Разработка комплекса приборов и методов для исследований оптических проявлений гетерофазных состояний в кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

Министерство общего и профессионального образования РФ КРАСНОЯРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ

На правах рукописи

МАРКОВА Ольга Юрьевна

РАЗРАБОТКА КОМПЛЕКСА ПРИБОРОВ И МЕТОДОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ ОПТИЧЕСКИХ ПРОЯВЛЕНИЙ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СОСТОЯНИЙ В КРИСТАЛЛАХ

01.04.01. - техника физического эксперимента, физика приборов автоматизация физических исследований.

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико - математических наук

КРАСНОЯРСК-1997 г.

Работа выполнена на кафедре физики Красноярской. государственной технологической академии.

Научный руководитель:' доктор сриоико - математических наук,

поодаесоор гСУБАРЕБ Юоий Гьигоиьевич

Официальные оппоненты: доктор физико - математических наук.

ЗЕЕР Эвзльд Петрович

кандидат физико - математических наук, дсценл СОРОКИН А^гсопий Вэсипьеви'-'

Ведущая организация-

Красноярский государственный технический университет

Защита состоится

1997

г. в )0 час

часов на заседании

диссертационного Совета ' К 063.63.04 Красноярской -осударстванной технологической академии по адресу: 66049, г. Красноярск, пр. Мира. 82.

С диссертацией можно ознакомиться з библиотеке Красноярской государственной технологической академии.

Автореферат разослан

Ученый секретарь диссертационного Совета, доктор физ. - мат. наук

1997 г.

Ю.Глухарев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы. Оптические свойства сегнетоэлеетриков и их изменения за счет внешних воздействий - температуры, давления, электрических и механических полей, радиации и введение примесей, а также влияние дефектности - интенсивно изучаются на протяжении последних лет. Эти исследования открывают широкие перспективы в двух направлениях. Одно из них связано с поиском эффективных сегнетоматериапов для систем управления параметрами лазерного излучения, устройств обработки и хранения информации и других приложений. При поиске новых материалов решающее значение приобретают экспериментальные исследования, направленные- на выяснение природы и механизмов аномалий различных оптических эффектов.

Второе направление связано с изучением оптических свойств и их изменений в окрестностях сегнетоэлектрических фазовых переходов [1]. Оптические исследования здесь, благодаря высокой чувствительности, точности и ряду других достоинств, дают возможность проверить и оценить границы применимости разработанных теорий. Однако, учитывая, что температурный интервал реализации фазового перехода очень мал, возникает необходимость усовершенствования отдельных частей экспериментальных оптических установок.

С другой стороны, проявляющиеся в области фазовых переходов аномалии оптических свойств тесно связаны с дефектностью реального кристалла, что имеет самостоятельный научный интерес. Для исследований аномалий оптических свойств требуется комплекс методов, позволяющих всесторонне проанализировать природу и механизм фазовых переходов в реальных кристаллах.

Целью работы является разработка комплекса приборов и методов для поиска и поляризационно-оптических исследований гетерофазных состояний в окрестности сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле трихлорида цезия-свинца (СбРЬСЬ), изучение малоуглового рассеяния в предпереходных температурных областях, а также влияние полевых зависимостей на эволюцию гетерофазных состояний._

[1] Александров К.С. Фазовые переходы. Модельные теории фазовых переходов. II Красноярск.-1979.- 226 с.

Основные задачи исследования состояли в следующем:

1. Создание и автоматизация отдельных блоков и элементов универсальной установки для наблюдения, поляризационно - оптического исследования поведения оптических характеристик гетерофазных состояний в кристаллах.

2. Методы обнаружения и визуализации возникающих при сегнетоэлекгрическом фазовом переходе гетерофазных состояний в трихлориде цезия-свинца.

3. Экспериментальные поляризационно - оптические исследования аномалий оптических свойств в предпереходной области при кубическо - тетрагональном фазовом переходе в кристалле СэРЬСЬ.

4. Анализ температурных и угловых зависимостей интенсивности малоуглового рассеяния света в предпереходной области.

5. Экспериментальное исследование полевых зависимостей оптических характеристик гетерофазных состояний.

Научная новизна. Впервые обнаружено существование гетерофазных состояний в предпереходной области сегнетоэлекгрического фазового перехода в сегнетоэластике СбРЬОз. Гетерофазные состояния реализуются в виде крупномасштабных структур с определенной ориентацией. Определена температурная область существования крупномасштабной структуры, а также ее кристаллографическое расположение, периодичность и размер. Получены оригинальные температурные зависимости светопропускания и двупреломления в предпереходной области. Впервые исследованы полевые зависимости оптических характеристик гетерофазных состояний в кристалле СэРЬС1з. Проведен анализ температурной и угловой зависимости интенсивности малоуглового рассеяния света на возникающей вблизи кубическо - тетрагонального фазового перехода крупномасштабной структуры в кристалле трихлорида цезия - свинца.

Предложена автоматизированная установка для визуализации, исследования температурной эволюции крупномасштабной структуры, а также для исследования температурных зависимостей оптических характеристик гетерофазных состояний в предпереходной области. Эта установка позволяет также исследовать полевые зависимости оптических характеристик гетерофазных состояний с помощью специально разработанной термостатируемой камеры. В оригинальной

автоматизированной установке по исследованию интенсивности малоуглового рассеяния предложены отдельные элементы и узлы, позволяющие повысить точность и качество исследований.

Практическая ценность работы.

Полученные экспериментальные и теоретические результаты позволяют:

- установить механизм фазового перехода реального кристалла, содержащего различного рода дефекты, внутренние напряжения при различных внутренних внешних воздействиях;

- рассмотреть термодинамическую теорию фазовых переходов Ландау с позиций реального (дефектного) кристалла;

- использовать данные результаты для неразрушающих методов качественного и количественного контроля различного рода примесей, внутренних напряжений в реальных оптически прозрачных материалах;

- расширить возможности использования исследованных свойств кристалла собственного сегнетоэластика для хранения информации в разработках по созданию оптического компьютера нового поколения.

Защищаемые положения.

1. Усовершенствование и автоматизация отдельных блоков универсальной установки для визуализации и исследования гетерофазных состояний в узкой температурной предпереходной области в различных прозрачных кристаллах.

2. Элементы и узлы автоматизированной установки для исследований малоуглового рассеяния света.

3. Методы обнаружения крупномасштабной структуры в области кубическо -тетрагонального фазового перехода в кристалле С5РЬС13.

4. Экспериментальные исследования температурных, полевых зависимостей оптических свойств крупномасштабной структуры в кристалле СбРЬС1з.

5. Обнаружений аномальных температурных и угловых зависимостей интенсивности малоуглового рассеяния света в кристалле СэРЬСЬ.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 3-х научно- практических конференциях Красноярской государственной

технологической академии ( Красноярск, 1991, 1993, 1994), XIII Всесоюзной конференции по химической термодинамике и калориметрии ( Красноярск, 1991), XIII Международной конференции по физике сегнетоэлектриков ( Тверь, 1992), II Международной конференции "Реальные структуры и свойства ацентричных кристаллов" (Александров, 1995).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 5 работ.

Объем и структура работы.

Диссертационная работа изложена на 117 страницах машинописного текста, иллюстрируется 25 рисунками, содержит 3 таблицы и состоит из введения, трех глав, основных выводов, заключения и библиографии -109 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении содержится обоснование выбранного направления исследований и определены задачи и цели работы. Изложена научная новизна работы и сформулированы положения, выносимые на защиту.

Первая глава представляет собой литературный обзор. В ней обсуждаются ранее полученные результаты исследований различных характеристик кристалла собственного сегнетоэластика трихлорида цезия-свинца СвРЬС1з, его структурные особенности. Особое внимание уделено оптическим исследованиям. Приведены результаты проводимых ранее оптических исследований, на основании которых делается вывод о существенном отличии кристалла трихлорида цезия - свинца среди родственных ему кристаллов со структурой перовскита. Обращается внимание на аппаратуру исследования, а также различные методики эксперимента. Поскольку, по литературным данным, трихлорид цезия-свинца выделяется по своим параметрам среди родственных сегнетоэластиков типа перовскита перед нами стояла задача наиболее прецезионного исследования предпереходной области при кубическо - тетрагональном фазовом переходе в этом кристалле с целью обнаружения новых предпереходных явлений.

В первой главе также приведен обзор работ, которые содержат подробные сведения о наблюдении крупномасштабных структур в других соединениях.

Проанализированы свойства крупномасштабных структур: их форма, размер, температурный интервал существования и др., а также приведены различные точки зрения на природу возникающих структур. Рассмотрены теоретические модели и механизмы образования крупномасштабных структур в предпереходной области различных кристаллов, а также сформулированы основные условия появления гетерофазных состояний. Одно из объяснений возникновения гетерофазных состояний в виде крупномасштабных структур связывается с появлением на дефектах случайного поля локальной температуры перехода [2]. Приведенные этой теорией оценки размера и формы возникающих структур в пределах ошибок коррелируют с экспериментальными данными.

Вторая глава посвящена анализу существующих оптических методов исследования и обоснование выбора методов исследования возникающих гетерофазных состояний в предпереходной области в различных прозрачных кристаллах. Описываются авторские оригинальные решения отдельных блоков и элементов экспериментальных установок.

При исследовании гетерофазных состояний в предпереходной области из-за макромасштабности возникающих структур достаточно информативными оказываются традиционные оптические методы, основанные на регистрации неоднородностей показателя преломления и оптической анизотропии. Использование поляризационно - оптических методов исследования позволило не только визуализовать гетерофазные состояния, возникающие в предпереходной температурной области, но и обнаружить аномальное поведение таких характеристик как двулучепреломление и светопропускание.

Блок - схема разработанной автором универсальной установки, позволяющей одновременно визуально наблюдать, фотографировать и проводить измерения температурной зависимости светопропускания возникающих крупномасштабных структур представлена на рисунке 1.

Температурный интервал существования гетерофазных состояний невелик и составляет 0,5 - 4 градуса. Поэтому возникла необходимость увеличить масштаб записи температуры на двухкоординатном самописце. Эта задача была решена с помощью электронного блока тонкой регулировки температуры.

[2] Корженевский А.Л. /IФТТ,-1987,- Т.20, в.9,- С.2754-2757.

■<—

Самописец ЭБТРТ БУТ

Светозащитный экран

Рис. 1. Структурная схема установки для измерения температурной зависимости светопропускания.

ИС - источник света; ОБ - объектив; П - поляризатор; ТК - термостатируемая камера с образцом; А - анализатор; ОК - окуляр; ФЭУ - фотоэлемент; В7-37 -цифровой вольтметр; БУТ - блок управления температурой; ЭБТРТ - электронный блок тонкой регулировки температуры, ФП - фотопленка, О - объектив,

3.1-

полупрозрачное

зеркало,

3.2-

зеркало.

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

Рис.2. Три режима работы электронного блока тонкой регулировки температуры ( ЭБТРТ): I - увеличение чувствительности к изменению температуры в 220 раз; II - в 560 раз; III - в 2020 раз.

На рисунке 2 представлены характеристики использованного электронного блока. Как видно из рисунка, такой блок может работать в трех режимах, позволяя увеличить чувствительность экспериментальной установки к изменению-температуры в 220, 560 и 2020 раз. Электронный блок тонкой регулировки температуры позволил увеличить масштаб записи температуры на двухкоординатном самописце до 0,1 К • ей1, что сыграло существенную роль в обнаружении аномальных зависимостей светопропускания.

Измерения температурной зависимости двулучепреломления производились двумя методами: компенсаторами Берека и Сенармона. Блок - схема установки, сконструированной автором на основе поляризационно - оптического метода, изображена на рисунке 3.

Рис.3. Блок - схема установки для измерения температурных и полевых зависимостей дву преломления:—

ЛГН - гелий-неоновый лазер, ТК - термостатируемая камера, 3 - полупрозрачное зеркало, М - ячейка Фарадея, ИВЭП - источник внешнего электрического поля, А -анализатор, ФЭУ - фотоприемник, СУ - селективный усилитель, ЭОосциллограф, СД - синхронный детектор, ЗГ - звуковой генератор, ФП - фотопленка, О - объектив, САРТ - схема автоматизированной регулировки температуры, ИП - источник питания.

Точность измерения разности хода обыкновенного и необыкновенного лучей методом Сенармона составила ^ 1 нм, методом Берека нм. С помощью этой установки измерялись также полевые зависимости двупреломления методом Сенармона. Для этого автором была сконструирована специальная термостатируемая камера, позволяющая проводить исследования эволюции гетерофазных состояний под воздействием внешних электрических полей. Стабилизация температуры в камере осуществлялась с помощью схемы автоматического регулирования температуры (САРТ), разработанной автором.

Исследования температурных и угловых зависимостей интенсивности малоуглового рассеяния света [3] в кристалле трихлорида цезия - свинца производились с помощью автоматизированной установки, разработанной и изготовленной совместно с С.Б. Кругляшовым. Установка сконструирована на базе микро-ЭВМ "Турбо-86М" с соответствующими периферийными устройствами и позволяет в течение одного температурного прохода получить значения интенсивности рассеянного света при 252 углах в интервале от -5 до +5 градусов. Результаты измерений записываются на жесткий диск компьютера в виде отдельных файлов, соответствующих каждой температурной точке и служат исходным материалом для дальнейшей обработки. Составлен пакет прикладных программ, с помощью которого обрабатываются результаты измерений.

Третья глава содержит результаты оптических исследований кристаллов трихлорида цезия - свинца.

Использование поляризационно - оптических методов исследования позволило впервые визуализовать возникающие гетерофазные сост'"т,1*1я ПРИ кубическо - тетрагональном фазовом переходе ( Тс - 320 К* » кристалле СэРЬСЬ . Наблюдения проводились в белом свете в инт^~"!в температур 293 - 380 К. Всего было обследовано ~ 40 образцов -»'резанных из монокристалла СэРЬСЬ в виде пластинок (001) с поверхности ~ 15 мм2 и толщиной ~ 500 мкм.

Возникают*»«* гетерофазные состояния удалось наблюдать не во всех образцах.

[3] Гинзбург В.Л., Леванюк А.П., Собянин AA.il УФН.- 1980,- Т.130, в.4,- С.615-

Было установлено, что чем лучше и оптически чище обработаны образцы, т.е. поверхность образца идеально полирована и грани его строго плоскопараллельны, тем возникающая структура визуализуется четче и ярче. Следовательно, напряжение, вносимое при обработке образцов, не влияет на качество образца, а возникающая крупномасштабная структура связана с внутренними дефектами, которые неизменно присутствуют в реальном кристалле.

50МКН |

Рис.4. Температурная эволюция крупномасштабной структуры в кубической

фазе CsPbClj: а) Т - Тс = 1,1 К; б) Т - Тс = 0,6 К; в) Т - Тс = 0,3 К; г) Т = Тс .

Получены фотографии, на которых зафиксирована эволюция крупномасштабной структуры ( KMC) ( рис.4). Исследования производились как при нагревании образца, так и при его охлаждении. Возникновение KMC наблюдалось в обоих режимах. Обнаружено, что KMC визуализуется в области температур Тс +• 0,9 К и представляет собой блоки белых полос, ориентированных вдоль направлений [110] и [110]. Средняя ширина полос ~ Юмкм с расстоянием между ними ~ 40 мкм. С помощью поляризационно - оптических исследований установлено, что

объемы кристалла, которые заняты полосами, имеют тетрагональную симметрию, т.е. KMC являются включениями низкотемпературной фазы ( тетрагональной) в высокосимметричную (кубическую).

На рисунке 5 представлены температурные зависимости светопропускания при различных положениях кристалла (положение погасания и положение пропускания). Прямые исследования светопропускания в скрещенных николях установили, что полная оптическая изотропия (т.е. полное погасание) характерна лишь для области температур Т > 328 К. Вдали от фазового перехода светопропускание мало, практически не меняется с изменением температуры и не зависит от ориентации образца относительно скрещенных николей. При понижении температуры ниже 328 К при диагональном положении кристалла поле зрения утрачивает равномерность потемнения с нарастанием светопропускания. На рисунке хорошо заметна аномалия в температурной зависимости светопропускания при охлаждении образца. Аномальное нарастание светопропускания наблюдается в интервале Тс + 2 К. Таким образом, визуальное появление KMC и аномальное нарастание светопропускания различаются на целый градус, что говорит о более раннем возникновении гетерофазных состояний в предпереходной области.

В положении погасания образца в этом же температурном интервале наблюдается лишь небольшой скачок в непосредственной близости ~ 0,1 К от точки фазового перехода. Предполагается, что это связано со стадией "хаотизации" крупномасштабной структуры. По-видимому, при развале KMC возникает "хаос", т.е.

| | i I i

1 I to If

41 fl и

Г-l..r,

Рис. Б. Температурная зависимость

светопропускния кристалла СэРЬСЬ : .....

а) положение погасания; б) диагональное положение.

внутренняя перестройка кристалла, которая и ведет к переориентации вектора спонтанной поляризации.

Проведены измерения двупреломления в пределах светлой полосы KMC в кубической фазе компенсаторами Берека и Сенармона ( рис.6 ). Как видно из рисунка, по мере приближения к точке фазового перехода двупреломление быстро нарастает, а затем, достигнув максимума, резко падает, что также указывает на существование фазы "хаотизации" KMC. В точке фазового перехода Л п (Т) испытывает резкий скачок до ~ 10"2.

Полученные из данных по светопропусканию и двупреломлению оценки интервала температур сосуществования двух фаз и размеры KMC качественно согласуются с моделью возникновения и эволюции KMC, базирующейся на учете связи упругих деформаций с параметром порядка и представлений о случайном поле локальной температуры фазового перехода.

Рис. 6. Температурная зависимость двупреломления CsPbClj : Х- метод Берека: - метод Сенармона.

При характерных значениях параметров кристаллов со структурными фазовыми переходами r0 ~ 1 нм, L = 496 мкм, у ( х ) к0,09 размер структуры а = [ Го • L» ' ~ 2,5 мкм, a температурный интервал

существования КМС ~ 0,9 К при температурном гистерезисе < Т0 > ~ 4 К. Полученные приближения хорошо согласуются с экспериментальными данными по трихлориду цезия - свинца.

Проведен анализ полученных зависимостей двупреломления и светопропускания, который показал, что поведение среднего размера кластера новой фазы может быть описан степенной функцией следующего вида:

L -v

U

где т - приведенная температура (г = ( Т - Тс ) / Тс ), v - критический индекс, значение которого для CsPbCI3 (v = 0,85 ± 0,05) удовлетворительно согласуется с величиной критического индекса радиуса корреляции v = 0,92 ± 0,05, полученной для трехмерных кубических решеток в теории протекания [4].

Получены результаты малоуглового рассеяния на возникающей в предпереходной области крупномасштабной структуре. Изучается угловая и температурная зависимости интенсивности малоуглового { в пределах 5,5° ) " рассеяния света (MPC) в кристалле CsPbClj ( рис. 7, 8).

По угловым зависимостям интенсивности MPC можно установить, что вдали от точки ФП рассеяние мало, а при Т - Тс= 2К центральный пик рассеяния сужается и видна дифракция на обнаруженных ранее периодических неоднородностях с характерным периодом ~ 30 мкм. Однако, визуализация крупномасштабной структуры становится возможной только при Т - Тс= 0,9 К, когда объем новой фазы охватывает примерно 10 - 15 % образца. Перестройка структуры кристалла начинается задолго до фазового перехода и обнаруживается по угловым зависимостям интенсивности MPC. При Т - Т„ = 0,1 К наблюдается исчезновение дифракции, что связано с возникновением фазы "хаотизации" (развала) структуры. Полученные угловые зависимости MPC в кристалле CsPbCI3 еще раз подтверждают

[4] Шкловский Б.И., Эфрос АЛ.//УФН.-1975,- Т.117, B.3.-C.401-435.

1000

800

v х

X в

ш о в

600

400

Угол рассеяния, град

53'22Г, град С

55,38

Рис. 7. Угловая зависимость интенсивности малоуглового рассеяния света при различных температурах.

что гетерофазные состояния есть включения низкосимметричной фазы в высокосимметричную.

Температурные зависимости интенсивности MPC получены компьютерной обработкой результатов угловых измерений при различных температурах. Интенсивность MPC вдали от точки ФП практически не изменяется, но при Т - Тс » 2 К интенсивность MPC аномально нарастает и достигает максимума при Т - Тс = 0,9 К, т.е. в момент начала визуализации крупномасштабной структуры. В непосредственной близости отточки ФП ~ 0,1 К интенсивность MPC падает, а затем резко возрастает при температуре, соответствующей точке ФП.

Рис. 8. Температурная зависимость интенсивности малоуглового рассеяния света при различных значениях углов рассеяния.

При увеличении угла рассеяния интенсивность MPC на гетерофазной структуре уменьшается. Анализ температурных зависимостей показал, что в отличии от теории протекания наблюдается зависимость интенсивности малоуглового рассеяния света от угла в форме:

I -d

lo

2 71 По в

где q - волновой вектор, зависящий от угла рассеяния ( q =--sin —),

X 2

d - критический индекс. Получено значение этого индекса: d = 0,26 ± 0,02.

Установлено, что приближения теории протекания не выполняются для данного фазового перехода в трихлориде цезия - свинца. Очевидно, механизм

протекания фазовых переходов еще более сложен и нуждается в корректном теоретическом описании.

Исследуется влияние приложенного к кристаллу СбРЬС13 внешнего электрического поля на эволюцию гетерофазных состояний, возникающих вблизи кубическо - тетрагонального фазового перехода (рис. 9).

Т . гр ■ я С

♦ - 0 кВ/см; П. 1 кв/см; 2 кВ/см

Рис. 9. Полевые зависимости двупреломления в кристалле CsPbCI3.

Наряду с другими физическими свойствами в непосредственной близости от точки фазового перехода испытывает значительные аномалии и величина двупреломления. Измерения двупреломления выполнялись с помощью метода Сенармона

Внешнее постоянное электрическое поле прикладывалось к кристаллу вдоль кристаллографического направления [110]. Получены температурные зависимости двупреломления при различных значениях напряженности электрического поля в кристалле CsPbClj - от 700 В/см до 2 кВ/см. Используя температурные

зависимости двупреломления при. различных напряженностях, определен критический индекс диэлектрической восприимчивости:

- I *Т _ I г* С

ип ( I - 1С ь ,

о = 0,1» а: 0,03.

Как и ожидалось, при увеличении величины напряженности электрического поля точка фазового перехода смещается вверх по температуре, а температурный интервал существования гетерофазных состояний увеличивается и приводит к размытию самого фазового перехода. Причем, при увеличении поля уменьшается величина спада двупреломления в непосредственной близости от точки фазового перехода, что по-видимому, связано с уменьшением температурной области существования фазы "хаотизации", т.е. по сути крупномасштабная структура плавно переходит в доменную без скачка двупреломления.

ВЫВОДЫ

Изготовлена универсальная установка для визуализации и исследований температурной эволюции крупномасштабной структуры, а также для измерений температурных и полевых зависимостей оптических характеристик гетерофазных состояний в предпереходной области.

Сконструирована и изготовлена специальная термостатируемая камера, позволяющая вести целый комплекс исследований различными методами.

В оригинальной автоматизированной установке по исследованию интенсивности малоугпового рассеяния предложены отдельные элементы и узлы, позволяющие повысить точность и качество исследований.

Обнаружено : существование гетерофазных состояний в предпереходной области сегнетозлектричёскогс фазового перехода в сегнетоэластике СэРЬСЬ, которые реализуются в виде крупномасштабных структур.

Определена температурная область существования крупномасштабной структуры, а также её кристаллографическое расположение, периодичность и размер. ' •

Получены аномальные температурные зависимости светопропускания и двупреломления в предпереходной области.

Проведен анализ температурной и угловой зависимости интенсивности малоуглового рассеяния света на возникающей вблизи кубическо - тетрагонального фазового перехода крупномасштабной структуры в кристалле тр'ихлорида цезия -свинца.

Исследованы полевые зависимости оптических характеристик гетерофазных состояний в кристалле СэРЬСЬ.

Материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Анистратов А.Т., Кругляшов С.Б., Маркова О.Ю. Визуализация иисущеы иуклцпА кубической и тетрагональной фаз при структурных переходах в ВаТЮз и СвРЬСЬ II Тезисы докладов XIII Всесоюзной конференции по химической термодинамике и калориметрии. Красноярск, 1991. С.321.

2. Анистратов А.Т., Маркова О.Ю., Кубарев Ю.Г. Исследование гетерофазных состояний вблизи сегнетоэластического фазового перехода в СэРЬСЬ II Тезисы докладов XIII Международной конференции по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 1992.Т.2. С.36.

3. Анистратов А.Т., Маркова О.Ю., Кругляшов С.Б., Кубарев Ю.Г. Оптические проявления крупномасштабных структур при кубическо-тетрагональном фазовом переходе в СзРЬС1з. Известия Академии наук, серия физическая. 1993. Т. 57. N2 3. С. 90-93.

4. Маркова О.Ю. Установка для наблюдения полевых зависимостей изменения оптических свойств в гетерофазных состояниях. И Сб. докладов Российской научно-практической конференции "Проблемы химико-лесного комплекса". Красноярск. 1994,-Т.З, В.1.-С.47-51.

5. Маркова О.Ю., Кругляшов С.Б., Кубарев Ю.Г. Полевые зависимости оптических свойств в области кубическо-тетрагонального фазового перехода в СэРЬСи //Тезисы докладов II Международной конференции "Реальные структуры и свойства ацентричных кристаллов". Александров, 1995. С.87.