Синтез и свойства монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxAs2 тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Глава I. Литературный обзор

1.1. Диаграмма состояния системы Cd - As

1.2. Диаграмма состояния системы Zn - As

1.3. Фазовая диаграмма CdAs2 - ZnAs

1.4. Кристаллическая структура CdAs2 и ZnAs

1.5. Электрофизические свойства диарсенидов цинка и кадмия

1.6. Оптические свойства диарсенидов цинка и кадмия

Глава II. Методика эксперимента

2.1. Синтез крупных структурно-совершенных монокристаллов

ZnAs2 и CdAs2.

2.2. Дифференциально-термичесий анализ

2.3. Химический анализ

2.4. Микроструктурный анализ

2.5. Рентгенофазовый и рентгеноструктурный анализ

2.6. Методы изучения электрических и оптических свойств 31 2.6.1 .Электрические исследования 31 2.6.2, Оптические исследования

Глава III. Изучение природы точечных дефектов в диарсенидах цинка и кадмия

3.1. Синтез монокристаллов ZnAs2 и CdAs

3.1.1. Синтез поликристаллических диарсенидов цинка и кадмия

3.1.2. Выращивание монокристаллов CdAs2 и ZnAs

3.2. Определение эффективных коэффициентов распределения примесей в монокристаллах ZnAs2 и CdAs

6 8 10 И

3.3. Изучение оптических и электрических свойств монокристаллов диарсенидов кадмия и цинка

3.4. Модель формирования точечных дефектов в CdAs2 и Z11AS

Глава IV. Синтез и свойства монокристаллов о - твердых растворов CdixZnxAs2 и а — твердых растворов ZnixCdxAs

4.1. Особенности синтеза монокристаллов а - и а - твердых растворов системе CdAs2- Z11AS

4.2. Рентгеноструктурные исследования а - и о - твердых растворов в системе CdAs2- ZnAs

4.3. Энергетическая кристаллохимия и химческий анализ твердого раствора Cdo,95Zno,osAs2.

4.4. Электрические и оптические свойства а - и а - твердых растворов в системе CdAs2 - ZnAs2.

4.5. Фазовые переходы в системе CdAs2 — ZnAs2 при гидростатическом сжатии.

Исследования в области синтеза и изучения свойств новых соединений является в настоящее время одним из интереснейших направлений в материаловедении полупроводников.

Диарсениды цинка и кадмия относятся к группе полупроводников АПВУ и кристаллизуются соответственно в моноклинной и тетрагональной сингониях 1-3].

Особенностью структур этих соединений является наличие наряду со связями Me —As связей между атомами As, которые образуют зигзагообразные цепочечные структуры . Такая особенность кристаллических структур определяет значительную анизотропию электрических и оптических своийств ZnAs2 и CdAs2.[ 4, 5 ]. Для практики представляет интерес значительная анизотропия термо - э. д. с. у монокристаллов ZnAs2 и CdAs2, что позволяет изготавливать из них высокочувствительные анизотропные термоэлементы ( основанные на эффекте возникновения поперечной термо — э. д. с.) для неселективных приемников излучения [ 6 ]. Для структурно-совершенных монокристаллов ZnAs2 и CdAs2 характерна высокая оптическая прозрачность в широком диапазоне длин волн ИК — области спектра, что в сочетании с резким краем фундаментального поглощения представляет интерес для создания отрезающих фильтров и иммерсионных элементов. Оба соединения могут использоваться как материалы технологической лигатуры при изготовлении полупроводниковых устройств на основе соединений группы АШВУ. [7].

Диарсенид кадмия обладает высокой оптической активностью (в 2 - 3 раза выше, чем у известных гиротропных кристаллов) и значительным двулучепреломлением в диапазоне длин волн ~ 1.3-20 мкм, что делает CdAs2 перспективным материалом для создания модуляторов света, различных поляризационных устройств [8,9]. ZnAs2 может быть использован для создания твердотельного лазера ( вынужденное излучение получено на длине волны 1.235 мкм) [ 10].

Учитывая все вышеизложенное в настоящее время представляют интерес работы по синтезу и изучению свойств твердых растворов, образующихся в системе CdAs2 — ZnAs2: 5 — твердые растворы со стороны диарсенида кадмия и а - твердые растворы со стороны диарсенида цинка. На . основе твердых растворов диарсенидов цинка и кадмия возможно создание полупроводниковых соединений с большими значениями запрещенной зоны, чем в CdAs2 и ZnAs2. В гомологических рядах полупроводников ширина запрещенной зоны растет с уменьшением их молекулярной массы. Однако соединения CdAs2 и ZnAs2 неизоструктурны. Диарсенид кадмия кристаллизуется в татрагональной сингонии , а диарсенид цинка в моноклинной. Ширина запрещенной зоны у CdAs2 больше, чем у ZnAs2, поэтому при сохранении структуры CdAs2 в о -твердых растворах Cdi.xZnxAs2 следует ожидать увеличение значения ширины запрещенной зоны. При сохранении структуры диарсенида цинка, для а — твердых растворов ожидается уменьшение ширины запрещенной зоны. Для определения влияния состава на величину ширины запрещенной зоны необходимо изучение оптических и электрических свойств монокристаллов твердых растворов CdixZnxAs2, поэтому основной задачей работы была разработка технологии роста крупных и структурно-совершенных монокристаллов твердых растворов Cdi.xZnxAs2 и выявление корреляции "состав твердого раствора - структура - свойства

Целью настоящей работы является синтез крупных структурно-совершенных монокристаллов Cdi.xZnxAs2, уточнение границ существования твердых растворов в системе CdAs2 — ZnAs2 и изучение их оптических и электрофизических свойств; определение возможного практического использования в качестве материалов изделий ИК техники, датчиков высокого давления, анизотропных термоэлементов и технологической лигатуры. Для этого необходимо было решить следующие задачи: оптимизировать технологию получения монокристаллов CdAs2 и ZnAs2; разработать физико-химические основы выращивания монокристаллов твердых растворов Cdi. xZnxAs2, уточнить границы существования твердых растворов в системе CdAs2 - ZnAs2; установить изменение параметров кристаллической решетки твердых растворов в зависимости от состава; в широком интервале температур и давлений провести исследования электрических, термоэлектрических и оптических свойств монокристаллов CdAs2, ZnAs2 и твердых растворов Cdi. xZnxAs2

Основное содержание работы.

1. Предложены модели формирования точечных дефектов в запрещенной зоне диарсенидов кадмия и цинка, на основании которых строится технология синтеза и прогнозируются свойства монокристаллов твердых растворов в системе CdAs2 - ZnAs2.

2. Синтез образцов твердых растворов методом направленной кристаллизации по Бриджмену ( вертикальный вариант) из мелкодисперсных порошков диарсенидов цинка и кадмия с использованием затравки из соответствующих монокристаллов.

3. Исследование полученных монокристаллов твердых растворов методами дифференциально-термического, рентгенофазового, микроструктурного, масс-спектрометрического и рентгеноструктурного анализов.

4. Изучение оптических и электрических свойств. Влияние состава твердого раствора на ширину запрещенной зоны.

5. Изучение барической зависимости удельного сопротивления от давления и состава твердого раствора.

6. Обсуждение результатов: синтезированы крупные структурно-совершенные монокристаллы твердых растворов в системе CdAs2 — ZnAs2. Рассмотрен вопрос влияния состава твердого раствора на параметры элементарной ячейки, предложена схема залечивания дефектов в мышьяковой подрешетке для а — твердых растворов, и для а — твердых растворов — диффузия атомов кадмия в междоузельные пространства. Показано влияние состава твердого раствора на ширину запрещенной зоны. Изучение электрических, термоэлектрических и оптических свойств монокристаллов твердых растворов системы CdAs2 - ZnAs2 позволило определить области их практического применения (приложение).

выводы

1. Разработаны физико-химические основы синтеза твердых растворов в системе CdAs2 - Z11A.s2 и впервые получены крупные структурно-совершенные монокристаллы этих растворов размерами - 16—18 мм в диаметре и 100 - 120 мм в длину, с плотностью дислокаций < 1 х 103 см~2.Уточнены границы существования твердых растворов в системе CdAs2 - ZnAs2, составляющие для а — твердого раствора -7,31 моль. % ZnAs2 в CdAs2 и для а - твердого раствора - 2,45 моль. % CdAs2 в ZnAs2.

2. Определены энергии ионизации донорных и акцепторных уровней ( для CdAs2 - €jc < 0,02 эВ; е е2с = 0,26 эВ; г3с = 0,42 эВ, для ZnAs2 - Еа1 = 0,08 эВ; Еа2 = 0,14 эВ; Баз = 0,26 эВ; Еа4 = 0,34 эВ), создаваемых в монокристаллах структурными дефектами и предложены возможные варианты структурных дефектов, создающих эти уровни.

3. Установлено изменение параметров решетки и длин связей Cd-As (уменьшение) и As-As (менялась немонотонно) с ростом содержания ZnAs2 в о - твердых растворах Cdi.xZnxAs2, что объясняется залечиванием дефектов в мышьяковой подрешетке CdAs2 и согласуется с моделью формирования точечных дефектов в диарсениде кадмия. Наличие цепочек — однородной из атомов As и гетероцепочке -As-Cd-As-Cd- , идущих в одном направлении, и слоистое строение кристаллов определяют анизотропные свойства твердого раствора. В а - твердых растворов Zni.xCdxAs2 атомы Cd располагаясь в пустых зигзагообразных каналах (тоннелях), не оказывают заметного влияния на межатомные расстояния.

4. Проведено исследование электрических и оптических свойств твердых растворов CdixZnxAs2 ( х = 0.03; 0.05; 0.06) и установлено изменение значения ширины запрещенной зоны в зависимости от состава твердого раствора, максимальное увеличение sg' составило =14 мэВ.

5. Изучено влияние гидростатического сжатия на электрические свойства монокристаллов CdAs2, ZnAs2 и CdixZnxAs2. Показано, что характер зависимостей электрических свойств от давления для твердых растворов существенно отличается по сравнению с CdAs2, на кривых р (р) и Rx ( р) пики характерные для фазовых превращений исчезают, что свидетельствует о упрочнении решетки о — твердых растворов с добавлением ZnAs2.

6. На основе результатов исследований свойств полученных монокристаллов CdAs2 и ZnAs2 и твердых растворов Cdi.xZnxAs2 определены области их возможного практического применения в качестве материалов оптических фильтров и линз ИК техники, приемников тепловых потоков, основанных на эффекте возникновения поперечной термо-э.д.с.,, терморезисторов и лигатуры для создания р — п переходов в полупроводниках группы A11 Bv.

1. Х.Лазарев В. Б., Шевченко В. Я., Гринберг Я. X., Соболев В. В. Полупроводниковые соединения группы AnBv. М. Наука, 1978.

2. Маренкин С. Ф., Лазарев В. Б., Саныгин В. 77. Физикохимия и материаловедение двойных полупроводниковых соединений элементов IIБ и V Б подгрупп.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21. № 5. С. 721 -729.

3. Лазарев В. Б., Шевченко В. Я., Маренкин С. Ф. Физико-химические свойства и применение полупроводниковых соединений систем A11 Bv // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. Т. 15. № ю. С. 1701 1712.

4. Turner W. J.,Fishier A. S.t Reese W. E. Physical Properties of Several II V Semiconductors // Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759 - 767.

5. УгайЯ. А., Зюбина Т. А. Получение и исследование некоторых электрических свойств монокристаллов арсенидов цинка // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 1. С. 9 16.

6. Лазарев В. Б., Маренкин С. Ф., Раухман А. М. и др. Материалы на основе соединений Zn nCd с Р, As, Sb и эвтектические композиции для устройств электронной техники // Фундаментальные науки народному хозяйству. М. Наука, 1990. С. 225 -226.

7. Маренкин С. Ф., ЛазаревВ. Б., Пашкова О. Н. и др. Соединения Zn или Cd с Р и As как источники акцепторной примеси в полупроводниках AinBv // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 11. С. 1814 1818.

8. Лазарев В. Б., Малинко В. И., Маренкин С. Ф. и др. Гиротропия полупроводниковых монокристаллов CdAs2 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21. № 7. С. 1082 1085.

9. Marenkin S. F., Raukhman А. М., Matiukl. N., Lazarev V. В. Birefrigence and Optical Activity of Cadmium Diarsenide Single Crystals // Opt. Eng. 1994. V. 33. №9. P. 3034 3037.

10. Lazarev V. В., Marenkin S. F., Chukichev M. V.,Raaukhman A. M. Stimulated Emission of ZnAs2 Single Crystals // CLEO/Europe-EQEC, 1994. P. 68.

11. Жемчужный С.Ф. II Журн. Российск. физико-химического общества. 1913. Т. 45. №6. С. 1137.

12. Гунов О.Я., УгайЯ.А., Пшестанчик В.П. и др. П Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1970. Т. 6. № 11. С. 1926.

13. Pruchnic Z.H Mat. Sci. 1977. V. 3. № 4. P. 121.

14. Trzebiatowski W., KrolickiF., Zdanowich. //Bull. Acad. Pol. Sci. Ser. Sci. Chim. 1968. V. 16. № 3. P.343.

15. Изотов А.Д., Саныгин В.П., Пономарёв В. Ф. и др. И Тез. докл. VI Всес. координационного совещания "Материаловедение полупроводниковых соединений группы АПВУ ". Каменец-Подольский. 1984. С. 85.

16. Лазарев В.Б., Лужная Н.П., Маренкин С.Ф. и др. II Журн. неорган, химии. 1972. Т. 17. № 11. С. 3082.

17. Hruby A., Stourac L. И Mat. Res. Bull. 1971. V. 6. P. 247.

18. Угай Я.А., Зюбина Т.А., Алейникова КБ. II Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1968. Т. 4. № 1. С. 17.

19. Бокий Г.Б., Саныгин В.П. II Кристаллография. 1979. Т. 24. № 5. С. 1048.

20. Угай Я.А., Маршакова Т.А., Алейникова КБ. и др. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 20. № 5. С. 749.

21. Панкина К.К, Кузнецов В.Г., Лазарев В.Б. и др. II Журн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 8. С. 226.

22. Маренкин С.Ф., Максимова С.И., Хусейнов Б., Шевченко В.Я. И Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1978. Т. 14. № 3. С. 397.

23. Нипан Г.Д., Лазарев В.Б., Гринберг ЯХ. II Журнал неорган, химии. 1982. Т. 27. №7. С. 1788.

24. Нипан Г Д., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. И Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 9. С. 1423.

25. Nipan G.D., GreenbergJ.H., Lazarev V.B. И Mater. Res. Bull. 1985. V. 20. №9. P. 1115.

26. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. II Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 10. С. 1596.

27. Nipan G.D., GreenbergJ.H., Lazarev V.B. //Thermochimica Acta. 1985. V. 92. P. 599.

28. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. II Журнал физ. химии. 1989. Т. 63. №2. С. 325.

29. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. II Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т. 25. № 3. С. 357.

30. Нипан Г. Д., Гринберг Я. X., Лазарев В. Б., Зелвенский М. Я. Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989, Т. 25, № 12, С. 11947.

31. Clark J.B., Pistorius C.W.F.T. II High Temp.- High Press. 1973. V. 5. P.319.

32. Clark J.B., Range K.J. И Z. Naturforsch. 1975. V. 30. № 5. P. 688.

33. Pistorius C. W.F.T. I I High Temp.-High Press. 1975. V. 7. P. 441.

34. Clark J.B., RangeK.J. HZ. Naturforsch. 1976. V. 31 b. № 2. P. 158.

35. Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я., Стеблевский А.В. и др. // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1980. Т. 16. № 10. С. 1757.

36. Глазов В.М., Касымова М. И Докл. АН СССР. 1968. Т. 183. № 1. С.141.

37. Глазов В.М., Касымова М. II Электронная техника. Сер. 14. Материалы. 1968. № 1. С. 66.

38. Сирота Н.Н., Смоляренко Э.М. II Изв. АН СССР. Металлы. 1968. Т. 6. № 6. С. 234. Rau Н. // J. Chem. Termodynamics. 1975. V. 7. № 1. P. 27.

39. Jordan A.S. // J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. № 8. P. 1362.

40. Lyons V. L. & Silvestry V. 1. J. Phys. Chem., 1960, vol. 64, № 2, p. 266.

41. Сухарев С. А., Морозова M. П., Портникова М. М. Журнал общей химии, 159, Т. 29, № 3, С. 781.

42. Горбунов В. Е., ГавричевК. С., ТороповаГ. А. и др. Журнал физической химии, 1986, Т. 60, № 11, С. 2884.

43. Маренкин С. Ф., Шевченко В. Я., Стеблевский А. В. и др. Изв. АН СССР, Неорган, материалы., 1980, Т. 16, № 10, С. 1757.

44. Heike W.Z. II Z. Anorgan. Chem. 1921. V. 118. P. 264.

45. Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Максимова С.И. и др. И Изв. АН СССР Неорган. Материалы. 1979. Т. 15. № 5. С. 749.

46. Landolt-Bornstein L. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series. Group III. V. 41. P. 363. Subvolume C. Springer. 1998.

47. Pietraszko A., Lukaszewicz K. //Phys. Status Solidi (a) 1973. V. 18. P.723.

48. Lazarev V.B., Guskov V.N., Greenberg J.H. // Mat. Res. Bull. 1981. V. 16. № 9. P. 1113.

49. Гуськов B.H., Лазарев В.Б., Котляр A.A. И Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1983. Т. 18. № 4. с. 532.

50. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev КВ., Kotliar A.A. II Mat. Res. Bull. 1982. V 17. № 10. P. 1329.

51. Schoonmaker R.C.,LemmermanK.J. II J. Chem. and Eng. Data. 1972. № 2. P. 139.

52. Munir Z.A., Benavides M.E., MeschiD.R. II High. Temp. Sci. 1974. V. 6. № 1. P. 73.

53. Rau H. И J. Chem. Termodynamics. 1975. V. 7. № 1. P. 27.

54. Гуськов B.H., ГринбергЯ.Х., Лазарев В.Б. II Докл. АН СССР. 1987. Т. 292. №3. С. 651.

55. Гуськов В.Н., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. // Журнал физ. химии. 1987. Т. 51. №9. С. 2319.

56. ГуськовВ.Н., ГринбергЯ.Х., ЛазаревВ.Б., КотрА.А. //Изв. АН

57. СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 9. С. 1418.5 5 (а). Маренкин С. 9?. Коболе &а Ц. С Сяйдуллаеёа уЦ, Спчыгии В 0 СеыврЬс^ие ciJarsH6t . ДМ СССР

58. Бокий Г.Б. Кристаллохимические, физико-химические свойства полупроводниковых веществ. М: Из-во стандартов. 1973.206 с.

59. ШмидтН.Е. //Журнал физ.химии. 1987.Т. 51.№ Ц. С.3105.

60. Ария С.М., Морозова М.П., Хуан Цзи-Тао. // Журн. Общей Химии. 1957. №2. С. 293.

61. Столярова Т.А. //Журнал физ. Химии. 1979. Т. 53. № 5. С. 131.

62. Natta G., Passerini L. II Gazz. Chem. Ital. 1928. V. 58. P. 542.61 .Демиденко Г.Н., ДаниленкоГ.Н., Даниленко B.E. и dp. И Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т. 13. № 2. С. 214.

63. ДаниленкоГ.Н., Даниленко В.Е., Карапетьянц М.Х. и dp. II Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т. 13. № 10. С. 1736.

64. Блеек П.Г., Воронин В.А., Клымкеев А.В. // Журнал физ. химии. 1976. Т. 50. №3. с. 812.

65. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B. II J. Chem. Thermodyn. 1985. V 17. P. 739.

66. V. Horn, K. Lukaszevwicz // Strukture of CdAs2 / Roczniki Chemii, 42, 993,(1968)

67. M E. Fleet II The crystal structure of ZnAs2 / Acta Cryst. (1974) В 30,122

68. Юнович А.Э. «Оптические явления в полупроводниках». Москав, МГУ, 1988, с. 122.

69. Семененя Т.В. Кандидатская диссертация. Оптические и фотоэлектрические свойства CdAs2 и ZnAs2. Физ.ф-т. МГУ. 1996 г., с. 109.

70. Elliott R.I. Intensity of Optical Absorbtion bt Exitions. Phys. Rev., 1957, v. 108, N6, p. 1384-1389.

71. Macfarlane G.G., McLean T.P., Quarrington J.E., Roberts V. Fine structure in the absorbtion-edge spectrum of Ge. Phys. Rev., 1957, v. 108, N 6, 1377 — 1383.

72. McLean T. P. The absorbation edge spectrum of semiconductors. Progr. Semicond., 1960, v.5, p. 55.

73. Нокс P.C. Теория экситонов. Москва, Мир, 1966, с. 219.

74. Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. Москва, Наука, 1984, с. 271

75. Лазарев В.Б.,Шевченко В.Я.,Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы AnBv. М.:Наука, 1978.261 с.

76. Сырбу Н.Н. Оптоэлектронные свойства соединений группы АПВУ. Кишинев, 1983.155 с.

77. Морозова В.А. Маренкин С.Ф. Кошелев О.Г. Энергетические уровни структурных дефектов в диарсениде цинка.// Неорган, материалы. 2002. Т. 38, №4, с. 409-414.

78. Маренкин С.Ф., Морозова В А. Синтез и оптические свойства монокристаллов CdAs2 // Неорган, материалы. Т. 35, № 10, с. 1190 1202. 1999.

79. Marenkin S. F., Morozova V. A. Zinc and Cadmium Diarsenides Single Crystals and Films : Syntesis and Physicocemical Properties I I Russ. Journal Inorg. Chem. 2000. V. 45. Suppl. 1. P. S80-S103.

80. Маренкин. С. Ф., Михайлов С. Г., Морозова В. А., Палкина К. К, Кошелев О. Г. Синтез и свойства монокристаллов твердых растворов CdixZnxAs2 // Неорган, материалы. 2003. Т. 39. №10. С. 1189-1192.

81. Михайлов С. Г.,Маренкин. С. Ф., Палкина К /С Синтез и строение твердого раствора Cdo.97Zno.o3As2 // Журнал неорган, химии. 2003. Т.48. №3. С. 363-365.

82. Кошелев О.Г., Морозова В.А., Баринова Э.Ю., Григорьева Г.М., Ткачева

83. Измерение малых времен жизни неравновесных носителей заряда в кремниевых фотопреобразователях, облученных быстрыми электронами // Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1993. Т. 34. №4. С. 87-92.

84. МорозоваВ.А., Маренкин С.Ф., Семененя Т.В., Раухман A.M., Кошелев О.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства диарсенида кадмия // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1997. Т. 33. №10. С. 1183-1189.

85. LaffRA., Fan H.J. Carrier lifetime in Indium Antimonide // Phys. Rev. 1961. V. 121. №1. P. 53-62.

86. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Сов.радио., 1971. 245 с.

87. Семененя Т.В., Морозова В.А. Особенности краевого поглощения диарсенида кадмия // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1995. Т. 36. №4. С. 87-92.

88. Elliot J. Intensity of Optical Absorptoin by Excitons // Phys.Rev. 1957. V. 108. №6. P. 1384-1389.

89. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. М., Металлургия, 1969. С.38.

90. Михайлов С.Г. Маренкин С. Ф., Волъфкович А. Ю., Астахов В. В. Взаимодействие в системе Zn3As2 — ZnAs2 — CdAs2 Cd3As2 Неорган.материалы 2003. Т. 39. № 9. С. 1064 - 1068.

91. Маренкин С.Ф Михайлов С.Г. Морозова В.А. Палкина К.К. Синтез и свойства монокристаллов твердых растворов CdixZnxAs2 Неорган.материалы 2003. Т. 39. №10, С. 1-4.

92. Маренкин С.Ф., Соколовский К.А., Пищиков Д.И., Раухман A.M. Способ получения полупроводниковых соединений с легколетучим компонентом. А.с. № 1529783 от 6.04.1988 ( СССР)

93. М. Г. Милъдивский, О.В. Пелевин, Б.А.Сахаров «Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений». М. Металлургия. 1974.392 с.

94. Р. Лодиз, Р. Паркер. Рост монокристаллов. М. Мир. 1974. 540 с.

95. У. Д. Лоусон, С. Нильсен. Выращивание монокристаллов. В кн.: Процессы роста и выращивания монокристаллов. М. ИЛ. 1963. с. 301 410.

96. Медведев С.А. «Введение в технологию полупроводниковых материалов» М. Высшая школа. 1970. 504 с.

97. Вилъке К. Методы выращивания кристаллов. Л. Недра. 1968.422 с. ЮХ.ДжонсД. У. Методы выращивания кристаллов тугоплавких металлов в кн.: Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов. М. Мир. 1977. 364 с.

98. Соколовский К.А. Получение монокристаллов и физико-химические свойства диарсенидов кадмия, цинка и эвтектических композиций на их основе. Канд. Дисс. М. 1984. ИОНХ РАН. Москва.

99. Раухман A.M. Синтез и свойства монокристаллов CdAs2. Канд. Дисс. Москва. 1990. ИОНХ РАН.

100. Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Соколовский К.А., Раухман A.M. Способ получения монокристаллов диарсенида металла II группы. А.с. № 4601404/31-26. Положительное решение от 18.04.1989.

101. Пищиков Д.И., Раухман A.M., Маренкин С.Ф. Получение и исследование электрических свойств монокристаллических материалов АПВУ. Воронеж 1987.

102. УгайЯ.А. Введение в химию полупроводников. Издание 2. Москва. ВШ. 1975.

103. АнатычукЛ.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев. Наукова думка. 1979.

104. Керножщкий В.К, Макарова А.Н., Сыромятникова А.С., Шеварин В.И., Томсон А.С. Физико-химические особенности очистки элементов II и VI групп Периодической системы. В сб. соединения AnBv. Металлургия, Москва. 1977.

105. Вантейн Б.К. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Наука. 1979. T.l.c.280-302

106. ФранцевичИ. Н., КонцевойЮ. А. Методы дифракционной микро рентгенографии. Киев. Наукова думка. 1977.74 с.

107. Бублик В. Т., Дубровина А. Н., Зимичева Г. М. Методы исследования структуры полупроводников. М.: МИСиС. 1985. 4.1.175 с.

108. Глазов В. М, Вигдорович В. Н. Микротвёрдость металлов . М.: Металлургия, 1969. с. 13-31.

109. Львов В. Б. Атомно-адсорбционный спектральный анализ. М.: Наука. 1966.392 с.

110. Мэзон Г. Л. Эмиссионный спектральный анализ и атомная абсорбционная спектрофотометрия. В кн.: Приборы и методы физического металловедения. Вып. 2. М.: Минр.1974. с. 271-359.

111. Браун Л. С., ГремХ. Рентгеноспектральный микроанализ. В кн.: Приборы и методы физического металловедения. Вып.2. М.: Мир. 1974. с. 221-270.

112. Файнштейн С. М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. M.-JL: Энергия. 1966. 256 с.

113. НайДж. Физические свойства кристаллов. М.: ИЛ. 1960. с. 38.

114. Даниэл У. Введение в физику полупроводников. М.: Ил. 1958. 264 с.

115. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровикова Р.П. и др. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М. Наука. 1974.

116. Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов, М.: Мир, 1977, часть 1,419с.

117. Саныгин В.П. Энергетическая кристаллохимия и физико-химические свойства полупроводниковых соединений АПВУ и AinBv. // Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.х.н., Москва, 1984.

118. Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Саныгин В.П. Физикохимия и материаловедение двойных полупроводниковых соединений элементов НА VB. // Известия АН СССР, сер. Неорган, мат., 1985, т.21, №5, с.721-729.

119. Саныгин В.П., Лазарев В.Б. Исследование фазовой устойчивости гипотетических полупроводниковых соединений АПВУ. // Тез. докл. VIII Всесоюзного совещания «Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv», 1990, Черновцы, с. 106.

120. Саныгин В.П. Термохимическая устойчивость неорганических веществ с ковалентными и ионными связями (графитоподобных структур, полупроводниковых соединений, ВТСП-оксидов). // Неорган, мат., 1999, т.35, №10.

121. Sheldrick G.M. SHELXL 93. Program for the refinement of crystal structures. University of Gottingen, Germany. 1993.

122. Малинко B.M., Терехова С.Ф. Вим-Трюванне дисперс. тв. Укр. Ф-з. Журн. 1967. Т.2., № 4. С. 632-636.