Струйная плазма высокочастотного индукционного разряда в процессах нанесения оптических покрытий тема автореферата и диссертации по механике, 01.02.05 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Обзор исследований высокочастотных индукционных разрядов в процессах модификации поверхности.

1Л. Анализ высокочастотных индукционных разрядов и области их применения.,.

-1.2. Методы нанесения тонкопленочных покрытий.

1.3. Характеристики тонкопленочных оптических покрытий.

1.4. Постановка задачи.9.

Глава 2. Аппаратура и методика экспериментальных исследований струйных ВЧИ-плазмотронов в динамическом вакууме для нанесения покрытий.

2.1. Функциональная схема экспериментальной ВЧИ-плазменной установки.

2.2. Измерительная аппаратура. Методика проведения экспериментов и оценка точности измерения.

2.3. Методика исследования свойств тонкопленочных покрытий.

2.4. Методика оценки погрешности измерений.

Глава 3. Характеристики струйных ВЧИ-плазмотронов в условиях динамического вакуума при нанесении покрытий.

3.1. Электрические и газодинамические параметры струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления.

3.2. Энергетические параметры струйного ВЧИ плазмотрона в условиях динамического вакуума. Энергия ионов и плотность ионного тока на поверхность подложки .-.

3.3.Состав струи ВЧИ-плазмы пониженного давления в процессах испарения, транспортировки и конденсации при нанесении покрытий. 3.6. Математическое моделирование струйной ВЧИ плазмы пониженного давления в процессах нанесения покрытий.

Глава 4. Нанесение тонкопленочных оптических покрытий с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума.

4.1. Эксплутационные характеристики тонкопленочных покрытий, полученных с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума.

4.2.Оптические характеристики тонкопленочных покрытий, полученных с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума.

4.3.Применение тонкопленочных оптических покрытий в интерференционных системах, полученных с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в динамическом вакууме.

В настоящее время плазменные технологии находят широкое применение в машиностроении, медико-инструментальной промышленности, микроэлектронике и оптике, в том числе при нанесении покрытий на поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков с целью придания им требуемых физических свойств.

Наиболее перспективными для процессов напыления являются разрабатываемые в последние годы электрофизические методы получения покрытий. Однако, анализ показывает, что электроискровое микролегирование, ионно-плазменное напыление, ионная имплантация, наплавка, плазменное напыление при атмосферном давлении и вакуумные методы осаждения имеют также ограниченные возможности с точки зрения придания поверхности изделий заданных свойств. Так струйные плазменные методы напыления при атмосферном давлении, обладая рядом существенных достоинств, не позволяют получать высокоплотные покрытия, достаточно равномерные по толщине. Напыление в вакууме лишено этих недостатков, однако, малая, скорость напыления и ограниченный набор пленкообразующих материалов, не всегда удовлетворяет разработчиков интерференционных конструкций.

Возможность совмещения достоинств этих методов может быть реализована с помощью струйного ВЧ плазмотрона в условиях динамического вакуума. Метод получения тонкопленочных покрытий (ТПП) с помощью струйного высокочастотного индукционного (ВЧИ) разряда в условиях динамического вакуума позволяет совмещать процесс испарения пленкообразующего материала с ионизацией и возбуждением атомов, а также формировать направленный поток частиц и транспортировать их на поверхность, подложки. Наличие протяженного транспортного участка дает возможность управлять физико-химическими процессами и составом осаждаемого вещества. Поэтому плазменные технологии, позволяющие управлять оптическими 7 наносимых покрытий, являются перспективными в процессах изготовления тонкослойных оптических покрытий (ТОП). Однако в настоящее время отсутствуют систематические исследования взаимодействия потока плазмы ВЧИ-разряда в динамическом вакууме с испаряемыми пленкообразующими материалами, влияния характеристик ВЧИ-плазмы на процессы нанесения ТОП, закономерностей изменения оптических свойств покрытий.

Работа направлена на решение актуальной проблемы медико-инструментальной промышленности и оптического приборостроения - развитие методов производства ТОП, в том числе с заданными физическими характеристиками.

Данная работа выполнялась Казанским государственным технологическим университетом по программе Министерства образования РФ № 417 «Взаимодействие атомных частиц с поверхностью - новые методы и технологии» по теме «Взаимодействие низкотемпературной плазмы ВЧ разряда с поверхностью твердых тел» 1992-2000г.

Цель и задачи исследования. Целью работы является получение тонкопленочных покрытий с улучшенными физико-механическими и заданными оптическими свойствами с помощью струи плазмы ВЧИ разряда пониженного давления путем теоретических и экспериментальных исследований I струйного ВЧИ разряда пониженного давления в процессах нанесения покрытий для медико-инструментальной промышленности и оптического приборостроения. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Комплексное экспериментальное исследование параметров струйного ВЧИ-разряда в условиях динамического вакуума в процессах напыления и определение основных параметров разряда ответственных за получение покрытий;

2. Экспериментальное исследование состава струи ВЧИ разряда в процессе нанесения покрытий; 9

2. Впервые установлена существенная роль слоя положительного заряда при формировании покрытий. Выявлено, что свойства покрытий наряду с внешними параметрами, такими как скорость струи, мощность вкладываемая в разряд, температура подложки и др., определяются энергией ионов бомбардирующих поверхность и плотностью ионного тока на поверхность;

3. Впервые установлено, что способ получения оптических покрытий с помощью струйного ВЧИ плазмотрона пониженного давления обладает достоинствами напыления плазмотронами атмосферного давления и напыления в вакууме;

4. Разработана математическая модель нанесения покрытий струей ВЧИ-плазмы в условиях динамического вакуума и создана инженерная методика расчета характеристик струйных ВЧИ-плазмотронов пониженного давления при подаче напыляемого материала в виде стержня;

5. Раскрыт механизм процессов при напылении оксидов в разрядной камере струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума. Установлено изменение состава паровой фазы в струе ВЧИ-плазмотрона;

6. Впервые разработан и реализован с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления способ конструирования интерференционных систем, основанный на варьировании комплексного показателя преломления синтезируемых оксидных пленок.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. На основе исследований экспериментальных параметров струи неравновесной низкотемпературной плазмы с энергией ионов бомбардирующих поверхность от 10 до 30 эВ и плотностью ионного тока на поверхность от 15 до 25 А/м разработаны технологии нанесения тонкопленочных покрытий с заданными характеристиками с помощью струйного ВЧИ плазмотрона пониженного давления;

2. Предложен принципиально новый метод нанесения покрытия с помощью струйного ВЧИ плазмотрона заключающийся в совмещении процес

10 сов обработки и нанесения покрытий на поверхности в условиях динамического вакуума;

3. Внедрены в промышленность созданные технологические процессы и специальное оборудование для подготовки поверхности и нанесения покрытий струйным ВЧИ плазмотроном в динамическом вакууме.

На защиту выносятся следующие научные положения и выводы:

1. Результаты комплексных исследований характеристик струйного ВЧИ разряда пониженного давления, устанавливающие, что плазменная струя при нанесении покрытий представляет собой комбинированный разряд, имеющий индукционную и емкостную составляющие. Подложка, помещенная в струю ВЧИ-разряда пониженного давления в процессе нанесения покрытий становится дополнительным электродом и в его окрестности образуется слой положительного заряда (СПЗ);

2. Выявленный оптимальный диапазон значений энергии ионов Wj = 10-30 эВ и плотности ионного тока jj = 15-25 А/м2 струйного ВЧИ-плазмотрона в динамическом вакууме для формирования покрытий с высокими эксплутационными характеристиками;

3. Результаты исследования состава паровой фазы при нанесении оксидных пленок;

4. Способ нанесения тонкослойных покрытий с помощью струйного ВЧИ плазмотрона в динамическом вакууме, позволяющий получать оптические покрытия с заданными характеристиками;

5. Способ синтеза широкополосных интерференционных систем путем варьирования комплексного показателя преломления, основанный на использовании струйной ВЧИ-плазменной технологии.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографического списка.: ^

Выводы

1. Определен диапазон значений энергии ионов и плотности ионного тока для получения оптимальных эксплутационных характеристик (нулевой группы механической прочности, максимальной плотности и адгезионной

154 прочности, минимальных остаточных напряжений) пленок металлов и оксидов металлов (Wi =20-30 эВ, jj = 20 - 25 А/м2).

2. Разработан и реализован с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления способ конструирования интерференционных систем, основанный на варьировании комплексного показателя преломления синтезируемых оксидных пленок.

3. Синтезированы неотражающие нейтральные оптические фильтры и решена задача подавления отражения от высокоотражающих поверхностей с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума. Разработанный метод синтеза интерференционных конструкций позволил уменьшить количество пленкообразующих материалов и сократить число пленок до двух в первом случае и до одной - во втором, получая при этом требуемые оптические характеристики.

155

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основе исследований струйного ВЧИ-разряда в условиях динамического вакуума установлено, что плазменная струя в процессе нанесения покрытий представляет собой комбинированный разряд, имеющий индукционную и емкостную составляющие. Подложка, помещенная в струю ВЧИ-разряда пониженного давления в процессе нанесения покрытий, становится дополнительным электродом и в его окрестности образуется СПЗ толщиной ~ 100 микрометров, где ионы бомбардирующие поверхность приобретают энергию до 30 эВ.

2. Установлено, что свойства покрытий полученных с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления имеют ряд новых свойств по сравнению с покрытиями, полученными традиционными методами: толщина покрытий до 50 мкм, плотность > 95%, адгезионная прочность до 450-103

2 2 Н/м , низкие остаточные напряжения < 0,6 н/м , нулевая (наивысшая) группа механической прочности.

3. Определен оптимальный диапазон значений энергии ионов бомбардирующих поверхность W;= 20 - 30 эВ и плотности ионного тока на поверхности jj = 20 - 25 А/м для получения высоких эксплутационных характеристик, что позволяет использовать покрытия, полученные с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления, в жестких эксплуатационных и климатических условиях.

4. В результате анализа состава паровой фазы на протяженном транспортном участке струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления установлена возможность управления физико-химическими процессами и составом осаждаемых пленок. Это, в свою очередь, позволяет контролировать параметры процесса изготовления покрытия с целью получения требуемого комплексного показателя преломления. Информация о составе поглощающего слоя в зависимости от условий изготовления покрытий дает возможность

156 предсказывать оптические характеристики слоя и выбирать необходимые параметрами процесса изготовления.

5. На основе выбранной физической и построенной математической модели комплексного показателя преломления синтезируемых покрытий разработан метод синтеза интерференционных систем, основанный на варьировании показателя поглощения пленок с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в динамическом вакууме.

6. Синтезированы антиотражающие покрытия с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона в условиях динамического вакуума. За счет варьирования поглощения и толщины пленки ТЮХ уменьшено отражение для А1 зеркала от 90% до величины меньшей 2% в видимой области спектра 0,4-0,7 мкм.

7. Разработанные методы синтеза интерференционных систем и технологические процессы нанесения покрытий, основанные на преимуществах использования струйной неравновесной низкотемпературной индукционной плазмы, позволяют уменьшить количество слоев, увеличить надежность и долговечность изделий машиностроения, медицинской промышленности, микроэлектроники, оптики. Результаты представленные в диссертационной работе внедрены ФГУП СКТБ "Мединструмент", ФНПЦ ГИПО, НПО «Арсенал» г. Киев. Экономический эффект 445000 руб.

157

1. Кудинов В.В., Бобров Г.В. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. М.: Металлургия, 1992.- 431 с.

2. Дресвин С.В., Донской А.В., Гольдфарб В.М., Клубникин B.C. Физика и техника низкотемпературной плазмы. М.: Атомиздат, 1972. - 352 с.

3. Бабат Г.И. Безэлектродные разряды и некоторые связанные с ними во-просы//Вестник электропромышленности. 1942. - № 3. - С. 1 - 8.

4. Babat G.I. Electrodeless discharges and some allied problems//Journal of the Inatitution of Electrical Engineers. 1947. - V.94. part. Ill A. P.27 - 37.

5. Dundas P.H., Thorpe M.L. Economics and technology of chemical processing with Electric-field plasmas//Chemical engineering 1969.- V.76. №14. P. 123-128.

6. Гольдфарб B.M., Дресвин С.В. Оптическое исследование распределения температуры и электронной концентрации в аргоновой плазме//Теплофиз. выс. Температур. 1965, т.З. - Вып.З. С.ЗЗЗ - 339.

7. Дресвин С.В., Донской А.В., Гольдфарб В.М., Клубникин B.C. Исследование плазменного факела высокочастотной горелки//Теплофиз. выс. Температур. 1967, т.5. - Вып.4. С.549 - 556.

8. Высокочастотный безэлектродный плазмотрон при атмосферном давлении. Ф.Б Вурзель., Н.Н Долгополов., А.И. Максимов, Л.С. Полак, В.И. Фридман. В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967, с.419 - 431.

9. Ровинский Р.Е., Белоусова Л.Е., Груздев В.А. Геометрия безэлектродного разряда, индуцируемого в инертных газах//Теплофиз. высок. Температур. -1966, т.4. Вып.З. С.328 - 335.

10. Ровинский Р.Е., Груздев В.А., Широкова И.П. Об энергетическом балансе стационарного индуцированного разряда//Теплофиз. высок. Температур. -1966, т.4. -Вып.1. С.35 -39.

11. Кулагин И.Д., Сорокин Л.М. Экспериментальное исследование индукционного плазмотрона//Физ. и хим. обр. матер. 1979. - №1. С.З - 8.158

12. Индукционно-плазменный нагрев газа и перспективы его промышленного применения. / Н.Н. Рыкалин, И.Д. Кулагин, JI.M. Сорокин, А.Б. Гугняк. В сб.: Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов. М., 1973, с. 14 - 20.

13. И.Д. Кулагин, JI.M. Сорокин, В.В. Шевченко. Электромагнитные поля в реальном ненагруженном индукторе//Физ. и хим. обр. матер. 1976. - №1. С.41.-47.

14. Вурзель Ф.Б., Полак JI.C. Химические процессы в плазме и плазменной струе. В сб.: Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме. М., 1995, с. 100 - 117.

15. Кудинов В.В. Плазменные покрытия. М.: Наука, 1977. - 184 с.

16. Получение покрытий высокотемпературным распылением. Сб. статей под ред. JI.K. Дружинина и В.В. Кудинова. М.: Атомиздат, 1973. - 312 с.

17. Донской А.В., Дресвин С.В., Клубникин B.C. Применение низкотемпературной плазмы в электротермических процессах. В сб.: Генераторы плазменных струй и сильнотечные дуги. JL, 1973, С.39 - 43.

18. И.Г. Аладьев, И.Г. Кулаков, O.JI. Магдасиев, А.П. Шатилов Исследование безэлектродного кольцевого разряда в аргоне и воздухе.- В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967. С.411 - 418.

19. Дымшиц Б.М., Корецкий Я.П. Исследование контрагированного индукционного разряда,- В кн.: Низкотемпературная плазма.- М., 1967.- С.425- 431.

20. Morgan G.D. Hogh frequency discharges ib gases//Science Progress. 1953. - V.41. - №161. - P.22 - 41.

21. Jacques Lassale. Jean sicart et sean roig, decharge haute frequence dans les gaz. Variations en charge de la tension frequence aux bornes de la selfexeitatrice.159

22. Cas des gaz diatomiqnes. Comptes rendus de l'axademie de Sciences. - 1974. -V.B278/ - №20. - P.889-892.

23. Cabannes F. Descharges dans les gaz. In. Etude de la decharge electrique par induction saus electrodes dans le neon. Paris.- 1954.- V.238.- №20.- P.1979-1981.

24. Cabannes F. Etude de la decharge electrique par induction dans les gas rares. -Annales de Physique. 1955. - V.10, november - december. - P.1026 - 1078.

25. I. Desiongnieres, R. Geller, F. Prevot, et R. Vienet. Pulsation d'une decharge H.F. par filament de zirconium.-1. de Physique 1956 - V.17. - №2. - P. 166- 67.

26. Бамберг E.A., Дресвин C.B. Определение некоторых параметров высокочастотного кольцевого разряда//Ж. техн. физ. 1963. - Т.ЗЗ. - Вып.1. - С.65 -72.

27. Савичев В.В., Трехов Е.С., Фоменко А.Ф. Измерение параметров плазмы импульсного вихревого разряда зондовыми методами. В сб.: Физика газоразрядной плазмы. М., - 1968. - Вып.1. - С.27 - 38.

28. Eidmann I. Gasaufhezung und energiebilanz einer stationu zen hochfrequenten Aingentladung in Edelgasen//Beitr age aus der Plasmaphysik. -1971. Bd.ll. - №2, S.99 - 119.

29. И.Х. Исрафилов, A.A. Самигуллин, C.H. Шарифуллин, В.Д. Щербаков, Р.И. Яхин. Энергетические характеристики высокочастотной плазменной установки при низких давлениях.- Физ. и хим. обраб. матер 1976.- С. 26-32.

30. Czerbniak I., Malecki Н., Pawlowski В. Analisa poborn MOCY PAZeZ plasme w zrodle jonow wysokies czestotliwasci//Nuklionika. 1977. - V.22. - №4. - P.317 - 327.

31. Микроволновое излучение плазмы безэлектродного индукционного разряда при низких давлениях. JI.A. Душин, В.И. Кононенко, И.К. Никольский, О.С. Павличенко. В кн.: Высокочастотные свойства плазмы. Киев. - 1968. -С.11 -20.

32. Г.А. Марков, В.А. Миронов, В.Г. Савин, A.M. Сергеев Фокусировка и канализация нижних гибридных волн и плазмы при ВЧ пробое газа//Физика плазмы. 1980. - т.6. - Вып.З. - С.670- 675.

33. Schlz P.D., Anderson Т.Р. Local thermodynamic equilibium in an R.F. argon plasma//I. Quant. Spectrosc. Ratiot. Transfer, 1968. V.8. - №7. - P. 1411 - 1418.

34. Кононенко В.И. Исследование параметров и микроволнового излучения плазмы безэлектродного индукционного разряда: Автореф. дисс. канд. физ,-мат. наук. Харьков, 1970. - 23 с.

35. Годяк В.А., Попов О.А. О зондовой диагностике ВЧ плазмы//Ж. техн. физ. 1977. - Т.47. - Вып.4. - С.776 - 770.

36. Распределение электронов по энергиям и контрагрование в высокочастотном разряде. С.Д. Вагнер, В.А. Виролайнен, Ю.М. Коган, Г.Ю. Хрусталев. В кн.: Вопросы физики низкотемпературной плазмы. Минск, 1970, - С.182 -184.

37. Кононенко К.В. Детекторные свойства газоразрядной плазмы. М.: Атомиздат, 1980. - 128 с.

38. Geller R. Production de plasmordes des de haut frequence stabflis a la frequencew stablis a la frequen de resonance du plasma. Comptes. Rendus hebdomadaries des Sciences de l'Acudemie des sciences. - 1959. - V.249. - №1. P.2749 - 2751.

39. Лари Э., Полк Д. Безэлектродный зонд для определения проводимости высокотемпературной плазмы. В кн.: Низкотемпературная плазма. - М., 1967. -С.314-325.

40. Cabannes F. Etude de l'amorcage de la decharge electrique dans le neon et xenon. Comptes Rendis. Hebdomadaires des sciences de l'Academie des Sciences, 1954. - V.238. - №14, 1482 p.161

41. Birkhoff G. Messung der elektrischen Vorg"ange innerhalb einer Hochfregnenz Ringentladung. - Zeitschrift f'ur ungewandte Physik - 1958. - Bd. 10.-№5.-S.204-206.

42. Freisinger I, Lens В., Walther R.I. The skin-effect in an R.F.-discharge plasma with and without an external magnetic field. Proc. 13 Intern. Conf. Phenomena Ionized gases, Berlin, 1977. - P.339 - 340.

43. B.A. Преображенский, E.C. Трехов, B.B. Савичев, A.H. Фоменко Измерение параметров плазмы высокочастотного импульсного разряда в N2 и С02.- В сб.: Физика газоразрядной плазмы. М., 1969.- Вып.2. С.139-147.

44. Harrison I.A. and Craggs I.D. Exitation in a low electrodeless discharge//Journal of Electron and Control. 1958. - V.4. - №4. - P.289 - 300.

45. Gherbonowscki N., Iancu O. Ring discharge. Analele Universitatu Bucuresti, Fizika. - 1979. - Vol.XXVIII. - P.3 - 9.

46. Жестков Б.Е. Некоторые вопросы диагностики гиперзвуковых свобод-номолекулярных потоков.- Труды ЦАГИ.- 1977. Вып. 1853.- С.32-41.

47. Исследование ионизации и нагрева газа в высокочастотном индукционном разряде. Б.Е. Жестков, Б.Г. Ефимов, З.Т. Орлова, A.M. Омелин, В.И. Ершов. Труды ЦАГИ. - 1970. - Вып. 1232. - 15 с.

48. И.Х. Исрафилов, А.А. Самигуллин, С.Н. Шарифуллин, В.Д. Щербаков, Р.И. Яхин. Энергетические характеристики высокочастотной плазменной установки при низких давлениях. Труды КАИ: Физические науки, вып. 193. -1975. -С.32 - 38.

49. Вурзель Ф.Б., Назаров В.Ф. Плазмохимическая модификация поверхности стекла.- В сб.: Плазмохимические процессы. М. 1979.- С. 172-203.

50. И.С. Гайнутдинов, Г.Ю. Даутов, А.А. Самигуллин, С.Н. Шарифуллин, В.Д. Щербаков. Очистка и полировка поверхностей подложек высокочастотной индукционной плазмой низкого давления//Физ. и хим. обр. матер. 1977. -№6.-С.150 - 152.162

51. Гущин JI.K. Термодиффузионное насыщение титановых сплавов азотом и кислородом при нагреве высокочастотной низкотемпературной плазмой. -В сб.: Защитные покрытия. Киев, 1967. С.87 - 91.

52. JI.C. Полак, А.А. Овсянников, Д.И.Словецкий, Ф.Б. Вурзель. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука, 1975, 304 с.

53. Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы. Под ред. Л.С. Полака. М.: Наука, 1977. - 436 с.

54. Использование металлоорганических соединений плазмохимических процессов. Е.Н. Зорина, С.А. Неустроев, Г.А. Сазонов, Е.Б. Соколов. В сб.: Химические реакции в низкотемпературной плазме. Под общей редакцией Л.С. Полака. - М., 1977. - С.170 - 199.

55. Фолманис Г.Э. Диэлектрические пленки из проникающей плазмы//Физ. и хим. обр. матер. 1981. - №4. - С. 156 - 157.

56. Junhuj J. Plasma etching of silion and its compounds in the freon plasma//Acta Phys. Slow. 1979. - V.29. - №2. - P. 155 - 159.

57. Л.И. Киселевский, Д.К. Скудов, C.A. Соколов, Я.И. Некрашевич Свойства и применение сверхзвуковых плазменных струй высокочастотного индукционного разряда. Тез. докл. II Всесоюзн. конф. по плазменным ускорителям. - Минск, 1973. - С.302 - 303.163

58. Высокоскоростное вакуумное осаждение полимерных электроли-tob//Affinito u ets J. Vac. Sci and Technol. A.-1996.- 14, №3, Pt, 1.- C.733-738.

59. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Уч. пособие для вузов.- М.:Высш.шк., 1988.- 255 с.

60. Movchan В.А. ЭЛИ осаждение из пара в производстве турбин защитных слоев на лопатки//.!. Miner, Metals and Mater. Soc. J.Metals. 1996. -48, № 1. C.40.

61. Greer J.A., Tabat M.D. Перспективы развития метода импульсного лазерного осаждения на большие поверхности//Мис1. Instrum. and Meth. Phys. Res.В. -1997 121, № 1-4.-C.357-362.

62. Xiao R.F. Выращивание тонких пленок методом импульсного лазерного осаждения с использованием жидкой мишени/Я. Вас. Sci and Technics А. -1997. -15 № 4. С.2207-2213.

63. Boxman R.L., Goldsmith S. Прирост массы и поверхностной проводимости полимеров при металлизации вакуумно-дуговым осаждением//ТЫп Solid Films 1993, 236, № 1-2, с. 341-346.

64. Неровный В.М., Перемитько В.В. Поверхностное упрочнение титановых деталей плазменно-дуговой обкаткой в вакууме//Современные проблемы сварной науки и техники. «Сварка-95»: Матер. Рос. науч.-техн. конфер., Пермь, 23-25 мая 1995, ч. 1.

65. Марков Г.В. Нанесение покрытий вакуумно-электродуговым мето-дом//Физ. и хим. обр. мат. 1996, № 3, с. 71-73.16472. № 95112884/02, Россия, С 23, 1997. Федоров А.А. Устройство для нанесения покрытий в вакууме на диэлектрики.

66. Gotoh Y. Структура и свойства тонких пленок Си , полученных испарением с усиленной ионной бомбардировкойУ/Thin Solid Films, 1996, 288, № 12, с. 300-308.

67. Harp G.R., Parkin S.S. Эпитаксиальное выращивание металлов с помощью распыления//ТЫп. Solid. Films 1996, 288, № 1-2, с. 315-324.

68. Davy F.G., Hahak I.I. R-F Bias Evaporation (ion Plating) of Non-Metal Thin Films//J. Vac. Sci. Technol. 1974. № 1. P.43-47.

69. Лунев И.В., Падалка В.Г. Особенности формирования тонких пленок оксида А1 высокочастотным магнетронным методом//Физ. и хим. мат.- 1996. № 3. С.78-83.

70. Miyaki Kioshi Улучшенная система ионно-лучевого осаждения с ионным источником на основе ВЧ-распыления//.\Гис1. Instrum. and Meth. Phys. Res. В. -1997- 121, №1-4, с. 102-106.

71. Deng Jifduo, Braun Manuel, Gudovska Irena Исследование свойств карбидов и нитридов титана/Я. Bas. Sci and Technol. A. -1994, 12, № 3, с. 733-736.81. № 5389445 США С 23, С 14/34, 1996. / Магнетронные системы.

72. Плазменное напыление защитных износостойких покрытий. // Produktion, 1997, № 39, с. 13.

73. White G.W. New applikations of Ion Plating//Res. Develor. 1973. № 7. P.43 -44.

74. Minowa Y., Ymanishi K., Tsukamoto K. SiC>2 films deposited on Si by an ionized claster beam//J. Vacuum Sci. Technol. 1983. Vol. Bl, № 4. P.l 148-1151.165

75. Yamada I., Takagi T. Current status of ionizet-claster beam technigue: a iow energy ion beam deposition//Nucl. Instrum. and Vethod Phys. Res. 1987. Vol. В 21, № 2-4. P.120-123.

76. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок.- М.: Энергоатомиздат, 1989.- 328 с.

77. Барабанов Б.Н., Блинов И.Г., Дороднов A.M., Дудова С.В. Аппаратура плазменной технологии высоких энергий "холодные" системы для генерации плазмы проводящих твердых веществ//Физика и химия обработки материалов. 1987. № 1. С.44-51.

78. Кесаев Н.Г. Катодные процессы электрической дуги.- М.: Наука, 1968. -325 с.

79. Гришин С.Д., Козлов Н.П. Применение плазменных ускорителей в технике. М.: Машиностроение, 1973. С.15-25.

80. Дороднов A.M., Поротников А.А. Нанесение покрытий торцевыми плазменными ускорителями//Материалы 2-й Всесоюзной конференции по плазменным ускорителям. Минск: Техника. 1973. С.276-277.

81. Падалко В.Г., Толол В.Т. Методы плазменной технологии высоких энер-гий//Атомная энергетика. 1978. Т. 44. С.476-478.

82. Setsuhara Yuichi и др. Планарный магнетронный разряд, совмещенный с плазменно-индукционным разрядом для увеличения степени ионизации распыленных атомов/Лар. J. Appl. Phys. Pt. 1, 1997,36, № 7В. Р.4568-4571.

83. Мс. Kenrie и др Новое развитие обработки плазмой катодной дуги//1ЕЕЕ Trans. Plasma Sci, 1997, 25, № 4. Р.652-659.

84. Абдуллин И.Ш., Башкиров Ш.Ш. и др Применение высокочастотного разряда в процессах азотирования//Физ. хим. обработ.материал., 1997, № 2. С.113-115.

85. Буров М.В., Валуев и др. Повышение надежности турбинных лопаток методом вакуумно-дугового нанесения покрытий//Сварочное производство -1995, №5. С.13-16.166

86. Анциферов В.Н., Шмаков A.M., Агеев С.С., Буланов В.Я. Газотермические покрытия. Екатеринбург: Наука, 1994. - 318 с.

87. Кудинов В.В., Лекшев П.Ю. и др. Нанесение покрытий плазмой. М.: Наука, 1990.-408 с.

88. Вакуумные дуги. Теория и применение. Под ред. Лаферти Дж. М. Мир, 1982. 432 с.

89. Кудинов В.В., Иванов В.Н. Нанесение плазмой тугоплавких покрытий. -М.: Машиностроение, 1981. 192 с.

90. Хасуй А. Техника напыления. Пер. с японского. М.: Машиностроение, 1975.-228 с.

91. Розенберг Г.В. Оптика тонкослойных покрытий. М.: ГИФМЛ, 1958. -572 с.

92. Риттер Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений. В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1978, т.8, с.7-60.

93. A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Optical properties and structure of thin SiON films//Thin solid films. Vol.151, №3. P.317-324.

94. Борисевич H.A., Верещагин В.Г., Валидов M.A. Инфракрасные фильтры. Минск: Наука и техника, 1971. - 148 с.

95. Фурман Ш.А. Тонкослойные оптические покрытия. Л.: Машиностроение, 1977.-264 с.

96. Марциновский В.А. Теоретические и экспериментальные исследования условий формирования, оптических свойств и структуры кольцевых пере-страеваемых фильтров. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. - Казанский государственный университет - 1982.- 22 с.

97. HeitmannW. Properties of evaporated Si02, SiOxNy and Ti02 films//Applied Optics, 1971, v. 10, No 12. P.2685 -2689.

98. Ericsson T.S., Jiang S., Grangvist C.G. Dielectric function of sputter-deposited silicon dioxide and silicon nitride films in the thermal infrared// Applied Optics, 1985, v. 24, No 6. P.745 746.167

99. Справочник технолога-оптика/Под ред. Кузнецова С.М., Окатова М.А. -Л.: Машиностроение, 1983. -307 с.

100. Балагуров А.Я., Пелипас В.П., Петров В.Н., Симонов Б.В. Сопоставление показателей преломления и ИК спектров пленок двуокиси кремния, полученные различными методами/Юптико-механическая промышленность. -1979.- №2. С.38 - 40.

101. Кобелев С.В., Глебов В.Н., Гайнутдинова И.С. Слои из окислов и нитридов кремния и германия, полученные ВЧ катодным распылением// Тезисы докладов отраслевого семинара «Прогрессивная технология в оптическом производстве». Москва, 1984.

102. Pulker Н.К. Characterization of optical thin films//Applied Optics.- 1979.- V. 12, No.12,- P.1969 1975.

103. Martin P.J., Netterfield R.P., Sainty W.G., Paccy C.G. The preparation and characterization of optical thin films produced by ion-assisted deposition//! Vac. Sci. And Technol.- 1984.- A 2, No.2, Pt. 1. P.341-345.

104. Телен А. Конструирование многослойных интерференционных светофильтров- В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1972, т.5. С.46-83.

105. Первеев А.Ф., Черезова Л.А., Михайлов А.В. Получение тонких пленок окислов методом реактивного ВЧ распыления со смещением напряже-ния//Оптико-механическая промышленность. 1977. - № 2 - С.68-69.

106. Levy Y., Jurich М., Swalen J.D. Optical properties of thin layers of SiOx//J. Appl. Physics.- 1985.- V.57, No.7.- P.2601-2605.

107. Hjorsberg A., Grandvist C.G.//Infrared optical properties of silicon monoxide films// Applied Optics.- 1980.- V. 19, NoJO.- P. 1694 1696,

108. Гудкова K.B., Кудрявцева А.Г., Щербакова И.Л. Свойства слоев окиси алюминия, полученных электронно-лучевым испарением// Оптико-механическая промышленность. 1980.- № 4. - С.32.

109. Dhanavanstri С., Karecar R.N., Rao V.J. Study of graded aluminium oxide films prepared by metal-organic chemical vapour deposition//Thin Solid Films. -1985,-V.127, No.1-2.-P.85-91.168

110. Novicki R.S. Properties of RF-sputtered А120з films deposited by planar magnetron//J. of Vac. Sci. And Technol.- 1977.- V.2, No. P.127-133.

111. Smit M.K., Asket G.A., Van der Laan C.I. A1203 films for integrated op-tics//Thin Solid Films.- 1986.- V.138, No.2.~ P. 171-181.

112. Мацкевич JI.А., Бажинов В.В. Оптические покрытия на основе двуокиси титана// Оптико-механическая промышленность. 1985.- № 5. - С.41-43.

113. Битнер Л.Р., Губнин Д.В., Данилина Т.Н. Получение оптических покрытий в установке ионного распыления// Оптико-механическая промышленность. 1983,- № 9. - С.28-30.

114. McNeil J.P., Al-Jumaily G.A., Jungling К.С., Barron A.C. Propeties of Ti02 and Si02 thin films deposited using ion assisted deposition//Applied Optics.-1985,- V.24, №4,- P.486 489.

115. Kuster H., Ebert J. Activated reactive evaporation of Ti02 layers and their absorption indices//Thin Solid Films.- 1980.- V.70, №1.- P.43-47.

116. Васильев A.C., Гурьевич С.Г., Иоффе Ю.С. Источники питания электротермических установок-М.: Энергоиздат, 1985. 284 с.

117. Гуляев М.А., Ерюхин А.В. Измерение вакуума (Измерение малых абсолютных давлений). М.: Издательство стандартов, 1967.-148 с.

118. Диагностика плазмы / Под ред. Р. Хаддлстоуна, Ц. Леонарда.- М.:Мир, 1967.

119. Бекетова А.К., Белозеров А.Ф., Березкин А.И. и др. Голографическая интерферометрия фазовых объектов. Л.: Наука, 1979.- 232 с.

120. Атлас спектральных линий для дифракционного спектрографа. А.-А.: Наука, 1967, 103 с.

121. Пирс Ф., Гей дон А. Отождествление молекулярных спектров. М.: ИЛ, 1949, 198 с.

122. Касабов Г. А., Елисеев В. В. Спектроскопические таблицы для низкотемпературной плазмы. Справочник.- М.: Атомиздат.- 1973, 160 с.

123. Нагибина И. М., Прокофьев В. К. Спектральные приборы и техника спектроскопии. М.-Л.: Машгиз, 1963, 270 с.169

124. Брагин В. Е., Быканов А. Н., Гусев О. Н. и др.-- М.ВАНТ, Сер. ядерная техника и технология, 1989. вып. 1, 16 18 с.

125. Левитский С.М. Исследование потенциала зажигания высокочастотного разряда в газе в переходной области частот и давлений//Ж. техн. физ.-1977.-Т. 27. С.970-977

126. Гисин М.А., Конюхов Г.П., Несмелов Е.А.//Опт. и спектр.-1964.-Т. 16.-Вып.1.-С.151-152

127. Абелес Ф. Оптические свойства металлических пленок. В кн.: Физика тонких пленок. - М.: Мир, 1973, т.6. - С. 171 - 227

128. Валидов М.А., Белоус Г.М., Галяутдинов Р.Т., Тонков В.Л. Двухлучевой способ контроля пропускания металлических пленок, осажденных в вакуу-ме//«Оптико-механическая промышленность». №3, 1987г. С. 62.

129. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. -М.: Химия, 1983. 352 с.

130. Несмелов Е.А., Никитин А.С., Гусев А.Г., Иванов О.Н. Измерение энергии адгезии тонких пленок//ОМП.- 1982.- №10,- С.34 37

131. Иванов Б.Н. и др. Прибор для определения адгезии оптических покрытий методом царапин//ОМП.- 1988.- №2.

132. Муранова Г.А. Исследование микропористости тонких пленок и ее влияние на оптические характеристики одиночных слоев и многослойных систем: Автореф. дис. канд. тех. наук. Л., 1975.- 22 с.

133. Leger М., Bastien R.S. Intrinsic and thermal stress modeling for thin-film multilayers//US Dep. Commer., Nat. Bur. Stand. Spec. Publ. 1977. - № 509. P. 230 - 243

134. Гинье А. Рентгенография кристаллов. M.: ГИФМЛ, 1961.- 604 с.170

135. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979. - Т. 1 -400 с.

136. Зайдель А.Н. Погрешности измерений физических величин Л.: Наука, 1985,- 112 с.

137. Абдуллин И. Ш. Исследование высокочастотного диффузного разряда в процессах обработки поверхностей//НПО "Мединструмент".- Казань, 1988.75 с. ил. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 9.03.88, № 1571-889).

138. Полак Л. С., Овсянников А. А., Словецкий Д. И., Вурзель Ф. Б. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука, 1975.- 304 с.

139. Mary F. Roming. Steddli State Solution of the Radiof reguency Discharge with flow. The Physics of Fluids, 1960, 3, №1, p. 129-133.

140. Цендин Л. Д. Распределение электронов по энергии в ВЧ электрическом поле. ЖТФ, 1977, 47, №8, с. 1598-1608.

141. Голубев Ю. Б. Физические процессы в неравновесной плазме положительного столба разряда в инертных газах при средних давлениях. В кн. Спектроскопия газоразрядной плазмы. Под ред. Н. П. Пенкина, вып.2.- Л.: изд-во Л. ун-та, 1980, с. 3-52.

142. Бурмистров А. В., Маношин Ю. В. Пробой газа в высокочастотном Н-разряде. ЖТФ, 1976, 46, №12, с. 2517 -- 2522.

143. Осипов К. А., Фолманис Г. Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков.- М.: Наука, 1973. 137 с.

144. Митчнер М., Кругер Ч. Частично-ионизованные газы. Пер. с англ.- М.: Мир, 1976, 496 с.

145. Александров А.Ф., Богданкевич Л.С., Рухадзе А.А. Основы электродинамики плазмы / Под ред. А.А. Рухадзе М.: Высш. шк - 1988 - 424 с.171

146. Туров А.Е. Материальные уравнения электродиномики- М.: Наука, 1983.-130 с.

147. Смирнов М.М. Вырождающиеся эллиптические гиперболические уравнения,- М.: Наука, 1966. -292 с.

148. Ландау Л., Лифшиц Е. Электродинамика сплошных сред М.: Гостехиз-дат, 1957.-532 с.

149. Graves D.B. Fluid models simulations of a 13.56 MHz RF-discharge: Time and space dependence of rate of electron excitation // J. Appl. Phys. 1987 V. 62-№1,-P. 88-94.

150. Валидов M.A., Белоус Г.М., Галяутдинов P.T., Рыкова Л.М., Тонков В.Л. Использование шероховатой поверхности для улучшения характеристик нейтрального светофильтра//«Оптико-механическая промышленность». №7, 1991г. С 66.

151. Абдуллин И.Ш., Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Тонкопленочные покрытия с регулируемым поглощением, полученные с помощью струйного ВЧИ-плазмотрона пониженного давления. Препринт. КГТУ. 2000.

152. Галяутдинов Р.Т. Струйный ВЧИ-плазмотрон в процессах нанесения оптических покрытий//КГТУ. Научная сессия (5-9 февраля 2001 г.). С. 24.

153. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах Новосибирск: ВО «Наука», 1993.- 280 с.

154. Мейксин З.Г. Несплошные и керментные пленки. В кн.: Физика тонких пленок.- М.: Мир, 1978, т.8, с. 106-179.

155. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. - 720 с.

156. Кард П.Г. Анализ и синтез многослойных интерференционных пленок. -Таллин: Валгус, 1971. 236 с.172

157. Абдуллин И.Ш., Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Синтез тонкослойных покрытий с регулируемой высокочастотной диэлектрической проницаемо-стью//«Вестник МАИ». 2001 г. Т.8. № 1. С.

158. Золотарев В.М., Морозов В.Н., Смирнова Е.В. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник Л.: Химия, 1984 - 216 с.

159. Бреховских Л.М. Волны в слоистых средах.- М.: Наука, 1973.- 344 с.

160. Абдуллин И.Ш., Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Способ получения неотражающего нейтрального оптического фильтра. Патент № 2186414. Зарегистрирован в Гос. реестре изобретений РФ 27 июля 2002 г.

161. Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Применение газового разряда для синтезирования широкополосных металлодиэлектрических покрытий. В сб.: Тезисы докладов X конференции по физике газового разряда. Рязань: Педу-ниверситет - 70, 2000, с. 189-191.

162. Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Синтез тонких пленок с помощью струйной неравновесной плазмы низкого давления//Известия Вузов. Авиационная техника. 2001г. № 2. С. 79-80.

163. Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Неотражающий нейтральный оптический фильтр. Полезная модель № 18315 от 27.11.2000г.

164. Абдуллин И.Ш., Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Синтез тонких пленок с регулируемым поглощением//Инженерно-физический журнал. АН Беларуси. 2001. Т. 74. № 5. С. 104 107.