Поверхносные акустические волны в поликристаллических сегнетоэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Министерство образования Российской Федерации Ростовский государственный университет

Диссертационный Совет Д 063.52.09 ррр 0 Д по физико-математическим наукам

2ЯЛВГ71№)

На правах рукописи

РЫБЯНЕЦ Андрей Николаевич

ПОВЕРХНОСТНЫЕ АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ростов - на - Дону 2000 г.

Работа выполнена на кафедрах физики кристаллов и структурного анализа и физики полупроводников физического факультета Ростовского государственного университета.

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор Турик А.В.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Крамаров С.О., кандидат физико-математических наук, Захаров Ю.Н.

Ведущая организация:

Южно-Российский государственный технический университет (НПИ).

Защита состоится июня 2000 г. в4 у часов на заседании Дис-

сертационного Совета Д 063.525.09 по физико-математическим наукам в Ростовском Государственном Университете по адресу: 344090, г. Ростов-на-Дону, пр. Стачки, 194, НИИ физики РГУ.

С диссертацией можно ознакомиться^ научной библиотеке РГУ (344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Пушкинская, 148).

Отзывы на автореферат просим направлять по адресу: 344090, г. Ростов-на-Дону, пр. Стачки, 194, НИИ физики РГУ.

Автореферат разослан мая 2000г.

Ученый секретарь Диссертационного Совета Д 063.525.09, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник

А.Н. ПАВЛОВ

&С/

Вз 311 03 М. Э £1. О-З

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертация посвящена исследованию особенностей распространения поверхностных акустических волн (ПАВ) в поликристаллических сегнето-электриках. Наряду с исследованием волновых характеристик (ПАВ) и объемных акустических волн (ОАВ) в сегнетопьезокерамиках (СПК), основной акцент в диссертации сделан на исследование особенностей распространения ПАВ, связанных с проявлением специфических свойств полшсристалли-чесхих сегнетоэлектриков (зернистость, доменная структура зерен, мор-фотропный и изоморфные фазовые переходы, пьезоэффект, обусловленный наличием спонтанной и остаточной поляризации), а также их изменениями в результате влияния внешних воздействий (температура, электрическое поле). ПАВ использовались нами, главным образом, как инструмент для исследования свойств и физических процессов, происходящих в СПК.

Таким образом, настоящая работа является многоплановой и тематически затрагивает широкий круг проблем из области физики сегнетоэлек-триков, акустоэлектронихи и физической акустики твердого тела.

Актуальность темы. Быстрое развитие акустоэлектроники и интенсивное использование в акустоэлектронных устройствах поликристаллических и сегнетоэлектрических материалов делает актуальным исследование новых СПК, а также особенностей распространения ПАВ в известных материалах этого класса. Вследствие прагматического подхода в большинстве работ, посвященных разработке пьезокерамических материалов и исследованию распространения ПАВ, физические механизмы не рассматривались вовсе или затрагивались лишь в незначительной степени. В результате, несмотря на многочисленные исследования в этой области, отсутствует систематический подход к проблеме и остаются неясными не только многие физические механизмы, определяющие основные характеристики ПАВ, но и общие критерии поиска материалов с заданными ПАВ-свойствами. Это делает выполненные в данной работе исследования актуальными. Использование новых ультразвуковых методов (в частности ПАВ) для исследования физических свойств поликристалдических сегнетоэлектриков также является актуальным.

Основная научная угль работы заключалась в систематическом изучении особенностей распространения ПАВ, связанных с проявлением специфических свойств поликристаллических сегнетоэлекгриков, а также их изменениями при внешних воздействиях.

Задачи научного исследования были определены в соответствии с целью работы и заключались в следующем:

- выполнить численные расчеты и измерения параметров распространения ПАВ и ОАВ во всех возможных по отношению к оси остаточной поляризации Рк плоскостях и направлениях в СПК системы ЦТС и определить влияние направления распространения и параметров СПК на структуру и характеристики ПАВ и ОАВ;

- исследовать зависимости параметров распространения ПАВ от состава для СПК системы ЦТС в широком концентрационном интервале, включающем область морфотропного фазового перехода (МФП) и установить связь структурных, электрофизических и-ПАВ-парметров;

- определить параметры распространения ПАВ в различных системах твердых растворов на основе ЦТС, титаната свинца, ниобата натрия-лития, ниобата свинца-калия, титаната натрия-висмута и ЦТСЛ;

- исследовать температурные зависимости параметров распространения ПАВ и уточнить критерии температурной стабильности СПК;

- исследовать зависимости потерь при распространении ПАВ от частоты и размера зерна и выявить физические механизмы, ответственные за затухание ПАВ в различных СПК;

- исследовать влияние электрического поля на распространение ПАВ в се-гнетопьезокерамиках с различной степенью сегнетожесткости и определить физические механизмы, определяющие изменения параметров ПАВ.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования были выбраны горячепрессованные СПК материалы на основе ЦТС, титаната свинца, ниобата натрия-лития, ниобата свинца-калия (структура ТКВБ), титаната натрия-висмута (ВСПС) и ЦТСЛ. Выбор объектов обусловлен как возможностью практического использования, так и специфичностью физических свойств выбранных составов.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. В ряде пьезокерамик системы ЦТС для семейства плоскостей (0,0,90) и (0,0,0), определяемых углом Эйлера ©, обнаружены области вырождения ПАВ в горизонтально поляризованную сдвиговую ОАВ. Вблизи этих направлений существует регистрируемая экспериментально псевдоповерхностная волна, фазовая скорость которой превышает фазовую скорость наиболее медаенной сдвиговой ОАВ.

2. Аномалии температурных зависимостей параметров распространения ПАВ в ромбоэдрических составах системы ЦТС обусловлены структурным фазовым переходом между низкотемпературной (пространственная группа симметрии ЛЗс) и высокотемпературной (113т) ромбоэдрическими фазами. Температурная зависимость времени задержки ПАВ в этом случае определяется конкурирующим влиянием температурных зависимостей резонансных частот сдвиговой и продольной объемных мод колебаний.

3. Акустические потери при распространении ПАВ в сегнетопьезоке-рамических материалах (ар) определяются двумя основными механизмами - внутренним трением и рэлеевским рассеянием на зернах, и описываются общей эмпирической формулой: ар =ар =(а/ + Ь/г)+(с/* +<#"5/Ш3, где ар,а$ - потери обусловленные внутренним трением и рассеянием соответственно,/ - частота ПАВ, И - средний размер зерна, а, Ь,с,<1-размерные коэффициенты.

4. Характер изменения времени задержки и потерь при распространении ПАВ в сегнетопьезокерамике под действием электрического поля зависит от степени сегнетожесткости и определяется, главным образом:

- в сешетожестких керамиках - взаимодействием ПАВ с движущимися носителями объемного заряда, экранирующими приложенное поле и препятствующими переключению поляризации;

- в сегнетомяпсих керамиках - доменно-ориентационными процессами.

5. Аномалии параметров распространения ПАВ в сегнетопьезокерамике ЦТСЛ (РЬ(^925Ьаоо75 *П)03 в области температуры Та, расположенной ниже температуры Кюри и соответствующей дополнительным максимумам диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических

потерь, обусловлены исчезновением дальнего сегнетоэлектрического порядка и разрушением наведенного поляризацией макродоменного состояния.

Научная новизна основных результатов и выводов исследования заключается в том, что д работе впервые:

- выполнены численные расчеты, а также измерения параметров распространения ПАВ и ОАВ для всех возможных по отношению к оси Рк. плоскостей и направлений в ряде СПК системы ЦТС;

- обнаружено в результате численных расчетов и подтверждено экспериментально существование псевдоповерхностных волн вблизи особых направлений в некоторых СПК системы ЦТС;

- обнаружены и сопоставлены со структурными и электрофизическими параметрами аномалии температурных зависимостей параметров распространения ПАВ в окрестности структурного фазового перехода (ЯЗс - ИЗт) в ромбоэдрических составах системы ЦТС;

- выполнены измерения параметров распространения ПАВ в СПК ЦТСЛ, ниобата натрия-лития, ниобата свинца-калия и титаната натрия-висмута;

- исследовано влияние электрического поля на параметры распространения ПАВ в СПК с различной степенью сегнетожестаости в широком диапазоне полей, превышающих коэрцитивное, и выявлены физические механизмы, определяющие изменения параметров ПАВ;

- получены экспериментальные зависимости потерь при распространении ПАВ от частоты и размера зерна в СПК различных систем и определены физические механизмы, ответственные за затухание ПАВ;

- обнаружены и объяснены аномалии в поведении времени задержки и затухания ПАВ в СПК ЦТСЛ (Р^о,925^*0,075 )(гго,б5ТЧз5>°зв области температуры Т<1, расположенной ниже точки Кюри и соответствующей дополнительным максимумам диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.

Научная ценность диссертационной работы состоит в систематическом исследовании особенностей распространения ПАВ, связанных с проявлением специфических свойств поликристаллических сегнетоэлектри-

ков, а также их изменениями при внешних воздействиях. Разработаны методы и обоснована возможность использования ПАВ для исследования свойств и физических явлений (фазовые превращения, доменно-ориентационные процессы, релаксация объемного заряда) в поликристаллических сегнетоэлектриках. Результаты исследования углубляют понимание физических процессов, происходящих в СПК при внешних воздействиях и фазовых превращениях, и позволяют уточнить критерии поиска СПК материалов с заданными свойствами. Большинство выполненных в диссертационной работе исследований располагается на стыке аукстоэлектропики, физики сегнетоэлектриков я физической акустики и имеет одновременно фундаментальное научное и прикладное значение.

Практическая ценность диссертации определяется развитием экспериментальных методик акустических исследований свойств материалов с помощью ПАВ, а также непосредственным применением исследованных и разработанных СПК в акусгоэлектронных устройствах. Полученные результаты использованы дня создания новых СПК материалов и устройств на ПАВ, защищенных авторскими свидетельствами [А8-АИ]. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении НИР и ОКР РГУ (№ гос. регистрации 0188.0046234,0186.0052566, 0185.0080102, 0183.0044034), а также гранта РФФИ № 99-02-17575 (Особенности фазовых состояний, возникающих в пространственно-неоднородных кристаллических сегнето-активных средах).

Личный вклад автора. Автором получены все основные результаты, которые легли в основу положений, выносимых на защиту. Лично автором под руководством проф. Турика A.B. сформулирована задача и основные направления исследований, разработана методика экспериментальных исследований, технология изготовления пьезокерамических подложек и конструкция преобразователей для измерения параметров ПАВ, выполнены все измерения параметров распространения ПАВ и ОАВ в исследованных пьезокерамиках, а также основная часть численных расчетов.

Научный руководитель проф. Турик A.B. принимал участие в обсуждении всех основных результатов, полученных в диссертации. Изготовление пьезокерамических материалов и образцов для измерения выполнялись в

НИИ физики РГУ. Соавторы работ принимали участие, в разработке и изготовлении пьезокерамических материалов (Данцигер А.Я., Клевцов А.Н., Резниченко Л.А., Разумовская О.Н.), в приготовлении экспериментальных образцов для исследований (Мирошниченко Е.С., Дранишников А.П.), в проведении ренггеноструктурных исследований (Константинов Г.М.), в измерении электрофизических параметров (Хасабова Г.И., Дорохова Н.В.), в разработке конструкций ПАВ-устройств (Днепровский В.Г., Кац В.Д.), в обсуждении полученных результатов (Дудек Ю.С., Цихоцкий Е.С., Резниченко Л.А., Раевский И.П., Панич А.Е.). В диссертации использована программа расчета параметров распространения ПАВ в анизотропной среде, предоставленная Гайвянисом Р.Ю. (Каунасский политехнический институт). Расчеты параметров распространения ПАВ выполнены при участии Науменко Н.Ф. (Институт стали и сплавов, Москва).

Апробация работы и публикации. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих Всесоюзных и Международных конференциях, совещаниях и конгрессах:

- XI и XII Всесоюзные конференции по физике сегнетоэлектриков: (г. Черновцы, 1986 г., г. Ростов-на-Дону, 1989 г.).

- III Всесоюзная конференция "Актуальные проблемы получения и применения сегнего-и пьезоэлектрических материалов" (г. Москва, 1987 г.).

- II и III Научно-технические семинары по электронным датчикам ("Сенсор-87" - г. Ленинград, 1987 г., "Сенсор-89", г.Ужгород, 1989 г.).

- III Межведомственный семинар-выставка "Получение, исследование и применение прозрачной сегнеггокерамики" (г. Рига, 1988 г.).

- VI Всесоюзная конференция по физике диэлектриков (г. Томск, 1988 г.).

- III Всесоюзная конференция по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (г. Звенигород, 1988 г.).

- Всесоюзные конференции "Акустоэлектронные устройства обработки информации"(г. Черкассы, 1988 г., 1990 г.).

- XIV Всесоюзная конференция по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, (г. Кишинев, СССР, 1989 г.).

- International Conference "Electronic Ceramics - Production and Properties" (Riga, Latvia, 1990).

- Seventh European Meeting on Ferroelectricity (Dijon, France, 1991).

- International Conference on Electronic Ceramics and Applications "Electroceraraics V" (Aveiro, Portugal, 1996).

- IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics "ISAF'96" (Rutgers University, USA, 1996).

- Международные научно-практические конференции "Фундаментальные проблемы пьезоэясктроники" ("Пьезотехника - 95", г. Ростов-на-Дону-Азов, 1995 г.), ("Пьезотехника - 96", г. Барнаул, 1996 г.), ("Пьезотехника-99", г. Ростов-на-Дону - Азов, 1999 г.).

Публикации. Всего по теме диссертации опубликовано 44 работы. Список наиболее важных работ, включает 1 монографию, 5 статей в реферируемых центральных изданиях, 2 статьи в сборнике "Пьезоэлектрические материалы и преобразователи", 4 авторских свидетельства, а также 10 тезисов докладов на Всесоюзных и Международных конференциях.

Структура диссертации определена в соответствии с целью и задачами исследования. Диссертация состоит из введения, семи глав и заключения. Работа изложена на 167 страницах машинописного текста, включающего 32 рисунка, 17 таблиц и библиографию из 103 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении дана общая характеристика работы. Обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы основная научная цель и задачи исследования, определены объекты исследования. Особое внимание уделено обоснованию новизны, научной и практической ценности полученных результатов. Сформулированы основные научные положения, выносимые на защиту, представлен личный вклад автора в диссертационную работу, приведены данные об апробации результатов работы, публикациях, объеме и структуре работы.

В первой главе рассмотрены основные типы и особенности распространения объемных и поверхностных акустических волн в анизотропной пьезоэлектрической среде с учетом ограничений, накладываемых симметрией среды распространения. Показано, что в зависимости от плоскости и направления распространения в СПК могут распространяться следующие типы ПАВ [1]:

- сложная пьезоэлектрически активная волна Рэлея (й3) с тремя компонентами смещения;

- пьезоэлектрически активная волна Рэлея (К2), имеющая две компоненты смещения и поляризованная в сагиттальной плоскости (плоскость, содержащая волновой вектор и нормаль к поверхности);

- простая двухкомлонентная пьезоэлектрически неактивная волна Рэлея (/?2), поляризованная в сагиттальной плоскости;

поляризованная перпендикулярно сагиттальной плоскости волна, сопровождаемая электрическим полем (волна Гуляева-Блюстейна (Г-Б)). Учет симметрии СПК позволил обобщить полученные результаты следующим образом:

1) Сагиттальная плоскость перпендикулярна оси остаточной поляризации керамики Рк (плоскость (100), направление распространения [100]) - моды

ч

(Г-Б)^-

2) Сагиттальная плоскость параллельна плоскости симметрии (базисная плоскость пьезокерамики (001), направление распространения [100] и плоскость (100), направление распространения [001]) - мода 1(г.

3) Произвольная ориентация сагиттальной плоскости относительно Рц -

мода .

Рассмотрена постановка задачи и алгоритм численных расчетов параметров распространения ПАВ в СПК [2]. Выполнен анализ условий существования и свойств псевдоповерхностных волн. Даны основные определения, а также физические и математические интерпретации основных волновых характеристик.

Во второй главе описаны методы изготовления экспериментальных образцов и измерения их электрофизических параметров, а также методы измерения параметров распространения объемных и поверхностных волн в СПК, в том числе методы измерения при различных внешних воздействиях. Рассмотрены методы получения высокоплотной СПК, пьезокерамических образцов, исследования микроструктуры и качества обработки поверхности подложек [3, А21].

Проведена сравнительная оценка методов измерения электрофизических параметров СПК с учетом погрешностей измерения. Для измерения электрофизических параметров СПК, наряду со стандартным методом резонанса-антирезонанса, использовались метод круговых диаграмм комплексного сопротивления и ультразвуковой динамический метод [4].

Рассмотрены параметры, характеризующие распространение ПАВ в СПК. Основными информативными параметрами ПАВ, используемыми при разработке устройств на ПАВ и исследовании материалов для этих устройств, являются [5]: скорость распространения (vs), коэффициент электромеханической связи (&,), потери при распространении (ар) и температурный коэффициент времени задержки (ТКЗ).

Описана конструкция встречно-штыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения и регистрации ПАВ и технология их изготовления. Рассмотрены методы возбуждения и измерения параметров распространения ПАВ и ОАВ. Измерения параметров ПАВ в настоящей работе выполнялись методом наложения радиоимпульсов с использованием метода трех преобразователей, в котором центральный ВШП используется для возбуждения, а два приемных, расположенных на различных расстояниях, для регистрации ПАВ [5,6]. Для некоторых измерений применялся также фазовый метод [7]. Описана методика измерения зависимостей параметров ПАВ от температуры и электрического поля. Приведены блок-схемы измерительных стецдов и перечислена используемая измерительная аппаратура.

В третьей главе рассмотрены результаты численных расчетов и измерений параметров распространения ПАВ в произвольном направлении в СПК системы ЦТС. Приведены состав, структура и наборы используемых для расчетов упругих, диэлектрических и пьезоэлектрических параметров

исследованных СПК системы ЦГС (ПКР-1, ПКР-11, ПКР-36). Рассчитаны угловые зависимости скоростей ПАВ на свободной и металлизированной поверхности, компонент смещения ПАВ, угла отклонения потока энергии, скоростей продольной и поперечных объемных волн.

На рис. 1 приведены рассчитанные угловые зависимости параметров сдвиговых ОАВ и ПАВ для семейства плоскостей (0,0,90) СПК ПКР-11. Значение угла 0 = 0° соответствует базисной плоскости пьезохерамики, перпендикулярной полярной оси Ъ, и обозначено на графике IX (&срез, У-направление распространения). Значение угла 0 = 90° соответствует плоскости симметрии, содержащей полярную ось пьезокерамикиРд, и обозначено на графике УЪ (У-срез, Ъ -направление распространения). Промежуточные значения углов соответствуют плоскостям нормаль к поверхности которых составляет угол© с полярной осью Ъ, а направление распространения лежит в плоскости У-2. Горизонтально и вертикально поляризованные сдвиговые волны обозначены БН й ЗУ соответственно. Значения

1.35 1.30

¡1.20 л 1.15 !„о

§ 1.05 ° 1.00 0.95

20

40

60

ВО

З&ил. +и )ПАВ

1 \ ПКР-11 (0,0,90)

" ! \ 1 \ ( \ * < \ V 5Н,БУ

■\SV-iBajу

эн \ ^

1 . *--.! ПАВ-мет. '

350

300 С

240 "с

с

180

9

120 а

Ь

60

0

Т1

20

40 60 9, град.

80

У2

Рис.1. Зависимости скоростей распространения сдвиговых ОАВ (Т) и Т2) и ПАВ на свободной (ПАВ-св.) и металлизированной (ПАВ-мет.) поверхности и отношения компонент смещения ПАВ («2 /(и, + и3)) от угла Эйлера 0 для семейства плоскостей (0,0,90) пьезокерамики ПКР-1 К

скоростей нормированы к величине скорости БН волны на базисной плоскости СПК.

ПАВ в диапазоне углов 0 = 25°-90° является волной типаЛ2. Коэффициент электромеханической связи (корень из удвоенной относительной разности ПАВ-св. и ПАВ-мет.) максимален при в = 60° и убывает как при уменьшении, так и при увеличении угла 0. При уменьшении угла © и сбли-

жении кривых ПАВ и SH волны Тг структура ПАВ изменяется (появляется третья компонента смещения, эллипс поверхностного смещения не лежит более в сагиттальной плоскости, а его большая ось наклонена - волна Л3) и при 0 = 0° ПАВ полностью вырождается в непьезоактивную SH ОАВ, удовлетворяющую граничным условиям свободной поверхности. Одновременно с этим в указанном д иапазоне углов появляется второе решение, соответствующее псевдоповерхностной волне. Такая ситуация достаточно часто встречается в кристаллах различной симметрии [2]. При 0 =0° ПАВ является волной Rj, фазовая скорость которой превышает скорость SH ОАВ. При отступлении от этого направления (0 > 0°) ПАВ из Л, превращается в псевдоповерхностную волну, излучающую энергию в глубь кристалла, поскольку ее фазовая скорость при этом превосходит фазовую скорость SH волны Т:. При 0 = 0° излучение отсутствует из-за того, что смещения в ПАВ и Т2 строго ортогональны. При 9 = 15° псевдоповерхностная волна вырождается в комбинацию сдвиговых объемных волн. Экспериментальные значения скоростей ОАВ и ПАВ, показанные на рис. 1 треугольниками, кружками и крестиками, хорошо согласуются с расчетными значениями. При 0 >10° потери при распространении псевдоповерхностной волны становятся столь существенными, что выполнить измерение скорости не удается.

Расчеты, выполненные для семейства плоскостей (0,0,0) ПКР-11, также показали наличие аномалий, связанных с вырождением ПАВ в SH ОАВ и появлением псевдоповерхностной волны в диапазоне углов © = 0°-15°. Угловые зависимости скоростей ОАВ и ПАВ для семейств плоскостей (0,0,90) и (0,0,0) ПКР-Зб и ПКР-11 идентичны и отличаются только абсолютными значениями скоростей. Для ПКР-1 скорость поверхностных волн при всех © остается меньшей скорости SH ОАВ, что связано с опшчием электрофизических параметров керамик ПКР-36, ПКР-11 и ПКР-1, в первую очередь отношения упругих модулей и В плоскости (90,90,40

никаких особенностей в угловых зависимостях скорости ПАВ для всех исследованных керамик обнаружено не было.

Общий характер полученных зависимостей, анализ структуры ПАВ и сопоставление с экспериментальными данными позволяет заключить, что для семейства плоскостей (0,0,90) и (0,0,0) СПК ПКР-11 и ПКР-36 в диапазоне углов © = 0°-15° наблюдается вырождение ПАВ в горизонтально поляризованную сдвиговую ОАВ. Экспериментально наблюдаемая ПАВ на базисной плоскости этих СПК является обобщенной поверхностной волной типа R2, при этом ее скорость превышает скорость наиболее медленной SH ОАВ. Вблизи этого направления в диапазоне углов в = 0°-15° существует псевдоповерхностная волна, регистрируемая экспериментально. Псевдоповерхностные волны в СПК обнаружены впервые. Результаты компьютерного моделирования были использованы для выбора оптимальных срезов и направлений распространения к оптимизации конструкций устройств на ПАВ [А9-А11].

В четвертой главе рассмотрены результаты экспериментального исследования распространения ПАВ в СПК различных систем. Приведены концентрационные зависимости структурных, электрофизических и параметров распространения ПАВ в СПК системы ЦТС в широком концентрационном интервале, включающем область МФП. Для исследований была выбрана система (Pbo,94 Bao.os) (Zn.* Tii )03 + 0,10 вес. % СпОз и 0.15 вес.% МпОг [А6,А8]. Исследованные составы отличались только отношением Zr/Ti. Установлена корреляция между поведением структурных, элек1рофи-зических и ПАВ-параметров. Отмечена роль доменных переориентации и роста подвижности доменных границ в формировании экстремумов параметров ПАВ в области МФП. Показано, что температурная стабильность времени задержки (ТКЗ) ПАВ определяется в основном теми же факторами, что и температурная стабильность резонансных частот объемных мод, а также внутреннее трение, то есть состоянием доменной структуры и подвижностью доменных границ [А1]. Полученные результаты дополняют сведения об особенностях морфотропного ФП в твердых растворах на основе ЦТС и позволяют определить критерии поиска СПК материалов дня устройств на ПАВ.

В таблице 1 приведены результаты измерения параметров ПАВ и диэлектрической проницаемости в некоторых из исследованных СПК на осно-

ве ЦТС, ниобагов щелочных металлов, титаната свинца, ниобатов свинца-калия и ЦТСЛ [А1 ,А18.А22]. СПК материалы и результаты исследований использованы для создания датчиков физических величин на ПАВ [А5, А10].

Таблица 1.

Параметры распространения ПАВ в СПК различных систем

Состав (симметрия) м/с ар, дБ/см, Г= 12 МГц <ТКЗ>,105 К4 (263 - 343 К)

ПКР-36(Т) РЬТ10,б&о,ззб^о,ообМяо.огзз^Ьода-Л 2440 0,12 0,8 60 380

ПКР-11(Рэ) 2400 0,14 1,7 115 310

ПКР-53 (Рэ) РЬТ10Д&0,704^,0168Ма0,0!7бКЪ0,0416О;! 2440 0,15 0,8 60 260

ПКР-1 (МО) РЬТ'о.^^'олО^шСЛт )0,02°з 2013 0,18 12 (11МГц) 245 655

ПКР-55 (Т) 2600 0,15 0,5 (13 МГц) 20 240

ПКР-35 (Р+Рэ) ^а0,8Ш51-'0.1237'?Г0,011ч1Ь0,988А10,(11О2.995 3480 0,11 1,2 (17 МГц) 130 120

ПКР-45 (ТКВБ) ЦДг+кРЬ^х^Ао 2750 0,11 2,3 (14 МГц) 110 270

ПКР-50 (ВСПС) 2350 0,1 0,9 125 150

ЦТСЛ (Х/65/35)(Рэ) ( РЬодаД-ао,075Хг1<).б5'г>0,з5)Оз 2230 0,15 14 (И МГц) 220 2500

Примечание: Значение <ТКЗ> является средним значением для всего рабочего интервала температур: (ТКЗ) = Ггоа*—--'351-, где т0 - время задержки ПАВ при ком-

тоАТ

натной температуре.

В пятой главе описаны результаты изм фения температурных характеристик ПАВ в различных СПК. Приведены температурные зависимости времени задержки ПАВ в СПК системы ЦТС различной симметрии (тетрагональные, ромбоэдричекие, область МФП), титаната свинца, ниоба-та натрия лития, ниобата свинца калия и ЦТСЛ [А1,А4,А16]. Определены структурные и физико-химические причины температурной стабильности ПАВ и эмпирические критерии поиска температурно стабильных СПК. Описаны методы внешней температурной стабилизации ПАВ в СПК с использованием лозисторных элементов [А 12].

Установлено, что в исследованных составах в диапазоне температур (-10° С +80° С) имеется три различных типа температурных зависимостей времени задержки ПАВ Ах/т.

(1) ¿i/гувеличивается с температурой практически линейно;

(2) Ах/химеет приблизительно параболическую температурную зависимость с минимумом в исследованном интервале температур;

(3) Ах/г последовательно проходит через максимум и минимум при увеличении температуры.

Первый "нормальный" тип температурного поведения наблюдался для большинства исследованных составов. Увеличение Ах/т (уменьшение скорости ПАВ) с температурой в этом случае обусловлено ростом пьезоэлектрического вклада в упругие податливости пьезокерамики S*у, а также ростом подвижности доменных стенок при приближении к температуре Кюри [8,А1].

Второй тип температурного поведения Ах/т ПАВ обнаружен в некоторых ромбоэдрических составах на основе ЦТС и обусловлен структурным ФП межцу низкотемпературной (пространственная группа симметрии R3c) и высокотемпературной (R3m) ромбоэдрическими фазами при температуре ниже -10" С . Температурная зависимость Ах/х аналогичного вида наблюдалась в пьезокерамиках со структурой ТКВБ, и была связана с изменениями состояния вторичной текстуры керамики и аномальными температурными коэффициентами (ТК) модулей упругости однодоменных кристаллов, образующих керамику.

Температурная зависимость Ах/х ПАВ третьего типа показана на рис. 2. На этом рисунке также приведены для сравнения температурные зависимости резонансных частот радиальной и сдвиговой обьемных мод. Можно видеть, что âf/J и Ах/х изменяются с температурой немонотонно. Этот тип температурного поведения также обусловлен ФП между двумя ромбоэдрическими фазами в диапазоне температур (10°-20° С). Температура То структурного ФП соответствует минимуму температурной зависимости Af/f радиальной объемной моды [8] и максимуму Ах/х ПАВ. Структурные изменения при ФП в Рэ кристаллитах, связанные с изменением простран-

ственной группы симметрии, приводят к аномалиям электрофизических, в том числе упругих, свойств пьезокерамики (отрицательный температурный

ции кристаллитов при ФП также ведет к изменению Рк и пьезоэлектрического взаимодействия, дающего в свою очередь вклад в упругие податливости керамики [9]. Сравнение полученных зависимостей позволяет заключить, что температурное поведение времени задержки ПАВ в окрестности температуры структурного фазового перехода (ЯЗс - ЯЗга) определяется конкурирующим влиянием температурных зависимостей резонансных сдвиговой и радиальной объемных мод.

Исследованы акустические аномалии параметров распространения ПАВ при фазовых превращениях (ФП) в СПК ЦТСЛ (ХУ65/35) [А13]. На рис. 3 показаны температурные зависимости диэлектрических и ПАВ-параметров для состава ЦТСЛ (7,5/65/35). Полученные температурные зависимости имеют выраженный нелинейный характер. При Та » 75° С наблюдаются дополнительные пики е^/го и связанные с ФП из сегнетоэлек-

трической Р3 в "квазисегнетоэлектрическую" фазу, характеризуемую отсутствием дальнего сегнетоэлектрического порядка [10]. При этой же температуре наблюдаются аномалии в поведении Дг/г и ар ПАВ: ар имеет максимум, а Ат/т - изрезанный минимум. Отмечается также заметный температурный гистерезис, обусловленный близостью исследованного состава к области МФП и низкой температурой Кюри (-120° С).

коэффициент упругой податливости Изменение спонтанной поляриза-

-10 О 10 20 30 40 50 60 70 80

Рис. 2. Температурные зависимости СДВИГОВОЙ (ДГ/Г[5 ) и радиальной (Д£ТГ) резонансных частот и времени задержки ПАВ (Дт 1%) для ромбоэдрического состава ШСР-53.

-10 О 10 20 30 40 50 60 70 80

Температура, "С

30 45 60 75

0.3 0.0 -0.3 -0.6 -0.9

--—1— '—1—- 1— Дг/г а [

о

/ • 1

(

о \ •

/ \

V . 0-0-0-0"° \1 •

30 45 60 75 Температура, °С

27

15

24

В *? 12

о

21 т-

X 9

, § о

18 6

и

15 3

90 120

30 60 90 120 Температура, °С

10 8

со"

6 4 2

Рис. 3. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости тангенса угла диэлектрических потерь^<5), времени задержки (Дг/г) и потерь при распространении (ар)ПАВ для состава (РЬо,9251^0,075 Х^о,65^0,35)03 •

В соответствии!! с принятыми представлениями о ФП в ЦТСЛ [10,11] наблюдаемое аномальное уменьшение Дг/г ПАВ вблизи Та может быть связано с возникновением при распаде макродоменной структуры значительных механических напряжений, существенно увеличивающих эффективную жесткость керамики. Увеличение потерь при распространении ПАВ при нагревании обусловлено, главным образом, рассеянием ПАВ на движущихся доменных стенках, зародышах высокотемпературной фазы и неоднородных механических напряжениях. Исчезновение сигнала ПАВ при Т ^ Т<1 = 75° С согласуется с представлением о Та, как о температуре разрушения макроскописческого поляризованного состояния [10]. Наблюдаемое частичное восстановление сигнала ПАВ после охлаждения образца также очевидно обусловлено индуцированием неоднородными механическими напряжениями исходного поляризованного состояния.

В шестой главе рассмотрены результаты измерения потерь при распространении ПАВ в частотном диапазоне от 10 до 100 МГц в различных СПК. На рис. 4 показаны частотные зависимости потерь при распространение ПАВ в модифицированной СПК Маьх Ц хЫЪО э (х= 0.11 -0.125) с различным размером зерна [А1]. Математическая обработка (полиномиальная ап-

проксимация) позволила получить следующую эмпирическую формулу, описывающую полученную зависимость: ар =ар +а$=в/+с/4£)3, где а>-

истинные диссипативные потери, обусловленные внутренним трением, аБ -потери, вызванные рэлеевским рассеянием на зернах, а = 0.07 дБ/(см • МГц), с = 3.8-103 дБ/(см МГц)4, Х> и/- средний размер зерна в см и частота в МГц, соответственно. Этот результат хорошо согласуется с результатами измерений для СПК ЦТС и ВаТЮз [12, А14], но противоречит результатам, полученным для керамики РЬТЮз, для которой потери на внутреннее трение ар ~/2 [13]. Полученные нами систематические экспериментальные данные для СПК системы ЦТС, титаната свинца и ниобата натрия-лития, показывают, что потери при распространение ПАВ в частотном диапазоне 10-100 МГц определяются двумя основными механизмами: рэлеевским рассеянием на зернах и внутренним трением и могут бьггь представлены в виде общей эмпирической формулы:

аР (дБ/см) =аР + а5= (а/+Ь/2) +• (с/4 -О3, где а, Ь, с, й - размерные коэффициенты.

Согласно теоретическому анализу затухания объемных волн в поликристаллических материалах а5 = К В3/4 для рэлеевского типа рассеяния (Л >>Л), где Л - длина волны, а К-постоянная [14]. Потери ПАВ, обусловленные рассеянием на множественных дефектах, согласно теории [15], пропорциональны Р для поверхностных дефектов и увеличиваются более медленно для дефектов локализованных в глубине. Поскольку ПАВ в СПК рассеивается не только поверхностными зернами (ПАВ на использованных частотах имеет Л= 20-200 мкм, размер зерна в исследованных пьезокерами-ках 2-7 мкм), полученная нами зависимость а5- (с/* Г>3 для потерь, обусловленных рассеянием ПАВ, хорошо согласуется с теоретическими представлениями. Потери, обусловленные внутренним трением ар в общем случае определяются как произведение внутреннего трения 0м"' и частоты/ (ар ~ <2м~1./). Основным источником электрического и упругого внутреннего трения в СПК являются колебания доменных стенок [А1]. Внутренне трение ()мл может быть представлено как комбинация чисто механических потерь <2„- (практически частотно независимых) и диэлектрических потерь

tg<5 (пропорциональных частоте) в виде пьезоэлектрической комбинации: - А 2т'1 +• В к2 tg<^, где А и В- постоянные, к - коэффициент электромеханической связи [13]. Это приближенное уравнение хорошо согласуется

15

30

45

60

20 -

15 -

5

о

ш 10 -

•

"а. 5 -

а

0-

-т---1-1-1---1—

15

30 45 Частота, МГц

т---г

60

20

15

10

5

О

Рис 4. Частотные зависимости потерь на распространение ПАВ для пьезокерамики Ыа^УхМЪОз с различным размером зерна:

1 - Б = 7 мкм;

2 - Б = 4 мкм;

3 - Б = 2,5 мкм.

с нашими экспериментальными результатами (ар-а/ +Ь/2). Таким образом, нами получено общее эмпирическое уравнение, определяющее потери при распространении ПАВ, которое хорошо описывает все известные экспериментальные результаты ддя различных С ПК.

В седьмой главе приведены результаты исследования влияния электрического поля на распространение ПАВ в СПК ЦТС и титаната свинца с различной степенью сегнетожесткости в интервале полей, превышающем коэрцитивное. На рис. 5 показана зависимость Ах/т от величины и направления приложенного поля Е, типичная для сегнегомягких пьезокерамтс. Резкие пики на кривой Ах/г (Е) вызваны переключением части пьезокера-мической пластины под электродами. Качественный анализ взаимодействия ПАВ с доменной структурой пьезокерамики [А2] позволил заключить, что изменения Ах/т под действием постоянного электрического поля в сегнегомягких керамиках обусловлены процессами перестройки доменной структуры СПК. На рис. 6 показаны зависимости Ах/т и Ор ПАВ от времени при воздействии на пьезокерамический звукопровод положительного импульса напряжения. Полученная зависимость типична для сегнетожестких керамик. Качественный анализ взаимодействия ПАВ с носителями заряда и особенности протекания тока диэлектрической абсорбции в СПК [АЗ] позволили

заключить, что полученные зависимости являются результатом взаимодеи-ствия поперечной компоненты электрического поля, сопровождающего

-20

-ю

ю

20

4-

Н" <

-4

■■I ■ V- I---- 1 1 |\ 1 V 1 ч 1 1 —|—1—1—] ? - 1 1 1 1 14>

:: ::'■• •-*

Рис 5. Зависимость относительного изменения времени задержки Лт/т ПАВ от напряженности электрического поля для сегнетомягкой пье-зокерамихи ПКР-1. Коэрцитивное поле, измеренное на частоте 50 Гц, - 8 кВ/см.

-20

-ю о ю Е * 10-5, В/м

20

ПАВ в пьезоэлектрихе с движущимися носителями объемного заряда, экранирующими приложенное поле и препятствующими переполяризации керамики. В результате измерений различных типов керамик установлено, что характер изменения параметров распространения ПАВ под действием электрического поля зависит от степени сегнегожестжости керамики и определяется, главным образом:

- в сегнетожестких керамиках - взаимодействием ПАВ с движущимися носителями объемного заряда, экранирующими приложенное поле и препятствующими переключению поляризации;

- в сегнетомягких пьезокерамиках - доменно-ориентационными процессами.

t, С

Рис 6. Зависимости относительного изменения времени задержки и затухания ПАВ при воздействии отрицательного импульса напряжения (Е =12 кВ/см) длительностью 150 с для сегне-тожесткой керамики ПКР-55. Коэрцитивное поле, измеренное на частоте 50 Гц,-40 кВ/см.

Основные результаты и выводы

1. В работе выполнено систематическое исследование особенностей распространения ПАВ, связанных с проявлением специфических свойств поликристаллических сегнетоэлектриков, а также их изменениями в результате влияния внешних воздействий.

2. Разработаны методики и обоснована возможность использования ПАВ для исследования свойств и физических процессов (фазовые переходы, домено-ориентационные процессы, релаксация объемного заряда) в поликристаллических сегнетоэлектриках.

3. Обнаружено в результате численных расчетов и подтверждено экспериментально существование псевдоповерхностных волн вблизи особых направлений в ряде СПК системы ЦТС.

4. Измерены необходимые для практического использования комплексы параметров распространения ПАВ и электрофизических параметров в СПК на основе ЦТС, титаната свинца, ЦТСЛ, ниобата натрия-лития, ниобата свинца-калия и титаната натрия-висмута. Определены критерии поиска СПК материалов с заданными ПАВ-свойствами.

5. Выявлены физические механизмы, ответственные за изменения параметров распространения ПАВ в СПК при различных внешних воздействиях (температура, электрическое поле). Полученные результаты использованы для создания новых типов устройств (управляемые устройства, датчики физических величин на ПАВ).

6. Исследованы температурные характеристики параметров распространения ПАВ, а также зависимости потерь при распространении ПАВ от частоты и размера зерна в СПК различных систем. Полученные результаты позволили уточнить критерии температурной стабильности и дополнить сведения о механизмах акустических потерь в СПК.

7. Выполнены исследования распространения ПАВ при морфотроп-ном и структурном (ЯЗс-ЯЗт) фазовых переходах в СПК на основе ЦТС и фазовом переходе в "квазисегнехоэлектрическое" состояние в ЦТСЛ, дополняющие сведения об особенностях фазовых превращений в СПК.

8. Результаты, полученные в настоящей работе, подтверждают целесообразность дальнейшего совершенствования методик и проведения ис-

следований поликристаллических сегнетоэлектриков с использованием

ПАВ и позволяют сформулировать ряд новых задач, являющихся продолжением исследований, выполненных в данной работе.

Список цитированной литературы

1. Дьелесан Э., Руайе Д. Упругие волны в твердых телах: Пер. с фр,- М.: Наука, 1982.-424 с.

2. Фарнелл Дж. Свойства упругих поверхностных волн - в кн.: Физическая Акустика. Т.4. Подред. У. Мэзона и Р. Тьерстена,- М.: Мир, 1973.- 432 с.

3. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерамиче-ские материалы. - Ростов н/Д: Изд-во Ростов, ун-та, 1983,- 160 с.

4. Пьезокерамические преобразователи. Справочник. Под. ред. С. И. Пугачева.- Л.: Судостроение, 1984.- 256с.

5. Поверхностные акустические волны. Под ред. А. Олинера. - М.: Мир, 1981.-390 с.

6. Каринский С.С. Устройства обработки сигналов на ультразвуковых поверхностных волнах. - М.: Сов. рад., 1975.- 173 с.

7. Колесников А.Е. Ультразвуковые измерения.- М.: Изд-во стандартов, 1970,- 237 с.

8. Bamett Н.М. Evidence for a new phase boundary in the ferroelectric lead zirconate- lead titanate system //J.Appl. Phys.-1962.- Y.33, N4,- P.1606-1610.

9. Турик A.B., Чернобабов А.И., Комаров В.Д. Диэлектрические и упругие постоянные химически чистой керамики ВаТЮз // ЖТФ.- 1978.- Т.48, N3.- С.583-587.

10. Завадский Э.А., Ищук В.М. Метастабильные состояния в сегнетоэлек-триках. - Киев: Наукова Думка, 1987.- 256 с.

11. Фрицберг В.Я., Штернберг А.Р. Физические свойства сегнетоэлектриче-ских материалов,- Рига: Изд-во Латв. ун-та, 1981 .-139с.

12. DeVries A.J., Miller R.L. Optical measurement of surface-wave scatter losses in piezoelectric ceramics //Appl. Phys. Lett.- 1972. -V.20, N6.- P. 210-212.

13. Juomura S., Nagatsuma K., Takeuchi H. SAW propagation loss mechanism in piezoelectric ceramics II J. Appl. Phys.-1981.- V.52, N7.- P.4472-4478.

14. Smith R.L. The effect of grain size distribution on the frequency dependence of the ultrasonic attenuation in polycrystalline materials II Ultrasonics.-1982.-V.20.N5.-P.211-214.

15. Steg R.G., KJemens P.G. Scattering of Rayleigh waves by surface irregularities II Phys. Rev. Lett.- 1970.- Y.24, N8.- P.381-383.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

А1. Гавриляченко С.В., Резниченко JI.A., Рыбянец А.Н., Гавриляченко В.Г. Пьезокерамнка для частотно-селективных устройств (Получение, свойства, применения). - Ростов н/Д: Изд-во Pi 11 У, 1999.- 240 с.

А2. Рыбянец А.Н., Турик А.В., Дорохова Н.В., Мирошниченко Е.С. Влияние постоянного электрического поля на распространение поверхностных акустических волн в пьезокерамике системы ЦТС //ЖТФ.- 1986.-Т.56, N12. -С.2371-2376.

A3. Рыбянец А.Н., Турик А.В. Распространение поверхностных акустических волн в пьезокерамике в присутствии электрического поля // Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1987,- V.5I,N12, С.2244-2248.

А4. Рыбянец А.Н., Турик А.В. Распространение поверхностных акустических волн в пьезокерамических материалах.- Сборник статей "Пьезоэлектрические материалы и преобразователи".- Ростов-на-Дону: Изд-во. РГУ, 1989, С.79-86.

А5. Панич А.Е., Рыбянец А.Н., Турик А.В. Датчики электрического напряжения на ПАВ на основе пьезокерамики.- Сборник статей "Пьезоэлектрические материалы и преобразователи".- Ростов-на-Дону: Изд. РГУ, 1989, С.131-132.

А6. Dudek J., Rybianec A.N., Turik A.Y. Polikrystaliczne Materialy do Propagacji AFP II Akustyka Molekularna I Kvantova.- 1991.- V.12.- P.97-111.

A7. Dudek J., Lazaj K., Rybianec A.N., Rajewskij I.P., Malickaja МЛ., Poltawlsew W.G. Temperaturowa Stabilizacja Parametrow Propagacji AFP w Ceramice Typu PZT /I Akustyka Molekularna I Kvantova. -1991.- V.12.-P.90-95.

А8. Заявка № 4939642/33. Пьезоэлектрический керамический материал. Приоритет изобретения 25.09.91. Положительное решение от 10.03.92 г. (Дудек Ю.С., Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Дудки-на С.И., Рыбянец А.Н., Чернышков В.Г.).

А9. А.с. № 1805290. Датчик перемещений. Приоритет изобретения 05.09.90 г. (Кац В.Д., Рыбянец А.Н., Банков В.Н.).

А10. А.с. № 1818679. Датчик скорости перемещений. Приоритет изобретения 22.01.91r. {Кац В.Д., Рыбянец А.Н., Банков В.Н., Днепровский В.Г.).

All. Заявка № 93039101. Весоизмерительное устройство. Приоритет 30.07.93 г. Положительное решение от 30.1 1.94 г. (Кац В.Д., Лысенко М.В., Рыбянец А.Н., Степаненко Ю.П.).

А12. Раевский И.П., Рыбянец А.Н, Малицкая М.А., Полтавцев В.Г., Турик А.В. Термосгабияизация и управление параметрами устройств на ПАВ с помощью позисторных элементов // ЖТФ.- 1992.- T.62.N.4.-С. 199-202.

А13. Рыбянец А.Н., Турик А.В., Константинов Г.М. Аномалии параметров распространения поверхностных акустических волн при фазовых превращениях в прозрачной сегнегокерамике ЦТСЛ // Тр. III Межведомственного семинара-выставки "Получение, исследование и применение прозрачной сегнегокерамики", апрель 1988 г., Рига, 1988.- С.139-141.

А14. Ribyanetz A. Surface acoustic waves propagation in ferroelectric ceramics //Proc. International Conference "Electronic Ceramics - Production and Properties", April 30 - May 2, 1990. - Riga, Latvia. Part. 2,- Riga, 1990.-P.28-30.

A15. Ribyanetz A. Polycrystalline Materials for SAW devices // Proc. International Conference "Electronic Ceramics - Production and Properties", April 30 - May 2, 1990. - Riga, Latvia. Part. 1.- Riga, 1990.-P. 177-179.

A16. Рыбянец A.H., Мирошниченко E.C., Разумовская О. H. Температурно-стабильная пьезокерамика для устройств на ПАВ // Тр. Всесоюзной конференции "Акусгоэлектронные устройства обработки информа-

ции на поверхностных акустических волнах", 6-8 сентября 1990 г., Черкассы.-Киев, 1990.-С.367-368.

А17. Ribjanetz A. SAW propagation in polycrystalline ferroelectrics // Seventh European Meeting on Feiroelectricity, 8-12 July 1991,- Dijon, France. Abstracts № 7024.- P.465.

A18. Резниченко Л.А., Рыбянец A.H., Турих A.B. Ниобатная пьезокерами-ка для ПАВ-устройств. II Тр. Международной научн.-практ. конф. "Фувдаментльные проблемы пьезоэлекгроники"("Пьезотехника- 95"), сентябрь 1995, Ростов-на-Дону, Азов.- Т.1.- Ростов н/Д.- С. 74-95.

А19. Рыбянец А.Н., Турик А.В., Цихоцкий Е.С. Электрофизические свойства и поверхностные акустические волны в сегнетокерамихах системы ЦТС II Тр. Международной научн.-практ. конф. "Фундаментльные проблемы пьезоэлектроники"("Пьезотехника- 95"), сентябрь 1995, Ростов-на-Дону, Азов.- Т.1.- Ростов н/Д.- С.142-147.

А20. Reznitchenko L.A., Rybjanets A.N. Effects of ceramic graininess on the properties of lithium-sodium-niobate fenoelectric ceramics // Proc. International Conference on Electronic Ceramics and Applications "Electroceramics V", 1996.- Aveiro, Portugal. V.l, 1996.- P.287-289.

A21. Klevtsov A.N., Reznitchenko L.A., Rybjanets A.N., Gavriljatchenko S.V., Razumovskaja O.N. High-efficient manufacturing method of ferroelectric ceramics for high-frequency applications II Proc. International Conference on Electronic Ceramics and Applications "Electroceramics V", 1996.-Aveiro, Portugal., V.l, 1996.- P.597-600.

A22. Рыбянец A.H. Полижристаллические сегнетоэлектрики: основные исследования для ПАВ-устройств //Тр. Международной научн.-практ. конф. "Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения" ("Пьезотехника - 99"), 14-18 сентября 1999г., Ростов-на-Дону, Азов.-Т2.-Ростов н/Д, 1999.- С.131-138.