Струйные ВЧ плазмотроны в процессах нанесения покрытий в условиях динамического вакуума тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.08 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ ' 6 Г л а в а I ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ РАЗРЯДЫ ПОНИЖЕННОГО ДАВЛЕНИЯ И ОБЛАСТИ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ

1.1 Некоторые принципиальные схемы высокочастотных плазмотронов

1.2 Высокочастотный разряд и его свойства

1.3 Высокочастотные плазмотроны

1.4 Экспериментальные исследования параметров индукционного диффузного разряда

1.4.1 Стационарный индукционный диффузный разряд

1.4.2 Мощность разряда

1.4.3 Температуры электронов, ионов и нейтрального газа

1.4.4 Концентрация электронов и ионов и проводимость плазмы

1.5 Экспериментальные исследования высокочастотных емкостных разрядов •

1.6 Области применения ВЧ разрядов пониженного давления

1.7 Методы получения тонкопленочных покрытий

1.7.1 Газотермическое напыление

1.7.2 Вакуумные методы нанесения покрытий

1.7.3 Ионное осаждение •

1.8 Задачи диссертации • •

Г л а в а II ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУЙНЫХ ВЧ ПЛАЗМОТРОНОВ ПОНИЖЕННОГО ДАВЛЕНИЯ В ПРОЦЕССАХ

НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

2.1 Особенности экспериментального определения характеристик струйных ВЧ плазмотронов пониженного давления

2.2 Методика и аппаратура для экспериментальных исследований струйного ВЧ разряда пониженного давления

2.3 Электрические параметры струйных ВЧ плазмотронов пониженного давления

2.4 Газодинамические параметры ВЧ плазмотронов пониженного давления

2.5 Энергетические параметры струйных ВЧ плазмотронов пониженного давления

2.6 Характеристики струйных ВЧ плазмотронов пониженного давления, используемых для нанесения покрытий

2.7 Физическая модель модификации поверхностей с помощью струи ВЧ плазмы пониженного давления

Г л а в а III МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУЙНОЙ НЕРАВНОВЕСНОЙ ВЧ ПЛАЗМЫ ПОНИЖЕННОГО ДАВЛЕНИЯ В ПРОЦЕССАХ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

3.1 Постановка задачи численного моделирования

3.1.1 Постановка задачи

3.1.2 Система уравнений

3.1.3 Граничные условия

3.2 Нелинейная система краевых задач. Алгоритм расчета '

3.2.1 Совместность и разрешимость нелинейной спектральной задачи

3.2.2 Итерационная процедура

3.2.3 Дискретизация задачи

3.3 Теоретическое исследование характеристик струйных ВЧ разрядов пониженного давления в процессах нанесения покрытий '

Г л а в а IV ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ . ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОКРЫТИЙ СТРУЙНЫМИ ВЧ ПЛАЗМОТРОНАМИ В УСЛОВИЯХ ДИНАМИЧЕСКОГО ВАКУУМА

4.1 Аппаратура и методика проведения экспериментальных исследований

4.2 Плазменная обработка подложек из металлов и их сплавов

4.3 Плазменная обработка полупроводниковых подложек

4.4 Плазменная обработка диэлектрических подложек

4.5 Плазменная обработка тонкопленочных покрытий

4.6 Создание переходных слоев на подложке

Г л а в а V ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧАЕМЫХ с помощью СТРУЙНЫХ ВЧ ПЛАЗМОТРОНОВ В ДИНАМИЧЕСКОМ ВАКУУМЕ

5.1 Аппаратура и методика для экспериментальных исследований процесса нанесения покрытий с помощью струйных

ВЧ плазмотронов пониженного давления

5.2 Характеристики покрытий, нанесенных на подложки из металлов и их сплавов

5.2.1 Тонкопленочные покрытия

5.2.2 Толстопленочные покрытия

5.3 Характеристики покрытий, нанесенных на подложки из полупроводниковых материалов

5.3.1 Тонкопленочные покрытия

5.3.2 Толстопленочные покрытия

5.4 Характеристики покрытий, нанесенных на подложки из диэлектрических материалов

5.4.1 Тонкопленочные покрытия 344 •

5.4.2 Толстопленочные покрытия

5.5 Характеристики покрытий, нанесенных на тонкопленочные покрытия

5.6 Физические особенности нанесения покрытий ВЧ плазмотронами в динамическом вакууме

Г л а в а VI ПРИМЕНЕНИЕ ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ С ПОМОЩЬЮ СТРУЙНЫХ ВЧ ПЛАЗМОТРОНОВ В ДИНАМИЧЕСКОМ ВАКУУМЕ

6.1 Типовые изделия, подвергаемые модификации с помощью струйных ВЧ плазмотронов в динамическом вакууме

6.2 Технологические процессы подготовки поверхности

6.2.1 Процессы очистки с помощью струйного ВЧ плазмотрона пониженного давления •

6.2.2 Технологические процессы плазменной очистки с удалением рельефного и трещиноватого слоев

6.2.3 Технологические процессы создания переходных слоев на поверхности подложки

Образование диффузных переходных слоев

Образование переходного слоя обработкой первого нанесенного слоя покрытия ВЧ плазмой, насыщенной кислородом

6.3 Технологические процессы нанесения покрытий с помощью струйного ВЧИ плазмотрона в динамическом вакууме

6.4 Технологический процесс нанесения покрытий с послойной плазменной обработкой- •

6.5 Технологический процесс нанесения многослойных покрытий без плазменной обработки

Повышение качества, надежности и долговечности изделий является одной из основных задач стоящих перед промышленностью страны, которая еще более обостряется в условиях рынка и конкурентной борьбы с зарубежными производителями.

Качество изделий можно повысить несколькими путями — с помощью конструктивных изменений, созданием новых материалов для их изготовления и приданием уже используемым материалам новых свойств. Применение первых двух путей неизбежно приводит к ухудшению ключевого потребительского свойства изделий •— их стоимости. В то же время, используемые в настоящее время материалы не имеют широких возможностей улучшения эксплуатационных характеристик изделий. ■

Наиболее перспективным путем улучшения эксплуатационных характеристик изделий является придание поверхностным слоям заданных свойств или направленная модификация поверхности. Результаты экспериментальных исследований процессов износа и разрушения различных изделий в процессе эксплуатации показали, что надежность изделия в процессе работы и срок службы наиболее часто определяются состоянием рабочей поверхности детали. При этом, оптимальным путем решения проблемы качества, надежности и долговечности является разработка способа модификации изделий, позволяющего детально учесть основные свойства поверхностного слоя, такие как шероховатость, дефектность, наличие внутренних напряжений, одновременно, учесть и рабочие свойства.связанные с применением изделия.

Традиционные методы модификации поверхностей изделий — механические, термические, химические, химико-термические, электрохимические не позволяют комплексно улучшить характеристики поверхности. Основным недостатком традиционных методов модификации является то, что изменение одного из параметров поверхностного слоя в заданном направлении сопровождается, как правило, одновременным ухудшением нескольких других свойств.

Эффективным путем достижения оптимальной композиции свойств конкретного изделия является нанесение на его поверхность покрытия, которое добавляет или создает новые свойства поверхности. Фундаментальные систематические исследования этого направления .модификации в настоящее время ведутся различными авторами [1] - [4].

Наиболее перспективными для процессов напыления являются разрабатываемые в последние годы электрофизические методы получения покрытий. Однако, анализ показывает, что электроискоровое микролегирование, ионно-плазменное напыление, ионная имплантация, наплавка и плазменное напыление при атмосферном давлении, вакуумные методы осаждения имеют также ограниченные возможности с точки зрения придания поверхности изделий заданных свойств. Целый ряд основных свойств рабочих поверхностей изделий, определяемых конкретными направлениями их применения, эти процессы не могут улучшить даже в принципе. Так струйные плазменные методы напыления при атмосферном давлении обладая рядом существенных достоинств не позволяют получать высокоплотные покрытия, достаточно равномерные по толщине и требуют последующей дорогостоящей механообработки, а на некоторые материалы вообще не возможно нанести покрытия с требуемыми свойствами. Напыление в вакууме лишено этих недостатков, однако, малая скорость напыления не позволяет получать толстые пленки с высокой адгезионной прочностью.

Возможность совмещения достоинств этих методов может быть реализована с помощью струйного ВЧ плазмотрона в условиях динамического вакуума. Последние работы ряда авторов показали, что ВЧ плазменная обработка в диапазоне энергий от нескольких до 100 эВ является эффективным способом модификации поверхностей материалов органической и неорганической природы. Однако в настоящее время довольно ограниченно исследованы механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы с материалами, а единый цикл модификации поверхности с помощью струйных ВЧ плазмотронов, заключающийся в сменяющих и сопровождающих друг друга процессах обработки и нанесения покрытий на поверхности в условиях динамического вакуума, оказался практически не исследованным.

Таким образом, исследование струйного метода нанесения покрытий при пониженном давлении и одновременной плазменной обработке формируемой пленки представляет несомненный научный и практический интерес. Детальная разработка этого способа модификации поверхности твердых тел обеспечит возможность регулировать рабочие свойства поверхностей изделий в широких диапазонах'.

Диссертационная работа направлена на решение актуальной проблемы, стоящей перед промышленностью — повышение долговечности, качества и надежности изделий путем направленного изменения рабочих свойств поверхностей изделий за счет нанесения покрытий с помощью струйных высокочастотных плазмотронов в условиях динамического вакуума.

В диссертации изложены работы автора в период 1991 — 2001 г.г. по исследованию, разработке и внедрению технологических процессов струйного плазменного нанесения покрытий в динамическом вакууме и оборудования, позволяющих повысить качество и надежность изделий из металлов, полупроводников, диэлектриков, тонкопленочных структур.

Работа выполнялась в Казанском государственном технологическом университете по программе Министерства образования РФ № 417 "Взаимодействия атомных частиц с поверхностью —• новые методы и технологии" по теме "Взаимодействие низкотемпературной плазмы ВЧ разряда с поверхностью твердых тел" 1992 - 2000 г.г.

В СКТБ "Мединструмент" работа была .начата в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 12.08.1988 № 997 "О первоочередных мерах по повышению технического уровня, увеличению производства изделий медицинской техники и улучшению обеспечения ими учреждений здравоохранения" в 1989 — 1995 г.г. и в период до 2000 г. Продолжена по федеральной программе РФ "Развитие медицинской промышленности pi улучшение обеспечения лекарственными средствами и медицинской техникой на 1994 - 1996 года" согласно постановлению правительства РФ № 77 от 10.02.92 г. "О неотложных мерах по созданию МТ и увеличению ее производства в 1992 — 1996 годах". Работа заканчивалась уже в рамках Федеральной целевой программы "Развитие медицинской промышленности в 1998 - 2002 годах и на период до 2005 года" по постановлению правительства РФ № 650 от 24.06.1998 г.

В первой главе дан обзор известных экспериментальных и теоретических результатов, методов исследований ВЧ разрядов пониженного давления. Проведен анализ наиболее распространенных методов нанесения покрытий и рассмотрены их возможности в формировании различных свойств изделий. Наиболее перспективными процессами нанесения покрытий являются электрофизические, которые свободны от многих недостатков, присущих традиционным методам. Однако, анализ показывает, что наплавка и плазменное напыление при атмосферном давлении, вакуумные методы нанесения покрытий, ионно-плазменное осаждение имеют также ограниченные возможности с точки зрения придания поверхности изделий заданных свойств.

На основе анализа информации по вопросам нанесения покрытий на поверхности с целью придания им определенных эксплуатационных, функциональных, защитных и технологических свойств сформулированы цель и основные задачи работы.

Во второй главе содержаться результаты экспериментальных исследований струйной ВЧ плазмы в условиях динамического вакуума в процессах обработки и нанесения покрытий на поверхности твердых тел. В исследуемом диапазоне (расход плазмообразующего газа от 0 до 0,3 г/с, мощность в разряде от 0,1 до 4 кВт, частота генератора от 1,76 МГц до 18 МГц) реализованы все виды и формы разрядов. Изучены энергетические, газодинамические и электрические параметры струйной ВЧ плазмы в динамическом вакууме. На основании их анализа разработан исследовательский комплекс (оборудование и методики измерений) для экспериментальных исследований параметров

ВЧ разрядов при обработке поверхностей и напылении пленок.

Анализ результатов исследования характеристик и определения основных параметров ответственных за модификацию позволили построить качественную физическую модель процесса образования покрытия: ионы транспортирующего газа вместе с частицами материала покрытия, бомбардируют поверхность подложки; ионы плазмы, ускоряясь в СПЗ, формируют поток с плотностью ионного тока от 0,3 до 30 А/м2 и приобретают энергию от 10 до 100 эВ; ионы, ударяясь о поверхность подложки с частицами материала покрытия, выносят с поверхности слабо закрепившиеся частицы покрытия и еще более плотно укрепляют хорошо осевшие частицы, которые и образуют в конечном итоге покрытие; этот процесс происходит непрерывно вплоть до прекращения напыления.

В третьей главе построена математическая модель обработки и нанесения покрытий струей неравновесной низкотемпературной плазмы с учетом слоя пространственного заряда для различных сорта плаз-мообразующего газа и метода подачи напыляемого материала. При распылении стержня из напыляемого материала и осаждении паров в потоке плазмы имеем однофазный многокомпонентный поток. При расплавлении и испарении порошкового материала, вдуваемого в разряд или в струю и осаждением его в потоке плазмы имеем многофазный многокомпонентный поток.

Численные расчеты позволили выявить диапазоны изменения концентрации электронов, их температуры и температуры тяжелых частиц при которых плотность ионного тока на поверхность подложки меняется от 0,3 до 25 А/м2, а энергия ионов бомбардирующих повех-ность от 10 до 100 эВ. Удалось получить зависимости характеристик струйной ВЧ плазмы в совместных сменяющих друг друга процессах обработки и нанесения покрытий на поверхность твердого тела от параметров установки.

В четвертой главе содержаться экспериментальные исследования подготовки поверхности подложек перед нанесением покрытий струйными ВЧ плазмотронами в динамическом вакууме и плазменной обработки в процессе нанесения.

В результате проведенных экспериментов по исследованию основных параметров ВЧ разряда (энергии ионов и плотности ионного тока) получены зависимости изменений структуры и свойств поверхности подложек от расхода плазмообразующего газа, давления,' мощности разряда, длительности обработки, расстояния от среза плазмотрона, вида газа и обрабатываемого материала. При этом значения основных обобщенных параметров энергии ионов W-L и плотности ионного тока ji, ответственных за обработку и за получение приемлемых выходных характеристик процесса для каждого материала заключены в определенный диапазон значений: для плазменной полировки Wj = 38 - 92 эВ, ji — 1,0 - 10 А/м2; для плазменной очистки W.-L = 40 - 82 эВ, j.L = 0,5 -1,9 А/м2; для процесса образования на подложке переходных диффи-зионных слоев за счет добавки ракционноспособных газов Wt = 10 -30 эВ, ji = 20 - 25 А/м2. ' .

В пятой главе экспериментально исследованы характеристики покрытий,'получаемых с помощью струйных ВЧ плазмотронов в динамическом вакууме.

Тонкопленочные покрытия получались при испарении напыляемого материала с конца стержня вводимого аксиально по течению потока, а толстопленочные — при испарении частиц материала, подаваемого в виде порошка.

Процесс напыления с помощью струйного ВЧИ плазмотрона в динамическом вакууме объединяет достоинства двух существующих методов напыления: во-первых, струйного метода напыления покрытий при атмосферном давлении: отсутствие ограничений по размеру обрабатываемых изделий;

- высокая адгезионная прочность покрытия (до 450-Ю5 Н/м2);

- толщины тонкопленочных покрытий > 50 мкм;

- наивысшая группа механической прочности ("0" группа);

- высокие значения коэффициента использования материала 0,9); во-вторых, методов распыления и напыления при низких давлениях:

- равномерность покрытия по толщине (коэффициент неравномерности покрытия не превышал 0,5 % при толщине 10-С м);

- высокая скорость нанесения покрытия (максимальные скорости нанесения без появления капельной фазы для SiO2 :— (2 - 3)-10~3 мкм/с, для А1203 — (3 - 4) -10"4 мкм/с);

- возможность напыления покрытия на подложки из различных материалов; • •

- не требует дополнительной обработки после нанесения покрытий.

Синтезированы неотражающие оптические покрытия с помощью струйного ВЧИ плазмотрона низкого давления. Зависимость структуры поглощающего слоя от условий нанесения покрытий позволила уменьшить количество пленкообразующих материалов и сократить число слоев пленки до двух, получая при этом необходимые спектральные характеристики.

Шестая глава посвящена разработке технологических процессов напыления. Предложен технологический процесс нанесения покрытий с помощью струйных ВЧ плазмотронов в условиях динамического вакуума, позволяющий за счет совмещения сменяющих друг друга процессов обработки и напыления регулировать соотношение свойств системы покрытие-подложка.

Созданы технологические процессы изменения поверхностных слоев металлов, полупроводников, диэлектриков и тонкопленочных покрытий путем воздействия неравновесной низкотемпературной плазмы инертных, активных газов и их смесей. Данные технологические процессы могут применяться как для подготовки поверхности под напыление (очистка, удаление рельефного и трещиноватого слоев, создание переходного слоя), так и самостоятельно.

Различные степени подготовки поверхностей корпусов изделий перед напылением и нанесение покрытий на поверхности деталей из силумина и Д16Т (веретено прядильной машины) внедрена в НИИТ "Насосмаш", из латуни (стерилизаторы и канюли) и стали 12Х18Н10Т микрохирургический инструмент) в СКТБ "Мединструмент", из полупроводниковых пластин Si и AI2O3 (микросхемы) в КНИИРЭ, а из ситалла и стекла К8 — в Федеральном научно-производственном государственном центре Государственный институт прикладной оптики (ФНПЦ ГИПО).

Таким образом, диссертационная работа представляет собой научно обоснованные технологические разработки, обеспечивающие решение ряда важнейших прикладных задач машиностроения, медицинской промышленности, микроэлектроники и оптики, имеющих большое народно-хозяйственное и социальное значение и заключающихся в создании комплекса новых процессов обработки и нанесения покрытий на поверхности и специального оборудования для улучшения эксплуатационных, потребительских, защитных и технологических свойств изделий, с помощью струйного ВЧ плазмотрона в динамическом вакууме.

На защиту выносятся следующие научные положения и выводы:

1. Метод нанесения покрытий с помощью струйных ВЧ плазмотронов в динамическом вакууме, позволяющий за счет совмещения сменяющих друг друга процессов обработки и напыления регулировать соотношение свойств всей системы покрытие-подложка.

2. Результаты экспериментальных исследований, параметров струи неравновесной низкотемпературной плазмы с энергией ионов от 10 до 100 эВ и плотности ионного тока от 0,3 до 30 А/м2 в процессах обработки и нанесения толсто- и тонкопленочных покрытий на поверхности твердых тел.

3. Закономерности изменения свойств поверхностных слоев металлов, полупроводников, диэлектриков и тонкопленочных покрытий в результате воздействия неравновесной низкотемпературной плазмы инертных, активных газов и их смесей, в процессах подготовки поверхности под напыление (очистка, удаление рельефного и трещиноватого слоев, создание переходного слоя).

4. Результаты изменения эксплуатационных характеристик изделий в зависимости от режимов плазменной струи и способа подачи напыляемого материала.

5. Физическая модель сменяющих и сопровождающих друг друга процессов, обработки и нанесения покрытий на поверхности изделий струйными ВЧ плазмотронами в динамическом вакууме.

6. Математическая модель совместной обработки и нанесения струей неравновесной низкотемпературной плазмы покрытий на поверхности твердых тел и численные расчеты характеристик высокочастотных диффузных разрядов в процессов напыления.

7. Инженерная методика расчета технологических параметров неравновесной низкотемпературной плазмы и характеристик струйных ВЧ плазмотронов, предназначенных для обработки и нанесения покрытий на поверхности твердых тел при подаче напыляемого материала в виде стержня или в виде порошка.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Установлено, что получение покрытий с помощью неравновесной низкотемпературной плазмы в динамическом вакууме (струйным ВЧ плазмотроном пониженного давления) позволяет объединить достоинства струйных методов напыления покрытий при атмосферном давлении и вакуумных методов распыления и испарения.

2. Установлено, что основной вклад в финишную подготовку подложки перед напылением, обработку и формирование свойств покрытий вносят два дополняющих друг друга процесса: рекомбинация ионов и кинетический удар низкоэнергетическими ионами. Доказано, что главную роль при этом играет наличие слоя положительного, заряда (СПЗ) у поверхности изделия. Подложка, помещенная в ВЧ плазму в условиях динамического вакуума (/ =1,76-18 МГц, р = 0,1 — 250 Па, G;, = 0 -0,3 г/с, Рр = 0,1 - 4 кВт) становится электродом и в его окрестности образуется СПЗ толщиной от 150 мкм до 2 мм, где ионы приобретают энергию до 100 эВ при следующих установленных параметрах неравновесной низкотемпературной плазмы: пе = 5. • 1015 - 1,1 • 1019'м~3, Те = 1600 - 2200 К, Т{ = 300 - 600 К, <р = 10 - 100 В. '

3. Построена математическая модель обработки и нанесения покрытий струей ВЧ разряда в условиях динамического вакуума, с учетом сорта плазмообразующего газа и различных систем подачи напыляемого материала:

- распылением стержня из напыляемого материала в ВЧ разряде и осаждением паров в потоке плазмы на подложку;

- расплавлением и испарением порошкового материала, вдуваемого в разряд или в струю и осаждением его в потоке плазмы на подложку.

Это позволило с помощью расчета характеристик всех видов ВЧ разрядов в динамическом вакууме уточнить диапазоны изменения концентрации электронов пе = 1015 - 1019 м-3, температуры электронов 1700 - 2300 К, температуры тяжелых частиц 300 - 400 К, при которых плотность ионного тока меняется от 0,3 до 25 А/м2 и энергия ионов достигает от 10 до 100 эВ. Получены характеристики струйной

ВЧ плазмы в процессе совместной обработки и нанесения покрытий на поверхность твердого тела (т.е. с учетом возникновения слоя пространственного заряда) как функции параметров установки.

4. Показано, что наибольший эффект в процессе подготовки поверхности (очистка, полировка, удаления рельефного и трещиноватого слоя, создание переходного слоя) достигается в ВЧЕ и ВЧК разряде (с диапазонами энергии ионов и ионного тока: Wz = 30 - 100 эВ, ji = 0,3 -15 А/м2). В процессе подготовки подложки к последующему напылению достигается такое состояние и такие характеристики поверхности, которые обеспечивают наибольшее сродство ее к свойствам покрытия. Впервые установлено, что'этого можно достичь удалением рельефного и трещиноватого слоев и формированием диффузных переходных слоев на подложке. ВЧИ разряд эффективен при напылении (Ж/ = 10 - 30 эВ, jL = 15 - 25 А/м2). При этом варьированием основных параметров напыления и переходного слоя внутри допустимого диапазона, обеспечивающего оптимальные свойства, можно получать покрытия обладающие различным уровнем новых свойств: высокая адгезионная прочность покрытия до 450-105 Н/м2; толщина тонкопленочного покрытия > 50 мкм; нулевая группа механической прочности; низкие остаточные напряжения <.0,6 Н/м2; высокая плотность покрытия (отличие от объемной плотности составляет < 5 %); высокая равномерность покрытия по толщине (коэффициент неравномерности покрытия не превышал 0,5 % при толщине 10G м); высокая электропроводность проводящих покрытий (удельное сопротивление < 0,2 мкОм-м); отсутствие примесных дефектов поверхности.

5. На основе анализа процессов, происходящих при нанесении покрытий с помощью ВЧ плазменной струи пониженного давления установлена возможность регулирования соотношения свойств системы подложка - покрытие за счет совмещения процессов обработки и напыления. Это позволило синтезировать неотражающие оптические фильтры и уменьшить при этом число слоев до двух,-за счет варьирования коэффициента поглощения.

6. Технологические процессы с применением струйного ВЧ плазмотрона в динамическом вакууме позволяют исключить влияние теневого эффекта, эффективно обрабатывать и наносить покрытия как на наружные, так и на внутренние поверхности изделий сложной конфигурации любых размеров и изготовленных из различных материалов, они могут осуществляться в едином технологическом цикле с другими вакуумными процессами в мелкосерийном и массовом производстве и при этом не требуют глубокого вакуума. При этом достигается высокая скорость нанесения покрытий при сохранении тонкопленочной структуры при большой толщине, что позволяет получать покрытия с плотностью, близкой к объемному материалу практически из любых материалов при коэффициенте ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МclTCpИcriЛcl ^ 0.9 и АП характерной для диффузных покрытий. Наличие транспортного участка позволяет регулировать состав напыляемых пленок, а чистота и стехиометрия процессов получать покрытия различных назначений от защитных до оптических. .

В результате плазменной обработки и напыления срок службы деталей возрастает в 1,5-2 раза по сравнению с деталями, имеющими другой вид покрытия.

7. Созданный комплекс оборудования и технологических процессов нанесения покрытий позволил повысить надежность и долговечность изделий машиностроения, медицинской промышленности, микроэлектроники. оптики и получить экономический эффект 13000 тыс.руб.

1. Ю. В. Цветков, С. А. Панфилов. Низкотемпературная плазма в процессах восстановления.- М.: Наука, 1980.- 360 с.

2. С. В. Дресвин, А. В. Донской, В. М. Гольдфарб, В. С. Клубникин. Физика и техника низкотемпературной плазмы.- М.: Атомиздат, 1972.- 352 с.

3. В. В. Кудинов, Г. В. Бобров. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. М.: Металлургия, 1992.431 с.

4. В. Л. Дзюба, Г. Ю. Даутов, И. Ш. Абдуллин. Электродуговые и высокочастотные плазмотроны в химико-технологических процессах.- Киев: Вигца школа, 1991.- 170 с.

5. Донской А. В., Клубникин В. С. Электроплазменные процессы и установки в машиностроении.- Л.: Машиностроение, 1978.221 с.

6. Бабат Г. И. Безэлектродные разряды и некоторые связанные с ними вопросы.- Вестник электропромышленности, 1942, № 2, с. 1 12.

7. Бабат Г. И. Безэлектродные разряды и некоторые связанные с ними вопросы.- Вестник электропромышленности, 1942, № 3, с. 1 8.

8. Babat G. I. Electrodeless discharges and some allied problems.-Journal of the Inatitution of Electrical Engineers', 1947. V. 94. part III A, p. 27 37.

9. Dundas P. H., Thorpe M. L. Economics and technology of chemical processing with Electric-field plasmas.- Chemical engineering, 1969, V. 76, № 14, p. 123 128.

10. Высокочастотный индукционный плазмотрон с пористым охлаждением разрядной камеры. / А. Н. Бабаевский, А. Б. Гугняк,

11. A. JI. Вечер, JI. И. Киселевский, JI. М. Сорокин, д. К. Скутов.-Тезисы докладов VIII Всесоюзн. конф. по генераторам низкотем-пер. плазмы. Новосибирск, 1980, т. 3, с. 115 118.

12. Reed Т. В. Induction-Coupled plasma torch J. Appl. Phys., 1961, V. 32, № 5, p. 821 - 824.

13. Moroner A., Hushfar F. Radio frequency heating of a dense moving plasma.- A.J.A.A. Electric Propulsion Conference in Colorado Springs. Colorado Springs, 1963, March, p. 11 13.

14. Гольдфарб В. M., Дресвин С. В. Оптическое исследование распределения температуры и электронной концентрации в аргоновой плазме.- Теплофиз. выс. температур,. 1965, т.З, вып.З, с. 333 -339.

15. Исследование плазменного факела высокочастотной горелки. / С. В. Дресвин, А. В. Донской, В. М. Гольдфарб,

16. B. С. Клубникин.- Теплофиз. выс. температур, 1967, т.5, вып.4, с. 549 556. ' '

17. Read t. b. Heat-transfer onterisity from induction plasma flames and oxyhydrogen flames.- J. Appl. Phys., 1963, V. 34, № 8, p. 2266 -2269.

18. Высокочастотный безэлектродный плазмотрон при атмосферном давлении. / Ф. Б. Вурзель, Н. Н. Долгополов, А. И. Максимов, JL С. Полак, В. И. Фридман.- В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967, с. 419 431.

19. Ровинский Р. Е., Белоусова JI. Е., Груздев В. А. Геометрия безэлектродного разряда, индуцируемого, в инертных газах.- Теплофиз. высок, температур, 1966, т.4, вып.З, с. 328 335.

20. Ровинский Р. Е., Груздев В. А., Широкова И. П. Об энергетическом балансе стационарного индуцированного разряда,- Теплофиз. высок, температур, 1966, т.4, вып.1, с.35Е- 39ю

21. Molinet M. F. Etude de la repartition de la temperature electronique a l'interieur d'un plasma d'argon produit par un generatuer M.F.C.R.- Aredd. Sci. Ser., B, 1966, V. 262 , №21, p. 1377 1380.

22. Jonston P. D. Temperature and electron density measuremenis in an R-f discharge in argon.- Phys. Letters, 1966, V. 20, № 5, p. 499 -500.

23. Определение температуры в стационарном высокочастотном индукционном разряде. / Р. Е. Ровинский, В. А. Груздев, Т. М. Гу-тенмахер, А. П. Соболев.- Теплофиз. высок, температур, 1967, т.5, вып.4, с. 557 561.

24. Оптические свойства плазмы безэлектродного разряда в воздушном потоке. / Ю. А. Буевич, В. М. Николаев, В. А. Пластинин, Г. Ю. Силачев, М. И. Якушие.- Журнал прикл. мех. и техн. физ., 1968, № 6, с. 111 116.

25. Кононов С. В., Якушин М. И. К определению интенсивности удельных тепловых потоков к поверхности в струях высокочастотного безэлектродного плазмотрона на воздухе.- Журнал прикл. мех. и техн. физ., 1966, № 6, с. 67 68.

26. Кулагин И. Д., Сорокин JT. М. Определение электрических параметров индукционного разряда в газе при атмосферном давлении. Физ. и хим. обр. матер., 1969, № 5, с. 3 12.

27. Кулагин И. Д., Рыкалин Н. Н., Сорокин JI. М. Подобие индукционных разрядов при нагреве газа,- Физ. и хим. обр. матер., 1970, № 5, с. 137 139.

28. Кулагин И. Д., Сорокин Л. М. Экспериментальное исследование индукционного плазмотрона. Физ. и хим. обр. матер., 1979, № 1, с. 3-8.

29. Индукционио-плазменный нагрев газа и перспективы его. промышленного применения. / Н. Н. Рыкалин, И. Д. Кулагин,

30. Л. М. Сорокин, А. Б: Гугняк.- В сб.: Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов. М., 1973, с. 14-20. ■

31. И. Д. Кулагин, Л. М. Сорокин, В. В. Шевченко. Электромагнитные поля в реальном ненагруженном индукторе. Физ. и хим. обр. матер., 1976, № 1, с. 41 47.

32. И. Д. Кулагин, Л. М. Сорокин, В. В. Шевченко. Об индукционном нагреве проводящих цилиндров,- Физ. и хим. обр. матер., 1976, № 2 с. 143 47.

33. Физ. и хим. обр. матер., 1980, № 4, с. 32 34.

34. Reboux J. Chalumean a plasma hayte frequence ■ et hautas temperatures.- Ingenieurs et tehnicens, 1962, № 157, p. 115 125.

35. Reed Т. В. Growth of refractory crystals asing the induction plasma torch.- J. Appl. Phys., 1961, v. 32, № 12, p. 2534 2535.

36. Некоторые особенности процессов выращивания тугоплавких кристаллов в высокочастотных плазменных горелках. / А. В. Донской, С. В. Дресвин, К. К. Воронин, Ф. К. Волынцев.-Теплофиз. высок, температур, 1965, т.З, вып.4, с. 627 631.

37. Рыкалин Н. Н. Плазменные процессы в металлургии и обработке материалов.- Физ. и хим. обр. матер., 1967, № 2, с. 3 17. ■

38. Плазменные процессы в получении сферических порошков тугоплавких материалов. / А. Б. Гугняк, Е. Б. Королева, И. Д. Кулагин, В. И. Михалев, В. А. Петрунчев, JI. М. Сорокин.- Физ. и хим. обр. матер., 1967, № 4, с. 40 45.

39. Лакомский В. И., Мельник Г. А. Сфероидизация в высокочастотном плазменном разряде порошка окиси алюминия.- Порошковая металлургия, 1966, № 2, с. 6 9.

40. Краснов А. П., Зильберберг В. Г., Шарифкер С. Ю. Низкотемпературная плазма в металлургии.- М.: Металлургия, 1970.216 е., ил.

41. Марин К. Г., Любимов В. К. Применение низкотемпературной плазмы в микроэлектронике.- Физ. и хим. обр. матер., 1978, № 2, с. 64 69.

42. Плазменный процесс в получении . моноокиси кремния. / И. Д. Кулагин, В. К. Любимов, К. Г. Марин, Б. А. Сахаров, Л. М. Сорокин.- Физ. и хим. обр. матер., 1967, № 2, с. 36 41.

43. Вурзель Ф. Б., Полак Л. С. Химические процессы в плазме и плазменной струе.- В сб.: Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме. М., 1995, с. 100 -117.

44. Получение пигментной двуокиси титана индукционно-атомар-ным способом. / Н. Н. Рыкалин, С. В. Огурцов, И. Д. Кулагин, И. В. Антипов, Л. М. Сорокин, Я. М. Липкес, С. Н. Дмитриев,

45. Г U PnvAneui'r, Т П rV-TTTT/p А К Глм-т-г- ТТ Г Тпрт, m.-^n

46. А Л . Wtvv^jy^iiiw. -L. . Ж Ж • >—- J ill I iiU j » A. . . JL. j i il/liVj A * 4 • J. jy t 1 iJ/iJVUL' I

47. Б. В. Драчев.- Физ. и хим. обр. матер., 1975. № 1. с. 154 157.

48. Рыкалин Ii. Н. Термическая плазма в металлургии и технологии Труды ВЭЛК, 1977, секция 0, доклад № 6, с. 71.

49. Баширов Ю. А., Медведев С. А. Использование высокочастотного безэлектродного разряда для синтеза интермметаллических соединений на основе ниобия и ванадия.- В сб.: Генераторы ни-зеотемпературной плазмы.- М., 1969, с. 501 507.

50. Коломыцев П. Т. Жаростойкие диффузионные покрытия,- М.: Металлургия, 1979.- 272 с.

51. Кудинов В. В. Плазменные покрытия.- М.: Наука, 1977.- 184 с.

52. Никитин М. Д., Кулик А. Я., Захаров Н. И. Теплозащитные и износостойкие покрытия деталей дизелей.- Л.: Машиностроение, 1977,- 168 с. '

53. Получение покрытий высокотемпературным распылением. / Сб. статей // Под ред. Л. К. Дружинина и В. В. Кудинова.- М.: Атомиздат, 1973.- 312 с.

54. Усов Л. Н., Борисенко А. И. Применение плазмы для получения высокотемпературных покрытий.- М.-Л.: Наука, 1965.- 88 с.

55. Получение пленок двуокиси кремния плазменным методом. / В. Ф. Сыноров, Э. В. Гончаров, В. М. Гольдфарб, А. В. Крячко.-Электронная техника. Сер. материалы, 1967, вып.З, с. 41 47.

56. Неса М., Cakenberghe J. Van. Soures a plasma pour la preparation de couches minces de silice.— Thin Solid Films, 1972, v. 11, № 2, p. 283 288.

57. Донской А. В., Дресвин С. В., Клубникин В. С. Применение низкотемпературной плазмы в электротермических процессах.- В сб.: Генераторы плазменных струй pi сильнотечные дуги. Л., 1973, с. 39 43.

58. Буевич Ю. А., Якушин М. И. Некоторые особенности термического разрушения разлагающихся материалов.- Журнал прикл. мех. и техн. физ., 1968,' № 1, с. 56 65.

59. Буевич Ю. А., Егоров О. К., Якушин М. И. О механизме разрушения полупрозрачных полимеров лучистым тепловым потоком.-Журнал приклад, мех. и техн. физ., 1968, № 4, с. 72 79.

60. Исследование безэлектродного кольцевого разряда в аргоне и воздухе. / И. Г. Аладьев, И. Г. Кулаков, О. Л. Магдасиев. А. П. Шатилов.- В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967, с. 411 418.

61. Исследование эффективности выделения энергии в плазме без—. т-т —. .—, 1 '1 Т Т , т ' ,-1 т Т Г^ ' Т^ '"Т^Т ТАГ" f \ "T^t 'I г^ f^ СТ ГТ / 7 А 1 Т ' > 'Л О

62. J.'lCiMJJU^nUl и wivwnci^ -L и 1 llWi W |7CL J\J/1/Л.С1 . . «) . i Ч1Д|у1л.ц.

63. M. П. Вашоков, А. А. Егорова, Б. M. Соколов.- Ж. техн. физ., 1967, т.37, вып.7, с. 1252 1257.

64. Дымшиц Б. М., Корецкий Я. П. Исследование контрагированного индукционного разряда.- В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967, с. 425 431. • •

65. Плазменная технология в производстве СБИС. / Под ред. Н. А. Айнспрука и Д. Брауна,- М.: Мир, 1987,- 469 е., ил.

66. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов.- М.: Энергоиздат, 1987.- 264 е., ил.

67. Morgan G.D. Hogh frequency discharges ib gases.- Science Progress. 1953, v. 41, № 161, p. 22 41.

68. Cabannes F. Descharges dans les gaz In. Etude de la decharge electrique par induction saus electrodes dans le neon. Paris, 1954, v. 238, № 20, p. 1979 - 1981.

69. Cabannes F. Etude de la decharge electrique par induction dans les gas rares.- Annales de Physique. 1955, v. 10, november december, p. 1026 - 1078.

70. Pulsation d'une decharge H.F. par filament de zirconium. / I. Desiongnieres, R. Geller, F. Prevot, et R. Vienet.- I. de Physique. 1956, v. 17, № 2, p. 166 167.

71. Бамберг E. А., Дресвин С. В. Определение некоторых параметров высокочастотного кольцевого разряда.- Ж. техн. физ., 1963, т.33, вып.1, с. 65 72.

72. Савичев В. В., Трехов Е. С., Фоменко А. Ф. Измерение параметров плазмы импульсного вихревого разряда зондовыми методами.- В сб.: Физика газоразрядной плазмы. М., 1968, вып.1, с. 27 38. .

73. Eidmann i. Gasaufhezung und energiebilanz einer stationuzen hochfrequenten Aingentladung in Edelgasen.- Beitrage aus cler Plasmaphysik. 1971, Bd. 11, № 2, s. 99 119.

74. Энергетические характеристики высокочастотной плазменной установки при низких давлениях. / И. X. Исрафилов, А. А. Са-мигуллин, С. Н. Шарифуллин, В. Д. Щербаков, Р. И. Яхин Физ. и хим. обраб. матер., 1976, с. 26 - 32.

75. Czerbniak 1., Maiecki Н., Pawlowski В. Analisa poborn MOCY PAZeZ plasme w zrodle jonow wysokies czestotliwasci.- Nuklionika, 1977, v. 22, № 4, p. 317 327.

76. Микроволновое излучение плазмы безэлектродного индукционного разряда при низких давлениях. / Л. А. Душин, В. И. Коно-ненко, И. К. Никольский, О. С. Павличенко,- В кн.: Высокочастотные свойства плазмы. Киев, 1968, с. 11 20.

77. Lenz В., Walther R. I. Electron temperatures in low-pressure R.F.-discharge.- Proc. 13-th Inern. Conf. Phenomena ionisated Gas, Berlin, 1977, p. 337 338.

78. Фокусировка и канализация нижних гибридных волн и плазмы при ВЧ пробое газа. / Г. А. Марков, В. А. Миронов, В. Г. Савин, А. М. Сергеев.- Физика плазмы, 1980, т.6, вып.З, с. 670 675.

79. Schlz P. D., Anderson Т. P. Local thermodynamic equilibium in an R.F. argon plasma-I. Quant. Spectrosc. Ratiot. Transfer, 1968, v. 8, № 7, p. 1411 1418.

80. Кононенко В. И. Исследование параметров и микроволнового излучения плазмы безэлектродного индукционного разряда: Авто-реф. дисс. . .канд. физ.-мат. наук,-Харьков, 1970.- 23 с.

81. Годяк В. А., Попов О. А. О зондовой диагностике ВЧ плазмы.-Ж. техн. физ., 1977, т.47, вып.4, с. 776 770.

82. Распределение электронов по энергиям и контрагрование в высокочастотном разряде. / С. Д. Вагнер, В. А. Виролайнен, Ю. М. Коган, Г. Ю. Хрусталев.- В кн.: Вопросы физики, низкотемпературной плазмы. Минск, 1970, с. 182 184.

83. Кононенко К. В. Детекторные свойства газоразрядной плазмы.-М.: Атомиздат, 1980 128 с.

84. Geller R. Production de plasmordes des de haut frequence stabflis a la frequencew stablis a la frequen de resonance du plasma.- Compt.es. Rendus hebdomadaries des Sciences de l'Acudemie des sciences. 1959. v. 249,, № 1, p. 2749 2751.

85. Лари Э., Полк Д. Безэлектродный зонд для определения проводимости высокотемпературной плазмы В кн.: Низкотемпературная плазма.- М., 1967, с. 314 - 325.

86. Cabannes F. Etude de l'amorcage de la decharge electrique dans le neon et xenon.- Comptes Rendis. Hebdomadaires des sciences de l'Academie des Sciences, 1954, v. 238, № 14, 1482 p:

87. Birkhoff G. Messung der elektrischen Vorgange innerhalb einer Ilochfregnenz Ringentladung.- Zeitschrift fur ungewandte Physik, 1958, Bd. 10, № 5, s. 204 - 206.

88. Dippel K., Tackenbarg W. Magnetic field probes with high frequency responce.- Proceedings Amsterdam, 1960, v. 1, p. 533 536.

89. Freisinger' I, Lens В., Walther R. I. The skin-effect in an R.F.-discharge plasma with and without an external magnetic field.- Proc. 13 Intern. Conf. Phenomena Ionized gases, Berlin, 1977, p. 339 340.

90. Измерение параметров плазмы высокочастотного импульсного разряда в N2 и С02. / В. А. Преображенский, Е. С. Трехов, В. В. Савичев, А. Н. Фоменко.- В сб.: Физика газоразрядной плазмы. М., 1969, вып. 2, с. 139 147.

91. Harrison I. A. and Craggs I. D. Exitation in a low electrodeless discharge.- Journal of Electron and Control, 1958, v. 4, № 4, p. 289 -300.

92. Gherbonowscki N., Iancu O. Ring discharge.-. Analele Universitatu Bucuresti, Fizika, 1979, v. XXVIII, p. 3 9.

93. Жестков Б. E. Некоторые вопросы диагностики гиперзвуковых свободномолекулярных потоков.- Труды ЦАГИ, 1977, вып.1853, с. 32 41.

94. Исследование ионизации и нагрева газа в высокочастотном индукционном разряде. / Б. Е. Жестков, Б. Г. Ефимов, 3. Т. Орлова, А. М. Омелин, В'. И. Ершов,- Труды ЦАГИ, 1970, вып.1232, 15 с.

95. Энергетические характеристики высокочастотной плазменной установки при низких давлениях. / И. X. Исрафилов, А. А. Сами-гуллин, С. Н. Шарифуллин, В. Д. Щербаков, Р. И. Яхин,- Труды КАИ: Физические науки, вып.193, 1975, с. 32 38.

96. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда.-М.: Атомиздат, 1961.- 323 с.

97. Моделирование и методы расчета физикохимических процессов в низкотемпературной, плазме. / отв. ред. JI. С. Полак,- М.: Наку, 1974,- 271 с.

98. Brasified Charles I. High frequency discharges in mercure, helium and neon. / Physical Rewiew, 1931, v. 37, Jom, p. 82.

99. Левитский С. M. Исследование потенциала зажигания высокочастотного разряда в газе в переходной области частот и давлений. // Журн. техн. физ.- 1957.- Т.27, вып. 5,- С. 970-977.

100. Разумовская Л. П., Бочкова О. П. Оптические и электрические свойства ВЧ "слабого"'и "сильного" разрядов в неоне. // Оптика и спектроскопия, 1960. Т.9. Вып.2. С. 271 273.

101. Яценко Н. А. Сильноточный ВЧЕ разряд среднего давления. // ЖТФ, 1980. Т.50. Вып.11. С. 2480 -'2482. ■

102. Яценко Н. А. Связь постоянного потенциала плазмы с режимом горения высокочастотного емкостного разряда среднего давления. // Журн. техн. физ 1981.- Т. 51, вып. 6,- С, 1195-1204.

103. Мышенков В. И., Яценко Н. А. Влияние межэлектродного расстояния на максимальный поперечный размер пространственно-однородного плазменного стоба. // ЖТФ, 1981. Т.51. N°. 10, с. 1195 1204.

104. Яценко Н. А. Эффект нормальной плотности тока в емкостном ВЧ-разряде среднего давления. // ЖТФ, 1982. Т.51, № 10, с. 2055 2060.

105. Ганна А. X. Исследование ВЧ разрядов в диффузионной области давления, а и 7 разряды: Автореф. дисс.- М., 197.9.- 14 с.

106. Кузовников А. А., Савинов В. П. Пространственное распределение параметров стационарного ВЧ разряда. // Вестник МГУ. Сер.: Физика, астрономия, 1973, № 2. С. 215 233.

107. Кузовников А. А., Ковалевский В. Л., Савинов В. П. Исследование зависимости собственных постоянных электрических полей ВЧ-разряда от его параметров. // Вестник.ЛГУ, Сер.: Физика. Астрономия, 1983, т.24, вып.4, с. 28 32.

108. Popow О. A., Jodyak V. A. Power diss: pated in low-pressure radio-frequency discharge plasmas. / J. Appl. Phys., vol. 57, № 1, 1985, p. 53 58.

109. Левитский С. M. Потенциал пространства и распыление электродов в высокочастотном разряде. // Жури. техн. физ.- 1957.-Т.27, вып. 5.- С. 1001-1009.

110. Джерпетов X. А., Патеюк Г. М. Исследование высокочастотного разряда методом зондов. // ЖЭТФ, 1955, т.28, вып.З, с. 343 -351.

111. Застенкер Г. Н., Солнцев Г. С., Швилкин Б. Н. Процессы в высокочастотном разряде низкого давления низкого давления при изменении напряжения на электродах. // Радиотехника и электроника, 1960. № 10, с. 1709 1716.

112. Застенкер Г. Н., Солнцев Г. С., Швилкин Б. П. О механизме формирования высокочастотного разряда низкого давления в воздухе. // Радиотехника и электроника, 1961, № 3, с. 387 394.

113. Кузовников А. А., Хадир М. А. Экспериментальное исследование поглощения ВЧ-поля плазмой положительного столба. // Радиотехника и электроника, 1973, т.18, вып.4, с. 875 877.

114. Грановский В. Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток / Под ред. Л. А. Сена и В. Е. Голанта.- М.: Наука, 1971.- 544 е., ил.

115. Мирзаев А. Т., Мириноятов М., Степанов В. А. Молекулярные газовые лазеры с поперечным высокочастотным возбуждением:

116. Обзоры по электронной технике. Сер.4: Электровакуумные и газоразрядные приборы М.: ЦНИИ "Электроника", 1979, вып.6 (669).- 48 с.

117. Рыкалин Н. Н., Кулагин И. Д., Сорокин JI. М., Гугняк А. Б. Исследование энергетических параметров высокочастотного емкостного плазмотрона. // Физ. и хим. обраб. матер., 1975. № 4, с. 3 6.

118. Рыкалин Н. Н., Кулагин И. Д., Сорокин Л. М., Гугняк А. Б. Высокочастотный плазмотрон с внешними электродами и продольным продувом газа. // ЖТФ, 1976, т.46, № 4, с. 730 736.

119. Подгорный И. М. Лекции по диагностике плазмы.- М. Атомиз-дат, 1968.- 219 с.

120. Колесниченко Ю. Ф., Матюхин В. Д., Муравьев В. Ф., Смаз-нов С. И. Высокочастотный емкостной разряд при .давлениях порядка атмосферного. // ДАН СССР, 1979, т.246, с. 1091 1094.

121. Тихомиров И. А., Тихомиров В. В., Шишковский В. И. О функции распределения электронов по энергиям в высокочастотном электродном разряде при пониженных давлениях. // Известия ВУЗов. Сер.: Физика, 1974, 4. С 34 37.

122. Бердичевский М. Г., Марусин В. В. Неравновесность и механизм ионизации азотной плазмы безэлектродного ВЧ-емкостного разряда при средних давлениях. // Изв. (Что. отд. АН СССР. Сер. техн. наук, 1979, № 8, вып.2, с. 72 79.

123. Бердичевский М. Г., Марусин В. В. Механизм нагрева азотной плазмы безэлектродного ВЧ-емкостного разряда при средних давлениях. // ТВТ, 1979. Т.17, № 2, с. 246 249.

124. Л. С. Полак, А. А. Овсянников, Д. И. Словецкий. Ф. Б. Вурзель. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука, 1975, 304 с.

125. Бердичевский М. Г., Марусин В. В. Определение энергетических характеристик положительного столба ВЧ-емокстного разрядатермопарным методом. // Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по физике низкотемператур. плазмы.- Ташкент, 1987. Т.2, с. 218 219.

126. Босяков М. Н, Лабуда А. А. Определение вращательной температуры молекул в плазме ВЧ-разрядов низеого давления. // Докл. АН БССР, 1981. 25, вып.9, с. 801 804.

127. Буланьков Н. И., Журавлев В. Д., Кротков В. А., Любимов В. К., Марин К. Г. Исследование процесса нанесения диэлектрических пленок в высокочастотном разряде низкого давления.- Электронная техника. Сер.З: Микроэлектроника, вып.З (63), 1976.- с. 54 -58.

128. Оке С. Н. Исследование кинетики заряженных частиц в ВЧ разряде низкого давления: Автореф. канд .дисс,- М., 1981.- 17 с.

129. Ершов А. П. Исследование кинетики электронов в плазме ВЧ разряда низкого давления в инертных газах: Автореф. канд. дисс.-М., 1982.- 15 с.

130. Маркова Т. И., Неустроев С. А., Павлиашвили Т. И., Соколов Е. Б., Стрижков В. В. Структура пленок окиси алюминия, полученных в плазме ВЧ разряда.- Электронная техника. Сер.З, вып. 1 (85), 1980.- с. 112 113.

131. Максимов А. И., Светцов В. И. Сравнительное исследовани распыления некоторых металлов в тлеющем и ВЧ разрядах. // Труды Ивановского хим. техн. ин-та, 1973. Вып.З, с. 110 115.

132. Светцов В. И. Особенности распыления различных материалов при разряде в химически активных средах: Обзоры по электронной технике. Сер.4: Электровакуумные и газоразрядные приборы.- М.: ЦНИИ "Электроника", 1983, вып.5 .(979).- 39 с.

133. Звягинцев А. В., Митин Р. В., Прядкин К. К. Безэлектродные емкостные разряды дугового типа. // ЖТФ, 1975. Т.45, вып.2, с. 278 285.

134. Постников С. А., Сковорода А. А, Швилкин Б. Н. О низкочастотной дрейфовой неустойчивости плазмы высокочастотного разряда в магнитном поле. // ЖТФ, 1975. Т.45, вып.З, с. 508 513.

135. Наумовец В. Г., Пасечник JL Д., Ягода В. В. Влияние магнитного поля на высокочастотный разряд. // Физ. плазмы, 1979. Т.5, вып.1, с. 179 183.

136. Брагин В. Е., Матюхин В. Д. О пространственной однородности объемного ВЧЕ разряда,.// Труды Моск. физ.-техн. ин-та. Сер.: Общ. и молекулярн. физ., 1979, вып.11.- с. 179 182.

137. Вурзель Ф. Б., Назаров В. Ф. Плазмохимическая модификация поверхности стекла.- В сб.: Плазмохимические процессы. М., 1979, с. 172 203.

138. Очистка и полировка поверхностей подложек высокочастотной индукционной плазмой низкого давления. / И. С. Гайнутдинов, Г. Ю. Даутов, А. А. Самигуллин, С. Н. Шарифуллин, В. Д. Щербаков.- Физ. и хим. обр. матер., 1977, № 6, с. 150 -152:

139. Рыбкин В. В., Максимов А. В., Мельников Б. Н. Влияние плазмы высокочастотного разряда на поверхностные свойства политетрафторэтилена.- Тез. докл. II Всесоюзн. совещания по плазмохимической технологии и аппаратостроению. М., 1977, т.1, с. 171 173.

140. Василец В. Н., Тихомиров И. А., Пономарев А. Н. Исследование действия ВЧ-разряда на поверхность полиэтилена,- Тез. докл. II Всесоюзн. совещания по плазмохимии. М., 1979, т.2, с. 261 263.

141. Kapicha V. Corona and high frequency discharges. Acta. Phys. Slow. 1979, v.29, № 2, p. 119 122.

142. Гущин Д. К. Термодиффузионное насыщение титановых сплавов азотом и кислородом при нагреве высокочастотной низкотемпературной плазмой.- В сб.: Защитные покрытия. Киев, 1967, с. 87-91.

143. Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы. / Под ред. J1. С. Полака,- М.: Наука, 1977.- 436 с.

144. Фсшманис Г. Э. Диэлектрические пленки из проникающей плазмы.- Физ. и хим. обр. матер., 1981, № 4, с. 156 157.

145. Дикарев Ю. И., Есин В. И., Сыноров В. Ф. Плазмохимическое травление материалов вне зоны газового разряда,- Тез. докл. III Всесоюзного симпозиума по плазмохимии. М., 1979, т.1, с. 299 -302. . .

146. Junhuj J. Plasma etching of silion and its compounds in the freon plasma.- Acta Phys. Slow., 1979, v.29, № 2, p. 155 159.

147. Hughes II. G., Hunter W. L., Ritchie k. Residues Romaimng after RF plasma photoresist .romoval.- Journal Electrotechnical Sosietv, 1973, v.1209, № 1, p. 99 101.

148. Свойства п применение сверхзвуковых плазменных струй высокочастотного индукционного разряда. / JI. И.' Киселевский, Д. К. Скудов, С. А. Соколов, Я. И. Некрашевич.- Тез. докл. II Всесоюзн. конф. по плазменным ускорителям. Минск, .1973, с. 302 303.

149. Жилинский А. П., Кутеев Б. В., Смирнов А. С. Исследование эффекта Холла в плазме индукционного высокочастотного разряда,- Письма в ЖТФ, 1977, т.З, № 6, с! 258 261.

150. Тринг М. В. Плазменная технология.- В кн.: Низкотемпературная плазма. М., 1967, с. 531 545.

151. Гусев В. В., Долгополов В. М., Словецкий Д. И., Шелыханов Е. В. Особенности спектра плазмы ВЧ-разряда при травлении алюминия. // ТВТ, 1983. № 1. Т.21.- с. 22 29.

152. Tokunada К., Hess D. W. Aluminium Etching in Carbon Tetrachloride Plasmas. / J. Electrochem. Soc., v.127, № 4, 1980, p. 928 932.

153. Schwartz J. C., Schaibe P. M. Reactive ion Etching.in Chlorinated Plasmas. / Solid State Technology, v.23, № 11, 1980, p. 85 91.

154. Schwartz J. C., Schaibe P. M. Reactive ion Etching in Silicon. / J. Vac. Sci. Technol., v.16, N°. 2, 1979, mar/apr., p. 410 413.

155. Parry P. D., Rodde J. F. Anisotropic plasma etching of semiconductor materials. / SSST, v.22, № 4, 1979, p. 125 132.

156. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников . / Луфт Б. Д., Перевощиков В. А., Возмилова Л. И, Свердлин И. А., Марин К. Г.; под ред. Б. Д. Луфт М.: Радио и связь, 1982.- 136 е., ил.

157. Морозов А. В., Галанихин А. В. Электрический пробой пленок двуокиси кремния, осажденных в плазме емкостного ВЧ-разряда.- Электронная техника. Cep.'l, вып.1 (337),1982.- с. 59 -61.

158. Но Mahan J. R. Deposition of plasma silicon Oxide Thin Films. / J. Electrochem Science and Technology, v. 126, № 6, 1979, p. 930 -934.

159. Буланьков H. И., Журавлев В. Д., Кротков В. А., Любимов В. К., Марин К. Г. Исследование процесса нанесения диэлектрических пленок в высокочастотном разряде низкого давления.- Электронная техника. Сер.З: Микроэлектроника, вып.З (63), 1976.- с. 54 -58.

160. William В. Pennebaker. Method for depositing insulating films of silicon Nitride and aluminum nitride. Патен № 3600218, США, 1971.

161. Зорин E. И., Сухоруков В. В., Тетел'ьбуам Д. И. Осаждение кар-биновых и алмазоподобных пленок в плазме газового ВЧ разряда. //.ЖТФ, 1980. Т.50, вып. 1, с. 175 177.

162. Велихов Е. П., Ковалев А. С., Рахимов А. Т. Физические явления в газоразрядной плазме: Учеб. руководство,- М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987.- 160 е., ил.

163. Васильева А. II., Гришина И. А., Ковалев А. С., Ктиторов В. И., Рахимов А. Т., Розанов С. Б. Несамостоятельный разряд в газе.-Письма в ЖТФ, 1980. Т.6, вып.9, с. 551 555.

164. Батманов Г. М., Коссый И. А., Лукьянчиков Г. С. Несамостоятельный СВЧ разряд и возможности его использования в лазерной технике. // ЖТФ, 1980. Т.50, вып.2, с. 346 349.

165. Patel С. К. N. Interpretation of С02 optical maser experiments. / Phys. Pev. Lett., v.12, 1964, p. 588 590.

166. Patel С. K. N. Selective excitation thouch vibrational energy transfer and optical maser action in N2 CO2 • / Phys. Rew. Lett., v. 13, 1964. p. 617 - 619.

167. Юдин В. И. Исследование гелий-неонового ОКГ с высокочастотным разрядом. // Квантовая электроника, 1973. № 3, с. 134 -135.

168. Crocker A., Wills М. S. Carbon-dioxide laser with high power per unit lenght. / Electr. lett., v.5, № 4, 1969, p. 52 53.

169. Lachamber Т. L., Mcfarlane Т., Otis J., Lavigne P. A. Tranzversely RF-excited C02 Wavequide Laser. / Appl. Phys. Lett., v.32, № 10, 1978, p. 652 653.

170. Розенберг Г. В. Оптика тонкослойных покрытий. Физматгиз.-М.,1958 570 с.

171. Моро У. Микролитография: в 2-х ч.Ч.1: Пер.с англ.- М.: Мир. 1990.- 605 с.

172. Smith. R. // Inch Eng. Chem. Prod. Res. Dev.- 1982,- 22. p. 67.

173. U.S. Patent 3,535,157 1967, Shipley.

174. Bond R., Naguib H. // SPIE Proc.- 1980, 221, p. 74.

175. Gibson M., Freijlich J. // Tihn Solid Films.- 1985,- 128, p. 161.

176. Barraud A., Vandeveyer M. // Thin Solid Films.- 1983,- 99, p. 221; Peterson I. // Thin Solid Films.- 1983,- 109, p. 371.

177. Roberts G., Vincett P., Barlow W. // Phys. Technol.- 1981,- 12, p. 69.

178. Wegner G. // Angew. Chem. Int. Ed. Engl.- 1981,- 20, p. 361.

179. Barraud A., Rosilio A. // Thin Solid Films.-.1976,- 31, p. 243.

180. Кудинов В. В., Иванов В. Н. Нанесение плазмой тугоплавких покрытий.- М.: Машиностроение, 1981.- 192 с.

181. Хасуй А. Техника напыления. Пер. с японского.- М.: Машиностроение, 1975.- 228 с.

182. Бартенев С. С., Фелысо Ю. П., Григоров А. И. Детонационные покрытия в машиностроении.- Д.: Машиностроение, 1982.- 214 с.

183. Никитин М. Д., Кулик А. Я., Захаров И. И. Напряженное состояние Плазменных покрытий. // Физика и химия обработки материалов. 1978. №2. С. 131 136.

184. Гришин С. Д., Лесков Л. В., Козлов Н. П. Электрические ракетные двигатели. М.: Машиностроение, 1975. .272 с.

185. Дороднов A.M. Некоторые применения плазменных ускорителей в технологии.- В кн.: Физика и применение плазменных ускорителей. Минск: Наука и техника, 1974, с. 330 365.

186. Марахтанов М. К. Промышленное использование плазменных ускорителей.- В кн: Тез. докл. на IV Всесоюз. конф. по плазм, ускорителям и ион. инжекторам. М.: Изд-во АН СССР, 1978, с. 349 350.

187. Плазменные ускорители. М.: Машиностроение, 1973.- 312 с.198.199.200201202203204205206207208209210211212213

188. Лукьянов Г1. А. Сверхзвуковые струи плазмы.- Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-ние, 1985.- 264 с.

189. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976.- 328 с.

190. Высокоскоростное вакуумное осаждение полимерных электролитов. // Affinito u ets J/Vac. Sci and Technol, A.- 1996.- 14, № 3, Pt. 1 c. 733 - 738.

191. Распылители для термического нанесения покрытий.// Puranto enjinia = Plant End 1994,- 26, № 11, с. 82 - 83.466659 Япония С 23, С 14/06, 16/34, 1992.

192. Сравнительное изучение напряжений в пленках Сг, осажденных при вакуумно-дуговом, термическом и магнетронном испарении. Elatner, Gautier u dr. // Phys. Status Solidi A.- 1996,- 154, № 2, c. 669 679.

193. Yokotani Atsusti u dr. // Appl. Phys. Tett.- 1996 69, № 10, c. 1399 - 1401.i

194. Buccai Н., Laprin J. P. // Solid State Jonics.- 1996,- 92, № 3-4, c. 243 251.216. № 4-32570 Япония С 236, 1992.

195. Попов В. Ф., Горин Ю. Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учеб. пособие для вузов.- М.: Высш.шк., 1988,- 255 с.218. №93057406 / 02 Россия, С 23, 1996.219. №483867 Япония, С 23, 1992.

196. Lin J. П., Chen L. J. // Appl. Phys.- 1995,- 77, № 9, c. 4425 4430.

197. Оптические свойства тонких пленок сложных гексаборидов Р 37. / Бессараба В. И., Дудина Е. М. и др. // Киев: Порошковая металлургия,- 1995, № 1 2, с. 102 - 105.222. №5421890 США С 23, 1995.

198. О О Q I i I /Т ПГ"» М/ IIMM МП М '") о л »"\А1*Г)Т>Г>ПГ' П"» 1*1 о ГТЛгЛМ Г I '"»•» ГТ'1 I Л ' I > I I I I Г- МСЛМ м

199. A к* .j i i t w^rwix.,./ iCniiv^ но llcL^jcjl i> ниинЛЗидъ liJC i j uui-iii ocLiaJ^i'i l n m iwv. она лопатки. /'Movchan В. A. /'/' : J. Miner, Metals and Mater. Soc. J.Metals.- 1996.- 48, № 1, c. 40 45.

200. ООЛ |\M fififi^O апПТГ„„ r")Q о 14 /"5П 1 QQO пРпili^li j\- У iliulllld WuO) -L -I / •> W , Л-xjUiJ. О ^ -L puiit, iUU wJl/i licll\ \ J :V1110 L иосаждения слоев.

201. Перспективы развития метода импульсного лазерного осаждения на большие поверхности. / Greer J. A., Tabat М. D. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res.В.- 1997.- 121, № 1 4, с. 357 -362.

202. Прирост массы и поверхностной проводимости полимеров при металлизации вакуумно-дуговым осаждением. / Boxman R.L. Goldsmith S. // Thin Solid Films.- 1993, 236, № 1 2, c. 341 -346;

203. Поверхностное упрочнение титановых деталей плазменно-дуговой обкаткой в вакууме. / Неровный В. М., Перемитько В. В. // Современные проблемы сварной науки и техники. "Сварка-95": Матер. Рос. науч.-техн. конфер., Пермь, 23 25 мая 1995, ч. 1.

204. Рост и распад микрочастиц: возможный подход к получению чистой вакуумно-дуговой плазмы. / Anders Andre //J. Appl. Phys.-1997,- 82, № 8, p. 3679 3688.

205. Формирование нанокомпозиционных пленок Ni TiN в процессе ионного осаждения с использованием дуги катодной формы. / Jrie М., Ohara М. // Nucl. Instr. В.- 1997, 121, № 1 - 4, с. 133 -136.

206. Напыление из плазмы при низком давлении и его применение. / Takeda Koichi // ISPC -9 g. th. Int Symp. Hlasma Chem. Pugnochiuko. Sept 4-8, 1989, Vol. 1.233. №421759 Япония С 23, С 14/50, 1992.

207. N2 94012466/ 07. Будилов В.В. и др./ Способ ионной■ импланта-нии.237. №4-66666, Япония, С 23, С 14/50, 1992. / Устройство для нанесения пленок.238. №4-59966, Япония, С 23,1992. / Устройство для нанесения пленок.

208. Нанесение покрытий вакуумно-электродуговым методом. / Марков Г.В. // Физ. и хим. обр. мат. 1996, № 3. с. 71 73.240. №95112884/02, Россия, С 23, 1997. / Федоров А. А. Устройство для нанесения покрытий в вакууме на диэлектрики.

209. Структура и свойства тонких пленок Си , полученных испарением с усиленной ионной бомбардировкой. Gotoh Y. // Thin Solid Films.- 1996.- 288, № 1 2, с. 300 - 308.

210. Осаждение аморфных пленок гидрогенезированного бора при низких температурах подложки и определение их стабильности // I. Non -Gryst Solids.- 1996.- 209, № 3, с. 240 246.

211. Эпитаксиальное выращивание металлов с помощью распыления / Harp G. П., Parkin S. S. // Thin. Solid. Films.- 1996.- 288, № 1 -2, с. 315 324.

212. Aisenherg S., Chabot R. W. Phisics of ion Plating and ion Btfm Deposition // J. Vac. Sci. Technol 1973. № 1. P. 104 - 107.

213. Cutting tools as good as gold // Metalworking Production.- 1983.7. P. 45 47.

214. Davy F. G., Hahak I. I. R-F Bias Evaporation (ion Plating) of Non-Metal Thin Films. // J. Vac. Sci. Technol.- 1974.' № 1. P. 43 -47.

215. St owe 11 William R. Ion Plated Titanium Carbide Coatings. //Thin Solid Films.- 1974. № 1. P. Ill 120.

216. Особенности формирования тонких пленок оксида А1 высокочастотным магнетронным методом. / Лунев И. В., Падалка В. I . // Физ. и хим. мат.- 1996. № 3. С. 78 83.

217. Осаждение с применением импульсного лазера на подложку кремния при 600 С. / Fridman Т. А., Мс. С arty К. F., Claus Е. I., Barbour I. С. // Thin Solid Films.- 1994,- 237, № 1- 2, с. 48 56.

218. Улучшенная система ионно-лучевого осаждения с ионным источником на основе ВЧ-распыления. / Miyaki Kioshi // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. В.- 1997.- 121, № 1 4, с. 102 - 106.

219. Характеристики тонких пленок алюмината лантана, полученные ВЧ-распылением. / Poirot С. // Sci and Technol. Thin Films Supercond 1990.- c. 389 - 394.

220. Исследование свойств карбидов и нитридов титана. /Deng Jifcluo, Braun Manuel, Gudovska Irena //I. Bas. Sci and Technol. A.- 1994.12, № 3, c. 733 736.255. №448073 Япония, С 23, С 14/34, Hoi В 13/00, 1992. Установка катодного распыления.

221. Исследование пленок нитрида тантала, полученного реактивным распылением. / Xin Sun, Elzbieta Kolowa и др. // Thin Solid Films.- 1993,- 236, № 1 2, с. 347 - 351.

222. Технологии, эксперименты по повышению противокоррозионных характеристик тонколистовых углеродистых сталей с помощью нанесения покрытий в вакууме. // Mateescu Gh. // Vide: Sci. Techn. et appl. 1995,-Suppl № 275, "CIP 1995 proc", c. 440 442.

223. White G. W. New applikations of Ion Plating. // "Res/Develor". 1973. № 7. P. 43 44.

224. Minowa Y., Ymanishi K., Tsukamoto K. Si02 films deposited on Si by an ionized claster beam. // J. Vacuum Sci. Technol.- 1983. Vol. Bl, № 4. P. 1148 1151.

225. Yamada I., Nagai I., Hozie M. Preparation of doped amophous silikon films by ionizet claster beam deposition. // J. Appl. Phys.-.1983. Vol. 54, № 3. P. 1583 1587.

226. Yamada I., Takagi T. Metallization by ionizet-claster beam deposition. // IEEE Trans, on elektron devices.- 1987. Vol. ED-34, № 5. P. "1018 1025.

227. Yamada I., Takagi T. Current status of ionizet-claster beam technigue: a iow energy ion beam deposition. // Nucl. Instrum. find Vethod Phys. Res.- 1987. Vol. В 21, № 2 4. P. 120 - 123.

228. Данилин B.C. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок,- М.: Энергоатомиздат, 1989.- 328 с.

229. Барабанов Б. Н., Блинов И. Г., Дороднов А. М., Д удов а С. В. Аппаратура плазменной технологии высоких энергий — "холодные" системы для генерации плазм проводящих твердых веществ. // Физика и химия обработки материалов. 1987. № 1. С. 44 51.

230. Кесаев Н. Г. Катодные процессы электрической дуги. М.: Наука, 1968. 325 с.

231. Гришин С. Д., Козлов Н. П. Применение плазменных ускорителей в технике. М.: Машиностроение, 1973. С. 15 25.

232. Дороднов А. М., Поротников А. А. Нанесение покрытий торцевыми плазменными ускорителями. // Материалы 2-й Всесоюзной конференции по плазменным ускорителям. Минск: Техника. 1973. С. 276 277.

233. Падалко В. Г., Толол В. Т. Методы плазменной технологии высоких энергий. // Атомная энергетика. 1978. Т. 44. С. 476 478.

234. Нага Т., Hamadaki М., Sauda A. Nev high current low energy ion Source. // J. Jap. Appl. Phis.- 1986. Vol. 25, № 3, p. 1253 1255.

235. Образование дугового пятна, вызываемое неустойчивостью граничного слоя. Hantzche Erhand. // IEEE Trans. Plasma Sci.— 1997,- 25, № 4. P. 52.7 532.

236. Параметры плазмы внутри катодного пятна выкуумной дуги, инициируемой лазером; эксперимент, и теоретич. исследования. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997,- 25, № 4. P. 553 563.

237. Улучшенная модель слоя у подложки с отрицательным смещением в вакуумной дуге с катодными пятнами. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997,- 25, № 4. P. 689 693.

238. Газовые разряды в полых катодах высокого давления. / Choenbach Karl и др. // Plasma Sources Sci and Technol.- 1997.6, № 4. P. 468 477.■

239. Зависимость функции распределения электронов по энергиям в плазме ВЧ-разряда от частоты и давления, / Akashi Haruaki и др. // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 2, 1997,- 36, № 7A. P. 877 879.

240. Планарный магнетронный разряд, совмещенный с плазменно-ипдукционным разрядом для увеличения степени ионизации распыленных атомов. / Setsuhara Yuichi и др. // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1, 1997,- 36, № 7B. P. 4568 4571.

241. Исследование катодных пятен и формирование плазмы вакуумных дуг с помощью высокоскоростного микрофотографирования и спектроскопии. / Siemroth Peter и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 571 579. .

242. Двумерное наблюдение паров меди в вакуумных дугах методом лазерной флуоресценции. / Koyama Kenichi и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 598 602.

243. Интерпретация вакуумной дуги с высокой плотностью тока без электродных пятен тлеющего разряда. / Puchvarev Victor F. и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997,- 25, № 4. P. 593 597.

244. Напряжение горения сильноточной вакуумной дуги с промежутком из шести стержневых электродов. / Alferov D. F. и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997,- 25, № 4. P. 856 892.

245. Напряжение на вакуумной дуге с кольцевым анодом в продольном магнитном поле. / Keidar Michael и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 580 585.

246. Измерение энергии ионов при осаждении в вакуумной дуге. / Yang Lei и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 700 -702.

247. Отклонение от локального термодинамического равновесия в плазме сильноточной свободногорящей дуги'в аргоне. / Ilaidar J. // J. Phys. D.- 1997.- 30, № 19. P. 2737 2743.

248. Дуговой разряд в качестве источников атомов азота. / Xu Ning и др. // Rev. Sci. Instrum 1997,- 68, № 8. P. 2994 - 3000.

249. Новое развитие обработки плазмой катодной дуги. / Мс. Kenrie и др. // IEEE Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 652 659.

250. Применение высокочастотного разряда в процессах азотирования. / И. III. Абдуллин, Ш. Ш. Башкиров и др. // Физ. хим. обработ.материал., 1997, № 2, с. 113 115.

251. Уменьшение дуговой эрозии электрических контактов, использованием поперечного тока в дуге. / Parkansky Naum и др. // ieee Trans. Plasma Sci.- 1997.- 25, № 4. P. 543 547.

252. Применение плазмы в Китае. // Физ. и хим. обработ. матер., 1997, № 5, с. 64 73.

253. Последние достижения в области технологии с использованием сфокусированных пучкой ионов. / Gama Kenji. // Nucl. Instrum. and Meth/ Phys. Rev. B. 1997,- 121, № 1 4. P. 464 - 469.

254. Обзор. Выкуум, поверхности и пленки. Vacuum, Surfaces and films. // J. Vac. Sci. and Technol. A.- 1995.- 13, № 3. Pt 2. P. 1 -8.

255. Покрытия (AlxTiy)N, получаемые катодным вакуумно-дуговым осаждением. / Vetter J. // Metall.- 1997.- 51, № 6. P. 336 341.

256. Исследование слоев тройного FeNi силицида, полученного ионной имплантацией паров металла, создаваемых дуговым разрядом в вакууме. / РЖ Металлургия, 1997, №° ЗЕ15.

257. Ионно-плазменное формирование износостойких слоев, на поверхности конструкционной стали. / Борисов Д. П., Гончаренко И. М. и др. // Физ. и хим. обр. мат.- 1997, № 4. С. 40 44.4.63265. Япония, С 23, 1996.445276. Япония, С 23, 1992.

258. Повышение качестка покрытий, наносимых плазменным распылением. // Metallurgia 1996,- 63, № 1. С. 33.

259. Нанесение алмазных и алмазоподобных покрытий. / Benninghoff Hanns. // Techn. Rdsch.- 1994,- 84, № 32. С. 40 42.

260. Нанесение твердых покрытий способом физического осаждения из газовой фазы. / Stokley Peter. // Precis Toolmaker- 1994.- 12. № 6. С. 244 246.

261. Новое покрытие для твердосплавных фрез. // Metalwork Prod.1994,- 138, № 13. С. 16.

262. Функциональное поведение инструмента с твердым покрытием. / Meier Z., ICocker G., Kunst H., Habig К. H. // Harter techn., Mitt - 1994,- 49, № 6. P. 365 - 377.

263. Перспективы использования газотермического напыления в промышленности. / Рудой А. П. // Электротехнол. и ресурсосбереж,- 1995, № 3. С. 13 20.

264. Газотермические покрытия. / Анциферов В. Н., Шмаков А. М., Агеев С. С., Буланов В. Я.- Екатеринбург: Наука, 1994.- 318 с.

265. Исследование микроструктуры конденсационного покрытия на монокристаллические жаропрочные пластины Ni. / Totemeier Т. С., Gale W. F., King J. Е. // Met. and Mater. Trans. A.- 1994,- 25, № 12. P. 2837 2840.

266. Мультислойные вакуумно-плазменные покрытия и их свойства, / Косогор С. П., Гыбайдуллин Н. Ш. и др. // Рос. науч.-техн. конф. "Матер, и упроч. технол. 94", Курск, 15 - 17 ноября 1994, тезисы докл. С. 97 - 100.

267. Особенности управляемых источников питания плазмотронов постоянного тока. / Пешехонов В. М., Жуков А. В. // Оптимизация работы электрооборудов. / Тверск. гос. универ.- Тверь,1995. С. 81 86.

268. Кудипов В. В., Лекшев П. Ю. и др. Нанесение покрытий плазмой. М.: Наука, "1990. 408 с.

269. Вакуумные дуги. Теория и применение. Под ред. Лаферти Дж. М. Мир, 1982. 432 с.

270. И. Ш. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Изменение структуры и состава поверхности сталей и титановых сплавов под действием высокочастотного разряда низкого давления. Международный научный журнал "Перспективные материалы" 1.-2000.- 56 с.

271. И. Ш. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Нанесение тонкопленочных покрытий с помощью высокочастотной плазмы пониженного давления. "Физика и химия обработки материалов", № 2.- 2000.40 с.

272. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов. Модификация сталей и титановых сплавов с помощью высокочастотной плазмы пониженного давления.- Препринт, КГТУ.- 2000.- 16 с. .

273. И. Ш. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов. Исследование свойств тонкопленочных покрытий, полученных с помощью неравновесной ВЧ плазмы пониженного давления.- Препринт,КГТУ.- 2000.- 16 с.

274. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, Р. Т. Галяутдинов. Тонкопленочные покрытия с регулируемым поглощением, полученные с помощью струйного ВЧИ плазмотрона пониженного давления.-Препринт,КГТУ.- 2000.- 20 с.

275. Н. Ф. Кашапов. Исследование контролируемого нанесения чувствительных слоев ионных резистов в гелиевой плазме ВЧ разряда. Деп. В ОНТИ УНИЦ ВИНИТИ, №970-В00, КГТУ,- Казань.-2000.

276. Н. Ф. Кашапов.Исследование механизма разложения металлоор-ганических соединений в плазме безэлектродного ВЧ разряда пониженного давления. Деп. В ОНТИ УНИЦ ВИНИТИ, №971-В00, КГТУ,- Казань,- 2000.

277. Н. Ф. Кашапов. Нанесение диэлектрических и алмазоподобных покрытий с помощью высокочастотной плазмы пониженного давления. Деп. В ОНТИ УНИЦ ВИНИТИ, №969-В00, КГТУ.-Казань- 2000.

278. II. Ф. Кашапов. Исследование процесса нанесения покрытий с помощью ВЧ разряда пониженного давления. Деп. В ОНТИ УНИЦ ВИНИТИ, №972-В00, КГТУ.- Казань,- 2000.

279. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудипов. Новое в технологии нанесения покрытий. Ч. 1. Струйный ВЧ разряд пониженного давления в процессах нанесения покрытий. "Технология металлов", №7,- 2000.-^,34 39 с.

280. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Новое в технологии нанесения покрытий. Ч. 2. Получение алмазоподобных покрытий в ВЧ плазмотроне пониженного давления. "Технология металлов", №8,- 2000.- 35 с.

281. И. III. Абдуллин, II. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Новое в технологии нанесения покрытий. Ч. 3. Получение тонкопленочпьгх покрытий из порошков в ВЧ плазмотроне пониженного давления. "Технология металлов", №10,- 2000.- 30 с.

282. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Новое в технологии нанесения покрытий. Ч. 4. Физико-механические свойства синтетических волокнистых материалов, обработанных ВЧ плазмой пониженного давления. "Технология металлов", №2,- 2001.35 с.

283. Н. Ф. Кашапов, Г. С. Лучкин. Нанесение защитных покрытий магнетронным распылением. Сообщение на научной сессии КГТУ, 2001, с. 23.

284. Неотражающий нетральный оптический фильтр. Свидетельство на полезную модель, Роспатент, № 2000129440/20 (031542) МП К 7602В5/22.

285. Смирнов Б. М. Атомные и молекулярные столкновения в плазме.- М.: Атомиздат, 1968.- 364 с.

286. Источники питания электротермических установок. / А. С. Васильев, С. Г. Гуревич, 10. С. Иоффе.- М.: Энергоиздат, 1985.248 е., ил.

287. Сорокин JI. М., Шевченко В. 3. Расчет электромагнитных полей в индукционном разряде. // Физ. и хим. обработки материлов, 1975.- № 6.- С. 145-147.

288. М. А. Гуляев. А. В. Ерюхин. Измерение вакуума (измерение малых абсолютных давлений).- М.: Издательство стандартов. 1967 148 с.

289. Гол ант В. Е. Сверхвысокочастотные методы исследования плазмы.- М.: Наука, 1968.- 327 с.

290. Диагностика плазмы. Вып. 5 / Под ред. М. И. Пергамента.- М.: Эпергоиздат, 1986.- 303 с.

291. Заварин Ф. Г., Рождественский В. В., Тумакаев Г. К. СВЧ интерферометр с пространствевным разрешением 0,1 А. / / Диагностика низкотемпературной плазмы. / Под ред. Е. М. Шелкова,- М.: Наука, 1979.- С. 154-158.

292. II. Ф. Кашапов , Р. Б. Мухамедзянов. Распределение концентрации электронов в прикатодной области тлеющего разряда. Тезисы докладов VI конференщш по физике газового разряда.-Казань.: 1992,- 237 с.

293. Диагностика плазмы / Под ред. Р. Хаддлстоуна и Ц. Леонарда.— М. :Мир, 1967

294. А.с. 2153620 (СССР.) Голографический интерферометр / Л. Т. Мустафина, Н. П. Кутикова, Т. М. Бабаева.— Заявл. 7.07.75, опубл. 14.06.77.

295. А.с. 1149122 (СССР) Голограммный анализатор / Л. Т. Мустафина, А. А. Белобо'родов, А. Ф. Белозеров.- Заявл. 26.10.81, опубл. 8.12.84.

296. В. Е. Б par и и, А. Н. Быканов, О. Ы. Гусев и др.- М.ВАНТ, Сер. ядерная техника и технология, 1989. вып. 1, с. 16 18.

297. Атлас спектральных линий для дифракционного спектрографа. А.-А.: Наука, 1967, 103с.

298. Ф. Пирс, А. Гейдон. Отождествление молекулярных спектров. М.: ИЛ, 1949, 198с.

299. Г. А. Касабов, В. В. Елисеев. Спектроскопические таблицы для низкотемпературной плазмы. Справочник. М.: Атомиздат, 1973, 160с.

300. И. М. Нагибина, В. К. Прокофьев. Спектральные приборы и техника спектроскопии. М.-Л.: Машгиз, 1963, 2-70 с.

301. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Свойства и назначение покрытий, получаемых с иомогцыо струйного ВЧ разряда низкого давления. Международный научный .журнал "Перспективные материалы" № 3. 2000.- 75 - 82 с.

302. Ховатсон А. М. Введение в теорию газового разряда. Пер. с англ.- М.: Атомиздат, 1980.- 182 с.

303. Абдуллин И. Ш. Исследование высокочастотного диффузного разряда в процессах обработки поверностей. / НПО "Мединструмент".- Казань, 1988.- 75 с. ил. (Рукопись дел. в ВИНИТИ 9.03.88, № 1571- 889).

304. Р.Р.Знганшин, 3. X. Исрафилов, Н. Ф. Кашапов. О прикатод-ной области тлеющего разряда. Межвузовский сборник научных трудов "Физика газового разряда",- Кггзань.: 1993.- 13 с.

305. Z. Ivh. Israfilov, N. F. Ivaschpov. Steadying the instability of a glowing discharge in a longitudinal air stream, Journal of engineering physics.- New York.: Jephal 60(3) 277-398(1991), consultants bureau.

306. Бекетова А.К., Белозеров А.Ф., Березкин А.И. и др. Голографи-ческая интерферометрия фазовых объектов.-Д.: Наука. Лениигр. отд-гше, 1979.- 232 с.

307. Д. И. Словецкий. Исследование кинетики и механизмов физико-химических процессов в неравновесных плазмохимических системах. Дис.д.физ.-мат. наук. М.: 1977, 557 с.

308. Б. М. Смирнов. Атомные столкновения и элементарные процессы в плазме. М.: Мир, 1967, 823 с.390. 1?. Mary Roming. Steddli State Solution of the Radiof reguency Discharge with flow. The Physics of Fluids, 1960, 3, N° 1, p.129 -133.

309. JI. Д. Цендин. Распределение электронов по энергии в ВЧ электрическом поле. ЖТФ, 1977, 47, № 8, с. 1598 1608.

310. Ю. Б. Голубев. Физическме процессы в неравновесной плазме положительного столба разряда в инертных газах при средних давлениях. В кн. Спектроскопия газоразрядной плазмы. /Под ред. Н. II. Пенкина, вып.2,- Д.: изд-во JI. ун-та, 1980, с. 3 52.

311. А. В. Бурмистров, Ю. В. Маношин. Пробой газа в высокочастотном Н-разряде. ЖТФ, 1976, 46, N° 12, с. 2517 2522.

312. К. А. Осипов, Г. Э. Фолманис. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. М.: Наука, 1973, 137 с.

313. Райзер 10. П. Физика газового разряда: Учеб.руководство. // М.: Наука, 1987,- 592 е., ил.

314. Кашапов II. Ф. Особенности контрагирования тлеющего разряда в камерах быстропроточных СО2 лазеров. Дисс.канд.физ.-мат.наук. Казань, 1990, 145 с.

315. Установки индукционного нагрева: Учеб. пособие для ВУЗов. / А. Е. Слухоцкий, В. С. Немков, Н. А. Павлов, А. В. Башунэр. Под ред. А. Е. Слухоцкого.- Л.: Энергоиздат. Ленингр. отд-ние, "1981.- 328 е., ил.

316. Смирнов Б. М. Возбужденные атомы М.: Энергоиздат, 1982.232 с.

317. Николаев А. В., Самойленко М. В. Исследование электрического пробоя системы плазменная струя-металлический электрод. // Физ. и хим. обработки материалов.- 1980.-.№ 6.- С. 31-38.

318. Николаев А. В., Самойленко М. В. Влияние материала сопла плазмотрона на образование двойной дуги. // Автоматическая сварка,- 1980,- № 10,- С. 25-27, 54.

319. Schottky W. Diffusion Theorie der Positiven Saule. // Phys. Zheitschr.- 1924.- Bd XXV.- S. 635-640.

320. Thomson J. J. The electrodeless discharge through gases. // Phyl. mag. 1927,- V. 4,- № 25.- P. 1128-1160.

321. Herlin M., Brown S. C. Electrical breakdown of a gas between coaxial cylinders at microwave frequences. // Phys. Rev. 1948.- V. 74.-№ 8.- P. 910-913.

322. Brown S. C, Tc Donald A. D. Limits for the .diffusion theorie of a high frequency gas discharge breakdocon. // Phys. Rev. 1949.- V. 76.- № 11- P. 1629-1633.

323. Eckert H. U. Equation of the electrodeless ring discharge and their solution for the breakdowon criterion. // 4-th Intern. Conf. Ionisation Phenomena in Gases. Amsterdam e.a. i960.- V. 1.-P. 320-324.

324. Eckert H. U. Equation of the electrodeless ring discharge. // J. Appl. Phys. 1962,- V. 33.- № 9,- P. 2780-2788.

325. Абдуллин И. Ш., Желтухин В. С. Математическое моделирование плазмы индукционного диффузного разряда. // Изв. Сиб.отд-ния АН СССР. Сер.техн.наук.- 1985.- Вып. 3, № 16. С. 106109.

326. Romig М. F. Steady state solution of the radiofrequency discharge with flow. // Phys. Fluids. I960.- V. 3,- № 3,- P. 129-133.

327. Абдуллнн И. III., Желтухнн В. С., Матухнов В. М. Исследование распределения концентрации электронов в безэлектродном газовом разряде с продувом газа. // Электрон, обработка материалов. 1985,- № 5.- С. 41-49.

328. Сошников В. И., Трехов Е. С., Хошев И. М. Вихревой разряд при атмосферном давлении с продувом. // Физика газоразрядной плазмы. Вып. 1,- М.: Атомиздат, 1968, с. 83-98.

329. Boulos М. I. Flow and temperature fled in the fire-ball of an inductively coupled plasma. // IEEE Transactions of Plasma Science. V.PS-4.- № l.-P. 28-39.

330. Абдуллин И. III., Гафаров И. Г., Желтухин B.C. Теоретическое исследование ВЧ емкостного разряда низкого давления. // Физика газового разряда. Межвуз. науч. сб.- Казань: Изд. Каз. авиац. ин-та, 1988.- С. 27-31.

331. Абдуллин И. ILL, Желтухин В. С., Матухнов В. И. Теоретические исследования и особенности применения высокочастотного индукционного неравновесного разряда для процессов модификации поверхности. // Физ. и хим. обработки материалов, 1986, № 6.- С. 72-79.

332. Смирнов А. С. Приэлектродные слои в емкостном ВЧ-разряде. // Журн. техн. физ,- 1984.- Т. 54, вып. 1- С. 61-65.

333. Ковалев А. С., Рахимов А. Т., Феоктистов В. А. Высокочастотный несамостоятельный разряд в газах. // Физика плазмы.-1981,- Т. 7, вып. 6,- С. 1411-1418.

334. Велихов Е. П., Ковалев А. С., Рахимов А. Т. Физические явления в газоразрядной плазме. Учеб.руководство.- М.: Наука, 1987.160 е., ил.

335. Райзер 10. II., Шнейдер M. И. Структура приэлектродных слоев высокочастотного разряда и переход между двумя его формами. // Физика плазмы,- 1987.- Т.13, вып. 4,- С. 471-479.

336. Райзер Ю. П., Шнейдер М. Н. Высокочастотный разряд среднего давления между изолированными и оголенными электродами. // Физика, плазмы.- 1988 Т.Н. вып. 2.- С. 220-232.

337. Турин А. А. Ускорение ионов в приэлектродном слое и энергобаланс ВЧ-разряда в магнитном поле. // Тез. докл. III Всесоюз. конф. по физике газового разряда.- Киев, 1986.- С. 92-94.

338. Graves D. В. Fluid models simulations of a 13.56 MHz RF-discharge: Time and space dependence of rate of electron excitation. // J. Appl. Phys. 1987,- V. 62,- № 1,- P. 88-94.

339. Кулик П. П., Рябый В. А., Ермохин И. В. Неидеальная плазмы.-М.: Энергоатомиздат, 1984.- 200 с.

340. В. А. Грз^здев, Р. Е. Ровинский, А. П. Соболев. Приближенное решение задачи о стационарном индуцированном высокочастотном разряде в замкнутом объеме // Журн. прикл. механики и техн. физ,- 1968.- N°. 3.- С. 197-199.

341. Биберман JL Я., Воробьев В. С., Якупов И: Т. Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы.- М.: Наука, 1982.- 376 е., ил.

342. Митчнер М., Кругер .4. Частично-ионизованные газы: Пер. с англ.- М.: Мир, 1976, 496 е., ил.

343. Лупан Ю. А. Об одной возможности уточнения элементарной теории ВЧ разряда в воздухе. // Журн. техн. физики'.- 1976.- Т.46, вып. III.- С. 2321-2326.

344. Брагинский С. И. Явления переноса в плазме. // Вопросы теории плазмы. Вып. 1. / Под ред. М. А. Леонтовича,- М.: Госатомиздат, 1963.- С. 183-272.

345. Саттон Дж., Шерман А. Основы технической магнитной газодинамики : Пер. с англ.- М.: Мир, 1968.- 492 с:.

346. Райзер Ю. П. Основы современной физики газоразрядных процессов.- М.: Наука, 1980.- 416 е., ил.

347. Александров А. Ф., Богданкевнч Л. С., Рухадзе -А. А. Основы электродинамики плазмы / Под ред. А. А. Рухадзе.- М.: Высш. шк. — 1988.- 424 е., ил.

348. Туров Е. А. Материальные уравнения электродинамики,- М.: Наука, 1983.- "130 с.

349. Sanders S. G. Plasma Rate equations for an RF discharge in a magnetic field // J. of Appl. Phys. 1978. Vol.49. № 5. P. 2698 -269Г).

350. Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазмеппая обработка материалов.- М.: Радио и связь, 1986.- 232 е., ил. '

351. Зельдович Я. Б., Райзер Ю. П. Физика ударных волн и высокотемпературных гидродинамических явлений.- М.: Наука. 1-966.102 с.

352. R. W. McCormarck. The Effrct of viscosity in Hypervelocity Impact Cratering. // AIAA Paper. 1969. № 354.

353. Глазунов А. А., Заушный E. Г., Иванов В. Я., Рынков А. Д. Взаимодействие пограничного слоя на выгораемой поверхности с неравновесным двухфазным потоком и осесимметричпом сопле Лаваля. // Прикл. механика и техн. физика. 1977. № 3. с. 53 -62.

354. В. С. Желтухин. Математическое моделирование высокочастотной плазменно-струйной модификации поверхностей твердых тел. // Исследования по прикл. мат. Вып.21. Казань, 1999.

355. Ю. П. Райзер, М. И. Шпейдер, II. А. Яценко. Высокочастотный емкостный разряд: Физика. 'Техника -эксперимента. Приложения.- М.: Изд-мо Моск. фпз.-тсхн. ин-та: Н а\г к а. Ф и з м а т л и т. 19 9 5.

356. Смирнов М. М. Вырождающиеся эллиптические и гиперболические уравнения.- М.: Паука. 1966.- 292 с.

357. Ландау Д., Лифшиц Е. Электродинамика сплошных сред М.: Гостехиздат, 1957 - 532 е., ил.

358. Ладыженская О. А. Краевые задачи математической физики.-М.: Наука, "1973.- 408 с.

359. Ладыженская О. А., Уральцева Н. Н. Линейные и квазилинейные уравнения эллиптического типа,- М.: Наука, "1973.- 426 с.

360. Асланян А. Г., Лидский В. Б. О спектре эллиптического уравнения. // Мат. заметки.- 1970.- Т. 7, № 4, С. 495 502.

361. Патанкар С. Численные методы решения задача теплообмена и динамики жидкости М.: Энергоатомиздат, 1984.- 152 е. ил.

362. Зенкевич О., Морган К. Конечные элементы и аппроксимация. / Пер. с англ. под ред. Н. С. Бахвалова,- М.: Мир, 1986.- 320 е., ил.

363. Митчелл Э., Уэйт Р. Метод конечных элементов для уравнений с частными производными / Пер. с англ. В. Е. Кондрапюва и В. Ф. Курякина под ред. Н. Н. Яненко М.: Мир,. 1981.- 216 е., ил.

364. Желтухин В. С. Численное исследование условий существования индукционного диффузного разряда. / НПО "Мединструмент": Казань, 1987,- 13 с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 25.03.88, № 2327 В88).

365. Самарский А. В. Теория разностных схем.- М.: Наука, 1982.

366. П. Чан, Л. Тэлбот, К. Турян. Электрические зонды в неподвижной ii движущейся плазме. Теория и приложение.- М.: .Мир, 1978.

367. И. Ш. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов. Подготовка поверхностей металлов, диэлектриков и полупроводников к нанесению покрытий с помощью неравновесной ВЧ плазмы пониженного давления.-Препринт,КГТУ,- 2000,- 16 с.

368. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов. Обработка неорганических материалов неравновесной низкотемпературнойплазмой перед нанесением покрытий. Международный научный журнал "Перспективные материалы" № 3. 2000 - 88 - 94 с.

369. Н. Ф. Кашапов. Изменение структуры и состава поверхности сталей и титановых сплавов после воздействия низкотемпературной плазмы пониженного давления. Рук. Депон. в ОНТИ УНИИ В И -НИТИ, № 973-В00, К РТУ, Казань, 2000 г.

370. Н. Ф. Кашагюв. Свойства неорганических материалов, обработанных низкотемпературной плазмой перед нанесением покрытий. Рук. Депон. в ОНТИ УНИЦ ВИНИТИ, № 974-В00, КГТУ, Казань, 2000 г.

371. Н. Ф. Кашапов. Плазменная обработка деталей машин и аппаратов текстильной и легкой промышленности. Тезисы докладов научной сессии КГТУ .-Казань.: 2000.- 202-с.

372. Н. Ф. Кашапов, Г. С. Лучкин. Технология напыления высокоот-ражающих покрытий на изделие из АБС-пластика, б-я Международная конференция "Пленки и покрытия 2001" ,3-5 апреля 2001, С.-П., Россия, с. 151.

373. Исследование макропараметров поверхности титана после воздействия частично-ионизованным газом / И. Ш. Абдуллин, И. Г. Хусаинов, И, Г. Даутов, И. Г. Гиматдинов; НПО "Мединт-срумент", 1987.- 11 с. Деп. в ВИНИТИ 28.08.87, №6349-В87.

374. Абдуллин И. Ш. Влияние плазменной обработки на остаточные макронапряжения и концентрацию газов в титане // Тез. докл. II Республ. коиф. Набережн. Челны, 1987.- С. 3.

375. Абдуллин И. Ш., Даутов И. Г. ИДР в процессах обработки поверхностей металлических изделий // Физика и химия обраб. материалов. 1985. №4. С. 55 56.

376. Абдуллин И. Ш., Даутов И. Г. Высокочастотный индукционный разряд низкого давления в процессах обработки поверхностейтвердых тел // Тез. докл. IV Всесоюз. сов. "Плазмен. процессы в металлургии и технол. неорган, материалов". М., 1983. С. 31.

377. Использование ВЧИ плазмы низкого давления для получения покрытий / И. Ш. Абдуллин, Г. Ю. Даутов, С. Н. Шарифуллии и др. // Тез. докл. II Всесоюз. сов. по плазмохимии.- М., 1977. Т.1. С. 137 140.

378. Обработка тонких алюминиевых высокочастотной индукционной плазмой / И. Ш. Абдуллин, Д. А. Вдовин, С. Н. Шарифуллии,

379. B. Д. Щербаков // Физика и химия обраб. материалов. 1979. №4.1. C. 74 77.

380. Абдуллин И. Ш., Сальянов Ф. А., Аубакиров Р. Г. Теоретические и экспериментальные исследования индукционного диффузного разряда в процессах обработки поверхностей / Казан, авиац. инт. Казань, 1983.- 51 е.- Деп. в ВИНИТИ 17.08.82, №4558-82.

381. Обработка металлических поверхностей потоком индукционной плазмы / И. Ш. Абдуллин, С. Н. Шарифуллии, В. Д. Щербаков, Д. А. Вдовин // Иизкотемператур. плазма: Межвуз. сб. Казань: КАИ, 1979. С. 55 58.

382. Исследование изменения свойств поверхности титанового сплава под воздействием плазмы индукционного диффузного разряда / И. III. Абдуллин, С. II. Шарифуллии, А. Р. Замалеев и др. // Иизкотемператур. плазма: Межвуз. сб. Казань: КАИ, 1981. С. 18 22.

383. Абдуллин И. Ш., Гафаров И. Г. Экспериментальное исследование параметров ВЧ-емкостного разряда. // Тез.докл.- VII Всесоюз. конф. по физике'иизкотемператур. плазмы. Ташкент, 1987.- С. 170-171.

384. Гриневич В. И., Максимов А. И. Травление полимеров в низкотемпературной плазме / Применение низкотемпературной плазмы в химии,- М.: 1981,- С. 135-168.

385. Василец В. Н., Тихомиров JI. А., Поиамарев A.Ii. Исследование действия плазмы стационарного ВЧ разряда низкого давления на поверхность полиэтилена. // Химия высоких энергий.- 1981.-Т.15.- № 1.- С. 77-81.

386. Hudis М. Surface Crosslinking of Polyethelene Using Hydrogen Glow Discharge. // J. Appl. Polym. Sci.- 1972,- V. 16.- P. 2397-2415.

387. Hudis M, Prescott L. E. Surface Crosslinking of Polyethelene Produced by Ultraviolet radiation from Hydrogen Glow Discharge. // J. Polym. Sci.- 1972.- V.B10 № 1- P. 183.

388. Абрамов P. X., Багиров M. А, Газарян Ю. H., Малин В. П. О перекисном механизме ионизационного окисления полиэстирола, // Высокомолекулярные соединения.- 1969.- № 6.- С. 209.

389. Багиров М. А., Малин В. П., Абасов С. А. Воздействие электрических разрядов на полимерные диэлектрики.- Баку: Знание. 1975,- 167 с.

390. Signer Р. Н., Semicond. Int. V15, N3, р. 36 39 (1992).

391. Абдуллин И. III., Гафаров И. Г., Марин К. Г. В кн. "Г1лазмохимия-91" т.И, издат. ИНХС АН СССР, М., 1991, с. 304 -317.

392. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок. Проблемы аналитической химии. Т. IV / Под ред. И. П. Алима-рина, Б. Д. Луфт- М.: Наука, 1977,- 280 с.

393. Мессбауэровская спектроскопия: Пер. с англ. / Под ред. У. Гонзера.- М.: Мир, 1984,- 242. с.

394. Луфт Б. Д., Карпель Н. Г. Аналитический контроль в технологии полупроводниковых эпитаксиальиых структур. // Завод, лаборатория,- 1979.- № 12.- С. 1068-1095.

395. Резвый Р. Р., Финарев М. С. Эллипсометрические методы исследования и контроля в полупроводниковой микроэлектронике. / ЦНИИ Электроника. // Обзоры по электрон, техн. Вып. 7. Сер. 2,- М.: 1977, 41 с.

396. Mitsuijuki О., Такао О., Shigeru О. М., Hidejiro Н. The effect of substrate preparations on the surface morphologies of the epitaxial lowers of Ga As. // J. Electrochem. Soc.- 1977.- P. 1907-1912.

397. Александров Л. Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых плёнок.- Новосибирск: Наука, 1978.- 271 с.

398. Моррисон С./ Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 487 с.

399. Ионная имплантация / Под ред. Хирвонена Дж.К. : Пер. с.англ.-М.: Металлургия, 1985,- 392 с.

400. Vella-Colciro J. P., Wolfe R., Blanke S. K., Caruso R., Nelson T. J., Rana V. V. S. // J. Appl. Phys.- 1981.- V. 51.- P. 2355.

401. Технология тонких пленок. Справочник, Т.2. / Под ред. Л. Майс-села, Р. Гленга,- М.: Сов.радио,- 768 с.

402. Зимон А. Д. Адгезия пленок и покрытий.- М.: Химия, 1977.- 352 с.

403. Миркин Л. И. Рентгеноструктурный контроль машиностроительных материалов. Справочник,- М.: Машиностроение, 1979.134 с.

404. Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов. Синтез несимметричных зеркал.Тезисы докладов международного научно-технического семинара "Новые технологии -96".- Казань.: июнь 1996.- 172 с.

405. I. Sh. Abdullin, V. S. Zheltoukhin, N. F. Kashapov. Application of low pressure RF plasma for deposition of Si02 thin films. International Conference on Phenomena in Ionized Gases.-Warsaw, Poland, July 11-16, 1999.- 16 p.

406. Н. Ф. Кашапов, Р. Т. Галяутдинов. Применение газового разряда для синтезирования широкополосных металлодиэлектрических покрытий.Тезисы докладов X конференции по физике газового разряда. Педуниверситет-70.-Рязань.:- 2000.- 189 с.

407. И. III. Абдуллин, Н. Ф. Кашапов, В. В. Кудинов: Особенности получения тонкопленочных диэлектрических покрытий на внутренних поверхностях трубчатых изделий. "Физика и химия обработки материалов", 3.- 2000.- 35 38 с.

408. И. III. Абдуллин , P. Т. Галяутдинов, И. Ф. Кашапов. Синтез тонкослойных покрытий с регулируемой высокочастотной диэлектрической проницаемостью.-Москва.: Вестник МАИ.- 2000.

409. И. Ш. Абдуллин , Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов. Синтез тонких пленок с регулируемым поглощением методом струйного ВЧИ плазмотрона. Инженерно-физический журнал. 6.- 2000.

410. Р. Т. Галяутдинов, И. Ф. Кашапов. Исследование функциональных характеристик металлодиэлектрических покрытий. Тезисы докладов научной сессии КГТУ.-Казань.: 2000.- 24 с.

411. Modificatication of Fur using low-pressure EF plasma.- International Conference on Electronic Materials & European Materials Research Sosicty Spring Meeting, StrasbiH.urg (France) May 30 June 2. 2000. P87 / A-25.

412. Абдуллин И. III. Кашапов И. Ф. Интеграция образования и производства. Профессиональные кадры легкой промышленности, КГТУ, 2001, с. 9.

413. Хевенс О. С. Измерение оптических констант тонких пленок.- В кн.: физика тонких пленок.- М.: Мир, 1967, т.2.- С. 136 185.

414. Валеев А. С. Определение оптических постоянных тонких сла-бопоглощающих слоев // Опт. и спектр,- 1963.- Т.15.- Вып.4.-С. 500 511.

415. Крылова Т. П. Интерференционные покрытия.- Д.: Машиностроение, 1973,- 222 с.

416. Гисин М. А., Конюхов Г. П., Несмелов Е. А. // Опт. и спектр.-1964,-Т.16.-Вып.1,-С. 151 152.

417. Лященко С. П., Милославский В. К. Простой метод определения толщин и оптических постоянных полупроводниковых и диэлектрических слоев // Опт. и спектр,- 1964.- Т. 16.- Вып.1-С. 151 152.

418. Bondar Е. A., Kulyupin Yu. A., Popovich N. N. The inverse problem of the phenomenological theory of the optial properties of thin films и Tin solid films.- 1978.- Vol.55.- P. 201 209.

419. Абелес Ф. Оптические, свойства металлических пленок.- В кн.: Физика тонких пленок М.: Мир, 1973, т.6.- С. 171 - 227.506. ОСТЗ-1901-85

420. Несмелов Е. А., Никитин А. С., Гусев А. Г., Иванов О. Н. Измерение энергии адгезии тонких пленок // ОМП.-. 1982.- № 10-С. 34 37.

421. Иванов Б. Н. и др. Прибор для определения адгезии оптических покрытий методом царапин // ОМП.— 1988.— № 2.

422. Муранова Г. А. Исследование микропористости тонких пленок и ее влияние на оптические характеристики одиночных слоев и многослойных систем: Автореф. дис. канд. тех. наук.- Д., 1975.22 с.

423. Несмелов Е. А., Гусев А. Г., Иванов О. И., Валидов Р. М. Коэффициенты линейного расширения пленок // ОМП.- 1986.- № 9.-С. 50 52.

424. Leger М., Bastien R. S. Intrinsic and thermal stress modeling for thin-film multilayers // US Dep. Commer., Nat. Bur. Stand. Spec. Publ.- 1977,- № 509. P. 230 243.

425. Гиньк А. Рентгенография кристаллов.- M.: ГИФНЛ, 1961.- 604 с.

426. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1979.-Т.1.- 400 с.

427. Куликов Н. С. Термическая диссоциация соединений.- М.: Металлургия, 1969.- 570 с.

428. Abdullin I. Sh., Zheltoukhin V. S., Kashapov N. F. Deposition of SiO 2 thin films using low pressure RF plasma.// ISPC 14. Edited by M.Hrabovsky, M.Konrad and V.Kopesky. Praga 1999. V. 3. P. 1339 -1343.

429. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: ВО «Наука», 1993. - 280 с.

430. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. - 720 с.

431. Бернинг П.Х. Теория и методы расчета оптических свойств тонких пленок. В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1967, т.1, с.91-151.

432. Золотарев В.М., Морозов В.Н., Смирнова Е.В. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник Д.: Химия, 1984 - 216 с.

433. Гришина Н.В. Синтез широкополосных металлодиэлектрических покрытий//Опт. и спектр.1992. Т.72. Вып.4. С.1033-1038.

434. Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф. Применение газового разряда для синтезирования широкополосных металлодиэлектрических покрытий. В сб.: Тезисы докладов X конференции по физике газового разряда. Рязань: Педуниверситет - 70, 2000, с. 189-191.

435. Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов. Неотражающий нейтральный оптический фильтр. Свидетельство на полезную модель, Роспатент № 2000129440/20 (031542) МПК 7602В5/52.

436. Физика тонких пленок. /Под общ. ред. Г. И. Хасса, Р. Э. Туна, т. I-V, Мир, 1967-72.

437. В. В. Слуцкая. Тонкие пленки в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1967.

438. В. И. Минаков, М. 3. Коган. Производство тонкопленочных микросхем. Л.: Энергия, 1973.

439. И. Е. Ефимов, Г. А. Блинов, И. Н. Волежин. Методы изготовления и электролфизические характеристики ТПК. /Электронная техника, серия 6 Микроэлектроника, 1968, вып.2'.

440. Н. К. Иванов-Есипович. Технология микросхем. М.: Высшая школа, 1972.

441. В. А. Зарембо, В. Ф. Зорин, Г. А. Блинов. Некоторые вопросы развития технологии изготовления гибридных микросхем на тонких пленках. Электронная техника, серния 6 Микроэлектроника, 1968, вып.2.

442. Пленочная микроэлектроника. /Под ред. Л. Холланда. М.: Мир.1 А Л П1уоо.

443. В. С. Сергеев, И. Н. Важенин. Интегральные гибридные микросхемы. М.: Сов. радио, 1973.

444. А. В. Павлов. Структурные превращения в d переходных металлах при ионной бомбардировке. /Диссертация. Горьк. гос. унт. Горький, 1975.

445. Л. С. Палатник, М. Я Фукс, Б. Т. Бойко и др. Влияние отжига на характеристики блочной структуры вакуумных конденсатов А1 и Sn. /Кристаллография, том 12, вып.5, 1967.

446. Материалы II Всесоюзной конференции по ваккумной микроэлектронике. ЦНИИ "Электроника", М., 1973.

447. Р. П. Мадден. Изготовление и исследование отражающих покрытий для вакуумного ультрафиолетового излучения. /В кн.: "Физика тонких пленок." М.: Мир, 1967, т.1, с.152.

448. К. А. Кейгебауэр. Явления структурного разупорядочения в тонких металлических пленках. /В кн.: "Физика тонких пленок." М.: Мир, 1967, т.2, с.13.

449. И. Ш. Абдуллин и др. Обработка металлических поверхностей потоком индукционной плазмы. /В кн.: "Основные направления развития и применения низкотемпературной плазмы в машиностроении и металлообработке." Казань, 1979, с.100.

450. Г. Ю. Даутов и др. Нанесение тонких пленок высокочастотной индукционной плазмой низкого давления. Физико-химическая обработка материалов. 1978, № 6, с. 42 48.

451. Б. Г. Грибов, Г. А. Домрачев, Б. В. Жук, Б. С. Каверин,'Б. И. Ко-зыркин, В. В. Мельников, О. Н. Суворова. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М.: Наука, 1981, 322 с.

452. М. Yamada, J. Tamano, К. Yoneda, S. Morita, S. Hattori. Electron beam vacuum lithography using a plasma co-copolymerezed MMA -TMT resist. //Jap. J. Appl. Phys. 1982, v.21, N5, part 1, P. 768 -771.

453. M. Hon, J. Tamano, K. Yoneda, S. Morita. Effect of Sn in plasma copolymerized methylmethacrilate and tetramethyltin (MMA

454. TMT) resist on plasma development far x-ray irraduation. //J. Vac. Sci. and Technol. 1986, B.4, N2, p. 500 504.

455. Б. Г. Грибов, В. П. Румянцева, Н. Н. Травкин, А. С. Пашин-кин, Б. И. Козыркин, Б. А. Саламатин. Исследование металлических пленок, полученных пиролизом 7Г комплексов хрома и молибдена в газовой фазе. //Докл. АН СССР, 1970, Т.194, № 3, с. 580 - 582.

456. Г. А. Разуваев, Б. Г. Грибов, Г. А. Домрачев, Б. А. Саламатин. Металлоорганические соединения в электронике. М.: Наука, 1972, 479 с.

457. Ю. Б. Зверев. Получение бис-этилбензолхрома особой чистоты. В сб.: Гидриды, галиды и металлоорганические соединения особой чистоты. М.: Наука, 1976, с. 123 133.

458. Н. М. Шахверди, А. Н. Сидоренко, Г. А. Миклина, А. С. Сет-пош-кин, А. А. Туманов. Химический анализ сточных вод производства хромовых резисторов. //Химия элементоорган. соединений, 1976, Вып.4(48), с. 102 104.

459. Grzegorz Р. Т., Ui'bsnczyk G. W., Lipp-Symonwicz В. Н., Kowylska S. Т. Eiflub von Neidertemperatur Plasma auf Fin Sturturi a r i i i . т->л!„ // i k

460. Una ЛЛ11аГ01аГКе11 VOll JTOl.yeibl.eild.btail. jj lviwnanu. х^л-оши^.1983.- V.64 № 11- S! 838-840.

461. Авгонов А. А., Кузнецова A. M., Захарчук А. П. Влияние низкотемпературной плазмы на качество хлопкового волокна. // Тез.докл. XI Всесоюз. науч. конф. по текстильному материаловеде. тлг . тлоо пп -1 г* л а л чнию. jrvHeii, хуоо.— х.х.— хи—х/.

462. Wakida Т., Паи 1., Goto Т., Takagiahi Т. Changes in Bull Property of Polyethelene-rephtalate Treated with Low Temperature Plasma.t / — T7>,.„---- 1 QQC \T 1 "Ma О D 1 QQ 19Й/ vjriicxxi. UApicaa.- хсЮи.— v .x.— л: ь.— ± . ±ии—хби

463. Ingals L В., Wo И L.M. ESR Spectra of Free Radical Intermediates Formed by Reaction of Polyestyrene with Atoms of Hydrogen and Deuterium. // J. Ghem. Phys.- 1971.- № 35.- S. 370-371.

464. Василец В. H., Тихомиров JI. А., Понамарев А. Н-Исследование действия плазмы ВЧ разряда на поверхность полиэтилена. // Химия высоких энергий.- 1975.- № 5.- С. 442-447.

465. Абдуллин И. ILL, Абуталипова Л. Н., Махоткина Л. 10. Влияние низкотемпературной неравновесной плазмы на водостойкость кожевенного полуфабриката. // Текстильная химия.- 1997.- № 2-С. 48-50.

466. Yasuda Н. Plasma for modification of polymers. // Macromol. Sci. Chein.- 1976.- V.10.- № 3,- P. 383-420.

467. Багиров M. А., Волченков Г. Я. О роли газообразных продуктов разряда при ионозационном старении полиэтиленовой пленки. // Высокомолекулярные соединения.- 1970.- № 12.- С. 853.

468. Багиров М. А., Керимов Л. К., Гезалов X. Б. Применение метода ЭПР для изучения старения диэлектриков. // Высокомолекулярные соединения 1977,- Б19 - № 10.- С. 746-747.

469. Wakida Т., Takeda К., Tanaka I., Takagiahi T. Free Radicals in Cellulose Fibers Treated with Low Temperature Plasma. // Text. Res. J.- 1989.- V.59.- № 1- P. 49-53.

470. Wakida Т., Takeda K., Kawamura H., Tanaka I., Takagiahi T. ESR Spectra of Fibers Treated with Low Temperature Plasma. // Chem. Express.- 1987.- V.2.- № 11- P. 711-714.

471. Semionescu С. I., Makoveanu M., Olaru N. Grafting of Polymers under Condition of Radiofrequency Cold Plasma. // Cellulose Chem. Teclmol.- 1976.- V.10.- P. 197-207.

472. Стефанович H. H., Радугин В. А., Виленский А. И., Владыкина Т. Н., Кротова Н. А. Исследование влияния тлеющего разряда на поверхность политетрафторэтилена методом ЭПР. // Докл. АН ССР.- 1971- № 7.- С. 398-401.

473. Clars D. Т., Dilks A. ESCA Applied to polymers. XXIII. R.F. Glow Discharge Modification of Polymers in Pure Oxygen and Ilelium-Oxyclen Mixture. // J. Polym. Sci.: Polym, Chem. Ed.- 1979 -V.17 № 4 - P. 957-976.

474. Митченко Ю. И., Фенин В. А., Чеголя А. С. Структурно-химические превращения полимеров, подвергнутых действию газового разряда. // Высокомолекулярные соединения.- 1989.— Т.31- № 2,- С. 16-17.

475. Садова С. Ф. Исследование механизма воздействия низкотемпературной плазмы на шерстяное волокно. // Перспективы применения плазмен. технол. в текст, и легкой промышл.: Тез. докл. Всесоюз. семин.- Иваново, 1989.- С. 85-87.

476. Акулова М. В., Блиничева И. Б., Мельников А. И. Влияние тлеющего разряда на структуру полиэфирных нитей. // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология.- 1981.- № 9.- С. 85-87.

477. Ganca L., Malcik P., Petrovsky J. Textile Polymers Treated by RF and Silint Discharge Plasma. // Folia.- 1978.- V.19.- № 1.- P. 6574.

478. Головтеева А. А., Куциди Д. А., Санкин JI. Б. Лабораторный практикум по химии и технологии кожи и меха.-М.:Легпромбытиздат, 1987.- 283 с.

479. Геиас С. И. Декоративная обработка изделий из пластмасс,- Л.: Химия, 1978.- 120 с.1. ГПГ:- • v ■