Структурные, электронные и оптические свойства дефектных халькопиритов, хантитов и флюороборатов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

1. Электронные спектры кристаллов со структурой дефектного 18 халькопирита.'.

1.1. Соединения со структурой халькопирита и дефектного халько- 18 пирита.

1.2. Теоретико-групповой анализ электронного спектра дефектных 24 халькопиритов.

1.3. Расчет электронных зонных спектров кристаллов со структурой 31 дефектного халькопирита.

1.4. Твердые растворы изовалентного замещения.

1.5. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны.

2. Линейные и нелинейные оптические характеристики дефект- 67 ных халькопиритов.

2.1. Общие соображения.

2.2. Метод матрицы плотности.

2.3. Расчет линейных и нелинейных восприимчивостей.

3. Теоретический анализ интерференционно-поляризационных 89 фильтров.

3.1. Вращение плоскости поляризации.

3.2. Уравнение связи электродинамики гиротропных кристаллов.

3.3. Тензор гирации в кристаллах различной симметрии.

3.4. Кристаллы симметрии 84.

3.5. Кристаллы симметрии .И

3.6. Плоские волны и уравнения нормалей в гиротропных средах.

3.7. Поляризация плоских волн в одноосных гиротропных кристал- 132 лах.

3.8 Решение граничной задачи для гиротропной пластинки без учета отражений от ее граней.

4. Метод амплитудных функций.

4.1. Собственные моды планарных волноводов с произвольным 174 распределением диэлектрической проницаемости.

4.2. ТМ-моды неоднородных планарных волноводов.

4.3. Собственные моды слоисто-периодического планарного волно- 181 вода.

4.4. Радиально-неоднородные световоды.

4.5. Обратная задача для планарного волновода.

5. Линейные и нелинейные оптические характеристики кристал- 197 лов со структурой хантита.

5.1. Кристаллы со структурой хантита.

5.2. Показатели преломления.

5.3. Нелинейные оптические свойства.

5.4. Процессы ГВГ с участием рассеянных волн.

5.5. Векторный синхронизм и оптическое качество кристаллов.

6. Структурные свойства кристаллов со структурой кальциевого 280 флюоробората.

6.1. Кристаллы со структурой флюоробората.

6.2. Теоретический анализ структуры.

6.3. Экспериментальная методика.

6.4. Экспериментальные результаты.

7. Использование результатов научных исследований в учебном процессе.'.

Актуальность проблемы. Как известно, объединение ряда идей радиофизики, спектроскопии и волновой оптики привело к рождению нового раздела физической науки - квантовой электроники. Результатом этих объединенных научных усилий стало рождение лазера - когерентного источника электромагнитной энергии в оптическом диапазоне длин волн. Появление лазера прежде всего придало мощный импульс развитию всей физической оптики благодаря нелинейным эффектам при взаимодействии света с веществом. По существу возник новый разветвленный и динамически развивающийся раздел современной физики - нелинейная оптика.

Нелинейная оптика охватывает необычайно широкий круг явлений. В общем случае ее предметом служит нелинейное взаимодействие света с веществом, в том числе и с изменением оптических свойств среды.

Развитие лазерной физики и нелинейной оптики стимулировало поиск и исследование новых материалов для практического применения как в качестве активных, так и нелинейных сред. Объектами диссертационного исследования были сложные соединения со структурой халькопирита, хантита и кальциевого флюоробората. Усложнение состава кристаллов даёт возможность варьировать в достаточно широком диапазоне их физические свойства и удовлетворять некоторым требованиям, предъявляемым на практике к лазерным и нелинейным средам. Синтез такого рода соединений позволяет в конечном итоге расширить элементную базу нелинейной оптики и твердотельных лазеров и способствует созданию новых устройств. Однако кристаллы со сложной структурой часто трудно выращивать, и отработка технологии роста кристаллов высокого оптического качества занимает десятилетия; приходится сталкиваться с такими факторами, как двойникование, свили, включение посторонних фаз, помутнение образца при охлаждении кристалла после роста и др. Поэтому комплексное исследование таких соединений всегда является актуальной проблемой.

Примером кристаллов со структурой халькопирита являются тиогаллаты серебра (AgGaS2) и ртути (^Оа284). Эти кристаллы имеют большое двулуче-преломление, широкую область прозрачности (0,55-10,6 мкм) и высокий порог лазерного разрушения. Кроме того, возможность фазового согласования во всем диапазоне прозрачности позволяет преобразовывать излучение на длине волны 10.6 мкм в область длин волн с максимальной чувствительностью к излучению фотоумножителей.

Важная физическая особенность таких монокристаллов как AgGaS2, СиСа82, AgGaSe2, СсЮа284, СиА18е2, AgGa1xInxS2, AgGa1xInxSe2, Ag

Са82-Х8ех, и др., - наличие в них оптической активности на длине волны изотропии, т.е. на длине волны Х0, при которой п0(А,0) = пе(А,0). Кристалл с такими свойствами, помещенный между скрещенными поляризаторами, представляет собой узкополосный фильтр на длине волны х0. При этом полуширина полосы пропускания фильтра прямо пропорциональна величине оптической активности и обратно пропорциональна крутизне изменения двулучепреломления.

Кристаллы же со структурой хантита и флюоробората применяются в качестве активных и активно-нелинейных сред для лазеров с диодной накачкой.

Немногим более десяти лет назад при разработке новых кристаллических сред для твердотельных лазеров значительное внимание уделялось поиску материалов, обладающих интенсивными полосами поглощения в широком спектральном диапазоне для эффективного использования широкополосного излучения газоразрядного источника накачки. В настоящее время в качестве источников накачки для твердотельных лазеров широко применяются полупроводниковые инжекционные лазеры, обеспечивающие существенное увеличение КПД твердотельных лазеров. Естественно, для такого типа лазеров нужны соответствующие активные среды.

Современные лазерные диоды для накачки имеют спектральную ширину излучения ~1 нм, мощность —1—10 Вт и ресурс работы ~104 ч. Спектральное положение линии излучения наиболее распространенных лазерных диодов на основе гетероструктур АЮа-Аэ в области 0.8-0.9 мкм может быть согласовано с интенсивными полосами поглощения ионов неодима, обусловленными переходами электронов из основного состояния на верхние лазерные уровни. Не вдаваясь в детали анализа достоинств и недостатков полупроводниковой накачки, отметим, что из-за относительно высокой расходимости излучения полупроводниковых лазеров основные ее преимущества могут быть эффективно реализованы в лазерах с малой (порядка одного миллиметра) длиной активного элемента. В этом случае плотность мощности излучения накачки в активном элементе может достигать 0.1 МВт/см без применения дорогостоящей формирующей оптики. Для поглощения более 95% излучения накачки в таком активном элементе концентрация ионов неодима должна быть не менее лл л

4x10 см . Напомним, что в наиболее распространенном кристалле для твердотельных лазеров - алюмоиттриевом гранате с неодимом - концентрация активатора составляет 1.2-1.4x1020 см-3. Эта концентрация характерна для сред, разрабатывавшихся под ламповую накачку. Она обусловлена как спектрально-люминесцентными свойствами известных кристаллических матриц, так и требованием однородного возбуждения ионов активатора во всем объеме лазерного элемента.

Очевидно, что возможность промышленного применения того или иного лазерного материала определяется не только концентрацией активатора, но и рядом других его физических свойств: поперечным сечением переходов при генерации и поглощении, временем жизни возбужденного состояния, лазерной и механической прочностью, теплопроводностью и т.д. Не менее важна и технологическая доступность материала, т. е. возможность выращивания высококачественных кристаллов. Из сотен исследованных до настоящего времени лазерных кристаллических матриц в коммерческих целях применяются единицы [1].

Среди оксидных кристаллических сред, активированных ионами неодима, наибольшее практическое применение в лазерах с полупроводниковой накачкой получили алюмоиттриевый гранат Ыс1:УАО, ванадат иттрия Кё:УУ04 и скандоборат лантана Ш:Ьа8с3(ВОз)4 (Ш:Ь8В). В лазерах с активными элементами из Ш:Ь8В длиной ~1 мм при торцевой полупроводниковой накачке достигнут дифференциальный КПД 70% (относительно поглощенной мощности накачки). Благодаря линейной поляризации стимулированного излучения, эти среды успешно применяются и в лазерах с внутрирезонаторным удвоением частоты лазерного излучения. В качестве нелинейного элемента используется, как правило, элемент из кристалла калий-титанил-фосфата (КТР). Эффективная квадратичная нелинейная восприимчивость этого материала для процесса ГВГ - порядка 3x10"12 м/В.

Многие технические проблемы, присущие лазерам с внутрирезонаторным удвоением частоты лазерного излучения, могут быть решены, если вместо активного и нелинейного элементов использовать элемент, одновременно обладающий активными и нелинейными свойствами. Известны нелинейные среды, в которые удалось внедрить активаторный ион неодима (например, кристалл ниобата лития), и активные среды, имеющие ненулевую квадратичную восприимчивость (например, Ш:УАВ - Ш:УА13(В03)4). -Однако эти среды по ряду причин (высокая эффективная квадратичная нелинейная восприимчивость, но малые концентрации неодима, либо высокая концентрация неодима, но малая эффективная квадратичная нелинейная восприимчивость или неудовлетворительное оптическое качество) не представляют практического интереса.

В последние годы для различных приложений требуются компактные, высокоэффективные и недорогие лазерные источники излучения в видимой и УФчастях спектра. К таким приложениям относятся оптическая запись информации, интерферометрические измерения, лазерные цветные мониторы и др. Для создания лазеров с высокой стабильностью пучка и в указанных областях спектра излучения обычно используют преобразование ластоты выходного излучения твердотельных лазеров с помощью нелинейных кристаллов. Кроме того, предпринимается много усилий для поиска новых нелинейных материалов, которые были бы технологичными и недорогими, имели большие нелинейные коэффициенты и обладали стабильными оптическими, химическими и механическими свойствами.

Лучший подход к решению задачи создания таких лазеров состоит в использовании эффекта самоудвоения частоты света в кристаллах, которые одновременно и активны, и нелинейны. Однако очень мало сред сочетают в себе такие активно-нелинейные свойства.

Большинство двойных оксоборатов кристаллизуются в ацентричные структуры типа флюоробората, содержат ионы лантаноидов в октаэдрическом окружении, что позволяет рассматривать их как потенциально активно-нелинейные среды. Из числа этих соединений наибольший интерес представляют кристаллы иттрий-кальциевого оксобората, активированного неодимом, иттербием, эрбием-иттербием. Привлекательность иттрий-кальциевого оксобората обусловлена как его активными, так и нелинейными свойствами. Концентрацию л л л неодима или иттербия можно доводить до 5x10 см без заметного концентрационного тушения люминесценции, эффективная нелинейная восприимчи "I 9 вость составляет 10 м/В, значительное двулучепреломление позволяет реализовать процессы ГВГ при накачке кристалла излучением ближнего ИК-диапазона. По совокупности лазерных и нелинейных свойств этот материал относится к реальным претендентом для создания активно-нелинейных элементов микрочиповых лазеров с диодной накачкой и самоудвоением частоты стимулированного излучения.

Цель диссертационного исследования состояла в изучении влияния структурных и электронных свойств кристаллов на их линейные и нелинейные оптические характеристики в рамках решения проблемы, связанной с выращиванием монокристаллов высокого оптического качества. Объектами исследования были выбраны халькопириты, хантиты и флюоробораты. Критерий выбора этих объектов был основан на их научной и практической значимости, обусловленной активными и нелинейными свойствами, и возможностью расширения элементной базы для нелинейной оптики и лазеров с полупроводниковой накачкой. Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи: исследовать структурные, электронные, оптические и тепловые свойства, выявить и проанализировать закономерности в поведении физических характеристик как функции химического состава исследуемых соединений. К редким оптическим явлениям относится оптическая активность кристаллов. Наличие в таких кристаллах точки изотропии позволяет их использовать для создания интерференционно-поляризационных фильтров. Поэтому в работе необходимо было дать анализ таких фильтров, реализуемых на исследуемых кристаллах. Наконец, в диссертации обращено внимание на то, что волновое уравнение, описывающее оптические явления, в ряде случаев можно решать методом амплитудных функций, являющимся обобщением хорошо известного метода вариации постоянных при решении обыкновенных дифференциальных уравнений. Эффективность этого подхода продемонстрирована при рассмотрении ряда направляющих структур.

Поставленные задачи решались в рамках фундаментальных и поисковых НИР, проводимых в лаборатории нелинейных и акустооптических материалов Кубанского государственного университета. Инициатором создания лаборатории и проведения в ней исследований по синтезу нелинейных кристаллов в КубГУ был один из основателей нелинейной оптики академик Р.В. Хохлов. Исследования активных сред для лазеров с диодной накачкой проводились в научно-производственном объединении "ФИРН". Научные работы этих двух учреждений и кафедры экспериментальной физики КубГУ, занимающейся изучением спектрально-люминесцентных свойств материалов, известны как в России, так и за рубежом. Их научный уровень способствовал утверждению в научном мире высокого мнения о краснодарской школе по нелинейным и активным кристаллам. Большой вклад в разработку технологии выращивания нелинейных и активных кристаллов со структурой халькопирита и хантита, исследуемых в диссертации, внесли В.В. Бадиков, В.В. Лаптев, С.А. Кутовой и О.В. Кузьмин. исследовательского проекта Международного Научно-технического Центра (МНТЦ) № 251-96 "Разработка новой среды на основе редкоземельных скан-доборатов для создания лазерных источников, излучающих в диапазонах 0.53, 1.06, 1.5 мкм", а также при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований - грант № 00-02-16082 "Самоудвоение частоты стимулированного излучения в новом активно-нелинейном кристалле С8В:ЫсГ.

Научная новизна работы заключается в следующем.

1. Впервые проведен анализ структурных и электронных свойств кристаллов со структурой дефектного халькопирита. Установлены особенности элек

2 3 6 тронного спектра всего класса алмазоподобных соединений А В 2С 4, кристаллизующихся с пространственными группами 842, Е>2С)1', 02Л а также ряда соединений типа А22В4С64 и А1В3Е4С64. Проведен также расчет и сравнительный анализ температурной зависимости края фундаментальной полосы поглощения в соединениях со структурами дефектного халькопирита и халькопирита. Теоретически исследована зависимость энергии межзонных переходов, эффективных носителей тока и энергии связи прямых экситонов от состава твер

2 3 6 дых растворов изовалентного замещения на основе соединений А В 2С 4.

2. В рамках методов псевдопотенциала и матрицы плотности разработана методика вычисления спектральных компонент тензоров линейной и нелинейной восприимчивости в области прозрачности полупроводниковых кристаллов с произвольной симметрией и химическим составом. Для ряда соединений со структурой дефектного халькопирита проведен расчет частотной дисперсии показателей преломления обыкновенной и необыкновенной волн и спектральных компонент эффективного нелинейного коэффициента. Результаты расчета находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. Погрешность составляет 10-20% для показателей преломления и 20-50% - для эффективного нелинейного коэффициента.

3. Дан теоретический анализ интерференционно-поляризационого фильтра на основе кристаллов А§Оа82, AgGaSe2, HgGa2S4, AgGalxInxS2, AgGaS2-xSex, AgGalxInxS2, СсК}а284 с полосой пропускания в несколько ангстрем.

4. Предложен метод амплитудных функций для решения волнового уравнения. Сформулирована обратная задача для восстановления амплитудных функций.

5. Измерены главные значения показателей преломления С8В в диапазоне длин волн 0.45-1.75 мкм и эффективный нелинейный коэффициент. Получены данные о дисперсии коэффициентов поглощения для обыкновенной и необыкновенной волн в интервале 0.35-1.3 мкм, содержащем полосы поглощения неодима.

6. Проведена классификация и рассмотрены геометрические аспекты векторных процессов ГВГ с участием рассеянных волн. Установлены границы фоновых процессов с участием рассеянных волн. Показано, что векторные синхронные процессы ГВГ могут быть использованы для оценочного контроля оптического качества нелинейных кристаллов. получены зависимости параметров ячейки и средних межатомных расстояний катион-анион от радиуса Ьп и от средневзвешенного радиуса катионов. Это позволило предложить распределение У, УЪ, Ег, Се и Са по позициям структуры. Установлена разная полярность чистых и активированных ионами иттербия кристаллов УСа40(В0з)з.

Практическая значимость работы

1. Полученные в диссертационной работе результаты дают обширный фактический материал по устройству зонных спектров малоисследованных соединении а2в32с6 4, а22в4с64 и а1в3е4с64. Рассчитанные зависимости основных межзонных расстояний от структурного типа, компонентного состава и температуры были использованы для разработки технологии выращивания кристаллов AgGaS2, AgGaSe2, Н^^, AgGalxInxS2, AgGaS2-xSex, AgGa1xInxS2, СсЮа284 большого размера (типичный размер элемента - 15x15x40 мм3) и высокого оптического качества, а также изготовления интерференционно-поляризационных фильтров. Эта технология используется в лаборатории новейших технологий Кубанского государственного университета.

2. Исследование линейных и нелинейных свойств способствовали разработке технологии выращивания совершенных кристаллов ЬБВ, ЫсЬЬБВ, Ш,Сг:Ь8В, УЬ:Ь8В, Ег,УЪ:Ь8В, Ег,УЬ,Сг:Ь8В, Рг:Ь8В, Р8В, Се1х-уСёхМёу8сз(ВОз)4 с высокой концентрацией активатора по методу Чох-рал ьского. учебных пособия, посвященных линейным оптическим свойствам одноосных кристаллов: "Интегрированная среда оптимизационных процессов", "Отражение и преломление света на границе изотропная среда - одноосный кристалл", "Основы кристаллооптики. Линейные эффекты" и "Введение в прикладную нелинейную оптику", которые используются в учебном процессе на физико-техническом факультете Кубанского государственного университета.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Метод расчета электронных зонных спектров кристаллов со структурой дефектного халькопирита на основе псевдопотенциалов двойных соединений. Особенности электронных спектров в зависимости от структурного типа кристалла, компонентного состава и температуры.

2. Метод расчета спектральных компонент тензоров линейной и нелинейной восприимчивости полупроводниковых соединений в области прозрачности с произвольной симметрией и химическим составом и совокупность теоретических результатов для кристаллов со структурой дефектного халькопирита.

3. Концентрационное и температурное изменение положения точки изотропии в интерференционно-поляризационных фильтрах на основе кристаллов AgGaS2, А§Оа8е2, Н§Оа284, А§Оа1х1пх82, А£Оа82х8ех, А§Оа1х1пх82, СсЮа284.

4. Метод амплитудных функций для решения задач распространения света.

5. Независимость показателей преломления скандоборатов, активированных неодимом, от его концентрации вне полос поглощения.

6. Отсутствие заметного влияния высокой концентрации активатора на КПД процесса ГВГ в кристалле Ыс1:С8В, несмотря на большой коэффициент поглощения излучения (10 см-1) на частоте второй гармоники.

7. Влияние слоистости кристаллов Ы(1:С8В на эффективность процессов генерации второй гармоники.

8. Оценочный способ контроля оптического качества нелинейных кристаллов на основе процессов ГВГ с участием рассеянных волн.

9. Соотношения, позволяющие определять параметры элементарной ячейки кальциевых флюороборатов по заданным составам кристаллографических позиций или значения средневзвешенных радиусов и составы катионных позиций по экспериментальным значениям параметров элементарной ячейки.

Достоверность результатов работы определяется использованием известных математических подходов и строгих аналитических методов расчета, применением стандартной измерительной аппаратуры, удовлетворительным соответствием основных теоретических результатов данным экспериментов.

Апробация работы. Основные результаты работы и ее научные положения докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Всесоюзной конференции по оптическим свойствам полупроводников (Хабаровск, 1981); конференции "Энергетическая структура кристаллов с разным типом химической связи" (Донецк - Старый Караван, 1984); всесоюзном совещании "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов" (Калинин, 1985); International Conference on Lasers'94 (Quebec, Canada); CLEO/EUROPE'96 (Hamburg, Germany); Modular aspects of minerals. MODUL'97.1st EMU school and symposium (Budapest, Hungary); CLEO/USA'98 (Sun Francisco, USA); IX Всероссийской конференции "Оптика Лазеров'98" ( С-Петербург, Россия); The 12th Int. Conf. on Crystal Growth (1998, Israel); IX Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, ИК РАН, 2000); Conference of Crystals Growth (Japane, 2001).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 53 работы [2—57], из них 49 статей и четыре учебных пособия.

Личный вклад. В статьях и докладах, написанных в соавторстве, соискателю принадлежит постановка теоретических задач и физических экспериментов, включенных в диссертацию, большинство аналитических решений, физическая интерпретация результатов расчетов и данных экспериментов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из семи разделов, заключения и списков литературы. Она содержит 337 страниц текста, включающего 46 рисунков, 23 таблицы и списка литературы из 297 наименований.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом.

1. Проведен расчет электронной зонной структуры для кристаллов СсЮа284, СсЮа28е4, ^Оа284, ЩОа28е4, 2пОа284, гпОа28е4, гпва2Те4, С(1А1284, Сс1А128е4, Н§А1284, Г^А128е4, СсЮа2Те4, гп1п2Те4, СсПп2Те4, Сс11п28е4, Н§1п2Те4, Н^1п28е4, 7пА128е4, 2п1п28е4 и Сс1А12Те4 со структурой дефектного халькопирита в высокосимметричных точках Г, Т, Р, N. Выявлены изменения в зонном спектре, обусловленные перестройкой катионной подрешетки. В высокосимметричных точках зоны Бриллюэна для четырех структурных модификаций с пространственными группами симметрии 824, Б11^ 092() и определены правила отбора, нулевые наклоны энергетических зон и характер расщепления уровней при учете спин-орбитального взаимодействия.

Рассчитанные и экспериментальные значения ширины запрещенных зон находятся в удовлетворительном количественном согласии друг с другом. В исследуемых кристаллах ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом суммарного заряда ядер атомов, входящих в химическую формулу. Аналогично ведет себя и ширина валентной зоны. Кроме того, происходит сжатие верхней подзоны валентной зоны от 7 эВ в тиоалюминатах до 4.5-4.0 в теллуроиндатах ртути, кадмия и цинка.

На основании проведенных вычислений для кристаллов СсЮа284, СсЮа28е4, Н§Оа28е4, Сс11п28е4 и Сё1п2Те4 прямыми межзонными переходами электронов интерпретированы пики в спектрах отражения и фотопроводимости. Для исследуемых кристаллов приведены возможные местоположения пиков в спектрах отражения и фотопроводимости в области энергий 2-6 эВ как при параллельной, так и при перпендикулярной ориентации вектора напряженности электрического поля относительно тетрагональной оси.

Проанализировано влияние температурного изменения параметров решетки на величину ширины запрещенной зоны в окрестности 300 К. Учет только температурной зависимости параметров решетки в кристаллах со структурой халькопирита приводит к достаточно хорошему совпадению теоретических и экспериментальных температурных коэффициентов. В кристаллах со структурой дефектного халькопирита определяющий вклад в Её(Т) вносит температурное изменение структурного фактора, а не параметров решетки. Существенно, что более 90% вклада в температурный коэффициент ширины запрещенной зоны формируется за счет тепловых колебаний анионной подрешетки.

В кр-приближении вычислены эффективные массы носителей тока и показано, что электронные массы обладают слабой анизотропией (продольные массы больше поперечных), а дырочные - большой. Кроме того, эффективные электронные массы с увеличением суммарного заряда атомов ячейки уменьшаются.

2. В рамках методов матрицы плотности и псевдопотенциала проанализированы оптические характеристики кристаллов. При вычислении компонент тензоров линейной и нелинейной восприимчивостей не вводились какие-либо подгоночные параметры. Для кристаллов СсЮа284, СсЮа28е4, HgGa2S4, Н§Оа28е4, Сс1А1284 и Сс1А128е4 в области прозрачности вычислена частотная дисперсия показателей преломления обыкновенной и необыкновенных волн. Результаты находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. Исследована также частотная дисперсия спектральных компонент тензора нелинейной восприимчивости. Общая тенденция состоит в том, что с увеличением длины волны накачки большинство спектральных компонент уменьшается. Абсолютные и относительные значения компонент ё36 и с131 для тиогаллатов кадмия и ртути для процесса генерации второй гармоники при Х2 = 1.064 мкм находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. При всех значениях частот внешних полей компоненты линейного и нелинейного тензоров увеличиваются с ростом суммарного заряда кристалла, причем увеличение в нелинейном случае происходит гораздо интенсивнее, чем в линейном. Подобное поведение восприимчивостей находится в соответствии с известными соотношениями Мосса и Миллера.

3. Получены выражения для интенсивности света, прошедшего через гиро-тропную двулучепреломляющую пластинку, помещенную между двумя линейными поляризаторами. Путем подбора материала пластинки можно получить интерференционно-поляризационный фильтр (ИПС) с заранее заданными характеристиками во всей видимой и ближней ИК областях спектра. Эти фильтры имеют малую полуширину спектральной линии большую угловую апертуру: ширина линии фильтрации лежит в интервале от 5 до 20 ангстрем, контрастность составляет 103-104 и ее можно увеличивать до 10 путем добавления новых кристаллических пластинок с поляризаторами. С помощью различных ИПС на основе халькогенидных кристаллов с точкой изотропии можно перекрыть диапазон фильтрации от 0,47 до 0,85 мкм. К наиболее перспективным материалам для таких фильтров относятся соединения А§Оа82, AgGalxInxS2, AgGaS2xSex, А§Оа]х1пх82, СсЮа284. В зависимости от условий выращивания монокристаллов твердых растворов происходит изменение положения длины волны изотропии и величины оптической активности. Следует особо отметить, что система, состоящая из последовательно расположенных поляризатора, двух с—изотропных кристаллов с разными длинами волн изотропии и анализатора, является светофильтром для двух длин волн и Хи2- Такой светофильтр нельзя реализовать на других известных принципах фильтрации.

4. Предложен метод амплитудных функций для анализа распространения волн в различных направляющих структурах. В рамках данного подхода рассмотрены планарные волноводы с произвольным распределением диэлектрической проницаемости, слоисто-периодические структуры и радиально-неоднородные световоды. В предложенном методе анализа диэлектрического волновода механизм распространения моды как полное внутреннее отражение на границе диэлектрика находит естественное выражение на языке введенных амплитудных функций, определяющих коэффициенты отражения и прохождения. Кроме того, этот подход позволяет с единой точки зрения рассматривать как дискретные, так и непрерывные моды излучения. Результаты обобщены на волноводы с цилиндрической симметрией и, что более существенно с диэлектрической проницаемостью, зависящей от двух координат. Метод амплитудных функций позволяет сформулировать простым способом обратную задачу для планарного диэлектрического волновода. При этом исследованы аналитические свойства амплитудных функций и получено уравнение для восстановления диэлектрической проницаемости планарного волновода.

5. Показатели преломления активированных неодимом скандоборатов вне полос поглощения неодима практически не зависят от его концентрации - меняются в четвертом знаке после запятой. Это объясняется тем, что при замене лантана неодимом симметрия кристалла не меняется вплоть до концентрации Nd 60%. Позиции лантана занимают 1/8 всех катионных позиций скандоборатов. Неодим входит в позиции лантана, поэтому даже при 50% замещения только 1/16 катионных позиций кристалла произойдет замещение. Ионные радиусы неодима (0.98 А) и лантана (1.04 А) в октаэдрическом кислородном окружении мало отличаются. При указанном замещении вклад в показатель преломления от коллективизированных валентных электронов не меняется. При более высоких концентрациях неодима моноклинная симметрия кристаллической решетки меняется на тригональную. Это связано с тем, что эффективный радиус лантаноида становится меньше 1.01-1.02 А, и при смене симметрии скачкообразно меняются показатели преломления. Это изменение прослеживается на примере кристалла CSB. Эффективный ионный радиус церия составляет 1.01 А, и CSB кристаллизуется в структуру тригональной сингонии. При этом его показатели преломления по сравнению LSB по сравнению увеличиваются (на длине волны 1 мкм - на 0.0034 как для п0, так для пе).

Предложен оценочный способ контроля оптического качества нелинейного кристалла с помощью процессов векторной генерации второй гармоники с участием рассеянных волн. При реализации указанных процессов в идеальном кристалле угловое распределение излучения второй гармоники на экране имеет форму кольца. Принципиальная возможность использования наблюдаемого эффекта для контроля оптического качества нелинейных кристаллов обусловлена следующим обстоятельством. Практически все кольцо, за исключением участка наиболее близкого к направлению на скалярный синхронизм, имеет угловую ширину на порядок меньше, чем угловая ширина скалярного синхронизма. Для оптически однородного кристалла Nd:CSB длиной 1 см участок кольца, наиболее близкий к направлению на скалярный синхронизм, имеет угловую ширину 0.83°, а диаметрально противоположный участок - 0.03°, т.е. две угловые минуты. Если кристалл состоит из двух оптически однородных слоев, а угол между оптическими осями в этих слоях составляет более 2-3 угловых минут, то при реализации в таком кристалле векторной ГВГ с участием рассеянных волн на экране будут наблюдаться два кольца. Таким образом, реализация в нелинейных кристаллах процессов векторной ГВГ с участием рассеянных волн позволяет регистрировать разориентировку оптической оси в кристаллах (т.е. оптическую неоднородность кристаллов) в пределах нескольких угловых минут.

Для модельного слоистого кристалла путем численного решения укороченных уравнений была исследована зависимость КПД преобразования во вторую гармонику от числа слоев. Волновая расстройка задавалась ступенчатой функцией, принимающей нулевое значение в первом слое и максимальное (40 см-1) - в последнем. Как следует из расчетов, КПД является, в целом, убывающей функцией с незначительными осцилляциями при малом числе слоев. Асимптотическое значение отличается от максимального (один слой, нулевая волновая расстройка) на два порядка. При трех-четырех слоях отличие от максимального значения - на порядок.

Отмеченный эффект "слоистости" кристалла наблюдался и в неактивированном СБВ. С учетом приведенной аргументации полученные результаты следует увеличить в 2-3 раза. В этом случае по величине эффективной нелинейной восприимчивости кристалл Ш:С8В становится сопоставимым с кристаллом УАВ, что представляется вполне закономерным ввиду их кристаллохими-ческой близости. С учетом приведенной аргументации эффективная нелинейная восприимчивость оптически однородных кристаллов Ш:С8В на частоте второй гармоники составляет 1.0-1.5x10 м/В.

Отметим особенность, характерную для активно-нелинейных сред с большим содержанием активаторных ионов N<1. Излучение на частоте второй гармоники попадает в область полос поглощения ионов N¿1 в зеленой части спектра. Так, в кристаллах N(1 (25% а1;):С8В с объемной концентрацией ионов Ш 1x1021 см-3 величина поглощения на частоте излучения второй гармоники составляет 9 см-1. В принципе, это снижает эффективность процессов самоудвоения частоты стимулированного излучения. Однако наличие пика поглощения в окрестности 2со не является существенным препятствием для использования Ш:С8В в качестве активно-нелинейной среды, поскольку в этом случае нелинейная восприимчивость резонансно возрастает. Возрастание с1Эфф(2со) практически компенсирует уменьшение КПД за счет поглощения.

6. Методом Чохральского выращены монокристаллы УСа40(В03)з (пр. гр. Ст) как номинально-чистые, так и активированные УЬ, Ег и Се (по отдельности и совместно). Рентгеноструктурным анализом уточнена кристаллическая структура УСа40(В03)3 и найдено распределение катионов по кристаллографическим позициям структуры: (Уо792Сао.208(6)ХС%938¥о.062(4))2Са2Оо.96(2)[]о.04(ВОз)з ([] - вакансия). Анализ дифракционных отражений УСа40(В03)3 выявил присутствие дополнительных рефлексов, которые не подчиняются пр. гр. Ст, но могут быть проиндицированы с удвоенным параметром а. Найденная сверхструктура не наблюдалась у допированных кристаллов. Для соединений ЬпСа40(В0з)з на основе анализа структурных данных получены зависимости параметров ячейки и средних межатомных расстояний катион-анион от радиуса Ьп и от средневзвешенного радиуса катионов в первой и второй кристаллографических позициях структуры. Это позволило предложить распределение У, УЬ, Ег, Се и Са по позициям структуры. Установлена разная полярность чистых и активированных ионами иттербия кристаллов УСа40(В03)3 в результате рентгеноструктурного изучения абсолютной структуры.

7. Результаты настоящей работы в значительной степени способствовали решению проблемы выращивания кристаллов высокого оптического качества со структурой халькопирита, дефектного халькопирита и хантита.

Для реализации процессов трехчастотного взаимодействия, удвоения частоты, параметрической генерации и создания интерференционно-поляризационных фильтров предложены нелинейные кристаллы большого размера и высокого оптического качества, такие, как AgGaS2, AgGaSe2, HgGa2S4, AgGalxInxS2, AgGaS2-xSex, AgGalxInxS2, СсЮа284. Эти нелинейные кристаллы имеют большие нелинейные коэффициенты, широкую полосу пропускания, низкое оптическое поглощение и рассеяние, малое искажение волнового фронта.

Представлены линейные и нелинейные свойства группы кристаллов двойных скандиевых боратов как наиболее перспективные для применения в качестве элементной базы для 1.56, 1.06 и 0.53 мкм лазеров с диодной накачкой.

Были проанализированы оптические свойства следующих кристаллических соединений таких, как лантан-скандиевых боратов, активированные N<1, УЬ, Ег-УЬ, Рг; церий-скандиевые и церий-гадолиний-скандиевые бораты, активированные N(1; лантан-лютеций-скандиевых и лантан-иттрий-скандиевых боратов; празеодим-скандиевые боратов, активированные N(1. С позиций технологичности при выращивании по методу Чохральского наиболее перспективными кристаллическими матрицами являются лантан-скандиевые, празеодим-скандиевые и церий-гадолиний-скандиевые бораты. По совокупности оптических и лазерных характеристик, а также по результатам генерационных испытаний наиболее предпочтительны:

- для изготовления активных или активно-нелинейных элементов зеленых лазеров с диодной накачкой и внутрирезонаторным удвоением или самоудвоением частоты стимулированного излучения - соответственно кристаллы лантан-скандиевого и церий-гадоллиний-скандиевого боратов, активированные N(1 в концентрациях 10-30% по подрешетке Ьп;

- для изготовления активных элементов одномикронных лазеров с диодной накачкой кристаллы лантан-скандиевого и церий-гадолиний-скандиевого боратов, активированные N(1 в концентрациях 10-30% по подрешетке Ьп;

- для изготовления активных элементов полуторамикронных лазеров с диодной накачкой кристаллы лантан-скандиевого бората, активированные Ег, УЬ в концентрациях соответственно 0.5 и 10% а! по подрешетке 8с.

В качестве возможных перспективных сред для полуторамикронных лазеров с диодной накачкой следует отметить активированные Ег, УЬ кристаллы церий-скандиевых боратов, а также флюоробораты.

8. Для обработки результатов лабораторных работ в физическом практикуме и обучения студентов оптимизационным методам создана компьютерная среда, в которой в качестве поиска минимума функции используется градиентный метод итераций с линеаризацией. При создании программы, реализующей этот подход, предусмотрен как автоматический выбор шага приращения параметров, так и их автоматическая фиксация, если они выходят за рамки исходного интервала. Предусмотрено также ускорение процесса сходимости при приближении к минимуму функции. Это достигается выбором соответствующего обрезающего множителя для шага приращения параметров. Если происходит увеличение значения функции, то предусмотрено автоматическое дробление шага. Число дроблений шага на одной итерации задается внешним параметром. При разработке интегрированной компьютерной среды решены следующие задачи: создание комфортной ситуации для студента; предоставление студенту двух алгоритмов оптимизации для решения разнообразных задач; обеспечение автоматизации вычислительного процесса, включающего выбор алгоритма, настройку и изменение начальных параметров и их ограничителей, а также данных для оптимизации; представление возможности гибкого управления вычислительным процессом при решении задач в диалоговом режиме; представление результатов оптимизации в различной форме и на различных устройствах; написание, компиляция и линкирование новых целевых функций (новых версий); проектирование процессов оптимизации и их выполнение в различных режимах; обучение методам оптимизации; знакомство с некорректными задачами.

В разработанном компьютерном практикуме по нелинейной оптике подробно рассматриваются в нелинейных одноосных кристаллах процессы генерации второй гармоники с помощью численного решения укороченных уравнений с заданными граничными условиями. При этом могут быть исследованы различные зависимости (амплитуды; и КПД процесса) от величины линейного поглощения, эффективного нелинейного коэффициента, изменения длины кристалла, плотности мощности накачки, волновой расстройки и угла падения пучка накачки на кристалл.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Каминский A.A., Антипенко Б.М. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. М., Наука, 1989, 270 с.

2. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой тиогалата кадмия // Известия вузов. Физика. 1979. N. 8. С. 57-64.

3. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников HgGa2S4 и HgGa2Se4 // ФТП.1979. Т. 3. N. 6. С. 1211-1213.

4. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Ширина запретной зоны твердых растворов системы GaP-InP-GaAs-InAs // ФТП. 1980. Т. 14. N. 5. С. 1000-1003.

5. Мартынов A.A., Розенсон A.A., Чижиков В.И. Расчет линейной восприимчивости кристалла CdGa2S4 в области прозрачности // ФТП.1980. Т. 14. N. 10. С. 1908-1912.

6. Мартынов A.A., Розенсон A.A., Чижиков В.И. Расчет линейной восприимчивости кристалла CdGa2S4 в области прозрачности // ФТП. 1980. Т. 14. N. 12. С. 2383-2384.

7. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Электронная зонная структура CdAl2S4 и CdAl2Se4 // Известия вузов. Физика. 1980. Деп. в ВИНИТИ от 15.06.80. №362-80.

8. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Энергетическая зонная структура HgAl2S4 // ФТП. 1980. Т. 14. С. 1230-1232.

9. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Симметрия решеточных колебаний и электронная структура CdIn2Se4 // Известия Вузов, Физика. 1980. Деп. в ВИНИТИ от 12.05.80. N 1672 -80.

10. Paniutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E., Tchijikov V.l. Structures de bande des solutions solides CdixHg2Ga2s4 и CdGa2(S, xSex)4 // Journal de Physique. 1980. V. 41. N. 9. P. 1025-1029.

11. Paniutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E., Tchijikov V.l. Structure de bande de la solution solide AgGa2(SxSe!x)4 en к = 0 // Journal de Physique. 1980. V. 41. N. 10. P. 1225-1230.

12. Chizhikov V.l., Panyutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E. Dependence en temperature de la largeur de bande interdite dans CdIn2Se4// Journal de Physique. 1981. V. 42. N. 7. P. 1039 -1044.

13. Chizhikov V.l., Panyutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E. Masse effective des electrons et Eg(x) dans la solution solide CdGa2(SxSeix ) 4 // Physica Stat. Sol. 1981. V. 107. N. 2. P. 347-350.

14. Chizhikov V.l., Panyutin V.L. Band structure calculation of electronic properties in CuIn!xGaxSe2 // Physica Stat. Sol. 1981. V. 104. N.2. P. 435-440.

15. Chizhikov V.l., Panyutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E. Energie de liaison des exitons directs dans CdGa2(SxSeix )4 // Journal de Physique. 1981. V. 42. N. 7. P. 1003-1006.

16. Панютин В.Jl., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Зонная структура тиогаллата и селеногаллата цинка // ФТП. 1981. Т. 15. N2. С. 311-315.

17. Chizhikov V.l., Panyutin V.L., Ponedelnikov B.E., Rosenson A.E. Structure de bande electronic de CdAl2Te4 dans les modifications avec les groupes spatiaux Dn2d, D92d, D!2d и S24// Physica Stat. Sol. 1981. V. 106. N. l.P. 91-98.

18. Розенсон A.A., Чижиков В.И. Расчет линейных оптических характеристик кристалла CdGa2S4 в области прозрачности // ФТП. 1981. Т. 15. N. 9. С. 1760-1763.

19. Портнов В.И., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Квантовомеханический расчет оптических характеристик тиогаллатов кадмия и ртути // Всесоюзная конференция по оптическим свойствам полупроводников. Хабаровск, 1981. 12-14 октября. С. 69-70. .

20. Панютин B.JL, Чижиков В.И. Энергия связи прямых экситонов в тио-галлате кадмия // Деп. в ЦНИИ "Электроника" от 27.05.81. N3200.

21. Панютин B.JL, Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой дефектного халькопирита // Сб. статей под. ред. Н.Д. Устинова "Оптические свойствап и условия роста тиогаллатов серебра и ртути". Деп. в ВИНИТИ. 1982. N6319-82. С. 2-33.

22. Панютин B.JL, Чижиков В.И. Зонные спектры селеногерманата ртути и тиогермогаллата меди // ФТП. 1983. Т. 17. N. 9. С. 937-940.

23. Мартынов A.A., Погосов О. К., Чижиков В.И. Смешение гауссов-ских пучков в нелинейных кристаллах // Деп. в ВИНИТИ от 06.10.83, №2018-83.

24. Мартынов A.A., Погосов О. К., Чижиков В.И. Собственные моды планарных волноводов с произвольным распределением диэлектрической проницаемости // Оптика и спектроскопия. 1984.Т. 56. N5. С. 971-975.

25. Мартынов A.A., Погосов O.K., Чижиков В.И. Влияние неоднородности в нелинейных кристаллах на КПД параметрических преобразователей частоты // Деп. в ВИНИТИ от 17.06.84, №6526-84.

26. Мартынов A.A., Погосов O.K., Чижиков В.И. Цилиндрические волноводы с произвольным распределением диэлектрической проницаемости // Деп. в ВИНИТИ от 11.02.85, №466-85.

27. Мартынов A.A., Погосов O.K., Чижиков В.И. Собственные моды слоистопериодического планарного волновода // Известия вузов. Радиофизика. 1986. Т. 29. N8. С. 942-946.

28. Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Поглощение и эффективность преобразования частоты в нелинейных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1986. Т. 60. Вып. 4. 78-80.

29. Носовец A.B., Рыков В.Т., Чижиков В.И. Обратная задача для планарного волновода // Деп.в ВИНИТИ от 11.05.1987, N863-87.

30. Мартынов A.A., O.K. Погосов, Чижиков В.И. TM моды неоднородных планарных волноводов // Оптика и спектроскопия. 1987. Т. 63. В. 2. С. 447-450.

31. Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Постоянные распространения и полевые функции прямоугольного волновода с многослойным бигиротропным заполнением // материалы конференции "Спиновые явления электроники СВЧ", Суздаль. 1988. С. 28-30.

32. Розенсон А.Э., Чижиков В.И., Злочин И.Х. Спектрально-угловые характеристики параметрического преобразования частоты в тиогаллате ртути // Оптика и спектроскопия. 1988. Т. 65. В. 2. С. 1118-1121.

33. Чижиков В.И., Богатов Н.М. Интегрированная среда оптимизационных процессов Optim. Учеб. пособие. Краснодар, 1997, 72 с.

34. Кузьмин О.В., Мартынов A.A., Панютин B.JL, Чижиков В.И. Генерация второй гармоники в одноосных нелинейных кристаллах CSB. Процесс о + о —^ е. Деп. в ВИНИТИ от 24.04.97. № 1410-В97.

35. Чижиков В.И., Мартынов A.A., Кузьмин О.В. Отражение и преломление света на границе изотропная среда-одноосный кристалл. Учеб. пособие. Краснодар, 1997, 110 с.

36. Кузьмин О.В., Мартынов A.A., Панютин B.JL, Чижиков В.И. Основы кристаллооптики. Линейные эффекты. Учеб. пособие. Краснодар, 1997, 180 с.

37. Кузьмин О.В., Кутовой С.А., Мартынов A.A., Панютин В.Л., Чижиков В.И. Генерация второй гармоники в одноосных нелинейных кристаллах CSB. Процесс о + е е. Деп. в ВИНИТИ от 30.01.98. № 227-В98.

38. Кузьмин О.В., Кузьмичева Г.М., Кутовой С.А., Мартынов A.A., Панютин В.Л., Чижиков В.И. Скандоборат церия активнонелинейная среда для лазеров с диодной накачкой // Квантовая электроника. 1998. Т. 25. Вып. 1. С. 53-57.

39. Кузьмин О.В., Кутовой С.А., Мартынов A.A., Панютин B.JL, Чижиков В.И. Активно-нелинейный кристалл скандоборат церия-гадолиния- неодима // Деп. в ВИНИТИ 22 июня 1998 г. № 227-В98.

40. Кузьмин О.В., Кутовой С.А., Мартынов A.A., Панютин В.Л., Чижиков В.И. Процессы ГВГ с участием рассеянных волн // Деп. в ВИНИТИ от 15.09.98. № 2795 В98.

41. Kuzmin O.V., Kuzmicheva G.M., Kutovoi S.A., Martynov A.A., Panyutin V.L., Chizhikov V.l. Cerium scandium borate an active nonlinear medium for diode-pumped lasers// Sov. J. Quantum Electronics. 1998. V. 28. PP. 50-54.

42. Добро Л.Ф., Чижиков В.И. Компьютерное моделирование нелинейных оптических процессов // Современный физический практикум: Докл. V конф. Стран СНГ. Новороссийск, 1998. С. 171173.

43. Добро Л.Ф., Чижиков В.И. Некорректные задачи в физическом практикуме // Современный физический практикум: Тезисы докл. VI конф. Стран СНГ. М, 2000. С. 25-27.

44. Добро Л.Ф., Чижиков В.И. Некорректные задачи в физическом практикуме // Физическое образование в ВУЗах. 2001. Т. 7. В. 1. С. 111-120.

45. Кузьмичева Г.М., Агеев А.Ю., Ларин Д.И., Рыбаков В.Б., Панютин В.Л., Чижиков В.И., Янг Мун Ю. Получение, строение и свойства кристаллов УСа40(В0з)3: Er, Yb // Тезисы докл. IX Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, ИК РАН, 2000. С.56.

46. Kuzmicheva G., Ageev A., Panyutin V., Chizhikov V., Young Moon Yu. Ce, Er, Yb: YCa40(B03)3 crystals // Conference of Crystal Growth. Japane. 2001. P. 301-304.

47. Кузьмичева Г.М., Агеев А.Ю., Рыбаков В.Б., Панютин В.Л., Чижиков В.И., Янг Мун Ю. Выращивание и рентгенографическое исследование кристаллов YCa40(B03)3:Ce, Er, Yb // Неорганическая химия. 2001 (в печ.).

48. Kuzmicheva G., Ageev А., Panyutin V., Chizhikov V., Young Moon Yu. Growth and Structure Properties of Ce, Er, Yb:Yca40(B03)3 Crystals // Journal of Crystal Growth. 2001 (in print).

49. Чижиков В.И. Твердотельные лазеры с диодной накачкой // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. № 2. С. 105-111.

50. Hahn Н., Frank G., Klinger W., Storger A., Storger G. Uber ternare Chalkogenide des Aluminiums, Galliums und Indiums mit Zink, Cadmium und Quecksilber // Z. Anorg. Allgem. Chem. 1955. Bd. 279. N. 5. S. 241249.

51. Hahn H., Klinger W. Uber die Kristallstruktur einiger ternare Sulfide, die sich von Indium (Ill)-Sulfid ableiten // Z. Anorg. Allgem. Chem. 1950.

52. Bd. 263. N. 4. S. 177-190.

53. Hahn H. Uber ternare Chalkogenide des Germaniums mit Zink, Cadmium und Quecksilber //17 Intern. Kongr. fur reine und angewandte Chemie, München, 1959, Kurzref., S. 157.

54. Горюнова H.A., Котович В.А., Франк-Камененцкий В.А. О совместной кристалиизации гексагонального селенида кадмия с ZnSe, InAs и In2Se3 //ЖТФ. 1955. Т. 25. N. 14. С. 241-2421.

55. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М., Советское радио, 1968, 268 с.

56. Губанов А.И., Нраньян A.A. Применение метода эквивалентныхсорбит к изучению зонной структуры соединений типа AB// ФТТ. 1959. Т. 1.Т. 7. С. 1044-1052.

57. Гашимзаде Ф.М., Харциев В.Е. Энергетическая структура сложных полупроводников. Расчет зонной структуры Si, Ge и GaAS упрощенным методом ОПВ // ФТТ. 1961. Т. 3. N. 5. С. 1453-1457.

58. Cohen M.L., Bergstresser Т.К. Band Structures and Pseudopotential Form Factors for Fourteen Semiconductors of Diamond and Zink-blende Stuctures // Phys. Rev. 1966. V. 141. PP. 789-796.

59. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic Structure and Optical Properties of Hexagonal CdSe, CdSe, ZnS // Phys. Rev. 1967. V. 164. PP. 1069-1080.

60. Караваев Г.Ф., Чалдышев B.A., Поплавной A.C. Особенности зонной структуры полупроводников с решеткой халькопирита // ФТП. 1968. Т. 2. N. 1.С. 113-115.

61. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И. Структура энергетических зон соединений CuGaS2, CuGaSe2, CuGaTe2 // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1971. Т. 7. N. 10. С. 1706-1710.

62. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И., Ратнер A.M. Структура энергетических зон полупроводников CuA1S2, CuAlSe2, CuInS2,

63. CuInS2 с решеткой халькопирита // Изв. вузов. Физика. 1976. N. 6. С. 7-12.

64. Ратиер A.M., Чалдышев В.А. Зонная структура полупроводников с решеткой фаматинита// Изв. вузов. Физика. 1973. N. 2. С. 27-33.

65. Alvarez C.Y., Cohen M.L., Kohn S.E., Petroff Y., Shen Y. Calculated and Measured Reflectivity of ZnGeP2 // Phys. Rev. 1974. V. BIO. N. 12. PP. 5175-5183.

66. Draper R.C.J., Miller A. Bibliography of Ternary Chalcopyrite Compounds // Ternary Compounds, Edinburgh, 1977. Inst. Phys. Conf. Ser. 35, Edinburgh, 1977, PP. 265-324.

67. Cohen M.L. The Pseuvdopotential Panacea // Physics Tpday. 1979. V. 32. N. 7. PP. 40-47.

68. Губанов А.И. Гашимзаде Ф.М. Исследование симметрии энергетических зон в полупроводниках типа CdIn2Se4 // ФТТ. 1959. Т. 1. N. 9. С. 1411-1416.

69. Губанов А.И. Гашимзаде Ф.М. Структура энергетических зон в полупроводниках типа CdIn2Se4 // ФТТ. 1960. Т. 2. N. 2. С. 255-260.

70. Balderischi A., Meloni F., Aymerich F., Mula G. Electronic Properties of the Defect-Zincblende Semiconductor CdIn2Se4 // Sol. St. Commun. 1977. V. 21. N. l.PP. 113-116.

71. Balderischi A., Meloni F. Crystallographic Distortion and Interpretation of the UPS Spectrum in a-CdIn2Se4 // Proc. The 4-th Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Tokyo, 1980. Japan J. Appl. Phys. Suppl. 1980. V. 19. N. l.PP. 159-162.

72. Радауцан С.И., Сырбу H.H., Небола И.И., Тырзиу В.Г., Берча Д.М. Структура энергетических зон и двухфотонное поглощение в кристаллах CdGa2S4 и CdGa2Se4 // ФТП. 1977. Т. 11. N. 1. С. 69-74.

73. Гусейнова С.И., Керимова Т.Г., Нани Р.Х. Оптические спектры и зонная структура кристаллов CdGa2S4 и CdGa2Se4 // ФТП. 1977. Т. 11.1. N. 6. С. 1135-1142.

74. Партэ Е., Дейч Р. Четырехкомпонентные соединения тетраэдрической структуры с упорядоченными сверхструктурами типа вюрцита. В кн.: Химическая связь в кристаллах. Минск, Наука и техника, 1969, С. 346-348.

75. Hahn Н., Strik G. Uber quaternare Chalkogenide Zinkblendeaknlicher Struktur//Naturwissench. 1967. Bd. 54. N. 6. S. 225-226.

76. Huges O.H., Wooley J.C., Lopez-Rivera S.A., Pamplin B.R. Quaternary Adamantine Selenides and Tellurides of Form I III IV VI4 // Sol. St. Commun. 1980. V. 35. N. 8. PP. 573-575.

77. Ковалев O.B. Неприводимые представления пространственных групп. Киев, Изд. АН УССР, 1961, 153 с.

78. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., Наука, 1972, 584 с.

79. Phillips J.C., Kleimann L. New Method for Calculating Wave Function in Crystals and Molecules // Phys. Rev. 1959. V. 116. N. 2. PP. 287-294.

80. Austin B.J., Heine V., Shem L.J. General Theory of Pseuvdopotentials // Phys. Rev. 1962. V. 127. N. 1. PP. 276-282.

81. Харрисон У. Псевдопотенциалы в теории металлов. М., Мир, 1968, 366 с.

82. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М., Мир, 1973, 557 с.

83. Grosso G., Parravicini G.P. // Phys. Rev. B20. 1979. PP. 2366-2375.

84. Zunger A., Cohen M.L. // Phys. Rev. B20. 1979. PP. 4082-4091.

85. Слэтер Дж.К. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М., Мир, 1978, 566 с.

86. Clementi Е., Roetti С. Tables of Atomic Functions. Atomic Data and Nucl. Data Tables. Data Tables, 1974. V. 14. N. 3-4. PP. 177-478.

87. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры. М., Мир,1969,360 с.

88. Bloom S., Bergstresser Т.К. Band Structures of HgSe and HgTe. Phys. Stat. Sol. 1970. V. 42. N. 1. PP. 191-196.

89. Chadi D.J., Walter J.P., Cohen M.L., Petroff Y., Balkanski M. Reflectivities and Electronic Band Structures of CdTe and HgTe // Phys. Rev. 1972. V. B5. PP. N. 8. 3058-3066.

90. Cohen M.L., Bergstresser Т.К. Band Structures and Pseudopotential Form Factors for Fourteen Semiconductors of Diamond and Zink-blende Stuctures //Phys. Rev. 1966. V. 141. PP. 789-796.

91. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic Structure and Optical Properties of Hexagonal CdSe, CdSe, ZnS // Phys. Rev. 1967. V. 164. PP. 1069-1080.

92. Bernet B.L., Maradudin A.A. Pseudopotential Calculation of Transverse Effective Charge for III-V and II-VI Compounds of the Zink-Blende Structure // Phys. Rev. 1972. V. B5. N. 10. PP. 4146-4154.

93. Cordts W., Heinrich A., Monecke J. Electronic Band Structures of Pseudodirect Chalcopyrite Semiconductors: CdSiP2 and ZnSiP2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. V. 96. N. 1. PP. 201-209.

94. Moriarty J.A. Total Energy of Copper, Silver and Gold // Phys. Rev. 1972. V. B6. N. 4. PP. 1239-1252.

95. Falicov L.M., Golin S. Electronic Band Structures of Arsenide. Pseudopotential Approach // Phys. Rev. 1965. V. 137. N. ЗА. PP. A871-A882.

96. Koval L.S., Marcus M.M., Radautsan S.I., Sobolev V.V., Stanchu A.V. Optical Properties of Two Modifications of CdIn2Se4 // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 9. N. 1. PP. K69-K72.

97. Гашимзаде Ф.М., Гусейнова Д.А., Штейншрабер В.JT. расчет зонной структуры тиогаллатов кадмия методом ЭО ЛКАО // Препринт института физики АН АССР. Баку, 1980. 20 с.

98. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Ратнер A.M. Структура энергетических зон полупроводников AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2 // Изв. вузов. Физика. 1974. N. 11. С. 24-29.

99. Розенсон А.Э. Зонная структура и оптические характеристики кристаллов типа

100. А В 2С 4 со структурой дефектного халькопирита. Дис. . канд. физ.-мат. наук. Ростов-на-Дону. 1983. 146 с.

101. Панютин B.JI. Электронные зонные спектры полупроводников со структурой дефектного халькопирита. Дис. . канд. физ.-мат. наук. Ростов-на-Дону. 1984. 160 с.

102. Коваль J1.C., Радауцан С.И., Соболев В.В. Ширина запрещенной зоны твердых растворов CdIn2Se4-CdIn2Te4 // В кн.: Тройные полупроводники А2В4С52 и А2В32С64 . Кишинев, 1972. С. 230-233.

103. Shileika A. Energy Band Structure of Chalcopyrite Semiconductors. In: Ternary Compounds, Edinburgh, 1977. Inst. Phys. Conf. Ser. 35. Edinburgh. 1977. PP. 129-138.

104. Trykozko R. Photoresponse and Some Optical Properties of Crystals CdIn2Se4. In: Ternary Compounds, Edinburgh, 1977. Inst. Phys. Conf. Ser. 35. Edinburgh. 1977. PP. 249-257.

105. Бонч-Бруевич B.JI. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. Препринт 67Р института теоретической физики АН УССР. Киев. 1978.63 с.

106. Van-Vechten J.A., Berstresser Т.К. Electronic Structures of Semiconductor Alloys //Phys. Rev. 1970. V. В1. N. 8. PP. 3351-3358.

107. Balderischi A., Maschke K. Band Structure of Semiconductor Alloys Beyond the Virtual Crystal Approximation. Effect of Composition Disorder on Energy Gap in GaPxAsix // Sol. St. Commun. 1975. V. 16. N. 1. PP. 99-102.

108. Sakai Shigeki, Sugano Takuo. Energy Band of Ternary Alloy Semiconductors. Calculation by a Coherent-potential Approximation

109. Based on the Method of Linear Combination of Bond Orbitals // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N. 6. PP. 4143-4155.

110. Пихтин В.JI. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах // ФТП. 1977. Т. 11. N. 3. С. 425-455.

111. Walter J.P., Cohen M.L. Calculation of the Reflectivity, Modulated Reflectivity and Band Structure of GaAs, GaP, ZnS and ZnSe // Phys. Rev. 1969. V. 183. PP. 763-771.

112. Сирота H.H., Боднарь И.В., Виткина Ц.З. О химической связи в твердых растворах типа А В по данным магнитных измерений // ФТП. 1977. Т. И. N. 6. С. 1201-1203.

113. Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Москвин П.П., Сорокин B.C., Тарасов И.С. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов InixGaxAsiyPy // ФТП. 1981. Т. 15. N. 12. С. 2410-24 13.

114. Spiess H.W., Haeberlen U., Brandt G, Rauber A., Schneider R. Nuclear Magnetic Resonance in I-III-VI2 Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V. 62. N. l.PP. 183-192.

115. Shay J.L., Wernik J.H. Ternary Chalcopyrite Semiconductors Growth, Electronic Properties and Applications. New York, Pergamon Press, 1975, 243 p.

116. Horig W., Moller W., Neumann H., Reccius E., Kuhn G. Optic Properties of CuIn!xGaxSe2 Mixed Crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. V. 92. N. 1. PP. K1-K4.

117. Боднарь И.В., Ворошилов Ю.В., Кароза А.Г., Смирнов Г.Ф., Худолий В.А. Исследование системы AgGaS2-AgGaSe2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т. 15. N. 5. С. 763-765.

118. Mikkelsen J.С., Kildal Jr and H. Phase Studies, Crystal Growth and Optical Properties of CdGe(AsixPx)2 and AgGa(Se!xSx)2 Solid Solutions // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. N. 1. PP. 426-431.

119. Bodnar I.V., Bologa A.P., Korzun B.V. Composition Dependence of the

120. Band Gap of AgGa(Se!xSx)2 Solid Solutions // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. V. 109. N. l.PP. K31-K33.

121. Гусейнов Д.Т., Гасанов Н.Э., Нани Р.Х. Электрические и оптоэлектрические свойства монокристаллов AgGa(S!xSex)2 при х =05 // Изв. АН АССР. Сер. физ.техн. и мат. науки. 1980. N. 3. С. 74-77.

122. Kshirsager S.T., Sinha А.Р. Optical Absorption, Electric Conductivity and Spectral Response Measurements on the System CdGa2S4(iX)Se4x // J. Mater. Sci. 1978. V. 1. N. 8. PP. 1614-1624.

123. Kerimova T.G., Mamedov S.S., Salaev E.Yu. Spectral Features of Electronic Spectrum of CdGa2S4 in the Reason on of Fundamental Absorption Edge // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. V. 109. N. 2. PP. K119-K 122.

124. Арешкин А.Г., Житарь В.Ф., Радауцан С.И., Райлян В.Я., Силина Л.Г. Прямы экситоны в тиогаллате кадмия // ФТП, 1979. Т. 13. N. 2. С. 337-340.

125. Георгобиани А.Н., Озеров Ю.В., Радацуан С.И., Тигиняну И.С. исследование фундаментальных оптических переходов в CdGa2S4 методами модуляционной спектроскопии // ФТП. 1981. Т. 23. N. 7. С. 2094 -2099.

126. Koval L.S., Arushanov Е.К., Radauzan S.I. Effective Mass of Electrons in CdIn2Se4-CdIn2Te4 Solid Solutions // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 9. N.1. K73-K75.

127. Derivan J.A. The Effective Mass Approximation for Excitons in Anisotropy Crystals //Nuovo Cim. B. 1969. V. 63. N. 1. PP. 1-9.

128. Balderischi A., Diaz M.G. Anisotropy of Excitons in Semiconductors // Nuovo Cim. B. 1970. V. 68. N. 2. PP. 217-229.

129. Kolychev N.N., Tarasov G.G., Yaremko A.M., Sheka V.I. Electronic Spectrum of Wannier Excitons in Quasi-Two-Dimensional Structures // Phys. Stat. Sol. (b). 1980. V. 98. N. 2. PP. 527-543.

130. Керимова Т.Г., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Колебательный спектр CdGa2S4 и CdGa2Se4. В кн.: Тройные полупроводники и их применение. Тез. докл. Всесоюзной конф. Кишинев, 1979, С. 112114.

131. Пихтин А.Н., Яськов А.Д. Дисперсия коэффициента преломления света в полупроводниках твердых растворов со структурой сфалерита // ФТП. 1980. Т. 14. N. 4. С. 661-666.

132. Neumann Н., Horig W., Reccius Е., Moller W., Kuhn G. Temperature Dependence of the Fundamental Absorption Edge in CuInSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. V. 80. N. 1. PP. K21-K24.

133. Абдинов А.Ш., Гасанова JT.Г., Мамедов В.К. Край полосы поглощения монокристаллов CuInSe2 // ФТП. 1981. Т. 15. N. 11. С. 2445-2446.

134. Tsay Y.F., Gong В., Mitra S.S., Vetelino J.F. Temperature Dependence of Energy Gaps of Some III—V Semiconductors // Phys. Rev. B. 1972. V. 6. PP. 2330-2336.

135. Anderson W.J. Won Yu Phil, Park Y.S. Optical Rotatory Dispersion of AgGaS2 // Opt. Commun. 1974. V. 11. N. 4. PP. 392-395.

136. Sermage В., Fischman G. Wavelength-Modulated Reflectance of AgGaS2. In: Ternary Compounds, Edinburgh, 1977. Inst. Phys. Conf. Ser. 35. Edinburgh. 1977. PP. 139-144.

137. Horig W., Neumann H., Reccius E., Weinert H., Kuhn G., Shumann B. Temperature Dependence of the Absorption Edge in CuGaS2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. V. 51. N. l.PP. 57-62.

138. Shay J.L., Tell В., Kasper H.M., Achiavone L.M. p-d Hybridization of the Valence Bands of I-III-VI2 Compounds // Phys. Rev. B. N. 12. PP. 5003 -5005.

139. Райлян В.Я. Спектры отражения монокристаллов ZnIn2S4, CdGa2(S,Se)4. В кн.: Тройные полупроводники и их применение. Тез.докл. Всесоюзной конф. Кишинев, 1979, С. 112-114.

140. Bacewicz R., Trykozko R., Borghesi A., Cambiaghi M., Reguzzoni E. Absorption Edge and Thermoreflectance Studies of CdGa2Se4 // Phys. Lett. 1979. V. 75A. N. 1-2. PP. 121-124.

141. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Мехтиев H.M., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Структура валентной зоны CdGa2Se4 // ФТП. 1979. Т. 13. N. 3. С. 494 -497.

142. Браила В.М., Караман М.И., Мушинский В.П. Продольная фотопроводимость слоев CdGa2Se4. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений, Кишинев, Штинца, 1979, С. 105— 111.

143. Коваль J1.C., Радауцан С.И., Соболев В.В. Фотоэлектрические свойства растворов CdIn2Se4-CdIn2Te4 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук. 1979. N. 2. С. 42-45.

144. Лебедев А.А., Метлинский П.Н., Рудь Ю.В., Тырзиу В.Г. Анизотропная фотопроводимость монокристаллов HgGa2Se4 // ФТП. 1977. Т. 11. N. 6. С. 1038-1415.

145. Курганский С.И., Фарберович О.Ф., Домашевская Э.П. Зонная структура соединений А2В6. Влияние d-состояний металла // ФТП. 1980. Т. 14. N. 7. С. 1412-1415.

146. Allen Р.В., Cardona М. Theory of the Temperature Dependence of the Direct Gap of Germanium // Phys. Rev. B. 1981. V. 23. N. 4. PP. 14951505.

147. Cohen M.L., Chadi D.J. Temperature Dependence of Semiconductor Band States. In: Handbook on Semiconductors. V. 2. Amsterdam, N.-Holl. Publ., 1980, PP. 155-179.

148. Vetelino J.F., Gaur S.P., Mitra S.S. Debye-Waller Factor for Zinc-Blende Type Crystals // Phys. Rev. B. 1972. V. 5. N. 6. PP. 2360-2366.

149. Korczak P., Staff C.B. Liquid Encapsulated Czochralski Growth of Silver

150. Thiogallate // J. Cryst. Growth. 1974. V. 24/25. N. 2. PP. 386-389.

151. Kistaiah P., Venudhar Y.C., Sathyanarayana Mutthy K., Iyengar Leela, Kryshna Rao K.V. X-ray Studies on the Thermal Expansion of Silver Thiogallate // J. Mater. Sei. Lett. 1981. V. 16. N. 10. PP. 1417-1419.

152. Iseler C.M. Thermal Expansion and Seeded Bridgman Growth of AgGaSe2 // J. Cryst. Growth. 1977. V. 41. N. 1. PP. 146-150.

153. Brühl H.G., Neumann H., Kuhn G. Thermal Expansion of CuGaSe2 // Sol. Stat. Commun. 1980. V. 34. N. 4. PP. 225-227.

154. Neumann H. Trends in Thermal Expansion Coefficients of A1B3C62 and A2B4C52 Chalcopyrite Compounds // Kristal und Technik. 1980. Bd. 15. N. 7. S. 849-857.

155. Kistaiah P., Venudhar Y.C., Sathyanarayana Mutthy K., Iyengar Leela, Kryshna Rao K.V. Anisotropic Thermal Expansion of Cooper Gallium Selenide // J. Phys. D. Appl. Phys. 1981. V. 14. N. 3. PP. 457-461.

156. Brühl H.G., Neumann H., Pfeiffer T., Kuhn G. Anisotropie Thermal Expansion of Cu-III-VI2 Compounds // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 66. N. 2. PP. 597-600.

157. Abrahams S.С., Berstein J.L. Piezoelectric Nonlinear Optic CuGaS2 and CuGaS2 Crystal Structure: Sublattice Distortion in A1B3C62 and A2B4C52 Type Chalcopyrite // J. Chem. Phys. V. 59. N. 10. 5415-5422.

158. Оскотский B.C., Кобяков И.Е., Солодухин Ф.В. температурная зависимость теплового расширения сульфида кадмия в интервале температур от 20 до 820 К // ФТТ. 1980. Т. 20 N. 5. С. 1478-1482.

159. Soma Т., Saton J., Matsuo H. Temperature Dependence of the Linear Thermal Expansion Coefficient and Phonon Curves at Covalent-Ionic Transition Pressure of ZnS, ZnSe and ZnTe // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. V. 109. N. l.PP. K47-K51.

160. Бабюк Т.И., Дону B.C., Житарь В.Ф., Мочарник Г.Ф. Рентгенографическое исследование CdGa2S4 в широком интервалетемператур // Изв. Ан МССР. Сер. физ.-техн. и мат. паук. 1981. п. 2. С. 72-74.

161. Мочарник Г.Ф., Бабюк Т.И., Дерид О.П., Лазаренко Л.С., Маркус М.М., Радауцан С.И. Переход порядок-беспорядок в твердых растворах CdGa2Se4-CdIn2Se4 //ДАН СССР. 1977. Т. 237. N. 4. С. 821 -823.

162. Miller R.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 5. PP. 17-20.

163. Jeggo C.R. // J. Phys. 1972. V. 5C. PP. 330-336.

164. Sugie M, Tada K. // Jap. J. of Appl. Phys. 1973. V. 12. PP. 215-218.

165. Phillips J.C., Van Vechten J.A. // Rev. Mod. Phys. 1970. V. B2. PP. 317-328.

166. KleinmanD.A. //Phys. Rev. 1970. V. B2. PP. 3139-3146.

167. Levin B.F. // Phys. Rev. 1973. V. B7. PP. 2591-2599.

168. Levin B.F. // Phys. Rev. 1973. V. B7. PP. 2600-2608.

169. Мейснер Л.Б., Хаджийский Н.Г. // Квантовая электроника. 1979. Т. 6. С. 345-349.

170. Мейснер Л.Б., Хаджийский Н.Г. // Кристаллография. 1980. Т. 25. С. 218-225.

171. Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Панютин В.Л., Пшеничников С.М., Репяхова Т.М., Рычик О.В., Розенсон А.Э., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. // Квантовая электроника. 1979. Т. 6. С. 1807-1812.

172. Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Панютин В.Л., Пшеничников С.М., Розенсон А.Э., Скребнева О.В., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. // Квантовая электроника. 1980. Т. 7. С. 2237-2241.

173. Андреев С.А., Андреева Н.П., Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Пшеничников С.М. // Квантовая электроника. 1980. Т. 9. С. 2003-2007.

174. Содха М.С., Гхатак А.К. Неоднородные оптические волноводы. М., Мир, 1980,216 с.

175. Гончаренко A.M., Карпенко В.А., Могилевич В.Н.//Весщ АН БССР, Сер. Физ.-мат. навук. 1979. В. 3. С. 90-96.

176. Бабиков В.В. Метод фазовых функций в квантовой механике. М., Наука, 1976, 288 с.

177. Калоджеро Ф. Метод фазовых функций в теории потенциального рассеяния. М., Мир, 1972, 292 с.

178. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М., Наука, 1973, 720 с.

179. Булгаков A.A., Ковтун В.Р. // Опт. и спектр. 1984. Т. 56. С. 769-774.

180. Адаме М. Введение в теорию оптических волноводов. М., Мир, 1976, 512с.

181. Maracuse D. // IEEE J. Quant. Electron. 1973. V. QE9. PP. 958-960.

182. Geshiro V., Ohtaka M., Matsumara M., Kumagagai N. // IEEE J. Quant. Electron. 1974. V. QE10. PP. 647-649.

183. Ballman A.A. A New Series of Synthetic Borates Isostructural with Carbonate Mineral Huntite // Amer. Mineral. 1962. V. 47. PP. 1380-1383.

184. Ballman A.A. Yttrium and Rare Earth Borates. US patent 3057677.9.10.1962.

185. Blasse G., Bril A. Crystal Structure and Flourescence of Some Lanthanide Gallium Borates // J. Inorgan. Nucl. Chem. 1967. V. 29. PP. 266-267.

186. Al'shinskaya L.I., Leonyuk N.I., Timchenko T.I. High-Temperature Crystallization, Composition, Structure and Certain Properties of REGallium Borate Crystals // Kristal und Technik. 1979. V. 8. PP. 897-903.

187. Hattendorf H.D., Huber G., Lutz F. CW Laser Action in Nd(Al, Cr)3(B03)4 //Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. PP. 284-290.

188. Bartsch H.H. Strukturuntersuchungen an selten Erdmischboraten der Art SeX3(B03)4 und SeAl2B4Oio.Oo.5. Dissertation Universität Hamburg 1984.

189. Магунов И.Р., Воеводская C.B., Жирнова А.П., Жихарева Е.А., Ефрушина Н.П. Синтез и свойства редкоземельных скандиевыхдвойных боратов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т. 21. С. 1532-1534.

190. Лаптев В.В. Повышение термической устойчивости редкоземельных ортоборатов со структурой хантита // Тез. докл. VII Всесоз. конф. по росту кристаллов. М. 1988. Т. 3. С. 261-262.

191. Ефименко В.В., Ивонина Н.П., Кутовой С.А., Лаптев В.В., Мацнев С.Ю., Симонова Н.Н. Синтез и исследование монокристаллов редкоземельных скандоборатов со структурой хантита // Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по росту кристаллов. М. 1988. Т. 3. С. 250-251.

192. Кутовой С.А., Лаптев В.В., Мацнев С.Ю. Скандоборат лантана -новая активная среда для высокоэффективных неодимовых лазеров // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М. 1990. С. 11-12.

193. Kutovoi S.A., Laptev V.V., and Matsnev S.Yu. Lanthanum scandiumborate as a new highly efficient active medium of solid-state lasers. // Sov J Quantum Electron. 1991. V.21. PP. 131-133.

194. Ивонина Н.П., Кутовой С.А., Лаптев B.B., Симонова Н.Н. Синтез и исследования монокристаллов редкоземельных скандоборатов // Известия Академии Наук СССР, серия неорганические материалы. 1991. Т. 27. № 1.С. 64-67.

195. Meyn J.P., Jensen Т., Huber G. Spectroscopic Properties and Efficient Diode-Pumped Laser Operation of Neodymium-Doped Lanthanum Scandium Borate // IEEE J. Quntum Electron. 1994. V. 30. № 4. PP. 913-917.

196. Beier В., Meyn J.P., Knappe R., Boiler K.J., Huber G., Wallenstein R. A 180 mW Nd:LaSc3(B03)4 Single-Frequency TEM00 Microchip Laser Pumped by an Injection-Locked Diode-Laser Array//. Appl. Phys. 1994. v В 58. PP. 381-388.

197. Meyn J.-P. and Huber G. Intracavity frequency doubling of continuouswave, -diode-laser-pumped neodymium lanthanum scandium borate laser.//. Optics Letters. 1994. V 19, N 18, PP. 1436-1438.

198. Huber G. Solid-State Laser Materials. «Laser Sources and Applications», Publishing, Bristol and Philadelphia, 1996, PP. 141-162.

199. Leonyuk N.I., Leonyuk L.I. Growth and Characterization of RM3(B03)4 Crystals// Prog. Crystal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 179-278.

200. Leonyuk N.I. Recent Developments in Growth of RM3(B03)4 Crystals for Science and Modern Application // Prog. Crystal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 279-312.

201. Kuzmicheva G., Rybakov V., Kuzmin O., Kutovoi S., Panyutin V. The compounds and solid-solutions of huntite family: growth, structure, properties // The 12th Int. Conf. on Crystal Growth. July 1998, Israel. P. 208.

202. Кузьмин O.B. Выращивание и оптические свойства новой активно-нелинейной среды скандобората церия-гадолиния-неодима.// Диссертация в виде научного доклада на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва, МИТХТ, 1998.

203. Кутовой С.А. Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами.// Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва, МИТХТ, 1998.

204. Тюлюпа А.Г. Диаграмма состояния систем LaB03-ScB03, NdB03-ScB03 // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М. 1990. С. 13.

205. Lai S.T., Chai В.Н.Т., Long М., Shinn M.D., Caird J.A., Marion J.E., Staver P.R. ScB03:Cr Laser // OSA Tunable Solid State Lasers. 1986. June 4-6. PP. 145-150.

206. Chai В., Petermann К., Huber G. The growth of Nd doped LaSc3(B03)4 single crystals for diode pumped microchip lasers // CLEO/USA'97,

207. Baltimore, 1997, Paper CTuG3.

208. Жариков E.B. Редкоземельные скандиевые гранаты: Вопросы материаловедения // Оптически плотные активные среды. М. Наука, 1990. (Тр. ИОФАН. Т.26. С. 50-78).

209. Shannon R.D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta crystallogr. A. 1976. V. 32. PP. 751-757.

210. Кузьмичева Г.М., Рыбаков В.Б., Кутовой C.A., Кузьмин О.В. Морфотропный ряд скандоборатов редкоземельных элементов семейства хантита // Журнал неорганической химии. 2000. Т. 45.

211. Рыбаков В.Б., Кузьмичева Г.М., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С.А., Кузьмин О. В. Кристаллическая структура NdSc3(B03)4 // Журнал неорганической химии. 1997. Т. 42. № 10. С. 1594-1601.

212. Рыбаков В. Б., Кузьмичева Г. М., Мухин Б. В., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Рентгеноструктурное исследование соединений (Ce, Gd)Sc3(B03)4 семейства хантита.// Журнал неорганической химии. 1997. Т. 42. № 1. С 9-16.

213. Кузьмичева Г. М., Рыбаков В. Б., Новиков С.Г., Агеев А. Ю., Кутовой С.А., Кузьмин О.В. Разупорядоченные структуры скандоборатов редкоземельных элементов семейства хантита.// Журнал неорганической химии. 1999. Т. 44. № 3. С. 352-366.

214. Бандуркин Г.А., Джуринский Б.Ф., Тананаев И.В. Особенности кристаллохимии соединений редкоземельных элементов. // М. Наука. 1984. 232 с.

215. Белоконева E.J1., Леонюк Н.И., Пашкова А.В., Тимченко Т.П. Новые модификации редкоземельно-алюминиевых боратов // Кристаллография. 1988. Т.ЗЗ. В. 5. С.1287-1288.

216. Hong H.Y-P., Dwigh К. Crystal structure and fluorescence lifetime of NdAl3(B03)4.//Mat Res. Bull. 1974 V. 9. PP. 1661-1666.

217. Белоконева Е.Л., Тимченко Т.Н. Политипные соотношения в структурах боратов с общей формулой RA13(B03)4 (R-Y,Nd,Gd).// Кристаллография. 1983. Т. 28. В. 6. С. 1118-1123.

218. Белоконева Е.Л., Алыианская Л.И., Симонов М.А., Леонюк Н.И., Тимченко Т.И, Белов Н.В. Кристаллическая структура NdGa3(B03)4 // Журнал структурной химиии. 1978. Т. 19. № 2. С. 382-383.

219. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., Chuev Y.M., Zhorin V.V., Perfilin A.A., Shestakov A.V. Synthesis and study of non-inear laser crystals CeSc3(B03)4.//Advanced Solid-State Lasers. 1996. V. 1. PP. 460-465.

220. Акустические кристаллы. Справочник. M. Наука. 1982. 632 С.

221. Huber G. Miniature neodymium lasers // Current topics in material science. V. 4. Amsterdam: North-Holland. 1980. PP. 1-45.

222. Luo Z., Jiang A., Huang Y., Qiu M. Laser performance of large neodimium aluminium borate (NdAl3(B03)4) critals // Chines Phys. Lett. 1986. V. 3.№ 12. PP. 541-544.

223. Иванов B.M., Кутовой C.A., Лаптев В.В., Мацнев С.Ю. Лазерный нелинейный материал // Авторское свидетельство № 1651718. Приоритет от 21 июля 1988 года. Бюллетень «Открытия, изобретения». № 19. 1991.

224. Кутовой С.А., Лаптев В.В., Лебедев В.А., Мацнев С.Ю., Писаренко

225. Кутовой С.А., Лаптев В.В., Мацнев С.Ю. Скандоборат лантана -новая высокоэффективная активная среда твердотельных лазеров // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. № 2. С. 149-150.

226. Zagumennyi A.I., Mikhailov V.A., and Scherbakov I.A. Crystals for End -Diode-Pumped Lasers // Laser Physics. 1996. V.6. PP. 582-588.

227. Дорожкин Л.М., Куратев И.И., Житнюк В.А., Шестаков A.B., Шигорин В.Д., Шипуло Т.П. Нелинейные оптические свойства кристаллов неодим-иттрий-алюминиевого бората // Квантовая электроника. 1983. Т. 10. С. 1497-1499.

228. Миль Б.В., Ткачук A.M., Ершова Г.И., Миронов Д.И., Никитичев A.A. Выращивание и спектроскопические свойства кристаллов Ln2Ca3B40i2-Nd (Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1996. Т. 81. №2. С. 226-229.

229. Миль Б.В., Ткачук A.M., Белоконева Е.Л., Ершова Г.И., Миронов

230. Д.И., Разумова И.К. Выращивание, структура и интенсивности спектров кристаллов Ln2Ca3B4Oi2-Nd(Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1998. Т. 84. №1. С. 74-81.

231. Ostroumov Y.G., Heine F., Kiick S., Huber G., Mikhailov V.A., Shcherbakov I.A. Intracavity frequency-doubling diode-pumped Nd:LaSc3(B03)4 laser.// Appl. Phys. 1997. V В 64. PP. 301-305.

232. Прохоров A. M. О работах института общей физики РАН //Вестник РАН. 1997. Т. 67. № 11. С. 970-997.

233. Каминский А.А., Ляшенко А. И., Исаев Н. П., Карлов В. Н., Павлович В. Л., Багаев С.Н., А.В. Буташин, Ли Л.Е. Квазинепрерывный Pr:LiYF4-лазер с 1 = 0.6395 мкм и средней выходной мощностью 2.3 Вт. // Квантовая электроника. 1998. Т.25. № 3. С.195-196.

234. Гурзадян Г.Г., Дмитриев В.Г., Никогосян Д.Н. Нелинейно-оптические кристаллы // М., Радио и связь. 1991. 162 с.

235. Тагиев З.А. Об одном методе определения нелинейных оптических восприимчивостей веществ // Квантовая электроника. 1992. Т. 19. В.7. С. 682-683.

236. Sandrock Т, Danger Т, Heumann Е, Huber G, Chai В Н Т. Efficient continuous wave-laser emission of Pr -doped fluorides at room temperature.// Appl Phys. 1994. V. В 58, P. 149.

237. Ostroumov V., Petermann K., Huber G., Ageev A., Kutovoj S., Kuzmin O., Panyutin V., Pfeifer E., Hinz A. Crystal growth, spectroscopic and laser characterization of Nd:CSB crystals.// Journal of luminescence. 72-74, PP. 826-828 (1997).

238. Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Perfomance of YAG:Cr4+ laser crystal// Optical Materials. 1994. № 3. PP. 1-13.

239. Ильичев H.H, Гулямова Э.С., Пашнин П.П. Пассивная модуляция добротности неодимового лазера с помощью затвора на основе кристалла

240. YAG:Cr4+// Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 11. С.1001-1006.

241. Ильичев Н.Н, Кирьянов А.В., Гулямова Э.С., Пашнин П.П. Поляризация неодимового лазера с пассивным затвором на основе кристалла YAG:Cr4+// Квантовая электроника. 1998. Т. 25. № 1. С. 19-22.

242. Лазерные фосфатные стекла / Под ред. Жаботинского М.Е. М. Наука. 1980. 352 С.

243. Алексеев Н.Е., Аникиев Ю.Г., Гапонцев В. П. и др. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. М. ВИНИТИ. 1978. Т. 18.

244. Батяев И. М., Клещинов Е. Б. Безызлучательный перенос энергии возбуждения в титан-иттербий-эрбиевом стекле.// Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. № 5. С. 767-770.

245. Denker B.I., Nikolskii M.Yu., Sverchkov S.E. Concentrated Yb-Er Glass for Microchip Lasers.// Advanced Solid-State Lasers 27-29 January 1997, Orlando, Florida, Paper WC4-1, PP. 257-258.

246. Laporta P., Taccheo S., Longhi S., Svelto O. and Sacchi G. Diode-pumped microchip Er-Yb:glass laser.// Optics Letters. 1993. V. 18. PP. 1232-1234.

247. Stultz R.D., Sumida D.S. and Bruesselbach H. Diode-pumped, Passively Q-Switched, 10 Hz Eyesafe Er:Yb:Glass Laser.// Advanced Solid-State Lasers January 31-February 2, 1996, San Francisco, California, Paper PD16, PP. 7-9.

248. Hamlin S.J., Myers J.D., Myers M.J. High repetition rate Q-Switched Erbium glass Lasers.// SPIE. 1991. V. 1419. PP. 100-106.

249. Phillipe Thony, Engin Molva. 1.55 цт-wavelength CW microchip lasers.// Advanced Solid-State Lasers January 31-February 2, 1996, San Francisco, California, Paper ThE4-l, PP. 256-258.

250. Simondi-Teisseire В., Viana B. and Vivien D. Near Infrared Er3+ Laser in Melilite Type Crystals. // Advanced Solid-State Lasers 27-29 January1997, Orlando, Florida, Paper WG4-1, PP. 375-377.

251. Diening A., Heumann E., Huber G. and Kuzmin O. High power diode-pumped Yb,Er:LSB lasér at 1.56 pm. // CLEO/USA'98, 4-9 May 1998, San Francisco, USA. CWM5, PP. 299-300.

252. Heumann E., Sebald K., Kuck S., Huber G. and Kuzmin O.V. Spectroscopy and first laser proof of praseodymium lanthanum scandium borate // OSA TOPS. Advanced Solid-State Lasers. 1999. V. 26. PP. 621624.

253. Bruce H.T. Advances in bulk inorganic nonlinear optical materials // Optics&Photonics News. 1999. P. 31-38.

254. Хамаганова Т.Н., Трунов B.K., Джуринский Б.Ф. Кристаллическое строение двойного оксобората кальция и самария Sm2Ca802(B03)6 // Журн. неорган, химии. 1991. Т. 36. №4. С.855-857.

255. Илюхин А.Б., Джуринский Б.Ф. Кристаллические структуры двойных оксоборатов LnCa40(B03)3 (Ln = Gd, Tb, Lu) и Eu2Ca0(B03)2 // Журн. неорган, химии. 1993. Т.38. №6. С.917-920.

256. Norrestam R., Nygren M. Structural Investigations of New Calcium-Rare Earth (R-Oxyborates with the Conposition Ca4R0(B03)3 // Chem. Mater. 1992. V.4. 737-743.

257. Iwai M., Kobayashi T., Furuya H, Mori Y., Sasaki T. Crystal Growth and Optical Characterization of Rare-Earth (Re) Calcium Oxyborate ReCa40(B03)3 (Re = Y and Gd) as New Nonlinear Optical Material // Jap. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P.L276-L279.

258. Qing Ye, Bruce H.T.Chai. Crystal growth of YCa40(B03)3 and its orientation//J. Cryst. Growth. 1999, V. 197. P.228-235.

259. Zhang H.J., Meng X.L., Zhu L., Wang C.Q., Cheng R.P., Yu W.T., Zhang S.J., Sun L.K., Chow Y.T., Zhang W.L., Wang H., Wong K.S. Growth and laser properties of Nd: Ca4Y0(B03)3 crystal // Optics Communications. 1999. V. 160. P.273-276.

260. Wang J., Shao Z., Wei J., Hu X., Liu Y., Gong B., Li G., Lu J., Guo M, Jiang M. Research on growth and self-frequency doubling of Nd:ReCOB (Re = Y,Gd) crystals // Cryst. Growth. 2000. V.40. P. 17-31.

261. Shao Z., Lu J., Wang Z., Wang J., Jiang M. Aanisotropic properties of Nd:ReCOB (Y,Gd): a low symmetry self-frequency doubling crystal // Cryst. Growth. 2000. V.40. P.63-73.

262. Zhang Shuiun, Zhang Jiguo, Cheng Zhenxiang, Zhou Guangyong, Han Jianru, Chen Huachu. Studies on the growth and defects of GdCa40(B03)3 crystals //J. Cryst. Growth. 1999, V. 203. P.168-172.

263. Zhang S., Cheng Z., Zhou G., Sun Y., Hou X., Liu X., Han J., Shao Z., Chen H. Growth and properties of Cr3+, Nd3+ doped GdCa40(B03)3 crystals // Cryst. Growth. 2000. V.40. P.81-84.

264. Aka G., Kahn-Harai A., Vivien D., Benitz J.M., Salin F., Godard J. A new nonlinear and neodimium laser self-frequency doubling crystal with congruent melting: Ca4Gd0(B03)3 (GdCOB) // Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 1996. V.33. P.727-736.

265. Mougel F., Kahn-Harai A., Aka G., Pelenc D. Structural and thermal stability of Czochralski grown GdCOB oxoborate single crystals // J. Mater. Chem. 1998. V. 8. № 7. 3.1619-1623.

266. Lei S., Huang Q., Zheng Y., Jiang A., Chen C. Structure of calcium fluoriborate, Ca5(B03)3F // Acta Cryst. 1989 V. C45. P. 1861-1863.

267. Кузьмичева Г.М., Мухин Б.В., Жариков E.B. Кристаллохимический анализ структурных особенностей лазерных кристаллов // Перспективные материалы, 1997. №3. С.41-53.

268. Shannon R.D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta crystallogr. 1976. V32A, №6, P. 751-767.

269. Кузьмичева Г.М., Рыбаков В.Б., Новиков С.Г., Агеев А.Ю., Кутовой С.А., Кузьмин О.В. Разупорядоченные структуры скандоборатов редкоземельных элементов семейства хантита // Журн. неорган, химии. 1999. Т.44. №3. С.З52-366.

270. Efremov V.A. Collected Abstracts "Powder Diffraction and Crystal Chemistry", St. Petersburg, Russia, June 20-23, 1994. P.31.

271. Young R.A., Sakthivel A., Moss T.S., Paiva-Santos C.O. Rietveld analysis of X-Ray and neutron powder diffraction patterns. User's guide to program DBWS-9411.30 March 1995.

272. Enraf-Nonius. CAD-4 Software. Version 5.0. Enraf-Nonius. Delft. The Netherlands. 1989.

273. Sheldrick G.M. SHELXL-97. Program for the Refinement of Crystal Structures. University of Gottingen. Germany. 1997.

274. Кузьмичева Г.М., Рыбаков В.Б., Гайстер A.B., Жариков E.B. О некоторых структурнозависящих свойствах LiGa02 // Неорганические материалы. 2001 (в печати).

275. Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. Минск, 1976, 420 с.

276. Ахманов С.А., Хохлов Р.В. Проблемы нелинейной оптики. М., 1964, 340 с.

277. Бломберген Н. Нелинейная оптика. М., 1966, 320 с.

278. Дмитриев В.Г., Тарасов Л.В. Прикладная нелинейная оптика. М.,1982, 260 с.

279. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач М., Наука, 1986,280 с.

280. Агранович В.М., Гинзбург B.JI. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М., 1979.

281. Влох О.Г. Параметрические явления в кристаллооптике (электрооптика и электрогирация): Диссертация . д-ра физ.-мат. наук. Львов, 1977.

282. Кизель В.А., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М., 1980.

283. Nafono H., Ximura H. // J. Phys. Soc. Jap. 1969.V. 27. P. 519.

284. Шепелевич В. В., Бокуть Б. В. // Кристаллография. 1978. Т. 23. С. 914-917.

285. Влох О.Г., Грабовский В.А. // Оптика и спектроскопия. 1986. С. 1248- 1253.

286. Сусликов Л. М., Сливка В. Ю. Квантовая электроника. Киев, 1984. В. 18. С. 69-87.

287. Кизель В.А. Отражение света. М., 1973.

288. Бокуть Б. В., Шепелевич В. В., Сердюков А. Н. // Кристаллография. 1974. Т. 19. С. 684 687.

289. Бокуть Б. В., Сердюков А.Н., Шепелевич В. В. // Препринт Института физики АН БССР. 1972.

290. Константинова А.Ф., Шепелевич В. В., Бокуть Б. В. и др. // Кристаллография. 1976. Т. 21. С. 1108 1111.

291. Борздов Г.Н. // Весщ АН БССР. Сер. физ.-мат. наук. № 3. С. 85- 90.

292. Бокуть Б. В., Сердюков А.Н., Шепелевич В. В. // Кристаллография. 1974. Т. 19. С. 688 691.