Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Зобов Марат Евгеньевич

ВЛИЯНИЕ ВНУТРЕННИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И УПРУГИХ ПОЛЕЙ MOHO-, МИКРО- И НАНОКРИСТАЛЛОВ НА ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ ЦИНКА

Специальность 01 04.10 - физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

003169964

Работа выполнена в Институте физики им Х.И Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук

Научный руководитель: член-корреспондент РАН,

Камилов Ибраггшхан Камшович

Официальные оппоненты: доктор физико - математических

Ведущая организация: Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)

Защита диссертации состоится «25» июня 2008 г в 11 часов на заседании диссертационного совета Д 212 278.01 при Ульяновском государственном университете по адресу ул. Набережной р Свияги, корп 1,ауд. 703

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Ульяновского государственного университета, с авторефератом - на сайте университета и/\у\у.шп и1эи ги

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу 43000, г. Ульяновск, ул Толстого, д 42, УлГУ, Управление научных исследований

Автореферат разослан « /4"» МйЛ. 2008 года

наук, профессор

Грушко Наталия Сергеевна

доктор физико - математических

наук, профессор

Роках Александр Григорьевич

Ученый секретарь диссертационного совета, канд физ -мат. наук О.Ю. Сабитов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Халькогениды цинка (/пО, /.пЯ, /пЯс) являются типичными представителями широкозонных соединении группы Л2В6 На формирование их фотоэлектрических и люминесцентных свойств, как и других полупроводниковых ма1ериалов, оказывают влияние глубокие цешры, которые в зависимое 1 и 01 характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей наряда делятся на центры прилипания (ЦП) и рекомбинации (ЦР) Хараюс-ристические параметры (эпертия ионизации Е„ сечения захвата хлск-тронов Б,, и дырок концентрация И) этих центров определяю! спектральные диапазоны люминесценции и фоточувствигельносш, инерционность и квантовую эффективность большинства современных опгозлекгронных приборов

В настоящее время в халькогенидах цинка установлена физико-химическая природа и характеристические параметры мпо! их I лубо-ких центров, показано значение последних в различных неравновесных процессах, раскрыты схемы электронно-дырочных переходов с их участием Эти исследования, например, позволили разработать на основе сульфида цинка эффективные катодо- и элекфолюминофоры, визуализаторы инфракрасного излучения

Вместе с тем, соединения группы Л2В6 в ошичие от классичс ских полупроводников (кремний, германий) обладают рядом специфических особенностей Например, наличие трудно кошролируемою состава точечных дефектов кристаллической структуры и остаточных примесей, приводит к появлению в их запрещенной юне бог а! 01 о спектра электронных состояний, большое число макроскопических дефектов (дислокации, границы блоков двойникования и т и ) в кристаллах приводит к возникновению сильных электрических и упрут их полей, что сопровождается флуктуацией зонного ггсненциала Перечисленные особенности приводят к тому, что 1 сиерационно рекомбинационные процессы контролирую гея не одним шиом ЦП и ЦР, а всей совокупностью глубоких центров, наблюдаемых в изучаемом образце, а вблизи макроскопических дефектов они сущеавснпо отличаются от подобных процессов в «нормальных» областях кри сталла Эти обстоятельства заставляют исследователей проводи I ь поиск простых, но эффективных методов позволяющих идентифициро-

вать структуру и физико-химическую природу центров, установит!, особенности их взаимодействия с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры объекта исследования

С точки зрения общего подхода к реальной полупроводниковой структуре, исследования глубоких центров представляют не только фундаментальный интерес, но и определяют перспективы использо вания полупроводниковых материалов при разработке новых опто электронных устройств

Таким образом, определение физико-химической природы, структуры и характеристических параметров глубоких центров в полупроводниках со сложным энергетическим спектром локализован ных состояний и нарушенной трансляционной кристаллографической симметрией представляют собой весьма актуальную задачу физшш полупроводников.

Основная цель диссертационной работы изучение влияния внутренних электрических и упругих полей, созданных макроскопическими дефектами кристаллической структуры, на характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях ZnS, ZnSe и ZnO

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

- методами фото- и термоактивационной спектроскопии опреде ляются энергетический спектр электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрами,

- определяются структура, характеристические параметры и физико-химическая природа ЦП и ЦР в moho-, микро- и нанокристалли ческих образцах различного химического состава,

- проводится классификация ЦП и изучаются особенности гене-рационно-рекомбинационных процессов с их участием в образцах с различными типами макроскопических дефектов, выявляются диагностические признаки наличия электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки параметров последних,

- сравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных фото- и термоактивационных спектров доказывается справедливость предлагаемых моделей генерационно-рекомбинационных процессов с участием глубоких центров, протекающих в полупроводниках с на рушенной трансляционной симметрией

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фо-юпроводимости, фото- и термолюминесценции, оптического и тер-мическо! о гашения фотопроводимости и люминесценции При реализации данных методов исследуемые образцы подвергались воздействию внешних электрических полей, одноосной деформации и ультразвуковой обработке, что позволило раскрыть их широкие методические возможности при изучении особенностей взаимодействия точечных и макроскопических дефектов в полупроводниковых кристаллах

Научная новизна работы Экспериментальные и теоретические исследования, выполненные в диссертационной работе, позволили

1 Определить физико-химическую природу, характеристические параметры и особенности проявления глубоких центров в генераци-онно-рекомбинационных процессах в moho-, микро- и нанокрис галлах соединений ZnS, ZnSe и ZnO

2 Обнаружить в люминофорах на основе ZnS и ZnO эффект пространственной модуляции кинетических параметров медленных электронных ЦП электрическим полем заряда поверхностных состояний микро- и нанокристаллов

3 Установить, что ультразвуковая обработка монокристаллов приводит а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокаций, б) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучательной рекомбинации

4 Выявить анизотропию спектральных сдвигов полос фотолюминесценции, обусловленных ассоциированными центрами излучательной рекомбинации, в зависимости от величины и направления одноосного давления

5 На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разработать алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров

Научно-практическая значимость работы:

1 Определены характеристические параметры глубоких центров в moho-, микро- и нанокристаллах ZnS, ZnSe и ZnO, нашедших ирак-1 ичсское применение в современной оптоэлек фонике

2 Предложен метод определения параметров (Аф, D, Е) области нросфансгвспного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника и концентрационного распределения в пей атомов электронных ЦП

3 Разработан метод улыразвуковой обработки монокристаллов, позволяющий осуществлять перестройку энергетического спектра элекфонных состояний в запрещенной зоне полупроводника

4 Разрабо1аны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы компьютерного моделирования термоакгива-циоппых процессов в реальных полупроводниках

На защиту выносятся следующие основные положения:

1 Расширение спектра значений сечения захвата (St) электронных цен i ров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Е,)

резулыаг упорядоченного распределения точечных дефектов соб-ci венной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микро- и нанокристал-лоп

2 Внутренние электрические и упругие поля макроскопических дсфскюв определяют пространственное распределение точечных и ассоциированных цешров с глубокими уровнями в moho-, микро- и панокриа аллах широкозонных соединений А2Вб и оказывают влияние на формирование их кинетических (St) и энергетических (Et) па-рамс фон

3 Внешние «доиороговые» уиругие поля (ультразвуковая обра-болга) приводя] к перестройке ассоциированных точечных дефекюв монокристалла, «выталкиванию» атомов электронных центров прилипания из области упругих и электрических полей дислокаций, что сопровождайся ростом энергии их ионизации и увеличением сечения iaxuaiа электронов этими состояниями

4 Движение краевых дислокаций в результате «мягкой» обра-бопси монокрис 1Ш1лов ультразвуком сопровождается перегруппиров-

кой и генерацией дефектов, образующих глубокие уровни фоючупст-вительности и излучательной рекомбинации

Апробация работы: материалы диссертационной рабош обсуждались научно-практической конференции «Молодежь и наука Д.и о стана» (Махачкала, 2001г), Международных конференциях «От ика, оптоэлектроннка и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г), IV Международной конференции «Аморфные и микрокрис :аллические по лупроводники» (Санкг-Пегербург, 2004 г), Международной копфе ренции "Fizika-2005" (Баку, 2005 г), VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005 г), Международной конференции «Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии» (Владимир, 2005 г ), Международных конференциях «Опто-, наноэлектроника, напо-техноло! ии и микросистемы» (Ульяновск, 2006 и 2007 i i ), 9-ом Me ждународном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойсша оксидов» ( Ростов-на Дону, 2006 г), 13-ой Всероссийской научной конференции слудентов-физиков и молодых ученых (Tai апрог, 2007 i )

Достоверность полученных результатов достигнут проведением исследований по апробированным методикам на автоматизированном спектрально-вычислительном комплексе (КСВУ-23), сснласи-ем экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых как самим автором, так и основоположниками теории 1ермоакги вационной спектроскопии, согласием результатов рабош с данными других исследователей

Личный вклад автора В диссертационной paöoie изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве Все экспериментальные результаты работы по исследованию фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений ZnS, ZnSe и ZnO, обработке данных и их обобщению выполнены автором самосюя тельно Научным руководителем Камиловым И К и научным коп сульгантом Зобовым ЕМ оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке моделей геперационно-рскомбипл-ционных процессов в этих материалах

Автор выражает благодарность Абдуеву A X , Ахмедову А К , Асварову А III. за предоставленные для исследования образцы панок-ристаллов (вискеров) ZnO и за проведение SbM исследований, Риза-ханову М А , Габибову Ф С , Хамидову М М за постоянное внимание и полезное обсуждение результатов экспериментальных работ, Маня-

хину Ф.И. и Наими Е К (МИСИС, г Москва) за предоставленную возможность проведения ультразвуковой обработки монокристаллов 7л.8, гпБе и обсуждение результатов эксперимента; своему научному руководителю - Камилову И К за постоянное внимание, как к самой научной работе, так и ее автору

Работа поддержана «Фондом содействия отечественной науки». Публикации. По теме диссертации опубликовано 16 печатных работ, в том числе 3 работы опубликованы в рецензируемых научных журналах рекомендованные ВАК

Структура и объем диссертации Диссертация изложена на 110 страницах, имеет 5 таблиц и 52 рисунка Список цитируемой литературы содержит 180 наименований

Диссертация состоит из четырех глав, из которых две являются оригинальными

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность, сформулирована основная цель и направление исследований, представлены данные о новизне, практической ценности диссертационной работы и выносимые на защиту научные положения

Первая глава является обзорной В ней приведены литературные данные о характеристических параметрах центров с глубокими уровнями в соединениях А2Вб и их роли в процессах захвата и рекомбинации носителей заряда Приводятся экспериментальные данные, подтверждающие роль макроскопических дефектов кристаллической решетки полупроводников на формирование характеристических параметров точечных и ассоциированных дефектов в монокристаллах.

Во второй главе приведены характеристики исследованных образцов, дано описание экспериментальных установок Изложены методы обработки экспериментальных данных Приводится разработанный метод, установления достоверности оценки характеристических параметров центров прилипания, основанный на компьютерном моделировании генерационно-рекомбина-ционных процессов, описывающих термоактивационные процессы в реальных полупроводниках и люминофорах

В |реи,сй главе представлены результаты исследования фото- и 1ермостимулированной люминесценции (ФЛ и ТС Л) монокрис галлов '/.пБ, ZnO, микрокристаллов (порошки с размером зерен порядка одною мкм) гп0 97Са00з8<Си, С1>, гп5<Ад, С1>, ХпО<81, 2п>, Ъ\0 (ОХЧ), нанокристаллов (вискеры) ZnO Интегральные спектры ТСЛ исследованных образцов структурно сложны и простираются от 90 до 300 К (рис 1) Анализ экспериментальных спектров методом «термической очистки» обнаруживает набор элементарных полос Факт совпадения наклонов начальных участков прямых ^ I = ДТ1), наблюдаемых при «термической очистке» интегральных спектров ТСЛ в микро- и нанокристаллах свидетельствует о моноэнергетическом характере спектра электронных ЦП в каждом из эгих люминофоров

Рис. 1. Спектры термоатшулированной люминесценции мопо- (А), микро-(В,С) и нанокристаллов (D) оксида цинка

Значение :шер1ии ионизации Е, ЦП, ответе! венных за элементарные

снскфы ТСЛ, определялось по Тангенсу угла О® а) наклона

£

прямых ИТ) = 0)

на начальном участке роста ТСЛ к оси 103/Т Сечения ЦП рассчи-п.шались но формуле 11]

(2)

Здесь Е, эпер1 ия ионизации ЦП, Тт- температура максимума полосы 1СЛ, эффективная плотность состояний в зоне проводимости, V-1еиловая скорость носителей заряда, к- постоянная Больцмана Ре-зульины оценки эперши ионизации Е(и сечения захвата электронных ЦП представлены в таблице 1

Таблица 1

Характеристические параметры электронных центров прилипания в микро- и панокристаллах Zй5', ХпО

Материал Макроде- ЕЛ+0 01) вь см2

фект эВ

/ло»7Сс1о()38<Си, поверхность 0 18 2 10"19- 2 10"24

СЛ> /П8<А8, С1> поверхность 0 18 5 Ю-20-2 10"24

/,п()</п,81> поверхность 0 32 2 10"12 — 2 10"19

/.пО (охч) поверхность 0 19 1-10"18-5 10"22

ХпО (юфаподы) поверхность 0 19 2 10"19- 6 10"22

Специфическая особенность этих электронных ЦП, благодаря ко юрой спектры ТСЛ микро- и нанокристаллов имеют сложную а рукIуру, сосюи! в том что их сечения принимают ряд значений в итервале 10"18 - 10"24 см2 Достоверность полученных нами параметров К, и 8( элекфоиных ЦП подтверждает хорошее согласие формы эксиеримешальных спектров ТСЛ (точки на рис 1) и рассчитанных еиекфов на основании теории гермоакгивационных процессов [1] (линии на рис 1), протекающих с участием медленных ЦП

Е

/-ЛГДп, ехр(--—~)ехр /с 1

УЫ( К, р

Е

4 /с7\

кТ

Е.

(3)

*

В (3) п1 - концентрация электронов, захваченных на 1-ый цешр, р -скорость нагрева образца В расчетах использовались экспериментально определенные значения Е( и 8, Согласие между шорсшчески-ми результатами и экспериментальными данными исследования 1СЛ - важное свидетельство принадлежности центров Ес-0 18 оВ в микро кристаллах на основе и Ес-0 19 эВ в микро- и панокрис! аллах ZnO к 1руппе медленных ЦП К этому выводу приводит Iакже иепо средственная оценка фактора захвата (11« 1) Электронные ЦП, па блюдаемые в микрокристаллах на основе УмЗ, УллО (охч) и папокри-сталлах - вискерах 7лО, не просто принадлежат к группе медленных ЦП Они обладают аномальными кинетическими свойстами фот-электрически неактивны, их сечения 8( меньше, чем теоретически предсказанные сечения 8( точечных дефектов Более юю, сечспие этих центров (в том числе и в ZnO<Sl, Хп>) имеет спектр значений, что вовсе не характерно для изолированных точечных дсфскюп По этой причине температурная область термической ионизации ЦП в микро- и нанокристаллах простирается на сотни градусов, неемшря на моноэнергетнческий караю ер электронною состояния

В монокристаллах ZnS и ZnO спектры ТСЛ наблюдаю юя в юм же температурном диапазоне, что и спектры ТСЛ микро- и папокри сталлов, но обусловлены ЦП, уровни которых расположены в интервале энергий Ес- (0 18-0 65) эВ в гп8 и Ес- (0 19-0 25) эВ в ZnO В отличие ог микро- и напокристаллов ЦП с уровнями Ес- 0 18 эВ (8( =1 5 10 19 см2) в монокристаллах ZnS и центры с уровнем Ес,~ 0 19 эВ (8( =- 1 9 1020 см2) в монокристаллах 2пО характеризуются дискреI ным значением сечения захвата электрона

Известные модельные представления о порошкообразных люминофорах допускают существование на поверхносш их зерен )пср1е-гических барьеров, которые возникают в результате перехода электронов из объема на поверхностные уровни адсорбированных чаешц Основываясь на этой идее, а также на результатах наших исследова ний и данных о природе ЦП с уровнем Ес- 0 18 эВ в /пЯ, можно у| верждагь, что ЦП, наблюдаемые независимо 01 модификации лих соединений, связаны с анионными вакансиями УА° Электронные ЦП с уровнем Ьс - 0 19 эВ в ZnO, согласно литературным данным скорее всего связаны с междоузельным цинком (7п/) В микро- и папокри-

сталлах перечисленные ЦП локализованы в области приповерхностного объемного заряда Благодаря взаимодействию ЦП с электрическими полями поверхностного заряда их сечение приобретает «эффект ивный» характер

где Бю- собственное сечение захвата электрона ЦП, Дф - величина макроскопического барьера, который преодолевают электроны при захвате на ЦП Поле отрицательного поверхностного заряда неоднородно в объеме микро- и нонакристалла. Поэтому степень модуляции сечения зависит от позиции, которую занимают ЦП по отношению к поверхности кристалла Расширение спектра значений при постоянной энергии Е, - результат распределения ЦП по всему объему пространственного заряда Зависимость (4) позволяет объяснить не только наличие малых значений сечения захвата электрона ЦП, но и экспериментально наблюдаемую зависимость Slt = /(1 /Тт) (рис 2)

„сс^иэсси, с1> —

Исследования фотолюминесценции микрокристаллов 2п8<А§, С1> (Хт г~460 нм), 7п0 97Сс1о оз8<Си, С1> (1т =520 нм), 2пО<81, 2п> (?,т =500 нм), 7пО (А,ш =510 нм) показали, что структура спектров излучения и ее интенсивность (кривые 2. на рис 1) не претерпевают замет-

^ =$„ -ехр (гАр/к-Т)

(4)

Ю-13 симума элементарных полос ТС/Т в микро- кристаллах « ХпИ, в микро- и панокристал-нп-15 ° л ах ZíI(7.

Рис 2 Зависимости сечений ЦП от температуры мак-

4 5 6 7 8 9 10 103/Т, К"1

ною изменения в температурной области ионизации ЦП В нанокри-сталлах ZnO с ростом температуры наблюдается сдвиг максимума полосы излучения (Х.т =585 нм) в коротковолновую область спектра Величина сдвига составляет 0 32 эВ При этом в интересующей нас области температур (90-300 К) температурного гашения ФЛ не наблюдается

Как показывает расчет, численное значения вероятности выброса электронов из ЦП Ес - 0 I8 эВ в гп8<А& С1>, Ес - 0 19 эВ в 2п0 и Ес -

0 32 эВ 2пО<81, Ъл> равно ехр(-^-)^10-3 - 10"2 с1 и не пре-

кТ

герпевают заметного изменения в температурной области их ионизации

Приведенные экспериментальные факты позволяют констатировать, чю в условиях, в которых рекомбинационные параметры остаются постоянными, температурная зависимость интенсивности ТСЛ, за которую ответственен электронный ЦП с сечением 8( промо-дулированным электрическим полем поверхностного заряда, всецело контролируется концентрационным распределением его атомов в области пространственного заряда

Интенсивность ТСЛ в микро- и нанокристаллах на основе и ZnO по мере роста температуры, а следовательно, по мере перехода от менее термоустойчивых электронных ЦП с более высокими сечениями (расположены вдали от поверхности зерен) к термостабильным центрам с меньшими сечениями (расположены ближе к поверхности) уменьшается примерно на два порядка (рис 1) Это обстоятельство с учетом заключения о поведении рекомбинационных параметров в микро- и нанокристаллах позволяет утверждать, что плотность ЦП электронов в них быстро падает в направлении от центра к поверхности зерен В равновесном состоянии распределение электрических зарядов, связанных с поверхностными центрами и электронными ЦП в микрокристаллах на основе 2п8 и 7мО напоминает эффект заряженного сферического конденсатора.

На основании формулы (4) и полученных экспериментальных результатов зависимости = /{]]п 1) (рис 2) представляется возможным оценить величину Дер - потенциального барьера созданного поверхностным зарядом микро- и нанокристаллов, и преодолеваемого

элекфоном при захтие на ЦП, ею ширину и напряженность элек-■ рическою ноля области пространственного заряда Согласно теории парамсфы л героическою барьера можно оценить по формулам [2]

V в к ■ V ® • 1}

1де 1) ширина барьера, е0 - элекфическая постоянная, е -диэлекфичсскаи проницаемость материала, - концентрация доноров (элекфонных ловушек), q - элементарный заряд, и - разность ншенциалов между точкой на поверхности кристалла (зерна порошка) и I очкой, где иоле поверхностного заряда обращается в нуль (II = Лф/ц), И напряженность электрического поля на границе зерен порошка В шблице 2 представлены рассчитанные величины В и Е. При расчет использовались экспериментальные данные Дер (рис 2) и Из таблицы видно, что электрическое поле поверхностного заряда проникает в тлубь микро- и нанокристаллов на толщину порядка 100 аюмпых слоев

Таблица 2

Характеристические параметры макроскопических барьеров, созданных поверхностным зарядом микро- и нанокристалдов

Образец Д<р, эВ N0, см" 3 Б, м Е, В/м

/лт8<Л& С1> 0 24 2 10" 3 3 10"7 1 4 106

Хпод7Сс1()„38<Си, С 1> 0 24 8 10" 1 7 10"7 2 8 106

2пО(охч) 0 25 4 10" 2 4 10"7 2 1 106

ХпО-тетраноды 0 25 4 5 10" 2 3 10"7 22 106

ХпО<8), 2п> 0 34 4 10" 2 8 10"7 2 4 106

Извесшо, чю величину поверхностного потенциала можно изменим., создавая у поверхности полупроводника поперечное элек-фическое поле Меняя напряженность постоянного внешнего элек-фическою поля можно управлять величиной поверхностною потенциала - ср Для обоснования справедливости, развиваемых нами модельных предскшлений о ЦП с дискретным энергетическим уровнем и сечением захват 8! промодулированным электрическим полем про-

странственного заряда поверхностных состояний микро- и нанокри-сталлов, выполнены исследования процессов термической ионизации электронных ЦГ1 в микрокрисгаллах ZnS<Ag, С1>, Хп0 9?Сс1о 0з$<Си, С1> в условиях действия внешнего электрическою ноля, для чего на их основе были созданы структуры металл-диэлектрик-люминофор-мегалл Усыновлены следующие экспериментальные факты 1) При наложении постоянного внешнего электрического поля на МДЛМ структуру, которая предварительно была охлаждена до низких температур и возбуждена светом, наблюдается вспышка излучения (эффект Гуддена-Поля [3]) (рис 3, вставка) Спею рал ы пли состав излучения вспышки не отличается от спектра фотолюминесценции микрокристаллов При исследовании полевых и температурных зависимостей интенсивности вспышки было установлено, что при увеличении напряженности поля в пределах 2 105- 2 10б В/м она растет Наибольшей интенсивности вспышка излучения достигает в обласш температур, при которых наблюдаются максимумы полос ТСЛ

ю h

100

t|Ж|; поле

U-*200 В

150

200 250 Т,К

300

Рис 3. Спектры TOI МДЛМ структур па основе микрокристаллов Zn0 97Cd0 03S<Cu,Cl>. На вставке кинетика вспышки излучения при наложении на МДЛМ постоянного внешнего электрического поля при Т-90 К. Величина прикладываемого напряжения указана на рисунках.

2) При наложении внешнего электрического ноля на МДЛМ структуру наблюдается уменьшение интенсивности ТСЛ (рис 3) Величина уменьшения интенсивности ТСЛ коррелирует с ростом ин-

1енсишюсш вспышки, наблюдаемой в момент включения поля, что свиде!ельсшует о делокализации электронов с ЦП Ее- 0 18 эВ

3) При наложении внешнего электрического поля на МДЛМ сфуюуру энергия термической ионизации электронных ЦП остается неизменной, увеличивается эффективное сечение захвата электронов.

4) При наложении на МДЛМ структуру внешнего электрического поля, наблюдаеюя перераспределение концентрации электронных ЦП в пользу имеющих большее сечение 8(

Перечисленные в пунктах 1-2 факты хорошо согласуются с экспериментальными резулыатами, которые легли в основу теории эффект Гуддена- Поля (ЭГ11) Проявление ЭГП связывают с освобождением электронов из ЦП под действием электрического поля с последующей их излучагельной рекомбинацией на центрах свечения. Основным механизмом полевой делокализации электронов в твердых 1елах при ЭГП является стимулированное фононами туннелирование |3] Экспериментально установлено, что в люминофорах на основе /пЯ стимулированное фононами туннелирование электронов с ЦП 1 лубипой Ес- (0 2-0 9) эВ в зону проводимости происходит при напряженности электрического поля порядка 2 5 1 07 — 2 5 1 08 В/м

Наши же экспериментальные результаты получены при напряженности ноля 2 105- 2 10б В/м Поэтому утверждать о туннельном механизме делокализации электронов с ЦП в присутствии электриче-ско1 о поля в нашем случае нельзя Экспериментальные факты, пред-С1авленпые в пунктах 3-4 позволяют сделать вывод вспышка излучения при наложении на МДЛМ структуру внешнего электрического ноля, вызванная делокализацией электронов с ЦП с уровнем Ее- 0.18 эВ микрокристаллов на основе ЕпЭ, обусловлена ростом их эффек-1ИВН01 о сечения захвата электронов

В чететой главе представлены результаты исследования влияния внешних упругих полей на энергетический спектр электрон-пых состояний в монокристаллах 2п8 и 7п8е.

Проводимые в различных лабораториях мира, исследования но изучению электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойс 1 в соединений А2Вб в условиях одноосного давления, или возбуждения в кристаллах ультразвуковых колебаний, в основном сводились к выяснению влияния деформации на зарождение новых дислокаций и точечных дефектов, приводящих к изменению выше пере-

численных свойств. Исследование упругой деформаций крисгалличе ской решетки, как фактора способного изменить параметры внутренних упругих и электрических полей, оказывающих влияние на 1епе рационно-рекомбинационные процессы, протекающие с учасшем глубоких цешров, не проводилось Подобного рода исследования способствуют раскрытию механизмов взаимодействия макроскопических дефектов, ответственных за генерацию внутренних элекфичс ских и упругих полей кристалла, с точечными дефектами цен 1 рами с глубокими уровнями

Влияние одноосного давления на энергетический спектр цен-трое шлучательной рекомбинации. В настоящее время усыновлено, что люминесцентные свойства полупроводников типа /лЯ, Zn.Se, ZlтO в значительной мере определяется эффектами межцегпровою взаимодействия, которое проявляется при образовании донорно-акцепторных пар (ДАП) Поэтому исследования направленные на установление физико-химической природы и структуры ассоциированных центров излучателыюй рекомбинации в соединениях ХпЯ, Zn.Se, ZnO носят актуальный характер.

Проведенные нами комплексные исследования фото- и исрмо-стимулированной проводимости, фото- и термос г имулировапной люминесценции позволили прийти к выводу, что в самоакгивирован-ных кристаллах ZnS могут реализоваться комплексы тина

('■'а ~ ^ ) ~ ^ > в состав которых входит донор - вакансия серы и

акцептор г-центр рекомбинации (кД - £> ь) Комплексы распределены по межатомному расстоянию гга

Люминесцентное излучение А^ г 520 - 540 им самоактивировап-ных кристаллов ZnS является результатом межценгрового электронного перехода с уровня I (Ее - 0 65 эВ) вакансии серы, находящейся в

неравновесных условиях в зарядовом состоянии , на уровень акцептора Еу + 1 1 эВ Энергия фотона, излучаемого в резулыате такого перехода, определяется выражением

Е1=Ё8~{Еп + Е4)+АЕк> (6)

где Е3 - ширина запрещенной зоны люминофора, Ео Ел глубина залегания изолированного донорного и акцепторного центра, ЛЕК~ с2/

(б • гт) - энергия кулоновекого взаимодействия между донором и акцептором. Здесь е - заряд электрона, е- диэлектрическая проницаемость материала, г„,- межатомное расстояние между дефектами в ас-социате Так как точечные дефекты занимают в решетке вполне определенные места, то величины гт , АЕК и Е, принимают дискретный ряд значений Расчет показывает, что для комплексов второго порядка Е, = 2 3 эВ, что соответствует энергии излучения Хт =540 нм Пары первого порядка на наш взгляд могут обуславливать коротковолновые полосы излучения (А,т =460 нм) в самоактивированных кристаллах 2п8

Комплексы - Б' ) - V*' ] обладают дуализмом В зависимости от положения электронных и дырочных квазиуровней Ферми, они контролируют не только процессы излучательной рекомбинации, но и термостимулированные процессы, обуславливая термостимули-рованную люминесценцию монокристаллов ЕпБ Роль электронных ЦП играют доноры - входящие в состав комплексов Вследствие

распределения комплексов по межатомному расстоянию гтЦП имеют квазидискретную систему уровней в интервале энергий Ес - (0 65 -018)эВ

С целью выяснения пространственной ориентации комплексов

~ ~ в кристаллической решетке гексагонального суль-шда цинка и выявления влияния внешних упругих давлений на энергетический спектр электронных состояний нами выполнены исследования фотолюминесценции в условиях действия на кристаллы одноосного давления

Для проведения исследований использовалась специальная приставка. Образец, вырезанный из крупного монокристалла в виде прямоугольного параллелепипеда размером 2x3x6 миллиметров (кристаллографическая ось С располагалась параллельно наибольшей грани образца), помещался между наковальней и рабочим поршнем в виде металлического стержня Давление на кристалл создавалось путем нагружения подвижного поршня калиброванными свинцовыми дисками массой 0 5 кг Данная конструкция позволяет достичь давления, оказываемого на образец порядка 107 Па В отсутствие давления

максимум полосы излучения в исследованных кристаллах приходится на А,т =520 нм (1ту, 2 2 38 эВ) При приложении давления (р - 105 - 107 Па) вдоль оси С наблюдается сдвиг спектральной полосы ФЛ в длинноволновую область спектра Величина сдвига равна А1ту = 0 02 эВ При обратной линейной дисперсии установки 1 3 нанометра на миллиметр величина ДЬ/ г 0 02 эВ превосходит предел чувствительности на порядок

При смене направления давления на перпендикулярное оси С, спектральная полоса ФЛ смещается в коротковолновую часть спектра Величина АЬу не изменяется и составляет 0 02 эВ Во всех экспериментах интенсивность ФЛ меняется незначительно

Предполагается, что наличие спектральных сдвигов полосы ФЛ с Ат =520 нм (Ьу, 2 2 38 эВ) в самоактивированных кристаллах ХпЗ при одноосном давлении связано с изменением межатомного расстояния гт между IX - и А" - центрами Величина изменения межатомного расстояния г,„ по данным спектрального сдвига полос ФЛ составляет 0.2 А. Наличие «красного» сдвш а полосы при давлении вдоль оси С и «фиолетового» сдвига при давлении направленном перпендикулярно оси С свидетельствует о том, что и А" - центры располагаются в анионных и катионных узлах решетки лежащих в основании гексагона

Исследования фото- и термостимулировапиой люминесценции кристаллов Zи5' подвергнутых ультразвуковой (УЗ) обработке привели к установлению следующих экспериментальных данных

- наблюдается рост интенсивности ФЛ в спектральном диапазоне А,=400-600 нм, который не сопровождается изменением спектральное положение полос излучения,

- наблюдается частичное перераспределение интенсивности спектральных полос ТСЛ, что связано с изменением характеристических параметров электронных ЦП ответственных за высокотемпературные (Т>250 К) полосы В частности, наблюдается рост энергии ионизации ЦП до значения Ее - 0 65 эВ при этом на два порядка увеличивается и их сечение захвата

Обработка УЗ осуществлялась по методике, разработанной Наи-ми Е К Частота ультразвука составляла 64 кГц Максимальная амплитуда механического напряжения в пучности УЗ волны О0=2 8 106 Па Время УЗ обработки варьировалось от 1 до 3 часов

Как ошечалось выше, электронные ЦП в ЕпБ связаны с комплексами, коюрые сосюя! из хаотически распределенных по меж-

аюмпому расстоянию гш атомов акцептора Ак (1-центры рекомбинации) и донора - вакансии серы Энергия ионизации донора (ЦП), взаимодействующего с акцептором А", в первом приближении Е1т = Е(00 -е2Л. 1П1 Здесь Е1оо - глубина уровня изолированной электронной ловушки, е2/егш — смещение этою уровня за счет близости ионизированною акцептора В исходных кристаллах 7х& уровни соответствующих электронных ЦП квазидискретно распределены в интервале лгер! ий Ес - (0 2 - 0 57) эВ Несмотря на донорную природу ЦП их сечения захвата электронов малы и изменяются в интервале значений 8(^10"17 - 10"23 см2, что указывает на их локализацию в области обь-емп01 о заряда, созданного заряженной дислокацией

Рост энергии ионизации ЦП до значения Ес - 0 65 эВ при УЗ обработке свидетельствует о том, что происходит увеличение межагом-пою расстояния гп1 между компонентами ассоциатов, что сопровождаемся уменьшением величины энергии кулоновского взаимодействия е?А, 1,„ между Б1 и А и увеличением энерши ионизации Е№, ЦП Сле-доваюльно, механические напряжения созданные УЗ в кристалле приводят к «выталкиванию» электронных ЦП из области упругих и электрических полей созданных дислокациями, что сопровождается увеличение сечения захвата электрона Б! на два порядка

Исследования фотолюминесценции (ФЛ) и фотопроводимости крисгаллов Zn.Se показали, что в исходных образцах наблюдается характерная для самоактивированных кристаллов широкая полоса излучения с А,,гах1 = 630 им (Ьу,гах = 1 97 эВ переходы 5,6 и 5', 6' на рис 4), имеющая «хвост» в коротковолновой части спектра Обработка крисгаллов УЗ в течение 60 минут приводит к росту интенсивности излучения и трансформации спектра - максимум полосы ФЛ смеща-С1Ся в коротковолновую область, достигая значения X пш2 = 585 нм (Ьу,1их = 22 эВ) Дальнейшее увеличение времени УЗ обработки (1-135 мин) приводит к росту интенсивности излучения во всем спектральном диапазоне На спектрах ФП исходных кристаллов /п8е при 300 К наблюдается две полосы (рис 5, кривые 1 и 2) Кореи коволиовая граница высокоэнергетической полосы ФП расположена вблизи Ьуа2 6 эВ, что отвечает ширине запрещенной зоны данного

А

Рис. 4. Зонная структура, нарушенная заряженной дислокацией, ее уровни и распределение энергетических уровней центров, обуславливающих фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов 7.п$е до (А) и после (П) обработки УЗ Стрелками показаны электронно-дырочные переходы

материала при комнатной температуре (переходы 1 и Г на рис 4) После обработки кристаллов УЗ, интенсивность данной полосы ФП незначительно увеличивается, а в длинноволновой облает и появляется структура с красной границей Ьуг ~2 2 эВ (см кривую 3 рис 5)

Рис 5 Спектры фотопроводимости кристаллов ХпЯе до (кривые I, 2,4) и после (кривые 3, 5) их обработки УЗ Спектры 1, 2, 3 измерены при 300 К Температура измерения спектров 4 и 5- 90К.

Полоса примесной ФП с Ьут 25 эВ (кривая 2) имеет маленькую интенсивность и проявляется только после предварительного фотовозбуждения образца светом из области фундаментального поглощения (Ну>Ек)

Охлаждение образца до 90 К и предварительное его фотовозбуждение светом Ьу>Её приводит к значительному увеличению ФП в примесной области и смещению красной границы фотоэффекта до 0 5 эВ, при этом структура спектра существенно изменяется (рис. 5, кривая 4) Анализ показывает, что за неравновесную фо нечувствительность кристаллов 7п8е в примесной области при 90 К ответственны центры, уровни которых квазидискретно распределены в интервале энергий с Ьу = (0 5 - 1 1) эВ (переходы 2-4 на рис 4)

Обработка кристаллов 2п8е УЗ в течение 135 минут существенно изменяет энергетический спектр электронных состояний и на спектрах ФП при 90 К доминируют две полосы с 1тут =0 7 эВ и Ьут =1 0 эВ (рис 5, кривая 5)

Рис.6. Микрофотографии травления дислокаций пи поверхности кристалла ХпЗе до (А) и после (В) их обработки УЗ.

8ЕМ исследования на электронном микроскопе ЫЮ-1450 показывают (рис. 6), что обработка кристаллов УЗ приводит к росту плотности дислокации на поверхности кристаллов, что вероятно связано с движением дислокаций из его объема.

Движущимися дислокациями в соединениях А2Вб являются краевые а- и Р- дислокации [4]. Эти дислокации имеют в своем ядре оборванные связи. Наличие оборванных связей в ядре дислокации обуславливает захват на них электронов, появление дислокационного энергетического уровня Еа в запрещенной зоне полупроводника и возникновение электрического заряда вдоль линий дислокации. За счет кулоновского отталкивания электронов на уровне Ей этот уровень по мере его заполнения электронами поднимается и очень быстро достигает значения химического потенциала ц, после чего его за-

нолнение прекращаемся Движение дислокации увеличивает ее заряд за сче! обмена электронами между дислокацией и точечными дефектами, заметаемыми ею при своем движении, что приводит к смещению уровня На к дну зоны проводимости В кристаллах ХпБе дислокационный уровень Еа расположен вблизи уровня Ес - 1 2 эВ Поэтому, мы предполагаем, что наблюдаемая на спектре ФП полоса с ЬуП1 -Л 25 эВ (рис 5, кривая 2) связана с переходом электронов именно с уровня Ьс1 в зону проводимости

Обработка УЗ вызывает движение дислокаций и выводит их на поверхность кристалла В процессе движения дислокация увеличивает свой заряд за счет центра с уровнем Ее - 0 5 эВ, что сопровождается смещением уровня Ес) до Ег - 0 85 эВ Полоса ФП с 1гуП| =1 25 эВ, обусловленная фогоионизацией Ей уровня неподвижной дислокации, сменяется на спектре ФП полосой с 0 эВ (рис. 5, кривая 5; пе-

реходы 2' на рис 4). Полоса ФП 1гуш -~0 6 эВ, связанная с уровнем Ес О 5 эВ, после обработки кристалла УЗ исчезает, что свидетельствует в пользу того, что именно этот цент заметается дислокацией в процессе движения Облучение кристалла квантами света с энергией 1ту>0 5 эВ приводит к фотоионизации центров, которые обуславлива-Ю1 полосу ФП с -0 7 эВ (переходы 4 и 4') По всей видимости, данные центры в крисшше локализованы вдали от дислокационных 1 рубок и движущаяся дислокация их не затрагивает

Обработка кристаллов ЕпБе УЗ приводит к генерации в них глубоких центров с уровнем вблизи Еу + 0 4 эВ В результате красная 1 рапица высокоэнергетической полосы ФП (кривая 3 на рис 5) смещается в длинноволновую область спекгра и на ней проявляется с фу кт ура с красной 1раницей =2.2 эВ (переходы 7' на рис 4) Из-лучаюльный захват па эти центры неравновесных электронов и дырок, в процессе возбуждения фотолюминесценции (переходы 8' и 9' па рис 4) приводит к открытию новою канала излучательной рекомбинации, в результате чего максимума излучения на спектрах ФЛ смещается в коротковолновую область спектра, достигая значения А, 1шх2= 585 им

Таким образом, проведенные в работе исследования являются прямым экспериментальным доказательством того, что «мягкая» об-рабопса кристаллов 7пБс УЗ приводит к движению краевых дислока-

ций, в результате чего наблюдается перегруппировка и 1 операция де фектов, образующих глубокие уровни фоточувс1вигсльносги и шлу чательной рекомбинации

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1 Причиной аномально малых сечений захвата электронных центров прилипания в микро- и нанокристаллах соединений 7.пЯ и УлО является локализация этих центров в области пространственною заряда поверхностных состояний Расширение спектра значений се чения захвата электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Е,) - результат упорядоченного распреде ления точечных дефектов собственной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микро- и нанокристаллов В нанокристаллах, диаметр которых больше 10 им, размерное квантование электронных сосшяпий глубоких центров прилипания отсутствует

2 11аличие в микро-, нанокристаллах электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем и сечением захвата пространственно промодулированным электрическим нолем заряда поверхностных состояний приводит к увеличению темпсра1урною диапазона ионизации центров и расширению спектральных полос термостимулированной люминесценции Анализ экспериментальных спектров термолюминесценции поли- и нанокристаллов позволяет определить параметры (Аф, Б, Е) области пространственного заряда поверхностных состояний

3 Внешнее электрическое поле напряженностью 2 105- 2 106 В/м приводит к увеличению эффективного сечения захвата (80 цен 1 ров прилипания, что облегчает процесс их термической ионизации, при этом энергетические характеристики центров остаются неизменными

4 На основании существующей теории термоактивациониой спектроскопии представляется возможным разработать алгоришы и вычислительные процедуры, позволяющие учесп, геперационпо-рекомбинационные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров

5 Одноосное давление в области упругих деформаций позволяв выявить анизотропию спектральных полос фотолюминесценции, обу-

словленных ассоциированными центрами излучательной рекомбинации

6 Ультразвуковая обработка монокристаллов приводит а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокаций, б) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучагельной рекомбинации

7. Локализация точечных и ассоциированных дефектов в области электрического и упругого поля макроскопического дефекта кристаллической сфуктуры полупроводника формирует кинетические и энергетические параметры глубоких центров прилипания

Основные результаты диссертационных исследований опубликованы в работах

1. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камалудинова Х.А., Ризаханов М.А. Электронные ловушки с широким интервалом сечений захвата в порошкообразных люминофорах на основе ZnS. // Журнал прикладной спектроскопии - 2005, т.72, № 2, С. 202-206

2. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камилоп И.К., Маняхин Ф.И., Наими Е.К. Влияние ультразвуковой обработки па структуру энергетического спектра электронных ловушек в кристаллах 7л8. // Известия ВУЗов, серия Материалы электронной техник».-2007, № 3, С. 38-43.

3. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Габибов Ф.С., Камилов И.К., Маняхин Ф.И., Наими Е.К. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические н люминесцентные свойства кристаллов ХпЪе. IIФТП. - 2008, т. 42, № 3, С. 282-285.

4 Хамидов М М, Зобов Е М , Зобов М Е Самоактивированная люминесценция и ее связь с центрами прилипания в сульфиде цинка // Известия ВУЗов Северо-Кавказкого региона Серия физика.- 2006, №9, С 43-50.

5 Зобов Е М , Зобов М Е, Камалудинова X Э Термоактивацион-ные процессьг с участием медленных ловушек в полупроводниках // Вестник ДНЦ РАН - 2006, № 25, С 8-13

6 Зобов Е M , Зобов M Е, Ризаханов M А Расширение в зону сечения захвата "гигантской" ловушки в порошкообразном люминофоре ZnO<Si>// Труды международной конференции «Оптика, опто-электроника и технологии» - Ульяновск - 2002 - С 94

7. Абдулгамидов С А , Зобов Е. M , Зобов M Е , Хамидов M M , Камалудинова X Э. Влияние механизмов рекомбинации на спектры термостимулированных явлений в кристаллах ZnSe \\ Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» -Ульяновск, 2003, 1 С

8. Зобов Е.М, Зобов M Е, Камалутдинова X Э , Ризаханов M А Модуляция кинетических параметров электронных ловушек коллективным полем заряженной поверхности зерен порошка в цинк сульфидных и цинк оксидных люминофорах Труды IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» - Санкт-Петербург, 2004, С 234-235

9 Зобов Е.М , Зобов M Е , Камалудинова Х.А., Ризаханов М.А Влияние внешнего электрического поля на кинетические параметры электронных ловушек локализованных в приповерхностной области пространственного заряда // Сборник трудов Международной конференции "Fizika-2005" Баку, Азербайджан, 2005 С 754-757

10. Абдуев А X , Ахмедов А К , Асваров А Ш , Зобов Е M , Зобов M Е. Люминесценция и ее особенности в нанокристаллических частицах оксида цинка // Труды Международной конференции «Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии» Владимир, 2005, С 185

11 Зобов M Е , Камалудинова X Э Модуляция кинетических параметров электронных ловушек коллективным электрическим полем заряженной поверхности зерен порошка в цинк сульфидных и цинк оксидных люминофорах // Труды молодых ученых ДГУ - Махачкала, 2005, С 22-24

12 Абдуев А.Х, Ахмедов А К, Асваров АIII, Зобов Е M , Зобов M Е Люминесценция и ее особенности в нанокристаллических частицах оксида цинка// Материалы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2005, С. 284

13 Зобов Е M , Зобов М.Е., Камилов И К., Маняхин Ф И , Наими Е К Влияние ультразвука на люминесценцтные свойства халькогени-дов цинка // Труды Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» - Ульяновск. 2006 - С 188

14 Абдуев А.Х , Ахмедов А К, Асваров А Ш , Зобов Е М , Зобов М Е, Камилов И К. Люминесценция и ее особенности в нанокри-сталлах оксида цинка // Материалы 9-го международного симпозиума «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» - Ростов-на-Дону, Лоо -2006, С 158-161

15 Зобов М Е , Камилов И К, Зобов Е М , Наими Е К Влияние ультразвуковой обработки кристаллов ZnS на структуру центров прилипания // Материалы Тринадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых Таганрог, 2007, С 190

16. Зобов М Е , Камилов И К , Зобов Е М Влияние одноосного давления на люминесцентные свойства кристаллов ZnS // Труды Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехноло-гии и микросистемы» - Ульяновск, 2007, С 239

Список цитируемой литературы

1. Вертопрахов В Н , Сальман Е Г Термостимулированные токи в неорганических веществах// Новосибирск изд-во "Наука" - 1979, 333 С

2. Овсюк В Н Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда // Новосибирск. «Наука» - 1984 -253 С

3 Георгобиани А Н, Пипинис П А Туннельные явления в люминесценции полупроводников // М . Мир. - 1994 - 220 С

4 Осепьян Ю А, Петренко В Ф. Дислокации в соединениях А2В6 // В кн «Физика соединений А2 В6» // (Под редакцией Георгобиани А Н, Шейнкмана М К) - М "Наука" - 1986 - С. 35-64

Заказ Ха 105 Тираж 100

Типография Дагестанского научного центра РАН 367015, г Махачкала, 5-й жилгородок, корпус 10

ВВЕДЕНИЕ . 4 сгр.

ГЛАВА 1 ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А2Вб. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ

СОСТОЯНИЙ, (обзор).

§ 1.1 Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях А В

1.1.1. Энергетический спектр электронных состояний в соединениях

1.1.2 Центры прилипания

1.1.3 Центры рекомбинации

§1.2 Влияние упругих деформаций на энергетический спектр электронных состояний

1.2.1 Влияние одноосного давления

1.2.2 Влияние ультразвука.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1 Характеристика исследованных образцов

§ 2.2 Экспериментальная установка

§ 2.3 Методика эксперимента

Г Л А В А III ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА МИКРО-, ИАНОКРИСТАЛЛОВ ZnS, ZnO НА СЕЧЕНИЯ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ

§ 3.1 Термолюминесцентные свойства микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка. Характеристические параметры электронных ЦП

§ 3.2 Объяснение термолюминесцентных свойств микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка.

§ 3.3 Диагностика концентрационного распределения атомов ЦП в объеме микро-, нанокристаллов на основе ZnS, ZnO

§ 3.4 Эффект Гуддена-Пуля в микрокристаллах сульфида цинка

3.4.1 Экспериментальные данные.

3.4.2 Интерпретация экспериментальных данных

ВЫВОДЫ

Г Л А В А IV ВЛИЯНИЕ УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЦЕНТРОВ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ

В МОНОКРИСТАЛЛАХ СУЛЬФИДА И СЕЛЕНИДА ЦИНКА

§ 4.1 Влияние одноосного давления на энергетический спектр центров излучательной рекомбинации.

§ 4.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных состояний в монокристаллах ZnS, ZnSe

4.2.1 Методика эксперимента

4.2.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ЦП в монокристаллах ZnS

4.2.3 Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства монокристаллов ZnSe

ВЫВОДЫ

Халькогениды цинка (ZnO, ZnS, ZnSe) являются типичными представителями широкозонных соединений группы А"В . На формирование их фотоэлектрических и люминесцентных свойств, как и других полупроводниковых материалов, оказывают влияние глубокие центры, которые в зависимости от характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда делятся на центры прилипания (ЦП) и рекомбинации (ЦР). Характеристические параметры (энергия ионизации Е,, сечения захвата электронов Sn и дырок Sp, концентрация N) этих центров определяют спектральные диапазоны люминесценции и фоточувствительности, инерционность и квантовую эффективность большинства современных оптоэлектроиных приборов.

В настоящее время в халькогенидах цинка установлена физико-химическая природа и характеристические параметры многих глубоких центров, показано значение последних в различных неравновесных процессах, раскрыты схемы электронно-дырочных переходов с их участием. Эти исследования, например, позволили разработать на основе сульфида цинка эффективные катодо- и электролюминофоры, визуализаторы инфракрасного излучения.

Вместе с тем, соединения группы А"В в отличие от классических полупроводников (кремний, германий) обладают рядом специфических особенностей. Например, наличие трудно контролируемого состава точечных дефектов кристаллической структуры и остаточных примесей, приводит к появлению в их запрещенной зоне богатого спектра электронных состояний; большое число макроскопических дефектов (дислокации, границы блоков двойпиковапия и т.п.) в кристаллах приводит к возникновению сильных электрических и упругих полей, что сопровождается флуктуацией зонного потенциала. Перечисленные особенности приводят к тому, что генерацион-но-рекомбипационные процессы контролируются не одним типом ЦП и ЦР, а всей совокупностью глубоких центров, наблюдаемых в изучаемом образце, а вблизи макроскопических дефектов они существенно отличаются от подобных процессов в «нормальных» областях кристалла. Эти обстоятельства заставляют исследователей проводить поиск простых, но эффективных методов позволяющих идентифицировать структуру и физико-химическую природу центров, установить особенности их взаимодействия с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры объекта исследования.

С точки зрения общего подхода к реальной полупроводниковой структуре, исследования глубоких центров представляют не только фундаментальный интерес, но и определяют перспективы использования полупроводниковых материалов при разработке новых оптоэлектронных устройств.

Таким образом, определение физико-химической природы, структуры и характеристических параметров глубоких центров в полупроводниках со сложным энергетическим спектром локализованных состояний и нарушенной трансляционной кристаллографической симметрией представляют собой весьма актуальную задачу физики полупроводников.

Настоящая диссертационная работа и посвящена в основном решению этой проблемы в соединениях ZnS, ZnSe и ZnO относящихся к перспективным материалам фото- и оптоэлектроники.

Основная цель диссертационной работы - изучение влияния внутренних электрических и упругих полей, созданных макроскопическими дефектами кристаллической структуры, на характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях ZnS, ZnSe и ZnO .

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

- методами фото- и термоактивационной спектроскопии определяются энергетический спектр электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрами;

- определяются структура, характеристические параметры и физико-химическая природа ЦП и ЦР в моно-, микро- и нанокристаллических образцах различного химического состава;

- проводится классификация ЦП и изучаются особенности генераци-онно-рекомбинационных процессов с их участием в образцах с различным типом макроскопических дефектов, находятся диагностические признаки наличия электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки параметров последних;

- сравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных фото-и термоактивационных спектров доказывается справедливость предлагаемых моделей генерационно-рекомбинационных процессов с участием глубоких центров, протекающих в полупроводниках с нарушенной трансляционной симметрией.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных па изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости, фото- и термолюминесценции, оптического и термического гашения фотопроводимости и люминесценции. При реализации данных методов исследуемые образцы подвергались воздействию внешних электрических полей, одноосной деформации и ультразвуковой обработке, что позволило раскрыть широкие методические возможности этих методов для изучения особенностей взаимодействия точечных и макроскопических дефектов в полупроводниковых кристаллах.

Научная новизна работы. Экспериментальные и теоретические исследования, выполненные в диссертационной работе, позволили:

1. Определить физико-химическую природу, характеристические параметры и особенности проявления глубоких центров в генерационнорекомбинациопных процессах в моно-, микро- и напокристаллах соединений ZnS, ZnSe и ZnO.

2. Обнаружить в люминофорах на основе ZnS и ZnO эффект пространственной модуляции кинетических параметров медленных электронных ЦП электрическим полем пространственного заряда поверхностных состояний микро- и нанокристаллов.

3. Установить, что ультразвуковая обработка монокристаллов приводит: а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокаций; б) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучательпой рекомбинации.

4. Выявить анизотропию спектральных сдвигов полос фотолюминесценции, обусловленных ассоциированными центрами излучательпой рекомбинации, в зависимости от величины и направления одноосного давления.

5. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разработать алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинациопные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров.

Научно-практическая значимость работы :

1. Определены характеристические параметры глубоких центров в моно-, микро- и напокристаллах ZnS, ZnSe и ZnO, нашедших практическое применение в современной оптоэлектронике.

2. Предложен метод определения параметров (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника и концентрационного распределения в пей атомов электронных ЦП.

3. Разработан метод ультразвуковой обработки монокристаллов, позволяющий осуществлять перестройку энергетического спектра электронных состояний в запрещенной зоне полупроводника.

4. Разработаны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы компьютерного моделирования термоактивационных процессов в реальных полупроводниках.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Расширение спектра значений сечения захвата (St) электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Et) - результат упорядоченного распределения точечных дефектов собственной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микро- и напокристаллов.

2. Внутренние электрические и упругие поля макроскопических дефектов определяют пространственное распределение точечных и ассоциированных центров с глубокими уровнями в моно-, микро- и нанокристаллах широкозонных соединений А"В и оказывают влияние на формирование их кинетических (St) и энергетических (Et) параметров.

3. Внешние «допороговые» упругие поля (ультразвуковая обработка) приводят к перестройке ассоциированных точечных дефектов монокристалла, «выталкиванию» атомов электронных центров прилипания из области упругих и электрических полей дислокаций, что сопровождается ростом энергии их ионизации и увеличением сечения захвата электронов этими состояниями.

4. Движение краевых дислокаций в результате «мягкой» обработки монокристаллов ультразвуком сопровождается перегруппировкой и генерацией дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излу-чательной рекомбинации.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались: научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана» (Махачкала, 2001г.); Международных конференциях «Оптика, оптоэлектро-ника и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г.); IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004 г.); Международной конференции "Fizika-2005" (Баку, 2005 г.); VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005 г.); Международной конференции «Оптика, наноэлектроника, нанотехноло-гии» (Владимир, 2005 г.); Международных конференциях «Опто-, наноэлектроника, панотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2006 и 2007 г.г.); 9-ом Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» ( Ростов-на-Дону, 2006 г.); 13-ой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Таганрог, 2007 г.)

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе 4 статьи, 3 доклада и 8 тезисов докладов.

Достоверность полученных результатов достигнута проведением исследований по апробированным методикам на автоматизированном спектрально-вычислительном комплексе (КСВУ-23), согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых как самим автором, так и основоположниками теории термоактивационной спектроскопии, согласием результатов работы с данными других исследователей.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы по исследованию фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений ZnS, ZnSe и ZnO, обработке данных и их обобщению выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем Камиловым И.К. и научным консультантом Зобовым Е.М. оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке моделей генерацион-но-рекомбинационных процессов в этих материалах.

Автор выражает благодарность: Абдуеву А.Х., Ахмедову А.К., Асваро-ву А.Ш. за предоставленные для исследования образцы нанокристаллов (вис-керов) ZnO и за проведение SEM исследований; Ризаханову М.А., Габибову Ф.С., Хамидову М.М. за постоянное внимание и полезное обсуждение результатов экспериментальных работ; Маняхину Ф.И. и Наими Е.К. (МИСИС, г. Москва) за предоставленную возможность проведения ультразвуковой обработки монокристаллов ZnS, ZnSe и обсуждение результатов эксперимента; своему научному руководителю - Камилову И.К. за постоянное внимание, как к самой научной работе, так и ее автору.

Г ЛАВА I

ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А2В6. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ (обзор).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Причиной аномально малых сечений захвата электронных центров прилипания в микро- и нанокристаллах соединений ZnS и ZnO является локализация этих центров в области пространственного заряда поверхностных состояний. Расширение спектра значений сечения захвата (St) электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Et) - результат упорядоченного распределения точечных дефектов собственной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микро- и нанокристаллов. В нанокристаллах, диаметр которых больше 10 нм, размерное квантование электронных состояний глубоких центров прилипания отсутствует.

2. Наличие в микро-, нанокристаллах электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем и сечением захвата пространственно промодулированным электрическим полем заряда поверхностных состояний приводит к увеличению температурного диапазона ионизации центров и расширению спектральных полос термостимулированной люминесценции. Анализ экспериментальных спектров термолюминесценции поли- и нанокристаллов позволяет определить параметры (Acp, D, Е) области пространственного заряда поверхностных состояний.

3. Внешнее электрическое поле напряженностью 2 105- 2 106 В/м приводит к увеличению эффективного сечения захвата (St) центров прилипания, что облегчает процесс их термической ионизации, при этом энергетические характеристики центров остаются неизменными.

4. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии представляется возможным разработать алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров.

5. Одноосное давление в области упругих деформаций позволяет выявить анизотропию спектральных полос фотолюминесценции, обусловленных ассоциированными центрами излучательной рекомбинации.

6. Ультразвуковая обработка монокристаллов приводит: а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокаций; б) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучательной рекомбинации.

7. Локализация точечных и ассоциированных дефектов в области электрического и упругого поля макроскопического дефекта кристаллической структуры полупроводника формирует кинетические и энергетические параметры глубоких центров прилипания.

1. Быоб Р. Фотопроводимость твердых тел.//М.: изд-во "ИЛ".-1962, 5581. С.

2. Aven М., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds // Amsterdam." 1967. (Перевод под ред. С.А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: "Мир".- 1970.)

3. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Пол-торака О.М.) М.: "Мир",- 1969. 654 С.

4. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: "Высшая школа".- 1971. 336 С,

5. Кюри Д. Люминесценция кристаллов//М.: изд-во "ИЛ".-1961.-194 С.

6. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1981. -264 С.1 С

7. Физика соединений А В // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнк-мана М.К.).- М.: "Наука".- 1986. 320 С.

8. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во "Наука".- 1979.- 333 С.

9. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка получение и свойства.// М.: изд-во "Наука",- 1987. 200 С.

10. Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.//Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА".- 1984.- 150 С.

11. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Оксид цинка. Получение и оптические свойства. // М.: «Наука».- 1984.- 166 с.

12. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3270/81.

13. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоактивационными методами.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3271/81.

14. Габибов Ф.С., Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Эмиров Ю.Н., Ризаханов М.А. Быстрые и медленные центры прилипания электронов в фотопроводниках CdS, CdSe.// Фотоэлектроника: Респ. межвед. научный сб.: Одесса-Киев,- 1987,- вып. 1, С. 54-59.

15. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys. Stat .Sol.(a).- 1975,- v.31, №1, P. 301-307.

16. Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ.сборник.- 1979.-т.19, №2, С. 233-240.

17. Баубинас Р., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.- 1974.-т.14, № 4, С. 609-611.

18. Шейнкман М.К.,Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Природа инфракрасной люминесценции (X m = 1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физика твердого тела. -1968.- т. 10, № 6, С. 17691772.

19. Ризаханов М.А. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о до-норных молекулах.// Физ. и техн. полупроводников.-1982.- т. 16, №4, С. 699702.

20. Kokubin J., Watanabe Н., Wada М. Photoluminescence of CdSe singl crystals.// Jap. J. Appl. Phys.- 1977,-v.13, № 9, P. 1393-1396.

21. Manfredotti C., Murri R., Pepa E., Semisa D. Photoelectronic properties of photoconducting CdSe.// Phys. Stat. Sol. (a).-1973.- v.20, № 2, P.477-486.

22. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эпитиксиальных слоях селенида кадмия.// Известия Вузов, сер. физика,- 1975.- № 3, С. 61-66.

23. Любченко А.В., Булах Б.М., Турина И.А. Особенности рекомбинации в низкоомных кристаллах CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1976.- т. 10, №. 5, С. 923-929.

24. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J. Phys.-1970.- D3, № 4, P. 451-461.

25. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. math, astron. et phys.- 1969,- v. 17, № 12, C. 845-850.

26. Manfredotti C., Rizzo A., Vasanelli L., et.al. Electron trapping levels in cadmium selenide crystals.// J. Appl. Phys.-1973.-v.44, № 12, P. 5463-5469.

27. Ждан А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 2, С. 178-180.

28. Ермолович И.Б., Булах Б.М., Красикова С.М., Шейнкман М.К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучательной рекомбинации.//Укр. физ. журнал.- 1974.- т. 19, №10, С. 1725.

29. Ермолович И.Б., Павелец A.M., Ханат Л.Н. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSexTei.x.// Укр. физ. журнал.- 1986.- т.31, № 3, С. 446-451.

30. Ture I.E., Claybourn М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centeers in CdSe.//J. Appl. Phys.- 1986.- v.60, № 5, P. 1670-1675.

31. Зобов E.M., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов M.A. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// Физ. и техн. полупроводников." 1987.- т.21, № 9, С. 1637-1641.

32. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Ag.// Физ. и техн. полупроводников,-1979.- т.13, № 7, С. 1324-1328.

33. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ. и техн. полупроводников.- 1978.- т.12, № 7, С. 1342-1346.

34. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абилова Н.А. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников." 1980.- т.14, № 9, С. 1665-1671.

35. Шейнкман М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ.- 1973.- т.37, № 2, С. 400-404.

36. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// Физ. и техн. полупроводников.-1975.- т.9, № 4, С. 779-782.

37. Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Ожередов А.Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора.// Физ. и техн. полупроводников.- 1969.- т.З, № 12, С. 1755-1758.

38. Каганович Э.Б.,Свечников С.В.,Чалая В.Г. Термостимулированные токи в слоях сульфида кадмия.//Укр. физ. журнал,-1969.- т.14, №4, С.670-673.

39. Шейнкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Механизм оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения.// Физика твердого тела.-1968.- т. 10, № 9, С. 2628-2638.

40. Istratov A. A. Studies of the dislocation induced deep levels in CdS using deep level transiend spectroscopy with optical excitation.// Rhys. Status Solidi. A.-1995.- v.l 50, № 2, P. K15-K17.

41. Мартынов B.H., Волкова E.C., Тоцина Г.С. Излучательные рекомби-национные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии.// Неорган, материалы.-1997. -т. 33, №2, С. 174-177.

42. Аркадьева Е.Н., Касымова Р.С., Рыбкин С.М. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// Физика твердого тела,- 1961.- т.З, № 8, С. 2417-2426.

43. Заячкивский В.П., Савицкий А.В., Никонюк Е.С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974.- т.8, № 5, С. 1035-1037.

44. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А., Рудь Ю.В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1968.- т.2, № 7, С. 932-938.

45. Любченко А.В., Потыкевич И.В., Борейко Л.А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 9, С.1704-1707.

46. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 5, С. 869-875.

47. Брагин Е.В., Гарягдыев Г., Любченко А.В., Сальков Е.А. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристаллизованных слоях теллурида кадмия.// Укр. физ. журнал.-1989.- т.34, № 2, С. 228.

48. Илащук Б.И., Матлак В.В., Парфенюк О.А.,Савицкий А.В. Особенности комплексообразования в p-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов.// Физ. и техн. полупроводников.-1986.-т.20, №5, С.849-852.

49. Soltani М., Certier М., Evrard R., Kartheuser Е. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors. // J. Appl. Phys. 1995. - v.78, №9, P. 5626-5632.

50. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys. Polon.- 1979.- v.A56, №1, P. 19-29.

51. Калева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1969.- т. 10, №5, С. 819-824.

52. Ceva Т., Lambert В. Etude de la termoluminescence et de la contuctivide dun ZnS:Cu,Ce a dans bandes d'emission.// J. Phys.- 1965.- v.25, №10, P. 587590.

53. Ребане K.-C.K., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.-1971.- т. 15, №4, С. 647-652.

54. Мирцхулава И.А., Чиковани Р.И., Школьник A.JL, Джахуташвили Т.В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// Физика твердого тела.- 1964.- т.6, № 10, С. 2945-2952.

55. Красноперов В.А., Тале В.Г., Тале И.А., Таушканова JI.B. Энергетический спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1981.-т.34, № 2, С. 253-259.

56. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спектроскопии.-1977,- т.26, №4, С. 706-711.

57. Коджеспиров Ф.Ф., Гордиенко Ю.Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроскопии.-1974.- т.20, № 1, С. 76-80.

58. Атакова М.М., Рамазанов П.Е., Сальман Е.Г. Локальные уровни пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973.- № 10, С. 95-97.

59. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Термостимулированная и фотостимули-рованная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии,- 1965.- т.З, № 6, С. 504-509.

60. Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическимисвойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS.// Физ. и техн. полупроводников.-2004.-т. 38, № 1, С. 49-55.

61. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1973.- т.19.- № 3.- С. 469-474.

62. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969,- т. 33, № 6, С. 951-960.

63. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во "Наука".-1972,- т.59, С. 38-64.

64. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер. физич.-1971,- т.35, С. 1437-1440.

65. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Гершун А.С. и др. Рекомбинацион-ное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.- т.22, № 4, С. 655-656.

66. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственнодефектной дырочной проводимостью.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.-т. 17, № 7, С. 1329-1334.

67. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в А В .// Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах".-Ульяновск: изд-во УГУ.-1997.- С. 26.

68. Георгобиани А.Н., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв. АН СССР, сер. физ,- 1976. т.40, № 9, С. 1079-1983.

69. Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АН ЭССР. Сер. физ.-мат,- 1975.- т.24, № 2, С. 195-200.

70. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlled Partial Pressures of constituent elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1979.-v,18,№10, P. 1965-1972.

71. Кукк П.Л., Палмре И.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.-1980.- т.16,№ 11, С. 1916-1920.

72. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated current of zinc selenide heat-treated in controlied partial pressures of constituent elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980,- v. 19, № 3, P. 485-490.

73. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J. Appl. Rhys.- 1984.- v.55,№15, P.1614-1616.

74. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals".// J. Phys. C. Solid Stat. Phys.- 1982,- v.15, №26, P.5497-5505.

75. Морозова H.K., Гаврищюк E.M., Каретников И.А., Блинов В.В., Зимо-горский B.C., Галстян В.Г., Яшина Э.В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью.//Неорган, материалы.- 2002.- т. 38, № 6, С. 674-680.

76. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь В.М. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ. и техн. полупроводников.- 1980,-т.14, №8, С. 1621-1624.

77. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.- т.23, № 5, С. 721-727.

78. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24, №7, P. 1757-1761.

79. Ваксман 10.Ф., Малушин H.B., Сердюк В.В. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием. // Журн. прикл. спектроскопии.- 1976.- т.25, №5, С. 832-835.

80. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1968.- т.2, № 11, С. 635-1638

81. Гашин П.А., Иванова Г.Н., Матвеева Т.Л. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ. и техн. полупроводников.-1981.- т. 15, №9, С. 1841-1844.

82. Коротков В.А., Маликова Л.В., Морозова В.И., Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989,- № 3, С. 42-46.

83. Бережная А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe.// Физика твердого тела-1988. -т.ЗО, № 7, С. 2206.

84. Сушкевич К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучательной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// Физ. и техн. полупроводников,- 1989,- т.23, № 4, С. 737-739.

85. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implantatin. // Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53, № 24, P. 2403-2405.

86. Ембергенов Б., Корсунская H.E., Рыжиков В.Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.-т.27, № 8, С. 1240-1246.

87. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence and thermally sti-mulated current of ZnSe singl crystal. // J. Phys. D.-1995. -v.28, № 9, P. 19511957.

88. Махний E.B., Мельник B.B. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором. //Неорган, материалы.- 1995.-т.31,№ 10, С. 1294-1295.

89. Брук Л.И., Горя О.С., Коротков В.А., Ковалев Л.Е., Маликова Л., Си-машкевич А.В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы.- 1995.- т.31, №10, С. 1296-1298.

90. Березовский М.М., Махний В.П., Мельник В.В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы.- 1997.-т.ЗЗ, № 2, С.181-183.

91. Морозова Н.К., Гаврищюк Е.М., Каретников И.А., Блинов В.В., Зи-могорский B.C., Галстян В.Г., Яшина Э.В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медыо.// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38, № 6, С. 674-680.

92. Larssen D.L. Admittance spectroscopy of deep impurity levels; ZnTe schottky barriers.// Appl. Phys. Lett.- 1972,- v.21, № 2, P.54-56/7

93. Aven M., Segall B. Carrier mobility and shallov impurity states in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.- v. 130.- № 1.- P. 81-91.

94. Tubota H. Temperature dependences of the resistivity and Hall effect of ZnTe.// Japan J. Appl. Phys.- 1963.- v.2, № 1, P. 259-263.

95. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Мартынов B.H. и др. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствительности монокристаллов теллурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1970.- т.4, № 5, С. 900-903.

96. Гасанбеков Г.М., Карпович И.А., Магомедов Н.П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe.// Учен, записки Горьковского ун-та,- 1973.- вып. 167, С. 61-63.

97. Verity D., Bryant F.I., Scett C.G., Shaw D. Deep level trapsient spectroscopy of hole traps in Zn-annealed ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1983.- v.46, №11, P. 795-798.

98. Pautrat I.L., Katircioglu В., Magnea N., Pfister I.C., Revoil L. Admittance spectroscopy : powerful characterization technique for semiconductors crystals-application to ZnTe.// Sol. Stat. Electronics.- 1980.- v.23, № 11, P. 11591169.

99. Magnea N. and Pautrat I.L. Irradiation induced radiative centres in ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1980.-v.34, № 4, P.261-263.

100. Norris C.B. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and nature of the postrange defects from implantation.// J. Appl. Phys.- 1982.- v.53, № 7, P. 5172-5177.

101. Бродин M.C., Гоер Д.Б., Мацко М.Г. Ассоциация дефектов в ZnTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1973,- т.7, № 5, С. 705-708.

102. Цуркман А.Е., Берлан В.И. Термолюминесценция и термостимули-рованная проводимость в ZnTe.// В кн."Новые полупроводниковые соединения и их свойства", Кишинев: изд-во "Штиинца".-1975. -С. 83-87.

103. Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and photo-electronic properties of ZnTe-Al crystals.// J. Appl. Phys.- 1972.-v. 43, № 1, P. 172-182.

104. Гамарник P.В., Гнатенко Ю.П. и др. Примесные состояния ионов никеля в кристаллах CdTe и ZnTe.// Укр. физ. журнал.- 1993.- т.38, № 7, С. 1106-1111.

105. Блашкив B.C., Григорович Г.М., Курик М.В., и др. О механизме инфракрасной фотолюминесценции теллурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974.- т.8, № 11, С. 2251-2253.

106. Рыжиков В.Д., Гаврюшин В.И., Казлаускас А и др. Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe(Te).// Физ. и техн. полупроводников.- 1991.- т.25, № 5, С. 841-846.

107. Szeles C.S., Shan Y.Y., Lynn K.G., Modenbaugh A.R., Eissler E.E. Trapping properties of cadmium vacancies in CdixZnxTe.// Phys. Rev. В.- 1997.- v. 55, № 11, P. 6945-6946.

108. Norris C.B. Effects of Zn-vapour heat treatments on the edge emission and deep center luminescence of ZnTe. // J. Electron. Mater.- 1980.- v.9, № 6, P. 913-931.

109. Шалимова K.B., Никитенко B.A. К изучению термолюминесценции монокристаллов оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.- 1975.- т. 22, С. 667-670.

110. Демидов К.Б., Акимов И.А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев Agl и ZnO, сенсибилизированных красителями.// Физ. и техн. полупроводников.- 1968.- т. 2, № 1, С. 210-215.

111. De Muer D., М. Van der Vorst W.// Thermoluminescence of ZnO por-weder. // Physika- 1968.- v. 39, p. 123-132.

112. Zwingel D. Trapping and recombination processes in the termolumines-cence of Li-doped ZnO single crystals.// J. Luminescence.- 1972.- v. 5, P. 385405.

113. Tadatsugu Minami, Takashi Yamamoto, Toshihiro Miyata. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering.// J. Thin Solid Films.- 2000.- v. 366, P. 63-68.

114. Никитенко B.A., Таркпеа К.Э., Пыканов И.В., Мухин С.В., Стоюхин С.Г., Пасько П.Г. Термостимулированные электронно-дырочные и ионные процессы в кристаллах оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.-2000.- т. 67, № 5, С. 640-643.

115. Kohan A.F., Ceder G., Morgan D., Chris G. Van de Walle. First-principles study of native point defects in ZnO. // J. Phys. Rev. В.- 2000.- v. 61, № 22, P. 15019- 15027.

116. NATO Advanced Research Workshop. Zinc oxide as a material for micro- and optoelectronic applications. St. Petersburg (2004).

117. Миков C.H., Тсузуки Т., Никитенко В.А., Яблонский Г.П., Луценко Е.В., Орлов С.Е., Пыканов И.В. Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, (2001).

118. Baxter J.B., Feng Wu, Aydil E.S. Growth mechanism and characterization of zinc oxide hexagonal columns.// Appl. Physics Letters.- 2003.- v. 83, № 18, P. 3797-3799.

119. Грузинцев A.H., Волков B.T., Якимов E.E. Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Си и Ag.// Физ. и техн. полупроводников.- 2003.- т. 37, № 3, С. 275-279.

120. J. Kubota, К. Hada, Y. ICashiwaba, Н. Watanabe, В.P. Zhang, Y. Se-gawa. Characteristics of ZnO whiskers preparated from organic-zinc.// Appl. Surface Sciemce.-2003.- v. 216, P. 431-435.

121. M.J. Zheng, L.D. Zhang, G.H. Li, W.Z. Shen. Fabrication and optical properties of large-scale uniform zinc oxide nanowire arrays by one-step electrochemical deposition technique. // Chem. Phys. Letters.- 2002.- v. 363, P.123-128.

122. J.Q. Hu, Y. Bando. Growth and optical properties of singl crystal tubular ZnO whiskers.// Appl. Phys. Letters.- 2003.- v.82, № 9, P. 1401-1403.

123. J.B. Li, Y. Bando, T. Sato, K. Kurashima. ZnO nanobelts grown on Si substrate. //Appl. Phys. Lettersio- 2002.- v. 81, № 1, C. 144-146.

124. A. van Dijken, E.A. Meulenkamp, D. Vanmaelcelbergh, A. Meijerink. The luminescence of nanocrystalline ZnO particles: the mechanism uf the ultraviolet and visible emission. // Journal of Luminescence.- 2000.- v. 87-89,- p. 454-456.

125. Tcholl E. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.//Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968.- № 6,- P. 1-93.

126. Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв.АН СССР, сер.физич,- 1973.- т.37, № 4, С. 803-809.

127. Георгобиани А.Р., Грузинцев А.Р., Тигиняну И.М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках.// Изв.АН СССР, сер.физич.-1985. -т.49, № 10, С. 1899-1904.

128. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках//М.: "Наука-физмат лит".-1997.-351 С.

129. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во "Наука".- 1972.- С. 224-304.

130. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.-v.7, №1, P. 35-50.

131. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. 494 С.

132. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд-во Мир",-1966.-138 С.

133. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2S3. // Физ. и техн. полупроводников.- 2001. т. 35, № 2, С. 171-176.

134. Георгобиани А.Н., Эмиров Ю.М., Грузинцев А.Н., Зобов Е.М., Таги-ев Б.Г., Тагиев О.Б., Иззатов Б.М., Беналулу П., Бартоу К., Ванг Й., Сююн Сю. Термолюминесценция тиагалатов CaGa2S4 с примесью Ей // Краткие сообщения по физике ФИАН- 2001, № 1, С. 3 9.

135. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors.//J. Electrochem.Soc.- 1959.-v. 106, P.-409.

136. Осепьян Ю.А., Петренко В.Ф. Дислокации в соединениях А2В6.// В кн.: «Физика соединений А" В » // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана М.К.).- М.: "Наука".- 1986. С. 35-64.

137. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. // М.: изд-во «Мир».- 1974.- 463 С.

138. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Релаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении.// Физ. и техн. полупроводников.- 1995. т. 29, № 6, С. 1065-1069.

139. Бредихин С.И, Шмурак С.З. Стимулированное деформацией свечение кристаллов ZnS.// ЖЭТФ 1974- т. 19, № 12, С. 709-713.

140. Бредихин С.И, Шмурак С.З. Влияние электрического поля на вызванное деформацией свечение кристаллов ZnS.// ЖЭТФ 1975- т. 21, № 6, С. 342-345.

141. Негрий В.Д., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на процессы излучательной рекомбинации в сульфиде кадмия.// Физика твердого тела 1978.т. 20, № 3, С. 744-752

142. Берлов П.А, Буланый М.Ф., Коваленко А.В. Исследование спектров фотолюминесценции пластической деформированных кристаллов ZnS.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993. т. 27, № 7, С. 1121-1124.

143. Буланый М.Ф., Клименко В.И., Лихошва А.В.Термостимулированная проводимость в пластически деформированных кристаллах ZnS-Cu, Мп. // Физ. и техн. полупроводников,- 1994. т. 28, № 5, С. 778-780.

144. Омельченко С.А., Буланый М.Ф, О.В. Хмеленко О.В. Влияние электрических полей неподвижных дислокаций на фотолюминесценцию и ЭПР в деформированных кристаллах ZnS. // Физика твердого тела 2003.-т. 45, № 9, С. 1608-1613.

145. Островский И.В., Лысенко В.Н. Внутреннее трение в CdS при на-гружепии ультразвуком. // Физика твердого тела- 1984.- т. 26, № 2, С. 531532.

146. Здебский А.П., Остапенко С.С., Савчук А.У., Шейнкман М.К. Стимулированное ультразвуковыми колебаниями преобразование люминесцентных и акустических характеристик монокристаллов CdS. // Письма в ЖТФ,-1984.-т. 10, №20, С. 1243-1247.

147. Здебский А.П., Миронкж Н.В., Остапенко С.С., Савчук А.У., Шейнкман М.К. Механизм стимулированного ультразвуком изменения фотоэлектрических и люминесцентных свойств сульфида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1986,- т. 20, № 10, С. 1861-1867.

148. Громашевский B.JL, Дякин В.В., Сальков Е.А., Скляров С.М., Хили-мова Н.С. Акустохимические реакции в сульфиде кадмия. // Укр. Физ. журнал,- 1983.- т.29, № 4, С. 550-554.

149. Островский И.В., Лысенко В.Н. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS. // Физика твердого тела- 1982.- т. 24, № 4, С. 1206-1208.

150. Островский И.В. Собственно-дефектный механизм акустолюмипес-ценции кристаллов. // Письма ЖЭТФ.- 1981,- т. 34, № 8, С. 462-466.

151. Gobrecht Н., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow techi-que.// J. Phys. Chem. Sol.- 1966,- v. 27, № 3, P. 509-532.

152. Антонов-Романовский B.B. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946,- т. 10, № 5-6, С. 477-487.

153. Garlic G.F.T., Gibson A.F. The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948,- v. A60, № 342, P. 574-590.

154. Зобов E.M., Зобов M.E., Камалудинова Х.Э. Термоактивационные процессы с участием медленных ловушек в полупроводниках.// Вестник ДНЦ РАН.-2006, №25, С. 8-13.

155. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Расширение в зону сечения захвата "гигантской" ловушки в порошкообразном люминофоре ZnO<Si>// Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии».- Ульяновск.- 2002.- С. 94.

156. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камалудинова Х.А., Ризаханов М.А. Электронные ловушки с широким интервалом сечений захвата в порошкообразных люминофорах на основе ZnS. // Журнал прикладной спектроскопии -2005, т.72, №2, С. 202-206

157. Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Зобов Е.М., Зобов М.Е. Люминесценция и ее особенности в нанокристаллических частицах оксида цинка// Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2005, С. 284 .

158. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. // Phys. Rev.- I960.- v. 119, p. 1502.

159. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов.// M., «Наука» (1974).

160. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. //Новосибирск: «Наука».- 1984.- 253 С.

161. А.Н. Георгобиани, П.А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.// М.: Мир. 1994. - 220 С.

162. Хамидов М.М., Зобов Е.М., Зобов М.Е. Самоактивированная люминесценция и ее связь с центрами прилипания в сульфиде цинка. // Известия ВУЗов Северо-Кавказкого региона. Серия физика.- 2006.- № 9.- С. 43-50.

163. Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Абрамов И.Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в ZnS на основе новой модели центров свечения.// Физ. и техн. полупроводников 1978.- т.12, № 11,- С.2186-2190.

164. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа.// Труды ФИАН СССР.-1983,- т.138. -С. 79-135.

165. Зобов М.Е., Камилов И.К., Зобов Е.М. Влияние одноосного давления на люминесцентные свойства кристаллов ZnS.// «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы».- Ульяновск, 2007, С. 239.

166. Маняхин Ф.И., Наими Е.К., Рабинович О.И., Сушков В.П. Заводская лаборатория, сер. Диагностика материалов.- 2006.- т. 72, №5, С.20-25.

167. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камилов И.К., Маняхин Ф.И., Наими Е.К. Влияние ультразвуковой обработки на структуру энергетического спектра электронных ловушек в кристаллах ZnS. // Известия ВУЗов, серия Материалы электронной техники.- 2007.- № 3, С. 38-43.

168. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Габибов Ф.С., Камилов И.К., Маняхин Ф.И., Наими Е.К. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe. // ФТП. 2008.- т. 42, № 3, С. 282-285.

169. Lang D.V., Kimerling L.C. Recombination-enhanced annealing of the Ei and E2 defect levels in 1 MeV electron irradiated n-GaAs. // J. Appl. Phys.-1976.- v. 47, P. 3587-3591.

170. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defect annealing in GaP. // Appl. Phys. Lett.- 1976,- v. 28, P. 248-252.

171. Кириченко JI.T., Петренко В.Ф., Уймин Г.В. О природе дислокационного заряда в ZnSe. // ЖЭТФ 1978.- т. 74, № 2, С. 742 -752.