Процессы адсорбции и травление слоев SiO2 атомарным фтором и фтористым водородом тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК СССР ОРДЕНА ЛЕНИНА СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ ХИМИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПЕРЕРАБОТКИ МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ

На правах рукописи

Дульцев Фёдор Николаевич

ПРОЦЕССЫ АДСОРБЦИИ И ТРАВЛЕНИЕ СЛОЕВ 3102 АТОМАРНЫМ ФТОРОМ И ФТОРИСТЫМ ВОДОРОДОМ

(Специальность 02.00.04 - Физическая химия)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной .степени кандидата химических наук .

Новосибирск - 1990

Работа вшолнена в Институте Физики Полупроводников

Сибирского отделения Академии наук СССР

. Научные pvw цели: доктор химических наук

профессор С.М. Репинский, кандидат химических наук с.н.с. М.Р. Бакланов.

Официальные оппоненты: доктор химических наук,

профессор Карнаухов A.D.

кандидат химических наук., вед. технолог Семенова О.И.

Ведущая- организация: Институт химической физики АН СССР им. H.H. Семенова

Защита диссертации состоится " " 1990 г.

в - . час. . мин. на заседании специализированного совета К.003.40.01 по присуждению ученой степени кандидата наук по специальности 02.00.04 (Физическая, химия) в Институте твердого тела и переработки минерального сырья СО АН СССР ( 630091, г. Новосибирск, ул. Державина, 18)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института химии твердого тела и переработки' минерального сырья СО АН СССР.

Автореферат разослан "_" _;_ 1990 г.

Ученей секретарь Специализированного jJ^aaa^^K совета кандидат химических наук ^-жГ.Менжерес

-з-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диэлектрические слои диоксида кремния широко используются для производства различных полупроводниковых приборов в качестве изолирующих покрытий, подзатворных диэлектриков и межслойной изоляции. Существуют два основных способа получения диоксида кремния:

1) термическое окисление кремния;

2) осавдение из газовой фазы.

В настоящее время в связи с использованием сложных полупроводников, таких, как А111В1Г (например ваЛв), возникла необходимость в низкотемпературных методах синтеза слоев диоксида кремния, которые получают осавдением из газовой фазы. Качество получаемых слоев зависит от многих факторов ( температуры синтеза, давления в.реакторе, состава газовой фазы, геометрии реактора), и к настоящему времени сложилось представление об основных закономерностях протекания таких процессов как о сложной многостадийной и многомаршрутной реакции. Этот процесс включает и стадии- взаимодействия в адсорбционном слое. Адсорбция и связанные с ней процессы важны не только для понимания процессов роста, но и для понимания процессов травления этих слоев.

Хотя в литературе имеется много данных о структуре слоев и о их составе, но недостаточно данных о пористости тонких слоев, полученных при низких температурах. Отсутствуют сведения о взаимосвязи пористости слоев с закономерностями их травления в водных растворах Ш?. Мало данных о взаимодействии газообразного НР с 3102- В данной работе решалась задача получить эти сведения. Поэтому необходимо было выяснить, как меняется состав, структура пленки, пористость в зависимости от температуры синтеза, и выявить закономерности травления слоев БЮ^ в растворах НР в зависимости от пористости слоев БК^.

Травление слоев диоксида кремния также является важной задачей в микроэлектронике. Для субмикронной технологии в последнее время широко используют различные методы сухого

травления, где в качестве газа-травителя применяются фторсо-держащие газы. Поэтому важно выяснить механизм взаимодействия В102 с одним из наиболее важных реагентов - атомарным фтором, установить природу лимитирующей стадии.'

Понимание процессов взаимодействия Б102 с газообразным НЕ важно также для объяснения явлений деградации слоев диоксида кремния , например, при химическом нанесении на нее других слоев (IV), где в качестве побочных продуктов образуются Ш? и Н20.

Целью настоящего исследования являлось изучение процессов адсорбции газов (Н20, БР, Ш3) и процессов травления слоев 3102, а также установление характера зависимости скорости травления - от пористости слоев . БЮ2 . В связи с этим были проведены исследования:

1) по изучению зависимости пористости и состава пленок 3102 от условий синтеза.

2) . по изучению закономерностей влияния пористости на скорость травления БЮ^. .■

3) по изучению процессов, происходящих при адсорбции таких газов, как Ш3, Ш1, Н20.

4) по изучению механизма взаимодействия атомарного фтора с поверхностью. ■ ' .

5)'по изучению процессов травления БИ^. газообразным НР.

Научная новизна. I) Разработан метод адсорбционной поро-

метрии, с- помощью которого дан анализ зависимости пористости. от условий синтеза. 2) Дан анализ зависимости скорости травления ЗЮ2 в водных растворах НР от пористости получаемых слоев. 3) Описан эффект перестройки приповерхностной 'области в слоях БК^• 4) Установлено, что при взаимодействии 5102 ' с газообразным -Ш? вода'играет роль катализатора. 5) При взаимодействии атомарного фтора с поверхностью основным каналом гибели атомов фтора является реакция с 3102 , а не реакция рекомбинации на поверхности.

Практическая ценность. Разработанный метод адсорбционной поромбтрии для тонких слоев может быть рекомендован для использования-в качестве технологического контроля слоев диоксида кремния .

Выработаны рекомендации для сухого травления слоев 3102.

Апробация работы . Основные результаты работы докладывались на V - семинаре по физической химии поверхности монокристаллических полупроводников ( Владивосток, 1985), на конференции "Физические проблемы МДП интегральной электроники" (Дрогобыч, 1987), на III Всесоюзном, совещании по ге-терогенно- гомогенным реакциям (Черноголовка, 1988), на совещании-семинаре " Аморфные полупроводники и диэлектрики' на основе кремния в электронике",(Одесса, 1989), на VI Всесоюзном семинаре " Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников",( Новосибирск, 1989), а также на научных семинарах ИФП СО АН СССР.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 5 статей.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, приложения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 137 страницах, включая 39 рисунков, 7 страниц приложения и 10 страниц списка литературы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обосновывается актуальность выбранной теш, определяется цель работы, дается краткое содержание диссертации по главам. .

Первая глава посвящена обзору литературы по основным физико-химическим закономерностям образования слоев диоксида кремния, подробно рассмотрены свойства и механизм травления этих слоев в разнообразных травителях.

Вторая глава описывает экспериментальные установки и методику экспериментов. Для изучения пористости слоев был разработан и применен оригинальный метод адсорбционной порометрии (МАП), который'позволяет определять размеры пор от-2 т до 10 нм. Для измерения массы Ю-8 - Ю"6 г, как во время травления слоев 3102, так и в методе адсорбционной порометрии, использовали кварцевые микровесы.

Исследование кинетики поверхностных процессов проводилось

на высоковакуумной эллипсометрической установке, имеющей в своем составе быстродействующий автоматический эллипсометр (со временем считывания значений поляризационных углов д g ® не более 50 миллисекунд и рабочей длиной волны А.=6328 А), снабженной средствами безмасляной откачки с давлением остаточных газов ~ I-I0-7 Тор.

Эллипсометрический метод обладает высокой чувствительностью и позволяет фиксировать даже микроскопические изменения состояния поверхности, например, при фазовых превращениях, происходящих в приповерхностной области 10 t.

Все эллипсометрические исследования были проведены на образцах р-типа с удельным сопротивлением 10 Ом • см с ориентацией поверхности (100) и размерами 20X5X0.4 мм3. Образцы подвергались химико-механической полировке и обрабатывались в перекисно-аммиачном травителе. Нагрев образцов производили пропусканием стабилизированного тока. Температуру образцов определяли то удельному сопротивлению кремния, а также эллипсометрически, по известным зависимостям оптических констант п и й от температуры [1,2J.

Для исследования процессов при адсорбции как дополнение к эллипсометрии был использован рентгеновский фотоэлектронный спектрометр ADES-500. Запись спектров осуществлялась при давлении остаточных газов ~ 2- Ю-8 Тор. Для возбуждения использовалась Ка - линия Mg (1253.6 эВ) при мощности 300 .Вт. Регистрация фотоэлектронов осуществлялась полусферическим анализатором при энергии пропускания 20 эВ. Разрешение по энергиям составляло I эВ, точность определения энергетического положения фотоэлектронных линий ~ 0.2 эВ.

Третья глава посвящена исследованию физико-химических свойств• 'слоёв - диоксида кремния. Низкотемпературные слои обладают развитой поверхностью. Эти слои хорошо адсорбируют воду. При прогреве наблюдается десорбция Н20. Десорбцию НгО наблюдали с помощью эллипсометра и масс-спектрометра. Из экспериментов видно, что интенсивность десорбции меняется при изменении температуры. Интенсивная десорбция наблюдается при откачке и при температурах 150°С, 270°С и 500°С. Оценка общего количества воды показала, что оно может превышать

-7-

¿НН 16

/2 В

4

О

ПО 200 ХО

Рис.1. Зависимость относительного объема пор (а) от температуры синтеза (Тс). 1 - плёнки полученные без НН3, 2-пленки полученные с Ш3.

15 Ю

5

О 50 W0 150

d,HM

Рис. 2. Зависимость относительного объема пор (а) от тлощины слоя (d). 1-пленки, полученные без ИН3, 2-пленки полученные с ИН3.

10%, это говорит о том, что получаемые слои имеют поры, и большая часть воды находится в порах в виде- конденсата. Поэтому с помощью"МАП были исследованы слои, полученные при температурах 100 - 300°С. Полученные слои имеют поры с. эффективным радиусом ' 3 и 7 нм. Для. расчета распределения пор по размерам пользовались методикой Робертса, в . которой предполагается, что поры цилиндрические. При увеличении температуры синтеза общее количество пор (объем) уменьшается (см. рис.1). Причем поры имеют некоторую эффективную длину, это иллюстрируется следующим графиком (рис. 2) , где показана зависимость относительного объема пор а от толщины. .При толщине 70 - 80 нм кривая выходит на насыщение; это говорит о' том, что работает- только верхний слой. Была оценена удельная поверхность, она составила 30 м2/г.

Изучение адсорбции на' дегидроксилированной поверхности проводили, используя автоматический эллипсометр. Напуск газов приводит к'изменению поляризационных'углов-А и Ф, при этом углы изменялись до некоторых максимальных значений, величины которых зависели от давления газа и температуры образца. После откачки реакционной системы поляризационные утлы редаксировали к начальным значениям, которые "соответствуют исходной поверхности 810г , .что говорит об обратимости процессов' адсорбции. • Нужно заметить, что изменение углов АиФ соответствует уменьшению толщины и увеличению показателя преломления. На рис.. з показаны зависимости предельных изменений поляризационных углов при адсорбции от температуры. В интервале температур 150-250°С наблюдается увеличение адсорбционного эффекта, на рис. 4 ' показано изменение химсдвига Б12р уровня при изменении температуры от 20 до 400°С. Важно подчеркнуть, что химсдвиг наблюдается обратимо при многократных -циклах нагрева и охлаждении образца и не обусловлен аппаратурными эффектами. Видно,-что при температуре >200°С величина химсдвига лиции Б12р (Ю4..4.эВ) возрастает и составляет 0.3 эВ. Этот факт указывает, что на атоме крещия возрастает эффективный ■отрицательный заряд. На основании этого, а также в связи- с .данными работ [3,4], где проводилось изучение структуры Б10г,

з: i 20

о <

io

200 «0 600

Рис. 3. Зависимость предельных изменений поляризационных углов при адсорбции от температуры на поверхности терми- • ческого Si02.

. 1 - NH3 , 2 - Н20, 3 - HF . Р > 2 торр.

ЕсВ^В 104.4

Ш

W.0

0 Z00 400 J OQ

Рис. 4. Энергетическое положение окисленной компоненты Sl-2p уровня в зависимости от температуры образца.

-о о ° о о о . о о о

_ I I о оо I ....I

методами рентгенографических исследований, мы пришли к выводу,, что' в данных слоях при Т>250°С происходит топологический переход. Этот переход аналогичен а-р фазовому переходу в кристобалите [5-7]. Неспецифгшость. адсорбции газов, с весьма различными химическими, свойствами при температурах'ниже 250°С дает • нам возможность видеть причину наблюдаемых закономерностей в изменении структуры .приповерхностной области 3102, ' которая стимулируется адсорбцией. Это явление известно, в катализе как изменение свойств поверхности твердых тел под воздействием реакционной среды и описано Г.К. Борёсковым [8]. Природу структурного перехода на поверхности 3102. можно объяснить, исходя из специфики силоксановой связи. Возникновение связи означает появление на атоме кремния эффективного отрицательного заряда, и это влечет за собой реконструкцию связей у ближайших тетраэдров и увеличение, йх-рт связывания, что приводит к увеличению .углов связи 81-0-31. Эти особенности мы наблюдаем как уменьшение толщины слоя и увеличение показателя преломления при адсорбции.

В четвертой главе рассмотрены процессы травления диоксида кремния.•

Кинетика Травления слоев Б10г в растворах, полученных при Т>200°С, отличается от кинетики травления слоев, полученных при Т<200°. Различия состоят в следующем:

Слои, полученные при Т>200°С травятся с постоянной скоростью, .при этом не меняется ни плотность (р) ,ни показатель преломления (п). Аналогично ведут себя и слои, полученные термическим окислением кремния, а также слои, полученные осаждением из газовой фазы с добавками аммиака.

Совершенно иная картина наблюдается при травлении низкотемпературного БЮг (Т<200°С): .меняются п и р , скорость, травления меняется во времени.

На основании полученных данных можно сказать, что изменение кинетики травления слоев 5102 при переходе от одних слоев к другим не может быть объяснено особенностями химического состава этих слоев, т.к. по ИК спектрам" не обнаружено какого-либо существенного различия, ■ даже с добавками

аммиака в газовую фазу. Различия проявляются при травлении в растворах Ш" . Развитие рельефа, образование глубоких пор говорит о том, что в основе лежит пористая структура.. Однако, как видно из рис. I, при изменении температуры синтеза пористость слоев 3102 меняется монотонно и вблизи 200°С нет особенностей. Т.о., кинетика не- может быть, объяснена на основе диффузионно-кинетических моделей. -

Особенности процессов травления, по-видимому, связаны с мезопористой структурой слоев. В середине 50-х годов Хам-мерсом С 9 ] было показано, что если число пор в твердом теле достаточно велико и они связаны друг с другом, то наблюдается проникновение адсорбата вглубь твердого тела. Эти процессы были описаны теорией протекания; в соответствии с этой теорией монотонное изменение каких — либо свойств в определенный момент приводит к критическим явлениям, а. в пористых телах существует критический объем .пор. Величина критического объема в различных-моделях решеток и пор . 15,30%. При уменьшении температуры синтеза увеличивается концентрация пор и их объем приближается к критическому. Слой,, полученные при Т<200°С, имеют объем пор 15-20 %, т.е. близкий к критическому, при' незначительном подтравливании-поры' становятся сквозными, и травление идет во всем объеме. Это приводит к уменьшению оптической плотности пленок и ускорению процесса травления. На рис. 5 показано, как меняется распределение пор по размерам во-время, травления в растворах НР.

Несколько иное поведение наблюдается при взаимодействии атомарного фтора с поверхностью.

При включении разряда в источнике происходит изменение угла ® , соответствующее образованию адсорбционного.слоя. После выключения происходит десорбция. Если после .Еыхода угла Ф на насыщение не выключать разряд, то через некоторое время угол Ф начинает меняться в обратную сторону, что соответствует уменьшению толщины.

Интересно отметить, что скорость травления имеет максимум при температуре Т = 250 --ЗС0°С . Выражение для скорости реакции для термического ЭЮд .в интервале температур 20 -

РаЗиус пор , г, ни

Рис. 5. Зависимость распределения пор по размерам от времени травления слоев 5102 (Тс = 150°С): • I - исходная пленка толщиной I мкм, 2-4 стравлено 20, 100, 800 нм соответственно.

250°С имеет вид:

Нз±о2 = (24±1)Пр ехр [ - (3000 + 300)/ ИГ ] вероятность реакции:

ер = (0.2*0.07) 10~2ехр [ - (3000±300)/ КГ ]

При взаимодействии атомарного фтора с низкотемпературными слоями скорость выше примерно в пять раз, и связано это,. в основном, с предэкспоненциальным множителем, а не с величиной энергии активации. При сравнении наших данных с литературными мы пришли к выводу, что расход атомов фтора на реакцию с 3102 является единственным каналом гибели атомов фтора. Схему процесса можно записать как:

Л

•^газ ' *адс кч

радс + %5102-^14311,4 + У4°2 ■

Вторая стадия не- является' элементарной. Механизм лимитирующей стадии не установлен, однако исходя из наблюдаемого увеличения скорости травления ЭЮ^ с увеличени ем температурило 250°С , а также из того факта,, что нам не удалось зарегистрировать хемосорбированнкй слой, можно. предполагать, что имитирующей стадией является присоединение первого атома фтора.

Увеличение скорости травления 3102 ' с увеличением температуры связано с изменением айс-ртс перекрывания; При адсорбции атомов фтора на поверхности ' Б10г происходит -реконструкция приповерхностной • области. Связь 31-Р образуется за счет смещения неподеленной пары электронов атомов фтора на вакантную 3<3 орбиталь кремния. Это является первым шагом, и поскольку образование 81-Р связи и процесс травления имеют одинаковую зависимость * от температуры,_ то можно предположить, что лимитирующей стадией является

образованив'первой Б1-Р связи.

Продуктами реакции 510г с НР является НгО и Б1РЛ. БИ^ легко десорбируется с поверхности, тогда как десорбция Н20 при низких температурах затруднена. Принимая во внимание также следующие экспериментальные данные:

• I. Процесс травления имеет период начального ускорения, величина которого зависит от концентраций НР и паров НгО в газовой фазе. Кривые имеют Б образный вид. Скорость травления в стационарном рекиме растет пропорционально давлению НР;

.2. Разбавление НР парами Н20 приводит к уменьшению периода ускорения;

. .3. Величина периода ускорения зависит от температуры синтеза слоев;

4. Зависимость кинетики процесса от температуры имеет сложный характер. При повышении температуры образца сначала происходит резкое уменьшение скорости стационарного травления (. 10 раз), а начиная с температуры 80-100°С скорость реакции меняется слабо;

.- мы сделали вывод, что процесс взаимодействия БЮг с НР катализируется выделяющейся водой, а гидроксильные группы являются адсорбционными центрами*

Рассмотрим два случая:

I. Пусть' концентрация гидроксильных груш будет близка к плотности, монослоя. Тогда:

- (М/М = й, Рнр(0о+С)

где ш-масса■БЮг, Рщ--давление НР, С0,С-концентрации Н20 на поверхности.в начальный и текущий моменты времени.Концентрация адсорбированной вода," образующейся в ходе реакции:

йс/аг = й! Рщ. с0 - йт Рнр с - с

Автокатализ возможен, если й^с^Рщ.: тогда:

Дт СоСехр^-, Р t) - 1]

Это уравнение хорошо описывает начальный участок кинетических кривых процессов травления слоев.

2. Концентрация ОН-групп на поверхности мала. ОН-группы могут находиться лишь в порах, тогда травление начнется с этих пор. Если расстояние между такими порами больше толщины пленки, то на поверхности возникают ямки травления. В этой модели ямки травления, до момента их перекрывания, представляют собой усеченные конусы с углом наклона грани а:

- (M/dt = ft, Рдр (Cö + С) 2% R d slra где R =Sr±, при (С0 + О) = const, a R = ftj R0 i

Am = fe1 Рщ. (C0 + С) йх d slna t2 Анализ экспериментальных данных подтверждает эту модель.

Рассмотрим роль воды в процессе стационарного травления. Если слои S102 достаточно толстые, то после периода ускорения происходит выход на некий стационарный режим, когда скорость травления становится постоянной и зависит от давления HF в реакторе. Посмотрим, что происходит с толщиной адсорбционного слоя в момент, предшествующий началу процесса травления. После того как завершился период индукции,. наблюдается довольно резкое увеличение толщины адсорбционного слоя, после этого начинается процесс травления. Толщина адсорбционного слоя в этот момент заметно превышает монослой. Эти факты позволяют предполагать, что в режиме стационарного травления на поверхности образуется жидкий слой. Молекулы HF из газовой фазы сорбируются и растворяются в этом слое, а взаимодействие с поверхностью SiOg происходит по такому же механизму, как и в растворах HF. Продукты реакции в виде ионов S1f|" переходят в раствор и диффундируют к внешней границе жидкого слоя,, где происходит десорбция молекул SIF4. в газовую фазу. Оценка концентраций отдельных компонент является сложной задачей, и нам решить ее не удалось. Поэтому мы оценили концентрацию

НР,' исходя из следующих предположения, что скорость травления 3102 зависит от концентрации НР в жидком слое так же, как и в водном растворе. Тогда концентрация НР в жидком слое, соответствующая скорости травления при 5 торр, равна 1.1ЧО22 см-3, при этом концентрация молекул НР в газовой фазе составляет 1.75*10^ см-3.

ВЫВОДЫ

1) Разработана методика адсорбционной порометрии для тонких слоев (<1000 А ), которая позволяет оценить средний радиус пор, распределение пор по размерам, общий объем пор, сделать оценку площади поверхности.

2) При синтезе слоев диоксида кремния окислением моносилана в реакторе пониженного давления при температурах Т= 150 300°С образуются слои ЗЮ2 с мезопорами, средний радиус которых 30 А, а концентрация 8-12%. Концентрация пор в пленках растет с понижением температуры синтеза, а добавка аммиака в газовую смесь существенно снижает пористость слоев 3102,

3) При прогреве слоев при температуре Т=600°С происходит полная дегидратация и дегидроксилирование 3102 . В

•результате слои' становятся гидрофобными и инертными по отношению к таким газам, как Н20, НР, КН3- Эти газы обратимо адсорбируются на поверхности ЗЮ2 при температурах выше Т= 150°С, причем при адсорбции происходит реконструкция поверхностного слоя 3102, которая приводит к уменьшению эффективной толщины слоя 3102. Эта реконструкция аналогична топологическому переходу в аморфных телах, который описан •в работе [4]. -Адсорбционные эффекты достигают максимума при Т=250°С.

4) .Реакция взаимодействия 3102 с газообразным фтористым водородом происходит лишь в присутствии адсорбированной воды-, которая играет роль катализатора. Поскольку при взаимодействии ' одним из продуктов является то процесс приобретает автокаталитический характер.

5) При травлении S102 в водных растворах HF решающее значение играет пористая структура слоев' S102 . При температуре синтеза около 200°С концентрация пор достигает, критического значения. В соответствии с теорией протекания в этих пленках травитель проникает вглубь пленки и в результате происходит растравливание пор, уменьшение плотности и увеличение скорости травления пленок.

6) Установлено, что при взаимодействии S102 с атомарным фтором скорость травления имеет максимум при температуре Т=250°С. Показано, что вероятность гибели атомов фтора определяется его реакцией с S102 , а не поверхностной рекомбинацией.

Цитированная литература

1. Hopper М.А., Clarke R.A., Young L. Thermal oxidation, of silicon In situ measurement of the growth rate using elllps.ometry // J. Electrochem.. Soc., 1975, v.122, No .9, p. 1216 - 1222.

2. АлгазинЮ.Б., Блюмкина Ю.А., Гребнев H.M., Свиташев К.К., Семененко Л.В., Яблонцева Т.М. Оптические постоянные атомарно-чистой поверхности германия и кремния и их температурные зависимости // Оптика и спектроскопия, т. 45, 1978, с. 330.

3. Gerber Th. and Hlmmel В. The stnacture of silica'glass. // J. Non-Cryst. Sol. v. 83, 1986, p.324-334.

4. Gerber Th., Himmel В., LorentH., Stachel D.. Phase Transitions in vitreous and Amorphous S102. // Cryst. • Res. Technol. v. 23, N 10/11, 1988, p. 1293-1302. .

5. Grimm H., Corner B. On the Mechanism of the a-(3 phase transformation of Quarts. // J. Phys. Chem. Sol., v. 36,

N 5, 1975, p. 407-413.

6. Walker R.F. The Anomalous Inversion in Cristoballte. // In Kinetics of high Temperature processes, Cambrlge, Mass., i959, p. 223 - 238.

7. Johnson W. and Andrews K.W. An X-ray Study of the Inversion and Thermal Expansion oi Cristoballte.//'.Transact.

Brit. Ceram. Soc.,1956, v. 55, N. 4, p. 227 - 236.

8. Боресков Г.К. Изменение свойств твердых катализаторов под воздействием реакционной среды., //Кинетика и катализ, том XXI, вып. I, 1980, с. 5 - 16.

9. Эфрос А.Л. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука, 1982.

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. Бакланов М.Р., Дульцев Ф.Н., Могильников К.П. Кинетика растворения слоев S102 в парах HF.// Изв. Сиб. отд. АН СССР, 1987, вып.1, N2,. с. 25-29.

2. Бакланов М.Р., Дульцев Ф.Н., Репинский С.М. Адсорбционная порометрия слоев S102. // Тезисы докладов конференции "Физические проблемы МДП интегральной электроники.", Дрогобыч, 1987.

3. Бакланов М.Р., Дульцев Ф.Н., Репинский С.М. Адсорбционная порометрия слоев S102 осажденных из газовой фазы. // Поверхность , 1988, N-II, с. 145-146.

4. Бакланов М.Р., Васильева Л.Л., Дульцев Ф.Н., Могильников К.П., Ненашева Л.А. Пористая структура и травление слоев диоксида кремния. // Поверхность, 1989, N-3, с. 65-70.

5. Baklanov M.R., Vasllyeva Ь.Ь., Gavrllova Т., Dultsev F.N., Mogllnlkov К.P., Nenasheva L.A. Porous structure of S102 films syntheslted at low temperature and pressure. // Thin Solid Films, 1989, V. 171, p. 43-52.

6. Baklanov M.R., Dultsev F.N. Adsorption and consumption of atomic fluorine on S102 surface. // React. Klnet. Catal. Lett., 1989, v. 40, N-2, p. 247-251.

7. Бакланов M.P., Васильева Л.Л., Дульцев Ф.Н., Могильников К.П. Исследование слоев S102, осажденных из газовой фазы, .методом адсорбционной порометрии. // Тезисы докладов совещания-семинара "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике", Одесса, 1989, с. 13.