Тонкая структура спектров упруго отраженных электронов и определение параметров ближнего порядка неупорядоченных поверхностей твердых тел тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

УЯГОРОДСЫШЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

На правах рукопису УДК 537.533 .

БОНДАРЧУК Олександр Борисович

ТОНКА СТРУКТУРА СПЕКТРІВ ПРУННО ВІДБИТИХ ЕЛЕКТРОНІВ ТА ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ БЛИЖНЬОГО ПОРЯДКУ НЕУПОРЯДКОВАНЮС ‘

ПОВЕРХОНЬ ТВЕРДИХ ТІЛ.

Спеціальність 01.04.04. - фізична електроніка

АВТОРЕФЕРАТ дисертації'на-здобуття наукового ступеня кандидата фізико-матвматичних наук

-<ь

4 >'\ 4

Vі

Ужгород - 1995

Дисертацією є рукопис

Робота виконана на кафедрі кріогенної та мікроелектроніки радіофізичного факультету Київського Національного Університету ім.Тарзса Шевченка

Науковий керівник - кандидат фізі ко-математичних наук, доцент . Мельник Павло Вікентійович. ■

Офіційні опоненти:

1. Доктор фізико математичних наук,.професор Поп Степан Стена' нович ■ ■

2. Доктор фізико-математичних наук, професор Гладких Микола

Тимофійович '

Провідна організація Інститут фізики Національної Аксдскії ' . Наук України, п.Кн'тя

Захист дисертації відбудеться "_____"______________15913 року на

засіданні Спеціалізованої роди К 068.(У/.02 з фізико- матсмиті.ч них "наук при Ужгородському державному університеті за адресою 2940000, м.Ужгород, вул.Підгірна, 46. '

' 3 дисертацією ноуна ознайомитись в наукові"; біблтотепт Ужгородського державного університету аа адресою С94СС0, м.Ужгород, вул.Капітульнє, 9.

" , Автореферат розісланий "_______"_______ • 1995.р.

- з - ,

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність тєші. Одним з чинників прушюго розсіювання електронів малих та середніх енергій на атомах твердого тіла е дифракційні явища. Останні добре відомі у випадку монокристалів, структура поверхні котрих досліджувалась а застосуванням методу дифракції електронів низьких анергій. Що ж до наупорядкованих поверхневих шарів, структура яких характеризуемая ближнім порядком, то до недавне відомостей про дифракцію електронів а анергією до 1+2 кеВ зустрічати не доводилось. Крім того, практично відсутні дані про ближній порядок в тонких (до 10 2) неупорядкованих поверхневих шарах тьердих тіл. З одного беку ца можна пояснити недостатньою поверхневою чутливістю Існуючих методів аналізу структури аморфних твердих тіл. З іншого боку, постає питання взагалі про існування якогось упорядкування в таких надтонких приповерхневих шарах. Саме а огляду на ці обставини нашу увагу привернула тонка осцилшча структура в спектрах пружно відбитих електронів (ТС СПВЕ) в області енергій до 3 кеВ. Спектр пружно відбитих електронів являє, собою енергетичну залежність (або її похідну) інтенсивності піку пружно відбитих, олактронів. Вперше ТС СПВЕ спостерігалась нами для вморфізованої іонами Аг* поверхні СаР(ІІІ)В. ТС СІШЕ для усіх досліджуваних матеріалів спостерігається в діапазоні енергій електронів до І{3 кзВ і не зв'язана з порогами збудження внутрішніх атомних рівнів. Якісна схожість 'ТС СПВЕ з відповідними ЕХАІВ- спектрами наштовхнула нас на думку про зв’язок ТС СПВЕ з ближнім порядком на поверхні. ЕХАРБ-подібна обробка ТС виявила, що частота осциляцій ТС близька до відомих міжатомних відстаней в об'ємі досліджуваних об'єктів. Оскільки

тонка структура спостерігається в області енергій до І-*3 кеВ, то товщина приповерхневого шару, який вносить основний внесок в інтенсивність вимірюваного сигналу, не більше ніж ІО-і-ІБ й. Попередні результати дослідження природи ТС СПВЕ дали підставу припустити, що ТС GIBE е результат дифракції електронів на атомах поверхні, що зберігають ближній порядок в своєму взаємному розташуванні.

Таким чином, дослідження ГС СПВЕ вбачається нам важливим як з точки зору дослідження закономірностей пружного розсіювання електронів малих та середніх енергій, 1 як можливе джерело Інформації іцга ближній порядок в приповерхневих шарах твердих тіл. ■

Мета роботи полягала І) в експериментальному у дослідженні явища дирекції електронів малих, та середніх енергій при пружному розсіюванні на неупорядкованих поверхнях твердих тіл: 2) у розвиткові нової експериментальної методики дослідження структури неупорядкованих поверхонь твердих тіл.

Для досягнення поставленої мети необхідно було:

- розробити теоретичну модель пружного когерентного розсіювання електронів середніх та малих енергій в неупорядкованих приповерхневих шарах' твердих тіл в наближенні однократного та/або двохкратного розсіювання; .

- експериментально перевірити коректність 1 межі застосування розробленого математичного опису ТС СПВЕ на об'єктах з відомими параметрами ближнього порядку принаймні для об'єму:

- розробити та створити апаратне та програмне забезпечення для вимірювання та обробки ТС СПВЕ;

- ' перевірити можливість дослідження ближнього порядку на

прикладі мало або не досліджуваних раніше систем.

Наукова новизна. Вггорша для ноупорядкованої поверхні твердого тіла експериментально спостерігалась тоїша осцшшвча структура на онергетичній залежності Інтенсивності піку пружно відбитих електронів малих та середніх енергій. Експериментально доведено дифракційне походження тонкої структури та можливість описувати її в рамках припущення про однократне розсіюваїшя.

Гонку структуру в спектрах пружно відбитих електронів застосовано для визначення параметрів ближнього порядку (міжатомних відстаней, координаційних чисал та середніх квадратичних зміщень атомів) в приповахневих шарах ряду практично важливих матеріалів (SI, Се, С, S102, Ge02, GaAo, GaP, InP, Fe, Мі, Mb, Ві).

Досліджено адсорбцію отомів 'Ві на амортизованій Іонами аргону поверхні .Sl(IOQ). Показано, що при сусмоношарЬшх покриттях вісмутом середня міжатомна відстань однакова для всіх пар атомів Si-Si, S1-B1 та Ві-Ві 1 лінійно зростав при збільшенні ступеня покриття вісмутом в діапазоні субмоношарових покриттів вісмутом. ■

Досліджено зміну ближнього порядку в приповерхневому шарі кремнію в залежності від Імплантованої дози молекулярних іонів кисню 0+2 середніх енергій. Показано, що середні міжатомні відстані Sl-O, Si-Si та 0-0 практично не залежать від дози 1 енергії Імплантованих іонів кисню 0*. Зміни зайнають тільки інтенсивності відповідних ліній, що відповідаюь зв'язкам.БІ-О, Si-Si та 0-0 на кривій радіального розподілу.

Практичне цінність. Запропоновано і розвинуто оригінальний метод дослідження структури тонких (до 10 S) неупорядковаїшх

- б

приповерхневих шарів твердих тіл, який легко апаратно поєднується з іншими електронноскопічними методами дослідження.

Отримано значення міжатомних відстаней для поверхонь Бі, Се, С, БЮ2, Се02, СаАз, СаР, ІпР, Ре, НІ, Шз, В1, а також значеїшя координаційних чисел та середніх квадратичних зміщень атомів для Б1, Се та С (графіт).

Створена лабораторний зразок автоматизованого електронного спектрометра на основі аналізатора гальмівного типу з вузьким тілесним кутом збору електронів. Спектрометр дозволяє контролювати іп-зі1;и як структуру так і склад неупорядкованих поверхонь твердих тіл. - -

Виявлена лінійна залежність середньої міжатомної відстані на поверхні кремнію від ступеню покриття її атомами вісмуту може сприяти олтимізації процесу вирощування Се-Бі гетерострухтур. Полояення, що виносяться на захист-.

1. Тонка .подовжена структура в спектрах пружно відбитих електронів неупорядкованих поверхонь твердих тіл зумовлена дифракцією на атомах поверхні, що зберігають ближній порядок у своєму взаємному розташуванні, і в діапазоні енергій понад 1004-200 еВ задовільно описується в рамках наближення однократного розсіювання.

2. Запропонований нами метод спектроскопії пружно відбитих електронів є метод дослідження структури надтонких неупорядкованих приповерхневих шарів твердих тіл.

3. Адсорбція атомів вісмуту на зморфізовану поверхню кремнію призводить до зміни середньої міжатомної відстані в приповерхневому шарі за законом Вегарда для твердих розчинів.

4. Структура ненасиченого оксиду кремнію БіО^, отриманого

реактивною іонною ікштіїтацівн іонів молекулярного кисню середніх енергій, описується в рамках подалі вільних зв'язків.

Особистий внесок Езтора. Дисертація е підсумком результатів досліджень виконаних автором особисто 1 в співпраці а рядом співробітників. Безпосередньо автором запропоновано теоретичні моделі та Ідеї основних експериментів, виконана основні вимірювання та обробку результатів, сформульовано висповкп 1 оформлено наукові праці.

Апробація роботи. Основні результати 1 полонешія дисертації доповідались та обговорювались на Республіканській конференції "Физические проблеми ЦЦП-ннтегралыюй электроники" (Дрогобич, 1287 р. ), Першій Всесоюзній конференції "Физические и физико-химические основи микрозлзктроншш" (Вільнюс, 1937 р.), XX Всесоюзній конференції з емісійної електроніки (Київ, 1987 р.). XXI Всесоюзній конференції з емісійної електроніки (Ленінград, 1990 р.). X Всесоюзній конференції "Взаимодействие ионов с поверхностью", (Москва, 1991 р.), VII Всесоюзному симпозіуму з ЗЕЕ, ФЕЕ та спектроскопії поверхні твердих тіл. (Ташкент, 1990 р.). Міжнародній нараді-семінарі "Диагностика поверхности ионными1 пучками" (Запоріжжя, 1992 р.).

Українсько-Французькому симпозіумі "Сошіепзесі МаПегіБсІепсе & Іпііивігу" (Львів, 1993 р.). П'ятій міжнародній конфоренцті з електронної спектроскопії (Київ, 1993 р.)

Публікації, За матеріалами роботи надруковано 7 робіт у наукових журналах та збірках. Перелік основних публікацій наведено в кінці реферату.

Структура та обсяг дисертації. Дисертаційна робота викладена на 128 сторінках, містить в собі ЗО.малюнків 1 чотири

г->-24(7

таблиці, складається з вступу, чотирьох розділів з короткими висновками, закличного розділу з основними висновками дисертації, переліку цитованої літератури із 89 найменувань.

ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі подається стислий огляд результатів попередніх досліджень тонкої структури в спектрах пругаю відбитих електронів виконаних як в нашій лабораторії, так 1 іншими авторами. Обгрунтована актуальність предмету досліджень 1 сформульована мата дисертаційної роботи. Наведена структура та короткий зміст дисертації, викладені основні положення, що виносяться на захист.

В першому підрозділі першого розділу розглядається математичний опис пружного розсіювання електронів малих та середніх енергій на атомах твердого тіла, ідо зберігають ближній порядок у взаємному розташуванні. В основу розгляду покладено модель однократного пружного розсіювання електронів сукупністю атомів твердого тіла. Вважалось, що взаємне розташування атомів описується функцією радіального розподілу (ФРР),гаусового виду. Враховано затухання електронної хвилі за рахунок непружніх взаємодій в приповерхневій області твердого тіла. Викладам проведено з урахуванням наявності поверхні для найпростішого випадку плоскої форми поверхні. • Отримано вираз для Інтенсивності пружного розсіювання елктронів в вузький тілесний КУТ:

до: і - Інтенсивність первинної хвилі, іібі - атомний фактор розсіювання; 3=2Кзіп(в/2) - модуль вектора розсіювання,

=0. БЛ-гіпі 6/2) - ефективна глибина виходу електронів за

умови рівності кутів падіння та виходу електронів; X - довжина вільного пробігу електронів між актами нштружного розсіювання, Є - кут розсіювання, я. - радіус і-ої координаційної сфори,

- і-9 координаційна число^ о’ - середнє квадратична зміщешія атомів і-ої координаційної сфери. Першій доданок відповідає некогерентно розсіяним електронів. Другий (оецнлюючий) доданок являє собою інтерференційну функцію і описує когерентну складову розсіювання. і

В цьому ж підрозділі розглянуто проблему нормування інтерференційної функції для' одно- та багатокомпонентних систем.

В другому підрозділі першого розділу розглядаються ефекти багатократного (двохкратного) пружного розсіювання електронів на вид Інтерференційної функції. Показано, що багатократне розсіювання може призводити до появи в виразі . для інтерференційної функції додаткових осциляцій з частотою, яка може помітно відрізняєтесь від міжатомної відстані.

В висновках до першого розділу сформульовано .математичний критерій для екпериментальої перевірки придатності представленого формалізму для опису тонкої структури в спектрах пружно відбитих електронів:

де не - частота і-ої осцшіюючої складової, що визначається за

і

положенням максимума в Фур' е-образі інтерференційної функції, зареєстрованої в вузький тілесний кут як залежність від хвильового числа К.

Другий розділ - експериментальний. Тут розглядається постановка експерименту для дослідження природі! тонкої структури спектрів пружно відбитих електронів: перевірки

правильності моделі однократного розсіювання шляхом реєстрації спектрів пружно відбитих електронів в вузький тілесний кут при різних кутах розсіювання. Розглядається склад 1 основні технічні характеристики - основних вузлів експериментальної надвисоковакуумної установки, що використовувалась для вирішення поставленої задачі, зокрема - аналізатора гальмівного типу з вузькою вхідною апертурою.

Детально розглядаються схеми реєстрації спектрів пружно відбитих електронів та шляхи виділення тонкої структури. Наводяться приклади спектрів пружно відбитих електронів та тонкої структури. Окрема увага приділяється нормуванню тонкої структури. В роботі запропоновано нормувати тонку структуру на фон пружно, але накогеренгно розсіяних електронів. Це дає змогу не враховувати енергетичну залежність первинного струму, диференційного перетину пружного розсіювання ґг(Е) та апаратної функції аналізатора.

Описано способи приготування досліджуваних зразків 1 методи контролю їх атомного складу, структури 1, в деяких

випадках, мікротопографії.

В пертому підрозділі тратього розділу розглядаються розультати експериментальної перевірки ігридатності моделі ■однократного розсіювання для спису тонкої структури в спектрах пружно відбитих електронів. Па прикладі Б1 та Се показано, що частота осциляції} тонкої структури залежить від кута розсіювати і задовільняз критерій правильності моделі однократного розсіювання для енергій електронів понад "-іосьгоо еВ. .

В другому підрозділі третього розділу приведені результати 'визначення міжатомна відстаней для розупорядковашіх поверхонь С, БІ, Се, СаАз, баР, ІпР, БІО^ 0е02, Ві а такок полікристалічних поверхонь Ге, Ні та №з. Отримані значення виявились в хорошій відповідності до відомих об'ємних міжатомних відстаней. Відхилення на ~1і2% можуть бути пов'язані з відмінністю структури об'єму та поверхні. .

Третій підрозділ третього розділу присвячений проблемі визначення координаційних чисел та середніх квадратичних зміщень атомів за амплітудою ссциляцій тонкої структури в спектрах прушо відбитих електронів. Координаційні числа та середні квадратичні зміщення атомів першої координаційної сфери (відповідно И4та а^) визначались для аморфізованих поверхонь С, 51 та Се. Визначення цих параметрів здійснювалось шляхом обробки нормованої тонкої структури виходячи з виразу для Інтерференційної функції, отриманого в першому розділі. Тонка структура попередньо нормувалась на фон пружно, але некогерентно розсіяних електронів. В результаті було встановлено, що для досягнення задовільного співпадіння між експериментальною тонкою

структурою та розрахованою (модельною) Інтерференційною функцією, остання мусить бути додатково нормована на фактор виду ехр(а/2ХіП), де а - підганочний парамэтр. В цьому разі коорданаційііа число, середне квадратичне зміщення та параметр а знаходяться як підгоначні параметри. Параметр а має розмірність довжини 1 його величина коливається в маках 1+4 К. Фізичний смисл а пояснюється як ефективна тавадша приповзрхнавого шару, для якого зроблені припущення (про сферичну симетрію функції радіального розподілу та інші) но справадлнві. Отримані значешш 1^, аі та о^, де (=1,2і приведені для С, Бі та Се. Для Са та С виявлено, що для та має кісце співвідношення о.~ а, де 1=1,2. Для аморфізованої поверхні кремнію такого співвідношення не . спостерігається, що свідчить про значна розупорядкувашя кутів між напрямками зв'язків.

В четвертому підрозділі третього розділу розглядаються ефекти, які не вкладаються в рамки запропонованого формалізму. Зокрема розщеплення ліній Фур'е-спектру, та поява е Фур1 е-спектрі ліній, положенням яких не відповідають ніякі з відомих, міжатомних відстаней. Для їх. пояснення застосовується напівякісно розглянута в розділі І модель двохкратнаго розсіювання. Моделювання аа допомогою ПЕОМ показало, що запропонована модель якісно дойпе огіисув згадані вище особливості. В результаті обговорення цих проблем висувається ідея про • можливість розвитку електронної голографії неупорядковаїшх поверхонь на базі тонкої структури в спектрах пружно відбитих електронів.

В висновках до третього розділу стверджується дифракційне походження тонкої структури в спектрах пружно відбитих

- із -

електронів та придатність запропонованої моделі для опису тонкої

\ . структури. Пропонується простий поверхнево-чутливий метод

структури дослідження неупорядкованих поверхонь на базі тонкої

структури в спектрах пружно відбитих електронів.

Четвертий розділ присвячений застосуванню методу

спектроскопії пружно відбитих електронів для дослідження

структури Інтерфейсу Bl/a-Sl та структури ненасичвних окислів

кремнію отриманих реактивною Іонною імплантацією. Розділ

складається з вступу двох підрозілів та висновків. В першому

підрозділі показано, ио середні міжатомні відстані Si-Si, Si-0

та 0-0 в ненасиченому оксиді кремнію, приготовленому реактивною

іонною Імплантацією, практично , не залежать від кількості

імплантованого кисню і підтверджена запропонована раніше модель

випадкових ЗВ’ЯЗКІВ для опису ближнього порядку В SIO^: в

найбликчому оточенні кожного атома S1 знаходиться в середньому

х атомів кисню та 4-х атомів кремнію. В протилежність

висловленій в попередніх роботах думці, ідо S10m е суміш

термічно стійких та метастабільних фаз, в цій роботі

пропонується вважати SlOx за твердий розчин О в Si, де і

статистична величина і залежить від конценграції 0,

В другому підрозділі покэзано, що при субмоношарових

покриттях вісмутом поверхні кремнію, середня міжатомна відстань

в інтерфейсі Bl'/a-Si однакова для усіх пар атомів Bi-Si, Si-Si

та Ві-Ві 1 лінійно зростає із збільшенням ступеня покриття

(подібно до закону Вагзрда для твердих розчинів). На цій

підставі робиться висновок про те, що інтерфейс Bl/a-Si можна

трзктувати, як кв зз І-двовимірний твердий розчин Ві в S1.

У висновках до четвердого розділу Інтерфейс Bi/a-Si та

изнасичьні оксиди кремнію отримані реактивною іонною імплантацією 0*, розглядаються як тварді розчини з протилежними силовими характеристиками: у випадку 8Юх середні міжатомні •відсталі підтримуються незмінними за рахунок варіацій кутів ніж напрямками міезтомшіх зв'язків, а у випадку Інтерфейсу В1/а-Б1 -середні иікато;сі1 відстані зазнають змін в иіироких монах, щсЗ незмінним салшловся кут між напрямками зв'язків. Крім того у висновках до четвертого розділу відмічається висока чутливість катоду ТС СПВЕ до змін ближнього порядку в приповерхневих шарах та сумісність цього нагоду з іншими єлектрошш-споктраскапічши.и: І.ІОТОДЗИИ дослідження.

. ОСНОЕ5НІ РЕЗУЛЬТАТІ! ТА Ш1СН0ШШ .

1.Тонка подоваена структура в спектрах пруадо відбитих електронів малих та середніх енергій зумовлена дифракцій» на атомах поверхні, що зберігають СлішШ порядок в своєму взабшому розташуванні.

2.Тонка структура нормована на фон пружно, ала накогерентно

відбитих електронів, в діапазоні енергій понад І00;200 еВ задовільно описується в наближанні однократного розсіювання. В рамках такого набликаїшя отримано вираз для опису тонкої структур;: сноктріи пружно відбитих електронів а діапазоні

енергій електронів понад 100*200 еВ: ■ '

~аі/Х*п - \/2Ки - ф2/2 сіпЗ^

і(3)= £ І^е

зи

де підсумовування здійснюється но координаційним сферам,

Ы^, о. - відповідно радіус , координаційне числе та середнє

квадратичне зміщення атомів 1-ої координаційної сфери, а -підгоночний параметр, який, на наш погляд, може розглядатись як характеристика упорядкованості п мп:кзх ближнього порядку.

Критерієм застосування наближення однократного пружного розсіювання в лінійна залежність частоти осциляція тонкої структури від сінуса половинного кута розсіювання.

3.їїа процес формування тонкої структури в спектрах, пружно відбитих електронів суттєвий вплив справляють ефекти багатократного розсіювання. Найбільш виразно воші проявляються на початковій ділянці спектру (до "'ZOO еВ) ігри великих кутах розсіювання (0>ІОО°). Запропоновано модель двохкратного когерентного розсіювання, яка якісно описує особливості початкової ділянки ТС СПВЕ.

4,ТС СПВЕ може бути застосована як метод дослідження

структури приповерхневих шарів тов’дішоп $104-15 І, За допомогою ТС СПВЕ було визначено міжатомні відстані на неупорядкованих поверхнях ряду практично важливих матеріалів. Для розупорядковзних поверхонь кремній, германію та вуглецю визначені такой координаційні числа та серэдн1 квадратичні зміщення атомів. . '

5.Застосування ТС СПВЕ для досліднення адсорбції атомів Ві на аморфізовану поверхню кремнію виявило, що середня міжатомна відстань для пари атогіів будь-якої природи в області інтерфейсу залежить від ступеня покриття поверхні вісмутом для

субмоношарових покрить (S <ІЬ ■ '

R(x)wR .0.5S + R, (1-0.5.S„. ), ’

' ' flv Пх J3V ' Bt ' *

да H Rs. - відстані між найближчими сусідами для чистих поверхонь вісмуту’ і кремнію відповідно.

6.Дослідження за допомогою ТС СПВЕ структури ненасичаних оксидів кремнію SiOx, отриманих шляхом реактивної Іонної імплантації іонів О* серадніх енергій, показали, що ближній порядок в таких системах описується в рамках моделі випадкових аь1 язків: кожний атом Si отчешій X атомами О та 4-Х атомами Si, де X - статистична величина, яка залежить від дози імплантації. Середні міжатомні відстані Si-О, Si-Si та 0-0 практично на залежать від Імплантованої дози.

Основні результати дисертації викладено в роботах-.

1. Бондарчук А.Б., Гойса С.Н., Коваль И.Ф., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Исследование взаимодействия ионов аргона средних энергий с поверхностью GaP(III)В.-ФТТ, 1986, т.28, N228,. с.2819,

2. Бондарчук А.Б.-, Гойса С.Н., Коваль И.Ф., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Авторське свідоцтво НЫ318П4 "Способ исследования структуры поверхности некристаллических тел"

3. Бондарчук А.Б., Гойса С.Н., Коваль И.Ф., Мэльник П.В.,

Находкин Н.Г. Природа тонкой протяженной структуры в спектрах упруго отраженных электронов,- УФЖ, 1990, т.35, N22, с.236.'

4. Бондарчук А.Б., Гойса С.Н., Коваль И.Ф., Мельник II.В.,

Находкин Н.Г. 'Гонкая протяженная структура в спектрах упруго отраженных электронов.- Известия АН СССР’ 1991, т.55, 1Ш2,

с.2322 '

5. А.В. Bondarchuck, S.N. Goysa, I.ï. Koval, P.V. Malnik, N.G. Nakhodkin.- Extenled fine structure in elastically acattered electron spectra. Nature and application to structure analysis. Surf, Sel.. 1991, V.258, p.239-246

6. Бондарчук А.Б., Гойса С.Н., Коваль И.Ф., Мельник П.Е.,

Находкин Н.Г. Тоїгка подовжена структура в спектрах пружно відбитих електронів та ближній порядок на поверхні,- УФЖ, 1995, Т.40, №54, с.352-357.

7. А.В. Bondarchuck, S.N. Соуза, I.F. Koval, P.V, Melnik, N.G. Nakhodkln. Extended fine structure In elastically ocattered electron spectra: Application to a study of Bi on a-Sl aurface.-Surf. Scl., 1995, _

Бондарчук А.Б. Тонкая структура спектров упруго отраженных электронов и определение параметров ближнего порядка неупорядоченных поверхностей твердих тел.

' Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04. -

физическая электроника. Киевски# Национальный Университет юл. Тараса Шевченко. Киев 1995 г.

Защищается 7 научных работ, содержащих экспериментальное исследование и математическое описание упругого когерентного расссеяния електронов на неупорядоченных поверхностях твердых тел. Результатом работы есть создание метода анализа структури тонких приповерхностных слоев основанного на использовании тонкой осциллирующей структуры спектров упруго отраженных электронов.

Ключові слова: .

структура, ближній порядок, спектри пружно відбитих електронів, поверхня твердих тіл,

Bondarchuck Л.В. Extended fine structure of elastically scattered electron spectra and determination of short-range order parameters for disordered solid surfaces.

Thesis la applied for a degree oi Candidate of Science ln specialized field of physical olectronics.

Kiev Taras Shevchenko national University, Kiev, 1995.

Seven papers are applied for a higher degree contained theoretical description and results of experimental study of extended fine structure In elastically scattered electron spectra of disordered solid surfaces. The reaults of this work demonstrate the diffraction nature of extended fine structure ln elastically scattered electron spectra and its connection with short-range order on the disordered solid surface.

шли. до друку /Д О». Яі~ _ Формат 60x84'/,*.

Папір друк. Ла 3. Спосіб друку офсетний. Умоан. друк. арн. .

Умови, фарбо-відб. -/.¿V . Обл.-вид, арк. /.¿? .

Тираж іоо . Зам. ЛаУ 2і/// . ~

Фірма «ВІПОЛ»

. 252151, Київ, аул. Волинська, 60.