Сканирующая зондовая микроскопия радиационных эффектов на поверхности графита и кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Глава I. ВОЗДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ НА ГРАФИТ И КРЕМНИЙ

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Твердое тело и излучения.

1.1 .а. Место корпускулярных излучений в современной деятельности человека.

1.1.6. Радиационные эффекты в поверхностных слоях твердого тела.

1.1 .в. Радиационное облучение поверхности - база новых технологий.

1.1 .г. Выводы по разделу.

1.2. Современные методики исследования воздействия радиации на поверхность твердого тела.

1.2.а. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ).

1.2.6. Автоионная микроскопия.

1.2.в. Выводы по разделу.

1.3. Обзор и анализ СЗМ-исследований облученных поверхностей графита и кремния.

1.3.а. Общая характеристика опубликованных по теме работ.

1.3.6. Обзор СЗМ-исследований поверхности облученного графита.

1.3 .в. Обзор СЗМ-исследований поверхности облученного кремния.

I.3 .г. Анализ обзора и выводы.

1.4. Постановка задачи.

Глава II. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОБЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ

И ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ УСТАНОВКИ.

ПЛ. Разработка методики облучения образцов протонами при энергиях 90 кэВ и 3 МэВ на ускорителе «ИСТРА».

II. 1.а. Начальная часть ускорителя «ИСТРА».

II. 1.6. Схема облучения.

11.1.в. Подготовка образцов и проведение облучения.

П.2. Разработка методики облучения образцов протонами при энергиях 700 кэВ на инжекторе ускорителя «И-2».

П.2.а. Схема облучения.

П.2.6. Подготовка образцов и проведение облучения.

11.3. Разработка методики и проведение облучения образцов на источнике осколков деления.

П.З.а. Схема установки.

П.З.б. Облучение образцов.

11.4. Другие способы радиационного воздействия, используемые в данной работе.

П.4.а. Воздействие высокоинтенсивной плазмы 8Юг.

П.4.6. Бомбардировка образцов ионами Сз.

11.5. Выводы по главе.

Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ ГРАФИТА С ПОМОЩЬЮ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ.

III. 1. Облучение протонами с энергиями 90 кэВ и 3 МэВ.

111.2. Облучение осколками деления.

111.3. Облучение высокоинтенсивной лазерной плазмой и ионами цезия.

111.4. Обсуждение результатов СЗМ-исследований поверхностей облученных образцов графита.

Глава IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ.

IV. 1. Облучение протонами с энергией 700 кэВ.

IV.2. Облучение осколками деления.

IV.3. Обсуждение результатов СЗМ-исследований поверхностей облученных образцов кремния.

Глава V. ПРИМЕНЕНИЕ ФРАКТАЛЬНОЙ РАЗМЕРНОСТИ

ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕРЫ ВОЗДЕЙСТВИЯ ОБЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТЬ МАТЕРИАЛОВ.

V.1. Некоторые элементы теории фракталов.

V. 1 .а. Основные понятия теории фракталов.

V.I.6. Некоторые методы расчета фрактальной размерности.

V.I.b. Выводы по разделу.

V.2. Использование фрактальной размерности как характеристики рельефа поверхности образца при анализе СТМ-изображения.

V.3. Количественная оценка результатов воздействия облучений на исследованные образцы.

V.3.a. Анализ развитости рельефа поверхности облученных образцов с использованием фрактальной размерности.

V.3.6. Влияние параметров скана на величину фрактальной размерности.

V.3.B. Выводы по разделу.

Предметом исследований в данной работе являются подвергнутые радиационному воздействию поверхности таких широко распространенных и обладающих крайне ценными свойствами материалов, как графит и кремний.

В верхней части IV группы периодической таблицы Д.И.Менделеева находятся два уникальных по своим свойствам элемента - углерод (С) и кремний (81). Трудно переоценить их роль в современной технике, технологии, производстве, науке. По распространенности углерод играет первостепенную роль в животном и растительном мире, кремний - в земной коре: его содержание в ней составляет -30 %, а по распространенности в литосфере он занимает второе место после кислорода. Графит

Наиболее устойчивой модификацией чистого углерода в условиях земной коры является графит - минерал с гексагональной кристаллической слоистой решеткой. В слоях решетки атомы С располагаются в узлах гексагональных ячеек и отстоят друг от друга на расстоянии 1,42 А. Расстояние между слоями - 3,55 А. Связь между атомами С в одном слое - прочная, ковалентного типа, между слоями - слабая, остаточно-металлического типа. Большой прочностью связи между атомами сетки объясняется высокая температура плавления графита (3850 °С). Графит хорошо проводит электрический ток, магнитоанизотропен, кислотоупорен, обладает малым сечением захвата тепловых нейтронов, легко обрабатывается.

Благодаря ценным физико-химическим свойствам графит применяют во многих областях техники. Существует ряд его модификаций: пирографит, стеклографит, углеситал, реакторный графит, графит с однородной структурой и др. Высокая жаропрочность обусловливает его использование в производстве огнеупорных материалов и изделий. Кусковой графит применяют как эрозионностойкое покрытие для сопел ракетных двигателей, камер сгорания, носовых конусов, рулевых устройств и других элементов космических летательных аппаратов. Вследствие высокой электропроводности его широко используют для изготовления электротехнических изделий. Благодаря химической стойкости графит применяют в химическом машиностроении в качестве конструкционного материала. Малый коэффициент трения позволяет использовать его для изготовления смазочных и антифрикционных изделий.

Графит широко используют в ядерной энергетике как замедлитель нейтронов [1,2]. Можно смело утверждать, что он найдет применение в электроядерных энергетических установках будущего [3], поскольку при поглощении выпавших из ускорения протонов в канале линака-драйвера дает малый уровень остаточной радиации и многократно уменьшает выход нейтронов (в сравнении с медью или сталью). В результате может быть существенно снижен уровень радиоактивного излучения на линаке-драйвере мощной электроядерной установки будущего.

В XXI веке вполне реален переход электроники на компоненты молекулярного размера. Уже изучаются первые кандидаты для создания таких электронных устройств - углеродные нанотрубки [4,5]. Кроме того, последние исследования свойств нанотрубок показали перспективность их использования в качестве автоэмиссионных катодов, химических детекторов и других элементов физических устройств [6]. Уместно отметить, что вопросы контролируемого получения нанотрубок напрямую связаны с радиационными эффектами на поверхности графита [7,8,9]. Эти полимерные системы - своеобразные цилиндрические молекулы на основе углерода - могут обладать как металлической, так и полупроводниковой проводимостью. Подобно легированию обычных полупроводников, здесь возможна значительная модификация электрических свойств с помощью введения различных добавок.

Однако свойства графита значительно изменяются при облучении, в частности, нейтронами: увеличиваются электросопротивление, модуль упругости, твердость, теплоемкость, уменьшается теплопроводность, наблюдается распухание изделий.

Следует отметить способность высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ) долгое время (до нескольких месяцев) сохранять свою поверхность чистой - без оксидной пленки, образующейся на поверхности любого материала при его хранении на воздухе. Последнее свойство ВОПГ, вместе с идеальной гладкостью поверхности его скола и хорошей проводимостью, делает этот материал очень удобным для исследований методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) [10]. Кремний

Кремний образует темно-серые с металлическим блеском кристаллы, имеющие кубическую гранецентрированную решетку типа алмаза с периодом 5,43 А [11]. Поскольку кремний прозрачен для инфракрасных лучей с длиной волны от 1 до 9 мкм, он находит применение в инфракрасной оптике.

Кремний плавится при температуре 1417 °С, заметная пластическая деформация начинается при температуре выше 800 °С. Это - материал, находящий самое широкое применение в электронике. Его электрические свойства очень сильно зависят от примесей. Кремний с добавками В, А1,1п или ва имеет проводимость р-типа, с добавками Р, В1, Аб или 8Ь - проводимость и-типа. Специально легированный кремний служит материалом для изготовления широкого ассортимента термоустойчивых полупроводниковых приборов: транзисторов, диодов, термисторов, тиристоров, фотоэлементов, симисторов, микросхем различного назначения.

Современная микроэлектроника немыслима без кремниевых элементов. Производство многих компонентов микроэлектроники (в том числе, на кремниевой основе) связано с процессами ионной имплантации, радиационного легирования и травления, литографии, и др., что возводит изучение влияния радиационного воздействия на кремний в ранг первостепенных задач.

Кремний, как и графит, является удобным материалом для СЗМ-исследований, поскольку обладает в кристаллическом состоянии высокой твердостью и достаточной для этих исследований проводимостью.

Таким образом, исследование подвергнутых радиационному воздействию графита и кремния крайне важно по двум причинам.

Во-первых, эти материалы находят широчайшее применение, часто в условиях значительных уровней радиации. Поэтому необходимо знать предельные радиационные нагрузки, которые они способны выдерживать, не ухудшая своих качеств, динамику деградации и восстановления свойств под облучением и при отжиге соответственно.

Во-вторых, с помощью облучения можно придавать им новые качества. И в том, и в другом случаях необходимо контролировать воздействие облучений на материал и, прежде всего, на его поверхность, поскольку часто именно здесь начинаются изменения его структуры.

Актуальность исследования воздействий радиации на поверхность графита и кремния определяется следующим:

• широтой использования изделий из графита и кремния как в условиях повышенной радиации, так и при естественном уровне радиационного фона;

• существенным влиянием особенностей поверхностей материалов на рабочие характеристики конкретного изделия, зависимостью свойств поверхности от типа и уровня радиационного воздействия, что может привести к коренным изменениям характеристик изделий;

• возможностью целенаправленного изменения свойств поверхности с использованием радиационных методов, что может быть использовано для разработки новых весьма перспективных технологий;

• необходимостью расширения знаний о воздействии различных видов радиации на поверхность изделий из графита и кремния.

Целью выполнения работы является изучение влияния различных видов радиационного воздействия на топографию поверхностей графита и кремния с помощью сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). Вышеуказанная цель включает в себя:

• подготовку максимально полного обзора опубликованных научных работ, посвященных СЗМ-исследованию радиационного воздействия на графит и кремний, обобщение и анализ уже выполненных исследований;

• разработку методик и реализацию облучения образцов на установках -ускорителях «ИСТРА» и «И-2», источнике осколков деления «ИОД», и др.;

• выполнение СЗМ-исследований облученных в различных условиях образцов графита и кремния для получения оригинальной информации об изменениях топографии поверхности в результате облучения;

• развитие метода количественной оценки развитости рельефа поверхности применительно к СЗМ-изображению;

• количественное определение степени развитости рельефа изучаемых поверхностей в зависимости от характеристик радиационного воздействия. Научную новизну диссертации определяют:

• оригинальный анализ уже проведенных СЗМ-исследований воздействия радиации на поверхность графита и кремния, выявление неисследованных, но имеющих большое значение для науки и практики областей радиационного воздействия по типу, энергии и флюенсу излучений;

• оригинальность полученной в ней информации об изменениях поверхности графита и кремния в результате радиационного воздействия разного типа и различных характеристик;

• обоснование возможности использования методов фрактальной размерности как наглядной количественной характеристики влияния радиации на топографию поверхности образцов;

• впервые проведенная количественная оценка развитости облученных поверхностей, позволяющая перейти от качественных критериев сравнения воздействий радиации на поверхности к количественным.

Подобная информация крайне полезна для разработки новых технологий (например, йтиЛ-СШ [12] и технологии создания автоэмиссионных катодов [13]), уточнения возможностей применения графита и кремния в конкретных условиях радиационного воздействия. Использование фрактальной размерности как единой количественной характеристики степени развитости поверхности делает возможным объективное сопоставление результатов различных работ и результатов, полученных при разнотипном облучении. Кроме того, открывается возможность получения информации о характеристиках облучения по СЗМизображению поверхности облученного образца. В этом - практическая ценность настоящей работы.

На защиту в диссертации выносятся:

• результаты анализа уже проведенных в мире исследований, позволившие выявить важные, но неисследованные области радиационного воздействия на поверхность графита и кремния по типу, энергии и флюенсу излучений;

• развитие методики облучения образцов;

• результаты СЗМ-исследования поверхности графита, облученного протонами с энергией 90 кэВ и 3 МэВ, осколками деления, высокоинтенсивной лазерной плазмой 8Ю2, ионами цезия;

• результаты СЗМ-исследования поверхности кремния, облученного протонами с энергией 700 кэВ и осколками деления;

• оценка возможности применения фрактальной размерности как характеристики развитости рельефа по СЗМ-изображению поверхности образца;

• полученные результаты количественной оценки воздействия облучений на рельеф поверхности исследованных образцов.

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международном симпозиуме по полевой эмиссии (Иордания, Ирбид, 1998), Совещании по ускорителям заряженных частиц (Россия, Протвино, 1998), Международной конференции по вакуумной микроэлектронике (Германия, Дармштадт, 1999), Международной конференции по сканирующей зондовой микроскопии (США, Сиэтл, 1999), Международной конференции по сканирующей туннельной микроскопии (Корея, Сеул, 1999), Межнациональных совещаниях "Радиационная физика твердого тела" (Украина, Севастополь, 1999 и 2000), Международной конференции по физике радиационных повреждений (Украина, Алушта, 2000), Международной конференции по радиационной физике и химии конденсированных сред (Россия, Томск, 2000), Международном уральском семинаре «Радиационная физика металлов и сплавов» (Россия, Снежинск, 2001), семинаре в Руанском Университете (Франция, Руан, 2001).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 научных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы, включающего 177 наименований. Полный объем диссертации - 133 печатные страницы, в том числе, 99 стр. занимает текстовый материал, 24 стр. - иллюстрации, 10 стр. - список литературы.

У.З.в. Выводы по разделу

Применение в последние два десятилетия понятий «фрактальность» и «фрактальная размерность» для описания процессов из разных областей науки дало возможность смоделировать, предсказать и описать такие явления, которые описать другими способами было сложно или невозможно. При рассмотрении в данной работе вопросов, связанных с описанием влияния радиации на развитость рельефа поверхности, была показана принципиальная возможность применения фрактальной размерности как количественной меры, описывающей воздействие того или иного типа облучения на рельеф поверхности. Было продемонстрировано такое применение фрактальной размерности при описании воздействия различных типов облучения на образцы кремния и графита. Кроме того, были описаны некоторые правила, в рамках которых, применение понятия фрактальной размерности имеет смысл. Рекомендации, составленные на основе подтвержденных теорией экспериментальных данных, также могут позволить применять характеристику - «фрактальная размерность» более эффективно и грамотно.

По своей видимой перспективности следует выделить вопросы, связанные с нахождением связи между величиной фрактальной размерности и эмиссионными свойствами материала. Получив такую достоверную зависимость, можно было бы избежать многих операций, связанных с дорогостоящими вакуумными исследованиями, а также суметь прогнозировать изменение эмиссионных свойств того или иного материала в процессе модификации рельефа его поверхности.

В заключение результаты и выводы по представленной работе можно сформулировать следующим образом:

1. Анализ выполненного обзора позволил представить общую картину уже проведенных исследований и выявить еще неизученные, но важные для науки и практики области воздействия радиации на поверхность графита и кремния по типу, энергии и флюенсу излучения.

2. Развиты и реализованы методики облучения образцов кремния и графита протонами на ускорителях ИТЭФ «ИСТРА» и «И2», осколками деления на конверторе нейтронов в осколки деления во ВНИИТФ (Снежинск), ионами цезия и лазерной плазмой 8Ю2.

3. Проведено исследование облученных образцов с помощью сканирующего туннельного микроскопа, атомно-силового микроскопа, просвечивающего электронного микроскопа, а также с использованием рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии; в результате проведенного исследования получена оригинальная информация об изменениях поверхности графита и кремния при воздействии радиации разного типа и различных характеристик.

4. Показано существенное изменение топографии поверхности графита в результате облучения протонами с энергией 90 кэВ и сравнительно малое влияние на топографию облучения протонами с энергией ЗМэВ, что согласуется с теоретическими представлениями.

5. Обнаружены схожие эффекты, проявляющиеся на поверхности графита и кремния в виде бугорков после облучения осколками деления.

6. Исследована динамика изменения поверхности кремния в процессе облучения протонами с энергией 700 кэВ и флюенсом от 1016 до 1018 р/см2. Показано, что при флюенсе 5-1016 р/см2 на поверхности появляются первые разрозненные

17 2 блистеры, при 5-10 р/см блистеры полностью покрывают поверхность, а при

1 О

10 р/см происходит переход ко флекингу.

7. Развита методика количественной оценки изменения топографии поверхности образцов в результате облучения; сформулированы рекомендации и ограничения на использование фрактальной размерности при расчете последней по СЗМ-изображению поверхности образцов.

8. Показана перспективность и эффективность применения фрактальной размерности для количественного описания воздействия на рельеф поверхности твердого тела различных типов радиации. Показана целесообразность использования фрактальной размерности при изучении эмиссионных характеристик и разработке плоских катодов.

9. Выполнена количественная оценка развитости поверхности исследованных образцов графита, подвергнутых радиационному воздействию различного типа. Величины профильной и поверхностной фрактальных размерностей лежали в интервалах от 1,0002 до 1,0414 и от 2,0002 до 2,0185 соответственно. Объективно, количественно показано, что поверхность образцов, облученных протонами с энергией 90 кэВ и флюенсом 1014 р/см2 наиболее развита.

Ю.Полученные в диссертации результаты:

• расширяют знания о радиационных воздействиях на поверхность изделий из уникальных и широко используемых материалов - графита и кремния;

• могут использоваться при разработке новых технологий, связанных с поверхностью этих материалов;

• показывают возможность и целесообразность перехода от распространенных качественных описаний к количественным измерениям при сравнении степени воздействия радиации различных типов и характеристик на поверхности различных твердых тел в различных условиях, что повышает уровень подобных исследований.

Автор глубоко признателен профессору А.Л. Суворову за постановку задачи и внимательное руководство работой; профессору А.Г. Залужному - за полезное обсуждение полученных результатов; Б.А. Логинову - за предоставленное приборное и программное обеспечение; кандидатам физ.-мат. наук В.Ф. Бобкову

122 и Ю.Н. Чеблукову - за эффективную поддержку работы; О.Н. Макееву - за участие в проведении исследований; профессору В.И. Трояну - за проведенное РФЭС-исследование; кандидату физ.-мат. наук М.О. Попову, A.B. Карпову, И.А. Кабанову и E.H. Скороходову - за помощь в работе; а также коллективам установок, на которых проводилось облучение образцов.

1.В. Гончаров, Н.С. Бурдаков, Ю.С. Виргильев, В.И. Карпухин, П.А. Платонов. Действие облучения на графит ядерных реакторов. М., «Атомиздат», 1978, 272 с.

2. Материаловедение и проблемы энергетики. Под ред. Г.Либовица и М.Уиттингэма. М., «Мир», 1982, с.153-156, с. 313-366.

3. А.А. Дроздовский, А.А. Коломиец, A.M. Козодаев, Т.Е. Третьякова. Способ уменьшения радиоактивности сильноточных ускорителей. Труды Международной конференции по электроядерным системам в перспективной ядерной энергетике, М., ИТЭФ, 1999, с. 254.

4. S. Iijima. "Helical microtubules of graphitic carbon", Nature, 1991, v.354, p.56.

5. П.Н. Дьячков. Углеродные нанотрубки материалы для компьютеров XXI века. «Природа», 2000, № 10, с. 97.

6. M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus and P. Avouris. "Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties, and Applications". Springer-Verlag, 2001, 464c.

7. L.P. Biro, G.I. Mark, J. Gyulai, N. Rozlosnik, J. Kurti, B. Szabo, L. Frey, H. Ryssel. Scanning probe method investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite. Carbon, 1999, v. 37, p. 739-744.

8. L.P. Biro, B. Szabo, G.I. Mark, J. Gyulai, K. Havancsak, J. Kurti, A. Dunlop, L. Frey, H. Ryssel. Carbon nanotubes produced by high energy (E>100 MeV), heavy ion irradiation of graphite. Nucl. Instr. and Meth. B. 1999, v. 148, p. 1102-1105.

9. L.P. Biro, G.I. Mark, J. Gyulai, K. Havancsak, S. Lipp, Ch. Lehrer, L. Frey, H. Ryssel. AFM and STM investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite. Nucl. Instr. and Meth. B. 1998, v. 147, p. 142-147.

10. H.K. Wickramasinghe. Progress in scanning probe microscopy. Acta mater. 2000, v. 48, p. 347-358.

11. Большая советская энциклопедия. M., «Советская энциклопедия», 1972, т. 13, с.1124.

12. Silicon-On-Insulator Technology. -MRS Bulletin, 1998, v.23, № 12.13

13. M.O. Попов. «Исследование автоэмиссионных и радиационных свойств углеродных материалов и возможности их применения в катодах люминесцентных источников света», кандидатская диссертация. М.: ГУП ГНЦ РФ ИТЭФ, 2000.

14. М. Праттон. Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000, 256 с.

15. Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности. М., «Мир», 1989, 564с.

16. Методы анализа поверхностей. Под ред. А.Зандерны. М., «Мир», 1979.

17. М.И. Рязанов, И.С. Тилинин. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. М., «Энергоатомиздат», 1985, 152 с.

18. Советский энциклопедический словарь. М., «Советская энциклопедия», 1982, с. 1251.

19. И. Урсу. Физика и технология ядерных материалов. М., «Энергоатомиздат», 1988,480 с.on

20. Б.А. Калин, Д.М. Скоров, B.JL Якушин. Проблемы выбора материалов для термоядерных реакторов. М.: «Энергоатомиздат», 1985,184 с.

21. В.М. Лебедев. Ядерная энергетика. Радиоактивные отходы и обеспечение безопасности. Обнинск, издательство ГЦИПК, 1998, с.4, 73.

22. А.Х. Касымов. Поверхностные свойства твердых тел, легированных ионной бомбардировкой. Ташкент, «ФАН», 1987, 104 с.

23. У.А. Арифов, A.A. Алиев. Угловые закономерности взаимодействия атомных частиц с твердым телом. Ташкент, «ФАН», 1974, 286 с.

24. A.JI. Суворов. Дефекты кристаллической и электронной структуры материалов. М., «МИЭМ», 1988, 80 с.

25. Д. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М., «Атомиздат», 1972, 600 с.26

26. В.Г. Бару, Ф.Ф. Волькенштейн. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М., «Наука», 1978, 288 с.

27. A.A. Ботаки, A.A. Воробьев, В.Л. Ульянов. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: «Атомиздат», 1980, 280 с.

28. В.А. Ивченко, H.H. Сюткин, Л.Ю. Кузнецова. Эффект аморфизации в приповерхностных объемах ионно-имплантированных сплавов. Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 13, с. 5-10.29

29. Г.А. Качурин. Стимулированная облучением твердофазная кристаллизация слоев аморфного кремния. Микроэлектроника, 1994, т. 23, вып. 6, с. 83.

30. В.А. Тележкин. Теория радиационных дефектов в полупроводниках. Киев,

31. Наукова думка», 1988, 132 с.11

32. B.C. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. М., «Наука», 1988,192 с.

33. М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко. Радиационный блистеринг. УФН, 1981, т. 135, вып. 4, с. 672-691.33

34. Н.В. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М., «Вузовская книга», 1998.

35. В.Ф. Реутов. Ш.Ш. Ибрагимов. Авторское свидетельство № 1282757 от 30.12.83. СССР. Способ изготовления плоских пластин кремния.

36. Д.В. Вялых, С.И. Федосеенко. Исследование микротопографии поверхностей SÍO2 и Si межфазной границы Si/Si02 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 1999, т. 33, вып. 6, с. 708-711.37

37. В.П. Попов. Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем. Известия ВУЗов: Электроника, 1998, №5, с. 22.

38. M. Bruel. Electronics Letters 1995, v. 31(14), p. 1201-1202.

39. M. Bruel. Application of hydrogen ion beams to Silicon On Insulator material technology. Nucl. Instr. and Meth. B. 1996, v. 108, p. 313-319.

40. В.П. Попов, Я. Бак-Мисюк, В.Ф. Стась, A.K. Гутаковский, А.И. Антонова. Механизм блистеринга в облученных водородом слоях кремния. 3-й

41. Международный уральский семинар «Радиационная физика металлов и сплавов». Тезисы докладов. Снежинск, 1999, с. 78-79.

42. М.И. Маковейчук, Е.О. Паршин. SIMOX/SOI Технология: состояние и перспективы. Труды VIII Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», 1998, с. 427-431.

43. М.А. Kozodaev, O.N. Makeev, A.L. Suvorov. STM analyses of surface phenomena in Si(100) under proton irradiation. Ultramicroscopy, 2000, v. 82, p. 111-117.

44. М.И. Елинсон, Г.Ф. Васильев. Автоэлектронная эмиссия. М.:«Физматгиз», 1958.

45. A.JI. Суворов, А.Ф. Бобков, С.З. Зайцев, М.О. Попов, Е.Н. Скороходов, Е.В. Давыдов. Катодолюминесцентные, высокоэффективные, экологически чистые источники света на основе автоэлектронной эмиссии материалов. Препринт ИТЭФ № 25-98, М.: 1998, 54 с.

46. Kenneth A. Dean, Babu R. Chalamala. Curent saturation mechanisms in carbon nanotube field emitters. Appl. Phis. Let. 2000, v. 76, №3, p. 375-377.

47. M. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1973.

48. Э. Руска. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии -Нобелевские лекции по физике. УФН, 1988, т. 154, вып.2, с. 243.

49. G. Binning, Н. Rohrer, Ch. Gerber, Е. Weibel. Physica. Ser. В, 1982, v. 109-110, p. 2075.

50. E.W. Muller. Z. Physik, 1951, v.131, p. 136.

51. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Квантовая механика, M., «Наука», 1972.

52. А.С. Давыдов.«Квантовая механика. «Наука», М., 1973, 704 с.

53. Туннельные явления в твердых телах. Под редакцией Э.Бурштейна и С.Лундквиста. М., «Мир», 1973,424 с.

54. Д.И. Блохинцев.«Основы квантовой механики. М., «ВШ», 1963.

55. В.Ф. Елесин, А.В. Крашенинников, Л.А. Опенов, А.Л. Суворов. М.: Препринт ИТЭФ 1999 № 25.

56. G.A.D. Briggs, A.J. Fisher. STM experiment and atomistic modelling hand in hand: individual molecules on semiconductor surfaces. Surf. Sci. Rep., 1999, v. 33, p. 1-81.

57. E.W. Muller, Adv. Electron. Electron Phys., 1960, v. 13, p. 83.

58. R. Vanselow, W.A. Schmidt, Z. Naturforsch. A, 1966, v. 21, p. 1960.

59. E.W. Muller, J.A. Panitz, S.B. McLane, Rev. Sci. Instrum., 1968, v. 39, p. 83.

60. R.J. Walko, E.W Muller, Phys. Stat. Sol. A, 1972, v. 9, p. K9.

61. А.Л. Суворов. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. М., «Энергоатомиздат», 1982.

62. D.N. Seidman, Surf. Sci., 1978, v.70, p.532.

63. K.M. Bowkett, D.A. Smith. Field-ion Microscopy. North Holland, Amsterdam, 1970.

64. M.K. Miller, J.A. Horton, J. De Physique, 1987, v. 48-C6, p. 379.

65. А.Л. Суворов, T.C. Голубева, C.B. Зайцев, А.Ф. Бобков. Поверхность, 1988, №11, с.48.

66. A.L. Suvorov, T.L. Razinkova, A.G. Sokolov. Computers in Field Ion Microscopy. Phys. Stat. Sol. (A), 1980, v. 61, p. 11-52.

67. A.JI. Суворов. ПТЭ, 1969, № 5, с. 5.

68. А.Л. Суворов. Микроскопия в науке и технике. М., «Наука», 1980.

69. А.Л. Суворов. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. М., «Энергоатомиздат», 1990, 296 с.70

70. М. Миллер, Д. Смит. «Зондовый анализ в автоионной микроскопии» под ред. А.Л. Суворова. М., «Мир», 1993, 304 с.71

71. R. Neumann. Scanning probe microscopy of ion-irradiated materials. Nucl. Instr. and Meth. B, 1999, v. 151 p. 42-55.72

72. J.B. Malherbe, R.Q. Odendaal. Ion sputtering, surface topography, SPM and surface analysis of electronic materials. Appl. Surf. Sci., 1999, v. 144-145, p. 192-200.

73. L. Porte, M. Phaner, C.H. de Villeneuve, N. Moncoffre, J. Tousset. Scanning tunneling microscopy study of single-ion impacts on graphite surface. Nucl. Instr. and Meth. B, 1989, v. 44, p. 116-119.

74. L. Porte, C.H. de Villeneuve, M. Phaner. STM-observation of local damages induced by ion implantation on graphite surface. J. Vac. Sci. Technol. B, 1991, v. 9(2), p. 1064-67.

75. Yasunori Koga, Yasumichi Miyazaki and Nobuyuki Nakagiri. STM Study of the Effects of Etching on the Surface of Kish-Graphite. Japanese J. Appl. Phys., 1988, v. Surf. Sci. Letters 27, p. L976-L978.76

76. W. Boise, K. Reimann, U. Geyer, K.P. Lieb. Surface and sub-surface defects on graphite after single ion impact studied with STM Nucl. Instr. and Meth. B, 1996, v. Surf. Sci. Letters 118, p. 488-492.77 • •

77. Biro L.P., Gyulai J., Havancsak K. Scanning-tunneling-microscopy investigation of 215-MeV Ne-irradiated graphite surface. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, № 3, p. 2047-2053.78

78. P. Biro, J. Gyulai, K. Havancsak. Atomic scale investigation of surface modification induced by 215 MeV Ne irradiation on graphite. Nucl. Instr. and Meth. B, 1996, v. 112, p. 270-274.7Q

79. G.M. Shedd and P.E. Russel. The effects of low-energy ion impacts on graphite observed by scanning tunneling microscopy. J.Vac. Sci. Technol. A., 1991, v. 9 (3), p. 1261-1264.

80. R. Coratger, A. Claveria, A. Chahboun, V. Landry, F. Ajustron, J.Beauvillain. Effects of ion mass and energy on the damage induced by an ion beam on graphite surfaces: a scanning tunneling microscopy study. Surf. Sci., 1992, v. 262, p. 208-218.

81. R. Coratger, A. Chahboun, V. Sivel, F. Ajustron and J. Beauvillain. Scanning tunneling microscopy of the damage induced by ion bombardment on a graphite surface. Ultramicroscopy, 1992, v. 42-44, c. 653-659.

82. А.Ю. Дидык, C.B. Латышев, В.К. Семина, А.Э. Степанов, А.Л. Суворов, А.С. Федотов, Ю.Н. Чеблуков. Исследование воздействия ионов криптона с энергией

83. MeV на высокоориентированный пиролитический графит. Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 17, с. 1-5.

84. P.I.Oden, T.Thundat, L.A.Nagahara. et al. Surf. Sci. Lett., 1991, v. 254, p.454-459.

85. Д.В. Куликов, A.JI. Суворов, P.A. Сурис, Ю.В. Трушин, B.C. Харламов. Физическая модель формирования периодической структуры на поверхности пиролитического графита при высокоэнергетическом ионном облучении. Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, № 14, с. 89-93.

86. L.P. Biro, J. Gyulai, К. Havancsak, A. Yu. Didyk, L. Frey, H. Ryssel. In-depth damage distribution by scanning probe methods in targets irradiated with 200 MeV ions. Nucl. Instr. and Meth. B, 1997, v. 127/128, p. 32-37.527

87. P. Biro, J. Gyulai, K. Havancsak, A. Yu. Didyk, S. Bogen, L. Frey, H. Ryssel. New method based on atomic force microscopy for in-depth characterization of damage in Si irradiated with 209 MeV Kr. Nucl. Instr. and Meth. B, 1997, v. 122, p. 559-562.on

88. J.R. Hahn, H. Kang., S. Song, I.C. Jeon. Observation of charge enhancement induced by graphite atomic vacancy: A comparative STM and AFM study. Phys. Rev. B, 1996, v. 53, №4, p. R1725-R1728.

89. K. Nordlund, J. Keinonen, T. Mattila. Formation of Ion Irradiation Induced Small-Scale Defects on Graphite Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1996, v. 77, № 4, p. 699-702.

90. H. Ogiso, W. Mizutani, S.Nakano, H.Tokumoto, K. Yamanaka. Lattice disorder and density of states change of graphite surface by single ion impact. Appl. Phys. A, 1998, v. 66, p. S1155-S1158.

91. T. Matsukawa, S. Suzuki, T. Fukai, T. Tanaka, I. Ohdomari. STM observation of "craters" on graphite surface induced by single ion implantation. Appl. Surf. Sci., 1996, v. 107, p. 227-232.

92. D. Marton, H. Bu, K.J. Boyd, S.S. Todorov, A.H. Al-Bayati, J.W. Rabalais. On the defect structure due to low energy ion bombardment of graphite. Surf. Sci. Lett., 1995, v. 326, p. L489-493.

93. K. P. Reimann, W. Boise, U. Geyer and K. P. Lieb. Atomically Resolved Imaging of the Defect Structure on Graphite After Oblique Single-Ion Impact. Europhys. Lett., 1995, v. 30 (8), p. 463-468.

94. V.F. Elesin, L.A. Openov. Clusters of interstitial carbon atoms near the graphite surface as a possible origin of dome-like features observed by scanning tunneling microscopy. Surf. Sci., 1999, v. 442, p. 131-140.

95. S. Habenicht, K.P. Lieb, W. Boise, U. Geyer, F. Roccaforte, C. Ronning. Ion beam erosion of graphite surfaces studied by STM: Ripples, self-affine roughenning and near-surface damage accumulation. Nucl. Instr. and Meth. B, 2000, v. 161-163, p. 958-962.

96. Elliot A. Eklund, Eric J. Snyder, R. Stanley Williams. Correlation from randomness: quantitative analysis of ion-etched graphite surfaces using the scanning tunneling microscopy. Surf. Sci., 1993, v. 285, p. 157-180.

97. Elliot A. Eklund, R. Bruinsma, J. Rudnick, R. Stanley Williams. Submicron-Scale Surface Roughening Induced by Ion Bombardment. Phys. Rev. Lett., 1991, v. 67, № 13, p. 1759-1762.

98. E. Bourelle, H. Konno, M. Inagaki. Structural defects created on natural graphite surface by slight treatment of oxygen plasma. STM observations. Carbon, 1999, v. 37, p. 2041-2048.

99. H. Kemmer, S. Grafstrom, M. Neitzert, M. Wortge, R. Neumann, C. Trautmann, J. Vetter, N. Angert. Scanning tunneling microscopy of surface modifications induced by UNILAC heavy-ion irradiation. Ultramicroscopy, 1992, v. 42-44, p. 1345.

100. Hong-Xing You, Norman M.N. Brown and Khalid F. Al-Assadi. The surface modification using argon radio-frequency plasmas of highly oriented pyrolytic graphite: a scanning tunneling microscopy study. Surf. Sci., 1992, v. 279, p. 189-198.

101. Kazushi Hayashi, Sadanori Yamanaka, Hideyuki Watanabe, Takashi Sekiguchi, Hideyo Okushi, Koji Kajimura. Atomic force microscopy study of atomically flat (001) diamond surfaces treated with hydrogen plasma. Appl. Surf. Sci., 1998, v. 125, p. 120-124.

102. A.JI. Суворов, Ю.Н. Чеблуков, H.E. Лазарев, А.Ф. Бобков, М.О. Попов, В.П. Бабаев. Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии. ЖТФ, 2000, т. 70, вып. 3, с. 56-61.

103. R.M. Feenstra and G.S. Oehrlein. Surface morphology of oxidized and ion-etched silicon by scanning tunneling microscopy. Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, № 2, p. 97-99.

104. R.M. Feenstra and G.S. Oehrlein. Summary Abstract: Surface morphology of oxidized and ion-etched silicon by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol B, 1985, v. 3(4), p. 1136-1137.

105. I.H. Wilson, N.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Effects of isolated atomic collision cascades on Si02/Si interfaces studied by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, 1988, v. 38, № 12, p. 8444-8450.

106. I.H. Wilson, N.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Scanning tunneling microscopy of ion impacts on semiconductor surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v. 7, № 4, p. 2840-2844.1

107. T.K.S. Wong and I.H. Wilson. Surface morphology of arsenic implanted silicon dioxide observed by atomic force microscopy. Nucl. Instr. and Meth. B, 1994, v. 91, p.639-643.

108. H.J.W. Zandvliet, H.B. Elswijk, E.J. van Loenen, I.S.T. Tsong. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of ion-bombardment Si(lll) and Si(100) surfaces. Phys. Rev. B, 1992, v.46, №12, p. 7581-7587.

109. H. Feil, H.J.W. Zandvliet, M.-H. Tsai, John D. Dow, I.S.T. Tsong. Random and Ordered Defects on Ion-Bombarded Si(100)-(2xl) Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1992, v. 69, №21, p. 3076-3079.

110. Pascal Brault, Philippe Dumas and Franck Salvan. Roughness scaling of plasma-etched silicon surfaces. J. Phys.: Condens. Matter, 1998, v. 10, p. L27-L32.

111. Kenji Kimura, Akira Fukui, Kaoru Nakajima, Michi-hiko Mannami. Preparation ofsmooth Si(0 01) surfaces by glancing angle sputtering. Nucl. Instr. and Meth. B, 1999,v. 148, p. 149-153. 1 11

112. G. Gottschalk, Th. Fries, C. Becker and K. Wandelt. Topography of sputtered Si(100) surfaces studied by STM in air. Ultramicroscopy, 1992, v. 42-44, p. 1376-1380.1 1 o

113. P. Bedrossian. Generation and healing of low-energy ion-induced defects on Si(100)-2x1. Surf. Sci, 1994, v. 301, p. 223-232191

114. P. Bedrossian and T. Klitsner. Anisotropic Vacancy Kinetics and Single-Domain Stabilization on Si(100)-2xl. Phys. Rev. Lett, 1992, v. 68, № 5, p. 646-649.1 -"yj

115. P. Bedrossian and T.Klitsner. Surface reconstruction in layer-by layer sputtering of Si(l 11). Phys. Rev. B, 1991, v. 44, № 24, p. 13783-13786.

116. T. Osipowicz, J.A. van Kan, T.C. Sum, J.L. Sanchez, F.Watt. The use of proton microbeams for the production of microcomponents. Nucl. Instr. and Meth. B, 2000, v. 161-163, p. 83-89.

117. R. Coratger, A. Claverie, F. Ajustron and J. Beauvillain. Scanning tunneling microscopy of defects induced by carbon bombardment on graphite surfaces. Surf. Sci, 1990, v. 227, p. 7-14.

118. T. Li, B.V. King, R.J. MacDonald, G.F. Cotteril, D.J. O'Connor, Q. Yang. A STM study of the effects of the ion incident angle and energy on surface damage induced by Ar+ bombardment ofHOPG. Surf. Sci, 1994, v. 312, p. 399-410.1 JS

119. Gupta B.K, Juntingb J, Jensen U.M, Pedersen G.N, Sorensen G. Ion-induced modification of graphite coatings. Appl. Phys. Lett, 1992, v. 61, № 10, p. 1177-1179.127 •

120. Andrienko and D. Haneman. Surface structures on cleaved silicon by scanningtunnelling microscopy. J. Phys.: Condens. Matter, 1999, v. 11, p. 8437-8444.128

121. О. Shvedov et al. «1ТЕР Subcritical Neutron Generator Driven by Charged Particle Accelerator». Proc. of the Intern. Conf. on Acceleration-Driven Transmut. Technologiesand Applications. Las Vegas, 1994, p. 425.j-ji

122. В.А. Баталии и др. Линейный ускоритель протонов «И-2» на энергию 25 МэВ. ПТЭ, 1967, №5, с. 9-12.1 то

123. N.V. Lazarev et al. 30 years Operation of 25 MeV Proton Linac 1-2 in ITEP at Beam current of 200-230 mA. -Proc. of the 1996 Intern. Linac Conf. (LINAC-96), 1996, p. 542-544.

124. B.C. Дьянков, В.П. Королев, А.И. Кормилитцин и др. Обзор ARSRITP экспериментальных устройств для радиационных исследований. Физика металлов и металловедение, 1996, т. 81, ч. 2, с. 245.

125. В.Т. Казазян, Б.А. Литвиненко, Л.П. Рогинетс, И.А. Савушкин. Физические основы использования кинетической энергии осколков деления в радиационной химии. Минск, «Наука и техника», 1972.

126. С.В. Латышев, Ю.Н. Чеблуков. ЖТФ, 1998, т. 68, вып. 11, с. 27-31.138

127. M. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М.: «Мир», 1971, с. 117.

128. В.В. Mandelbrot. Fractals: Form, Chance and Dimension. San Francisco, «Freeman», 1977.

129. Х.-О. Пайтген, П.Х. Рихтер. Красота фракталов. Образы комплексных динамических систем: пер. с англ. -М.: Мир, 1993, 176 е.

130. В.В. Mandelbrot. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco, «Freeman», 1982.

131. E. Федер. Фракталы. M.: Мир, 1991, 260 с.

132. Фракталы в физике. -Труды VI международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 1985): пер. с англ. -М.:Мир, 1988, -670с.

133. Б.М. Смирнов. Фрактальные кластеры. УФН, 1986, т. 149, вып. 2., с. 177-219.

134. Р. Жюльен. Фрактальные агрегаты. УФН, 1989, т. 157, вып. 2, с. 339-357.

135. И.М. Соколов. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания. УФН, 1986, т. 150, вып. 2., с. 221-255.150 j vicsek. Fractal Growth Phenomena. World Scientific, Singapore, 1989.

136. Petre Constantin, Itamar Procaccia, K.R. Sreenivasan. Fractal Geometry of Isoscalar Surfaces in Turbulence: Theory and Experiments. Phys. Rev. Lett., 1991, v. 67, № 13, p. 1739-1742.1 fO ■

137. Felix Hausdorff, Dimension und Äusseres Mass, Mathematische Annalen, 1919, v. 79, p. 157-179.

138. P.M. Кроновер P.M. Фракталы и хаос в динамических системах. М., «Постмаркет», 2000, 352с.

139. A.B. Нейнмарк A.B. Определение поверхностной фрактальной размерности по данным адсорбционного эксперимента. Журнал Физ. Хим. 1990, т. 64, вып. 10, с. 2593-2605.

140. H.D. Bale, P.W. Schmidt. Phys. Rev. Lett, 1984, v. 53, p. 596.

141. H.J. Stapleton, J.P. Allen, C.P. Flynn, D.G. Stinson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett, 1980, v. 45, p. 1456.

142. L.D. Dillon, R.E. Rapp, O.E. Vilches. J. Low Temp. Phys, 1985, v. 59, p. 35.158

143. К. Цаллис. Об измерении фрактальных размерностей по физическим свойствам. Труды VI международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 1985) пер. с англ. М.: «Мир», 1988.

144. J.J. Mecholsky, T.J. Mackin, and D.E. Passoja. Adv. Ceram, 1988, v. 22, p. 127.

145. В.Д. Шабетник, Д.В. Шабетник, П.В. Шабетник. Фрактальная физика. «Физ. Мысль России», 2000, №2, с. 91-103.161 ГОСТ 2789-73.162

146. Н.Б. Демкин. Контактирование шероховатых поверхностей. М, «Наука», 1970.

147. B.C. Лукьянов. Прогресс и новые задачи развития метрологии качества обработанных поверхностей. -Доклад на симпозиуме «Развитие высокоточных методов контроля качества обработанных поверхностей», М,ВНИИМС, 1987,17с.

148. В.В. Mandelbrot, D.E. Passoja, A.J. Paullay. Fractal character of fracture surfaces of metals. Nature, 1984, v. 308, p. 721-722.

149. D. Avnir, D. Farin, P. Pfeifer. Molecular fractal surfaces. Nature, 1984, v. 308, p. 261-263.167 p pfeifer5 d Avnir, D. Farin. Ideally irregular surfaces, of dimension greater than two, in theory and practice. Surf. Sci., 1983, v. 126, p. 569-572.

150. M.B. Ерофеев, Б.А. Калин, B.A. Моисеев. Фрактальная размерность откольного разрушения алюминия при наносекундной длительности нагружающего импульса. Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, №10, с.14-17.

151. S.T. Huntington, P. Mulvaney, A. Roberts, К.A. Nugent, М. Bazylenko. Atomic Force microscopy for the determination of refractive index profiles of optical fibers and waveguides: A quantitative study. J. Appl. Phys., 1997, v. 82 (6), p. 2730-2734.

152. D.R. Denley. Scanning tunneling microscopy of rough surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v. 8(1), p. 603-607.171 •

153. Morgan W. Mitchell, Dawn A. Bonnell. Quantitative topographic analysis of fractal surfaces by scanning tunneling microscopy. J. Mater. Res., 1990, v.5, №5, p.2244-2254.

154. J. Krim, I. Heyvaert, C. Vanhasendonck, and Y. Bruynseraede. Scanning Tunneling Microscopy Observation of Self-Affme Fractal Roughness in Ion-Bombarded Film Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1993, v. 70, № 1, p. 57-60.

155. S. Talibuddin and J.P. Runt. Reliability test of popular fractal techniques applied to small two-dimensional self-affine data sets. J. Appl. Phys., 1994, v. 76(9), p.5070-5078.

156. L. Vazquez, R.C. Salvarezza, P. Ocon, P. Herrasti, J.M. Vara, and A.J. Arvia. Self-affine fractal electrodeposited gold surfaces: Characterization by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev., 1994, v. 49, № 2, p. 1507-1511.1 7S

157. Spanos and E.A. Irene. Investigation of roughened silicon surfaces using fractal analysis. I. Two-dimensional variation method. J. Vac. Sci. Technol. A., 1994, v. 12, № 5, p. 2646-2652.

158. Yu. N. Cheblukov, A.S. Fedotov, M.A. Kozodaev, B.A. Loginov, M.O. Popov, A.E. Stepanov, A.L. Suvorov. Quantitative scanning tunneling microscopy of radiation-induced modification of materials surface. Mater. Sci. and Eng. A, 1999, v. 270, p. 102-106.