Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ . 4 стр.

ГЛАВА I КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ЛЮМИНОФОРАХ. МЕДЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ ЦИНКА И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ (обзор).

§ 1.1 Классификация глубоких центров в полупроводниках и люминофорах.

§ 1.2 Теория термостимулированных процессов с участием медленных ловушек в полупроводниках и люминофорах 14 1.2.1. Теория термостимулированных процессов.

1.2.2 Анализ формы спектров ТСТ и TCJI и методы определения характеристических параметров ловушек

1.2.3 Спектры ТСТ и TCJJ в реальных полупроводниках и люминофорах.

§ 1.3 Природа и характеристические параметры электронных ловушек с глубокими уровнями в халькогенидах цинка

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1 Характеристика исследованных образцов

§ 2.2 Экспериментальная установка

§ 2.3 Методика эксперимента

ГЛАВА III ТЕРМОАКТИВАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ С УЧАСТИЕМ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК В МОНОКРИСТАЛЛАХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА

§ 3.1 Термоактивационные спектры монокристаллов ZnS, ZnSe, ZnO и характеристические параметры электронных ловушек в них.

§ 3.2 Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe

§ 3.3 Предполагаемая физико-химическая природа медленных ловушек в халькогенидах цинка.

Объяснение экспериментальных результатов.

§ 3.4 Моделирование генерационно-рекомбинационных процессов с участием медленных ловушек методом вычислительной физики в реальном полупроводниковом материале 61 ВЫВОДЫ

Г Л А В АIV ЭФФЕКТ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ МОДУЛЯЦИИ СЕЧЕНИЯ ЗАХВАТА МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК КОЛЛЕКТИВНЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА ЗЕРЕН

§ 4.1 Термолюминесцентные свойства порошков.

Характеристические параметры электронных ловушек

§ 4.2 Объяснение термолюминесцентных свойств порошков на основе халькогенидов цинка.

§ 4.3 Диагностика концентрационного распределения атомов ловушек в объеме зерен порошков на основе ZnS, ZnSe и ZnO.

§ 4.4 Влияние внешнего электрического поля на кинетические параметры электронных ловушек, локализованных в приповерхностной области пространственного заряда

ВЫВОДЫ

Актуальность темы. Анализ теоретических и экспериментальных работ о кинетических параметрах электронных ловушек приводит к выводу о существовании в полупроводниках и люминофорах быстрых (отношение скорости захвата электрона к скорости его рекомбинации с дыркой R»l) и медленных (R«l) ловушек. Комплексные исследования методами фото- и термоактивационной спектроскопии показывают, что быстрые ловушки обладают не только большими сечениями захвата электронов см ), но и фотонов (Sx). Вследствие последнего обстоятельства, быстрые ловушки проявляют высокую фотоактивность, обуславливая длинноволновую неравновесную фоточувствительность полупроводников.

Медленные же ловушки могут и не проявлять аналогичной активности, поэтому их эффективное исследование осуществляется методами термоактивационной спектроскопии [термостимулированный ток (ТСТ), тер-мостимулированная люминесценция (TCJI), емкостная спектроскопия (НСГУ)]. Несмотря на свою донорную природу, в полупроводниках п-типа медленные электронные ловушки могут иметь сечения St, которые экспоненциально падают до весьма малых значений 10"25 см2 по мере уменьшения глубины их уровней. Особое внимание привлекают к себе медленные ловушки с аномальными кинетическими свойствами. Обладая дискретным энергетическим уровнем, эти ловушки имеют широкий спектр значений сечения St. Существующие модельные представления о физико-химической природе медленных ловушек допускают их связь с точечными дефектами, размещенными в области коллективных электрических полей макроскопических дефектов кристаллов. Эти модели являются пионерскими и требуют дополнительных экспериментальных доказательств.

Как отмечалось выше, исследование медленных ловушек осуществляется методами термоактивационной спектроскопии. Теория этих методов создавалась в 50-ые годы прошлого века и не полностью учитывает возможные генерационно-рекомбинационные процессы с участием электронных ловушек в реальных полупроводниках. Последнее обстоятельство создает трудности как в оценке достоверности полученных сведений о характеристических параметрах электронных ловушек, так и в восприятии реальности моделей генерационно-рекомбинационных процессов, предлагаемых для интерпретации экспериментально наблюдаемых спектров ТСТ и ТСЛ.

Поэтому исследования, проводимые с целью установления физико-химической природы медленных ловушек, их параметров (энергетического положения, сечения захвата электронов) и особенностей проявления в ге-нерационно-рекомбинационных процессах в полупроводниках и люминофорах с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры, являются актуальными.

Основная цель диссертационной работы - построение обобщенной модели генерационно-рекомбинационных процессов, обуславливающих термоактивационные спектры в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи: - методами фото- и термоактивационной спектроскопии определяются характеристические параметры электронных ловушек и центров рекомбинации в образцах различной модификации; изучаются особенности генерационно-рекомбинационных процессов с участием медленных электронных ловушек в образцах с различным типом макроскопических дефектов, находятся диагностические признаки наличия коллективных электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки характеристических параметров последних; на основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разрабатываются алгоритмы и вычислительные процедуры позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы в реальных полупроводниках и люминофорах; сравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных термоак-тивационных спектров доказывается справедливость предлагаемой модели генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

В качестве объектов исследования выбраны соединения цинка с серой, селеном и кислородом, являющиеся представителями большого класса соединений А2Вб. Кристаллы, пленки и порошки ZnS, ZnSe и ZnO обладают многообразными и уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. Многообразные генерационно-рекомбинационные процессы в них носят ярко выраженный характер и по этой причине они относятся к модельным полупроводникам.

Научная новизна:

1. Получены экспериментальные доказательства существования в кристаллах ZnS, ZnSe и ZnO медленных электронных ловушек. Определена их физико-химическая природа, характеристические параметры и особенности проявления в термоактивационных процессах.

2. В порошкообразных люминофорах на основе ZnS, ZnSe и ZnO обнаружен эффект пространственной модуляции кинетических параметров медленных электронных ловушек коллективным электрическим полем объемного поверхностного заряда зерен порошка.

3. Экспериментально доказано и теоретически обосновано, что за сложные спектры TCJI и ТСТ в полупроводниках и люминофорах могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St имеют расширенный спектр значений.

4. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разработаны алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы в реальных полупроводниках и люминофорах;

Научно-практическая значимость работы :

1. Разработаны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы компьютерного моделирования термоактивационных процессов в реальных полупроводниках.

2. Определены характеристические параметры многочисленных медленных электронных ловушек в полупроводниках и люминофорах, нашедших практическое применение в современной оптоэлектронике.

3. Предложен метод определения параметров (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника или люминофора и концентрационного распределения в ней атомов электронных ловушек.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В халькогенидах цинка медленные электронные ловушки связаны с точечными дефектами (вакансия халькогена, междоузельный цинк) до-норной природы. Многообразие уровней энергетического спектра этих ловушек и сложной структуры термоактивационных спектров - следствие ассоциации этих центров с центрами медленной рекомбинации. Аномально малые значения сечений захвата электрона медленными ловушками -результат их взаимодействия с макроскопическими дефектами кристаллической решетки.

2. Расширение спектра значений St у ловушек с дискретным энергетическим уровнем Et - результат распределения ловушек по всему объему пространственного заряда макроскопической неоднородности кристалла.

3. За сложные спектры TCJI и ТСТ в полупроводниках и люминофорах могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St имеют расширенный спектр значений.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались: на ежегодных конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Дагестанского госуниверситета; научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана» (Махачкала, 2001г.); Международных конференциях «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г.); IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004 г.); Международной конференции "Fizika-2005" (Баку, 2005 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 печатных работ, в том числе 3 статьи, 2 доклада и 3 тезисов докладов.

Достоверность полученных результатов достигнута проведением исследований по апробированным методикам на автоматизированном спектрально-вычислительном комплексе (КСВУ-23), согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых как самим автором, так и основоположниками теории термоактивационной спектроскопии, согласием результатов работы с данными других исследователей.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы, расчеты и обработка результатов получены и выполнены автором самостоятельно. Компьютерное моделирование гене-рационно-рекомбинационных процессов с участием электронных ловушек выполнено в соавторстве с М.Е. Зобовым. Научными руководителями С.А. Абдулгамидовым и Е.М. Зобовым оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке моделей.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 101 странице машинописного текста, имеет 11 таблиц и 28 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 121 наименования.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

На основании теоретических и экспериментальных методов исследования термостимулированных процессов в кристаллах и порошках халько-генидов цинка установлено:

1. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием электронных ловушек в полупроводниковых кристаллах со сложными термостиму-лированными спектрами описываются классической моделью. Она допускает связь такого рода спектров с набором электронных ловушек, каждая из которых характеризуется индивидуальными дискретными параметрами Et, St и ответственна за отдельно взятую элементарную полосу.

2. Методами ТСТ и ТСЛ определены характеристические параметры медленных электронных ловушек в монокристаллах и порошках ZnS, ZnSe и ZnO. Наличие квазидискретного спектра медленных электронных ловушек в самоактивированных кристаллах халькогенидов цинка является результатом взаимодействия собственных точечных дефектов донорной и акцепторной природы друг с другом и с остаточными примесями.

3. При локализации ловушек в области макроскопических неодно-родностей кристалла, создающих коллективные электрические поля, величина сечения захвата на них электронов определяется не только индивидуальными особенностями ловушки, но и потенциалом коллективного электрического поля. Причиной аномально малых сечений захвата электронных ловушек является их взаимодействие с макроскопическими дефектами кристаллической структуры полупроводника или люминофора.

4. Расширение спектра значений St у ловушек с дискретным энергетическим уровнем Et - результат распределения ловушек по всему объему пространственного заряда макроскопической неоднородности кристалла.

5. В полупроводниках и люминофорах за сложные спектры ТСЛ и ТСТ могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St пространственно промодули-рованы коллективным электрическим полем макроскопической неоднородности, т.е. имеют расширенный спектр значений St.

6. Внешнее электрическое поле напряженностью 2 105- 2 106 В/м приводит к увеличению эффективного сечения захвата St ловушек, что облегчает процесс их термической ионизации, при этом энергетические характеристики ловушек остаются неизменными.

7. Анализ экспериментальных спектров ТСТ и TCJI позволяет определить параметры (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника или люминофора.

8. Методами вычислительной физики представляется возможным моделировать генерационно-рекомбинационных процессы, протекающих в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

1. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. - 494 С.

2. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд во "Мир".-1966.-138 С.

3. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд-во "ИЛ".-1962.-558 С.

4. Aven М., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds// Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. С.А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: "Мир",- 1970.)

5. Кюри Д. Люминесценция кристаллов// М.: изд-во "ИЛ".-1961.-1941. С.

6. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во"Наукова Думка".-1981.-264 С.

7. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1973.-456 С.

8. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.//Новосибирск: изд-во "Наука".- 1979.- 333 С.

9. Лущик. Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах. Тарту. (1955).

10. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1977. 562 С.

11. Физика соединений А2 В6 // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана М.К.).- М.: "Наука".- 1986. 320 С.

12. Сальков Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания.// ФТТ.- 1963.- т.5.- № 1.- С. 240-245.

13. Зобов Е.М. Фотоэлектрические и оптические свойства халькоге-нидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложнойструктуры.// Автореферат докторской диссертации. Ульяновск,- 1999. -42 С.

14. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958.- v.29.- № i. p.128-137.

15. Ризаханов M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах.// ФТП.- 1982.- т. 16.- № 4. -С. 699-702.

16. Robinson A., Bube R. Photoelectronic properties of defects in CdSe single crystals.// J. Appl.Phys.- 1971.- v.42.- № 13.- P. 5280-5295.

17. Баубинас P.B., Вайткус Ю.Ю., Сенулис Ф.Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.-1978.- т. 18.- № 1.- С. 109-111.

18. Аркадьева Е.Н. Отношение оптической и термической энергии активации примесей в CdS, CdSe и CdTe.// ФТТ.- 1964.- т.6.- № 4.- С. 1034.

19. Ризаханов М.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// ФТП.- 1993.- т.27.- № 5.- С. 721-727.

20. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag>.// ФТП.- 1979.- т.13.- № 7.- С.1324-1328.

21. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// ФТП,- 1975.- т.9.- № 4.- С. 779-782.

22. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe<Ag>.// Письма в ЖТФ.- 1985.- т.11.- № 9.- С. 561- 567.

23. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe<Ag>.//ФТП.- 1980.- т.14.- № 12.-С.2407-2410.

24. Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// ФТП. -1987.- т.21.- № 9.-С. 1637- 1641.

25. Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетически-ми свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS.// ФТП.- 2004.- т. 38. № 1.- С. 49-55.

26. By Куанг, Фок М.В. О соотношении между оптической и термической глубинами электронных ловушек.// Труды ФИАН СССР.- 1974.- т. 79.-С. 39-63.

27. Brodribb J.D., D О' Colmain, Hughes D.M. The theory of photon-stimulated current spectroscopy.// J.Phys.D: Appl.Phys.- 1975,- v.8.- №7.-P.856.

28. Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АН ЭССР. Сер.физ.-мат.- 1975.- т.24.- № 2.- С .195200.

29. Ascarelli G., Rodrigues S. Recombination of electrons and donors in n-type germanium.// Phys. Rev., 124, № 3, 1321 (1961).

30. Горюнов B.A., Левшин В.Л. Термостимулированная и фотостиму-лированная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спек-троск.- 1965,- т.З.- № 6.- С. 504-509.

31. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С.,Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3270/81.

32. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull.Acad.Polon. Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969.- v. 17.- № 12.- C. 845-850.

33. Ждан А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// ФТП.-1971.- Т.5.- № 2.- С. 178-180.

34. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J.Phys.- 1970.- D3.- № 4.- P. 451-461.

35. Каганович Э.Б.,Свечников C.B.,Чалая В.Г. Термостимулирован-ные токи в слоях сульфида кадмия.// Укр.физ.журнал.-1969.-т.14.-№4.-С.670

36. Morimoto J. et.al. Spectral analysis of deep level transient spectroscopy (SADLTS) of deep centers in CdTe single crystals.// Jap. J. Appl. Phys.(l).- 1988.- v.27.- № 12.- P. 2256-2259.

37. Брайтенштейн О., Конончук О., Панин Г. и др. Исследование тел-лурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней.// ФТП.- 1988.- т.22.- № 9.- С. 1687-1688.

38. Ребане К.-С.К., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн.прикл. спектроскоп,- 1971.- т.15.- № 4.- С. 647-652.

39. Лепнев Л.С., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды ФИАН СССР.- 1983.- т.138.- С. 135-156.

40. Мирцхулава И.А., Чиковани Р.И., Школьник А.Л., Джахуташви-ли Т.В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// ФТТ.- 1964.- т.6.- № 10.- С. 2945-2952.

41. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc selenide Heat-treated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v. 19.- № 3.- P. 485-490.

42. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals.// J. Appl. Phys. -1970. -v. 41.- № 2.- p. 835.

43. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969. т. 33, № 6, с. 951-960.

44. Каваляускене Г.С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулиро-ванного разряда конденсатора.// ФТП.- 1969.- т.З.- № 3.- С. 445-446.

45. Берман., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров.// М.: изд-во "Наука".- 1980.- 126 С.

46. Manfredotti С., Murri R., Quirini А., е.а. Photoelectronic properitis of n-GaSe.// Phys. Stat. Sol. (a). 1976.- v. 38.- № 2, p. 685-693.

47. Кунин В.Я., Цикин A.H., Штурбина H.A. Дефекты и старение монокристаллов титаната стронция.// Всесоюзн. Конф. «Физика диэлектриков и перспективы ее развития». Сб. рефератов. Л.: 1973.- Т. 2.- С. 190192.

48. Сушков В.П., Титов М.Н. Исследование глубоких примесных центров в СИД методом термостимулированной ЭДС. // ФТП.- 1976.- т. 10.-№2.- С. 256-261.

49. De Muer D., Maenhout Van der Vorst W.// Thermoluminescence of ZnO porwder.//Physika- 1968.- v. 39.- p. 123-132.

50. Nickolas K.H., Woods J. The evaluation of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide.// Brit. J .Appl. Phys.-1964,- v.15.- № 7,- P. 783-795.

51. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. // Phys. Rev.- 1960.-v. 119.-p. 1502.

52. Зобов E.M., Ризаханов M.A. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2Sз.// ФТП.- 2001.- т. 35.- № 2.- С. 171-176.

53. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946.- т. 10.- № 5-6.- С. 477-487.

54. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors. // Proc. Phys. Soc.- 1948.- v. A 60.-№ 342.- P. 574-590.

55. Gobrecht H., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow techique.// J. Phys. Chem. Sol.- 1966.- v. 27.- № 3.- p.509-532.

56. Hoogenstraaten W. Electron traps in ZnS phosphorus.// Philips Res. Rep.- 1958.- v. 13.-№ 6.-p. 515-693.

57. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: "Мир".- 1969. 654 С.

58. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys.Polon.- 1979.- v.A56.-№ 1.- P. 19-29.

59. Калева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп.- 1969.-т.10.- № 5.-С. 819-824.

60. Bryant F.I., Flamid S.A. Electron-inducced traps in Zinc Sulfide single crystals.// Phys.Rev.Letters.- 1969.- v.23.- № 6.-P. 304-306.

61. Ceva Т., Lambert B. Etude de la termoluminescence et de la contuc-tilide dun ZnS:Cu,Ce a dans bandes d'emission.// J. Phys.- 1965.- v.25.- № 10.- P. 587-590.

62. Горюнов B.A., Левшин В.Л. О влиянии вторичной локализации электронов на фотостимулированное свечение и проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1966.- т.4.- № 4.- С. 316-322.

63. Красноперов В.А., Тале В.Г., Тале И.А., Таушканова Л.В. Энерге-четиский спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1981.-т.34.- № 2.- С. 253-259.

64. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спект-роск.- 1977.- т.26.- №4.- С. 706-711.

65. Коджеспиров Ф.Ф., Гордиенко Ю.Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.- 1974.- т.20.- № 1.- С. 76-80.

66. Атакова М.М., Рамазанов П.Е., Сальман Е.Г. Локальные уровни пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973.-№10.- С. 95-98.

67. Отс А.С., Ребане К.-С.К. Создание парамагнитных центров в ZnS под действием механического давления.// ФТТ.-1971.- т. 13.- № 1.- С. 1219-1221.

68. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1973.-т.19,- № 3.- С. 469-474.

69. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во "Наука".- 1972.- т.59.- С. 38-64.

70. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер. физич.- 1971.- т.35.- С. 1437-1440.

71. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка получение и свойства.//М.: изд-во "Наука".- 1987. 200 С.

72. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв.АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.- т. 17.- № 7.- С.1329-1334.

73. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в

74. А В .// Труды междунаодной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах".- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 26-27.

75. Георгобиани А.Н., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1976.- т.40.- № 9.- С. 1079-1983.

76. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl. Phys.- 1977.-v.48.-№ 5.- p. 1941-1945.

77. Carlone C., Beliveau A., Rowele N.L. On the anti-Stokes fluorescence in Cdi.xZnxS crystals.// J.of Luminescence.- 1991.- v.47.- № 6.- P. 309317.

78. Simons A.J., Thomas C.B. Mexanisms' of electronic conduction through thin film ZnS:Mn.// Phil. Mag.B.- 1993, v.68, № 4, p. 465-473.

79. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied partial pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v.18.- № 10.- P. 1965-1972.

80. Aven M., Segal B. Carrier and Shalow Impurity States in ZnSe and ZnTe.//Phys. Rev.- 1963.-v.130.-№ p. 81-91.

81. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSei.x.// Solid State Commun.-1980.- v. 34.- № 5.-P. 359.

82. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J.Appl.Rhys.- 1984.- v.55.-№ 15.- P. 1614-1616.

83. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals".// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.- v.15.- №26.- P.5497-5505.

84. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.// Phys. Rev.- 1968.- v.171.- № 3.- P. 903-915.

85. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь В.М. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// ФТП.- 1980.- т. 14.- № 8.- С. 1621-1624.

86. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24.- № 7.- P. 1757-1761.

87. Ваксман Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн.прикл.спектроск.- 1976.- т.25.- № 5.- С. 832-835.

88. Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА".-1984.- 150 С.

89. Аминов У.А. Люминесценция селенида цинка, обусловленная дефектами замещения. // Автореферат диссертации канд. наук. М.: 1999.25 с.

90. Коротков В.А.,Маликова Л.В.,Морозова В.И.,Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.//Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989.- № 3.- С. 42-46.

91. Андреев А.А., Борисенко Н.Д., Коваленко А.В. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSei.x.// Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы.- 1983.- т. 19.- № 3.- С. 376-379.

92. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implan-tatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53.- № 24.- P. 2403-2405.

93. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence and thermally stimulated current of ZnSe singl crystal.// J. Phys. D.-1995.-v.28.- № 9.-P. 1951-1957.

94. Брук Л.И., Горя O.C., Коротков B.A., Ковалев Л.Е., Маликова Л. Симашкевич А.В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы.- 1995.-т.31.- №10.- С. 1296-1298.

95. Березовский М.М., Махний В.Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd.il Неорган, материалы.- 1995. т.31.- № 10.-С. 1299-1301.

96. Березовский М.М., Махний В.П., Мельник В.В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы." 1997.- т.ЗЗ.- № 2.- С.181-183.

97. Коваленко А.В., Борисенко Н.Д. Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSei.x.// ФТП.- 1994.- т. 28.- № 4.- С. 646650.

98. Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами. // Автореферат диссертации канд. наук. Свердловск: 1991.- 23 с.

99. Морозова Н.К., Гаврищюк Е.М., Каретников И.А., Блинов В.В., Зимогорский B.C., Галстян В.Г., Яшина Э.В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью.// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38.- № 6,- С. 674680.

100. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Оксид цинка. Получение и оптические свойства. //М.: «Наука»,- 1984.- 166 с.

101. Шалимова К.В., Никитенко В.А. К изучению термолюминесценции монокристаллов оксида цинка.// Журнал прикл. Спектроскопии.-1975. Т. 22.-С. 667-670.

102. Демидов К.Б., Акимов И.А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев Agl и ZnO, сенсибилизированных красителями.// ФТП.- 1968.- т. 2.- № 1.- С. 210-215.

103. Zwingel D. Trapping and recombination processes in the termolu-minescence of Li-doped ZnO single crystals.// J. Luminescence.- 1972.- v. 5.- P. 385-405.

104. Tadatsugu Minami, Takashi Yamamoto, Toshihiro Miyata. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering.// J. Thin Solid Films.- 2000,- v. 366.- P. 63-68.

105. Никитенко B.A., Таркпеа К.Э., Пыканов И.В., Мухин С.В., Сто-юхин С.Г., Пасько П.Г. Термостимулированные электронно-дырочные и ионные процессы в кристаллах оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.- 2000.- т. 67. № 5.- С. 640-643.

106. Kohan A.F., Ceder G., Morgan D., Chris G. Van de Walle. First-principles study of native point defects in ZnO. // J. Phys. Rev. В.- 2000.- v. 61.-№22.- P. 15019- 15027.

107. Зобов М.Е., Камалудинова Х.Э. Электронные ловушки в кристаллах ZnSe.// Материалы региональной научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана». Махачкала. 2001. С. 102-104.

108. Зобов Е.М. Самоактивированная люминесценция соединений1. У f\

109. А В и ее связь с медленными электронными ловушками.// Тезисы докладов Международной конференции по люминесценции. М.: 2001. С.27.

110. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.-v.7.-N1.- P.35-50.

111. Зобов E.M., Зобов M.E., Камалудинова Х.Э. Термоактивацион-ные процессы с участием медленных ловушек в полупроводниках.// Вестник ДНЦ РАН. 2005. (в печати).

112. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофос-форов.// М.: изд-во «Высшая школа», 1971, 336 с.

113. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камалудинова Х.Э., Ризаханов М.А.I

114. Электронные ловушки с широким интервалом сечений захвата в порошкообразных люминофорах на основе ZnS.// ЖПС.- 2005.- Т.72.- № 2.- С.202-206.

115. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов.// М., «Наука» (1974).

116. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. //Новосибирск: «Наука».- 1984.- 253 С.

117. А.Н. Георгобиани, П.А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.// М.: Мир. 1994.-220 С.