Структурно-чувствительные нелинейные оптические свойства поликристаллических и аморфных слоев оксидов и халькогенидов переходных металлов при фазовом переходе "металл-полупроводник" и их применение тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

1. Современные представления о физике фазового перехода «металл-полупроводник» в оксидах и халькогенидах переходных металлов и возможности его применения.

1.1.Проблема создания элементов оптических систем и фазовый переход в оксидах и халькогенидах переходных металлов.

1.2.Модели фазового перехода «металл - полупроводник».

1.3.Современные представления о природе фазового перехода «металл - полупроводник» в диоксиде ванадия и сульфиде серебра.

2. Методика эксперимента.

2.1.Получение тонкослойных структур на основе диоксида ванадия.

2.2.Методика получения тонкослойных структур на основе сульфида серебра.

2.3.Методы исследования структуры и физических свойств изучаемых материалов.*.

2.3.1 .Измерение коэффициента отражения.

2.3.2. Исследование морфологии опытных образцов.

3. Нелинейные оптические свойства поликристаллических и аморфных слоев диоксида ванадия и сульфида серебра.

3.1.Строение и температурный гистерезис отражательной способности поликристаллических слоев диоксида ванадия.

3.2.Температурный гистерезис отражательной способности аморфных слоев диоксида ванадия при фазовом переходе «металлполупроводник»

3.3.Оптические свойства пленок сульфида серебра вблизи температуры фазового перехода «полупроводник-металл».

4. Применение фотоиндуцированного фазового перехода «металл-полупроводник» в поликристаллических слоях диоксида ванадия и сульфида серебра.

Актуальность темы. Исследования физики фазового перехода "металл-полупроводник" занимают в последние десятилетия одно из центральных мест в физике конденсированного состояния. Интерес к данной проблеме обусловлен ее научной и практической значимостью. В научном плане она состоит в установлении механизмов фазового перехода, в отношении которых, несмотря на многочисленные экспериментальные и теоретические работы, до настоящего времени нет установившихся представлений. Продвижение в этом плане может способствовать развитию модельных представлений о физических процессах в системах с сильными межэлектронными и электрон-фононными корреляциями и, в связи с обнаружением фазового перехода в некристаллических веществах, - в неупорядоченных системах.

В прикладном аспекте привлекают интерес нелинейные электрические и оптические свойства бистабильных материалов, которые могут быть положены в основу принципа действия разнообразных электронных устройств. Особое внимание в настоящее время уделяется созданию на основе таких материалов элементов оптоэлектронной аппаратуры, прежде всего ограничителей мощного лазерного излучения и устройств реверсивной топографической памяти, в основе принципа действия которых лежит фотоиндуцированный фазовый переход. Успехи в области фундаментальных и прикладных исследований взаимно обогащают друг друга: понимание физики нелинейных оптических свойств в большой степени определяет возможности решения технических задач, а последнее стимулирует дальнейший научный поиск.

В настоящей работе объектами исследования являются поликристаллические и аморфные слои диоксида ванадия и сульфида серебра. Выбор этих материалов объясняется их представительностью с точки зрения структуры и предполагаемой природы процессов, ответственных за фазовый переход. В диоксиде ванадия он проявляется в скачке исключительно 5 электронной проводимости, что имеет место не только в поликристаллическом, но и в аморфном состоянии, а в сульфиде серебра наряду с электронной имеет место и скачок ионной проводимости, связанный с переходом вещества в структурно-разупорядоченное состояние ионного суперпроводника. В этом смысле указанные материалы могут рассматриваться как модельные для различных типов конденсированных веществ, обладающих фазовым переходом "металл-полупроводник".

Диоксид ванадия - один из наиболее изученных материалов, обладающих фазовым переходом. В части нелинейных оптических свойств для него надежно установлено наличие петель температурного гистерезиса отражательной способности и пропускания, что в принципе может быть использовано в оптоэлектронике. В литературе имеются указания на структурную чувствительность параметров петли гистерезиса. Вместе с тем, анализ оптических свойств вещества вблизи фазового перехода осуществлялся до последнего времени в отрыве от структурных исследований, и выводы формулировались на основе косвенных данных. Это не позволяло построить последовательную схему формирования петли и в полной мере выявить возможности управления ею. Оставалось также неясным, можно ли подходить к физике перехода в поликристаллических и аморфных слоях диоксида ванадия с единых позиций.

В отношении нелинейных оптических свойств сульфида серебра информация в литературе значительно более скромная. Закономерности поведения свойств поликристаллических пленок, которые, судя по имеющимся данным для монокристаллов, могли бы представлять практический интерес, фактически не установлены.

Цель работы. Исследование закономерностей формирования структурно-чувствительных нелинейных оптических свойств поликристаллических и аморфных слоев диоксида ванадия и сульфида серебра 6 в области фазового перехода и поиск возможностей их использования в оптоэлектронике.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Выявление корреляции оптических свойств изучаемых материалов со структуроопределяющими условиями их формирования.

2. Установление взаимосвязи между морфологией поверхности изучаемых материалов и их оптическими свойствами.

3. Разработка модели, описывающей поведение оптических свойств слоев диоксида ванадия вблизи фазового перехода "металл-полупроводник".

4. Установление закономерностей поведения оптических свойств слоев сульфида серебра вблизи фазового перехода "металл-полупроводник".

5. Развитие модельных представлений об электронных неустойчивостях в бистабильных оксидах и халькогенидах переходных металлов.

6. Разработка и практическая реализация рекомендаций по созданию на основе изучаемых материалов функциональных элементов оптоэлектронной аппаратуры.

Научная новизна и теоретическая значимость работы. В отличие от большинства работ, посвященных изучению нелинейных оптических свойств поликристаллических слоев диоксида ванадия, где представления об их структурной чувствительности развивались на базе косвенных доказательств, в данной работе на основе результатов совместных структурных (микроскопических) и оптических исследований получено прямое доказательство того, что ширина петли температурного гистерезиса отражательной способности определяется распределением кристаллитов по размерам. Наблюдаемая при определенных условиях асимметрия формы петли связана с корреляцией распределений кристаллитов по размерам и концентрации дефектов нестехиометрии, влияющей на температуру фазового 7 перехода. Определенный с помощью атомно-силовой микроскопии профиль зерна отвечает представлениям о мартенситном характере перехода.

Построена математическая модель, детально описывающая петлю температурного гистерезиса отражательной способности поликристаллических слоев диоксида ванадия вблизи фазового перехода "металл-полупроводник" в связи со структурными особенностями, определяемыми условиями формирования. Развитая модель распространена на описание поведения оптических свойств рентгеноаморфных слоев диоксида ванадия в предположении о микрогетерогенном строении пленки.

На основе полученных для поликристаллических слоев диоксида ванадия экспериментальных результатов восстановлены температурные зависимости концентрации металлической фазы и диэлектрической проницаемости вблизи фазового перехода "металл-полупроводник", дающие дополнительные свидетельства в пользу его мартенситного характера и электронного механизма.

Установлены наличие и закономерности поведения петли температурного гистерезиса отражательной способности поликристаллических слоев сульфида серебра. На основании данных атомно-силовой микроскопии показана возможность описания петли гистерезиса этого материала с тех же позиций, что и для диоксида ванадия. Это связано с общим для изучаемых материалов мартенситным характером фазового перехода и влиянием нестехиометрии соединения на его температуру. Отмеченный для сульфида серебра скачок электронной проводимости при фазовом переходе в состояние ионного суперпроводника объяснен на основе представлений об изменении энергетического спектра электронов в конденсированных веществах при их структурном разупорядочении.

Практическая значимость. На основе развитых в работе представлений о влиянии структуры слоев диоксида ванадия и сульфида серебра на их 8 оптические свойства при фазовом переходе "металл-полупроводник" показаны возможности управления ими структуроопределяющими условиями формирования. Даны рекомендации по технологии получения интерференционных структур на основе указанных материалов с параметрами петли температурного гистерезиса отражательной способности, необходимыми для создания функциональных элементов оптоэлектронной аппаратуры.

Созданы действующие макетные образцы ограничителей мощного лазерного излучения в ИК - диапазоне, обладающих высокими быстродействием, динамическим диапазоном и лучевой стойкостью, а также устройство реверсивной топографической памяти, характеризующееся большими количеством циклов перезаписи и временем хранения информации.

Результаты проведенных исследований используются в учебном процессе в РГПУ им. А.И. Герцена при подготовке магистров наук по направлению "Физика конденсированного состояния" и выполнении студентами старших курсов факультета физики курсовых и дипломных работ.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Параметры и форма петли температурного гистерезиса отражательной способности интерференционных структур на основе поликристаллических слоев диоксида ванадия при его фазовом переходе "металл-полупроводник" наряду с распределениями элементарных петель, отвечающих отдельным зернам-кристаллитам, по ширинам и по положению на температурной шкале, определяются корреляцией этих распределений и могут управляться структуроопределяющими условиями формирования слоев. Ответственный за формирование петли гистерезиса мартенситный характер фазового перехода проявляется в форме профиля зерна и в температурной зависимости концентрации металлической фазы.

2. Нелинейные оптические свойства рентгеноаморфных слоев диоксида ванадия при фазовом переходе "металл-полупроводник" могут быть 9 описаны с общих с поликристаллическими слоями позиций при допущении о сосуществовании в аморфных слоях нанокластеров диоксида ванадия с нанокластерами низших окислов ванадия ряда Магнели.

3. При фазовом переходе "металл-полупроводник" в поликристаллических слоях сульфида серебра, где наблюдается скачок ионной электропроводности (переход в состояние ионного суперпроводника), имеет место температурный гистерезис отражательной способности, который указывает на мартенситный характер перехода и влияние на его температуру нестехиометрии соединения, аналогичные свойствам диоксида ванадия. В отличие от диоксида ванадия, у которого скачок электронной проводимости при фазовом переходе обусловлен схлопыванием моттовской щели, в сульфиде серебра он связан с появлением хвостов плотности электронных состояний вследствие структурного разупорядочения.

4. Нелинейные оптические свойства поликристаллических слоев диоксида ванадия и сульфида серебра при определенных условиях их формирования могут служить основой принципа действия ограничителей мощного лазерного излучения и устройств оптической памяти.

Достоверность и обоснованность результатов и выводов исследования обеспечиваются структурной характеризацией изучаемых материалов в зависимости от условий их формирования; использованием современных экспериментальных методик структурных и оптических исследований; сравнительным анализом свойств материалов в различных структурных состояниях; сопоставлением, где это возможно, результатов исследований с литературными данными; интерпретацией полученных результатов на основе современных модельных представлений физики конденсированного состояния; разработанной математической моделью формирования изучаемых свойств при

10 фазовом переходе; результатами практического использования установленных закономерностей.

Апробация результатов исследования. Основные положения и результаты работы докладывались на П-ой и III-ей Международных конференциях "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2000, 2002 г.); 9-ой Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков "Диэлектрики-2000" (Санкт-Петербург, 2000 г.); Всероссийской научной конференции "Физика полупроводников и полуметаллов" (Санкт-Петербург, 2002 г.); IV-ой Международной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов и компонентов, (Клязьма, 2001 г.); III-ей Международной конференции "Электрическая изоляция - 2002" (Санкт-Петербург, 2002 г.); Международной конференции "Физика электронных материалов" (Калуга, 2002 г.); Importante Congreso Internacional de investigadores en materials (Mexico, 2001 г.); И01 International Symposium of Electrets (ISE-11, Melbourne, 2002 г.); II-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000 г.) и неоднократно обсуждались на заседаниях кафедры физической электроники Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена и научных семинарах Лаборатории фазовых переходов Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН.

Содержание основных положений диссертации отражено в следующих публикациях.

Первое положение:

1. В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, A.B. Ильинский,

Ф. Сильва-Андраде Формирование петли температурного гистерезиса

11 при фазовом переходе металл-полупроводник в пленках диоксида ванадия. //ЖТФ, 2002, том. 72, вып. 9, с.67-74

2. А.В. Ильинский, В.А. Климов, А.И. Сидоров, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин Структурно-чувствительные свойства поликристаллических и аморфных материалов вблизи фазового перехода металл-изолятор. // Труды Ш-ей Международной конференции «Электрическая изоляция - 2002», СПб., 2002, с.120-124

Второе положение:

3. С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, В.А. Климов, И.О. Тимофеева, А.В. Ильинский Особенности электронных свойств кристаллизованных анодных пленок диоксида ванадия. // Труды IV-ой Международной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов и компонентов, Клязьма, 2001, с. 103-104

4. V.Klimov, I.Timofeeva, E.Shadrin, F.Silva-Andrade, Allinskii Investigación comparativa de las propiedades morfológicas y electrónicas en películas amorfas y policristalinas de dioxido de vanadio. // Proc. Congreso Internacional "Materia 2001", 2001, México, D.F., p.57

5. С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, И.О. Тимофеева, А.В. Ильинский Электронные свойства аморфного диоксида ванадия. // Тезисы докладов П-ой Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб., 2000, с. 126

6. В.А. Климов, А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин Особенности фазового перехода металл-полупроводник в тонких слоях аморфного диоксида ванадия. /У Физика электронных материалов: Материалы Международной конференции, Калуга, 2002, с .106-107

12

Третье положение:

7. В.А. Климов, Е.Б. Шадрин, А.И. Сидоров, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин Особенности электронных свойств сульфида серебра. // Труды IV-ой Международной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов и компонентов, Клязьма, 2001, с. 82-83

8. В.А. Климов, А.В. Ильинский, Е.Б Шадрин, А.И. Сидоров, И.О. Тимофеева, С.Д.Ханин Особенности структуры и свойств слоистых структур на основе сульфида серебра. // Тезисы докладов Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов», СПб., РГПУ им. А.И. Герцена, 2002, с.30-31

9. A.Sidorov, I.Timofeeva, E.Shadrin, F.Silva-Andrade, A.Ilinskii Propiedades ópticas, electrónicas y morfológicas de películas delgadas de sulfuro de plata. // Proc. Congreso Internacional "Materia 2001", 2001, México, D.F., p.58

10. В.А. Климов, A.B. Ильинский, Е.Б. Шадрин, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин Синтез и исследование тонко-пленочных структур на основе сульфида серебра. // Физика электронных материалов: Материалы Международной конференции, Калуга, 2002, с.158-159

Четвертое положение:

11. Ilinskii A.Y., Klimov V.A., Sidorov A.I., Timofeeva I.O., Khanin S.D. and Shadrin E.B. Applying of non-linear properties of transient metáis compaunds as optical limiters. // Proc. llth Intern. Symp, Electrets (ISE -11), Melbourne, 2002, p.291-293

12. Е.Б Шадрин, С.Д. Ханин, В.А. Климов, И.О. Тимофеева, А.В. Ильинский, Ф. Сильва-Андраде Функциональные возможности интерференционных структур на основе диоксида ванадия в качестве оптических ограничителей. // В кн. «Физика конденсированного состояния и электроника», СПб., РГПУ им. А.И. Герцена, 2000, с.88-99

13

13. В.А. Климов, А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин Исследование возможностей применения аморфных слоев диоксида ванадия в устройствах ограничения мощного лазерного излучения. // Сборник трудов Ш-ей Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб., 2002, с.232-233

Личный вклад автора заключается в том, что им получен экспериментальный материал, проведены необходимые математические расчеты, сформулированы выводы. Научный руководитель С.Д. Ханин принимал участие в постановке задачи, обсуждении полученных результатов, редактировании печатных работ. Е.Б. Шадрин участвовал в постановке и проведении исследований оптических нелинейных свойств, а также при обсуждении полученных данных. В.А. Климов оказывал помощь при синтезе экспериментальных образцов. А,В. Ильинский и Ф. Сильва-Андраде принимали участие в проведении анализа морфологии полученных образцов. А.И. Сидоров участвовал при постановке и решении задачи об определении доли металлической фазы и в испытаниях макетных образцов оптоэлектронных устройств. Публикации достаточно полно отражают основные положения и результаты исследования.

14

Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Экспериментально установлена корреляция оптических свойств интерференционных структур на основе поликристаллических слоев диоксида ванадия с условиями их формирования, определяющими морфологию пленки и состав соединения. На основании данных атомно-силовой микроскопии показано, что ширина петли температурного гистерезиса отражательной способности определяется распределением кристаллитов пленки по размерам. Наблюдаемая при определенных условиях формирования слоя асимметрия петли термического гистерезиса объясняется тем, что распределение кристаллитов по размерам связано с их распределением по температурам фазового перехода, определяемым в свою очередь, степенью отклонения состава соединения от стехиометрического.

2. Развита математическая модель и основанная на ней последовательная схема формирования петли температурного гистерезиса отражательной способности интерференционных структур на основе поликристаллических слоев диоксида ванадия, основанные на том, что ширина и положение элементарных петель гистерезиса, отвечающих отдельным кристаллитам, определяются их размерами и степенью отклонения состава от стехиометрического соответственно.

3. Из экспериментальных данных по отражению и пропусканию поликристаллических слоев диоксида ванадия восстановлены температурные зависимости доли металлической фазы и диэлектрической проницаемости вблизи фазового перехода «металл-полупроводник», согласующиеся с представлениями о мартенситном характере и электронной природе фазового перехода.

4. Показано, что поведение оптических свойств рентгеноаморфных слоев диоксида ванадия вблизи фазового перехода «металл-полупроводник», несмотря на отсутствие дальнего порядка, может быть описано с помощью предлагаемой модели формирования петли гистерезиса некристаллической

152 структуры, в которой нанокластеры диоксида ванадия соседствуют с нанокластерами низших оксидов ванадия с отличной от диоксида ванадия температурой фазового перехода.

5. Обнаружены исчезновение экспериментальных проявлений фазового перехода «металл-полупроводник» в рентгеноаморфном диоксиде ванадия после нескольких термоциклов, связанное с диффузионным процессом, и возможности его восстановления посредством термической обработки пленки в окислительной атмосфере, приводящей к кристаллизации. Петля температурного гистерезиса отражательной способности полученной поликристаллической пленки сохраняет присущую аморфному оксиду большую протяженность ветвей по температуре, отвечающую полученным структурным данным.

6. Экспериментально установлено наличие петли термического гистерезиса отражательной способности поликристаллических слоев сульфида серебра вблизи фазового перехода «металл-полупроводник», сопровождаемого скачком ионной проводимости. Показана возможность ее описания в рамках модельных представлений о мартенситном характере фазового перехода и влияния нестехиометрии соединения на его температуру. Показано, что наблюдаемый вблизи фазового перехода «металл-полупроводник» скачок электронной составляющей проводимости поликристаллических пленок сульфида серебра может быть связан со структурным разупорядочением, свойственным ионным суперпроводникам.

7. Определены условия формирования поликристаллических пленок диоксида ванадия и сульфида серебра, отвечающие необходимым для применения в оптоэлектронной аппаратуре параметрам петли температурного гистерезиса оптических свойств. Показаны возможности создания на основе указанных материалов эффективных ограничителей мощных световых потоков и элементов оптической памяти.

153

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Гиббс X. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1998, 520с.

2. Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука. Физматлит, 1997,33бс.

3. Chappie Р.В., Hermann J.A., Mcduff R.G. Power saturation effect in thick singleelement optical limiters// Optical and Quantum Electronics, 1999, v.31, №2, p. 555-569

4. Vlidilen P., Belousov A. Nonlinear optical limiters of laser radiation on base of reverse saturable absorption and stimulated reflection // J. Opt. Techn., 1997, v.64, №12, p. 230-239

5. Гурьянов A.A., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А. Измерение оптических постоянных окиснованадиевых пленок из угловых зависимостей их отражательной способности // ЖТФ, 1991, т.16, № 10, с.76-81

6. Boggess T.F., Smirl A.L., Moss S.C., Boyd I.W., Stryland E.W. Optical limiting in GaAs // IEEE J. of Quant Electr., 1985, v. QE-21, № 5, p.488-494

7. Багров И.В., Жевлаков А.П., Сидоров А.И., Михеева О.П., Судариков В.В. Низкопороговое ограничение инфракрасного излучения в примесных полупроводниках// Оптический журнал, 2002, т.69, № 2, с.15-20

8. Van Stryland E.W., Wu Y.Y., Kagau D. I. Optical limitiny with semiconductors // J. Opt Soc. Am. В., 1988, v.5, №9, p.1980-1988

9. Averitt R.D., Westcott S.L., Halas N.J. Ultrafast optical properties of gold nanoshelles//J. Opt. Soc. Am. B, 1999, v.16, № 10, p. 1814-1823

10. Ю.Данилов B.B., Соснов E.H., Чистякова O.B., Шахвердов T.A., Brunier Т. Эффективность использования двухфотонного поглощения в примесных жидких кристаллах как механизма оптического ограничителя // Оптика и спектроскопия, 2001, т.90, № 3, с.429-432

11. Данилов О.Б., Желваков А.П., Сидоров А.И., Тульский С.А., Ячнев И.Л., Титтеритон Д. Воздействие интенсивного лазерного излучения на управляемые VO2 зеркала // Оптический журнал, 2000, т.67, № 6, с.31-38

12. Danilov О.В., Belousov V.P., Belousova I.M. Non-liner optical limiters // Proc. SPIEE., 1998, v.3263, p.124-130

13. Коновалова О.П., Сидоров А.И., Шаганов ИИ. Интерференционные системы управляемых зеркал на основе диоксида ванадия для спектрального диапазона 0,6-10,6 мкм // Оптический журнал, 1999, т.66, №5, с. 13-21

14. Бугаев А. А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход полупроводник-металл и его применение. JL: Наука, 1979, 183 с.

15. Шадрин Е.Б. Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов // Докт. дисс. / СПб., 1997, 556 с.

16. П.Хахаев И.А. Синтез и исследование оптических свойств управляемых интерференционных структур на основе диоксида ванадия. // Дис. канд. физ.-мат. наук. / СПб., 1991, 155 с.

17. Сидоров А.И. Модуляция коэффициента отражения при ФПМП в слоистых системах с пленкой V02 // Оптический журнал, 2000, т.67, №2, с.53-59

18. Беляков В.И., Дмитриев В.А., Корыстов В.Н., Макраусов В.В., Орлов J1.H. Оптические константы двухфазных пленок на основе двуокиси ванадия.// «Автометрия», 1981, № 5, с.114-116

19. Бугров В .Я., Игнатьев А.С., Капаев В.В., Мокеров В.Г., Петрова А.Г. Реверсивный накопитель информации на основе пленок двуокиси ванадия // Автометрия, 1980, jY<>6, с.96-100

20. Гальперин ВЛ, Хахаев И.А., Чудновский Ф.А. Управление фазовым переходом металл-полупроводник с помощью быстродействующего термоэлектрического охладителя // ЖТФ, 1991, т.61, №10, с.194-196155

21. Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Пташник В.Б., Тарасов И.С., Чудновский Ф.А. Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках V02 // ЖТФ, 1989, т.59, в.Ю, сЛ74-177

22. W. Bruckner, Н. Opperman, F., Reichelt W., Terukov E.I., Tschudnovskii F.A. Vanadiumdioxide. Akademie-Verlag. Berlin, 1983, s. 252

23. Олейник A.C., Хахаев И.А. Схемы измерения параметров голографических транспарантов на основе пленок ФТИРОС // Письма в ЖТФ, 1990, т.16, в. 22, с.5-10

24. Гальперин В.Л., Хахаев И.Д., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Управление фазовым переходом металл-полупроводник в пленке диоксида ванадия с помощью быстродействующего термоохладителя /7 ЖТФ, 1998, т. 68, №2, сЛ 10-115

25. Соколова И.В., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А. Критерии оптимизации топографической эффективности регистрирующей среды на основе пленок диоксида ванадия // Научное приборостроение, 1991, в.З, с. 73-79

26. Case F.C. Infrared V02 thin films for infrared switching // Appl. Opt, 1991, v.30, p.4119-4123

27. Kusano E., Theil J .A. Effects of microstructure and nonstoichiometry on electrical properties of vanadium dioxide film // J. Vac. Sci. Technal. A, 1989, v.7, № 3, Pt l,p. 1314-1317

28. Parcer I.C. Optical propetis of the vanadium oxides V02 and V205 // J. of Americ. Cer. Soc., 1990, v.73, №11, p. 3206-3208

29. Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Мартенситные эффекты при фазовом переходе металл-диэлектрик в пленке диоксида ванадия // ФТТ, 1994, т.36, № 10, сЛ 643-1649

30. Ройтбурд А.Л. Основы теории мартенситных фазовых переходов // УФН, т.113, № 1, с. 69-90, 1974

31. Егоров Ф.Л., Темиров Ю.М., Соколовский А.А., Дворянкин В.Ф. Влияние фотоиндуцированного циклирования на свойства пленок диоксида ванадия // Письма в ЖТФ, 1992, т.18, № 18, с.47-50156

32. Бойко B.C. Термоупругие мартенситные превращения.// Металлы, 1992, №1, с.95-118.

33. Ланская Т.Г., Меркулов И.А., Чудновский Ф.А. Гистерезисные эффекты при фазовом переходе металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ, 1978, т.20, с. 1201-1208.

34. Jin P., Nacao S., Tanemura S., Bell T., Wieluski L.S., Swain M.V. Characterization of mechanical properties of V02 thin films on sapphire and silicon by ultra microindention // Thin Solid Films., 1999, v.343-344, p. 134137

35. Bifeng X., Xinjian Y., Li Y., Sihai C. The influence of annealing parameters on the structure and optical and electrical properties of VOx films // 25th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (Cat. No.00EX442), 2000, p.363-364

36. Михеева О.П., Сидоров А.И. Особенности ограничения лазерного излучения зеркалами на основе диоксида ванадия // Оптический журнал, 2001, т.68, № 4, с.48-52

37. Ohachi Т., Taniguchi I., Yamamote Т. The single crystal growth of a-Ag2S and a-Ag2Se controlled by the diffusion of silver atoms at the solid/vapour interface. // J. Crystal Growth, 1974, v. 24/25, p. 576-580

38. Чеботин В.H. Физическая химия твердого тела. М. «Химия» 1982 , 320с

39. Оруджев Г.С., Алекперова Ш.М., Абдулзаде А.Б. Энергетический спектр и оптические свойства Ag2S. Баку, 1985, 21с.

40. Астахов O.IL, Голышев В.Д., Сгибнев И.В. Подвижность и эффективная масса электронов в Ag2S и Ag2O0.5Te0.5 // Известия АН СССР Неорг. Материалы, 1973, т.9, №5, с.841-842

41. Гуревич Ю.Я. Твердые электролиты. Москва, «Наука», 1986,174с

42. Jumod P. Relation entre structure crystalline et les propriétés électroniques des combinaisons Ag2S, Ag2Se, Cu2Se.- Paris, 1959,40p.

43. Rakitin A., Kobayaski M., Strekalov V.N. Possibility of laser field induced superionic transition// Solid State Ionics, 1995, v.79, № 1, p.9-12157

44. Wysk H., Schmalzried D. Electrochemical investigation of a/(3 phase transition of silver sulfide I I Solid State Ionics, 1997, v.96, № 1, p.41 -47

45. Bugaev A.A., Cudyalis V.V., Klochkov A.V. Induced optical anisotropy of V02 films during picosecond excitation // Sov. Phys. Solid State, 1983, v.25, № 6, p. 1890-1892

46. Зайцев P.O., Кузьмин E.B., Овчинников С.Г. Основные представления о переходах металл-диэлектрик в соединениях 3d-MeTaruroB // УФН, 1986, т. 148, №4, с.603-636

47. Idlis B.G., Kopaev Yu. V. On the theory of phase transitions in vanadium oxides Vn02n-i (Magneli phases). // Solid State Comm., 1983, v.45, № 3, p.301-304

48. Пайерлс P. Квантовая теория твердого тела. М.: Ив.лит., 1956, 450с.

49. Аморфные полупроводники. /Под ред. М. Бродски. — М.: Мир, 1982, 419с

50. Belitz D., Kirkpatrick T.R. The Anderson-Mott tramsition // Rev. of Modern Phys., 1994, v.66, № 2, p.261-380

51. Мотг H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: В 2 т.-М.: Мир, 1982., 662 с

52. Мотт Н.Ф. Переходы металл изолятор.- М.: «Наука», 1979, 342 с

53. MottN.F. Metal insulator transitions // Cont. Phys., 1973, v.14, № 5, p.401-413

54. Физика суперионных проводников / Под ред. Саламона М.Б. Рига «Зинатне», 1982, 315с

55. Гуревич Ю.Я., Харкац Ю.И. Суперионные проводники,- МНаука, 1992, 286с

56. Chandra S. Superionic Solid-New York, Amsterdam: North Holland, 1981, 404p

57. Гуревич Ю.Я., Резник Г.В., Харкац Ю.И. К теории структурных переходов в суперионных кристаллах// ФТТ, 1978, т.20, с.1661-1667

58. Гуревич Ю.Я., Харкац Ю.И. Суперионная проводимость твердых тел. -Москва, 1987, 157 с

59. Нагаев Н.С., Зильберварг В.Е., Нагаев Э.Л. Диэлектрическая проницаемость твердых электролитов и переход в суперионное состояние // ЖЭТФ, 1980, т.78, №1, с.180-188158

60. Гуревич Ю.Я. Суперионные проводники, М.Знание, 1980,64с.

61. Barker A.S., Verleur H.W., Guggenheim H.J. Infrared optical properties of vanadium dioxide above and below the transition temperature // Phys. Rev. Lett. 1966, v.17, №26, p. 1286-1289.

62. Almeida, L.A.L.; Deep, G.S.; Lima, A.M.N.; NefF, H. Thermal dynamics of V02 films within the metal-insulator transition: Evidence for chaos near percolation threshold // Applied Physics Letters, 2000, vol.77, no.26 p.4365-4367

63. Капаев Ю.В., Меняйленко B.B., Молотков C.H. Бесстолкновительная динамика неравновесного фазового перехода полупроводник-металл // ЖЭТФ, 1985, т.89, №4(Ю), с.1404-1415

64. Paquet D., Leruox-Hugon P. Electron correlation and electron-lattice interaction in the metal-insulator, ferroelastic transition in V02: A thermodynamical study // Phys.Rev.B., 1980, v.22, № 11, p.5284-5301

65. T. Altanhan, J.Phys. The screened intra-atomic correlation energy- in transition metall-oxides // Sol.StPhys., 1987, v.20, №> 5, p.949-953

66. Michael F. A. Bruce Buckman, and Rodger M. Walser Femtosecond switching of the solid-state phase transition in the smart system material V02 // Smart Structures and Materials, SPIE Proc., 1994, v. 2189, № 3, p.400-408

67. Hiroyki A., Terauchi M., Tanaka M., Shin S., Ueda Y. Electron Energy-loss Spectroscopy Study of the Metal-Insulator Transition in V02 // Jap. Journ. Appl. Phys., 1997, v.36, № 1, p.165-169

68. Muller O. Metall-Insulator Transition of V02. A XANES Investigation of the OK Edge ofV02 // J. Phys. in France, 1997, v.7, № 2, p. 522-533

69. Захарченя Б.П., Мешковский И.К., Теруков Е.И., Чудновский Ф.А. Фазово-трансформационный интерференционный реверсный отражатель света (ФТИРОС) // Письма в ЖТФ, 1975, т.1, № 1, с.8-11

70. Шадрин Е.Б., Ильинский А.В. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ, 2000, т.42, № 6, с.1092-1099159

71. Terauchi H., Cohen J.B. Diffuse x-ray scattering due to the lattice instability near the metal-semiconductor transition in V02 // Phys. Rev., 1978, v. 17, № 6, p. 24942496

72. Miyazaki H., Utsuno F. The structural characteristics of V02 films prepared by He introduced reactive RF unbalanced magnetron sputtering // Thin Solid Films, 1996, v. 281-282, № 2, p. 436-440

73. Stefanovich G., Pergament A., Stefanofich D. Electrical switching and Mott transition in V02// J. Phys. Cond. Matter, 2000, v.84 ,№ 12, p.8837-8845

74. Борисков П.П., Величко A.A., Пергамент A.JI, Стефанович Г.Б., Стефанович Д.Г. Влияние электрического поля на переход металл-изолятор в диоксиде ванадия // Письма в ЖТФ, 2002, т.28, № 10, с.13-18

75. Бугаев А.А., Гудялис В.В., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл-полупроводник в V02 при инициировании его пикосекундными импульсами // Письма в ЖТФ, 1981,т.34, №8, с.452-455

76. Николаев А.В., Кострубов Ю.Н., Андреев Б.В. Электронная структура металлической фазы и переход металл-изолятор в V02 // ФТТ, 1992, т. 34, №10, с.3011-3018

77. Beteille F., Mazerollrs L., Livage J. Microstructure and metal-insulating transition of V02thin films // Materials Research Bulletin, 1977, v.34, n. 14-15, p.2177-2184

78. Bialas H., Dillenz A., Downar H., Ziemann P. Epitaxial relationships and electrical propeties of vanadium oxide films on r-cut sapphire // Thin Solid Films, 1999, v. 338, № 1, p. 60-69

79. Никитин C.E., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Обратимые изменения электрических свойств пленки диоксида ванадия с использованием подложки из суперионного проводника // ФТТ, 1993, т.35, № Ю, с.2719-2723160

80. Никулин Е.И., Чудновский Ф.А., Шадрин Е. Б., Мясников Д.А. Влияние электронной бомбардировки на проводимость пленок У02 // ЖТФ, 1988, т.58, № 12, р. 2411 2416

81. Кикаев Д.О. Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов // Дис. канд. физ.-мат. наук / Петрозаводск, 2000, 124с

82. Игнатенко М.В. Нелинейные электронные свойства слоев переходных металлов и их применение // Дис. канд. физ.-мат. наук / РГПУ СПб, 2001 -183 с

83. Игнатенко М.В., Климов В.А., Ханин С.Д., Шадрин Е.Б. Электронные свойства диоксида ванадия и проблема контроля параметров лазерного излучения. В кн.: «Физика конденсированного состояния и электроника», СПб, 2000, с.58-70

84. Бегишев А.В., Галлиев Г.Б., Игнатьев А.С., Мокеров В.Г., Пошин В.Г. Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на фазовый переход полупроводник металл в диоксиде ванадия // ФТТ, 1978, т.20, № 6, с. 1643-1650

85. Мокеров В.Г., Бегишев А.Р., Игнатьев А.С. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную природу и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия // ФТТ, 1979, т.21, №5, с. 1482-1488

86. Стефанович Г.Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов // Дис. доктора физ.-мат. наук / Петрозаводск, 1997. 360 с

87. Алешина Л.А., Малиненко В.П., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. Исследование ближнего порядка атомной структуры аморфной двуокиси ванадия // ФТТ, 1988, т.30, №3, с.914-916161

88. Величко A.A. Переключение в тонкопленочных микро- и наноструктурах на основе оксидов переходных металлов с переходом металл-изолятор // Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / Петрозаводск, 2002. -20с

89. Стефанович Д.Г. Электронное управление переходом металл-изолятор// Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук/Петрозаводск, 2002. 18с

90. Гуртов В.А., Малиненко В.П., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Стефанович Д.Г. Электронное управление переходом металл-изолятор // Тезисы докл. 8-ой Междунар. конференции «Физика диэлектриков», 2000, СПб, с.208-209

91. Андреев В.Н., Гурвич М.А., Климов В.А., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А. Лазерное осаждение пленок диоксида ванадия // Письма в ЖТФ, 1979, т. 19, №9, с.63-65

92. Технология тонких пленок. Под ред. Майссела Л, Глэнга, М. Совет.радио, 1977, т.2, 768с

93. Аверьянов Е.Е. Справочник по анодированию.- М. Машиностроение, 1988, 224 с

94. Одынец J1.JL, Орлов В.М. Анодные оксидные пленки. — Л.: Наука, 1990, 200с

95. Закгейм Л.Н. Электролитические конденсаторы. М. Госэнергоиздат, 1963, 284с

96. Arora M.R., Kelly R. The structure and stoichiometry of anodic films on V, Nb, Та, Mo and W. // J.Mater. Sei., 1977, v. 12, № 9, p. 1673-1684

97. Keil R.G., Solomon R.E. Anodization of vanadium in acetic acid solution // Imidem, 1971, v. 118, № 4, p.860-865

98. Pelleg J. Microsectioning technique for vanadium // J.Less-Common Metals, 1974, v.35, № 2, p.299-304

99. Юнг Л. Анодные окисные пленки. Л.Энергия, 1967, 232 с

100. By Shin-ya Miyatani. Electrical properties of pseudo-binary systemes of Ag2VI's // J. Phys. Soc. of Japan, 1960, v. 15, № 9, p. 1586-1595

101. Grozdanov I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films // Semicond. Sci. Technol., 1994, v.6, p. 1234-1241

102. Dhumure, S.S., Lokhande, C.D. Studies on the preparation and characterization of chemically deposited Ag2S films from an acidic bath // Thin Solid Films, 1994, v. 240, № 1-2, p. 1-6

103. Grozdanov, I. Solution growth and characterization of silver sulfide films // Applied Surface Science, 1995, v. 84, № 3, p. 325-329

104. Meherzi-Maghraoui H., Daehraoui M., Belgacem S., Buhre K.D., Kunst R., Cowache P., Lincot D. Structural, optical and transport properties of Ag2S films deposited chemically from aqueous solution //' Thin Solid Films, 1996, v.288 , № 1-2 p. 217-223

105. Binning G., Quate C. F., Gerber C. Atomic force microscopy// Phys. Rev. Lett, 1986, v. 56, № 9, p. 930-933

106. Koutsos V., Manias E., Brinke G., Hadziioannou G. Atomic force microscopy and real atomic resolution. Simple computer simulations // Europhys. Lett., 1994, v. 26, №3, p. 103-107

107. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Статистическая физика.- M."Наука", 1995, 605с

108. Li Y.Q., Sung C.G. Inguva R., Bowden C.M. Nonlinear-optical properties of semiconductor composite materials // J. Opt. Soc. Am. B, 1989, v.6, № 4, p.814-817163

109. Haus J.W., Kalyaniwalla N., Inguva R., Bloemer M., Bowden C.M. Nonlinear-optical properties of conductive sp Leroidal particle composites // J. Opt. Soc. Am. B, v.6, 1989, № 4, p.797-807

110. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур /7 М.: «Советское радио» 1975, 176 с

111. Leone A., Trione A., Junga F. Alternation in electrical and infrared properties of vanadium oxides due to proton irradiation // IEEE Trans, on Nuclear Sci, 1990, V.37, № 6, p.1739- 1742

112. Horlin Т., Niklewsky Т., Nygren M. Magnetic, electrical and thermal studies on the V!.xMox02 system with 0<x<0.20 // Mater. Res. BulL, 1973, v.8, p.179-184

113. Колобов H.A., Самохвалов M.M. Диффузия и окисление полупроводников. М: Металлургия 1975, 453с

114. Phillips J.C. The microdomain hypothesis and dual phases in solid electrolytes // Electrochomica Acta, 1977, v.22, № 2, p. 109-112

115. Barman S.R., Shanthi N., Shukla A.K., and Sama D.D., Order-disorder and electronic transitions in Ag2+sS single crystals, studied by photoemissin spectroscopy // Phys. Rev. В., 1995, v.53, №7, p.3746-3751

116. Tanaka Т., Miyazima S., Kakiuchi Т., Yasuhito O. Disorder entropy at the phase transition of Agl and Ag2S // Progress of Theorical Physics Supplement, 1994, v.115, p.185-194

117. Shukla A.K., Sen P., Sarma D.D. Transformations in Ag2-^S and Ag2+8Se a calorimetric study // Ber. Bun. Ges, 1983, v.3, p.l98-202

118. Shukla A.K., Schmalzried H. Electron transport studies of a-silver sulfide // Z. Phys. Chem. Neue Folge, 1977, Bd. 118, s.59-67

119. Junod B.P., Hediger H., Kilchor В., Wullschleger J. Metal-non-metal transition in silver chalcogetiides //' Philosophical Madazine, 1978, v.36, № 4, p.941-958