Разработка инженерной методики расчета и исследование рабочего процесса торцевых электродуговых источников плазмы для нанесения металлических и углеродных покрытий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.14 ВАК РФ

Леонтьев, Сергей Владимирович АВТОР
кандидата технических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1999 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.14 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Разработка инженерной методики расчета и исследование рабочего процесса торцевых электродуговых источников плазмы для нанесения металлических и углеродных покрытий»
 
Автореферат диссертации на тему "Разработка инженерной методики расчета и исследование рабочего процесса торцевых электродуговых источников плазмы для нанесения металлических и углеродных покрытий"

На правах рукописи Для служебного пользования Экз. № //

Леонтьев Сергей Владимирович

РАЗРАБОТКА ИНЖЕНЕРНОЙ МЕТОДИКИ РАСЧЕТА И ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОЧЕГО ПРОЦЕССА ТОРЦЕВЫХ ЭЛЕКТРОДУГОВЫХ ИСТОЧНИКОВ ПЛАЗМЫ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ И УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ

Специальность: 01.04.14 - Теплофизика и молекулярная физика

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва -1999

Работа выполнена в Московском Государственном Техническом Университете им. Н.Э.Баумана

Научный руководитель:

Научный консультант:

член-корреспондент АТН РФ доктор технических наук, профессор 1Дороднов А.М| кандидат технических наук Кузнецов А.Н.

Официальные оппоненты: доктор физ,- мат. наук-кандидат технических наук-

Киселев Михаил Иванович Гаврилов Алексей Георгиевич Ведущее предприятие - Государственное предприятие «Московский институт теплотехники»

Защита состоится 2000г в час. на заседании диссертационного

совета по энергетическим установкам К.053.15.08 в Московского Государственном Техническом Университете им. Н.Э. Баумана по адресу : 107005, г. Москва, Лефортовская набережная., д.1, корпус "Энергомашиностроение".

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МГТУ им. Н.Э. Баумана. Автореферат разослан "//" о/ 3999 г.

Ваши отзывы в 2-х экз. заверенные печатью, просьба высылать по адресу: 107005, г.Москва, 2-я Бауманская ул.,д.5, МГТУ, ученому секретарю Совета К.053.15.08.

Ученый секретарь диссертационного Совета к.т.н.

Кутуков Ю.Н.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Возможность эксплуатации современной техники условиях высоких рабочих температур, больших удельных нагрузок, рессивных сред в значительной степени определяется свойствами )верхности изделий. Поэтому модификация поверхности, нанесение на нее щитных покрытий остается актуальной задачей развития современной хники и технологии. Одним из перспективных направлений нанесения на шерхность изделий тонких пленок обладающих специальными юйствами является вакуумное ионно-плазменное осаждение, основанное 1 взаимодействии потоков высокоэнергетичкых частиц плазмы с эверхностью изделий. Обработка такими потоками подложки позволяет одифицировать ее и формировать на ней тонкопленочные покрытия пличного химического состава с необходимыми физическими свойствами высокой адгезией к основе. Большое развитие получил метод, :пользующий для получения потоков плазмы и последующего нанесения щитных покрытий вакуумно-дуговой разряд с расходуемым интегрально элодным торцевым катодом. Он реализован в промышленных установках Зулат", "Пуск", "Плазменный котел". Однако, эти установки имеют ряд едостатков, ограничивающих широту использования вакуумно-дугового етода осаждения, особенно применительно к процессам получения ездефектных высококачественных металлических и углеродных покрытий, [оэтому, создание новых установок, позволяющих устранить эти едостатки, увеличить возможности метода, расширить спектр как аносимых на подложку материалов, так и самих обрабатываемых оверхностей является актуальной задачей.

Известно, что торцевые электродуговые системы, получившие гарокое распространение в промышленности и способные наносить [еталлические и углеродные покрытия высокого качества, до настоящего ремени исследованы на ограниченной номенклатуре материалов. Поэтому нтересно расширение круга исследуемых материалов, включая роведение экспериментов на углероде и получение при помощи юдификации и оптимизации торцевых источников плазмы епарированных от микрокапельной фазы потоков углеродной плазмы.

Несмотря на интерес, проявляемый к торцевым эяектродуговым истемам со стороны исследователей и промышленности, до настоящего ремени не существовало единых методов, позволяющих оптимизировать уществующие и проектировать новые установки, опираясь на физические [ринципы работы вакуумно-дуговых источников плазмы с холодным юсходуемым катодом. В настоящей работе предпринята попытка «работать системный подход к этой проблеме.

Цель работы. Целью работы является разработка замкнутой шженерной методики расчета и исследование рабочего процесса торцевых лектродуговых источников плазмы для нанесения металлических и

углеродных покрытий с комплексным учетом процесс! генерации, разлета, транспортировки плазмы и различных процесс« взаимодействия ионной компоненты с обрабатываемым изделием.

В диссертации решались следующие задачи:

- проведение анализа существующих методов нанесения металличесю и углеродных покрытий в вакууме;

- разработка замкнутой инженерной методики расчета~и~исследоваш рабочего процесса торцевых электродуговых источников плазмы щ нанесения металлических и углеродных покрытий с комплексным учето процессов генерации, разлета, транспортировки плазмы и различны процессов взаимодействия ионной компоненты с обрабатываемы изделием.

проведение расчета процессов разлета, транспортировк плазмы, оптимальных режимов ионной обработки изделия экспериментальное подтверждение разработанной методики для ряд материалов в используемом диапазоне изменения основных геометрически характеристик плазменных устройств;

- получение сепарированных от микрокапельной фазы потоко углеродной плазмы и покрытий различных углеродных структур пр помощи модифицированного источника плазмы;

выдача рекомендаций для реализации в промышленности результате проведенных исследований. Научная новизна работы:

разработана замкнутая инженерная методика расчета торцевы: электродуговых источников плазмы твердых веществ с комплексны» учетом процессов генерации, разлета, транспортировки плазмы и различны: процессов взаимодействия ионной компоненты с обрабатываем ь^ изделием;

экспериментально подтверждена справедливость инженерно! методики расчета для ряда материалов и выбора основных геометрически) характеристик электродуговых плазменных устройств;

исследованы генерационные и энергетические характеристик! модифицированного источника углеродной плазмы;

экспериментально исследованы различные режимы нанесена углеродных покрытий в модифицированной конструктивной схем( электродугового источника плазмы. Практическая ценность работы.

1. Рассчитаны процессы разлета и транспортировки плазмы, оптимальные режимы ионной очистки и нанесения покрытий для ряда материалов е используемом диапазоне изменения основных геометрических характеристик плазменных устройств.

2. Разработанная инженерная методика расчета электродуговых источников плазмы с комплексным учетом процессов генерации, разлета,

анспортировки плазмы и различных процессов взаимодействия ионной мпоненты с обрабатываемым изделием может быть рекомендована для тимизации и создания плазменных систем.

Получены сепарированные от микрокапельной фазы потоки углеродной [азмы в результате модификации конструкции электродугового источника. Экспериментально доказана возможность использования разработанного :точника плазмы для получения углеродных покрытий различных эдификаций и даны рекомендации по режимам нанесения углеродных 1енок.

Достоверность и обоснованность, основных научных положений эдтверждается тем, что они являются результатом прямых наблюдений и шерений по отработанным методикам с помощью стандартных приборов оборудования, а полученные результаты расчетов достаточно хорошо едтверждаются экспериментальными результатами и согласуются с итературными данными.

Апробация и публикация работы. Положения и результаты работы окладывались и обсуждались на Международной научно-технической онференции «Циолковский - 140 лет со дня рождения» (г.Рязань, 1997г.), 1еждународном аэрозольном симпозиуме (г.Москва, 1997г.), научно-ехнических семинарах кафедры "Плазменные энергетические установки" -ПТУ им.Н.Э.Баумана. Основные положения диссертации опубликованы в печатных работах и 3 научно-технических отчетах.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, ыводов, списка цитированной литературы из 125 наименований. Работа сложена на 122 страницах, содержит 45 рисунков и 2 таблицы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

В первой главе проведен обзор современных методов нанесения «таллических и углеродных покрытий, проведено их качественное равнение. Перспективным современным методом модификации юверхности материалов является осаждение покрытий в разрядах низкого явления. Особые свойства плазмы этих разрядов позволяют получать сарактеристики покрытий, которые недостижимы с использованием фугих методов. В таких устройствах для нанесения покрытий «пользуется испарение рабочего вещества, в том числе электронным тучкам, распыление при бомбардировке высокоэнергетичными ионами, а также испарение микропятнами вакуумно-дугового разряда.

В настоящее время широкое распространение в промышленности толучил вакуумно-дуговой метод осаждения. Метод генерации плазмы катодным пятном вакуумной дуги дает возможность получать потоки гильно ионизированной плазмы любых проводящих веществ. В отличие от процессов с тепловой природой (энергия частиц Е~КТ~0,1*0,3 эВ, где К-константа Больцмана), в которых практически отсутствует ионизация рабочего вещества, в рассматриваемом методе генерируется практически

полностью ионизированная плазма с аномально высокими энергиями ион Е ~ 100 эВ, превышающими напряжение горения дуги ид. Источни: плазмы с генерацией катодным пятном позволяют с использован» ионов различных твердых веществ, проводить процессы ионного на1ре£ очистки поверхности изделий, ионного легирования и, наконец, нанесен! различных проводящих покрытий из материала расходуемого ката - (металлы,сплавы и т д.).- С применением добаиокреактивныхтазов (ЫгГС С г Нг и др.) можно получать покрытия из нитридов, оксидов, карбид« металлов н других соединений. Процесс обеспечивает предельную чисто! (по составу) поверхностных слоев и является высокоэкологичным.

Электродуговой метод позволяет получать не только покрытия I металлов и сплавов, но и является эффективным инструменто получения покрытий из углерода, в том числе, так называемы алмазоподобных структур. Их уникальные прочностные характеристик наряду с электрическими, оптическими и теплофизическими свойствам обеспечивают большие перспективы применения углеродны алмазоподобных пленок в качестве упрочняющих, износостойки? защитных, просветляющих и др. покрытий, и вызвали множеств исследований, направленных на разработку различных способов и: получения. Поэтому для определения перспектив и возможны преимуществ электродуговых источников плазмы для получена углеродных структур был проведен анализ существующих углеродны: структур и методов их получения, который показал, что основны» недостатком, ограничивающим применение электродуговых методов является присутствие большого количества микрочастиц углерода ] продуктах генерации катода. Поэтому получение сепарированных о: микрокапельной фазы потоков углеродной плазмы для нанесеню различных углеродных структур, является актуальной задачей, требующе? проведения дальнейших исследований.

Известно, что торцевые электродуговые системы, получившие широкое распространение в промышленности и способные наносит! металлические и углеродные покрытия высокого качества, до настоящего времени исследованы на ограниченной номенклатуре материалов. Поэтому интересно расширение круга исследуемых материалов, включая проведение экспериментов на углероде и получение при помощи модификации и оптимизации торцевых источников . плазмы потоков углеродной плазмы.

Несмотря на интерес, проявляемый к торцевым электродуговым системам со стороны исследователей и промышленности, до настоящего времени не существовало единых методов, позволяющих оптимизировать существующие и проектировать новые установки, опираясь на физические принципы работы вакуумно-дуговых источников плазмы с холодным расходуемым катодом.

Для расширения возможностей использования метода в технологии (лучения металлических и углеродных пленок необходимо устранение :азанных недостатков, выработка системных подходов к оптимизации и 1нетруированию новых технологических установок. Указанные »стоятельства определили вышеизложенную цель и задачи исследования.

Во второй главе излагаются инженерные принципы расчета ггочников плазмы на основе генерации вещества катодным пятном 1куумной дуги, даются расчеты параметров плазмы, закономерностей ее □лета и взаимодействия высокоэнергетичных потоков с поверхностью |делия. Приводится расчет параметров технологических процессов и ометрических размеров источника.

Возрастающие требования, предъявляемые к установкам ионно-хазменного нанесения покрытий диктуют необходимость разработки эвых схем установок, что невозможно без выработки стройной методики 1ализа и расчета самого источника плазмы и основных технологических зоцессов, протекающих в устройстве. В работе предпринята попытка ^работать системный подход к этой проблеме, проведен расчет кктродугового источника плазмы с дисковым катодом, т.е. 1ектродугового источника плазмы торцевого типа, предназначенного для энной обработки изделий. Схема установки для ионной обработки риведена на рис. 1, где 1 - катод источника плазмы, 2 - анод источника, 3 -1ектроизолированный экран, стабилизирующий катодные пятна на эрцевой поверхности катода, 4 - поджигающий электрод, 5 -гектромагнитная катушка для управления плазменным потоком, 6 -сточник электропитания генератора плазмы, 7 - обрабатываемое изделие, 8 источник электропитания, создающий ускоряющий ионы отрицательный отенциал на обрабатываемом изделии, 9- рабочая вакуумная камера, 10 -еханический форвакуумный насос, 11, 12 - вакуумные клапаны, 13 -аромасляный диффузионный насос, 14 - вакуумный затвор, 15 -атекатель для разгерметизации рабочей камеры, 16 - система напуска еактивных газов, 17 - плазменный поток. В рамках предложенной схемы ассматривается процесс ионной обработки изделия 7 потоком плазмы 17, гнерируемой пятнами на дисковом катоде 1.

В технологическом процессе можно выделить четыре основных гадии, в числе которых, откачка вакуумной камеры до давления порядка О3 Па: генерация, формирование плазмы в объеме источника и ее разлет направлении изделия; ионная очистка, нагрев и легирование поверхности зделия; нанесение покрытия.

В работе рассмотрены определяющие процессы в каждой из тадий с приведением расчетных формул для оптимальных режимов. 1сходные данные для расчетов определяет поставленная техническая адача. Обычно заданными характеристиками являются характерный дамер изделия Отд (радиус НИ1Л=Оюд/2); материал изделия; масса изделия

Io; материал покрытия (катода); толщина дефектного слоя на поверхности зделия 5ДСф, который необходимо удалить в ходе технологического роцесса; требуемая толщина покрытия 6nolt; максимально допустимая гмпература нагрева изделия Ткзд(Тмах); расстояние по оси катод-изделие L. Ьвестными считаются теплофизичекие свойства материала изделия, окрытия (катода), анода.

Основная идея расчета состоит в следующем. Генерация плазмы роисходит из катодных микропятен, в которых концентрация и давление остигают экстремально больших величин - до пп - 10" мэ; Р„ ~103Па. Госкольку концентрация заряженных частиц в пятне очень велика, при азлете плазмы из пятен, хаотически перемещающихся по поверхности (искового катода, на малой длине внутри источника происходит среднение концентрации ионов и плотности ионного тока в объеме (сточника по его поперечному сечению. Принимается, что разлет плазмы [роисходит от дискового испарителя с площадью SK = тс гк2, при средней шотности генерируемого ионного тока ji(cp), к изделию с заданным характерным размером 0И1Д (Rmj), размещенным на расстоянии L от катода. Три разлете происходит дальнейшее падение концентрации плазмы в ютоке и плотности ионного тока до значений ni(11M) и ji(HM) (рис.2). Эти 1начения, также как и величина тока дуги, могут быть различными в режимах ионной очистки и нанесения покрытия. При приложении к изделию от источника 2 отрицательного потенциала (в режимах очистки LF04i в режиме нанесения покрытия Un0K) в бесстолкновительном ченгмюровском слое происходит ускорение поступающих к изделию ионов и производятся соответствующие режимы ионной обработки. Значения U04 и U„M выбираются оптимальными с точки зрения максимальной производительности, минимального времени обработки и формирования требуемой структуры поверхностного слоя. При приложении отрицательного потенциала U происходит также нагрев изделия удельным потоком мощности q=ji(HM) U, где j^) - плотность ионного тока на изделии. Естественно, что поток мощности, приносимый ионами, не должен перегревать изделие выше допустимой (заданной) температуры Тим (Тмах). Анализ показывает, что именно максимально допустимая температура изделия является параметром, диктующим выбор всех других параметров - концентрации ионов и плотности ионного тока у поверхности изделия и в источнике плазмы, параметров плазмы, характерных конструктивных размеров катода и анода и т.д. В каждом конкретном случае Т„ш известна для обрабатываемого материала (задана) и обычно изменяется в диапазоне 450 + 1200 К для различных материалов. Так, например, для изделий из закаленных сталей Т„ы не может превышать температуры их отпуска (~500 -г 700К) из-за потери твердости детали при более высоких температурах нагрева вследствие отпуска.

В работе приведены расчетные формулы, определяющие основш параметры плазмы, оптимальные технологические условия в различи режимах работы источника. Так, для стадии генерации, формирован: плазмы в объеме источника и ее разлета в направлении к издели распределение 3](1)1Д) по радиусу изделия К дается выражением:

0,11л

1-

1+(ВД - (глт

{[ 1-(НЛЬ)2+(гД.)2]2+4(КУЬ)2},/2 где 1д - сила тока дуги; Я- радиус изделия; Ь - расстояние по ос «катод - изделие»; г* - радиус катода. Коэффициент использования масс составит:

Т)т —

1

.кизлХЮ • • <ш.

0,1 • .Ь(ср)- ЯГ«2

К-изл

2шу

1+(М02 - (г А)2

{[1-(1^)2+(гЛ)2]2+4(11/Ь)2}1/2. Определены зависимости для различных технологических режимо] работы источника. Так, в режиме нагрева, очистки и легирован» поверхности изделия получаем оптимальное значение Ц>ч:

иоч=

1 - К 0,09

^ИЗД)

1,9

0,5 К 10

-3/2

где К= -

и,

5(ИД)

а коэффициент f вычисляется из формулы, где 1(И1Л) и 2соответственно порядковые номера элементов изделия и иона катода:

ад та юд у/ЪГ -

Для режима нанесения покрытия определена оптимальная скорость роста слоя:

Ало,«,, [1-У(Щ

УП01!= Ю-8

■ Чпих '

Рпок(к) и

распыления У(Ц) вычисляется из формулы:

-, где коэффициент

У(Ц>=-

1,9

и,

Цпо»)

Цпок)

, 1/2

и ^

10

1/2

- 0,09 и^п«)

1/2

скорости нанесения покрытия от потенциала смещения, подаваемого н; подложку, для случая катода из хрома представлена на рис. 4.4.

Для получения углеродных покрытий различных структур бьи использован модифицированный источник плазмы с фронтальной системо* сепарации, учитывающей физические особенности работы вакуумно-дугового разряда на графите. Для отработки оптимальногс технологического режима требовалось исследовать эту схему для случа* графитового катода и сравнить с основными характеристиками источнике плазмы традиционной конструкции, работающем на углероде.

Были получены вольт-амперные характеристики разрядов в рассматриваемых источниках плазмы (рис.4.5, где 1- традиционный ИП, 2-модифицированный ИП), ионные токи насыщения вакуумно-дуговых разрядов, распределение плотности ионного тока на обрабатываемые изделия с различных направлений по объёму рабочей камеры. Измерены распределения ионов по энергии в центре зоны ионной обработки, которые представлены на рис.4.6 (где 1- традиционный ИП, 2- модифицированный ИП). Снижение средней энергии ионов в модифицированном источнике объясняется, тем что высокоэнергетичные однозарядные ионы имеют более узконаправленное угловое распределение разлёта и с большей вероятностью захватываются системой дисковых экранов, чем менее энергетичные многозарядные ионы, имеющие более изотропное распределение по направлениям разлёта.

Были также изучены особенность работы источника плазмы с экранированной зоной ионной обработки при наложении на разрядный объём продольного магнитного поля. Вольт-амперные характеристики разряда практически не изменяются. Однако, наблюдается значительное перераспределение разрядного тока на торцевой анод источника плазмы уже при наложении очень небольших продольных магнитных полей порядка 10...12-10"4Тл.

В пятой главе приведены результаты исследования полученных покрытий. Изучение толщины тонких углеродных плёнок на шлифах различно ориентированных подложек с использованием электронного микроскопа подтвердило достаточно хорошую равномерность их нанесения. Отклонения от среднего значения не превышало 25%.

Изучение морфологии осаждённых в традиционном устройстве покрытий показало наличие в них микрочастиц с характерным размером 1...2 мкм и с максимальным размером до 20 мкм, причём занятая ими относительная площадь поверхности подложки достигает 70%. У покрытий, осаждённых в модифицированном источнике плазмы, дефектная, т.е. занятая микрочастицами площадь подложки снижена в 102 раз. Максимальный размер обнаруживаемых в этих покрытиях микрочастиц углерода не превышает 5 мкм что, наряду с их небольшим количеством,

является удовлетворительным результатом для многих задач лашиностроения. Полученные в модифицированном источнике плазмы углеродные пленки повторяли топографию поверхности подложки. При толщине менее 1 мкм пленки были прозрачные или имели любой отгенок зидимого спектра. С увеличением толщины пленки приобретали стальной двег с оттенками от светло- до темносерого. Пленки обладали достаточно хорошей адгезией к подложке. Микротвердость покрытий исследовалась путем измерения отпечатков при вдавливании инденторов на приборе ПМТ-3. Максимальное значение микротвердости углеродных конденсатов, полученных в модифицированном источнике плазмы составило 117 ГПа. При измерении электросопротивления использовались алмазоподобные пленки, напыленные на медную подложку. Значения электросопротивления р для отдельных образцов равнялось 1,1-10" Омм.

Таким образом, проведенные эксперименты показали возможность получения углеродных пленок различных структур с использованием вакуумного электродугового источника плазмы с торцевым интегрально холодным катодом, что позволяет считать этот метод перспективным для проведения дальнейших исследований и использования в различных отраслях промышленности.

ВЫВОДЫ

В диссертации разработана замкнутая инженерная методика расчета торцевых электродуговых источников плазмы твердых веществ с комплексным учетом процессов генерации, разлета, транспортировки плазмы и различных процессов взаимодействия ионной компоненты с обрабатываемым изделием.

Приведены результаты расчетов процессов разлета и транспортировки плазмы, оптимальных режимов ионной очистки и нанесения покрытий для ряда материалов в диапазоне изменения основных геометрических характеристик плазменных устройств.

Проведены экспериментальные исследования режимов генерации, формирования плазмы в объеме источника и ее разлета, а также различных режимов ионной обработки изделия, показавшие удовлетворительное соответствие расчетным данным, полученным из методики.

Экспериментально обоснован способ получения сепарированных от микрочастиц потоков углеродной плазмы в результате модификации конструкции электродугового источника плазмы.

Экспериментально исследованы генерационные и энергетические характеристики модифицированного источника углеродной плазмы и режимы нанесения углеродных пленок.

Получены и исследованы различные углеродные покрытия, даны рекомендации по оптимальным режимам получения углеродных структур различных модификаций.

7. На основе проведенных исследований даны рекомендации пс

разработке и оптимизации экспериментальных и промышленных устройств и выбору оптимальных технологических режимов нанесения металлических и углеродных покрытий.

Основные научные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. Разработка ионно-плазменных устройств и технологии для защиты деталей машиностроения от коррозии и отработка технологии формирования керамических покрытий на изделиях из алюминиевых сплавов. Отчет о НИР ГЭ 4218/ МГТУ им.Н.Э.Баумана; Рук. A.M. Дороднов.-Г.Р.N01.9.50001871,инв.N3121. -М., 1995.-31 с.

2. Разработка и исследование плазменного устройства нового типа для нанесения бездефектных покрытий, свободных от микрокапельной фазы. Отчет о НИР ГЭ 4229/ МГТУ им.Н.Э.Баумана; Рук. А.М.Дороднов. -Г.Р. N 01.9.50002338, инв. N3144. - М., 1995. -25 с.

3. Разработка ионно-плазменных устройств и технологии для защиты деталей машиностроения от коррозии. Отчет о НИР ГЭ 4212 /МГТУ им.Н.Э.Баумана; Рук. А.М.Дороднов. - Г.Р. N 01.9.50002957, инв. N 2937,-М., 1995.-21с.

4. Леонтьев C.B. Некоторые особенности работы дугового источника плазмы с холодным расходуемым графитовым катодом // Тезисы докладов III Международного Аэрозольного Симпозиума. - Москва, -1999. -С.116-117.

5. Леонтьев C.B. Разработка вакуумно-дугового источника плазмы для получения тонких углеродных и алмазоподобных пленок // Циолковский - 140 лет со дня рождения /Материалы Международной научно-технической конференции. - Рязань, 1997, - С. 110-111.

6. Leontiev S.V. Study of vacuum-electric arc dispersion of graphite. // Aerosol: science devices, software and technologies (Moscow). - 1996. - V.2, Nl.-P.76.

7. Leontiev S.V. New type of carbon vacuum arc II Aerosol: science, devices, software and technologies (Moscow).- 1997. - V. 1, N 1. - P. 55-57.

8. Дороднов A.M., Кузнецов A.H., Леонтьев C.B. Методика инженерно-физического расчета электродугового источника плазмы для процессов нанесения покрытий в вакууме. Учебное пособие.- Москва, МГТУ им.Н.Э.Баумана, 1999. - 36 с.

Подписано к печати 7.12.99

Заказ № 464 Объем 1 п. л. Тираж 100 экз.

МГТУ им Н.Э. Баумана