Роль структурных и электронных неоднородностей в формировании оптических свойств твердых растворов CdS1-x Se x тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Влияние неоднородностей на оптические свойства полупроводников

1.1. Экситоны в полупроводниках

1.2. Зонная структура соединений А2Вб

1.3. Экситоны в приповерхностной области полупроводников

1.4. Особенности реальной кристаллической структуры соединений АгВб

1.5. Строение твердых растворов

1.6. Энергетический спектр твердых растворов

1.7. Оптические свойства твердых растворов 42 ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

ГЛАВА 2. Методика и техника эксперимента

2.1. Установка для регистрации спектров отражения и ФЛ

2.2. Рентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализ

2.3. Микрофотолюминесценция и микрокатод о люминесценция

2.4. Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения

2.5. Образцы

ГЛАВА 3. Приповерхностные локализованные состояния экситонов в спектрах отражения и ФЛ кристаллов

CdSi.* Sqx с малым содержанием Se

3.1. Исследование спектров отражения

3.2. Спектры отражения при разных углах падения света

3.3. Температурные зависимости КЭОС

3.4. Спектры фотолюминесценции

3.5. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции

3.6. Модельный анализ спектров отражения

3.7. Обсуждение результатов 85 Выводы

ГЛАВА 4. Проявление структурной неупорядоченности в экситонных спектрах Cd Si-xSev

4.1. Рентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализ

4.2. Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения

4.3. Спектры отражения

4.4. Спектры фотолюминесценции

4.5. Температурная зависимость спектров ФЛ

4.6. Микрофотолюминесценция

4.7. Микрокатодолюминесценция

Изучение роли структурных и электронных неоднородностей в формировании оптических свойств технически перспективных полупроводниковых материалов таких, как твердые растворы (TP) на базе соединений АгВб, представляет собой весьма актуальную фундаментальную проблему физики твердого тела и, в частности, физики приповерхностной области (ППО) кристаллов. Решение этой проблемы имеет также первостепенное прикладное значение для многих направлений современной лазерной техники, а также опто- и микроэлектроники, овладевающей методами изготовления таких приборов и функциональных устройств, на эффективность работы которых могут оказывать влияние структурная неупорядоченность и квантово-размерные эффекты.

Вместе с тем совокупность теоретических представлений и экспериментальных данных, имеющихся в настоящее время, отражая сложный характер влияния неоднородностей различных типов на оптические свойства кристаллов TP, не позволяет во многих случаях построить законченную модель явлений и процессов, наблюдающихся в этих кристаллах. Поэтому представляет несомненный интерес дальнейшее углубленное изучение кристаллического строения, оптических и электронных свойств TP даже в случае таких модельных объектов исследования как кристаллы CdSi.vSex. Методы экситонной спектроскопии в комплексе с методами исследования структурных несовершенств такими, как рентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализ и просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения, обеспечивают получение в этом случае принципиально новых результатов как для научных, так и для практических целей. Вместе с тем высокочувствительные методы экситонной спектроскопии могут быть с успехом использованы в практических целях лишь при том условии, что раскрыт механизм формирования наблюдаемых оптических спектров и изучено поведение экситона как в объеме, так и в ППО. Такие исследования могут составить основу разработки технологии неразрушающего контроля и диагностики реальных твердотельных систем.

Настоящая работа продолжает изучение оптических процессов, протекающих в объеме и ППО широкозонных кристаллов TP с участием экситонов. Работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

В 1-ой главе обзорного характера изложены общие сведения об экситонах в кристаллах полупроводников и, в частности, об особенностях энергетической структуры и её спектроскопических проявлениях для полупроводниковых соединений группы АгВб и TP на их базе. Описаны виды микро- и макронеоднородностей реальной кристаллической структуры этих соединений. Отдельно рассмотрено поведение экситонов в ППО, описываемое приповерхностным экситонным потенциалом (ПЭП) [25]. Обсуждаются возможности ряда моделей ПЭП, которые были предложены для описания электронной структуры ППО как неоднородной среды. При этом особо выделены модели, учитывающие механизмы приповерхностной локализации экситонов. Отмечено, что наибольшими возможностями для конструирования моделей ПЭП, используемых при анализе экспериментальных спектров, обладает метод ступенчатой аппроксимации [26, 50]. Обсуждается вытекающая из имеющихся теоретических и экспериментальных результатов необходимость отыскания конкретных параметров электронного строения реальных TP и их ППО, а также механизмов оптических явлений, протекающих с участием экситонов в неоднородной среде, с чем непосредственно связаны создание как способов направленного изменения свойств кристаллов при выращивании и обработке, гак и соответствующей технологии контроля. Обоснован выбор в качестве объекта исследований TP CdSi,vSeA-.

Во 2-ой главе описана совокупность методов, использованных для выявления особенностей структурных и электронных неоднородностей в ППО и объеме кристаллов исследуемых TP, а также для определения механизмов спектроскопических эффектов, связанных с этими неоднородностями. Были проведены экспериментальные исследования и теоретический анализ оптических экситонных спектров в комплексе с применением методов математического моделирования. Для изучения особенностей строения кристаллов использовались рентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализ, просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения. Детальное изучение оптических характеристик отдельных микрообластей кристаллов проводилось с помощью исследования спектров микрофото- и микрокатод о люминесценции на установках панорамного микроанализа электронного и спектроскопического рельефа ППО. Подчеркивается, что комплексный подход к исследованию и анализу полученных результатов обеспечивает их однозначное истолкование.

3-я глава посвящена систематическому исследованию и анализу связи экситонных оптических спектров с электронными и структурными характеристиками ППО кристаллов TP CdSixSex с малым содержанием Se. Отмечено, что имеет место широкое разнообразие оптических спектров этих кристаллов и, наряду с классическими, встречаются аномальные спектры. Подробно исследуются особенности локализации экситонов в ямах ПЭП и их влияние, на вид и форму контуров экситонного отражения света (КЭОС). С этой целью анализируются полученные экспериментально зависимости КЭОС от угла падения света, температурные зависимости КЭОС и спектров фотолюминесценции (ФЛ), производится сопоставление КЭОС и спектральных контуров ФЛ, выполненное с привлечением методов математического моделирования. На основе анализа спектров и их трансформаций делается вывод, что главными составляющими КЭОС TP CdSSe,t с малой концентрацией Se являются: «спайк», область основного максимума и область дополнительной структуры (ДС), а сложная структура КЭОС возникает за счет проявления системы энергетических уровней экситона в приповерхностной потенциальной яме (ПЯ) и является результатом интерференционных эффектов и эффекта затухания поляритонной волны. Указывается, что в результате проведенных в работе исследований в кристаллах TP CdSi^ SeA. с малой концентрацией Se впервые обнаружена приповерхностная одномерная макроскопическая флуктуация состава, обусловливающая существование двумерной ПЯ, локализующей экситон.

В 4-ой главе описаны исследования TP CdSixSex для широкого диапазона концентраций. Показано, что представления о видах неупорядоченности и о механизмах формирования оптических спектров в этих TP, обсуждающиеся в литературных источниках, недостаточны для правильной интерпретации значительной части экспериментальных данных. Как показали рентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализы, исследованные образцы, обладая высокой степенью гомогенности, являются однофазными TP без выделения отдельных компонент CdS или CdSe и представляют собой монокристаллы, которые состоят из кристаллических блоков, имеющих гексагональную кристаллическую структуру, а также структуру с переменной анизотропией. Напряжений между блоками нет, кристаллографические оси для всех блоков сонаправлены. Расхождения в направлениях кристаллографических осей блоков составляют -0.1 — 2°. Отсутствие диффузного фона указывает на практическое отсутствие в образцах точечных дефектов и аморфной составляющей. С использованием просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (high resolution transmission electron microscopy — HRTEM) было установлено, что структурный беспорядок создается дефектами упаковки (ДУ) вычитания типа Т и I2.

Для каждого отдельного образца количественное соотношение между фазовыми составляющими зависит от концентрации х и условий выращивания кристалла, и это выражается в многообразии реальных спектральных проявлений структурных особенностей кристалла. Спектры отражения и люминесценции кристаллов CdSi^Se* с различной концентрацией х составили три характерных группы. Анализ спектров показал, что одним из наиболее заметных проявлений выявленной в работе структурной неупорядоченности является существенное изменение электронной структуры кристалла, которое состоит в уменьшении ширины запрещенной зоны и уменьшении расщепления А- и В-экситонных зон. Исследование температурных зависимостей спектров ФЛ подтвердило, что люминесценция TP CdSixSer формируется несколькими каналами излучательной рекомбинации: наряду с излучением локализованных экситонов из блоков с гексагональной фазой, имеет место излучение свободных экситонов из блоков с ДУ. Впервые установлен резонансный характер ФЛ из блоков с ДУ.

Исследование излучения кристаллов, подвергнутых полирующему травлению, позволило выявить роль приповерхностного слоя в формировании различных особенностей экситонных спектров ФЛ. Удаление приповерхностного слоя приводило в ряде случаев к радикальной перестройке спектров ФЛ. Благодаря существованию блочной структуры в приповерхностном слое могут оказаться блоки, принадлежащие преимущественно к одной какой-либо фазе. В результате, если принять во внимание высокий коэффициент поглощения CdSi.xSex, излучение будет определяться главным образом строением этой фазы. Кроме того, будут иметь место как эффекты реабсорбции, так и поглощения излучения, идущего из глубины, приповерхностным слоем, состоящим из блоков с меньшей шириной запрещенной зоны.

Роль приповерхностного слоя в формировании оптических свойств TP CdSi-jrSejc наглядно проявляется при изучении его микроструктуры методами микрофотолюминесценции (МФЛ) и микрокато до люминесценции (МКЛ). Результаты, полученные методами МФЛ и МКЛ, согласуются с результатами экспериментов по травлению кристалла. Топонимика поверхности образцов, выполненная этими методами, подтвердила наличие у исследованных образцов, указанной блочной структуры с разными кристаллическими фазами.

Заключение посвящено краткому изложению основных результатов исследования, приводятся основные выводы работы.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Приповерхностная одномерная макроскопическая флуктуация состава, впервые обнаруженная в кристаллах TP CdSix SeA. с малой концентрацией Se, формирует в ППО двумерную ПЯ, локализующую экситон. В результате

Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на IX Международной конференции по соединениям АгВб (1999, Киото), XI Международной конференции по тонким пленкам (1999, Канкун), X Международной конференции по соединениям АгВб (2001, Бремен), IV Всероссийской конференции по физике полупроводников (1999, Новосибирск), IX Национальной конференции по росту кристаллов (2000, Москва), Всероссийской молодежной научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (1999, Санкт-Петербург), а также на семинарах научного отдела физики твердого тела НИИФ СПбГУ и изложены в следующих публикациях:

1. Б.В. Новиков, Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Б.А. Казеннов, Р. Швабе, И. Ленцнер, Ф. Бигль, Д. Хирш, К. Отте. Новый вид экситонного излучения в твердых растворах CdSi.xSex. // Письма в ЖЭТФ 70 (1999) 221-225.

2. Н.Р. Григорьева, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков, А.В. Селькин,

O.K. Анбушинова, Р.А. Бисенгалиев. Проявление приповерхностных локализованных состояний экситонов в спектрах отражения кристаллов CdSi-xSx с малым содержанием Se. // Физ. тверд, тела 41 (1999) 1568-1574.

3. Н.Р. Григорьева, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков, А.В. Селькин. Экситонные состояния в приповерхностных потенциалах различной формы и их проявления в спектрах отражения. // Вестник СПбГУ. Сер. 4, вып. 4, №25 (1999) 39-46.

4. Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Е.П. Денисов, Б.А. Казеннов,

Б.В. Новиков, Д.Л. Федоров. Исследование рентгеновскими и оптическими методами твердых растворов CdSi.xSex с дефектами упаковки. // Физ. тверд, тела 42 (2000) 34-42.

5. N.R. Grigorieva, R.V. Grigoriev, Е.Р. Denisov, D.L. Fedorov,

B.A. Kazennov, B.V. Novikov. Optical Manifestation Stacking Faults in Cd(S,Se) Crystals. // J. Crystal Growth 214-215 (2000) 457-459.

6. H. Azucena-Coyotecatl, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, J. Madrigal-Melchor, B.V. Novikov, F. Perez-Rodriguez and A.V. Sel'kin. Optical spectroscopy of near-surface excitonic states. // Superficies у Vacio 9 (1999) 313315.

7. N.R. Grigorieva, R.V. Grigoriev, E.P. Denisov, D.L. Fedorov,

B.A. Kazennov, B.V. Novikov. Optical Manifestation Stacking Faults in Cd(S,Se) Crystals. // Abstract Book The Ninth International Conference on II-VI Compounds — Kyoto, Japan, (1999) 72

8. H. Azucena-Coyotecatl, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, J. Madrigal-Melchor, B.V. Novikov, F. Perez-Rodriguez and A.V. Sel'kin. Optical spectroscopy of near-surface excitonic states. // Abstracts of 11th International Conference on Thin-Films — Cancun, Mexico, (1999) 87.

9. H. Azucena-Coyotecatl, H.P. Григорьева, Б.А. Казенное, J. Madrigal-Melchor, Б.В. Новиков, F. Perez-Rodriguez and A.B. Селькин. Экситоны в приповерхностных потенциальных ямах. // Тезисы IV Российской конференции по физике полупроводников — Новосибирск, Россия (1999) 75.

10. Н.Р. Григорьева, Б.В. Новиков. Теоретическое и экспериментальное исследования экситонных состояний в приповерхностных потенциалах различной формы. // Тезисы II Городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике — Санкт-Петербург, Россия (1998) 50.

11. Н.Р. Григорьева, Б.В. Новиков. Новые оптические особенности спектров кристаллов CdSi-xSex, обусловленные структурным беспорядком.// Тезисы Всероссийской молодежной научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике — Санкт-Петербург, Россия (1999) 22.

12. Н.Р. Григорьева, М.Н. Емцова, Р.В. Григорьев. Исследования спектров люминесценции кристаллов CdSi„xSex с дефектами упаковки. // Тезисы Всероссийской молодежной научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике — Санкт-Петербург, Россия (1999) 25.

13. Н. Azucena-Coyotecatl, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, J. Madrigal-Melchor, B.V. Novikov, F. Perez-Rodriguez and A.V. Sel'kin. Optical

В заключение работы перечислим основные результаты, полученные в процессе исследований и связанные с ними выводы:

А. Для TP CdSj.xSex с малым содержанием Se:

1. Впервые обнаружено проявление аномалий КЭОС, характерных для образцов с изменяющимся параметром состава х в приповерхностной области, что раньше наблюдалось только в TP с составом близким к CdSe [25].

2. Впервые исследованы зависимости КЭОС от угла падения света на образец для TP CdSixSex.

3. Впервые показано, что ДС не является простой особенностью КЭОС, а состоит из нескольких компонент, причем их число и интенсивность для разных образцов неодинаковы.

4. Изучены трансформации КЭОС в зависимости от температуры и впервые показано, что ДС является наиболее устойчивой особенностью в спектрах отражения "аномальных" кристаллов. Этот факт свидетельствует о том, что ДС в спектрах отражения возникает не за счет явления интерференции, а формируется экситоном, локализованным как целое в изолированной от объема двумерной приповерхностной ПЯ.

5. Впервые проведены исследования спектров фотолюминесценции кристаллов в широком диапазоне температур и выявлена последовательность смены экситонных резонансов, выполняющих функцию основного канала излучения, по мере термоактивированной делокализации экситонов.

6. В ходе комплексного теоретического и экспериментального исследования найдены модели ПЭП, с помощью которых наиболее адекватно описываются КЭОС образцов, выращенных в разных технологических условиях.

7. ДС в КЭОС была впервые смоделирована с помощью непрерывного гладкого потенциала. В процессе моделирования удалось установить, что форма ДС в КЭОС "аномальных" кристаллов очень чувствительна к параметрам ПЯ, что позволило с большой точностью определить форму и параметры ПЭП.

8. С использованием найденных в ходе анализа параметров экситона в ППО и формы ПЭП произведено сопоставление спектров отражения и фотолюминесценции при 4.2 К, что позволило связать природу отдельных линий излучения с особенностями ПЭП.

Таким образом, в кристаллах TP CdSjx Sex с малой концентрацией Se впервые обнаружена приповерхностная одномерная макроскопическая флуктуация состава, обусловливающая существование двумерной ПЯ, локализующей экситон. Для этих кристаллов выявлены необычные особенности как спектров экситонного отражения при падении света под углами от 5 до 84° , так и спектров экситонной люминесценции. Анализ спектров и их трансформаций с изменением температуры показал, что главными составляющими КЭОС такого типа являются: «спайк», область основного максимума и область ДС. Сложная структура КЭОС возникает за счет проявления системы энергетических уровней экситона в приповерхностной ПЯ и является результатом интерференционных эффектов и эффекта затухания поляритонной волны.

На базе комплексных экспериментальных исследований и теоретического анализа с использованием методов математического моделирования найдены вид, точная форма и параметры ПЭП, что дало возможность определить особенности электронного строения ППО и найти интерпретацию составляющим спектра ФЛ. Показано, что форма ПЭП очень чувствительна к изменениям контура ДС, благодаря чему конфигурация приповерхностной ПЯ может быть определена с большой степенью точности.

Б. Для кристаллов TP CdSi.^Se* с концентрацией более 3%:

1. Впервые для CdSi.jSe* прямыми экспериментами установлено, что: а) имеет место сосуществование различных фазовых составляющих в виде блоков с разной кристаллической структурой. Впервые выявлены блоки с гексагональной структурой и блоки с ДУ; б) ДУ, формирующие структуру с переменной анизотропией, являются ДУ вычитания типа I; и h, при этом ДУ типа Ь, содержащие полную кубическую последовательность .ABC. преобладают.

2. Впервые обнаружены новые линии и особенности в экситонных спектрах отражения и люминесценции, возникающие в кристаллах TP CdSi-xSex благодаря фазовой составляющей, обусловленной наличием кристаллических блоков с ДУ.

3. Впервые показано, что проявление тех или иных спектральных линий и их интенсивность связаны с присутствием и относительным количеством на поверхности блоков с той или иной структурой.

4. Впервые обнаружено, что люминесценция в исследованном диапазоне концентраций х обусловлена несколькими каналами излучательной рекомбинации. Каждая система блоков дает свой вклад в бесфононные линии ФЛ. В исследованном диапазоне концентраций х ФЛ формируется главным образом излучением локализованных экситонов из блоков с гексагональной фазой и резонансным излучением свободных экситонов из блоков с ДУ. Впервые установлен резонансный характер люминесценции экситонов из блоков с ДУ.

Таким образом, новые линии и особенности в экситонных оптических спектрах кристаллов TP CdSixSex не могут быть объяснены существованием в них только композиционного и позиционного беспорядка, для объяснения этих особенностей должен быть учтен и структурный беспорядок, обнаруженный нами в этих ТР. Наличие структурного беспорядка в значительной степени усложняет механизмы формирования экситонных оптических спектров.

Данная работа не могла бы быть выполнена без постоянного интереса и благожелательной поддержки моего руководителя профессора, доктора физико-математических наук Бориса Владимировича Новикова, которому я выражаю глубокую благодарность за научное руководство работой, принципиальное и стимулирующее обсуждение всех ее результатов и большую разностороннюю помощь.

1. Аблязов Н.Н., Райх М.Э., Эфрос A.JL Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах // ФТТ 25 (1983) 353.

2. Агранович В.М. Теория экситонов. — М.: 1968, 382 с.

3. Алферов Ж.И., Портной E.JI., Рогачев А.А. О ширине края поглощения полупроводниковых твердых растворов // ФТП 2 (1968) 1194.

4. Барановский С.Д., Эфрос A.J1. Размытие краев зон в твердых растворах // ФТП 12 (1978) 2233.

5. Батырев А.С., Карасенко Н.В, Новиков Б.В., и др. Локализация экситонов потенциальной ямой, формируемой твердым раствором в приповерхностной области полупроводника // Письма в ЖЭТФ 62 (1995) 397-402.

6. Батырев А.С., Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е Локализация экситонов у поверхности полупроводников // Письма в ЖЭТФ 39, в. 9 (1984) 436.

7. Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние приповерхностного электрического поля на спектры экситонной люминесценции монокристаллов CdSe // ФТТ 23, в. 10 (1981) 2982.

8. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние состояния поверхности на аномалии в экситонных спектрах монокристаллов CdS при Т= 4,2 К // ФТТ 19, в. 5 (1977) 1389.

9. Бир Г.Л., Пикус Т.Е., Суслина Л.Г., Федоров Д.Л., Шадрин Е.Б. Экситонные спектры и обменное взаимодействие в деформированных кристаллах ZnS с дефектами упаковки // ФТТ 13 (1971) 3551.

10. Бир Г.Л., Пикус Т.Е., Суслина Л.Г., Федоров Д.Л. Экситонное пьезоотражение в кристаллах ZnS с дефектами упаковки // ФТТ 14, в. 3 (1972) 858.

11. Бобкова Н.М., Синевич А.К. Исследование процесса наводки цвета в стеклах типа селенового рубина // Физика и химия стекла 10, №3 (1984) 337 -334.

12. Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. М. Электронная теория неупорядоченных полупроводников — М.: «Наука», 1981, 384 с.

13. Бродин М.С., Мясников Э.Н., Марисова С.В. Поляритоны в кристаллооптике — Киев: 1984, 200 с.

14. Вавилов B.C., Гиппиус А.А., Паносян Ж. Р. Теллурид кадмия. — М.: 1968, 103 с.

15. Вербин С.Ю., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Пендюр Св. А., Таленский О.Н. Экситонное поглощение твердых растворов CdSixSex // ФТТ31 (1989) С. 84.

16. Грибников 3. С., Рашба Э.И. Влияние неоднородного электрического поля на диффузию экситонов//Журн. Тех. Физ. 28, в. 9(1958) 1948- 1958.

17. Гросс Е.Ф., Соболев В.В. Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения смешанных кристаллов CdS-CdSe // ДАН СССР 133, №1 (1960) 56-59.

18. Гросс Е.Ф., Разбирин Б.С. Спектр краевого поглощения кристаллов сульфида кадмия и его связь с поверхностью и деформациями кристаллов // Журн. Техн.Физ. 27, в. 12 (1957) 2173 2176.

19. Давыдов А.С., Мясников Э.Н. Экситоны в молекулярных кристаллах / Под общ. ред. М.С. Бродина/ — Киев: 1973, С. 42 49.

20. Давыдова Н.А.,. Мясников Э.Н.,. Страшникова М.И. Особенности спектральных свойств монокристаллов CdSe, обусловленные их поверхностью // ФТТ 15 (1973) 3332-3337.

21. Денисов Е.П., Арешкин А.Г., Федоров Д.Л., Конников С.Г. Рентгеноструктурные исследования монокристаллов ZnS:Ag, Си, Mg // ФТТ 39(1997) 49.

22. Ильинский А.В., Новиков Б.В., Суслина Л.Г. и Шадрин Е.Б. Экситонный спектр фотопроводимости кристаллов сульфида цинка // ФТТ 14, в. 7(1972) 1933.

23. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников.— Л.: 1987, 161 с.

24. Киселев В.А. Экситонное отражение света при произвольном поверхностном потенциале // ФТТ 20, в. 7 (1978) 2173-2176.

25. Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н. Люминесценция экситонов из флуктуационных хвостов плотности состояний в неупорядоченных твердых растворах // ФТТ 39 (1997) 1170.

26. Кособуцкий П.С., Прокопчук А.Л. О наблюдении высокотемпературного «спайка» в экситонных спектрах отражения CdSe // Физ. низк. температур 22, №1 (1996) 104.

27. Лидер К.Ф., Новиков Б. В. Влияние ионной бомбардировки на спектр низкотемпературной люминесценции кристаллов CdS // Оптика и спектроскопия 23 (1967) 611

28. Марков Л.С., Федоров Д.Л. Элементарные возбуждения в кристаллах с одномерным беспорядком // Кристаллография 38, в. 2 (1993) 179 188.

29. Маслов А.Ю., Суслина Л.Г. Влияние одномерного беспорядка на экситоны в полупроводниках // ФТТ 24 (1982) 1928.

30. Новиков Б.В., Убушиев Е.А Чередниченко А.Е. Эффект разгорания экситонного отражения в кристаллах CdS, связанный с опустошением новых ловушек // Письма в ЖЭТФ 40, в. 1 (1984) 474 476.

31. Федоров Д. Л., Денисов Е. П., Тенишев Л. Н., Чернышов М. Б., Кузнецов П. И., Якушева Г. Е. Экситоны в гетероэпитаксиальных структурах CdS/CdSe // ФТТ 40 (1998) 887 889.

32. Нокс Р. Теория экситонов.— М.: 1966, 220 с.

33. Обухова Н.Ф., Атрощенко Л.В., Колодяжный А.И. Получение и исследование монокристаллов твердых растворов ZnS — MgS, имеющих структуру вюрцита. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы 13, №8 (1977) 1390.

34. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников.— М.: 1973,656 с.

35. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.— М.: Мир, 1973,456 с.

36. Певцов А.В., Пермогоров С.А., Селькин А.В. Термостимулированное просветление границы кристалла в области экситонного поглощения // Письма в ЖЭТФ 39, вып. 6 (1984) 261.

37. Пекар С. И. Исследования по электронной теории ионных кристаллов.— М.: Гостехиздат, 1951, 187 с.

38. Пекар С. И. Теория электромагнитных волн в кристалле, в котором возникают экситоны // Журн. экспер. и теор. физ. 33, в. 4 (1957) 1022 1036.

39. Пекар С. И. Кристаллооптика и добавочные световые волны.— Киев: 1982, 296 с.

40. Пенкаля Т. Очерки кристаллохимии.— J1: Химия, 1974, 496 с.

41. Пермогоров С. А., Травников В.В., Селькин А.В. Эффекты пространственной дисперсии в спектрах отражения кристаллов при наклонном падении света на границе // ФТТ 14 (1972) 3642.

42. Пермогоров С.А., Селькин А.В., Травников В.В. Отражение света кристаллами в окрестности анизотропных экситонных переходов при наличии пространственной дисперсии // ФТТ 15 (1973) 1822.

43. Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Вербин С.Ю. Роль локализованных экситонов в люминесценции твердых растворов АгВб // Изв.АН СССР. Сер.физ. 49, №10 (1985) 2019 2024.

44. Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Вербин С.Ю., Бонч-Бруевич В. А. Дисперсия времени жизни локализованных экситонов в твердом растворе CdSi.xSex // Письма в ЖЭТФ 38 (1983) 22.

45. Гросс Е. Ф. Новиков Б. В. Влияние механической обработки поверхности на вид тонкой структуры спектральных кривыхфотопроводимости в кристаллах сернистого кадмия //ФТТ 1, в. 12 (1959) 1882-1885.

46. Резницкий А.Н. Беспорядок, локализация и протекание в полупроводниковых твердых растворах. / Материалы летней школы. Физико-технич. институт им. А.Ф. Иоффе РАН.— С.-Пб.: (2000) 61 70.

47. Рыскин А.И., Суслина Л.Г., Хилько Г.Н., Шадрин Е.Б. Экситонные спектры кристаллов ZnS с дефектами упаковки // Письма в ЖЭТФ 7 (1968) 335.

48. Селькин А.В. Экситонное отражение света от планарных пространственно неоднородных структур // Вестн. С.-ПбГУ, Сер. 4: Физика, химия, в. 2,№ 11 (1996) 87-90.

49. Скайтис Э., Хотяинцев В.Н. Поляритоны в кристалле с экспоненциальным потенциалом //ФТТ 24, в.12 (1982) 3648 3653.

50. Сугаков В. И. Поверхностные экситоны и их проявление в оптических свойствах кристаллов // ФТТ 14, в. 7 (1972) 1977 1985.

51. Сугаков В. И., Хотяинцев В.Н. Поляритоны в неоднородных кристаллах // Журн. экспер. и теор. физ. 70, в. 4 (1976) 1566 1574.

52. Травников В.В., Пермогоров С.А., Криволапчук В.В. Зависимость времени жизни и длины диффузии свободного экситона от интенсивности возбуждающего света// ФТТ 23 (1981) 606.

53. Физика и химия соединений AiB6 / Под ред. проф. С.А. Медведева. — М.:Мир, 1970, 624 с.

54. Физика соединений A"BVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана — М.: Наука, 1986, 320 с.

55. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций / Под ред.Э.М. Надгорного и Ю.А. Оспьяна,— М.: 1972, 510с.

56. Шалимова К.В., Ботнев А.Ф., Дмитриев Б.А. и др. Кристаллическая структура твердых растворов системы ZnSe CdSe // Кристаллография 14, №4 (1969) 629.

57. Экситоны / Под ред. Э.И.Рашба и М.Д. Стерджа.— М.: Наука, 1985, 616 с.

58. Эфрос A.JI. Плотность состояний и мждузонное поглощение света в сильнолегированных полупроводниках // Усп. Физ. Наук 111, №3 (1973) 451 -482.

59. Эфрос A.JI. Локализация электронов в неупорядоченных системах (переход Андерсена) // Усп. Физ. Наук 126, №1 (1978) 41 65.

60. Эфрос А.Л. Физика и геометрия беспорядка.— М.: 1982, 176 с.

61. Яблоньский Г.П., Ракович Ю.П., Гладыщук А.А., Долин В.В. Самообращение линий экситонной фотолюминесценции в монокристаллах CdS // Журн. Прикл. Спектр. 60 (1994) 248.

62. Agekyan V., Bindeman R., Schwabe R., Stepanov Yu. and Streit I. Luminescence of Excitons Bound by Disorder-Potential Fluctuationsin CdSi^Se*: Spatial Diffusion, excitation Level Dependence, and Kinetics // Phys. Stat. Sol. (b) 116 (1983) K43.

63. Azucena-Coyotecatl H. and Cocoletzi G.H. Optical response of localized excitons near surfaces of multilayer systems // J.Phys. :Condens.Matter 10 (1998) 79.

64. Balslev I. The excitonic surface potential in semiconductors // Phys. Stat. Sol. (b) 88, No.l (1978) 155 161.

65. Balslev 1. Exciton polaritons at surface of GaAs // Sol. Stat. Com. 39, No.2 (1981) 359-362 .

66. Biellmann J., Grosmann M., Nikitine S. Experimental effects of spatial dispersion on the excitonic spectra of Pbb // Polariton Proc. Of the 1st Res. Conf in Structure of Matter.— Taornima, Italy (1972) 183 195.

67. Birman J.L. Simplified LCAO Method for Zincblende, Wurtzite, and Mixed Crystal Structures // Phys. Rev 115 (1959) 1493.

68. Brafman O., Steinberger I.T. Optical Band Gap and Birefringence of ZnS Polytypes // Phys. Rev. 143, No. 2 (1966) 501.

69. Ariza-Calderton H., Lozada-Morales R., Mendoza-Avarez J. G., Bandos L. Photoluminescence measurements in the phase transition region for CdS thin films // J. Vac. Sci. Technol. A 14, No.4 (1996) 2480.

70. Chadderton L.T., Fitzgerald A.G., Yoffe A.D. Stacking Faults in CdS // Nature 198 (1963) 573.

71. Banerjee R., Jayakrishnan R. and Ayyub P. Effect of the size-induced structural transformation on the band gap in CdS nanoparticles // J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 10647.

72. Cichos A., Firszt F., Falke U., Lenzner J., Meczynska H. and Hietschold M. Cathodoluminescence studies of polytype structure in ZniJvlgvSe // Acta Physica Polonica A 95 (1999) 269.

73. Cohen E., Sturge M.D. Fluorescence Line Narrowing, Localized exciton states, and spectral diffusion in the Mixed semiconductor CdSixSex // Phys. Rev. В 25 (1982) 3828.

74. Ekardt W., Losch K., Bimberg D. Determination of the analytical and the nonanalytical part of the exchange interaction of InP and GaAs from polariton spectra in intermediate magnetic fields // Phys. Rev. В 20, No. 8 (1979) 3303 -3314.

75. Ell R., Dinger A., Klingshirn C. Four-wave-Mixing Spectroscopy of Localized Excitons in CdS|.ASe.v // Abstract book the IXth International Conference on II VI Compounds.— Kioto, 1999, p. 22.

76. Lehmann A. G., Bionducci M., Buffa F. Effect of mechanical grinding on the hexagonal structure in CdSe // Phys Rev В 58 (1998) 5275.

77. Evangelisti F., Fischbah J.U., Frova A. Dependence of exciton reflectance on field and other surface haracteristies: the case InP // Phys. Rev. B. 9, No. 4 (1974) 1516- 1524.

78. Evangelisti F., Frova A., Fischbah J.U. Electric field induced interference effects at the ground exciton level in GaAs // Phys. Rev. Lett. В 29, No. 15 (1972) 1001 1004.

79. Evangelisti F., Frova A., Patella F. Nature of the dead layer in CdS and its effect on exciton reflectance spectra // Phys. Rev. В 10, No. 10 (1974) 4253 -4261.

80. Fedorov D.L. Spectroscopy of II—VI semiconductor solid solutions with structural phase transitions // Journal of Luminescence 52 (1992) 233 242.

81. Firszt F., Cichos A., Dluzevski P., Falke U., Hietschold M., Lenzner J., Legovski S., Meczynska H. and Paszkowicz W. Coexistance of 2H and 4H polytypes in Zni JVlg^Se observed by photo- and cathodoluminescence // Solid. St. Comm. 108 (1998) 367.

82. Gourdon C., Lavallard P., Permogorov S., Reznitsky A., Aaviksoo Ya., Lippmaa Y. Picosecond Time-resolved Luminescence of Localized Excitons in CdSbxSe.Y// J. Luminescence 39 (1987) 111.

83. Gruen M., Hettrich M., Klingshirn C., Rosenauer A., Zweck J., Gebhardt W. Epitaxial Growth and Photoluminescence of hexagonal CdS i xSeY alloys films // J. Cryst. Growth 138 (1994) 150.

84. Halperin B.I., Lax M. Impurity-Band Tails in the High-Density Limit. I. Minimum Counting Methods // Phys. Rev. A 148 (1966) 722.

85. Halperin B.I., Lax M. Impurity-Band Tails in the High-Density Limit. II. Higher Order Corrections // Phys. Rev. A 153 (1967) 802.

86. Hill R., Richardson D. The Variation of Energy Gap with Composition in ZnS-Te Alloys // Journ. Phys. С 6, No. 5 (1973) LI 15-L119.

87. Bigot J.-Y. et al. Femtosecond dephasing in CdSxSei.x mixed crystals: The role of localized biexcitons // Phys. Rev. Letters 71, No. 12 (1993) 1812.

88. A. Dinger, Ell R. Reznitsky A., Klochikhin A. and Klingshirn C. Exciton Dephasing, Polariton Propagation and Quantum Beats in CdSiYSe.Y // Phys. Stat. Sol. (b) 221 (2000) 485.

89. Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and experimental effects of spatial dispersion on the optical properties of crystals // Phys. Rev. 132, No. 2 (1963) 563.

90. Kash J. A., Ron A., Cohen E. Subnanosecond spectroscopy of disorder-localized excitons in CdSo.53 Se0.47 // Phys. Rev. В 28 (1983) 6147.

91. Klochikhin A. A. and Ogloblin S.G. Density of localized states in disordered solids // Phys. Rev. B. 48, No. 5 (1993) 3100 3115.

92. Klochikhin A. A., Permogorov S.A., Reznitsky A.N. Phonon sidebands in luminescence spectra of alloy trapped excitons in disordered solid solutions // J. Cryst. Growth, 159 (1996) 848.

93. Lagois J., Wagner E., Buldau W., Losch K. Influence of exciton impact ionization and illumination intensity on the exciton-polariton reflectance of GaAs // Phys. Rev. В 18, No.8 (1978) 4325 4331.

94. Madrigal-Melchor J., Perez-Rodriguez F.,Mayotorena J.A., Mochan W.L. An optical spectroscopy for detecting quantized polarization waves of excitons // Appl. Phys. Lett. 71, No. 1 (1997) 69-71.

95. Paszkowicz W., Dluzevski P., Spolnik Z.M., Firszt F., Meczynska H. Formation of 4H and 8H polytypes in bulk ZniJvlg^Se crystals // Journal of Alloys and Compounds 286 (1999) 224 235.

96. Park Y.S., Reynolds D.C. Exciton structure in Photoconductivity of CdS, CdSe, and CdS:Se Single Crystals // Phys. Revl32 (1963) 2450.

97. Perez-Rodriguez F., Halevi P. Interaction of excitons with a generalized Morse surface potential: ^-polarized incident light at a semiconductor surface // Phys. Rev. В 45 (1992) 11854 11862.

98. Perez-Rodriguez F., Halevi P. Interaction of excitons with a generalized Morse surface potential: p-polarization geometry of the incident light at a semiconductor surface // Phys. Rev. В 53 (1996) 10086-10093.

99. Permogorov S., Reznitsky A. Effect of disorder oh the optical spectra of wide-gap II—VI semiconductor solid solutions // J. Luminescence 52 (1992) 201223.

100. Permogorov S., Reznitsky A., Travnikov V., Verbin S., Miiller G.O., Flogel P. Nikiforova M. Emission of Localized Excitons in mixed CdSi.xSex Crystals // Phys. Stat. Sol. (b) 105 (1981) K57.

101. Permogorov S., Reznitsky A., Travnikov V., Verbin S., Miiller G.O., Nikiforova M. Resonant Secondary emission of Localized Excitons in CdSi^Se* Mixed Crystals // J. Luminescence 24/25 (1981) 409.

102. Permogorov S., Reznitsky A., Verbin S., Lysenko V. Exciton Mobility Edge in CdS^Se* Solid Solutions // Solid St.Commun. 47 (1983) 5.

103. Permogorov S., Reznitsky A., Verbin S., Mtiller G.O., Flogel P., Nikiforova M. Localized Excitons in CdSi.xSe.Y Solid Solutions // Phys. Stat. Sol. (b) 113 (1982) 589.

104. Schwab H. et al. Dynamics of Excitons in CdS, CdSe, and CdSi^Se* // Phys. Stat. Sol. (b) 172 (1992) 479.

105. Sachenko A.V., Tyagai V.A., Kundzich A.G. Exciton luminescence in semiconductors (surface recombination and space-charge-layer effect)// Phys. Stat. Sol. (b) 88, No. 2 (1978) 797 804.

106. Sakoda S. The surface effect of reflectivity spectrum originating from a large radius exciton // J. Phys. Soc. Jap. 40, No. 1 (1976) 152 160.

107. Vlasov Y. A., Permogorov S. A. Areshkin A. G., Fedorov D. L. Sphalerite wurtzite structural phase transition occuring as a resalt of changing the composition of the solid solution ZnxCdixSe // Semicoductors 30 (3) (1996) 241.

108. Suzuki K., Ichihara M., Takeuchi S. High-Resolution Electron Microscopy of Extended Defects in Wurtzite Crystals // Jap. Journ. Appl. Phys. 33 (1994) 1114.

109. Van Vechten J.A. and Bergstrasser Т.К. Electronic Surface in Semiconductors Alloys// Phys. Rev. В 1 (1970) 3351.

110. Yodo T. and Tanaka Sh. Growth of CdS by atmospheric pressure metalorganic vapor-phase epitaxy at low temperature // J. Appl. Phys. 72, No. 7 (1998)2781.