Поверхностная сегрегация фосфора, сурьмы, мышьяка и галлия в монокристаллах кремния и германия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1. Поверхностная сегрегация металлов в полупроводниках

1.1 Теории поверхностной сегрегации

1.2. Экспериментальные исследования адсорбции и сегрегации металлов на поверхности кремния и германия 1.3 Влияние поверхностной сегрегации примесей на поверхностные свойства полупроводников

Актуальность темы. Исследованию поверхностных явлений в полупроводниках в настоящее время уделяется значительное внимание. Развитие полупроводниковой и аналоговой микроэлектроники идет по пути миниатюризации схем. По мере уменьшения продольных и вертикальных размеров полупроводниковых структур, возрастает роль поверхности, свойства которой имеют определяющее значение во многих практически важных процессах. Одновременно с минитюаризацией в сверхбольших интегральных схемах (СБИС) происходит разработка новых приборов и структур на основе кремния, германия и полупроводниковых соединений для производства датчиков и всех типов электрооптических приборов. Все это требует всесторонних и глубоких знаний о состоянии поверхности.

К числу наиболее широко изучаемых поверхностных явлений относится поверхностная сегрегация. Поверхностная сегрегация является одной из актуальных проблем физики, химии и механики поверхности. Она привлекает внимание специалистов различных областей науки и техники. Сегрегация компонентов на границе раздела фаз играет определяющую роль в процессах разрушения материалов в агрессивных средах, при фазовых переходах в многокомпонентных системах, формировании вторично-эмиссионных свойств материалов и т.д. Для современной микроэлектроники поверхность представляет собой новый тонкий полупроводниковый материал со своими специфическими свойствами. Результаты экспериментальных и теоретических исследований поверхностной сегрегации необходимы при разработке и создании новых приборов, а также интенсификации различных технологических процессов. Они позволяют выбирать виды и режимы воздействия на материалы для целенаправленного изменения их свойств и предсказывать не5 желательные изменения этих свойств в процессе эксплуатации. За последние годы накоплен обширный материал по исследованию сегрегации в полупроводниковых соединениях, однако до настоящего времени отсутствуют систематические исследования закономерностей поверхностной сегрегации в монокристаллических твердых растворах на основе Si и Ge с заданной ориентацией, легированных при выращивании. Результаты работ по исследованию поведения легирующей примеси, полученные различными методами, во многом противоречивы. Влияние термообработки на процесс перераспределения легирующего компонента проводилась в основном в области температур 773 - 1473 К. Возможность получения наиболее достоверных результатов по количественному и качественному составу поверхностных слоев появилась только с развитием таких высокочувствительных методов анализа как ЭОС, ВИМС, СХПЭЭ и ДМЭ, существенно дополняющих друг друга.

Существующие теории поверхностной сегрегации не позволяют полностью описать полученные экспериментальные результаты. Можно отметить лишь их качественное согласие.

Цель работы. Комплексное исследование методами низкоэнергетической электронной и ионной спектроскопии закономерностей поверхностной сегрегации на грани (111) монокристаллов кремния и германия, легированных при выращивании элементами V и III групп Периодической системы, находящих широкое применение при производстве дискретных приборов и интегральных микросхем ( КЭФ- 0.3, ГЭФ- 0.01, КЭМ- 0.003, КЭС- 0.01, ГЭС- 0.02 и ГДГ-0.001 ), а также определение ряда важнейших характеристик поверхностей этих материалов, связанных с межчастичными взаимодействиями. 6

Научная новизна. Впервые методами электронной и ионной спектроскопии проведены систематические исследования и показана сегрегация легирующих примесей донорного и акцепторного типа на грани (111) кремния и германия в интервале температур 323 - 723К.

Методами ЭОС и ВИМС показано, что на грани (111) образцов КЭФ-0.3, ГЭФ- 0.01, КЭМ- 0.003, КЭС- 0.01, ГЭС- 0.02 и ГДГ- 0.001 состав поверхности немонотонно изменяется с температурой. По данным ДМЭ, СХПЭЭ и РУРМЭП установлено влияние поверхностной сегрегации примесей на атомную и электронную структуры поверхности элементарных полупроводников. Профили распределения компонентов при переходе от поверхности к объему материала характеризуются монотонным убыванием содержания легирующих элементов. При изотермической выдержке концентрация примеси на поверхности возрастает и достигает со временем насыщения. С повышением температуры время достижения насыщения уменьшается.

Установлено резкое расхождение экспериментальных данных по составу поверхности (111) КЭФ- 0.3, КЭС- 0.01, КЭМ- 0.003, ГЭФ- 0.01 и ГЭС-0.02, полученных методами ЭОС и ВИМС, с результатами расчетов в рамках термодинамики поверхности и дано им объяснение.

Получены соотношения, позволяющие теоретически рассчитать поверхностное натяжение и состав поверхности с учетом существования на поверхности барьерного слоя.

Впервые с использованием экспериментальных и теоретических данных, полученных в ходе выполнения настоящей работы, определены дифференциальные молярные эффекты адсорбции и поверхностное натяжение на грани (111) кремния, легированного фосфором, сурьмой и мышьяком при разных температурах. Рассчитаны также коэффициенты диффузии и энергии активации диффузии по спектроскопическим данным. 7

Практическая ценность.

Экспериментальный материал по сегрегации, атомной и электронной структуре на поверхности (111) кремния и германия, легированных при выращивании, а также выводы и обобщения, сделанные на их основе, могут быть успешно использованы при построении теории поверхностных явлений в многокомпонентных системах, разработке методов легирования металлами поверхности полупроводников, а также методов управления свойствами полупроводников и полупроводниковых приборов с помощью легирования поверхностей и границ разделов.

На защиту выносятся:

1.Совокупность результатов исследования методами ЭОС, СХПЭЭ, РУР-МЭП, ВИМС и измерения удельного поверхностного сопротивления, среди которых:

- немонотонные температурные зависимости поверхностной концентрации легирующих элементов на грани (111) кремния и германия;

- концентрационные профили в поверхностных слоях образцов, широко используемых в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем;

- кинетические кривые поверхностной сегрегации легирующих примесей в элементарных полупроводниках.

2. Результаты теоретических расчетов термодинамических и кинетических характеристик поверхности (111) легированных полупроводников, связанных с межчастичными взаимодействиями компонентов.

Степень обоснованности научных положений, выводов и рекомендаций, сформулированных в диссертации. Оже-спектры всех элементов и соединений, полученных на экспериментальной установке, совпадают по форме ли8 ний и энергетическому положению с атласом Ожэ-спектров и данными других авторов. Все измерительные приборы ежегодно проходили поверку в метрологических лабораториях КБГУ и КБР. Основные результаты, полученные в работе, не противоречат современным представлениям физики поверхности.

Конкретное личное участие автора в получении научных результатов, изложенных в диссертации. Задачи были сформулированы научным руководителем профессором А.А.Шебзуховым, который оказал помощь в создании экспериментальной установки и принимал участие в обсуждении результатов. Диссертантом сконструированы ионный источник и кристаллодерджатель с электронным нагревом образца и зондовой головкой для измерения удельного поверхностного сопротивления. На установке ВИМС реализована система радиационного нагрева образца. Диссертантом проведены также все измерения на спектрометре . Исследования методом ВИМС, интерпретация спектров и количественный анализ проведен совместно с A.M. Кармоковым. Теоретические расчеты проведены с научным руководителем и другим соавторами при равном долевом участии. 9

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Методами низкоэнергетической электронной спектроскопии (ЭОС, СХПЭЭ, РУРМЭП), вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и дифракции медленных электронов (ДМЭ) исследованы закономерности поверхностной сегрегации на грани (111) твердых растворов на основе кремния и германия с легирующими примесями фосфора, сурьмы, мышьяка и галлия.

2. Для образцов КЭФ-0,3, КЭС-0,01, ГЭФ-0,01, ГЭС-0,02 и ГДГ-0,001 методом ЭОС и КЭМ-0,003 методом ВИМС обнаружена сегрегация легирующих примесей. В процессе термической обработки зафиксированы температуры Тк, на которые приходятся максимальные значения поверхностных концентраций исследуемых элементов.

3. Исследована кинетика поверхностной сегрегации легирующих примесей в кремнии (Р, Sb, As) и германии (Р, Sb, Ga). Изотермичес-кая выдержка приводит к росту и насыщению концентрации легирующей примеси на поверхности. Увеличение температуры изотермической выдержки уменьшает время выхода на насыщение.

4. Методами ЭОС и ВИМС проведён анализ состава поверхностного слоя по глубине. Результаты профильного анализа свидетельствуют о том, что высоколегированный поверхностный слой (с концентрацией легирующего элемента близкой к пределу растворимости) толщиной около 10 нм можно получить подбором режимов температурной обработки кристаллов, не используя дополнительного внедрения, сопровождаемого различными нежелательными эффектами.

5. Методом дифракции медленных электронов исследованы структурные изменения на поверхности (111) образца КЭФ-0,3, связанные с поверхностной сегрегацией. Обнаружена атомная структура КЭФ-0,3 (111)

134

5x5) после выдержки при температуре 413 К, которая после нагрева и выдержки при 673 К переходит в структуру КЭФ-0,3 (11 l)-(lxl).

6. Методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и резонансного упругого рассеяния медленных электронов установлено изменение электронной структуры на поверхности монокристаллов, вызванное сегрегацией легирующей примеси.

7. Сравнение политерм поверхностной концентрации и удельного поверхностного сопротивления р(Т) для образцов КЭФ-0.3 (111), КЭС-0.01 (111) и ГЭС-0.02 (111) показывает, что при температурах Тк на кривых Х(ст)(Т) наблюдается максимум, а на зависимостях р(Т) - минимумы. Это свидетельствует об увеличении концентрации электрически активной части легирующего элемента в результате поверхностной сегрегации.

8. Установлено резкое расхождение экспериментальных данных по поверхностной сегрегации легирующих примесей фосфора, сурьмы и мышьяка на грани (111) кремния, а также фосфора на грани (111) германия, полученных методом электронной оже-спектроскопии и вторично ионной масс-спектрометрии, с результатами численных расчетов в рамках термодинамической теории поверхностной сегрегации с учетом межчастичных взаимодействий (теоретические данные в десятки раз превосходят значения, полученные в эксперименте). Высказано предположение о том, что причина этих расхождений связана с поверхностной сегрегацией легирующих примесей металлов донорного типа в элементарных полупроводниках в виде ионов (ионосорбция), сопровождаемая образованием двойного слоя, барьерного типа, ограничивающего накопление в поверхностном слое сегрегирующего вещества.

9. Получено уравнение, позволяющее рассчитать поверхностную концентрацию легирующих примесей донорного типа в кристаллах

135 элементарных полупроводников при различных температурах с учетом наличия заряда у сегрегирующих частиц.

10. Результаты расчетов по этому уравнению равновесной концентрации фосфора, сурьмы и мышьяка на грани (111) образцов КЭФ - 0,3, КЭС -0,01, КЭМ - 0,003, а также фосфора на грани (111) ГЭФ - 0,01 в интервале температур от ~400 до 700 К находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными (максимальное расхождение между этими данными, имеющими место при высоких температурах, не превышает

30 %).

11. В ходе решения поставленной задачи рассчитаны значения поверхностного натяжения фосфора, сурьмы и мышьяка, а также разности потенциалов на поверхности и в объеме в указанных выше интервалах температур.

12. Впервые проведен расчет ряда термодинамических характеристик (дифференциальные молярные энтропийные и тепловые эффекты, вторая производная молярного термодинамического потенциала по составу, поверхностное натяжение) поверхности (111) кремния, легированного фосфором, сурьмой и мышьяком при разных температурах.

13. С использованием экспериментальных данных профильного оже-анализа и кинетики поверхностной сегрегации рассчитаны коэффициенты диффузии легирующих примесей (Р, Sb, As) в кремнии и германии.

15. Теоретически рассмотрено влияние внешнего электрического заряда на поверхности на распределение примеси в полуограниченном полупроводниковом кристалле и уточнена соответствующая формула, полученная ранее другими авторами.

136

1. Hondros Е. D., Seah M. P. 1.terfacial and surface microchemistry. // Physical metallurgy. - 1983,- v.22. - p.875-895.

2. Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах. //Поверхность. 1983. -N8. - с.13-22

3. Шебзухов А. А. Теория поверхностной сегрегации в концентрирваных растворах. //Поверхность. 1983. -N9. - с.31-39

4. Русанов А. И. Фазовые равновесия и поверхностные явления JI. Химия. - 1967. - 388с.

5. Шебзухов А. А., Карачаев А. М. В кн.: Поверхностные явления на границах конденсированных фаз. Нальчик,- 1983,- с. 23- 48.

6. Шебзухов А. А., Карачаев А. М. Сегрегация, избыточное напряжение и адгезия на границе многокомпонентных конденсированных фаз. // Поверхность,- 1984,-N5,- с. 58- 67.

7. Wynblatt P., Ku R.C. Surface energy and solute strain energy effects insurface segregation//Surf. Sci. 1977. - v.65. - N2. - p.511-531.

8. Kumar V. Segregation at alloys surfaces // Surf. Sci. 1979. - v.84. - p.231-234.

9. Williams F.L.,Nason D. Binary alloy surface compositions from bulk alloythermodinamic data // Surf. Sci. 1974. - v.45. - N2. - p.377-408.

10. Wynblatt P., Ku R.C. in: Proc. ASM Materials Science Seminar Interfacial Segregation (eds. W.C. Johnson, J.M. Blakely), Metals Park. -1979.-p.115.

11. Burton J.J., Machlin E.S. Prediction of segregation to alloys surfaces from bulk phase diagrams. // Phys. Rev. Lett. 1976. - v.37. - N21. - p. 1433-1436.

12. Miedema A.R. Surface segregation in alloys of transition metals // Zeits f. Metallkunde, 1978. v.69. - N7. - p.455-461.

13. Seah M.P. Quantitative Prediction of Surface Segregation. // J. Catal. 1979.v.57. p.450-457.

14. Tsai N.H., Pound G.M., Abraham F.F. Bond and strain energy effects in surface segregation: An atomic calculation. // Surface Sci. 1979. - v.83. -p.406-422.

15. Рыжков В.И. Теория распределения атомов в бинарном сплаве со свободной поверхностью в приближении самосогласованного поля. // Физика металлов и металловедение. -1981. т.51. - вып.З. - с.480 -491.

16. Moran-Lopes Y.I.,Falicow L.M. Theory of surface effects in binary alloy // Phys. Rev. B. 1978. - v. 18. - N6. - p.2542-2554.

17. Бобырь А.М.,Бурмака Л.С.,Иващенко Ю.Н.,Рыжков В.И.,Черепин В.Т. Немонотонность температурной зависимости поверхностной сегрегаци-исплавов Fe-Si // Укр. физ. жур. 1982. - т.27. - N5. - с.721-726.

18. Рыжков В.И. Бобырь A.M. Немонотонность температурной зависимостиповерхностной сегрегации бинарных сплавов // Укр. физ. жур. 1982. -т.27. -N4. - с.538 -542.

19. Оно С., Кондо С. Молекулярная теория поверхностного натяжения в жидкостях. М.: Изд-во иностр. лит. 1963. - 291с.

20. Kumar V., Kumar D., Johsi S.K. Surface segregation in alloys // J.Phys. Rev.

21. B. 1979. - v.19. - N4. - p.1954-1961.

22. Кожемякин H.B., Попов Л.Е. Адсорбция в поверхностном слое упорядоченного твердого раствора типа Р -латуни // Физ. мет. и металловедение. 1968. - т.25. - вып. 5. - с.801-810.

23. Смирнова Н.А. Модель поверхностного слоя многокомпонентного раствора, образованного близкими по размерам молекулами. // Коллоид, жур. -1979. т.10. -N6. - с.1152 -1156.138

24. Пиотровская Е.М., Смирнова H.A. Расчеты поверхностных свойств тройного расплава Ag-Cu-Pb на основе решеточной модели. //Коллоид, жур. 1979. - Т.П. -N6. -с.1134-1140.

25. Шебзухов А. А., Хоконов X. Б. В кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик,- 1979,- вып. 4,- с. 3- 33.

26. Шебзухов А. А., Хоконов X. Б. В ich.: Физика межфазных явлений. Нальчик,- 1980,- с. 3- 25.

27. Рыжков В.И., Гранкина А.И. О вакансионном вкладе в эффект равно весной поверхностной сегрегации в бинарных сплавах. // Поверхность. -1991. -N5. -с.117-123.

28. Смирнов A.A. Молекулярно-кинетическая теория металлов. Киев. Наук, думка. 1986. - 167с.

29. Бобырь A.M., Рыжков В.И. К теории изоструктурных фазовыхпереходов в приповерхностном слое бинарных сплавов // Укр. физ.жур,-1985.-т.ЗО. -N2.-с. 245 -248.

30. Sundaram V.S., Wynblatt P. A Monte Carlo study of surface segregation in alloys. // Surface Sei.- 1975. v.52. - N3. - p. 569-587.

31. Donnelly R.G., King T.S. Surface composition and surface cluster size distribution of Cu-Ni alloys via a Monte-Carlo metod.// Surf. Sei. 1978. -v.74. - N1, p. 89-108.

32. Шебзухов A.A. В кн.: Физика межфазных явлений. Вып.1. Нальчик.1976.-е. 26.

33. Шебзухов A.A., Осико Т.П. В кн: Физика межфазных явлений. Вып.2.1. Нальчик. 1977. - с. 17

34. Шебзухов А.А.Дожокова Ф.М. В кн: Физика межфазных явлений. Вып.2

35. Осико Т.П., Шебзухов A.A. В кн.: Физика межфазных явлений. Вып.З. Нальчик. 1978. - с. 18.139

36. Кожокова Ф.М., Шебзухов А.А. В кн.: Физика межфазных явлений. Вып.З. Нальчик. - 1978. - с.71.

37. Шебзухов А.А., Осико Т.П., Кожокова Ф.М., Мозговой А.Г. Поверхностное натяжение жидких металлов и сплавов (Обзоры по теплофизическим свойствам веществ). М: Инс-т высоких температур АНСССР. 1981. - N5. - 141с.

38. Гомбаш П. Статистическая теория атома и ее применение. М,- Из. иност. литературы,- 1956,- 398 с.

39. Мак-Лин Д. Границы зерен в кристаллах. М.: Металлургиздат. 1960.324с.

40. Lea С., Seah М.Р. Kinetics of surface segregation. // Philos. Mag.- 1977.v.35. N1. - p.213-228.

41. Hofmann S., Erlewein. A model of surface segregation in the monolayer regime. // J. Surf. Sci. 1978. - v.77. - N3. - p.591-602.41'. Rowlands G., Woodruff D.P. // Philos. Mag.- 1979. v.40. - p.459

42. Фельдман Э.П., Юрченко B.M. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах. // Поверхность. 1990. - N12. - с.138

43. Bezuidenhout F., Du Plessis J., Viljoen P.E. The segregation of impurities atthe (110) surface of an F-10 at.% single crystal. // J. Vacuum Sci. and Technol. -1984, v. A2. N4. - p.1481- 1485 .

44. Bezuidenhout F., Du Plessis J., Viljoen P.E. The segregation of carbon to the110. surface of a Fe-10 at.% Si single crystal. // Surf. Sci.- 1986. v. 171. -N2. - p.392-399.

45. Фистуль В. И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. 1977 г. - 240 с.

46. Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. -1967.-415 с.140

47. Павлов А. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1987 г. - 239 с.

48. Фистуль В.И., Гринштейн П.М., Рытова Н.С. // ФТП. 1970. - т.4. - с.8488.

49. Brock G.E., Aliotta C.F. Direct observation of dislocation loops in arsenicdoped germanium.// JBM J. Res. and Developm.- 1962. v.6. - N6. - p.372-374.

50. Арсентьева И.П., Горелюк C.C., Литвинов Ю.М., Рожанский В.И. // ФТТ.- т.9. с.3104-3109.

51. Рагимов И.А., Арсентьева И.П., Рожанский В.И. Природа дефектов, возникающих при распаде твердого раствора мышьяка в германии. // ФТТ. -1969. Т.П. -с.992-999.

52. Кабаков Ю.П., Моргулис Л.М., Осиньян Ю.А. Электронно-микроскопические наблюдения призматических дислокационных петель в

53. Ge. // ФТТ. 1968. - т.10. - с.665-669.

54. Кабаков Ю.П., Моргулис Л.М., Осиньян Ю.А. Поправка к статье "Электронномикроскопические наблюдения призматических дислокационных петель в Ge." // ФТТ. 1969. - т. 11. - с. 1074.

55. Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Цыганков В.Н., Кочерыжкина Р.Л. Растворимость и выделение электроактивного фосфорав Ge. // Изв. АН СССР. Неорганич. мат-лы. 1975. - т. 11. - с. 539-542.

56. Захаров Н.Д., Рожанский В.Н., Корчажкина Р.Л. дефекты, возникающиепри распаде твердого раствора фосфора в германии. // ФТТ. 1974. - т. 16- N5. с.1444-1448.

57. Гришина С.П., Климова Н.М., Освенский В.Б., Мильвидский М.Г. Структурные особенности монокристаллов кремния, сильно легированных мышьяком. //Изв. АН СССР.- Неорганич. мат-лы. 1970. - т. 6. - N2. -с.193-195.

58. Joshi M.L., Dash S. Dislocation-induced deviation of phosphorus-diffusion profiles in silicon. // JBM Res. Develop. 1966. - v. 10. - N6. - p. 446-454.

59. Освенский В.Б., Моргулис JI.M., Гришина С.П., Климова Н.М. Электронномикроскопическое исследование сильно легированного кремния п-типа. //ФТТ. 1969. - Т.П. - вып. 5. - с.1314-1318.

60. Алексеев А.П., Запорожченко В.И., Кагадей В.А., Лебедева Н.И., Про-скуровский Д.И., Яковлева Л.В. Поведение фосфора в ионно-легированном слое кремния в условиях его испарения при быстром нагреве в вакууме. // Поверхность. 1993. - N3. - с. 89 - 95.

61. Bean J. С. Silicon/mwtal silicide heterostructures grown by molecular beamepitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1980. - v.37. - N7. - p. 643-646.

62. Ржанов А. В., Стенин С. И. В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов ипленок. 4.1, Новосибирск, Наука, 1984, с. 5

63. Алябина Н.А., Логинова Р.Г., Овсянников М.И., Романов Ю.А., Толомасов В.А., Шабанов В.Н., Шамов С.А. В кн.: Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука. 1981. - с. 66.

64. Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г. Изучение методами электронной

65. Оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов эпитаксии Si на Si (111) -л/Зхл/З-В // Поверхность. 1988. -№8. - с.77- 83.

66. Овсянников М. И., Толомасов В. А. // Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. Горький: ИПФ АН СССР. 1984. - с.5

67. De Fresart Е., Wang К. L., Rhee S.S. Boron surface segregation in siliconmolecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1988. - v.53. - p.48-50.

68. Tatsumi Torn, Hirayama Hiroyuki , Aizaki Naoaki. Surface segregation of boron planar doring in silicon molecular beam epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. 1988. - v.27. - №6. - p.954-956.

69. Wong T.M.H., McKinnon A.W., Welland M.E. An in situ high temperature scanning tunnelling microscopy study of the boron - induced VJxa/5 reconstruction on the Si (111) surface. // Surface Sci. .- 1995. - 328. - N3. - c. 227 - 236

70. Nakagawa Kiyukazu, Miyao Masanoba, Shiraki Yasuhiro. MBE-related surfacesegregation of dopant atoms in silicon. // Jap. J. Appl. Phys. Pt.2, 1988. v.27. -№11. - p. 2013-2014.

71. Kimura K., Endoh Y., Hannami M., Cossman H.-J., Gilmer G.H., Feldman L.C. Anomalous surface segregation of Sb in Si during epitaxial growth. // Appl. Phys. Lett. 1996. -v.69. -Nl. -p.67-69

72. Васильев С. В., Герасименко Н.Н. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов. // Поверхность. 1986. - №7. - с.57- 62.

73. Ohdomari J., Tu К. N., Sugarok К., Ahiyama M., Kimura J., Yoneda K. Microstructures and electrical properties of metal-silicide-silicon interfaces. // Appl. Phys. Lett. 1981. - v.38. - №12. - p.1015-1020.

74. Wittmer M., Seidel Т.Е. Growth kinetics of platinum silicide. // J.Appl. Phys.1983. v.54. - №9. - p.5081-5086.

75. Wittmer M., Ting G., Tu K.N. //Thin Sol. Films. 1983. - v.104. - p.191.143

76. Thornton R.L. Schottky-barrier elevation by ion implantation and implant segregation. // Elektron Lett. 1981. - v. 17. - №14. - p.480-486

77. Jahnel F., Biersack J., Crowder B.L. // J. Appl. Phys. -1982. v.53. - №11.p.7372-.

78. Mao J.-S., Magee C.W., O'Neill J.J. //J.Vac. Sci. Technol. B. 1983. - v.l.1. p.l

79. Wei C.Y., Katz W., Smith C. // Thin Solid Films. 1983,- v,104.-p.215.

80. Joubert В., Auvray P., Henry L. // Thin Sol. Films. 1982. - v.79. - p.235-.

81. Nava F., Majni C., Cantoni P. Impurity effects in molybdenum silicide formation. // Thin Sol. Films. 1982. - v.94. - N1. - p.59 - 65.

82. Grunthanes P.J., Grunthanes F.J., Scott D.M., Nicolet M.-A. Oxygen impurityeffects at metal/silicide interfaces. Formation of silicon oxide and suboxides in the Ni/Si system. // J. Vac. Sci. and Technol. 1981. - v. 19. - №3. - p.641-648.

83. Wittmaack K. Periodicity of impurity segregation effects in oxyden bombarded silicon. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res.- 1987. В 19-20. -№2. - p.484-487.

84. Кармоков A.M., Кожокова Ф.М., Молоканов O.A. " Исследование сегрегации легирующей примеси на межфазной границе кремний металл."// Поверхность,- 1996 . -№2,- с. 81-85.

85. Кузнецов В. П., Постников В.В. О переносе примесей Р, As, Al из источников кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме. // Кристаллография. 1974. -Т.19. - вып. 2. - с.346-351.

86. Thomas R.N., Francombe М.Н. Low-temperature epitaxial growth of PN junetions by UHV sublimation. // Appl. Phys. Letters. 1968. - v.13. - N8. -p.270-272.144

87. Алябина H.A., Логинова Р.Г., Овсянников М. И., Шамов С. А. О распределении примеси в тонкослойных структурах кремния, полученных сублимацией в вакууме. // Микроэлектроника. 1977. - т.6. вып.1. - с.67-70.

88. Кузнецов В.П., Толомасов В. А., Туманова A.B. Легирование тонких эпитаксиальных слоев Si, выращенных в вакууме при низких температурах. // Кристаллография. 1979. - т.24. - вып.5. - с.1028-1032.

89. Алябина H.A., Логинова Р.Г., Овсянников М. И. и др. В кн.: Синтез и ростсовершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука. -1981. -С.66.

90. Алябина H.A., Логинова Р.Г., Овсянников М. И. Влияние скорости ростаэпитаксиальных слоев кремния на поверхностную сегрегацию бора, фосфора и мышьяка. // Кристаллография. 1982. - т.27. - вып.5. - с. 1028 -1030.

91. Кузнецов В. П., Рубцова P.A., Исаева Т.М., Андреев А.Ю., Толомасов В.А. О закономерностях легирования алюминием слоев Si при эпитакси-ии из молекулярного пучка в вакууме. // Электронная техни ка. Сер.Материалы. 1983. - вып. 11. - с.24-27.

92. Кузнецов В. П., Рубцова P.A., Андреев А.Ю., Сергиевская Т.И., Толомасов В.А. О закономерностях легирования фосфором эпитаксиальных слоев кремния. // Кристаллография. 1986. - т.31. - вып. 6. - с.1180-1184.

93. Б.А. Нестеренко, В.Г. Ляпин "Фазовые переходы на свободных гранях имежфазных границах в полупроводниках." //Киев,- Наукова думка.-1990,- 152с.

94. Lander J.J, Morrison J. Surface reaction of Si (111) with aluminium and indium. //J.Appl. Phis.- 1965,- 36, N5,- P. 1706-1713.

95. R.Z. Bachrach, R.S. Bauer, P. Chiaradia New models for metal- induced reconstructions on Si (111).// Phis/ Rev/ LeW 1981- 46, N15,- P.1033-1037.145

96. Suliga E. Hensler M. Faceting of the Ge (111) surface and its vicinals during Agadsorption. // J. Vac. Sei andTechnol. A. -1983-1, N3,- P. 1507-1511.

97. C.A. Sebenne. Initial steps of metal silicon interface formation. //Proc. 17th1.tern. Conf. on the phisics of semiconductors. New York at al. : SpringerVerlag, 1985. - p. 145-148.

98. Taleb-Ibrahimi A., Sebene C.A. Effect of valency in metal adsorption on Si111.: the case of Sb on the cleaved surface //Ibid. 1986,- 168. - p. 114-121.

99. Taleb-Ibrahimi A., Sebene C.A. D. Bolmont, P. Chen. Electronic properties ofcleaved Si (111) upon room-temperature deposition of Au //Ibid. 1984,- 146. N1. - p. 229-240.

100. Taleb-Ibrahimi A., Sebene C.A. V. Mercier. Effect of Cu deposition on structural and electronic properties of cleaved Si (111) surfaces. // Ibid. -1985,- 152/153. p. 1228-1238.

101. Le Lay G. Phisics and electronics of noble-metal/elemental semicondictor interface formation: A status report. // Surface Sei. 1983,- 132. - p. 169-204.

102. Hondros E.D., Mc Lean D., Monograph 28, Society of Chemical Industry. -London. 1968.

103. Hondros E.D., in: Proc. Melburne Conf. Interfaces (ed. R.C. Cifkins). The effect of adsorbed oxygen on the surface energy of B.C.C. iron. // Acta metallurgy 1968. v.16. - N11. - p.1377-1380.

104. Seah M.P. Adsorption-induced interface decohesion. // Acta Metall, 1980. -v.28. N7. - c.955-962.

105. Le Lay G. Complementary data obtained on the metal-semiconductor interface by LEED, AES, and SEM: Pb/(11 l)Ge. // Surf. Sei. 1983. - v.133. -N2-3. - p.422-432.

106. Lifshits V.G., Akilov V.B., Gavriljuk Y.L. Interaction of thin gold films with silicon. // Sol. St. Commun. 1981. - v.40. - N4. - p.429-432.146

107. Лифшиц В.Г., Заводинский В.Г., Плюснин Н.И. Формирование поверхностных фаз хрома и эпитаксия CrSi на Si(lll). // Поверхность. 1983. -№3. - с.82-89.

108. Baba S., Hirayama Н., Zhoy Y.M. and Kinbara A. Study on In/Si (111) surface superstructures by angle-resolved elektron energy loss spectroscopy. // Thin. Sol. Films. 1982. - v.90. - p.57-60.

109. Гаврилюк Ю.А., Лифшиц В.Г. Влияние поверхностных фаз на диффузию золота на кремнии. // Поверхность. 1983. - №4,- с.82-89.

110. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии. // Соросовский образовательный журнал,- 1997,-№2. с. 107-114.

111. Olchanetsky В. Z., Stenin S.J., Teys S.A., Gavrilova Т.А. Effect of nickel on clean silicon surfaces: Transport and structure. // Surf. Sci. -1989. v.210. -№1. -c. 37-54.

112. Ichinokawa Т., Tani Т., Sagama A. Formation of the Si (111) 19 * 19 structure induced by Ni impurity an low coverage.// Surf. Sci. -1989. v.219. -№3. -c. 395-406.

113. Brotherton S. D. The infuence of Pt on the Si-SiC>2 system. // Solid- State Electron.- 1970,- 13, N7,-p. 1113-1114.

114. Brotherton S. D. Electrical properties of gold at the silicon- dielectric interface. // Ibid.- 1971,- 42, N5,- p. 2085- 2094.

115. Митягин А.Ю., Черевицкий Н.Я., Александров A.A., Баландин Г.Д. Электронный Оже-спектрометр, совмещенный с системой дифракции электронов низкой энергии. // Приборы и техника эксперимента . -1972. №1. - с. 187-190.

116. Вудраф Д., Дэлчар Т. Современные методы исследования поверхности. Перев. с англ. М.: Мир. 1989. - 564с.147

117. Павлов JI.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк. -1987. 239 с.

118. БажановаН.П., Фридрихов С.А. //Изв. АНСССР. Сер. физ. 1976. - т.40. -№12. - с. 2575-2580.

119. Бажанова Н.П., Фридрихов С.А. Проявление коллективных и индивидуальных взаимодействий медленных элеатронов (1-100 эВ) во вторичной электронной эмиссии NaCl. // Физ. тв. тела. 1976. - т.18. - вып.11. -с.3508-3511.

120. Кухаренко Ю.А., Фридрихов С.А. Резонансное упругое рассеяние медленных электронов в твердых телах вблизи порогов неупругих каналов. // Поверхность. 1982. - №1. - с.43-57.

121. Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К. Исследование электронной структуры поверхности кремния, легированного ионами кислорода. // Поверхность. 1988. - №4. - с.73-78.

122. Унаров Э.У., Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Изменение состава и структуры поверхности Pd и Pd-Ba при бомбардировке ионами Ва+. // Поверхность. 1990. - №5. - с.95-100.

123. Шульман А.Р.,Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердых тел. М. Наука. - 1977. - с.552.

124. Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже-рентгеновской фотоэлектронной спектроскопиии. М.: Мир. 1987. - С. 203.

125. Hall P.M., Morabito I.M. Matrix effects in guantitative Auger analysis of dilute alloys. // Surf. Sei. 1979. v.83. - N2. - p.391-405.148

126. Shimizu R., Iohumura S. Quantitative Analysis by Anger Elektron Spektroscopy, Toyata Foundation Research Report 1-006 № 76-0175, Osaka, P. 1981.

127. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for guantitative Auger analysis. // Surf. Sci. //1981. v.l 12. - N3. - p.386-408.

128. Самсонов Г.В. Свойства элементов. M.: Металлургия. 1976 ч.1. - с.600.

129. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Eds. Davis L.E., Mac Donald N.C., Palmberg P.W., Rioch G.E., Weber R.E. Minnesota: Phys.

130. Electron. Indust. 1976. - 252 p.

131. Ferrante J. An auger elektron spektroscopy and LEED study of equlibrium surface segregation in copper-aluminum alloys // Acta Metallurgica. 1971. -v. 19. - №8. - p.743-748.

132. Ковалев В.П. Вторичные электроны. M.: Энергоатомиздат. 1987. -177с.

133. Люев В.К. Исследование поверхностной сегрегации фосфора и сурьмы в кремнии методами оже-электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов. // Физика и технология поверхности,- Нальчик,-1990,- с.134-138.

134. Примаченко В. Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев. Наук, думка. - 1988. - 232 с.

135. Люев В.К., Шебзухов А.А., Кармоков А.А. Сегрегация легирующих примесей на поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge). // Тезисы докладов VI межотраслевого семинара " Радиационные процессы в электронике". Москва. 1994. с.51

136. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупро водников. М,- Наука,- 1973,- 399 с.

137. Сандомирский В. Б. Кандидатская диссертация,- ИФХ АН СССР,- 1955 г.149

138. Курносов А.И., Юдин B.B. Технология произволства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа. 1986. -368 с.

139. Лифшиц В.Г. Электронная спекроскопия и атомные процессы на поверхности кремния М.: Наука. 1985. - 200 с.

140. Бажанова В.П. Пороговые эффекты в упругом отражении медленных электронов для Si (100). // Физ. тв. тела. 1979. - т.21. - вып. 1. - с.SOSSOS.

141. Сторонкин А. В. Термодинамика гетерогенных систем. ЛГУ. - 1967г.

142. Задумкин С.Н., Карашаев A.A. Поверхностное натяжение некоторых тугоплавких металлов. // Ученые записки. Нальчик: 1962. с.243-247.

143. Хоконов М.Х., Хоконов Х.Б. Сб. Вопросы формообразования и фазовых превращений. Калинин: КГУ. 1979. - с. 114

144. Задумкин С.Н., Темроков А.И. // Изв. вузов. Физика. - 1968. - т.9 - с.32

145. Найдич Ю.В., Перевертайло В.М., Неводник Г.М. В кн.: Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел. Киев: Наук, думка. -1972. -с.61.

146. Задумкин С.Н. Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых тел. Нальчик: Кабардино-Балкарское книжное из-во.-1965. с.26.

147. Овсюк В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. -1984. 264с.150

148. Белоусов В.И., Кочина Э.А., Иванова Т.В. // Неорганические материалы, 1980. т.16. - №4. - с.586.

149. Люев В. К., Кармоков А. М., Шебзухов A.A. Поверхностная сегрегация легирующей примеси элемента донорного типа в монокристаллах кремния и германия. // Журнал физической химии,- 1998. том 72. - N6. - с. 1111 - 1115.

150. Нефедов В.И. Физические основы рентгеноэлектронного анализа состава поверхности. //Поверхность. 1982. - № 1. с. 4-21.

151. Торопов А.И., Кантер Б.З., Кожухов A.B., Пинтус С.М., Стенин С.И. Молекулярная эпитаксия германия на кремнии: морфология поверхности, структура, диффузия. // Поверхность. 1982. - N1. - с.110-115

152. Crank J. The Matematics of diffusion. Oxford University Press.-1975

153. Бондарчук A.B., Кармоков A.M., Аксельруд E.A. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-Al, Cu-Ge и фаз Лавеса, Вестник КБО АТН РФ, 1997, в.1, 24-30.

154. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев. -Наукова думка. - 1981,- 309с.

155. Ниженко В.И., Флока Л.И. Поверхностные натяжения жидких металлов и сплавов. М: Металлургия. 1981.

156. Gilman I.I. // J. Appl. Phys. 1960. - 31 (2). - p.2208.

157. Люев В. К., Кармоков A.M., Шебзухов A.A. Поверхностная сегрегация фосфора, сурьмы и мышьяка в бинарных твердых растворах на основе кремния. // Коллоидный журнал. 1996,- том 58,- N 4 - с. 505-510.

158. Кузнецов B.C., Сандомирский В.В. Кинетика и катализ. 1963. - т.З. -с.724151