Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Глава I. Электрошо-стшулированные ионные процессы.

I. I. Локальные процессы./О

1,3.Объёмные процессы. Фотохимические реакции (ФХР).

1.3.Возможные механизмы ФХР.<2 О

1.4.Фотохимические реакции, протекающие при лазерном облучении.

1.5.Процессы, стимулированные акустическими волнами. .2.^

1.8 .Перераспределение дефектов под действием постоянных механических напряжений и электрических полей.

Глава 2.Природа и механизм эффекта аномальной.температурной 'зависимости проводимости (АТЗП) грани (0001) кристаллов Сс13.52.

2.1. Экспериментальные установки.

2.2.Образование стуктуры, ответственной за АТЗП грани (0001) кристаллов СсШ.

2.3.Природа метастабильных центров, возникающих на грани (0001) кристаллов Сс13 .при охлаждении. №

2.4.0 механизме эффекта АТЗП грани (0001) кристаллов Сс!$.

2.5.Выводы.

Глава 3.Образование проводящих каналов в кристаллах саз под действием электрического поля.^

3.1.Обзор литературы. 3.2.Методика эксперимента.6 ^

3.3.Исследование дрейфа дефектов в электрическом поле. Термо-стимулированная проводимость, Люминесценция.£2

3.4.Анизотропия проводимости кристаллов сйб, наведенная электрическим полем. Условия формирования.65"

3.5.Амплитудно-частотные и вольт-амперные характеристики.^

3.8.Механизм формирования электрическим полем анизотропии проводимости.

3.7.Природа проводящих участков канала.№

3.8.Механизм дрейфа дефектов.

3.8. Вывода.

Глава 4.Влияние ультразвука на фотоэлектрические и люминесцентные характеристики кристаллов Сс13.Ж

4.1.Методика эксперимента.

4.2.Влияние ультразвукового импульса на фотоэлектрические характеристики КрИСТаЛЯОВ Сс15.

4.3. Фото люминесценция.

4.4.Причины и механизм изменения фототока под действием ультразвука.

4.5.Вывод а.(00.

Глава 5.Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник./¿У

5.1 .Методика эксперимента.iOL

5.2.Влияние подвижных дефектов на изменение характеристик кон- -такта металл-Сс!3. У^З

5.3.Влияние освещения призлектродных областей на характеристики . контакта 1п-Сс1в в кристаллах, содержащих подвижные дефекты.

5.4.Выводы. .,.7/

В настоящее время мета стабильные ж подвижные дефекты . являются объектами интенсивного изучения во. всем мире. Такой интерес исследователей обусловлен, в первую очередь, тем, что присутствие этих дефектов может приводить к изменению- практически важных характеристик полупроводниковых материалов ■ (проводимости, фоточувствительности, люминесцентных и оптических "свойств,), .под. действием различных внешних факторов. Эти изменения могут 'играть как отрицательную роль, приводя к деградации приборов, так • и положительную, так как могут быть использованы для получения материалов с заданными свойствами, а также, например, для записи • информации.

О другой стороны, большой интерес вызывают природа . и, .физические механизмы указанных явлений. Установлено, что,, как правило, причинами изменений свойств материалов являются вызванные воздействием ' каких-либо внешних факторов изменение положения, дефекта в решетке, . образование или распад комплексов, отход дефектов от стоков или возвращение к .ним, а также перераспределение дефектов по объему кристалла под. действием электрических или механических полей. Протекание этих процессов обусловлено двумя факторами: изменением взаимодействия, между дефектами ш дефектами и атомами решетки, а также наличием подвижных дефектов, которые являются, составной частью комплексов шеи основой метастабильных центров. В литературе описаны процессы перестройки: и перераспределения дефектов в , различных полупроводниках (31 .А^В^Д^В^) под действием следующих внешних-, факторов: света,, жесткого излучения, внешнего электрического поля, акустических волн. Недавно в кристаллах сёБ было обнаружено еще одно необычное явление, когда перестройка центров стимулируется охлаждением /68-70/. Было показано, что на поверхности грани.

0001) кристаллов СёЗ' присутствуют метастабильные центры, которые: в процессе охлаждения преобразуются в водородоподобные доноры, что приводит к резкому росту проводимости грани при понижении температуры от 300 до 77К (аномальной температурной зависимости-, проводимости. - АТЗП).

Вместе с тем ряд вопросов, касающихся природы и механизмов: таких процессов., а также возможных следствий присутствия подвижных-дефектов остался не выясненным. К ним относятся:

1. Выяснение- условий 'и механизма формирования . метастабильных . центров, перестройка которых приводит к появлению водородоподобных доноров, на .базисной грани кристаллов сёз при охлаждении.

2.Выяснение влияния на процессы перестройки и перераспределения дефектов факторов, действующих на кристаллы во время подготовки и проведения эксперимента, а также в процессе изготовления приборов,' в частности, нанесение -электродов.

3.Недостаточно ясен и вопрос о роли дислокаций в процессах перестройки и дрейфа дефектов, а также в фотопроводимости и проводимости кристаллов. В то же время ясно, ' что их роль - может быть весьма многообразной, например: I)дислокация может быть причиной метастабильности расположенного рядом дефекта вследствие , нарушения регулярности.его решеточного окружения; 2)поскольку дислокация -может быть эффективным стоком.для дефектов, изменение под действием внешних факторов сил взаимодействия между дефектами, и дислокациями может привести к отходу от них дефектов, или, ., наоборот, к усилению генерирования; 3)вблизи дислокаций вследствие их геттерирующего действия повышается вероятность образования кластеров дефектов и , - следовательно, вероятность протекания процессов их распада или образования; 4 )вдоль дислокаций может происходить ускоренная диффузия дефектов.

Выяснение указанных выше вопросов и явилось целью настоящей работы.

В качестве объекта исследования были выбраны кристаллы СсЩ,. поскольку они, с одной стороны, служат основой для целого ряда приборов, а с другой - в них имеются и хорошо изучены подвижные дефекты и многие процессы их перестройки, что облегчает решение поставленных задач.

В работе были' проведены исследования электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств кристаллов с^з с равной плотностью даслокаций,: а также влияния на эти свойства различных; внешних факторов: атмосферы, отжигов, травления,' электрического-поля, ультразвуковых (УЗ) волн. Поскольку можно ожидать, что УЗ волны будут воздействовать преимущественно на дислокации, то изучение их влияния на кристаллы с различной платностью дислокаций: может способствовать выяснению не только вопроса о вкладе дислокаций ш придислокационных областей в электрические . и фотоэлектрические характеристики кристаллов, но и вопроса о. механизме воздействия ультразвука на. систему точечных дефектов.

Научная новизна. При выполнении настоящей работы получен ряд новых результатов. Основные из них следующие:

-Установлено, что обнаруженное ранее явление аномальной температурной зависимости проводимомти (АТЗП) грани (0001) кристаллов Сс13 отсутствует на свежесколотой поверхности • и появляется вследствие образования метастабильных центров , на поверхности грани со временем после скола. Энергия активации этого процесса составляет 0.6-0.7 зВ.

- Показано, что эти метастабильные центры представляют собой, скопления атомов кадмия, образующиеся вследствие их выхода, на поверхность из объема кристалла.

- В кристаллах сёБ, содержащих значительную концентрацию подвижных доноров, обнаружен эффект формирования под действием. электрического поля проводящих каналов, что приводит к появлению-, анизотропии проводимости.

- Показано, что проводящие ¡каналы представляют собой, декорированные донорами дислокации или их скопления. Установлен: механизм.формирования каналов.

- Показано, что в кристаллах сйб под действием короткого импульса ультразвука имеет' место процесс, перераспределения точечных дефектов вблизи дислокаций,, значительно более быстрый, чем процессы, обусловленные диффузией подвижных дефектов.

- Установлено, что. имеющиеся в кристаллах подвижные . доноры . играют существенную роль в формировании контакта, вызывая ухудшение характеристик омического и уменьшение сопротивления;; запорного контакта со временем.

Практическая ценность результатов работы заключается., в , следующем:

- Проведенные исследования влияния дислокаций-на проводимость и фотопроводимость кристаллов Сс13 могут быть использованы при разработке, приборов на их. основе.: Исследование влияния подвижных дефектов на процесс .формирования, электрических контактов имеет непосредственное; отношение. к вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов,

- Полученные в работе результаты по влиянию ультразвука на характеристики кристаллов могут быть использованы • для диагностики г надежности и качества приборов.

Исходя из полученных- в работе результатов можно сформулировать основные положения, выносимые на защиту:

I. Явление аномальной температурной зависимости проводимости грани (0001) кристаллов СсШ отсутствует на " свежесколотой поверхности и появляется, вследствие образования метастабильных центров, которые/представляют собой скопления атомов кадмия, -на поверхности грани со. временем после скола. 2. Появление анизотропии проводимости под действием-' 'Электрического.пол?? в кристаллах еаБ, содержащих подвижные доноры, . связано с присутствием в них декорированных дислокаций, образующих "сетку" проводящих линий, разделенных высокоомными промежутками.

3. Формирование проводящих каналов обусловлено дрейфом доноровв электрическом поле в высокоомных промежутках, что приводит, к

1 ■ понижению их сопротивления в результате инжекции электронов" и. дырок, а также увеличением проводимости придислокационных -областей.

4. Уменьшение проводимости кристаллов саз под действием короткого. импульса, ультразвука связано с. уменьшением концентрации доноров в придислокационных областях, причем" этот процесс значительно более быстрый, чем процессы диффузии подвижных . доноров.

5. Изменения со временем характеристик контактов к кристаллам . Сс!3, содержащим подвижные дефекты, связаны с дрейфом последних в ' поле- приконтактного изгиба зон.

Апробация работы. Наиболее важные результаты докладывались на 18-й Международной конференции по дефектам в полупроводниках (США., 1991), 3-й Всесоюзной конференции "Материаловедение халькогенщщых полупроводников" (Черновцы, 1991), 2-й научной конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ашхабад, 1991), научных . семинарах в ИФП АН Украины.

Основные результаты диссертационной работы отражены в работах /92-95/.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, общих выводов и. , списка цитируемой литературы.

общие вывода

1.Установлено, что обнаруженные ранее метастабилъные центры, ответственные за АТЗП грани (0001) кристаллов с<±£, отсутствуют на :свежесколотой поверхности и образуются со временем /после;/ скола. этого.- процесса составляет 0.6-0.7 ЭВ.

2. Показано, что эти метастабилъные центры представляют собой; скопления атомов кадмия, образующиеся вследствие выхода последних на/поверхность из объёма кристалла.

3.Установлено, что перестройка метастабильных центров на грани при охлаждении происходит под действием пирополя.

4.Обнаружено новое явление - формирование проводящих каналов и появление анизотропии проводимости в кристаллах се!£ под действием/; электрического поля.

5.Показано, что оно связано с присутствием в кристалле тонких .3-1.0 мкм) проводящих нитей, разделенных высокоомными

6.Установлена их связь с дислокациями, что свидетельствуето существенной роли проводимости вдоль дислокаций в определенных условиях.

ТЦПоказано:, чтонепременным условием наблюдения как проводящих нитей, так и процесса формирования каналов является присутствие в образце подвижных доноров, декорирующих дислокации. Установлен механизм формирования каналов, состоящий в процессе дрейфа доноров в высокоомных промежутках.

8. Обнаружен процесс увеличения проводимости придислокационных областей под, действием электрического поля.

Обнаружен/глубокий донор <Е=0.22эВ), дрейфующий в элещрическом// поле; при комнатной температуре.

10.Показано, -что; дрейф доноров с энергиями активации; 0.3-0.4 эВ П|ЩШУ1рСТВеННО: обусловлен их движением в объёме образца .;

11.Установлено, что облучение импульсами ультразвука кристаллов содержащих декорированные донорами дислокации, приводит, к, уменьшению фотопроводимости придислокационных областей.

12.Показано, что этот эффект обусловлен уменьшением концентрации подвижных доноров в этих областях.

13.Предполагается, что уменьшение концентрации подвижных доноров обусловлено процэссом их "сброса" в "объём" кристалла.

14.Установлено, что скорость этого процесса существенно;: превышает, скорость процессов, связанных с диффузией подвижных доноров.

15. Установлено, процесс восстановления исходного состояния контролируется диффузией подвижных доноров.

16.Показано, что имеющиеся в кристалле подвижные дефекты играют существенную роль в формировании контактов вследствие да; дрейфа;:.в: поле: приконтакщого: изгиба зон. В результате этого сопротивление омического контакта увеличивается, а запорного - уменьшается.;;

17.Установлено, что при освещении кристалла содержащего подвижные светом. ■■■ из области прозрачности величина; фототока зависит от того, с какой стороны освещается кристалл: со стороны электродов, или с противоположной, что обусловлено модуляцией высоты; приконтакгных барьеров при освещении.

1.Kprsunskaya N. Е. , Markevieh 1.V., Sheihkman M.K. Phoipchjamie^ti. jReacti/ons. '■■¡at* Low Temperatures in CdS Single Crysdals. Phys. Stat. Söi.,f.l;.©ee;-i'/V.13, . N1, p. SS-36.

2. Корсунская H.E., Маркович И.В. , Шейнкман М.К. Образование новых локальных цэнтров в монокристаллах cds, вызванное присутствием свободных электронов и дарок. ФТТ, 1968, т. 10, N2, с.522-528.

3. Kimerling L. С. Recombination-enhanced Defect Reaction. Solid St. Comm. , 1978, v. 21 , 11/12» p. 1391-1401.

4. Kimerling L. G. Electronic Stimulation of Defect Processes; itv Semiconductors, in: Defect in semiconductors,, 197©> ed. H.^. Albany С Inst. Phys. Corif. Ser,,46» 1979> p. S6-73.

5. Торчинская T. В., Шейнкман M.K. Физическая природа деградации светодиодов и полупроводниковых лазеров. ЖЮ, 1983, i .38, с.371-382.

6. Физика соединений A^Bg. Под ред. Георгобиани A.H., шешшмэн МЛС.,; М. ъНаука, 1986 , 32Qc.

7. Korsiunskaya N.E. »• Markevieh I.V. •» Torehinskaya Т. V. » Sheinkmaln .,Mi;:K'.v;;^^"P.hpt,pSÄnäi't±"vl'ty■■ Degradation Mechanism in CdS: Cu Single

8. Crystals. Phys. ;St. - Sol. CaD , 1980, v. SO,'- №. p. S6S-57a

9. Leyinsoh M. , Bentpn J.L. , Kimerling L. C. Electronically controlled metastable defect reaction in InP. Phys. Kev. B. ,1983, v. 27, N10, p. 621.6-6221, :

10. Stavola M. , Levi nson M. , Benton J.L. , Kimerling L. C. Extrinsic self-trapping: and negative U In semiconductors-, A, metastable;-тcenter in InP. Phys. Rev. B. , 1984, v. 30. p. 832-839.

11. Levins on M. , Stavol a M. ,Kimerling L. C. , Benton J.L. Metastable ■M' //center in InP. I>afect-eharge-state-eontr oiled structural ■ г el at at і on r Phys. Rev. В. , 1983, v. 28, N10, p. 5848-585S.

12. Chant re A. . , Bois D. Met as table defect behavior in siluieon: eharge-state-eontr oiled reorientation of iron-alumlhuro pairs. Phys. Rev. В., 198S, v. 31, N12, p. 7979-7988.

13. Chantre A. , Kimerling L, C. Trends in the Bistable Properties of Iron-accept or Pairs in Silicon. Mater. Sci. Forum, 1980. v. 10-12, p.387-392.

14. Chantre A. .Kimerling L. C. ConfigurationallyMultistable^ Defect: v in Silicon. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, N15, p. 1000-1002.

15. Piekara U. , Langer J.M. Shallow Versus Deep In Donors in CdF^ Crystals. Sol. St Comm., 1977, v. 23, p.583-587

16. Ботов В. В., Сердюк В.В. Ловушечный механизм изотермического спада фототока в монокристаллах cds. ФТТ, 1968, т.Ю, N12, с.3695^3697.

17. Boyn R., Goede О., Kuschnerus S. Incorporation of Cd-interstitial double donors into CdS single crystals : Phys Stat. Sol. , 1965, v. 12, N1, p. 57-70.

18. Bube R. H. v Reversible Variations of Sensitivity іCertain Cadmium Sulfide and Selenide Photoconductors. J. Chenv. Phys. 1SS9, v.30, N1, p.266-271.

19. Корсунская H.E., Кролевец H.M., Маркевич И.В., Пекарь Г.С.,

20. Gowel Т. А. Т. , Woods J. Thermally Stimulated Cur-rents and Infra-red Luminescence in CdS Crystals. Phys. St. Sol.» 196?, v. 24,, N1. p. K37-K4Q^,

21. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Х.В., ШейнкманМ.К. Взаимодействие доноров и акцепторов и фотохимические реакции; различных типолв в монокристаллах CdS:ы. УФК, 1977, т.22, N3, С.363-369.

22. Корсунская Н.Е., Кривко Т.Г., Маркевич И.В., Торчинская Т.В., : Шейнкман= М. К. Фотостимулированные процессы и взаимодействиелокальных центров в монокристаллах znSe. УФЖ, 1981, т.26, N4, с.662-665.

23. Tachel E. The Photochemical Interpretation of Slow Phenomena; tr*: //^«ІтІШ-аД^іїІ^.- "fchyl. Rep. Suppl. , 1968, N6,

24. Kopar-anova N.S. , Та vet ova К. V. , Kanev S. K. On the Photochemical ;Reacti;Ons, in CdS: Cu Single Crystals. Bui. J. of Phys.;, 1974»; У/1;,; N1 , p 1,3-19.-f20~

25. Sheinkman Ц. К. » Korsunskaya N. Е. , Markevich I. V. Tcirchirtakiiya Т. V. The Recharge-Enhaneed Transformation of Donor-Acceptor Pare, and CI asters in CdS. ,J. Phys. Chem. Sol., 1982, v. 47, N0,. p. 475-4,79.

26. A1bars С. , Genzow B. Photohemi sehe Reakti on und Temperatui al hangighei t der 1umineszens on CdS-Einkri stall en. Phys. 1963, v. 3, N5, p. 866-873.

27. З^Дяшщ BvB,, Корсунская H.E., Маркович И.В., Шейнкман М.К. Эффекты перестройки локальных центров в монокристаллах, вызванные ионизирующим действием j'-лучей. ФТП, 1976, т.8, с.433-434.

28. Корсунская Н.Е., Фотохимические реакции в полупроводниках AgB&. Автореф. дисс. доктора физ.-мат. наук. Киев, 1985,27с.

29. Корсунская Н.Е., Маркевич И.Е., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Рекомбинационно-стимулированное преобразование сложных центров;. свечения в кристаллах cds. ФТП, 1980, т.14, с.438-443.

30. Радиащонно^ашивируемые процессы в кремнии. (Под. ред. Ш.А.Вахидова) Ташкент, ФАН, 1977, 168 с.

31. Корбетт::Ш- * Бургуэн ,Цж. Дэфектообразованив в полупроводниках.j Us

32. В кн.ъ Точечные дефекты в твёрдых телах. М,. Мир, 1979, 379 с.I

33. Borgoin J. , Cor bet t J. A New Mechanism." for -I nt Migration. Phys. Lett., 1983. v. 38A, N2, p. 13S-137.

34. Lang D. V. , Kimerling L. C. Observation of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors. Phys. Rev. Lett:.,1974, v.33» N8, p. 489-492.4Й> Lang, i Kimerling L. C. Observation of Athermal Defect

35. Шейнкман ^K. Новое объяснение рекомбинационно стимулированных, явлений в полупроводниках. Письма в ЖТФ, 1983, т. 38, на, c.S

36. Шейнкман М.К. Новый механизм фотохимических реакций вполупроводниках. УФЖ, т.28, N10, с. 1586-1589.. ■

37. Корсунска^ Н,Е., Маркович й.В., Шейнкман М.К. Механизм фотохимическздх реакций в чистых и легированных кристаллах саз. У®, 1973; т. 18, N10, с.1678-1683.

38. Корсунска^ Н.Е., Моин М.Д. Процессы дефектообразования всульфиде кадмия под действием лазерного излучения. Квантоваяэлектроника, 11985, в.29, с.83-93.

39. Дкумаев Б.Р. Исследование электронных и ионных процессов, приводящих к изменению фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников под действием лазерного излучения. Авторе®,.; диссер. канд. физ. -мат. наук,, Ашхабад, 1991 14с.

40. Здебский. А.П., Миронюк Н.В., Остапенко O.G., Савчук А.У., Шейнкман М.К. Механизм стимулированного ультразвуком изменения-фото электрических и люминесцзнтных свойств сульфида кададя. ФТП, 1986, т.20, в.10, с IS6I-I887.

41. Düding G. » Labusch R. Anisotropic Conductivity of CdSv after ; plastic deformation and conduction along dislocations. Phys. St.,, Sol.; Ca>, 1981* y.68> N1, p. 143-151.

42. Ахоян А.П., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В. Эффект аккумуляции дефектов ;на поверхности полупроводника вследствие их дрейфа в полеприповерхностного изгиба зон. Письма в ЖТФ, т.И, в.1, с.41-46.,чгъ

43. Toshib Toshida et al. Electron irradiation effect оп; :sur;faee;/;;!Cif:::iCdS,v;-cr.ys;tal. Ann. Kept. Radiat. Center. Osaka Prefect*1981, v. га, p. а7-зо.1 ©1. Так as hi Oka et al. ZnjS-depoai ted CdS. Ann. Prefect, 1981, v. SS, p. 31-33.

44. Вавилов B.G., Кив A.E., Ниязова О .P. Механизмы-; образования и миграции дефектовВ; полупроводниках. М.ъ Наука, ІЄ8І, 368 с.

45. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Тарчинская Т.В., Шейнкман М.К. Исследование дрейфа дефектов в электрическом поле в кристаллах CdS: Li. ФТП, 1979, т.ІЗ, вып.з, с.435-440.

46. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шаблий И.Ю., Шейнкман М.К. Дрейф междоузельных атомов в электрическом поле в чистых ж легированных; іл кристаллах cds. ФШ, 1981, т. 15, вып.2, с.279-282.

47. Мысливец: К.А. Акустостимулированные эффекты в структурно несовершенных кристаллах n-cdxHg1xTe Сх-о.аэ. Электрофизические ифотоэлектрические свойства. Автореферат канд. дис., Киев, 1990, 15с.

48. Корсунская Н,Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В., ШейнкманМ.К., Эмиров Ю.Н. Электродиффузия глубоких доноров В кристаллах CdS:Cu. ФТП, 1980, т.14, вып.10, с.2031-2033.

49. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции? полупроводниках AgBg. В кн,ъ Физика соединений A^Bg. М.ъ Наука, 1986 , с Л09^142.

50. Щі.Дорсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шульга ЕЛІ. Эффект генерации электронов Идырок в кристаллах cds, стимулированный охлаждением^ УФЩ £988* тиЗЗ* НИ, с.1673-1675.

51. М.К. Generation of metastable shal1ow donors induced by cooli ng in.1.fVl semiconductors. Semicond. Sci. Tech. , 1992, v. 7,p. 92-96.

52. Корсунская H.E., Шейнкман M.K. 0 влиянии; условий роста на электрические и фото электрические i свойстваамонокристаллое cdSe. УФЖ, 1972, т.17,м8, с.1334-1338,

53. Айвазова Л.С. , Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Отрицательный темиературный коэффициент равновесной конгрнтрации носителей тока при самокомпенсации в p-siс. ФТП, 1982, т.16, N12, с.2100-2104.

54. Кропман Д.И., Шейнкман М.К. Аномальная температурная

55. ЗаВИСИМОСТЬ ТеМНОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ В ПЛёНКаХ (CdS.Си,С1)>: ФТП, ХЩб^/т.а,; Ы4, с .777-779.

56. Ахоян А.П., Корсунская H.E., Маркович И.В. Роль/ адсорбции/ кислорода в формировании спектров экситонной люминесценции кристаллов CdS. ЖПС, 1988, т.49, в.5, с.859-861.

57. Бабинчук B.G., Сердюк В.В. Электронномикроскопическое исследование монокристаллов cds, подвергнутых термическойобработке. ФТТ, 1968, т.10, в.2, с.645-647.

58. Вйег К. W. , Kennedy С. A. Vacuum heat treatment- of CdS single ;/cr;ystal:s:./::.;phys:;;/.St. Sol., 1967, v. 19, N1, p. 203-210.

59. SO. Smith R.W. , Rose A. Space-Charge-Limited Currents in Single / Crystals of Crystals of Cardmium Sulfide. Phys. Rev. , 19SS,, v. 97v,-шp. 1631-1533.81:. Kroger -F.; A. » Diemer G., Klasens H.A. Phys. Rev. , 1956, v. 103, p. 279-283.

60. Лрсьянчикова H.Б., Маркович И.Б., Федоруе Г. А., : Шейнкман М.К. Исслвдование шумов фототока в cds монокристалла* с различными контактами,:УФЖ, 1965, т.10, NI, с.27-37.

61. SSïï^arlpr G. А, , Woods J. Space Charge Li M ted Cur rents in Cadmium vSulfide'Crystals. Proc. Phys. Soc. , 1963, v. 81, N6, p. Ipl3-1021.

62. Ахоян ; А.П., Ембергенов Б., Корсунская H.E., Маркевич Й.В Шульга Е,:Ш; Влияние, контактов на спектральную зависимость фототока в полупроводниках. УФЖ, 1987, т.32, Nil, с.1559-1562.

63. Lang D;Recomblnatioft-enhanced reactions in semiconduc- tors, Annu. Rev. Mater, Sei. . 1982, v.l2, p. 377-400,

64. Эдебский А.П., Миронюк Н.В., Остапенко С.С., Ханат Л.Н., Гарягдаев Г. Влияние ультразвука допороговой мощности на фотоэлектрические и люминесцентные свойства полупроводаиковых тверда растворов AjjByj . ФТП, 1987, т.21, в.5, с.935-938.

65. Щ .И.; А; Дроздова H. E ^Корсунская, И.В.Маркевич, E. П. Шульга, М.К.Шезгнкман, Образование структуры, ответственной за аномальную: температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов; Cds. ФТП, 1991, т.25, в. 9, с.1629-1633.

66. И. А. Дроздова, Н.Е.Корсунская, й.В. Маркевич, Е.П.Шульга. Свойства сколотых поверхностей базисных граней кристаллов cds. Материалы З^й ■ Всесоюзной конференции "Материаловедение халькоганидных полупроводников", Черновцы, 1991, часть 2, с.23«

67. Баженов A.B., Осіріьян Ю. А., Штейнман Э. А. Влияние дислокаций; на оптические свойства сульфида кадмия. ФТТ, 1971, т.ІЗ, в.II, 0.3190-3193;.

68. ЮО.Тарбаев Н.И. Оптические электронные переходы в сульфиде кадмия, одноосно деформированном при низкой температур©. Автореф.1981, 16 С.

69. Баженов А.В., Осипьян Ю.А., Штейнман Э.А.; Механизм рекомбинации, на дислокациях в селениде кадмия. ФТТ, 1980, т.22, в. 2> с . 389-^394.

70. Юй.ОсипьянЮ.А., Штейнман Э.А. Остаточная проводимость в селениде кадмия с дислокациями. ФТТ, 1976, т. 18, в.I, с.302-303.

71. Бердник В.В., Классен Н.В., Осипьян Ю.А., Шевченко 0.А.,

72. Шихсаидов М.Ш. Влияние пластической деформации на оптическое поглощение, фотопроводимость и красную люминенсцвнцию сульфида кадшая. В сб. Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев, 1974, с.12-13.

73. Классен Н.ВА., Осипьян Ю.А. Анизотропное поглощение поляризованного света в сульфиде кадмия, вызванное введением дислокаций. ФТТ, 1972, т.14, в.12, 3694-3696.

74. Вывбнко О.Ф., Базлов Н.В., Тульев А.В. Глубокие уровни, ; обусловленные дислокациями в cds. Изв. АН GGGP, сер. физ. , 1987,

75. Т . 51, ; М4 , : с .668-673.

76. Vyvenko J.F. , £chr&ter W. Point-defect clouds at low-angle boundaries in cadmium sulfide. Phil. Mag. , 1984, v. SO, N4, p. LI 1 -LI 7.

77. Г 1,07- Henry:C;.;li.^,' Nassau K. , Shiever J. W. Optical studies; of shallow acceptor ; Дп CdS and CdSe. Phys. Rev. В, 1971, v. 4, n8, p.S4S3-S46S.

78. Sarlick; F. G. , Gibson A. E. The electron trap mechanism of r 1uminescence in sulphid and silicate phosphors. Proc. Phys. Soc. , : 194S, v. A60, p.,6, N34S, p. 574-S90.