Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени M.B.J10M0H0C0BA

ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ

На правах рукописи УДК 621.315.592

ХОХЛОВ Дмитрий Ремович

ПРИМЕСНЫЕ МЕТАСТАБИАЬИЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТЕЛЛУРИДАХ СВИНЦА И ОЛОВА, ЛЕГИРОВАННЫХ ЭЛЕМЕНТАМИ III ГРУППЫ

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва -1992

работа вылолнана на с-каичвскен еакудьтвтс московского г^зугавстгснЕого ушшэрситата кк- и. в. Ломоносова.

Официальные оппоненте.: доктор Фнмто-иатенатичесша наук. вэяуеия научный сотрудник б. д. водяса. ' ' ' • ?

доктор еиэико-натсматическюс ваув. профессор в- в- каыевов. дои гор одзшсо-натенатачвскях вшгв. еро«8ссор д. в- Ковалев-

Велуаая оргавнэашш: Носу'чсеш кзсгитут радиотахкики. электроники и азеонатшш.

зашита состоятся щ . иьОкЯ^ . . .1992 г.

о /5 ч. . ¡¡а »асааьниа сввшшшзввсаанаого совета д- оэз. оз. 40 по задите лиссерташса ва соискание учевэа степени доктора »иэико-натенаппескнх наго ш>в ИГУ вн. к. в.£ояовосова по адресу: 115899 Москва. лввкесхне горы. КГУ, ензетесхка факультет. криогенный корпус, аул. г-оз-

с диссертацией ножяо огвавокатьоя в вноляотеке «нэнчеокого Фадудьтета МГУ.

Автореферат разослав Су^^^л^С- ^ 19д2 г.

Ученый секретарь специализированного совета Д. 053.03. 40 при МГУ ни. И- в- ломонбеоса. профессор, доктор Физико-сатематкческих аух

'•" : = ; 1 .'. ■ , ц

„ | ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ. Актуальность темы. В современной опгоэлектрокике большое внимание

''' - !

.-^.циифляется разработке и созланию новых Фотоприемных систем ближнего. среднего и дальнего инфракрасного (ИК) диапазона электромагнитных волн, системы такого рола используются в самых разнообразных областях: в оптической зенноя и космической связи, э устройствах лля активного и пассивного обнаружения и сопровождения объектов, при контроле за состоянием загрязненности атмосферы, в медицине, геофизике, ИК-астрономии. криминалистике и яр.

как правило, оптозлектронные системы ик-лиапазона создаются на базе полупроводниковых материалов. Ширина запрещенной зону последних определяет рабочий спектральный диапазон тшлге устройств- В ближней КК-области, в основном, применяются классические полупроводники типа Эх или СаЛя. Технология их изготовления великолепно отработана, поэтому создаваемые приборы имеют очень высокие параметры, близкие к теоретическому пределу-

Для работы в среднем и дальнем ИК-лиапазонах в современных оптоэлектронных приборах применяются полупроводники с узкой запрещенной зоной. Одними из наиболее часто используемых материалов такого рода являются теллурилы свинца и олова- это связано, прежде всего, с возможностью плавно изменять в достаточно пироких пределах ширину запрещенной зоны соединения, как варьируя их состав, так и при помоши внешних воздействий, что позволяет перестраивать спектральный диапазон прибора, кроме того, на базе РЬ1-х5пхТе возможно создание не только Фоторезисторов и Фотодиодов, но и твердотельных лазевов ИК-диапазона, что выгодно отличает данные соединения, например, от Кв1-хС<1хТе.

Возможности применения и параметры оптоэлектронных систем на базе нелегированных сплавов РЬ1-хЗпкТе, однако, ограничены тем обстоятельством, что независино от способа роста монокристаллы рассматриваемого полупроводника характеризуются высоким 10"3) отклонением от стехиометрии- леФекты роста (вакансии, атомы в нежлоуэлиях) являются электроактивными, поэтому кристаллы обладают концентрацией свободных носителей заряда не менее п,р ~ (Ю,0-Ю19) см"3- Применение длительных отжигов позволяет снизить величину п. р до ~ Ю16 см"3, но степень их однородности,

пак правило, невелика, и не позволяет создать многоэлементные матрицы Фотоприенникоа Сольпоя плотности.

Одним из способоз изменения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниках является их легирование различными .сонорными или акцепторными примесями. Воздействие легирования элементами III группы на сплавы Рь1-хБпхТе(1п). однако, не сводится только к снижению Фоновой концентрации электронов и дырок, а приводит к появлению качественно новых свойств у исходного материала. так, в сплавах РЫе(Т1) обнаружена сверхпроводимость с рекордно высокой для полупроводников критической температурой Тс » 2. 3 К. а в Р1>1-х5пкТе<ба) -нестабильность лонорного действия примеси по отношению к воздействию внешних Факторов. Однако, на наш взгляд, наиболее интересными и необычными свойствами обладают сплавы р£>1 -х5пхТе (1п) ■

Легирование индием теллурилаов свинца и олова обусловливает появление целого ряда необычных эффектов. Прежде всего, положение уровеня Ферми относительно разрешенных зон в материале оказывается стабилизированным, и зависит только от содержания олова в сплаве х. но не от количества введенного индия или концентрации прочих примесей и дефектов. Следствием эФФекта стабилизации уровня Ферни является высокая пространственная однородность электрофизических параметров сплава, легированного индием, значительно превышающая однородность нелегированного материала. Чрезвычайно важный оказалось то обстоятельство, что в определенном диапазоне содержания олова в сплаве уровень Ферни стабилизируется в запре.иенной зоне. и реализуется диэлектрическое состояние, в котором величина концентрации свободных носителей заряда при гелиевых температурах определяется термоактивацией с примесного уровня и не превышает Ю8 см"3-

таким образом, создается совершенно необычная ситуация, когда сильно легированчыи узкоэоннУй полупроводник, в котором, кром® того, имеется значительное количество дефектов роста, в то же *;екя обладает чрезвычайно высокой пространственной однородностью • '■актооаизических параметров и имеет крайне низкую фоновую концентрацию носителей заряда. Такое уникальное сочетание уже

лелает рассматриваемые материалы весьма перспективными с точки зрения их использования в ИК-фотоприемных системах.

Оказалось, однако, что и сам эФОект Фотопроводимости ь сплавах Pt>i-xsnxTe (In) очень специфичен, при низких температурах Т < Тс з 25 К времена жизни Фотовозбувденных носителей заряда становятся очень велики т ~ ю4 с. и Фактически при ©отогелеоакии происходит накопление неравновесных электронов (или лырок) е разрешенной зоне- таким образом. полупроводник работает как счетчик квантов излучения.

Описанный выше эффект задержанной фотопроводимости явился объектом многочисленных экспериментальных и теоретических исследования, и к моменту начала выполнения настоящей работу з обоих чертах была построена теория, объясняющая оснорчк^-особенности наблюдаемых явлении на основе модели автолонализарин носителей заряда в результате ян-теллеровской неустойчивости- Б те не время целый ряд экспериментальных Фактов не получил адекватного объяснения. В частности, остался неясным один из основные вопросов: почену задержанная фотопроводимость появляется при температуре ниже Тс, и соответствует ли данная температура каким-либо особенностям энергетического спектра.

В рамках указанной модели предсказывалась возможность существования примесных электронных метастабильных состоянш», отделенных барьерами в конфигурационном пространстве как от зонных, так и от основных примесных состояний, к моменту начала выполнения настоящей диссертации, однако. Факт существования метастабильных примесных состоянии был подтвержден экспериментально лишь в одной работе, и их роль, на наш взгляд, явно недооценивалась-

Стабилизация' уровня Ферми и задержанная Фотопроводимость наблюдаются также в теллуриле свинца, легированном другой примесью III группы - галлием. Упомянутые эффекты, однако, имеют в PbTe(Ga) свою специфику и во многих отношениях отличаются от явлений, наблюдающихся в Pbj-jjSnjfTetln). Например, известно, что в PbTe(Ga) уровень Ферми стабилизируется в запрещенной зоне лишь в некотором диапазоне концентрации примеси Nq3. Задержанная Фотопроводимость

наблюдается в PbTe(Ga) при температурах Т < Тс » 80 К и имеет очень необычную кинетику.

Физика явлении, наблюдающихся в PbTe(Ga). изучена в гораздо меньшей степени, чем для Pbi-xSnxTe(ln). и остаются неясныни многие вопросы, ухе репейные для сплавов, легированных индием. Так, в литературе нет единого мнения о характере изменения энергетического спектра материала при изменении степени легирования, о природе задержанной фотопроводимости, о тон. насколько модель, разработанная для Pbi-xSnxTe(In). применима в случае PbTe(Ga). Совершенно не разработана проблема примесных метастабилышх состояний в РьТе(ба).

как указывалось выше, рассматриваемые материалы представляют также большой интерес с точки зрения практических приложении-Существование эффекта задержанной Фотопроводимости позволяет выделить сплавы P*n-xSnxTe. легированные индием и галлием, в новый класс полупроводниковых Фотоприемных материалов- 'лелс> в vom. что. как правило, выходной сигнал йотоприенников на основе узко-~онных полупроводников, пропорционален интенсивности падаюшего излучения. Известно, что интегрирование сигнала во времени приводит к увеличен™ отношения сигнал-ыум и. таким образом, к улучшению параметров Фотоприемников- Такое интегрирование обычно производится либо во внешних электрических цепях, либо с помощью ПЗС-структур. создание которых представляет существенные технические сложности- рассматриваемые Фотоприемные материалы уже сами по себе являются интеграторами светового потока, что обеспечивает им значительные преимущества по сравнению с традиционными-

Однако при попытках построения Фотоприемных систем на базе РЬ)-хБпхТе(In) возникает существенная проблема. связанная с необходимостью периодического возобновления накопленной информации, т. е. возможностью быстрого сброса Фотосигнала. К моменту начала выполнения настоящей работы эффективного решения указанной проблемы не было.

Большой практический и еще больший научный интерес, который представляет описанный круг задач, незаконченность теоретических

представлений и известная дискуссионность проблемы явились основой постановки настоящей работы.

По нашему мнению, только комплексное исследование объекта с помошью разнообразных методик может дать достаточно полную и всестороннюю информацию о природе и характере протекающих Физических процессов, и позволит построить адекватную теоретическую модель, кроме того, именно такое исследование ножет создать прочную основу для практического использования наблюдаемых эффектов в Реальных приборах.

Цель работы состояла в комплексном экспериментальном исследовании теллурилов свинца и олова, легированных принесями IГI группы, с целью получения наиболее полной информации о структуре примесных состояний, обнаружения и детального исследования новых Физических эффектов, обусловленных особенностями этой структуры: и для разработки на данной основе новых принципов работы Фотоприемных устройств ик-диапаэона.

В качестве объектов исследования в настоящей работе в основном использовались материалы, в которых наблюдается эФФект задержанной фотопроводимости и темновая концентрация свободных носителей заряда нала, такой выбор обусловлен тем обстоятельством, что в этой ситуации наиболее ярко проявляются эффекты, связанные с особенностями примесных состоянии, а также кристаллической решетки полупроводника, что позволяет получить максимум информации о природе наблюдаемых явления.

Конкретные задачи работы включали:

- Исследование гальваномагнитных и Фотоэлектрических эффектов в сплавах р1>1-хзпхте (1п) и РьТеЮа) в широком диапазоне температур (1-4 - 300) К. электрических полей Е < 10 в/см. в постоянных магнитных полях ¿о 5 т, при воздействии ик-лолсветки, а также в инпульсных нагнитных полях до 40 Т. при различной степени легирования материала.

исследование спектров ик-отражения РЬ1-хЗпхТв(1п) и РьТе(ба) в области температур (3-300) К и волновых чисел (50 -- 500) сн"1-

- Исследование спектров Фотопроводимости сплавов РьТе(ба) в диапазоне температур (3-300) К и волновых чисел (Ю-10*) см~1.

Исследование объемно-неравновесных состояний в РЬ[_х5пхТи(1п). индуцированных внешним воздействием: ИК-подсветкой и электрическим полем, с целью изучения возможностей построения на основе данного материала "непрерывных" натрии ИК-изображения.

- Поиск и исследование методов управления ©отопамятью в Р£>1 -хБпхТе (I п) •

- Анализ и сопоставление полученных экспериментальных данных с теоретическими представлениями, определение параметров теоретических моделей- Решение ряда поставленных задач привело к постановке

вопроса о создании реального ик-Фотоприенного прибора и специального стенда для определения параметров Фотоприемного материала-

Научная новизна и положения, выносимые на защиту- В настоящей работе впервые:

1 - Обнаружен и исследован эФФект гигантского возрастания пссводимости (гигантского отрицательного магнитосопротивления) спчавов в магнитных полях н < 0.5 т. Лля интерпретации полученных результатов предложена нодель, учитывающая существование н€.гэсгабильных парамагнитных примесных состояний в РЬ1_х5пхТе<1п>.

2 - Обнаружен эффект локализации Фотовозбужденных носителей заряда в РЬ].хЗпхТе(1п) в сверхсильных магнитных полях до 40 т. Характерное вреня локализации экспоненциально зависит от величины магнитного поля и линейно - от температуры, рассматриваются Причины, приводящие к появлению эффекта.

5 - Установлено, что если концентрация галлия в сплавах РьГе.(Оа> меньше, чем необходимо для стабилизации уровня Ферми, то пвзеяепие задержанной фотопроводимости связано с крупномасштабными Флуктуация,чи потенциального рельеФа.

4 - экспериментально доказана возможность Фотогенерации ^сгохиаупшх объемно-неравновесных состояний в сплавах Показано. ' что долгоживушие свободные ^огеьозб/^ленные электроны практически не диффундируют из области

Б — В спектрах отражения сплавов РЬо. 733п0. 23Те < 1п> с пви "Гсмгйретуре Т < 23 к обнаружена особенность, лля описания которой

в закон дисперсии необходимо ввести дополнительный осииллятор. Природа осциллятора связывается с оптическими переходами между двух- и одноэлектронными примесными состояниями. Барьер между ними появляется в спектре материала лишь при Т < Тс = 25 К. В рамках указанного предположения интерпретируются ранее не имевшие объяснения особенности эффекта задержанной фотопроводимости .. РЬ1-хЗпхТе(1п>.

6 - В спектрах отражения высокоомных сплавов РьТе{(Ш обнаружена особенность, аналогичная наблюдаеноя в РЬ)-хУпхТе(1п)

В отличие от случая Р1>1-х5пхТе (1п). особенность эарегистрироо-зК'1 как при Т < Тс « 80 К, так и Т > Тс. однако сила осциллятора р«5?.С возрастает при снижении температуры ниже тс. Аналогично слУч^.к? РЪ1-хЗпхТе(1п). природа особенности связывается с оптическкки переходами между двух- и одноэлектронными примесныни состояниями.

7 - Обнаружено, что красная граница коротковолновой част^ спектра Фотопроводимости сплавов на основе РьТе(Са) с? стабилизированным уровнен Ферми соответствует ширине запрещенном зоне материала, а примесная Фотопроводимость отсутствует.

В - Установлено, что в сплавах на основе РьТе(Оа) ей стабилизированным уровнем Ферми . наблюдается значительны?. Фотоотклик в дальнем ИК-лиапаэоне при температурах, близких к азотноя- спектр фотопроводимости представляет собой узкий пик на частоте 130 см"1, которая близка к частоте продольного оптического Фонона.

9 - Разработан и реализован нетол быстрого (за времена ~ Ю"3 с) гашения остаточной фотопроводимости в РЬ1-хБпхТе(1п) с помощью инпульсов свч-поля. Показано, что основной вклад в эффект гашения вносит непосредственное взаимодействие свч-поля с электронани проводимости. а не индукционный разогрев кристаллической решетки. Установлено, что при определенном режиме гашения задержанной Фотопроводимости импульсани свч наблюдается эФФект увеличения скорости роста сигнала Фотопроводимости пос/е окончания импульса - евч-стимуляпия фотопроводимости, получено, что квантовая эффективность Фотоприемника на осн^рл

РЬ|-хЗпхТе(1п) в режине сбч-стимуляпии составляет *) ~ 10'. а то время как при работе вне данного реюша -л ~ 1. предложена модель.

согласно которой данный Режим гашения задерганной фотопроводимости обеспечивает локализацию Фотовозбужденных электронов в основном в нетастгбильное одноэлсктронное примесное состояние-

10 - Обнаружен эФФект резонансного возрастания Фотопроводимости сплавов Pb|-xSnxTe(In) при воздействии СБЧ-накачки на частоте ~ 280 МГц- Показано, что за возникновение эффекта ответственны электроны, локализованные на метастабильных примесных состояниях.

1! - Разработаны и созданы специальные стенды лля определения параметров Фотопсиемных материалов в низкофоновом и бесФоновон режимах, создан накет ик-ралиометра с чувствительным элементом на основе сплава Ръо. zsSno. ¿■¡Те (In), работающий в режиме периодического накопления и сброса информации-

практическая ценность работы заключается в том, что проведенные в ней исследования показали, что рассмачпиваемые материалы Фактически представляют новый класс ¿отоприемникоз ИК-диапазона: найдены пути практического их использования в Фотоприемных системах; созданы уникальные стенды для определения параметров Фотоприенников в бесфоновом режиме.

Основу настоящей диссертации составили результаты экспериментальных исследований, выполненных в период с 198 3 по 1991 г- в соответствии с планон научно-исследовательских работ ИГУ, Физического Факультета и кафедры Физики низких температур и сверхпроводимости по теме "Физика конденсированного состояния", per-N 01960130559- Выполнение темы координируется научныни советами ан СССР, шифры по координационному плану - 1- 3- ?■ 6; I.3.7.8. Последние этапы работы проводились в рамках проекта Преобразования СССР "Сплав".

Апробоция работы- Основные результаты диссертации докладывались на следующих всесоюзных и международных конференциях, совещаниях и симпозиумах; Всесоюзное совещание по Физике узкозонных полупроводников (Москва, 1985). Всесоюзный семинар "Примеси и леФекты в узкозонных полупроводниках (Павлодар. 1987). III Всесоюзное совещание по актуальным вопросам Физики полуметаллов и узкозонных полупроводников (Тирасполь. 1987). Всесоюзная конференция по Физике полупроводников (Кишинев. I9B8),

Координационное совещание социалистических " стран по Физическим проблемам оптоэлектроники (Баку. 1989). Международная конференция по Физике узкоэошшх полупроводников (США. Геятерсбург. 1989). Международная конференция по тройнын и многокомпонентным соединениям (Кишинев. 1990). Всесоюзная конференция "Перспективные материалы твердотельной- электроники" (Минск. 1990). Всесоюзная конференция "Материаловедение халькогенилных полупроводников" (Черновцы. 1991). Всесоюзный симпозиум "полупроводники с узкой запрещенной зоноп и полуметаллы" (Львов. 1991), международная конференция по Фурье-спектроскопии (ФРГ. Любек-ТРавемюнле. 1991), Международный симпозиум по исследованиям в сильных нагнитных полях (Голландия. Амстердам. 1991).

публкияпии. по теме диссертации имеется 55 публикация, основные результаты работы опубликованы в 24 статьях, список основных работ приведен в конце автореферата.

структура и объем диссертации, диссертационная работа состоит из введения, девяти глав, основных выводов, заключения и списка цитированной литературы- Диссертация содержит 282 страницы, включая аз рисунка, 3 таблицы, оглавление, список цитированной литературы из 150 наименования.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении (гл. 1) обосновывается актуальность темы диссертационной работы и выбор объектов исследования. Формулируются цели и задачи работы. ее научная новизна, практическая ценность-

Вторая глава является литературным обэорон, в котором освещаются основные свойства сплавов на основа теллурилов свинпа и олова. легированных принесяни ш группы- Вслед за обшея постановкой проблемы примесей в теллурилах свинпа и олова в обзоре рассматриваются в наиболее обшен виде сведения об основных эффектах, определяющих специфику данного класса материалов: о стабилизации уровня фэрни и о долговременных релаксационных процессах электронных распределения- Обсуждаются теоретические нодели. разработанные к настоящему времени для интерпретации инеюшихся данных- в послелнем параграфе обзора рассмотрены

особенности наиболее интересных систем легированных полупроводников на Сазе теллуридов свинцг. и олова: РЬ|_хЗпхТе (1п), ?ЬТе(Оа), РЬ1-хНпхТг(1п). РЬ{.кПпхТе(Са), РьТе(Сг).

Третья глава посвящена методике и технике эксперимента-Описаны методы выращивания и контроля параметров исследованных образцов, способы их обработки и монтажа. Обоснован выбор нетолов исследования.

ЭФФект задержанной фотопроводимости, наблюдающийся в исследуемых материалах, определяет необходимость в большинстве случаев полного экранирования образцов от Фоновой подсветки для проведения корректных измерений. Ланное обстоятельство предъявляет весьма жесткие требования к конструкции низкотемпературных камер, используемых при исследованиях Фотоэлектрических и гальваномагнитных эФФектов- В работе представлены различные модификации конструкции камер; для экспресс-измерении при гелиевой (азотной) тенпературе, для измерений при ' температурах выше гелиевой, для работы с внешним источником излучения- Представлена конструкция лабораторного ик-ралионетра, позволяющего работать с механическим прерыванием светового потока от внешнего источника излучения в режиме периодического накопления и сброса Фотосигнала.

Приводятся блок-схемы и параметры измерительных установок. Описываются способы сопряжения измерительных блоков с ЭВМ-

В четвертой главе приводятся результаты исследования гальваномагнитных свойств сплавов Рьо. 753п0. 2зТе(!п>. находящихся в диэлектвическон состоянии, в пространстве параметров температура - электрическое поле - магнитное поле - при воздействии ИК-полсветки- Основное внимание уделяется исследованию вольт-амперных характеристик <ВАХ) материала в различных условиях.

показано, что Формирование восходящей ветви вах происходит под воздействием ряда неяаниэнов. один из которых связан с монополярной инжекдией электронов с контактов с учетом захвата на ловушки. Ланныя механизм' определяет проводимость натериала, находящегося в тенновом состоянии при тенпературах, близких к гелиевой, что обусловливает отсутствие омического участка вах. Захват инжектированных носителей заря п. а на ловушки, во-первых, обеспечивает снижение величины тока через образец относительно

значения, предсказываемого исходя из вида ВАХ для идеального "безловушечного" изолятора, а, во-вторых, обусловливает недленное уменьшение во времени ток& через образец при Фиксированном напряжении, омический вклад в проводимость от свободных тернически или Фото-возбуяденных носителей заряда возрастает по мере повышения температуры или увеличения экспозиции ик-излучения.

Обнаругено,- что скорость релаксации задержанной фотопроводимости после выключения ик-подсветки сильно увеличивается при возрастании напрякения. приложенного к образцу, в то же время темп нарастания Фотопроводимости при прочих равных условиях не зависит от величины приложенного напряжения. Указанное противоречие «окно объяснить только предположив, что наличие ик-подсветки само по себе подавляет рекомбинацию неравновесных электронов, природа этого зФФекта неясна. Увеличение скорости рекомбинации при увеличении электрического поля, приложенного к образцу, объясняется в ранках модели, учитывающей сдвиг уровня ловушек в электрическом поле типа эффекта Штарка. Проведены соответствующие оценки.

Рассмотрены процессы, обеспечивающие Формирование падающей ветви ВАХ. в экспериментах с использованием модуляции величины приложенного к образцу напряжения при выведении рабочей точки на падающую ветвь получены дополнительные доказательства джоулевой природы этой ветви ВАХ: при увеличении частоты модуляции происходит переход от пежина, когда рабочая точка перемешается вдоль палашей ветви, к режиму, когда рабочая точка движется в соответствии с законон Она. В последнем случае частота нодуляции настолько велика, что температура образца не успевает изнениться за период измерений, опенка характерного времени, необходимого для установления терниче'ского равновесия, дала значение - ю~! с.

Обнаружен эффект гигантского возрастания проводимости сплавов в магнитном поле Н ~ 0- 5 Т. Если напряаение на образце Фиксировано, то при увеличении Н до ~ 0.5 Т величина тока возрастает до некоторого значения 1н. а по мере дальнейшего роста магнитного поля уменьпается. Отношение 1н/ПН=0) резко и нелинейно возрастает при повышении приложенного к образцу напряжения и ножет достигать значений ~ ю6. Исследовано изменение характера дефекта

пои вариации других внешних параметров: экспозиции ИИ-подсветки, взаимной ориентации тока и нагнитного поля- Для интерпретации экспериментальных данных используется модель. учитывающая существование метастабильного примесного состояния, отделенного барьерами в конфигурационном пространстве как от основного примесного, обеспечивающего стабилизацию уровня Ферми, так и от состояния системы с делокализованнын электроном- Сделано предположение о том. что указанные нетастабильные примесные состояния и являются ловушками. на которые захватываются инжектированные с контактов электроны. согласно предложенной модели, нетастабильный уровень смещается в магнитном поле, что приводит к освобождению электронов с ловушек и. соответственно, к гигантскому росту проводимости- Проведены соответствующие теоретические опенки-

Обнаружен эФФект возрастания сопротивления исследуемых сплавов во времени в сверхсильных магнитных полях - до 40 Т-Измерения эффекта Холла показали, что данное явление связано с локализацией неравновесных носителей заряда в нагнитнон поле-Установлено, что характерное время локализации экспоненциально зависит от нагнитного поля и линейно - от температуры образца:

Т = т0 (1 - т/Т0) е*Р<Н/Но> параметр Но * 4- з т практически не зависит ни от степени Фотовозбухдения образца, ни от его температуры, ни от содержания индия в сплаве- величина То не зависит от магнитного поля и уменьшается по мере роста концентрации Фотовозбужденшга электронов- Проанализирован ряд причин, которые могли бы обусловить появление эФФекта: локализация на глубокий уровень в нагнитном поле, влияние крупномасштабных Флуктуации потенциального рельеФа, магнитное вымораживание на мелкие уровни- Показано, что ни один из указанных механизмов не может обеспечить объяснение всей совокупности экспериментальных данных.

Пятая глава посвяшена изучению характера изменения гальваномагнитных и Фотоэлектрических свойств сплавов рьте(Са) при изменении степени легирования. Проанализированы гальваномагниткне и Фотоэлектрические свойства образцов, в которых по мере изменения количества введенного галлия происходит переход от р-типа

проводимости к состоянию с уровнем Ферми, стабилизированным в запрещенной зоне (высохоомное (ВО) состояние). Показано, что параметры задержанной Фотопроводимости в кристаллах р-типа. в частности, температура появления эффекта Тс> имеют значительный разброс, в отличие от материала со стабилизированным уровнем Ферми, в котором Тс я 8и К. Кроне того, ИК-полсветка приводит к росту эффективной холловсноя подвижности в сплавах г-типа, в отличие от во образцов. Анализ полученных экспериментальных данных позволяет сделать вывод о том, что задержанная фотопроводимость в РьТеШа) р-типа связана с крупномасштабными флуктуэш;ями потенциального рельеФа, а в во материале определяется эффектами авголокалиэапии на примеснып уровень, стабилизирующий уровень Ферми. Не существует состояний системы, в которых уровень Ферми располагался бы в нижней части запрещенной зоны; при изменении степени легирования происходит лишь увеличение объе) зя доли образца, в которой уровень серни стабилизирован принеснын уровнем.

Рассматривается специфика тонкопленочных образцов Рь.е(ба). полученных методом лазерного напыления- показано, что данный метол позволяет получить пленки, близкие по свойствам к ВО монокристаллам РьТе(Са). В го хэ время структурные несовершенства тонких пленок оказывают весьма значительное влияние на их паранетры, что не позволяет в настоящий момент в полной нере воспроизвести во РьТе(ба) в пленочном варианте.

В пестол главе изложены результаты исследования обьемно-иеравновесных состояния, индуцированных локальной ИК-полсветко-* и электрическим полем, в'сплавах РЬ1-х5пхТе( 1п>- Установлено, что при локальном освещении сплава Фотовозбужденк э электроны практически не лнффунлируюг из области генерации в неосвещенные области. т- е. форнируются обьенно-неравновесные состояния. Показано. что воэнинаюпее пространственное распределение неравновесных электронов ногэт быть изменено при приложении тянушэго электрического поля Е- Если величина Е не сл. жон велию, то указанноа перераспределение является обратимым. При увеличении Е выше определенного уровня наблюдается эФФект оотоэлектротерническоя неустопчивости - необратимое увеличен! ■ проводимости оораэпа в области приложения пол«. ЭФФект связан о

локальным джоулевым разогревом, который приводит к Фотогенерации й прилегающих областях образца. Появляющиеся таким образоН неравновесные носители заряда и обеспечивают отмеченный необратимый рост проводимости.

Рассмотрены процессы распространения Фотовозбужления вглубь образца при воздействии на него ик-излучения различной длины волны- Показано, что если энергия кванта излучения меньше ширины запрещенной зоны. то фотопроводимость в глубине образца определяется, в основной. Фотогенерацией, а механизм образования онс связан с электростатическим притяжением Фотовозбужденных электронов соответствующих примесных центров- в противоположном случае появление долгоживущих электронов в объеме образца связано с амбиполярнои диффузией Фотовозбукленных электронов и дырок с последующим захватом дырки на примесный центр. Проведены численные опенки характерной длины диФФУэии»неравновесных носителей заряда при возбуждении светом различной длины волны, оцениваются возможности реализации "непрерывной" матрицы ИК-изображения.

в седьмой главе представлены результаты исследования спектров ик-отражения сплавов РЬ(-хЗпхТе(1п) и РьТе^а). Получено, что в сплавах РЬ1-хЗпхТе11п> при понижения температуры ниже тс и 25 К происходит заметное уширение и сдвиг плазмон-Фононного минимуна в область больших волновых чисел- смешение нинимума объясняется -оявлениен эффекта задерганной фотопроводимости при низкие температурах и ростом коннпентрашш свободных электронов, уширение мининума связано с неоднородным распределением Фотовоэбужденных электронов по толщине образца, наилучшее согласие экспериментально измеренных спектров с вычисленными исходя из стандартного плазнон-Фононного дисперсионного соотношения получается при использований двуслойной модели распределения концентрации свободных электронов. Физические причины такого характера распределения неравновесных носителей заряда объясняются различным характером поглощения квантов ик-излучения с энергиями больше и меньше ширины запрещенной зоны материала.

Показ;, ¡о. чте в сплавах рь|.хзпхте( 1п) при температурах Т < < Тс в спектрах отражения появляется особенность, для описания которой в стандартное дисперсионное соотношение необходимо ввести

дополнительный осциллятор. Сила осциллятора резко Убывает по нере увеличения тенпературы и обращается в нуль при Т = Тс. Частота осциллятора зависит от темперу-уры практически линейно. Соответствующая энергия при т = 2 к оказывается несколько меньше энергии термической примесноп активации, показано, что наиболее вероятной причиной пояьления особенности являются оптические переходы между основными и метастабильными примесными состояниями-Выдвигается гипотеза о том. что природа эФФекта задержанной Фотопроводимости в рассматриваемых полупроводниках связана с исчезновением барьера между метастабильными и основными примесными состояниями пси т : тс- в рамках данного предположения удается объяснить ряд экспериментальных данных. ранее не имевших адекватной интерпретации: зависимость скорости релаксации Фотопроводимости от степени первоначального Фотовоэбужления, изменение характера релаксации фотопроводимости с неэкспоненииального на экспоненциальный при увеличении температуры до значений, больших Тс, и др. ;

в спектрах отражения РьТе<Ga>' зарегистрирована особенность аналогичного типа, которая наблюдается, однако, при всех тенпературах . т < 300 к. при введении одного дополнительного осциллятора в дисперсионное соотношение степень согласия экспериментальных спектров с вычисленными несколько хуже, чем в случае Pbj.xSnsTe(ln). Удалось установить, однако. что при понижении температуры ниже ' тс * 80 К сила осциллятора резко возрастает- Возникновение особенности связывается также с переходами между основными и метастабильными примесными состояниями. Причина сохранения особенности в спек pax отражения при Т > тс, возможно, обусловлена значительной дисперсией параметров нетастабильного состояния.

в восьмой главе приводятся результаты исследованиий спектров Фотопроводимости сплавов на основе PbTe(Ga) со стабилизированным уровнем Ферми. Описывается специфика измерений спектг?в Фотопроводимости с поношью Фурье-спектрометра у материала с задержанной Фотопроводимостью.

В коротковолновой области спектра фотопроводимости присутствует полоса, соответствующая по энергии ширине запрещенной

зоны материала, в то ке время не наблюдается сколько-нибудь заметного сигнала примесной фотопроводимости, несмотря на то, что

данные гальваномагнитных измерений явно указывают на существование примесного уровня в запрещенной зоне. Этот результат является следствием сильного электрон-Фононного взаимодействия в материале, в результате "его энергия прямых переходов в конфигурационном пространстве без изменения конфигурации кристаллического окружения может оказаться выше ширины запрещенной зоны.

Обнаружен новый эФФект - значительный селективный Фотоотклик в дальнем ИК-диапаэоне в об7":ти азотных температур. Частота, на которой л чстрируется фотопроводимость и =130 см"1, близка к энергии продольного оптического Фонона. высказывается предположение, что наблюдаемая фотопроводимость обусловлен» "раскачкой" кристаллической решетки материала, в результате чего электроны. находящиеся в метастабильном состоянии. мог> г преодолеть барьер в конфигурационном пространстве, и принять участие в проводимости-

в девятой главе рассматриваются способы управления Фотопанятыо в сплавах РЪ}-хЗпхТе<1Ы- Показывается, что гапение задержанной фотопроводимости импульсами электрического поля инеег электротермическую природу- Обсуядаются недостатки данного нетола: большая инерционность. деградация параметров образцов при "лительном воздействии сильных импульсов электрического поля.

о юывается новый метод гашения задержанной Фотопроводимости импульсами СВЧ- , Метод, при котором на образец контактным или бесконтактным образом полается ношный импульс СВЧ частотой 300 МГц. позволяет гасить задержанную Фотопроводимость в Р1>1-хЗпхТе(1п) за время ~ Ю"5 с- механизм евч-гашения связывается с разогревом Фотовозбужденных электронов в СВЧ-поле дев разогрева кристаллической решетки.

Показано. что при гашении задержанной Фотопроводимости импульсами СВЧ минимально необходимой для гашения длительности и мощности - происходит резкое увеличение скорости нарастания Фотопроводимости после окончания гашения - наблюдается эффект СВЧ-стикуляции задержанной фотопроводимости. Для интерпретации эФФекта привлекается нодель. согласно' которой при подаче коротких

импульсов гашения Фотовозбужденные электроны локализуются не в основное , а в мзтастабилыюе примесное состояние, откуда возможно их лавинное возбуждение.

Обнаружен эффект частотного резонанса проводимости, индуцированного СЕЧ-полен. Регистрировалась проводимость сплавов по постоянному току а в зависимости от частоты подводимой СВч-накачки По мере увеличения экспозиции ПК-подсветки помимо обшего возрастания проводимости на кривой появляется резкий

пик- После выключения подсветки проводимость вне резонанса релаксирует к тенновому значению существенно быстрее, чем и области резонанса, и может быть достигнуто состояние, при котором проводимость образца отсутствует во всен диапазоне частот, креме узкой области вблизи резонанса- Данное состояние возобновляется при длительном Еынлючении свч-накачки и ее последующем включении-Положение пика не зависит от величины приложенного электрического поля, однако смешается в область меньших частот по мере роста нагнитного поля. Чувствительность проводимости ,обры.ша к ии-иэлученюо в области резонанса значительно выше, чем для 'сходного теннового состояния. Наблюдаемые эффекты также интерпретируются в ранках модели, учитываюпея существование метастабильных примесных состояния.

Десятая глава посвящена выяснению возможностей построения ИК-Фотоприемных систем на базе исследуемых материалов- Приводятся основные ограничения на параметры Фотоприемных систем, работающих в низкоФоновон режиме- Описываются разработанные в работе стенды для определения параметров Фотоприемников в бесФоновом режиме.

Применение описанных стендов позволило определить ква..гову» эффективность Фотоприемника на основе РЬ1-хЗпхТе(1п>. Сказалось, что в режиме СБЧ-стимуляции. величина 1 ~ Ю2. в го время как вне этого режима л ~ 1-

Проводятся оценки воэмозлости реализации режима ограничения Фоном для РъТе(Са) и РЬ|-хЭпхТе(1п). Показано, что Фотоприемник на основе РЫе(Са) при быстродействии 1 мс может работать в режиме ограничения Фоном 300 К уже при лтеян.'Н алертурном угле ю~3 рал-Сотоприемник на основе Р1>1-х5пхТе (Iп), работающий в режима периодического накопления и сброса Фотосигнала при апертурном ^мн?

2» будет работать в режиме ограничения Фоном ухе при температуре последнего 15 К.

Описывается мгкет ИК-радиометра, работающий в режиме периодического накопления и сброса Фотосигнала, оцениваются его параметры.

ОСНОВНЫЕ выводы.

1. Проведены комплексные исследования гальваномагнитных и Фотоэлектрических явлений, спектров- ик-отражения и С топроводимости, вольтамперных характеристик и эффектов поп воздействие« СВЧ-поля в монокристаллах твердых растворов Рь0- 753по-25Те(1п)• а также в монокристаллах и тонких пленках РьТеЮа), в диапазоне температур (1.4 - 300) К, в магнитных полях до 40 Т, как в условиях варьируемой ик-полсветки образца, так и при полном экранировании от Фонового излучения - с целью получения новой информации о примесных метастабильных состояниях в теллуридах свинца и олова с примесями III группы, проявляющих эФФект задержанной Фотопроводимости при низких температурах, а также для обнаружения и детального исследования новых Физических эффектов, выработки рекомендаций по практическому использованию исследуемых материалов.

2. разработаны и созданы низкотемпературные камеры для проведения измерения Фотоэлектрических и вольтамперных характеристик образцов с задер! зноя Фотопроводимостью. Конструкция камер обеспечивает полную экранировку образцов от Фонового излучения, возможность ИК-подсветки кристаллов внутренним и внешним источником излучения с прерыванием освеиенияя, локальная ик-полсветка части образна и контролируемый теплоотвод. Разработаны и созданы специальные стенды для определения параметров оотоприенных материалов в низкоФоновон и.бесфоновом режимах. Создан макет ИК-радиометра с чувствительный элементом на основе сплава РЬд. 75Эпо, здТе(1п), работающий в режиме периодического накопления и сброса информации. 3- Исследованы .статические вах образцов Рг>о. 753п0.25Те{1п) с различным содержанием индия в сильных электрических полях при вариации температуры Тд окружающей среды и экспозиции ИК-подсветки- Показано. что основный механизмом Формирования

восходящей ветви тенновои вах в сплавах с Ы1П >0-5 ат. у- является иняекаия с контактов с захватом неравновесных носителей заряда на ловушки, и возникновение тсков. с:эаниченных объемным зарядом. При появлении свободных электронов в зоне проводимости вследств"е внешней подсветки, повышения температуры То или "термического замораживания" (в сплавах с Н]П < 0.5 ат- . осуществляется переход к закону ома. представлены дополнительные экспериментальные доказательства того, что падающая ветвь вах рассматриваемых материалов Форнируется под воздействием механизма джоулева пробоя-

4- Обнарукен и исследован эФФект гигантского возрастания проводимости (гигантского отрицательного магнитосопротивления) сплавов в магнитных полях Н < 0- 5 Т. Лля интерпретации полученных результатов предложена модель, учитывающая существование метастабильных парамагнитных примесных состояний в РЬ}. "пхТе(1п>. 3- Проведены измерения магнитосопротивления и коЬвФипиента холла Рь0. 73Зпо. 25Те(1п) в сверхсильных магнитных полях до 40 т при температурах (1-4 - 4-2) К. При относительно низкой концентрации неравновесных электронов п наблюдается рост магнитосопротивления во времени (локализация). При более высоком уровне Фотовозбужления. напротив, происходит рост п в магнитном поле. Обсуждаются возможные причины, приводящие к появлению локализации. ЭФФект делокалиэации связывается с процессами еретекания электронов с метастабильного примесного уровня в зону проводимости.

6- Показано, что при легировании РъТе галлием в эапретенной зоне материала образуется глубокий уровень Е^ практически не меняюшип своего положения при изменении степени легирования, в определенной диапазоне концентрации примеси уровень Ферми стабилизирован уровнем Е^. вне этого диапазона уровень Ферми находится в одной из разрешенных зон. Установлено, что если концентрация галлия в материале неныяе, чем необходимо лля стабилизации уговня Ферм то появление задерганной Фотопроводимости связано с крупномасштабными Флуктуаиияни потенциального рельеФа.

0. Получено, нетод лазерного напыления в вакууме позво/лет получить тонкие пленки РьТе(Са) со свойствами, близкими к

свойствам объемных высокоомных монокристаллов ръТеЮа). в то гее время на свойства пленок значительное влияние оказывают Флуктуации потенциального рельеФа зон-

9- Экспериментально доказана возможность Фотогенерапии долгоживуших обьемно-неравновесных состояний в сплавах РЬ(-хЗпхТе(1п). Обнаружено явление Фотоэлектротермическоя неустойчивости в сплавах Рь1-хЗпхТе(1п), находящихся в диэлектрическом состоянии. Это явление определяет вил вах при локальном джоулевом разогреве части образца-

1 рассмотрены процессы расп^ ттранения Фотовозбуждения вглубь образца- По..а: но, что если энергия кванта излучения Екв < Е8. то появление неравновесных носителей заряда в объеме образца определяется Фотогенерацией, а при Екв > е8 - диФФузиеи из поверхностного слоя-

И- Исследованы особенности спектров ик-отражения сплавов Ръд. 75Эпо. 25Те(1п) и РьТе(Оа). Показано, что уширение плазмон-Фононного нинимума спектров отражения РЬд. 75Эпо. гзТе(1п) при температурах Т < 30 К происходит вследствие неоднородного распределения Фотовоэбужденных носителей заряда по толщине образца. Наилучшее согласие вычисленных спектров с измеренными обеспечивается при использовании двухслойной модели распределения концентрации свободных электронов. Предложена Физическая модель, со^.асно которой появление слоев с различной концентрацией свободных электронов связано с поглощением квантов излучения с различной длиной волны-

12- в спектрах отражения сплавов Рьо.755п0.2гТв11п> с н1п' : = 1.2 ат. г при температуре Т < 25 к обнаружена особенность, для описания которой в закон дисперсии необходимо ввести дополнительный осциллятор. Вычислены температурные зависимости параметров осциллятора. Природа осциллятора связывается с оптическими переходами между двух- и одноэлектронными примесными состояниями, причем барьер между этими состояниями появляется в спектре материала лишь при Т < Тс = 25 К- В рамках указанной гипотезы инт<лЛ1ретир-?ются ранее не имевшие объяснения особенности эффекта задержанной Фотопроводимости в РЪ1-хЗпхТе<1п).

13- В спектрах отражения высокоомных сплавов PbTe(Ga) обнаружена особенность, аналогичная наблюдаемой в Pb|.xSn.-Te( In)- В отличие от случая Pi>i_KSnxTe (In), особенн:сть зарегистрирована как при Т < < тс » 80 К, так и т > тс. однако сила оспиллятора резко возрастает при снижении температуры ниже тс- Аналогично случаю p&i-xSnxTe<in), природа особенности связывается с оптическими переходами между двух- и одноэлектронными примесными состояниями.

14- Высказано предположение о возможном появлении особенностей энергетического спектра в PbTe(Ai) при тенпературе Тс * 250 К, и в РЬТе(В) - при Тс я 3 90 К.

13- Обнаружено, что красная граница коротковолновой части спектра фотопроводимости сплавов на основе РьТе(Ca) со стабилизированным уровнем Ферми соответствует ширине запрещенной зоне материала, причем примесная Фотопроводимость отсутствует-

16. Установлено. что сплавы на основе P~e(Ga) со стабилизированным уровнем Ферми облапают' значительной Фоточувстзительностью в дальней ик-лиапаэоне при температурах, близких к азотной. Спектральные характеристики Фотоотклика определяются наличием или отсутствием Фотовозбужления в коротковолновой части спектра. В последнем случае спектр фотопроводимости представляет собой узкий пик на частоте 130 см"1, которая близка к частоте продольного оптического Фонона.

17. Разработан и реализован метод быстрого (за времен: - ю~5 с) гашения остаточной фотопроводимости в Pt>i-xSnxTe(In) с помощью импульсов свч-поля- Показано, что основной вклад в эФФект гашения вносит непосредственное взаимодействие свч-поля с электронами проводимости, а не индукционный разогрев кристалл.-.ческой решетки. Установлено, что при определенном режиме гашения задержанной фотопроводимости импульсами свч наблюдается эФФект увеличения скорости роста сигнала фотопроводимости после окончания импульса -свч-стимуляция фотопроводимости. Получено, что квантовая эффективность Фотоприемника на осн'-'е Pt>j _xSnx1 - (Iг») в р.^лте СВЧ-стимуляции составляет л ~ ю^, в то время как при работе вне данного режима -n ~ 1. Предложена модель, согласно которо: указанный режим гашения задержанной фотопроводимости обеспечи-. ает

локализации Фотовозбукленных электронов основном в

' четастабильное олноэлектронное примесное состояние.

18- Обнаружен эффект резонансного возрастания фотопроводимости сплавов рьj-xsnxte(In) при воздействии СВЧ-накачки на частоте - 280 нгц.. показано, что за возникновение эффекта ответственны электроны, локализованные на метастаеильных примесных состояниях.

19- Рассмотрены особенности Фотоприемников с внутренним интегрированием и периодическим сбросом сигнала, определены Фундаментальные ограничения на их параметры. Проведены опенки н которых параметров фотоприрчных систем, необходимых для обеспечения работы Фотоприемников на основе PbTe(Ga) и Pi>l_xSnKTe(In) в режиме ограничения Фоном.

основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Акимов б-А.. брэндт н. б-. КУРбанов к. Р., Рябова л. и.,

Хасанов А. Т-. Хохлов Л-Р- Фотоэлектрические явления в РьТе, легированном индием. - ФТП. 1983. т. 17. в. 9. С- 1604-16082- АКИМОВ Б. А. . АЛбУЛ А- В. . НИКОРИЧ А. В- . Рябова Л- И. . ХОХЛОВ Л. Р-Фотоэлектрические явления в сплавах PbQ. 75SnO- 25Те 0 различным содержанием индия., - ФТП. 1984. Т-18, В-10, С-1778-1783-

3. Акимов Б. А-. Брандт Н- Б-. Егоров к. Н-. лупив р. В-. Чесноков С. Н., Хохлов Л. Р. Объемно-неравновесные состояния в

¿Tedn)- - ФТП. 1987. Т. 21. В. 8, С. 1379-1381.

4. Акимов Б- А-. Гаськов А-Н., Рябова Л-и.. Хохлов Д-Р- перестройка энергетического спектра в сплавах Pbi-xSnxTe(Ca) пол действием давления. - ФТП. 1987. т. 21. В. 9. с. 1588-15935- Акимов Б. А.. Брандт Н. Б-. Хохлов Л- Р-. Чесноков С- Н- свч-

гашение остаточной фотопроводимости в Pb|-xSnxTe(ln). - Письма В ЖТФ, 1988. т. 14. в. 8. С. 731-735. 6- AKlmov В- А- . Brandt N- В- . CnesnoKov S- N- . Eeorov К- N- . KhoKIUov D.E. Local unectullibrlum states In Pbi-xSnxTe (In) U=0. 25)- - Solid State Comm. . 1988. V-66. N 8. P-811-813. '. 7- Акимов Б. A . Никогчч A- В., Хохлов Л- P.. Чесноков С. н.

проводиность сплавов Рьо, 75Sn0. 25tetlnl при комбинированном воздействие электрического и нагнитного полей. - ФТП. 1989.

Т. 23. В. 4, С. 668-6728- Акимов Б- А. ■ Хохлов Л. Р.. Чесноков с. н. динамика движения рабочей точки на падающей ветвр зольтамперной характеристики сплавов Pbj.xSnxTe( In). - ЭТП. 1989. Т. 23. В. 5. С. 899-900.

9. Егоров К- Н.. Хохлов 1. Р. . Чесноков С. Н. Статические

вольтамперные характеристики сплавов Pbi-xSnxTe(ln) в магнитном поле и при воздействии ик-подсветки- - Сб. "Структура и свойства соединений а4В6" под ред. А. Н. Ковалева. М: Металлургия. 1990, С. 113-12010. Romchevich N.. Popovlch Z. V. . KhoKhlov D-■ NlKorlch A-V. ■

Konlg W- Far-Infrared study of In doped Pbg, 75Sno. single

crystals. - Infrared Phys- , 1991. V. 31, N- 3, P. 225-230.

11. Romchevich N. , Popovlch Z- V. , KhoKhlov D-, NlKorlcn A-V-, Konlg W- Far-infrared study of localized states in In-doped Pbo.75SnQ.25Te single crystals. - Phys. Rev. B. 1991. ' 43. N-8, P. 6712-6716.

12-Акимов Б-A-, Эломанов В. П.. Рябова Л. И-. Хохлов Л. Р.

Перспективные материалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы А4В5- - Высокочистые Вешества, 1991, В. 6. С. 22-35.

13. EelogoroKhov A-I-, IvanchlK I. I. , KhoKhlov D. R. . Popovlch Z.V., Romchevich N- Peculiarities of the far-infrared reflection spectra of the doped lead-tin tellurides revealing the Persistent photoconductivity effect- - Materials Res rch Society Symposia Proceedings, 1991. V.216. P. 143-150.

14-AKlmov B. A-. Brandt N- B- , ChesnoKov S. N. , KhoKhlov D-R. Nevt class of semiconductor materials for infrared photode4ectlon. -Hateriais Research Society Symposia Proceedings, 1991, V-216, P. 185-190.

15. Белоконь с. A- . Верещагина л. н-, иванчик И- и., Рябова л. и., Хохлов Л-Р. Характер изменения свойств РьТе(ба) при изменении степени легирования. - СТП, 1992, Т. 26. В. 2, С. 264-269.

16. Romchevich N-, Popovlch Ъ V. . KhoKh' D. R. Low-temperature far-infrared study of localized states In In-doped

Pfc0-75SnO-25'Ге single crystals. - Physics C: Cond. Ilat ., 1992, V. 18, № 4. P. 843-847.

17. KhoKhlov D-R-. de Vlsser A., IvanchlK I-I-, NlKorlcn A. V.

(De)locallzatlon of nonequlllbrlum electrons In Pbj-xSnxTe(In) in nigh magnetic field- - PhyzlKa B. 1992, V- 37. N- 3. P. 526529.

16- BelogoroKhov A. I-. Ivanchik I.I-. KhoKhlov D- R-

Photoconductivity spectra of the new infrared selective Photodetector- - AppI. Spectroscopy. 1991. V. 45. N- 12. P. 34763477.

19- Хохлов Л- P.. Чесноков С- H- Релаксация задержанной

фотопроводимости в электрическом поле в сплавах P»i-xSnxTe(in) ■ - ФТП. 1992. Т. 26. В. 5, С. 8.77-83820- де Вис- ер А-. Иванчик И. И., Никорич А- В., Хохлов Д- Р.

Локализация и делокализапия в Pi>i-xSnxTe(In). индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК-подсветкой. - ФТП. 1992. Т. 26. В. 3. С. 433-437-

21-Иванчик И. И. , Никорич А-В.. Хохлов Л-Р.. Чесноков С. Н. СВЧ-резонанс задержанной Фотопроводимости в Pbt-xSnxTe(ln). -Письма В ЖЭТФ. 1992. Т-96. в. 2. с. 125-128.

22-Белогорохов А-И-. слынько Е. И-. Хохлов д. р. Аномалии спектров ФОТОПРОВОДИМОСТИ РЬТе(ба). - Письма в ЖТФ. 1992. т. 25,

в. 3. с. 207-209.

23-Белогорохов А. и.. Белоконь С-А., Иванчик И-И., Хохлов Л. Р. Спектры ик-отраясения РьТе(ба): примесные эФФекты- -

ФТТ. 1992. Т-34, в. 5. С- 1537-1539. 24. Khoh; lov D. К- , IvanchlK I. I. . de Vlsser A-. NlKorlch A. V. Localization In high magnetic field In Pbj-xSnxTe(In) - -Solid State Comm. . 1992. V. 74, N. 8. P. 858-862-

По„п. в печ. 25.03.92 г. Тираж 100 экз. Заказ 1С 13433

Централизованная типография ГА "Союзстройматериалов"