Распыление двухкомпонентных и слоисто-неоднородных материалов легкими ионами средних энергий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Манухин, Владимир Владимирович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1994 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.04 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Распыление двухкомпонентных и слоисто-неоднородных материалов легкими ионами средних энергий»
 
Автореферат диссертации на тему "Распыление двухкомпонентных и слоисто-неоднородных материалов легкими ионами средних энергий"

^!%3»У^ГОСУЛ№СТВПИЬЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.В.ЛОМОНОСОВА НаучнЭ-ибй^довательский институт ядерной физики

о \ __

На правах рукопчси УДй 537.531.09

маяухин ВШИВИР В-ТМИКИРОВИЧ

РАСПЫЛЕНИЕ ДЕУХКОтОНЕИТНЫХ К СЛОИСТО-НЕОДНОРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ ЛЕГКИМИ КОПА-МИ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ

Специальность 01.04.04 - Физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученей степени кандидата физико-математических паук

/

/

ХО У

ж

МОСКВА 1991

Работа выполнена в Московском энергетическом институте на кафедр! Общей физики и ядерного синтеза.

кандидат физико-математических наук, доцент В.П.Афанасьев .

доктор физико-математических наук, в.н.с. В.В.Плетнев (МИФИ)

кандидат физико-математических наук, с.н.с, Г.А.ИферОВ {НИИЯФ МГУ) .

РНЦ Курчатовский институт

Защита диссертации состоится ОД- 1994 г. в часов на

заседании Специализированного совета К 053.05.23 в ЮТ им. М.В.ЛОМОНОСОВА по адресу: 119899. ГСП, Москва, Ленинские горы, НИИЯФ МГУ, кор.19. ауд. 2-15.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИИЯФ ЮТ. Автореферат разослан "^О" .Ш^ТА 1994г.

Ученый секретарь Специализированного созета, кандидат физико-математических наук

Научный руководитель

Официальные оппоненты:

Ведущая организация

О.В.Чуманова

0БШ4Я ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕВД

Влияние ионной бомбардировки на изменение состава сплавов лиэи поверхности является объектом многих исследований. Интерес модификации поверхностей мишеней гарякешшми частицами обуслов-вается важностью этого явления для различных областей материа-ведения.

Изменение состава поверхности вследствие, преимущественного спыления и атомного перемешивания при комнатной температуре наущалось во многих экспериментах И]. При более высоких темперз-рах появляются дополнительные рпжние термические эффекты (на-ииер, радиационно-ичдуцированнмя сегрегация, адсорбция Гнббсонл другие), и проблема иоипо - индуцированного изменения состава верхности становится еще более сложной. Комбинация этих и дру-х процессов (например, имплантация играет существенную роль в учае больших доз) ведет к образованию поверхностного слон с из-ненноЛ концентрацией компонентов, толщина и состав которого за-сят от времени облучения, типа соединения, температуры, энергии вида бомбэрдирунцих ионов.

В случае бомбардировки легкими ионами наблюдается относи-льно слабая эрозия поверхности на фоне интенсивного перераспре-ления компонентного состава мишени, затрагивающего довольно бо-шие глубины (сравнимые с пробегом иона в сплаве).

Теоретическое исследование распыления многокомпонентных ма-риалов ионной бомбардировкой обычно сводится к двум направлени-[21: 1) определение коэффициентов распыления компонентов одно-дных мишеней с начальной концентрацией [31, 2) определение из-ненных в процессе бомбардировки концентраций компонентов, учи-

тывая различные процессы, приводящие к этому изменении , Для этого применяются различные модели мишеней, в том числе и многослойные , используя характеристики распыления однородных мишеней. Такой подход обладает определенным внутренним противоречием; при расчетах компонентного состава неоднородных мишеней используются характеристики однородных материалос, что может, в определенных случаях, привести к ошибочным результатам.

В настоящей работе предлагается подход к распылению двухком-понентных неоднородных материалов легкими ионами, применяемая также и к случаю распыления однородных однокомпонентных мишеней, в основе которого лежит модель, предложенная более 20 лет назад в работах Вейессманна с со-авторами 141. Согласно этой модели процесс распыления может быть представлен как совокупность двух механизмов: 1) распыление восходящим (обратно-рассеянным) потоком ионов, 2) распыление нисходящим (первичным) потоком ионов. Модель применяется для описания коэффициентов распыления четырех различных типов мишеней: 1J однородная однокомпонентная мишень - на базе которой отрабатываются методы преобразований и определяется область применимости модели. 2) однородная двухкомпонеИтная ми-шеиь - с целью тестирования применимости модели к распылению многокомпонентных мишеней, 3) слоисто- неоднородная мишень (однородный однокомпонентный слой материала ka однородной полубесконечной подложке другого материала) - предельный случай мкшени с измененным поверхностным слоем, 4) двухкомпонентная мишень с модифицированным поверхностным слоем с резким интерфейсом.

Целью настоящей работы является разработка аналитической модели распыления неоднородных двухкомпонентных мишеней с резким интерфейсом легкими ионами средних энергий (от 1С0 зЗ до 100 кэВ), на основе которой можно было, бы исследовать процесс распы-

лсния неоднородных материалов сложного состава легкими ионами, и получить по-возможности наиболее простые расчотные формулы для коэффициентов распыления сложных материалов.

Научная новизна. Создана аналитическая модель распыления мишеней сложного состава легкими ионами, базирующаяся на двух механизмах распыления: восходящем потоком ионов и нисходящим потоком ионов. Использование именно этих механизмов позволяет наиболее полно и точно учесть все существенные при распылении про-цзесы и дать правильное количественное описание коэффициентов распыления. В обеих механизмах учитывается эмиссия как первично-выбитых атомов, так и вторичных, в соответствии с глубиной их образования.

На основе этой модели исследован процесс распыления неоднородных материалов (слоисто-неоднородных однокомпонентных ч двух-компонентаых) легкими ионами, получены простые аналитические выражения для полных коэффициентов распыления однородных, слоисто-неоднородных» двухкомпонентных мишеней и двухкомпонентных неоднородных мишеней легкими иоцами и тяжелыми ионами.

Научная и практическая ценность работы. Полученные формулы для полных коэффициентов распыления однородных., слоисто - неоднородных и двухкомпонентных материалов легкими ионами позволяют более точно описывать реальные экспериментальные данные по распылении твердых тел. Модель также позволяет рассчитывать поверхностные концентрации компонентов двухкомпонентного материала в установившемся режиме распыления не только при высоких энергиях, но й энергиях близких к порогу распыления.

Развитый ь работе подход к распылению однородных однокомпонентных и двухкомпонентных мишеней и простейших слоисто - неоднородных мишеней легко трансформируется к случаям распыления более

сложных миизней. ,

Апробация работы: Основные результаты работы доложены и о суздеш на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

- XVII, XVII1, XXII Всесоюзные совещания по физике взаимодейств заряксннкх частиц с кристаллами (Москва 1987, 1908, 199?);

- IX Всесоюзная конференция по взаимодействию атомных частиц тверды;-.! телом (Москва 1989);

- Всесоюзное совеа;аш!е-ссминар по диагностике поверхности йонньй пучками (Донецк 1938);

- X Всесоюзная конференция по динрмике разреженных газов (Москве 1909).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 5 работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введе ния, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы, состс ящего из 100 наименований. Полный объем работы с 39 листами р! сунков и 1 таблицей составляет 119 страниц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ. Во яведснии обосновывается актуальность темы, ставятся цел и задачи исследования. Кратко излагается содержание диссертацио!] ной работы.

И первой главе дан обзор теоретических работ, посвященнь пилению распылении легкими ионами. Кратко изложена история разви ■гия теории распыления однокомпонентных однородных материале вплоть до момента создания каскадной линейной теории распылени П.Зигмундом [2]. Отдельно рассмотрела каскадная теория распылени как наиболее часто используемая на сегодняшний день. Представлен расчетная формула для коэффициентов распыления и определена об

б

асть, в которой она работает, приведены основные ее недостатки, реди альтернативных теорий распыления, основанных на решении инетического уравнения Еольцмана, упомянутых в этой главе, осо-ое внимание уделено работам Фальконе [51. В своих работах Фаль-Ьне уточнил и дополнил каскадную теорию распыления, a так ко, [спользуя подход аналогичный, используемому при бомбардировке •яжелыми ионами, предложил модель и формулу для коэффициента растления однородных однокомпонентных материалов легкими ионами. Па юнове кинетического уравнения переноса В.Плетнев разработал кас-адную теорию (теория ограниченных каскадов) распыления легкими гонами [6], с помощью которой определены наряду с полными коэффп-[иентами распыления другие сущестппнные характеристики процесса.

Таким образом, как отмечено в этой главе, на сегодняшний (ень существует, по крайней мере, двп теории распыления однород-гых однокомпонентных материалов легкими ионами, основанные на :инетическом уравнении Больцмана, способные правильно описать 1роцесс эмиссии атомов при определенных условиях бомбардировки юверхности мишени.

В этой же главе представлены наиболее успешные теоретические шботы [7] по распылению легкими ионами, базирующиеся на модели, федложенной Вейессманном с соавторами. Отмечено, что практически ice теории основаны на одном механизме распыления - восходящим ютоком ионов,что значительно ограничивает их облаеть применения.

Подробно рассмотрены работы по распылению многокомпонентных нтериалов как с позиции эрозии исходного сплава, так и с позиции вменения компонентного состава мишени, а та;же по распылению :лоисто - неоднородных материалов. Отмечено недостаточно полное ■еоретическое исследование явления распыления слоисто - кеодно-юдных материалов.

Во-второй главе рассмотрена однородная аморфная одиокошюпон тная мишень, на поверхность которой под углом 0о от нормали ) поверхности падает широкий пучок ионов с энергией Ео. Взаимодействие меаду частицами описывается в модели парных соударений. Согласно предлагаемой модели, каздый из механизмов описываетсг как последовательность слсдуюэдх процессов:

Механизм 1_ (распыление восходящим потоком ионов): прохождение ионов через слой толщины х; отражениз потока ионоз от лижеделгщпх слоив материала; выбывание отраженным ионом первичного рскоЯла в элементарном слое Ах па глубине а; эмиссия первичных и вторичных атомов из слоя х.

Механизм 2 (распыление нисходящи потоком ионов): прохождение иона через слой толашш I; выбивание ионом первичного рекойла в элементарном слое <1г; отражение первичного рекойла от нижележащих слоев мишени, либо распыление первичным рекойлом нижележащих.слоев материала; эмиссия первичных л вторичных атомов из слоя х. ■

Для описания эмиссии атомов из слоя х вводится эмиссионная Функция 2(Т,03,х), определяемая как среднее число атомов, распиленных одним первичны»! рекойлом стартующим с глубиIи; х с энергией Т в направлении 02.

При этом принимаются следующее приближения:

1) упругое взаимодействие частиц описывается степенным сечением [2]:

с1о(Е,,Ег)СтЕ;т^,-т(1Ег , (1)

где т - параметр, сависяаий от энергии , Ст - константа;

2) эмиссионная функция находится из решения уравнения Еольцмана в модели плоского поверхностного барьера и приближение "прямо ~ вперед":

3(Г,В,,1)»-1-Е.(ЛС I) , ' (2)

з 2П

где 0 - энергия поверхностной связи атомов мишени, 1! - атомная плотность материала, С0 - константа в ссченки взаимодействия (ш=0>, е4<//оСх) - интегральная экспонента;

3) функцию пропускания ионов описываем в модели непрерывного замедления в приближении' "прямо - вперед" (поскольку характгриие длины"пробегов ионов в соединении значительно больше средней глубина образования распыляемых атомов)

где с(Е0) - средннз потери энергии иона в сплавп на единице длины

пути, цо*соаОо, к(Ео,тУцо) - коэффициент, учитывающий деградацию

потока ионов на глубине х за счет их рассеяния и поглощения: Г <* 1

где /?о - полный пробег кона в сплаве. - проективный пробег иона, I - транспортная длина.

Не вдаваясь в подробности•преобразований, запишем результирующую формулу для коэффициента распыления компонента сплава

ПЕ.О )=----—Гй (ЕЖ)1?.,(Е ,0 )[1-(!7/>Е1)1-т] +

00 ВС и р~1+1 I " " ° ° I J

о

где Зп(Ео) - сечение ядерного торможения ионов в мишени, уко,0о> - коэффициент отражения ионов от мишени, у - кинематический фактор взаимодействия "ион - атом"*, р - константа: >^о№'</<3'»>. ~ средняя энергия отраженных ионов,

- пороговая функция, определяемая интегралом

>1Ё*/уЕ.созЭ )»( 1-ш) [<« (гГ'0ГХ<уЕ Г .0)5 (собсТ 0-/П .

ш)|йфг £?> /ГЕ

11> ' о

■до "В(Е,0) - эффективность свмораспыления. Ввиду сложности ана-

литичесхого вычисления этого интегрального выражения, здесь ис пользуются аппроксимационные зависимости для пороговой функции ¡

виде

?)(£}=0.18694М~£2/3М1-£>г , (5

V)(£,cosOo)^(c)+(1-V(£))tt-cosOo]1-5 . (б!

Формула (4) применима как для случая нормального падения, так и наклонного (0о<60°), а также позволяет описать коэффициента распыления не только легкими ионами, но и тяжелыми. Результата расчетов по формуле (1) приведены на рис.1-3.

В третьей главе предложенная апробированная во второй главе модель распыления, распространена на. случай бомбардировка двухкомпонентнай мишени {в приближении малых доз облучения). При этом предполагается, что энергия, выделившаяся в материале сс средним Z, перераспределяется ыезду компонентами соединения в соответствии с кинематическими • факторами взаимодействия "ион-атоы компонента" ii н огноситедышми концентрациями компонентов. Крож того считается, что эмиссия вторичных атомов каждого из компонентов из слоя толщиной х проходит вне зависимости от наличия другое го компонента [61. Получена формула для расчета полных коэффициентов распыленна кошоиентоп в виде: с 1 Г 1 11"т loo p-»+1 | jJ L n N o o

[l-ia^^'^iEJ^/i^.co^j] . . (T)

где Sn{Eo) - сечепие ядерного торможения ионов в сплаве. W°o> - коэффициент отражения ионов, от сплава, с1 - относительная концентрация атомов í-того компонента в соединении, уо -кинематический фактор взаимодействия "ион - атом со.средним 2".

Отмечены основные закономерности рзспыления двухкомпонеитных мишеней:

- Солее легкий компонент распыляется преимущественно;

- менее связанный.компонент распыляется преимущест ишо;

Рис. 4 иллюстрирует результаты расчетов по формулам (7); на нем отражены все основные закономерности.

В четверной главе рассматривается возможность описания в рамках предлагаемой модели распыления слоисто-неоднородной минени (простейший случай мишени с измененным поверхностным слоем): однородный слой толщиной хо однзкомпонеитного материала на однородней ПолубосконечноЛ подложке другого материала. Получена фоомула для расчета коэффициента распыления слоя неоднородности толщиной хл

* 1

УЧГ [^/зЧ^г/э^о'0.,^

[1-^/^/з(1о))'--]+2п(£о)^^1/ГЙ0.соСОо)][1-4Е5(^ото)] , (в) где 5п<£о) - ядерное сеченис тормошения ионов; е5(/УСол:о) - интегральная экспонента; -- полный коэффициент отражения ионов от слоисто-неоднородной мишени с толщиной слоя неоднородности х^: £|/3<хо) - средняя энергия отраженных ионов; р - константа.

Полные коэффициенты отражения частиц ЯН2/э(Ео,Оо,хо) и энергии /?Ег/3(Ео,0Г1,з:о) от слоисто-неоднородных мишеней описываем хорошо апробированными выражениями

Г1^;М.во)-йм(в)а(го-иоп^;,1.во)] . (9)

а средняя энергия отраженных ионов определяется формулой

гло 11о-совОа; Пы(е)?<Ео.0о) и /?н(Е)3(г0,б0) - коэффициенты отражения ионов от чистых однородных материалов слоя неоднородности и . подложки, соответственно.

Анализируя полученную формулу (8) , можно отметить несколько закономерностей распыления слоиг.то-неоднсроднкх мишеней:

1) при 2о-»0, У2/3(Ео,0и,з:о)ч0 (нет распыляемого слоя);

2) при , Г2/3(Ео,0о,1о)-»1'2(Ео,во) - коэффициент распыления однородной однокомпонентной мишони чз материала слоя неоднородности;

3) если слой неоднородности состоит из атомов более легких, чем атп«и подложки, то подложка действует на ¡юны как "зеркало" (Яыр/3(Ео,0о,:го)>/?мг(£о,Оо)), поэтому коэффициент распылешш слоя неоднородности с тяжелой подложки будет больше коэффициента распыления однородной мишени из материала слоя (У,,АЕ ,0.х)>

с/ о О о

7,,(Е ,0 )) л .зависимость Г-,,(Е ,3 ,х ) от х будет иметь максим-

2 о* о 2/3 ооо о

ум; .

4) если слой неоднородности состоит ип атомов более легких, чем атомы подложки, то подложка действует па ионы как поглотитель (Якг/.1(Ео<0о,ха)<ВКр{Ео,0о)), поэтому коэффициент распыления слоя неоднородности с легкой подложки Судет меньше коэффициента распыления однородной мишени из материала слоя.

Отмеченный выше максимум отчетливо прослеживается на рис.5, на котором приведены результаты расчетов по формуле (8). Расчетные значения хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными с помощью установки КС 72С1И и результатами компьютерного моделирования. .

В пятой главе предлагаемая модель трансформируется к условиям распыления двухкомпоьентной мишени с измененным поверхностным слоем (двухкомпонпнтная слоисто-неоднородная мищевь). Используя результат«, полученные в предыдущих главах, находится формула для коэффициентов распыления компонентов измененного слоя:

c»l -j Г 7 1 Ff1(£ ,0 ,x )«-i- —.— [^(Я'Чл: il^lE ,0 J

1 о' о- о ECU'*1 p-'+l [ у J L n ° ooo

[l- (i7*l/7 lE* (Xo))1""] 1 (Eq ) V (E^/y t Eo, COSOo) ]

t'iC I )] , (11) L 5 о о j

где индекс "a!" (altered) обозначает, что данный параметр соответствует измененной концентрации компонентов.

Отмечается, что эта формула является обобщением всех ранео рассмотренных случаев мишеней. И далее, используя .соотношений Паттерсона и Едрна, определяется отношение концентраций компонентов п измененном поверхностном слое при. установившемся режима ра-. спыления:

с. с?1 У®1 Г Г. 1-т 1-(ЦА/7Кж)1"га+ра1(Е„)?)(г^,/улНо,0„)

св св

^Г К ¡J. в1 Ъ1 L

1-(0//7Еау-,я*рл1(Ео)р(Б1ь/1АЕо,0о)

сл+св"1 • РЛ1(Е ^(^/(.«^(Я )П^^Ео.0о,хп)) . (12)

Исходя из нелинейного уравнения (12), находятся концентрации •. компонентов в измененном слое при любых значениях энергии Ео (см. pnc.fi) /в расчетах' толщина измененного слоя ' принималась равной 108. поскольку одновременное определение концентрации 5- толщины из одного уравнения (12) невезможно/. Это соотношений определяет явную зависимость концентраций от энергия падакущ-.х ионов и показывает. что происходит обогащение поверхности более тямыым компонентом и обеднение- менее связанным компонентом. В тоже время, для каждого соединения существуют такие условия распыления (энергия Ео), при которых не происходит за счет распыления изменения концентраций компонентов в поверхностном слои.

В заключении приведены основные результата, полученные в диссертационной работе.

Основные результата работы, выносимые на защиту:

1. Разработана аналитическая модель столкновительного распыления неоднородных дпухкомпонентннх маторта.ов легкими ионами средних энергий, базирующаяся на двух механизмах: распыление восходящим потоком ионов и распыление нисходящим потоком ионов, в которых учитывгются все поколения выбитых атомов в соответствии с глубиной их образования."

2. Получены простые аналитические формулы, позволяющий расчитывать: • .

а) полные коэффициенты распыления однородных одноэлементных.мишеней легким.! и тяжелыми ионами в случгях нормального и наклонного (не скользящего) падения пучка ионов;

б) полные коэффициенты распыления слоя неоднородности, напыленного на полубссконечную подложку;

в) коэффициенты распыления бинарного сплава при нормальном падении, пучка ионов;

3. Приведен возможный метод определения относительных концентраций компонентов измененного поверхностного слои при стехиометрич-;юм рехиме расишюпия бинарпцх соединений. ' '

4. Разработан аналитический метод расчета полных коэффициентов ' отражения частиц и энергии от слоисто-неоднородных поверхностей.

5. На основа изложенной в диссертации модели аналитически доказало существование эффекта рпзко-немонотонной зависимости коэффициента распыления слоя неоднородности легкого материала с поверхности тяжелой подложки от толщины слоя неоднородности.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах: 1. Афанасьев В.П., Ианухии B.C. Полные коэффициенты отражения испов от слоистых поперхностеЯ/ТПоБорхность. Физика, химия, мвха-

вина. Т 9, 1988, С.93.

2. Афанасьев В.П., Манухин В.В., Наускс Д. Полные -ээффициенты отражения энергии и частиц от слоистых мтпеней//Поверхкость. Физика , химия, механика. Т 9, 1990, С.151.

3. Манухин В.В. Распыление стратифицированных слоев материала легкими ионами.//Тезисы Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.:МГУ, 1992,

С.91.

4. I.ínnukh'n V.V. Sputtering of solld3 at light-Ion bombardment.// Uucl. Instr. and I.feth. 1992, Vol.B72, V.45-50.

5. Манухин B.B. Распыление однородных материалов легкими ионами// Поверхность. Физика, химия, моханика. 1993, If 3, С.42-48.

Цитированная литература:

1. Sigmund р., Uan M.Q.//Fund?mental Processes In Sputtering, "at. Fys. r.Tedcl. Ban. VId. Setsk. 1993 , 94 P.

2. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып.1//Под ред. Р.Петспаа. М. :!'лр. 190-1.

3. Sigmund Р., Oliva A., Falcone СТ.//NIM. 1982. V.194, Р.541.

4. VV1 essmann Г., Beürlsti П.>/Пай. Eff. 1973. V.19, P.69.

5. -Гштьконе Д. Теория распш1еиия//У«1. 1992; т. 16.?, С.71-117.

6. Плетнев В.В. Современное состояние теории физического распыления неупорядоченных мате,риалов//Итоги науки и техники. Сер. Пучки ' заряженных частиц и твердое тело. т.5. М.: СТГИГЛ. 1991, С.4-62.

7. VIkanek М., Urbassek H.M.//!iucl. Instr. and t.teth. 1990, Vol. B48, P.549.

8. Biersack J.Г., Eckstein Vf.//Appl. Phys. 1981, Vol. A34, P.73.

9. Eckstein \1. .Blersack J.P.//Appl. Phys. 19&5. Vol. A37, P.95.

ао2

§ 001 -I

3

аоо-

к? \о' ад*

ю*

Гис.1 Коэффициент распыления N1 ионами Н+ (нормальное падейие); спловкая линия - расчет по формуле (4), о - данные [Я].

Ю4 Ю3 О*

ЕоСвУ)

Рис.2 Относительные' вклады механизмов I и 2 в полный коэффициент распадения N1 ионами Н+ (нормальное падение): сплошные линии расчет. о(1п), с(оиг) - данные 1С]. : '

Рис.3 Полный коэффициент распыления N1 ионами Н+ кэВ) как ' функция угла Со: сплошная линия - расчет по формуле. (4), о (и

пунктирная линия) - данные [81.__.

0*-

Ео(е\0 ' \ Рис.4 Коэффициенты рспыления соединения Т1Па ионами Пе+ (нормальное падение): сплошные линии - расчет по формулам (Т) о, о, Д - данные 19].."

хЛ)

Рис.5 Коэффициент распылении пленки AI с поверхности Vi ионами Пс+ 5 кзВ, норм. падецис) в зависимости от толщины пленки А): сплошная линия - расист по формуле (0), о - данные IIA.".

Рис.б Отношение поверхностных концентраций с(УсТ1 при стационарном режиме распыления TIC ионами Н+ и Не+ (нормальное падение): сплошные линии - расчет по формуле (12), пунктирные линии - расчет по теории Г!.В.Плетнева [61, о - зкеперимен- , талыше дпишл.