Поляритон-поляритонное рассеяние в полупроводниковых микрорезонаторах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

Ч. 1.1. Экситонные поляр итоны в полупроводниковых микрорезонаторах (МР).

§ 1.1.1. Дисперсия МР поляритонов.

§ 1.1.2. Энергетическая релаксация МР поляритонов. 16 Ч. 1.2. Поляритон-поляритонное рассеяние.

§ 1.2.1. Экспериментальные наблюдения стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния

§ 1.2.2. Теоретические модели для описания поляритон-поляритонного рассеяния.

Ч. 1.3. Спиновая релаксация поляритонов в полупроводниковом микрорезонаторе.

ГЛАВА 2. Образцы и экспериментальная техника.

§ 2.1. Описание образцов и методики получения.

§ 2.2. Экспериментальная установка для исследования параметрического рассеяния поляритонов и четырехволнового смешения.

§ 2.3. Экспериментальная установка для исследования в режиме «накачка-зондирование».

ГЛАВА 3. Роль нестабильности экситонной поляризации в развитии стимулированного параметрического рассеяния поляритонов.

§ 3.1. Введение.

§ 3.2. Экспериментальное исследование поляризации на КЯ в активной области МР.

§ 3.3. Роль нестабильности экситонной поляризации на КЯ в развитии стимулированного параметрического рассеяния полярито-нов: сравнение с теорией.

ГЛАВА 4. Влияние некогерентых процессов рассеяния на поляритон-поляритонное рассеяние.

§ 4.1. Введение.

§ 4.2. Температурная зависимость порога стимулированного параметрического рассеяния в МР с разной глубиной НПВ.

§ 4.3. Влияние некогерентного рассеяния поляритонов на свободных электронах на стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние.

ГЛАВА 5. Поляризационные свойства экситон-поляритонной системы в магнитном поле. Квантовые биения.

§ 5.1. Введение.

§ 5.2. Спектры пропускания импульса зондирования через МР при разных поляризациях импульсов накачки и зондирования в нулевом магнитном поле.

5.2.1 Поведение экситонной системы в образце без МР.

5.2.2 Спектры дифференциального пропускания МР поляритонов (Т+с/ и а+сГ геометриях. Когерентный и некогерентный сигналы.

5.2.3 Когерентный сигнал в спектре дифференциального пропускания МР в разных комбинациях линейной и циркулярной поляризаций.

§ 5.3. Четырехуровневая модель для описания дифференциального поглощения в MP.

5.3.1 Циркулярная поляризация.

5.3.2 Линейная поляризация.

§ 5.4. Спектры пропускания в XY и YY поляризациях в нулевом магнитном поле.

§ 5.5. Влияние магнитного поля на пропускание в MP. Квантовые биения.

5.5.1 Влияние резонансного возбуждения в точку перегиба НПВ на свойства системы в к=0.

5.5.2 Влияние резонансного возбуждения в точку перегиба НПВ на свойства системы в k=-kp.

5.5.3 Влияние резонансного возбуждения в точку перегиба НПВ на свойства системы в k^2kp.

§ 5.6. Расчет дифференциального пропускания и спектрального положения поляритонных мод. Сопоставление с экспериментальными результатами.

Развитие оптической спектроскопии, равно как и технологические возможности создания низкоразмерных структур, явились движущим фактором в производстве и изучении полупроводниковых структур в нанометровой шкале. Требования к миниатюризации полупроводниковых приборов привели к возможной реализации структур достаточно малых размеров, пригодных для изучения квантово-механических эффектов. Одним из первых шагов на пути к квантовому «конфайменту» (пространственному ограничению) носителей было создание полупроводниковой квантовой ямы (КЯ) [1]. КЯ состоит из слоя полупроводника с размером, не превышающим несколько атомных слоев, окруженного с двух сторон слоями полупроводника с более высокой запрещенной зоной.

Пространственное ограничение движения носителей в КЯ привело к новым физическим процессам (таким, как квантовый эффект холла [2]) и созданию коммерческих приборов (таких, как лазеры [3]). С развитием технологии стало возможным изготовить структуры с квантовым ограничением по двум (квантовые провода) и трем осям (квантовые точки), которые являются интересными и перспективными как с точки зрения фундаментальных исследований, так и для применения в квантовой электронике.

Альтернативой электронов, как носителей информации, являются фотоны. Кроме более высокой скорости передачи информации, есть еще ряд преимуществ. Фотоны практически не взаимодействуют между собой и могут перекрещиваться, проходить друг через друга. Оказывается возможной параллельная обработка информации, в отличие от последовательной обработки, используемой в компьютерах. Это дополнительно повышает быстродействие. Наконец, в оптических элементах возможна многозадачная логика вместо двоичной («да-нет») обычного транзистора или диода. Таким образом, перспективным направлением в физике твердого тела является изучение оптических свойств низкоразмерных структур.

В полупроводниковых структурах кулоновское притяжение между электроном и дыркой приводит к корреляции их движения и образованию связанного состояния - экситона, с энергией связи от нескольких мэВ до нескольких десятков мэВ. В области пересечения дисперсионных кривых фотонной и экситонной мод экситон-фотонное взаимодействие приводит к образованию смешанной механико-электромагнитной волны, называемой экситонным поляритоном [4]. Взаимодействие света и поляризации среды можно усилить, поместив КЯ в активном слое между двумя брегговскими зеркалами, т. е. внутри полупроводникового микрорезонатора (МР). Типичная структура МР показана на рис. 1.1 а). В случае, когда экситонный переход находится в резонансе с МР фотонной модой и спектральные ширины линий достаточно малы, сильное экситон-фотонное взаимодействие может приводить к образованию смешанных экситон-фотонных состояний, которые описываются в терминах квазидвумерных (или МР) поляритонов [5] (рис. 1.2). Величины экситон-фотонного взаимодействия в МР существенно больше, чем в объемном полупроводнике: они могут достигать несколько десятков мэВ. Особенностью МР поляритонов является также очень малая величина эффективной массы у поляритонных состояний. Как следствие, плотность состояний поляритонов вблизи дна зоны в 104-105 раз меньше экситонной. Таким образом, в системе можно реализовать макрозаполнение состояний вблизи дна зоны при достаточно небольшой плотности возбуждения. Вследствие бозонной природы поляритонов при факторах заполнения состояний, превышающих и>1, должны наблюдаться стимулированное поляритонное рассеяние и конденсация поляритонов [6].

Впервые такое рассеяние было обнаружено в экспериментах «накачка-зондирование» с использованием импульсной лазерной техники [7,8]. В этих работах было найдено усиление пробного луча, отраженного по нормали от МР на энергии поляритона Е при нулевом квазиимпульсе к в плоскости МР, при подсветке лучом накачки в поляритонные состояния вблизи точки перегиба дисперсионной кривой, нижней поляритонной ветви (НПВ) к=кр. Эффект усиления объяснялся параметрическим поляритонным рассеянием двух поляритонов из состояний с Е(кр) в состояния Е(А«0) и Е(2кр). Параметрическое рассеяние стимулируется пробным лучом при подсветке в состояние Е(АиО) за счет высокого фактора заполнения этих состояний.

При дальнейшем изучении процессов стимулированного рассеяния было найдено, что при вариации энергии и квазиимпульса возбуждения вблизи точки перегиба дисперсионной кривой стимулированное рассеяние всегда происходит в состояния с А«0 и 2кр. Такое поведение противоречит предсказаниям обычной модели параметрического рассеяния [9,10] и требует более детального теоретического рассмотрения. Такое рассмотрение было предпринято в работах [11,12], в которых были выполнены расчеты временного поведения поляритонной системы при больших плотностях возбуждения. Выполненные расчеты показали, что в поляритонной системе развиваются сразу две нестабильности: бис-табильность нелинейного осциллятора, вследствие наличия экситон-экситонного отталкивания, и нестабильности в результате взаимодействия между макрозаполненными модами. Результаты расчетов хорошо описывают независимость спектрального положения «сигнальной» и «холостой» мод от частоты и квазиимпульса накачивающего импульса в некоторой окрестности точки перегиба на дисперсионной поляритонной ветви, однако описать поведение пороговой плотности для стимулированного параметрического рассеяния с температурой пока не удается.

Нетривиальной оказывается также спиновая динамика экситонных поляритонов. В режиме сильного экситон-фотонного взаимодействия возникает ряд оригинальных явлений, среди которых можно выделить изменения поляризации зондирующего луча при пропускании через МР с усилением по интенсивности в резонансном эксперименте накачка-зондирование [13]. Таким образом, МР может использоваться как частотный и поляризационный преобразователь и служить основой для создания оптоэлектронных устройств для контроля над поляризационными свойствами приборов нового поколения, основанных на использовании спина [14]. С другой стороны состояние поляризации света является дополнительной степенью свободы, которая может быть эффективно использована в квантовой криптографии.

Целью настоящей диссертационной работы является экспериментальное изучение природы нестабильностей при развитии стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в плоских полупроводниковых МР и исследование эффектов спиновой релаксации МР поляритонов в магнитном поле в условиях резонансной импульсной накачки.

Научную новизну работы составляют следующие результаты, выносимые на защиту:

1. Исследовано поведение поля на КЯ в МР при различных плотностях возбуждения и рассогласованиях частоты возбуждения и энергии НПВ вблизи точки перегиба дисперсионной кривой. Выявлена роль нестабильности экситонной поляризации в развитии стимулированного параметрического рассеяния поляритонов.

2. Полученные зависимости поля на КЯ от плотности возбуждения находятся в согласии с предсказаниями модели, предложенной ранее для описания стимулированного параметрического рассеяния [7].

3. Найдено, что величина порога стимулированного рассеяния может быть понижена при включении дополнительного рассеяния на фононах и на свободных носителях, объяснение этих эффектов требует дальнейшего теоретического рассмотрения.

4. С помощью методики «накачка - зондирование» исследовано пропускание МР в различных поляризационных геометриях в магнитном поле. Обнаружены осцилляции в интенсивностях пропускания и энергиях НП мод в магнитном поле при возбуждении и зондировании системы линейно поляризованным импульсом. Показано, что осцилляции связаны с рассеянием поляритонов в локализованные экситонные состояния.

5. Найдено, что фазы осцилляций в спектральном положении НП мод зависят от поляризации тестирующего света, и, следовательно, не могут быть объяснены простой перенормировкой уровней из-за межчастичного взаимодействия. Обнаружено различие фаз осцилляций в интенсивности пропускания и в спектральном положении НП мод. Найдено, что разность фаз осцилляций ст+ и ст~ НП мод зависит от величины их квазиимпульса.

6. Найдено, что в рамках четырехуровневой модели, не учитывающей рассеяние поляритонов на фононах и электронах, удается описать качественно основные особенности поведения дифференциального пропускания и энергий поляритонных переходов с ростом времени задержки.

Результаты автора отражены в статьях [73-78].

Диссертация построена следующим образом.

В первой главе диссертации дан обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных изучению полупроводниковых микрорезонаторов и собственных смешанных экситон-фотонных состояний. Кратко приведены основные результаты и выводы работ по исследованию энергетической релаксации. Основное внимание уделено работам по параметрическому рассеянию и теоретической модели для поляритон-поляритонного рассеяния. Отдельно рассмотрены работы по нелинейным эффектам в микрорезонаторах, связанным со спиновой поляритонной релаксацией.

Во второй главе дано описание методики получения образцов, структуры образцов и экспериментальной техники, использованных в исследованиях, результаты которых составляют основу данной диссертационной работы.

В третье главе обсуждается исследование влияния нестабильностей экситонной поляризации в условиях макрозаполнения поляритонных мод на поляритон-поляритонное рассеяние при непрерывном возбуждении и приводится сравнение с теоретической моделью.

В четвертой главе выясняется роль температуры и нерезонансного возбуждения на порог стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в МР.

В пятой главе приведены результаты исследования динамики поляритонных состояний и их поляризации выше и ниже порога для параметрического рассеяния, полученные с помощью время-разрешенных экспериментов с использованием импульсной лазерной техники, обсуждаются результаты исследования эффекта квантовых биений.

И, наконец, в Заключении кратко сформулированы основные результаты исследований, выполненных в данной работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Целью настоящей диссертационной работы является экспериментальное изучение природы нестабильностей при развитии стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в плоских полупроводниковых МР и исследование эффектов спиновой релаксации МР поляритонов в магнитном поле в условиях резонансной импульсной накачки.

Получены следующие результаты:

1. Для проверки теоретической модели стимулированного параметрического рассеяния поляритонов в МР[12], предсказывающей жесткий режим развития рассеяния, исследована зависимость электрического поля на КЯ от плотности и энергии возбуждения в области точки перегиба дисперсионной кривой. Обнаружен предсказанный теорией скачок поля на КЯ, приводящий к переходу параметрического рассеяния в жесткий режим.

2. Бистабильное поведение поляритонной моды продемонстрировано в измерениях пропускания и четырехволнового смешения. Найдено, что при достаточно больших расстройках (Д=Йсо-Еьр(кр)>0.5 мэВ) скачок поля совпадает с порогом стимулированного рассеяния в согласии с теорией. При меньших А стимулированное рассеяние наступает при более высоких плотностях возбуждения.

3. Обнаружено нестандартное поведение порога стимулированного рассеяния в плоских МР: порог сильно понижается при увеличении температуры и при включении слабого дополнительного возбуждения выше запрещенной зоны, несмотря на увеличение потерь из-за возрастания рассеяния на фононах фотовозбужденных свободных носителях). Эффект усиливается с увеличением глубины НПВ.

4. Показано, что нестандартное поведение порога обусловлено заполнением дна НПВ поляритонами из-за подавления эффекта «бутылочного горла». Величиной порога для стимулированного параметрического рассеяния можно управлять, контролируя величину некогерентного рассеяния поляритонов на дно НПВ.

5. С помощью методики «накачка - зондирование» исследована спиновая релаксация и дефазировка в экситон-поляритонной системе в плоских МР. Определены время жизни, спиновой релаксации и спиновой когерентности в экситон-поляритонной системе

6. Обнаружены квантовые биения в спектрах пропускания МР в магнитном поле на частотах а+ и а~ компонент НПВ при использовании линейно-поляризованных импульсов накачки и зондирования. Показано, что осцилляции связаны с вращением плоскости экситонной поляризации, возбужденной импульсом накачки, с частотой, равной разности частот <т+ и а" компонент.

7. Обнаружены осцилляции в спектральном положении а+ и а" компонент НПВ в спектрах дифференциального пропускания, Найдено, что осцилляции в УУ и ХУ конфигурациях находятся в противофазе и, следовательно, не могут быть объяснены простой перенормировкой уровней из-за межчастичного взаимодействия. Для их объяснения привлекается четырехуровневая (экситон-биэкситонная) модель.

8. Исследована зависимость фаз осцилляций дифференциального пропускания на частотах а+ и сГ мод НПВ и частот этих компонент от частот накачки и зондирования. Найдено, что для объяснения этих зависимостей также нужно выйти за рамки двухуровневой модели. В ф рамках четырехуровневой модели без учета рассеяния на фононах и электронах удается описать наблюдаемую зависимость только качественно.

В заключение я хочу выразить глубокую признательность своему научному руководителю Владимиру Дмитриевичу Кулаковскому за постоянное внимание, многочисленные обсуждения и всестороннюю помощь и поддержку на всех этапах настоящей работы. Хочу также поблагодарить Гиппиуса Николая Алексеевича, чьи теоретические модели использовались для сравнения с экспериментом. Мне хотелось бы особо поблагодарить Тартаковского Александра Ильича и Крижановского Дмитрия Николаевича, которые стали моими первыми наставниками по технике эксперимента. Я благодарен Ларионову Андрею Владимировичу за постоянную поддержку и ценные советы. Хочу поблагодарить Алексея Анатольевича Дремина, Александра Васильевича Горбунова за многочисленные консультации по технике эксперимента. Я также благодарен всем сотрудникам ЛНЭП за теплую дружественную и рабочую атмосферу. т

1. Ishikawa, and Y. Arakawa, Phys. Rev. Lett., 69, 3314 (1992)6. "Condensation of semiconductor microcavity exciton poladtons", Hui

2. Deng, Gregor Weihs, Charles Santori, Jacqueline Bloch, Yoshihisa

3. Yamamoto, Science, 298, 199 (2002)7. "Angle-Resonant Stimulated Polariton Amplifier", P. G. Sawidis,J. J.

4. Baumberg, R. M. Stevenson, M. S. Skohiick, D. M. Whittaker, and J. S.

5. Roberts, Phys.Rev.Lett, 84, 1547 (2000)1178. "Asymmetric angular emission in semiconductor microcavities", P, G.

6. SawidisJ. J. Baumberg, R, M. Stevenson, M, S. Skolnick, D. M. Whittaker,and J. S. Roberts, Phys. Rev. B, 62, R13278 (2000)9. "Parametric luminescence of microcavity polaritons", C.Ciuti, P.

7. Schwendimann, A. Quattropani, Phys. Rev. B, 63, 041303 (2001)10. "Theoiy of the angle resonant polariton amplifier", ", C.Ciuti, P.

8. Schwendimann, B. Deveaud, A. Quattropani, Phys. Rev. B, 62, R4826 (2000)11. "Nonlinear dynamics of polariton scattering in semiconductormicrocavity: Bistability vs. stimulated scattering", N.A. Gippius, S.G.

9. Tikhodeev, V.D. Kulakovskii, D.N. Krizhanovskii and A.I. Tartakovskii,

10. Europhis.Lett., 67,997 (2004)12."Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеянияв полупроводниковых микрорезонаторах", Н.А. Гиппиус, Г. Тиходеев,

11. Л.В. Келдыш, В.Д. Кулаковский, УФН, 175, 327 (2005)13. "Stimulated spin dynamics of polaritons in semiconductor microcavities"

12. P. G. Lagoudakis, P. G. Savvidis, J. J. Baumberg, D. M. Whittaker, P. R.

13. Eastham, M. S. Skolnick, and J. S. Roberts, Phys. Rev. B, 65, 161310 (2002)14. "Semiconductor microcavity as a spin-dependent optoelectronic device",

14. I. Shelykh, K. V. Kavokin, A. V. Kavokin, G. Malpuech, P. Bigenwald, H.

15. Deng, G. Weihs, and Y. Yamamoto, Phys. Rev. B, 70, 035320 (2004)11815. "Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors",

16. L.Esaki, R.Tsu, IBM J.Res.Dev 14,61(1970)16. "Measurement of Cavity-Polariton Dispersion Curve from Angle

17. Resolved Photoluminescence Experiments", R. Houdre, C. Weisbuch, R. P.

18. Behavior of the individual exciton-photon mixed states", B. Sermage, S.

19. Long, I. Abram, and J. Y. Marzin, J. Bloch, R. Planel, V. Thieny-Mieg, Phys.1. Rev. B, 53, 16516(1996)20. "Bottleneck effects in the relaxation and photoluminescence ofmicrocavity polaritons", F. Tassone, C. Piermarocchi, V. Savona, A.

20. Quattropani, P. Schwendimann, Phys. Rev. B, 56, 7554(1997)21. "Photoluminescence decay times in strong-coupling semiconductormicrocavities", F. Tassone, C. Piermarocchi, V. Savona, A. Quattropani, P.

21. Schwendimann, Phys. Rev. B, 53, R7642 (1996)22. "Relaxation bottleneck and its suppression in semiconductormicrocavities", A. 1. Tartakovskii, M. Emam-Ismail, R. M. Stevenson, M. S.119

22. Skolnick, V. N. Astratov, D. M. Whittaker, J, J. Baumberg, and J, S. Roberts,

23. K. Lindmark, T. R. Nelson, Jr., D. V. Wick, J. D. Berger, O. Lyngnes, and H.

24. M. GibbsK. Tai, Phys. Rev. Lett.,77,2043 (1994)25. "Energy relaxation of resonantly excited polaritons in semiconductormicrocavities", D.N. ICrizhanovskii A.I. Tartakovskii, A.V. Chemenko ,V.D.

25. Kulakovskii, M. Emam-Ismael, M.S. Skolnick, J,S. Roberts, Solid State1. Com., 118,583 (2001)26. "Scattering of polaritons by a two-dimensional electron gas in asemiconductor microcavity", G. Ramon, R. Rapaport, A. Qarry, B. Cohen, A.

26. Mann, Arza Ron, and L. N. Pfeiffer, Phys. Rev. B, 65, 85323(2002)27. "Ecitons and polaritons in semiconductor microcavities", D.M.

27. Whittaker, M.S. Skolnick, T.A. Fisher, A. Artimage, D.Bacher, V.N.

28. N. Krizhanovskii, M. S. Skolnick, V. N. Astratov, A. Armitage, and J. S.

29. Roberts, Phys. Rev. B, 60, Rl 1293 (1999)31. "Stimulation of polariton photoluminescence in semiconductormicrocavity", Li Si Dang, D. Heger, R, Andre, F. Boef, R.Romestain,

30. Phys.Rev.Lett., 81, 3920 (1998)32. "Polariton-polariton scattering in semiconductor microcavities:distinctive features and similarities to the three-dimentional case", A.L

31. Tartakovskii, D.N.Krizhanovskii, V.D. Kulakovskii, Phys. Rev. B, 62,1. R13298 (2000)33. "Continuous Wave Observation of Massive Polariton Redistribution by

32. Stimulated Scattering in Semiconductor Microcavities", R. M. Stevenson, V.

33. N. Astratov, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, M. Emam-Ismail, A. I.

34. Stevenson, A. I. Tartakovskii, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, and J. S.

35. Roberts, Phys.Rev. B, 62, R16247 (2002)12135. "Coherent and incoherent polaritonic gain in a planar semiconductormicrocavity", G. Dasbach, T, Baars, M, Bayer, A. Larionov, and A. Forchel,

36. Phys.Rev. B, 62, 13076 (2000)36. "Polariton-polariton scattering in semiconductor microcavities:

37. Experimental observation of thresholdlike density dependence", T, Baars, M.

38. Bayer, A. Forchel, F. Schafer, and J. P. Reithmaier, Phys. Rev. B,61, R2409(2000)37. "Nonlinear effects in a dense two-dimensional exciton-polariton systemin semiconductor microcavities", V D Kulakovskii, A I Tartakovskii, D N

39. Krizhanovskii, N A Gippius, M S Skolnick and J S Roberts, Nanotechnology12,475(2001)38. "Polarization Control of the Nonlinear Emission of Semiconductor

40. Microcavities", M.D. Martin, G. Aichmayr, L. Vina, R. Andre , Phys. Rev.1. Lett., 89, 077402 (2002)39. "Quantum theory of spin dynamics of exciton-polaritons inmicrocavities", K.V. Kavokin, I. A. Shelykh, A.V. Kavokin, G. Malpuech, P.

41. K. V. Kavokin, Phys. Rev. B, 72. 075317 (2005)42. "Linear polarization inversion: a signature of Coulomb scattering ofcavity polaritons with opposity spins", K.V. .Kavokin, P. Renucci, T. Amand,

42. X. Marie, P. Senellart, J. Bloch, B.Sermage, Phys. Stat. Sol (c), 2, 763 (2005)43. "Экспериментальная оптика", В.В. Лебедева, издательство

43. Московского университета (1994)44. "Spin dynamics of polariton parametric amplifiers", LA. Shelykh, M.M.

44. Glazov, D.D. Solnyshkov, N.G. Galkin, A.V. Kavokin, G. Malpuech, Phys.

45. Stat. Sol. (c), 2, 768 (2005)45. "Polarisation properties of optical parametric oscillator emission in asemiconductor microcavity", D.N. ICrizhanovskii, D. Sanvitto, S. Ceccarelli,

46. Бир, А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус, ЖЭТФ, 69, 1382 (1975)50. "Exciton spin dynamics in quantum wells", M.Z. Maialle, E.A. de

47. Andrada e Silva, L.J. Sham, Phys. Rev. B, 47, 15776 (1993)51. "Exciton-light coupling in single and coupled semiconductormicrocavities:Polariton dispersion and polarization splitting", G. Panzarini,

48. L.C. Andreani, A. Armitage, D. Baxter, M.S. Skolnick, V.N. Astratov,* and J.

49. S. Roberts, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova, M.A. Kaliteevski, Phys. Rev.1. B, 59, 5082 (1999)52. "Quantum well reflectivity and exciton-polariton dispersion", F.

50. Tassone, F. Bassani, L.C. Andreani, Phys. Rev. B, 45, 6023 (1992)53. "Determination of interface preference by observation of linear-tocircular polarization conversion under optical orientation of excitons in type

51. II GaAs/AlAs superlattices", R. I. Dzhioev, H. M. Gibbs, E. L. Ivchenko, G.

52. IChitrova, V. L. Korenev, M. N. Tkachuk, B. P. Zakharchenya, Phys. Rev. B,56,13405(1997)54. "Spin dynamics of exciton polaritons in microcavities", I. A. Shelykh,

53. A.V. Kavokin, G. Malpuech, Phys. Stat. Sol. (b), 242, 2271 (2005)55. "Quantum beats between light and dark polariton states in semiconductormicrocavities", I.A. Shelykh, L. Vifia, A.V. Kavokin, N.G. Galkin, G.

54. Malpuech, R. Andre, Phys. Stat. Sol. (c), 6, 1351 (2004)12456. "Exciton quantum beats in type-II GaAs/AlAs superlattices inlongitudinal and in-plane magnetic fields", I. V. Mashkov, C. Gourdon, P.

55. McClintock, M.I. Dykman, Rep. Prog. Phys., 61, 889 (1998)60. "Topological analysis of chaotic dynamical systems", R. Gilmore, Rev.

56. Mod. Phys., 70, 1455 (1998)61. "Optical bistability in semiconductor microcavities in the nondegenerateparametric oscillation regime: Analogy with the optical parametric ocsillator",

57. A. Baas, J.-Ph. Karr, M. Romanelli, A. Bramati, E. Giacobino, Phys. Rev. В70,161307(2004)62. "Optical bistability in semiconductor microcavity", A. Baas, J. Ph. Karr,

58. Emam-Ismail, A. V, Chemenko, A. V. Kavokin, V. D. Kulakovskii, M. S.

59. Skolnick, and J. S. Roberts, Phys. Rev. B, 67, 165302 (2003)65. "Numerical modeling of the microcavity", D.M.Whittaker, Phys. Stat.1. Sol. (c), 2, 733 (2005)66. "Quantum Information Processing Using Quantum Dot Spins and Cavity

60. QED", A. Imamoglu, D. D. Awschalom, G. Burkard, D. P. DiVincenzo, D.

61. Loss, M. Sherwin, and A. Small, Phys.Rev.Lett., 83, 4204 (1999)67. "Coherence effects in light scattering of two-dimensional photonicdisordered systems: Elastic scattering of cavity polaritons", R. Houdre, С

62. Weisbuch, R. P. Stanley, U. Oesterle, and M. Ilegems, Phys. Rev. B, 61,13333 (2000)68. "Impact of exciton localization on the optical non-linearities od cavitypolaritons", D.N. Krizhanovskii, G. Dasbach, A.A. Dremin, V.D.

63. Kulakovskii, N.A. Gippius, M. Bayer, A. Forchel, Solid State Com., 119, 435(2001)69. "Localized and delocalized two-dimensional excitons in GaAs-AlGaAsmultiple-quantum-well structures", J. Hegarty, L. Goldner, M.D. Strudge,

64. Тартаковский, В.Д. Кулаковский, ЖЭТФ, 127, 141 (2005)74. "Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние вполупроводниковых микрорезонаторах" В.Д. Кулаковский, Д.Н.

65. Крижановский, М.Н. MaxoifflH, А.А. Деменев, Н.А. Гиппиус, Г.

66. Тиходеев, УФН , 175, 334 (2005)75. "Quantum beats between magnetic field split states in semiconductormicrocavity.", M.N.Makhonin, A.A.Demenev, D.N.ICrizhanovskii and

67. V.D.Kulakovskii, Phys. Stat. Sol. (c), 2, 3872 (2005)76. "Instability effects in cw FWM of cavity polaritons in planarmicrocavities", V.D.Kulakovskii, M.N.Makhonin, D.N.Krizhanovskii,

68. A.I.Tartakovskii and N.A.Gippius, Phys. Stat. Sol.(c), 2, 755 (2005)12777. "Influence of nonstimulated polariton relaxation on parametric scatteringof microcavity polaritons." D.N.Krizhanovskii, A.I.Tartakovskii,

69. M.N.Makhonin, A.N.Dremin and V.D.Kulakovskii, Phys. Rev. В., 70,195303 (2004)78. "Influence of temperature and free carries on four-wave mixing insemiconductor microcavities.", M.N. Makhonin et al., Proc. SPIE , 5023, 105(2003)128