Сильные оптические нелинейности и оптическая бистабильность в полупроводниках CdS, CdSSe, GaSSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

»Го

НАЗВАНОВА Елепа Васильевна

СИЛЬНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ НЕЛИНЕЙНОСТИ И ОПТИЧЕСКАЯ БИСТАБИЛЬНОСТЬ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ СсЙ, СаББе, ОавБе

Специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА-1996

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА

-ДО_

ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ

на правах рукописи УДК 535.37, 535.343

Работа выполнена на кафедрах квантовой радиофизики и физики полупроводников физического факультета Московского государственого университета им. М.В. Ломоносова.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор Днепровский B.C.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

заместитель директора отделения ФИАН Сибельдин H.H.

доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Хохлов Д.Р.

Ведущая организация: Институт Общей Физики

Российской Академии Наук, г.Москва

Защита состоится " " Ko-t-^f-P 1996 года часов

на заседании Специализированного Совета №2 Отделения физики твердого тела (К 053.05.20) Московского государственого университета им. М.В. Ломоносова по адресу: 119899, ГСП, Москва, Воробьевы Горы, МГУ, физический факультет, криогенный корпус, аудитория 2-05.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

Автореферат разослан " " C'-lc^-l-lJ^ 1996 года.

V

Ученый секретарь Специализированного Совета №2 ОФТТ (К 053.05.20) МГУ им. М.В. Ломоносова, доктор физ.-мат. наук

Г.С.Плотников

Общая характеристика работы

Возбуждение полупроводников мощным лазерным излучением позволяет получать чрезвычайно высокие концентрации неравновесных носителей, при которых существенную роль начинают трать процессы межчастичного взаимодействия, такие как неупругое экситон-экситонное и электрон-электронное рассеяние, образование биэкситонов, эффекты фазовых превращений в системе экситонов и носителей высокой плотности, связанные с ионизационным переходом к электронно-дырочной плазме (ЭДП) или с переходом от экситонов к электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) .

Действие эффектов коллективного взаимодействия приводит к сильной трансформации спектра поглощения полупроводника и, как следствие, является источником сильных оптических нелинейностей, регистрируемых в области края поглощения. Эти нелинейности связаны с возбуждением неравновесных носителей заряда, поэтому их отличительной чертой является выраженный резонансный характер и сравнительно медленная релаксация, определяющаяся скоростью рекомбинационных процессов в системе фотовозбужденных носителей. Другой важной особенностью резонансных нелинейностей в полупроводниках являются "гигантские" значения нелинейных восприимчивостей и, в частности, нелинейной кубической воспр]шмчивости х0) > достигающей 0.01-1СГС.

Эти особенности нелинейностей в полупроводниках привлекают внимание исследователей и с точки зрения развития элементной базы систем обработки и хранения оптической информации, где важны материалы с сильными быстрорелаксирующими нелинейностями. Явление оптической бистабильности (ОБ) на этих материалах предоставляет широкие возможности для решения целого ряда задач эффективного управления лазерным излучением. Вместе с тем явление ОБ стимулирует и

изучение природы обуславливающих ее нелинейных процессов, поскольку обратная связь позволяет регистрировать малые изменения показателя преломления и коэффициента поглощения.

Настоящая диссертационная работа посвящена исследованию резонансных оптических нелинейностей и оптической бистабильности в объемных полупроводниковых соединениях С<18, Сс1Б8е и ваЯЗе. Цель исследований состояла в следующем.

1. Изучение природы резонансных оптических нелинейностей, действующих в области края поглощения полупроводниковых монокристаллов С(18 и С<18х8е1_х. Разработка методик, позволяющих разделить вклады различных типов нелинейностей и, в частности, нелинейностей теплового и электронного происхождения.

2. Исследование механизмов нелинейностей, приводящих к режиму собственной безрезонаторной ОБ в области края поглощения СйБ. Изучение комбинированного действия тепловых и электронных нелинейностей, а также влияния нестационарного теплового разогрева на формирование нелинейно-оптического отклика полупроводника.

3. Экспериментальное исследование изменения распределения интенсивности света в пространственно-неоднородном выходном лазерном пучке при' переходах между устойчивыми состояниями бистабильного элемента.

Актуальность поставленных задач обусловлена существованием целого ряда невыясненных вопросов, касающихся механизмов нелинейностей, регистрируемых в области края поглощения полупроводников. Даже в случае такого хорошо изученного материала, как Сс18, до конца не выяснены как характер протекания перехода Мотга, так и его роль в формировании нелинейно-оптического отклика.

Одним из перспективных применений оптических бистабильных устройств является их использование в качестве элементной базы средств прямой обработки и хранения оптической информации без ее преобразования в электрические сигналы. При этом становится возможной параллельная обработка больших информационных массивов при плотном размещении бистабнльных элементов, что может значительно повысить скоростные характеристики таких систем. Однако здесь неизбежно возникает вопрос о том, на каких расстояниях взаимодействие размещенных рядом оптических логических элементов не повлияет на их независимую работу. Этот вопрос невозможно решить, не зная, как трансформируется пучок с пространственно-ограниченным профилем при прохождешш через оптическое бистабильное устройство. Научная новизна представляемой работы состоит в следующем:

1. Получен режим безрезонаторной абсорбционной ОБ электронной природы в CdS при относительно низких уровнях возбуждения (до 10кВт/см2). Разработана модель "плавного" перехода Мотга для объяснения особешюстей нелинейно-оптического отклика CdS в исследованном диапазоне интенсивностей накачки.

2. Предложен и реализован в случае монокристаллов CdSSe метод исследования конкуренции тепловых и электронных механизмов нелинейности путем анализа релаксации наведенного поглощения в двухимпульсных экспериментах по синхронному зондированию с применением мощного зондирующего импульса, интенсивность которого достаточна для вывода полупроводника в режим нелинейного пропускания.

3. Экспериментально показана определяющая роль отношения длительности импульса ко времени релаксации нелинейности при получении стационарного бистабильного режима нелинейной системы с обратной связью. Зарегистрировано термически индуцированное изменение

пространственного распределения интенсивности выходного сигнала во время переключения бистабилышго элемента как для случая дисперсионной (ОаБЗе), так и абсорбционной (Сс!8) термооптической нелинейности.

Практическая значимость полученных результатов обусловлена тем обстоятельством, что обнаруженные и исследованные в ней эффекты могут быть использованы при создании новых оптоэлектронных устройств и элементов систем оптической обработки информации.

1. Получение и исследование режима безрезонаторной электронной ОБ в Сёв, достигаемого при относительно тгаких уровнях возбуждения, позволяет использовать этот полупроводник (и ему подобные полупроводники А2В6) в быстродействующих низкопороговых нелинейно-оптических переключателях.

2. Изучение нелинейного пропускания смешанных полупроводников Сс38х8е|_х и получение двухимпульсного режима работы (при переключении коротким управляющим импульсом) продемонстрировало возможность их использования в нелинейных устройствах термооптического типа. Перспективы применения смешашшх полупроводников связаны с возможностью широкой (во всем видимом диапазоне) перестройки их рабочей частоты путем изменения композиционного состава.

3. Учет пространственной распределенности световых полей и параметров оптических бистабилышх систем приводит к выявлению новых процессов и эффектов, сопровождающих переход таких систем из одного устойчивого состояния в другое. Среди них - пространственный гистерезис, или гистерезис интенсивности светового пучка. При этом характерным является возникновение волн переключения, на границе которых система находится в разнородных состояниях. Физической основой, определяющей

наличие поперечных эффектов в оптической бистабильности, является диффузия изменения параметров среды или светового поля (дифракция). Помимо чисто научного интереса, поперечные эффекты в ОБ могут иметь и существенную практическую значимость как средство для обеспечения передачи информационных сигналов в направлениях, отличных от направления светового потека. Последнее обстоятельство накладывает определенные ограничения как на само ОБ-устройство (малые размеры вдоль луча, низкие интенсивности воздействия), так и на область параметров, в которой существуют требуемые режимы. Эта область не должна быть слишком узкой с тем, чтобы не затруднять экспериментальной реализации.

Исследование изменения распределения интенсивности света по поперечному сечегапо лазерного пучка, отраженного или прошедшего через бистабильный элемент, привело к практически важному определению условий однородности переключения пучка по поперечному сечению. Экспериментально показано, что при уменьшении размеров области возбуждения до некоторого критического значения и улучшении теплообмена (усилении степени связи нелинейной системы с окружающей средой) переключение происходит однородно по попере'шому сечению луча.

Разработанные и опробованные в диссертации методы измерений могут быть применены при решении широкого круга задач лазерной спектроскопии.

На защиту выносятся следующие положения:

1. В CdS (80К) может быть реализован режим безрезонаторной ОБ электронной природы с относительно низкими порогами переключений (до 10кВт/см2) при настройке лазерной линии в область длинноволнового крыла Л-эксигонной линии поглощения в поляризации, близкой к Elle.

2. Режим безрезонаторной электронной ОБ в СёБ связан с нелинейностями при переходе от слабоионизованного экситонного газа к сильно ионизованной ЭДП (с так называемым переходом Мотга). Переход Мотта в CdS при Т=80К является "гшавхшм" и не сопровождается ио!шзационной катастрофой во всем возбуждаемом объеме полупроводника.

3. Исследования конкуренции тепловых и электронных механизмов нелинейности может быть проведено путем анализа релаксации наведенного поглощения в двухимпульсных экспериментах по синхронному зондированию монокристаллов CdSj.Se с применением мощного зондирующего импульса, интенсивность которого достаточна для вывода полупроводника в режим нелинейного пропускания.

4. На примере полупроводникового интерферометра с термоопгической нелинейностью экспериментально показана определяющая роль отношения длительности импульса возбуждающего излучения го ко времени релаксации нелинейности г в получении стационарного бистабильного режима в нелинейной системе с обратной связью. Переход от оптического гистерезиса, обусловленного нестационарностью отклика нелинейной системы, к оптической бистабильности зарегистрирован при увеличении величины отношения то/т от значения 1<го/г<10 до го/г»10.

5. Экспериментально обнаружен переход от гистерезиса профиля распределения интенсивности света в пространственно-неоднородном лазерном луче, отражешюм от полупроводникового ИФП с термооптической нелинейностью, к пространственно-однородному переключению при увеличении степени связи нелинейной системы с окружающей средой (улучшении теплоотвода).

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на II Всесоюзной конференции "Материаловедение халькогенидпых и кислородосодержащих полупроводников" (Черновцы,

1986), VI Республиканский коллоквиум по оптике и спектроскопии полупроводников и диэлектриков (Сухуми, 1987), III Советско-американском симпозиуме "Лазерная оптика конденсированных сред" (Ленинград, 1987), Международном совещании "Нелинейная оптика полупроводников" (Bandstuer, 1987), III Всесоюзной конференции по вычислительной оптоэлектронике "Проблемы оптической памяти" (Ереван,

1987), Международной конференции "Оптическая бистабильность" (Aussois, France, 1988), Международной конференции "Оптические нелинейности и бистабильность" (Berlin, GDR, 1988), XIV Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Ленинград, 1991), а также на научных семинарах физического факультета МГУ.

Публикации. Основные материалы дисссртащш изложены в 13 статьях, опубликованных в отечественных и зарубежных журналах (ЖЭТФ, Письма в ЖЭТФ, ФТТ, Квантовая Электроника, Доклады АН БССР, Phys. Stat. Sol., J. de Phys.) и препринтах физического факультета МГУ, а также в тезисах докладов, представленных на международных и всесоюзных конференциях.

Структура и объем работа. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Полный объем работы - 143 страницы машинописного текса, включая 50 рисунков. Библиография содержит 154 наименования, в том числе 19 авторских публикаций.

Краткое содержание работы

Глава первая носит обзорный характер. В ней рассмотрены физические процессы, приводящие к модификации энергетического

спектра носителей и экситонов в условиях интенсивного лазерного возбуждения (п. 1.1), переходы, связанные с изменением ионизационного состояния ЭД-системы высокой плотности (п.1.2), механизмы сильных оптических нелинейностей в спектральной области экситонных (п. 1.3) и межзонных (п. 1.4) переходов, а также вопросы конкуренции различных типов оптических нелинейностей при изменении уровня возбуждения и температуры образца (п. 1.5).

Во второй главе изложен материал исследований по нелинейному пропусканию и оптической бистабильности (ОБ) в монокристаллах СёБ. Проведенный в начале главы (п.2.1) анализ литературных данных выделяет круг актуальных задач физики резонансных оптических нелинейностей в Сс18, таких как получение режима безрезонаторной электронной ОБ в СсШ в условиях квазистационарного возбуждения, интерпретация данных по наведенному поглощению, реализованному на электронной нелинейности, конкуренция электронных и тепловых механизмов нелинейного пропускания, роль динамических эффектов (в частности, нестационарного разогрева) при формировании нелинейно-оптического отклика полупроводника.

Следующий параграф (п.2.2) состоит из трех частей. В первой части (2.2.1) приведены экспериментальные результаты по нелинейному пропусканию С(18 (80К) на длине волны 488нм аргонового лазера, соответствующей краю поглощения полупроводника. При сокращении длительности падающих импульсов и одновременном повышении интенсивности возбуждения удалось проследить за переходом от термооптической бистабильности к режиму нестационарного пропускания на термоогтгаческой нелинейности и, наконец, к режиму ОБ на электрошюй нелинейности. ОБ электронной природы регистрировалась при длительностях падающих имиульсов 5-15мкс (что обеспечивало

квазистационарный режим пропускания) в поляризации, близкой к Elle, и характеризовалась относительно низкими порогами переключений, не превышающими 10кВт/см2. В регистрируемых одновременно спектрах люминесценции наблюдалась интенсивная Р-полоса экситон-экситонного взаимодействия, что указывало на существенную роль процессов в экситонной системе и не позволяло объяснить зарегистрированный режим пропускания в рамках модели чисто плазменной ОБ.

Следующая часть п.2.2 посвящена моделированию различных режимов нелинейного пропускания CdS при учете многокомпонентного состава ЭД-системы и перехода "экситоны - ЭДП" (перехода Мотта). Проанализированы нелинейности, возникающие при переходе Мотта двух типов: 1) однородном ("резком"), когда при выполнении условия моттовского перехода возникает скачок концентрации носителей (при этом полная концентрация частиц для перехода "экситоны - ЭДП" и "ЭДП -экситоны" оказывается различной); и 2) при плавном росте концентрации носителей при переходе Мотта (гистерезис в зависимости концентращш свобод1гых носителей от полной концентрации фотовозбужденных частиц отсутствует). Коэффициент поглощения полупроводника расчитывался суммированием вкладов от экситонных и межзотпгых переходов с участием состояний в А- и B-валентных подзонах. Учитывались электронные механизмы нелинейности, связанные с перенормировкой ширины запрещенной зоны и столкновительным уширением экситонного резонанса (роль эффекта заполнения зон была пренебрежимо мала, поскольку даже при максимальной концентрации носителей, реатизованной в условиях эксперимента, выполнялось условие hcop - ßp > кТ, где hcap -энергия фотона накачки, fjp - химпотенциад ЭДП).

Сравните результатов расчетов с экспериментальными данными свидетельствовало в пользу "плавного" характера перехода Мотга. При

"резком" переходе Мотга режим ОБ существует в широком интервале температур и поляризаций, в то время как в экспериментах гистерезис нетепловой природы в зависимости интенсивности прошедшего через кристалл излучения /г от интенсивности падающего I¡ удавалось получить лишь в поляризации близкой к Elle и при минимальном разогреве образца. Кроме того, в эксперимеотах никогда не регистрировалось падение пропускания образца на заднем фронте падающего импульса, предсказываемое в рамках модели "резкого" перехода Мотга в области температур 100-120К или в поляризации падающего излучения, отличающейся от Elle.

Вычисления в рамках модели "плавного" перехода Мотга дают бистабильный режим пропускания в поляризации Elle при Т=80К. Однако даже незначительное изменение угла поляризации или увеличение температуры образца приводят- к подавлению режима ОБ, что согласуется с результатами экспериментов.

В третьей части п.2.2 (2.2.3) изложены результаты исследований по нелинейному пропусканию CdS при совместном действии электронных и тепловых нелинейностей. Показано, что действие сравнительно слабой электронной нелинейности (не достаточной для реализации режима ОБ) вместе с нестационарным разогревом может приводить к появлению гистерезисных зависимостей 1Т от I, , подобных тем, которые наблюдаются доя истинной ОБ, Предложен метод "изотерм", позволяющий качествешш объяснить динамику нелинейного пропускания при доминирующем влиянии электронных нелинейностей и одновременном слабом нестационарном разогреве образца.

Глава третья посвящена результатам экспериментального исследования нелинейного пропускания смешанных полупроводников CdSxSei_x (х=0.83).

В начале главы (п.3.1) приведен краткий обзор электронных механизмов нелинейностей в смешанных полупроводниках СсЦ$х8е]_х, а также обуславливается перспективность их применения в качестве элементной базы систем оптической обработки информации.

Далее (п.3.2) представлены результаты экспериментальных исследований нелинейного пропускания кристаллов СМ5х5е^_х (х=0.83, Т=80К) по однолучевой методике при настройке лазерной линии (Лр = 514.5нм) в область края собствешюго поглощения полупроводника и

по двухлучевой методике при одновременном возбуждении кристалла мощными короткими импульсами азотного лазера (А'=337нм; глубокое межзонное возбуждение). Характер гистерезисных зависимостей интенсивности прошедшего через кристалл излучения 1Т от интенсивности падающего I. свидетельствовал о наличии двух механизмов нелинейности (электронной и тепловой природы), каждый из которых приводил к эффекту наведенного поглощения. Получен режим осцилляций на заднем фронте прошедшего через кристалл импульса, связанный с конкуренцией элекгрошшх и тепловых процессов. Двухимпульсные эксперименты с применением метода синхрошюго зондирования позволили разделить вклады различных типов нелшгейности по большой разнице в характерных релаксационных временах.

Глава четвертая посвящена исследованию пространственных и времешюых характеристик бистабильных элементов с термооптической нелинейностью как дисперсионного, так и абсорбционного типов.

Часть (п.4.1) посвящена изучению особенностей перехода от оптического гистерезиса, обусловленного нестационарностью отклика нелинейной системы с обратной связью, к бистабильному режиму в нелинейных полупроводниковых резонаторах из ОаЯф бБео.ф

В части (п.4.2) исследуется термически индуцированное изменение профиля лазерного луча, прошедшего через полупроводниковый интерферометр из CdS, в режиме термооптического гистерезиса. Численное моделирование процессов переключения для обоих видов термооптичнекой нелинейности дало хорошее согласие с экспериментом.

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем.

1. Получен режим безрезонаторной ОБ электронной природы в CdS (80К) при относительно низких (до 10кВт/см2) уровнях квазистационарного возбуждения и настройке лазерной линии (л^=488нм) в область длинноволнового крыла экситонной линии поглощения. Исследована зависимость нелинейного пропускания CdS от направления поляризации в падающем пучке и температуры образца. Обнаружено, что режим ОБ наблюдается лишь в поляризации излучения близкой к Elle и при минимальном разогреве образца (длительность лазерных импульсов до 15мкс).

2. Разработана модель, объясняющая зарегистрированные режимы пропускания (в том числе и режим ОБ) перенормировкой ширины запрещенной зоны при переходе Мотта от слабоионизованного экситонного газа к сильноионизоватюй ЭДП. Рассмотрены два возможных типа перехода Мотта: "резкий", сопровождающийся ионизационной катастрофой во всем возбуждаемом объеме образца, и "плавный", при котором концентрация экситонов асимптотически стремится к нулю при плотностях носителей, превышающих моттовский предел. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными позволило сделать вывод в пользу модели "плавного" перехода Мотга.

3. Исследовано нелинейное пропускание CdS (80К) при совместном действии электронных и тепловых нелинейносгей (длительность лазерных

импульсов - 20-100 мкс). Показано, что гистерезис в зависимости интенсивности прошедшего света /7- от интенсивности падающего // не всегда является признаком бистабильного режима работы системы, а может быть обусловлен нестационарным разогревом, приводящим к различию в температуре образца на переднем и заднем фронтах падающего импульса. Применение модели "плавного" перехода Мотга позволило удовлетворительно объяснить характер регистрируемых зависимостей /у от /у в режиме одновременного действия электронных и тепловых процессов.

4. Исследовано нелинейное пропускание смешанных кристаллов CdSo.83Seo.17 (80 К) при настройке лазерной линии в спектральную область края поглощения полупроводника. Характер гистерезисных зависимостей /у от // свидетельствовал о наличии двух механизмов нелинейности (элеюрошюй и тепловой природы), каждый из которых приводил к эффекту наведенного поглощения. Проведены исследования динамики восстановления пропускания кристаллом CdSo.83Seo.17 после действия интенсивного наносекундного импульса азотного лазера, позволившие разделить вклад быстрорелаксиругощих электронных и медлешюрелаксирующих тепловых нелинейностей. Продемонстрирована возможность создания нелинейного оптического элемента на смешанном полупроводнике €¿80 3356017. Получен режим переключений нелинейного элемента коротким управляющим импульсом.

5. На примере полупроводникового интерферометра с термооптической нелинейностью экспериментально показана определяющая роль отношения длительности импульса возбуждающего излучения го ко времени релаксации нелинейности г в получении стационарного бистабильного режима в нелинейной системе с обратной связью. Переход от огаического гистерезиса, обусловленного нестационарностью отклика нелинейной системы, к оптической

бистабильности зарегистрирован при увеличении величины отношения rg/r от значения 1<то/г< 10 до го/г»10. Результаты эксперимента подтверждаются численными расчетами.

6. Экспериментально исследовано изменение пространственного распределения интенсивности выходного сигнала во время переключения бистабильного элемента с гермооптической нелинейностью. Зарегистрирован гистерезис профиля распределения интенсивности света в пространственно-неоднородном лазерном луче, отраженном от полупроводникового ИФП с термооптической нелинейностью на основе GaSeo 4SQ g и CdS к пространственно-однородному переключению при увеличении степени связи нелинейной системы с окружающей средой.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. Деребас И.А., Днепровский B.C., Лесив А.Р., Маныкин Э.А., Названова Е.В. Переход от нестационарного к бистабильному режиму в нелинейном Фабри-Перо резонаторе. Препринт N27/1986, М., МГУ, физический ф-т, 5с.

2. Дсребас ИА, Днепровский B.C., Лесив А.Р., Маныкин Э.А., Названова Е.В. Временные и пространственные характеристики бистабильного элемента с термоохггической нелинейностью. Квантовая электроника, 1987, т. 14, N7, с. 1420-1422.

3. Nguen Н.Х., Egorov V.D., Harendt A., Nazvanova E.V. Transverse Spatial Resolution of Thermo-Optical Hysteresis in CdS. Phys. Stat. Sol. (b), 1988, V.148, p.407-412.

4. Днепровский B.C., Климов В.И., Названова E.B., Фуртичев А.И. Экситон-экситошюе взаимодействие и абсорбционная бистабильность в CdS при низких уровнях оптического возбуждения. Письма в ЖЭТФ, 1987, т.45, N12, с.580-582.

5. Днепровский B.C., Климов В.И., Нгуен X., Названова Е.В., Фуртичев А.И. Тепловой и экситонный механизмы абсорбционной бистабилыюсги в CdS. Препршгг N36/1987, М., МГУ, физический ф-т, 5с.

6. Dneprovskii V.S., Furtichev A.I., Klimov V.I., Nazvanova E.V., Okorokov D.K., Vandishev U.V. Excitons at high density in CdS and GaSe, and optical Instability. Phys. Stat. Sol. (b), 1988, v.146, pp.341-350.

7. Dneprovskii V.S., Furtichev A.I., Klimov V.I., Li Shen, Nazvanova E.V., Okorokov D.K., Vandishev U.V. Strong light- semiconductor interaction in CdS and GaSe, and optical bistability. J. de Physique, 1988, v.49, col.C2, N6, pp.241-246.

8. Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В., Пендюр СЛ., Таленский О.Н. Электронный и тепловой механизмы нелинейности в смешанных полупроводниках CdSxSej_x. Препринт N12/1989, М., МГУ, физический ф-т, 5с.

9. Dneprovskii V.S., Furtichev АЛ., Klimov V.I., Nazvanova E.V., Okorokov D.K., Vandishev U.V. Nonlinear optical properties of CdS and optical bistability. Phys. Stat. Sol. (b), 1988, v.150, pp.839-844.

10. Dneprovskii V.S., Furtichev A.I., Klimov V.I., Nazvanova E.V. Resonant nonlinearities and optical bistability in semiconductors. In book: Laser optics of condensed matter. New York: Plenum Press, 1988, pp.457-465.

11. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Шень Ли, Названова Е.В., Окороков Д.К., Пендюр С.А., Таленский О.Н., Фуртичев А.И. Нелинейно-оптические свойства и бистабильность в CdS. Изв. АН БССР, сер. физ.-мат. наук, 1989, N1, с.5-10.

12. Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В. Нелинейное пропускание кристаллов CdS Se . ФТГ, 1990, т.32, N7, с.1941-1946.

13. Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В. Переход Моста и оптическая бистабильность в CdS. ЖЭТФ, 1990, т.98, N3(9), с.1035-1044.

14. Деребас И.А., Днепровский B.C., Лесив А.Р., Названова Е.В. Оптическая бистабильность в резонаторах Фабри-Перо из GaSe и GaSeo 4S0 6, связанная с тепловым сдвигом края поглощения. - II Всесоюзная научно-техшгческая конференция "Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников" (Черновцы, октябрь 1986г.), т.2, с.207.

15. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В., Окороков Д.К.. Лазерная спектроскопия экситонов высокой плотности в кристаллах GaSe и CdS.- VI Республикански»'! коллоквиум по оптике и спектроскопии полупроводников и диэлектриков (Сухуми, 1987г.), с.19-22.

16. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В., Окороков Д.К.. Резонансные нелинейности и оптическая бистабильность в слоистых полупроводниках.- III Советско-Американский симпозиум "Лазерная оптика конденсированных сред" (Ленинград, 1987г.), с.39.

17. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Названова Е.В., Фуртичев А.И. Экситон-экситонное взаимодействие и абсорбционная бистабильность в CdS при низких уровнях оптического возбуждения".- III Всесоюзная конференция по вычислительной оптоэлектронике "Проблемы оптической памяти" (Ереван, ноябрь 1987), ч.1, с.161-162.

18. V. S. Dnepro vskii, A.I.Furtichev, V.I.Klimov, E.V. Nazvanova, D.K.Okorokov, U.V.Vandyshev. Excitons at higli density in CdS, GaSe and optical bistability".- International Woikshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors (Bandstuer, GDR, November 1987), p.27.

19. V.S.Dneprovskii, A.I.Furtichev, E.V. Nazvanova, V.I.Okorokov, V.I.Klimov, U.V.Vandyshev. Excitons at High Density in CdS, GaSe and Optical Bistability".- International Conference on Optical Nonlinearity and Bistability of Semiconductors (GDR, Berlin, August 22-25, 1988), p.TliA-3.