Теория радиационно-физических процессов в высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РГБ ОД

1 О М1Р 1525

АКАДЕМ И Я НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ

На пранах рукописи УДК 039.292:537.312.62 КАРИМОВ ЗАФАР ИБРАГИМОВИЧ

ТЕОРИЯ Р А Д И А Ц И О Н Н О - Ф И 311Ч Е С К И X ПРОЦЕССОВ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ

01.0407 —Физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ТАШКЕНТ -

1095

Работа выполнена в научно-исследовательской лаборатории «Электроника твердого тела» кафедры «Физики» Ташкентского Института Автомобильного Транспорта и Дорог.

^Научные руководители: доктор физико-математических наук,

проф. Оксенгендлер Б. Л.

доктор физико-математических паук Юсупов А.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук, проф. Кошкин В. М.

доктор физико-математических наук, проф. Гасанов Э. М.

Ведущая организация: Тверский Технический Университет

Защита диссертации состоится «5» апреля :995 г. в 7<с

часов на заседании специализированного совета Д 015.15.21. при Институте Ядерной физики АН Республики. Узбекистан по адресу: 702132, г. Ташкент, пос- Улугбек, ИЯФ АН РУз.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИЯФ АН РУз.

Автореферат разослан « 4 » марта 1995 г.

Ученый секретаре Специализированного д.ф.-м.н., проф.

Е. И. ИСМАТОВ

- 3 -

СЗ-зя характеристика работа

Актуальность темп-.- Хотя за годи, пролежке с момента открп-тия оксздныгвтсп [I] и'была получена огромнейшая информация о свойствах этих тгятоз сверхпроводников, 'причем как с магернз.то-ведческоЯ; так и физической точек зрения, центральная вопрос -вопрос об истинной природе' явления высокотемпературной сверхпроводимости остается отярггпм* Однако однозначный вывод, котсркЯ можно предварительно сделать, судя по* результатам многочисленных экспериментальных' исследований Г2-61» .состоит в тон, что хграпгр поведения большинства йгаккб-хкгяческих свойств этого рода БТСП иногда целиком определяется дефектностью структуры этих материалов, а именно отсутствием кислорода на: позициях 0(4) или 0(5). В этой связи изученке.'особешю объемных радиащтанно-фтзичесг'п.з процессов-в. этих катериадах нёкзбёзай''приобрело первостепенное значение.

Известно, что вся "радиационная" проблематика ;-:о^ет б!лъ сгруппирована по трем круяннм проблемам: радкационннЯ синтез материалов (РС),' радиационная иолфкащхя. (Щ) и использование радиации для' экстрагирования фундаментальная свойств материалов (?с5С). В. соответствии с этим разделением можйо рассматривать ¡1 лсслздсвз-ния'В области МСП. Так, оказалось, что распределение опубликованных ' эксперимента лышх работ по ВТСП по.трем- злят направлениям существенно различно:-если по проблемен ГС и га имеется весьма большое число работ, то в области'Р&2С. имеется мизерное число цедззза-равленшх.-экспериментов: • Н это не случайно и связано с тем, что с точки зрения радиационной '-физики В1СП-натер:хали .является псклеге:-тельно слозгош' обьектатл:; каадое из хар'акторних' свойств згл материалов:' иногскожонеатпость"; нвогофэзность, зегсмогезность, неупорядоченность, яэраЕНОЕвснЬсть, сяогаость пряролн хга&песк&х связей,- аюхзотрошя^ нзлгвта Бозэ-ксндзасзта при Т<ТС> :ясгозо2г.ость, сильная.элек^огшая; корреляция». по лкк>р!$кзи и т.и, бяэлзэ заслуживает, специального исследования в облает»! радиационной фгагга.

'Поварю-, что в'згкх неординарно слокных условглг успех из-польйовэнпя радиации для шявлэная фундаментальна; свойств БГСП •'(радиационной• отклик) -должен" быть связан с очень точтто поставленной задачей, впберен. зпн объектов исследования п подберз рзднз-■циогщогб. воздействия - только тогда-возйозшо -рельефное лпяь определении- свойств БТСП-мате-рп'алрв.

Отметим, что с'Осуждаемйя идеология до с:а пор четко яр •'фгр-мулхр'ована и особая роль в зт'сп ситуации теорет;п-т:кг.:< й-\:л-гг

ний очевидна. Подход, -использованный в данной диссертации, а имен-наэкстрагирование фундаментальных свойств ВТСП-материалов с помощью методов радиационного воздействия - можно назвать обратной задачей радиационной физики ВТСП.

Целью настоящей работы является теоретическое исследование радиационных эффектов в некоторых ВТСП-материалах, которое позволило бы пролить свет на такие наиболее-фундаментальные .свойства \ ВТСП,как метастабильность, степень упорядоченности, свойства электронных зон, состояния границ -раздела зерен, а также механизм сверхпроводимости.

Для достижения этой цели решались следующие классы задач:

- исследовались радиационные процессы,'обусловленные протека-тельнкш свойствами ВТСП, в модели'случайной сетки-контактов-Джо- ' зефсона (ССКД) и с учетом РСД и повреждаемости контактов;

- - изучался характер.влияния радиации на дальний порядок кислородной подрешетки и температуру сверхпроводящего-перехода;

- изучался безызлучательный'распад коррелированных пар .дырок на границе-разделов, облученных-ионизирующем-излучением; •

- изучалась роль РСД избытка атомов кислорода на границе . зерен под радиацией;

- предлагаются "полюсные" радиационные тесты на механизм. ВТСП с выявлением двух основопологапцих аспектов:, сценария-Бозэ -конденсации и природа сил.-спаривания. - . - .

Научная новизна полученных результатов сводится к следующему:

I. Изучен ряд явлений, возникающих в объеме- ВТСП при воздействии различной радиации: ' .'.

-.построена'теория влияния высокоэнергичного электронного облучения ва УВа2Си307_х -(для .х=уаг.) в сверхпроводящем состоянии. Основная идея связана, с'--радиационным перераспределением атомов кислорода из плоскости Си-02 в плоскость 'Си-О. -Сравнения • теории с экспериментами 17,8]-- -показали, что предложенная модель адекватно описывает явления в ХВа.,Сид07_х.

- предложена-теория, позволяющая объяснить обнаруженные-.- -. •на экспериментах зависимости температуры сверхпроводящего., перехода от стехиометрии £9], и параметра дальнего порядка.€101, а такае в рамках предложенной модели выяснено влияние радиационных перераспределенляЯ атомов кислорода 0 по позициям в пл.. Си-О.

- построена теория явлений спонтанных осцилляции.структуры УВаСиО, основанной на представлении об .открытой система по кислороду, его перераспределений по неэквивалентным позициям в

решетке и зффог.те. Яла-Геллера па связах Си-О. Предложенная мэдоль позволила объяснить кмзшиеся эксперимента [II].

2. Исследован ряд радиационных явлений на изолированном контакте Дгозе^сона, в' частности:

' - изучено явление радиащтонно-стимулированной даффузпи избытка атомов кислорода О на границе зерен, в результате которой кислород уходят в ижрокристаллит, а контакт утоньпается,

3. Построена пзрколяционная теория, рассматривающая влияние радиации на ССКД. и учитывающая как повреадаемость. контактов, так и радиационно-сткму.тированный отток атомов кислорода из мезсрис-таллитного пространства вовнутрь кристаллитов.

- получены вирааешм для дозной зависимости сквозной проводимости- при различных температурах;

- найдена дозная зависимость кркттока для ВТСП-кергмкк;

4. Разработаны радиационные теста на механизм высокотемпературной сверхпроводимости, связанные'с выявлением двух аспектов:

а) сценария Возэ-кояденсации;,

■ б) природа сил спвршания носителей.

- показано, что экспериментальная-зависимость скорости

деградации Тс с дозой как функция исходной Гсо = Г(ТС0)) г.от.ет служить основой для теста на сценарий Возз-ковденезцип в ВГСП со слоистой в&ог еятакетричеекой структурой типа УВа,СидО?_^.

• - предложено- идея использования о'езкзлучатэльного распада скоррелированой пари дарок при тунедлировашп еЗ через- переход:! Дзоззфсойа, облученных. ионизирукаим излучением, которая «о 29? слугмть тестом, для шяснетшя пркродц сил спзрхщояия зазроз;.

- Научная и практическая. ценность работ связана с:

- созданием-ряда базовых н'одзлэй'влияния радиация-?.э свойства «онскриэт-аллкчосккх и керзютесзга' ВТСП-натеркалсв, что позволяет использовать их- при анализе слошигк рздпгционких з®-%ктсв;

возможностью на основе.предложенных радиационных -гэстоз поставить- эксперимента, которые приблизят понимания пспгнно;:. • механизма ккокотеиперэтурной сверхпровозрпаоста.

Основные .положения, Бшссгоша па защиту:

I. Модель радкационво-стимулфоваипого перераспрэде.-.с-н';:! ато;!Ов кислорода из ствхпсчатричесгсоЯ плоскости Сц-О0 в г.^см-хкоаетричес:-су» плоскость Сц-о, утитаззЬкая гас различила екдод в 'парциальную плотность элоктрошшх состояний, что позеоля-;;' объяснить особенности экспериментально обнар/гокиой доградпц::::

.. . -6 - ' ' ТБа2Сиз071х (при варируемой. стехиометрии) при воздействии васо-коэнергичннх электронов в сверхпроводящем (Т<ТС) состоянии [83.

2. Модель, базирующаяся на представлениях о перераспределении атомов кислорода по неэквивалентным позициям в нестехиомет-р;;ческой плоскости Си-О, которая позволяет объяснить эксперкыон-тгльно обнаруженные зависимости температура сверхпроводящего перехода в теадСидОу^ от стехиометрии 193 и параметра дальнего порядка ЦО]. . • •

3. Синергетическая модель, базирующаяся на -представледиях

- об открытости системы по кислороду, его перераспределении по неэквивалентным позициям решеток и эффекте Яна-Теллера на связях Си-О, которая позволяет "объяснить эксперименты по спонтанной-осцилляции структуры элементарной ячейки УБа2Сид07_2 ШЬ.

4. Модель отрицательных крзудкэков в нестехиометрической Си-О,. способных формировать на флуктуациях. плотности (в своих нониусах V квззиодноыерние днрочные. биполяропн, двумерный коллектив ко торю при определенных условиях может выпасть в Бозэ-коиденсат. ' •

5. Пзрколяционная .модель повреждения- ССКД (модёлирукщей ВТСП -коражку), которая учитывает как повреждаемость отдельных конгак-тсз, так и Р€Д .кислорода из мехкрхюталлнтного пространства вовнутрь ыгкрокристаялигов и позводя'ясая получить дозвую зависимость скво?-1 вол проводкиостк и транспортного етлгттока.

6. РэдкацкбЕнке тоста на мехашгзм ЕТСП, связанную о вйшяонке-м:

а). сие2£рия Еозз-кснденезцпл - на основе тоорил, осйясаяхзеЬ з5в;:сжость скорости рэдшдаонной деградация Тс с-т; походной '¡'со; .

б). природа сил йязракшяя - ве ссяорэ жов 'бб'за^лучател-.-ЕОГ0 росгаз пар дирэк яря ю ТУ1ШОЛКрОЗ<51:»Л ч?р-ез оС^уч^алс-. л'олчсзкт Д^згс-Ссоца а доьздзе фшчоскоИ- щ>у\ти

ирк это;-: сп&рпп:. : • / . •

¿тгозбацкя рзбот:т. Результаты работа-, Ездахвиш» & .дг;сс%рто-и.гл, C:\r.i продс?о1:лу;ш па. слэдул::;;.: коужк фгрудгзд: '

I. Зо-Иостояпн-С: Гждзр по кс?

1 ^.•лкр-ггзг.та лектор* и сюЯгтв коиденсярог-а^сга ере:;,.

"л .'.. — , шг,' ' ' '

Г«»Гйй«Л 1кфклИоглХ.оп Са-г-аШ* 31:и;1а -

ОТ ШГиСШПЛ о' сош!опз«1 С^иог,

1953, Лр1-11. • ^-Псстеггпл?. .по пежг-ж-рао:'';;

с--;>у;г:ур:: оь^Г.с-тв г-ондено^о^.-нн-с орел.

4. The 95th Annual Meeting о1 the American Ceraalc Society. April 18-22. 1993. Cincinattl, US.

5. Saltan International-Conference on Superconductors, August 27-30, 1993. .

6. 8-Мэздународоя конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, КЕХ, Томск, 19ЭЗ, Ноябрь.

.7. Снрдаркаская конференция, Сентябрь, 1934, г.Гулистан.

8. IV-Конференцкя молодых ученых ИЯ5-ДНР7з., Тагкент, Октябрь, 1394. . ; ' -

9. Seoul International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals, July 24-29, 1994.

10. Г-Мездународаая конференция по "Hoeem материалам к приборам" памяти акад. С.Д.Азкмовз, Тгпжзнт, 19Э4, Ноябрь.

11. 16th-Pecar International Conference on (Theory of Semiconductors: Session of computer modelling of the properties of tto condensed 'matter, October 4-7", ОЗеззз, 1994, Ukraine.

Публикацш. По натерхйлам'диссертацга опублисозано 15 печатает. работ, спхгсок которых приведен 'з конце автореферата.

Структура к обьэм дпссеоташи. Диссертация состоит из введения. четкреч глаз; эаклочепкя " ювэдов. Работ8 ссдеракг 131 етрелиц мезкноппсяого текста, 42 рлсунха. Список литератур« вклкязэт 138'Н813!еПОЕаШ1Я.

ОСНОВНОЕ COIEntiKE РАБОТЫ.

Во стшевке, обоснована ак-туальнссть тема диссертация, с^риулярсвгаа цель работа, нзутнал'нсв;зяа ксслздоеенпл, пр-л*.--тотескап ценность рэзультзтов, язлозеан ссзогздэ пологс-штя, виз«-сккне па -зезцгту, дгяа поспортиз5ш:п .цпосгртаи,;^.

- . D пзрпои Г-П8В5 излозеша

- (оундЕментальниэ сесП'отез ВТСП-Узтор^аяоз: гггогоксмлснзат -тюсть, нос1в2локетр:шооть,. н-зупорядочештость, а&г;;«ог-зппос?ь, анизотропия, полкпорТ::"У, сло'.кп^ дар-актер "лчглес".¿li .rer.'jH, s.'.'-.i: троянйл структура, олзктроя-фононзго Езгсюдэлстк;.:,

- -бзооглп зкетпржоггии^п^з ьгфят::: •зодглр;,?.::.-.*,

neinpouxoa,. фотонное, р*к?ге:>:2:глг, czr." ic:z.r,,

-ооиосуа.остзук'Я'.'.е.- теср-гппэс;."::; с'пкгов: »'одаль гф1окта пал:^ доз, го,::оль пс-ргрь«прзззмзя* птечеп ипогероаг., г»глаигзгла» дефуйтз^ерз-гозднг.;» в ИТ',"'., ^од-'/л

с .участием дс^-усгдд :*.-.:;•:•..-• олс^грс."-

- а -

ко стиыулфованной. десорбции кислорода, модель элементарного акта подпорогового дефектообразования, феноменологический анализ роли относительного вклада упругих и неупругих потерь. • .

Подведено резше и осуществлена постановка задачи.

Во второй главе.исследуются радиационные эффекты, обусловленные процессами в объеме ВТСП. ' ' ' ' . ■

В {.2.1 предложена'теория, позволяющая объяснить обнаруженные на эксперкдентах зависимости температуры сверхпроводящего перехода от стехиометрии.С91, о также в рамках предложенной модели выяснено влияние радиационных перераспределений, атомов- кислорода 0 по позициям в плоскости Си-О. Результаты расчетов по-

• ''!ГС=1.14314«expЫ/(0.73+0.063тl)^

xcpo¡лO согласуются с данными экспериментов (РисЛ). Отмечается, что сечение этой поверхности плоскостью, перпендикулярной оси 1~т), дает кривую Г9], а сечение плоскостью, перпендикулярной остл х (при х=0.45) дает результаты ЦО]. В модели можно'получить и "полочку" на криво'' [9], при этом полагается,-что. уменьшение 7-х (уход кис- . лор-ода из образца) приводит к упорядочению кислорода (переход Виг-яера). Такая трактовка справедлива в отношении ВТСП монокристаллов.

В §2.2 отмечается,' что принципиальное-различие плоскостей Си~02 к Си-0 дает возможность в плоскости с•кристаллографическим направлением Си-0 (рис. 2) реализоваться отрицательным краудионам, :в которых число атомов меньше, чем число_позиций: "Мягкость" краудионнги степеней свобс;д позволяет осуществиться 'эффекта;, I. сильного, электрон-Зононного взаимодействия: электроны, дырки, экс1ггоны взаимодействуя с краухконамя, легко деформируют га .и локализуются на них. Применительно к.УБа^Ои^^ "'крзудгоннне структуры конструируются из отр;а1ательннх. ионов кислорода и'локализоваться на них могут'.прежде всего положительные дкриг (дырочная сверхпроводимость). При этом рассматривается энергетическа'я -выгодность локализации именно двух ддрок но'сретению с одно-дырочной локализацией на^краудаоне.

Функционал' полной энергии краудионной структура: •.

гдо Ег- энергия упругого рзахмодейс'твия атомов'в краудйоне, Щ,-ЭЕ*рп1я взаимодействия краудпонз- с' полем "прокладки".."

Полная энергия, системы "крзудшд '+ .Ш" и-"кр.зудион" + :••'

' Щ ои + . Щ -ГЦ; * в^ои

Определяется уелохггз" ввгодаостя состояния Ер по сравнению с осталыпии: .

Щ1' < гЩ

.Услосне спар'/ветпя дттрск на крзудноле:

2 + >0 '

J о

удовлетворяется при вевз значениях параметров гадачхги показано, что в рассмотренном пр'лбдлзении спаривание дырок (бозонг.зация) всегда гнергетпчеейи вагодно.

В § 2.3 моделируется явленна спонтанней' осцилляцгсз структуры ХЕо^Си^О?^ с тгёркэдоп примерно в 1 час,' откритов на основе рвн?-гепогр'!$ячес"'нг исследований [II]. Построена екнергеткчоекзч теория усиления флуктуация вхоздонпя атомов кислорода в пестехг.о-метрпчос-лой ТВагри^}^ на границе лабильносг,*, .связанной с эффектом Япа-Теллора.

Кристалл 7Еа0Си-р-г_„ рассматривается в совокупности с еяругэ-гаеЯ средой, богатей кислородом. Процесс вшггпвашт {вхождения) "Епеиниг" атопов кислорода в кристалл характеризуется боль^г,?! нре-кез&ч, обуслоачешгга эффектом диффузионного насгпешш кислородом С1В). Плюнжз внутрь кристалла "Евгпагй!"- атом ккслорола будет распределятся по ктслородяш позициям, подводя кристалл к степени дальнего порядка, равновесного, для данной т&гетература.' Кз установление дальнего порядка такхе требуется Ерэ!.!.я которой гораздо мс-чьао, чем ^ Попав в равновесные узеидаэ глэшш, кислород вступает в гл*.;песксе вза^.юдействпэ с атоиами Си. При этом заполяэнпэ антпевязвщ-шх состояний на поЕорхносга &гр;гл позволяет реализоваться эффекту Яна-Теллзра в каждой ячейки. Яп-Телле-ровская деформация каждой ячейки, каступзшз'я почти мгновгнзо (тЛСГ13с) после запо.чнеШ1я соответстБуяшк "Йи-О* орбита лея» резко меняет ввляину растворимости по кислороду (Ка{г))), так-что .вошедший кйслород оказывается ухе нергвновэенш :: долген уйти' га кристалла за диффузионное время т^, которое сильно завис:;? от упорядоченности образца-, т.е-. ЗдСт)). Уход кислорода потягает уровень ферки Ян-Теллеровскг.а.србптал:;- Си-О окззигается "еголзн-шз!ИИ и кристалл воэвраизЬтся в исходное состоят» - опт цикл

завершен. Длительность этого цикла - есть период осцилляции.

Свободная энергия системы выбрана по Лаздау-Гшзбургу.

У Т0 + ат!2 V Ы]4

Кинетика указанных процессов.описывается уравнениями. '

(Ш К (ц)-Н- д . 6? ■ и т ' 1 * 3

. ' 11 е

С учетом !.'=К*+би и 77=17*+0т) получи;,!::

к1,2 = * (Мп+М22)2 - 4(МПМ 22-М12+М21)

Так что, осцилляции возмогли лзщь при условии: '

Б третьей главе изучена роль эффектов протекания и . их йзме- . Еения под радиацией, исследованы радиационные эффекты, обусловленные как индивиду а лыш>«, тек и коллективные свойствами границ раздела --ДЕОзефсоновских контактов. '

В случае ВТСП-ыатериалов кроме всего прочего принципиально взенем явля§тся то обстоятельство, что в щк длЕа когерентности менее |<Е0 А.(в классических сверхпроводниках "10:* А),' т.е. размер пары екоррелцрованных,носителей порядка сирина.естественного-дко-зефсоновского перехода и потону' эффект тушалирования структурно очень чувствителен. Кроме, того, наличие избытка, кислорода.в ме*-'--крпсталлптаоц пространстве позволяет обсудить идею о том, каким путем отот обтек дкфйуйифует-из контакта в кристаллит. Во врокя туЕнедгровгякя. некоторые -дырочные "пары рекокбишруют с' элейтронома в контакте и тогда через -изучение и исследование процессов на контакте когно подучеггь. о кехБакзие -В1СП.

В § 3.1 обсуждается проблема влияние облучения нл. криттоки. Построена пзрколяциошшя теория, рассматриагадея влпягшз радизшп на СС1СД к учЕГЕвакаая как ловр-э^даеыость контактов» так'я радиаци-онаия!34ул:фЬв8йша отток -кислорода га. контактов в' кристаллит.

При воздействии,радкаигет на ССКД- учяпдзеатся. сдедукж? ко- . цента. Еэ-пзркз, радиация попав б контакт'.г.отет его разруцта с вер:ятноотью о^Ф.Бо-вторщ;,- энергия, Е:иеляж,аясй' при этом в'• с благи: контакта стшулгрует лп^'зпокныз прецзези в пей, в ро-зглът;т;"- чего Убыточны;! кислород,' локол^збБадпий на контакте,

уЗодит вглубь кристаллитов. При этом контакт утояьшается. ErSgy-пиойное истощение кислорода в-контакте дюзет быть описана ураЕза-' шйа:

(21 _

• ■ 2Î-V

Концентрация кислорода в контакте огатсшзется выражением:

îl(x.t) = | N,

гш

L (2KVI)2 JÎT

к

r^Dtl sln-â^x . [ Lo

В результате рзпеккя этого уравнения получено ниразениэ для ширина перезола:

L " I Ь arcsln!

Ширина перехода монотонно уменьшается с дозой.

Показывается, что радиация, вдпя-зт. на крпттокя через два аптабатппх капала: если- утонкпенпе контакта путем радЕзапонпэго стимулирования }.пн?ашЬх кислорода увеличивает кркттокп, то деструкция сагтаг переходов, наоборот, ' is уменьшает.

Окончательное вирлсонпз для крггггока .в обсухцаемоЯ модз"::

КГ-ei»

П

[Е(1-еф5.

ts

4- 1

6

t t

I(I-Gt')

Г,0'1!,

1 -

Числений! расчет с паргметра;:;! приводит к лемонотсшп;:! ззг-л-сплостям щвтоха от йлуэяса.

В § 3.2 на зззе порколя'дполпиг представлений исследуется пслноэ оогооглвлс-нгл ССКД, Спектр згркз г.снтзкгов:

5(1") = -±-ехр(-

• L ' - I

Энергия переноса пэра нос;ггелеЛ при тупнеяфовшпк чзрзз козтзн?:

; ' Bt(L) = Е?егр(-

которая резко-падает с узз.-ллзннбу. L.

'-.--' -с

УслсЕПЗ туннэльнспронглаемоет;: контактов: L s L* =

Получено Eîtpa-Sffiîô .для полного сопротивления ССКД:

* = >1(4)

Тогда на базе перколяшгопных щей с учетом радиационного воздействия и возможности при этом повреждения сверяпровдязшх. контактов получим:

Г= Ео{[Йш)У - + •

1С

Отсюда Ее вярагение для дозовой зависимости иир;щн СП-пере- . хода имеет вид: . .

6ТС = Тма2_тм1г.=ото(1_оф)1/у + ктМШД!^]17^^

В 5 3.3 продолжен анализ эффектов, связанных с ССКД, но-основе теории протекания. Отаэчается, что радиация многообразий'влияет на свойства как объема кристаллитов, так л дгозефсоновсгак коптактов,-. это проявляется во всех-характеристиках сверхпроводника, связанных с транспортом.носителей. Это и'понятно, т.к. с точки зрения радиационного воздействия "именно дкозефсоновскиз контакта являются .

- . - . • п»

"слабым мэстоы". Определив'■пвфину контэкта условней. ГЫКх.Ю найдено выразенио- для вирник -перехода: ,"

■ 1 =Л .- Т-.

• I „г

где 7 =

16- ¥

N _Р. 21 Я7 I

Л

' Одновременный учет радиационного повреждения контактов .и стлмулировзнвого оттока'кислорода-,!»'областей контактов позволил-получить варагенпе для деградация сквозной проводимости с дозой:.

' • ■ ■ 1Ь,

' г ■ '' л^гГТ®' -лц> -

- в0[Рс -I + (|}0.. ;

Показано,- что- зависимость-, Ш> имеет экстрему?,!- только' при , •условии кТ < Е®. Доза, •соответствующая этому экстремущч долгна быть порядка: •. ., . - . ; '.-,._ ."

' .....

' кТ Ь^тф.

При это"! огточаотсл, что если радиация у?*.еяьшает ипрсту контактов •

(гл-оэ воспокной РСД), то, т.к.Ь= Ь~тФ, дач ЖТ.Ф) раблвдается

доз, когда поначалу с повкзепиэм дозн сопротивление

.падает , а когда Ф>Ф* оно растет (Рис.3). Определив Т^-как предельную температуру сверхпроводящего перехода, а - как температуру, когда все контакта становятся сверхпроводящими и . начинается участок липеПноП зависимости HCT), характерной для металлической проводимости, полигоны дозпео зависимости для них:

Fo ' 'V TÄ

. ■ Tf ;

. „о v.i2

Рсзплируется, -что характерной особенностью влияния облучения па ССКД является немонотонность дозшзх-зависимостей ряд» "сквозных" характеристик образцов, поиск которых в экспериментах пред-■ставллет болг-опП пггерес. В качестве призера приводятся результз-. то воздействия -^".('лучения па кереитст» образин ^¿СЦдО^^ при Т-80 К и Т к ш]. ■ "

' В чотверп ¡! '. лаво разработали тостц па г.юхзнкзм ВГСП, свя-■защгее ?. ггявлг^!'".' дчух аспектов: . • .•■•••

а) .'иопэр:п ой-копдепсацпи; *

2; тфпроды нтл спаривания-носителей. -Показано, что зпсг^-рдорвтэлюая зависимость скорости деградация

пТ„ ' •

Тс с дозой как 'Лекция исходной 7ср-~сГ!Г = когет слулпть

основой для теста на сценарий Бозэ-кондепсацш в. ВТСП. со слоистой ■ нестехиометрической структурой! (типа УВа^^СидО^ У.

Предложена идея использования безизлучательного- распада ско-ролироЕанноП парат дгрок при е5 т'упнедкровании через переходы Дзо-. зефоонз, 'облученшпг ионизируюшип излучением. Установление, физв-■ческоЗ првроди выделившейся пря-этом энерпш яогет слуязеть тестом для выяснения природы сил спаривания дпрок. • . - •

Отмечается, что вопрос о принципиальной возможности погашения тег.ятературы сверхпроводящего перехода обсуздался особенно детально и до открытия в 1936 г. Бэднсрцем и Мюллером .оксидных ВТСП. Проблема. высокотемпературной сверхпроводимости послэ этого открытия

• - ?4 -

вышла на абсолютное первенство среди других -задач физтаси твердого тела и к настоящему врэыани насчитываются несколько различных вариантов '"теории ВТСП". Если в одних' кз них делзется йедатка сохранить идеи БШ, то в-других берется за основу "бШо^яроншй подход" Огга-Шафротта, в третьих-, зто "резоназсно-взленташ связи (РВС)" . Андерсона,.в четвертщ, это "Ферми-гящкостноа подход",'связашшй с РВС. ;

Анализ. этик вариантов однозначно .показывает, что вся проблема механизма ВТСП'шкет бить расчленена на Две вшеупомянутао под-, проблемы: вопрос о сценарии Бозе-конденсацки и природа.сил, удер-шааквдх пары носителей в спаренном состоянии.

Бесчисленные' радиационные зкспершедтгг-красноречиво свидетельствуют, что почти все основные фундаментальные'свойства ВТСП-материалов сверхчувствительны к радиационным воздействиям -и обе' кардинальные проблемы оказывается возмошаш. реиать- и методами радиационной физики. '."'-.'. ..

В § 4.1 предлокен тест на сценария. Бозз-конденсацип и в качестве базового эксперимента взята работа французской группы, которая в какой-то. степей! целенаправленна и хюдэргйТ результаты, позволяющие приблизить понимание механизма. ВТСП.' Они исследует изменения температурной-зависимости сопротивления различных ВТЙ1 (Ьа2_х5гхСи04 и ,£Ва2Си30^_х). при воздействии высокоэн&рщчного электронного облучения непосредственно в.свэрзпровбдпдем■состоянии. Дается теоретическая трактовка -этих- результатов. 7i.cfce.ry е1; а1. [.7,81 облута'ли монокристаллы П^СидО^ и Ьа^Бг^СиО^ электронами Е^ = 2,5 МзБ» причем выбкралясь образцы с разгонной исходной температурой сверхпроводящего перехода (Тсо:). Ойи обнаружили интересные корреляции между скоростями деградации "Тс, К (после), Тсо-и П (до облучения).

Тс0 антибатна х(вакансии). , откуда •'

' со со ' .

Существуют два механизма сверхпроводимости: ■ по Оггу-Шафроту (ОШББ): • ' '

• Тс=Ап2/3 (Бозе-конденсация существовавших пар) по Бардину-Кушэру-1!Ьк5еру (БКШ): • :

Т^В (Бозз-конденсация при образовании пар).

С учетом малого изменения Т„(ф) и Е(Ф) при облучении и с учетом, ' что Р. " п"1 и МЕ^) ~ па получен: ' .'

• . " - 15 -

Тс(Ф)Ле0=-к(х)П(Ф)Л30+в(х), т.е.

в обоих случаях (ОШББ и БКШ) к(х)=в(х)~1. но только для <ЖВ5 ' к=2/3=сопз1 и в=5/3=сопз1;. Сравнив расчеты с экспертдентами пахо-jt.ii, что для случая Ьа^Бг^СиО^ выполняется условие ОШББ, тогда как для УВаоСПдО^^ оно не выполняется, т.е. ОШББ не роалгауется.

• Взяв за основу процесс радйациопно-стЕмулироВанного переброса атомов кислорода из стехиомегрических пл. Си-О^ в нестехиомет-ричоские пл. Си-0 анализирована возможность корреляции типа Рис.4 на базе" двух противоположных механизмов ВТСП: ОШЕБ и ВШИ.

-Для ОШББ установлено, что

+ Т'1]!.- Т00/Т^Х] ' (I)

Это выражение" качественно согласуется с экспериментом, согласно которому с увеличением Тл0 образцов скорость деградации :бАТ(,/(11> падает. ■•

В случае БКШ отмечается, что при смещении одного атома кислорода из пл.Си-0о в пл. си-0 изменяется плотность числа состоя-

и потому удельный вклад в" плотность состояний атома кнсло-' рода в этих плоскостях разлхчен. С учетом ?того момента:

^с т В&?,'У^ТТ - УС .

'1со"Т~ " п--'.и Т2 и->

Б этои случае крс.'.з качественного, достигается и количественное согласие. -расчеты это доказывают.-

Так как согласно критерию Тс(ф>/Тсо=-к(г.)В^-+в(х) в

"о - 9 с;

. 1Ва,СизО«^г иехгтптзм: 0!ШН не реализуется (т.к. к =/- п -/=

а ;српт?р:Я'(I) екполяяртся; то.иозно сделать вывод, что в ,1Ва?СидС?_ч' реа.язуетсз г:<?хапиз?Г'пша квазя-ЕШ.

'.7з:а'Л1*.осразо:.и для'того тго.бп критерий 02ШВ и БКШ "заработал?' стадч сйг?остог!телыиг-п тестами ВТСП надо знать парг»«етр • дальнего псрягг.з I) и й?Б::с*':ч,ос;а> ~0(ч)). шхользуешх в экстрк'.ентэх.

• В § 4.2. предлог---;: тест, с■ выявленной природы сия

спг.р;~т*! г:и осиорз хгъ'й б^зкзлучзтольяого распада сксргдюро-вг'1"?~ п":р дпрог: гпл'.ш-; тукпеяфова.'ця через овяучсштЪ контакт .Лтозегсопа п анзднзе природы виделтозит^ся ирл это;'

. • - 1С -

Отмечается, что дгозефсоновские контакта йТСП-керашк;, обладает исключительно интересной совокупность» свойств:

а) ширина перехода ¿'оказывается соизмеримой с длиной коге-. рентности т.е.

б) прослойка дюзефсоновского контакта состоит из материала с избытком кислорода, .т.е. обладает акцепторными состояниями, на которые захватываются неравновесные электроны;■

в) неупорядоченность структуры прослойки контакта обуславливает наличие целого спектра локальных акцепторных состояний; ' ••

. . г) носителями тока, туннелирущши через контакт, в раде БТСП (напр. YBaoCugO^) являются спаренные дырки.

Одновременное сочетание свойств позволяет реализоваться уннкальноиу эксперименту, ироливашому свет па мозанпзм ВТСП. ' При выяснены механизма ВТСП необходимо ответить на два вопроса: I. По какой.одной из двух схем вдет Еозэ-конденсация: - по типу ВКШ (конденсат -образуется в момент спзриваппя носителей) или - по типу Огга-Шафрота (конденсат образуется из у:;:е суа;ествуш,кх ' "бшоляронов"?.' .'..-.' •?2. Какова физическая природа потенциальной удэржкваздей два носителя-(фонояная, магщггаая, электрическая ...)Т

. На первый вопрос, видимо, обпадбаиваишй'отео.т ва'доя; как экспериментально [7,8],'так и теоретически 1131 и состоит для Ia^_xSr2Cu04 в схеме ОШВВ. В качестве рскэпия проблема 2 - выявления. физической природа сил .спаривания, предлагается следукшй эксперхкент. Пусть через Дзозефсоновс'ктй переход в YBîi2Cii30^_î ' течет тунельный'ток где А — плозшдь перехода.' Т.к. £ L I (пункт а), то гуннелмрувдая пара чувствительна к структуре перехода.' Если переход облучить цонизкруш&й радиацией,- то-весь спектр акцепторных состояний прослойки заполняется (пункт <5 и в). В процессе туннелировйшя возмэагаз рекомбинация одпой-пз ш-рок пары Огга-Шафрота с электроном на акцепторном состоянии и: •■

• % ' Ее > h

где |pj Ее, Eh - соответственно энергии пари в контакте, эл^ктро-' -на на акцепторе и высвободившейся дырки. . . ' ' ■

Высвобождается энергия Е = ЕшД3Ашг, . где.Еш - энергия связи щры,'т-время тунцелирования; _

В зависимости от-природы сил, удерживаэдих 'дирки в паре, экспериментальная фиксация сигнала энергии Е'долгла о.существлятоя по разному: '-'■.'■'.'". - :

'. - если яма фононной природы, то',' водимо, мокко использовать

систему тензодотчяков,' установленных у входа перехода на поверхности образца (Рис.5);

- если яма обусловлена магнитными- силами, то энергия Е может улавливаться СКВИДом;

- если дирки удерживаются электростатическими силами, то вдоль перехода доляпы бежать токи деполяризации, техника обнаружения которых весьма 'развита.

Таким образом, частотным анализом сигнала можно реконструировать детали потенциальной ямы, в которой удерживаются спарентгае днрки..

ЗАКЛЮЧЕНИЕ • - Конкретно,.по полученным результатам можно сделать следующие выводы:

I. Изучен ряд явлений, возникающих в объеме ВТСП-материала при 'воздействии различной радиации.

1.1. Построена теория влияния высоко-энергичного электронного облучения, на УВа^Си(для х=7аг) при Т<ТС. основная

' илея связана с радиационным перераспределением атомов кислорода'из пл. Си02 в пл-. СцО. Сравнения теории с экс-

■ . первяентами 17,81 показали, что предлояенпая модель адек-

ватно описывает явления в УВа,Сид07_х.

1.2. Предложена теория, позволявшая объяснить обнаруженные на экспериментах зависимости температуры СП-перехода от стехиометрии [9] и параметра дальнего пррадкз 5101, а такав в рамках разработанной модели выяснено влияние радмацион-

' нах перераспределений атомов 0 по позициям з пл. СиО.

1.3. Построена теория явлений спонтанной осцилляции структур?!

• элементарной ячейки' УВа^СидОг?^, основанной на представления об открытой системе по кислороду, его перераспределений по .неэквивалентным позициям в решетке и эффекте Яна-Тедлера на свлзах. Си-О'. Предложенная модель позволяла объяснить эксперимента [II]. ,

?л. Исследован ряд радиашюяяяк явлений яа изолированном контакте •Дкозефсона, в частности: . - ' - пзучоно явление радизипокно-стгауяфошннсй дп-ХФузга

■ ■ язсятка атомов 0 _на границе эер^н', в результате которой

. клслсрод угодит'.з кристаллит, а контакт утояьаазтся. 3, Построена пзргсоляцйопная теория, рассматравагдая вягошдо ра-лтцш на случайную'сотку контактов ДзозеФсоиз к упта-веязяя жагс п'сврзхдсекость контактов, тгк и рагкаштопно-

• - je -

' стимулированный отток кислорода из ыежкристаллитного пространства вовнутрь кристаллитов..

3.1. Получены- выражения для дозной зависимости сквозной проводимости при различных температурах..

3.2. Найдена дозная зависимость критического тока для керамических образцов.' | ' ■

4. Разработаны радиациоаные тесты на механизм высокотемпературной сверхпроводимости, связанные с выявлением двух аспектов: а) сценария Бозэ-ковденсации и'б) природы'сил спаривания носителей. . ' ■ ■

4.1. Показано, что.экспериментальная зависимость скорости дегра-

дации Тс с дозой как функция исходной Тсо ( ^ =f(TQ0)) могет слуеить основой для теста на сценарий Бозэ-конден-сации в ВТСП со слоистой нёстегкометрическкой структурой (типа YEagCugO^^)..

4.2. Предложена идея использования безкзлучательного распада

скоррелировашой .пары дырок при тунеллировании е5 через переходы Вдоззфсона, облученных ионизирующий излучением, которая .иогет слутгь .теста,¡ для 'выяснения природы сил спаривания дырок. ' _

Содержание работы отражено в слэдуваих публикациях:

1. йссснгендлер.Б.Л,, Каримов S.U., Пахарукоз Ю.Б., Сотников В.К)./Юсупов А. Моделирование упорядоченной'структуры и её влияние на температуру еворхпроводядого переходаУ/Письма в жг®.-1993.- T.I9.-Eun.Iс.56-60

2.-Каршов S.U., Оксонгендл'эр В.Л., Саидов М.С., Юсупов А, Перколяциошая модель проводимости случайных сэток Дгозефзонов-скик переходов ВХСП-керамик-V/ ДШ РУз.-1933.-й2.-с.ге-26

3. ОксенгепЕл;:р » Тура?ва Н.П.Каримов S.Ii., ЛЗрушк: Ю.Ы. Радиационная низких тегглератур: кеццвпцкк к. эффекты.-■ЬокоетЛЭЭЗ.-¡Часть 11.-с.6.-(Прзпр./ИЯ'.Й- АН РУз:й р-9-579).

4. Каркав S.K., Оксезгоядлгр Б.Л., Циаовюк Ю.М., Юсупов L. Радаацшшю-вазкгёаоЯ тест ьа' механизм' высокотемпературной сверхпроводимости// Тезисы докладов 0-й Конференции по рзДакюн-ной фшк& и.таякг sbopvatmeasss ■ материалов ГЗХ--8,- Ноября, I9S:

Тоиск.-Ч.й:- с.?' •

5. Оксонгеидлэр B.Ji., Карт:os 3.11..-Тураоза H.H. Квйнтобн» процессы при низкотемпературной облучонил коддавекрованпмх срок// ?вэиог доклвиоз 16-й ПеверскСЛ.йэадувйроявой Ковйороиция 'и—

орш полупроводников, Секция моделирование свойств конденсировании сред.-Октябрь. -1994.- Одесса.-с.57 '

е. Каримов З.И., Оксенгендлер Б.Л., Юсупов А. 'Влияние процессов упорядочения и разупорядочения па температуру сверхпроводящего перехода УВа2Сид07_х//ДАН РУз.- 1993.-)63.-с.28-30

7. Оксенгендлер Б.Л., Ибрагимова Э.М., Каримов З.И., Юсупов А. Моделирование перколяционннх свойств ВТСП-керамик при облучении// Письма в ЖТФ.-19Э4.- т.20.-вш.7.-стр. 10-17

8. Каримов-3.й- ТЕа^сидОу^ системасидаги осцилляцион яараЗн-'лар хакзда, м.улугбек таваллуддкнинг 600 йиллигига багишланган РЙАХ тезис докладлари// Сентябрь.-1994.-Гулистон.-К. 1.-65 б.

9. Оксенгендлер Б.Л., Гольлман В.Я., Каримов З.И., Юнусов М.С. Моделирование вреионнш: осцилляций структура ЯЗазСидО^// Письма

В КГФ.-1394.-1.20.-ВШЛ5.-С.71-74

10. Карглов 3.11. Радйашюзночризпческий тест на механизм етсокотошературной сверхпроводимости 'э ¥ВЯзСид07_х// Гезисн докладов 1-й Международной конференции "Ноено материалы а приборп" памяти акад.С.Л.Азимова.-Ноябрь.-1994 г.-Ташкент.-с.24

11. Каримов З.И. ,■ Оксенгендлер Б Л., • Юсупов А. Влияниэ радяз-11551 П9 кргггокп Р корякпоския ВТСИ/7 ДДИ РУз.-1994.-."6.-С.26-30

13. Оксенгсядлер В.Л., Каратов 3.!!., Гольдчан В.Я., Юаусов Ч.С. Врсжннко осиияяшп фазовой. структура УВ^Сп^07_3 //Труди ЖХ7Т1 Поото.'гнного Могдуяародяого Сегяигро по гсо?шь,отер;:сму модо.^грегтт.',^ да^зкк® структур;! и своЕехз' копдэпсарсвгшц сред.-Апрель. 1924.-' »•Ьл^-с.гС . '

. 1л. 5, е^г^сгхас:1 В., Golil-.ni 7., У Л. 'ию

СзсПЬх'А-;:; о! а ог ;Т-/СиО//

Гп-гг^Ч"'!?;:'.; Con.it? ген с, ел 5с1спсо Яд] -Цг-.-оп'Лз'^т оГ ;-.'г с .'.с г ;-?:>,-149'!,-:;,

■ г;. Шсг-т,..;::.''-3.1-,• ., л.--..: .с .'. 3,1-.-л • -

'..^с '''Г-.':-*. '-'->," Г-л.:. .-:гп со IV 1: у -;-:г; Ог1'

"'» д.-л и; и. егг"•1 'Чгг-!]*;^ о;' '"!'-•'

Л V. "c-i.it/---V.ji- ' г.-1

-/Л, 10.; и-.г,

\:'т лг.'-у"

К. У.и'-' \ r-.J -Г-;.ЗО,:':-. -Г.тСо-ГСЭ.

^„Г/ = СПрТ;-, ''.'-V::-У

"."., -:* , , '"Н и, - ! '-/."Я 5 г ' -5'." ,

'- 20 -

4. Quere Y.-Nucl.Ina-tr. Heth-.-1988.-V.B33-Î.905.

5. Елесин 8.Ф. и др..-Свернфовод0Шость.-1991.-Т.4,МГ.1С.2055.

6. Гинзберг Д.М.-М::Мир,1990.-544 с.

7. Rui Пег- Albenque F.'et al. -Sol .St. Сохл. -1988.-V .66. -I>. 41 ?.

8. Vlchery н: et al.-Pfcyslca С.-1989.-162-364.-P.749-750. .

9. Cava R. et al. Pliya.Itev.-19.87i-B.36.-P.5719.

10.Зй В.Г. и др. Ташкент.-I99I.-12с. (Препр.ЛИФ АН РУз.£Р-9-535).

11.романов Е.П. и др. ФШ.-1990.-Т.14,£5.-С.122-12?,

12.Poljak O.Yu. et al. Pliya.St.Sol.:(a).-1990.-122.-Й45.

13.OKsengendler B.L. et al.In:Progresa In HTS.-1992.-V.21.-P:702.

Рис Л.Зависимость Т„(х, rç,) r

-----

„л

■ л

Рис.2.Сечение УВаоСип07 ' . по ностех.-плоскости, Си-0,где (+)-ваканции по 0/ и

ГдётектоТ!

Т

Рис.3.Эффект малых доз на СС1СД cLTc

7 ¿

Е

£

о е© ô

. е ее

' ÎT" Та, к

Рис.4.Зависимость f(îco) при е"*-облучснии, T<Tt

Рис.5.Схема детектирования сигнала, образованного при рекоц-бинации дырочной пари при захвате еэ электрона,локализованного lia сверхпроводящей' прослойка контакта, даозе^сонг

КИСКАЧА МШТОСЙ КАРИМОВ ЗАФАР ИБРАГИМОВИЧ

■ЮКОРИ-ТсЖ .УТА УТКАЗУБЧАЯ 1<АТЕРИАЛЛАРДАГЯ РАДШЩИСН-фИЗИК ЖАРАЁЙЛАР НАЗАРШСИ

й;ори энергпяли электрон нурларлнинг ута утказувчан зсолатда-гя УБ^СидО^^га таъсиря назарияси шилаб чикилгал. АсосиЯ гоя кислород атошгаршютг: радиация таъскряда стехкомотрик Си-02 текислзтк-дан яостэхаомзтрик Си-0 текислжка кайта таксимланинш бплан богляк.

.Зксперим&нтал анвдлзягаи УВаСиО-элейелтзр крястал пяизарася-шшг Уз-Узядан осцллляцион Узгеркш жарабшатл тушунтприб берувчя яазарпя таклиф ¡етлинган. Асосий гоя системаияиг кислород атоштари б?йичэ очиклягп, уларнанг панязра ччгарасида кайта такскмлапишларп вэ Си-0 богликлвд: билан алокадор Ян-Теллер эффекта бияаи богллк.

АЯнп бир Д-позефсон контактада квчаднгап раднацкоя гарабялар тзотис яилянгая. Асослй гоя -контактдата орттг^ча кислород агомларп-жпгг РСЛ туфайли контактдаи мжфокриеталллт5ра йяграцмяянйзгд ва контакт-шаг щггичкзланиаа билан. богляк.

Радиэцняняяг Дгозефсон гсонм.ктларининг тасодафй г?ри (ЯКТТ) га.таъсир етлнпиншг перколяцнои назарияси ишлаб чккилда. Асосий гоя. радаэдяя таъсиряда Джозефсоа контактлартбютг. бузилшил ва кислород зтомлзр1Евшг коптехтдан чвдиб кетгтал туфа&ли контакт янгич-каланиши • О',итак боглда. ■'

.Юкор;1-Тсли ?та Уткэзувчанлкк ходис'асининг мехаплзш! билан борлцк рядаацион тестлар теклиф фтлшгап. Бу глув^мгошт икки музеям томоан .бритиягая:

а) Бо'зэ-кондеиса№1Я' сценарийсп; . • '

б) капкшгак заряд таиувчиларта уалаб турувчи куч табязггг.

- 22 -ABSTRACT KARIMOV ZAFAR IBRAGUIMOVIGH

A THEORY OF THE RADIATIONAL-PHYSICAL PROCESSES .

IN THE HIGH-TC SUPERCONDUCTORS .

It la built the theory of the high energy electron Irradia- . tlons to YBagCugO.^ in the superconducting state. The main Idea is: the oxygen atoms are smashed from Cu-02 to Cu-0 planes.

It la presented theory explaining the oaclllatloii3 In .the ÏBaCuO-atucture. The main Idea Is.: the system of YBaCuO la opened for oxygen atoms fluctuation;. the entering atornà of oxygen newly allocate within the irase v;orlrof elenentar unit'; Yban-Teller effect la going in-each units of TBaCuO. '

It la studied the relational effect' going in the Isolating Joaeiaon Junction. The main idea la;. extra oxygen atoniâ oi contacts migrate to the nilcrocristalllta because oî RSD and the contacts malls thinner or destroy.

It la given the percolation theory of the. influence oi radiations to the accidental network of the-Joseiaon Junctions. The naln Idea is: in the result of influence of radiation to the Josef-son Junctions they are distroed and because oi leaving of the oxygen atoms froiii contacts it rcaire thinner. ' '''■:' - , It is presented the--teats to the. Eechanls® of HTCS. It is . lighted up .two very Imported aspects of this problem:

a) scenario of Bose-cpndenaatlon; -,

b) the nature of the. pairing force of the .charges.

P — • Подписано в ле-шь PS£f формат: &>.f/r/)4 Ойъем: ^У. тйраа;: Заказ: «¿СГ

Типография ТИПО им. Ибн-Сино' Ташкент — 700200 нр- Радиальный, 10,