Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

1 Введение

2 Колебательные спектры сложных кристаллов с тетраэдрическиой координацией структуры.

2.1 Феноменологические модели решеточной динамики кристаллов.

2.1.1 Общие соотношения.

2.1.2 Модели короткодействующих сил.

2.1.3 Дальнодействующие силы и метод Эвальда.

2.1.4 Модели, учитывающие поляризуемость среды.

2.2 Решеточная динамика соединений А11 В1УС2 и А'В111^1 со структурой халькопирита

2.2.1 Фононные спектры халькопиритов в модели жестких ионов

2.2.2 Учет условий равновесия в динамике решетки тройных соединений.

2.3 Спектры колебаний кристаллов тройных соединений АпВ^пСГ с упорядоченным расположением вакансий.

2.4 Спектр колебаний решетки а — Нд

2.5 Колебания в монослойной сверхрешетке

СаА5)1(АШ)1[001]

2.6 Фононы в короткопериодических сверхрешетках 5г3(те1 и Бг^ез

3 Физические свойства, обусловленные колебаниями решетки в тройных соединениях

3.1 Упругие и термодинамические характеристики.

3.1.1 Внутренние смещения ионов в кристаллах А2£?4С| и А1 В^С^ с решеткой халькопирита в условиях однородной деформации

3.1.2 Расчет сжимаемостей кристаллов со структурой халькопирита в модели Китинга.

3.1.3 Упругие модули кристаллов со структурой халькопирита

3.1.4 Температурная зависимость теплоемкости и дебаевская температура

3.2 Инфракрасная дисперсия света в кристаллах со сложной структурой

3.2.1 Диэлектрическая проницаемость в инфракрасном диапазоне частот

3.2.2 Инфракрасная дисперсия света в кристаллах со структурой халькопирита и анизотропия оптических свойств.

3.3 Расчет многофононного поглощения света в кристаллах тройных полупроводников

3.3.1 Теория многофононного поглощения света в сложных кристаллах

3.3.2 Коэффициент поглощения света в многофононной области для кристаллах со структурой халькопирита.

4 Электрон-фононное взаимодействие в кристаллах со сложной структурой

4.1 Взаимодействие электронов с длинноволновыми фононами в тройных полупроводниках

4.1.1 Электрический потенциал, создаваемый длинноволновыми фононами

4.1.2 Электрон-фононное взаимодействие в кристаллах с решеткой халькопирита.

4.2 Анализ температурной зависимости подвижности носителей заряда в полупроводниках

СЛУеАзг с решеткой халькопирита.

4.2.1 Дрейфовая подвижность электронов в СсЮеАвъ

4.2.2 Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в

СвОёАа

4.3 Междолинное рассеяние электронов на фононах в полупроводниковых кристаллах.

4.3.1 Расчет параметров междолинного рассеяния на фононах в кристаллах АП1ВУ

4.3.2 Псевдопотенциальный расчет междолинных потенциалов рассеяния в монослойной сверхрешетке

А1Аз)! (СаЛйМОМ)

5 Проявления эффектов образования пространственных сверхструктур в колебательных спектрах кристаллов

5.1 Влияние сверхструктур упорядочения кислорода на колебательные спектры высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си^От-х

5.1.1 Проблема упорядочения в кислород-дефицитных иттрий-бариевых сверхпроводниках.

5.1.2 Колебательные спектры тетрагональной УВа2Си30& и простой орторомбической УВа2Си30г фаз.

5.1.3 Динамика решетки УВа2Си30т-х в сверхструктурах упорядочения кислорода орто-П и орто-Ш.

5.1.4 Экспериментальные проявления реконструкции фононных спектров в сверхструктурах упорядочения и характеризация структуры

5.2 Нелокальное диэлектрическое экранирование и электрические поля, связанные с оптическими фононами в сверхрешетках.

5.2.1 Нелокальный диэлектрический отклик в фононном диапазоне частот

5.2.2 Элекростатические поля фононов в решеточной динамике

5.2.3 Результаты и обсуждение.

6 Диэлектрическая теория и расчет колебательных спектров в полупроводниковых кристаллах

6.1 Общий квантовомеханический подход к расчету колебательных свойств кристаллов.

6.1.1 Силовые матрицы в адиабатическом приближении.

6.1.2 Метод функционала плотности и теория линейного отклика

6.1.3 Аналитические свойства матрицы поляризуемости.

6.1.4 Динамическая матрица, тензор эффективного заряда и акустическое правило сумм.

6.2 Свойства симметрии диэлектрического отклика в изоляторах.

6.3 Диэлектрическое экранирование в модельной зонной структуре кубического полупроводника

6.4 Расчет колебательных спектров кубических полупроводников в модели неоднородной поляризуемой среды.

6.4.1 Различные пространственные масштабы реакции элекронов на внешнее поле и минимизация функционала электронной плотности

6.4.2 Параметризация функционала кинетической энергии в модели неоднородной поляризуемой среды.

6.4.3 Спектр фононов в модели неоднородной поляризуемой среды.

6.4.4 Реакция системы на однородное внешнее электрическое поле.

Основные результаты работы докладывались на IX Совещании по теории полупроводников (Тбилиси 1978 г.), XI Совещании по теории полупроводников (Ужгород, 1983 г.), III республиканском семинаре "Энергетическая структура кристаллов с разным типом химической связи" (Донецк -Старый Караван, 1984 г.), XIII Всесоюзном совещании по теории полупроводников (Ереван, 1987 г.), Всесоюзных конфе-ренцях "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, 1979, 1983 гг.), Всесоюзном совещании "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (г.Паланга, 1987), Координационном совещании "Электронная плотность, химическая связь, физико-химические свойства твердых тел" (Москва,1988), VI Всесоюзном семинаре "Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников" (г.Новосибирск, 1989 г.),

245

Всесоюзном семинаре "Проблемы зонной теории" (Грозный, 1990 г.), XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников ( Киев, 1990 г.), Всесоюзном семинаре "Энергетическая структура неметаллических кристаллов с разным типом химической связи"(Ужгород, 1991 г.), 1-й Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993 г.), Second International Conference on Nanometer Scale and Technology (Moscow, 1993), 2th, 8th, 9th, 10th, 11th International Conferences on Ternary and Multinary Compounds (Strasbourg, 1975; Kishinev, 1990; Yokohama, 1993; Stuttgart, 1995; Salford, 1997), NATO Advanced research workshop HTSC-5 (Moscow, 1998), 22nd International Conference on Low Temperature Physics (Espoo and Helsinki, 1999), VI Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 99" (Новосибирск, 1999 г.), Седьмой Российской конференции "Арсе-нид галлия GaAs-99" (Томск, 1999 г.), Научных сессиях ИНТАС (Москва,1996,1998 гг.). Результаты работы также обсуждались на научных семинарах и в научных группах в СФТИ, ТГУ (Томск), ИОНХ РАН (Москва), ИФП РАН им. П.Л.Капицы (Москва), Dipartimento di Fizice l'Universita di Cagliari (Cagliari, Italy)

Автор выражает благодарность своим соавторам Караваеву Г.Ф., Поплавному A.C., Борисенко С.И., Гриняеву С.Н., Скачкову С.И.

Работа частично поддерживалась Программой поддержки международного сотрудничества Госкомитета РФ по ВО, проект N 1.18.1 (1993 г.), Международой Соросовской программой "Образование в области точных наук", грант N d750 (1995 г.), и двумя международными программами ИНТАС, гранты N 93-1707 (1995-1996 гг.) и N 93-1707ext (1997-1999 гг.).

1. Г.JI.Вир, Г.Е.Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М:ФМЛ., 1972.

2. В.А.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников, Физика полупроводников, 612 с. М: Наука, 1977.

3. A.А.Абрикосов, Л.П.Горьков, И.Е.Дзялошинский, Методы квантовой теории поля в статистической физике. Гостехиздат, 1962.

4. B.Л.Гинзбург , Д.А.Киржниц, ред., Проблема высокотемпературной сверхпроводимости, 400с. М.:Наука, ФМЛ, 1977.

5. G.L.Zhao and J.Callaway, "Phonons and superconductivity in YВа2Си307 ," Phys.Reui.B., vol. 50, no. 13, pp. 9511-9521, 1994.

6. R.A.Evarestov, Yu.E.Kitaev, M.F.Limonov, and A.G.Panfilov, "Optical phonons and their role in high- Tc superconductivity mechanism," Phys. Stat. Sol. (b), vol. 179, pp. 249-297, 1993.

7. O.K.Andersen, A. Liechtenstein, O.Rodriguez, I.I.Mazin, O.Jepsen, V.P.Antropov, O.Gunnarsson, and S.Gopalan, "Electrons, phonons and their interaction in YBa2Cu307 ," Physica C, vol. 185-189, pp. 147-155, 1991.

8. В.Ф.Гантмахер, И.Б.Левинсон, Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, 350 е. М: Наука ФМЛ, 1984.

9. D.Gasquet, M.Marcia, J.P.Nougier, and C.Contrand, "Transport properties of hot electrons in GaAs at 300 K," Physica ВС, vol. 134, no. 1-3, pp. 264-267, 1985.

10. А.Пуле, Ж.П.Матье, Колебательные спектры и симметрия кристаллов, ^31 с. М:Мир, 1973.

11. M.Balkanski, "Optical properties due to phonons," in Handbook on Semiconductors (T.S.Moss, ed.), pp. 497-543, Amsterdam: North-Holland, 1980.

12. E.P.Pokatilov, V.M.Fomin, S.N.Klimin, and S.N.Balaban, "Characterization of nanostructures by virtue of the phenomena due to the electron-phonon interaction," Appl.Surf.Sci., vol. 104, pp. 546-551, 1996.

13. М.Кардона, Г.Гюнтеродт, ред., Рассеяние света в твердых телах. М: Мир, 1979, 1984, 1985, 1986.

14. С.М. Jusserand, Light scattering in solids, 437 с. М:Мир, 1973.

15. Н.А.Горюнова, Сложные алмазоподобные полупроводники, 276 с. М: Советское радио, 276 е., 1968.

16. Н.А.Горюнова, Ю.А.Валов, ред., Полупроводники А2В4С2 . М: Советское радио, 1974.

17. J.L.Shay and J.H.Wernick, Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. Pergamon Press: New-York, 1975.

18. Д.Н.Никогосян "Кристаллы для нелинейной оптики" Кв. электроника, т. 4, N. 1, сс. 5-26, 1977.

19. К.Л.Водопьянов, В.Г.Воеводин, А.И.Грибенюков, Л.А.Кулевский, "Высокоэффективная пикосекундная параметрическая суперлюминесценция в кристалле ZnGeP2 в диапазоне 5-6.3 мкм," Кв. электроника, т. 14, N. 9, сс. 1815-1819, 1987.

20. G.D.Boyd, Т.J.Bridges, G.K.N.Patel and E.Buehler "Phase matched submillimeter wave generation by difference frequency mixing in ZnGeP2 ," Appl.Phys.Lett., т. 21, N. 11, pp. 553-555, 1972.

21. Ю.В.Рудь, " О птоэ лек тронные явления в дифосфиде цинка и германия," ФТД, т. 28, N. 7, сс. 1105-1148, 1994.

22. S.N.Rashkeev, S.Limpijumnong, and W.R.L.Lambrecht, "Second harmonic generation and birefrigence of some ternary pnictide semiconductors," Phys.Rev.B, vol. 59, no. 4, pp. 2737-2748, 1999.

23. M.C.Ohmer and R.Pandey, "Emergence of chalcopyrites as nonlinear optical materials," MRS Bulletin, vol. 23, no. 7, p. 16, 1998.

24. V.Yu.Rud, Yu.V.Rud, V.Ch.Shpunt, and S.Iida, "New type photoconvertors on the ternary chalcopyrite semiconductors," Inst. Conf.Serno. 152, p. 997, 1998.

25. И.К.Полушина, Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, "Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов GaAs AnBIVCj ," ФТП, т. 33, по. 6, сс. 697-700, 1999.

26. Б.Х.Байрамов, И.К.Полушина, В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, P.G.Schunemann, M.C.Ohmer, N.C.Fernelius, G.Irmer, J. Monecke, "Оптоэлектронные явления в монокристалллах CdGeAs2 и структурах на их основе," ФТТ, т. 40, по. 2, р. 212, 1998.

27. V.Yu.Rud and Yu.V.Rud, "Anizotropy of the charge carrier transport in II — IV — single crystals," JapJ.Appl.Phys., vol. 32, p. 672, 1993.

28. A.G.Jackson, S.R.Leclair, M.C.Ohmer, W.Ziarko, and H.Alkamhwi, "Rough sets applied to materials data," Acta Materiala, vol. 44, no. 11, pp. 4475-4484, 1996.

29. И.К.Полушина, Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, Т.Н.Ушакова, "Физические свойства монокристаллов n — CdGeAs2 , полученных низкотемпературой кристаллизацией," ФТТ, т. 41, по. 7, сс. 1190-1193, 1999.

30. Y.P.Kaminov, E.Buehler, and J.H.Wernik, "Vibrational modes in ZnSiP2 ," Phys.Rev.B. Solid.State, vol. 2, no. 4, pp. 960-966, 1970.

31. G.D.Holah, "Optical phonons and polaritons in ZnSiP2 ," J.Phys.C: Sol.St.Phys., vol. 5, pp. 1893-1902, 1972.

32. A.Miller, G.D.Holah, and W.C.Clark, "Infrared dielectric dispersion of ZnGeP2 and CdGeP2 ," J.Phys.Chem.Sol, vol. 35, no. 6, pp. 685-693, 1974.

33. M.Bettini, W.Bannhofer, M.Cardona, and A.Nitshe, "Optical phonons in CdSiP2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 63, no. 2, pp. 641-648, 1974.

34. M.Bettini and A.Miller, "Optical phonons in ZnGeP2 and CdGeP2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 66, no. 2, pp. 579-586, 1974.

35. Л.Б.Златкин, Ю.Ф.Марков, "Олтические колебания в кристаллах ZnSiP2 ," Опт. и спектроскопия, т. 32, N. 4, сс. 764-768, 1972.

36. Ю.Ф.Марков, Н.В.Решетняк, "Инфракрасные спектры поглощения и отражения монокристаллов CdGeP2 Опт. и спектроскопия, т. 33, N. 3, сс. 520-524, 1972.

37. Ю.Ф.Марков, В.С.Григорьева, В.С.Задохин, Т.В.Рыбакова, "Колебательный спектр и оптические постоянные монокристаллов ZnGeP2 ," Опт. и спектроскопия, т. 36, N. 1, сс. 163-166, 1974.

38. B.А.Григорьев, Ю.Ф.Марков, Т.Ф.Рыбакова, "Колебательный спектр кристаллов ZnGeP2 ," ФТТ, т. 17, N. 7, сс. 1993-1995, 1975.

39. И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.И.Луговой, И.И.Тычина, "Двухфононное ИК поглощение кристаллов ZnGeP2 ," УФЖ, т. 20, N. 9, сс. 1428-1431, 1975.

40. И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.И.Серый, И.И.Тычина, М.А.Ильин, "Спектр колебательных состояний в монокристаллах СсЮеР2 ," ФТТ, т. 17, N. 1, сс. 44-47, 1975.

41. И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.И.Луговой, И.И.Тычина, "Комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnGeP2 ," ФТТ, т. 17, N. 9, сс. 2631-2634, 1975.

42. S.Gorban, V.A.Gorynya, V.I.Lugovoi, N.P.Krasnov, G.L.Salivon, and I.I.Tychina, "One- and two-phonon raman scattering in ternary phosphides ZnSiP2 , ZnGeP2 , CdSiP2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 93, no. 2, pp. 531-538, 1979.

43. И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.И.Луговой, И.И.Тычина, "Комбинационное рассеяние в CdSiP2 ," ФТТ, т. 18, N. 6, сс. 1777-1779, 1976.

44. Ю.Ф.Марков, Т.М.Громова, Ю.В.Рудь, М.Таштанова, "Спектры комбинационного рассеяния монокристаллов ZnSiAs2 ," ФТТ, т. 17, N. 4, сс. 1226-1229, 1975.

45. W.H.Koshel and M.Bettini, "Zone-centred phonons in A1 BnIS2 chalcopyrites," Phys.Stat.Sol(b)., vol. 72, no. 2, pp. 728-737, 1975.

46. W.H.Koshel, V.Hohler, A.Rauber, and J.Baars, "Optical phonons in CuAIS2 ," Sol.St. Comm., vol. 13, no. 7, pp. 1011-1016, 1973.

47. W.H.Koshel and F.Sorger and J.Baars, "Raman and infrared spectra of ZnSiAs2 ," Sol.St.Comm., vol. 15, no. 4, pp. 719-723, 1974.

48. G.D.Holah, J.S.Webb, and H.Montgomery, "Lattice dynamics of AgGaS2 ," J.Phys.c: Sol.St.Phys., vol. 7, no. 21, pp. 3875-3890, 1974.

49. A.Miller, G.D.Holah, W.D.Dunnett, and G.W.Iseler, "Optical phonons in AgGaSe2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 78, pp. 569-576, 1976.

50. J.P.Van der Ziel, A.E.Mexner, M.H.Kasper, and J.A.Ditzenberger, "Lattice vibrations of AgGaS2 , AgGaSe2 and CuGaS2 ," Phys.Rev.B.: Sol.St., vol. 9, no. 10, pp. 4286-4294, 1974.

51. D.J.Lockwood and H.Montgomery, "Raman spctrum of AgGaS2 ," J.Phys.C.: Sol.St.Phys., vol. 8, no. 19, pp. 3241-3250, 1975.

52. A.M.Mintairov, N.A.Sadchikov, T.Sauncy, M.Holtz, G.A.Seryogin, S.A.Nikishin, and H.Temkin, "Vibrational Raman and infrared studies of ordering in epitaxial ZnSnP2 ," Phys.Rev.B, vol. 59, no. 23, pp. 15197-15207, 1999.

53. R.Fouret, P.Derollez, A.Laamyem, B.Hennion, and J.Gonzalez, "Phonons in silver gallium diselenide," J.Phys.Cond.Matt., vol. 9, pp. 6579-6589, 1999.

54. B.B.Karki, S.J.Clark, M.C.Warren, H.C.Hsuesh, G.J.Ackland, and J.Crain, uAb initio elasticity and lattice dynamics of AgGaSe2 ," J.Phys.Cond.Matt., vol. 9, pp. 375-380, 1997.

55. A.В.Копытов, А.С.Поплавной, "Динамика кристаллической решетки ZnGeP2 и AgGaS2 в модели жестких ионов," Изв.вузов. Физика, N. 10, сс. 42-48, 1970.

56. B.Е.Владимиров, А.В.Копытов, А.С.Поплавной, "Решеточная динамика ZnGeP2 и AgGaS2 в модели тензорного заряда," Изв. вузов. Физика, N. 9, сс. 40-44, 1980.

57. Е.В.Антропова, А.В.Копытов, М.Л.Золотарев, А.С.Поплавной, "Упругие волны в CdGeAs2 ," Изв.вузов. Физика, N. И, сс. 117-119, 1984.

58. Е.В.Антропова, А.В.Копытов, А.С.Поплавной, "Фононный спектр и ИК оптические свойства CdGeAs2 Опт. и спектроск., т. 64, N. 6, сс. 1285-1288, 1988.

59. Е.В.Антропова , А.С.Поплавной, "Модель тензорного заряда для соединений A2B4C¡ ," Изв.вузов. Физика, N. 8, сс. 119-121, 1995.

60. А.С.Поплавной, "Динамика решетки и химическая связь в полупроводниковых соединениях II — IV — V2 ," Изв.вузов. Физика, N. 8, сс. 5-18, 1986.

61. А.В.Копытов, Фононные спектры, упругие и термодинамические свойства соединений А2В4С1 и А1В3С1 . Дис. канд. Физ.-мат. наук, Кемерово, 1985.

62. Е.А.Антропова, Динамика решетки и оптические свойства в ИК области ионно-ковалентных II — IV — V2 и I — III — VI2 и ионно-молекулярных NaNOz , МдСОз , СаСОз кристаллов. Дис. канд. физ.-мат. наук, Кемерово, 1995.

63. A.С.Поплавной, Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках. Дис. докт. физ.-мат. наук, Кемерово, 1982.

64. Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, "Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2 ," ФТП, т. 24, в. 12, сс. 2181-2184, 1990.

65. W.Siegel, A.Heinrich, and Е.Ziegler, "Electron and hole mobility in ZnSiP2 ," Phys.Stat.Sol.(a), vol. 35, no. 1, pp. 269-279, 1976.

66. E.Ziegler, W.Siegel, and A.Heinrich, "First-order NPO -scattering in ZnSiP2 ," Phys.Stat.Sol.(a), vol. 36, no. 2, pp. 491-494, 1976.

67. B.B.Подольский, И.А.Карпович, Б.H.Звонков, Е.Е.Колосов, "Холловская подвижность дырок в монокристаллах CdSnP2 ФТП, т. 11, N. 9, сс. 1843-1846, 1977.

68. A.Heinrich, "First-order NPO scattering in semiconductors, drift mobility and Hall factor.," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 91, no. 2, pp. 571-580, 1979.

69. С.И.Борисенко, Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В*С2 . Дис. канд. физ.-мат. наук, Томск, 1986 г.

70. B.R.Pamplin, "The adamantine family semiconductors related to silicon," Phys.Bull., vol. 29, pp. 569-571, 1978.

71. S.I.Radautsan, A.N.Georgobiani, and I.M.Tiginyanu, " II — III2 — VI4 compounds: properties and trends for applications," Progr. Cryst. Growth. Charact., vol. 10, no. 1-4, pp. 403-412, 1985.

72. J.E.Bernard and A.Zunger, "Ordered vacancy compound semiconductors: pseudocubic CdIn2Se4 ," Phys.Rev.B., vol. 37, no. 12, pp. 6835-6856, 1988.

73. В.Ю.Сливка, Е.Ю.Переш, JI.M.Сусликов, В.С.Герасименко, М.Ю.Риган, "Колебательные спектры монокристаллов CdGa2S4 ," УФЖ, т. 22, сс. 1951-1953,1977.

74. P.P.Lottici and C.Razzetti, "On the lattice dynamics of some defective gallium ternary compounds," J.Phys.C. Sol.St.Phys., vol. 16, pp. 3449-3456, 1983.

75. Т.Г.Керимова, Р.Х.Нани, Э.Ю.Салаев, В.Я.Штейншрайбер, А.Л.Алиев, "Колебательный спектр CdGa2Se4 ФТТ, т. 21, сс. 1899-1901, 1979.

76. Т.Г.Керимова, Р.Х.Нани, Э.Ю.Салаев, В.Я.Штейншрайбер, "Инфракрасные спектры отражения CdGa2SA ," ФТТ, т. 21, с. 2791, 1979.

77. Л.М.Сусликов, В.С.Герасименко, В.Ю.Сливка, "Спектры ИК-отражения

78. CdGa2S4 ," Опт. и спектроск., т. 48, сс. 789-795, 1980.

79. Л.М.Сусликов, И.И.Небола, Е.Ю.Переш, Ю.В.Ворошилов, Д.М.Берча,

80. B.Ю.Сливка, "Оптические фононы в CdGa2S4 ," ФТТ, т. 20, сс. 3186-3189,1978.

81. Т.Г.Керимова, Р.Х.Нани, Н.Г.Дервишов, А.Ш.Хидиров, Ш.М.Эфендиев, "Оптические фононы в CdGa2Se4 ," ФТТ, т. 23, сс. 638-640, 1981.

82. C.Razzetti and P.P.Lottici, "Raman scattering in defective A11 BlIXXVI4 compounds and alloys," Jap.J.Appl.Physvol. 32, no. Suppl.32-3, pp. 431- 435, 1993.

83. N.N.Syrbu, S.I.Radautsan, R.V.Cretu, V.E.Tezlevan, and N.A.Moldoveanu, "Far-infrared and raman optical study of CdInGaS4 , CdIn2S4 , HgInGaS4 and CdIn2S2Se2 crystals," Cryst. Res. and Technvol. 31, no. 3, pp. 307-314, 1996.

84. V.V.Ursaki, I.I.Burlakov, I.M.Tiginyanu, Y.S.Rapis, and E.Anastassakis, "Phase transitions in defect chalcopyrite compounds under hydrostatic pressure," Phys.Rev.B, vol. 59, no. 1, pp. 257-268, 1999.

85. Y.C.Chang and R.B.James, "Electronic and optical properties of Hgl2 ," Phys.Rev.B., vol. 46, no. 9, pp. 15040-15045, 1992.8990 9192 93 [94 [959697 9899100

86. X.J.Bao, T.E.Schisinger, R.B.James, R.H.Stulen, C.Ortale, and A.Y.Cheng, "Incorporation of defects during processing of mercuric iodide detectors," J.Appl.Phys., vol. 68, no. 1, pp. 86-92, 1990.

87. S.P.Swierkowski, G.A.Armantrout, and R.Wichner, "High-resolution Hgl2 x-ray spectrometers," Appl.Phy s.Lett., vol. 23, pp. 281-282, 1973.

88. Б.К.Кардашев, Л.В.Резвушкин, Л.А.Степанов, В.А.Степанов, В.М.Чернов, В.M.Залетин,"Фотоакустический эффект и спектр люминесценции кристалла Нд12 ," ФТТ, т. 38, с. 1511-1520, 1996.

89. R.Minder, G.Ottaviani, and C.Canali, "Charge transport in layer semiconductors," J.Phys.Chem.Sol., vol. 37, pp. 417-424, 1976.

90. Y.-C.Chang and R.B.James, "Theoretical studies of carrier transport in Hgl2 ," Phys.Rev.B, vol. 53, no. 21, pp. 14200-14211, 1996.

91. M.Cardona, "Folded, confined, interface, surface and slab vibrational modes in semiconductor superlattices," Superlat. and Microstr., vol. 5, no. 1, pp. 27-43, 1989.

92. E.Friess, K.Eberl, U.Meczigar, and G.Abstreiter, "Strain and confinement effects on optical phonons in short period (100)5г/Се superlattices," Sol.St.Comm., vol. 73, no. 3, pp. 203-207, 1990.

93. T.P.Pearsall, J.Bevk, J.C.Bean, J.Bonar, and J.P.Mannaerts, "Electronic structure of Si/Ge strained-layer superlattices," Phys.Rev.B., vol. 39, no. 6, pp. 3741-3757, 1989.

94. G.Abstreiter, H.Brugger et al Proc. Soc. Photo-Opt. Eng., vol. 792, p. 77, 1987.

95. S.Froyen, D.M.Wood, and A.Zunger, "Electronic structure of 110.S'i — Ge thin layer superlattices," Appl.Phys.Lett., vol. 54, pp. 2435-2437, 1989.

96. J.Zi, K.Zhang, and X.Xie, "Structural and vibrational properties of (Si)^/(Ge)^ superlattices," Phys.Rev.B., vol. 41, no. 18, pp. 12862-12868, 1990.

97. H.Okumura, K.Miki, K.Sakamoto, T.Sakamoto, K.Endo, and S.Yoshida, "Raman scattering and photoluminescence characterization of Si/Ge strained layer superlattices grown by phase - locked epitaxy," Appl.Surf.Sci., vol. 41/42, p. 548, 1989.

98. W.Bacsa, M.Ospelt, J.Henz, H.VonKanel, and P.Wachter, "Confined phonons in strained short period (001)Si/Ge superlattices," Thin Silid Films, vol. 183, pp. 65-70, 1989.

99. I.Lee and C.Y.Fong, "Studies of the phonon spectra in Si/Ge small period superlattices," Superlat. and Microstr., vol. 7, no. 2, pp. 153-159, 1990.

100. J.Zi, K.Zhang, and X.Xie, "Substrate induced phonon frequency shifts of (5г')4/(Се)4 superlattices," J.Phys.: Cond.Matt., vol. 2, pp. 2473-2477, 1990.

101. В.А.Гайслер, В.А.Марков, М.П.Синюков, А.Б.Талочкин, "Комбинационное рассеяние света на оптических фононах в гетероструктурах Ge/Si ," ФТТ, т. 31, с. 284, 1989.

102. R.A.Ghanbari, J.D.White, G.Fasol, C.J.Gibbins, and C.G.Tuppen, "Phonon frequencies for Si — Ge strained layer superlattices calculated in a three-dimensional model," Phys.Rev.B., vol. 42, no. 11, pp. 7033-7041, 1990.

103. R.Shohrer, G.Abstreiter, S.deGironcoli, E.Molinari, H.Kihhel, and H.Presting, "Inplane Raman scattering of (001) — Si/Ge superlattices. Theory and experiment.," Phys.Rev.B, vol. 49, no. 12, pp. 5406-5414, 1994.

104. S.D.Gironcoli, E.Molinari, R.Schorer, and G.Abstreiter, "Interface mode in SijGe superlattices: Theory and experiments,'1 Phys.Rev.B, vol. 48, no. 12, pp. 8959-8962, 1993.

105. J.Zi, W.Ludwig, K.Zhang, and X.Xie, "Interface alloying effects on the LO and TO phonons in Si/Ge superlattices," Phys.Rev.B, vol. 51, no. 12, pp. 7886-7889, 1995.

106. J.Menendez, "Phonons in GaAs — AlxGai-xAs superlattices," J.of Luminesc., vol. 44, pp. 285-313, 1989.

107. J.Sapriel and B.Djafari Rouhani, "Vibrations in superlattices," Surf.Sci.Reports, vol. 10, pp. 189-275, 1989.

108. E.Richter and D.Strauch, "Lattice dynamics of GaAs/AlAs superlattices," Sol.St.Comm., vol. 64, pp. 867-870, 1987.

109. S.F.Ren, H.Chu, and Y.C.Chang, "Anisotropy of optical phonons and interface modes in GaAs — AlAs superlattices," Phys.Rev.B., vol. 37, no. 15, pp. 88998911, 1988.

110. S.K.Yip and Y.C.Chang, "Theory of phonon dispersion relations in semiconductor superlattices," Phys.Rev.B., vol. 30, no. 12, pp. 7037-7059, 1984.

111. T.Tsuchiya, H.Akera, and T.Ando, "Phonons in GaAs/AlAs superlattices," Phys.Rev.B., vol. 39, no. 9, pp. 6025-6033, 1989.

112. H.Rucker, E.Molinari, and P.Lugli, "Microscopic calculation of the electron phonon interaction in quantum wells," Phys.Rev.B., vol. 45, no. 12, pp. 6747-6756, 1992.

113. S.Baroni, P.Gianozzi, and E.Molinari, "Phonon spectra of ultrathin GaAs/AlAs superlattices : ab initio calculation," Phys.Rev.B., vol. 41, no. 6, pp. 3870-3873, 1990.

114. H.Riicker, E.Molinari, and P.Lugli, "Electron-phonon interaction in quasi two -dimensional systems," Phys.Rev.Bvol. 44, no. 7, pp. 3463-3466, 1991.

115. E.Molinari, C.Bungaro, M.Gulia, P.Lugli, and H.Riicker, "Electron phonon interactions in two - dimensional systems: a microscopic approach," Semicond. Sci. Technol., vol. 7, pp. B67-72, 1992.

116. I.Lee, S.M.Goodnick, M.Gulia, E.Molinari, and P.Lugli, "Microscopic calculation of the electron phonon interaction in ultrathin GaAs/AlxGa,ixAs alloy quantum well system," Phys.Rev.B., vol. 51, no. 11, pp. 7046-7057, 1995.

117. K.Huang and B.Zhu, "Long-wavelength optic vibrations in a superlattice," Phys.Rev.B., vol. 38, no. 3, pp. 2183-2186, 1988.

118. Y.Liu and J.C.Inkson, "Phonons in superlattices: II. a microscopic approach," Semicond. Sci. Technol., vol. 6, pp. 335-342, 1991.

119. G.Weber, "Electron confined - phonon interaction in quantum wells: reformulation of the slab model," Phys.Rev.B., vol. 46, no. 24, pp. 16171-16173, 1992.

120. A.R.Bhatt, K.W.Kim, M.A.Stroscio, and J.M.Higman, "Simplified microscopic model for electron optical phonon interaction in quantum wells," Phys.Rev.B., vol. 48, no. 19, pp. 14671-14674, 1993.

121. K. Huang and B.Zhu, "Dielectric continuum model and Frelich interaction in superlattices," Phys.Rev.B., vol. 38, no. 18, pp. 13377-13386, 1988.

122. K.J.Nash, "Electron phonon interaction and lattice dynamics of optic phonons in semiconductor heterostructures," Phys.Rev.B., vol. 46, no. 12, pp. 7723-7744, 1992.

123. B.Zhu, "Optical phonon modes in superlattices," Phys.Rev.B., vol. 38, no. 11, pp. 7694-7701, 1988.

124. F.Comas and C.Trallero-Giner, "Polar optical oscillations of layered semiconductor structures in the long-wavelength limit," Physica B, vol. 192, pp. 394-402, 1993.

125. M.P.Chamberlain, M.Cardona, and B.K.Ridley, "Optical modes in GaAs/AlAs superlattices," Phys.Rev.B, vol. 48, no, 19, pp. 14356-14364, 1993.

126. C.Trallero-Giner, F.Comas, and F.Garcia-Moliner, "Polar optical modes and electron phonon interaction in semiconductor nanostructures," Phys.Rev.B, vol. 50, no. 3, pp. 1755-1759, 1994.

127. B.K.Ridley, O.A1- Dossary, N.C.Constantinou, and M.Babiker, "Continuum model of the optical modes of vibration of an ionic crystal slab," Phys.Rev.B, vol. 50, no. 16, pp. 11701-11709, 1994.

128. M.Zunke, R.Schorer, G.Abstreiter, W.Klein, G.Weimann, and M.P.Chamberlain, "Angular dispersion of confined optical phonons in GaAs/AlAs superlattices studied by micro-Raman spectroscopy," Sol.St.Comm., vol. 91, no. 10, pp. 847-851, 1995.

129. P.C.Matliur and T.K.Saxena, "High temperature mobility analysis of n type GaAs in the three walley model," J.Appl.Phys., vol. 50, no. 7, pp. 5018-5022, 1979.

130. M.Karriga, M.Cardona, N.C.Christiansen, P.Lantenschlager, T.Tsu, and K.Ploog, "Interbands transitions of thin layer GaAs/AlAs superlattices," Phys.Rev.B., vol. 36, pp. 3254-3258, 1987.

131. S.Zollner, S.Gopalan, and M.Cardona, "Intervalley deformation potentials and scattering rates in zinc blende semiconductors," Appl.Phys.Lett., vol. 54, pp. 614616, 1989.

132. S.Zollner, S.Gopalan, and M.Cardona, "Microscopic theory of intervalley scattering in GaAs : k dependence of deformation potentials and scattering rates.," J.Apll.Phys., vol. 68, pp. 1682-1693, 1990.

133. S.Zollner, U.Schmidt, N.E.Christensen, and M.Cardona, "Conduction band minima of InP : ordering and absolute energies," Appl.Phys.Lett., vol. 57, pp. 2339-2341, 1990.

134. C.H.Grein, S.Zollner, and M.Cardona, "Calculation of intervalley scattering rates in AlxGa\-xAs : effects of alloy and phonon scattering.," Phys.Rev.B., vol. 44, pp. 12761-12768, 1991.

135. S.Zollner, S.Gopalan, and M.Cardona, "Microscopic theory of intervalley scatterimg in InP ," Phys.Rev.B., vol. 44, pp. 13446-13451, 1991.

136. S.Krishnamurthy and M.Cardona J.Appl.Phys., vol. 74, p. 2117, 1993.

137. J.C.Bendorz and K.A.Muller, "Possible high Tc superconductivity in the Ba — La — Cu — O system," Z.Phys., vol. B64, no. 2, pp. 189-193, 1986.

138. A.W.Hewat, J.J.Capponi, C.Chaillout, M.Marezio, and E.A.Hewat, "Structures of superconducting Ba2YCuzOY-d and semiconducting Ba2YCuzOQ between 25°C and 750° C ," Sol.St.Comm., vol. 64, no. 3, pp. 301-307, 1987.

139. J.D.Jorgensen, B.W.Veal, A.P.Paulikas, L.J.Nowicki, G.W.Grabtree, H.Claus, and W.K.Kwok, "Structural properties of oxygen-deficient YBa2Cu507-s Phys.Rev.B., vol. 41, no. 4, pp. 1863-1877, 1990.

140. J. Jorgensen, D.G. Hinks, P.G. Radaelli, S.Pei, P. Lightfoot, B. Dabrovski, C.U.Segre, and B.A.Hunter, "Defects, defect ordering, structural coherence and superconductivity in the 123 cooper oxides," Physica C, vol. 185-189, pp. 184189, 1991.

141. H.Shaked, J.D.Jorgensen, В.H.Hunter, R.L.Hitterman, A.P.Paulikas, and B.W.Veal, "Local ordering and charge transfer during room-temperature annealing of quenched tetragonal YBa2Cu306.25 ," Phys.Rev.B., vol. 51, no. 1, pp. 547-552, 1995.

142. D.DeFontain, M.E.Mann, and G.Ceder, "States of partial order in YBa2Cu3Oz ," Phys.Rev.Lett., vol. 63, no. 12, pp. 1300-1303, 1989.

143. D.DeFontain, G.Ceder, and M.Asta, "Low temperature long - range oxygen order in YBa2Cu3Oz ," Nature, vol. 343, pp. 544-546, 1990.

144. R.Kikuchi and J.-S.Choi, "Low temperature behaviour of the YBa2Cu30e+2x phase diagram," Physica C, vol. 160, pp. 347-351, 1989.

145. S.Semenovskaya and A.G.Khachaturyan, "Structural transformations in nonstoichiometric YBa2Cu30e+s ," Phys.Rev.B., vol. 46, no. 10, pp. 6511-6534, 1992.

146. T.Zeiske, D.Hohlwein, R.Sonntag, F.Kubanek, and T.Wolf, "Barium displacements in the superconducting ortho- II phase of YВа2Си30в.ы ," Physica С, vol. 194, pp. 1-8, 1992.

147. P.Burlet, V.P.Plakthy, C.Marin, and J.Y.Henry, "On the structure of the ortho- II phase of YBa2Cu30e+x ■ oxygen ordering and correlated atomic displacements," Phys.Lett. A, vol. 167, pp. 401-404, 1992.

148. J.Grybos, D.Hohlwein, T.H.Zeisko, R.Sonntag, F.Kubanek, E.Eichhorn, and Th.Wolf, "Atomic displacements in the ortho- II phase of YBa2Cu3Oe.5o by synchrotron X -ray diffraction," Physica C, vol. 220, pp. 138-142, 1994.

149. A.Stratilatov, V.Plakhty, Yu.Chernenkov, and V.Fedorov, "The structure of the ortho- III phase of YBa2Cu30e+x by X -ray scattering," Phys.Lett. A, vol. 180, pp. 137-140, 1993.

150. K.Ruck, H.Borrmann, and A.Simon, " X ray structure analysis of YBa2Cu306.7 ," Sol.St.Comm., vol. 93, no. 11, pp. 865-868, 1995.

151. E.Straube, D.Hohlwein, and F.Kubanek, "The ortho II superstructure of YBa2Cu30e,5 - temperature behaviour, ohygen ordering and Tq ," Physica C, vol. 295, pp. 1-14, 1998.

152. П.Манка, Д.Мула, П.Сиригу, К.С.Гавричев, В.Г.Тютерев, "Упорядочение кислорода и связанные с ним проблемы высокотемпературной сверхпроводимости в 123 системах," Деп. ВИНИТИ, N. 2037-В96.Деп., с. 25, 1996.

153. V.G.Hadjiev, C.Thomsen, Y.Kircher, and M.Cardona, "Raman scattering probe of oxygen ordering during room temperature annealing of YBa2Cu30j^s ," Phys.Rev.B., vol. 47, no. 14, pp. 9148-9150, 1993.

154. M.Iliev, C.Thomsen, V.Hajiev, and M.Cardona, "Resonant Raman scattering of oxygen-deficient Y Ва2СизОт-$ : evidence for coexistence of ortho- I , ortho- II and tetragonal microstructures," Phys.Rev.B., vol. 47, no. 18, pp. 12341-12344, 1993.

155. Yu.E.Kitaev, M.F.Limonov, A.G.Panfilov, R.A.Evarestov, and A.P.Mirgorodsky, "Quasi two - dimensional behaviour of phonon subsystems and the superconductivity mechanism in perovskitelike compounds," Phys.Rev.B., vol. 49, no. 14, pp. 9933-9943, 1994.

156. Ю.Э.Китаев, М.Ф.Лимонов, А.П.Миргородский, А.Г.Панфилов, Р.А.Эварестов, "Квазидвумерность перовскито подобных сверхпроводников: структура, фо-ноны, электроны," ФТТ, т. 36, N. 4, сс. 865-950, 1994.

157. М.Борн , Х.Кунь, Динамическая теория кристаллических решеток. М.:ИЛ., 1958.

158. A.A.Maradudin, "Elements of the theory of lattice dynamics," in Dynamical Properties of Solids (G.H.Horton and A.A.Maradudin, eds.), p. 222, N.-H.: Amsterdam, 1975.

159. L.J.Sham, "Theory of lattice dynamics of covalent crystals," in Dynamical Properties of Solids (G.K.Horton and A.A.Maradudin, eds.), pp. 303-342, Amsterdam: North-Holland, 1974.

160. H.Bilz, B.Gliss, and W.Hanke, "Theory of phonons in ionic crystals," in Dynamical Properties of Solids (G.K.Horton and A.A.Maradudin, eds.), pp. 345390, Amsterdam: North-Holland, 1974.

161. С.Лавси, Т.Шпрингер, ред., Динамические свойства твердых тел и жидкостей. Исследования методом рассеяния нейтронов. 486 с. М:Мир, 1980.

162. M.T.Yin and M.L.Cohen, "Ab initio calculation of the phonon dispersion relation: application to Si ," Phys.Rev.B., vol. 25, pp. 4317-4320, 1982.

163. M.T.Yin and M.L.Cohen, "Theory of lattice dynamical properties of solids: application to Si and Ge ," Phys.Rev.B., vol. 26, pp. 3259-3272, 1982.

164. С.Ю.Саврасов, Е.Г.Максимов, "Расчеты динамики решетки кристаллов из первых принципов," УФН, т. 165, N. 7, сс. 773-797, 1995.

165. К.Kunc, "Density functional method in physics of solids," Journ. de Chim.Phys., vol. 86, no. 4, pp. 647-669, 1989.

166. K.Kunc and P.G.Dacosta, "Real space convergence of the force series in the lattice dynamics of germanium," Phys.Rev.B., vol. 32, pp. 2010-2021, 1985.

167. S.Wei and M.Y.Chou, "Phonon dispersion in silicon and germanium from first principle calculations," Phys.Rev.B., vol. 50, pp. 2221-2226, 1994.

168. В.Г.Тютерев, В.Н.Чернышев, Введение в теорию кристаллических твердых тел. Томск: Изд.ТГУ, 1988.

169. A.A.Maradudin and S.H.Vosko, "Symmetry properties of the normal vibrations of a crystal," Rev.Mod.Phys., vol. 40, no. 1, pp. 1-37, 1968.

170. R.Banerjee and Y.P.Warshnee, "Lattice dynamics of III — V compounds," Can.J.Phys., vol. 47, pp. 451-462, 1969.

171. K.Kunc, M.Balkanski, and M.A.Nusimovici, "Lattice dynamics of several AnB8~n compounds having zincblende structure. II numerical calculations," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 72, no. 1, pp. 229-248, 1975.

172. P.Plumelle and M.Vandervyer, "Lattice dynamics of ZnTe and CdTe ," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 73, no. 1, pp. 271-281, 1976.

173. E.O.Kane, "Phonon spectra of diamond and zinc blende semiconductors," Phys.Rev.B., vol. 31, no. 12, pp. 7865-7876, 1985.

174. X.Gonze, J.C.Charlier, D.C.Allan, and M.P.Teter, "Interatomic force constants from first principles: the case of a -quartz," Phys.Rev.B., vol. 50, pp. 13035-13038, 1994.

175. S.Wei and M.Y.Chou, "Ab initio calculation of force constant and full phonon dispersion," Phys.Rev.Lett., vol. 69, pp. 2799-2802, 1992.

176. L.Colombo and L.Miglio, "Interplanar force constants in GaAs and Ge . Bond charge models vs ab initio calculations," Phys.Scripta, vol. 40, pp. 238-241, 1989.

177. A.Fletzar and R.Resta, "Real space constants in lattice dynamics in silicon and germanium in the adiabatic bond charge model," Phys.Rev.B., vol. 34, no. 10, pp. 7140-7144, 1986.

178. C.Cheng, K.Kunc, and V.Heine, "Shell model interpolation of frozen phonons in cubic silicon carbide," Phys.Rev.B., vol. 39, no. 9, pp. 5892-5898, 1989.

179. J.R.Hardy, "Phenomenological models in lattice dynamics," in Dynamical Properties of Solids (G.K.Horton and A.A.Maradudin, eds.), pp. 159-190, Amsterdam: North-Holland, 1974.

180. M.S.Kushwaha, "Lattice dynamics of grey tin a — Sn ," Physica В., vol. 101, pp. 254-256, 1980.

181. C.Stassis, "Lattice dynamics," Neutron Scattering, vol. 23, no. 50, pp. 369-340, 1986.

182. P.N.Keating, "Effect of invatiance requirements on the elastic strain energy of crystals with application to the diamond structure," Phys.Rev., vol. 165, no. 2, pp. 637-665, 1966.

183. R.M.Martin, "Elastic properties of ZnS structure semiconductors," Phys.Rev.B., vol. 1, no. 10, pp. 4005-4011, 1970.

184. С.И.Скачков , В.Г.Тютерев, "Внутренние смещения ионов в кристаллах с решеткой халькопирита в условиях однородной деформации," Изв. вузов. Физика, N. 5, сс. 72-77, 1981.

185. V.G.Tyuterev and S.I.Skachkov, "Lattice dynamics, termodynamic and elastic properties of CdGeAs2 ," II Nuovo Cim., vol. D14, no. 11, pp. 1097-1103, 1992.

186. W.Weber, "New bond charge model for the dynamics od dyamond-type semiconductors," Phys.Rev.Lett., vol. 33, no. 6, pp. 371-374, 1974.

187. W.Weber, "Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si , Ge and a Sn ," Phys.Rev.B., vol. 15, pp. 4789-4803, 1977.

188. K.C.Rustagi and W.Weber, "Adiabatic bond-charge model for the phonons in А3В5 semiconductors," Sol.St.Comm., vol. 18, no. 6, pp. 673-675, 1976.

189. L.L.Boyer and J.R.Hardy, "Static equilibrium conditions for a rigid-ion crystal," Phys.Rev.B: Solid.State., vol. 7, pp. 2886-2888, 1973.

190. H.-K.Sim, Y.-C.Chang, and R.B.James, "Phonon dispersion in red mercuric iodide," Phys.Rev.B, vol. 49, no. 7, pp. 4559-4564, 1994.

191. С.И.Скачков, В.Е.Тупицын, В.Г.Тютерев, "Вклад электростатического взаимодействия ионов в энергию решетки кристаллов со структурой халькопирита," Деп. ВИНИТИ, N. 3470-78, 1978.

192. В.Г.Тютерев, С.И.Скачков, Л.А.Брыснева, "К решеточной динамике тройных тетраэдрических соединений," Деп. ВИНИТИ, N. 3965-83.Деп., с. 34, 1983.

193. Г.Ф.Караваев, А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "К динамике решетки халькопирита," Изв. вузов. Физика., N. 10, сс. 42-48, 1970.

194. О.В.Ковалев, Неприводимые представления пространственных групп. Киев: Изд-во АН УССР, 1961.

195. A.S.Poplavnoi and V.G.Tjuterev, "Lattice dynamics of AHBIVC2 and д!ftiilQVi semicon(Juctors with chalcopyrite lattice in a rigid-ion model," J.de Physique", vol. 36, pp. C3/169-176, 1975.

196. А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "Динамика кристаллической решетки CuAlS2 ," Изв. вузов. Физика, N. 6, сс. 51-57, 1975.

197. А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "Динамика кристаллической решетки халькопирита в модели жестких ионов," ФТТ, т. 17, сс. 313-316, 1975.

198. А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "Решеточная динамика ZnSiP2 в модели жестких ионов," ФТТ, т. 17, сс. 1055-1060, 1975.

199. А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "Решеточная динамика CdGeP2 ," Изв. вузов. Физика, N. 6, сс. 109-113, 1976.

200. А.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "Динамика кристаллической решетки полупроводников АпВ1уС2 и с решеткой халькопирита в модели жестких ионов," в кн. Химическая связь в кристаллах и их физические свойства, т. 1, сс. 115-124, Минск: Наука и техника, 1976.

201. B.Г.Тютерев, Динамика кристаллической решетки тройных алмазоподобных полупроводников. Дис. канд. физ.-мат. наук, Томск, 1975.

202. M.Bettini, "Zone-centred phonons in ternary compounds of chalcopyrite structure," Phys.Stat.Sol(b)., vol. 69, no. 1, pp. 201-212, 1975.

203. Л.А.Брыснева, В.Г.Тютерев, "К решеточной динамике кристаллов со структурой тиогаллата," Деп. ВИНИТИ, N. 31-90.Деп., с. 18, 1980.

204. П.Цише, Г.Леманн, ред., Достижения электронной теории металлов, 646 е., т. 2. М:Мир, 1984.

205. C.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Длинноволновые фононы и упругие модули кристалла AgGaS2 ," Деп. ВИНИТИ, N. 223-82.Деп., с. 9, 1982.

206. V.G.Tyuterev and S.I.Skachkov, "On the lattice dynamics of AgGaS2 ," II Nuovo Cim., vol. D14, no. 11, pp. 1091-1095, 1992.

207. G.D.Holah and M.Grimsditch, "Brillouin scattering determination of the elastic moduli of AgGaS2 and their influence on the analysis of the optical phonon data," J.de Physique, vol. 36, no. Suppl.9, pp. c3/185—188, 1975.

208. M.H.Grimsditch and G.D.Holah, "Brillouin scattering and elastic moduli of silver thiogallate," Phys.Rev.B., vol. 12, no. 10, pp. 4377-4382, 1975.

209. Tu.Hailing, G.A.Saunders, W.A.Lambson, and R.S.Feigelson, "Elastic behaviour of the chalcopyrite CdGeAs2 ," J.Phys.C: Solid State Phys., vol. 15, no. 7, pp. 13991418, 1982.

210. G.D.Holah, A.Miller, W.D.Dunnett, and G.W.Iseler, "Polarized infrared reflectivity of CdGeAs2 ," Sol.St.Comm., vol. 23, no. 1, pp. 75-78, 1977.

211. J.Pasqual, J.Pujol, J.Pasqual, L.Artus and J.Camassel, "Alternating anion cation bond strengths in CdGeAs2 : Application to the family of ternary pnictides," Phys.Rev.B, vol. 43, p. 9831-9842, 1991.

212. А.С.Поплавной , В.Г.Тютерев, "Решеточная динамика тройных алмазоподобных полупроводников со структурой халькопирита," в кн. Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах, сс. 327-332, Минск: Наука и техника, 1972.

213. S.I.Skachkov and V.G.Tyuterev, "On the theory of lattice vibrations in the ternary and multinary compounds," in Book of Abstracts 9-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, p. 289, Yokohama, Japan, August 8-11, 1993.

214. С.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Фононы и решеточная теплоемкость кристалла ZnS%As2 ," Изв. вузов. Физика, N. 2, сс. 114-116, 1994.

215. V.G.Tyuterev, S.I.Skachkov, and V.A.Satchkov, "Lattice dynamics and related properties of ternary compounds," in Book of Abstracts, Ternary and Multinary Compounds, p. POI 90, Stuttgart, Germany, September 19-22, 1995.

216. A.Miller, A.MacKinnon, and D.Weaire, "Beyond the binaries the chalcopyrite and related semiconducting compounds," Sol.St.Phys., vol. 36, pp. 119-175, 1981.

217. О.В.Ковалев, Неприводимые и индуцированные представления и копредстав-ления федоровских групп. М: Наука, 1986.

218. B.Г.Тютерев, С.И.Скачков, Л.А.Брыснева, "Решеточные колебания в структурах тиогаллата и халькопирита в модели Китинга," ФТТ, т. 24, N. 8, сс. 22362241, 1982.

219. P.P.Lottici and C.Razzetti, "Raman scattering in defect chalcopyrite crystals," II Nuovo Cim., vol. 2, no. 6, pp. 2050-2057, 1983.

220. C.Razzetti, P.P.Lottici, and R.Baciewicz, "Oblique phonon Raman scattering in CdGa2Se4 ," J.Phys.C. Sol.St.Phys., vol. 15, pp. 5657-5665, 1982.

221. С.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Спектры колебаний кристаллов тройных соединений с упорядоченным расположением вакансий," Изв. вузов. Физика, N. 2, сс. 85-89, 1998.

222. B.А.Чалдышев, Г.Ф.Караваев, Л.А.Брыснева, С.И.Борисенко, Н.А.Захаров,

223. C.И.Скачков, and В.Г.Тютерев, "Исследование электронного и фононного спектров тройных полупроводниковых соединений," в кн. Труды всесоюзной конференции: Тройные полупроводники и их применение, pp. 34-36, Кишинев, 1979.

224. V.G.Tyuterev, "On the lattice dynamics of ordered vacancy compounds," in Book of Abstracts 11-th International Conference of Ternary and Multinary Compounds, p. B6.5, Salford, UK, September 8-12, 1997.

225. B.Prevot, C.Schwab, and B.Dorner, "Phonon dispersion in red Hgl2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 88, pp. 327-333, 1978.

226. J.Biellmann and B.Prevot, "Infrared lattice vibrations and dielectric dispersion in Hgl2 ," Infrared Phys., vol. 20, pp. 991-106, 1980.

227. N.Kuroda, T.Iwabuchi, and Y.Nishina, "Raman scattering and fundamental absorption in red- Hgl2 under hydrostatic pressure," J.Phys.Soc.Jpn., vol. 52, no. 7, pp. 2419-2427, 1983.

228. N.Kuroda, M.Sakai, and Y.Nishina, "Anharmonicity of low frequency lattice vibrations in red Hgl2 ," J.Phys.Soc.Jap., vol. 54, pp. 1423-1429, 1985.

229. A.Anedda, G.Bongiovanni, and E.Fortin, "Raman scattering from vibrational modes in layered CdxHgi-xI2 solid solution," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 146, pp. 757-765, 1988.

230. R.W.G.Wyskoff, Crystal structures,309 -p. v.l. N.Y.:Interscience Publishers., 1965.

231. С.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Фононы в красном Hgl2 ," ФТТ, т. 40, N. 3, сс. 5374)41, 1998.

232. V.A.Haisler, V.M.Zaletin, and A.F.Kravchenko, "Raman study of anharmonic effects in red mercury iodide," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 125, pp. K103-108, 1984.

233. B.Prevot and J.Biellmann, "Raman scattering in red mercury iodide," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 95, pp. 601-606, 1979.

234. S.Haussuhl and S.H.Scholz Krystall und Technik, vol. 10, p. 1175, 1975.

235. J.L.Mertz, A.S.Barker, and A.C.Gossard, "Raman scattering and zone-folding effects for alternating monolayers of GaAs — AlAs ," Appl.Phys.Lett., vol. 31, pp. 117-119, 1977.

236. A.S.Barker, J.L.Mertz, and A.C.Gossard, "Study of zone-folding effects on phonons in aternating monolayers of GaAs — AlAs ," Phys.Rev.В., vol. 17, no. 8, pp. 31813196, 1978.

237. A.K.Sood, J.Menendez, M.Cardona, and K.Ploog, "Interface vibrational modes in GaAs AlAs superlattices," Phys.Rev.Lett., vol. 54, no. 19, pp. 2115-2118, 1985.

238. M.Babiker, "LO-phonons in GaAs/Ga\-xAlxAs superlattices and their Raman spectra," J.Phys.C.: Cond.Matt., vol. 19, pp. L339-L344, 1986.

239. J.S.Nkoma, "Surface phonon polaritons in finite semiconductor superlattices," Surface science., vol. 191, p. 595-607, 1987.

240. C.Trallero-Giner and F.Comas, "Electron LO - phonon interaction in semiconductor double heterostructures," Phys.Rev.В., vol. 37, pp. 4583-4588, 1988.

241. H.Akera and T.Ando, "Envelope function formalism for phonons in heterostructures," Phys.Rev.В., vol. 40, no. 5, pp. 2914-2931, 1989.

242. T.Nakayama, K.Kubota, H.Kato, S.Chika, and N.Sano, "Raman scattering from GaAs — AlAs monolayer-controlled superlattices," Sol.St.Comm., vol. 53, no. 5, pp. 493-495, 1985.

243. T.Totiyama, N.Kobayashi, and J.Horikoshi, "Lattice vibration of thin-layered AlAs-GaAs superlattices," Jap. J. Appl. Phys., vol. 25, no. 12, pp. 1895-1901, 1986.

244. G.Kannelis, "New approach to the problem of lattice dynamics of modulated structures: application to superlattices," Phys.Rev.В., vol. 35, no. 2, pp. 746-756, 1987.

245. Miglio and L.Colombo, "Geometric construction of large dynamical matrices: application to reconstructed surfaces, superlattices and mixed crystals," Superlatt.and Microstr., vol. 7, no. 2, pp. 139-146, 1990.

246. S.N.Grinyaev, G.F.Karavaev, and V.G.Tyuterev, "Inervalley electron-phonon scattering in a monolayer (GaAs^AZAs^OOl) superlattice," Physica В, vol. 228, no. 3-4, pp. 319-328, 1996.

247. В.Г.Тютерев, "Решеточная динамика монослойной сверхрешетки (GaAs)i (.AlAs(001) ," Деп. ВИНИТИ, по. 9912-В89.Деп., p. 20, 1989.

248. B.Г.Тютерев, "Фононный спектр и плотность состояний сверхрешетки (GaAs)i (AlAs)i (001) ," в кн. Тезисы XII всесоюзной конференции по физике полупроводников, р. 99, Киев, 23-25 октября, 1990.

249. Г.Б.Двайт, Таблицы интегралов и другие математические формулы, 224 с-М.:Наука ФМЛ, 1977.

250. E.Molinari and A.Fasolino, "Calculated phonon spectra of 5г/(?е(001) superlattices: Features for interface characterization," Appl.Phys.Lett., vol. 54, pp. 1220-1222, 1989.

251. A.Fasolino and E.Molinari, "Calculations of phonon spectra in III—V and Si—Ge superlattices; a tool for structural characterization," Surf.Sci., vol. 228, pp. 112-119, 1990.

252. M.I.Alonso, M.Cardona, and G.Kanellis, "Space groups and lattice dynamics of Si/Ge superlattices grown in the 001. direction," Sol.St.Comm., vol. 69, no. 5, pp. 479-483, 1989.

253. E.A.Montie, G.F.A. van de Walle, D.J.Gravesteijn, A.A. van Gorkum, and W.J.O.Tresselink, "Phonons in Si/Ge superlattices: theory and experiment," Thin Solid Films, vol. 183, pp. 105-110, 1989.

254. C.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Фононы в короткопериодических сверхрешетках SiiGeз и Si3Gex ," Изв. вузов. Физика, N. 8, сс. 40-44, 1993.

255. Ч.Киттель, Введение в физику твердого тела. М.:ФМЛ., 1962.

256. Г.Лейбфрид, Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов. М.:ФМЛ., 1963.

257. J.W.Martin J.Phys.C.Sol.St.Phys., vol. 8, p. 2837, 1975.

258. С.S.G.Cousins, "Inner elasticity," J.Phys.C: Sol.St.Phys., vol. 11, pp. 4867-4900, 1978.

259. S.C.Varshney and A.A.Gundjian, "Internal strain and piezoelectricity in zincblende crystals," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 85, pp. 733-742, 1978.

260. A.Jayaraman, V.Narayanamurti, H.M.Kasper, M.A.Chin, and B.G.Maines Phys.Rev.B., vol. 14, p. 3516, 1976.

261. E.Anastassakis and M.Cardona, "Internal strains and Raman-active optical phonons," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 104, pp. 589-600, 1981.

262. B.К.Баженов, А.Г.Петухов, "Внутренние смещения в кристаллах типа цинковой обманки," Кристаллография, т. 24, N. 3, сс. 567-568, 1979.

263. A.G.McLellan, "The internal strain of a crystal lattice and its contribution to the elastic constants and piezoelectric coefficients," J.Phys.C.Sol.St.Phys., vol. 17, p. 2999-3007, 1984.

264. M.Bettini and W.B.Holzapfel, "Gruneizen parameters of Г phonons in CdSiP2 , CuAIS2 and CuAIS2 ," Sol.St.Comm., vol. 16, pp. 27-30, 1975.

265. Р.А.Бендорюс, "Коэффициенты сжимаемости соединений А2В4С2 ," Деп.ВИНИТИ, N. 3466-78 Деп., 1975.

266. Г.Я.Любарский, Теория групп и ее применение в физике. М.:ФМЛ., 1958.

267. S.C.Abrahams and J.L.Bernstein "Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2 : Crystal structure, chalcopyrite microhardness and sublattice distortion," J.Chem.Phys., vol. 55, p. 796, 1971.

268. C.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Расчет сжимаемостей кристаллов со структурой халькопирита в модели Китинга," Изв. вузов. Физика, N. 1, сс. 103-105, 1982.

269. K.J.Bachmann, F.S.L.Hsu, F.A.Thiel, and H.M.Kasper, "Specific heat of compound semoconductors АгВ3С% ," J.Electronic. Mater., vol. 6, no. 3, pp. 431-435, 1977.

270. K.Bohmhammel, P.Deus, and H.A.Schneider, "Specific heat, Debye temperatures and related properties of compound semiconductors A2B4C2 ," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 65, pp. 563-569, 1981.

271. K.Bohmhammel, P.Deus, G.Kuhn, and W.Moller, "Specific heat, Debye temperatures and related properties of chalcopyrite semiconducting compounds CuGaSe2 , CuGaTe2 and CuInTe2 ," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 71, pp. 505-520, 1982.

272. S.C.Abrahams and F.S.L.Hsu, "Debye temperatures and cohesive properties," J.Chem.Phys., vol. 63, no. 3, pp. 1102-1105, 1975.

273. P.Deus, H.A.Shneider, and U.Voland, "Estimation of the Debye temperature of diamond-like semiconducting compounds by means of the Lindemann rule," Cryst. Res. Technol, vol. 16, no. 8, pp. 941-948, 1981.

274. P.Deus and H.A.Shneider, "Estimation of the Debye temperature of diamond-like semiconducting compounds from bulk moduli and microhardness," Cryst. Res. Technol, vol. 18, no. 4, pp. 491-500, 1983.

275. D.G.Cahill and R.O.Pohl, "Themal properties of a tetrahedrally bonded amorphous solid: CdGeAs2 ,"Phys.Rev.B, vol. 37, p. 8773-8780, 1988.

276. J.Bishof, K.Bohmhammel, and P.Deus, "Specific heat and related properties of some AuBlvCX and AIBIIIC^1 semiconducting compounds between 2 and 300 К

277. Cryst.Res.Technol, vol. 23, p. 543-548, 1988.1.ndolt-Bornstein: Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenshaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III,subv.h.555 c., vol. 17. Berlin:Springer-Verlag, 1984.

278. В.Г.Тютерев, "Расчет теплоемкости и характеристической температуры кристалла ZnGeP2 ," ФТТ, т. 31, N. 8, сс. 264-267, 1989.

279. В.Г.Тютерев, "Плотность колебательных состояний и термодинамические характеристики кристаллов ZnGeP2 и CdGeP2 ," Деп. ВИНИТИ, N. 1461-В89.Деп., с. 22, 1989.

280. G.F.Karavaev and V.G.Tyuterev, "Phonon density of states and lattice specific heat calculations for ternary chalcopyrite compounds," in Ternary and Multinary Compounds, pp. 192-195, Kishinev: Shtinitza, 1990.

281. A.С.Поплавной, В.Г.Тютерев, "К теории инфракрасной дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита," Изв. вузов. Физика, N. 6, сс. 39-43, 1978.

282. Б.Х.Байрамов, И.К.Полушина, В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, P.G.Schunemann, M.C.Ohmer, N.C.Fernelius, G.Irmer, J. Monecke, "Оптоэлектронные явления в монокристалллах CdGeAs2 и структурах на их основе.," ФТТ, т. 40, N. 2, с. 212, 1998.

283. G.D.Boyd, E.Buehler, F.G.Storz, and J.H.Wernick, "Linear and momlinear optical properties of ternary chalcopyrite semiconductors," IEEE

284. J.Quant.Electron., vol. QE-8, no. 4, pp. 419-426, 1972.

285. Ю.В.Рудь , Р.В.Масагутова, "Экспериментальное обнаружение эффекта просветления ZnGeP2 ," Письма ЖЭТФ, т. 7, N. 3, сс. 167-171, 1981.

286. G.M.Iseler, H.Kildal, and N.J.Menyuk, "Optical and electrical properties of CdGeAs2 ," J.Electr.Mater., vol. 7, no. 6, pp. 737-754, 1978.

287. B.Bendow, "Multiphonon infrared absorption in the highly transparent frequency regime of solids," S0l.St.Phy3., vol. 33, pp. 249-316, 1978.

288. D.L.Mills, C.J.Dutler, and D.M.Sparks, "The absorption of infrared radiation by multiphonon processes in solids," in Dynamical Properties of Solids (G.K.Horton and A.A.Maxadudin, eds.), pp. 379-423, N.-H.Amsterdam, 1980.

289. B.Bendow, S.P.Yukon, and S.U.Ying, "Theory of multiphonon absorption due to nonlinear electric moments in crystals," Phys.Rev.B., vol. 10, no. 6, pp. 2286-2299, 1974.

290. B.Bendow, H.G.Lipson, and S.P.Yukon, "Multiphonon absorption in highly transparent semiconducting crystals," Phys.Rev.B., vol. 16, no. 6, pp. 2684-3693, 1977.

291. V.G.Tyuterev and S.I.Skachkov, "The theory of optical absorption due to mutiphonon processes in CdGeAs2 ," Jap.J.Appl.Phys., vol. 32, no. Suppl.32-3, pp. 546-548, 1993.

292. B.Г.Тютерев, "Расчет многофононного поглощения света в кристаллах тройных полупроводников," ФТТ, т. 37, N. 12, сс. 3553-3557, 1995.

293. А.И.Ансельм, Введение в теорию полупроводников М: Наука ФМЛ, 1978.

294. C.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Взаимодействие электронов с фононами в полярных кристаллах со сложной структурой," Деп. ВИНИТИ, N. 2672-85.Деп., 27 е., 1985.

295. С.И.Борисенко, Г.Ф.Караваев, В.Г.Тютерев, "Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита," ФТП, т. 16, N. 3, сс. 432439, 1982.

296. С.И.Борисенко, Г.Ф.Караваев, С.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Рассеяние электронов на пьезоэлектрическом потенциале оптических фононов в n — CdGeAs2 ," ФТП, N. 12, сс. 2198-2201, 1983.

297. С.И.Борисенко, Г.Ф.Караваев, "Энергетический спектр и оптическое поглощение в р CdGeAs2 ," Изв.вузов. Физика, N. 1, сс. 68-72, 1982.

298. S.Isomura, S.Takahasi, and K.Masumoto, "Electrical and optical properties of CdGeAs2 ," Jap.J.Appl.Phys, vol. 16, no. 9, pp. 1723-1724, 1977.

299. H.Kildal, "Band structure of CdGeAs2 near k = 0 .," Phys.Rev.B., vol. 10, pp. 5082-5087, 1974.

300. Г.Ф.Караваев , С.И.Борисенко, "Зонный спектр и оптическое поглощение в п — CdSnAs2 ," Изв.вузов. Физика, N. 6, сс. 28-34, 1978.

301. G.Krivaite, A.S.Borshchevskii, and A.Shileika, "Valence band structure of CdGeAs2 from electroreflectance spectra," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 57, no. 1, pp. K39-41, 1973.

302. О.В.Емельяненко, Ф.П.Кесаманлы, H.К.Полушина, В.А.Скрипкин, "Теория явлений переноса и потенциала деформации для полупроводников со многими минимумами на изоэнергетических поверхностях и с анизотропным рассеянием.," ФТП, т. 5, сс. 351-353, 1976.

303. О.С.Грязнов, Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников. М: Наука, 1977.

304. К.Херринг, Э.Фогт, "Теория явлений переноса и потенциала деформации," вкн. Проблемы физики полупроводников, с. 567, 1957.

305. П.Н.Баранский, В.П.Клочков, Н.В.Потыкевич, Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975.

306. Yu.I.Polygalov, A.S.Poplavnoi, and A.M.Ratner "Anion shift influence on band structure of crustals with chalcopyrite lattice.," J.de Physique, vol. 36, p. 3-7, 1975.

307. Н.А.Горюнова, Ф.П.Кесаманлы, Э.О.Османов, "Получение и некоторые свойства монокристаллических образцов CdGeAs2 ," ФТТ, т. 5, N. 7, сс. 2031-2032, 1963.

308. D.Emelyanenko and I.K.Polushina, "On electron mobility in CdGeAs2 .," Phys.Stat.Sol.(b)., vol. 36, no. 1, pp. K13-15, 1969.

309. А.А.Вайполин, Ф.М.Гашимзаде, and Н.А.Горюнова, "Исследование физико-химических и электрических свойств кристаллов тройных полупроводниковых соединений типа АПBIV," Изв.АН СССР, сер.физ., vol. 28, по. 6, pp. 10851089, 1964.

310. А.Г.Самойлович, Н.Я.Коренблит, Н.В.Даховский, В.Д.Искра, "Решение кинетического уравнения при анизотропном рассеянии электронов," ФТТ, т. 3, N. 10, сс. 2939-2952, 1961.

311. H.J.Lee, J.Basinski, L.Y.Juravel, and J.C.Woolley, "Electrical transport and band structure of GaAs .," Can.J.Phys., vol. 57, no. 2, pp. 233-242, 1979.

312. M.Chandrasekar and F.H.Pollak, "Effects of uniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs .," Phys.Rev.B., vol. 15, no. 4, pp. 2127-2144, 1977.

313. P.Yu, M.Cardona, and F.H.Pollak, "Intrinsic piezobirefrigence in GaSb , InAs and InSb .," Phys.Rev.B., vol. 3, no. 2, pp. 340-346, 1971.

314. D.L.Rode, "Electron transport in InSb , InAs and InP .," Phys.Rev.B., vol. 3, no. 10, pp. 3287-3299, 1971.

315. С.И.Борисенко, С.И.Скачков, and В.Г.Тютерев, "Взаимодействие электронов с длинноволновыми оптическими фононами в полупроводниках со структурой халькопирита," в кн. Труды XI совещания по теории полупроводников, pp. 8788, Ужгород, 1983.

316. С.И.Борисенко, Г.Ф.Караваев, С.И.Скачков, and В.Г.Тютерев, "Электрон фо-нонное взаимодействие в n — CdGeAs2 ," в кн. Труды Всесоюзной конференции: Тройные полупроводники и их применение, pp. 57-58, Кишинев, 1983.

317. С.И.Борисенко, Г.Ф.Караваев, С.И.Скачков, В.Г.Тютерев, "Анализ температурной зависимости подвижности дырок в CdGeAs2 ," ФТП, т. 20, N. 7, сс. 1214-1217, 1986.

318. D.C.Herbert, "Electron-phonon interaction and intervalley scattering in semiconductors," J.Phys.C., vol. 6, no. 18, pp. 2788-2810, 1973.

319. В.А.Чалдышев , С.Н.Гриняев, "Расчет электронного спектра соединений А1ПВУ и твердых растворов на их основе методом модельного псевдопотенциала," Изв.Вузов.Физика, т. 26, N. 3, сс. 38-61, 1983.

320. С.Н.Гриняев, Электронная структура и параметры рассеяния носителей заряда в соединениях А3В5 и твердых растворах на их основе. Дис. канд. физ.-мат. наук, Томск, 1990.

321. С.Н.Гриняев, Г.Ф.Караваев, В.Г.Тютерев, В.А.Чалдышев, "Псевдопотенциальный расчет междолинных потенциалов рассеяния," ФТТ, т. 30, N. 9, сс. 27532756, 1988.

322. И.Я.Карлик, Д.Н.Мирлин, В.Ф.Сапега, "Вероятность междолинных Г — L переходов в кристаллах арсенида галлияа," ФТП, т. 21, N. 6, сс. 1030-1032, 1987.

323. D.J.Erskinc, A.J.Taylor, and С.L.Tang, "Femtosecond studies of intraband relaxation in GaAs , AlAs and GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures," Appl.Phys.Lett., vol. 45, no. 1, pp. 54-56, 1984.

324. H.J.Lee, J.Basinski, and L.Y.Juravel, "Electron transport in A3B5 semiconductors," Can.J.Phys., vol. 57, no. 2, pp. 233-242, 1979.

325. M.A.Littlejohn, J.R.Hauser, and T.H.Glisson, " Velocity field characteristics of GaAs with Гд — L% — conduction band ordering," Appl.Phys., vol. 48, no. 11, pp. 4587-4590, 1977.

326. S.Kratzer and J.Frey, "Transient velocity characteristics of electron in GaAs with Г — L — X conduction band ordering," J.Appl.Phys., vol. 49, no. 7, pp. 4064-4068, 1978.

327. J.Pozela and A.Reklaitis, "Diffusion coefficient of hot electrons in GaAs ," Sol.St.Comm., vol. 27, no. 11, pp. 1073-1077, 1978.

328. В.Мицкявичус , А.Реклайтис, "Интенсивность междолинных процессов в п — GaAs ," ФТП, т. 20, N. 9, сс. 1693-1697, 1986.

329. P.J.Vinson, C.Pickering, and A. et al, "Transport properties of GaAs ," in Proc. Of 13 Int. Conf. On Phys. Semicond., (Roma), p. 1243, 1976.

330. S.J.Adachi, " GaAs, AlAsandAlxGaixAs : Material parameters for use in research and device applications," J.Appl.Phys., vol. 58, no. 3, pp. R1-R29, 1985.

331. H.J.Lee and J.C.Woolley, "Re examination of high - pressure electron transport properties of GaAs ," Can.J.Phys., vol. 57, no. 11, pp. 1929-1933, 1979.

332. И.Я.Карлик, Р.Катилюс, Д.Н.Мирлин, В.Ф.Сапега, "Деформационное расщепление L -долины," Письма в ЖЭТФ, т. 43, N. 5, сс. 250-252, 1986.

333. H.J.Lee, L.Y.Juravel, and J.C.Woolley, "Electron transport and band structure of GaxxAlxAs alloys," Phys.Rev.B., vol. 21, no. 2, pp. 659-669, 1980.337 338339340341 342343 344345346347 348

334. A.K.Saxena and K.S .Gurumurthy, "Scattering parameters from an analysis of the Hall electron mobility," J.Phys.Chem.Sol., vol. 43, no. 9, pp. 801-808, 1982.

335. С.Н.Гриняев, Г.Ф.Караваев, В.Г.Тютерев, "Расчет параметров междолинного рассеяния на фононах в полупроводниковых кристаллах АП1ВУ ," ФТП, т. 23, N. 8, сс. 1458-1461, 1989.

336. С.Н.Гриняев, Г.Ф.Караваев, В.Г.Тютерев, "Внутридолинные и междолинные деформационные потенциалы алмазоподобных соединений и их твердых растворов," в кн. Тезисы 13 Всесоюзного совещания по теории полупроводников, с. 258, Ереван, 10-12 ноября, 1987.

337. С.Н.Гриняев, Г.Ф.Караваев, В.Г.Тютерев, "Расчет междолинных деформационных потенциалов в Si, Ge методом эмпирического псевдопотенциала," в кн. Труды Всесоюзного семинара "Проблемы зонной теории кристаллов", сс. 9-11, Грозный, 7-9 декабря, 1990.

338. T.N.Singh and B.N.Roy, "Lattice dynamics of zinc-blende type crystals," II Nuovo Cim., vol. 46B, no. 2, pp. 328-336, 1978.

339. S.B.Zhang, M.L.Cohen, S.G.Louie, D.Tomanek, and M.S.Hybertsen, "Quasiparticle band offset on the (001) interface and band gaps in ultrathin superlattices of GaAs AlAs heterojunctions," Phys.Rev.B., vol. 41, pp. 10058-10067, 1990.

340. R.G.Dandrea and A.Zunger, "First-principles study of intervalley mixing: ultrathin GaAs/GaP superlattices.," Phys.Rev.B., vol. 43, pp. 8962-8989, 1991.

341. K.A.Mader and A.Zunger, "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs superlattices: alloys and nanostructures.," Phys.Rev.B, vol. 50, pp. 17393-17405, 1994.

342. W.Andreoni and R.Car "Similarity of (GaAl)As alloys and ultrathin heterostructures,"Phys.Rev.В., vol. 21, p. 3334-3339, 1980.

343. E.Caruthers and P.J.Lin-Chung "Pseudopotential calculations for ultrathin layer heterostructures," J. Vac. Sci.Technol., vol. 15, p. 1459-1464, 1978.

344. T.Isu, D.S.Jiang, and K.Ploog Appl.Phys.A., vol. 43, p. 75, 1987.

345. W.Ge, W.D.Schmidt, M.D.Sturge, L.N.Pfeifer, and K.W.West J.Lumin., vol. 59, p. 163, 1994.

346. J.Orenstein, G.A.Thomas, A.J.Mills, S.L.Cooper, D.H.Rapkine, T.Timusk, L.F.Schneemeyer, and J.V.Waszczak, "Frequency and temperature-depndent conductivity in Y Ba2CusOe+x crystals," Phys.Rev.B., vol. 42, no. 10, pp. 63426362, 1990.

347. R.E.Cohen, W.E.Pickett, and H.Krakauer, "Theoretical determination of strong electron phonon coupling in YBa2Cuz07 ," Phys.Rev.Lett., vol. 64, no. 21, pp. 2575-2578, 1990.

348. R.Feile, "Lattice vibrations in high- Tc superconductors: optocal spectroscopy and lattice dynamics," Physica C, vol. 159, pp. 1-32, 1989.

349. J.J.Rhyne, D.A.Neumann, J.A.Gotaas, F.Beech, L.Toth, S.Lawrence, S.Wolf, M.Osofsky, and D.U.Gubser, "Phonon density of states of superconducting

350. Y Ba2Cu307 and the nonsuperconducting analog YBa2Cu30e ," Phys.Rev.B., vol. 36, no. 4, pp. 2294-2297, 1987.

351. V.G.Baryakhtar, A.A.Vasilkevich, P.G.Ivanitski, V.T.Krotenko, A.N.Maistrenko, A.E.Morozovsky, V.M.Pan, M.V.Pasechnik and V.I.Slisenko, "Phonon density of states in YBa2Cu3Ox ," Physica C, vol. 162-164, pp. 466-467, 1989.

352. L.Pintschovius, N.Pyka, W.Reichardt, A.Yu.Rumiantsev, N.L.Mitrofanov, A.S.Ivanov, G.Collin and P.Bourges, "Lattice dynamical studies of HTSC materials," Physica C, vol. 185-189, pp. 156-161, 1991.

353. W.Reichardt, N.A. L.Pintschovius, B.Hennion, and G.Collin, "Phonons in

354. Y Ba2Cu307s Physica C, vol. 162-164, pp. 464-465, 1989.

355. S.Fantini, L.Ulivi, and M.Zoppi, "High temperature study of the Raman-active phonon modes of YBa2Cu307s ," Sol.St.Comm., vol. 93, no. 6, pp. 519-523, 1995.

356. J.Humliceck, A.P.Litvinchuk, W.Kress, C.Thomsen, M.Cardona, H.-U.Habermeier, I.E.Trofimov, and W.Konig, "Lattice vibrations of Y\-xPrxBa2Cu307 : theory and experiment," Physica C, vol. 206, pp. 345-359, 1993.

357. M.Bauer, I.B.Ferreira, L.Genzel, M.Cardona, P.Murugaraj, and J.Maier, "Far-infrared study of optical phonons in an YBa2Cu30e crystal," Sol.St.Comm., vol. 72, no. 6, pp. 551-554, 1989.

358. P.Echegut, F.Gervais, K.Dembinsky, M.Geravais, and P.Odier, "Polar phonon modes in YBa2Cu30e,A by infrared reflectivity spectroscopy," Sol.st.Comm., vol. 69, no. 4, pp. 359-362, 1989.

359. J.Schutzmann, S.Tajima, S.Miyamoto, Y.Sato, and R.Hauff, "Doping and temperature dependence of c -axis optical phonons in YBa2Cu3Oy single crystals," Phys.Rev.B., vol. 52, no. 18, pp. 13665-13673, 1995.

360. D.A.Bonn, A.H.O'Reilly, J.E.Greedan, C.V.Stager, T.Timusk, K.Kamaras, and D.B.Tanner, "Far infrared properties of ab - plane oriented YBa2Cu307s ," Phys.Rev.B., vol. 37, no. 4, pp. 1574-1579, 1988.

361. F.E.Bates and J.E.Eldridge, "Normal coordinate calculation of the zero wavevector vibrations in YBa2Cu307 ," Sol.St.Comm., vol. 64, no. 12, pp. 1435-1439, 1987.

362. S.L.Chaplot, "Phonon dispersion relation in Y Ba2Cu3Û7 ," Phys.Rev.B., vol. 37, no. 13, pp. 7435-7442, 1988.

363. W.Kress, U.Schroder, J.Prade, A.D.Kulkarni, and F.W.DeWette, "Lattice dynamics of the high- Tc superconductor YBa2Cu307-x ," Phys.Rev.B., vol. 38, no. 4, pp. 2906-2909, 1988.

364. H.Nozaki and S.Itoh, "Lattice dynamics of Y Ba2Cu3Û7 ," Phys.Rev.B., vol. 48, no. 10, pp. 7583-7589, 1993.

365. S.L.Chaplot, W.Reichardt, L.Pintchovius, and N.Pyka, "Common interatomic potential model for the lattice dynamics of several cuprates," Phys.Rev.B., vol. 52, no. 10, pp. 7230-7242, 1995.

366. F.E.Bates, "Normal modes of teragonal Y Ba2Cu30& and orthorhombic YBa2Cu307 ," Phys.Rev.B., vol. 39, no. 1, pp. 322-327, 1989.

367. D.Michailovic and C.M.Foster, "Anharmonicity and frequency shift of the apex oxygen 0(4) Raman mode in YiBa2Cu307-s as a function of doping," Sol.St.Comm., vol. 74, no. 8, pp. 753-756, 1990.

368. V.Plakhty, A.Stratilatov, Yu.Chernenkov, V.Fedorov, S.K.Sinha, C.K.Loong, B.Gaulin, M.Vlasov, and S.Moshkin, " X -ray studies of the YBa2Cu30e+x superstructures in the range of 0.40(3)x'0.73(3) ," Sol.St.Comm., vol. 84, pp. 639644, 1992.

369. G.E.Blumberg, E.M.Fefer, T.Fimberg, E.Joon, A.Laht, R.Stern, and L.A.Rebane, "The influence of oxugen vacancies ordering on the Raman spectra of YBa2Cu306.5 superconductor," Sol.St.Comm., vol. 70, no. 6, pp. 647-649, 1989.

370. S.Mase, T.Yasuda, Y.Horie, M.Kusaba, and T.Fukami, "Phonon dispersion curves of high- Tc superconductors: II . YBa2Cu307 ," J.Phys.Soc.Jap., vol. 59, no. 3, pp. 1024-1036, 1988.

371. K.Kunc and O.H.Nielsen, "Lattice dynamics of zincblende structure compounds. II shell model," Computer Physics Comunications, vol. 17, pp. 413-422, 1979.

372. R.Taylor, "A simple, useful analytical form of the static electron gas dielectric function," J.Phys.F: Metal.Phys., vol. 8, no. 8, pp. 1699-1702, 1978.

373. J.Yu, S.Massidda, A.J.Freeman, and R.Podloucky, "Electronic structure and properties of vacancy ordered YBa2Cu306.s ," Physica C, vol. 214, pp. 335-344, 1993.

374. C.C.Homes, D.A.Bonn, R.Liang and W.N.Hardy, "Optical properties along the c -axis of YBa2Cu — 30§+x for x = 0.50 —» 0.95 . evolution of the pseudogap.," Physica C, vol. 254, pp. 265-280, 1995.

375. P.Manca, P.Sirigu, G.Galestani and A.Migliori, "Structure related superconducting properties in oxygen-chain-equalized and order-stabilized pairs of 123 copper oxides," II Nouvo Cim., vol. 19D, no. 8-9, pp. 1009-1018, 1997.

376. G.Galestani, A.Migliori, P.Manca and P.Sirigu, "Influence of 0111 ordering on Tc in YBCO II Nuovo Cim., vol. 19D, no. 8-9, pp. 1075-1083, 1997.

377. V.G. Tyuterev, P.Manca and G.Mula, "Lattice dynamics of YBa2Cu307-x in oxygen- vacancy ordered ortho-II and ortho-Ill superstructures," Physica C, vol. 297, pp. 32-42, 1998.

378. L.Wendler and R.Haupt, "Electron-phonon interaction in semiconductor superlattices," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 143, pp. 487-510, 1987.

379. J.S.Nkoma, "Surface phonon polaritons in finite semiconductor superlattices," Surf.Sci., vol. 191, pp. 595-607, 1987.

380. M.Babiker, " LO phonons in GaAs/Gai-xAlxAs superlattices and their Raman spectra," J.Phys.C.-.Cond.Matt., vol. 19, pp. L339-344, 1986.

381. B.K.Ridley, "Electron scattering by confined LO polar phonons in a quantum well," Phys.Rev.B., vol. 39, pp. 5282-5286, 1989.

382. R.Enderlain, "Macroscopic dynamic theory of polar interface modes of superlattices," Phys.Stat.Sol(b)., vol. 150, pp. 85-101, 1988.

383. W.Hanke, "Dielectric theory of elementary exitations in crystals," Adv.in.Phys., vol. 27, no. 2, pp. 287-341, 1978.

384. L.J.Sham, "Electronic contribution to lattice dynamics in insulating crystals," Phys.Rev., vol. 188, pp. 1431-1439, 1969.

385. P.Vogl, "Dynamical effective charges in semiconductors: a pseudopotential approach," J.Phys.C., vol. 11, pp. 251-262, 1978.

386. A.Baldereschi, R.Car and E.Tosatti, "Microscopic local fields in dielectrics," Sol.St.Comm., vol. 32, pp. 757-760, 1979.

387. В.Г.Тютерев, "Микроскопическая диэлектрическая проницаемость полупроводника," ЖЭТФ, т. 67, N. 10, сс. 1552-1558, 1974.

388. T.Dimelow and S.R.P.Smith, "Dielectric susceptibility model for optical phonons in superlattices," Phys.Rev.B., vol. 57, no. 7, pp. 3978-3988, 1998.

389. B.A.Foreman, "Exact effective-mass theory for heterostructures," Phys.Rev.B., vol. 52, no. 16, pp. 12241-12259, 1995.

390. K.Kunc, M.Balkanski and M.A.Nusimovici, "Lattice dynamics of several ANB&~N compounds having zincblende structure. I deformable bond approximation," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 71, no. 1, pp. 341-349, 1975.

391. K.Kunc, M.Balkanski and M.A.Nusimovici, "Lattice dynamics of several ANBS~N compounds having zincblende structure. I trends in model parameters," Phys.Stat.Sol(b), vol. 72, no. 1, pp. 249-254, 1975.

392. F.Bechstedt and H.Gerecke, "Relationship of microscopic and macroscopic theories for long-wavelength optical phonons in GaAs — AlAs superlattices," Phys.Stat.Sol(b)., vol. 156, pp. 151-170, 1989.

393. V.G.Tyuterev, "Non-local screening and electric fields associated with optical vibrations in superlattices," J.Phys.: Cond.Matt., vol. 11, no. 9, pp. 2153-2169, 1999.

394. H.Wendel and R.Martin, "Theory of structural properties of covalent semiconductors," Phys.Rev.B., vol. 19, no. 10, pp. 5251-5263, 1979.

395. K.Kunc, "Semiconductor dynamics from first principles: phonons, forces and dielectric properties," Helv.Phys.Acta, vol. 56, pp. 559-568, 1983.

396. S.Baroni, G.DeGironcoli and P.Gianozzi Phys.Rev.Lett., vol. 65, pp. 84-87, 1990.

397. M.Ortuno and J.C.Inkson, "Real space dielectric responce in semiconductors," J.Phys.C: Sol.St.Phys., vol. 12, pp. 1065-1071, 1979.

398. L.E.Oliveira and M.Ortuno, "Induced polarization charge density and microscopic local field for a covalent semiconductor," Sol.St.Comm., vol. 33, pp. 821-826, 1980.

399. M.S.Hybertsen and S.G.Louie, "Ab initio static dielectric matrices from the density functional approach I formulation and application to semiconductors and insulators," Phys.Rev.B., vol. 35, no. 11, pp. 5585-5601, 1987.

400. P.Hohenberg and W.Kohn, "Inhomogeneous electron gas," Phys.Rev.B., vol. 136, no. 3, pp. 864-871, 1964.

401. L.J.Sham and W.Kohn, "One-particle properties of an ihomogeneous interacting electron gas," Phys.Rev., vol. 145, no. 2, pp. 561-567, 1966.

402. W.Kohn and L.J.Sham, "Self-consistent equations including excchange and correlation effects," Phys.Rev., vol. 140, no. 4, pp. 1133-1138, 1965.

403. S.L.Adler, "Quantum theory of the dielectric constant in a real solid," Phys.Rev., vol. 126, no. 2, pp. 413-420, 1962.

404. N.Wiser, "Dielectric constant with local field effects included," Phys.Rev., vol. 129, no. 1, pp. 62-69, 1963.

405. P.N.Keating, "Dielectric screening and the phonon spectra of metallic and nonmetallic crystals," Phys.Revvol. 175, no. 3, pp. 1171-1180, 1963.

406. W.Hanke, "Microscopic theory of dielectric screening and lattice dynamics in the Wannier representation," Phys.Rev.В., vol. 8, no. 10, pp. 4585-4500, 1973.

407. R.M.Pick, M.H.Cohen and R.M.Martin, "Microscopic theory of force constants in the adiabatic approhimation," Phys.Rev.В., vol. 1, no. 2, pp. 910-920, 1970.

408. K.Shindo and H.Nara, "Local field correction and acoustic sum rule for Si and Ge ," J.Phys.Soc.Jap., vol. 43, no. 3, pp. 899-902, 1977.

409. А.М.Альтшулер, Ю.Х.Векилов, Т.И.Качерец, "К микроскопической теории динамики кристаллической решетки," ФТТ, т. 20, сс. 17-23, 1978.

410. A.M.Altshuler, Yu.Kh.Vekilov, and A.D.Izotov, "Lattice dynamics of covalent ionic compounds," Phys.Stat.Sol.(b), vol. 70, pp. 347-352, 1975.

411. M.A.Ball, "The effect of a phonon on the charge density of a crystal," J.Phys.C. Sol.St.Phys., vol. 10, pp. 4921-4930, 1977.

412. W.Pickett, "The generalised pseudoatom potential in solids: relation to screening and lattice dynamics," J.Phys.C. Sol.St.Phys., vol. 12, pp. 1491-1502, 1979.

413. В.Г.Тютерев, "К свойствам симметрии матрицы поляризуемости неоднородного электронного газа," Изв. вузов. Физика, N. 6, сс. 84-89, 1989.

414. О.В.Долгов , Е.Г.Максимов, "Эффекты локального поля и нарушение соотношений Крамерса-Кронига для диэлектрической проницаемости," УФН, т. 135, N. 3, сс. 441-476, 1981.

415. Е.Г.Бровман , Ю.М.Каган, "Об особенностях многохвостых кольцевых диаграмм для Ферми систем," ЖЭТФ, т. 63, с. 1937-1949, 1972.

416. Е.Г.Горобченко , Е.Г.Максимов, "Диэлектрическая проницаемость взаимодействующего электронного газа," УФН, т. 130, N. 1, сс. 65-111, 1980.

417. D.R.Penn, "Wave-number-dependent dielectric function of semiconductors," Phys.Rev., vol. 128, no. 5, pp. 2093-2097, 1962.

418. C.M.Bertoni, V.Bortolani, C.Calandra, and E.Tosatti, "Dielectric screening matrix and lattice dynamics of Si ," Phys.Rev.B., vol. 9, no. 4, pp. 1710-1718, 1974.

419. B.Г.Тютерев, "Диагональное экранирование кулоновского потенциала в полупроводнике в методе функционала плотности," Изв. вузов. Физика, N. 11, сс. 99101, 1981.

420. A.Baldereschi and E.Tosatti,"Dielectric band structure of solids," Sol.St.Comm., vol. 29, p. 131-135, 1979.

421. P.K.W.Vinsome and D.Richardson, "The dielectric function in zink-blende semiconductors," J.Phys.C. Sol.St.Phys., vol. 4, pp. 2650-2657, 1971.

422. R.D.Grimes and E.R.Cowley, "A model dielectric function for semiconductors," Can.J.Phys., vol. 53, pp. 2549-2554, 1975.

423. R.Resta, "Tomas-Fermi dielectric screening in semiconductors," Phys.Rev.B., vol. 16, no. 6, pp. 2717-2722, 1977.

424. E.Oliveira, "Local field effects and model dielectric responce matrix £gg'{q) f°r a covalent semiconductor," Phys.Stat.Sol. (b), vol. 107, pp. 255-265, 1981.

425. K.Arya and S.S.Jha, "Tight-binding calculation of microscopic screening if ion-ion interaction and phonon dispersion in germanium," Phys.Rev.B., vol. 14, no. 10, pp. 4727-4729, 1976.

426. D.L.Price, S.K.Sinha, and R.P.Gupta, "Microscopic theory of dielectric screening and lattice dynamics," Phys.Rev.B., vol. 9, no. 6, pp. 2573-2589, 1974.

427. C.Falter, W.Ludwig, and M.Selmke, "A microscopic model for the phonon dispersion in silicon," Sol.St.Comm., vol. 54, no. 6, pp. 497-499, 1985.

428. R.M.Martin, "Recent advances in the theory of phonons in semiconductors," J.de.Physique, vol. 42, no. 12, pp. C6/617-624, 1981.

429. R.Resta and A.Baldereschi, "Dielectric matrices and local fields in polar semiconductors," Phys.Rev.B., pp. 3620-3630, 1983.

430. R.Car, E.Tosatti, S.Baroni, and S.Leelaprute, "Dielectric band structure of crystal:General properties and calculations for silicon," Phys.Rev.B., vol. 24, no. 2, pp. 985-999, 1981.

431. S.G.Louie and M.L.Cohen, "Dielectric screening and zone-center phonons in Si ," Phys.Rev.B., vol. 17, no. 8, pp. 3174-3176, 1978.

432. M.S.Hybertsen and S.G.Louie, "Ab initiio dielectric matrices from the densiry functional approach II calculation of the screening responce in diamond, Si , Ge and LiCl ," Phys.Rev.B., vol. 35, no. 11, pp. 5602-5610, 1987.

433. V.Heine and R.O.Jones, "Electronic band structure and covalency in diamond -type semiconductors," J.Phys.C.: Sol.St.Phys., vol. 2 no. 2, pp. 719-732, 1969. 439.293

434. В.Хейне, М.Коэн, Д.Уэйр, Теория псевдопотенциала. М.:Мир., 1973.

435. В.Г.Тютерев , В.А.Чалдышев, "Учет непарности взаимодействия ионов в динамике решетки," Изв. вузов. Физика, N. 9, сс. 88-94, 1970.

436. M.L.Cohen and T.K.Bergstesser, "Bond structure and pseudopotential form-factors forfourteen semiconductors of the diamond and zinc-blende structures," Phys.Rev., vol. 141, no. 2, pp. 789-798, 1966.

437. J.P.Walter and M.L.Cohen, "Wave-vector dependent dielectric function for Si , Ge , GaAs and ZnSe ," Phys.Rev.B., vol. 2, no. 6, pp. 1821-1826, 1970.

438. В.Г.Тютерев, "Диэлектрическая проницаемость и решеточная динамика полупроводника," в кн. Химическая связь в кристаллах и их физические свойства, т. 2, сс. 124-130, Минск: Наука и техника, 1976.

439. В.Г.Тютерев, "Простое аналитическое выражение для диэлектрической проницаемости модельного полупроводника," Изв. вузов. Физика, N. 3, сс. 152-154, 1974.

440. R.Trommer, H.Muller, M.Cardona, and P.Vogl, "Dependence of the phonon spectrum of InP on hydrostatic pressure," Phys.Rev.B., vol. 21, no. 10, pp. 48694878, 1980.

441. В.Г.Тютерев, "Недиагональное экранирование кристаллического потенциала в кремнии," в кн. Труды IX совещания по теории полупроводников, сс. 327-328, Тбилиси, 1978.

442. D.R.Hamann, "Semiconductor charge densities with hard-core and soft-core pseudopotentials," Phys.Rev.Lett., vol. 42, no. 10, pp. 662-665, 1979.

443. E.O.Kane, "Phonon spectra of diamond and zinc-blende semiconductors," Phys.Rev.B., vol. 31, pp. 7865-7896, 1985.

444. В.Г.Тютерев, "Модель неоднородной поляризуемой среды для электронного газа в непроводящем кристалле," Изв. вузов России "Физика", N. 6, сс. 30-37, 1999.