Теоретическое исследование влияния частотного эффекта на спектральные характеристики точечных дефектов в диэлектрических стеклах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВСЕРОССШСКИП НАУЧНЫП ЦЕНТР ТОСУДАРСТВЕКНЫЛ ОГОГчЕСКШ ИНСТИТУТ имени С.И. ВАВИЛОВА"

дгажов

Алексей Львович

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯКИЯ ЧАСТОТНОГО ЭФФЕКТА НА -СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТЕКЛАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ

На правах рукописи

1992

библиотека всероссшскяи научный центр

"государственный оптический 1кстшуг имени с.и. вавилова"

На правах рукописи

д1йкс8 • Алексеи Львович

теоретическое исследование влияния частотного эффекта на спектральные характеристики точечных дефектов

в диэлектрических стеклах

oi.qa.io - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени Кандидата физико-математических наук

cakkt-петербург'

УДК 535.33

Работа выполнена в научно-исследовательском и технологическом институте оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова"

Научный руководитель: доктор физико-математических наук МАШКОВ В.А.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

КОЗУБ В.И.

доктор физико-математических наук ПР1ЕВУ1ЖШ А.К.

ведущая организация: Российский государственны!') педагогический университет им. А.И. Герцена.

Защита состоится Г- в ^^ час.

на заседании специализированного совета К 105.01.01 в ВНЦ "Государственный оптический институт имел»: С.И. Вавилова" по адресу: 199034', Санкт-Петербург. Биржевая линия, д.е.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института. Автореферат разослан 99 2 г.

Ученый секретарь специализированного совета

кандидат, физ.-мат. наук И.Н. Абрамова

(Г) ВНЦ "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова". 199;

- з -

общая характеристика работы

Актуальность теми. Развитие исследований собственных и примесных дефектов с глубокими уровнями в стеклах обусловлено практическими потребностями в совершенствовании технологических процессов получения стеклообразных материалов с заданными оптическими свойствами для отечественного приборостроения .

Основным вопросом спектроскопии точечных центров с глубокими уровнями в стеклах является вопрос о форме линии кногофонон-ных оптических переходов, сопровождающихся изменением их зарядового состояния. Именно особенностями формы линии определяется спектральная фоточувст.ьительность приборных материалов, так как возникающие при перезарядке состояния дефектов, как правило, являются метаетзоильннмп. Концентрацией последних задается интенсивность фотоструктурных превращений в стеклах и, следовательно, их деградационные свойства. Целенаправленное воздействие на свойства материалов возможно только при фотостимуляции в области полос многофононнух переходов, соответствущих указанным фото-стимулированннм реакциям дефектов.

В настоящей работе проведено комплексное исследование функции формы линии оптических многофононных переходов глубоких дефектов в стеклах с учетом а) линейных и квадратичных вибронных взаимодействий, б) случайного распределения параметров системы дефектов в стекле, связанных.с локальными квазнстатическими флуктуация™ внутренних напряжений и свободного объема, и в) взаимного влияния частотного эффекта Изменение частоты локального колебания центра.при его оптическом возбуждении) и квазистационарного характера возбужденных состояний дефектов.

Таким образом, постановка и решения вышеперечисленных задач определяет актуальность данной, работы в научном и практическом отношении.

Цель р а о о т ы состояла в изучении влияния квадратичного вибронного взаимодействия на оптические спектры погло-

щения ¡: фотолюминесценции глубоких дефектов в диэлектрических стеклах, что включало в себя следующее:

- численный расчет и анализ функции формы линии з случае большого частотного эффекта;

- исследование проявлений частотного эффекта на известных дефектах в диэлектрических стеклах;

- расчет спектральной (зависимости сечения фотоконизации глубокого центра с учетом частотного эффекта,, поляронного сдвига'и квазнстационарного характера конечного состояния;

- изучение возможных спектроскопических проявлений частотного эффекта в стеклах в связи с их структурной разулорядочен-ностыз.

Научная новизна настоящей работы заключается в доказательстве необходимости учета квадратичного вибронного взаимодействия при анализе .формы полос оптических переходов на глубоких дефектах в стеклах и определяется следующими положениями , которые выносятся на защиту:

1. На основе анализа спектров оптического поглощения и фотолюминесценции центра немостикового атома кислорода в стеклообразном кю2 доказано значительное изменение частоты локального колебания данного центра прй его оптическом возбуждении. Это указывает на необходимость учета частотного эффекта (изменение частоты локального колебания центра при его переходе из основного в возбужденное электронное-состояние)-при анализе спектров поглощения и фотолгшшесценции глубоких-дефектов в диэлектрических стеклах.

2. В случае.'когда частоты локального'колебания центре, находящегося в основном и возбужденном электронных состояниях, существенно различны,-может быть реализована ситуация малого стоксова сдвига при сильной вибронной связи.

3. Предложен новый механизм неоднородного уширения оптических полос многофононных переходов глубоких центров широкощелевы* материалов, эффективный в условиях постоянства 'энергии чисто электронного перехода. Данный механизм предполагает статистическое распределение частот локальных фононов. связанных с данным

типом дефекта. Это приводит к частотному эффекту с разбросом энергетических поляронных сдвигов на глубоком центре и существенно изменяет функцию формы линии для процессов поглощения и испускания света дефектом по сравнению с обычным пекарианом.

. В полуглассическом приближении с учетом линейного и квадратичного вибронного взаимодействия получен общий вид спектральной зависимости сечения реакции фотоионизации для произвольного электронного матричного ялемента.

Практическое значение работ и. Результаты исследований, полученных в данной работе, позволяет внести некоторые уточнения в интерпретации спектроскопических данных глубоких центров в стеклах и являются источником новой информация для совершенствования технологии изготовления материалов с заданными спектральными характеристиками.

Публикации и апробация работы, основные результаты диссертации опубликованы в 7 работах, список которых приведен в конце автореферата, и докладывались 'на следующих конференциях; Международный семинар "Точечные дефекты в стеклах" (Рига, 1901). XIV Всесоюзное /Пекаровское/ совещание по теории полупроводников (Донецк, 1989), VII Всесоюзный симпозиум по оптическим и спектральным свойствам стекол (Ленинград. 1909), Вторая Всесоюзная конференция по физике стеклообразных твердых тел (Рига, 1991), Школа-семинар "Энергетическая структура неметаллических кристаллов с различным типом химической связи СДонецк. 19ВЗ), 1-я регианальная конференция республик Средней Азии и Казахстана "Радиационная физика твердого тела" (Самарканд, 199П

Структура и объем диссертации диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Работа содержит 101 страницу текста и п рисунков. Список литературы включает Пб наименований.

краткое содершме работы

В о г. в еден п и обосновывается актуальность темя диссертации. указываются Цель работы и ее основные задачи, новизна полученных результатов, их научное н практическое значение, формулируются защищаемые положения и приводится кратко? содержание диссертации.'

В первой главе представлен обзор работ, в которых исследуется форма линии многофононных оптических переходов в присутствии частотного эффекта (изменение частоты локального колебания центра при его оптическом возбуждении). Рассмотрены как переходи, при которых оптически возбужденный злектрок гхгга-ется связанным с данным дефектом, так и переходы, при котор** центр фотсчюнизуется. Выделены два основных метода, используемых при расчете влияния частотного эффекта на форму попое оптического поглощения и фотолюминесценции точечных центров. Первый, основанный на вычислений интеграла перекрытия волновых функция гармонических осцилляторов, имеющих различии? частоты, и второй. основанный на теории возмущений. В связи с анализом особенностей спектральной зависимости сечений фотоионизацин глубоких центров в стеклах, обсуждены работы, в которых учитывается резонансный вид матричного элемента электронного перехода, обусловленный кваоистационарным характером волновой функции коночного состояния. На основании обзора результатов исследовании формы полос оптических переходов в присутствии частотного эффекта, сформулирована постановка задачи данной работы.

Во второй главе на примере одномерной двухуровневой модели расчитано влияние частотного зфф-кта на многч-фононное уширение спекгрпь глубоких дефектов в дизлекгрическпх стеклах. Исследование ограничено случаем »еотних ьи^ронных термов, т.е. частота локального фонона дефекта как в. основном, так и в возбужденном состоянии много бопь'Н" анергии тейповых колебаний. Данное приближение соответствует преирбр'^ни*-, темпера-

турнои мьиснноетью рассматриваемых явлений и ограничиваете л не

спий'Кон высокими температурам)!. Модель центра рассматривается з т»»р«{аках конфигурационных крнсых! основное и гюзйутдеинсе состояния олленваптея оччдонтт! друг относительно друга рд-.г-ъ кок^итрчписньоП «соордапятм <5 пьра&лзмй, которым соот-рототву.т.' частотлока/'ьнчх фоноков о^ и . полнейте функции Л'рутся в гармонич^-ском п{ «Лчкжпти, а при расчете «итричного !»!!г>|'т»нтз оптического ги-ро ход-) нсигч.ьяу^тся яряЛчитрнве Кондона.

Б Г'.;.; ь гао.гтч нродпо^еьноЛ модечн допоит?, получено выражение для функции ({орчк ыопы в ирнсутотг.;'!! частотного аф-^¡'Т.* мр'м:з.ей анализ осо:'«-нност!->Г!. Рассмотрены квантовый и ¡¡слукласснчеокий случал. мриведены виратения для первых моментов Получено ы.'рзтезг.р дяч г.рош'нпдяиуЛ ^ункци',! квадратов чоличсмов Зриит«. Пскзияно ч-.о, г. стличке от чистого частотного ¡гф^КТа 'Ч1ГН роолу/двкин |'.'".Н'"ра г.е ПГОКСХ'-ДЧТ его СИ?.".'?К!Ы вдоль кочфлгураипо'мой чоор;:;м-.пы . [.ог/класси'мг-скг.*) Г1р»!'^:1ПУ<ание в опуше учета г.опкрзнпого сдвига д,-«»т х*;роиу» алг.роксипашт точной -/'Л и лозголчет пенять гр.'роду спектр ильных особенностей в

»ог.РЛИ дс-^кта ■

3 л. 2.2 приведет-.: результаты чппярнннк расчетов. которые покапали. что раклнч.чя не*;!,;.' кр-йитоькч и лочуклйссичсскмм опиеа-

и;1!'И С'1,'Л ^'¡глои.г-чач возник ал-Ч' э о:'л аот п ? « о^ •• и^/о.^ ^ пр

а - в которег. суч-.еоп «эдин кздчтеш;* з-М^-нги. #>Яст?ительно. в случае .) > проявление частотного аффекта особенно существенно в глг|'0'!;р)гм1. При уденюкчиш параметра у в область отрица-т«"!1 ньге «на-.еы«"! 1икс!!»уи Я>Я поглоунш в терминам адиабатически:'. пог^и '¡«зло* соотр'»тстьу^т не "ррртчкальиому" переходу, а пе-Г»Ч1>д/ с кп廈>*Ы'3< ом*по кок.?«гур.»чио»моЛ координате центра . что К'чно !1нт'=ри;.'1'1 продать к-'-к н.арутеы'.е полуклаеоического I <р?.нкЧ"Ксн,ч«ьй, )-млт-рь данном случае шд«ет место в

г.дно'кчц.ишдтернпй медали .цлн екнгг.мг-елнгпетчыч переходов. Таким иорязгм, при часто;ном зр^кт*1 в впорочкон системе дефекта оп-Ттнско* чоглок нк(- Всегда сг.прОгструктурной перестройкой . При »тон попсгры» м-,к'*|'мума смоач-'Тсч » кросну» сгороьу Г.ри <лхг»г&титггуглкж уияр^нш) попоен: п»|>м момс-нт наооо-I оI'. нозранта-'-т. что определяет асшп'^три« иппоон. Кроме этого

- р. -

при большом частотном эффекте имеются осцилляции вероятности перехода вблизи порога термопокизащш. что связано со свойством четности осцилляторных волновых функций. В случае ь>0 > ы( смещение максимума ФФЛ поглощения несущественно, но происходит уменьшение ширины полосы. Стоксов сдвиг равен сумме неравных полярон-ных сдвигов »0 = 50Ы'0 " е (3 ~ фактор Хуанга-Ри.с) ос-

новного и возбужденного состояний, что приводит к известному нарушении закона "зеркальной симметрии" поппо поглощения и фотолп-микесценции по отношение к линии бесфононного электронного перехода. Результаты расчетов показапи, что в случае, когда (■>[ на порядок превосходит м0. смещение максимума поглощения в красную сторону достигает пяти квантов . Причиной указанного смещения максимума полосы является более слабое осцилляторное перекрытие при частотном эфф?кте.

В п.2.3 исследована спектральная зависимость сечения фотоионизации от частотного эффекта. Получено выражение для спектральной зависимости сечения фотоионизации■ которое с учетом полуклассического приближения для ФФЛ имеет следующий вид:

(2тге) ' Р

„(О.е) = - йу ГП<М> - Б.Ьл у(Ау - 2)) •

псЬО и 11

«

1/2 2 . ■ (250/п) ехр( - 220у ). (1)

Г0 - £ 1еум12 6(0 -к .

где и{. » (I + г.^)/ь - энергия электронного перехода: и к -энергия и импульс электрона в зоне проводимости. I - потенциал ионизации центра, е - поляризация падающих фотонов. у£. • матричный элемент электронного перехода, а = (и * - ') /о, - расстройка частоты: к, р - определяются областью допустимых значений подынтегрального выражения. Данное выражение, при известном матричном элементе электронного перехода, позволяет в простейших модельных расчетах оценить многофомонный вк/:ад в поглощение реакции фотоионизации.

В третьей главе на основе результатов главы 2 произведен сравнительный анализ экспериментальных данных по спектральным проявлениям квадратичного электрон-коле!^ельного взаимодействия на глубоких дефектах в диэлектрических стеклах.

В п.3.1 исслрдованы оптические спектры центра немостикового •1тсма кислорода в стеклообразном 5102> характерной особенность!} которых является аномально узкая линия фотолюминесценции (ширина 0.17 эВ), при достаточно больших ширинах полос поглощения (0.44 яВ и 1.С5 эВ для линий 2.0 эВ и 4.75 зВ, соответственно). Для описания указанных особенностей центра немостикового кислорода предложена модель двухэлектронных адиабатических потенциалов различных зарядовых состояний дефекта. Предполагается, что основным состоянием кислородных центров в стекле является отрицательно заряженное состояние 0~. В зависимости от конфигурационной координаты ч центра, двухэлектронный вибронный тёрн данного состояния является двухъямнкм, причем энергии фононов равны 0.07 и о.)2 зВ. Двухэлектронные термы Возбужденных состояний! парамагнитного о?, из которого при захвате электрона происходит переход, соответствуюаий красной полосе рекомбянаи.ионной фото-лшшнесценции. и пустого о* , которое определяет температурную зависимость фотолюминесценция, описывается (без учета ангар-монизма) простыми параболами, которым соответствует одинаковая энергия локального фонона о. ¡2 зВ. Частотный эффект относится к переходу из основного (0~> в возбужденное (0^ состояние. Используя выражения для функции формы линии в присутствии частотного эффекта, в рамках предложенной модели двухэлектронных виб-ронных термов центра немостикового кислорода удалось достигнуть хорошего согласия между наблюдаемыми и расчетными величинами энергий оптических переходов, с одной стороны, и соответствующими ширинами линий этих переходов, с другой стороны. Значения величин оптических переходов в основном определяются константами тепловыделения 5( и возбужденного (0°) и основного (0^ термов, в то время как отношение ширин пропорционально вели'пше частотного эффекта (ы,/м_>3^2. Сравнительно большая ширина по-

л оса поглощения с иакоичумом 2.0 г;ри нэлоЯ ширине полосы фзтог.сн'.шес.ц.ени.ки я небольшой стоксовои сдвиге (порядка о.! оВ) является следствие» частотного эффекта: переход из менее локализованного колебательного состояния приводит к ytíU'pémir. •í-tfi, в то время как обратннЛ переход - к cyjemm ФЬ". Крене того, наиболее вероятному оптаческому переходу соотаетшвуег не вертикальны;'! переход, а переход со ст;<?кивч ядра, что приводит к снесение) максимума поглощения в крлсиуо сторону.

В п.2.2 рассмотрены особенности спектральной зависимости сечения $отся.оннзацки г»дхоэе>«>!ьи«у ионэ» в стеклах. На ооноье анализа f-d переходов редкоземельных ионов (?'<!!) показано, что при расчете сечения фотоионизации реакции neppsapsunn» типа oJl - Се"4 + е необходим учет пояяронкого сдги;-а, ч-четткого эффекта и к»азистацнонар;:ого характера конечного состояния РоК. Дня анализа сечекия фотоионизашш в предположении. что конечное состояние в реакции перезарядки является кглииотп-диэнариын. с.ыяа использована модель децьта-обр-луной «u».i с центробежным барьер.'-» вида г. (•?. г п/Сг + го , г. - параметр подели, который необходим для устранения раохедимоогеи ь облает г •> о. При <". = ¿ пемунена выражение для s-матрицы и фпктср;18«дия «пшчдои функции в области г « о. Используя полуклассическое приолиодкр дяч произведен расчет спектральной зависимости сеченка ¡зотоионизацш! глубокого центра с учетом частотного з^ктл и квазиотацпо.чарного характера конечного состояния.

Б четвертой г лаве предложен н.-х«1ш:>н неоднородною .уширения оптических спектров гауЛоких ц?нтрг.ц j< диэлектрических стеклах. основанный на частотном aberre и 371-к-тивнын в условиях постоянства потенциала термопониэации !, либо дапаий аддитивный вклад в цементы функции формы линии н случч«* разброса I.

Данный механизм неоднородного уширения охяэаи со значительными квазиотатнческтш флуктуациями плотности (свободного объема) и локальных напря*енип в стеклах, которые приводят к иг--

нененнп адиабатических внлронни.ч термов дефек-Оч и, в частности, к часптному пффекту - п?ме"°Ж!Г частот /скальягх колебании, ccr,->'i>p>'rcT!-.yn¡'-,¡!y. различиям состояниям дефект.'. Дакни« случайна«? д-?,}ч,р'-|?:1ИК р кеупррядс^'кноп атсноя с«тче стехлз ¡<zr?o с::лс?.тъ распредел»!»;?« частот локальннх (f'-нснс? которое определл;-;' раэ-орг-с :'нергегкч«су!;х ron фпкнкх сдшит>* на глубокой дефехте ¡i рнводит к твенкому измекекпп м-л для процессов иоглсфлнм и испускания светя десктоп по сравнению с об.ччнччг пекэризяоп.

В п.4.i рассмотрена точно решаемая )'.э;\?г,ь неоднородного униррниа указанного типа, откованная на следурдих полотен;'чх: I) координатный полярочн-.'и сдниг С,'„) л потек:',нал тернсмоняэаичи (!). рассматриваемого дефекта, фиксировались; 2) разброс по локальным частотам основного ;<->п) и иоьипоеанного («j) состояний дефекта воэника°т вследствие флуктуации плотности и напрлэениА в стркле га счет ш-ачшеии* крутизны »ц^ронкых термов (локальные изирнгни» силорых констант).

Для оценки ьепичяны неоднородного ушреная <5кли усреднены первый i-e мент (а») и дисперсия fí.') vWI по распределении частот локальных фоиснов «0. о, основного и возбужденного состояний дефекта При усреднении использовалось нормированное смешенное ганна-распределснпе вида:

Г (и) = { —-- x^'expl - рх) , х > 0; О, X S 0 1. (2)

I Г(.г) J

где л = i.) - u . , и = см, или «.i,), и . - некоторая минимальная

m i л о 1 m i n f

частота, которая по порядку величины равна характерней частоте

акустических колебаний в стекле, а именно, дебаевской частоте - _ i -1 2 — "„: г(") - гамма-функция: ■■ = (и - <■> . )V<1"' * и*/о . Р 1 С*■* -

и т т. .п

* "/''""s '•>• " " среднее значение и дисперсия распределения ("приблнленнни знак равенства соответствует условию й >; <•>>,). В случае когда параметры распределения i2) для локально! частоты <>0 и м, ссвнздапт. усредненные первый момент и дисперсия чФл принимают следурчий вид:

<0> - Su (1 + «"') + -и £ (« t 1) z™ 1 »(n.niz) - 1 j. (3)

Г(« + 4) z"

- c..* .

Г(« + 1) П

I* - Su--J- Y(«,«;z) + (4)

1 г Г(л + 4) zn 2 .

t -¡Г--V(«,<»-1 ;z) - (1 + a ) ,

8 L Г (a + 1) « J

где v - вырожденная гипергеометрическая функция 2-го рода; s -эффективное значение-константы тепловыделения., Sj - (Uj/üjjs, s0 » (<.>0/ü0)S; z « Mmi f- б данных соотношениях слагаемые пропорциональные эффективной константе тепловыделения S обусловлены изменение)! поляронного сдвига за счет разброса частот, а вторые слагаемые, связаны непосредственно с частотным эффектом. При выполнении условия S >> ь>п или, что эквивалентно, « >> г, моменты ФФЛ В основном слабо зависят от величины граничной частоты "min' ® атоМ случае вместо (з), (4) можно использовать приближенные Выражения, которые при увеличении ширины распределения теряют смысл из-за наличия полисных особенностей, т.к. в них отсутствует зависимость от и 1п-

.В п.4.2 представлены результаты численных расчетов величины неоднородного уширения, выполненные на основе точных соотношений (3). (4) и их приближенных аналогов. Показано, что при ü > а основной вклад в неоднородное уширение связан с изменением поляронного сдвига за счет разброса частот, а при й а <т необходим учет слагаемых от собственного частотного эффекта. Так при значениях параметров s » ю и ч » ю первый момент МЛ увеличивается на один усредненный квант ü, а среднеквадратичное отклонение "7 1/2 '

(Е ) ' интенсивности ь полосе возрастает в 1.4 раза по сравнению с соответствующим значением в случае а « о. Соответственно, при a » 4 величина W увеличивается на более, чем два кванта й, 1/2

а (Е ) - больше, чем в два раза

В п.4.3 на основе частотного эффекта продемонстрировано нелинейное увеличение скорости радиационного дефектообразования в

сильно облученных материалах. 5то связано с тем. что вероятность переходя а тона в ме.чгдоутзелъное положение в процессе радиацион-ксго дефектообразевания определяется функцией форнк лийкн. По м%р» облучения образца происходит структурно" разулорядоченз!!?, п[ иводящ^е к изменен?» МЛ и следовательно х нелинейному возрастания скорости де^ексчхэбрээовая«я.

3 з а к л в ч р к и и суммированы основные выводы к результат'^ диссертационной работы, котор»? состоят з следующем.

1. При сильном частотном пффекте. з случае когда прк оптическом возбуждении дефекта увеличивается частота его локагьрого колебания. функция формы линии оптического поглощения дефекта сначала уинркется и сещартся в кр-эсную сторону спектра, а затем теряет стабильность, то ость приобретает осцилляции в области частот, соответствующей бесфоконной линии: эозннкаощне осцилляции лвляятся чисто квантовым эффектом и отличаются от осцилляции функции формы линии при поглощении света попяроначк, предсказанных Пекаром и Кривоглазом. ;; обусловленных дисперсией трехмерных фенонов в атомной решетке.

2. Нарушение полукласскчс-ского принципа Франка-Хондона для оптических переходов при сильном частотной эффекте удалось количественно продемонстрировать в случае центра не.мостикового атома кислорода в' кварцевом стекле; на основе предложенной теории получает простое объяснение одновременное наличие у этого центра широкой полосы оптического поглощения и сравнительно узкой полосы фотолюминесценции при малом стоксовом сдвиге,

3. Найден явный вид■спектральной зависимости сечения фотоионизации глубокого центра в стекле в условиях' взаимной конкуренции частотного эффекта- и квазистационарности конечного воз - . бужденного состояния, причем показано, что оба механизма ушире-ния являются существенными в своей области частот квантовых переходов: частотный эффект доминирует в.области максимума функции -формы линии, а эффект квазистационарности определяет поведение сечения в области больших частот фотонов..'

- 14. 7

4. В полуклассическом приближения с учетом линейного и квадратичного вибронного взаимодействия получен обадй вид спектральной зависимости сечения реакции фотононизаци;: дефекта для произвольного электронного матричного элемента.

5. Показано, что интенсивные флуктуации частот локальных фононов, связанных с дефектами в стеклах, даже при отсутствии частотного эффекта в среднем приводят к существенному удирению многофснонннх примесных спектров в таких материалах; предложенный механизм неоднородного уикрения является наиболее вероятным объяснением спектральных различий между стеклами и соответствующими кристаллами.

6. В случае процесса радиационного дефектообразования показано. что при увеличении дозы облучения происходит нелинейное возрастание скорости дефектообразования. Это связано с изменением функции формы линии, обусловленное структурной разупорядо-ченностью материала, возрастающей по мере увеличения времени облучения .

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих р ботах;

'1. Дийков А.Л., Машков В.А. Спектральные проявления квадратичного электрон-колебательного взаимодействия на глубоких дефектах в стеклах. - ФТТ. 1990. т. 32. n4. с. 1216-1.219,

2. Дийков А.Л., Машков.В.А. Кислородные центры с отрицательной корреляционной энергией в стеклообразном диоксиде кремния. -Тезисы .докладов vi.i Всесоюзного симпозиума по оптическим и спектральным свойствам стекол. Ленинград: изд. ГОИ им. С.И. Вавилова, 1989, С.246-247.

3. Дийков А.Л-. Машков В.А. 0 новом механизме неоднородного уши-рения оптических спектров глубоких центров в полупроводниках. - Тезисы докладов xiv Всесоюзного.уПекаровского/ совещания по теории полупроводников. - Донецк; изд. ДонФТИ АН УССР. 1909. с.132.

4. Дийков А.Л., Машков В.А. Влияние частотного эффекта на оптические свойства центра немостикового кислорода в стеклообразном диоксиде кремния. - ФТТ. 1990. Т.32. N'12. с.3654-3658.

5. Багрэев К. Т. , Дийков А. .1. , Клячкян Л. Е. , Маш коз В. А. , Суханов 3. Л. Исследование влияния окисла и поликристаялкческм слоев на время жизни носителей в монокристаллкческом кремнии. -Письма в ЖТФ. 1987. т.12. n17. с.1025-1029.

6. Дийков А.Л., Махков З.А. 0 механизме нелинейного возрастания скорости радиационного дефектообразования в сильно облученных материалах, - Тезисы докладов 1 региакальчоЯ конференции республик Средней Азии й Казахстана по радиационной физики твердого тела - Самарканд: изд. Самарк. гос. пед. институт. 1991. с.222-223.

7. Дийков а.Л., Машков В.а. Спектральные проявления частотного эффекта на структурных дефектах в стеклах. - Тезисы докладов Второй Всесоюзной конференции по физике стеклообразных твердых тел. - Рига: изд. инст. физ. Латв. ан. 1991. с.29.