Теоретическое исследование электронной структуры и электрофизических свойств соединений с промежуточной валентностью SmS и TmSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

!?огоиенский ордена лешим п)сэдар(яб2нш0 швершег

ишш ленинского комсомола

РГО од

^ И А'] и « (¡им

На правах рукописи

!."дсйкое\ натшя ¡тв/нотшл

теоретическое псследобан'лз гшеютошюй структуры и эдзктрозжческих свойств соединений с промежуточной валентностью бтб и 7г?7 5е

01.04.07 - $язота твердого тела

Автореферат диссертация на сопсканпо ученой степени кандидата флззпю-иатэиатичесних наук

Воронеж - 1993

Работа выгошона в Воронежском ордона Деаияз государстьсаысм угшгарситете шени Лзшшского комсомола.,

Научпыг руководитель: доетор .фшко-взтсгл'лгксоик кзук,

профессор О.В.ФарбероЕ'лч

Официальные оппоненты: доктор физ1ко-натемот5пзскж наук,

' Ю.Х.Еекшюв

кандидат физико-катсиаппосгак паук, С.В.Власов

Вэдуцал организация: Московский госункворситет

Защита состоится " 83 " лшьайря_1933 т.

в 15.00 часов ■ нз заседании специализированного Совета К 0,83.48.02 по специальности 01.04.07 - физика твердого тела при Воронежском, ордена Ленина государственном унивэрсигето имени лйншского комсомола .по адресу: 394893, Г. Воронеж, : взрситетскгя ил., I, ВГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ВГУ.

- з -

ОБИАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В последние годы большой интерес у исследователей вызвал новый класс редкоземельных соединения -соединения с промежуточной валентностью С СШЗ ). При образовании кристалла внутренние, частично заполненные, сильно локализованные 4г- оболочки редкоземельных ионов располагаются вблизи уровня Ферми и играют определяющую роль в . формировании уникальных свойств данных соединения. А именно, станозятся ответственными за появление фззовьн переходов "полупроводник - металл", "магнитное немагнитное" состояние при изменен™' внешних условии С температуры, давления, состава имеющее чисто электроЕну:о природу и связанных с изменением заполнения электронных уровней. Состояния с промежуточной валентностью праяаяякгг аномалии практически в любой экспериментально наблюдаемой характеристике; в решеточных свойствах, в теплоемкости, в магнитной восприимчивости и кинетических характеристиках. Но главным' достоинством этих материалов является сильная взаимосвязь между концентрацией носителей тока и их магнитными свойствами. Благодаря этому удается управлять электрическими свойствами материала с помощью магнитного поля и; наоборот, влиять на магнитную систему кристалла изменением концентрации носителей тока. Это открывает принципиально новые возможности для 1 практического применения магнитных СПВ в.современной электронной технике - создания приборов с триодов, диодов, диодов Ганна и • • т.д. }, управляемых внешним магнитным полем.

Кроме того, уже делается попытки использования- фазового перехода в 5тэ для оптической записи и хранения информации.

Одновременное сосуществование полупроводниковых и ферромагнитных фаз в одном материале с Ечх > открывает возможность для конструирования на их основе . интегральных микроволновых схем, где отдельные области кристалла используются для создания микроволновых, а другие - полупроводниковых • приборов. •

Возможности широкого и эффективного практического применения

<П'.щ-ж$дт рззштв пэуиш исследования этих соединения. В изстоящзо вреня пат единой точки зрения, объясияэдгя кеоЗычкыо &дзктрячзскш, кагнгпше, механические и оггппаскпз ссоаства СИВ. В сшил с этим весьма акгуальяым является теоретическое изучение i'S аюргсшггескоя струпруры, что позволит понять природа даопэгышх свопств и интерпретировать нпоп© эксшри«?атальаы8 дапгше.

Чрезвычайно г'Мокпшныи при изучении многоэлектронных систем оказалась подхода, основанные на теории функционала злектронвоя прочности с ТФП ), о ранках которой ранее рв делались попутки описания злэктроыноа структуры 'и некоторых ¿изичоских' свойств отдельных СШ. Однако, результаты этих исследования зачастую пропшоречат друг другу и экспериментальным данным.

Следовательно, весьма актуальным, явлпзтея проседание в рэмкэх ТФП болев детального релятивистского расчзта "из первых принципов'1' электронного строения СШ, а также исследования некоторых физических свопств этих соединения нз осново проведенных зонных расчетов.

Цель работы:

Исследований электрофизических свойств соединенна с ПрОМОЖУТОЧЛОЙ валоютостыо SraS И TmSe в тесноя -связи с деталями га электронного строения.

Задачи, •поставленные в диссертационной, работе заключаются в следующем:

- рассчитать релятивистские зонные струетуры соодашениа 5mS и TmSe;

- разработать и реализовать нэ ЭВМ методику расчета некоторых электрофизических свойств. СПВ, на основе учета тонкой структуры плотности электронных состояний;

- построить модель, объясняющую необычное поведение свойств СПВ сложной энергетической зависимостью плотности состоянии вблизи уровня Ферми.

Научная новизна и практическая значимость работа:

Рассчитанные "из первых принципов" самосогласованные, релятивистские электронные структуры "черной" v

"коллапсированноа" фаз злй и парамагнитной фазы ттВе являются наиболее точными на сегодняшни день.

Показано, что причиной возникновения состояния промежуточной валентности является сильное взаимодействие г-электронов редкоземельных ионов и р-электронов хэлькогенов_.

Впервые рассчитаны электрофизические характеристики С парамагнитные восприимчивости, удельные электронные теплоемкости, электросопротивления ) соединения нтэ, тгозе из основе реально!) функции плотности' состояния и проведено их срзвненио с экспериментом.

Результаты, полученные в __ настоящей работе, могут быть использованы для интерпретации экспериментальных данных, а тяк;ю для поиска перспективных материалов, необходмых в оптике к электронике.

Вывода, полученные в работе, можно использовать для теоретического изучения других СПБ.

На зашиту выносятся следующие основные положения:

1. Зонные структуры "черной" и "коллэпсираванйоа"- фаз Бтг. рассчитанные "из первых принципов", схожи и соответствуют электронному строению полуметалла. Функции плотности состояний этэ и ттЗг имеют структуру в окрестности уровня Ферми, образование- которой вызвано, расщеплением г- состояния редкоземельных ионов под воздействием спин-орбитального взаимодействия.

2. Методика расчета векоторых электрофизических свойств СПВ для случаев резкой энергетической зависимости плотности состоянии.

3. Парамагнитные восприимчивости соединения гшз и тта*'с ростом

температуры убывзхгг пропорционально т-1п{ 1 +■ юР(- ) Ь

4. Учет вклада особенностей плотности состояний гти и ттг«? вблизи

приводит к появлению нелинейных вкладов в температурные зависимости их электронных теплоеякостея.

5. Электросопротивление этз и тт^е при повышении температуры убывает, что обусловлено суиествованием узких риков с высокое плотностью состояний в непосредствегозоя близости к уровню Ферми.

Апробация работы. Основные результаты. диссертации

- Б -

дпсллдшшйсь и ойсудолись нз Уральской школе "Реетгеновскш и .олыпронайо «иятры и хихкчоская связь" с Свордяовск, 1930 >, v Бсзсоьзноя кшгЗорсшилй по физике и химии редкозспелып-к iu\yiíp3Eo;niau)D { Caparros, 1890 ), семинарз "Энергетическая cipji.ryps нгу-етид-впоскиж кристаллов с разным типом хачичоскоз свази" С Ужгород, 19Э1 >, vil! Всесоюзной вката по агсгуальаим проблзмзк физики и химии редкоземельных соединений < Апзтти, 15?ЭГ ), М^эд'вгродшй конференции по квантовой химии с Рига, IS93 ), , ш Всесоюзное конференции "МзтеркэлоБедзниэ г.с.«.-когеацш1ых полупроводников" с Черновцы, 1891 а такт- пз научаах сессиях физического факультета ВГУ С IK33-IS92 >.

П^йетми, По материалу диссертации опубликовано 8 печатных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из ссэдония, трех глав, заключения и списка литература. Содержит 116 с границ, включая 18 рисунков, 6 таблиц и список цигаруемоа литературы из 114 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Бо введении . обоснована актуальность ' проблемы, новизна решаемых в диссертации задач, сформулирована цель работы,, дано краткое описание структуры диссертации, ' приведены основные :;олта;гния, выносимые на защиту.

.8 гюрзой главе диссертации рассмотрели современные методы теоретического исследования электронной структуры кристаллов, особое внимание уделено методам и-приближениям, используемым е данной работе: теории функционала локальной плотности, линейному методу присоединенных плоских волн с ЛППВ у, а также аффективному способу расчета электронной плотности состояния комбинированному методу тетраэдров.

Результаты зонных расчетов могут быть использованы дш теоретического исследования некоторых; электрофизических своасп соединения.

Вообще, зависимость физических характеристик металла от

зояств электронов в тонком температурном слое вблизи уровня эрми С точнее, химттендаэла ¡г ) с мэтематическоя точки зрения ;1рз;язэтся с помощью интеграла вида

I = - J FfEJ Г(Е - Г) dE, . (I)

цо гсе - О - функция распределения Ферми; fce) - некоторая ункция, зависящая от энергии с П.

В качестве fcej при вычислении парамагнитно?. восприимчивости, леетронноя теплоемкости и некоторых других характеристик вступает функция платности состояния дСЮ. умноженная на энергию в некоторая степени. При вычислении сопротивления и термоэдс лзвную роль играет время релаксации, которое тзкяю №:>:ет быть епосредственно связано с <з(Е).

Стандартное разложение интеграла CI5 в ряд по степеням :т--о, основанное на близости нрсизводлоп от функпта Ферми к -функции Дирака, применимо лииь в тем случае, когда одиятегральное выражение является глэдкоп функцпогт. Наличие злома плотности состояния в некоторой точке ео приведет к тому, то g"CEj и все высшие производные становятся. слишком большими близи Ер,и в этом случае разложение в ряд неправомерно, ссбходимо проводить пряное интегрирование CD. Это лёгко делать, если аппроксимировать функцию f(E) линешш с2,3), 'днако, вместо использования достаточно грубоа кусочпо-липепноя ппроксимации удобнее использовать аппроксимацию функции лотвости состояний кубическими сплаапами. Преимуществом этого вляется возшкйость моделирования д(Н5 как для- случая уществовавия изломов плотности состояния, так и -для случая езкоя энергетической зависимости д(Е) ( большая крйвизна "СЕ) когда особенность, кзк такрвая, отсутствует, епосредственным интегрированием выражения cl). легко получить ледую'дие выражения для расчета температурных ' зависимостей арамагнитной восприимчивости и элегстройноя теплоемкости

пит * К* 1 gCE) + кТ У 5д' -ШС1 4 exp'ifiliL) у с2>

кТ

К1

се = Кг - { -i- , ' С3>

Ко

где функции- Но. К,. К непосредственно связаны с тонкой структурой плотности состояния и ее значением на уровне Ферми:

г^ -|Е.-(Г|

кс = дСЕ) + к Г ) lh( I + 'ехр-^J- > c5g' С4 Ю

L 2 1

К, = CkГ)г ■( g'CO - 2 - Xs } С 4 В)

Ка = (kT)2 { g«) + kT С2, + 4 + 6 >, (4 с)

гд9

I = 1 П "

г- IE -IE

E = ) 6дГ - InC I + ехр- >

1 i-* ' kT kT

Г""« 1 1 "1',-i I .

E = .) 6g' --- ( exp-'- ■+ 0.218 )

2 1 kT kT

1 = 1

-IE. -f I

-ci

6g: С exp --!- + О. ЮЭ )

kT

1 = 1

r1 -IE -fl

_ = > 6gr с «Р-i- + 0,210 ) slgnCE-e>

4 kT

г— -с 1 -с I

Г = ) 6д' --- 1пС I + ехр--- ) яХдпСЕ.Ч)

3 ' кТ кГ 1

е . входящие в экспоненциальные множители, определяют энергетические положения особенностей плотности состояния, - скачок производной д(£) в экстремальной точке е.. Видно, что коэффициент при кт сильно зависит 6т расстояния между хинштенциалом и особой точкой Е. ■ При .условии и-Е^ >> кт логарифмический член стремится к нулю, и влияние особенности исчезает. Однако, при кт > |Е.-<г| и достаточно

£. + А и

большой величине <5д' = /з"СЕ) ¿е эффект становится весьма

е -д

существенным.

Формальное выражение' да сопротивления металла, основанное на приб.отееяии времени релаксации г Iз. имеет вид: „г , 2 тг . К„

3 е К" К, - 1С

(5)

2

где К =--[ т с V 3 ) е" йЙ . С6)

Перенос заряда в рзссчхгэняой '¡зми модели энергетического . строения 5тэ И ттзе С глэвэ 2 ) ОСуЩЭСТВЛЯеТСЯ сЗ- И = -злектронами зон • проводимости, которые прнблш^нно могут рассматриваться как свободные, так что их скорость V ~ е + ?.

Электроны в зоне проводимости могут рассеиваться либо в другие состояния зоны проводимости, либо в незанятые состояния г-зон. Перекрытие зон .при анергии, равной энергии Ферми, с существенно различной плотностью состояний приводит к тому., что наиболее эффективным механизмом рассеяния электронов проводимости будут межзонные переходы Ш. Так-как плотность, состояний в г-, полосе много больше, 'тем в <1- и б- зонах, рассеяние а - г и ^ -г. должно быть преобладающ™. А поскольку вероятность рзссеяния обратно пропорциональна плотности конечных состояний, то тек} ~

Таким образом, при вычислении сопротивления главную .роль играет время релаксации, которое можно непосредственно связать с особенностями' плотности состояний, т.е. . т - 1/дСЕ). . Для вычисления' интегралов Кп из (в) можно использовать те ¡¡¡е выражения С4), что и при расчете электронной теплоемкости, заменив ¿д. на <5т1 и £д[ на <5г-.

Вторая глава содержит обзоры публикация, посвященных теоретическому и экспериментальному исследованию энергетического строения и физических свойств соединенна втз и. тшзе. Приведены результаты собственных расчетов ЛШВ - методом электронных структур етз и ттзе. • ' ' '

Функции полной .плотности состояний дсю, построенные па результатам самосогласованных, релятивистских зонных

р

в»

расчетов "черной" и "коллзпсировэиноя" фаз sms приведены на ри I, 2, соответственно, а парамагнитной фазы TmSe - на рис., 3.

® 500 а ЗОЙ

рис. I.

ы

И

miL,X

-Qi-ü^QS 0.

slate

ü.QZú РусёП

1 0.3 Efr^o^iSRy a.8 EfEy

« £00 L

и г

* I-a 2CJf

рис.

íco

XJÜl

stale

■у ■ св11

-a.s-ojSo.0 а.г

Од Е(Еу

рис. 3. Тонкая

в) -ч

<11

л) ?soo

1Л

Oí

1! 0

я

V-*

с

LÁj^LrSN

ÉF-o.nzrRy

структура плотности состоянии ..' соединенна окрестности уровня Ферми обусловлена расщеплением г- состояи sin стш) под действием спин-орбигального взаимодействия вследств снятия вырождения состояния с одинаковыми пространственны. С ¿'акциями, но противоположно направленными спинами. ■

Расчеты электронных структур sms и Tnse позволяют сдела-следующий вывод: обе фазы Sms представляют собой полуметаллы узкой и довольно глубокой "псевдощзлыо", расположенно;! б ¡ полосе, внутри которой проходит уровень Ферми.. Различие электронном строении двух модификаций sms заключается в бо.® сильной гаЗрвдизации г- и а- оболочек "коллзпсировзнноя" фаз: которая увеличивается при изоструктурном переходе от "черни фазы sms к "коллапсировзнноа" из-за увеличения перекрытия г- и с состояний соседок центров. TmSe - металл с большим значение плотности состояния на уровне Ферми, который располагается

{рс'ольаоя "псевдощели" в г- полосе.

3 третьей глзоз представлены результаты расчетов некоторых электрофизических характеристик < парзмзгвктноа восприимчивости, ЗЛКТроНЛСЯ теплоемкости, электросопротивления ) SmS И TmSe.

Расчеты парзмагнктноя восприимчивости осуществлялись в температурном интервале 2 300" к и 4 + 300°к, удельной ЭЛеКТрОНЛОа ТеПЛОеМКОСТИ - 2 + 20° К И 4 20°К, ДЛЯ EmS И TmSa, соответственно. Температурные зависимости электросопротивления ; отнесенвш к значению сопротивления при т = 200° к j рассчитаны з ттервэле от 4 до 400°к, Кижнкл предел температур ограничивался условием, что система остается-парамагнитной. Мы предполагаем не только отсутствие спонтанного магнитного упорядочения,- но и отсутствие любого другого когерентного состояния "системы г-г, d-, s- электронов, которое йеизбехгю возникает при. очень низких температурах.

Поскольку существенный вклад в температурные зависимости электрофизических характеристик ' дзет' лкзь тэ особенность плотао ста состояния, расстояние от которсз до уровня Ферми порядка kr. то при температурах не высе ЗОО'К влияние на ход кривых хсг), се(т>, ¿(т) в паяем случае будут оказывать лишь ближаишие к ef особенности. Влияние остальных будет ощутимо при значительно более высоких тзмперзтурзх ( т > ЮСО'к

В "черноа" фазе 5ms ближаяаая к уровню Ферми особенность С максимум с ) отстоит от него на 0,2 тйу, в "коллапсированноя" С МЗКСИМуМ С > - на 0,7' тР.у, В TmSe - на 0,3 ir.Ry С рис. I - 3 ).

На рис.. 4 приведены рассчитанные зависимости хш доя sms совместно с экспериментальными данными t-U.

Узкиа пик С с большим • значением плотности состоянии . в непосредственной близости к уровню Ферми приводит к уменьшения зоспримчизости с ростом температуры пропорционально

с -<f

г-дл< 1 * ехрс—^rf-3 }, в то время, как у непереходных металлов гекпзрзтурноззвисимая часть теплоемкости пропорциональна т2.

а

О *

\ ™

я 5

о

?* 4

о ^

X , V-» А

X

рис. 4

. ч

ч 4 >а

- - - I. >6

40 (20 ¿00 гео т.

. а) "черная" фаза, -

л

* 10О

ч

я 60

о

г о

Я1

о

.н

X V-* •1

X

м 2о<? да рис,5..'

т, к

0) "коллапсированная" фаза С здесь и на других рисунках сплошная линия - результаты расчет пунктирная - экспериментальные данные э

(О 14 16 Т, *К

•-'з; 6. а> "черная" фаза, о) "коллапсированная" фаза

С

В 10 11 1В т,*к

¡г* ю « юо ноо

т, к

рис. 8. а) "черная" фаза, б) "коллапсированная" фаза

им <0 ¡10 т ш т, к .рис.9.

Абсолютные значения парамагнитной восприимчивости "черной" азы 5тз больше, чем "кодлэпсированноя". С точки зрения зопной труктуры зто объясняется большим значением плотности состояния черной" фазы на уровне Фэрми.

Соответствие рассчитанной и экспериментальной с Б) зрвисимос-ея хст) для тгозе хужо с рис. 5 ). Использование результатов полостью релятивистского расчета зонноя структуры тлсе дзет в бласти температур т < 300°к значения парамагнитной осприимчивости, заниженные почти нз порядок. Данный результат редставляется нам тем не генее интересным, как указание нз .амнов значение каких-то других факторов. Возможно, тго в ;агнитоупорядоченном соединении ттЗе существенное . влияние ■называет спиновые флуктуации, не учитываемые в настоящем' ясчете.

Том но менее, качественно ход теоретической кривой совпадает 1 экспериментальное, т.е. при высоких температурах восприимчивость, слабо зависит от температуры, с понижением :кэ температуры ¡о 1С0°к значения тэ логарифмически возрастают.

Удельные электронные теплоемкости зтз и Тт5е возрастают с величением температуры. Учет влияния пика С плотности состояния, асположенного в окрестности уровня Ферми, приводит к появлении в зависимости Сест> существенно нелинейных вкладов в противовес •¡кидаемому закону се - т с рис. 6,7 ). В точном соответствии с ■кспериментяльными данными г бэзначения сест> "коллапсировэ'нной" юдшфикацш Етз больше, чем "черной" с рис. 6. Это

¡одгверждзет факт более сильной гибридизации г- и а- электронов в коллапоированной" фазе. Небольшие отклонения экспериментальной ривой се(Т) вблизи 3°К, как утверждают авторы сел. связаны с рицэсянн с такие эффекты часто наблюдаются в редкоземельных эталлзх и ¡и соединениях

Довольно хорошее совпадение рассчитанной и экспериментальной ршзых с 71 се(т> в исследуемом интервале температур получено и ля ттзя с рис. 7.). Резкое увеличение экспериментальной ависимости се(Т) вблизи температуры Нееля Тм обусловлено сложным агнитным поведением системы. В магнэтоупорядоченном соединении

Tms»? помимо электронной и фононнон составляющих теплоемкости имеется спиновая теплоемкость, связанная с нарушением магнитного порядка при повывонии температуры. Вклад данного механизма и наблюдается вблизи тм> где исчезаот дальний мэпопный порядок. Точное экспериментальное выделение спинового вклада es имеет вз;шое «нзчэнш для определения степени разупорядоченности магнитных моментов при переходе через тм.' В настоящее время этот вопрос приобрел особую актуальность в связи с развитием теории спиновых флуктуация, согласно которым выше тм могут сохраняться области ближнего порядка флуктуационного характера.

Рассчитанные зависимости рШ/рСЗОО'к) совместно с результатами экспериментальных исследования двух модификация sms 18,91 и парамагнитной фазы Tmse tioi представлены на рис. 8, 9. Присутствие узкого r-тшкз вблизи уровня Ферми приводит к значительному, уменьшению сопротивления при повышению температуры. Полупроводниковый ход зависимости rft) saß и tmse подтверэдзет супззстиованиэ псевдощели в электронном спектре носителей заряда.

Розкоэ 'увеличение сопротивления в TmSe ник© температуры Нзеля авторы с Ш связьшамт переходом в антифорромагнитное состояние и образованием» в электронном спектре зйтиферромагнкгной щели,- разделяющей f-состояния и зону проводимости.

Использование довольно Грубой модели плотности электронных состояния -дает хорошее согласие рассчитанных характеристик хс"О, -.СО,. рШ с окспериментальными данными Вез привлечения механизма спиновых флуктуация и размытия электронного cnetcrpa вследствие взаимодействия электронов с фононаш и примесями. На основании этого мы делаей вывод о существенном влиянии особенностей gCEj на температурные зависимости электрофизических характеристик соединений с промежуточной валентностью sms и т™se. Нельзя утверждать, что другие факторы не влияют на поведение хсТ), се(т), ссТЗ,' однако, важность учета тонкой структуры плотности состояний представляется, очевидной.

. В заключении сформулированы - основные результаты и вывода подученные.в диссертации.

0СНСВ1ШЕ РЕЗУЛЬТАТ!) II лыволз^

1. "Черную" фазу 5тз нельзя рассматривать гак сбычныа упроводчик с узкол запрещенная зоноя, а "коллапспрозаяную" -; тшвгшып мзтз.гл. Кэтестгеяко сбо фазы к.гетг знати-иодое юешга, соотвотствукптэ алетпрэтпшу строенкю полуг'?.т?г-л с :ой "псесдощелыо" в г- полосе, впут1и которой располагается сень Ферми. Разлитое в зл^ггроалсм стрс?яии двух полй1икзцяя : заключается в более сяшюа глгрптг'згтп * встройся г- и схпск "коллэпсированнс;"!'* фаз;,;, г-гшхзсте? при сжат,'-: •за уголзпешш перекрытия г- у,-а- состслтая сосэялих центров.

2. Функции плотности состояния ггз и тп.г> в окрестности гая Ферми йкеют струтуру, обртосвшс» которой сизвзаз зддшниом 4г-состояния редкозсмольных ионов под воэдгггепзкем и-орбитального взаимодействия вследствие снятая вкроздэния ггояния с одинаковым пространственным;! функциями, но )тшзополо!Кно направленными спинами,

3. Разработана и реализована на ЭВМ методика расчета )амагнитноа восприимчивости, удельной электронной теплоемкости, яггросопротивления соединения с промежуточной .валентностью, ювэнная на учете особенностей тонкой структуры плотности :тояшй .

4. Впервые рассчитаны температурные зависгаости ззкзгпитпоа восприимчивости, электронной теплоемкости, ¡ктросопротивления соединения гтз и ттзе. проведено сравнение ¡ученных результатов с экспериментом.

5. Значения парамагнитной восприимчивости ншз и тта? с'

с

;том температуры убывают пропорционально т-1пи+««срС—^ггЛ-

0. При повышении температуры удельные электронные коемкости итБ и ттЭе возрастают нелинейно, что обусловлено чествованием узких пиков с высокой плотностью состояния вблизи )вяя Ферми.

7. Учет вклада в электросопротивление и ттзе узких готов цщиз плотности состояния, расположенных в непосредственной

- 1G -

близости к уровню Ферми, приводит к значительному уменьшена сопротивления при увеличении температуы.

Цитированная литература

1. Дх. ЗаПман. Принципы теории тэер'лого тела. -М. :Мир, -19БЭ, -416с. '

2. Е.В.Розенфельд, Ю.П.Ирхнн. Влияние особенностей плотности состояния на парамагнитную восприимчивость переходных металлов. УУФММ. , -1934, -T.S7, IPS, -с. 837-851.

3. Л. М. Носкова, Е. В. Розенфельд, Ю. П.Ирхин. Нелинейная электронная теплоемкость в соединениях А-1Б. х/ФНТ. , -1993, -т. 11 КЗ, -с. 463-481.

4. М. В. Maple, D. Vtohlleben. Nonmagnetic 4f-shell in the high-pressure phase оГ SmS./VPhys. Rev. Lett. , -1971, -v. E7, KS1 , -p. 511-SIS.

5. A. A. Allgia. J, Mazzareffo, C. A. Balseiro, B. Alascio. Valensi fluctuations 'between .two magnetic configurations: periodic mode. /S3. Magn. Magn. Hater. , -1933, -v. 40, -p. 61-74. j

e. ,S. D. Bader , N.E.Phillips, D. B. McWhan. Heat capacity and res.is tivity .of metallic SmS at high pressure. .//Phys. Rev. , В, -1Э73 -V. 7. №10, -p. 4686-4695.

7. A. Berton, J.Chaussy, • B.Cornut, J.Flouquent, J.Odin, J. Peyrard, F.Hoitzberg. Specific-heat measurements of TmSe yyfhys. Rev. B. , -1981, -v. ЕЗ, 1Я7, -p. 3504-3313.

8. Е.В.Гончарова, £3. С. Оскс.тскип, Т. Л. Б*а*ава, М. В. Романова, И.А.Смирнов. Электрические свойства металлической модификации SmS..-'/ФТТ. , -1976,- -Т.-18,-«а, -с. E0BS-2068.

9. J.Morillo, М. Konczykowsky, J. P. Senateur. The influence of hydrostatic pressure on electronic transport properties of semi conductor SmS. //Solid. State Comm., -1ЭЭ0, -v.35, MIS, -p.331-933.

10. H.Boppart. The semi conductor-metal transition in Tm-compo-unds.//J. .Hagn. Magn. Mater. , -1983, -v. 47^-48, -p. 435-442.

г;

Основные результате тссвргжчх спуйдасогчгы п р^отзх:

Илскч-.ona U.K., С'аррг-ропн г O.B. T-cp-Tiri-cco» исследса ímie ектроиноя структур» И ЗЛУ.'.ТрО^ИЗПЧесКНХ СРСЙСТ» ысчссу яьфмлз к.чрия. .'/'етг. , -юлз, -т. je. ¡"i. -с. i3a-i.t.t,

Иаск'кова [{.и., Ц]инш:сва Г.!!., «■арВцрсчпч О. П. |1«якт<рнч»скко счеты оптически;: характеристик поносу ль^ида санария./хТезисн к л. Î(эtлучародноп кон$?р*нш>11 п"> кпамтовоп химии. . -1 ~Э0, Рига, :. 114.

Масюкosa Н.И. , Ншиикспп Г. П., 'Г'трГ ■: рогич 0.0. Tocpi'Tiiueckitiï ia-ni3 электронной структур«,« rmiiw-nR ссопстг» ноносуль ;и/гл »мария. -vTeaitcu докл. VIII гП рт»ла по актуальным

^блонэм физики II XI! ММ I! р<? Д КОП г- M -1 Ы1 Í Ж С CP л и иен H ÏÏ . . -1Р91, Уатт и , -с. 4t5.

. Масюкова H.H. , Ни*никова Г. П. , <?лрбЕ-гопчч O.P. * hic лунные зсчети электронной структуры и оптически* .чаракт еристнк оедпнення SmS.//Тезиси докл. V Всесоюзной' конференции по физике химии редкоземельных соединений. , -1QOO. Саратов, ч. 1 , -с.22. . Н.И,. Масюкова, Фарберосич О. В, Неэыпнрнческие .расчет» • лектроиноя структуры TmSe. //"Тезиса докл. сеиниара Энергетическая структура неметаллических кристаллов с различным ипом химической связи". -1991, Ужгород, -с. 131-132. >. MacicKODa H. И. , Фарбероеич О. В. Влияние особенностей лектронного спектра на электрофизические своПства моносульфида амария.//Тезисы докл. VIII Всесоюзно!"! школы по актуальным роблемам физики и Минни редкоземельных соединении., -1991, кПатнты. -с. 47.

Масюкова H. Н. , Фарберокич О. В. Электрофизические свойства :алькогенидов редкоземельных металлов. //Тезисы докл. III 5сесоюэноп конференции "Материаловедение Халькогенндних юлупроролнтсов", -1991, -Черновцы, ч.П, -с,32. ). Масикова H.H.. Фарберович О. В. Теоретическое исследоеание 5лектрофизическн:{ свойств полупроводников с промежуточной галантностью.//Тезисы докл. семинара "Энергетическая структура