Сверхтвердые покрытия на основе углерода, бора и азота тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

§ 1Л Методы получения ГЦК углерода.

§ 1.2 Исследование структуры ГЦК углерода.

§ 1.3 Модель Хаббарда для описания взаимодействия электронов в кристалле.

§1.3.1 Гамильтониан модели.

§1.3.2 Предел слабого взаимодействия.

§1.3.3 Предел сильного взаимодействия.

§1.3.4 Проблема промежуточной связи.

§1.4 Методы получения нитрида бора.

§1.4.1 Механизмы осаждения c-BN из плазмы.

§1.4.2 "Физический" метод осаждения (PVD).

§1.4.3 "Химический" метод осаждения (CVD).

§1.4.4 Прекурсоры.

§1.4.5 Параметры осаждения.

§1.4.6 Методы исследования. а) Инфракрасная спектроскопия. б) Электронная дифракция. в) Сканирующая и просвечивающая микроскопия. г) Электронная Оже спектроскопия и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. д) Рамановские спектры нитрида бора.

§1.4.7 Свойства c-BN.

ГЛАВА II ПОЛУЧЕНИЕ ГЦК УГЛЕРОДА.

§2.1 Методическая часть.

§2.2 Предварительные соображения.

§2.3 Результаты экспериментов по отжигу ультрадисперсного алмаза.

§ 2.3.1 Электронно-микроскопические исследования.

§ 2.3.2 Десорбция водорода.

§ 2.3.3 Химический анализ.

§2.3.4 Электронная спектроскопия ГЦК углерода.

§2.3.5 Спектры комбинационного рассеяния.

§2.4 Роль водорода в формировании ГЦК углерода.

§2.3 Расчет положения атомов углерода в элементарной ячейке.

Решение обратной задачи.

§ 2.6 Получение толстых пленок ГЦК углерода CVD методом.

§ 2.6.1 Электронно-микроскопические исследования образцов пленок, полученных методом С YD.

§ 2.6.2 Вольт-амперная характеристика ГЦК углерода.

§ 2.6.3 Исследование нанотвердости ГЦК фазы углерода.

ГЛАВА III МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ГЦК

УГЛЕРОДА ПО МЕТОДУ ХАББАРДА.

§3.1 Предварительные соображения.

§3.2 Гамильтониан модели Хаббарда.

§3.3 Расцепление уравнений движения. Уравнения движения для запаздывающих функций Грина.

§3.4 Приближение "Хаббард-1".

§3.5 Электронная структура ГЦК фазы углерода.

§3.6 Результаты расчетов. а) Расчет без учета кулоновского отталкивания. б) Расчет с учетом кулоновского отталкивания.

ГЛАВА IV ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА.

§4.1 Предварительные соображения.

• §4.2 Постановка задачи.

§4.3 Методика и схема получения c-BN пленок.

§4.3.1 Получение c-BN пленок при помощи рубинового лазера

§4.3.2 Получение c-BN пленок путем осаждения из плазмы.

§4.4 Экспериментальные результаты.

§4.4.1 Результаты Оже-спектроскопии.

§4.4.2 Электронная дифракция.

§4.4.3 Результаты КР спектроскопии.

§4.5 Обсуждение результатов.

§4.6 Расчет и получение B-N-C соединения.

§4.6.1 Постановка эксперимента.

§4.6.2 Результаты Оже-спектроскопии.

§4.6.3 Электронно-микроскопические исследования.

§4.6.4 Результаты FTIR спектроскопии.

§4.7 Обсуждение.

ВЫВОДЫ.

Введение

Одним из интересных и перспективных направлений в материаловедении является поиск новых материалов с повышенной износостойкостью и твёрдостью. Создание таких покрытий на сегодняшний день является одной из самых важных и сложных задач.

Алмаз является самым твёрдым веществом в природе, его твёрдость составляет 100 ГПа. Однако алмаз имеет существенный недостаток: при его использовании в качестве упрочняющего покрытия при высоких температурах он, как известно, активно вступает в химическую реакцию с большинством металлов. При этом алмазные покрытия разрушаются. Поэтому поиск материала, который был бы по твёрдости сравним с алмазом, но в то же время был лишен его недостатков, является на сегодняшний день актуальной проблемой.

Данная работа посвящена проблеме получения эффективных сверхтвердых покрытий на основе углерода, бора и азота.

Исследовались две возможности:

I. получение сверхтвердых углеродных покрытий, наносимых при существенно более низкой температуре, чем алмазные и, таким образом, обеспечение их устойчивости к взаимодействию с химически активными подложками;

II. создание неуглеродных сверхтвердых покрытий, химически более инертных, чем алмазные.

В связи с разработкой первого направления исследовалась ГЦК фаза углерода и пленки на ее основе. Эта фаза была впервые обнаружена на кафедре физической электроники МГУ им. М. В. Ломоносова в середине 80-х годов в углеродных пленках, полученных методом ионно-стимулированной конденсации углерода при энергии ионов аргона 30 эВ в виде нанокристаллических включений размером порядка 100А в аморфную матрицу. Анализ электронной дифракции показал, что их кристаллическая решетка имеет плотноупакованную гранецентрированную кубическую структуру.

Позже ГЦК - фаза была получена в значительном количестве при облучении CVD алмазной пленки ионами водорода в рамках совместной работы с институтом Макса Планка. Проведенные исследования этой фазы дали основания предполагать, что она обладает, как и алмаз, высокой твердостью.

В связи с разработкой второго направления исследований изучены способы получения пленок кубического нитрида бора (c-BN). c-BN -второй после алмаза материал по твердости. Его твердость в полтора раза меньше, чем алмаза, но он химически более инертен, чем алмаз. c-BN кристаллизуется в решетку типа алмазной и так же, как алмаз, метастабилен в нормальных условиях. Как и в случае углерода, стабильной формой в нормальных условиях является гексагональная (графитоподобная) фаза h-BN. Однако методы получения алмазных покрытий в условиях метастабильности (CVD, метод горячей нити) оказались не столь эффективными в случае c-BN.

Целью работы являлась разработка физических основ низкотемпературной технологии формирования сверхтвердых покрытий на основе углерода, бора и азота.

В связи с этим решались следующие задачи:

I. 1) доказательство существования новой сверхтвердой фазы углерода - ГЦК углерода;

2) поиск эффективного метода формирования ГЦК фазы углерода;

3) получение монофазных пленок ГЦК - фазы с целью исследования их свойств, в частности - твердости;

4) электронно-спектроскопические исследования атомной структуры ГЦК фазы углерода (ФЭС, Оже, ЭСХА, СХПЭЭ);

5) теоретическое изучение электронной структуры ГЦК углерода в • рамках модели Хаббарда;

6) исследование колебательных спектров ГЦК фазы;

7) разработка технологического варианта метода получения покрытий на основе ГЦК углерода;

8) экспериментальное исследование твердости пленок ГЦК углерода.

II. 1) изыскание методов получения пленок кубического нитрида бора (c-BN);

2) электронно-микроскопические исследования пленок c-BN;

3) химический анализ состава покрытий на основе кубического нитрида бора;

4) исследования колебательных спектров пленок c-BN;

5) разработка технологического варианта метода получения покрытий на основе кубического нитрида бора.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. впервые экспериментально получены монофазные пленки углерода с гранецентрированной кубической решеткой (ГЦК фаза) и изучены условия их формирования. Доказано, что это именно новая углеродная фаза, а не комбинация других, ранее известных углеродных форм.

2. из электронно-микроскопических исследований определена плотность ГЦК фазы углерода ргцк=1610 кг/м (в два раза меньше алмазной раЛмаз= 3500 кг/м ).

3. в отличие от предполагаемых металлических свойств ГЦК фазы на основе теоретических расчетов, полученных на основе метода JTKAO, обнаружены и объяснены теоретически высокие диэлектрические свойства пленок ГЦК фазы углерода.

4. получен уникальный КР - спектр, характеризующийся наличием пика 2265 см"1 - это самый высокочастотный пик, который наблюдался в углеродных модификациях.

5. определена твердость ГЦК углерода, которая близка к алмазной и составляет 90 ГПа.

6. предложена теоретическая модель электронной структуры ГЦК фазы углерода, построенная по методу Хаббарда и объясняющая диэлектрические свойства пленок.

7. впервые получена пленка кубического нитрида бора методом лазерного испарения мишени c-BN+УДА (лабораторный метод).

8. получены монофазные пленки кубического нитрида бора в электродуговом генераторе плазмы (технологический метод).

9. впервые экспериментально получено трехкомпонентное B-N-C (бор, азот и углерод) соединение, построенное на основе решетки алмазного типа, которое ранее было предсказано теоретически как сверхтвердая фаза и исследована структура этого вещества.

Практическая ценность работы

1. Предложены и осуществлены методы получения монофазных сверхтвердых пленок на основе ГЦК - углерода: а) лазерным испарением мишени из ультрадисперсного алмаза (УДА) в атмосфере водорода с последующим отжигом при Т>800 °С.

Условия получения: длина волны лазера А=698 нм, плотность

8 2 6 мощности W=5* 10 Вт/см , длительность импульса т= 10" с, о давление в камере Р=10" Па, лабораторный метод); б) плазмохимическим (CVD) методом при Т=600 °С в атмосфере водорода и метана в сочетании с лазерным засевом УДА, технологический метод).

2. Предложены и осуществлены методы получения сверхтвердых монофазных покрытий на основе кубического нитрида бора: а) лазерным испарением мишени c-BN+УДА. (Условия получения: длина волны лазера А,=698 нм, плотность мощности

8 2 6 W=5* 10 Вт/см , длительность импульса т= 10" с, давление в камере Р=10" Па, лабораторный метод); б) конденсацией плазменных потоков в электродуговом генераторе

ТУ 1 ^ ^ плазмы (Условия получения: плотность плазмы п=

1(ГМ(Г см , температура подложки Т=600 °С, потенциал смещения подложки VCM=-35 В, технологический метод).

Положения, выносимые на защиту

1. Получены пленки кубического нитрида бора лазерным испарением мишени из ультрадисперсного порошка (c-BN+УДА), состоящие из кристаллитов c-BN размером 20А с алмазным ядром порядка 12 А. (Условия получения: длина волны лазера ^=698 нм, плотность on л мощности W=5*10 Вт/см , давление в камере Р=10" Па, длительность импульса т=10"6 с, лабораторный метод).

2. Реализовано получение пленок кубического нитрида бора (c-BN) конденсацией плазменных потоков в установке электродугового

12 генератора плазмы. (Условия получения: плотность частиц п=10 -1013 см"3, температура подложки Т=600 °С, потенциал смещения подложки Усм=-35 В, технологический метод).

3. Впервые экспериментально получено трехкомпонентное B-N-C (бор, азот и углерод) соединение, построенное на основе решетки алмазного типа, которое ранее было предсказано теоретически как сверхтвердая фаза, и исследована его структура.

4. Получены пленки новой сверхтвердой гранецентрированной кубической (ГЦК) фазы углерода методом лазерной абляции мишени из порошка ультрадисперсного алмаза в атмосфере водорода. (Условия получения: длина волны лазера А,=698 нм,

О Л плотность мощности W=5 * 10 Вт/см , длительность импульса

6 3 т=10" с, давление в камере Р=10~ Па, лабораторный метод).

5. Изучена атомная (ТЕМ) и электронная структура (ФЭС, Оже, ЭСХА, ЭСХПЭЭ) пленок, а также колебательные спектры (КР), подтверждающие факт получения новой фазы углерода с гранецентрированной кубической структурой (ГЦК).

6. Методом Хаббарда произведен расчет электронной структуры ГЦК углерода, объясняющий диэлектрические свойства новой фазы.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались на:

1. Хвостов В.В., Гудень B.C., Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Напыление c-BN пленок из кластерных пучков, формируемых лазером. Труды X межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 3-8 июля 2000г. с. 197-201.

2. Guseva М.В., Babaev V.G., Khvostov V.V., Bregadze A.Y. Guden V.S., Cubic boron nitride films production by claster flow condensation method. Abstracts of the 11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide, 3-8 September 2000, Porto, Portugal, 5.9.12

3. Гудень B.C., Бабаев В.Г., Хвостов В.В., Гусева М.Б. Получение и исследование нанокристаллических плёнок кубического нитрида бора. Сборник докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие плёнки в электронике», том «Алмазные плёнки и плёнки родственных материалов», 23-27 апреля 2001, Харьков, Украина, с. 258-261.

4. Babaev V.G., Savchenko N.F., Guseva М.В., Yaullin V.P., Guden V.S., Khvostov V.V. "c-BN coating produced by arc-jet plasma", Abstract book of the 3rd International Conference "Novel applications of wide bandgap layers", June 26-30, 2001, Zakopane, Poland, p. 117.

5. Guseva M.B., Vaullin V.P., Babaev V.G., Fatov M., Guden V., Konyashin I. Arc-jet deposition of c-BN films. Abstract book of the 12th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes,

Nitrides & Silicon Carbide, 2-7 September 2001, Budapest Marriott Hotel, ■

Budapest, Hungary, 15.8.03;

6. M.Guseva, V.Babaev, V.Guden, V.Klivostov, A.Bregadze, I.Konyashin, "Deposition of cubic boron nitride by laser ablation", Diamond and Related Materials, 10(3-7) (2001) 1385-1389;

7. V.G.Babaev, N.F.Savchenko, M.B.Guseva, Y.S.Guden, V.V.Khvostov, E.P.Vaulin, L.V.Feoktistov, I.Konyashin, "c-BN-containing coatings produced by arc-jet plasma", Journal of Wide Bandgap Materials, 9(3) (2002) 177-183.

Достоверность полученных результатов подтверждается использованием современного оборудования и новых современных методов обработки результатов. Электронно-микроскопические исследования производились на электронном микроскопе JEM-100C и на микроскопе высокого разрешения JEOL-4000EX. Полученные электронограммы записывались видеокамерой в режиме реального времени. Спектры комбинационного рассеяния снимались на КР спектрометре Jobin Yvon. Расчет распределения кристаллического потенциала производился по методу Паттерсона на основе распределения интенсивностей колец электронной дифракции. Электронно-спектроскопические исследования производились при помощи Оже-спектрометра RIBER и ESCALAB-5 (ЭСХА).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, выводов, приложений и списка литературы. Общий объем работы составляет 167 страниц, в том числе, 75 рисунков, 21 таблицу и список цитируемой литературы, включающий 72 наименования, и 2 приложения. Содержание работы

Выводы

1. Получены пленки кубического нитрида бора лазерным испарением мишени из ультрадисперсного порошка (c-BN+УДА), состоящие из кристаллов c-BN размером 20 А с алмазным ядром порядка 12А. (Условия получения: длина волны лазера А,=698 нм, о л плотность мощности W=5*10 Вт/см , давление в камере

• •} г

Р=1(Г Па, длительность импульса т=10" с, лабораторный метод).

2. Реализовано получение пленок кубического нитрида бора (c-BN) конденсацией плазменных потоков в установке электродугового генератора плазмы. (Условия получения: плотность частиц п=1012-1013 см"3, температура подложки Т=600 °С, потенциал смещения подложки VCM=-35 В, технологический метод).

3. Впервые экспериментально получено трехкомпонентное B-N-C (бор, азот и углерод) соединение, имеющее кристаллическую решетку алмазного типа, которое ранее было предсказано теоретически как сверхтвердая фаза, и исследована ее структура.

4. Получены пленки новой сверхтвердой гранецентрированной кубической (ГЦК) фазы углерода методом лазерной абляции мишени из порошка ультрадисперсного алмаза в атмосфере водорода. (Условия получения: длина волны лазера ^бРВ нм, о плотность мощности W=5*10 Вт/см , длительность импульса

6 3 т=10" с, давление в камере Р= 10" Па, лабораторный метод).

5. Методом Хаббарда произведен расчет электронной структуры ГЦК углерода, объясняющий диэлектрические свойства новой фазы.

6. Изучена атомная (ТЕМ) и электронная структура (ФЭС, Оже, ЭСХА) пленок а также колебательные спектры (КР), подтверждающие факт получения новой фазы углерода с гранецентрированной кубической структурой (ГЦК).

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю Мальвине Борисовне Гусевой за помощь и внимательное отношение при создании моей работы, Владимиру Георгиевичу Бабаеву, Валерию Владимировичу Хвостову и Наталье Федоровне Савченко за участие в проведении экспериментов и помощь в интерпретации результатов, а также всем, кто поддержал меня во время работы над диссертацией.

1. Y. Moriiyoshi, S. Komatsu, Key. Eng. Mater. 1995, 111/112, 267

2. H. Sailoh, W. Yarbrough, Diamond Rel. Matter. 1995,1,137

3. S. Hyder, T. Yep, J. Electrochem. Soc. 1976, 723, 1721

4. R. Rosier, Solid State Tecnol. 1977,20,63

5. O. Garfi, A. Grill, D.Itzak,Thin Solid Films. 1989,72,523 i

6. D.Brors, Proc. SPIE 1982,333,111

7. A.Chayahara, H.Yokoama, T.Imura, Jpn. J. Appl. Phys. 1988,27,440

8. M. Okamoto, Y. Utsumi, Y. Osaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 3455

9. T. Goto, Т. Takana, H. Masumoto, T. Hirai, J. Matter. Sci. 1994,5, 324

10. H. Saitoh, W.Yarbrough, Appl. Phys. Lett. 1991,58,2482

11. H.Saitoh, W. Yarbrough, Appl. Phys. Lett 1991,58,2228

12. H. Yokoyama, Y. Osaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1991,30,344

13. M. Okamoto, H. Yokoyama, Y. Osaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1990,29,930

14. A. Chayahara, H. Yokoyama, T. Imura, Y. Osaka, Appl. Surf. Sci. 1988,34/34,561

15. F. Kiel, M.Cotarelo, M. Delplancke, W. Rinand, Thin Solid Films. 1995, 270,118

16. Y. Osaka, A. Chayahara, H. Yokoyama, M. Okamoto, Mater. Sci. Forum. 1990,54/55,277

17. A. Bartl, S. Bohr, R. Haubner, B. Lux, Int. J. Refract. Mat. Hard. Matter. 1996,14,145

18. S. Komatsu, Y. Mariyoshi, M. Kassamatsu, US Patent 5286553,1994

19. J. M. Mendez, S. Muhl, M. Farias, Surf. Coat. Technol. 1991,41,422

20. A. Weber, U. Bringmann, R. Nikulski, Surf. Coat. Technol. 1991,60,493 21.1. Konyashin, J. Loeffler, J. Bill, Proc 14th Int. Plansee Sem, 1997,3,41

21. J. Loeffler, F. Steinbach, J. Bill, Z. Metallkd. 1996,87,170

22. R. Tsang, C. Rego, P. May, M. Ashfold, Diamond Relat. Mater. 1997,6,247

23. T. Ichiki, T. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 1994,64,851

24. Т. Ichiki, Т. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys.1994,33,4385

25. T. Ichiki, T. Momose, T. Yoshida, J. Appl. Phys. 1994,75,1930

26. J. Loeffler, I. Konyashin, J. Bill, Diamond Relat. Mater. 1997,6,608

27. W. Dworschak, K. Jung, H. Ehrhardt, Diamond Relat. Mater. 1994,3,337

28. W. Dworschak, K. Jung, H. Ehrhardt, Thin Solid Films 1995, 254,65

29. W. Wang, K. Liao, J. Gao, Phys. Status Solidi A 1993,139, K25

30. Y. Ichinise, H. Saitoh, Y. Hirotsu, Surf. Coat. Technol. 1990,43/44,116

31. M. Karim, D. Cameron, M. Murhy, M. Hashmi, Surf. Coat. Technol. ' 1991,49,416

32. Y. Duo, Z. Song, Y. Zhang, F. Zhang, G. Chen, Phys. Status Solidi A 1994,143, K13

33. F. Zhang, Y. Guo, Z. Song, G. Chen, Appl. Phys. Lett. 1994,65,971

34. Z. Song, F. Zhang, Y. Guo, G. Chen, Appl. Phys. Lett. 1994,65,2669

35. A. Michalski, S. Sobczaka, J. Chem. Vap. Deposition 1994,3,147

36. S. Shapoval, V. Petrashov, O. Popov, C. Lok, Appl. Phys. Lett. 1990,57,1885

37. P. Molian, J. Mater. Sci. 1994,29,5646 ■

38. D. McKenzie, W. Sainty, D. Gree, Mater. Sci. Forum 1990,54/55,193

39. M. Murakawa, S. Watanabe, S. Miyake, Diamond Films Technol. 1991,1,55

40. T. Ikeda, T. Satoy, H. Saitoh, Surf. Coat. Technol. 1991,50,33

41. R. Geicka, C. Perry, S. Rupperecht, Phys. Ref. 1966,146,543

42. H. Saitoh, K. Yoshida, W. Yarbrogh, J. Mater. Res. 1993,8,8

43. S. Kinder, C. Taylor, R. Clarke, Appl. Phys. Lett. 1994,64,1859

44. J. Hubbard, Proc. Roy Soc. A 1963, v. 276, p. 238; 1964, v. 281, p. 401; 1965, v. 285, p. 541.

45. ИзюмовЮ. А. Усп.физ.наук., 1991т. 161,№ll,c.l; 1995,т.165, c.403.

46. R. Jackman, L. Chua, J. Foord, Diamond Relat. Mater. 1995,4,740

47. Konyashin, J. Bill, A. Aldinger, Diamond Relat. Mater., in press

48. H. Hirai, K. Kondo, H. Sugiura, Possible structural models of n-diamond: A modified form of diamond, Appl. Phys. Lett. 61(4), 27 July 1992, pp. 414416.

49. L. Palatnik, M. Guseva, Y. Babaev, N. Savchenko, Falko, On g-carbon, Sov. Phys. JETP 9 (1984) pp. 914-918.

50. H. Hirai, K. Kondo, Modified phases of diamond formed under shock compression and rapid quenching, Science 253 (1991) pp. 772-774.

51. S. Endo, N. Idani, R. Oshima, К. Takano, M. Wakatsuki, X-Ray diffraction and transmission-electron microscopy of natural polycrystalline graphite recovered from high pressure, Phys. Rev. В 49 (1994) pp. 22-27.

52. M. Rossi, G. Vitali, M. L. Terranova, V. Sessa, Experimental evidence of different crystalline forms of chemical vapor deposited diamond films, Appl. Phys. Lett. 63 (20), 15, 1993, pp. 2765-2767

53. S. Wessmantel, G. Reisse, B. Keiper, S. Schulze «Microstructure and mechanical properties of pulsed laser deposited boron nitride films», Applied Surface Science (1998), 127-129.

54. Konyashin, A. Zern, J. Mayer, F. Aldinger, V. Babaev, V. Khvostov, M. Guseva, A new carbon modification: 'n-diamond' or face-centred cubic carbon? Diamond and Related Materials 10(1) (2001), pp. 99-102.

55. Валиулова 3. X. Ультрадисперсные алмазы и пленки на их основе. Диссертация к.ф.-м.н. М. 1995.

56. М. Leleyter, P. Joyes, Journal de Physique V.36 05.1975, 343.

57. Курдюмов А. В., Малоголовец В. Г., Новиков Н. В., Пилянкевич А. Н. «Полиморфные модификации углерода и нитрида бора», Москва 1994.

58. М. Frenklach, R. Kematick, W. Howard, К. Spear, Homogeneous nucleation of diamond powder in the gas phase, J. Appl. Phys. 66 (1989) pp. 395-399.

59. H. Saitoh, W. A. Yarbrough «Grown of cubic boron nitride from vapor phase» Diamond and Related Materials V.l (1992), 137-146.

60. V. G. Babaev, N. F. Savchenko, M. B. Guseva, V. S. Guden, E. P. Vaulin, L. V. Feoktisov, V. V. Kvostov, I. Konuashin, "c-BN coatings produced by ARC-jet plasma". 3rd International Conference "Novel applications of wide bandgap layers", Poland, 2001.

61. M. Б. Гусева, В. С. Гудень, В.Г. Бабаев, В. В. Хвостов, Е. Н. Шулешов «Осаждение пленок c-BN методом лазерной абляции», 4-е

62. Всероссийское совещание: Нитриды галия, индия и алюминия -структуры и приборы, СПбГТУ 2000, 60-64.

63. В. С. Гудень, В.Г. Бабаев, В. В. Хвостов, М. Б. Гусева, «Получение и исследование нанокристаллических пленок кубического нитрида бора», 12-й Международный симпозиум «Алмазные пленки и пленки родственных материалов», сборник докладов 258-261.

64. Guseva М. В, Vaullin V. P., Babaev V. G.*, Fatov М., Guden V., Konyashin I., «Arc-jet deposition of c-BN films». Diamond 2001, 12th Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide.

65. В. С. Гудень, В.Г. Бабаев, M. Б. Гусева, «Напыление c-BN пленок из кластерных пучков, формируемых лазером», X Международное совещание «Радиационная физика твердого тела» М.2000, 197-201.

66. Н. Hirai, К. Kondo, Н. Sugiura, Possible structural models of n-diamond: A modified form of diamond, Appl. Phys. Lett. 61(4), 27 July 1992, pp. 414416.

67. H. Д. Новиков, M. Б. Гусева, В.Г. Бабаев, В. В. Хвостов, Д. Н. Новиков, Структура сверхтонких пленок линейно-цепочечного углерода,

68. Вестн.моск.унив-та, секция 3. Физика. Астрономия. №2, 2002г. 57-60.

69. ВТ. Бабаев, М. Б. Гусева, В. В. Хвостов, «Образование точечных § дефектов на поверхности NaCl при облучении медленными ионами»,

70. Вестник московского университета, секция 3. Физика. Астрономия. №6, 1989г. стр. 53-58.

71. Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники: Учебник для ВУЗов.- М.: Высшая школа, 1982.

72. Т. Feng, В. D. Schwartz, J. Appl. Phys.73(3), p. 1415-1425.

73. P. Hayward, K. J. Baldwin, D. M. Hunter, D. N. Batchelder, G. D. Pitt, Diamond Relat. Materials 4(1995) p. 617-621.