Власнi дефекти у сполуках А2В6, одержаних методом радiкало-променевоi епiтаксii тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

со

ОД

ОДЕСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ •. їм. І. І. Мечникова

На правах рукопису

КІДАЛОВ ВАЛЕРІЙ ВІТАЛІЙОВИЧ .

ВЛАСНІ ДЕФЕКТИ У СПОЛУКАХ А1 В*, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ РАДІКАЛО-ПРОМЕНЕВОІ ЕПІТАКСІЇ

01.04.10 - Фізика напівпровідників та діелектриків

Автореферат

дисертації на здобуття вченого ступеня ' кандидата фізико - математичних наук

Одеса -/1993

Роботу виконано на кафедрі фізики їа інформатики Бердянського державного педагогічного інституту ім. П. Д. Осипенко

Науковий керівник: доктор фізико-математичних

наук, професор

Котляревський Парк Борисович

Офіційні опоненти: доктор фізико-иатомахичіпк

■ ’ наук, процесор

Іакемап Юрій ог,::ч

доктор фігигсї-метематетакх

наук. процесор

Горбань Олександр У!'ко.»:і;Ч-:*!Г-і

Ксошіи срг^иуацін: Доиоцьті зср&чвзи;;

уіПИСрСНГеї

С-А/ПСТ Д!і«сргаді І відоудотог. "Л " №<-' ____________К<9-і р.

в "/£’ год::;: !іа 'заі-ідамні С-поці адвокат рлдг;, и.ирр К. 0?'Я. :1'4. 03 по Фіьі’мо-’гііт-їчатіїчним нау::ам 1 фі.-.-икл) ' в Одеському тіерасігкому університеті їм. І. і. ЙС-ЧтНОЬй ( 270100, м. Одеса, ьул. Потри Волг.!~то, 2 )

Б ДИСерТАЦі ЄЮ МОЖЛИВО О&НЛЙОМЙТИОЯ Б кауксиіі: С'іОЛіСТ.'.'іі;

Одеського державного університету •

АвтороФ'-'рчт раз і слано " & " ____________і90^.р.

ВчЄНИіЇ секретар Си»цІаяізав&іісі ралі; ‘ кандидат ф:еико-ма';е:,іатич:;их наук,

д-:ц-:;гг ' . ' . . ''гіу:■ <•

- з -

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТЇіКА РОБОТИ

Актуальність темп. Унікальність властивостей напівпрозідііико-еих сполук класу А* В* - широка заборонена зона, високий квантовим

вихід гЬото.юпк^сцеши і — обусловлве іктоясивк? доолідчгпа.'! ю.У-та-гост і застосування у оптоелгктрок; ці, акустоелектрон і ці, ласзр-ній текінці. Істотною перепоною до цього є складність створення кр;:стаяіз з заданими оптичними : електричними властивостями.

У даний час стає все очевиднішим, що вся різноманітність оптичних і електричних властивостей спеціально нелігонаних бінарних сполук. А4В* визначається складом і структурой власних вролх-ни:; дефектів решітки.

До недавнього часу вважалося, шр у більшості сполук А^В5^ ке-мгнкЕО реалізувати діркову провідність, тону що область стенюмг'трі і цих кристалів усунута у бік. великих тисків парів металоїде. Один із способів зміни складу елосних дефектів длл гбіль-:::є!’і;л надстехісметріі метало! да у області стехіометрії бінарних сполук А Б в відпал іх у активірованому парі металоїдного компонента (радикало-променева епітаксія). Така активація призводить до різкого (на кільїсо порядків) збільшення у парі халькогена концентрацій днеоційованих до нейтральних атомів молекул халькогена. Ким нейтральним атомам (радикалом) властива висока хімічна активність і адсорбційна здатність до поверхні кристала на відміну від молекул. До різко змінюй умову адеорбціппо-деесрбційно-кристалізаціп-ної рівновагії на поверхневих парах кристала і даз .можливість одержувати кристали зі складом дефектів, контрольованих у широкому діапазоні.

Однак для гетерогенних систем (2пО/'£пЗе) слабо вивчені механізми дефектоутворення при обробці сполук А*" В* у активованому

■ парі металоїдного компонента.

Таки» чином, актуальність роботи визначена необхідністю розробки моделі дефектоутворення, а такох методики контролю складу крапкових дефект і е при обробці сполук А*В у радикалах метало і да.

. - 4 - ' ■ - ■

Мета та завдання роботи. Метою, дпсертаці ї є розробка фізичних осиэв управління і контролю складу власних дефектів у гомо- і ге-теросгруктурах на основі сполук А^В , одержаних методом радика-ло-променевоі епітаксії (РПЕ). - , -

Завданням цього дослідження є розробка методики застосування рідкоземгльнкх елементів для з’ясування механізмів дефекгоутьорен-пя для гомоструктур, одержаних на основі с політ. А* В6 при обробці у радикалах м:талоіда; застосувати цієї штодиш для з'ясування механізмів і’ефектоутворення у гетеросгрукту;ах; розробка теоретично; юієлі дефоктоутворення у гстєрост;іуктурах ла прикладі ZnO/ZnSe; одэр>2:шя плівок ZnO на ZnSe методом радикале;-променево і опітакс і1 з ’лнрі’.ною яер-і'Хіднего шару мс-наюю 100 А.

Наукова новизна . Нрсседопі дослідусішя дали кожливісті яеаа-новутїї ряд нових експериментальних (раг.гів та закономірності:

1. Вперше вивчена можяивісїь управління сіпееідноес-шіяіі швидкості диіусіішого • і епітакеіальногс рост-/ у гетероструктурах,

' ,е одиржапих при відпалі сполук А Ь у -радикалах мотало:да за допомогою попереднього іонного легуваиння цинком. • ' ■ '

2. Вперше доведено, ідо вивчення спектральних' характеристик

фзтолюмінесценціі. рідкогемельнкх «лементів момка Епксристлвуватп для вивчення механізмів дефоктоутЕСреннп у гетсроструктурах на прикладі ZnO/ZnSe, одержаних методом РІІЕ (утворюється- три типи центрів у залежності від препаративних умов). Центр А (РЗ елемент у міжвузлів' і підрешітки цинку). Центр В (РЗ елемент замішує селен). Центр С (РЗ елемент замішує цинк). - . . ■

3. Вперше показано, що.при обробці ZnSe у молекулярної.!;/ селені (гомоструктури) РЗ елементи утворить два типи центрів А і В.

При обробці у радикалах - центр.С. . -

4. Вперше одержана' структура ZtiO/ZnSe при обробці. попередньо

легованих іонами Zri монокристалів ZnSe і відпалених у радикалах

' ' . • О - '

кисшо s шириною перехідного шару порядку 60 А.(за даними. Оже-спек-троскопі і). \; - , - '

5. Вперше методом РПЕ одержані, варіаоні ■ структури ZnSe^S*

Вивчено їх спектральні характеристики. ; ' \ .

- в -

Практичне знгг'р?нпя роботі: полкгяв у '.’ому. ап вона з гко-пуриме;;гал:.но:с базе:'1 для подальшого розвитку фізичних методів у::-;г.ілііііія і оптичними і;, іасіисозтями структур '<л озт:с:г; і

сполук іі й з мстою створення на іх основі оптселектроііі.і::: і;г:: лпщв. ■ '

Куткові полог.ення . які викосяться на гахис?

■ і. Експериментально і теоретично воклггю, ;:р при сОрооиі сполук А* і/ у радикалах метало їда у залежності від коефіцієнта Фузі і, самодифузії і взаемпо; розчинності, мотиві діа оснсеккх механізми росту нових шз.рів: диіуоійнкР. і ::гг£ іекіг-іке иільшгл.

2. Для госструктур, одержаних на основі сполук А .В при обробці у радикалах металоїда, наведено ригання системи рівнянь мо-дслкйчі процеси с їакій структурі з врахуванням заряд;» кия дефектів. Розроблена методика застосування рідксгемедьаих елементи: (РЗй; для з'ясування механізмів детектоутворекня. ■■

3. Для гетерсоїруктур (1г\0/7.г Че), одержаних методом РіТК, по-

Оудавапо модель дефжоутггіретиі, л;о враховує- дифузія адсорбованої ксмисионти мотало їда в- ой'сід. ' -

4. Для системи 2г.0/2пЬ\:, сдерганоі іютодсм . РПЗ, показано, "о

непородно легування іонами У.п* конокристалів 2пЗс а наступним відпалом у радикалах метало іда. призводить до кваз іоп і такс і ошюго механізму нарощування нових' карії: 2гїу. який супроводуустіся угзорінням катіонних вакансій (Уі*. ). .

. Апробація результатів роботи. Результати дисертаційної росо-ги доповідалися та обговорювалися на Ш Всесоюзній коифороиці і Матеріалознавства у.аяькогепідних папіЕпрсгл дникі в (Чернівці, 1901), XXX Нараді з люмінесценції (неорганічні .кристали) (Ровно, 198-і),

II.Всесоюзній конференції "Фізичні основи надійності і деградації напівпровідникових приладів" (Кишинев, 1991), І Одеському Мігаа-родпому семінарі ."Комп’ютерне моделювання електронних і атомних процесів у твердих'тілах" (Одеса, 1992), на координаційні;'! раді

- 6 - • ■

"Люмінесценція і її використання у народному господарстві" (Бердянськ, 1992), на VII Всесоюзній, . І Міжнародній нараді "Фізика, хімія і технологія люмінофорів” (Ставрополь, 1992).

Дублі каці і. Голови і результати дисертації викладено у десяти наукових роботах. . :

Дисептація складається з вступу, трьох розділів з висновками, підсумку та списку літератури, який налічує 129 найменувань. Загальний обсяг роботи складам 164 сторінки машинописного тексту, 39 таблиць та .малюнків. ■

ЗМІСТ РОБОТИ -

У регулу обгрунтовано актуальність теми дисертації, сформуль-оЕо.ні »кгта та завдання дослідження, а текох головні наукові положення, які винесені на захист. - . •. '

Перший розділ е оглядовим - і. присвячений, розгляду існуючих літературних джерел зі .структури власних дефектів-у А^В6, методом їх ідентифікації, аналізу складу люмінесцентних властивостей і містить критичний аналіз питань, які розглядаються. ..

'Відпал у активованій парі метало іда дає можливість у широкому інтервалі, змінювати склад власних дефектів. При відпалі кристалів сполук АХВ у парі метало їда відбувається нарощування нових шарів кристала, при якому атож метало і да надходять із газової фази, а атоми металу-із об'єму кристала з утворенням у. останньому вакансії цинку (квазіепітаксіальна модель). У дійсності' при вирощуванні1 пліеок у, гетероструктурах . (1п0/2г\5е) працюють одночасне два механізми дефектоутворювання - гетероепітаксіальний і.дифузійний.

Такої: показано, що рідкоземельні елементи можна використовувати як спектроскопічні зонди структури сполук • А*^.. Досить тонка структурна чутливість параметрів електронних спектрів іонів рідко-

:ь длс хс:-ь ла л:.:і і;л;:л :д::х ау::/ ■.:. -

і; гасл-іоі.арллоті „мі:-::; лллллал.-іого сус'гс-ллл : ї'лла.л:: ■^"рултур:;:/ чоідл.туллу ліллм мето,;-.-'.! длол;. :г, •:

■^л.'тал^.чого і^олслгл: 'Л’лр^'.ч'/.'-'Г/.^ стан існа рідг.ог-^'."";;

є;:1.':,гліта П’.'Л':;одлт^ де л:'лр;;і',лс:л::'"л рогл>і-;іл-5!;нл р:?ч::- ; до .:п'>лал;час;..':і л&р^уод:ії мі:Псар’іспо:ло;- голлллллл: : .;7Сі:р';ЬО ■•'.!’’іГ--:. іЛЇЬСЛ У СЗ?И’Л!« спектрах.

!Ька-"5ііи, гл сполуках А* Б ріджл^млльні л.»а*\»:ії:г (г?) у ач'. лллг тр'.і контрі:-. Так, у сполуках ?. сіамлл.: алел-'м алалг ; < млїллу РС ?;:г'Гі; пкахздлтьел у ;:си:;Ц!я:< підр^аті-лі М'-лалу ■!:. ІЛдкололллі.нлй є^О'^яї чо.п; снаходпллсл у плллціі міа КИНКУ V Центр А), Л0О у позиці і у пз древі РЦІ «•г-ГіДОіГ.П і V: Ч’ГГ :'•! .

Прл цьому сг.еіггрй іЬетлліЛ'іП'.'Сценці і для ксалолп лллу іг

р іГ-ї: і . - ' .

На основі г.рсїодєііого огляду літературі! ефор\'ульлї:-анг лаллал-ня дселід.-гачя. .

лругиД розділ містить розраху.лс: концентрацій деф-гхт: в, дич кяійкга'сть пр:і сСробт Zp.Se у радикалах союзна о зрахусачням аарлл-ллнлх до^ктів. Ка основі ::г.х розрахунків .чпбнрак.'тьея толполлг:лл і умоли обрссІкл лта одеруання■монокристалів з заданим:! ллаитллел': л->•2*. На кі:іясл?їяі гомоотруктурк ааробусїься ьйтодкка Еоятосус л:г л. рі ДКСВС*»(ОЛШП£ ОЛ'ЧМС'Н Гііг, ЯК спектроскоп 1 ЧН!!Х сО.ЧДіі;, ;:лл СЛЛ'рЛі-тулалня мохаиісмів додоктоутгорои.чя при обробці 2п5с у радикалах солона, прпсильніеть ’дге і моделі порішнисться з дахі:м:! рал:о-.ал--

ЮШП'Х ДССЛІДЙ»ЙЬ. • ■ • ...

При обробці Zr.Se з • попередньо ’введеним 2г у радикалах ееллла для переходу . 5т/і- Цспссторі'гаються. ріокі лііТіі з дов.чзіксю хзіи:і 850,63; 550,37; 551,24; 551,62; 554,70; '554,04; 559.71 нм. то

свідчить про наясіисть одночасно' двох типів центрів: орлі;: і; мі.таузліп’ і підрешітки Іп. (центр Л) ієрОій замішус селен (центр ь,> При обробці 2г&е: Ег у радикалах селена дослідження спектрів фотолюмінесцонці і при 77 К покагує наявність' різких лінія з дсолл-)!сю хвиль 535,45; 552,43; 553,43; 561,31 нм, що лля перохот/*1,

. . ■• . ' 5'А

■ • / ' ■' " ’ ■

/ ■ .

- в - '

..•••ліісьігтг І.г . який знаходиться на місці її (Ег ).

АЕОГ.ЗГіЧИі ДОСЛіДЙ©НКЗ ПрОР,ЄДЄНі ДЛЯ 3;ї! 1! Еи.'

чином, при обробці у редигллгх селена, рідкозеиєльиі

: :^гі! перевалю розмішуються у ватансійннх вузлах підрешітки

'ІГЯІРГ. При відпалі у молекулярному ОСД&Ні ріДКОЗудаЛЬНІ ЄД9МЄНТИ

;,.--:.оі-уі-т:'і.сп перепалю у мікьуздів' я~л,. тобто ріст іілібкк визпа-

п;: дифузією адсорбованих радикалів металоїдного коусоквнтг у

<С" -:м. Ці дані знаходяться. у хорешій відповідності г дтиш

т..--?:сілсіопяого аналізу і підтверджують квазіепітаксіадьнкй мг% 6

нанізм зм-нк скл-чду крнстьліЕ сполуя А 3 при відпалі і;-: у парах р.їгїП'іЛіі; м:т;;лоіда. •- ■

іу'г?-лі ткгп'.я нриозячсчіий в;:вче:п:;е детатгоутвои-нь у г<?і гре-систем; , коля кркотак - цй спо.-с/кз хаяькогеко Я ( йіп; и:-:зг;іі,

Є' .ссн), а по г ік. радикалів В*'- це другім халькогои. На по'іаткозгх

стадіях відпалу конкуруеть Я механізмі: дойектоуївор^пнп. Перкій -КТ:.ТЇ1ЄПІТ'ПКСІЯ з утворенням І 'ростом ПЛіВІТИ А в". , ,,-7'ГИЙ -• ЬСіМІ-ш:-шш атомів В* атомами В*, ь врахуванням цього складена система кіп&їя«ішіу рівнянь, медедеша процеси у такій гетероїазніи системі для. монокристалів Zr.Se при обробці у радикалах кисню. У такії': йодолі припускається, що адсорбований на поверхневому карі кисень утворює молекулу ЗеО, слабо пов’язану 8 поверхне». підлоаки. Цей ПОТІК ДИСОрбЦП и Бе] Еіізначае" генерацш вакансі і у поверхневому Ес-рі- ■ іЩ:7£еоф(' '

Ці вакансі ї мокуть-заповнюватися атомами кисни, і шеидкісп. такого "розчинення” кисню у поверхневому шарі визначаються потоком рОКО.МОІНаці І, Зрено^ігі -

де й - переріз захоплення кисню вакансією, .

'^5с- частотний фактор.,

6^-^ енергія агстиваці 2 стрибковоі' дкфугі і атомів О по поверхні.

У цьому теторофазному випадку процеси дифузії в об'єм із-поверхне-. ВОГО шару зз'їДіграють .велику роль. Саме вони,значною мірою .вигнача-’.зть чи будуть 'ііарсс’гати поверхневі шари 2п0 і чи ут всригі-ея різки ме:ка поділу 'у г^теропереході гп5е-2п0 або кристал 2п0 буде рості:

_ О - .

лл р'худаї'. Д'.іфузї ; кис.ж і; гхі’єм і посілу &/№ іі^’п'і'/Гор.

:_:аг:;іо:г;-И'Л’ч.:і.'-і 0-’.ь "олть голллліо'РЬ ії.їп; л-л-гіоло о:,;лл:л :■.■

к:'ао:е!Н-и.::еі і, лрм лклл утгоркотіоя г>іі ас-1 п,:аі:■' ,с;:'/-г'Є;:с:;и, наприклад, тікого тлку, л:с ХгіЬ'?--"ґ.О, а тжх лл':;;л раційл; сїиг.відпожіюц &еьзн»7. /ієфлті» У шгс агрут«урі>..

Е:Длал крллталів а алтіїлці^"" парі 2 п:с:ло лргллдиі у

:ллл:;.і-!;ому реактор: аліл?ї>і клилїрукД; і. Радлл'ілл :!і:м

л;/ьалл Л СЬ'І ;з:і тл^л-гві 1-4 КІЇа.

іі№.гисл:> »хєі:іе.мів Ьоста здп'ісі’Х'ГЗ.г.сд доолі’.хспі;л:.: п

■’•■с:/'.;!ос!;рі:Ці ; ед-уллпіх атрулі-ур гри л'лвроьо?.:;' л'.'раїлггал:п.

' (’’«'•гетри яті виголися пра з ілл-орп'л;1.

-11 :пу.~г.'_*::ого агот.юго лг:>:ра лЛ- іГОУ,! н.м аолллрллчтора іісс:-'-:--го РОЗ”’ ЯХуЛаНКЛ ЬіДг-'?..

. П"л<:і деоліддулаліїсл-де і* парті: ;л'і"о:''рлетллііі. У плрліл лорі;: ^идаипстогуз^ііоя селенід пкікст. в:гсо!С-й:і:і і;, розплаву. оглді-'Л;л:"

■ О- о

і»:’;км лс- гогокжіі, ь л;-:гоі,:лм опором 10 -10 с:<- -?м.

У другої п%рги здій-щкьзлося попаррднл догураиал мо:юп.чг;~ 1'-'ЛіВ ?.■,£■} ІСНіЛ'Л ЦДІІКу. ДОСЛІ Д;.;?НКЛ спектріь І^СІ-Л.Л-0:11 гГРі’Л.' !іД: : їіоршої . парт; і ^ліркриотали; пр;і .сяаролсму соралліслалні дска-ало ншйяість смуг у обласж 570-430 нм і У області 440-640 н.-.;. лк; яв'язуотьс* з криетадст 7.п0, "ар гирісди у об’ємі Zr.Se.

У друге: парті і монокристалів пюлл Е'.";ллллі!': псі- <:- г.?;но•.: ~ :■

гар/ лпО лрч V? К спслгерігаларл дехпракгорна для Іп5-» блг.іг.ггп-л «куга а м.-коиму:.;ом '•■■!£>? нм, с.о П'?рекр!;Еаг:ться сл/угон'1 5;.‘л Г/:п-рсмін:-їв-.цшя у едгиояій і сзмоагаийоьанЧа хш<я«ч.*п?аці і лрл л; о:-у лідсутно. Длаліз експгрійллігав’іШі:: дачлл. ллкллул. їх лллг,:. У.Л кіОоОум'-йлчна і-йпрс-мікюегдьков рлкомокналюл а^ачсгс ел-ч-т'/.-ла на рівні 0,21 аз, який, іДе:?.Гіі£:ку??гся лк сдьозлрлдла и

цлнку. . . . • .

Послідхенм оп^кгрів <?Л ербія О'ал. 1 ) пспс-р^днхс ввс-д^когс у лпЗе . при обробці в радикалах кисню показало, що Ег-утвори*? дяа типи центрів ■ А і В. При обробці попередь-? легуваннях моннокрис-таліп 7.ПЗ-; Ег іокьмн цияку в радикалах селена показало, по даннлм ср»ктр'іБ Ф.їІ (малі. 2 ), ко ербій утзорюет центр С.

»ИЛ.' і ■ . ■ ША. К

С-си- ктрсскош > штопьз ле;.-?х.іікгго л.:.-' г?-.-,1-

0 ' о

.!•'■■ ;-7 ^ і і'СрЯцКу 300 .'’."XV. ?'■ '• ДГ'У^ОІ Г;Г; д.

мал. 3 • . мал. 4 .

Таким чином, якщо попередньо леговані 'зразки відпалювати у потоці радикалів кисню, то з-за сильного стискування решітки коефіцієнт дифузіі цинку зростає, і нарощування ноьих .шарів і;;е по кьазіепітакоіальному механізму, причому цинк поступає їв розпушеного шару. Це призводить до різкого збільшення концентраці і • і:лае-ко-дефектних акцепторних центрів У імплантоьагіоуу І3с!рі.

%

- 11 - . ї'Лііднн'і одіфійних плівок визначалася с.а допомогою інтерні цііміого чікрсгкопа МИ-4. Пліркп мали д-еркадь^у иоворхкй юкдідсь від 0.01 до 1С0 мк у залежності еі,1 ччсу обробки. Р^нтгєноеп^к:-то'-^триьні дослідкеннн од-р>,чнї;х плівок иока&али. во' на ііпіт,«ці бй'.'^і'ого і.;п:-гочт>иот:-;^з одеркана пліька з гексогона.Ді-.'но'.о структуро». Г>нг.цон.» плоїяшз якої спіьпадяв з щільноупакоьйкоа плсотшоп

під ПОЛКи. ІДіСОКа лі‘1 Сїі) ОЛ^рсАЙКУ ПЛІВОК її) ДТЗбрДяув7Ь?Я ЧУМ. іі;о

арі; йст-^гімінгсівзш і ййлко липе смуг;і иільких і •ля=іі;;іх і СІ! І £ І, мад. 5 ). ' ’ "

У спектрі -Г'Л при Т-І5 К- 'Діду ZnO еп-ст-рігавд^ед tarsribi ;«і пяи?. «кг.-кгзиі;: <■ -<53 і:м;У плівках, одср>.о;;::х cod пепередп;--оі>о іспіієі'о логуь^інл, eneavepi дагтьо;; смуга Я - Sl'Jh:.;, ::'Р зіГьсала ■? !:оїгтр;і.'і:.;'!;м донсрса. У плівкіх Zr.O, одеряйпих на .’іспередчм лг-

гсі-кііі;:' ;оіі.:.;д: ц;д:ку зраз;:а", елсстсріггійтмд и.гуга Я - - ’СУ ^ Г; н>.;. і;:с'::г'Ді;а з іюГдїралід-іи:.: донором.

Такая регглінута мсляивість озорзкіний 2арізо:;іч'х структур :/!-.лх:'е<.ч уетадом раді-:кало-промєнеьо\ епітаксії. Яри відпал монс-;:дгталіг. ІтСіо у рад ідеалах счрки утворилась ддеркадьна пдш:а, тое-д ;ін;о г змі:івз.%ись у інтеозаді від 0.2 до 1 '.:км у залога зет і

Ь'Д y:,!CL мдпалу. . ' '

Кої'Ц'.'ичридій’ відповідних едеме;і™:в {Zn: 3: S?) на даній л;:-лчді т.кі-иаиа.і'аел металом 0,;?е-спектроскоп: і. Енді'плось, іде плівки :„а!сд; пла^-о г!.!і!:е:-п'й оа глиГигою склад пр;: гіддалел: дід ri'.ivpxHi рглко крї.дтаду птрадія дірки плавна плдар до пул-і, при гид/у кечкдпїращл аелод-: аростаа. ’

y-''V/л’м "v:г'-:.д:г',?-гі:т---iir;:;;!: і:с:д поііагзго'іу ттран.'/^а!:'!; ; від-

. ■- 12 - ' лот і дні її г:он:мнтг,?.Ц’. і егркк і 'седеіга ііа с до р;'.зи

із D.'r.j-cnjK-i'pccrani і побудогапа-с&лзза:хеть -о^оорої:.?-

:;оі аопії під сіиаду. -

' У шр Елросл:;., ппостгрігаь'іьсл .лкміП'Зсцеї'іил ги.-:іи!зг-;

скгиговн, so свідчить про м.'лу ка::ісіі?гізі!і •• дефектів.

Оі'їлад orv-'P^Jix п.чії'.ок с'іи^їчаїїсл уоуоло;,! р-.нтге^о-<:ядзо:-,:м'е 'ан!л:й2к.т:о;ь, гр гиіізг.и ZrC^.Sc^AhO.jarh; і j/Эйгъ г ір-; j-у cQc^pi-ra у сс.’латі і,60 і зс.чула ир;: О.о4 >•/.> С. Z:v >:-:Р;й:!і:'Л, Оіісст^рігг'іа-ьея л.!г:о у гупікіа.солі'л’і С\. б0гх»0,б і. .

лісні 1:о':т.’,е1.тіиіл илм'циіоет^й гл^руаилх с:р;,иі'ур !?:■;'^гчіЛ';, 'j'j т'.ріі еютїі ‘Юі^рлісіг'н'с' J.opy то::!:,;:ноі'' *- І (.Ti-j'-iop; гиотьс:: С'Л"і!::!:і!и єї';.т;? с. “йке:::.(уі:о:.! ABV нм. ■ Яи/. Пгргмгри, a-сvf-с.ї - С-.?Г: ;:м.

У її і дсумі'у e'i'-'rvy-S-^V.IIi ги.ЄІ:Ч’ уJIт.'Г-ЛЧ М Л:ллг! ■^:л'і Ґ::'0: р::-

Сс~ч, осг'свср^-тьоя і і np-:'u\4'4H'j '-ь-і'^кич та ц>:р:;п:кті;йіі дсгщг.онь Д? ;;ru;v>і Tf.vu.

■ - SS’IiuEKil .

, - і. Ег.сгіеріімо'лтс.лміо і тоореткчио покакапс, що при обробіи

ехолук АХВ -у радикалах мзталоіда 5’ v^zKovri від кс-сглцісіїса /-ік р-ук і і, самодкфузі! і сзакккої росиїнког?» btosysssf да ь:ког::;:і: кеха-псик росту ковах шари;:' ди&'з:йяи;! і і,2:«зіс-п;:аят.пий. І-іипчС'ім hK'Xruiis.vji росту для го'.їз- і Г;'Т'.'рсс'Тр;,’:':,г’’р ін'-.прі'./.лзд, 7JiO/'/.nSc, 7.no//!r.Scі , щр п; дрії-пя»."г?.с,л зквкткайддкьгл шр&ьг.трамк s nonuaaua ьтечливість управління ппі »іі дпог?л’.иям іш. прсщ-сів.

■ 2. Для госструктур, одержан:::: на основі !\~и ;;рп обробці і'

ридпсплах юталоіда розробили. і.і?тодика З'йстесуг.адиг. р:дкзз*ксдь~ н:;ч е.кї.’.он'Гіц (РЗЕ) дли поуезяня ж>хаіпзміь до&гктоугеорзшш. Гір.-шіільїпсїь ці с з подалі уггодхуетьса з результатам;:: радіоігоїоп-його аналізу. • . '

а Показано, ідо для гетереструктур (2пО/2п5е) рідкозекельні

1.:-:'?и (Ег, Бт, Еи) утв-_-р!С!оть переважно дза типи центрів. Центр у якому рідкоземельні і сяй гайшюгь попиці і у міжвузлового і ніяку ?Ло печищі у підрешітці селена (ц*нтр В).

4. р«“.&ИйЕ’Г'?ИО, 'ВД ДЛЯ попередньо .«ГОВанИХ власними кемпо-’ч-зтчуи монокристаліь 7л& і сідпикких у радикала:: киона рідкоое-:.::-.пїКі іони онуходятьсл у лосиціях діикоиог підрешітк1.-: (центр С).

5. Комплексні дселідзкотл (’спектра ‘М перехідного шару, кон-

ає чт раці Пні прспіл; 2п, 0, 2е у області переходу 2р.0/7п5є, спектрі: І’Л р!дкоєє;.:єлі:::';: елементі::) по-'аеукть, ::;о іокне легуванин пхнко:: ке;»а ■'и-'-е'-:ете^унат:! д.™ управління сгііен: : днсеєніія*.: дифузійного і тПітакеіального мй'.:нііісм:й росту. ' ■

С\ Методо:; рзди'гьго-иромзнозоі єнітакс і; на .попередньо &го-'

+ ЧЧ -1

г.ь?..гл іоі:::;лі £п <?н<?рпес 70 Кєв і дозо» 5x10 см одержані ішаки 2г.О. ' '

’ рентгеиодпфрзктоштри'гиі дослідження одержаних плівок дали

значення параметра решітки 5,205+0,001 А. Висока якість одержаних нлгвск підтверджується тим, г» при фотолюмінесц^нці і зидно смуги вільних і зр/язаиих екситонів. У спектрі ФЛ пару йіО спос-терігаотьон розрідження енуг зг.'лзанмх екситонів (8й9нм). У плівках. од^рж-ннх без попереднього легування, спостерігаться смута

М9 км, а?/ яаана а нейтральний донором. У плівках 2п0, одержаних

на попередньо легованих іонами цинку гразках Zr.Se, спостерігається смуга 303,5 нм, зв'язана з нейтральним акцептором.

. г?. У ,-пектрі М перехідного кару 7.п0/2п2е. спостерігаються

смуги МО; ?.50; СдО нм, зв'язані з фазами /.пСе-О; 2гЛ>5е.

■ і. іктоьом глгикадо-в1’>скгв.?всt їчпїаксії os-рнміі т&гміорь» с”;.'у;::уон. Доол;лх^кі: l>: огнктралі.ні /^рпігтор:^;:;:;!.

->'В':<ГІ; ГІЗУЛ-ТЛЇі: Ж’КРЇАПП СП’ЕКлОВ^ІІО У РОгплХ

1. Ы. Г. , іілд?лоб S. В. . Г--сі-гсл;^!;к Л. Д. . '-огос::;:

к.г\ , іВ-лчівді-гі Р. Я. Уп)Г''--.мллп:-' еюГ'':;і\ і

д;і тг г,по і; і .oj’o >; экпмксиальюго м‘’:-:^нж№..-): ро;гп; 'жне/ Г.їіО !:а I'.iZ-i їжтодом иоіі.'огп лс-гнров.иг.!;: /•• і^ччї. ;гс

1уу2, Її і,Г. с. 59-61. •

2. Ко7лзривст\ ” Б.Езлсжаика Е. Я., Рогсзкя Vi. Б. , Ккділое В. Б. , Гсоргоби-ijm- А. А. Соотновгние скг-рсотей дм^;У:: ионного .и гчтерозпйггікоиальяого лех&нкзист ростс. яЛ‘?йсл ZiiO па ZnSo и ZtiS ка ZnSe при р&дтшо-лучевой тлриру*Яг*Я v-;u' таксик // Иев. АН Focchii Шорг. материалы 1S92. Т. ПО. К

12. С. 2236-2293.

3. Килалок В. Б., Котляреьский У. Е. , Рого«:ж И. В. Ре-цтез?:,:с лъ-hus од-пйнты как лта^сдгітш? гонды мчханжмое де^ля-о-•лЗр.'.гоьания при кьзп&пиг&’этии. МіТориадл ! Одыоокс.го РВ>.-д/іїарсдного сі!Л';*.лргі по "Компьяторио© :.:од;л:;рспанио элгитротш v. жслсгьк процессов в гьергих юлах". Одесса,

11j02, У. - .

■1. .-'лд;лое В. В. , Кот.тар<?агюія Л В.-, Рггсгин і!, в. Радасидашшо дефекты в кдалзптировгякьЕС коискрлссалл-.*: ZnSs при or .«те в пстс!« радикалов кислорода. Т'езіпі: II Всесоюзной конференции "•йігичедкиг основы надозігяоит:* и деградации полупро-подниког.их прябсрос”, Киштъг, 1йС1, с. 21.

- 15 -

Кидало в В. В. , Корнева Т. Іі Моделирование кинетики дефекто-образования соединений А Б* в потоке радикалов' халькогена. Тезиси XXX совещания по люминесценции (неорг. кр.-лы), Ровно, 1934, с. 34.

Котляревский М. Б. , Белокапка В. Я , Кидалов В. Е. , Рогозин И. В. Кспользовваниа ионного легирования для управления соотношением скоростей диффузионного и гетероэлитаксиального роста пленок 7г,0 ил гп5е. Тезисы докладов III Всесоюзной конкуренции па материзловоданкю халькогекндных полупроводников, Черновцы, Ю'Л, ч. 1, с. 157. .

ТУч-.рго'Лкшк Л- Л. ,' Кидаяов И. В. , Рогозин И. В. .Шомипеецент-):1?’ :л.01‘:ств.'1 структур 7.иИк-/7.п'3*, полученных методом ради-глдо-лулпой гоюрирущсй ппитаксипс «сбавками редкозе-мглышх зжчюнтоь. Тезиси докладов VII Всесоюзного, I Международного еовг-щашгл 'Чизика. химия и технология, люмино-.{орог". Ставрополь. 1092. о. 33. • . '

іЗолоиапка • Е Я. , Котляревсккй М. Б. , Кидалов В. В. , Рогозин И. В. Вадикало-лучевая эпитаксия как метод получения дюки-неецируювдх оветоводних и светодиодных структур гп0/2г£е. Тезисы докладов' V! 1 Всесоюзного, і Международного ссвека-ния "'Гизнкл, химия и технология лташфоров**. Ставрополь, 1092, С. 262. ' . ■

Ккдалсв В. В., Рогозин И, Е , Оптичні властивості гпЗе імплантованого цинком //3(5. Актуальні проблеми гуманітарних та природничі:х наук. Москва, 1Й91, с. 51. -

- 16 -

■JO. Гсоргобазпи А. К , Котллрч-вс.т.'й і'.. Б. . ЗДалов В. В. її В. Исолэаосаппе механизмов роста ZnO

лодлохіах ZnS и ZnSo, псл;/чін:шх методе/.: ]зп\\::^ аіічгахски //Иг’іі, All Рооски. Нсоу-г. мате^изли ; г: ?■

, Рогозин ZnJo на ■^-лучрвоґі * '•-чатіп.