Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, олова, индия

Шрамченко, Юрий Сергеевич

Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, олова, индия тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.21 ВАК РФ

Шрамченко, Юрий Сергеевич АВТОР

кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Воронеж МЕСТО ЗАЩИТЫ

2009 ГОД ЗАЩИТЫ

02.00.21 КОД ВАК РФ

Диссертация по химии на тему «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, олова, индия»

Автореферат диссертации на тему "Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, олова, индия"

0034нээои

На правах рукописи

Шрамченко Юрий Сергеевич

СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИОБИЯ, ОЛОВА, ИНДИЯ

Специальность 02.00.21 - Химия твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

1 4ЯНВ*>дтд

Воронеж - 2009

003489936

Работа выполнена в Воронежском государственном педагогическом университете

Научный руководитель:

доктор химических наук,______

Афонин Николай Николаевич

•> -

Официальные оппоненты: доктор химических наук,

Кецко Валерий Александрович доктор физико - математических наук, профессор Даринский Борис Михайлович

Ведущая организация: Тамбовский государственный технический университет

Защита состоится « 29 » декабря 2009 года в 14 часов 00 минут на заседании Диссертационного совета Д.212.038.19 в Воронежском государственном университете по адресу: 394006 Воронеж, Университетская пл., 1. аул. 439.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета

Автореферат разослан « 27 » ноября 2009 года.

Ученый секретарь Диссертационного совета

доктор химических наук

Крысин М.Ю.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Тонкопленочные системы па основе ниобия, формируемые на монокристаллическом кремнии, являются перспективными материалами для создания контактов к активным областям силовых полупроводниковых приборов. Высокая дефектность тонких пленок, значительная скорость диффузии, обеспечивают эффективный массоперенос компонентов при низких температурах отжига. При этом дефекты не только ускоряют взаимодиффузию, но и повышают скорость химического взаимодействия, что приводит к образованию фаз при температурах, не соответствующих равновесным диаграммам состояния. Эти обстоятельства обуслаЕ;ливают существенные различия в механизмах твердофазного взаимодействия и дефектообразования в топкоплепочных системах и в массивных образцах.

На дефектообразование в системе ниобий-кремний возможно влияние процесса нанесения второго, более тяжелого металла, например, легкоплавкого индия или олова. Для формирования двухслойных пленочных гетеросгруктур с заданными свойствами необходимо установить связь их структуры с условиями синтеза: изучить фазовые превращения, изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящие при их нанесении и последующем отжиге в вакууме и в потоке кислорода. В исследуемых гетероструктурах возможно формирование ин-терметаллидов и силицидов, а также оксидов сложного состава. Эти соединения влияют на качество полупроводниковых и микроэлектронных приборов, поэтому тема работы является актуальной и с практической точки зрения.

Выявление закономерностей во взаимодействии ниобия, олова, индия и кремния при синтезе гетероструктур позволяет не только получать пленки с заданными свойствами, но и способствует развитию представлений о механизме гетерофазных взаимодействий в этих системах, а также решает одну из важнейших задач химии твердого тела - установление зависимости между условиями синтеза, структурой и свойствами тонких пленок.

Цель работы: установление зависимости между условиями синтеза, структурой и свойствами тонких пленок на основе ниобия, олова и индия, формируемых на монокристаллическом кремнии.

Для достижения поставленной цели были сформулированы и решены следующие задачи:

- синтез двухслойных металлических систем олово-ниобий, индий-ниобий на монокристаллическом кремнии методами магиетронного распыления с последующим отжигом в вакууме;

- определение фазового состава синтезированных систем методом рентгеновской дифракции;

- установление структурно - морфологической организации пленок методом атомно-силовой микроскопии;

- определение перераспределения компонентов на межфазных границах металл-металл и металл-кремний методом резерфордовского обратного рассеивания,

__- изучение электрофизических свойств синтезированных пленочных

систем;

- получение пленок сложных оксидов на основе двухслойных металлических систем и исследование их оптических свойств (спектров пропускания и поглощения).

Научная новизна:

- Синтезированы двухслойные тонкопленочные системы легкоплавкий -тугоплавкий металл (олово - ниобий, индий - ниобий) на монокристаллическом кремнии.

- Установлено низкотемпературное (при температуре 770 К) образование силицида ниобия в тоикопленочной системе олово - ниобий - кремний по сравнению с равновесной фазовой диаграммой ниобий - кремний (-1900 К).

- Синтезированы оксидные пленки в системе олово - оксид ниобия, обладающие высокой прозрачностью.

- Комплексным исследованием с помощью методов: резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, получены экспериментальные данные о характере фазообразования и микроструктуры, распределения компонентов по глубине, о протяженности переходных по концентрации областей в пленочных системах: ниобий, олово - ниобий, индий - ниобий на монокристаллическом кремнии.

- Разработана численная математическая модель взаимной диффузии в системах ниобии - кремний, олово - ниобий - кремний, согласующаяся с экспериментом.

Практическое значение. Определяется важностью проблемы создания контактов к полупроводниковым приборам. Полученные результаты могут быть использованы для выбора оптимальных режимов формирования омических и выпрямляющих контактов. Оксидные пленки, обладающие высокой прозрачностью, могут быть использованы в качестве просветляющих и прозрачных покрытий в оптоэлектронике.

Достоверность результатов подтверждается применением в работе современных методов исследования, многократным повторением экспериментов и высокой степенью воспроизводимости результатов.

На защиту выносятся следующие положения:

- Магнетронное распыление легкоплавких металлов (индий, олово) па плёнку ниобия стимулирует гетерофазное взаимодействие компонентов, приводящее к образованию иптерметаллических соединений;

- Гетерофазная диффузия компонентов в процессе синтеза пленок оло-во-ииобий, индий-ниобий на монокристаллическом кремнии, сопровождается химическим взаимодействием с образованием силицпдпых фаз при температуре 770 К, что существенно ниже, чем в равновесных условиях взаимодействия в массивных образцах ниобий-кремний 1900

к);

- Методика синтеза оксидных пленок, основанная на модифицировании оксида ниобия оловом путем диффузии его в процессе вакуумного отжига и термического оксидирования, позволяющая получать оксид, обладающий высокой прозрачностью;

- Результаты комплексного исследования перераспределения компонентов, структурно - морфологических изменений поверхности и твердофазных взаимодействий в пленочных системах ниобий - кремний, олово - ниобий - кремний, индий - ниобий - кремний методами: резерфор-довского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XXXVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2008), XI международной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2008), VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2008), IV Всероссийской конференции «Физико - химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-200В» (Воронеж, 2008), VI Международной конференции и V школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Новосибирск, 2009), XI международной научной конференции химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии (Кисловодск, 2009), VII всероссийской школе - конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наноси-стем и материалы)» (Воронеж, 2009).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 11 публикациях, в том числе работы №№ 1-3 опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК РФ для публикации содержания диссертации.

Структура н объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы, включающего 160 наименований.

Работа изложена на 132 страницах основного текста, иллюстрирована 65 рисунками и содержит 8 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность проблемы, сформулированы цели и задачи работы.

В первой главе диссертационной работы представлен анализ литературных данных по проблеме исследования.

Рассмотрены наиболее перспективные направления синтеза тонких пленок. Особое внимание уделено методам получения пленок в вакууме. Проведен сравнительный анализ способов получения тонкопленочных ге-тероструктур. Оценены достоинства и недостатки различных методов формирования тонких пленок с точки зрения их простоты, надежности, воспроизводимости результатов. Обсуждены преимущества и обоснован выбор магнетронного способа получения тонкопленочных гетероструктур.

Приведены основные физико-химические и кристаллохимические свойства материалов, которые служили основой синтеза тонкопленочных гетероструктур. Проанализированы литературные данные по исследованиям процессов образования силицидов и интерметаллидов в тонкопленочных системах на основе ниобия.

Особое внимание уделено физико-химическим свойствам тонких пленок на основе ниобия и олова.

Во второй главе приведены основные экспериментальные методики, использованные в работе.

Осаждение тонких пленок осуществлялось методами магнетронного распыления и вакуумно-термического испарения. В качестве материала катода для распыления металлических пленок использовали мишени, изготовленные из ниобия, олова и индия с содержанием примесей не более 0,01 ат.%. Напыление металлов производилось в едином технологическом цикле. Толщина исходных металлических пленок задавалась временем распыления. Технологические параметры распыления представлены в таблице 1. Рдг - давление аргона, 1р - ток разряда, II,, - напряжение разряда, У0с - скорость осаждения.

Таблица 1. Режимы распыленна металлических пленок

Технологические параметры напылении 1ЧЬ вп 1п

1Р,Л 0,7 0,25 0,1

и„, В 380 450 420

1'лг, На 0,147 0,213 0,213

Уос, нм/с 0,46 1,42 0,98

Отжиг образцов проводили в установке фотонного отжига. Вакуумная - камера откачивалась диффузионным насосом до остаточного давле-

ния 2,7-10"' Па. Источником ИК нагрева образца служили галогенные лампы ЛГ- 220/1000.

Рентгенофазовый анализ (РФА) плёночных систем проводили на ди-фрактометре ДРОН 4-07 в автоматическом режиме с шаговым перемещением 0. Io со временем экспозиции в каждой точке 1 с (СиК1Х - излучение, А. = 1.54178 Á). Рентгенофазовый анализ проводили, сравнивая полученные значения dhk| с данными из международной дифракционной базы данных JCPDS.

Исследование морфологии поверхности пленок проводили методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на сканирующем зондовом микроскопе Solver P47PRO.

Микроструктуру и толщину пленок изучали на сколах образцов в растровом электронном микроскопе JSM-6380 LV. Распределение элементов по глубине определялось методом резерфордовского обратного рассеивания (POP).

Спектральные исследования проводили с помощью двухлучевого спектрофотометра UV - 2404 фирмы Shimadzu в диапазоне длин волн 190 -900 нм. В качестве эталонов использовали кварцевую подложку.

В третьей главе диссертационной работы приведены данные по исследованию гетерофазных взаимодействий в процессе синтеза тонкопленочных систем на основе ниобия, олова и индия на монокристаллическом кремнии.

Исследование эволюции фазового состава, проведенное методом РФА, полученной тонкопленочной системы Nb - Si показало, что после нанесения металла и вакуумного отжига в диапазоне температур Т = 420 -770 К химических соединений ниобия с кремнием не образуется, рис. 1 а, б.

Исследования морфологии поверхности пленок Nb - Si, полученные методом АСМ, показали, что пленка ниобия после нанесения имеет практически гладкую поверхность, в процессе отжига происходит уплотнение пленки.

Исследование распределений концентрации компонентов по глубине пленки Nb методом POP показало, что в системе ниобий - кремний уже в процессе нанесения ниобия происходит гетерофазное взаимодействие, приводящее к появлению переходной по концентрации компонентов области протяжённостью ~ 30-40 нм (рис. 2 а).

Асимметричный характер распределений концентрации свидетельствует о том, что в исследуемой системе ниобий переходит через межфаз-

Рис.1. Дифрактограмма (а) и микрофотография поперечного скола (б) системы N1) - 8| после вакуумного отжига при Т ~ 770 1С.

____ ную границу (МФГ) в кремний. В процессе

/' магнетронного распыления атомы ниобия об-

/ ладают достаточной кинетической энергией

\ для проникновения в кремний. Поэтому пере-

ход ниобия через МФГ ЫЬ/31 происходит, вероятно, путём имплантации и с участием дефектов радиационного происхождения, вводимых в систему ЫЬ - в процессе магнетронного осаждения.

Вакуумный отжиг в диапазоне Т = 420 -770 К приводит к сужению области концентрационного перехода на МФГ МЬ/Э^ его протяженность уменьшается до ~ 16 нм (рис. 2 б, в) по сравнению с исходным образцом, при увеличении модуля градиента концентрационных распределений в области МФГ.

Уменьшение протяжённости переходного концентрационного слоя с ростом температуры обусловлено, вероятно, отсутствием заметного растворения ниобия в кремнии в условиях эксперимента. Распределение концентрации РД имеет максимум в области металлургической границы МЬ/Бь В процессе отжига происходит их распад с образованием неравновесных точечных дефектов, мигрирующих в обе стороны от МФГ. Миграция точечных дефектов вглубь кремния приводит к появлению встречного потока атомов ниобия из кремния к МФГ, и, как следствие, к сужению переходной области.

Для исследования процессов гетеродиффузии в системах МЬ - Б! и Бп - ЫЬ - разработана модель, основанная на двух положениях её физико-химической картины: а) считается, что гетеродиффузия в исследуемых системах сопровождается эффектом Киркендалла, т.е. миграция компонентов не сопровождается образованием вакансионной пористости, и б) парциальные коэффициенты диффузии линейно зависят от концентрации компонентов. Необходимо особо отметить, что в качественной картине процессы химического взаимодействия не учитывались. Математическая модель представляет собою развитие модели Даркена количественного описания эффекта Киркендалла, но в нелинейном приближении. Последнее обстоятельство обусловило численный характер решения, и было связано с необходимостью разработки прикладной программы для ЭВМ моделирования процессов гетеродиффузии.

Полагаем, что на межфазной границе раздела двух компонентов А и В происходит процесс гетеродиффузии. Если подвижной компонентой является А, то при Од>Оп имеем перемещение МФГ к поверхности вследствие эффекта Киркендалла. В этом случае взаимная диффузия может быть

:п утг Т7 Т7Г

■ I

■ иго», ¿Цучу-З,

Рис. 2. Распределения концентрации ниоби.ч и кремния по глубине системы ЫЬ - 81 после осаждения ниобия (а), последующего вакуумного отжига при Т = 420 К (б) и 770 К (в). Точки: 1 - 1МЬ, 2 - 8>.

описана с помощью эффективного коэффициента гетеродиффузии. Диффузионные уравнения для компонентов имеют вид

з< эД э.() (])

д1 эД Эх ) (2)

где х - координата от поверхности образца, г - время, Сд, Сцконцентрации А и В, соответственно. Эффективный коэффициент гетеродиффузии имеет в нашем случае вид д-^Р лС, + Р,С,

, (3)

где Ол и Оа - коэффициенты диффузии А и В, число узлов, К = СА + СВ. (4)

Полагаем, что число узлов изменяется линейно с изменением состава

' , (5)

где Ы5д, N¡,0 - число узлов в соответствующих чистых компонентах А и В (для кремния = 5.е22 см"3, олова = 3.77е+22 см"', ниобия = 5.553е+22 см"3).

Считаем, что коэффициенты диффузии А и В линейно изменяются с составом

_РЛ.,СД + РД„СП

Л - х.

N. (6)

п - ^ВЛ^Л + РЦЗСЦ ив--Г.

(7)

где Ода, Олв, - парциальные коэффициенты диффузии А в А, В, соответственно, Овд, Эвв - парциальные коэффициенты диффузии В в А, В, соответственно.

Начальные условия: Сд — Иза при 0 < х < И , Ь - толщина плёнки компонента А. Св = N53 при Ь < х < Ь, Ь - толщина плёнки компонента В (8)

(или ширина области решения в в случае системы ЫЬ-Б)). Граничные условия: ЭСл _ ЪСВ _ 0

Эх Эх ; при х = О и х = Ь. (9)

Полученные экспериментально, методом резерфордоиского обратного рассеяния, концентрационные распределения в исследуемых системах численно анализировались в рамках разработанной модели. По наилучшему соответствию модельных и экспериментальных концентрационных распределений определялись доминирующий компонент гетеродиффузии, парциальные коэффициенты диффузии и потоки компонентов.

Система ЫЬ - (осаждение + изохронный 30 мин. вакуумный отжиг). Доминирующий диффузаит - ниобий в кремнии. С ростом темпера-

туры отжига толщина переходного по концентрации слоя уменьшается. Установлена температура отжига - 673 К, при которой в условиях эксперимента наблюдается заметная диффузия ниобия в кремний.

Исследование методом РФА фазового состава тонкопленочной системы 8п - ЫЬ - показало, что в процессе осаждения олова на пленку ниобия происходит образование интерметаллической фазы ЫЬбБп; наряду с субоксидом ниобия ■/-N560. Анализ микрофотографий РЭМ, покрал, что сформированная двухслойная металлическая пленка имеет крупноблочную структуру с кристаллитами размера порядка 1 мкм и резкую границу раздела между металлами (рис. 3 а, б).

При отжиге в вакууме до температуры плавления олова (~ 500 К) фазовый состав и морфология поверхности плёнки не меняются, тогда как отжиг при более высокой температуре (Т = 770 К) приводит к образованию фазы силицида ниобия Ь^ЭЬ (рис. 4 а). Общая толщина пленки уменьшается до 190 нм, (рис. 4 б), при отсутствии видимой границы раздела металлов.

Рис. 3. Дифрактограмма (а) и микро- Рис. 4. Дифрактограмма (а) и микрофотография поперечного скола (б) фотография поперечного скола (б) системы 5п - ЫЬ - после последова- системы Бп — 1ЧЬ - $1 после вакуумного

Исследования морфологии поверхности пленок Sn - Nb - Si, полученные методом ACM, показали, что увеличение температуры отжига приводит к укрупнению зерен от 100 нм до 1,5 мкм.

Магнетронное распыление олова на плёнку ниобия приводит к существенному перераспределению компонентов на МФГ Nb/Si. На рис. 5 представлены распределения концентраций компонентов в системе Sn - Nb - Si после нанесения олова па пленку ниобия и последующего вакуумного отжига при Т= 510 К.

Как видно из рис. 5, осажденная система содержит две переходные диффузионные области. Переход между пленками Sn и Nb имеет протяженность ~ 60 нм, носит симметричный характер с взаимным проникновением олова и ниобия. Переход между ниобием и подложкой кремния имеет протяженность ~ 200 нм, а характер концентрационного распределения

тельного напыления металлов.

отжига при Т = 770 К и времени отжига t = 30 мин.

свидетельствует о доминирующем проникновении ниобия в кремний. Последующий отжиг приводит к проникновению осажденного ранее олова в пленку ниобия с формированием на поверхности образца тонкого (~ 40 нм) слоя 8пхМЬу с примесью кремния. В результате фотонного отжига общая толщина металлической пленки уменьшается до ~ 200 нм. Градиент распределения кремния в диффузионной области с ниобием не изменился, однако, концентрация его в ниобии увеличилась до 20-25 ат.% при практически однородном распределении по глубине плёнки ниобия. Последнее может свидетельствовать об образовании химического соединения между ниобием и кремнием.

Согласно равновесной фазовой диаграмме химического взаимодействия в системе ниобий-кремний с образованием силицидов ниобия следует ожидать при температуре ~ Т = 1900 К. Отметим, что в условиях нашего эксперимента в тонкопленочной системе силициды ниобия образуются при существенно меньшей температуре (Т = 770 К).

Этот экспериментальный факт объясняется, вероятно, достижением высокой концентрацией ниобия за счет диффузионного проникновения в кремний, как в процессе осаждения олова, так и в процессе последующего отжига слоистой системы олово-ниобий на кремнии. Возникающие при образовании интерметаллидов механические напряжения стимулируют диффузионное проникновение ниобия в кремний. Релаксация механических напряжений сопровождается генерацией дефектов в пленке и создает необходимые условия для твердофазного химического взаимодействия -понижение энергетического барьера формирования силицида ниобия и источника «свободного объема», необходимого для встраивания образующегося структурного фрагмента силицида на межфазной границе: пленка ниобия - кремний.

Численный анализ экспериментальных концентрационных распределений в рамках разработанной модели в системе Бп - ЫЬ - (осаждение + изохронный 30 мин. вакуумный отжиг). В ходе 2-х минутного процесса осаждения олова происходит существенное и низкотемпературное проникновение ниобия в кремний. Результаты анализа этой системы приведены в таблице 2.

Рис. 5. Распределения концетраций Бп (точки 1), ЫЬ (точки 2) и Б! (точки 3) по глубине после послойного осаждения плёночной системы Эп - N6 на и последующего вакуумного отжига при Т = 510 К, 30 мин. (точки - эксперимент, кривые - результаты моделирования).

Таблица 2. Результаты определения значений коэффициента диффузии, X П1 - ^стпллур-гпчсской границы и с! - толщины переходного диффузионного слоя. ___

N Т, К отжига Х„„ им БиМЬ Хт, ИМ ЫЬ/Я! ^N11, ИМ См, в плёнке Эп ОБП-^ЧЬ хЮ20, м2/с хЮ20, м2/с х 1020, м2/с хЮ20, м2/с

6 исходи. 198____ __________ ____________ -------- ------------

7 420 154 290 136 8.2-19.8 3 9 17.5 6

8 520 140,5 265 124, 5 10.219.8 0.8 2 6 2

9 570 134 268 134 0- 19.8 I 3 6 0

Как видно из неё, в подсистеме Эп - имеет место взаимная диффузия компонентов с преобладанием диффузии Ь'Ь в Бп. В подсистеме МЬ -Б! преобладает диффузия МЬ в 81, причём при температурах 420 и 520 К регистрируется встречный поток кремния в ниобий, исчезающий с ростом температуры отжига. С ростом температуры последующего отжига: на межфазной границе ЫЬ/51 потоки № в и в КЬ уменьшаются; на межфазной границе ЯпЖЬ потоки Яп в 1чЬ и N11 в Бп уменьшаются. В плёнке олова количество связанного ниобия уменьшается, координата металлургической границы Бп/ИЬ смещается к внешней границе образца (толщина слоя олова уменьшается).

Следует отметить, что если распределения компонентов в области диффузионного перехода описываются моделью хорошо, что и позволяет определить коэффициенты диффузии, то распределение компонентов в глубине фаз приближается неудовлетворительно. Это свидетельствует о том, что в процессе синтеза тонкоплёночных систем имеет место химическое взаимодействие с образованием силицидов и интерметаллидов.

Сравнительный анализ распределений концентраций компонентов по глубине в системах Яп - ЫЬ - Б!" в зависимости от способа нанесения олова,

показал, что в случае вакуумно - термического испарения олова перераспределения компонентов на межфазных границах ЫЬ/Б] и БпЖЬ и химического взаимодействия между металлическими слоями олова и нмобия, а также формируемой пленки с кремниевой подложкой не происходит (рис. 6).

На рис. 7 представлена температурная зависимость сопротивления плёнок, измеренная в диапазоне от 20 до 100. Установлено, что способ нанесения легкоплавкого металла олова определяет электрофизические свойства формируемой гетерострук-туры.

29, град.

Рис. 6. Дифрактограмма системы Бп -МЬ - после вакуумно - термичеекго испарения олова.

Так в случае магнетронного распыления удельное сопротивление пленки гораздо меньше удельного сопротивления кремния и температурная зависимость подчиняется уравнению, известному для металлических диспергированных пленок: р = р()[1 + а(Т-273)] + Сехр(9/кТ), где а - температурный коэффициент сопротивления, С - постоянная отдельной пленки, О - дебаевская температура. Полученная зависимость свидетельствует о металлическом характере пленки и подтверждает наличие интерметаллидов и силицидов. В случае нанесения пленок олова вакуум но-термическим испарением, формируемая гетероструктура проявляет температурную зависимость сопротивления, характерную для полупроводниковых фаз.

Модифицированием оксида ниобия Nb02 оловом путем

к ПО НЧ 1(10 121) ни 1С) 4 Ж) той ..и

Г. "С

Рис. 7. Температурная зависимость сопротивления пленок системы Бп - N1) - вь 1 магнетронное распыление олова; 2 - вакуумио термическое испарение олова.

отжига пленочной системы Бп - 1\1Ь03 в вакууме и в потоке кислорода при Т = 770 К. на подложках монокристаллического кремния и кварца удалось синтезировать пленки сложного оксида состава Э^Г^СЬ, обладающих высокой прозрачностью (пропускание - 72%).

Исследование эволюции фазового состава, проведенное методом РФА, полученной тонкопленочной системы 1п - Ь1Ь - 51 показало, что образующаяся пленка имеет крупноблочную структуру с кристаллитами размера порядка 1,5 мкм (рис. 8). Отжиг в вакууме при температуре Т = 420 К приводит к образованию фазы 1пЫЬ04(рис. 9).

I, ОШ ..Д.

Vi * п

I, ош.сд.

1 s

29.0 32.0 36.0 40.0 44.0 48.0 52.0 «.С

20,1рд.

Рис. 8. Дифрактограмма (а) и (б) микрофотография поперечного скола системы [п - N¡3 -после последовательного напыления металлов.

29.0 32.0 36.0 40.0 44.0 4S.0 12.0 60.0 20. |рад.

Рис. 9. Дифрактограмма (а) и (б) микрофотография поперечного скола системы In - Nb - Si, после вакуумного отжига при Т = 420 К и времени отжига ( = 30 мин.

I, ОГК.СЛ-

15.0 М.О 32.0 40.0 .18.0 60.

20, [рад.

Рис. 10. Дифрактограмма (а) и микрофотография поперечного скола (б) системы 1п - N13 -после вакуумного отжига при Т = 770 К.

В процессе вакуумного отжига при температуре Т = 770 К, на ди фрактограмме (рис. 10) обнаруживаются рефлексы, принадлежащие силициду ниобия ЫЬ.^г-

Исследования морфологии поверхности пленок 1п - ЫЬ - Б!, полученные ■ методом АСМ, показали, что увеличение , температуры отжига приводит к укрупнению зерен от 200 нм до 3 мкм, пленка становится менее шероховатой.

На рис. 11 а-в представлены распределения концентраций компонентов в системе 1п - N1} - 8) после распыления индия на пленку ниобия (а) и последующего вакуумного отжига при Т = 420 и 770 К (б, в). Плёночная система после магнетронного распыления содержит две переходные концентрационные области. Область между пленками 1п и № имеет протяженность ~ 60 нм и носит симметричный характер, свидетельствующий о проникновении индия в ниобий в ходе осаждения индия. Переходная концентрационная область между ниобием и подложкой кремния имеет протяженность ~ 250 нм, соизмеримую с толщиной осаждаемых металлических плёнок, а характер распределения концентраций свидетельствует о процесс; глубокой взаимной диффузии компонентов.

Таким образом, магнетронное распыление легкоплавкого металла олова или индия на плёнку ниобия стимулирует гете-рофазную диффузию компонентов в системе N13 - через МФГ ^/Бь с доминирующем пронисновением ниобия в кремний. Вероятной причиной стимулирования перераспределе -шя компонентов в системе ЫЬ - может служить дефектообразова-ние радиационной природы в ходе магнетронного осаждения плёнок индия и олова. Вакуумный отжиг приводит к сужению области концентрационного пере хода на МФГ МЬ/Б1 по сравнению с исходными образцами после осажде ния и увеличению градиента концентрационного распределения в нём. Ге

•ч! 1

'.V ... /

Рис. 11. Распределения концентраций индия, ниобия и кремния по глубине системы 1п -ЫЬ - после осаждения индия (а), последующего вакуумного отжига при Т = 420 К (б) и 770 К (в). Точки: 1 - 1п, 2 - N6, 3 -81.

терофазная диффузия компонентов в процессе синтеза пленок олово-ниобий, индий-ниобий, включающего магнетронное распыление и вакуумный отжиг, приводит к химическому взаимодействию и сопровождается образованием силицидных фаз при температурах существенно ниже, чем в равновесных условиях взаимодействия в системе ниобий-кремний. Низкотемпературное образование силицида ниобия МЬ531з в тонкопленочной системе олово - ниобий может быть связано с возмущением дефектной подсистемы пленки, вызванного образованием интерметаллида ЫЬбБп;, в процессе магнетронного распыления олова.

Комплекс применяемых методов исследования позволяет изучать ге-терофазные взаимодействия, процессы фазообразования и перераспределения компонентов в системах металл-металл, управлять условиями синтеза тонкопленочных систем и получать структуры с заданными свойствами.

Выводы:

1. В процессе магнетронного распыления ниобия на кремний возникает переходная концентрационная область протяжённостью 30 - 40 нм, соизмеримая с толщиной плёнки металла (150 нм). Характер концентрационного распределения компонентов на МФГ МЬ/Б! свидетел ьствует о доминирующем проникновении ниобия в кремний.

2. Процесс магнетронного распыления, как индия, гак и олова на плёнку ниобия стимулирует гетерофазную диффузию компонентов через МФГ ИЬ/Бь которая приводит к увеличению протяжённости переходного по концентрации слоя до ~ 250 нм и сопровождается образованием силицидных фаз. Концентрационные распределения свидетельствуют не только об ускорении перехода ниобия в кремний через МФГ но и о его глубокой диффузии в объёме кремния, а также о встречной диффузии кремния в плёнку ниобия.

3. Последующий отжиг систем 8п - ЫЬ - Б!, 1п - ЫЬ - Б! приводит:

а) к растворению олова и индия в ниобии в процессе отжига, и, как следствие, уменьшению общей толщины металлической плёнки;

б) к сужению области концентрационного перехода на МФГ ЫЬ/Б! по сравнению с исходными образцами после нанесения и увеличению градиента концентрационного распределения в нём.

4. Низкотемпературное образование силицида ниобия ЫЬ55и в пленочной системе олово - ниобий инициировано возмущением дефектной подсистемы пленки, вызванного образованием интерметаллида ЫЬ^Пз. в процессе магнетронного распыления олова.

5. Модифицированием оксида ниобия ЫЬ02 оловом путем отжига пленочной системы Бп - ЫЬ02 в вакууме и в потоке кислорода при Т=773 К на подложках монокристаллического кремния и кварца синтезированы пленки сложного оксида состава 8п2МЬ207, обладающие высской прозрачностью.

Основное содержание работы изложено в следующих публикациях:

1. Синтез и оптические свойства пленок сложных оксидов на основе олова и ниобия / H.H. Афонин, В.А. Логачева, А.Н. Лукин, Д.М. Прибытков, Ю.С. Шрамченко, A.M. Ховив // Вестник ВПУ, Серия: Химия. Биология. — Фармация. - 2008. - № 2. - С. 5-10.

2. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn - Nb на кремнии / В.М. Вахтель, Ю.С. Шрам-ченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, Д.М. Прибытков, A.M. Ховив // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. Т. 74., № 7. - С. 3337.

3. Перераспределение компонентов в процессе формирования пленок Nb и In/Nb на монокристаллическом кремнии / H.H. Афонин, В.А. Логачева,

A.M. Ховив, В.М. Вахтель, Ю.С. Шрамченко // Неорганические материалы. - 2009. - Т. 45., № 9. - С. 1074-1078.

4. Исследовании механизма образования силицидов при фотонном отжиге тонкопленочной структуры Sn - Nb - Si / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин,

B.А. Логачева, Д.М. Прибытков // Материалы 6 всероссийской школы-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)», Воронеж. - 2007. С. 3-4.

5. Возможности применения метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочных систем Sn - Nb и In - Nb на монокристаллическом кремяии / В.М. Вахтель, H.H. Афонин, В.А. Логачева, Ю.С. Шрамченко, Д.М. Прибытков, A.M. Ховив // Тезисы докладов XXXVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва. - 2008. С. 172.

6. Синтез и свойства нанокристаллических пленочных систем ниобия, индия и олова на монокристаллическом кремнии / H.H. Афонин, В.А. Логачева, Ю.С. Шрамченко, A.M. Ховив // Сборник трудов VI международной конференции ((Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург. - 2008. С. 141-142.

7. Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Nb, Sn -Nb, In - Nb и на монокристаллическом кремнии / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, A.M. Ховив // Материалы конференции «ФА-ГРАН-2008», Воронеж. - 2008. Т. 1. - С. 307-310.

8. Формирование нанокристаллических пленок сложных оксидов на основе олова и ниобия как перспективных материалов для оптоэлектроники / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, Д.М. Прибытков, А.Н. Лукин, A.M. Ховив // Материалы конференции «ФАГРАН-2008», Воронеж. -2008. Т. 1. - С. 2.10-311.

9. Исследование методом POP процесса гетерофазной диффузии в тонкопленочной системе титан - монокристаллический кремний / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, Э.А. Долгополова, A.B. Кононенко,

A.M. Ховив // Материалы конференции «ФАГРАН-200Я», Воронеж. -2008. Т. 1.-С. 554-555.

10. Фазовые превращения и перераспределение компонентов в процессе формирования пленочных систем Nb, In - Nb и Sn - Nb на монокристаллическом кремнии / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, В.М. Вахтель, А.П. Кобзев, A.M. Ховив // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2009. - Т. 11., № 1. - С. 21 -30.

11. Особенности формирования и электрофизические свойства нанораз-мерных пленочных гетероструктур Sn - Nb на монокристаллическом кремнии / Ю.С. Шрамченко, H.H. Афонин, В.А. Логачева, Г.С. Григорян, A.M. Солодуха, A.M. Ховив // XI международная научная конференция химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии, Кисловодск. - 2009. С. 427.

Работы №№ 1-3 опубликованы в журналах, рекомендоЕанных ВАК РФ для публикации содержания диссертации.

Научное издание

ШРАМЧЕНКО Юрий Сергеевич

Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобня, олова, индия

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Подписано в печать 26.11.20Э9. Формат 60x84 4 ц,. Печать трафаретная. Гарнитура «ТэПмс». Усл. печ. л. 1,12. Уч.-изд. л. 1,05. Заказ 319. Тираж 100

Воронежский госпедупиверситет. Огиечатано с готового оригинала-макета в типографии университета. 394043, г. Воронеж, ул. Ленина, 86.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата химических наук, Шрамченко, Юрий Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ НИОБИЯ, ОЛОВА,

ИНДИЯ

1.1. Сравнительный анализ способов получения тонких пленок

1.1.1. Метод термического напыления

1.1.2. Метод магнетронного напыления

1.1.3. Ионно-плазменное напыление 19 1.1.3.1. Процессы, происходящие при взаимодействии энергетических частиц с поверхностью твердого тела

1.2. Основные физико-химические свойства тонких пленок на основе ниобия, олова и индия

1.2.1. Взаимодействие в системе ниобий - кремний

1.2.2. Взаимодействие в системе ниобий - олово

1.2.3. Взаимодействие в системе индий - ниобий

1.3. Свойства тонких пленок на основе ниобия, олова, индия

Глава 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Подготовка исходных подложек

2.2. Магнетронный способ распыления пленок

2.3. Вакуумный отжиг при фотонном нагреве подложек

2.4. Оксидирование в печи резистивного нагрева

2.5. Рентгенофазовый анализ

2.6. Метод резерфордовского обратного рассеяния

2.7. Атомно-силовая микроскопия

2.8. Растровая электронная микроскопия

2.9. Методики исследования оптических свойств

Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

3.1. Гетерофазные взаимодействия в процессе синтеза пленочной 71 системы ниобий - кремний

3.2. Гетерофазные взаимодействия в процессе синтеза пленочной системы олово - ниобий — кремний

3.3. Гетерофазные взаимодействия в процессе синтеза пленочной системы индий - ниобий — кремний

3.4. Оптические свойства пленок сложных оксидов на основе олова и 106 ниобия

Введение диссертация по химии, на тему "Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, олова, индия"

Актуальность темы. Тонкопленочные системы на основе ниобия, формируемые на монокристаллическом кремнии, являются перспективными материалами для создания контактов к активным областям силовых полупроводниковых приборов. Высокая дефектность тонких пленок, значительная скорость диффузии, обеспечивают эффективный массоперенос компонентов при низких температурах отжига. При этом дефекты не только ускоряют взаимодиффузию, но и повышают скорость химического взаимодействия, что приводит к образованию фаз при температурах, не соответствующих равновесным диаграммам состояния. Эти обстоятельства обуславливают существенные различия в механизмах твердофазного взаимодействия и дефектообразования в тонкопленочных системах и в массивных образцах.

На дефектообразование в системе ниобий-кремний возможно влияние процесса нанесения второго, более тяжелого металла, например, легкоплавкого индия или олова. Для формирования двухслойных пленочных гетероструктур с заданными свойствами необходимо установить связь их структуры с условиями синтеза: изучить фазовые превращения, изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящие при их нанесении и последующем отжиге в вакууме и в потоке кислорода. В исследуемых гетерост-руктурах возможно формирование интерметаллидов и силицидов, а также оксидов сложного состава. Эти соединения влияют на качество полупроводниковых и микроэлектронных приборов, поэтому тема работы является актуальной и с практической точки зрения.

Цель работы: установление зависимости между условиями синтеза, структурой и свойствам тонких пленок на основе ниобия, олова и индия на подложках из монокристаллического кремния.

Для достижения поставленной цели были сформулированы и решены следующие задачи:

- синтез двухслойных металлических систем олово-ниобий, индий-ниобий на монокристаллическом кремнии методами магнетронного распыления с последующим отжигом в вакууме;

- определение фазового состава синтезированных систем методом рентгеновской дифракции;

- установление структурно - морфологической организации пленок методом атомно-силовой микроскопии;

- изучение электрофизических свойств синтезированных пленочных систем;

Научная новизна:

- Установлено низкотемпературное (при температуре 770 К) образование силицида ниобия в тонкопленочной системе олово - ниобий - кремний по сравнению с равновесной фазовой диаграммой ниобий - кремний (~ 1900 К).

- Синтезированы оксидные пленки в системе олово — оксид ниобия, обладающие высокой прозрачностью.

- Комплексным исследованием с помощью методов: резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, получены экспериментальные данные о характере фазообразования и микроструктуры, распределения компонентов по глубине, о протяженности переходных по концентрации областей в пленочных системах: ниобий, олово — ниобий, индий - ниобий на монокристаллическом кремнии.

- Разработана численная математическая модель взаимной диффузии в системах ниобий — кремний, олово - ниобий - кремний, согласующаяся с экспериментом.

На защиту выносятся следующие положения:

- Магнетронное распыление легкоплавких металлов (индий, олово) на плёнку ниобия стимулирует гетерофазное взаимодействие компонентов, приводящее к образованию интерметаллических соединений;

- Гетерофазная диффузия компонентов в процессе синтеза пленок олово-ниобий, индий-ниобий на монокристаллическом кремнии, сопровождается химическим взаимодействием с образованием силицидных фаз при температуре 770 К, что существенно ниже, чем в равновесных условиях взаимодействия в массивных образцах ниобий-кремний 1900 К);

- Результаты комплексного исследования перераспределения компонентов, структурно - морфологических изменений поверхности и твердофазных взаимодействий в пленочных системах ниобий - кремний, олово - ниобий -кремний, индий - ниобий - кремний методами: резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XXXVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2008), XI международной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2008), VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2008), IV Всероссийской конференции «Физико - химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2008» (Воронеж, 2008), VI Международной конференции и V школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Новосибирск, 2009), XI международной научной конференции химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии (Кисловодск, 2009), VII всероссийской школе — конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наноси-стем и материалы)» (Воронеж, 2009).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 11 публикациях, в том числе работы №№ 1—3 опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК РФ для публикации содержания диссертации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 160 наименований. Работа изложена на 132 страницах основного текста, иллюстрирована 65 рисунками и содержит 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме "Химия твердого тела"

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. В процессе магнетронного распыления ниобия на кремний возникает переходная концентрационная область протяжённостью 30 - 40 нм, соизмеримая с толщиной плёнки металла (150 нм). Характер концентрационного распределения компонентов на МФГ Nb/Si свидетельствует о доминирующем проникновении ниобия в кремний.

2. Процесс магнетронного распыления, как индия, так и олова на плёнку ниобия стимулирует гетерофазную диффузию компонентов через МФГ Nb/Si, которая приводит к увеличению протяжённости переходного по концентрации слоя до ~ 250 нм и сопровождается образованием сили-цидных фаз. Концентрационные распределения свидетельствуют не только об ускорении перехода ниобия в кремний через МФГ Nb/Si, но и о его глубокой диффузии в объёме кремния, а также о встречной диффузии кремния в плёнку ниобия.

3. Последующий отжиг систем Sn - Nb - Si, In - Nb — Si приводит: а) к растворению олова и индия в ниобии в процессе отжига, и, как следствие, уменьшению общей толщины металлической плёнки; б) к сужению области концентрационного перехода на МФГ Nb/Si по сравнению с исходными образцами после нанесения и увеличению градиента концентрационного распределения в нём.

4. Низкотемпературное образование силицида ниобия Nb5Si3 в пленочной системе олово - ниобий инициировано возмущением дефектной подсистемы пленки, вызванного образованием интерметаллида Nb6Sn5 в процессе магнетронного распыления олова.

5. Модифицированием оксида ниобия Nb02 оловом путем отжига пленочной системы Sn - Nb02 в вакууме и в потоке кислорода при Т=773 К на подложках монокристаллического кремния и кварца синтезированы пленки сложного оксида состава Sn2Nb207, обладающие высокой прозрачностью.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании полученных в работе результатов установлена зависимость между условиями синтеза, структурой и свойствами тонких пленок на основе ниобия, олова и индия на монокристаллическом кремнии.

В случае структуры олово - ниобий - кремний интерметаллическое соединение ниобия с оловом, которое формируется в процессе магнетрон-ного распыления легкоплавкого металла, приводит к образованию силицидов ниобия при температуре Т = 773 К. Это связано с тем, что процесс осаждения второго металла (олова) стимулирует перераспределение компонентов на межфазной границе ниобий - кремний. В результате чего достигается высокая концентрация ниобия за счет диффузионного проникновения в кремний, как в процессе осаждения олова, так и в процессе последующего отжига слоистой системы олово-ниобий на кремнии. Возникающие при образовании интерметаллидов механические напряжения стимулируют диффузионное проникновение ниобия в кремний. Релаксация механических напряжений сопровождается генерацией дефектов в пленке и создает необходимые условия для твердофазного химического взаимодействия - понижение энергетического барьера формирования силицида ниобия и источника «свободного объема», необходимого для встраивания образующегося структурного фрагмента силицида на межфазной границе: пленка ниобия — кремний.

Таким образом, напылением второго металла можно управлять перераспределением компонентов на межфазной границе первый металл - подложка и получать пленки с заданными структурой и свойствами.

Список источников диссертации и автореферата по химии, кандидата химических наук, Шрамченко, Юрий Сергеевич, Воронеж

1. Bewlay В.Р. Characterisation of silicide precipitates in Nb-Si and Nb-Ti-Si alloys / B.P. Bewlay et all. // Phil Mag A - 2001.- V. 81. - P. 1967-1978.

2. Bewlay B.P. The balance of mechanical and environmental properties of a multi-element niobium-niobium silicide based in situ composite / B.P. Bewlay, M.R. Jackson, H.A. Lipsitt // Metall Mater Trans A 1996. - V. 27. - P. 38013808.

3. Mendiratta M.G. Strength and toughness of a Nb-Nb5Si3 composite / M.G. Mendiratta, D.M. Dimiduk // Metall Mater Trans A 1993. - V. 24. - P. 501504.

4. Рязанов B.B., Обознов B.A., Больгинов B.B., Феофанов А.К., Материалы симпозиума «НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА» Нижний Новгород. 2005. - Т. 1.-С.56.

5. Ryazanov V. V. Superconductor-ferromagnet-superconductor pi-junctions / V. V. Ryazanov et all. // J. Low Temp. Phys. 2004. - V. 136. - P. 385.

6. Oboznov V. A. Double-reversal thickness dependence of critical current in superconductor-ferromagnet-superconductor Josephson junctions / V. A. Oboznov et all. // arXiv:cond-mat/0508573 2005.

7. Kastalsky A. Observation of pair currents in superconductor-semiconductor contacts / A. Kastalsky et all. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 67. - P. 3026.

8. Nguyen C., Kroemer H., Ни H. Anomalous Andreev conductance in InAs-AlSb quantum well structures with Nb electrodes / C. Nguyen, H. Kroemer, H. Hu // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 69. - P. 2847.

9. Takayanagi H., Akazaki Т., Nitta J. Observation of Maximum Supercurrent Quantization in a Superconducting Quantum Point Contact / H. Takayanagi, T. Akazaki, J. Nitta // Phys. Rev. Lett. 1995. - V. 75. - P. 3533.

10. Mur L.C. Experimental indication for supercurrents carried by opened transport channels / L.C. Mur et all. // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54. - P. 2327.

11. Минайчев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: В 10 кн. Учеб. пособие. Кн. 6. Нанесение пленок в вакууме / В.Е. Минайчев. М.: Высш. шк., 1989. — 110 с.

12. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. М.: Радио и связь, 1982. - 72 с.

13. Пилянкевич А.Н. О механизме образования пленок, получаемых реакционным ионно-плазменным осаждением / А.Н. Пилянкевич, В.Ю. Куликовский, JI.P. Шагинян // Поверхность. 1991. - №12. - С. 24-28.

14. Палатник JI.C. Механизмы образования и структура конденсированных пленок / JI.C. Палатник, М.Я. Фукс, В.М. Косевич. М.: Наука, 1972. - 320 с.

15. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков. М.: Химия, 1978.-360 с.

16. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / JI.C. Палатник, В.К. Сорокин. М.: Энергия, 1973. -285 с.

17. Kelly R. On the nature of the phases formed when metals are implanted with oxigen or nitrogen / R. Kelly // Radiated Effects. 1982. - V. 64. - P. 205 - 220.

18. Brown I.G. Recent advances in surfase processing with metall plasma and ion beams / I.G. Brown et all. // Surfase and Coatings Technology. 1999. - V. 112.-P. 271-277.

19. Sigmund P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced-elastic-collision spikes in solids / P. Sigmund // Appl. Phys. Lett. 1974. - V. 25. - N 3. -P. 169-171.

20. Takagi T. Ion-surface interactions during thin film deposition / T. Takagi // J. Vac. Sci. Technol. A. 1983. - V. 2. - N. 2. - P. 382 - 388.

21. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. - 336 с.

22. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов / К. Лейман. М.: Атомиздат, 1979. - 290 с.

23. Риссел X., Руче И. Ионная имплантация. / X. Риссел, И. М. Руче. М.: Наука, 1983.-360 с.

24. Лю 3., Майер Дж. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. Предельный уровень легирования, достижимый при ионной имплантации / 3. Лю, Дж. Майер. М.: Мир, 1980. - С. 236 - 253.

25. Bewlay В.P. The Nb-Ti-Si ternary phase diagram: Determination of solid state phase equlibria in Nb and Ti rich alloys / B.P. Bewlay, M.R. Jackson, R.R. Bishop //J Phase Equill- 1998.- V. 19.-P. 577-586.

26. Bewlay B.P. The Nb-Ti-Si ternary phase diagram: Evaluation of liquid-solid phase equilibria in Nb and Ti-rich alloys / B.P. Bewlay, M.R. Jackson, H.A. Lipsitt // J Phase Equill 1997. - V. 18. - P. 264-278.

27. Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под. ред. Н.П. Лякишева. -М.: Машиностроение, 2000. С. 548-549.

28. Yue Chen, Jia-Xiang Shang, Yue Zhang. Bonding characteristics and site occupancies of alloying elements in different Nb5Si3 phases from first principles / Chen Yue, Shang Jia-Xiang, Zhang Yue // Physical Review В 2007. -V. 76.-P. 184204(1)-184204(8).

29. Левинский Ю. В. p-T-x диаграммы состояния двойных металлических систем / справочник под ред. Ю. В. Левинского. — М., Металлургия. — С. 176-220.

30. Wehrmann R. Silicides in High Temperature Technology / R. Wehrmann, I. E. Campbell, E. M. Sherwood // Electrochemical Society 1956. - P. 151.

31. Murarka S. P., Fraser D. B. Silicide formation in thin cosputtered (tantalum + silicon) films on poly crystalline silicon and Si02 / S. P. Murarka, D. B. Fraser //J. Appl. Phys. 1980. -V. 51. - P. 1593.

32. Mochizuki T. Film properties of MoSi2 and their application to self-aligned MoSi2 gate MOSFET / T. Mochizuki, T. Tsujimaru, M. Kashiwagi, Y. Nishi // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. - V. ED-27. - P. 1431.

33. Kemper M. J. H., Oosting P. H. Crystallization and resistivity of amorphous titanium silicide films deposited by coevaporation / M. J. H. Kemper, P. H. Oosting // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. - P. 6214.

34. Chow T. P. Properties of sputtered molybdenum silicide thin films / T. P. Chow, D. H. Bower, R. L. Van Art, W. Katz // J. Electrochem. Soc. 1983. - V. 130. - P. 952.

35. Murarka S. P., Read M. H., Chang С. C. Hexagonal WSi2 in cosputtered (tungsten and silicon) mixture / S. P. Murarka, M. H. Read, С. C. Chang // J. Appl. Phys.-1981.-V. 52. P. 7450.

36. Chow T. P. The effect of implantation of phosphorus into sputtered MoSi2 thin films / T. P. Chow, C. S. Grant, W. Katz, G. Gildenblat, R. F. Reihl // J. Electrochem. Soc. 1982. -V. 130. - P. 933.

37. Chow Т., Steckl J. Refractory Metal Silicides: Thin-Film Properties and Processing Technology / T. Chow, J. Steckl // IEEE Transactions on Electron Devices 1983. -V.ED-30,№. 11.-P. 1480-1497.

38. Nakanishi T. Formation of metal-rich silicides in the initial stage of interfa-cial reactions in Nb/Si systems / T. Nakanishi, M. Takeyama, A. Noya // Journal of Applied Physics 1995. -V. 77, №2. - P. 948-950.

39. Walser R. M., Bene R. W. First phase nucleation in silicon-transition-metal planar interfaces / R. M. Walser, R. W. Bene // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 28. - P. 624.

40. Ronay M. Reinvestigation of first phase nucleation in planar metal-Si reaction couples/M. Ronay // Appl. Phys. Lett. 1983. - V. 42, P. 577.

41. Lur W., Chen L. J. Growth kinetics of amorphous interlayer formed by in-terdiffiision of polycrystalline Ti thin-film and single-crystal silicon / W. Lur, L. J. Chen // Appl. Phys. Lett. 1989. - V.54, P. 1217.

42. Lee T. L., Chen L. J. Interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited yttrium thin films on (11 l)Si at low temperatures / T. L. Lee, L. J. Chen // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73, P. 8258.

43. Wang W. H., Wang W. K. Silicide formation in Co/amorphous Si multilayers / W. H. Wang, W. K. Wang // J. Appl. Phys. 1994. - V. 76, P. 1578.

44. Kidson G. V., Some aspects of the growth of diffusion layers in. binary systems / G. V. Kidson //J. Nucl. Mater. 1961. - V. 3, P. 21.

45. Gosele U., Tu K. N. Growth kinetics of planar binary diffusion couples: "Thin-film case" versus "bulk cases" / U. Gosele, K. N. Tu // J. Appl. Phys. — 1992.-V. 53, P. 3252.

46. Zhang L., D. Ivey G. A kinetic model for silicide formation through thin-film metal-silicon reactions / L. Zhang, D. G. Ivey // J. Appl. Phys. 1992. - V. 71, P. 4314.

47. Chow T.P. Thermal oxidation of niobium silicides thin films / T.P. Chow, K. Hamzeh, A.J. Stecki // Journal of Applied Physics 1983. - V. 54, №5. - P. 2716-2719.

48. Rude C.D. Characterization of NbSi2 thin films / C.D. Rude, T.P. Chow, A.J. Stecki // Journal of Applied Physics 1982. - V. 53, №8. - P. 5703-5709.

49. Zhang M. Initial phase formation in Nb/Si multilayers deposited at different temperatures / M. Zhang, W. Yu, W.H. Wang and W.K. Wang // Journal of Applied Physics 1996. - V. 80, №3. - P. 1422-1427.

50. Murarka S.P. / S.P. Murarka // J. Vac. Sci. Technol 1980. - V. 17. - P. 775.

51. Kanayama T. Niobium silicides formation induced by Ar-ion bombardment / T. Kanayama, H. Tanoue, T. Tsurushima // Applied Physics Letters- 1979. -V. 35, №3.-P. 222-224.

52. Horache E. Niobium disilicide formation by rapid thermal processing: Resistivity-grain growth correlation and the role of native oxide / E. Horache, J.E. Fisher // Journal of Applied Physics 1990. - V. 68, №9. - P. 4652-4655.

53. Sugano T. Chemical deposition of Mo on Si / T. Sugano, H.-K. Chou, M. Yoshida, T. Nishi // Japan. J. Appl. Phys. 1968. - V. 7. - P. 1028.

54. Shaw J. M., Amick J. A. Vapor-deposited tungsten as a metallization and interconnection material for silicon devices / J. M. Shaw, J. A. Amick //

55. RCA Rev. 1970. -V. 31. - P. 306.

56. Melliar-Smith С. M. Chemically vapor deposited tungsten for semiconductor metallizations / С. M. Melliar-Smith, A. C. Adams, R. H. Kaiser, and R. A. Kushner // J. Electrochem. Soc. 1974. - V. 121. - P. 298.

57. Mochizuki T. A new MOS process using MoSi2 as a gate material / T. Mo-chizuki, K. Shibata, T. Inoue, K. Ohuchi // Japan. J. Appl. Phys. 1978. - V. 17, supp. 17-1.-P. 37.

58. Crowder B. L., Zirinsky S. 1 \im MOSFET VLSI technology. Part VII: Metal silicide interconnection technology-A future perspective / B. L. Crowder, S. Zirinsky // IEEE Trans. Electron Devices. -1979. V. ED-26. - P. 369.

59. Murarka S. P. Silicides for VLSI Applications / S. P. Murarka. New York: Academic Press, 1983.

60. Mohammadi F. Silicides for interconnection technology / F. Mohammadi // Solid State Technol. 1980. -V. 24, №. 1. - P. 65.

61. D'Heurle F. M. Material properties of silicides and device technology implications / F. M. d'Heurle // in Proc. 1st Int. Symp. VLSISci Technol. 1982. -P. 194.

62. Chow T. P., Steckl A. J. The development of refractory metallization for VLSI / T. P. Chow, A. J. Steckl // Electrochem. SOC. Fall

63. Meeting, Extended Abstracts. 1982. - V. 82-2. - P. 353.

64. Murarka S. P., Fraser D. B. Silicide formation in thin cosputtered (titanium + silicon) films on poly crystalline silicon and Si02 / S. P. Murarka, D. B. Fraser // J. Appl. Phys. 1980. - V. 51. - P. 350.

65. Chow T. P., Steckl A. J. Size effects in MoSi2-Gate MOSFET's / T. P. Chow, A. J. Steckl // Appl. Phys. Lett.- 1980. V. 36. - P. 297.

66. Mohammadi F., Saraswat К. C. Properties of sputtered tungsten silicide for MOS integrated circuit applications / F. Mohammadi, К. C. Saraswat // J. Electrochem. SOC. 1980. -V. 127. - P. 450.

67. Miller R. J. Resistivity and oxidation of tungsten silicide thin films / R. J. Miller // Thin Solid Films. 1980. - V. 72. - P. 427.

68. Geipel H. J. Composite silicide gate electrodes-interconnections for VLSI technologies / H. J. Geipel, N. Hsieh, M. H. Ishaq, C. W. Koburger, F. R. White // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. - V. ED-27. - P. 1409.

69. Murarka S. P. Cosputtered molybdenum silicides on thermal Si02 / S. P. Murarka, D. B. Fraser, T. F. Retajczck, Jr., Т. T. Sheng // J. Appl. Phys. 1980. -V. 51.-P. 5380.

70. Nowicki R. S., Moulder J. F. Comparison of the properties of molybdenum silicides films deposited by dc magnetron and rf diode codeposition / R. S. Nowicki, J. F. Moulder//J. Electrochem. Soc. 1981. - V. 128.-P. 562.

71. Cappelletti P. Molybdenum silicide: Is it suitable for interconnections in VLSI / P. Cappelletti, T. Mori, G. Pignatel, G. Ferla, F. Nava, G. Ottaviani // in Semiconductor Silicon. 1981.

72. Angilello J. Tantalum silicide films deposited by dc sputtering / J. Angilello et all. // J. Electron. Mat. 1981. -V. 10. - P. 59.

73. Kemper M. J. H., Oosting P. H. Crystallization and resistivity of amorphous titanium silicide films deposited by coevaporation / M. J. H. Kemper, P. H. Oosting//J. Appl. Phys. 1982. -V. 53. - P. 6214.

74. Denison D. R. Properties of MoSi2 and WSi2 deposited by dual target sputtering / D. R. Denison // Electronic Materials Conf., abstract T-2, 1981.

75. Chow T. P. Properties of sputtered molybdenum silicide thin films / T. P. Chow et all. // Electrochem. Soc. 1983. - V. 130. - P. 952.

76. Chow T. P. Thin film properties of sputtered niobium silicide on SiC>2, and on n+ poly-Si // T. P. Chow et all. // Electrochem. Soc. Fall Meeting, Extended Abstracts. 1983. -V. 82-2. - P. 446.

77. Van Gurp G. J. The growth of metal silicide layers on silicon / G. J. van Gurp // Electrochemical Society. 1977. - P. 342.

78. Ottaviani G. Review of binary formation by thin film interactions / G. Otta-viani // J. Vac. Sci Technol. 1979. - V. 16. - P. 1112.

79. Yanagisawa S., Fukuyama T. Preparation of molybdenum silicide films by reactive sputtering / S. Yanagisawa, T. Fukuyama // J. Electrochem. Soc. -1980.-V. 127.-P. 1120.

80. Kehr D. E. R. Chemical vapor deposition of the silicides of molybdenum, niobium and tantalum / D. E. R. Kehr // 6th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition. 1977.-P. 511.

81. Lehrer W. I. Low temperature LPCVD deposition of tantalum silicide / W. I. Lehrer et all. // 1st Int. Symp. VLSI Sci Technol. 1982. - P. 258.

82. Wang K. L. Composite TiSi2/n+ poly-Si low resistivity gate electrode and interconnect for VLSI device technology / K. L. Wang et all. // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. - V. ED-29. - P. 547.

83. Matthias B.T. Superconductivity of Nb3Sn / B.T. Matthias et all. // Phys. Rev.-1954.-V. 95.-P. 1435.

84. Brock G.E. Metallurgy of Advanced Electronic Materials / G.E. Brock, Ed. -New York: Interscience. 1962. - P. 71 -87.

85. Enstrom R.E. Phase equilibria and crystallography for the niobium-tin system / R.E. Enstrom // J. Met. 1964. - V. 97.

86. Vieland L.J. Structure and properties of Nb3Sn / L.J. Vieland // RCA Rev. — 1964.-V. 25.-P. 366.

87. Van Vucht J.H.N., Van Ooijen D.J., Bruning H.A.C. The physical and structural properties of superconducting A15-type Nb-Sn alloys / J.H.N, van Vucht, D.J. Van Ooijen, H.A.C. Bruning // Philips Res. Rep. 1965. - V. 20. - P. 136161.

88. Charlesworth J.P., Macphail I., Madsen P.E. Niobium-Tin constitution diagram and related studies / J.P. Charlesworth, I. Macphail, P.E. Madsen // J. Mater. Sci. 1970. -V. 5. - P. 580-603.

89. Perpeet M., Hein M. A. Enhanced electron-phonon coupling of Ti-doped superconducting Nb3Sn films investigated at microwave frequencies / M. Perpeet, M. A. Hein // Phys. Rev. B. -2005.- V. 72. P. 094502-1-8.

90. Schiffinan R.A., Bailey D.M. Thermodynamics of the In-, congruently Subliming Niobium-Tin System / R.A. Schiffinan, D.M. Bailey // High Temp. Sci. -1982.-V. 15.-P. 165-177.

91. Boom R. Cohesion in Metals / R. Boom. North Holland, Amsterdam: Transition Metal Alloys. - 1988. - P. 390-401.

92. Shunk F^A. Constitution of Binary Alloys, Second Supplement / F.A.Shunk. New York: McGraw Hill. - 1969.

93. Weber W., Matthesis L.F. Electronic structure of tetragonal Nb3Sn / W. Weber, L.F. Matthesis // Phys. Rev. B. -2005. V. 25, № 4. - P. 2270-2284.

94. Besson R., Guyot S., Legris A. Atomic-scale study of diffusion in A15 Nb3Sn / R. Besson, S. Guyot, A. Legris // Phys. Rev. B. -2007.- V. 75. P. 054105-1-7.

95. Smith R.J., Ghosh A. Characterization of thin Nb3Sn diffusion layers on Nb (110): Low-energy electron-diffraction and photoemission studies / R.J. Smith, A. Ghosh//Phys. Rev. B. -1983. V. 28, № 6. - P. 3043-3048.

96. Kolosov V. N., Novichkov V. Yu. Zero-Current Deposition of Superconducting Nb3Sn Coatings from Molten Salts / V. N. Kolosov, V. Yu. Novichkov // Inorganic Materials. 2003. - V. 39, №. 5. - P. 485-491.

97. Toffolon C., Servant C., Sundman B. Thermodynamic Assessment of the Nb-Sn System / C. Toffolon, C. Servant, B. Sundman // Journal of Phase Equilibria. 1998. - V. 19, № 5. - P. 479-485.

98. Toffolon C. Reassessment of the Nb-Sn System / C. Toffolon et all. // Journal of Phase Equilibria. 2002. - V. 23, № 2. - P. 134-139.

99. Patankar S.N., Froes F.H. Transformation of Mechanically Alloyed Nb-Sn Powder to Nb3Sn / S.N. Patankar, F.H. Froes // Metallurgical and materials Transactions A. 2004. - V. 35A. - P. 3009-3012.

100. Kolosov V. N. Criteria for Selecting Substrates for Nb3Sn Electrodeposi-tion / V. N. Kolosov // Inorganic materials. 2005. - V. 41, № 9. - P. 961-971.

101. Okamoto H. Phase Diagrams of Indium Alloys and Their Engineering Applications / H. Okamoto (eds.). Indium Corporation of America, Utica, N.Y., and Materials Information Soc., Materials Park, Ohio. - 1992.

102. Jeitschko W., Nowotny H., Benesovsky F. Die H-Phasen Ti2TlC, Ti2PbC, Nb2InC, Nb2SnC und Ta2GaC / W. Jeitschko, H. Nowotny, F. Benesovsky // Monatsh. Chem. 1964. - V. 95. - P. 1040.

103. Villars P., Girgis K. Phase Diagrams of Indium Alloys and Their Engineering Applications / P. Villars, K. Girgis: Z. Metallkd. 1982. - P. 169.

104. Akazava H. Synchrotron-radiation-excited epitaxy of Ge with GeH4 / H. Akazava // J. Appl. Phys. 1996. - V. 79, № 12. - P. 9396.

105. Shindo W., Ohmi T. Ion energy, ion flux, and ion mass effects on low-temperature silicon epitaxy using low-energy ion bombardment process / W. Shindo, T. Ohmi // J. Appl. Phys. 1996. - V. 79, № 5. - P. 2347-2351.

106. Morgan S.P., Morgan D.V. An ion-assisted deposition system for use in the fabrication of submicron dimension device ohmic contacts / S.P. Morgan, D.V. Morgan // Thin Solid Films. 1996. - V. 272, № 1. - P. 107-111.

107. Lesler K.G., Sonnenberg N., Cima M.G. The development of biaxial alignment in yttria-stabilized zirconia films fabricated by ion beam assisted deposition / K.G. Lesler, N. Sonnenberg, M.G. Cima // J. Electron. Mater. 1996. -V. 25, № 1.-P. 35-42.

108. Misra A., Natasi N. Limits of residual stress in Cr films sputter deposited on biased substrates / A. Misra, N. Natasi // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75, № 20. - P. 3123 - 3125.

109. Наумов B.B. Рост YSZ пленок на кремниевых подложках / В.В. Наугмов и др. // Неорганические материалы. — 1998. Т. 34, № 1. — С. 57 - 61.

110. Наумов В.В. Исследование влияния низкоэнергетичной ионной стимуляции на плотность и кристаллическую структуру тонких /В.В. Наумов и др. //ЖТФ. -2001. Т. 71, Вып. 8.-С. 92-97.

111. Наумов В.В. Влияние низкоэнергетичной ионной бомбардировки на кристаллическую структуру и сверхпроводящие свойства пленок ниобия /

112. B.В. Наумов и др. // ЖТФ. 2004. - Т. 74, Вып. 4. - С. 48 - 52.

113. Goa Р.Е. Real-time magneto-optical imaging of vortices in superconducting NbSe2 / P.E. Goa et all. // Supercond. Sci. Technol. 2001. - V. 14. - P. 729 -731.

114. Rude C.D., Chow T.P., Stecki A.J. Characterization of NbSi2 thin films /

115. C.D. Rude, T.P. Chow, A.J. Stecki // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53, № 8. - P. 5703-5709.

116. Gubin A. I. Dependence of magnetic penetration depth on the thickness of superconducting Nb thin films / A. I. Gubin et all. // Phys. Rev. B. 2005. - V. 72.-P. 064503.

117. Lemberger T. R. Penetration depth study of very thin superconducting Nb films / T. R. Lemberger et all. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 76. - P. 094515.

118. Park S. I., Geballe Т. H. Superconducting Tunneling in Ultrathin Nb Films / S.I. Park, Т.Н. Geballe // Phys. Rev. Lett. 1986. - V. 57. - P. 901.

119. Mayadas F., Laibowitz R. В., Cuomo J. J. Electrical Characteristics of rf-Sputtered Single-Crystal Niobium Films / F. Mayadas, R. B. Laibowitz, J. J. Cuomo // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - P. 1287.

120. Turneaure S. J., Lemberger T. R., Graybeal J. M. Effect of Thermal Phase Fluctuations on the Superfluid Density of Two-Dimensional Superconducting Films / S. J. Turneaure, T. R. Lemberger, J. M. Graybeal // Phys. Rev. Lett. -2000.-V. 84.-P. 987.

121. Finkel'shtein A. Superconducting transition temperature in amorphous films / A. Finkel'shtein // JETP Lett. 1987. - V. 46, № 10. - P. 513 - 517.

122. Finkel'shtein A. ESR near a metal-insulator transition / A. Finkel'shtein // JETP Lett. 1987. -V. 45, № 1. - P. 46 - 49.

123. Bednorz. J. G., Muller K. A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system / J. G. Bednorz, K. A. Muller // Zeitschrift fur Physik В Condensed Matter. 1986. - V. 64, № 2. - P. 189 - 193.

124. Nagamatsu J. Superconductivity at 39 К in magnesium diboride / J. Naga-matsu et all. // Nature. 2001. - V. 410. - P. 63 - 65.

125. Orlando T. P. Critical fields, Pauli paramagnetic limiting, and material parameters of Nb3Sn and V3Si / T. P. Orlando et all. // Phys. Rev. B. 1979. - V. 19.-P. 4545.

126. Labbe J., Friedel J. Instabilite electronique et changement de phase cristal-line des composes du type V3Si a basse temperature / J. Labbe and J. Friedel // Journal de Physique. 1966. - V. 27, № 3. - P. 153 - 166.

127. Labbe J., Friedel J. Effet de la temperature sur l'instabilite electronique et le changement de phase cristalline des composes du type V3Si a basse temperature / J. Labbe and J. Friedel // Journal de Physique. 1966. - V. 27, № 5. - P. 303 -309.

128. Weber W. The phonons in high Tc A15 compounds / W. Weber // Physica В & С. 1984. - V. 126, № 2. - P. 217 - 228.

129. Muller-Heinzerling Т., Fink J., Weber W. Direct observation of the peaked density of states in high-Tc A15 superconductors by electron energy-loss spectroscopy / T. Muller-Heinzerling, J. Fink, W. Weber // Phys. Rev. B. 1985. -V. 32.-P. 1850.

130. Bouvier J., Bok J. The Gap Symmetry and Fluctuations in High Tc-Superconductors / J. Bouvier and J. Bok. New York.: Plenum Press, 1998. -576 P.

131. Perpeet M. High-quality Nb3Sn thin films on sapphire prepared by tin vapor diffusion / M. Perpeet et all. // J. Appl. Phys. 1997. - V. 82. - P. 5021.

132. Suenaga M. Superconducting critical temperatures, critical magnetic fields, lattice parameters, and chemical compositions of'bulk" pure and alloyed Nb3Sn produced by the bronze process / M. Suenaga et all. // J. Appl. Phys. 1986. -V. 59.-P. 840.

133. Perpeet M., Hein M. A. Enhanced electron-phonon coupling of Ti-doped superconducting Nb3Sn films investigated at microwave frequencies / M. Perpeet, M. A. Hein // Phys. Rev. B. 2005. - V. 72. - P. 094502.

134. Perpeet M. Nb3Sn films on sapphire. A promising alternative for superconductive microwave technology / M. Perpeet // IEEE Trans. Appl. Supercond. — 1999. V. 9, Issue 2, Part 2. - P. 2496 - 2499.

135. Hein M. A. Pair and Quasiparticle States of YBa2Cu307~x Films Deduced from the Surface Impedance and a Comparison with Nb3Sn / M. A. Hein et all. //Journal of superconductivity. 1999. -V. 12, № 1. - P. - 129 -138.

136. Wu С. Т., Kampwirth R. Т., Hafstrom J. W. High-rate magnetron sputtering of high Tc Nb3Sn films / С. T. Wu, R. T. Kampwirth, J. W. Hafstrom // J. Vac. Sci. Technol. 1977. - V. 14, Issue 1.-P. 134 T137.

137. Kampwirth R. Т., Hafstrom J. W., Wu С. T. Application of high rate magnetron sputtering to the fabrication of A-15 compounds / R. T. Kampwirth, J. W. Hafstrom, С. T. Wu // IEEE Trans. Magn. 1977. - V. 13, Issue 1. - P. 315-318.

138. Andreone A. Nonlinear microwave properties of Nb3Sn sputtered superconducting films / A. Andreone et all. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. - P. 1736.

139. Allen L. H. RF surface resistance of Nb3Sn, NbZr, and NbN thin films / L. H. Allen et all. // IEEE Trans. Magn. 1987. - V. 23. - P. 1405.

140. Tinkham M. Introduction to Superconductivity / M. Tinkham. New York.: McGraw-Hill, 1975. - 296 P.

141. Waldram J. R. Superconductivity of Metals and Cuprates / J. R. Waldram. -Bristol.: Institute of Physics Publishing, 1996. 410 P.

142. Hardy W. N., Kamal S., Bonn D. A. in The Gap Symmetryand Fluctuations in High Tc-Superconductors / edited by J. Bok et all. New York.: Plenum Press, 1998. - 576 P.

143. Marsiglio F. Coherence effects in electromagnetic absorption in superconductors / F. Marsiglio // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44. - P. 5373.

144. Marsiglio F. Eliashberg treatment of the microwave conductivity of niobium / F. Marsiglio et all. // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50. - P. 7203.

145. Blaschke R., Blocksdorf R. Influence of the inelastic electron-phonon scattering on the superconducting surface resistance / R. Blaschke, R. Blocksdorf // Zeitschrift fur Physik В Condensed Matter. 1982. - V. 49, №. 2. - P. 99.

146. Muhlschlegel B. Die thermodynamischen Funktionen des Supraleiters / B. Muhlschlegel // Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei. 1959. - V. 155, № 3. - P. 313.

147. Adrian S. D. Penetration depth in layered superconductors: Application to the cuprates and conventional multilayers / S. D. Adrian et all. // Phys. Rev. B. 1995.-V. 51.-P.-6800.

148. Rudman D. A., Beasley M. R. Microscopic superconducting parameters from tunneling in A15 Nb Sn / D. A. Rudman, M. R. Beasley // Phys. Rev. B. -1984.-V. 30.-P. 2590.

149. Halbritter J. On surface resistance of superconductors / J. Halbritter // Zeit-schrift fur Physik A Hadrons and Nuclei. 1974. - V. 266, № 3. - P. 209.

150. Shen L. Y. L. Tunneling into a High Tc Superconductor-Nb3Sn / L. Y. L. Shen 11 Phys. Rev. Lett. - 1972. - V. 29. - P. 1082.

151. Labbe J., Barisic S., Friedel J. Strong-Coupling Superconductivity in V3X type of Compounds / J. Labbe, S. Barisic, J. Friedel // Phys. Rev. Lett. 1967. -V.-19.-P. 1039.

152. Moore D. F. Energy gaps of the ^4-15 superconductors Nb3Sn, V3Si, and Nb3Ge measured by tunneling / D. F. Moore et all. // Phys. Rev. B. 1979. -V. 20.-P. 2721.

153. Rudman D. A. A15 Nb-Sn tunnel junction fabrication and properties / D.

154. A. Rudman et all. // J. Appl. Phys. 1984. - V. 55. - P. 3544.

155. Hylton T. L., Beasley M. R. Effect of grain boundaries on magnetic field penetration in polycrystalline superconductors / T. L. Hylton, M. R. Beasley // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39. - P. 1989.

156. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин,

157. B.К. Сырчин. Москва: Радио и связь, 1982. - 72 с.

158. Powder diffraction file (inorganic phases). Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS). International Centre of Diffraction Data. 1995.

159. Комаров Ф.Ф. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск.: Университетское, 1987. - 256 с.

160. Sandrik R. / Nuclear Instruments Methods in Physics Research B. 1993. V. 75. P. 392-396.

161. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П. Кофстад. — Москва, 1969. С. 60-61,190-191,201-202, 254-262.

162. Transport in superconducting niobium films for radio frequency applications / J. Halbritter // Journal of Applied Physics 2005, V. 97, P. 1 - 3.