Влияние ультразвука и света на диссипативные свойства кристаллов CdS тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им М.В.ЛОМОНОСОВЛ

Н Г О С Д Физический факультет

2 4 НОВ

На правах рукописи УДК 548.4: 534

Полякова Ирина Григорьевна

Влияние ультразвука и света на диссипативные свойства

кристаллов Сс18

01.04.07- физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискаиие ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В.ЛОМОНОСОВА

Физический факультет

На правах рукописи УДК 548.4: 534

Полякова Ирина Григорьевна

Влияние ультразвука и света на диссипативные свойства

кристаллов Сс18

01.04.07- физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Работа выполнена на кафедре молекулярной физики и физических измерений физического факультета Московского Государственного Университета им. М.В.Ломоносова

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Н.А.Тяпунина

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Е.К.Наими

доктор физико-математических наук, профессор А.А.Урусовская

Ведущая организация:

Тульский Государственный Университет

Защита состоится /¿бЪС^А*- 1997 года в часов на заседании Диссертационного совета N1 (К 053.05.19) отделения физики твердого тела МГУ по адресу: 119 899, ГСП, г.Москва, Воробьевы горы, МГУ, физический факультет, ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

Автореферат разослан 1997 года

Ученый секретарь

Диссертационного совета N1 (К 053.05.19) ОФТ, кандидат физико-математических наук х И.А.Никанорова

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Вопрос о взаимодействии ультразвука с элементарными возбуждениями решеточной и электронной подсистем в полупроводниковых кристаллах относится к числу фундаментальных проблем физики твердого тела и является актуальным. Интерес к этой проблеме в настоящее время возрастает в связи с развитием акустоэлектроники и акустооптики.

Кристаллы С(1Я - полупроводниковые соединения с ярко выраженной фотопроводимостью; они обладают пьезоэлектрическими свойствами более сильными, чем у кварца; для них характерен фотопластический эффект (эффект Осипьяна). Эти кристаллы могут использоваться в акустоэлектрошисе, а также могут служить квантовыми генераторами с электронной накачкой. Изучению изменения свойств СёБ под действием различных полей посвящено много работ. Приводимые в них результаты далеко не всегда согласуются друг с другом. Нет единой точки зрения и на природу наблюдаемых эффектов.

Целью данной работы являлось выяснить влияние ультразвука и света на диссипативные свойства кристаллов Сей и оценить вклады электронной и решеточной подсистем во внутреннее трение кристаллов в условиях раздельного и совместного действия ультразвука и света.

Научная новизна и практическая значимость работы. Впервые в работе экспериментальные исследования проведены на несветочувствителъных по диссипативным свойствам и светочувствительных образцах СсШ в широком интервале амплитуд ультразвука и при длительном освещении светочувствительных образцов. Исследования проводились методом составного пьезоэлектрического осциллятора. В данном методе ультразвуковое поле создается пьезокварцем, а не за счет собственного пьезоэффекта СбБ, что позволило проводить испытания и при условиях, когда пьезоэлектрические свойства СёБ не проявляются. На серии из 39 образцов СёБ получен большой объем новых экспериментальных данных. Показано, что процесс ультразвукового воздействия на низкоомные несветочувствительные образцы СсВ протекает в несколько стадий. По мере увеличения амплитуды ультразвука в определенных интервалах амплитуд активизируются различные процессы, приводящие к изменениям состояния системы дислокации - закрепляющие их центры.

Большой интерес представляют эффекты, обнаружегаше в высокоомнътх светочувствительных кристаллах. Это - скачком изменяющиеся при освещении образцов амплитуда относительной деформации и внутреннее трение <2Л.

Впервые показано, что под действием ультразвука может происходить инверсия знака реакции на свет диссипативных свойств высокоомных кристаллов СёБ, и что этот эффект обусловлен изменением соотношения между числом донорных и акцепторных центров.

Все полученные в работе результаты являются оригинальными и с научной точки зрения важны для более глубокого понимания причин изменения физических свойств кристаллов под действием ультразвука.

На защиту выносится следующее:

1. Результаты экспериментальных исследований, проведенных на несвето-чувствителышх и светочувствительных образцах СёБ со структурой вюрцита в широком интервале амплитуд ультразвука и при длительном освещении светочувствительных образцов. Опыты проводились в килогерцевом диапазоне частот при комнатной температуре.

2. Процесс ультразвукового воздействия на низкоомные несветочувствительные образцы Сс15 протекает в несколько стадий. В определенных интервалах амплитуд ультразвука активизируются различные процессы, приводящие к изменениям состояния системы дислокации - закрепляющие их центры.

3. В высокоомных светочувствительных образцах при переходе от темноты к свету происходят скачкообразные изменения амплитуды относительной деформации в0 и внутреннего трения > при этом скачком уменьшается резонансная частота составного осциллятора/р.

4. Под действием ультразвука изменяется величина скачков амплитуды относительной деформации и внутреннего трения (Де° и Д2"1), возможно даже изменение их знака.

5. Основной вклад во внутреннее трение низкоомных (несветочувствительных) образцов вносит дислокационный механизм потерь.

6. В темновое внутреннее трение высокоомных (светочувствительных) образцов вносят вклад как электронная, так и дислокационная подсистемы, причем вклад электронной подсистемы может превосходить вклад дислокационной подсистемы. На свету основной вклад в диссипативные свойства высокоомных образцов вносит дислокационная подсистема.

7. Уменьшение резонансной частоты составного осциллятора при переходе от темноты к свету обусловлено изменением электрических свойств образцов Сей за счет появления фотоэлектронов.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на Международной конференции "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений" (г.Тамбов, 1996г.), на III Международной школе-

семинаре "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах" (г.Барнаул, 1996г), на Международной научной конференции "Проблемы фундаментальной физики" (г.Саратов, 1996г.), на Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-97" (г.Москва, 1997г.) и на IX Международной конференции "Взаимодействие дефектов и иеупругие явления в твердых телах" (г.Тула, 1997г.).

Основные результаты диссертации опубликованы в 3 статьях и 3 тезисах докладов.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и выводов. Содержание работы изложено на /03 страницах, включающих страниц основного текста, 77 рисунков и таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель диссертационной работы и определен метод исследования. Здесь же приводятся основные положения, которые выносятся на защиту.

Первая глава является вводной и посвящена обзору литературы по тематике диссертации.

Приводятся данные о типах точечных дефектов и дислокациях, возможных в кристаллах СсВ со структурой вюрщгга. Освещается вопрос об электрической активности дислокаций, обусловленной оборванными связями и пьезоэлектрическими полями, создаваемыми дислокациями. Приводятся данные о различных физических свойствах СсЗБ, в том числе о фотопластическом эффекте.

Дается краткий обзор работ, в которых изучалось влияние ультразвука на оптические и электрические свойства СёБ.

Большая часть первой главы посвящена обзору известных автору работ по исследованию влияния ультразвука на диссипативные свойств Сс1Б. Анализ этих работ показал, что важным источником внутреннего трения в килогерце-вом диапазоне частот являются дислокации, а именно их взаимодействие с точечными дефектами. Особое внимание в данной главе уделено исследованиям совместного действия ультразвука и света на диссипативные свойства СёБ.

Сопоставление опубликованных данных показало, что полученные разными авторами результаты не всегда согласуются между собой, а зачастую и противоречат друг другу. Нет и общепринятого мнения о механизмах, приводящих к изменению физических свойств СёБ в ультразвуковом поле. Поэтому

представляется интересным и актуальным продолжить накопление экспериментальных данных о влиянии ультразвукового поля и освещения на физические свойства кристаллов СсЙ.

Вторая глава содержит описание техники эксперимента и данные об исследованных образцах.

Для ультразвукового воздействия на образцы использовался составной пьезоэлектрический осциллятор, который состоит из пьезокварца, исследуемого образца и соединительного слоя, обеспечивающего акустический контакт [1]. Эксперименты велись на частоте первой гармоники. При соблюдении резонансных условий по длине составного осциллятора возбуждается стоячая продольная волна смещений и соответствующие ей волны деформации и напряжения. Данный метод позволяет следить за изменениями состояния образца по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) и амплитудно-частотным характеристикам составного осциллятора, исследовать внутреннее трение и дефект модуля Юнга.

Приводятся сведения об исследованных образцах, а именно: их кристаллографическая ориентация, которая характеризуется углом 0 между осью 6-го порядка и продольной осью образца; значения модуля Юнга и пьезоэлектрические модули, характерные для кристаллографических направлений, вдоль которых распространялась ультразвуковая волна. Даны ориентационные факторы, определяющие вклад различных систем скольжения во внутреннее трение, и факторы Шмида для базисных и призматических систем скольжения Сс18. Приведены результаты измерений электрического сопротивления образцов и емкости составного осциллятора, измеренные на свету и в темноте. Важным фактором для анализа взаимодействия ультразвука и электронной подсистемы является соотношение между частотой ультразвука со и частотой релаксации проводимости сос. Результат расчета последней для исследованных образцов также приведен во второй главе.

Исследованные образцы Сс18 по физическим свойствам можно было разделить на три группы: низкоомные в исходном состоянии; высокоомные в исходном состоянии; высокоомные, легированные серой. В качестве критерия для разделения образцов на группы было взято соотношение между частотой релаксации проводимости сос в темноте и частотой ультразвуковых испытаний со, поскольку соотношение между сос и и существенно определяет поведение кристаллов Сей в ультразвуковом поле [2].

К числу низкоомных относили образцы с таким темновым удельным сопротивлением, при котором частота релаксации проводимости в темноте

больше частоты ультразвука (мс > со). При освещении таких образцов их удельное сопротивление могло уменьшаться внутри порядка за счет фотопроводимости, по это не приводило к изменению соотношения между сос и ю.

Высокоомными считались образцы с таким темповым удельным сопротивлением, при котором частота релаксации проводимости была меньше частоты ультразвука (гас < со). При освещении этих образцов их удельное сопротивление уменьшалось на 4-5 порядков, что приводило к изменению соотношения между частотой гас и га на обратное (юс > а).

Третью группу составляли образцы СёБ, отожженные в парах серы. Их темповое удельное сопротивление таково, что выполняется соотношение юс < ©, следовательно, образцы этой группы являются высокоомными. При освещении их удельное сопротивление уменьшается на 1-2 порядка, но этого было недостаточно, чтобы изменить соотношение между частотой релаксации проводимости и частотой ультразвука.

В третьей главе описаны результаты исследовшшя влияния ультразвука на диссипативные свойства низкоомных кристаллов СёБ. Испытания, проведенные в режиме "темнота-свет", показали, что диссипативные свойства низкоомных кристаллов не меняются при освещении. Измеренные при малых амплитудах деформации значения внутреннего трения для серии из низкоомных образцов существенно различались. Даже для образцов с близкой кристаллографической ориентацией значения внутреннего трения для разлиттых образцов отличаются ~ в 25 раз. Поэтому для установления закономерностей влияния ультразвука на диссипативные свойства низкоомных кристаллов более целесообразно проводить многократные ультразвуковые испытания на отдельных образцах. Для дальнейшего исследования были выбраны два образца с одинаковой кристаллографической ориентацией (0 = 60° ± 1°), характеризующиеся наибольшей (№34) и наименьшей (№61) диссипацией энергии.

Образец №34 подвергался деформации ультразвуком 9 раз. ВАХ испытаний со второго по пятое и соответствующие им зависимости 01 (с0) имеют вид, подобный представленным на рис. 1 и 2. Вид ВАХ позволяет условно выделить несколько стадий воздействия ультразвука на образец (отмечены буквами на рис. 1). В качестве критерия для разбиения на стадии был взят характер зависимости Уы от времени (пунктирные кривые на рис.1) и наклон прямолинейных участков ВАХ. Интервалы амплитуд относительной деформации, соответствующие выделенным стадиям, отмечены на зависимости О'1 (е°) на рис.2 теми же буквами, что и на рис.1. (Т1 изменяется в зависимости от амплитуды деформации немонотонно: имеют место два пика внутреннего трения.

щ

1200 1000 800 600 400 200 0

2,0

1,8

1,6

f 1,4

о

„ * 1,2

о» 1,0

0,8

9 .; H-l : С ®

■TT Н ■; 1

-r-f-U-- -f-H-;- : : : . 'c )

-l-T-t-l- -4-1 i -1-4 -j-j-

в t "Oti"'!'" -•--•■ff- -r-f-i-i- F

Рис.1. ВАХ составного осциллятора с образцом ЛЬ34, полученная в 3-м опыте и зависимости (I) (пунктирные кривые)

Рис.2. Зависимость Q''(s°), соответствующая ВАХ составного осциллятора на рис.1 Белые кружочки соответствуют значениям Q'1, снятым в начальный момент времени при VSK = const, затемненные кружочки - установившиеся во времени значения Q'1, наполовину затемненные кружочки соответствуют значениям Q'\ которые не меняются в течение времени при = const

ю

15

20

10

25

■5 _

30

35

На основании анализа ВАХ по методике Наими [3] и анализа зависимости <2а (е°) с использованием теории Гранато-Люкке [4] удалось установить следующее:

- в интервале амплитуд б°, соответствующих участку АВ, внутреннее трение можно считать амплитудно-независимым;

- на участке СБ, которому соответствует первый пик на зависимости 0А (е°), имеет место отрыв дислокаций от закрепляющих их центров. Критическое напряжение для начала этого процесса составляет в первом опыте ~ 200 Г/мм2, в последующих опытах возрастает до ~ 400 Г/мм2;

- восходящие ветви 1-го пика в 2-5 опытах спрямляются в координатах Гранато-Люкке. Наклон этих прямых от опыта к опыту увеличивается. Тангенс угла наклона пропорционален отношению Рт / Ьс, где Рт - максимальная сила взаимодействия дислокации с закрепляющими центрами, Ьс - длина дислокационного сегмента между слабыми центрами закрепления. Рост Рт / Ьс от опыта к

опыту свидетельствует о том, что под действием ультразвука происходили изменения в системе дислокации - закрепляющие их центры; - на участке ЕР протекает другой процесс. На зависимости 0'] (е°) ему соответствует второй пик внутреннего трения. Для начала этого процесса необходимо критическое напряжение ~ 1200 Г/мм2. На основании имеющихся данных нельзя однозначно сказать, какой именно процесс имеет место на этом участке.

После 5-го испытания образец отдыхал при комнатной температуре. 6-8 испытания проводились спустя 2 года, а 9-е по прошествии еще одного года. В результате длительного отдыха и последующего ультразвукового воздействия поглощение ультразвука в этом образце значительно уменьшилось. Отношение {'вХ /Ущ, которое служит мерой диссипации механической энергии, изменилось от 50 в пятом испытании до 6 в девятом.

Образец № 61 подвергался ультразвуковому воздействию 7 раз без длительных перерывов между испытаниями. ВАХ составного осциллятора с образцом №61 так же, как и ВАХ с образцом № 34, начинались с линейного участка. В обоих образцах наклон линейных участков ВАХ к оси абсцисс изменялся от опыта к опыту. Относительное расположение линейных участков ВАХ в первых 4-х испытаниях образца №61 свидетельствует о том, что под действием ультразвука образец разупрочнялся: отношение У^/Ущ для 4-ого опыта оказалось приблизительно в два раза больше, чем для первого. В последующих 5-м и 6-м испытаниях произошло упрочнение образца, что видно также по данным изменения внутреннего трепня О'1 в зависимости от предварительной деформации ультразвуком, характеризуемой величиной (ст°наиб)п-1 - наибольшей амплитудой напряжения, достигнутой в предыдущем опыте (рис.3).

16

о Ю

14

12

6

с°= 7 • 10 "4

Рис.3, Зависимость внутреннего трения от наибольшей амплитуды напряжения (<?паиб)п-1, достигнутой в предыдущем опыте. Номера точек соответствуют последовательности опытов

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000

(Оа^.Г/мм2

На В АХ 5-го испытания образца №61 (рис.4) появились особенности, подобные наблюдавшимся на ВАХ 2-5 испытаний образца №34, по менее четко выраженные. Руководствуясь теми же критериями разбиения ВАХ на стадии, что и для образца №34, на ВАХ 5-го испытания образца №61 можно условно выделить стадии АВ, ВС, СБ.

На основании анализа ВАХ по методике [3] и анализа зависимости 0~\г°) с использованием теории Гранато-Люкке [4] можно заключить, что изменения свойств образца №61 под действием ультразвука так же, как и в образце №34, обусловлены изменениями в системе дислокации - закрепляющие их центры.

Таким образом, анализ совокупности экспериментальных данных, полученных при многократных ультразвуковых испытаниях низкоомных кристаллов СсВ, показал, что под действием ультразвука происходят изменения в системе дислокации - закрепляющие их центры и основной вклад во внутреннее трение низкоомных образцов вносят дислокационные механизмы, а именно, взаимодействие дислокаций с точечными дефектами.

4000

Рис.4. ВАХ составного осциллятора с образцом №61, полученная в 5-м опыте

В четвертой главе приводятся результаты исследования действия ультразвука и света на диссипативные свойства высокоомных образцов. Испытания, проведенные в режиме "темнота-свет", показали, что образцы этой серии реагируют на свет по своим диссипативным свойствам. Эффект, в котором при включении света Ущ, а, следовательно, и г°, скачком увеличиваются, считали положительным (рис.5,а), а если при включении света Уш и скачком уменьшаются - отрицательным (рис.6,а). Величина скачка зависит от условий освещения и от параметров ультразвука. Включение света приводит к уменьшению внутреннего трения (З1 у образцов с положительным эффектом (рис.5,б), а у образцов с отрицательным эффектом - к увеличению ()~1 (рис.6,б)

темнота свет

Л ' \\~ \\

\\

\ V \ \ \ \ \ \ V \

ро ,б&т

О 2 4 6 8 10 12 14 16

с" ю-4

Рис.5. Вольт-амперная характеристика составного осциллятора с образцом №44 (0 ^ 42°), иллюстрирующая положительный эффект (режим "темнота-свет") (а), и, соответствующая этому испытанию, зависимость 0 '(£°) (б). Опыт 10. Цифры и стрелки указывают последовательность измерении в опыте

300 250 200 ] 150 -^100 50 О

О*

4 6

вГ ю-'-

5

Рис.6. Вольт-амперная характеристика составного осциллятора с образцом №47 (0~ 50 иллюстрирующая отрицательный эффект (режим "темнота-свет") (а), и,соответствующая этому испытанию, зависимость О'1 (¿') (б). Опыт 1

о

\

У всех высокоомных светочувствительных образцов резонансная частота /р составного осциллятора всегда уменьшалась при включении освещения независимо от знака реакции на свет их диссипативных свойств. Резонансная частота^,, согласно теории метода, может быть представлена в виде= -—,1—77,

2л V ЬС

т.е._/р2 ~ УС. Уменьшение резонансной частоты при переходе от темноты к свету контролируется изменением электрической емкости составного пьезоэлектрического осциллятора С за счет изменения емкости образца при появления фотоэлектронов. Это заключение убедительно подтверждается совпадением (/ртем//рсв)2 с отношением С Св/С тсм. Последнее рассчитывается по данным прямого измерения емкости составного осциллятора на свету и в темноте.

Действие ультразвука на свойства светочувствительных высокоомных образцов может быть столь значительным, что в процессе ультразвукового воздействия может происходить инверсия знака реакции на свет их диссипативных свойств образцов (при одинаковых условиях освещения).

Инверсия знака реакции может происходить и в результате изменения интенсивности освещения в процессе ультразвукового воздействия при постоянном Гвх.

Изменение знака реакции имело место также в результате длительного отдыха и процедуры снятия спектров катодолюминесценции. При этом знак менялся с отрицательного на положительный.

Анализ спектров катодолюминесценции образцов с положительной и отрицательной реакцией на свет показал, что соотношение между числом донор-ных и акцепторных центров в них различно. Более того, в образце, обнаружившем инверсию знака реакции диссипативных свойств на свет, произошло изменение в соотношении между донорами и акцепторами. Судя по спектрам этот образец приблизился по оптическим свойствам к образцам, которые изначально проявляли положительный эффект.

Высокоомные образцы СёБ, отожженные до начала опытов в парах серы, не реагируют на свет по диссипативным свойствам. Анализ совокупности экспериментальных данных показал, что под действием ультразвука происходит процесс образования и раскрытия трещин, сопровождающийся большими потерями энергии. При этом ВАХ имеет вид ярко выраженной петли гистерезиса с участком резкого падения Ущ нри постоянном Увх (график 2 на рис. 7).

Рис.7. Вольт-амперные характеристики образца ЛЫ08, отожэюеиного в сере (графики 1-3, цифры соответствуют номеру испытания)

В пятой главе проводится обсуждение совокупности полученных результатов и их сопоставление с литературными данными. Основное внимание уделено анализу причин различной реакции на свет диссипативных свойств вьгсокоомных светочувствительных образцов.

Эффекту положительной реакции на свет диссипативных свойств дана физически обоснованная однозначная интерпретация. Различие диссипативных свойств таких образцов в темноте и на свету связано с изменением соотношения между частотой ультразвука ш и частотой релаксации проводимости ос при появлении фотоэлектронов.

В темноте ©с<ю и имеет место взаимодействие пьезоэлектрической волны, сопровождающей ультразвуковую, с носителями заряда. Внутренне трение обусловлено как дислокационными механизмами, так и взаимодействием ультразвуковой волны с электронной подсистемой; причем вклад электронной подсистемы может превосходить вклад дислокационной.

На свету юс>ю и основной вклад во внутреннее трение вносят дислокационные механизмы. Изменение внутреннего трения при переходе от темноты к свету обусловлено главным образом изменением вклада электронной подсистемы.

Дать однозначную интерпретацию эффекту отрицательной реакции на свет диссипативных свойств высокоомных образцов оказалось затруднительно.

ВЫВОДЫ

1. По своим физическим свойствам исследованные кристаллы делятся на три группы:

- низкоомные (ргсмн^Ю Ом-м; ыс> со), диссипативные свойства которых изменяются под действием ультразвука, но не реагируют на свет;

- высокоомныс светочувствительные (ргемн >10 Ом-м; сос< со), диссипативные свойства которых изменяются и под действием свет, и под действием ультразвука.

- высокоомныс, отожженные в сере, (ртсми >10б Ом-м; шс< со), диссипативные свойства которых изменяются под действием ультразвука, но не реагируют на свет.

2. Диссипативные свойства СсШ существенно зависят от предыстории образцов. Так, внутреннее трение в исходном состоянии для образцов одной и той же ориентации может существенно различаться, вплоть до 25 раз. Вследствие этого для выяснения закономерности влияния ультразвука и света на диссипативные свойства СЖ наибольшую ценность имеют данные многократных испытаний одного и того же образца.

3. Изменение диссипативных свойств низкоомных образцов под действием ультразвука происходит стадийно. Во внутреннее трение низкоомных образцов основной вклад вносит дислокационный механизм потерь, обусловленный взаимодействием дислокаций с закрепляющими их центрами.

4. Диссипативные свойства высокоомных светочувствительных образцов при переходе от темноты к свету и обратно меняются скачком. Реакция на свет диссипативных свойств может иметь разный знак у различных образцов: положительный, когда при освещении образца амплитуда деформации возрастает, при этом значение внутреннего трения уменьшается; отрицательный, когда при освещении образца амплитуда деформации уменьшается, значение внутреннего трения в этом случае увеличивается.

5. Знак реакции образца на свет может изменяться в результате действия ультразвука и при изменении интенсивности освещения. К изменению знака реакции на свет может приводить и длительный отдых образца при комнатной температуре, и процедура снятия спектров катодолюминесценции.

6. Независимо от знака реакции на свет диссипативных свойств образцов резонансная частота составного осциллятора при переходе от темноты к свету всегда уменьшается. Такое изменение резонансной частоты обусловлено изменением электрических свойств Сс1Я за счет появления фотоэлектронов.

7. В темноте во внутреннее трение светочувствительных высокооных об-1азцов основной вклад вносят взаимодействие электронной подсистемы с пье-оэлектрической волной, сопровождающей ультразвуковую и дислокационным геханизмом потерь.

8. При положительном знаке реакции на свет диссипативных свойств об-1азцов вюад в темновое внутреннее трение электронной подсистемы может (ревосходить вклад дислокационных механизмов. На свету в таких кристаллах Яновной вклад во внутреннее трепие вносит дислокационный механизм по-ерь

9. Внутреннее трение высокоомных образцов С(18, отожженных в парах се-1Ы, контролируется процессом образования и раскрытия трещин.

Цитируемая литература

. Швидковский Е.Г., Дургарян A.A. // Научный доклад высшей школы Сер. Физ.-мат. науки.1958, №5. С 211-215.

!. Дж. Мак-Фи. Распространение и усиление звуковых волн в пьезоэлектрических полупроводниках. В сб. Физическая акустика. Под. ред. У.Мэзона, М. Мир, 1969, t.IV, ч.А. С. 13-62.

Í. Наими Е.К. Анизотропия дислокационного внутреннего трения в реальных кристаллах. Докт.дисс., МИСиС, Москва, 1992.

Гранато А., Люкке К. Дислокационная теория поглощения. В сб. Ультразвуковые методы исследования дислокаций. М. ИЛ. 1963. С. 27-57.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих статьях и тезисах докладов

. G.V.fíusujeva, I.G.Gricaenko, G.M.Zinenkova, D.Klimm, P.Paufler, N.A.Tjapunina. Nucleation of Cracks in CdS during Ultrasonic Treatment I I Cryst. Res. Technoj^ 130, №4. P.541-546.

!. Бушует Г.В., ГргщаенксУИ.Г., Зиненкова Г.М., Тяпунина H.A. Изменение диссипативных свойств CdS в процессе ультразвукового на гружения в случае распространения трещин. //Физическая гидродинамика. Вып.5. Препринт №6, 1995. С.1-8.

I. Бушуева Г.В., Зиненкова Г.М., Грицаенко И.Г. Влияние света на упругие и диссипативные свойства монокристаллов CdS. //Тезисы докладов Международной конференции "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений". Тамбов. 1996. С. 146-147.

4. БушуеваГ.В., Грицаенко И.Г., Калабин A.A., Зинепкова Г.М., Тяпупина H.A. Поведение выскоомных и низкоомных образцов CdS при ультразвуковом нагружении. // Тезисы докладов Ш Международной школы-семинара "Эволюция дефеетных структур в конденсированных средах". Барнаул. 1996г. С.6.

5. Бушуева Г.В., Грицаенко И.Г., Зиненкова Г.М., Тяпупина H.A. Изменение дислокационной структуры и диссипативных свойств CdS под действием ультразвука.// Материалы научной конференции "Проблемы фундаметаль-ной физики". Саратов. 1996г. С.29-30.

6. Бушуева Г.В., Грицаенко И.Г., Зиненкова Г.М., Растегаева Г.Б., Тяпупина H.A. Деп. ВИНИТИ № 2093-В, 1997.