Применение отрицательных мюонов для исследования акцепторных центров в кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Особенности поведения отрицательных мюонов в веществе .14

1.1 Атомный захват

1.2 Поведение поляризации fi~ в lS-состоянии мюонного атома.

1.3 Формирование акцепторного центра при имплантации отрицательного мюона в кремний.

Глава 2. Экспериментальный метод .27

2.1 Спектроскопия временных интервалов

2.2 Основные характеристики используемых xSR-спектрометров (МЮСПИН, LFQ, GPD)

2.3 Установка МЮСПИН

2.4 Восстановление функции поляризации спина уГ из экспериментальных ^~SR-cneKTpoB

Глава 3. Мелкие акцепторные центры в кремнии. Современное состояние теоретических и экспериментальных исследований.40

3.1 Теоретическое описание мелких примесных центров в методе "эффективной массы"

3.2 Изучение магнитных взаимодействий мелких акцепторов резонансными методами

3.3 Обнаружение релаксации и сдвига частоты прецессии спина отрицательного мюона в кремнии.

Глава 4. /х SR-исследование мелких акцепторных центров в кремнии .58

4.1 Определение константы сверхтонкого взаимодействия в акцепторном центре, образованном атомом А1 в Si

4.2 Изучение механизмов релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра в кремнии

4.3 Определение коэффициента захвата электронов зоны проводимости нейтральным атомом алюминия в кремнии

4.4 Поведение сдвига частоты прецессии спина мюона в сильно легированном р-типа кремнии

Глава 5. Создание /iSR-спектрометра на пучке "поверхностных" мюонов фазотрона ЛЯП ОИЯИ.86

5.1 Конструкция и состав установки.

5.2 Описание схемы триггера

5.3 Результаты тестовых измерений и параметры установки

Датой рождения мюонного метода исследования вещества можно считать 1957 год, когда Гарвин, Лидерман и Вейнрих [1] обнаружили нарушение четности в цепочке слабых распадов: тг* —> —> е^.

Несохранение четности при распаде 7г-мезона проявляется в том, что, в системе покоя 7г-мезона, мюон рождается со 100% поляризацией спина вдоль направления своего импульса. Несохранение четности при распаде поляризованного мюона приводит к асимметрии вылета электрона распада относительно направления спина мюона. В эксперименте Гарвина и др. была обнаружена прецессия вектора поляризации мюонов, остановившихся в веществе, во внешнем магнитном поле, приложенном перпендикулярно начальному направлению вектора поляризации. Кроме того, наблюдалась частичная потеря начальной поляризации положительных мюонов в ядерной эмульсии, в то время как в графите потери поляризации не было. В отличие от положительных мюонов, оказалось, что отрицательные мюоны, имплантированные в среду, сильно деполяризуются. Данные эксперименты показали, что мюон (//+, уг) подвержен процессам деполяризации в веществе, которые зависят, во-первых, от знака заряда мюона и, во-вторых, от материала образца. Стало очевидно, что найден новый микроскопический зонд для исследования свойств твердого тела.

Вскоре после этого, также в 1957 году, Фридман и Телегди [2] предположили, что частичная потеря поляризации положительных мюонов может быть обусловлена образованием атомарного мюония (Ми = е~), который является аналогом атомарного водорода (его легким изотопом).

В 60-х годах были начаты систематические исследования в области физики и химии конденсированного состояния вещества с использованием мюона в качестве элементарного магнитного зонда. Данный экспериментальный метод получил название /iSR - метод вращения, релаксации и резонанса спина мюона (Muon Spin Rotation, Relaxation, Resonance, Research).

Примерно до середины 70-х годов подавляющее большинство экспериментов по /iSR-методике проводилось в Советском Союзе на синхроциклотронах ОИЯИ (Дубна) и ЛИЯФ (Гатчина), и в США (LAMPF). Введение в эксплуатацию так называемых мезонных фабрик и модернизация существующих ускорителей протонов позволили с начала 80-х годов существенно расширить географию и увеличить объем проводимых ^SR-исследований. В настоящее время /iSR-спектроскопия, основанная на использовании положительного мюона в качестве микроскопического магнитного зонда является общепризнанным и широко распространенным ядерно-физическим методом исследования вещества. На мезонных фабриках PSI (Швейцария), TRIUMF (Канада), ISIS (RAL, Великобритания) одновременно доступны несколько высокоинтенсивных пучков поляризованных мюонов. Интенсивность мюонных пучков мезонных фабрик настолько высока, что имеется возможность исследовать образцы с поперечными размерами порядка нескольких миллиметров. Толщина исследуемых образцов составляет от единиц г/см2 при использовании высокоэнергетичных пучков мюонов (Рц « 120 МэВ/с) до ~ 10 мг/см2 при использовании пучков "поверхностных" мюонов (Рм ~ 29.8 МэВ/с). На пучке "ультрахолодных" положительных мюонов, недавно созданном в PSI, исследования могут проводиться в поверхностных слоях материала и пленках нанометровой толщины (энергия мюонов пучка от ~ 10 эВ до ~ 10 кэВ).

Не прекращаются также juSR-исследования и на ускорителях с интенсивностью протонного пучка ~ 1 мкА (для сравнения на мезонной фабрике института Пауля Шеррера (PSI) интенсивность протонного пучка составляет ~ 2 мА). Конкурентноспособность этих исследований по сравнению с экспериментами, выполняемыми на мезонных фабриках, обусловлена особенностями методики /iSR-эксперимента.

Круг задач, решаемых с помощью положительных мюонов в физике твердого тела, очень широк. Наиболее типичные применения метода - это исследование фазовых переходов в магнитных материалах, определение глубины проникновения магнитного поля в сверхпроводники, моделирование с помощью fi+ поведения водорода и изучение химии и кинетики атомарного водорода в веществе.

Отрицательные мюоны, в отличие от положительных, не нашли столь широкого применения в физике твердого тела. Трудности в использовании отрицательных мюонов связаны со значительной деполяризацией в среде. Имплантированные в среду отрицательные мюоны захватываются атомами. В процессе каскадных (Оже- и радиационных) переходов с возбужденного на основной уровень мюонного атома отрицательный мюон теряет большую часть своей начальной поляризации вследствие спин-орбитального смешивания состояний в процессе каскада. В наиболее благоприятном случае поляризация отрицательного мюона на lS-уровне мюонного атома составляет лишь ~ 1 /6 от начальной величины. Время жизни отрицательного мюона в атоме меньше времени жизни свободного мюона, вследствие захвата ядром. Вероятность захвата растет с увеличением заряда ядра примерно как Z4 в области малых Z. Для ядер с большим Z наблюдаемое время жизни уГ составляет ~ 100 не. Но даже для Na (Z=ll) время жизни ц~ составляет лишь половину от времени жизни ц+ (тм « 2.2 мкс). Значительно меньшая поляризация и уменьшение времени жизни связанного ц~ (соответственно уменьшается выход электронов распада) существенно затрудняют наблюдение ц~ SR-сигнала. Кроме того, в элементах с отличным от нуля ядерным спином, сверхтонкое взаимодействие приводит к дополнительной потере поляризации спина мюона. Однако, перечисленные выше трудности в использовании отрицательных мюонов не исключают того, что в целом ряде случаев их применение может оказаться исключительно информативным.

Идея о возможности и перспективности использования отрицательных мюонов для исследования акцепторных центров в полупроводниках была высказана В.Н.Горелкиным и В.П.Смилгой в [3]. Радиус орбиты отрицательного мюона, находящегося на lS-уровне мюонного атома, в ~ 207 раз меньше радиуса орбиты lS-электрона. Мюон экранирует единицу заряда ядра, и с точки зрения строения электронной оболочки, мюонный атом является аналогом атома с зарядом ядра (Z — 1). В случае бесспиновых ядер псевдоядро (Z + /х~) мюонного атома имеет спин, равный спину мюона = 1/2) и частично поляризовано благодаря остаточной поляризации /1~. /xSR-метод позволяет наблюдать за поведением поляризации спина отрицательного мюона во времени, и тем самым изучать его взаимодействия с электронной оболочкой мюонного атома и взаимодействия электронной оболочки со средой. При имплантации отрицательного мюона в такие полупроводники, как кремний, германий и алмаз, образовавшийся мюонный атом является аналогом атома алюминия, галлия и бора соответственно, т.е акцепторной примесью.

Важность исследования примесных состояний была понята еще на заре развития физики полупроводников. Было установлено, что электрические и оптические свойства полупроводников определяются примесями и другими дефектами их кристаллической структуры. В основе достижений современной микро- и оптоэлектроники лежат накопленный уровень знаний о структуре и свойствах примесных центров и возможности современной технологии, позволяющей выращивать полупроводниковые кристаллы с контролируемым содержанием примесей в широком диапазоне изменения их концентраций.

Введение примесей элементов III и V групп Перидической таблицы является основным способом управления электрическими свойствами полупроводников IV группы. При замещении четырехвалентного атома полупроводника атомом пятивалентной (трехвалентной) примеси образуется так называемый мелкий примесный центр, энергия ионизации которого много меньше ширины запрещенной зоны полупроводника (так в Si типичные значения энергии ионизации мелких доноров и акцепторов не превышают 100 мэВ). Атомы V группы имеют один "лишний" электрон по сравнению с незаполненной электронной оболочкой атомов полупроводника и, после восстановления четырех ковалентных связей с ближайшими соседями, могут отдать этот электрон в зону проводимости, т.е являются донорами. Атомы III группы (акцепторы) также устанавливают все четыре ковалентные связи, в результате в одной из ближайших координационных сфер образуется оборванная ковалентная связь - дырка. Поведение дырки может быть описано как поведение положительно заряженной частицы, заряд которой равен заряду электрона.

Современное теоретическое рассмотрение мелких доноров и акцепторов базируется на развитом Коном и Латтинджером методе "эффективной массы" [4], в основе которого лежит водородоподобная модель мелкого примесного центра, т.е рассматривается движение электрона (дырки) с эффективной массой, в общем случае отличной от массы свободного электрона, в экранированном кулоновском поле примесного атома. Несмотря на значительные успехи, связанные с применением метода эффективной массы для описания электронной структуры мелких примесных центров (см. обзоры [5,6]), в ряде случаев вплоть до настоящего времени не удается получить удовлетворительного согласия расчетов с экспериментальными значениями энергии ионизации примеси. Одним из таких "трудных" для теории случаем оказались мелкие акцепторные центры в алмазоподобных полупроводниках (кремний, германий, алмаз и др.), что обусловлено особенностями строения валентной зоны данных полупроводников.

Экспериментальное изучение энергетической структуры мелких примесных центров в полупроводниках производится методами инфракрасной спектроскопии [7]. Информацию о структуре волновой функции примесного центра и о его взаимодействиях с кристаллической решеткой и другими примесными атомами позволяет получить применение методов радиочастотной резонансной спектроскопии: электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), двойного электрон-ядерного парамагнитного резонанса (ДЭПР) и ядерного магнитного резонанса (ЯМР). Так в случае мелких доноров в кремнии применение методов ЭПР и ДЭПР оказалось исключительно успешным (см., например, [8-10]): была измерена величина сверхтонкого взаимодействия донорного электрона не только с самим примесным атомом, но и с атомами 29Si (примесь данного спинового изотопа {1 = 1 /2) составляет порядка 5% в естественной смеси), что позволило вычислить распределение волновой функции донорного электрона в различных узлах кристаллической решетки; исследованы механизмы релаксации магнитного момента мелкого донора. В отличие от мелких доноров, в случае мелких акцепторов в полупроводниках с кристаллической структурой алмаза возможности метода ЭПР оказались существенно ограниченными. Экспериментальные трудности обусловлены [8,9] вырождением валентной зоны данных полупроводников и высокой скоростью спин-решеточной релаксации магнитного момента акцептора.

Известно всего несколько экспериментальных работ по исследованию мелких акцепторов в кремнии методом ЭПР [11,12] (по сравнению с другими алмазоподобными полупроводниками, мелкие акцепторы наиболее исследованы в кремнии), выполненных в условиях одноосного сжатия исследуемых кристаллов (при деформации снимается вырождение валентной зоны). Лишь в одной работе [13] ЭПР-сигнал атомов бора удалось наблюдать в ненапряженном кристалле кремния, что стало возможным благодаря использованию образцов с высокой степенью совершенства их кристаллической структуры. В данных экспериментах определена величина g-фактора, характеризующего волновую функцию мелкого акцептора в кремнии, изучена зависимость скорости релаксации магнитного момента акцептора от величины одноосной деформации в области температур ниже 4 К. Однако, до сих пор отсутствуют экспериментальные ЭПР (ДЭПР)-данные о величине сверхтонкого взаимодействия дырки с ядром примесного атома, полностью экспериментально не исследованы механизмы релаксации магнитного момента акцептора для ненапряженных кристаллов кремния. Теоретическое рассмотрение механизмов релаксации ограничивается двумя работами [14,15]. Расчеты [14], выполненные для условий одноосной деформации, согласуются с экспериментальными данными [12]. Экспериментальная же проверка расчетов [15], выполненных для идеального кристалла кремния, стала возможной лишь в экспериментах с отрицательными мюонами.

Применение метода ЯМР по изучению примесных центров в кремнии ограничиваются областью высоких (> 1018 см-3) концентраций примеси (см., например, [16]). В этой области концентраций однозначная интерпретация экспериментальных результатов сложна ввиду сильного взаимодействия между примесными центрами.

Таким образом, мелкие акцепторные центры в кремнии (и в других ал-мазоподобных полупроводниках) изучены недостаточно, как теоретически, так и экспериментально, причем отсутствие полноты в теоретических представлениях в определенной мере связано с недостаточностью экспериментального материала.

Целью настоящей диссертационной работы являлось:

1. Развитие метода исследования акцепторных центров в полупроводниках, основанного на использовании поляризованных отрицательных мюонов.

Применение отрицательных мюонов для изучения взаимодействий акцепторной примеси алюминия в кристаллическом кремнии в широком диапазоне изменения концентраций примеси (1012 — Ю20 см-3) и диапазоне температур 4.2 — 300 К.

- Определение величины константы сверхтонкого взаимодействия в акцепторном центре, образованном атомом алюминия в кремнии;

- Исследование механизмов релаксации магнитного момента акцепторного центра А1 в Si;

- Определение скорости захвата электронов зоны проводимости нейтральным атомом алюминия в кремнии.

2. Изучение возможности использования пучков "поверхностных" мюонов, имеющих высокую примесь позитронов, для проведения исследований по /iSR-методике.

Создание /iSR-спектрометра для работы на пучке "поверхностных" мюонов фазотрона Лаборатории Ядерных Проблем Объединенного Института Ядерных Исследований (ЛЯП ОИЯИ).

Диссертация состоит из пяти глав, введения, заключения и одного приложения.

В первой главе изложены физические основы использования мюонов для исследований конденсированного состояния вещества. Рассмотрены особенности поведения ц~ в среде: атомный захват и формирование мюонного атома, деполяризация мюона при девозбуждении мюонного атома. Рассмотрен вопрос о формировании акцепторного центра при имплантации отрицательного мюона в кремний.

Во второй главе излагаются основы "традиционной" постановки //SR-эксперимента - спектроскопии временных интервалов. Проведено сравнение основных технических характеристик спектрометров МЮСПИН, LFQ и GPD, использованных для проведения измерений. Более подробно рассмотрена конструкция спектрометра МЮСПИН, работающего на высоко-энергетичном пучке мюонов фазотрона ЛЯП ОИЯИ. Изложена методика обработки //^SR-спектров.

В третьей главе дается представление о мелких примесных центрах в полупроводниках IV группы, рассматриваются теоретические и экспериментальные методы их изучения. Анализируется современное состояние исследований мелких акцепторов в кремнии, приводится обоснование применения fi~SR-метода для их изучения.

В четвертой главе приведены результаты систематического изучения поведения остаточной поляризации отрицательных мюонов в кремнии. На основе /i^SR-данных определяются параметры, характеризующие взаимодействия мелкого акцепторного центра А1 в Si.

В пятой главе описывается, созданный при участии автора, спектрометр для проведения экспериментов по /xSR-методике на пучке "поверхностных" мюонов фазотрона ЛЯП ОИЯИ. Особенностью данного "поверхностного" пучка является значительная примесь позитронов, поэтому особое внимание уделено построению триггера, обеспечивающего выделение событий, соответствующих остановкам мюонов в исследуемом образце.

Диссертация написана на основе работ [17-22], выполненных автором в Лаборатории Ядерных Проблем им. В.П.Джелепова ОИЯИ с 1993 по 2001 гг.

Основные результаты, приведенные в диссертации, были представлены на международной конференции по конденсированным средам (Baveno-Stresa, Италия, 1996), /iSR-конференциях (Nikko, Япония, 1996) и (Les Diablerets, Швейцария, 1999), докладывались на /iSR-семинарах, проводимых в рамках Зимних школ ПИЯФ по ядерной физике в 1998 — 2001 гг, на семинарах Отдела физики промежуточных энергий ЛЯП.

Основные результаты диссертационной работы:

1. Развит метод исследования акцепторных центров в полупроводниках с использованием поляризованных отрицательных мюонов.

Метод основан на моделировании акцепторной примеси мюонным атомом, образующемся при захвате отрицательного мюона атомом полупроводника, и измерении параметров поляризации мюона.

Отрицательные мюоны могут быть применены для изучения взаимодействий акцепторной примеси в таких полупроводниках, как кремний, германий, алмаз и др.

В результате применения отрицательных мюонов в кремнии получены следующие результаты:

- Впервые определена, в предположении изотропного сверхтонкого взаимодействия, константа сверхтонкого взаимодействия в акцепторном центре, образованном атомом А1 в Si: A(27Al)/h = (—2.2 dh 0.2) МГц.

Впервые получена оценка плотности волновой функции дырки на ядре атома А1 в Si: ^(О)!2 - 3.8 • 1022 см"3.

Полученные результаты свидетельствуют о значительно более слабом сверхтонком взаимодействии мелких акцепторов по сравнению с мелкими донорами в кремнии, что, по-видимому, обусловлено существенным р-характером волновой функции основного состояния акцепторной примеси.

- Впервые определен вид температурной зависимости скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра в недефор-мированном кремнии в диапазоне концентраций примесных атомов от ~ 5 • 1012 см"3 до Ю20 см-3 и температур 4.2 — 50 К.

Установлено, что в случае низкой концентрации свободных носителей заряда (невырожденный полупроводник, изоэлектронная примесь) релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в кремнии при Т < 50 К обусловлена спин-решеточным взаимодействием и скорость релаксации зависит от температуры как и ~ Т9, q «3. В вырожденном кремнии при Т < 30 К релаксация магнитного момента акцептора практически определяется спин-обменным рассеянием свободных носителей заряда.

- Получены оценки для эффективных сечений спин-обменного рассеяния дырок (<Th) и электронов (<те) на акцепторном центре А1 в Si: crh ~ Ю-13 см2, (je ~ 8 • Ю-15 см2 при концентрации акцепторной (донорной) примеси na(nd) ~ 4 • 1018 см-3.

- Получена оценка для коэффициента захвата электронов проводимости нейтральным атомом алюминия в кремнии: /3(А1°) ~ 2 • Ю-13 см3 • с-1 при Т = 4.5 - 10 К.

2. Создан /iSR-спектрометр, отличительной особенностью которого является применение метода разделения частиц пучка по их ионизационным потерям энергии в тонком сцинтилляционном счетчике, что позволяет использовать данный спектрометр для /^SR-исследований на существующем пучке "поверхностных" мюонов фазотрона ЛЯП ОИЯИ.

Благодарности

Прежде всего я хотел бы поблагодарить моего научного руководителя Т.Н.Мамедова, который инициировал и вложил много энергии и сил в работы по исследованию акцепторных центров в кремнии /i~SR-MeTOflOM и работы по созданию /iSR-спектрометра на пучке "поверхностных" мюонов фазотрона ЛЯП ОИЯИ. Без его научного предвидения и настойчивости в достижении поставленных целей, написание данной диссертационной работы было бы невозможно.

Также я благодарен профессору МФТИ В.Н.Горелкину, который является "идеологом" работ по использованию отрицательных мюонов для исследования примесных центров в полупроводниках. Дискуссии с ним были очень полезны для интерпретации полученных экспериментальных результатов и планирования новых исследований.

Я признателен моим научным коллегам Д.Г.Андрианову, Д.Герлаху, В.Г.Гребиннику, К.И.Грицаю, С.А.Густову, В.Н.Душнову, В.А.Жукову, И.А.Кривошееву, О.Корману, Я.Майору, И.В.Мирохину, Б.А.Никольскому, В.Г.Олыневскому, В.Ю.Помякушину, А.Н.Пономареву; И.Л.Чаплыгину, У.Циммерману, М.Шевчик результатом совместного труда которых являются положенные в основу диссертации работы.

Хотелось бы поблагодарить Г.Д.Соболеву за выполнение конструкторской работы по созданию /iSR-спектрометра на пучке "поверхностных" мюонов фазотрона.

Также я благодарен В.А.Целякову, А.Б.Аполлонову, В.В.Ракалю,

А.Н.Шевенину, А.Н.Графову, Н.И.Максимовой, выполнившим большой объем работ по созданию спектрометра на "поверхностном" пучке, и за работы по обеспечению проведения экспериментов на фазотроне.

Я признателен И.А.Ютландову за помощь в изготовлении сцинтилляционных счетчиков.

Хотелось бы выразить благодарность дирекции ЛЯП ОИЯИ и персоналу фазотрона ЛЯП, дирекции и персоналу Института Пауля Шеррера (PSI, Швейцария) за предоставление возможности и обеспечение проведения исследований на мюонных пучках фазотрона ЛЯП и мезонной фабрики PSI.

Заключение

1. R.L.Garvin, L.M.Lederman, M.Weinrich, Phys.Rev. 105, 1415 (1957).

2. J.I.Fridman, V.L.Telegdi, Phys.Rev. 105, 1681 (1957).

3. В.Н.Горелкин, В.П.Смилга, ЖЭТФ 66, 1201 (1974).

4. W.Kohn, J.Lattinger, Phys.Rev. 97, 883 (1955). W.Kohn, J.Lattinger, Phys.Rev. 98, 915 (1955).

5. F.Bassani, G.Iandonisi, B.Preziosi, Rep.Prog.Phys. 37, 1099 (1974).

6. Socrates T.Pantelides, Rev.Mod.Phys. 50, 797 (1978).

7. A.K.Ramdas, S.Rodriguez, Rep.Prog.Phys. 44, 1297 (1981).

8. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках; Сборник статей, Москва, Изд. иностранной литературы, 1962.

9. Дж.Людвиг, Г.Вудбери, Электронный спиновый резонанс в полупроводниках, Москва, Мир, 1964.

10. E.B.Hale, R.L.Mieher, Phys.Rev. 184, 739 (1969). E.B.Hale, R.L.Mieher, Phys.Rev. 184, 751 (1969).

11. G.Feher, J.C.Hensel, E.A.Gere, Phys.Rev.Lett. 5, 309 (1960).

12. G.W.Ludwig, H.H.Woodbury, Bull.Am.Phys.Soc. 6, 118 (1961).

13. H.Neubrand, Phys.StatSol.(b) 86, 269 (1978).

14. T.Shimizu, M.Nakayama, J.Phys.Soc.Japan 19, 1829 (1964).

15. Y.Yafet, J.Phys.Chem.Solids 26, 647 (1965).

16. S.E.Fuller, E.M.Meintjes, W.W.Warren J., Phys.Rev.Lett. 76, 2806 (1996).

17. Т.Н.Мамедов, В.Н.Горелкин, В.Г.Гребинник, . А.В.Стойков и др., Релаксация и сдвиг частоты прецессии спина отрицательного мюона в кремнии п-типа, Письма в ЖЭТФ 63, 539-543 (1996).

18. T.N.Mamedov, I.L.Chaplygin, V.N.Duginov, . A.V.Stoykov et.al., Shallow acceptor centers in silicon studied by means of spin rotation of negative muons, Journal of Physics: Condensed Matter 11, 2849-2860 (1999).

19. Т.Н.Мамедов, Д.Г.Андрианов, Д.Герлах, . А.В.Стойков и др., Исследование температурной зависимости скорости релаксации акцепторного центра в кремнии рГ SR-методом, Письма в ЖЭТФ 71, 637-642 (2000).

20. Т.Н.Мамедов, Д.Г.Андрианов, Д.Герлах, . А.В.Стойков и др., Зависимость скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра от концентрации примеси в кремнии, ЖЭТФ 119, 1159-1165 (2001).

21. Т.Н.Мамедов, Д.Г.Андрианов, Д.Герлах,. А.В.Стойков и др., Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии, Письма в ЖЭТФ 73, 759-762 (2001).

22. T.N.Mamedov, V.N.Duginov, V.G.Grebinnik, . A.V.Stoykov et.al., pSR-spectrometer on the surface muon beam of the JINR phasotron, Physica В 289-290, 689-692 (2000).

23. Л.Б.Окунь, Лептоны и кварки, Москва, Наука, 1990.

24. В.Г.Кириллов-Угрюмов, Ю.П.Никитин, Ф.М.Сергеев, Атомы и мезоны, Москва, Атомиздат, 1980.

25. В.В.Балашов, Г.Я.Коренман, Р.А.Эрамжян, Поглощение мезонов атомными ядрами, Москва, Атомиздат, 1978.

26. В.С.Евсеев, Т.Н.Мамедов, В.С.Роганов, Отрицательные мюоны в веществе, Москва, Энергоатомиздат, 1985.

27. И.М.Шмушкевич, ЖЭТФ 36, 645 (1959).

28. А.П.Бухвостов, Ядерная Физика 9, 107 (1969).

29. А.А.Джураев, В.С.Евсеев, Г.Г.Мясищева и др., ЖЭТФ 62,1424 (1972).

30. В.А.Джрбашян, ЖЭТФ 36, 277 (1959).

31. R.W.Huff, Ann.Phys. 16, 288 (1961).

32. B.Goulard, H.Primakoff, Phys.Rev. С 10, 2034 (1974).

33. T.Suzuki, D.F.Measday, J.P.Roalsvig, Phys.Rev. С 35, 2212 (1987).

34. Физические величины, Москва: Энергоатомиздат, 1991.

35. T.Dubler, L.Schellenberg, H.Schneuwly, Nucl.Phys. A 219, 29 (1974).

36. G.Backenstoss, S.Charalambus, H.Daniel et.al., Phys. Lett. 25 B, 547 (1967).

37. J.F.Prins, T.E.Derry, J.P.F.Sellschop, Phys.Rev. В 34, 8870 (1986). J.J.Loferski, P.Rappaport, Phys.Rev. Ill, 432 (1958).

38. V.S.Vavilov, A.E.Kiv, O.P.Niazov, Formation and migration of defects in semiconductors, Moscow, Nauka, 1981.

39. J.Imazoto, K.Nagamine, T.Yamazaki et.al., Phys.Rev.Lett. 53, 1849 (1984).

40. V.N.Gorelkin, T.N.Mamedov, D.V.Rubtsov, Hyp. Int. CI, 191 (1996).

41. V.N.Dodokhov, V.N.Duginov, I.A.Gaganov et.al., Hyp. Int. 65, 1167 (1990).

42. R.Scheuermann, J.Schmidl, A.Seeger et.al., Hyp. Int. 106, 295 (1997).

43. R.Abela, Hyp. Int. 87, 1105 (1994).

44. Phasotron at the Laboratory of Nuclear Problems JINR and its beams, Сообщение ОИЯИ E9-92-455, Дубна, 1992.

45. PSI Users Guide, Accelerator Facilities, Villigen, Paul Sherrer Institut.

46. Н.В.Виноградова и др., Сообщение ОИЯИ 13-88-176, Дубна, 1988.

47. Philips data handbook РС04, Philips Components Eindhoven, Netherland, 1990.

48. В.А.Антюхов и др., Цифровые блоки в стандарте КАМАК, выпуск XVIII, ОИЯИ, Р10-90-589, Дубна, 1990.

49. В.А.Юдин, ПТЭ 6, 188 (1967).

50. В.Н.Дугинов и др., Сообщение ОИЯИ, 13-85-889, Дубна, 1985.

51. М.П.Орлова, О.Ф.Погорелов, С.А.Улыбин, Низкотемпературная термометрия, Москва, Энергоатомиздат, 1987.

52. E.Klempt, R.Schulze, H.Wolf et.al., Phys.Rev. D 25, 652 (1982).

53. H.Uberall, Phys.Rev. 114, 1640 (1959).110

54. В.С.Евсеев, А.И.Климов, Т.Н.Мамедов и др., Препринт ИАЭ-3242/2, 1980, Москва: Институт Атомной Энергии.

55. J.H.Brewer, Hyp. Int. CI, 191 (1984).

56. К.И.Грицай, В.Ю.Помякушин. Сообщение ОИЯИ Р10-96-184, Дубна, 1996.

57. С.Н.Соколов, И.Н.Силин, ОИЯИ, Д-810, Дубна, 1961.

58. A.Baldereschi, N.O.Lipari, Phys.Rev. В 8, 2697 (1973). A.Baldereschi, N.O.Lipari, Phys.Rev. В 9, 1525 (1974).

59. Sokrates T.Pantelides and C.T.Sah, Phys.Rev. В 10, 621 (1974). Sokrates T.Pantelides and C.T.Sah, Phys.Rev. В 10, 638 (1974).

60. G.Feher, Phys.Rev. 114, 1219 (1959).

61. T.G.Castner Jr., Phys.Rev. В 2, 4911 (1970).

62. N.O.Lipari, A.Baldereschi, Solid State Commun. 25, 665 (1978).

63. И.А.Меркулов, А.В.Родина, ФТП 28, 321 (1994).

64. А.В.Малышев, И.А.Меркулов, А.В.Родина, ФТП 30, 159 (1996).

65. ГЛ.Бир, Г.Е.Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках,, Москва, Наука, 1972.

66. А.Абрагам, Ядерный магнетизм, 1963, Москва, Издательство иностранной литературы.

67. Н.Н.Делягин и др., Сверхтонкие взаимодействия и ядерные излучения, 1985, Москва, МГУ.

68. Б.Г.Журкин, Н.А.Пенин, Н.Н.Сибельдин, ФТП 2, 827 (1968).

69. T.Shimizu, N.Tanaka, Phys. Lett. 45A, 5 (1973).

70. В.Б.Гинодман, Труды физического института им. П.Н.Лебедева, т.104, 58 (1978).

71. В.П.Смилга, Ю.М.Белоусов, Мюонный метод исследования вещества, Москва, Наука, 1991.

72. Т.Н.Мамедов, В.Н.Горелкин, В.Г.Гребинник и др., Ядерная Физика 56, 29 (1993).

73. W.Beez, T.Grund, M.Hampele et.al., PSI Newsletter Annex 1,125 (1993).

74. A.S.Baturin, V.N.Gorelkin, Physica В 289-290, 578 (2000).

75. V.N.Gorelkin, T.N.Mamedov, A.S.Baturin, Physica В 289-290, 585 (2000).

76. С.А.Альтшулер, Б.М.Козырев, Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп, Москва, Наука, 1972.

77. И.Я.Померанчук, Собрание научных трудов, т.1, Москва, Наука, 1972.

78. Ч.Киттель, Введение в физику твердого тела, Москва, Наука, 1978.

79. P.Ph.Edwards, M.J.Sienko, Phys.Rev. В 17, 2575 (1978).

80. Ю.Г.Семенов, ФТТ 22, 3190 (1980).

81. М.Ф.Дейген, В.Я.Братусь, Б.Е.Бугмейстер и др., ЖЭТФ 69, 2110 (1975).

82. R.C.Enck, A.Honig, Phys.Rev. 177, 1182 (1969).

83. A.Roy, M.Turner, M.P.Sarachik, Phys.Rev.B 37, 5522 (1988).

84. A.Roy, M.P.Sarachik, Phys.Rev.B 37, 5531 (1988).112

85. В.И.Фистуль, Сильно легированные полупроводники, Москва, ФМЛ, 1967.

86. Я.Е.Покровский, К.И.Свистунова, ФТТ 7, 1837 (1965).

87. M.Loewenstein, A.Honig, Phys.Rev. 144, 781 (1966).

88. А.Милне, Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, 1977, Москва, Мир.

89. Я.Е.Покровский, К.И.Свистунова, ФТТ 5, 1880 (1963).

90. P.Dai, Y.Zhang, M.P.Saraehik, Phys.Rev.Lett. 66, 1914 (1991).

91. M.P.Saraehik, D.R.He, W.Le, M.Levy, Phys.Rev.B 31, 1469 (1985).

92. R.N.Bhatt, P.A.Lee, Phys.Rev.Lett. 48, 344 (1982).

93. R.K.Sundfors, D.F.Holcomb, Phys.Rev. 136, A810 (1964).

94. A.Schenck, Muon spin rotation spectroscopy, London: Adam Hilger LTD, 1985.

95. A.E.Pifer, T.Bowen, K.R.Kendall, NIM 135, 39 (1976).

96. В.М.Абазов, А.Н.Брагин, С.А.Густов и др. Сообщение ОИЯИ Р9-93-81, Дубна, 1993.

97. В.Г.Ольшевский, В.Ю.Помякушин. Сообщение ОИЯИ Р10-94-416, Дубна, 1994.

98. К.И.Грицай, В.Г.Ольшевский. Сообщение ОИЯИ Р10-98-163, Дубна, 1998.

99. В.М.Гребенюк, В.Г.Зинов, А.В.Селиков. Сообщение ОИЯИ 13-82713, Дубна, 1982.

100. А.В.Селиков. Сообщение ОИЯИ 13-81-844, Дубна, 1981.1. ИЗ

101. В.А.Антюхов, Д.Васильев, By Чунг Хьеу и др. Сообщение ОИЯИ 1083-900, Дубна, 1983.

102. В.Ф.Борейко, Ю.М.Валуев, В.М.Гребенюк и др. Сообщение ОИЯИ Р10-85-661, Дубна, 1985.

103. В.Ф.Борейко, Ю.М.Валуев, В.М.Гребенюк и др. Сообщение ОИЯИ Р10-87-827, Дубна, 1987.

104. В.М.Абазов, А.Н.Брагин, С.А.Густов и др. Сообщение ОИЯИ Р9-93-82, Дубна, 1993.

105. И.И.Гуревич, А.И.Климов, В.Н.Майоров и др., Письма в ЖЭТФ 23, 345 (1976).

106. С.Г.Барсов, А.Л.Геталов, В.Г.Гребинник и др., ЖЭТФ 91, 298 (1986).

107. И.И.Гуревич, Е.А.Мелешко, И.А.Муратова и др. Сообщение ОИЯИ Р14-6118, Дубна, 1971.

108. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников, Физика полупроводников, Москва, Наука, 1990.