Фотоспилловер водорода в пленках оксидов переходных металлов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

J

i

■ АКАДЕМИЯ НАУК СССР ОРДЕНА. ЛЕНИНА. ФЖШ-ШНИЧЕОКНЙ ИНСТИТУТ ЖНИ А.Ф.ИЖЕ

На правах рукописи

ЛАНСКАЯ ТАТЬЯНА ГЕОРГИЕЕКй.

УДК 539.213

ФОТОСПИШШР ЮДОЮДА В 1ШЕНКЛХ ОЭДЦОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ

(01.04.10 физика полупроводников и диэлектриков).

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ленинград 1991

Работа выполнена з Ленинградском ордена Ленина Физико-техническом институте км. А.£.Ио$фе АН СССР.

Научный руководитель - доктор физико-математических наук

ЧШОВОККЙ Ф.А.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук

НОСКШ В.А.

кандидат физико-математических наук МУЖДАЕА В.М.

Ведущая организация - Саратовский университет им. Н.Г. Чернышевского .

Защита состоится в 'У часов на заседании специализированного совета К 003.23.01 Физико-технического института км. А.Ф.Иоффе АН СССР по адресу: 194021, Ленинград, Политехническая ул.,д.26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотека института.

Автореферат разослан " ^" 1931г.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физ.-глат-,наук

Г.С.Куликов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ.

В настоящее время резко возрос интерес к проблеме водорода в полупроводниках к диэлектриках. Среди полупроводниковых и диэлектрических материалов особое место занимают оксиду переходных металлов ( ОГО! ). Введение водорода е ОПМ приводит к радикальному изменению электрических, оптических, структурных, химических и других свойств оксидов. Изменение параметров 0П?Л при введении водорода может происходить в очен« широких пределах. К моменту постановки данной работы был известен ряд способов введения водорода в ОПМ, таких как инжекция зодорода под действием электрического поля, электрического тока (элек-трохромюм ), инжекция водорода под действием света (фотохро-глизм ), инжекция водорода под действием ионизирующих излучений, сшшговер водорода.

Перспективным способом инжекции водорода является фотоин-жекция водорода в ОЕМ [I] . Это обусловлено возможностями использования фотоинжекцли для целого ряда применении, к которым могут быть отнесены: системы записи и отображения оптической информации, новые фоторезисты для микроэлектроники, системы прямого преобразования солнечной энергии в химическую и т.д. Однако способ фотоинжекции водорода не является универсальным. Он эффективен только для оксидов , обладающих большой удельной , поверхностью, то есть для аморфных пленок и поликристаллических пленок с малым размером кристаллита. Кроме того,обычная фото-инжекция водорода возможна только в предельные ОПМ. Важной экспериментальной задачей является поиск новых способов фотоинжекции водорода в непредельные ОПМ и в ОПМ с малой удельной поверхностью.

Этим определяется актуа~. .ность теш диссертационной работы, целью которой является расширение класса соединений в которые инжекция водорода могла бы осуществляться под действием света.

Научная новизна работы в наиболее общем плане состоит в том, что впервые установлена возможность реализации фотоинжекции водорода посредством фотоспилловера в оксиды переходных

металлов. Впервые определены условия реализации фотоспилдовера водорода в оксидных гетероструктурах. Впервые исследовано гага-яние инквкции водорода ка фазовый пер&ход полупроводник - металл в УС2.

Научная к практическая значимость.

В работе проведош систематические исследования пленочных гетероструктур с использованием оптических методов, резонансной ядерной реакции, ИК-спектроскопии.

3 результате получены данные, содержащие новую вахшую информацию о процессах фотоиняекции и диффузии годорода в пленочных гетероструктурах. Исследован механизм процесса фотоспилло-вер в пленочных гстврос^руктурах ОШЛ. Показана принципиальная возможность создания: новых регистрирующих сред на основе пленочных гетероструктур, состоящих из ОПМ.

Основные положения . вьдосимые на защиту;

1. Впервые установлена возможность реализации фотоспилло-вэра водорода в пленочных гетероструктурах, состоящих из поли-крксталлического слоя диоксида ванадия и аморфного слоя триок-сида вольфрама, а такжз из поликристатлического и аморфного слоев \л/0д.

2. Определены условия реализации фотостшювера водорода в оксвдных гетероструктурах.

3. Исследовано влияние инжекции водорода на параметры фазового перехода полупроводник - металл з .

4. Исследованы' процессы фотокзсхекцш; и диффузии водорода з пленочной гетероструктуре, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев триоксида вольфрама. Показана пршщипиальная возможность создания новых регистрирующих сред на основе этой гетероструктуры. . ••'

5. Исследован механизм фотоиннекции водорода аморфных пленок триоксща вольфрама с адсорбированным на их поверхности димеа лфотоамидом.

Все основные результаты получены впервые.

Атгооба^тя. •работы.

Оскозные результаты диссертации докладывались ка III науч-

ном семинаре " Ионика твердого тела" ( Вильнюс, 1983г.), на Второй Всесоюзной конференции " Материаловедение хаяькогенадных и кислородосодерхащих полупроводников" { Черновцы, 1986г. ), на Второй Всесоюзной научной конференции "Физика окисных пленок" ( Петрозаводск, 19871'. ), На У Всесоюзной конференции " Бессеребряные и необычные фотографические процессы" (Суздаль, 1988г. ).

Публикации.

Основные результаты работы изложены в 7 печатных работах, одна из которых представляет собой авторское свидетельство на изобретение.

Структура диссертации: Диссертация состоит из введения, восьми глав и заключения, содержит 139 страниц машинописного текста, 61 рисунок и 2 таблицы. Список литературы включает 82 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕЕКАНЙЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность теш диссертации, сформулированы цель работы и основные результаты.

Первая глава содержит обзор литературных данных п фото-инжекции водорода в тонких шгенках оксвдов переходных металлов.

Суть явления фотохрошзма заключается в изменении цвета пленок при их облучении сеотом, энергия квантов которого превышает оптическую ширину защищенной зоны оксидов. Резкое увеличение фотохрошой светочувствительности пленок ОШ достигается при адсорбции на их поверхности молекул ряда органических со-единений[1 Д . Причиной этого являет ж фотостимулирозакноэ отщепление водорода от адсорбированных молекул и инфекция его в оксиды ( фотоинжекция водорода ).

Физическая сущность эффекта фотоинжекции водорода связана с фотохимическим разложением молекул органических соединений, адсорбированных на поверхности оксида, отщеплением от шг* водорода и его диффузией в структуру На рисунке I представлена схема диссоциации молекул метанола СКдОН соединения, часто используемого в качестве источника водорода , ка позерккос-

ти \л/0о Г1] .

а )

б)

в)

Ме—О I I

О

Ме— О

О —Ме-0 ■

Нч Н^о-й-н

0-

-Ме-

I

Ьн

-Ме-

| I

-О--Ме-

I

Н

— Ме— I

МЕ-

О

0-Ле-

Рис.1. Схема фотодпзсоциации молекулы СНдОН на поверхности МОд.

а).Энергетическая диаграмма зон на поверхности МОд.

б).Схема темновой адсорбции молекулы СНдОН на поверхности

V* *

в) .Схема фотоотгдепденкя водорода от молокулн СН^ОН.

Фот^иняекция водорода эффективно протекает в образцах с боль-иой удельной поверхностью, поскольку перзой стадией этого процесса является адсорбция водородосодерка'дих молекул на поверхности оксида. Поэтому этот процесс неэффективен в монокристаллах и в поликристаллических пленках ( Ш ) с большим размером кристаллита, Лр:: поглощена кванта света с энергией Е

больше ширины запрещенной зоны Е| з оксиде раздается электрон- • но-дырочная пара,Адсорбддя метанола вызывает появление на поверхности оксида адсорбированных комплексов, состоящих из ионов и связанных с ними молекул СНдОН. сь~ орбктали поверхностных ионов \\/0+ яветются вакантными, и именно это дает возможность образования донэрю-акцепторной связи путем затягивания неподеленной электронной пары атома кислорода СНоОН на вакантную внутреннюю & -орбиталь атома вольфрама. Это приводит к ослаблеюш внутримолекулярных связей б молекуле СНдОН,в результате ' чего происходит отщепление протона от связи 0-Н и его последующей инжекцией в оксид .Таким образом,в результате фотопроцесса происходит как бы обмен фсторокденной дырки на проток. Фоторожденный электрон,локализуясь на вольфрамовом узле, образует состояние то время как протон локализуется в

скеозных каналах, которые имеются в решетке оксида.

Из выыесказанного следует, что в непредельных СТЕЛ, у которых <£-србиталь не является вакантной, данный механизм фотоин-жекции реализован быть не может,'так как ввиду кулоновского отталкивания связывание молекулы - сорбата по механизму донор-но -акцепторной связи с поверхностью оксида невозпояно.

В первой главе рассмотрено влияние различных факторов на эффективность фотоинкекции в пленках Подробно рас ударено изменение различных параметров пленок \\Юд (электрических, оптических, структурных) при инжекщш в них водорода. Представлены различные модели центров поглощения света ( ЦО )в окрашенных пленках МОд.

В заключении главы сформулированы основные задачи диссертационной работы.

В главе 2 изложена основная дцея диссертационной работы-идея реализации фотоспилловера водорода в гетероструктурах 01М. Эта идея берет свое начало от известного процесса "сшиловер" Ив структуре, представленной на рис.2. Данная структура псме-щается в атмосферу молекулярного водорода. На поверхности Р<& молекулярный водород диссоциирует на атомарный, которы:" затем диффундирует через слой металла в оксид, изменяя параметры по-следнего.Анатогичная идея монет быть реализована в друго:: гетеро-структуре ( ГС.) (рисунок 3), состоящей.из двух различных

»» '*

«♦ л»

II* /ff *

Рис.2. Пленочная гетероструктура для реализации спилловера водорода.

I - подлонка, 2 - слой V<Og , 3 - слой палладия PJL.

УФ - свет

<1 1 1 11 И II II

СН30Н

3 2 I

Рпс.З. Пленочная гетероструктура для реализации. фотоспиллоЕера водорода в оксидах переходных металлов. 1 - подложка, 2 - слой онсвда -"акцептора" водорода, 3 - слой оксида-'гекоратора" водорода .

слоев 0ГЕ.1. Ка поверхности верхнего оксида (3), которой может быть условно назван оксвд - "генератор" атомарного водорода, реализуется оюторе акция , в результате которой от предварительно адсорбированных молекул органических соединений отщепляется атомарный водород. Зтот водород пэрвоначально инжектируется в структуру оксида 3, а затем мигрирует в слой другого оксида 2, который монет быть условно назван оксидом -"акцептором" водорода. Рассмотрены условия реализации процесса фотосшшловер в ОПМ: I. :отрйция водорода из слоя I в ело:' 2 возмогла только в том случае, когда работа выхода электронов Ф^- оксида -"генератора" г.кньпе, чс-ы работа в'-кода электронов оксида --"акцептора", так как только з этом случае электрическое поле гетероперехода не будет пшпятсгвовать миграции протокоз пз слоя I в слой 2

а)

( рисунок 4 )-

оксид "генератор" атомарного водорода I

а

0

1

«V р-

-VI

6)

ао

8-

■Еу,

оксид "акцептор" атомарного водорода 2

Фг> Ф2

Вл

С*, 0 ¿2

Фт 4 ф2

•Ъ

-<А, о Аг

Рис.4. Энергетическая диаграмма гетероперехода двух ОПМ с различным соотношением работ выхода электронов ( Ф ). а) $2*

Ес -дне зоны проводимости, Еу-потолок валентной зоны, Е5 -греничнь'9 состояния, р- уровень Ферми, ¿/-область объемного заряда.

Что касается злек-тронов, то, хотя при электрическое паае

создаст энергетический барьер дая же перехода между слоями I к 2, наличие на границе раздела большого числа граничных состояний E¿ ( рис,4 ), которне возникают из-за несоответствия параметров кристаллической решетки двух оксидов, делает возможным подбарьерныи í туннельный ) перенос электроноЕ из слоя I в слои 2 через эти состояния.

2. Коэффициент диффузии протонов и электронов в оксида -"ге-нзхуторе1! водорода должен быть достаточно енсокш. с титл условия;.! удоБзе-георяют аморфные пленка ( АЛ ) W Од.

Глава 3 посвящена описания методики ядерных реакций для определения концентрации водорода в пленках оксидов переходных металлов. Детальное описание данной методики связано с тем, что она не является традиционной в облает!: физики твердого тела.

Определение содержания дейтерия в образца« проводилось путем регистрами протонов с энергией 15 МэВ, испускаемых в результате ядерной реакции % ( Не,р )ск . Использование изотопа водорода- дейтерия - вызвано необходимостью "отстроиться"от дюна, связанного с адсорбцией ка поверхности ОШ молекул воды и органических соединений.

Пучок ионов ускоренный до энергии 850 кэЕ,бкл полу-

чен на циклотроне ЯРИ в рэаюлз ускорения на третьей субгармо-к;же высокочастотного напряжения. Знеттеткческие спектры протонов регистрировались с поглещьз многоканального анализатора ам-¿пнтуд кг.дг/льоов. Содержание дейтерия в образцах определялось, исходя из данных: ш зависимости сечзнкя реакции (^г1е,р)о( от энергии ионов Не с учетом тормозных потерь в 0Е4.

В главе 4 описан фотоспиллоЕер водорода в пленочной структуре диоксид ванадия - трисксид вольфрама. Выбор обусловлен двvv* обстоятельствам: во-первых. VOg - неопределенный оксид, б который невозможна традиционная ишекция водорода, eo-s рьтх, да оксид ванадия обладает фазовым переходом металл-полупроводник (£ПМП) при 67°С и представляет интерес изучение ели яги я инкокпии водорода на параметры ФПМП.

Для реализации иктекции водорода в v^g была создана ге-

- II -

тероструктура ( рисунок 5 ).

УФ - свет

иШ111И1И1Н1

УУУУ/УУУУУУУУУУУУУУУУУУ/,

/I, ,,, ///

Рис.5-Гетероструктура для инжекции водорода в \/02 . I - подложка, 2 - слой алюминия, 3 - слой V 02• 4 - слой М 03-

Облучение ГС проводилось з парах метанола при р= 40 мм.рт.ст.

Исследовались спектральные зависимости коэффициента отражения &. гетероструктуры в диапазоне 0,3 ^ 2,2 мкм и температурные зависимости коэффициента отражения на фиксированной длине волны от 0°С до +80°С. 3 результате экспериментов установлен факт миграции носителей - электронов и протонов, рожденных под действием света в аморфном слое \л/0д, в поликрксталлический слой ^/Ор. Перетекание водорода в слой \/02 было определено дву-1дя способами.

1. По анализу спектров отражения гетероструктуры.

2. При помоип ядерной реакции 'Д (%е,р )с( определялась концентрация водорода в пленках \/02 после стравливания аморфной

пленки \¥0о в слабом растворе щелочи ( 1% раствор КОН ). Раст-

о к

вор ¡;;елочл данной концентрации ке оказывает влияния на поликри-сталяическкй слой У В отом случае облучение проводилось в парах дейтерированного метанола СДдОД.

Было установлено, 'что цнжекция протонов и электродов приводит к деградации ФП?£1 в V )( рисунок- Б )которая виража-ется в постепенно!.! уменьшения скачка оптических параметров ФПМП, снижении температуры ФП и упиреник петли температурного гистерезиса. Била определена концентрация водорода , приводящая к исчезновения ОП, она составила (5-^6) 10 ■ с;.Г , Оптические параметры ново;- фазы Н^ V 02 при исчезновении ОН совпадали с оптическими параметрами ¡/•.етачличеет'.ой фазы У^'- Совокупность эк_ сперпментатькнх данных шзволедй сделать выээд о моттое-ском ха-

рактера ФПМП в УС^.

Рис.6.Изменение температурной зависимости коэффициента отражения Я гетероструктуры V02 - \УОд на дайне волны 0,48мкм при облучении УФ - оветом„

I - для пленки УС>2 на отражающем подслое, 2 - для гетероструктуры ЧОр- МОд до облучения, 3 - после V - минутного облучения, 4 - после 30-минутного облучения.

- 13 -

Глава 5 посвящена исследованию фотоспилловера в пленочной ГС, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев УУ/Од. Ваяно подчеркнуть, что в качестве слоя - "акцептора" водорода использовался поликристаллический слой и/Од, обладавший малой удельной поверхностью и поэтому нечувствительный к воздействию светового облучения. Облучение ГС проводилось в парах метанола.

Исследовались спектры поглощения пленочной ГС в диапазоне от 0,5 до 3,5 эВ. Нормированная полоса поглощения, возникающая при облучении светом пленочной структур!, приведена на рисунка 7. Здесь ке приведены для сравнения нормированные полосы • поглощения для АЛ и ПП У/Од при инжекции в них водорода. Близость нормированной полосы поглощения ГС и нормированной полосы ПП У/Од указывает на факт миграции центров окраски из аморфного слоя У/Од в поликристаляический слой, после облучения ГС .светом.

1)

- 14 -

'Доказать факт миграции водо^хэда можно так же, как и в главе 4, для чего АЛ W0g легко может быть стравлен в слабом растворе щелочи, к действию которого Ш1 Ц/0у нечувствительна. После стравливания АП. и/Од использовалась ядерная методика %е,Р . С ее помощью было установлено , что водород, накапливающийся в процессе УФ-обдучения в поликристаллическом слое, отщепляется,в основном, от ОН-групп молекул метанола. Для установления данного факта облучение проводилось в парах СДдОН и СН3ОД,соответственно.

В результате проведенных экспериментов предложена модель последовательные фотохимических превращений молекулы метанола, адсорбированной на поверхности МОд.

Показана возможность создания двухслойных пленочных структур, сочетающих чувствительность аморфного слоя \л/0д и оптические характеристики поликристаишчзского слоя №0д.

В главе 6 продолжены исследования фотоспилловера водорода в пленочной ГС, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев №0д ( ГС идентична , списанной в глава -5 ). Отличием является использование в качестве источника водорода молекул диметилформамида ( ДМША ), адсорбированных на поверхности АП №0д.

Структурная формула ДШЕА:

^Л/.С-Н

у и

СНд 0 .

Известно [3 ] , - что в качестве "усилителя" фотохромного процесса ДШ. является более универсальным по сравнению с метанолом. Его использование приводит к усилению фотохромизма не только в пленках МОд, но также и в АП МоОд и АП В

то же время использование метанола для усиления фотохромизма в АП МоОд и АП У^О^ не дает результата. Кроме того, ДМФА не содержит ОН-груш, что в . отличие, например, от молекул воды или спирта, не привадит к образован® сетки водородных связей, по ^которой может осуществляться диффузия протонов. Поэтому исследование данной ГС с использованием в качестве источника водорода ДИМ представляет особый интерес.

В результате проведенных иослэдоваяий были установлены следующие особенности фотопроцессов с использованием ДОЗА:

1. Установлено, что фотохромнач чувствительность АП МОд с адсорбированным на их поверхности ДМФА сильно зависит от условий облучения светом, существенно возрастая при проведении облучения в присутствии паров воды.

2. Миграция водорода, инжектированного в результате фотореакции в АП У\/0д и в ПП \VClg происходит только в присутствии паров воды или паров низших спиртов ( метанол, этанол ), то есть соединений,способных образовывать сетку водородных связей.

3. Облучение ГС в вакууме дает возможность образовывать ЦО только в АП \д/03. Последующая темновая издержка в парах воды приводит к миграции ЦО из АП у/Од в ПП WOg.

Анализ спектров поглощения до и после миграции водорода и использование формулы Смакулы [_4] :

N•5= 8,7- 1016 ¿„Ь«с£. л Но,5,

где: N -концентрация Ц0,см~^; гь -показатель преломления пленки, с1тад(-коэтфицпент поглощения в максимуме полосы,сад-*; д -полуширина полосы поглощения ,эВ,' ^ -сила осциллятора оптического перехода,

дали возможность определить соотношение мезду значениями силы осциллятора оптического перехода в ПП и АП М)д: •

^лм = 15.

4. Использование декларированного ДГЛФА ( СДд)2С/УД0 и ядерной р, акции % р дает возможность определить значения силы осциллятора оптического перехода в Ш \\/0д и , таким образом, вычислить значения силы осциллятора и доя АП №0д:

4«= °«35 • о.з.

' Глава ? посвяще.ча исследованию фотопроцессов в АП МОд с помощью адсорбционной Ж-спектроскопии. На основе анализов спектров обычного ДМЗД (СНд)оМШО и дейтерированного ДЪЩ. (СД3)2Л/СД0 была проведена идентификация ряда полос поглощения в ИК-спектрах молекулы Д-Щ.

Напыление пленок МОд для исследований методом Ж-спектроскопии проводилось на подложке из Т&З/ТаВг, ( КИ5 - 5 ). Исло.еьзовался прибор "йресот-А 751Я".

Из сравнения спектров ДМФА в зддкой фазе и адсорбированного

на йозерхности №/0д было установлено, что молекулы Д№М координируются при их адсорбции поверхностными атомами вольфрама« о чем свидетельствует понижение частоты валентных колебаний карбонильной группировки ( С=0 ) от 1675см-1 в жидкой фазе до 1650сьГ1 при адсорбда на поверхности \л/0д.

Изменение частоты колебания в результате координирования молекулы поверхностным атомом вольфрама приводит к изменению частот'других колебаний, взаимодействующих с первым.

Исследовались также изменения ИК-спектров пленок \Л/0д с ■ адсорбированным ДОЖ при их облучении светом. Приводились исследования пленок, на поверхности которых адсорбировался как обычный, так и дейтерирозанный ДМВД.

При облучении УФ-светом пленок У»/0д в вакууме было обнаружено постепенное уменьшение интенсивности полос поглощения молекул адсорбированного ДОМА и появления ряда новых полос поглощения, связанных с колебаниями новых поверхностных группировок. При продолжении облучения на воздухе наблюдается постепенное исчезновение всех полос поглощения как "старых" ,так и "новых" и появление полос поглощения, связанных с колебаниями адсорбированных молекул воды.

В главе 8 проводится подробное обсуждение результатов, описанных в главах 6 и 7 и позволяющих сделать вывод о механизме фотопроцессов в пленках ^/Од с адсорбированным ДШ>А:

1. Первоначально наблюдается фотоивдуцированное отщепление атома водорода СНО-группы молекулы ДША, его инжекция в структуру оксида: , , я бн 5*

[(6Н ы со н]^ {снь\ысо+ к0, Я- № е, ' ■. М + е IV. ■

2. Образовавшиеся поверхностные структура имеют ; полосы поглощения 1670см-* и 1270см-1 в случае использования обычного ДОМ и полос 1650см-''" и 1290см~* в случае дейтерированного ДОНА. Часть молекул ДМФА окисляется адсорбированным на поверхности кислородом до карбоксилатных структур, имеющих полосы поглощения при 1580см-1, 1350см-* и 1050см"* независимо от типа ДМФА.

3. При длительном облучении на воздухе происходит более глубокое «ркисление ДМФА и продуктов его фотолиза с образованием молекул воды и легколетучих продуктов.

4. Для миграции фотоинжектированного водорода из аморфного слоя

- Г? -

в поликртеталлический требуется создание ,так называемых нитей Бернала-Фаулера, то есть '.упорядоченной сетки водородных связей, по которой могла бы происходить диффузия протонов. Образование нитей Бернала-Фаулера достигается выдержкой структуры в парах воды кли спиртов.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ перечислены основные результаты и вывода работы:

1. Впервые показана возможность осуществления фотоспилловера водорода в пленочпых гетероструктурах. С помощью фотоспилловера проведена фотоинжекция водорода в поликристаллические слои V02 и W03.

2. Определены условия реализации фотоспилловера водорода в оксидных ГС. Важнейшими условиями миграции водородных ЦО из одного оксида в другой являются:

а). Величина работы выхода электронов оксида-'донора" водорода должна быть меньше величины работы выхода электронов оксида -"акцептора" водорода.

б). Для диффузии водорода между оксидами в их структуре должны существовать упорядоченные сетки водородных связей (нити Беркала-^аулера). Их роль играют молекулы воды или спиртов, адсорбированные в парах оксидных структур.

3. Исследовано влияние инжекции водорода на параметры ФПМП в V02. Показано, что инжекция водорода в V02 приводит к деградации ФП и , в конечном счете, к образованию металлической фазы

V02 при комнатной температуре.

4. Исследованы процессы фотоинжекции и диффузии водорода в пленочной ГС, состоящей из ПП и АП WOg. Показана принципиальная возможность создания новых регистрирующих сред, обладающих фотохромной светочувствительностью АП WOg и характеристиками фотоиндуцированного состояния ПП WOg.

5. С помощью фотоспилловера водорода исследован механизм фото-инжекции водорода в АП WOg с адсорбированным на их поверхности ДЖА. Определены значения силы осциллятора оптических переходов в ПП и АП WOg.

OCKOHÜffi РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОТРАЖЕНЫ В СЛ2ДЖ5К РАБОТАХ I. Гаврилш А.И., Ланская-Т.Г., Мансуров A.A., ЧудноeckiS -2.А»

Паретекание водорода на гетеропереходах суперионик-полупроводник ( Материалы докладов III научного семинара "Ионика твердого тела", 24-26 мая IS33r. - Вильнюс. Издательство министерства высшего и среднего специального образования Лит.ССР,1984, -с. 15 - 18.

2. Гаврилюк А.И., Ланская Т.Г., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Фотоинкекция водорода в гетероструктуре У0£ - WOg- ФТТ, 1984. Т.26. Вып.1 - с.200-206.

3. Гаврилюк А.И., Ланская Т.Г., Фотосшшговер водорода в оксидах переходных металлов ( Тезисы докладов II Всесоюзной конференции " Материаловедение халькогенидных и кислородосодерксащих полупроводников ".- Издательство Черновицкого университета, октябрь IS85r.- T.I. - С.160.

4. Гавршшк А.И. »Ланская Т.Г., Чудновский Ф.А. Фотосшшговер водорода в пленочной гетероструктуре, состоящей из пояикристал-лического и аморфного слоев триоксвда вольфрама. - ЖТФ, 1987г, ■ Т.57, Вып.8,- С.1617-1622,

5. Гаврилюк А.И., Гусинский Г.М., Ланская Т.Г. Использование фотоспилловера водорода для исследования фотохромизма в пленках

W03 ( Тезисы докладов II Всесоюзной научной конференции "Физика окисных пленок" 22-24 сентября 1987г. - Петрозаводск. Издательство Петрозаводского университета . Ч.1.- 198?. - С.61.

6. Гавршшк А.И., Гуменюк А.П., Ланская Т.Г., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Способ изготовления плзночных структур. Авторское свидетельство & 1162 352 от 13.01.1984. Опубликовано: "Официальный бюллетень " Открытия,изобретения", 1986.-Ж.-С.276.

7. Гаврилюк А.И,,. Ланская Т.Г., Чудновский Ф.А. Фотосшшговер водорода и его использование для создания новых регистрирующих сред ( Тезисы докладов У Всесоюзной конференции " Бессеребряные и необычные фотографические процессы".- Суздаль, 5-8декабря 1988г. - Черноголовка.,,1988г.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Гаврилюк А.И. Фотоинаекцкя водорода в триоксвде вольфрама. Кандид,диссертация , Ленинград, 1983г.

2. Ыо]Ьрисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. Москва, "Мир", I96i, 488с,

3. Гаврилюк А.И. .Мансуров A.A. .Чудновский Ф.А. Фотоинжекция во-

дорода в аморфных пленках МоОд и V205 - Письма в ЕТФ, 1984, T.IO. Вып.П,.С. 693-697.

4. (biftkvi. Ф1. Thtavu ojtht Opiltal hotëvblti (Ж 2трефсНо,ь и Non- ММ. - S ot stPkyi; JStf, яA. 6,jo. ЗУ0-ЗЖ.

РТП ЛШФ узак.720,тир. ЮО.Тч—изд.л. 1;2бД1-1991г. Бесплатно