Центры окраски и люминесценции кристаллов CaF.., активированных ионами тулия и европия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ГО НАРОДНОМУ ОБРАЗОВАНИЮ ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи УДК 535.343;535.683

ФИГУРА Петр Владимирович

ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ И ЛНШЕЩЕНЦИЯ КИ1СТАЯЛСВ СаГя , АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ТУЛИЯ И ЕВРОПИЯ

01.04.05 - оптика

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Иркутск - 1990

Работа выполнена в отделе физики монокристаллов Института геохимии им.А.П.Виноградова СО АН СССР.

®

Научный руководитель - доктор физико-математических наук

• А.И.Непомнящих

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук

Ведущая организация - Институт физики АН Латвийской ССР

на заседании специализированного совета К063.32.04 по присуждению ученой степени кандидата физико-математических наук при Иркутском государственном университете по адресу: 664003, Иркутск, б.Гагарина, 20, ауд.203.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Иркутского госуниверситага.

Автореферат разослан ере-брСИ?! 1990 г.

В. И .Лисицын

кандидат физико-матматических наук Э.Э.Пензина

Защита состоится Ж Х-С-а/^ю л 1990 г. в

час.

Ученый секретарь специализированного совета, д.ф.-м.н.

В.В.Пологрудов

Актуальность работы. Основные проблемы радиационной низшей твердого тела определяются необходимостью создания для нугд ящерной энергетики, терлоэдерного синтеза, космической техники п других областей науки и производства как рэдиацяон-ио-чувотвитальных, так я радяационно-стоГких материалов. К рэдиационнс-чувствигельным материалам относятся терголшинес-центные и сиштштциошше детекторы. Несмотря на то, что тарлолшинесцентные материалы на основе неорганичесгапс кристаллов заняли лидирующее положение в индивидуальном дозимет- ' рическом контроле фотонного излучения, до настоящего времени остаются нерешенными проблемы, связанные с созданием таких детекторов, которые могло использовать в дозиметрии гамиа-кейтроиного излучения. Для сщштшшщяоишх материалов на основе такта кристаллов остаются нерешенными пройдены детектирования заряженных частиц и низкоэнергетических гамма-квантов.

В дозиметрии гамт-нептронного излучения широкую известность получили детекторы на основе кристаллов Со Га -Тт • Оцнако низкое значение п /$ отношения таких детекторов ограничивает их применение в реальных гаша-нейтронных полях. Для ецннтшшщконных детекторов на осаове Са^-Еи необходимо увагачение светового выхода. Эти проблемы навоачежно 'рс-вигь без детального знания физических процессов, протекающих при воздзЯсгвии па кристаллы ионизирующего излучения.

Целью настоящей таботы является исследование рздиацион-но-каведенных центров окраски в кристаллах фторида кальция с примесью редкоземельных ионов, изучение механизмов возбуждения активаторных центров в терло стимулированной лкглгнес-ценции (ТСЛ.) и рздоолшинесценцш и создание на основе этих исследоьашй териолшпнесцеитных и ецгатшишционных детекторов.

Наушг-н новизна тботы. В работе проведен широкий комплекс спектроскопических и люминесцентных исследований кристаллов СаРа, активированных ионами тулия и европия, а такжз в раде сяучазв и другими редаоз шельшет ионаот. Впервые исследованы спектроскопические характеристики высокотемпературных дырочных центров в кристаллах СаР1. На основании

- А -

полученных: .ванных наиболее полно излагаются механизмы возбуждения свечения активатора в рекоибинационной лнлшесцемщш кристаллов Са(а с пртаесью редкоземельных ионов.

Практическая ценность. Полученные в работе результаты позволили вести целенаправленный поиск путей создания детекторов нок;змру1;г;его излучения на основе кристаллов Са^ Разработана в лабораторном варианте технология получения термо-лшпнесцсниш 'детекторов на основе кристаллов ОзГв~Тт и сцинтшишхионных детекторов на основе кристаллов ОаРе ~£и • Полученные образцы по своим характеристикам не уступают, а в ряде случаев и превосходят зарубеянне аналога.

На занят? выносятся:

1. Оптические характеристики дырочных ((ч)и. -центров в кристаллахСаРг.

2. Р,"-центры в Сарг.

3. Оптические характеристики дырочных ( Тт - О )- и (Тгп4*-01*)-центров в кристаллах Са^-1гп,0.

А. Механизм возбуждения активаторной люминесценции в кристаллах Са^-Тщи СаГв-£ц.

5. ;.1еханиз:.-л ТСЛ в кристаллах СаР^-Тгп в области температур шае комнатной.

Публикации и вклад автора. Основные результаты исследований и выводи, сделанные на их основе опубликованы в работах, список которых приводится в конце автореферата. Вклад автора в работу определяется выполнением всех работ, связанных с получением кристаллов и проведением экспериментов. Природа центров окраски и механизмы активаторной люминесценции в существенной мерз интерпретированы ш сашгл.

Апробация .работн. Результаты работы были представлены на следующих конференциях и семинарах: на УП Всесоюзной конференции по физике ВУ<5 и его взаимодействии с веществом в г.Риге, 1986 г., на П Всесоюзном симпозиуме "Лкшиесцентные приемники и преобразователи ионизирующего излучения" в г.Львове, 1986 г., на УШ Всесоюзной конференции по физике БУФ и его взаимодействию с вещество:.; в г.Иркутске, 198Э г., на УП Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии материалов в г.Риге, 1989 г., на Л Всесоюзном совещании "Физика,

химия и технология люминофоров" в г.Ставрополе, 1989 г. и опубликованы в 9 работах. Подана также заявка на изобретение.

Объем и структура диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Содержит 120 страниц, в том числе 40 рисунков, одну таблицу и список литературы из из наименований.

Во введении определяется актуальность проведения работа и формулируется • ее цель.

В первой главе излагается состояние проблемы по теме диссертации и определяются задачи исследований.

Вторая глава посвящена описанию методики получения кристаллов, а тайга описании экспериментальных установок и методик проведения экспериментов. Кроме того, в этой главе дан литературный обзор по условия.! получения кристаллов Оа Ра.

В третьей главе дал обзор литературы по электронным и дырочным центрам окраски в активированных редкозеиельнш.гл ионами кристаллах Са Га. Здесь же приводятся полученные экспериментальные результаты по дырочным централ в кристаллах СаР», стабнлышм при высоких температурах.

В четвертой главе приводится литературный обзор по механизмам ТСЛ и механизмам возбуждения активаторных центров в рекомбшационной дшииесценцпя. Здесь же приводятся полученные экспериментальные дашше по этим механизмам.

Пятая глава посвящена рассмотрению работ, связанных с практическим использованием результатов исследований.

В заключении сформулированы основные шведы.

. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕШ И ЗАДАЧИ ИССЗДОВАШИ ' '

Термолжинесцепите детекторы на основе кристаллов Си Га-Тот считаются перспективны}® материалам:! для дозиметрии смешанных $/п полей. Однако низков значение отноше-

ния ограшгдавает такое прш.1енение. Реальные шаги в решении этой проблемы могут быть сделаны лишь при глубоком знании процессов, протекающих в таких кристаллах при воздействии ионизирующего излучения, а таюсе знания механизмов ТСЛ в них.

. В литературе известны дашше лишь о радиационных дефектах в кристаллах СаРц-Тт , которые стабильны при температу-

pax ниже комнатной, а такке о механизмах ТСЛ в низкотемпературных пиках. В то же время знание природы радкационно-наве-деяных центров окраски, которые стабильны при температурах выше комнатной, и механизмов ТСЛ в високотеглдературшх пиках необходимы для улучшения параметров детекторов.

Несмотря на то, что известны общие принццгш механизма, приводящего к возбуздению ионов TP (трехвалентные редкоземельные ионы), тем не гленее отсутствует объяснение различия люминесценции этих ионов в ТСЛ и РЛ. Нет также объяснения механизма возбуждения люминесценции центров определенной симметрии при разных температурах.

Для кристаллов Gafl-fiu предлокеш механизмы, объясняющие возбуждение понов £х/' в рекомбинационной. лилшесценции /1,2/. Б работе /2/ делается вывод о том, что для получения-максимального выхода активаторной лшинесцекцш целесообразно использовать кристаллы активированные одновременно ионами и £и'*, однако исследований таких кристаллов в литературе нет.

За рубежом известны и находят широкое применение детектора на основе кристаллов Такого рода продукция в нашей стране не производится, хотя потребность в ней имеется.

Для решения изложенных выше проблей перед началом выполнения работы, в соответствии с основной целью, были поставлены конкретные задачи:

1. Изучить раднационно-наведенные центри окраски в кристаллах СсзЯь с примесью редкоземельных ионов, их спектроскопические характеристики и процессы терлофотоиреобразования.

2. Исследовать мехаплзш рекшбинационной лшинесценцни кристаллов CaF3~Tnn и Са£г£и .

3. Разработать тер.голн.шнесцентше и сдинтилляционнне детекторы на основе кристаллов Са^-Т>л и СаГе -£и , соответственно.

СОДЕК'-АНИЕ РАБОШ I. Дырочные центры в кристаллах

Нами было обнаружено, что при облучении кристаллов CaFt- при комнатной температуре происходит образование наряду с электронными центрами Тт**, которые проявляются в

спектрах характерная! полосами поглощения, такие других центров, которые характеризуется двумя дополнительны)л: полоса/ли поглощения в области 4.0 и б.О эВ. Отсутствие таких полос в аддитивно-окрашенных кристаллах предопределяет дырочную природу центров, ответственных за них, поскольку ионы Тт являются единственны.® электронными центрами, которые образуются при радиационном окрашивании кристаллов СЬРа-Тт .

Спектральное положение полосы дополнительного поглощения при 4.0 эВ находится в области полосы поглощения Ч-центров в кристаллах СаРг . Это позволяет предположить, что центры, ответственные за эту полосу, тлеют структуру К -типа.

В активированных редкоземельными ионами кристаллах СаР», центры, имеющие структуру -типа и терлическую стабильность выие комнатной температура, изучались в работе /3/ методом ЭДР.. Эти центры представляют собой молекулярный ион типа ( Ра" )« » образованный из двух иеддоузельных ионов фтора, ориентированных по оси (НО].

Проведепные нами исследования дихроизма оптического поглощения показали, что центры, поглотающие с области 4.0 эВ также • ориентированы в направлении [ПО]. Значение максимума полисы поглощения этих центров и ее полуширина равны 3.85 и 0.78 эЗ, соответственно. Исследование зависимости образования этих центров й.т концентрации активатора показали, что в образовании центра участвует более одного иона Тгг/\

Таким образом, полученные данные свидетельствуют в пользу принадлежности полосы дополнительного поглощения при 3.85 эВ (-центрам.

При исследовании центров, ответственных за полосу дополнительного поглощения при 6.0 эВ, бта обнаружено, что они разрушаются при освещении кристаллов У<5 светил. Это разрушение при 77К сопровождается образованием центров с полосой поглощения'при 4,0 эВ. Термическое'разрушение последней происходит преимущественно.в два этапа: при температурах 140 н 170К, которые соответствуют разрушению - и П-цент-ров. Поскольку при термическом разрушения этих центров, образованных рентгеновски.! облучением при 77К, наблюдаются другие соотношения, то бнл сделан вывод, что

и Н-центры входят в состав центров с полосой поглощения при 6,0 эВ.

Это позволило нам предложить модель центров, ответствев-ных за полосу поглощения при 6.0 эВ, в виде молекулярных Р3~-центров. В отличии от ШГК, где образование подобного типа центров происходит в присутствии катяонных вакансий, в СаРц. в их образовании участвуют иеадоузельные ионы фтора, которые присутствуют в, активированных редкоземельными нонаш, кристаллах.

Появление полосы поглощения Р^-центров наблюдается Л1шь при облучении кристаллов выше температуры делокализации V", -центров. На основании этого предложены механизмы их образования. Г5~ -центры могут образовываться при ассоциации VI - и Н- или двух Н-центров.

Таким образом, волоса поглощения при 6.0 зВ принадлежит Г3 -центра;.!. Их разрушение происходит при нагревании кристаллов вше температуры 460К.

При исследовании кристаллов Са^ -Тш,0 было обнаружено, : что при термическом разрушении ( Га")и -центров происходит образованно новых центров с полосой поглощения при 5.05 аВ (рис.1). Эти центры разрушаются при температурах выше 36СК. Разрушение последних сопровождается образованием еще одних центров, которые проявляются в спектре с полосой при 2.6 эВ.

Из сопоставления данных по термическому преобразовании центров, ответственных за полоса пра 5.05 и 2,6 аВ,с результатами ЗПР и ДЗЯ? исследований кристаллов СаГ8-Т,0 /4/ нами: предложена подели центров, отвзустгспшк за зтя полоса. Так, за полосу поглощения при 5.05 эВ ответственна (Тго^-СГ)-центры, а за поносу 2.6 аВ - (Тп^'- ОГ )-цштры. Терличео-кое разрушение (Тт1*- О* )- п (Тт-С^" )-цшгров происходит при тешературах 360 и МОК, соответственно.

Образование (7т3'- О' )-центров наблвдается также при освещении кристаллов СаРа~ТщО светом. В атом случае, в отдании от образования ("Пи1*-О" )-центров при радиационном окрашиванш кристаллов, происходи* йотоионизация (Тта- - О " )-центров. ;

Рис. I. Спектры поглощения кристаллов СаРе -Тт (I) и Са Гг-Тт,0(2) до облучения. Спектры поглощения кристаллов СаГ2 -Тт,0 после облучения при 77К и огага до 250Х (3), 360К (4) и 44СК (5).

2. Рекоибипацпонная люминесценция кристаллов Са~Тт.

При исследовании РЛ кристаллов СаРа -Тт в спектрах ионов Тт" нами была обнаружена температурная зависимость-интенсивности отдельных лшсгЛ (рис.2). Для выяснения природы центров, ответственных за эти линии,были исследованы кристаллы СаРа , активированные ионами Ъу3' и Ц.61" , для которых идентифицированы линии, пршгадлешяпе центрам различной симметрии. Из сопоставления полученных зависимостей для ионов Тт4* . Т>(/3" к (¡Н3* наш идентифицированы линии кубических и тетрагональных центров ионов Тт" .

Из полученных дашшх по температурной зависимости следует, .что, если при низких температурах в спектра РЛ наблюдается свечение преимущественно центров кубической симметрии, то при высоких - тетрагональной. Особенно сильное увеличение интенсивности линии тетрагональных центров наблззда-

ется при температуре начала подвиглоста междоузельных ионов фтора.

Вознакает вопрос: каким образом в рекомбинационяой лши-несценции возбуждается свечение тетрагональных центров? Известен предложенный в литературе механизм, согласно которому свечение тетрагональных центров происходит в результате рекомбинации в паре: двухвалентный редкоземельный ион - междо-узельный атом фтора. Однако этот механизм противоречит экспериментальному результату - отсутствию свечения тетрагональных центров в Н-ггике.

По нашему мнению, перенос дырка по кристаллу осуществляется в виде V, -центра. С подходом такой дырки к двухвалентному иону тулия, электроне 7т2' туннелирует на V, -центр, с образованием электронного Возбуждения типа ( V, + 2" ). При этом происходит разворот оси молекулярного иона из направления (100] в [Ш] /5/ с образованием зкеитонного состояния в аде Р - Я пари. Энергия аншпшгцпи образовавшегося эксптона передается пону Тт** , а избыточны!'; заряд нона Тт** способствует смещению иона Р" в междоузлие. В результате этого Тт** в люминесценции будет проявляться как центр тетрагональной симметрии. ■

Анализ спектров РЛ кристаллов СаН-Тш показал, что при температурах нине подвпкности конов РГ такае наблвдают-ся слабые линии центров тетрагональной симметрии. Поскольку при этих температурах механизм возбуждения описанный выше не работает, то, очевидно, что ионы Тт** могут возбуждаться и другим путем. Наш эксперименты показали, что свечение донов Тт** происходит не только пра возбуждении в основные полосы, обусловленные 4#-5с* переходами, но такие пра возбуждении в экситонкой полосе. Этот результат говорит о той, Что свечение ионов Тт3* происходит за счет энергия аннигиляция экептонов. Такой механизм возбуждения подтверждается наличием перекрытия полосы собственного свечения и возбуждения активатора <Р - уровни).

Из сравнения спектров РЛ н ТСЛ кристаллов Со Ег-Тт было обнаружено, что в РЛ свечение ионов Тт** происходит также с более высокоэнергетических уровней. Такое различие

Рис.2, а)- Спектры РЛ кристаллов OaF.-Tm при 77К (-) и

30® С----). Стрелками указаны

ланки кубических (К) я тетрагональных (Т) центров, б)- Температурная зависимость свечения тетрагональных (I) и кубических (2) центров.

3.5 4.Q

монет быть объяснено тем, что в TCJI свечение возникает в ре. зультатэ туннельной рекомбинации электрона ТтГ -центра с релаксированннми днркамл, а в РЛ такяе с лерелаксированкн.к.

3. Рекоыбпнацпонная лшпнесценщш кристаллов CaFt-£u.

При исследовании кристаллов CaFt -¿Vй* было показано, что люминесценция ионов £и** эффективно возбуждается в эк-ситонной полосе (рпс.З). Причем, было обнаружено, что температурное тушение актпваторной люминесценции в таких кристаллах при возбуждении в эксотонной полосе, происходит одновременно с тушением собственного свечения. Аналогичная зависимость набллщаегся а в РЛ. При возбуждении же в собственно;! полосе Ей"" гуление происходит при более высоких тешерату-

Рис.З. Спектры возбуждения лшииесценщш ионов £o2*' (I) п £uJf (2) в кристаллах

CaFi-£u\duir п &ult (3) в кристаллах Са Fa -£ие* .

pax. Полученные результаты говорят о том, что лнлинесценяш ионов £ив* в кристаллах СаГг-£а1* возбуждается только по экситонному механизму. Эти данные отличаются от результатов, полученных в работе /I/, согласно которым экситонннй механизм приводит к возбугдешпэ линь 10$ ионов £ав* .

При исследовании кристаллов СаГ, - Си", ¿и** было обнаружено, что наряду с двугл механизмами: изложенным вше и предложенным в работе /2/, возбуждение лнлинесценцяи ионов £ий* происходит еще другим путей. Измерения спектров возбуждения в ВУО области показали (рпс.З), что люминесценция ионов Ей" возбуждается не только в экситонной полосе, но и в полосах 4 ! -5<1 переходов ионов Эта данные свидетельствуют о передаче энергия воэбугдаюш от ионов к ионам £и**.

Таким образом, люминесценция трехвалентных редкоземельных ионов в кристаллах СЬг£-%при рентгеновском возбуждении обусловлена дырочно-электронно& рекомбинацией. При этом с электронными центрами рекомбинируюг как релаксировашше, гак и нерелаксированнне дырки. Наряду с рекомбинациошшгл механиз-1лом, лшинесценция трехвалентных редкоземельных ионов возбуждается также в результате передачи ии энергии аннигиляции экснтонов. В кристаллах СаГ*-£и" экситонный механизм возбуждения дшняесценцпи ионов является единствен-

ным. В кристаллах ОстГ^ -£и" наряду с эксптошшц механизмом и механизмом, предлояешоы в работе /2/, возбуэде-Ш8 люминесценции ионов <£и" происходит за счет передачи им энергии возбуждения от ионов ( £с/3*)'.

4. Механизм .ТСЖ кристаллов Са ТЙ-Тт.

В кристаллах Са образованные при облучении ионы

Тт1" обладают высокой термической стабильностью и разрушаются при нагревании кристаллов вше 60СК. Поэтов реконбинациои-ные процессы в этих кристаллах обусловлены дырочным механизмом.

При термическом освобоядешт дырок происходит их рекомбинация с тонами Тт1\ Как результат такой рекомбинации в спектрах термолшинесценции наблкдается свечение ионов 7т*\ Из сопоставления кривой ТОЛ с кривыми термического разрушения дырочных центров окраски кристаююв Са Р4-Тт , которые была обнаружены нами (рис.4), вздно, что пик 2 (343К) соответствует термическому разруиешго (Рг~ )и -центров, а пик 5 (513К) - -центров. Проведенные исследования по фотообео-

Рис.4. Кривые TGJI (I) и теptaraacKoro разрушения (ГПи - (2), F/ - (3) Е (Trrf'-O" )-центров (4) s кристаллах Ca Fi-Тт.

цаечнвашш облученных кристаллов показала, что происходит уменьшение интенсивности пика 5, как это и наблвдалось для F/ -центров. При этом на кривой ТСЛ появляется лик 2, образование которого происходит два терлическем разрупениз (Ft" )a -центров.

Температурное хгодокенае шка 3 (423К) совпадает с тер-шческпм разруившеы С Тт"~0~ )-цент$ов. Лет подтверждения гакого предаолохешш (поскольку кислородсодераащяе щдаееа пра казккх концентрациях не появляются в спектрах поглощения кристаллов Ca F«-Tm) бал проведен ряд экспериментов. Пик 3 па кривой TGI ъ CaPi-Tm эф&ек.нвно наводится дра освещении кристаллов УФ светил. Ташл re образом, как это было сказано ваш, могут образоваться и (Т/п* -о")-центра в крло-

таллах Caf^-Trn,0 . Из сопоставления температурной зависимости образования пика З'и (Тт**- О' )-цонтров, а также из сопоставления энергетических зависимостей образования пита 3 и фотоионизации кислородных. центров в кристаллах Са (I следует, что пик 3 на кривой ТСЛ кристаллов Са Ft-Tm соответствует термическому разрушении {Тт3*- О" )-центров и рекомбинации освобожденных дырок с ионами Ттг\

Такшл образом, в результате проведенных исследований установлено, что пики 2, 3 и 5 на кривой ТСЛ кристаллов СaFt~Tm соответствуют термическому освобозденшо с ( F»~ ),г -, (Тт5*- О" ) и F/-центров дырок и рекомбинации их с юнамп Тт1'.

ЗАКЖНШШЗ

В результате проведенных исследований в кристаллах фтористого кальция, активированного ионами тулия и европия, и в ряде случаев кислорода, изучены дырочные центры, обладающие высокой термической стабильностью, и механизмы возбуждения активаторной лшинесценцш этих кристаллов в рекомби-национних процессах. Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. На основании данных по термической стабильности, структуре и ориентации, а также эффективности образования в зависимости от концентрация активатора, полоса поглощения с максимумом при 3.85 эВ приписана известным из данных ЭПР

С Fa");i -центрам.

2. Обнаружены и впервые исследованы в кристаллах CaFt центри тиса Fs~, имеющие полосу поглощения при 6.0 эЗ.

3. В кристаллах CoFt-Tm,0 при термическом разрушении ( -центров обнаружен повторный захват дырок на центры, вклкчавдиа в свой состав кислород. Образованные такш образом (ТЫ»-О )- а <Тт3*-Oi" )-центра характеризуются полосами поглощения при 5.05 и 2.6 эЗ, соответственно.

4. Идентифицированы линии кубических и тетрагональных центров ионов Тт" в кристаллах CaFa ,

5. Подход дырки к нонам Тт" происходит в виде К-цент-ра. Делается вывод, что такой не механизм приводит к возбуж-

дешш актива горной лшшгесденцш п при высоких гешеразурах.

6. В кристаллах СаРг~Тт и СаРг~6а изучено возбуждение люминесценции ионов Тт1* и Ей*' . Установлено, что наряду о рекомбшацпошшм механизмом в возбуждении лшинееценцщ участвует и эксптонный механизм. В кристаллах CaF* - Ей1" , ¿и1* обнаруг-ен процесс передачи анергии от ионов { Eu** Т

к ионам Sx/** .

7. Исследованы механизмы ТСЛ кристаллов Cafl-Tm при температурах выше комнатной. Установлено, что за лшш при , 343К, 4Z3K и 5I3ÎÎ ответственен процесс рекомбинации дырок, освобожденных с ( Ft)a -, (Tm*' -0~ )-, F,' -центров, соответственно, с ионами TmsV

8. Разработаны методики получения термолшинесценпшх . и сцинтшиициоиных детекторов на основе кристаллов CoF,-Tm

а СаГв-£а .

CŒICOK РАБОТ, СШНЫЖОВАННЫХ ПО ТЕШЗ РССЕРТАЩИ '

1. Фигура П.В., Непомнящих А.И., Радаабов В.А. Дырочные ( центры в кристаллах CaFt J J Оптика и спектроскош1Я.-1988.-Т.65, й 4. - С,940-942.

2. Фигура П.В., Непомнящих А.И. Кислородсодержащие дырочнне центры в кристаллах CaFt // Оптика и спектроскопия. -

1988. - Т. 65, - » 6. - С. I3?I-1373.

3. Фигура П.В., Непомнящих А.И., Радаабов.В.А. Механизм ТСЛ в кристаллах Саг -7т // Тезисы докл. У1 Всесоюз. сшш. "Терлолш. приема. и преобр. иокиз. изл.". - Львов,1988,-C.I02,

4. Радаабов Е.А., Фигура П.В. Оптические свойства центров О"- Va в кристаллах СаГ« // Тезисы докл. Ш Всесоюзн. жонф. по физике ШФ. - Рига, 1986. - С. 81.

5. Kadztiabov Е.» Figura P. Optical properties of oxygen-vacancy centers in fluoxifce // Phys. Stat. Sol.(b).-1986.-V. 136.-P. K55-K59.

6. Фигура П.В., Непомнящих А.И. Поглощение и лшинесценцяя кристаллов CaFt , активированных ионами Тт1* и 0 // Тезисы докл. УШ Всесоюз. конй. по физике БУ5. - Иркутск,

1989. - СЛОЙ.

7. Фигура П.В., Непомнящих Л..Н., Радкайов Е.А. Дырочные fi" -центры в кристаллах Со Fe // Оптика и спектроскопия. -1989. - Т.67, JS 6, - С. 1289-1294.

8. Фигура П.В., Непомнящих А.П., Раддабов Е.Л. Радиационные дефекты в кристаллах CaFg-Tm// Тезисы докл. УП Бсесохэ. конф. по радиационной физике и химии неорг. матер. - Рига, I989.-C.93.

9. Фигура П.В., Непомнящих Л.К. Механизм торятминесценциа кристаллов Ca Гц -Тт // Тезисы докл. У1 Всесоюз.совет. "Физика, химия и технология лЕшшофоров". - Ставрополь, 1989. - С. 153.

ЛИТЕРАТУРА

1. Каддер К.А., Малышева А.'5. Экситошшё и злектронио-дыроч-ные процессы в кристаллофосфорах на основа СаГ» и 8rf¡ // Оптика и спектроскопия. - 1971. - Т.31. J5 2. - С.252-258. .

2. Ершов H.II., Родный H.A. Спектрально-кинетические свойства рентгенолшинесценции европия во ©шюрлте // Еуря. прикл. спектр. - 1986. - Т.44. - Я 3. - С.427.

3. Hall Т.P.P., Legseat; A., Twidell J.W. The structure of soma,trapped, hola centers in CaPa// J.Phja. Cs Sol.State Phys.-1970.-V.3, N 11.-P. 2352-2358.

4. Bill H. Investigation of colour centers in A33F // Helv. Rija.Acta.-1969.-V.n2, H 5.-P. 771-797.

5. Call P.J., Hayes W., КаЪ1вг M.H. Optical detection of excitlon ВИ? in fluorita crystals // J.Pfcys. Ct Sol. State rhys.-1975.-V.a, К 'К-P. L60-L62.