Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

■ У А

Московский институт электронной техники (Технический Университет)

На правах рукописи. Экз. Я _

ШОКИНА ДЖУЛЬЕТТА ИВАНОВНА

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТОК В ВОДОРОДЕ НА ЭВОЛЮЦИИ ПРИМШЮ-ДИЕКШОЯ ПОДСИСТЕШ КРЕМНИЯ

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 1995

Работа выполнена в • Центре фундаментальных проблем иикрозлектрошки при Московском институте электронной техники.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

в.н.с. Вернер И.В.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

в.н.с. Данилин A.B. кандидат физико-математических наук, с.н.с. Авдиенко A.A.

Водуцая организация: Государственный научно-исследовательский

Институт физических проблем им. Ф.В.Лукина.

•Защита состоится "_" _ на заседании

диссертационного совета Д.053.02.02 Московского института электронной техники (Москва, 1034Э8). С диссертацией можно ознакомиться в библиотека Ш.

Автореферат разослан " « 1995г.

Учошй секретарь диссертационного совета

B.U. Орлов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. На новом этапе развитая микроэлектроники при переходе на субмккроняыэ и нансметровае размеры и новую элементную базу' стандартные технологические приемы в значительной мере себя исчерпывают. Сказывзотся недостаточным преаапгй подход, когда дефекта рассматривались только как недостаток, который необходимо устранить. Возникает необходимость в разработке, исследовании!! и внедрении новых физико-тбхнологичоских подходов, основанных на целенаправленном формировании и управления свойства'®! примесно-дефектной годсистемы' полупроводников как "единого целостного образования. Важным компонентом этого' подхода является генерация и управление потоками вакансия и собственных междо-узельных атомов, 1а направленное взаимодействие с пргелесяга и другими дефектами с целью "конструирования" примесных распределений нужных конфигураций. В частности в качестве источника, стимулирующего генерацию вакансий и междоузельных атомов может выступать атмосфера на стащи термосбработок.

Цель» работа явилось исследование и разработка способов управления параметрами примесно-дефектной подсистемы кремния и поведением ионно-имплантированного бора.с помощью терма-обработок в водороде.

В качестве базовой легирующей примеси был выбран бор. Это связано с тем, что в силу ряда специфических свойств, атом бора в кремнии исключительно -сильно взаимодействует с собственными точечными дефектами кристалла: вакансиями и мевдоузольными атомами, являясь, таким . образом, самым подходящим материалом для исследования и конструирования примесно-дефектной подсистемы кремния.

Для достижения поставленной цели решались следующие научные задачи:

1. Исследовашш влияния атмосферы отжига на распределении ионно-имплантированного бора в кремнии. ,Выявлеш1е влия-

- 1 -

геш водородной среда отжига на электрофизические параметры и распределение примесного Сора по глубине.

2. Изучение влияние отжига в среде водорода на перераспределение иошю-иьтлшттровзнного бора и его миграция к поверхности в образцах кремния, предварительно отожженных в

• различных (нейтральной - и инертной - Аг) сродах.

3. Изучение алияшш на распределение Сора в кремнии процессов предварительной аморфизащв: и отжига в разных сридах. влияния движения фронта твердофазной о пит аксиальной рекристаллизации (ТФЭР) на перераспределение бора в кремнии, а также пассивирующая роль водородного отжига. Разрабатывались способы получения свертонких легированных бором слоев кремния.

4. .'этодамк просгечиванцей электронной микроскопии исследовалась роль атмосферы отжигов в эволюции дефектной структуры кремния.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней:

1. Впервые предложен способ термообработки, при котором

• часть атомов бора не диффундирует вглубь пластины, а "подтягивается" к поверхности. Предложен возможней механизм этого явления.

2. Экспериментально исследован механизм воздействия химически активной атмосферы водорода на распределение примесного бора в кремнии.

3. Установлено, что предварительный отжиг в атмосфере азота "фиксирует" status quo, и последукшй отжиг в водороде практически не влияет 4 на. распределение примеси. Предлоконо объяснений этого явления, заключающееся в том, что проникающий в приповерхностную область азот образует соединения с атома,г.! бора и кремния, а также оксинитридае кластеры, • снижающие подвижность точечных дефектов.

4. Установлено, что отжиг в водорода петле предварительного отжига в инертной атмосфере приводит к заметному "подтягиванию" профиля бора кповерхности я' умапьшошиз

?, глубины залегшим р-n перехода.

Ь. Разработан способ создания сверхтонких <0,12 мкм).

-г-

легированных бором слоев кремния.

6. Обнаружено, что термообработка в среде водорода . приводит к исчезновению крупных дислокационных петель мездо-узельной природа, что можно использовать для улучшения качества приповерхностной области кремния.

На защиту вшосятсл:

1. Механисм воздействия отжига в среде водорода на перераспредэлешге бора, заключающийся в следующем: Отжиг в определегашх нами режимах в зрэде водорода приводит к генерация потока вакансий с поверхности кремния вглубь пластины, который стимулирует встречный поток атомов Сора, мигрирующего по вакансиям.

2.Результаты исследования роли предварительного отжига показавшие в частности, что отжиг в среда азота нейтрализует описанный вше механизм, т.к. азот, проникая в кремний, образует комплексы с атомами бора и кремния, а также окси-нлтридные кластеры, которые снижают подвижность точечных дефектов.

л. Результаты изучения эффекта "подтягивания" профиля примеси к поверхности и уменьшения глубины запоганил р-п перехода с помощью отжига в среде, водорода после предварительного отжига в инертной среде.

4. Результата исследования изменения .качества приповер-. хностного слоя, уменьшения размеров дислокационных петель почти на порядок с помощью потока вакансий! генерируемых на поверхности кремния при отжиге в водороде.

Научно-практическая значимость работы: ^

Влияние градиентов точечных дефектов, возникавших в результата внешнего воздействия, на трансформацию примесно-дефектной подсистемы полупроводников можно использовать нэ только для создания мелких р-п переходов. Направленное изменение потоков вакансий и/или собственных мекдоузельяых атомов открывает возможность для практического внедрения в мик-' роэлектронную технологию так называемой "инжанерии дефектов". С помощь» этого метода становятся доступными процессы "конструирования" примесных распределений нужной' конфигура-

цни, организация новой Форш активного гетгерирования и т.п.

В качестве внешгаго источника мояот выступать не только среда водорода, как в данной работе, но и другие активные среды или стимулированные твердофазные реакции на поверхности полупроводника (например, реакции '.при иодао-кцдуцированном синтезе силицидов).

Предложенные и исследованные метода формирования и управления примесно-дефектной подсистемой кремния могут С5ыть использованы в постановке новых подходов при разработке элементной базы СБИС. В субмикронноЯ технологии практическую ценность представляет способ создания мелких р+-п переходов, а также способ "очистки" приповерхностных слоев кремния от ичкродзфектсв с применением термообработки в водороде.

Апробация работы.

Результаты работы обсуждались на всесоюзных конференциях в городах Тбилиси, Минске и Каунасе, опубликовали в журналах "Микроэлектроника" и "Электронная промышленность".-Получено авторское свидетельство на изобретение.

Публикации. Но теме работы имеотся б публикация.

оегьеи работы. Диссертация состоит из введения, 5-ти глав, основных выводов, заклвчекия и, списка цитируемой литературы. Представлена на 117 страницах машинописного текста, содержит 12 рисунков. 5 таблиц и библиографический список, включающий 110 наименований литературных источников.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении дано обоснование актуальности и важности исследования процессов взаимодействия примесей и точечных дефектов в основном для бора в кремом, сформулирована цель работа и порачислеш научные задачи, решаемые для достижения поставленной цели.

В первой главе проведен аналитический обзор работ, посвященных экспериментальным и теоретичеаким исследованиям примесно-дефектной подсистемы кремния.

Класс дефектов, которые можно использовать для управления профилем распределения примеси, составляют дефекта вакансионного типа. Они могут генерироваться при травлении поверхности, различных химических реакциях на гэтерогенных границах раздела и диффундировать вглубь кристалла. При наличии в системе потока вакансий следует ожидать возникновения противоположно направленного потока примеси, особенно если механизм диффузии этой примеси связан с дефектами вакансионного типа. Стимулирование и исследование этого эффекта с целью управления профилями распределения примеси и, в частности, получения мелких р-п переходов, тонких р+--слоев, является одной из целей настоящей работы.

Волглую роль в формировании примесно-дефектной подсистемы играет водород, который характеризуется высокими коэффициентами диффузии, проявляет большую активность в ооразо-юлии комплексов с примесями и дефектами, способность взаимодействовать с поверхностью кремния с образованием вакансий, способность к пассивации донорных и акцепторных уровней в кремнии и др.

С точки зрения управления профилями распределения при-мссей в кремнии наибольший интерес представляет способность водорода генерировать вакансии при взаимодействии с поверхностью кремния. Отмечено, что в широком диапазоне температур взаимодействие водорода с поверхностью приводит к активному травлетж. Интересующий нас температурный интервал, в кото^

- 5 -

ром резко (на 2-3 порядка) снижается скорость травления и становится возможным рассмотрение процесса генерации вакансий, находится вблизи 700°С.

Во второе главе проведен анализ уравнений кинетики для концентрации вакансий. Показано, что существуют и могут быть определены критические значения параметров системы, при которых возмущение стационарных состояний вакансионных дефектов начинает возрастать. То есть, система становится неустойчивой и переходит в режим интенсивного накопления вакансионных дефектов в области, близкой к источнику генерации (приповерхностная область). Как показали оценки, температура, соответствующая такому переходу, составляет ириморно 700*С. Именно вблизи этой температуры процесс взаимодействия атомов третьей группы с вакансиями оказывается наиболее ¡штенсивнш. движение бора в область максимума концентрации вакансионных дефектов становится предпочтительным. Таким образом, в концентрационном поле вакансий происходит возникновение встречного восходящего потока примоси, диффундирующей по вакансионному механизму.

Представлены результаты нескольких серий экспериментов по исследованию влияния различных термообработок на глубину залегания р-п перехода и поверхностное сопротивление пластин кремния.

В первой серии экспериментов измерены глубина залегали р-п переходов и поверхностное сопротивление в образцах кремния, в которые йосло предварительной эморфпзации было проведено внедрение ионсв бора. Отжиг радиационных дефектов осуществлялся в средах азота, аргона, кислорода и в химически активных средах водорода и газообразного фтористого водорода при температурах 700-950°С. Часть образцов после отжига в а-юте или аргоне проходила дополнительную термообработку в среде водорода при 700'С. Глубина травления поверхности в химически активной среде оценивалась по величине ступеньки травления. При воздействии среда Нр она во всех случаях не превышала 0,05 мкм.

Ан ишз результатов этой серии экспериментов позволил

сделать следующие швода:

1) При отжиге иашюлегированного сором кремния в среде водорода получаются значительно меньшие глубины р-п перехода по сравнению с отжигом в инертной, нейтральной и окислительной средах.

?> Дополнительный отжиг в водороде предварительно отсиженных в разных средах образцов приводит к уменьшению глубины залегания р-п перехода на величину превышающую толщшу стравленного слоя. Показано, что с применением дополнительного отжига в водороде можно получить р-п переходы на глубине <0,2мкм

Это объясняется тем, что при отжиге в водороде поток вакансий с поверхности подавляет междоузельную компоненту диффузии бора. Появляется компонента встречного (восходящего) диффузионного потока атомов бора, пропорциональная градиенту концентрации вакансий. Уменьшение глубины перехода в -этом случае отчасти связано с этим потоком атомов бора из области "хвоста" примесного профиля к поверхности.

Использований в качестве легирумцеЙ примеси вместо ' ионов В* ионов приводит к существенному уменьшению глубины р-п перехода, т.к. в этом случае снижается эффективная энергия ионов бора. Сочетание имплантации ионов ЕР* и отжига в водороде позволило- достигнуть уменьшения глубины залегания р-п перехода до 0,12 мкм.

В третьей главе диссертационной работы приводятся и анализируются результаты исследования зависимости профиля распределения примеси от- условий последунцей термообработки - среда, температуры и времени.

В пластины р-кремния проводилась имплантация бора; Затем осуществлялся термический отжиг (ТО) в средах сухого азота и водорода. Режимы имплантации, времена и температуры отжига, варьировались.

Профили примеси бора снимались на установке 1Шз-4У фирмы "Сатеса" (Франция) по пяти независимым выборкам по образцам, обработанным в одинаковых условиях. Из сопоставления профилей концентрации атомарного бора по глубине для образцов кристаллического кремния после отжига при разных

7 -

температурах в течение 1 часа в средах азота и водорода видно, что профиль концентрации Сора после отжига в водороде вблизи поверхности расположен вше, чем профиль после ТО в азоте, а в глубине пластшш - наоборот, причем этот эффект сильнее вирахон при Т=700'С, слабее при 500"С и 900"С.

Полученные экспериментальные результаты свидетельствуют о том, что в процессе термообработки иош!о-имплантированных бором слоев кремния в среде водорода происходит смещение примесных атомов к поверхности на расстояние примерно 0,1 0,2 мкм. Это подтверждает предложенный нами кехэ&зм перераспределения примеси бора к поверхности, при термообработке, сопровождающейся генерацией и диффузией вакансий. При этом влияние температуры на смещение примеси к поверхности болов заметен при температуре 700°С, чем при температурах Ь00°С и 900°С, что подтверждает сделанные нами ранее оценки. С другой стороны, в интервале температур 600 - 700°С бор наиболее скгонец к проявлению вакансионного механизма миграции. Суммарное воздействие этих двух факторов, приводит к активизации встречного потока примеси и, как следствие, сметешю к поверхости профиля ее распределения.

При одностадийном ТО в среде водорода тплтггщюватюго бором крешшя изучаемый нами эффект выражен слабо, т.к. про-истодит наложении на этот эффект процессов отжига радиационных дофетов. Кроме того, оптимальная температура ТО в водо-' риле составляет, как было показано выше, около 700*С. Для полной актюшции примеси и отжига дефектов, вызванных имплантацией бора, этой температуры недостаточно. Поэтому представляло интерес исследование распределения примесного бора по'уш отжига в нейтвалыюй и инертной сродах и затем дополнительного отжига в среде водорода.

Ь нластини кремния п-типа проводилась имплантация ионов В". После этого часть пластин отжигалась в среде азота, другая часть в среде аргона. После снятия тестовых ВИМС-щюфилай все образцы отжигались в водороде. Варьировались промена и температуры отжига.

Из анализа профилей концентрации Сора в образцах с

- •8 -

предварительным отжигом в среде аргона видно, что в резуль тяте дополнительного отжига в водороде происходит "подтяги ваше" (смещение) профиля примеси к поверхности, причем ггри тимпарэтуре отжига в водороде 700°С эффект выражен сильнее, чем при 650*С. В образцах, отожжошшх в азоте, посла допол нитольного отжига в водороде но обнаружено измонения формы профиля распределения примеси, выходящего за пределы точ ности измерений. Были иселодоват.' особенности порераспродо лепя концентрации бора погле изотермического (700°С) и изо хронного (Т=30 мин) отжигов. Показано, что гаэриации температуры и времени отжига в водороде но влияют па форму профиля, а разница в концентрации но провышаот погрешности ЫШЗ методики.

Предложено. слодуюцое вероятное объяспонио последашх результатов: азот, проникая в приповерхностную область кремния образует' комплексы с атомами бора и с кремнием. Имею- . щийся в приповерхностной области в большом количестве кислород достраивает структуру до оксинитрида. Нитридпые и окси-нитридше комплексы, по результатам исследований некоторых авторов, препятствуют движению точечных дефектов. В нашем же случае наличие таких комплексов может тормозить продвижение вакансий, генерируемых на поверхности, вглубь кромния, и, соотвотстьенно, обусловливает уменьшение их влияния на распродвлешо примеси бора.

В четвертой главе исследовано воздействие термообработки в среде водорода на процессы эволюции макродефектов в имплантированном бором кремнии.

1) эксперименте использовались пластины кремния ориентацией (100), которые были подвергнуты ионной имплантации В* с энергией 100 кэВ и дозой 1,875-101г см~г, в описанных выпе режимах. Затем идентичные образцы отжигались в разных средах: в азота и в ьодородо при температуре 700° С в течение 4-х часов. Для исследования внутренней дефектной структуры образцов использован метод просвечивающей электронной микроскопии (1Ш). Исследования проведены на микроскопе СМ-30 при ускоряющем напряжении 200 кВ. МикроязоОражения получены в

9

имнополыюм режиме наблюдения. Исследованы микроизображдаия оЛрпзцос после отжига в азоте и водороде.. На образцах отрж- >. ¡к1 "них и азоте наблюдаются дислокационные петли разных размеров: крупные петли размером до 0,Ь мкм и мелкие петли размерами по более 0,1 -- 0,2 мкм. Размеры дефектов в образцах отожженных в водороде порядка О.ОЬ - 0,1 мкм, т.е. существенно меньше, чем после отжига в азоте и практически нет крупных дислокационных петель.

отсутствие крупных петбль междоузельной природы после отжига в водороде может быть объяснено их растворением, поскольку при отжиге в водороде происходит, во-первых, диффузия вакансий в кремний, вогвторых, проникает водород,-которым связывается междоузельный кислород. Тэким образом, можно сделать вывод,, что отжиг в водороде можно использовать для улучшения качества приповерхностной области кромния.

Исследованию методом ПЗМ подвергались также образцы, поел о изохронного отжига в водороде, прозедиие предварительную амортизацию в описанном выше режиме и ТО в среде азота (Т=950°С, 30 мин.). Вторичный ТО проводился в водороде (15 мин., 1 час и 4 часа).

Общей особенностью- для всех типов исследованных образцов является наличие узко локализованной зоны дислокационных петель в глубине пластины. Расположение этой зоны в образцах, отожженных в азоте начинается с' глубин (^0,2 мкм) и растет со временем отжига в водороде до 10 (1 мкм), где ^ - экстшшционное расстояние.

Наиболее вероятным механизмом перемещения дислокационной зоны вглубь пластины является скольжение петель под дей-• стянем упругих напряжений. При этом следует ожидать заметного "очищения" приповерхностного объема, т.к. скользящие дислокационные петли "заметают" большой объем кристалла. Косвенным подтверждением этому служит высокое кристаллйчес- . кое совершенство толстого приповерхностного объема в образцах, отожженных в водороде в течение 4 часов. Такой способ низкотемпературной одаортадийной очистки приповерхностной области кромния от дислокаций может найти практическое

применение в технологии СБИС.

В пятой главе приводится оценка влияния нл перераспределение примеси борз и глубину залогпния р п перехода таких, сопутствующих отжигу в водороде, факторов как движение фронта твердофазной эпитакси'злыюй рокристал лизации и пассивация бора при отжиге в водороде.

Явление твердофазной эпитаксиальноЯ рекристаллизации (ТФЭР) представляет интерес с точки зрения использования движения фронта рекристаллизации для дополнительного "¡юдтл гипания" примоси к поверхности и уменыгсния глубины р-п порехода. Известно, что этот процесс наиболее заметно проявляется для примесей с большими атомными радиусами и нешсо кичга коэффициентами диффузии. Хотя для бора этот процесс выражен слабее, учет .влияния ТФЭР на перераспределение, иотю-имплантированного бора представляется необходимым.

Для проведения предварительной аморфизации были исполь-зопаны режимы ступенчатой имплантации кремния в кремний. Имплантация бора проводилась с. энергией 40 кэВ с дозой 1,875.ш'2 см~г. Термообработка проводилась в среде азота. Исследование перераспределения бора в предварительно аморфи-зованных образцах после отжига позволяет оценить величину вклада движения фронта ТФЭР как разность концентраций ионов бора в максимумах соответствующих кривых. Из анализа профи-лой распределения бора видно, что термообработка в условиях ТФЭР приводит к увлечению примеси к поверхности. Характерная величина смещогсш составляет ОДмкм.

Как извоспю, на глубину залегания' р-п перехода сутест-вешюе влиянио оказывает фактор пассивации примеси акцепторного типа водородом. Смешение р-п порехода после водородного отжига более существенно ( 0,2 мим), чем это можно ожидать исходя из сравнения ВИМС - профилей концентрации атомарного бора поело термообработок в резных средах. Поэтому, для оценки роли пассивации бора водородом представляло интерес снятие профилей электрически активного бора и сравнении их с профилям:! атомэрн'ого бора, полученными методом ВИМС.

Профили распределения электрически активной примеси

- 11 -

оора определялись на структурах типа р+-р с барьером Шоттки, ооразовашшм контактом ртутного зонда к исследуемому р*-слою кремниевой подложки, с помощью снятия, дифференцирования и математической обработки на ЭВМ C-V характеристики этой структуры. Выбор в качестве контакта для формирования барьера Шоттки ртутного зонда . определяется не только попишсшгем оперативности измерений, но и тем, что в этом случао ми уходим от необходимости проводить термообработки (для пжигания контактов или нанесения диэлектрика), которые. 1. той или иной мере деформируют исследуонмй профиль распределения примеси. Измерения проводились на установке Automatic Doping Profiler (Material Developement Corp., USA), со ртутным зондом. Рассчитанные на ЭВМ значения концентрации N(X) и соответствующие глубины залегания прообразовывались в аналоговую форму с помощью цифроана-договых преобразователей и регистрировались на двухкоор-динатном самописце.

Сравнение показывает, что профиль распределения активной примеси бора после отжига в азоте лежит выше чем профиль бара после отжига в водороде, что хорошо коррелирует с д.'!!пшми о пассивации в водороде других авторов. Такое снижение концентрации активной примеси и обуславливает дополнительное смещение р-n перехода к поверхности.

Я процессе выполнения настоящей работы получены следующий основные результаты:

1. Изучено влияние среды термообработки на эволюцию примесно -дефектной подсистемы кромпия. Сопоставлено влияние тормообработки в химически активной, инертной и нейтральной среде на перераспределение ионно-имплантированного бора. Показано, что термообработка в условиях генерации избыточной концентрации вакансий (например, в среде водорода) приводит к смещению примеси к поверхности. Полученный эффект объяснен шзншшовешем потока неравновесных вакансии от поверхности, стимулирующего встречный поток примеси к поверхности.

2. Изучена роль предварительной термообработки в азота

и аргоне на перераспределение примеси при термообработке в среде водорода. Показано, что термообработка в азоте препятствует перераспределению примеси, что объясняется возникновением иитридных и оксшштридннх комплексов, связывающих вакансии, и снижает эффективность работы предложенного механизма перераспределения примеси.

3. Используя эффект "подтягивания" примеси к поверхности получен тонкий р+-п переход на глубине 0,12 мкм. '

4. Исследованы сопутствующие технологические факторы, влияющие на уменьшение глуошш р+-п перехода такие, как твердофазная эпитаксиальная рекристаллизация и пассивация.

Ь. Обнаружены .и исследованы эффекты влияния среды водорода при отжиге на эволюцию линейных дефектов структуры кремния. В частности, выявлено явление "рассасывания" крупных дислокационных- потель мехдоузельпой природы, что можно использовать для улучшешш качества приповерхностной области кремния.

Основные ■ результаты диссерт-зции опубликованы в следующих работах:

1. И.В.Ворпор, С.К.Максимов, А.П.Мажирин, Д.И.Тасоева, В.В. Цуканов, Л.И.Шогаш. Микроэлектроника, т.1Э, вып.4, 1990, с.413 "Получешю иошгалегировашшх бором слоев кремния неглубокого залогания при использовании - химически активной сроды отжига".

2. Голицкая Т.Г., Голубков-В.Б., Минаев В.П.. Мкртычян Э.М., Тасоева Д.И. "Поведение внедренного азота в имплантированных Оо[юм слоях кремния" Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приооров. Тоз. докл. 4-й Республ. -конф. мол. . учешя- и специалистов. Тбилиси,-1980, с.149.

3. Балычогаю A.A., Еернер И.В., Максимов С.К., Тасоева Д.И. "Перераспределение ионно имплштфовашюго • бора в кромшш при отаан'о в среде водорода". Всесоюзная конференция "Поило-лучевая модификация • материалов" Тезисы догаадов.

Каунас. 16-17 мая 1989, стр. 141.

4. Балцчеико A.A., Макаров В.В., Вернер И.В., Тасоева Д.И., Шокин А.Н. "К вопросу о механизмах смещения профиля ионно-имплантировашюго бора к поверхности кремния в процессах термохимического отжига". Микроэлэктроняка, 1992, т. 21, ши. 3, стр. 82. _ '

Ь. Авторское свидетельство J* 1Б8И26 от 20.10.83. Способ изготовления тонких легированных слоев кремния. /МИЭТ; авт.: И.В.Вернер, Н.Н.Герасименко, С.К.Максимов, Д.И.Тасоева,. В.В. Цуканов, А.Н.Шокин.

6. Шокина Д.П., Вернер И.В., Кириленко E.JI., Шокин А.Н. "Перераспределение примесного бора в кремнии при отжиге в водороде". Элоктронная промышленность. 1994, № 2, с.18-21.

Заказ 29. Тирах Т5. Объев 0,5 уч. изд. л. Отпечатано типографией МИЭТ (ТУ).