Влияние структурных превращений на механические и оптические свойства ионных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

российская діадам наук

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

На правах ртлспкси

УДК 536.32,545.4,548.4, 539.3,539,4,539.8, 535.3 .

ЕГОФЕЕЗ Вячес/ев Николаевич -

ВЛИЯНИЕ сгэдаущд: ПИЗИИВШШ НА. МЕХАНИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КШСТАЛЛОВ

Сиецмльносзъ 01.04.07 -г різака

■ верного гелв .

ізюрефєраї ■ дасоергашш па соискание ученой сгепенд доктора технических паук .

Черноголовка 1992

Работа выполнена в "лсгигуге физика твердого тела РАН. ' ’ 'Официальные оппояенпг:

доктор фязико-ліаге-чагичесіш: на jr. В.В. Аполлонов

доктор їєхниїєских наук В.С.Крапошн'

доктор фпзико-^егеаатцчесмгс наук А.А.Урусовская

Ведущая организация:

' Ленинградский фглто-техядчесшй институт-

Защита состойся "Л$ " ГкУЬ у j________1992 г, в ”. Ж

на заседании спецкалнзіірованаого совага Д Q03.I2.02 пря йысмтугз физика гвегдого вала РАН по адрзсу:

142432 Московская обл., Ногинский p-он, п.Черноголовка, ШТТ РАН ■

Авгорефераа* разослан "с#7 " (X.rtW , 1532 г

"чао.

Учеши секретарь спецлалйзировашюго

• совета, доктор технически наук

и.И.Карпов

' і*'-' ’

. • ' ВВЕДЕНИЕ

. Актуальность vena. Развитие опїїикй кох’еренгного излучения, создание источников мощного излучения, в том -деле технологических COg лазеров, ии^ жое внедрений лазерной технология обработки материалов - для оперзцліі резня, цтгкроя, сверяй, термообработки - визвали всгілеск ияуереса к см-гпес-кпм магеряалаи инфракрасного диапазона. По оснсугак • г”-к-!пс-кям характеристикам щелочно-гаяоил'ше кристалл» (ИПК) дяіоіі мэ яонкурешцш с друтши КК матеріалами, но ум< -.л :• серьезные недостатки, среда kosojhx прение всего следует назвать яизку» механическую прочноегь и хрупкость, .пи-; -?ско -пячкосп. и недоелаїочяуп хглимескуо чиогоїу, прсінт:оп’-лмг^і-> досгигепя» высокой оптической прочности. На п^еодсл'мпо отях недосгаысов была яаправлеяа данная рзбо?а. Так;;*.» образом, акгуальноегь проведенных исследований я разработок, по-лупзкгапс результатов и доводов заключается в репонпи гзжно? паучгю-іехническоЗ задача по созданию пероппктивит. опт-тіес-к их ие ериэлов - внеокочастях, химически стойких, я упречяен-ішх ЩГК я других пошііес яаївряалов, огвечащпх гсс-кг» требованиям совре.меїшой пазерной ТЄХЯЛЛЯ, Погрсбностт, 0ТП--‘>,Т-г>енной проашлеішосїя и таких материалах с аа«алг** с^рчП-то--го произволен (Х>2 лазеров постоянно растет. Эгп крлсмлгч находят применение и в других оптических устройствах.

- Большая, .часть работы йгаоянялаоь в рамках ц^ятесЗ комплексной иаучно-вехнической программы ОЛЬ022. .

Цель работа. Применение "1П{ и других ионинх лрйсгол-яов-гало*-енвдов в инфракрасной оптике, например, в качестве конструкционных элементов мощішх СО2 лазеров, связано о-достижением определениях величин поглощения, механической и оя-їачесаой прочности. Эти проблеми иогут бнть решенч толмсо в результате прозедеияя глубоких исследований в обласги лазерного материаловедения. Важное- моего среди таких исследования aaiuwaes, изучение структурних дефектов, в том числе обусловленных наличием прям ecu, и их влияния на свойства кристалла,

’ - I - ■

Как никогда осїро проявляется псобдема глубокой очистки материала, гребущая развития а внедрения ефективніше я іхроиз-воднгелз.нщс методов, создания замкнутих циклов с виращива-яиєіі кристалла іш завершающей стадии, Разработка способов получение кристаллов двойных сиогеа галоидов позволяет достичь упрощения кристалла. Этой же цели служат раздавшие физические воздействия (термообработка, ’высокое давление., ультразвук]. Избавиться'ої гигроскопичности-ЩЕК позволяют влагозащитные покритая. Однако ах создание наталкивается на ашогіш трудности: покрите дополнительно поглотает и рассеивает излучение, иожет отставать от подложки, часто имеет . пори, может нарушаться под действием излучения и т.д. В дайной работе главное внимание бито уделено поиску оптического материала (в ряггу галогенидов), плохо растворимого в воде и прозрачного, в ПК спектре.

■- Следует ответить, что до проведения данной работы по многим аз упомянутых вопросов не било получено убедительных результатов. Например, не било необходимой ясности относительно вклада тех или шшх конкретных примесой в поглощение и оптическую прочность ИСК, а таким пх влияния на структур--ние изменения, несмотря на то что точечные де^ектн^в 1!£ГК является многолетней областью исследования; не были разработаны производительные и эффективные способі! ОЧИСТКИ, МО-. . годы упрочнения. Можно сказать, что задача получения ионных кристаллов с необходимая для современной ИК оптики свойствами не была по существу даже сформулирована. .

. Для решения поставленных задач была проведена следующая работа чисто научного и прикладного характер’. ' .

1. Экспериментально исследованы процессы образования

дислокаций в ионных кристаллах при их выращивании из расплата. . . ’ • ’ ’ . "

2. Исследовано распределение и состояния праыесей в других гочечшзг дефектов в лотшх кристаллах, вырэщэятп; нэ расплава, е зависимости от внешних условий. Исследовано вли-якке итрочвавд па оптическую прочность ЩГК, изучен их соо-

1’ав • причипн возпикнсеошш.

з. Л^.одо:ва.;и лроцгссц криок.гчаошкг; ,гзо;'пиуг

'цолочнш: - счсаайшлс кристаллов И11 - //гСТ п рп»-

дих растворов КС1 - КВ г" , процессы расслоения в системе КОХ -/г'сОI др:: схлзэдеинв гаерцого гпстюр», рпзтчботап»» сасссСц ыАухазя .':расгалдов КС! - НВ<- и КСТ - //аСТ, способы 'дсиолдл’-одгшаг'о упрочнения этих кристаллов.

, 4. Исследована высокотемпературная пластичность крчс-галдос-гаясЕдов, в том числе смосе* и твердых растворов.

и. Изучено влияние на структуру и механическге свойства ЩГК всестороннего гидростатического давления скатя

з связи с фазович переходом и разовым наклепом.

6. Исследовало влияние ультразвука на дислокационную структуру а механические свойства ЩПС.

7. Изучена электропроводность ионных кристаллов о особой структурой дефектов (после различиях воздействия) с целью выяснения природы протекающих процессов.

' 8. Разработали способы получения оптических материалов, плохо растворимых в воде. .

9. Разработай способы деформирования образцов до высоких степеней сжатие. . ■ '

10. Разработаны метода получения керамических' тиглей

для выращивания ЩГК,. . . ’

11. Разработана оригинальнее „конструкции ростового оборудования '-Ляп реализация посгявлекшх задач.

, Все перечисленные выше исследования и разработки были напрзвл’ ’и к основной целя - создана; научны* основ и практических методов получения носах пероязктчвгш материалов ' оптического применения на базе яонныз сседннэаий. '•

. Научная новизна полученных в работе результатов определяется прежде всего тем, что основЕые способы упрочнения ЩГК - с помощьо ультразвука, высокого давления и создания смешанных систем, - в значительной мере предложены, развиты и исследованы впервые в данной работе. В еще большей степени это относится к кристаллам с низкой растворимостью в во-

- 3 - '

де. Оригинальные решения найденм при получении ЩГК высокой чистоти. '

Бо/ее конкретно люяшо указась на следующие результати.

- Всесторонне с применением разнообразных методик исследован процесс расслоения гвердого детвора КСІ - з( вС1, Обяарукена корреляция мевду значениями физических характеристик структури при различных условиях расслоения (температура, скорость ее изменения) .монокристалла твердого раствора КСІ - У аС1. Подаьано, что конечная структура и физические характеристики расслоившегося твердого раствора

КСІ - іі аСІ с концентрациями 12-90 иол% Уай определяются условиями расслоения (тешерйїура, скорость охлаждения) и очень слабо зависят от его состава.

- Впервые исследовала возможность получешш массивных монокристаллов КСІ. - УаСІ методом т’">хральского.- Предложены новые орігияальїше метода получешш. смешанных кристаллов КСІ - Я аСІ. Исследованы механические и оптические харэкге-растіші- кристаллов КСІ - КВг и КСІ - у/аСІ.

, - Впервые обнаружен и всесторонне изучен эффект пласти-

фикации КСІ под действием ультразвуковой навигационной 'обработки.

• * . *

- Впервые предяояеш способы упрочнения крзсталдов

КСІ и КСІ - КВг ' за счет фазового перехода при высокой давлении. Исследованы процессн изм нения структури и механических свойств'как вследствие фазового перехода, так и в ходе последующей рекристаллизация.

. - Обнаружена я экспериментально измерена повышенная

влек; /опроводпость ЩГК со сложной дефектной структурой, возникающей при кристаллизации двойнцх систем, воздействии г-ноокого давления и улмразвука. . .

. - На осаовашш літературних данных и эшТерлменталышх результатов даяяоп работ сделан анализ влияния примасей на ої!сч'ісїЕа ЦГК, определяищае ,іх характеристики в ИК.диапазоне

- Впервые показано решавдая роль микрочастиц как цент рпп оглчгчесжого пробоя. Исследован состав, показано,что

зреди час год преобладает вкллчеипя £'■ 0<>. Развиг opura-юльяыЯ метод алвк1ро«йо-мак£оскс1тоско:-о г.сслодо-ззнпя ЩГК - IIj ООНОЕ^НДИ ЛЛ1'ерЗТур1ШХ ДОНШХ £’. ССбСШСШ'ЧХ ИС" злздозашй проанализированы метода глубокой очистка У[ГК„-Разработана комплексная гахполопл получения ЩПС гнсокой зисгогц. Подучены кристаллы рэкогдаого. уровня чисгоп: содержание кислорода снижено с 10 .до 10~°%, Са - с 10"^ до 5.10“^, щелочных металлов и галоздов - с Ю-^ до КГ4, остальные прачеси - ца уровне 10"® - \СГ^%.

' - Получены ыассивняе кристаллы !\j CI, Рё Gig, РёГз ,

Су CI опгаческого качества. . '

Практическая значимость рабош заключается з го.ч,что получены оптичеспе .магераалы на основе галогенядоз с рядом свойств, важных для применения в IEK оптпкэ. В НаСГОЯ1Д2Э Бра мя Емешю оптика являемся узким местом ирл использовании лазерной обработки, многие дазерц простаивают из-за отсутствия окон и линз. С другой сторош, потребность в линзах а окнах может быть сильно инициирована самим so их провзвод ством.

В данной работе сформулирована, экспериментально исследована, методическ" и технически разработана гайяая научно-техническая проблема получения оптических кристаллов, ОЕвсчашях гласят еребоваяшм. современной ШС огшпш, ярэ.ч-де всего лазерного применения (COg лазеры).

1. Разработаны технологий.'получения монокристаллов на основе KCI с улучшенными мехавэтескями свойствами (предел секучестч б'т твердого раствора КСТ -КВ г на порядок величины визе, чел б’т . обычного KCI, коэффициент поглощения •

f>. •* 1СР*см~* при Л =10,6 мкм); сверхпрочшх кристаллов KCI - //.аС1, прозрачных в. ИК области спектра (предел прочности £>Р =150 - 200 МПа). Впервые получены гфюталлы KCI - ИаС1 в виде пластин большого размера (до 0,5 м).

2. Предложен способ улрочлешая рада ЩПС за счет фазового наклепа, происходящего в кристалле в процессе обрати-, мого фазового перехода при высоком давлении. Впервые проне-

- яеао дшэяшагдьяои эщтшшо вгаа cnocodoa здпсладздт KCI - КБ г* , • . .

- 3. Оаредедеш уолош!я шсокоЕелш£1агур1Ю1ло деформиро-

вания крг.осаллов KCI - КВг во всем интервале сосгаюв, то . позволяв* повасигь’ярсчиасгъ начерпала, пралевядцехося в . КС опзте.

А. Обнаружен еЗфек! пласгафикац&и кристаллов KCI под дейсгшеи ульгразвудовой каваяациошой ойрэбоиш. Резкое по-ниженле хрупкоеш .«агерлшя Еоэволяег пршеяягь it хлориду ; калия odpadosKjr пша шгалшовка пра комнатной телиерагуре.

' 5. На основе хлоридов а фгорцдов серебра я свинца по-

. лучеш опгйчеекяе ыагервалы, обладавшие низкой растварп-М&С1ЫО в воде. .

. 6, Разрабогана ч'ехдолохня получения особо чдешх монокристаллов гаяогешдаэв с оптеышми харакгерасгикаш на уровне лучших йпровше образцов (коэффицкенх поглощения KCI при Л * 10,6 mw.! f> =10''4-7Д0~5сг,Г*). Мококрисгаллы ше-: ют cipoto цадиндрмескую'форыу (даашгром ^ ТО ш) я ие-вамешшц для шгоювлешя опютёских элементов (окоа/лшш), превдв всего для яехяологэтеелвх Cog лазеров. '

■ 7. Усовериеисгвоваш мегода виращиванвя сговдарзшых ЩГК (KOI, КВг/ , //аС1 в др.), в m\i -числе с'добавками рзэ-'■ ' зшчлйх лраыесей. . • - ‘ _

' . 8.: Разрабошш- гехкологт получения !иглей и других

адененгов роемвой ашарагуры из лерамотзекого «агераала (взамен дорогосющеЕ плагиш л нэюхяолопганого хрупкого кварца), коюрце обладаю! шотш преиаущесгвама - дешевизна, г' иоЕО'чносгь, получение .аэдблнй разной форли и рзеыера

Мгробация табора. Продсгавлсшше к защите материала Ьшш доложена на 20 всесоюзных к иездународных конферешщях в тр.\! часле в ввде лекции (на- 4-Е Международной школе с ,е-■даалистов по poesy кристаллов, Суздаль, I98D;г,-),-обзорных, плева ршх л секщаошшх доводов (на Международном. симпозду-ио "Црочноояь атерадлбв я элеяевгов яояогрукцйи при звуко-ъих. я янгряввуксшх -частотах кагругешя", Киев, 1984; на

/

Г С-.

!- сл

\ !-О с: L, С-

с- р

й 1

Qj

>» 5=Г

і":

?? £ r>

•- у;-;

ч

::;i /■

с

п; С

' о *--• * л-' р

С о

t ГГ СГ-

Е 5с;

г. с'

f=i

с-

ІГ*

£, £ f-.

v гг; Г

о г:

С' ^ п.: д ~ м

о е; о о) с;

С і С' П fc=i о Гч

о

^ £, 2 г: й

К Б К к ~

i-J

-і

з

SI

, її-.' г.

Є

г ■

:.t

її

-•\ І-

І

і

.£

• І ■• і

: : гх 5-s

'' ‘г:> V?

і \_.- Е;

/;1 ' О

у. &

а г.

г:‘ г,

Г, *Г' Г‘

• ^ >. Я н

*л

■ с & г S 1 а ::

§ ё af |й.

<^ч

‘н о

решетки, и даолокаціш яеогко нэ пвяэаш о определенными направлёшшмк. Кроле того, оіш имеет шсокую подвианосгь (так, скоросгь дшеєііші даодоісаций в /аС1 при компаний темперагуре на 12 порядков величины вшае, чем в Зі • при 500°С при одинаковом скалывающем напряжении. *? = I кг/мм2), .интенсивно.разадоваются при движении. Но сааое существенное го, что вследствие досїаточно высокой тшератури плавления а низкой гешюпроводкости в ЩПК пра вытягивании из расплава возникав? ьначтёшше їеріоупругае напряжения, прешша-. музе предел текучести, тТ:/ >тт , что визнваеа пластическую деформацию. Эю главный «ехаякан образования дислокаций в ПЇГК, В работе он подробно исследован. Величина Ъ-г.ч, ■ прямо связана с перепадси тешерЕур^ £ Т, а плогносгь дислокаций - с градиентом температурі. Шло. проведено детальное исследование температурного поля дри^адла с учетом реальних условий, характерных для выращивания ЩГК о помощью методов Чохрольского или Кирспуяосз.

- Распределение температурі определялось из решения уравнения йайласа (в цилиндрических крохщинатах):

- 1 2Ф+ '

. ' . 9'"* г эг ,

•- где О Т~ Тср - разиосгь мезду действительной тедіперату-' рой Т и темпера турой окружающей среда ТСр. ' '

, . Б граничных условиях учитывался коневктивішй теплообмен и фора фронта кристаллизации, которая задавалась параболой (о коэффициентом кривизны £ ). Вслічшіа Тср и форма фронта оарсдг’ялпсь экспериментально. Решение уравнения Лапласа о учетом грэничшх условий дает: _ ,

&(г х) ~ Ї • ся ^хр (-Л О Ус ^ .

где Сг - константа, а X (фуш:щш Бессоля, /*. -корда уравнений. Численний раечег был сделан на. ЭВМ. ' Экспериментальное измерение особого градиента гемпера-уура ? 1 {о?.}/?:{ 'в ионокряогаллак ,/< рС1 Онло сделано по

мокодаке врздвлашш горчопарі.

На ріс. Г слясягшми ялшшмп іісіг.:.сь-: /опул-, -vr;' sum'. ргмеятдльяого псслодоваяия зашокмооги ^7(o,z) j?■ s cr r?r-стояияя до яс.".Іаз!іоп грэш:щ»; пучктиром ггрдсгл^ог’п рсптг-

Jiao лешшс. ГлЯВІШТ ОООбИШОСГЬ ПОЛуЧСШОГО р’ЗуПТ.ГЗЇЇ» coo-їсіі? я. гам, что в кристалла, пивгсо» гипукдиа я п.-проиу тзс-плага фропг крпогаляпзеїдаа, м'к:сг.?.*алымй особой гр.гппегтг їсипорзгурі даблгдаегсл не ка "олТ.тэяой граница, а на пг.чо-гором УДЯЛ2!!М 05? шо (г.р’ІИІО І, І* - 3, 3’ на рпч.1).

Рис. I,- Экспериментальные (1-1)и расчэтные (1’-4') данше зависимости-осевого градиента гэм-

(2,2*) - R=5 мм. lW5000Cf * =0,04; (

■ ft =10 !,ы, -ТС1г5ШЬе, Ь -0,04; (4,4.)

Я =5 мм, 'Tc^C6G°C, ’ і

- 9 -

. На базе даншх. распрад&депяя дт(су.)/дх ъ работе предложен способ контроля за $оршй фронта крималлизацна расяущею кристалла. В красгалд врещишегся дифференциальная .лерыопарэ, с&гнал ог которой усиливаемся я запяшвзег-ся, давдиогь лагрекгелей, лолсданас экранов, пятеяспв- ' кость охлаздеяая загравочдого красгаляа,' скорость подъема растущего кристалла, скорость-врздепся красгадда к гитдя и другие пБраяегра, аишкдао ка геяловое иоле, варьируй?-ся ганим образом, чтоба распределение Эт(с,з) соогвег-

сгвомло душой кривой. Найденные яаккм образом аехяологи-ческие параглегры слуааг и дальнейшем основой для создания гребуелих гепловых условий в зоне красгаллязацял, ■

. В 1-й главе диосергацш яздогеш чакке результаты других исследований дчсяокяций в ЩПС:_ порогового дапряж-. дня для образования дислокаций, БЫс^чогемпераЕуриого оглш-га даслокацдонной сгрукгуры, высокотемпературной пдаоют-носги и 2,д. В конечном того все вш разульгасн позволили сформулировать общую дояцешдш форларованая дефектной структуры ЩГЕ. . *

Глава 2, Ионные к растаяли высокой химической '

■ . ■ . чистота • . .

Несмотря на отличние опгячеакяе свойства ЩЭД по срзв-цени» с другими ИК иагарагшш, повышение их лучевой проч-- • яосгй - одна пз вагшейших задач. В данной рабоге она решалась на пути глубокой очистки кристалла от включений я прк-кесей. Бренде всего биля выявлены примеси, харакг< ^ще для исходных солей. Ими оказалась: хорошо растворимые целочно--земслыше элементы (например, Са в у/оСЯ), пос.оролнпз щелочные металлы и г. оадн (паприйер, л'а я Бг- з КС1), кислород соде р.'йщне прмеса (прездё всего гидроксид ОЬГ, гозян-гпМчяЙ'прг гидролизе соля)..Гадроляз соли медленно протекает уъа при комнатной ^температуре: . ■

' МеХ ► МОИ — МеОН+.НХ . • г> ■ '

9 МЛ* 110(1 — Мег0+ г2 . '

ю -

с^оі.ї.’Шоїсл гї.чр'Х'.'^м'^’.п, і’у. 'і-і'.'Г’ікто.т.О"'

род'",і, '

■ Б’.ш> яослгдозряо распродажей я е'^-уг^оо «ос\»«ял;иа

р^зли^тг* ?о’кггптпс В ги^''-ат.?ч гр:','егя пр'ніе.тс’.'

гозулі'Т'з?!! ппсітйрг.мвчт.іят поте псододегплта П'^ФУ'—о:IVя пггчсоя Уп. п $ґ V псі- ярі р*!2".ой іГ’орпе фрсятп ирлстал-яязяцяи: л 11 > 0 - ггятуггіії ярон?, л Н «< 0 •- гогпуунй ’ йроот, А II -0 ~ ялосяяй. ї?з:с падпо пз яредогавленкого грт-і*7ЛА, с псмсясп с?го:?”'з ярлс'г’лллг^а'т могло уппмсть ряо-пгслолеппзй пгїіссп - ссілргг. ос п гт?лгт» или т ког^Іхгря" Єлпей пяя г.о ржтснсрЛо рзслрсдолггё по сгчошз. ПЬсяолг-ку я ИПіяозТ>їг:г!г;:і вхогг.эдля лргмзсеЯ К ^ І, то птотітт ИОГЛГТСЯЗрЗОО 'ГЛСПрэ/ЛЯСЯСО ЇТРПГЇЗСП Я по ДЯ2Л2, СО ІТОППОІІГ-т'т'г.т угол.’іппг.їоїоі от ггг;;:да /с :;е;:пу кггсгл лла» ге? -кяп .чсшіогся по дляя? ::гіс?-млл У сСГ исрогс^оз гггтгспго лучевого ігрсгіол: Сг!С.З.\

■ Всгол вопрос о то.ч, чго главш'3 вклад в оптітс'-ут) прочпоигь ПИІС я^ссчї не ,•?томаргую прпесп, з мпт;р'г»гк-''пп'г. ГРМСОШКПу К0іі?р>Л2 бГЩ) гтодвергяуто ПСХОДЛСЗ ОЧГВ''!, 'ТГ?

кргорого Ечртччвйзгс.'- хтастолл. Соль рпсіпорялие?, в ^’ссі-о--’іпстоД йоде и рлотер пропуоллла* поріз "сггтїї поріаг^Я фильур (полимерная яембреша "Дладішор",. раяімбогляпая ВШМСса;, г.Владпиир). іїа гяо.4 яредсгацлош’ кякге^оталг, г.гдеяепшв ПЗ. сярья лл0Р”ЛН ;мгия. . .

Ввделештв чяонщк исследовались кетол?"!* №’?гг>бс,1 я просвечтавдей злэктрсдасй какроскоп її и реиггепотзеггого- !?л-кроаяализа. Сделен тывод о гом, что среди часті, содоргд-щвхей в енрье КСІ, преобладают йішлзКіія состава Л - рі'Ос Исследованы зозмошіосгп загрязнения рзсплат па спет его взапмодейсгвпя о гяглсм а окруяащеіі атмосферой.

Метода глубокой очистка 1!ІГК и других кешах кристаллов давно разработнгаютея по лногпх лабораторіях мяра.

а

с

<

с

н

о

5Г

■УЕРЕЙ

]• РаеПАйЕ ^— -----

К«1

0*КС1‘ КаС1

1,2Д4-АН>0 (Н,Щ;>Чы) 5-&н*с

I»

го К,мм

1ио. 2. Схема эдращигаиил кра<лаяяа (а) 51 окспе-рамедеалыше дашшв радиального расшзеде-леизя примеси (б).

Й ' . '$23 ■ г ЦЗ 0.75 - ю А/&, '■

3, ,11п:1слзппо порога пробоя I,” по ысого

краотолла М тС1: 1-л крупяогабарлгшх нрзс-?а;шх,.получе»шх в прамншлекгщх условиях; 2 ~в крисгаллэх» вирдалишх до полной кспс-*еялипаопй расплава. . '

Ряс. і. МіІКрО’1 JС5КПНі шдслешшо из Шріл ул.огг*г-того кзлгсл*

XrrW-iS-W ' ‘і ‘ ґТ\ >Г'*.СТ^ПЦИЗГ,,*-і'Т ,

і і { ■ * ч -Ліі/ Г.1ГЛС7.

W .. ,

«*м*«м»кг* sonn.-т -п»й<» •

.лимані p. fTV'-''.y“\V\У/ a?srчтіяяіу.чїt

Vi^v)A)fA. .V2/ ;• 1

■ \‘' V’A \ч , ’

e«s!i«!»»<e sera (7Т УЖ Tr) «имжй cerfrti 1

Г.»S3S»*Nf IMKSt (jJ'-Z. ' \\ \g) SXCTPAKUltt

TKIA AjOf- Vi/' ^ PMnoUwe

Ряс. 5. Эффехшшносгь различных способов очиегкя ЩПС ,

h.4 f»iu, fa UiufCAuiiu каадолашйо ii!''--

ьал^цшл ь ЖТх соиазсшо с iUIin Bail, г.Бу;^цсш. Citfbuj показана способы <тош;, слова - пр::.\;еей, о5§вк«шйос«х. удалеьш кигорих ооуаначощ (с аот<цдпв поваяокая) сипоты-1.ш, atpuoiuua и пу вкгирикихшшши В соогвогоши'. с ssit-АШ <КШШ И учевш 1ф<И*аК;ДЦ»еЯЬи0СЗй; различных процессор бш: uidpau j;c.uae:;c «<п’одог для есгдэшш. гехнологячаскоЙ л шиш сйду!.зшш .ВДК, схоцагшс-ши! предсгавдеикий fin рас,6. Одной яь штас£лш сдерциЛ в двпазЛ гехаологйч являет; гаяоэдаровааге расплава - для удалеяия кислорода.

На )Ч1с» 7а нредегахлшш оеаоише бле-мыии ашаусиуги дл.:. араведения oupidOKca :-;лордов, Поело ь'цлгелхной xr.ni-чео.»..Г. o'luC'Jh’.: кварцевая ампула ,1) ол'эегися е труйча^уи печь (й) и прд 1еупетшурс Ю00°С с:.;ес;, СС14 с А г (газом-носигёде.’,:) ЛИСОКОА чистой из сосугп (3) по капилляру (4)

Глп. 6, Сх.ема гсхиологапеейой лвшш получешш 1ЦГН высокой ■ЧИСТОТЫ

- и

Рпс. 8. Мйкшсгрукгура новвщнооы образца KCI - jtfaCl.

Кіопусіизїсн через расплав (5) с огия;ікоп ттро^тлох» рагто-Ж-3ШІЯ (6). Ампула ЗЬПШШаСЇСЯ Ц йО<ІСЗЇІ9?ОЯ в установку БОН-" ноіі плазз :и (рис. 76),

Аналіз'-чпсти пелучешвс крлсгаллов осуі>:еетияпіі раз-л&одша народами: с шюоадь» ірпдщйошшх ззшчсских мєїодов і; паиеріжл иоішого герлогода определяла кощеихраціш ідап-оаши прессой о зарядої*, оїлачаищися ої зарядов ионов награда; о палхтчпа пгкохорих щшесеіі *і их оодвргланпи х*ок~ ио Сто еудшь по харакїсряїл полосам сехіі^ского логловє-ніш й опрздслеіииис осЗласгях сіішсір; .ноі!цеііхрлц:ш щєдочішх аеїаллм» определяли с помоїцьа шшоіи!0-пою;,:сі'рического аналога ? ковдоитрацав хаіслорзда - с помоиш рэдиоамкьаип-оишго ахшпза аа бисігих ввЯгрогьх; для о&дзго анализа сюоїава винользозали ‘'асс-снекгромегрязз. Анализы показали шсокуэ •чхюіогу получеишх кристалла1’ по отношении ко всей

ОСПОЕПУ.'.І ІірМССЯ,'.. ' '

Во 2-й главо диссергаїШ! ітошш такт резулмат зкспзримеяїадьііцх исследований механических и оптических двойств иисоко-гасигх ІДГК (илэсзшчлосги, прочности» псглс-щ-ошія, рпїііческоГі прочности).

• 'Глава З, Трдряне щостоги и смеси . -

Наличие'дослохсашій," нричесей к другах дефзкїов, • дх дь:іг,ошіє , взагыодейсшю, рзачлодеияс во многом определи- ■ юі ыахашизскиз свойства кр:;сга,.лов, У ЩГК, как говорілось в'ївз, він свойства иеудовлеиориелыш. Есть извесїішо,їра-днцаошше способы упрощения: легирование (введеш:. идшіе-сай), їермообра''оша '(заяаяка), дєфоріацаоіщое упрочлзшіе (иаіиип), Однако в дашам случае решалась задача-добиться

• зро-іяешія ісраоаалл без .ухдааайв его опїйчєойях сбоіісгв. Сзшх синьок розульїагов в віш иаправланя» дралось доо-иічь прп создашш двойных сирієм цзлочних гаяоздов. Спсіе-!,и О обіВИ •• '! ЧЗСШС','' СЛЙ КаГЙООД] оглячаются ЇЄ!.1,'ЧЇ0 іш: сохранггої! состишо гаордого резжорз иря коопа?ао£ гсапа-рзтурп (как, пштршер, ЯСІ - КВ ‘) гдсслаїшапгся прд

„ їв

Kiwieiusa iia ді<е ^-«su (как KCI - УаСІ). В рпбоїв с по-іьн ронп'внсшскпх мїїїодов ясодедоыаз Кічюгява расслоо-и КСГ - // а'Л, с г.о.'лснъ» эле;4£рош<о»1 .ллвроскошиї изучено

!ІОТ1ІІС'3 СОСХОяШЮ Г ї'СїйЛЛа. ' ■ '

На рлс. 0 і;о;;,к:і;и нш:росїр^бі’урч нооетлсддсы'- гзсй-•<еш'о получено u дьн злєкїренцо-зоіідог.ого с:іі(шрсм~

ч осірзиа KOI - л'сіСІ (.. IGU0). Зго ішикрисгалл, сеого-піі :ьч 3eiv;:i КСІ л • •< зСІ размеров в псаіолгко шкрон* ІЬі-і’.імссмя прочность їікого крясїаллз з десятки раз гііпе,

:.’/! у 'MCTUX КСІ я у/ а СІ. Крисгзлл зішімолярісго СОСЇЗРЛ іссг предел їєкуіес-і’іі на 2 порадш ведачаш шісге, чей it. їнсого кодсосадыюго ункпкеийа лельзя достичь ішкшт-; лруї'їс’к способа.’.!;!. Однало получзлле массивянх ісрнсгал-яз КСІ - У а СІ пагрудшіїельио зз-за расї реектеаншт. В дя-зтегурз колясь еведоакя, по кошэшрпрог-ашше с:-'.еси уда-злось получать только з виде явбольшіх образцов. Б длпло.'і абоїе били цр5длс;-ж>« оришшьшгб способн полуїзяая мас— инпзх л^’їсігадх в как о помоиьо інуагинанг.я г.з раслдагз, ок п пугг.м Енсокогемперпіурлого сгіекогжя порсиГ.св К СІ и jV аСІ с задощам раг:.чеоо.'л 'іпс?ш;- іїл р-.\с. 9 показал круп-окзоярвгвь’й смезаншй кристалл КСІ - // аСІ ? гнав ияаоїп-к. - -

13 3-й глзез дкссерггтеа яр:$едеиг> даппяе о jmensnee-своіісгшх арлохамав ІС01 - ®г ;з ІіСЇ - і/пОІ, рчеоко-гейаврагуриой шіасгдчиосЕр, поплюй зроводгиости. Для азуче-

ПІЯ рзспрздеюнпл КОМЛОНЧЛЇОВ СЛОХ’-ОГ СОСГ’ИСПРІТ я пггук-

ауріт параметров, креш wanstmecxvx, :.!отxzorpvlme&wz. рентгеновских и злекгр6шіо-/4йкроско!і:,леск;к ясїодор примріялось иоБйя злекзр!>лло-.чізі!роскс.гглчоскал методика BCWrrfVl хая мелких лаеггл; частота pms^osi IOO-IOJO км бнли колу • їсші путем гепаренкк соли з аиосрорє зргено (ллвлоиио он рсд<здяс-у'р5змзр> чэсгэд.0, она ссахдаямь м епеч"л.’;чіоіЗ їкшоге, прозрачно:! дм заекїгаїшсго пупкп. Ка ї«’е. 10 ро."*-аоШі мадп^ час-г1 ;і:,м h'”I - й!5,?> ЛмСТ.

Рис, 9. Киупногабашгшл'; смешанный кристалл КС! - УаС1 в в ид з пласшш.

Ей

.............. '»•: ий* - *»'Г

Г5 Ж :'■

■УК,Лг ’-'(■'г *,'.../...-9 I 1 .

" • 7 а<:

&■*. <Гй а' ■-•'V, -Й!

4 , 1\ ' . ■ ч '

Л?к‘- >*',Ч*\:*87 •*/..’» ч’\>

штгкМУ ■''№$ .&■ ■•';•,?! -. м!

х<

'/ч

.«.‘V ;•:, ,

Ряс. 10. Малые чаогицы КС1 - 85£ УаС1

іі. Ззчяояс пасового п.ХІМЗ^ІШіУЖ 1

корд пііс шіЗ пч лгдзо п гцукг/ру и о?о ж г г а

іип; .

В ир.илиднол nvitcur.iuu .ьвроз щ*.ле;а.УЯ0ї їоньни г,їл-

o.oohgj ї,о врослі: ; ли лоді'о сохранна:,^, ол упг-отхі:е£і:ііз» ї:;~

КІ'.О ІЗОЬМО\і1ЄС.1ЧІ ■ ЯЄ ЛлІЇ-кО і;^.іСЇЛ/і’ЧГ'::і!і‘Л ДВОГЛІНХ СІІО

і'и.'і, но ї:;іс;.:о j;дoj-j«*шЛ Ниїпд Пдлоіого лйклелл,

су si коїсрзі-о СОСГСЛЇ В «СГУ^цШ, Яці ло pvuiuia уілоглті Ссшишіегво bfCIC iwoct рс-ио-жу УаСІ IJria 3j),.ao*np2. погч-л'сіі-.и; дзидепшт .v.or.y? ироасхсдзть аеусход в йазу Eg (rcaior-ца Cs Cl). Hsupuep, із KCI приход Bj —-' лтхиісходиг прл давлении около <0 дх-'р» -нл, вполне досіш-Л‘іо экспзркяен-гд/ьію. Структура зроігерпевае* оутесп-і'Гнв иг«*/ьо.эег.я:

ЛО пог-зрхлосііі oopr-c-гз ЧЗЧКО ЛуОЯЭЯЖГСЯ ХарЗКГОГ-ШЯ ДЇЯЯ ".'ірїеис.’іт.'шх нруйрігдгіШ гголтг-тал сїі^кгурз (рг.с. Па), образец тсрлег сгсіШюсгь, уволігсавпегся ко іще ні {зс;-я ррзлчч-КНл дефектов, 'чзрззец упрОЧНЯЗГСД - Предел ■'CKflCCTJ рэско , it с шаеюя, причем значительное упрочнение сохранял гоя длительное пролиі, хотя паслгдцап’гса сїрукїу-ричз гласисяіія го вромоип: понвлл:отея.рек^:1С-ал^!:г';..":;!.о Млзста (ііапрг..’.'(ір,

В ЕІІДЄ трсугодьнпкоя, К9К 11-5 рііс, ЇІ6) , ируПН03Єр!ШСіа!І

С Ї рук т урд (рнс, ІІз,г)). . •.

Ha рг.с, 12 показана злшеммоегь предела гецучесги cv os времена хранения образцов різного рпг.чс-рз (кігіаіо І,?,З сїносятся к рбрляцач с сечэяйса 10x10, 6xG л 4уЛ иа*' сооч-roscizeimo); nyiswr.pRoti лпкпєіі сїмєчєн уровень бг -І П'г. для ['.сходного «агеродо.

Лрл яогтвялл тснпсратурі проноссі сгруіггда>«х пролгя-щеиий л взаевеиал пластических с~оіїс ; г. ]л:<яр уокорялтол.

Ия смс. 13 представлены полные зленої лос-гп предела хекучес-Til 05' ТеШІНГ.ІПур'! СТХЯГЯ {ЧТОДСJU3J7f ДЪЧОПУ t-n в I чзс). 3 интервале температур ISu-3L;'J°C f- рлсл;о пропет, этот калом но крзшоїі fV. fг) «олію нригшхн и «miry гоч^пия дг^ек.-тоо. •

З'т.МГСа

Рио. II. Структурные превращения в кристалле КС!

после обратного фазового перехода Ъ^-^гЪд.

I

601-

Т, еутки

Рис. 12. Зависимость предела текучести кристаллов

КС1, испытавших фазовый переход Вг—Во.Вт, 05 в реме ш; с момента перехода. .

8 т Ш из «5 555 $Ь

■ . ■ Т.* С

Рас. 13. Затшснмость предела текучесгп кристаллов

К01, испнтазшпх фаэогиЛ пскзс'-л Вг—В?-—~Вг, ел1 гемдерэгури оглпга.

Фазовый переход в КВг происходят■ при дэвле-

ш:п, несколько меньстем, чем в КС1, а кшизо пра Г-1,8 ГПа. Иятерссаув систему представляет из себя твердый раствор КС1 - КВг , который ясоледоаадся с точки грсная вгшяппп ва его свойства высокого давления. Реятгелозспае исследования показали, что посла парохода Вт с2сгс.ча КС1 -КВг ос-

тас? с я изврщаи расидароа, одкако, мойокрасталтигшэооть нарушается, кристалл дополнительно упрочняется.

Другой способ влняшм яв мехштеаЧае свойств 1ШС свлпан с прпнеиенлим ультразвуковой каи1гацио!1ясП обрябот-КП. • . '

Раслрострэкекяэ моцкого уяьгразвука в нпдксстп мозеу сопровозйавьеа развитием калига «уюниых явлений - а зэдкостя

возникают и растут газовые лузырыш, которые, схлолншясь нп поверхности, образца, шэнва&т импульса лачрплолдл. На ряс. 14 показано увеличение предела текуччетп КСГ со вромо-

» ЯГ -

кой каьтгцаошьЛ сорабокки Ь а у1.;глячояг'.гя шш и* «у. ультразвука 7 ; рае, 15 дсмойсараруё! вазпсймосаг» о',.; г)

- аздой, аа кривой яря Т ~ 250°С можно приписать оидау- *о-чечкш; дефексрг.' • ' . ■ .

Но вжшше’кавшацип" сказывается *1е только на начальной охедаи кривой дефзрадции, еще более сильно ео прояздо-нке па посдедуирх стадиях: кристалл смиовйеся бояеа йлас-тьШ, менее хрупкиа (пределышя ШШОШЧЯООЕЬ прц одноосном сясапш £п с 25-30% увеличивается т 80% д более).. Эго* црялцпшщльно ваяяый результат позволяв? проводить дс-~ $ор.!аца» образцов КС1 (шшрнмер, формовать иоз-лабо накалив)' прд г.0ИНв1Н0й темнералура. Какова прарода данного ят -фексаТ'Щш деформация ЩШ вначале, щул малых /алрякзштах, образуются л к. отдельные "свекле" дислокации - носители дефор,15ЦИ2, их деашш ещз не имеет макроскопических проявлений. Пра иапряхеимк, близких к кредеду текучесш, ПОЯВЛЯЮТСЯ ЛШШИ скольжения, свадегельмвущйе, ЧТО ДефО£?.!£!-• Вдя развиваемся,неоднородно, ко избранным-местам, яачь ая со "слабых точек”,: где образование дислокаций облз: :оиэ. Наконец, формируются полосы сколысешш, которые к являются главными элементами пластической деформации. Полосы рзсмиряются, уплотняются, тогда как большая часть материала остаемся ме задействованной, не вовлеченной в процесс .деформация. Пересеченна полос ведет к упрочнению, к образования микрогреи-дн и в конечное счете к ^зрушенкю образца,

В случае предварительной кавитационной обработки за счет ударных напряжений : кристалле создается множество равномерно рассеянных песочников дислокаций. Деформация развиьлется значительно равномерней, достигает больших степеней и, как при повышенной температуре, при высоки степенях дефорЛг’диа формируется мобильная зереннвя структура (рис. 16), что й пласгифшлрует материал.

' В 4-й главе диссертации, посвященной влияний высокого давления и ультразвуковых воздействий на микроструктуру д свойства ЩПС, изложен!} все методические особенности экспе-

Рпс 14. Ьавасвносзь бт ої времэШ! иаватацподао? обрабогки КСІ: I - 7 =6 мхм, 2 - f «10 3 - =20 ' > ■ 1

ЄГ

до. JT). Зічяоімосїь «, ! г) гсрпогі ;лл '<<'■ 1. о^рт:

Тв1»№ '0' уЛЪТрХ’ЯукоМ 3 |»;ЧГт К. П 'ТЇ :U;

.укч1

«з

Peg..16. Зеренкая структура кристалла КСІ, прошедшего ультразвукову® обработку ( ■=

. =10 мкм, -Ь =10 мин), £. =8Q/>.

рішенгов, описано влияние щшесей на исследуемые явления, результата измерения электропроводности, оптических и механических характеристик.

Общие выводы -

Б сооіввгствіш с целями данк й работы, сформулирован-иши во введении, содержанием ее явилось исследование механизмов формирования важнрйших структурно-чувствительных свойств иояшх кристаллов в процессе их роста из расплава, а так' ? возможности изменения этих свойств б данном направлении с помощью специальной обработки кристалла, чтобы получить оптические материалы на основе галогенидовt отвечав ■щие требованиям современной Ж оптики, прсаде всего лазерного применения. '

Ъ таблице приведены механические (предел текучести) и «нтгеегокие ^поглощение излучения при .І- =10,6 мкм и лу' 24 -

. . Таблица

Механические и оптические своГюгпа ряда.

материалов '

Материал Его характеристика $Т ,МПа ^.с-Г1 I* В г/с!.!2

асе ыояокшегалл особой ЧЗСЇ0ЇН 0,2-0,3 (10-6) Л0~5 >1010

/ІаС£ 6,2-0,3 (10-8 Э.Ш-4 ' >Ю10

К.СІ «онокрпсїалл I- 2 ’ (50-1)ЛО"4 10 -5;10®

А'лП 1-3 17'-I) ЛСГ3 Ю8-5Л09

’І&Г 1,5-2 '■ (56-5) Лй-4 Ю3-5Л09

ЛаСІ ^11^ • 0,3-0,5 (5 -1)Л0“3 ' ^10Э

ть П ' , 10-50 (10-1)Л0“3 <10Э

ш подккрасгаял» по-яучешшй горячей 10 -30 5.І0-3 109

деформацией - 5Л0"3

ті _п_ го -за І09

К К. иг монокристалл, 20 -<зо 5.НГ4 ~1010

твердый раствор

КСІ-УаСЇ смешашнй поликристалл • 50-200 бЛО-3 ' >109

зЫ-$г. расплявный монокристалл 30 -70- 5.10“3 ' ю8

&$е. краоїалл,полученный методом 70-100 5.І0**3 . І08

СУД Ю-1- 10~2

№~Ч керамика до 100 ' - .

чевая прочность Х/г в импульсном ре-аде С0Й лазера) свойства исследованных асншх кристаллов в сравнении о другими ИК материалами. ■ ‘

Более конкретно основные результаты диссертационной рабогы сводятся к следующему.

I. С учетом реальных услов’дії роста исследовано температурное поле кристалла, растущего ;гл рзашво. Предложен способ .управления формой фронта крргглдлр-зацпп. Эксперимента. лт изберет параметри внеокотеш'чмїтурной пластичности

ЩРС. Сделано ошісашіе главного мехашзаа образования лпсю-кацай В.1ЩІ - мехаяйзаа гермоупругях найряг.ений.

. . 2, Усозер^дсигоиш їрадпциояше .чегодч вирлщйвсная

цо расплат щптх ирасааляоз. Исследованы процесс:! кряс-іаллизащіи. галоїчшздов серебра я свяяца. Раграбогакы яогие ішіераала 'для гаглей.

3. Сделай аіадкз основшк щимес-зп 5 11.- . ноолодога-но распрзделешш и сгрукгурпое состояние аіа»*всвй, дотявг йзфвйЕов в их коу-лексав в расгущзм кразхагдс. Исоледовзіа а^фекгиветсгь разлишас: способов глубокой очпогкг: солеи. Исследована роль яикрочасищ в оатеско'- расругэяа: ;:зїз~ риала', вх прихода я состав.

4. Разрабоїака гехнологт получэяля особо чкеїж лэ-(шкрасгаллов алогеоздов о опкпесгат хорзкгеристпк.х’.г. кз уровне лугзвх мирових образцов Ског-Йгспек; поглос^ния КСІ при Л =10,Є мкм /■ =1СГ^-7.1СГ аГ^). Монокристаллы пмеюг сїрсго п’.ша^рзч-зсг.уЕ форму (диаметром -й 70 :/..ч) г. яо-аамешт для изготовления оптических эяглэнтов (око;*, . ;нз), прєззіе 'ваего для гсянодогачссках С02 лазеров больис" Шц-йосгг..

5. Исследована процесса красгаядизвщиі а.:ес:; хлоридов ійлел л касроя. Яредлоззка новиг способа гогу;::ії;’,ї г.г.г;-їайлов -Л - 7/аСІ, усоваршедсзвоваш швоеш>;е :,иіої,$ ы-раа;щааія из расплава. Разработана їєхяологйя цолузоик'г сверхпрочных кристаллов галогешщи^, в том числе б ьп^ ішісііш больиих размеров (предел прочности смешанного нрлс-гллла КСІ - Л' аС1 $Р =15''-200 ГШа). -

С. Исследована процейси крссгаллизь йи системы кл -

- КВг , йахапичоские п сігелческіш свойства этих хрпега'^о;.’ в завасішосиї ог состава и условий выращивания. Иолучоли іцтсталш с улучшадшз кехаяическшш йвойежвзаь ( ь, ла порзгой вельчішн ваше, чел; уКЙ) и высояявд опїичєс:у;.\ш хартерясгикадш ( Д~ І0"^см~^ при X =10,6 да).

7. 11олучены'г;оноврлсталлн-галогея1щы с нлзяоП р?сїво-римбсіью в воде (в 50'раз нижо, чем для КСІ).

, >3. Предложен л исследован «еяод упрочнении iSfTFC (KOI, ■

КБ г , KCI - КВг ) за очеч фазового, пакяепа (в резулзгаге обравшого фазового перзходэ при высоком давлений). '

9. Обнаружен оффзкг пластификации кристаллов KCI под действием ульгрззЕ'/ловоіІ кавптациошюії обработки. Разков .• поїшяеіше хрупкостг .материала, повышение пласпгаюоги (до 1 60$ ІІ ЕШЄ В услоздях ОДНООСНОГО стаИй) поаволязг ПрйМбг нять к хлориду калия обработку типа штамповки при комнаг- ■ ной температуре, что расширяет возможности использования хлорида калия в лазерной опгдке КК-диапазона. Усгаяовлено, что величина эффекта повышения'пластичности под воздействием ультразвуковой кавитацн". <шой обработка гавгсиї os жесткости исходиих кристаллов, концентрации двухваленгнше кати-онних примесей и не завясаг ої исходной плотносга даЬлока-ций, ' ■ ‘ .

10. Разработанные метода получения оптических матери- ' єлов в совокупности с методами их обработка (розка, штамповка, .^лировка) составляла законченную техйологп» npoad-■ водсава оптических элементов на основе краоталлов-талогенп-дов, предце всего для їехяолопгееисих (Х>2 лазеров. Сведения о практической апробации получен'их результатов (акта испытаний, использования, внедрений, ог'зывн, заключения) приведеш в приложении диссертация. ' - ■

‘ Основное содераание дпссетдапки оттатано з сладудши рабочих: ' '

1, Бородан БД., EpdiJseB В.И., Сгароэв С.?.,, Татарчекко

В.А. Исследование ге.мперзтуряого поля Ебдаи фронта крио--. галлизашл, - Изв. АН СССР, сзр. і|.аз., 1376, 40, Л ?, с. 1452-1455. ■ ~~ -

2. Borodin V.A., Davidora L.B., Erofn?v V.’I., OJiflnnov A.V., Sta.rtaev П.А., Tetarchr-ko V.A. The Lfftct of tha Solidification Г'1'otit "hape or ilia T^Kpi’raturt! Distribution in the- Crystel,- J.Crystel. Oror11;, 1973* 4<5* р.7!>7-7С'Я,

3. Ербфеев В.Н., Мелекгьвв А.Г,, Старцев С .А., Стыркао А.Д.

' Влияние формы фронта кристаллизации 'на- радиальное расп-

• ределение примесей стронция и натрия в кристаллах KCI. -Кристаллография, 1980, 25, в.I, с. 197 -198. .

4. Кондаков С.Ф., Ерофеев В.Н. Керамический материал. -

A.С; 1273350. .

' «

5. Воска Р., Ерофеев В.Н. Подсчете щелочно-галоидных кристаллов высокой чистоты. - Б сб.: 4т-д Международная школа спец, по росгг кристаллов,. Суздаль, 1980. сяепекг лекций, ч.2, М., 1930, сЛООтПЗ.

6. Ерофеев В.Н., Мелзнкьев А.Г., Надгорный Э.М., Пересада Г.И, Влияние дамешш на структурное состояние-двухвалентна арииесей в KCI. - ОТТ, 1976, 18_, с.2252-2255.

У. Бородулин J.E., Ерофеев В.Н. Получение кристаллов KCI с различной концентрацией кислородсодержащих примесей. -Изв. АН ССОР, Неоргая. матер., i983, if 2, O.I030-I03I.

8. Erofeev V.N., Gdrbunor A.V., Valkovsii 8.Н. Special Features of Optical Strength Change in Melt-grown :._CI CrybtelB. - Crystal Res.end Teohaol., 1983, JJ3, . 2, р.209-г12.

9. Бородулин E.E., Ерофеев В.Н., Телегин Г.Ф. Кристаллиза-

ция смеса хлоридов калия и натри. - Изв. АН СССР, Кеор-ган.-латер., 1988, 24, № 10, о. 1704-1708. -

Ю„Вальковский С.Н., Горбунов А.В., Ерофеев В,Н. Влияние ' примесей на свойства (ДГК, используемых в конструкционной оптике ИХ диапазона. - Препринт ИФТТ АН СССР, Черноголовка, 1983, 33 сг

II.Бронников А.Д., Вальковский С.Н., Годунов А,В., Ерофеев

B.Н., Нлассен Н.В., Кулаков М.П., Осиль ян Ю.А. ~ Нроход-ние оптические элементы для технологических С02 лазеров. -

- Мзв. /'Л СССР, Сер. $из., 1983, 47, & Й, с.1527-1532.

. 12.Балякия С.Н., Ерофеев В.Н. Высокотемпературная пластт- ,

, насть кристаллов KCI - УаСГ.- ФТТ, I98S-, 31, в.5,. с. 273-275.

13. Хартман 3., трофеев В.Н. Пошил проводимость смешанных '

' кристаллов KOI - л'аШ. - ФТС, 1986, 28, й 9, с. 2835-

- 283?. .

14. Erofoev V.H., Hartmann Е. Increnned Eleoto aal Condeoti-

vity in Alkali Halide Crystals.- Solifl State 1сп1с'я,19в8, 28-30, p- 241-244. .

15. Балякия C.il., Бородулин Е.Е», Ерофеев В.Н., Креме некая И.Н. Кристаллизация онешаяиьк щелочво-галовднюг соеда- _ пений. - Тезисы докладов 7 Всесоюзной конференция по росту кристаллов, ЦЦКАДЗОР, 1985, с. 17.

16. Balyakin 3,11., proves-» Т.Н., Monily&nokii D.M., Shekht-man V.S. In-vostigatlc of the Structure and Propsrtieo of KG1 - JJbGI Crystals at Elevated Temperatures, -Kiys. Stat. Sol.j 1985,115, p.199-205.

17. Балякин C.H., Ерофеев В.Н. Расслоение в ci-Леие I. Л -

- УлС1. - Препринт ЙФТТ АН СССР, Черноголовка, 1909, ■

56 с. ‘ '

тя. Ьа гкпн С.Н., Бородулин Е.Е., EooTicqb В;Н. Способ получения кристаллов для ШС опуякл на основе смеоа KCI -

- //д01. - А.с. 1443482. . . '

ХУ. Ерофеев В.Н., Сгнркас А,Д. Опгячесвйй материал на основе щплочко-галозднкх соединений v. способ его получения.

- А.с. I3oG272, а.о. 1430374. •

2С.; Балякши C.1I., Вро^еов В.Н. Способ шрагашэияя см°^лн.тот кристаллов КС! - УаС1,- - А.с. 1529784. .

21. Балякпя С.Н., Ерофеев В.Н., Осыпьте Ю.А,, 1Гересядя Г.П..

Нояяговскяй Е.Г. - к.с. 266253. .

22. Ьалякин С.К., Ерофеев О.Н., Пер гола Г.К., Xnrwo Электропроводность обрчбог "них плгленпеч криогрлл^--KCJ. - ФТТ, 1987. 29, № 7. о. 21 КЗ - ?МУ.

23. Еалякин С.Н., Борясенко Е.В., ГрЯг.-ев fi.li., Кс:г-|Г“р°71 Й.В, Lri'jcoo copa'iorK'i (галочно--!'.'' юпдтл'.. гер" 'тп^т. ~

А, с. 1Р.у|.'»о5. ■ ' ■

Й4. Абрамов О .В., Борисенко Е,Б,, Ерофеев В.Н.* Пласгифика-' • ЦМП крвсгаядов КС1 под дейсгнием ультразвуковой КаВЕЕП-щюнноа обработки. - Д.Ш СССР, 1989,' 300, й 5, с.Ш9 -

- 1122. .. ‘ " ’

25, Борйсеикб Б«Б«, Ерофеев В.Н., Кпмерев Э.В. Пластичное» иблсляо-галошпях крнскллов иосае ульграеБуко-вой кавитйциониой обработки, - Преприп? ИФТТ АН СССР, ' Черноголовка, 1989, 17 с.