Термическое окисление кремния в электрическом поле тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ

1.1. Кинетика термического окисления кремния в кислороде и в водяном паре.V

1.2. Классические модели процесса термического окисления кремния

1.3. Новые модели термического окисления кремния. Природа диффундирующих частиц при окислении в различных окислительных средах.

1.4. Влияние внешнего электрического поля на окисление металлов и полупроводников

ГЛАВА П. ХАРАКТЕРИСТИКА ИСХОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ И УСТАНОВОК

2.1. Исходные материалы и установки

2.2. Конструкция ячейки и методика исследования влияния электрического поля на кинетику и механизм термического окисления кремния.

ГЛАВА Ш. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ КРШНИЯ В ПОСТОЯННОМ И ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

3.1. Влияние постоянного электрического поля на термическое окисление кремния в атмосфере водяного пара.

3.2. Влияние постоянного электрического поля на процесс термического окисления кремния в сухом кислороде.

3.3. Природа частиц, определявших процесс термического окисления кремния в водяном паре и сухом кислороде.

3.4. Влияние переменного электрического поля на термическое окисление кремния

3.5. Взаимное каталитическое влияние поверхностей кремния при дистанционном окислении в структуре в атмосфере влажного кислорода.

3.6. Свойства оксидных пленок, полученных при термическом окислении кремния в постоянном и переменном электрических полях . . . НО

3.7. Механизм термического окисления кремния

3.8. Перспективы исследования топохимических реакций в электрическом поле для расшифровки механизма процессов окисления полупроводников и металлов.

ВЫВОДЫ.

ЖТШОТРА.

Кремний - один из немногих неорганических; материалов, производство которых доведено до совершенства. Это было обусловлено острой необходимостью получения его монокристаллов высокой чистоты или с заданной степенью легирования примесями для использования в качестве базового материала в производстве .дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Монокристаллический кремний как объект совершенной структуры с ковале нтной связью привлек к себе внимание исследователей в разных областях химии и физики твердого тела и прикладных наук возможностью исследования процессов в объеме твердого тела и на его поверхности в контролируемых условиях, исключающих проявления случайных факторов, обусловленных наличием неконтролируемых примесей и эффектом границ раздела между кристаллитами в поликристаллических материалах.

Термическое окисление кремния в различных кислородсодержащих газовых средах при высоких температурах лежит в основе многочисленных технологических процессов в производстве интегральных схем. Гетероструктура & выступает в разных функциях.

Собственный оксид на кремнии может выполнять пассивную роль : маскирующего оксидного слоя при локальной .диффузии примесей в определенную область кремния или пассивирующей пленки, обеспечивающей защиту схемы от внешних агрессивных факторов. Но в ряде случаев к оксидному слою на кремнии предъявляются более жесткие требования в отношении пористости и электрофизических свойств, если он выполняет роль подзатворного оксида в МОП-устройствах, где пленка оксида является электрически активным элементом. И в этом случае вопрос о механизме формирования границы раздела приобретает особую остроту, поскольку он определяет зарядовое состояние этой границы.

Высокое структурное совершенство поверхности монокристаллического кремния при надлежащем качестве подготовки в механическом и химическом отношении открывает возможность изучения тонких физико-химических эффектов в ходе топохимического взаимодействия кремния с окисляющими газовыми средами в контролируемых условиях. К числу вопросов, остающихся нерешенными к настоящему времени, относится влияние внешнего постоянного и переменного электрических полей на реакцию поверхности кремния с кислородом и водяным паром (основные окисляющие среда в технологии ИС) на разных этапах развития этого процесса. Разработке этой теш и посвящена данная работа. Основная ее цель состояла в выяснении природа частиц окислителя в разных окисляющих средах (сухой кислород, увлажненный кислород, водяной пар), участвующих во взаимодействии с кремнием на различных этапах роста оксидной пленки, в которых происходит трансформация контролирующих потоков частиц.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые проведено систематическое исследование влияния постоянного электрического поля разной напряженности в плоском конденсаторе, неконтакти-рувдем с окисляемой системой, и переменного электрического поля разной частоты на развитие процесса термического окисления кремния.

Взаимодействия полупроводниковых неорганических кристаллов с активными пассивирующими газовыми средами являются распространенным классом своеобразных автокаталитических гетерогенных реакций и выяснение их механизма, в частности, влияния собственных (за счет разделения зарядов) и внешних электрических полей открывает возможность углубления представлений о взаимодействии неорганических веществ разной физико-химической природа.

Практическая значимость работы состоит в том, что на основании ее результатов становится возможной формулировка некоторых рекомендаций в отношении технологии получения гетеро-структур & с определенным зарядовым состоянием межфазной границы. Это представляет определенный интерес .для развития пленарной технологии интегральных схем.

ВЫВОДЫ

1. В работе изучено влияние электрического поля на процесс термического окисления кремния в атмосфере водяного пара и сухого кислорода. Установлено, что приложенное перпендикулярно поверхности образца внешнее электрическое поле при окислении кремния в водяном паре приводит к ускорению роста оксида в том случае, когда кремний на границе заряжен отрицательно. Если же кремний нй границе & имеет повышенную концентрацию дырок, то процесс окисления замедляется. Напротив, в сухом кислороде избыточный положительный заряд на границе ¿Д благоприятствует процессу окисления, а повышение концентрации электронов в приповерхностной области кремния приводит к замедлению процесса окисления. Величина ускорения окисления в постоянном поле в водяном паре и сухом кислороде составляет в среднем 1,5-2 раза по сравнению со скоростью окисления кремния без поля.

2. Обнаружено, что при определенной критической концентрации НдО в окисляющей атмосфере возможна инверсия процесса окисления кремния в постоянном электрическом поле. Инверсия процесса окисления наступает в интервале концентраций СНао = 5,8 о

7,8 мг/м . На основании этих данных сделан вывод о том, что в реальном процессе окисления при концентрации вода в окисляющей о атмосфере > 5,8 - 7,8 мг/м процесс протекает по механизму окисления кремния в водяном паре, а при СНа0<5,8 - 7,8 мг/м - по механизму окисления в сухом кислороде.

3. Кинетика термического окисления кремния в постоянном электрическом поле удовлетворительно описывается степенным уравнением с1=1?.<Гп . При окислении кремния в водяном паре процесс окисления "катода" характеризуется меньшими значениями ЭЭА, чем эталонное окисление. В сухом кислороде, напротив, внешнее электрическое поле приводит к уменьшению ЭЭА процесса на "аноде", т.е. как в первом, так и во втором случае под действием внешнего электрического поля создаются благоприятные условия для протекания химической реакции на границе и электромиграции ионов окислителя к фронту реакции.

4. Из результатов, полученных при изучении кинетики окисления кремния в постоянном электрическом поле, следует, что природа кислородсодержащих ионов, участвующих в термическом окислении кремния в атмосфере водяного пара и сухого кислорода, неодинакова. Сравнение величин экспериментально наблюдаемого и рассчитанного ускорений термического окисления кремния в сухом кислороде и в водяном паре позволило оценить природу и эффективный заряд иона-окислителя. Показано, что при термическом окислении кремния сначала преобладает электромиграция заряжнных частиц о в сухом кислороде - молекулярных ионов и О^, а в водяном паре - ионов Н30+), а затем, по мере увеличения толщины пленки^-диффузия нейтральных молекул.

5. Для разделения эффектов, вызванных контролирующим влиянием электронных и ионных потоков при окислении кремния, изучено влияние переменного электрического поля на термическое окисление кремния. Удалось выделить этап, контролируемый электромиграцией ионов, для случая окисления кремния во влажном кислороде. Установлено, что границы электромиграционного контроля, когда в качестве окислителя выступают ионы НдО+, простираются в интервале толщин ~ 150-300 нм.

6. Показано, что активность поверхности кремния по отношению к окисляющим средам может возрастать не только под действием внешнего электрического шля, но и в случае, когда на нео большом расстоянии (0,2-1,5»10 м) от поверхности кремния находится электрически активная поверхность материала, способного изменить структуру области пространственного заряда на границе соответственно, величину внутреннего поля в &г0«> . Таким материалом оказался сам кремний. Изучено взаимное дистанционное влияние поверхностей кремниевых пластин при окислении в "сэндвичевой" структуре (расстояние между пластинами

2•10"^ м) на кинетику термического окисления в атмосфере влажного кислорода. При окислении в структуре скорость роста оксидной пленки возрастает в 1,2-2 раза. Так же, как и в случае окисления кремния в постоянном поле, процесс дистанционного окисления описывается степенной зависимостью с1 = к5^П . Установлено, что причиной ускорения при .дистанционном окислении является взаимная поляризация поверхностей кремния, обращенных друг к даугу.

7. На примере окисления в электрическом поле меди и титана продемонстрирована возможность применения электрического поля как метода исследования механизма окисления металлов и полупроводников.

8. Показано, что свойства пленок, выращенных в электрическом поле, не отличаются от свойств эталонных оксидов. Это свидетельствует о том, что внешнее электрическое поле не вносит изменений в собственно механизм окисления, а лишь способствует более яркому проявлению тех факторов, которые определяют механизм роста при обычном термическом окислении.

124

1. Forth В., Schugerl К. Chemical reactions on solid surfaces. -Entropie, 1971, N 42, p.114-115.

2. Александров JL.H. Кинетика образования и структура твердыхслоев. Н. : Наука, 1972, ~ 288 с.

3. Barret P. Essai d'interprétation de 1*energie d1activation

4. Expérimentale dans les Reactions Solide-Gaz.' I. J. Chem. Phys. Physicochem. Bid., 1972, v.69, N 6, p.913-923

5. Barret P. Essai d'interpretation de 1*energie d'activation Expérimentale dans les Reactions Solide-Gaz. III. J.Chem.' Phys., 1973, V.70, N 2, p.225-243.

6. J.F. de Wet. The Kinetic and Mechanisms of Solid-Gas Reactions. Miner. Sci and Eng., 1970, v.2, N 2, p.34-43.

7. Soustelle M.M.P., Lalanze R.L. Kinetics of the Oxidation of Metals Influence of Self-Diffusion of Metal. - Oxid Metals, 1973» v.7, N.1, p.23-29.

8. Kofstad P. Mechanisms of Oxidation of Metals at high Temperatures. React Kinetics Heterogeneous Chem. Syst. Amsterdam, 1975, P.135-173.

9. Grabke H.J., rforz G. Kinetics and mechanisms of gas-metal interactions. Annu. Rev. Mater. Sci., 1977, v.7, p.155-178.

10. Mrowec S., Stoklosa A. A New Method of Calculating Parabolic Rate Constans for the Oxidation of Metals and Alloys. Bui. Acad, pol. Sci. Ser. Sci. Chim., 1974, v.22, N 7, p.643-650.

11. Fevre A., Murat M. Analyse Theorique des Lois Cinetiques couramment utilisées en Thermo analyse pour 1'etude des Reactions Solide-Gaz. J. Therm. Anal., 1975, v.7, N 2, p^4£9-443.

12. Krambeck R.H. Numerical Calculation of Impurity Redistribution during Thermal Oxidation of Semiconductors.-J. Electrochem.Soc., 1974, v.121, N 4, p.588-591.

13. Rosner D.E. Higk-temperature Gas-Solid Reactions. Annual Review of Mater. Sei., 1972, v.2, p.575-606.

14. Хабаши Ф. Основы прикладной металлургии. M.: Металлургия, 1975, т. 1,-232 с.

15. Besson J. La Mise en Equations d'une Cinetique Gaz-Solide. Regies Fondamentales et Exemples d'Applications. React Kinetics. Heterogeneous Chem. Syst., Amsterdam, 1975» p.463-489.

16. Oudar J. Processus de Germination et Croissance dans les Reactions Gaz-Metal. React.Kinetics.Heterogeneous Chem. Syst., Amsterdam, 1975, p.314-337.

17. Kofstad P. Mass transport phenomena in oxidation of metals« -Mass.Transp.Phenomena Ceram., New York London, 1975» p»383--407.47» Барре П. Кинетика гетерогенных реакций.-M. : Мир.- 399 с.

18. Deal В.Е., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 12, p.3770--3778.

19. Deal B.E. The oxidation of silicon in dry oxygen, wet oxygen, and steam. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, N 6, p.527-533.

20. Pliskin W.A. Separation of the linear and parabolic terms in the steam oxidation of silicon. J.B.M.J, of Reseacchand Develop., 1966, V.10, N 3, p,198-206.

21. Nakayama T., Collins P.C. Kinetic of thermal growth of silicon dioxide films in water vapor-oxygen-argon mixtures. J. Electrochem. Soc., 1966, V.115, N 7, p.706-713.

22. Revesz A.G., Evans R.J. Impurity Effects in the Thermal Oxidation of Silicon. Reactiv. Solids, Proc. Int. Symp., 6 th., 1968 (Pub. 1969), N.Y., p.425-432.

23. Revesz A.G., Evans R.J. Kinetics and Mechanism of Thermal Oxidation of Silicon With Special Emphasis of Impurity Effects. -J. Phys. Chem. Solids, 1969, v.30, p.551-564.

24. Zeto R.J., Thornton C.G., Hryckwian E., Bosco C.D. Low temperature thermal oxidation of silicon by dry oxygen pressure above1 atm. J.Electrochem. Soc.,1975, v.1£2, N 10, p.1409-1410.

25. Ota I., Butler S.R. Reexamination of Some Aspects of Thermal Oxidation of Silicon. J. Electrochem. Soc., 1974, v.121, N 8, p.1107-111

26. Hess D.W., Deal B.E. Kinetic of the thermal oxidation of silicon in 02/N2 mixtures at 1200°C. J.Electrochem. Soc., 1975, v.122, N 4, p.579-581.

27. Колобов H.A., Тишкова Л.Н. Зависимость кинетики окисления кремния в сухом кислороде от его давления и свойств исхо,дно-го материала.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1968, вып.1, с.241-259.

28. Колобов Н.А., Тишкова Л.Н. Кинетика окисления кремния в сухом кислороде и некоторые физико-химические свойства термически выращенных пленок .- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1968, вып.1, с.226-240.

29. Колобов Н.А., Чернов А.А., Цацан Я.П. Исследованрщ кинетики процесса гидротермального окисления кремния.- В кн.: Симпозиум по физике системы п/п пленка двуокиси кремния.- Рига, 1974, с.19.

30. Колобов Н.А., Зворыкин Д.В., Григорьев А.Б. Исследование кинетики процесса гидротермального окисления кремния.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1970, вып. 4(54), с.136-145.

31. Зворыкин Д.Б., Колобов Н.А., Колобанов В.И., Чернов А.А. Ускоренное гидротермальное окисление с применением ИК-нагре-ва.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1976, вып. 5(107), с.66-69.

32. Katz L.E., Howels B.F. Low temperature high pressure steam oxidation of silicon. J.Electrochem. Soc., 1979, v.1g6, IT 10, p.1822-1824.'

33. Brodsky M.B., Cubicciotti D. The Oxidation of Silicon at High Temperatures. J.Amer. Chem. Soc., 1931, v.73, N 7, p.3497-3499.40> Основы технологии кремниевых интегральных схем /Под ред. Бур-гера Р. и Донована Р. М.: Мир, 1969, - 451 с.

34. Bishop В.A., Hoharth С. A. The thermal oxidation of silicon using wet oxygen, Intern. J. Electroc., 1967, v.22, N 5, p.455-460.

35. EdagaWaH., Morita I., Mackawa S. Growth, and Structure of Si Oxide Films on Si Surface. Jap. Appl. Phys., 1963, v.2, N 12, p.765-775.

36. Law J.T. The high temperature oxidation of silicon. J. Phys. Ghem., 1957, v.61, N 9, p.1200-1205.

37. Claussen B.M., Flower M. An Investigation of the Optical Properties and Growth of Oxide Films on Silicon. J.Electrochem. Soc., 1963, v.110, p.983-987.

38. Evitts H.C., Cooper H.W., Flaschen S.S. Rates of formation of thermal oxides of silicon. J. Electrochem. Soc., 1964, v.111, N 6, p.688-690.

39. Deal Б.Е., Sklar M. Thermal oxidation of heavily-doped silicon. J. Electrochem. Soc., 1965, v.112, N 4, p.430-435.

40. Dathe J., Müller W. EinfluB der Oxydationsbedingungen auf die thermishe Oxydation von Silizium. ¡6. Angew. Phys., 1968,v.25 Bd, N 6, p.341-343.

41. Sladkova J. Optical Measurements of Oxide Films on Silicon. -Czechos. J.'Phys., cip B, 1963, v.13, p.452-458.

42. Ступельман В.Iii., Васютина З.В., Ребров В.Н. О термическом окислении кремния для маскировки от диффузии бора и фосфора. В сб.: Электронное прибор строение. Энергия, L961, вып. 3,с. 23 27.

43. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Ппашрная технология кремниевых приборов. -М.: Энергия, 1972, 384- с.

44. Van der Muelen Y.J. Kinetics of thermal growth of ultra-thin layers of SiO^ on silicon. J. Electrochem. Soc., 1972,v.119, N 4, p.530-534.

45. Irene E.A. The effects of trace amounts of water on the thermal oxidation of silicon in oxygen. J. Electrochem. Soc., 1974, v.121, N 12, p.1613-1616.

46. Hopper M.A., Clarke R.A., Young L. Thermal oxidation of silicon. In situ measurement of the growth rate using ellipsomet-ry. J. Electrochem. Soc.,1975, v.122, N 9, p.1216-1222.

47. Archer R.J. Optical Measurement of Film Growth on Silicon and Germanium Surfaces in Romm Air. J. Electrochem. Soc., 1957, v.104, p.619-622.

48. Gulbransen E.A., Andrew K.F., Brassart F.A. Oxidation von silicium bei hohen temperaturen und niedrigen drucken unter strömungsbedingungen dampfdruck von silicium. J. Electrochem. Soc., 1966, v.113, N 8, p;834-837«

49. Wolters D.L. The role of water in the oxidation of silicon. -In: Insul Films Semicond. Inv. Gontrib. Pap.Conf. Durcham, 1979, p.18-27.

50. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов.- М.: Мир,1969,- 392 с.

51. Archer R.J., Globeli Q.W. Determination of the properties of films on silicon by the method of ellipsometry. J. Phys. Chem. Sol., 1965, v.26, p.343-347.

52. Nishijiama M., Murotani E. On the Interaction of Oxygen with Si (III) Surfaces. Surface Sci.,1975, v.59, N 2, p.441-444.

53. Joyce B.A., Neave J.H. An Investigation of Silicon Oxygen Interactions Using Auger Electron Spectroscopy. Surface Sci., 1971, v.27, N 3, p.499-515.

54. Redondo A., Goddard W.A., Smarts С.А., Мс Gill Т.С. Oxidation of silicon surfaces. J .Vac. Sci. and Technol., 1981, v.19, N. 3, p.498-501.

55. Французов A.A., Макрушин И.И. Масс-спектроскопическое исследование начальной стадии окисления кремния.- Ж. техн.физ., 1975, т.45, с.600-602.

56. Самсонов С.С., Девочкин О.В., Постников B.C., Воронцов Е.С., Рембеза С.И. О механизме окисления кремния кислородом воз,пуха.- К. физической химии, 1975, т.49, & 8, с.1938-1940.

57. Cabrera N., Mott N.F. Theory of the Oxidation of Metals. -Rep. Prog. Phys., 1949, v.12, N 2, p.163-184.

58. Hass G.A., Gray H.F. Oxidation of Si Surfaces. J.Appl. Phys., 1975, v.46, N 9, p.3885-3887.

59. Ghez R.f van der Muelen Y.J. Kinetics of thermal growth of ultra-thin layers of SK^ on silicon. Part II. Theory. J.Electr-ochem. Soc., 1972, v.119, N 8, p.1100-1106.

60. Ройх И.Л., Белицкая С.Г., Ордынская В.В. Роль влажности при окислении кремния на воздухе,- Изв. АН СССР сер.Неорганические материалы, 1972, № 8, 9, с.1525-1528.

61. Tennyson S., Carlan A.J. Oxidation of n-Type Silicon in the 10-1400 A Oxide Thickness Range. J. Appl. Phys., 1972, v.43, N 5, p.2455-2459.

62. Mott N.F. A Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans.Farad. Soc., 1939, v.35, p.1175-1177.

63. Mott N.F. The Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans. Farad. Soc., 1940, v.36, p.472-476.

64. Mott N.F. The Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans. Farad. Soc., 1947, v.43, p.429-434.

65. Cabrera N. On the oxidation of metals at low temperatures and the influence of light.-Phil.Mag.,1949, v.40,N 2, p.175-188.'

66. Felner F.P., Mott N.F. Low-temperature Oxidation. Oxid Metals, 1970, v.2, N 1, p.59-99.

67. Grimley T.B., Trapnell B.M.W. The gas-oxide interface and the oxidation of metals. Proc. Roy. Soc.(A), 1956, v.234, p.405--418.

68. Эванс У.P. Коррозия и окисление металлов.- М.: Машгиз, 1962,- 856 с.

69. Хауффе Э.К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. М.: Изд.ИЛ, 1962, т.1,- 415 е.; 1963, т.2,- 275 с.

70. Landsberg P.Т. On the logarithmic rate law in chemisorption and oxidation. J. Chem. Phys., 1955, v.23, р.Ю79-Ю87.

71. Halsey G.D. The rate of adsorption on a nonuniform surface. -J. Phys. Colloid. Chem., 1951, v.55, N 1, p.21-26.

72. Chattopadhyay B. Thin film oxidation and the logarithmic rate law. Thin Solid. Films., 1975, v.16, N 1, p.117-124.

73. Engell H.J., Hauffe K., Ilschner B. Uber die Kinetic der Oxydation von Nickel bei 400°C. ъ.Electrochem., 1954, v.58, N 7, p.478-482.

74. Арсламбеков В.А. Прецизионная весовая техника исследования кинетики и механизма взаимодействия газов с металлами. « В кн.: Механизм взаимодействия металлов с газами. М., 1964, с.174-175.

75. Арсламбеков В.А. О механизме образования первичных окисных пленок на металлах. Тйм же, с. 86-82.95* Арсламбеков В.А. О механизме образования и исгорении окисных пленок на кремнии и германии. ТЬм же, с. 167-173.

76. Арсламбеков В.А., Сафаров А. Некоторые особенности механизма и кинетики окисления кремния. Микроэлектроника, 1977, т. 6, вып. X, с. 75-78.

77. Данков П.Д. Закономерности образования и строение защитных пленок на металлах. ДАН, 1939, т. 23, № 6, с. 548-552.

78. Данков П.Д. Структура и механизм образования пленок на поверхности металлов. В кн.: Труды ¡¡конференции по коррозии металл лов. М.: 1943, с. I2I-I4I.

79. Данков П.Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами. I. фиа. химия, 1946, т. 20, вып. 8, с. 853-ö67.

80. Данков П.Д. К теории тчальных стадий фазовых превращений (образование поверхностных пленок). ДАН, 1946, т. 51, вып. 6, с. 449-452.

81. Данков П.Д. К теори окисления металлов. I. физ. химии, 1952, т. 26, вып. 5, с. 753-758.

82. Архаров В.И. Основные проблемы механизма взаимодействия металлов с газами. В кн.: Механизм взаимодействия металлов с газами. М.: Наука, 1964, с. 24-35.

83. Архаров В.И. О механизме зарождения кристаллов новой фазы при химических реакциях в твердом состоянии вещества. Там же,с. 93 96.

84. Wagner С. Beitrag zur Theorie des AnlaufVorganges. Z. Physik. Chem.(B), 1933, v.21, p.25-41.

85. Wagner C. Beitrag zur Theorie des Anlaufvorganges. II. Z. Physik. Chem.(B), 1936, v.32, p.447-461.

86. Ю6. Wagner C. Diffusion and High Temperature Oxidation of Metals. Atom Movements. Amer. Soc. of Metals, Cluveland, 1959, —239p.

87. Sarrazin P., Besson J. Compatibilité des approximations de Wagner avec les equations de la cinetique heterogene en regime de deffusion. J. Chim. Phys. et Phys. - Chim. Biol., 1973, V.70, N 1, p.27-32.

88. Jost W. Diffusion und chemische Reaction imfesten Stoffen, Leipzig, 1937, -188p.

89. Fromhold A.T. Kinetics of oxide film growth on metal crystal. -J. Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, p.1081-1092.

90. Fromhold A.T. Kinetics of oxide film growth on metal crystal. -J. Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, p.1309-1318.

91. Fromhold A.T. Parabolic Oxidation of Metals. Phys. Lett., 1969, v.A29, N 3, p.'157-158.

92. Колобов H.A., Самохвалов M.M. Эффузия и окисление полупроводников.- М.: Металлургия, 1975, 454 с.

93. Blanc J. A revised model for the oxidation of Si by oxygen. -Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N 5, p.424-426.

94. Rosencher E., Straboni A., Rigo S., Amsel G. An480 study of the thermal oxidation of silicon in oxygen. Appl. Phys.Lett., 1979, v.34, N 4, p.254-256.

95. Murarka S.P. Oxygen partial-pressure dependence of the oxidation induced surface stacking faults in (100) n silicon. J.Appl. Phys., 1977, v.48, N 12, p.5020-5026.

96. Cristy S.S., Condon J.B. A Model of Oxidation of Silicon by Oxygen. J. Electrochem. Soc., 1981, v.128, N 10, p.2170-2174.

97. Irene E.A. Evidence for a parallel path oxidation mechanism at the Si Si02 interface. - Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, N 1, p.74-75.

98. Irene E.A. Silicon Oxidation Studies: Measurement of the Diffusion of Oxidant in Si0^ Pilms. J.Electrochem. Soc., 1982, N 2, v.129, p.413-417.

99. Irene E.A. Silicon oxidation studies: a model for high and low temperature thermal oxidation. J.Electrochem. Soc., 1981, v.128, N 8, p.363-369»

100. Revesz A.G., Schaffer H.A. The Mechanism of Oxygen Diffusion in Vitreous Si02 J.Electrochem. Soc., 1982, v.129, N 2,p.357-361. /

101. Doremus R.H. Oxidation of silicon by water and oxygen and diffusion in fused silica. J. Phys. Ghem., 1976, v.80, N 16,p.1773-1775.1.5

102. Lora-Tamayo A., Dominguez E., Lora-Tamayo E., Llabres J. A new model of the thermal growth of a silicon dioxide layer. Appl. Phys., 1978, v.17, N 1, p.79-84.

103. Mott N.F. Mechanisms for the thermal growth of vitreous oxide layers on silicon. In : Inst. Phys. Conf. Ser., 1979, N 50, Chapter 1, Durham, p.12-17.

104. Mott N.F. Mechanisms for the oxidation of silicon and the formation of charged defects. Proc. Roy. Soc., 1981, v.A-376,

105. N 1765, p.207-215, London.

106. Tiller W.A.* On the Kinetics of the Thermal Oxidation of Silicon. I. A Theoretical Perspective. J.Electrochem. Soc., 1980, v.127, N 3, p.619-624.

107. Ligenza J.R., Spitzer W.G. Mechanism of Oxidation of Silicon in Wet Oxygen. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v.14, p.131-136.

108. Tiller W.A. On the Kinetics of the Thermal Oxidation of Silicon. III. Coupling with other key phenomena. J. Electrochem. Soc.,1981, v.128, N 3, p.689-697.

109. Анохин В.8., Ховив A.M., Пшестанчик В.Р., Миттова И.Я. Формально-кинетическое описание перманентного окисления кремния.- В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. -Воронеж: Изд. ВГУ, 1979, с. 3-7.

110. Миттова й.Я. Кинетическая модель роста легированных оксидных пленок на кремнии. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. - Воронеж; Изд. ВГУ, 1977, с. 27-35.

111. Угай Я.А., Анохин В.З., Миттова И.Я., Ховив A.M., ПШестанчик B.I Пространственная модель кинетики процессов твердое тело газ.- ДАЯ, 19at, т. 259, Ш 3, с. 648-650.

112. Анохин В.З. Кинетика и механизм термического окисления кремния.- Воронеж: Изд-во ВГУ, 1983т 196 с.

113. Wolters D.L. The role of water in the oxidation of silicon. -Ins Insul Films Semicond. Inv. Contrib. Pap. Conf. Durcham, 1979, 1980, p.18-27.

114. Jorgensen P.J, Effect of an Electric Field on Silicon Oxidation. J. Chem. Phys., 1962, v.37, N 4, p.874-877.138.' Uhlig Ы.Н., Brenner A.E. Effect of Electric Field on Oxidation of Copper. Acta. Met., 1955, v.3, p.108-110.

115. Cismaru D., Cismaru G.D. Zinc Oxidation at High Temperatures. Effect of Electric Field on Zinc Oxidation. First International Congress of Metallic Corrosion, Butterworths1, London, 1961, p.237-239.

116. Jorgensen P.J. Effect of an Electric Field on the Oxidation of Zinc. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, p.461-462.

117. Raleigh D.O, Transport processes in the Thermal Oxidation of Silicon. J. Electrochem. Soc., 1966, v.113, p.782-788.

118. Малевская Л.А., Казаковский Н.Т. Кинетика окисления кремния в электрическом поле. В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. - Воронеж: Изд. ВГУ, 1979, с. 31-35.

119. Анохин B.S., Малевская Л.А., Миттова И.Я. Кинетика термического окисления кремния в постоянном электрическом поле в атмосфере водяного пар. Кинетика и катализ, 19 80, т. XXI, вып. 4,с. 887-991.

120. Воронцов Е.С., Струков В.М. Каталитическое действие платины при окислении монокристаллического кремния. Кинетика и катализ, 1975, т. 16, №4, с. 1075-1079.

121. Струков В.М., Воронцов Е.С. Дистанционное каталитическое влияние платины и палладия на окисление монокристаллического кремния. 1. прикл. химии, 1976, т. 49, № 5, с. 978-981.

122. Струков В.М., Воронцов Е.С. Особенности кинетики окисления кремния в присутствии платинового, палладиевого и серебрянного катализаторов.-Кинетика и катализ, 1976, т. 17, с.1606-1608.

123. Струков В.М., Воронцов Е.С., Осауленко И.А. Контактное каталитическое действие платиновой и палладиевой черни на окисление кремния. Электронная техника. Сер. Материалы, 197 6, вып. 2, с. 83-85.

124. Смит Р. Полупроводники. -М.: Изд. И.Л. , 1962, 467 с.

125. Spectroscopy from Oxidized Silicon using He II and Zr Mev. radiations. Proc. 7-th intern. Vac. Congr.: Solid Surfaces, Vienna, 1977, p.2229-2232.

126. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации /Под ред. В.Н. Кондратьева.- М.: Наука, 1974.- 502 с.

127. Ховив A.M. Электронные и .диффузионные явления в процессе формирования гетероструктуры кремний-диоксид кремния. Дис. . к.м.-м.н., Воронеж, 1983.

128. Угай Я.А., Ховив A.M., Анохин В.З., Малевская Л.А., Миттова И.Я. Электромиграция кислородсодержащих ионов при термическом окислении кремния.- ДА.Н, 1982, т.267, JS I, с. 144-146.

129. Угай Я.А., Малевская Л.А., Анохин В.З., Миттова И.Я., Зубко-ва Т. Кинетика термического окисления кремния в переменном электрическом поле во влажном кислороде.- il. физ.химии, 1982, т.Щ ja 7, 1800-1803.

130. Киселев В.Ф. Стимулирование химических реакций на поверхности полупроводника при возбуждении его электронной системы.

131. В кн.: Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников. Материалы ГУ семинара.- Новосибирск. Изд. НГУ, 1981, с.3-12.

132. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках.- М.: Изд. Физматгиз, I960, 187 с.

133. Сысоев В.И., Антюшин В.Ф., Сыноров В.Ф. Кинетика миграции зарядов в диэлектрических пленках.- Микроэлектроника, 1976, т.5, в.4, с.349-354.