Влияние толщины и легирования азотом углеродных покрытий на электропроводность и механические свойства системы "кремний - покрытие" тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

Суджанская Ирина Васильевна

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ И ЛЕГИРОВАНИЯ АЗОТОМ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ «КРЕМНИЙ - ПОКРЫТИЕ»

Специальность 01 04 07 - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ргв ОД

2 е ЛВГ 2008

Белгород 2008

003445472

Работа выполнена в Белгородском государственном университете

НАУЧНЫЙ РУКОВОДИТЕЛЬ- кандидат физико-математических наук

Колпаков А Я

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ доктор технических наук, профессор

Бакалин Ю И

Защита состоится «17» сентября 2008 г в «16» часов на заседании диссертационного совета Д 212 015 04 при Белгородском государственном университете, 308015, г Белгород, ул Победы, 85

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Белгородского государственного университета

Автореферат разослан <«^3» Ш&&Я 2008 г Ученый секретарь

кандидат физико-математических наук Савранский В В

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ Тамбовский государственный

университет им ГР Державина

диссертационного совета

Беленко В А

Общая характеристика работы

Актуальность темы.

Тонкие покрытия, получаемые конденсацией углеродной плазмы на холодной подложке, обладают свойствами, близкими к свойствам алмаза (высокой твердостью, низким коэффициентом трения, химической инертностью и т д) Многочисленными исследованиями структуры получаемых конденсатов показано, что в них преобладает тетраэдрический тип связи между атомами углерода на уровне ближнего порядка, характеризуемый Бр3 - гибридизацией атомных электронных орбиталей Основные свойства данных покрытий (плотность, показатель преломления, электропроводность, прочность) зависят от условий их формирования (содержания азота, толщины покрытий, температуры подложки и тд) и определяются процентным соотношением фаз с различной гибридизацией атомных электронных орбиталей (ер3, яр2 и эр) Кроме того, структура покрытия зависит от степени ее дефектности, а именно наличия точечных дефектов, пор, примесных атомов

По материалам научных публикаций можно сделать вывод, что одним из наиболее перспективных методов модифицирования поверхности кремния является нанесение тонких покрытий углерода, легированных азотом, что позволяет изменять в широких пределах ширину запрещенной зоны системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний», а также механические свойства, которые зависят как от способов синтеза, так и от параметров формирования покрытий Это открывает новые перспективы для использования этих покрытий в датчиках температуры и излучения, а также в некоторых областях нанотехнологии, в частности, в сканирующей зондовой микроскопии

Однако в приведенных работах практически нет данных о влиянии сверхтонких (толщиной до 100 нм) легированных азотом углеродных покрытий, полученных импульсным вакуумно-дуговым методом на микротвердость и трещиностойкость системы «кремний - покрытие», а также недостаточно исследований о влиянии этих покрытий на ее износостойкость

Кроме того, существующие модели формирования углеродных покрытий в условиях ионной бомбардировки не учитывают влияния легирующего газа азота на свойства получаемых конденсатов, что затрудняет определение основных параметров процесса, влияющих как на электропроводность, так и на механические свойства системы «кремний - покрытие»

Таким образом, проведение исследований в данном направлении актуально как в научном плане, так как расширит представления о механизме формирования и свойствах сверхтонкого углеродного покрытия, легированного азотом, на кремнии, так и в прикладном аспекте с учетом возможности применения результатов исследований в нанотехнологии

Цель работы: Комплексное исследование электропроводности и механических свойств системы «углеродное покрытие, легированное азотом, толщиной до 100 нм - кремний» в зависимости от параметров процесса

формирования. Разработка способа формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия манометровой толщины, с перспективой использования в нанотехнологии

Научная новизна работы

1 С использованием предложенной в данной работе феноменологической модели формирования углеродных покрытий при наличии газа азота, основанной на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, определены параметры процесса формирования легированного углеродного покрытия поток нейтральных атомов углерода и азота, ионов углерода, коэффициенты распыления и отражения, количество межузель-ных атомов, плотность, влияющие на свойства формируемого конденсата.

2 Получены зависимости электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от давления азота и толщины покрытий, на основании которых определены режимы процесса формирования легированного углеродного покрытия, полученного импульсным вакуумно-дуговым методом Предложены объяснения полученных результатов зависимости электропроводности покрытия от его толщины на основании размерного эффекта, а также возможных изменений структуры

3 В процессе экспериментальных исследований получена зависимость микротвердости и трещиностойкости кремния без покрытия и кремния с легированным углеродным покрытием толщиной 50 и 100 нм от нагрузки на индентор Определено, что нанесение легированных азотом углеродных покрытий на поверхность кремния толщиной до 100 нм приводит к увеличению микротвердости, что связано с перераспределением напряжений на большую площадь, кроме того, углеродное покрытие может играть роль «сверхтвердой смазки», что уменьшает вероятность локализации напряжений в отдельных точках соприкосновения материала с индентором Установлена корреляционная связь между микротвердостью и трещино-стойкостью

4 Показано, что зависимость износостойкости системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от давления азота в вакуумной камере при его формировании и толщины покрытия определяется изменением соотношения фаз с Бр3 и эр2 - гибридизацией атомных электронных орбиталей и увеличением степени шероховатости, начиная с 75 нм

5 Результаты, полученные в ходе исследований, использованы при оформлении заявки на изобретение «Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме» Практическая ценность работы.

Результаты экспериментальных исследований, полученные в работе, расширяют представления о процессах формирования и свойствах сверхтонких углеродных азотсодержащих покрытий, что может быть использовано в нанотехнологии Полученные технические решения обладают патентоспо-

собностью и использованы при разработке способа формирования

сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1 Феноменологическая модель формирования углеродных покрытий, основанная на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, но с учетом наличия газа азота, с использованием которой определены основные параметры процесса формирования, влияющие на электропроводность и механические свойства покрытия

2 Результаты исследований электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» в зависимости от давления азота и толщины покрытия, на основании которых установлено, что с уменьшением толщины покрытия электропроводность уменьшается Объяснение полученных результатов зависимости электропроводности покрытия от его толщины на основании размерного эффекта, а также возможных изменений структуры

3 Эффект повышения микротвердости и трещиностойкости кремния в результате нанесения углеродного покрытия, легированного азотом, толщиной до 100 нм Результаты анализа полученных данных на основе моделирования методом конечных элементов и кинетической теории прочности

4 Метод определения дефектности поверхности кремния, облученной ионами аргона, по зависимости величины микротвердости от нагрузки на ин-дентор Объяснение причины уменьшения микротвердости системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» на основе анализа процессов миграции радиационных дефектов, образующихся в результате ионной бомбардировки

5 Результаты исследований износостойкости системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от параметров процесса формирования качественно совпадающие с результатами моделирования процесса формирования углеродного покрытия

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на следующих научно-технических конференциях

• Научно-практическая конференция материаловедческих Обществ России по проблеме «Создание материалов с заданными свойствами методология и моделирование» - М МИФИ, 22-26 ноября, 2004.

• 4-й Научно-практический симпозиум «Функциональные покрытия для повышения качества поверхностей изделий машиностроения» - Харьков ННЦХФТИ, 16-20 мая, 2005

• Международная молодежная научная конференция «XXXI Гагаринские чтения» - Москва МАТИ, 5-9 апреля, 2005

• Международная школа-конференция молодых ученых «Физика и химия наноматериалов» - Томск, 13-16 декабря, 2005

• Международная молодежная научная конференция «XXXII Гагаринские чтения» - М МАТИ, 4-8 апреля, 2006

• 5-ая Международная конференция «Углерод фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология» -М МГУ, 18-20 октября, 2006г

• Международный научно-практический симпозиум «Наноструктурные функциональные покрытия для промышленности» - Харьков ННЦ ХФТИ, 2-6 октября, 2006.

• Российская школа-конференция молодых ученых и преподавателей, Белгород, 25 сентября-1 октября, 2006

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 12 работах, список которых приведен в конце автореферата

Личный вклад автора в проведении исследований и получении результатов является определяющим Все результаты, приведенные в диссертации, получены либо самим автором, либо при его непосредственном участии

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы и двух приложений Полный объем работы составляет 144 страницы

Основное содержание работы Во введении обоснована актуальность проблемы, определены цель и задачи исследования Сформулированы основные положения, выносимые на защиту, охарактеризованы научная новизна и прикладная ценность полученных результатов Схематично изложено содержание диссертации Первая глава является обзорной и состоит из четырех разделов В разделе 11 проанализированы научные публикации, связанные с основными аспектами применения кремния в нанотехнологии

В разделе / 2 приведена классификация направлений и методов модифицирования свойств кремния Проанализированы работы, посвященные модифицированию оптических, электрических свойств кремния, рельефа поверхности, а также механических свойств Основное внимание уделено публикациям, связанным с модифицированием поверхности кремния тонкими покрытиями

В разделе 13 проанализированы особенности структуры углеродных покрытий, а также теоретически предсказанные свойства нитрида углерода Проведен анализ работ, связанных с влиянием методов формирования азотсодержащих углеродных покрытий на их свойства

В разделе 14 рассмотрены основные физические модели процессов формирования углеродных покрытий

На основании анализа материалов научных публикаций сделан вывод, что физические методы модифицирования поверхности кремния позволяют изменять его оптические, электрические, механические свойства, а также рельеф поверхности

Одним из наиболее перспективных методов является нанесение углеродных покрытий, легированных азотом на поверхность кремния, что позволяет изменять в широких пределах ширину запрещенной зоны, а также его механические и оптические свойства, которые зависят как от способов синтеза, так и от параметров их формирования, что делает его перспективным в области нанотехнологии

Однако в исследовательских работах недостаточно внимания уделено влиянию сверхтонких (до 100 нм) углеродных покрытий на микротвердость, трещиностойкость и износостойкость системы «кремний - покрытие» Кроме того, существующие модели формирования углеродных покрытий в условиях ионной бомбардировки не учитывают влияния легирующего газа азота на свойства получаемых конденсатов

Вторая глава посвящена разработке феноменологической модели формирования углеродного покрытия в условиях ионного облучения при наличии газа азота Получено уравнение для скорости роста углеродного покрытия из потока, генерируемого импульсным вакуумно-дуговым источником плазмы, при напуске газа в вакуумную камеру

Скорость роста углеродного покрытия из потоков нейтральных атомов J„e с тепловыми скоростями и ионов углерода JlonC со средней энергией, превышающей пороговую энергию смещения для атомов углерода, будет определяться следующим выражением

У* ={ J" + ~-Л-с№■ в) + Y(E,,в) + R(E,,в)\ Я(1) Рг

где N,(E,,0) - количество частичных межузельных атомов, У(Епв) - коэффициент распыления, R(E„9) - коэффициент отражения, p°f - атомная плотность

В случае бомбардировки формируемого конденсата ионами углерода с энергией недостаточной для образования радиационных дефектов (£,<£,,) выражение (1) преобразуется к виду

V = ("'+Jcmc)eü, (2) Pf

где со - средний объем, приходящийся на атом углеродного покрытия, равный 0,6*10'23 м

Выражение (2) определяет скорость формирования углеродного покрытия с атомной плотностью pf,(p°<pf<i)

p/=»;f o)

'de

При напуске газа в вакуумную камеру к потоку нейтральных атомов углерода добавится поток нейтральных атомов газа J„v, что увеличит скорость

роста покрытия, которая будет определяться выражением

у ={ J" + ■>•« j [к л {E¡ ^ в) + Y(E¡; д) + R(E¡ ^ д)] ^ (4)

Pf

Это приведет к уменьшению плотности формируемого покрытия

(5)

На рис 1 приведены профили залегания ионов, находящихся в положении частичных межузельных атомов в аморфном углеродном покрытии, и углеродном покрытии, сформированном при напуске в вакуумную камеру азота, полученные компьютерным моделированием атомных столкновений, вызванных ионами углерода с энергией 100 эВ в среде программы БИМ-гООб

Ion Туре = С ( 12 *«u> Ion Energy = loe eV Ion Anglo = 8 degrees ГАМЕТ LAVEES Depth Density CM 1«. 2 BBS «

Я

CON

Ion Cospleted* 999( 999) Bacbscattered lons = Trtmnlttej lons -

Range Straggle Longitudinal^ 9A 4A

Lateral ProJ= ЗА 4A Radial ~ БА 2A

Uac /Ion = 14

19 86 zs ra 1 6S 8 64 28 28 23 87

Sputtering* 8 865/Ion

_,_,_lo

Depth -> SOA

a)

Ion Type s с ( 12 ami) M Ion Energy = 106 cU g

Ion Angle : 0 degrees о

TARGET LAYERS Depth tensity \ С lum 3 206 ОТ

Ion Completed* 999( 999) Backscattered Ions = Transmitted Ions =

Range Straggle Longitudinals 5ft 2A •

Lateral Pro J= ZA ZtK ,

Radial = ЗА 1A

Vac /Ion = 14

29 19 35 82 1 46 В 56 23 51 19 33

ION RANGES

Ion Ranges 5A Straggle = ZA

Skeuness = Kurtosis s

0 3362 2 5110

19x10 16x10 14x10 12x10 10x10'

axio®

flxlO® *«10e 2x10®

Sputtering: 9 879/Ion

6)

Рис 1 Профили залегания ионов углерода, находящихся в положении частичных межузельных атомов, полученных компьютерным моделированием атомных столкновений, вызванных ионом с энергией 100 эВ а) при содержании азота в углеродном покрытии -10%, б) безазотное углеродное покрытие

Значение пороговой энергии смещения Еа для углерода принято равным средней величине энергии смещения для графита - 25 эВ

Анализируя полученное уравнение для скорости роста углеродного покрытия, а также результаты компьютерного эксперимента сделаны следующие выводы

• существующая корреляционная связь между плотностью формируемого покрытия и его физико-механическими свойствами позволяет сделать предположение об ухудшении этих свойств по мере повышения давления газа, напускаемого в вакуумную камеру,

• по результатам моделирования с использованием компьютерного эксперимента получено, что глубина залегания имплантированных атомов углерода при одной и той же энергии, но при наличии газа увеличивается, это приведет к уменьшению эффекта уплотнения и соответственно к увеличению доли фазы с Бр2- гибридизацией электронов атомов углерода,

• увеличение давления газа, напускаемого в камеру, может повлиять не только на соотношение ионизированного и нейтрального компонентов приходящих на подложку, но также на среднюю величину энергии ионов углерода в результате рассеяния на газе,

• уменьшение плотности получаемого покрытия приведет к увеличению доли фазы с 5р2-гибридизацией электронов атомов углерода и соответствующему повышению его электропроводности

В третьей главе, состоящей из шести разделов, приведены результаты экспериментальных исследований и даны объяснения полученных результатов

В разделе 3 1 описано оборудование, материалы и методы, использованные при проведении экспериментальных исследований, методики обработки результатов

В разделе 3 2 представлены результаты экспериментальных исследований электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом -кремний» в зависимости от параметров процесса формирования

РИ.Па

Рис 2 Зависимость электропроводности углеродных покрытий (сг), легированных азотом на подложках из ситалла - 1, на подложках из кремния - 2 от давления азота (РЫ), толщина покрытий 100 нм

Электропроводность углеродных покрытий, легированных азотом, как на кремниевой, так и на ситалловой подложках увеличивается по мере увеличения давления азота до 0,1 Па Увеличение электропроводности при повышении давления азота связано с увеличением доли фазы с Бр2 - гибридизацией валентных электронов по сравнению с ер3, что качественно подтверждает результаты моделирования, приведенные в главе 2 Уменьшение электропроводности в диапазоне 0,1 - 0,15 Па можно объяснить увеличением содержания непроводящей фазы

Оже-спектроскопия энергетического спектра электронов позволила определить процентное содержание азота в углеродном покрытии, которое составило 7% и 10% для конденсатов, полученных при давлении азота 0,01 Па и 0,1 Па, соответственно При давлении 0,01 Па наблюдается пик аргона, при увеличении давления азота до 0,1 Па наблюдается увеличение интенсивности дополнительного пика азота, свидетельствующего об образовании соединения азота с углеродом.

Получена зависимость электропроводности легированных углеродных покрытий от толщины в диапазоне 20- 100 нм

Рис 3 Зависимость электропроводности легированных углеродных покрытий (<т) на кремниевой подложке от толщины (с?) Давление азота 0,1 Па

Установлен нелинейный характер зависимости электропроводности от толщины углеродных покрытий, легированных азотом, что характерно для нанообъектов Предложено объяснение полученных результатов на основе классического и квантового размерного эффекта, а также возможных изменений структуры

Наиболее приемлемой теорией для объяснения является теория квантовых размерных эффектов в полупроводниках, согласно которой в пленках появляются специфические механизмы рассеяния, связанные с поверхностными дефектами, границами, а именно - увеличение ширины запрещенной зоны в твердом теле, связанное с ограничением его по одной или нескольким координатам При создании границ возникают дискретные уровни квантования Это подтверждается результатами исследований поверхности кремния с

легированным углеродным покрытием с использованием сканирующей зондовой микроскопии в режиме отображения сопротивления, приведенными на рис. 4, 5. Кластеры с размерами порядка 100 - 10 нм с неоднородным распределением электропроводности по поверхности можно классифицировать как наноточки, размер которых уменьшается по мере уменьшения толщины покрытия.

шг

-8.8 8.5

мши

Рис. 4. Сканы поверхности кремния с легированным азотом углеродным покрытием толщиной 100 нм, полученные в режимах атомно-силовой микроскопии (слепа) и отображения сопротивления растекания (справа)

ОД 0,4 0,6 0,8 1,0 Х2 1/1 1,8 (От!

Рис. 5. Скан поверхности углеродного покрытия, легированного азотом, толщиной 30 нм на подложке кремния, полученный в режиме отображения сопротивления растекания. Размер элементарного кластера порядка 10 нм

И

На основе полученной зависимости электропроводности покрытий от температуры рассчитана ширина запрещенной зоны системы «кремний -углеродное покрытие, легированное азотом», которая составила 0,19 эВ Таким образом, изменяя степень легирования углеродного покрытия азотом, можно изменить ширину запрещенной зоны в пределах от 1,12 эВ, соответствующей кремнию, до 0,19 эВ При этом необходимо учитывать, что при толщине покрытия менее 80 нм проявляется размерный фактор, приводящий к увеличению ширины запрещенной зоны

В разделе 3 3 представлены результаты исследований зависимости микротвердости кремниевой пластины без покрытия и кремния с углеродным покрытием, легированным азотом, толщиной 50 и 100 нм от нагрузки

Установлено, что микротвердость системы «углеродное покрытие, легированное азотом, толщиной 100 нм - кремний» превышает микротвердость кремния без покрытия в 1,3 раза при нагрузке 0,098 Н, в 1,5 раз при нагрузках 0,196-294 Н, в 1,6 - при 0,392 Н Начиная с 0,49 Н, вклад покрытия в увеличение микротвердости уменьшается Это может быть связано с перераспределением нагрузки на большую площадь, что подтверждено результатами компьютерного моделирования процесса индентирования, выполненного в среде программы Е1ст 5 1

12

10

£ 6

К

0 098 0,196 0 294 0 392 0 49 0 588 Р,Н

Рис 6 Зависимость микротвердости (#у) от величины нагрузки (Р) и толщины

углеродного покрытия на кремнии 1 - кремний без покрытия, 2 - кремний с легированным азотом углеродным покрытием, толщиной 50 нм, 3 - кремний с легированным азотом углеродным покрытием толщиной 100 нм

Кроме того, на величину микротвердости могут влиять трещины, образующиеся при микроиндентировании

В разделе 3 4 приведены результаты исследований трещиностойкости кремния с углеродным покрытием, легированным азотом

С помощью оптической микроскопии исследованы отпечатки от индентора на кремниевой пластине без покрытия и на кремнии с углеродным покрытием, легированным азотом, толщиной 100 нм при нагрузках 0,196 Н, 0,392 Н, 0,588 Н Анализ свидетельствует о существенном увеличении не только

микротвердости, но и трещиностойкости кремниевой подложки при нанесении на него углеродного покрытия, легированного азотом, толщиной 100 нм.

С использованием сканирующей зондовой микроскопии изучены особенности отпечатка индентора на кремнии без покрытия и с легированным углеродным покрытием, толщиной 100 нм. Установлено наличие ступеней на внутренней поверхности отпечатка на кремнии без покрытия (рис. 7 а).

б)

Рис. 7. Сканы внутренней поверхности отпечатков от индентора на подложке кремния без покрытия (а) и кремниевой подложки с углеродным покрытием толщиной 100 нм, легированным азотом (б)

Наличие ступеней внутри отпечатка индентора объяснено на основании положений кинетической концепции прочности твердых тел, в которой

рассматриваются физические процессы образования первичных дефектов в процессе нагружения с их последующей коалесценцией в более крупные дефекты (поры и трещины) Ступенчатость процесса можно рассматривать как локализацию напряжений при индентировании до критической величины с накоплением дефектов и последующим образованием микротрещин, что приводит к частичной релаксации напряжений Затем этот процесс повторяется многократно

Получена зависимость средних длин трещин исходной кремниевой пластины и системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от нагрузки на индентор

Р.Н

Рис 8 Зависимость средних длин трещин {1ср) кремниевой пластины (1) без покрытия и кремния с углеродным покрытием, легированным азотом, толщиной 50 нм (2) и 100 нм (3)

от нагрузки (Р)

Установлено, что трещиностойкость кремния с легированным углеродным покрытием толщиной 100 нм превышает трещиностойкость кремния в 12 раз при нагрузке 0,196 Н, в 3 раза - при 0,294 Н, в 2 раза - при 0,392 Н, при нагрузках 0,49 и 0,588 Н в 1,3 и 1,2 раза, соответственно

Предложены объяснения полученных экспериментальных результатов на основе теории Гриффитса и кинетической концепции прочности Углеродное покрытие может перераспределять напряжения, возникающие при индентировании, и играть роль «сверхтвердой смазки», что уменьшает вероятность локализации напряжений в отдельных точках соприкосновения материала с индентором, исключая адгезионное взаимодействие, что в свою очередь уменьшает вероятность образования трещин

Приведены результаты анализа корреляционной связи микротвердости и трещиностойкости кремниевой пластины без покрытия и кремния с легированным углеродным покрытием Установлено, что между этими величинами существует сильная корреляционная зависимость

В разделе 3 5 представлены результаты исследований влияния облучения ионами аргона на дефектность поверхности кремния, определяемую по зависимости величины микротвердости от нагрузки на индентор Эти исследования необходимы для объяснения причины уменьшения микротвердости

системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» при малых нагрузках на индентор (0,098 Н).

0,098 0,196 0,294 0,392 0,49 0,588 Р.Н

Рис. 9. Зависимости величины микротвердости от величины нагрузки на индентор.

1 - необлученный кремний; 2 - кремний, облученный ионами аргона с дозой 180 Дж/см2;

3 - кремний, облученный ионами аргона с дозой 360 Дж/см:

Определив глубину проникновения индентора с помощью сканирующей зондовой микроскопии можно оценить толщину дефектного слоя, насыщенного вакансиями при определенной нагрузке. Эта глубина оказалась существенно больше, чем глубина залегания вакансий, вызванных динамической стадией процесса атомных столкновений, вызванных ионной бомбардировкой, порядка 34 А (рис. 10). Сделано предположение, что, это вызвано термически стимулируемой диффузией вакансий.

Ion Type = Ar ( 48 amu) Ion Energy = 1 keU Ion Angle = 8 degrees TARGET LAVERS Depth Density Silicon lun 2.321

Ion Completed- 999C 999) Backscattered Ions = Transmitted Ions =

Range Straggle Long itud ina1= 34A ISA La t era 1 Proj= 11A 14A Radial = 1BA 18A

Uac./Ion = 19.7

8.89 34.55 1.27 Z.42 7.04 45.82

Sputtering= 8.527/Ion

----Jo

- Depth -> 1B8A

Рис. 10. Распределение вакансий по глубине кремния, полученных моделированием в программе БШМ, при энергии ионов аргона 1,0 кэВ

Дифференциальное уравнение для концентрации вакансий имеет вид

^-оЩ. (6)

Ы " дхг '

Решение уравнения (6) можно получить, предположив для упрощения, что вакансии расположены в слое толщиной Иу, и их начальная концентрация, усредненная по толщине этого слоя, составляет Ст.

Начальное распределение вакансий задано следующим образом: СДх.О) = Ст для 0 <.*</!„ СД*,0) = 0 для /г„ <*<°о

При заданных начальных условиях решение уравнения (6) существует в следующем виде:

Коэффициент диффузии вакансий определяется энергией миграции вакансий и температурой подложки

Д=£>„ехр (-Е„!кТ,), (8) где Ц,„ = 8х 10"7л)2с"' - предэкспоненциальный множитель для коэффициента диффузии вакансий; Еш = 1,0 эВ - энергия миграции вакансий; ( - время диффузионного процесса.

Оценочные значения времени диффузии вакансий при толщине дефектного слоя 300 нм получены из выражения

—. (9)

Рассчитанное время диффузии составило 2486 с, что практически совпадает со временем ионного облучения для дозы 360 Дж/см2.

В разделе 3.6 представлены результаты трибологических исследований системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» в зависимости от параметров процесса формирования.

0,001 0,01 0,1 РЫ, Па

Рис. 11. Диаграмма зависимости износостойкости углеродного покрытия на кремнии от давления азота в вакуумной камере

Анализ зависимости, приведенной на рис. 11, позволяет сделать вывод о том, что трибологические свойства углеродных покрытий зависят, в основ-

ном, от содержания фаз с Бр3 и Бр2 гибридизацией электронов между атомами углерода. При этом доля эр3 фазы по мере увеличения давления азота уменьшается, что приводит к уменьшению плотности углеродного покрытия и, как результат, к уменьшению износостойкости Этот результат подтверждает выводы, сделанные на основе моделирования

Исследована зависимость износостойкости от толщины покрытия Установлено, что в диапазоне 50 - 75 нм износостойкость увеличивается Увеличение толщины покрытия до 100 нм не приводит к увеличению износостойкости, что может быть связано с увеличением степени шероховатости покрытия, начиная с этой толщины

Основные результаты диссертационной работы

1 Разработана феноменологическая модель формирования углеродных покрытий, основанная на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, заключающаяся в том, что к потоку нейтральных атомов углерода добавится поток нейтральных атомов газа азота, что увеличит скорость роста покрытия, но при этом уменьшит его плотность Определены основные параметры процесса формирования покрытий поток нейтральных атомов углерода и азота, ионов углерода, коэффициенты распыления и отражения, количество межузельных атомов, плотность, влияющие на свойства формируемого конденсата

2 Получены зависимости электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от параметров процесса их формирования Предложено объяснение полученной зависимости электропроводности от толщины на основе размерного эффекта, а также возможных изменений структуры

3 Путем анализа результатов микроиндентирования установлено, что легированное углеродное покрытие, полученное на кремниевой подложке, увеличивает микротвердость и трещиностойкость кремния Установлена корреляционная связь между этими параметрами Предложены объяснения полученных результатов с использованием моделирования методом конечных элементов и на основании кинетической теории прочности

4 Установлено, что доза облучения ионами аргона 360 Дж/см2 существенно влияет на дефектность поверхности кремния, определяемую по зависимости величины микротвердости от нагрузки на индентор Сделано предположение о влиянии термически стимулируемой диффузии вакансий на глубину залегания дефектов Оценочные расчеты показали удовлетворительное совпадение с результатами эксперимента.

5 Экспериментально установлено, что износостойкость системы «кремний - покрытие» уменьшается по мере увеличения давления азота в вакуумной камере, что качественно совпадает с результатами моделирования процесса формирования углеродного покрытия при наличии азота и не линейно зависит от толщины покрытия

6 Предложен способ формирования легированного углеродного покрытия

Список публикаций по теме диссертации

1 Галкина М Е, Колпаков А Я, Суджанская И В, Сафронова О В Модифицирование поверхности кремния легированными углеродными покрытиями нанометровой толщины // Упрочняющие технологии и покрытия, 2006 -№10 - С 53-56

2 Суджанская И В , Галкина М Е , Гончаров И Ю , Колпаков А Я , По-плавский А И , Сафронова О В Влияние ионного облучения и углеродного покрытия толщиной до 100 нм на микротвердость и трещиностойкость кремния //Упрочняющие технологии и покрытия, 2008 -№3 -С 29-32

3 Горчаков А А , Дубровский Ю В , Ковалева М Г , Колпаков А Я , Суджанская И В , Хазов И А Модель формирования сверхтвердого углеродного покрытия // Материалы научно-практической конференции материало-ведческих Обществ России по проблеме «Создание материалов с заданными свойствами методология и моделирование» - М МИФИ, 2004 - С 39-40

4 Галкина М Е, Колпаков А .Я, Суджанская И В Влияние отжига на электропроводность и внутренние напряжения азотсодержащих углеродных пленок // Материалы 4-го научно-практического симпозиума «Функциональные покрытия для повышения качества поверхностей изделий машиностроения» - Украина, Харьков ННЦХФТИ,2005 -С 198-201

5 Галкина М Е, Суджанская И В. Зависимость электропроводности и внутренних напряжений углеродных пленок от температуры отжига и степени легирования азотом // Материалы международной молодежной научной конференции «XXXI Гагаринские чтения» - М МАТИ, 2005 - С 177

6 Ковалева М Г, Суджанская И В , Поплавский А И Феноменологическая модель формирования сверхтвердого углеродного покрытия нанометровой толщины // Материалы международной школы-конференции молодых ученых Томск Томский государственный университет, 2005 - С 56-58

7 Галкина М Е, Гончаров И Ю, Горбунова О А , Дручинина О А, Ковалева М Г, Поплавский А И, Суджанская И В Модифицирование поверхности кремния импульсной углеродной плазмой // Материалы международной молодежной научной конференции «XXXII Гагаринские чтения». -М МАТИ, 2006 - С 99-100

8 Колпаков А Я, Галкина М Е, Суджанская И В , Ковалева М Г Влияние сверхтонких углеродных пленок на прочностные характеристики кремния // Материалы конференции Украина, Харьков ННЦХФТИ, 2006 - С 192-195

9 Галкина М Е, Колпаков А Я , Сафронова О В , Суджанская И В Трибо-логические характеристики кремния с покрытиями углерода, толщиной 50-100 нм // Сборник научных трудов Российской школы-конференции молодых ученых и преподавателей, Белгород, 2006 - С 261-265

10 Суджанская И В , Галкина М Е , Ковалева М Г, Колпаков А Я Эффект упрочнения монокристаллического кремния углеродными пленками нанометровой толщины // Материалы 5-й Международной конференции

«Углерод фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология». - М МГУ им М В Ломоносова, 2006. - С 175

11 Галкина М Е, Колпаков А Я , Суджанская И В Методы получения твердых углеродных покрытий в вакууме // Всероссийская научно-техническая конференция «Новые материалы и технологии НМТ - 2006», г Москва, 21-23 нояб. 2006 г - М МАТИ -С 78-82

12 Галкина М Е, Колпаков А Я, Сафронова О В , Суджанская И В. Приоритетная справка «Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме» №2007112606 от 04 04 2007

Подписано в печать 15 07 2008 Формат 60*84/16 Гарнитура Times Уел п л 1,0 Тираж 100 экз Заказ 162 Оригинал-макет подготовлен и тиражирован в издательстве Белгородского государственного университета 308015 г Белгород, ул Победы, 85

Глава 1 .Модифицирование поверхности кремния

1.1. Применение кремния в нанотехнологии

1.2. Модифицирование поверхности кремния

1.2.1. Модифицирование оптических свойств кремния

1.2.2. Модифицирование электрических свойств

1.2.3. Модифицирование рельефа поверхности кремния

1.2.4. Модифицирование механических свойств кремния

1.2.5. Модифицирование поверхности кремния тонкими покрытиями

1.3. Легирование алмазоподобных углеродных покрытий азотом

1.3.1. Структура углеродных покрытий

1.3.2. Аморфный углерод 26 '

1.3.3. Структура и теоретически предсказанные свойства нитрида 29 углерода

1.3.4. Методы получения и свойства азотсодержащих углеродных 31 покрытий

1.4. Модели формирования покрытий в условиях ионного облучения 47 Выводы к главе

Глава 2. Феноменологическая модель формирования углеродных 71 покрытий при наличии газа азота

Выводы к главе

Глава 3. Результаты экспериментальных исследований электропроводности и механических свойств системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний»

3.1. Оборудование, материалы и методы, используемые для 77 проведения экспериментальных исследований

3.2. Результаты экспериментальных исследований зависимости 84 электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом — кремний» от параметров процесса формирования

3.3. Результаты исследований зависимости микротвердости системы 97 «углеродное покрытие, легированное азотом — кремний» от нагрузки

3.4. Результаты исследований трещиностойкости системы 100 «углеродное покрытие, легированным азотом - кремний»

3.5. Результаты исследований влияния облучения ионами аргона на 108 дефектность поверхности кремния

3.6. Результаты трибологических исследований системы «углеродное 112 покрытие, легированное азотом — кремний» от параметров процесса формирования

Выводы к главе

Актуальность темы.

Тонкие покрытия, получаемые конденсацией углеродной плазмы на холодной подложке, обладают свойствами близкими к свойствам алмаза (высокой твердостью, низким коэффициентом трения, химической инертностью и т.д.). Многочисленными исследованиями структуры получаемых конденсатов показано, что в них преобладает тетраэдрический тип связи между атомами углерода на уровне ближнего порядка, характеризуемый, sp - гибридизацией атомных электронных орбиталей. Основные свойства данных покрытий (плотность, показатель преломления, электропроводность, прочность) зависят от условий их формирования (содержания азота, толщины покрытий, температуры подложки и т.д.) и определяются процентным соотношением фаз с различной гибридизацией атомных электронных

3 2 орбиталей (sp , sp и sp). Кроме того, структура покрытия зависит от степени ее дефектности, а именно: наличия точечных дефектов, пор, примесных атомов.

По материалам научных публикаций можно сделать вывод, что одним из наиболее перспективных методов модифицирования поверхности кремния является нанесение тонких покрытий углерода, легированных азотом, что позволяет изменять в широких пределах ширину запрещенной зоны системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний», а также механические свойства, которые зависят как от способов синтеза, так и от параметров формирования покрытий. Это открывает новые перспективы для использования этих покрытий в датчиках температуры и излучения, а также в некоторых областях нанотехнологии, в частности, в сканирующей зондовой микроскопии.

Однако в приведенных работах практически нет данных о влиянии сверхтонких (толщиной до 100 нм) легированных азотом углеродных покрытий, полученных импульсным вакуумно-дуговым методом на микротвердость и трещиностойкость системы «кремний - покрытие», а также недостаточно исследований о влиянии этих покрытий на ее износостойкость.

Кроме того, существующие модели формирования углеродных покрытий в условиях ионной бомбардировки не учитывают влияния легирующего газа азота на свойства получаемых конденсатов, что затрудняет определение основных параметров процесса, влияющих как на электропроводность, так и на механические свойства системы «кремний - покрытие».

Таким образом, проведение исследований в данном направлении актуально как в научном плане, так как расширит наши представления о механизме формирования и свойствах сверхтонкого углеродного покрытия, легированного азотом, на кремнии, так и в прикладном аспекте с учетом возможности применения результатов исследований в нанотехнологии.

Цель работы: Комплексное исследование электропроводности и механических свойств системы «углеродное покрытие, легированное азотом, толщиной до 100 нм — кремний» в зависимости от параметров процесса формирования. Разработка способа формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия нанометровой толщины, с перспективой использования в нанотехнологии.

Научная новизна работы

1. С использованием предложенной в данной работе феноменологической модели формирования углеродных покрытий при наличии газа азота, основанной на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, определены параметры процесса формирования легированного углеродного покрытия: поток нейтральных атомов углерода и азота, ионов углерода, коэффициенты распыления и отражения, количество межузельных атомов, плотность, влияющие на свойства формируемого конденсата.

2. Получены зависимости электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от давления азота и толщины покрытий, на основании которых определены режимы процесса формирования легированного углеродного покрытия, полученного импульсным вакуумно-дуговым методом. Предложены объяснения полученных результатов зависимости электропроводности покрытия от его толщины на основании размерного эффекта, а также возможных изменений структуры.

3. В процессе экспериментальных исследований получены зависимости микротвердости и трещиностойкости кремния без покрытия и кремния с легированным углеродным покрытием толщиной 50 и 100 нм от нагрузки на индентор. Получено, что нанесение легированных азотом углеродных покрытий на поверхность кремния, толщиной до 100 нм приводит к увеличению микротвердости, что связано с перераспределнием напряжений на большую площадь, кроме того углеродное покрытие может играть роль «сверхтвердой смазки», что уменьшает вероятность локализации напряжений в отдельных точках соприкосновения материала с индентором. Установлена корреляционная связь между микротвердостью и трещиностойкостью.

4. Показано, что зависимость износостойкости системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от давления азота в вакуумной камере при его формировании и толщины покрытия определяется изменением

3 2 соотношения фаз с sp и sp - гибридизацией атомных электронных орбиталей и увеличением степени шероховатости, начиная с 75 нм.

5. Результаты, полученные в ходе исследований, использованы при оформлении заявки на изобретение «Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме».

Практическая ценность работы.

Результаты экспериментальных исследований, полученные в работе, расширяют представления о процессах формирования и свойствах сверхтонких углеродных азотсодержащих покрытий, что может быть использовано в нанотехнологии. Полученные технические решения обладают патентоспособностью и использованы при разработке способа формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Феноменологическая модель формирования углеродных покрытий, основанная на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, но с учетом наличия газа азота, с использованием которой определены основные параметры процесса формирования, влияющие на электропроводность и механические свойства покрытия.

2. Результаты исследований электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» в зависимости от давления азота и толщины покрытия, на основании которых установлено, что с уменьшением толщины покрытия электропроводность уменьшается. Объяснение полученных результатов зависимости электропроводности покрытия от его толщины на основании размерного эффекта, а также возможных изменений структуры.

3. Эффект повышения микротвердости и трещиностойкости кремния в результате нанесения углеродного покрытия, легированного азотом, толщиной до 100 нм. Результаты анализа полученных данных на основе моделирования методом конечных элементов и кинетической теории прочности.

4. Метод определения дефектности поверхности кремния, облученной ионами аргона, по зависимости величины микротвердости от нагрузки на индентор. Объяснение причины уменьшения микротвердости системы «углеродное покрытие, легированное азотом — кремний» на основе анализа процессов миграции радиационных дефектов, образующихся в результате ионной бомбардировки.

5. Результаты исследований износостойкости системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от параметров процесса формирования качественно совпадающие с результатами моделирования процесса формирования углеродного покрытия.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на следующих научно-технических конференциях:

• Научно-практическая конференция материаловедческих Обществ России по проблеме «Создание материалов с заданными свойствами: методология и моделирование». -М.: МИФИ, 22-26 ноября, 2004.

• 4-й Научно-практический симпозиум «Функциональные покрытия для повышения качества поверхностей изделий машиностроения». - Харьков: ННЦХФТИ, 16-20 мая, 2005.

• Международная молодежная научная конференция «XXXI Гагаринские чтения». - Москва: МАТИ, 5-9 апреля, 2005.

• Международная школа-конференция молодых ученых «Физика и химия наноматериалов». - Томск, 13-16 декабря, 2005.

• Международная молодежная научная конференция «XXXII Гагаринские чтения». - М.: МАТИ, 4-8 апреля, 2006.

• 5-ая Международная конференция «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология». - М.: МГУ, 18-20 октября, 2006.

• Международный научно-практический симпозиум «Нано структурные функциональные покрытия для промышленности». - Харьков: ННЦ ХФТИ, 2-6 октября, 2006.

• Российская школа-конференция молодых ученых и преподавателей "Биосовместимые наноструктурные материалы и покрытия медицинского назначения". - Белгород: БелГУ, 25 сентября-1 октября, 2006.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 13 работах.

Личный вклад автора в проведении исследований и получении результатов является определяющим. Все результаты, приведенные в диссертации, получены либо самим автором, либо при его непосредственном участии.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы и двух приложений. Полный объем работы составляет 139 страниц.

Выводы к главе 3

1. Получены зависимости электропроводности углеродных покрытий, легированных азотом, от параметров процесса формирования. Установлено, что электропроводность углеродных конденсатов достигает максимального значения при давлении азота 0,1 Па и нелинейно зависит от толщины покрытий. Предложено объяснение полученной зависимости электропроводности от толщины на основании квантового размерного эффекта, которые подтверждаются результатами исследований электропроводности с использованием сканирующей зондовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания.

2. Получены зависимости электропроводности легированных углеродных покрытий от температуры, характерные для полупроводниковых материалов. Установлено, что нанесение легированных азотом углеродных покрытий на кремний позволяет изменять его ширину запрещенной зоны от 1,12 эВ до 0,19 эВ.

3. Путем анализа результатов микроиндентирования установлено, что легированное углеродное покрытие, полученное на кремниевой подложке, увеличивает микротвердость и трещиностойкость кремния. Установлена корреляционная связь между этими параметрами. Предложены объяснения полученных результатов с использованием моделирования методом конечных элементов и на основании кинетической теории прочности.

4. Установлено, что доза облучения ионами аргона существенно влияет на дефектность поверхности кремния, определяемую по зависимости величины микротвердости от нагрузки на индентор. Сделано предположение о влиянии термически стимулируемой диффузии вакансий на глубину залегания дефектов. Оценочные расчеты показали удовлетворительное совпадение с результатами эксперимента.

5. Экспериментально установлено, что износостойкость кремния с углеродным покрытием уменьшается по мере увеличения давления азота в вакуумной камере, что качественно совпадает с результатами моделирования процесса формирования углеродного покрытия при наличии азота и нелинейно зависит от толщины покрытия.

Заключение

1. Разработана феноменологическая модель формирования углеродных покрытий, основанная на модели ионно-индуцированного уплотнения конденсатов, заключающаяся в том, что к потоку нейтральных атомов углерода добавится поток нейтральных атомов газа азота, что увеличит скорость роста покрытия, но при этом уменьшит его плотность. Определены основные параметры процесса формирования покрытий: поток нейтральных атомов углерода и азота, ионов углерода, коэффициенты распыления и отражения, количество межузельных атомов, плотность, влияющие на свойства формируемого конденсата.

2. Получены зависимости электропроводности системы «углеродное покрытие, легированное азотом - кремний» от параметров процесса их формирования. Предложено объяснение полученной зависимости электропроводности от толщины на основе размерного эффекта, а также возможных изменений структуры.

3. Путем анализа результатов микроиндентирования установлено, что легированное углеродное покрытие, полученное на кремниевой подложке, увеличивает микротвердость и трещиностойкость кремния. Установлена корреляционная связь между этими параметрами. Предложены объяснения полученных результатов с использованием моделирования методом конечных элементов и на основании кинетической теории прочности.

4. Установлено, что доза облучения ионами аргона 360 Дж/см существенно влияет на дефектность поверхности кремния, определяемую по зависимости величины микротвердости от нагрузки на индентор. Сделано предположение о влиянии термически стимулируемой диффузии вакансий на глубину залегания дефектов. Оценочные расчеты показали удовлетворительное совпадение с результатами эксперимента.

5. Экспериментально установлено, что износостойкость системы «кремний — покрытие» уменьшается по мере увеличения давления азота в вакуумной камере, что качественно совпадает с результатами моделирования процесса формирования углеродного покрытия при наличии азота и не линейно зависит от толщины покрытия.

6. Предложен способ формирования легированного углеродного покрытия.

1. Ж. И. Алферов, A.JT. Асеев, С.В. Гапонов, В.И. Панов, Э.А. Полторацкий, Н.Н.Сибелъдин. Наноматериалы и нанотехнологии. // Нано и микросистемная техника. - 2003. - №8. - С.3-13

2. С.М. Алфимов, В.А. Быков, Е.П. Гребенников и др. Развитие в России работ в области нанотехнологий. / /Нано и микросистемная техника. -2004. - №8. - С.2-8

3. Г.Г. Еленин. Нанотехнологии, наноматериалы, наноустройства. http:// www.fund-intent.ru/science/sinr003.shtml

4. Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур.-С.-Петербург: Наука. 2001. - 52с.

5. В.А. Быков. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии. // Нано- и микросистемная техника. — 2000. №1. - С.21-23

6. А.А. Дружинин, И.И. Маръянова Е.Н. Лавитская и др. Полупроводниковые сенсоры механических величин на основе микрокристаллов кремния для экстремальных условий. // Нано и микросистемная техника. - 2001. - №9. - С.3-8

7. С.В. Коновалов, Т.Н. Лаптева, И.И. Медведева и др. Опыт разработки навигационных приборов на базе монокристаллического кремния. // Нано- и микросистемная техника. 2001. - №4. - С. 19-25

8. И.А. Каляев, В.Н. Котов, В.Г. Кливдухов и др. Микроэлектронные сенсорные системы: опыт создания и применения. // Нано и микросистемная техника. - 1999. - №1. - С.32-35

9. В.Н. Котов, В.Г. Клиндухов, И.И. Черепахин. Модификация структуры и оптических свойств кремния электроимпульсной обработкой. // Нано и микросистемная техника. - 2000. - №3. - С.8-10

10. В.А. Козлов, В.В. Козловский. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и а-частицами, (обзор). // ФТП. -2001. -Т.35. Вып.7. - С.769-795.

11. Э.А. Штейнман. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода. // ФТТ. 2005. - Т.47. - Вып.1. - С.9-12

12. B.C. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. -М:. Наука, 1990. 212с.

13. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. Радио и связью. М:. Наука, 1981. - 226с.

14. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков. Изменение сопротивления слоя кремния, обогащенного азотом, при дальнодействующем влиянии ионной имплантации. // ФТП. -2000. Т.34. - Вып.2. - С.170-171

15. В.П. Демкин, С.В. Мелъничук, Б. С. Семухин. Модификация приповерхностных слоев n-кремния ионами водорода в высоковольтном импульсном разряде пучкового типа. // Письма в ЖТФ. 2005. — Т.31. -Вып.7. - С.57-63

16. К.П. Абдурахманов, Ш.Б. Утамурадова, Х.С. Далиев и др. Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцем и германием. // ФТП. 1998. - Т.32. - №6. - С.676-678

17. Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, A.M. Козлов и др. Вольтамперные характеристики структур на основе Si:B с блокированной проводимостьюпо примесной зоне в режиме ограничения фотоотклика прыжковым транспортом. // ФТП. 1998. - Т.32. - №2. - С.192-199

18. Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, И.В. Грехов. Глубокое диффузионное легирование макропористого кремния. // Письма в ЖТФ. 1999. - Т.25. -Вып.23. - С.72-79

19. К. М. Дощаное. Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами. // ФТП. 1998. -Т.32. - №6. - С.690-696

20. В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния//ФТП. 2005. - Т.39. - Вып.2. - С.208-213

21. В.Г. Голубев, JI.E. Морозова, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. Проводимость тонких нанокристаллических пленок кремния. // ФТП. — 1999. Т.33. - №1. - С.75-78

22. Д.В. Шенгуров, Д.А. Павлов, В.Н. Шабанов. Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния от температуры роста. // ФТП. 1998. - Т.32. - №5. - С.627-630

23. С.П. Зимин, А.Н. Брагин. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки. // ФТП. 1999. - Т.ЗЗ. - Вып.4. - С.476-480

24. Б.А. Комаров. Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых р-п-структурах: роль примесных атомов железа. // ФТП. -2004. Т.38. - Вып.9. - С. 1079-1083

25. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев, С.А. Смагулова. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий. // ФТП. 2006. - Т.40. - Вып.5. - С.557-562

26. Голишников А.А., Рыбачек Е.Н. Исследование влияния ПТ через металлические маски на поверхность монокристаллического кремния. //

27. В.И. Бачурин, П.А. Лепшин, В.К. Смирное. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. // Письма в ЖТФ. — 1998. Т.24. - №6. - С. 18-23

28. Я.В. Фаттахое, М.Ф. Галяутдинов, Т.Н. Львова. Формирование двумерной периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении. // ЖТФ. -1997. Т.67. - №12. - С.97-99

29. Sung-Soon Kim, Han-Seog Oh, Seong-Min Jeong, Hong-Lim Lee. Cross-sectional phase analysis of single crystalline silicon indented by Rockwell indenter. // Mat. Res. Soc. Simp. Proc. V.697, 2002 Materials Research Society P. 8.6.1.-8.6.6.

30. Paibin Ge, Vladislaw Domnich, Jury Gogatsi. High-resolution transmission electron microscopy study of metastable silicon phases produced by nanoindentation. // Journal of Applied Physics. V.93, №5, 2003 P.2418-2423.

31. J.E. Bradby, J.S. Williams, J. Wong-Leung. Mechanical deformation in silicon by micro-indentation. // J. Mater. Res. Vol 16, №5, 2001 1500-1507.

32. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе и др. О распределении величины микротвердости по глубине образца. // ФТТ. 1999. — Т. - 41. -Вып.7. - С. 1225-1227

33. Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. Структура комплексов, ответственных за радиационно-стимулированное разупрочнение монокристаллов кремния. // ФТТ. 2006. - Т.48. - Вып.2. - С.262-265

34. А.Ф. Банишев, B.C. Голубев, А.Ю. Кремиев. Разрушение поверхности кремния при импульсном воздействии лазерных импульсов. Сборник трудов ИПЛИТ РАН, 2000. С. 78-90

35. А.Ф. Банишев, B.C. Голубев, А.Ю. Кремнев. Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов. // ЖТФ. 2004. - Т.74. - Вып.8. -С.81-85

36. А. А. Вакуленко, С.А. Кукушкин. Кинетика хрупкого разрушения упругих тел. // Физика твердого тела. 1998. - Т.40. - №7. - С.1259-1263

37. Т. Cramer, A. Wanner, P. Gumbsch, Phys. Rev. Lett. 85, 788 (2000)

38. H. Kahn, R. Ballarini, A.H. Heuer. Dynamic fatique of silicon. // Current Opinion in Solid State and Materials Science 8 (2004) 71-76

39. C.L. Muhlstein, S.B. Brown, R.O. Ritchie. Hight-cycle fatique and durability of polycrystalline silicon thin films in ambient air. // Sensors and Actuators A 94 (2001) 177-188

40. M.B. Меженный, М.Г. Милъвидский, В.Я. Резник. Особенности генерации и движения дислокаций в монокристаллах кремния, легированного азотом. // ФТТ. 2002. - Т.44. -Вып.7. - С. 1224-1229

41. Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич. Влияние примесей третьей группы на прочностные характеристики кремния С.391-393

42. М.В. Меженный, М.Г. Милъвидский, В.Ф. Павлов. Динамические свойства дислокаций в термообработанных при низких температурах пластинах кремния. //ФТТ.- 2001. -Т.43. Вып. 1. - С.47-50

43. Н.И. Клюй, В.Г. Литовченко, А.Н. Лукьянов и др. Влияние условий осаждения на просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок для солнечных элементов на основе кремния. // ЖТФ. 2006. — Т.76. - Вып.5. - 122-126

44. А.П. Беляев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Исследование оптико-электрических свойств карбидосодержащих тонких пленок на основе кремния. // Письма в ЖТФ. 2006. - Т.32. - Вып. 10. - С.1 -6

45. Н.А. Феокистов, В.В. Афанасьев, В.Г. Голубев и др. Начальные стадии роста островковых алмазных пленок на кристаллическом кремнии. // ФТП. 2002. - Т.36. - Вып.8. - С.910-913

46. Yuansheng Jin, Jiang Xiao Hong, В.П. Казаченко и др. Исследование механических и трибологических свойств термообработанныхалмазоподобных углеродных покрытий. // Материалы научной конференции ННЦ ХФТИ, 2003. С.206-209

47. Lifshitz Y. Diamond-like present status. // Diamond and Related Materials. -1999. - P.1659-1676.

48. V.S. Veerasamy, J. Huan, G.A.J. Amaratunga and oth. Nitrogen doping of highly tetrahedral amorphous carbon, Physical Review B, v.48 (1993), 1795417959.

49. B.A. Лопухин, E.B. Потемкина. Структура и стабильность нанокластеров кремния Siu (8< N< 60) при нагреве и термическом разрушении. MD-эксперимент // Известия Челябинского Научного Центра. 2000. - Вып. 2. -С. 17-22.

50. Нагорный В.Г., Котоносов А.С., Островский B.C. Свойства конструкционных материалов на основе углерода. Справочник. М.: Металлургия, 1975. - 335 с.

51. В.К. Белый, В.П. Варнин, С.А. Гаврилов, Э.А. Ильичев, Э.А. Полторацкий, Г.С. Рычков, И.Г. Теремецкая. Использование тонких алмазных пленок для формирования интегральных схем. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т.29. -Вып. 9. - С. 64-68.

52. А. Т. Рахимов. Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение). // Успехи физических наук. 2000. - Т. 170. - № 9. - С.996-999.

53. E.Oesterschulze. Novel probes for scanning probe microscopy. Appl. Phys. A 66, S3-S9 (1998).

54. Mihalcea C., Scholz W., Malave A., Albert D., Kulisch W., Oesterschulze E. Fabrication of monolithic diamond probes for scanning probe microscopy applications. Appl. Phys. A 66, S87-S90 (1998)

55. Niedermann Ph., Hanni W., Morel D., Perret A., Skinner N., Indermiihle P.-F., N.-F. de Rooij, Buffat P.-A. CVD diamond probes for nanotechnology. Appl. Phys. A 66, S31—S34 (1998).

56. Novoselov, K. S. et al. Two-dimensional atomic crystals // Proc.Natl.Acad.Sci. USA. 2005. - Vol.102. - P.10451-10453.

57. Wallace P. R. The Band Theory of Graphite // Phys. Rev. 71, 622 (1947).

58. Novoselov K. S. et al. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science. 2004. - Vol.306. - P.666-669.

59. Warren B.E. X-ray diffraction study of carbon black. J.Chem. Phys. 1934. -V.2-No 9. -P.551-555.

60. Ergun S., Donaldson W.F., Smith R.W. X Ray diffraction data for aromatic, hidroaromatic and tetrahedral structures of carbon. Bureau of Mines., USA, Bulletin No 620, 1965, p. 1-104.

61. Олевский С.С., Толстихина A.JI., Сергеев М.С. и др. Особенности структуры и химического состава алмазоподобных пленок. // Поверхность. 1982. - №7. - С. 118 - 125.

62. Н.Д. Новиков, ВТ. Бабаев, M.F. Гусева. Структура сверхтонких пленок линейно-цепочечного углерода. // Вестник Московского университета. -Серия 3. Физика. Астрономия. 2002. - №2. - С.57-60

63. M.L. Cohen. Phys. Rev. В, Condens. Matter, 32, 7988 (1985)

64. A.Y. Liu, M.L. Cohen. Science, 245, 841, (1989)

65. Б.Л. Корсунский, В.И. Пепекин На пути к нитриду углерода. // Успехи химии 66(11) 1997 С.1003-1014

66. А. Г. Liu, M.L. Cohen. Phys. Rev. В, Condens. Matter, 41, 10727 (1990)

67. A.Y. Liu, R.M. Wentzcovitch. Phys. Rev. D, Condens. Matter, 50, 10362 (1994)

68. D.M. Teter, R.J. Hemley. Science, 271, 53 (1996)

69. M.L. Cohen. Science, 261, 307 (1993)

70. Gareth M. Fuge, Christopher J.R., Sean R.J.P., Paul W. M., Michael N.R.A. Structural characterisation of CNX thin films deposited by pulsed laser ablation. Diamond and Related Materials. Vol.12. - 2003. - P.1049-1054.

71. Soto G., Samano E.C., Machorro R., Castillon F.F., Farias M.H. and Cota-Araiza L.XPS, AES and EELS study of the bonding character in CNx films. Superficies у Vacio. Vol.15. - 2002. - P.34-39.

72. Demichelis F., Rong X.F., Schreiter S., Tagliaferro A., De Martino C. Deposition and characterization of amorphous carbon nitride thin films. Diamond and Related Materials. Vol.4. - 1995. - P.361-365

73. Radnoczi G.; Safran G., Kovacs I., Geszti O., Biro L. Amorphous carbon nitride films: structure and electrical properties. Acta Physika Slovaca. -Vol.50.-N.6.-P.679-684.

74. Z.John Zhang, S. Fan, J. Huang a. and. Appl. Phys. Lett. 68 (19), 6 May 1996 P.2639-2641

75. J. Ни, P. Yang, C.M. Lieber. Nitrogen driven structural transformation in carbon nitride materials. // Applied Surface Science 127-129 (1998) 569-573

76. K.W.R. Glides, J.Yuan, G.A.J. Amaratunga. Electron energy loss spectroscopy of amorphous carbon nitride. // Diamond and Related Materials. 5 (1996) 560563

77. F. Alvarez, M.C. dos Santos. Electronic and structural properties of amorphous carbon — nitride alloys. // Journal of Non Cristalline Solids 266-269 (2000) 808-814

78. L. Wan, R.F. Egerton. Preparation and characterization of carbon nitride thin films // Thin Solid Films 279 (1996) 34-42

79. C. Ronning, E. Dreher, J.-U. Thiele a. and. Electronic and atomic structure of undoped and doped ta-C films. // Diamond and Related Materials 6 (1997) 830834

80. J.P. Zhao, Z.Y. Chen, T. Yano a. and. Core-level and valence-band characreristics of carbon nitride films with high nitrogen content. // Appl. Phys. A 73, 97-101 (2001)

81. A.K. Pal. Plasma processing of super-hard coatings. // Current Science, vol.83, №3, 2002, 225-236

82. A. Wei, D. Chen, N.Ke a. and. Characteristics of carbon nitride films prepared by magnetic filtered plasma stream. // Thin Solid Films 323 (1998) 217-221

83. R. Kurt, J.-M. Bonard, A. Karimi. Nano-structured nitrogenated carbon films -morphology and field emission. // Diamond and Related Materials (2000) 1-7

84. D. Chen, A. Wei, S.P. Wong, S.Peng. Formation and characteristics of undoped and doped tetrahedral amorphous carbon films. // Diamond and Related Materials 8 (1999) 1130-1134

85. A. Klini, C.Fotakis. Deposition of carbon nitride films by reactive sub-picosecond pulsed laser ablation. // Superficies у Vacio 9, 169-173, Diciembre 1999

86. J. Szmidt, A. Werbowy, К Zdunek and and. Nanocrystalline C=N thin films. // Diamond and Related Materials 5 (1996) 564-569

87. Chen D.H., Wei A.X., Wong S.P., Xu J.B., Wu M.M., Peng S.O. Structural and optical properties of nitrogen-containing tetrahedral amorphous carbon films. Appl. Phys. A. Vol.70. - 2000. - P.47-51

88. Клюй Н.И. Влияние азота на оптические и механические свойства алмазоподобных углеродных пленок. // Письма в ЖТФ. Т.24. - №10. -1998. - С.87-92.

89. F. Fendrich, L. Jastrabik, L. Pajasova a. and. The mechanical, tribological and optical properties of CNX coatings prepared by Sputtering methods. // Diamond and Related Materials 7 (1998) 417-421

90. Weill Zhang, Yiben Xia, Jianhua Ju, Linjun Wang, Zhijun Fang, Minglong Zhang. Electrical conductivity of nitride carbon films with different nitrogen content. Solid State Communication. Vol.126. - 2003. - 163-166.

91. Chhowalla M., Alexandrou I., Kiely C., Amaratunga G.A.J., Aharonov R., Fontana R.F. Investigaion of carbon nitride films by catodic arc evaporation. Thin Solid Films. Vol.290-291. - 1996. -P. 103-106.

92. Weiy A., Chen D„ Ke N. Cheung W.Y., Peng S. and Wong S.P. Effects of nitrogen on the structure and properties of highly tetrahedral amorphous carbon films. J.Phys.D: Appl.Phys. Vol.31. - 1998. - P.1522-1526.

93. Gerstner E. G., McKenzie D. R. Nonvolatile memory effects in nitrogen doped tetrahedral amorphous carbon thin films. Journal of Applied Physics. Vol.84. -N.10. — P.5647-5651.

94. М Chhowalla, I. Alexandrou, С. Kiely, G.A.J. Amaratunga, R. Aharonov. Thin Solid Films 290-291 (1996) 103-106

95. G. Lazar, M. Clin, S. Charvet a. and. Effect of the RF power and deposition temperature on the electrical and vibration properties of carbon nitride films. // Diamond and Related Materials 12 (2003) 201-207

96. C. Ronning, U. Griesmeier, M. Gross, H.C. Hofsass. Conduction processes in boron and nitrogen doped diamondlike carbon films prepared by mass-separed ion beam deposition. // Diamond and Related Materials 4 (1995) 666672

97. P. Stumm, D.A. Drabold. Defects, doping and conduction mechanisms in nitrogen doped tetrahedral amorphous carbon//Journal Applied Physics 81 (3) 1997, pp. 1289-1295

98. M Waiblinger, Ch. Sommerhalter, B. Pietzak. Electrically conducting ion tracks in diamond-like carbon films for field emission. // Appl. Phys. A 69, 239-240 (1999) 239-240

99. K.M. Kant, N.M. Reddy, N. Rama. Electrical transport and morfological study of PLD-grown nanostructured amorphous carbon thin films. // Nanotechnology 17(2006) 5244-5247

100. E.G. Gerstner, D.R. McKenzie. Cycling effects in nitrogen doped tetrahedral amorphous carbon non-volatile memory cells. // Solid-State Electronics 44 (2000) 1641-1645

101. G.A.J. Amaratunga, J. Robertson, V.S. Veerasamy II Gap states doping and bonding in tetrahedral amorphous carbon//Diamond and Related Materials 4 (1995) 637-640

102. Fogarassy E., Szorenyi Т., Antoni F., Pirio G., Olivier J., Legagneux P., Boher P. Field emission properties of a-CNx films prepared by pulsed laser deposition. Appl. Phys. A. Vol.76. - 2003. - P. 15-19.

103. Cheng Y.H., Tay B.K., Lau S.P., Chen J. С., Sun Z.N. Xie C.S. Micromechanical properties of carbon nitride films deposited by radio-frequency-assisted filtered cathodic vacuum arc. Appl. Phys. 2002. - A 75. - P.375-380.

104. D. Li, Y.-W. Chunga, M.-S. Wong, W.D. Sprout. Nano-indentation studies of ultrahigh strength carbon nitride thin films. J. Appl. Phys. 74 (1) 1993 P.219 -223.

105. Hellgren, M. P. Johansson, E. Broitman, L.Hultman, J.-E. Sungren. Role of nitrogen in the formation of hard and elastic CNX thin films by reactive magnetron sputtered. Physical Rewiew B, 1999, vol.59, №7, P.5162-5169.

106. E. Martinez, J.L. Andujar, M.C. Polo. Study of the mechanical properties of tetrahedral amorphous carbon films by nanoindentation and nanowear measurements. Diamond and Related Materials 10 (2001) 145-152.

107. Ъ.Галкина M.E., Колпаков А.Я., Суджанская И.В, Сафронова О.В.,. Модифицирование поверхности кремния легированными углеродными покрытиями нанометровой толщины. // Упрочняющие технологии и покрытия 2006г, №10, - С.53-56.

108. A. Erdemir, C.Donnet. Tribology of diamond-like carbon films: recent progress and future prospects. J.Phys. D.Appl. Phys. 39 (2006) R. 311-327.

109. J.I. Aksenov, S.I. Vakula, V.E. Strelnitskij. И Diamond and Related Materials,1993, v.2, p.1387.

110. Мизрухин JI.B., Шаховцов В.И., Шаховцова С.И. И Сб. Радиационные дефекты в твердых телах, Киев, Наукова думка, 1977.

111. Б акай А. С., Стрелъницкий В.Е. О структуре углеродных пленок, образуемых при осаждении быстрых ионов // Журнал технической физики. Том 51. Выпуск 11. Ноябрь 1981. С. 2414-2416.

112. Бойко Б.Т., Палатник Л.С., Дерееянченко А.С. Механизм графитизации тонких пленок углерода. // ФТТ. Вып.2. - 1971. - С.611-613.

113. Станигиевский А.В. Кристаллизация пленок i углерода при отжиге. // Письма в ЖТФ. - Т. 15. - Вып. 12. - С.27-30.

114. Sigmund P. Teory of Sputtering. Part 1. Sputtering of amorphous and polycrystalline targets. // Phys. Rev. 1969. Vol. 124. P. 383-416.

115. Henderson D., Brodsky M.H., and Chaudhari P. И Appl. Phys. Lett. 25, 641 (1974).12e.MullerK. Я //J. Appl. Phys. 58, 2573 (1985).

116. MullerK. -H. //J. Vac. Sci. Technol. A3, 2089 (1985).

117. Бакай A.C., Слепцов C.H., Жуков A.M. Радиационно-диффузионная модель уплотнения пленок, осаждаемых из ионно-атомных потоков. // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. Т.17. N9. С 42-50.

118. Sundgren J.E. Ion-assisted film growth: modification of strukture and chemistry. //Vacuum. 1990. Vol. 41 (4-6). P. 1347- 1349.

119. Greene G.E. Low-energy ion bombardment during film deposition from vapor phase: Effects on microstructure and micro chemistry // Solid State Technology, April. 1987. P. 115 122.

120. Martin P.J. Ion-assisted thin film deposition and application // Vacuum. 1986. Vol.36. No. 10. P. 558-590.

121. Белевский В.П., Гусев И.В. Влияние ионной бомбардировки в процессе конденсации на структуру и электрофизические свойства пленок ниобия. //ВАНТ. Сер.: ФРП и РМ. 1987. Вып. 1 (39). С. 101-108.

122. Белоус В.А., Картмазов Г.Н., Павлов B.C. и др. Ионно-плазменные методы осаждений покрытий. Метод атомно-ионного распыления: Препринт ХФТИ 88-98. М.: ЦНИИ атоминформ. 1988.

123. Вус А.С., Дудкин В.А., Палатник JI.C., Пуха В.Е. Конденсированные пленки ниобия, полученные из атомарного потока повышенной энергии. // ВАНТ. Сер.: ОЯФ. 1987. Вып. 1 (7). С. 46-49

124. F. Seitz, J.S. Koehler. Solid State Phys. 2, 305 (1956)

125. C. Killer, H. Kroemer. Thermal Physics, 2nd edition (1980), pp. 389-438

126. B.A. Лихачев, В.Е. Шудегов. Принципы организации аморфных структур. Изд-во С.-Петербургского университета, 1999, 227с.

127. Grossman E., Lempert G.D., J. Kulik, D. Marton, J. W. Rabalais, Lifshitz Y. Role of ion energy in determination of the sp fraction of ion beam deposited carbon films. // Appl.Phys.Lett. 68 (9), 1996, p. 1214-1216.

128. Weissmantel C., Erler H., Reisse G. Ion Beam Techniques for Thin and Thick film deposition. // Surf. Sci., 1979, v. 86, No 2, p. 207 221.

129. Колпаков А.Я. Влияние радиационных дефектов на процесс формирования углеродного алмазоподобного покрытия: Дис. Канд. Физ.-мат. наук. Белгород, 2000. - 135с.

130. Клубович В.В., Егоров В.Д., Бобровский В.В. Влияние ионного облучения на характер внутренних напряжений углеродных покрытий. // Физика и химия обработки материалов. 1995. N1.-C. 13-16.

131. Tsui Y.C. and Clyne T.W. An analytical model for predicting residual stresses in progressively deposited coatings Part 2: Cylindrical geometry. // Thin Solid FilmsVolume 306, Issue 1, 28 August 1997. P. 34-51

132. Tsui Y.C. and Clyne T.W. An analytical model for predicting residual stresses in progressively deposited coatings Part 3: Further development andapplications. // Thin Solid FilmsVolume 306, Issue 1, 28 August 1997. P. 5261.

133. Стрельницкий В.Е. Вакуумно-дуговой синтез алмазоподобных пленок: история, последние разработки, применение, перспективы. // Вопросы атомной науки и техники. Сер.:ФРП и РМ. 2002. - №6. - С.125-133.

134. ХбЪ.Маслов А.И., Дмитриев Г.К., Чистяков Ю.Д. Импульсный источник углеродной плазмы для технологических целей. // Приборы и техника эксперимента. 1985.-N3. - С.146-149164.http ://tor .m/elcut/freesoftr.htm

135. Ларсон Д.К. Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических пленок и проволок. Физика тонких пленок. М., 1973, Т. 6. 615 с.

136. Технология тонких пленок. Справочник /под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. М: Советское радио, 1977. 768с.

137. Абелес Ф. Физика тонких пленок. Т.6. М.: Мир, 1973

138. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред//Успехи физических наук. — 1975. — Т.117. В.З. — С.401-435

139. ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ1. РОСПАТЕНТ)

140. ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ ПРОМЫШЛЕННОЙ СОБСТВЕННОСТИ

141. Бсрежко»скм н»б. 30. корп. 1, Мог па. Г-59, ГСП-3, 123995Телефон 240-«М5 Телекс 114818 ПДЧ Факс 243-33-37

142. УВЕДОМЛЕНИЕ О ПОСТУПЛЕНИИ И РЕГИСТРАЦИИ ЗАЯВКИ1. С о >~ h)0404.2007 013676 2007112606

143. Дата поступления Входящий № Регистрационный №

144. ДАТА ПОСТУПЛЕНИЯ , . документов заявки .1. НО»Y4IB0 ■.насот».(86)0.EL ШЁ.(97)21. РЕГИСТРАЦИОННЫЙ №

145. ДАТА ПЕРЕВОДА международной ; заявки ••.--• . • • • :ца национальную фазу i • .• ••• .1. ВХОДЯЩИЙ к»

146. АДРЕС ДЛЯ ПЕРЕПИСКИ 308015, г.Белгород, ул.Пббёды, 85" Белгородский государственный университет, ОИС

147. Тслефон:(0722) 30-10-37 Телекс:. Факс: (0722) 30-10-12

148. НАЗВАНИЕ1 ИЗОБРЕТЕНИЯ ■ . rvc;^-Ъ . . V.>••"•.

149. Способ формирования сверхтвердого легпроваппого углеродпого покрытия пакрсмпнпв

150. Ь ';,. ■'■ Вакууме ■';■• .••' .''. "" • ■■■"■■•■ -i ■■

151. ЗАЯВИТЕЛЬ □ физическое лхио .0 юридическое яйцо1. HI I ■ 3 111 цац

152. Государственное ^образовательное учреждение высшего • •■■ •''.: •'--■• 0рофессио11альногоо6разования'«Белгор6дск!1йгосударственный ' университет» • •■ . .f . .е.-1'-';:

153. Россия,'308015, г.Ьелгород, ул.Победы, 85

154. Данное лицо является D аетрроч Q правопреемником алттэра ^ . ЕГ работодателем' V;.' . ,''' □ правопреемником р'аботодателУ'-. □ ксполитЛеи(подрадчихоы) . □ государственным захазчнаом .i1. КОД организации по■ окпо(tuv оя уеттолмм)" ■ 02079230 :

155. КОД страны по .стандарту : В ОИС ST.3 .tern о* установки) •1. RU •

156. Указанное нкжелицо настоящий назначается (назначено)представлять иктереси з4>геител.|'(заяви-гглгй) t качссгае:" .V, .' :j'.j/■"■■"• •'■ '.'•' '-,-'''"• ■•• '''•.''•■■ '

157. ПАТЕНТНЫЙ ПОВЕРЕННЫЙ (полно* WAtpttycmpaifWHHUQHWrPfMtcmoMaxo^edtmt) '' Телефон:'-. \t ".': •■'■Телехс:1 ' : .-Фахе: "•'•:

158. ОБЩИЙ ПРЕДСТАВИТЕЛЬ (полно* имя одного ю заяшнивif ' Телефон:" Телекс: ; ' Факс: .а ИНОЙ ПРЕДСТАВИТЕЛЬ

159. Токтарева Татьяна Михяйловна/начальгогк отдела интеллектуальной собственности БслГУ1. Тейефон: (0722)30-10-371. Телехс:1. Факс:imtмамхшЮtiiptr.Мйяостом /430.06.2003,per.TMSH /лют I —.,.,;«,1. ОТД № 170 6 АПР 20071240 60 1 5

160. Количество листов 40 Фамилия лица, принявшего документы

161. Количество документов об уплате пошлины Сергеева Н.Н.

162. Количество фотографий/изображений1. Форма Лё 01 II3-2IWK

163. ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ,

164. ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ1. РОСПАТЕНТ) ^

165. Ьережконских наб. 30. кори. I. Москка. Г-50. I 'd 1-5. 123495. Гс.юфон (8-400) 240- 60- 15. Фикс (8-495) 234- 30- 5S

166. РЕШЕНИЕ о выдаче патента на шобретенпс

167. Заявка № 2007112606/02(013676) (22) Дата подачи чаявки 04.04.2007

168. Заключение по результатам экспертизы прилагается.