пл!вки без додатково! термообробот в аморфнтаи;

спостар!гавться поручения стех1с:,:этр1! пл1вок по в1днотеннЕ да матэр!алу м!шан1;

- змгнштьея величина. амцл1туди roporoBoi напругя розголенпя та шэтдк1сть нанасення гШвок при нанвсэшй оксиду 1тр1к t оксясул!ф1Д1Е itpis та лантану;

- сгюствр1гавтьсп кутовнй розиод1д розпил^жлх к<:г.«ао1ГОнт;

з.ч1нкгл'ъса властивсст! шпеок при зк:н: атггоа^рт рознилвння.

Ha cteobt отркманкх экспзримзнтальних iJsktib проводзно ендл1з коглштк moiiihi3kib розпклеяня yo03, ygo^s та lx,o.,3. Встановлэпо, що введ&ння в атмосферу резпилйнкя роакг/Ei л комкон&яти до ""irr г5р»кт9рпстис розпилояня

вяасл1док прлсуткост* на г.отарсЛ MfcisHt захопхенгас бсмбардупчпх loHiB та в:л1ня говерхяово! онэрг-tl зв'яьху aroMiB MiffloHt. Досл1дзапо вплив вмЛзту кксяя в атмосфэр! розгиг.еикя на з::1ку ттоказника звлоиязння га тангенсу д1елэктркчш?л. в.^ат uatasn Встоиоедано оттлуашгй

склад ei.wv.-.'-pi - 25202»-75£Аг. Пл-лгаяо, цгг 'ттгп:: гагрэ'-зтрк догс-ж отгскду isy*® s чутгглг-'s .г»

струкгууно-фззозгх перотЕореи, тод! «к д1вдлктротн!

властивос?! <И.кьз ч.тлш! до зн!ни. ствх1оштричного склада, цо аумовдэво утворенням у пл!вц1 електрично активних дефект 1в.

Для Е23ору атадальвого технолог 1чного процесу нанесения Ч*®адано пор1нняльний аяал!з ф!зичних

влаояшосте® пл1все, отршанхх електронно-променевш вакуувшг шашгзеаяа, 1рвно-швзховим високочастотюш (ВЧ) шгтатронки тс дХодата ровшывнняш. КритерП ефективност! методу Егзгггешгюь ашагошов ряду ф!зичних параметр!в: 1 10~2, Б>-10-11, Едр-ч© 10%/см. о\1,89, св!тлов1Ддача т]^0,35 кд/Вт. Провздеа* язоНявявв показали значну перевагу юнно-плазшЕОГо ВЧ роздздевва в д1одн1й систем! як методу нанесения д!едактрвчнвх 1 яйМвэсцэнтдах пл1вок оксиду 1тр1ю.

Запрошюваио иахет!ам формування структура пл!вок у2оэ -поэ"язешей с куШчвэ-мзшяиашеа паре творениям в результат! Еаскчеввя^еоррданпц!аао 1 0©эра атсиу 1тр!ю атомами кисню.

Егвчэно ЕЕСШхзтешэрвтурного в!дпалу на

формування структура те ети1нэсцэнтн! властивост1 шпвох У2о3:Еи3+. Встайовлею, Ер оптюгапьнов температурою е 1250-1300К, 8 прв тошератур1 Т> 1390К проходить перевахне у твореная мзнокл!еео! В-^форыя.

Для отришпвя тонких пд!кж окспоулъф!д!в 1тр!ю та лантану розроблзпо способа аабезпаченгя стех!оаетр!1 оксисульф!дта снстоа. ПэрашЯ технолог14нсй сгос!б полягав у провадзш! оптЕм!зац!! складу реактивного середовзда при розгклокн!. Розшшэеея проводилось в !нэртн!Е атмосфер! аргону, в!дяовлгззльн!й атаоофор! водив, суы!п! аргону та £одаЬ 1 а збагечуваяьн!й отшсфэр! с!р:соЕадгз. Другий твхпагопчий сцгсЮ дагяггз у • гассгитб»?аорй;урз*£ обрэбц! илпкяс '¿¿э^ %й Вгпчзпз ах^х еизз§эрл.

та чис у ящилу. Вотановдэнэ, гцр найсИлыз ефзксевнов в . термооброй:;-; у збагачувзльнтя с!рк5Еодязп!а • атаосЗзр!. Ка основ1 анал!зу облает! гсмогенност! ' система 1л(у)20э-ьз(у)202з-ьа(у)2з3 залропоновано трет!й

технолог 1чний сгсосЮ, оснований на пэрвтворенн! сулъф!ду в окгясульф1д шщхом окисления.

У_ четвертому роздш приведоп! результата досл!даэкь

та структурах из осясвг оксиду !тр!п та 'кяяюульфдхз хтрхя та лантану. При аяал!з! вольт-адаерних характеристик «да-структуря з паром оксиду 1тр!в вставовлэно, що проходкэння струму через шИвку У203 зуковлвнэ надбар"ернов ом1с1вю Шоттк! я електричному пол1. На основ! внал!зу спектру пробо!в вствновлено, що концвнтрац!я "елабких" точок ттлхвки з малой. В!дм!чепо, пр при ноЯэсопн! на шар дхелектрика т2°э лгмЛпесцоятдого сггру 1 подалъяого

його вхдпалу при температур! Т=823 К дЮлактрпчп! втрати у тзк!£ структур! ив зслдьауигься, то св!дчять про сисоку антядийу?;йну ! доградаЩЙпу с?!йх!сть 1 ста<3!лья!сть.Ш1!вск. оксиду 1тр1в, отрмаяпх ВЧ рэзшдашям в д!одн!Я систем!. Досл!дхэн! система р!вн!в захошгання та спектра збудзэнш, в парах та нэ гретпгд! розд!лу '^ОуЪгЗгХп ютодаки тармосггмудьохугно! дзцсляр^лсц!!. Всггтгггетэпо. пр для даша структур в характерной система р!вп!в прилипания, локализована на 1трашгд! розд!лу в щшоверхнввнх областях як сксгду :тр!ю ' с?льМяг ".к^-ку. крттагх струг;;-,

Г ляпОЛйрйЯяи1! Г ТС Л! ть жз- та вота-

1,?0 ¿0. ЕГ-Л ->'В !£. «с, г» 1С1УС?ПЙГ«М сгелл—глх

*з ¿•пг<яг1 гтгяякх дбфзкт»;? г х.:?^ та га3:кь. ,

У п"ятому роздал приведен! результата досл!даення Еольт-зарядних та вольт-яскрав!сних характеристик структур ио-у^о^-гпз:Кп-А1. ЗалежаЮть величиии питомого заряду в^д прикладено1 ннпругн до структура, навхть з одним д1ел8хтрикон, св1дчать про достают електричну ьпцнхсть г велика значения питомого заряду (8в>1хЮ~б Кл/см2), яккй проиускаеться через структуру, що наобх: дно для отрицания шсоко! яскравост1 електролшШесценц!!. Значна крутизна вольт-яскрвв1сних характеристик дозволяв отримати достатаьо висок! яскравост! ^1000 ид/м2 при пор!вняно невеликих робочлх налрутах (ир\ 80-90 В).

На основ! розроблэних матер1ал!в 1 технологий створено тонхопл!вков! екрзни для коралятор!В зобрэження на основ1 Уго3:Еи3+ з ^Еддр =611,Ь нм, А\=3 км та тогаюшПвкав! катодо лш 1 посцонтв 1 шьри для червоно!, золено! та схньо-блакитно! областей спектру на основ! сксисульф!д!в !тр!ю та лантану з яскравЮтв (в кд/м2) - для Угог5:Еи (червонсг)-78; для Ха^О^Б.-Еи (черзоний)- 5,2; для У^йсСс^О^ТЪ (син1Я)~ 26; для Ъа^О^-.ть (с;ш1Й)- 24, (зэлокй)- 40. Розроблокз дашшрн! екрани з енергетичкою змшов г.ольору св1чення з вккористанням в рол! опорно! лшхкесцэлтно! п1дкладки шнокристал!чних гранатIв У^Аг^О^:ТЬ,Сг з нелегшм КОЛЬОрОМ СВ1Ч9ННЯ Та ЛЕМ!кеСЦ!ЮШОП ШИВКОЮ у^о^гЕи34" з червоним кольором св!чэ!шя. 4

Екрани мзвть касгутг* характеристики: -портг пэреклшзиня колье;/ св1петш черз:;о:г».?./геленгй - 5/10кВ; -сг.1тлсв!дачз в чер::оноуу кслъор! 0,17-0,35 кд/Вт; - е кольор! 1,5-2 кд/Ет;

-.кгсглкнзгг г.с=л:рнсст1 в чернолгку кольор! х=0,Г-23;у=0,245; ~.ч; .-..'л'г»! в зел>:ЕСку кольор! х -0,34:);у-0,471.

-I3r

0CHC3HI РЕЗУЛЬТАТ)! I БИСНСНКМ

1. Яосл!дж«яо «тетодк та умоая накасвк:гл тс::кдх ял t по к оксиду iTpin. Прорлгечо гмр:вннльну «рактпристаку метод:а наиесекня Д16 "ip'.s та лп • : не cue итких ¡sá^ia y2Qj;E\P+. На оснозз глвпеная д:е.П8к?рлчао: посг:йно1 s, тангенсу Д1вЛ6КТрСТН-!7. зтргт tgC, KCSjÍSieHTS 5НТКЛ»^!у31аН01 ст 1йкостх, надругл «.•.••чтриччзю аровсс. с::тк-«кх кснсталт та

Г ""тпгплплязСЦвНД! 1 ЕСТЗЯОВЛ9НО C"/T~2BÎ

паре ваги йЧ д^д^-» и *,агт «ч' »m но —; г л

електронно-прсмнезкм. Парезаги поа"язугться з П1дхглд=;шям eueprit юн 13 рсбочого газу.

2. Взшчоно взаемозв"язок фгзичних умов з нейтрально та роактиан!» плазм! на процеса формуваякя hüíeck оксдду tTptn. Естановлэно вшив стабшзацН та ксмпрэсП ялазми з ЗЧ-дЮдаиа систом:, мirtкалька! г л згггп.чпдь.< " ом:г;е:адя шгззмя на ефективнгсть розпкдзтг.ия. /»ля 34 магиотронного розпилання вкявдзто взса'.юзв'язох густаки ел-зктроьпи! та îosikoi компонент пдазмя а рсзподглсм осядоьяя kokionoht mieski при розлалэнн!. Встансвдэао зм!ну рзъпэдхлу ссаду/взних компонент псв"язану з процес&чз з зон! концэнтрзцП плазми, бомбардузаняям шпаки олоктрснп.-гд, позврхнэвоп температурок.

3. досл1дявно ос&Лошоетх фоу.'уванпя структура оксиду iTpîn при реактивному розпялонн!. Естановлэно, до прл нтазм-зня! в rofCHBBOBMicHiâ реактивн1Й атносфзр! поряд з КуОППСВ проходхть у творения MOHOlUltUHOÎ В-формя оксиду iTpíD. Цз засалено эб!лш9нняи густани аапоььбння

КЙСНОКи; ГЗКШКПЙ, Хйрзут&рп« ДЛЯ KyÖiTOOl С-фср«И.

4. Вявчзгет особллгоот! мэхая!яку розпзлоння при р-зг-дгеиззсну ï кагватроавсму разпяжпн! .Встачовмтю два

супутк! шханХзки розпялання: внбквання поверхвевих атомIв у результат! прямо1 передач! {ипульсу енерг!! в!д вдарявчого Юну I, у випадку в 1 двоено високо! копцентрацп киешэ у робочочу газ1, випусканвя поверхневих атом!в шшсл!док вид!лоння енерг!! у поверхневхй зон: м!шен!.

5. Вивчено особливост! форкування кристал!чнох структур« В-фазн у процес1 високотенпературного вюталу. На основ 1 структурних досл!дкань та доол!дтаиня лптзеценцп структурно-чутливих переход1в в Еи3+ всТановлено, цо стаб!льна >ювокл1нна В-форма кристал1зуеться при температурах врз!Я 1330К на пов!тр!.

6. . Доая!двйП-> технолог!<ш: псяокти отркмання лЕШнасцентеть сксе сульф I лг.и длхвок Юкно-плазмовим «эгодза. РозрзЗлеаз грз способа забезточення стехЮ-ы-гтрр.чяогс {яишллкозоння кисет та с!рки в сяс20ульф!днлх иатряцях тв Партий спос!б ш лягав у оптил1зац1! склад}' газового середовща при розпиленн! вляхом введения розпилгвальну атмосферу водню або с1рководшо; Другий спос1б заклкчавться у регулззванш укав кристал!вац1! охснсульф1дно! фази при високо-темаературному в!дпал! з • задании складом атиосфзри торлэоДребхи Жг+х^з. Трет!й спос!б бэзуеться на Бакористаан! взааыов"кзяу м!» складом ы!шен! та вм!стом в!дюв!даих компонент у кл!вц1. На основ! ехспериментальних дсюл{дань вс!х . трьох способ!в розроблено опткмальну технолог!ю, яка поляг аз у шадристянп! м!сен! та Ьа^. При цьоиу штод! и пкост! розш'лшалько! стаосфоря ■ВЕ;орЕЭТовувалась в!даовлЕззльпа суы!в аргону б водак.% а тврсэсбробка и утаорз«вях охекгулгф!^' преводетъек у вакуум! в х^зс^раотагяды <4«№ЧГ 'е^шо^с^Р кийЦц? :о1сь-о при

високкх температурах.

7. Вивчено електрофткчн! иласг.'-лост: ^¿-структур на

основ1 оксиду I тр: а. Встздсгшело, щр ггротднгить и дю.гчхтричнзсх гшвкят УрО, зузговленз• надоар'еркою ем!с1аы

'электрон :з з елэктрпд:в по у.охзе!з«у 2этт«:. М-;-то до1*

рвЛЭКСЛЩ! ГГрОВ ' ;*Н0С7 * гтО " " —^У" 1 тгагпу-т^д^^^гу

носмв з ча: >■• г:;1 ? '-»О.Ь >.::;, зуко.чг.якк* ъ;"о-:;р.-

пастками на ггагегт ро;=д1лу метал-дгелвктркк. Встановлэно,

ПрОЦ^О- 0П ТЯ1ПР11 с,Тиу'КТ V ии пии!'и

"самозал!КС"у^пй!"' характер.

8. Показано, вд доскскал!сть структура назначав вфбктивн I сть елоктронних "вреход!в юну Ей з тошеях монокристал!чних шИвках Паревагявче фор(ування куб!чннх центр!в з симетр1вв С2 зунозлез Еппроч1нЕзання в смуз I \=6П ,5 з п1Еашрянов ЛХ-С а1дпоз1дая переходу 5и0 - 7?2 в !он! вврсй!я, &ина кргсгалХчнсго зточення при утворанн! нопоялИшо! фзгя охезду !тр!а приводить до гаревашего випрся1пг2Ш2Ш Ц5нтр1в з структурой

1 пе2б!лья 1нт8пс:тшюз плугов в облает! Х=Ш4,5 та. 3. Досл!дязно оптзчн! пос?!£н! та диспэрс!в пехазншеа залошгання тонких шивоя Т2о3 та тго^:Еиэ+. Встановлано, ¡цо »о.-жткаа пехазшпеа заяоаязннз а, э пл!екзх, отрлиаалг го: оцта^ья^^ •га^яохоПяз ?П1хо;:^ться п д!епззсл! зпбчонь П«1,88-1,91 , бл^зьках ДО Е9ЯШШ, 2йршггерн22 для моно-кшстад!чнэх об'еынях ыатер1ал!з.

10. Для СТрЛМСЕПХ ТО ОГГПЗгаЯЬЕЗХ технолог!ях ид! нет о?:с!тс7яьф!д1в 1тр!л та лантану доол!даано спх1жо-лзы!гяс1;оятя! р-йнжессз!. Ботееш-тэпо та 1донтЕ5!коваЕо сцуга лгвШггсцрщ!! в "сяя^а" га "гззто-вегзя' '* ■ сзрП 5игфса1взва$ш,' гл йЛдаэз

пероюда* та 5D3-7?j (j«=i-6) в юн! тъ3+ та показано

!х взашюзв'язок з стех:омвтр1ею та особенностям! крастал!чвэ1 структури.

11. Створено НДНЫ-структури складу in^iSn - у2о3 -Zn3:Sto- i.1 з одним д!електричяим шаром. Дойл1джен1 ix вольт-заряда! та вольт-яскрав!сш характеристики. Вствновлено, що в результат! досковалост! д!елактричного шару робоча напруга зыэшилась у рази при збереженш яскравост! лш1несцетШ до IOOO кд/*2. Для ..даних структур кэтодыя ТСД СЕО та ТСД ТЕС досл!джано спектри пасток' i остановлено !х налив на збудавння влактролЕмшесцокц! i в результат! спшульозаного файокакн туколсваная нас! !в з облает! границ! рсзд'.л/.

12, РсзрсхЗлонс чи адготоалено експаркнзнтальн! зрззкд

Д-ЕЗХ2Х1Л!рЗЗ: К I; ТОДОЛ».-. til £ СЦЗ HTHZX 0КрЗН!В ВИСОКОГО

розд1хзная в енургетпчкил! карувзнням кольору св!чення, як! складають основу для розробки пршщшюво. нового класу 0Л5ХТрО1ШО-ПрО«£6НеВИХ !фнлад<3.

осатап таультт сшвикоамп в наотлшх роботах:

1. Бсшдврь В.Д., Васшшв Ы.Я., Вэлпгура Л.И., Грыцкз М.Я., Ксшовец Я.О., Лкскошч А.Б. Сравнительная характеристика иэтодое получения диэлектрических и лкашесцентша слоев охспда иттрия// Оптоэлектрояика в полупроводниковая тохнкка .-Киев.-1993.-Вап.25.-С Л 4-18.

2. Грздкв Ы.Я. Hei.jTopue влектрэтескда свойства пленок оксида Еттрия, вхтявцровашшх европиеи, полученных ВЧ~ рзсгшенzbu// Цат.2 кокф.кол.уч.фаз.фзк.Львов.у-та,Львов, 1235.ДЭП.В УкрШ!й?ГИ IG. 12 .ВЗ,К2730-УК86.С.23-2*.

3. Грдупз 11.Я. ДизлактрЕчвскпс скйства тонких «ловок оксвда

кттрая, полученных ВЧ-рр.сет.чонабч// Mav.3 кокф.мол.уч.Фяз* <т»х.Львов.у-та.ЛьяпвЛЭ88.Дзп.в УкрКИИНТи 5.12.80,И 2Э45-

VkH«? . -С. 157-15t;.

J" , PtiC'.'/i'R М Я. , *'. Я Я.Г. Зависимость

n-t-

эффективности хотоалянок i^y.Ttjr 27 Eosßyrjwv.. / V.-'.т.З xo^j.vo.-i. уч .'¡v." лъ::оз.

-f. ТТЛ-г г.?

центннх структур методом термостимулироваявоа деполяризация// Мат.4 хонф.мол.уч.физ.фах. Львов.ун-те, Львов, 1ЭЭ0.Д8П.В УкрНГСЙТИ 30.05.91.- 57.63- Ук91 .-СЛЗ-15.

б. Лнскович A.B., Бондар В.Д., Засилив Ы.Я., Грыхяв Н.Я., Герман Н.В., Кравчук И.Ы.. Сомвнхо В.Л. Структура и

свойства плене:-' с-г.;.?*- т ¡¡тттил, вчпшироваяяого г,.

-ох'-.: ¡.■•пс.аяояи по тяркодказкже к технологии сслуиро-крясти'У.оз ь: -

. в-нгарь ь.Д. ,Вйс:гльчоаЛо В.П. .Войханский И.А. ,rps:«B V..K. Лкскович A.B. Диэлектрические свойства тонких пленок г яттрпл» ¡гстпвировахшз: европна?»// 7с;гсоплсно'"а.т: ипошйл^'чпщие структура u ü npssjauauss .Хзз.доял.сзы. Одесса, 1387г.-С.12-13.

в. Кондар В.Д., Вяетшга М.Я., Грыцнв И.Я., Захарка Я.С.. Лнскорл'.ч Л.Б., Фоменко В.Л. Катодолпжлецонция тс-г.тх слоев стшслсв п охсисульфадов яттрпя я лавтета, ектнвиро-mmaix европ'кйм и терлгам// Тошсоплэночше сезгспзлу-чащкэ структуры а их причинение.Таз. доял.сеи..Одесса, 1937г. 0.61-65.

-1&9. Бондар В.Д., Бордун O.K., Василии М.Я.. Гшцкв Ы.Я., Захарко Я.С., Лысковкч А.Б., Полэздекн P.m., Ооме.чпэ В.Л. Взаимосвязь условий получения к оптических и люминесцентных свойств планок окислов и охсисудьфвдов иттрия и лштана, активированных европием и тербием // Лшинасцентныа приемники и преобразователи ионизирующего излучения.Тез докл. VI Всес.симпозиума.Львов, 1ЭЗД.-С.33.

10. Бондар В.Д., ВаскМв М.Я., Гркцхь Ы.Я., Лискович О.Б., Ссмонхо В.Л. Отрицания дхелоктритаис : люпнесцептних вар!в охсхд!в та окснсулъфшв методом виескочастотного Юнно-плазмового розпилення// Тез.доп.зсш Укратнсько: kois}.- з нэорганхчно! х!ы!1.Ужгород,1992.-С.G4.

11. Бондвр В.Д., Валигура Л.И., Гршяв Ы.Я., Копонец Я.Ф., Лиасовяч А.Б. Исследование технологических условий создания гдэхоняаяочных влектролшинесцентных структур с вязким рабочим напряжением.// визика, химия и технология лпшюфаров. Тез. докл. I Меидунар.совещания.Ставрополь, 1992.-О.212.

12. Бондар В.Д., Гриц!в Ы.Я., Лискович О.Б. Досл!дження спектру, пасток МДНДМ елвктролш!несценпшх структур методом теркостиыулъозано 1 ■ деполяризеШ!// 0!зика t твх-нолог!я тонких ххл!вок.Тез. доп. п Ы!жнарод. конфЛвано-Сранк!всья, 1993.-0.279.

13. Бондвр В.Д., ВасяШв М.Я., Г^рицхв Ы.Я., Лискович О.Б., Фоменко В.Л. Властивост! та звстосування тонких пл!вок сксяду 1тр!ю в ка\одо- тс елехяролгагёнесцентних пристроях в!доОрахеная 1вформац'!! // Вв!лойна нвук.конф. до 40-р!ччя ф!зичного факультету. Тез. доя.Льв!в, 1993.-С.5.

14. Боядар В.д:, Гриц!в Ы.Я. .Тояксш11ековэ - монокристал!чн! екрззв аиоохого розд!лэння з о^эргетичниы кэрувакпям

кольсром СВ1Ч0ННЯ// ПйрвДЗК! ГЛСПЛуЯК* технолог! I . M.riT. Н1 хн n р. с:к о ли - к о • гф. Л;r ; о, Т 4 - ~.' - 2 "С.

ТГ:. Ipuiuiii v..Я., Яг-.Л'-ф ::.Д. .ОХ/НО /! лПГОГГЛ.Ч Е Г.ЛВТГ^ЗI

ОКСКД1 иттрия ; -у 0 ил ■;•-:< о Я и чомоклинн-ог

ковф. по лшлносцог^гп. Газ. док.-:. Т. ill. iiccssa, 1394.--

С.'¿it.

16. Бондар и.д.. 1ТЫПЯ2 М.Я., Лискснич А.Ь. .1ж*к?сгхзнцгя и

t: Гн I kit j . вя ii^itiriux. цпьеь ж л гя.'аг tin п лышшш*

ПОЛуЧГ\:МЫХ V.jTOZ'JM Г". 1 НОКНО-ПЛЧЗ'/еННОГЭ раСПНЛ^КйЛ//»ч2Д.

конф. по Тез.докл. Т.III. Xocxsa, 1994.-

С.246.

ПИТОВAHA Д1ТЕРАТУРА I. Кутолин С.А., ЧеряоброЕКИн Д.И. Пленочное матерааяоведэ-

ние редкоземельных элементов -V , ;Ул7Я.ПЛутПГЗ*й ; - — ТсО"! , с. Уилиянчук Ч.З., Савицкий В.Г., Uosvys i'.K.» Дороосс "¿.Б., Сиьорснсв 0.А. Напыление пленок окпснкх соединений з тлещс-?.'. высокочастотном' рсзряде//При(5оры и техника эксперимента.-1973.-я I.-С.242-244.

Grytsiv 4.Ya. Obtaining and propertiea investigation of thin film luniineoocnt structures taaed on Irpi, Yo0,,3 дай La^O.jS (r.inusoript).

The dissertation advanced, for a degree of Philosophy Doctor in the speciality 01.04.07 - Solid State Phyaiou, I. PranSio Lvi7 State University, Lviv, 1995-

The physical technological Ъаве of obtaining of yttriua oxide and yttrium and l-mtanua oxide and disulfide thin •Tilae atru.oi.arsc is developed. The regularities of oubio and Eonoolinio otruoture forninsj during reactive

sputtering and high teirperature annaalir^J тав stvidied. Ths

eleotro-physioal and optioal-lumineeoent ргсоезеез in films and otruoturco baaed on Y2°3' Y2°2S • Las°2S *'cre investigated. The thin fil» oathodo- and eleatroluainesosnt etruotureo with high operational parametero were Xabrioated.

1Трышш Ы.Я. Получение и исследование свойств тонкоплеяочных дшинесцентных структур на основе У2°э' ya°2s a Uj02s.

Диссертация на соискание ученое степени кандидат фцшжо-математических наук по специальности 01.04.0? -$нзяка твердого тела, ЛьвовсклЕ государственной университет ш к. Сракяо. .Кьвов. 1995.

разработана фйзйко-тохЕохд.гетьскка оснош .kse пдзеок сксхда кттред и сксгеуль^доь иггрия и лантана л структур на ех основа. Езу^г-щ вгжозс^зраесггв формирования кубической и цовоклгньой отрукадры влате. в процессе реактивного

распадения г высокотеипаратурного отжига. Исследованы елзктрафкзЕЧвасцэ в оатяко-л* тгнесцентные процессы в планках а структурах на основе гго3, Угогз, i^OgS. Создана товксшансгашэ хатодо- в влвктролшинесцбн"пшо структура с пасокаыа вксияуатадаоашаш паршгэ трема.

Ksswsl одоаа:ВЧ-розш1дзнкя,тоЕК1 тШвки, д1елактрнчн1.

дшшасцантн!

Баи. Й 142. Шдаиэшю до друку 6 грудад 1994 р. боркат 60зса41Лб Яи.држ.йщ. 1г0. Ткряк ICQ пр.